JP5144630B2 - Charging circuit and generator and electric motor using charging circuit - Google Patents

Charging circuit and generator and electric motor using charging circuit Download PDF

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Description

本発明は、自動車等の車両において、内燃機関の回転を利用して、発電機によりバッテリを充電する充電回路並びに充電回路を用いた発電機及び電動機に関するものである。   The present invention relates to a charging circuit that charges a battery by a generator using a rotation of an internal combustion engine in a vehicle such as an automobile, and a generator and an electric motor using the charging circuit.

内燃機関を動力とする自動車等の車両において、内燃機関の始動時には始動用電動機として動作するとともに、始動後は発電機としても動作する電機子巻線および界磁巻線を有する同期発電機または同期発電電動機により発電された交流電流をブリッジ回路からなる整流器にてバッテリを充電する構成が利用されている。   In a vehicle such as an automobile powered by an internal combustion engine, a synchronous generator or a synchronous generator having an armature winding and a field winding that operates as a starting motor when starting the internal combustion engine and also operates as a generator after starting A configuration is used in which a battery is charged with a rectifier including a bridge circuit using an alternating current generated by a generator motor.

しかしながら、ブリッジ整流回路にダイオードを用いた場合、その電圧・電流特性から電力損失が発生する。また、電力損失に伴うダイオードの発熱に対応するため大きな放熱板が必要となり、充電回路が大型化するという問題がある。この電力損失を低減するため、ダイオードの替わりにMOS型FETを利用する方式が提案されている。   However, when a diode is used in the bridge rectifier circuit, power loss occurs due to its voltage / current characteristics. In addition, a large heat sink is required to cope with the heat generation of the diode accompanying power loss, and there is a problem that the charging circuit is enlarged. In order to reduce this power loss, a system using a MOS FET instead of a diode has been proposed.

例えば、特許文献1に示される充電回路では、各ブリッジ要素をすべてMOS型FETで構成したブリッジ整流回路のFETのいずれかにバッテリの両端電圧よりも高い逆ドレイン・ソース電圧が印加された時にFETに、ソース端子に対してプラスとなるゲート電圧を印加してFETの逆ドレイン電流の導通状態にさせ、バッテリの両端電圧よりも高い逆ドレイン・ソース電圧が印加されていない時にFETに、ソース端子に対してマイナスとなるゲート電圧を印加してFETのドレイン電流を遮断する制御手段を備えている。
図5は従来の充電回路の基本構成を示す回路図であり、図6は誘導電圧を示す波形図である。図5において、交流発電機の三相出力コイルの各端子は、それぞれバッテリ側、GND側に接続されたFETに接続されており、図6では三相出力コイルの各出力端子間に三相の誘導電圧が発生する。コントロール部ではバッテリ電圧と誘導電圧を常時比較し、誘導電圧がバッテリ電圧より高ければ、バッテリ側のFETゲート端子にプラス電圧を印加して導通させることにより、逆ドレイン電流が流れるようにし、低電力損失の充電回路を実現しているFETの消費電力を低減させている。
For example, in the charging circuit disclosed in Patent Document 1, when a reverse drain / source voltage higher than the voltage across the battery is applied to one of the FETs of the bridge rectifier circuit in which each bridge element is configured by a MOS FET, the FET In addition, a positive gate voltage is applied to the source terminal so that the reverse drain current of the FET becomes conductive, and when the reverse drain-source voltage higher than the voltage across the battery is not applied, the source terminal is connected to the FET. Is provided with a control means for applying a negative gate voltage to block the drain current of the FET.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a basic configuration of a conventional charging circuit, and FIG. 6 is a waveform diagram showing an induced voltage. In FIG. 5, each terminal of the three-phase output coil of the AC generator is connected to the FET connected to the battery side and the GND side, respectively, and in FIG. 6, the three-phase output coil is connected between the output terminals of the three-phase output coil. An induced voltage is generated. The control unit constantly compares the battery voltage and the induced voltage, and if the induced voltage is higher than the battery voltage, a positive voltage is applied to the FET gate terminal on the battery side to cause conduction, thereby allowing a reverse drain current to flow. The power consumption of the FET realizing the loss charging circuit is reduced.

また、図7は特許文献2記載のアクティブダイオードと称される、アンプ、および、オフセットバイアス源を有するFETの構成であり、VCA(Vcathode−Vanode)がオフセット電圧Voffsetよりも低くなるとFETが導通となる。このため、FETの導通判定時は高電位側のドライバが既にオフになっているため、ショートスルー電流防止のための各FETに遮断時間を設定するデッドタイムの設定は不要としている。   FIG. 7 shows a configuration of an FET called an active diode described in Patent Document 2 and an FET having an offset bias source. When the VCA (Vcatode-Vanode) becomes lower than the offset voltage Voffset, the FET becomes conductive. Become. For this reason, since the driver on the high potential side is already turned off at the time of determining the continuity of the FET, it is not necessary to set a dead time for setting a cutoff time for each FET for preventing a short through current.

特開平4−138030号公報JP-A-4-138030 特開2005−295794号公報JP 2005-295794 A

しかしながら、特許文献1による充電回路では、FETのドレイン・ソース間電圧の電位差に応じて導通、遮断判定するため、一旦、FETが導通した場合、FETのドレイン・ソース間電圧の電位差はFETの導通抵抗とドレイン電流に依存するため、微小な値となり、遮断判定電圧の精度を確保することが困難となる。一方のFETの遮断判定ができないまま他方のFETが導通となると、ブリッジ整流回路内の各相の一対のFET間の短絡により異常な大電流(ショートスルー電流)が流れて故障となる可能性があるという課題があった。   However, in the charging circuit according to Patent Document 1, since the conduction / shutoff determination is made according to the potential difference between the drain-source voltage of the FET, once the FET is turned on, the potential difference between the drain-source voltage of the FET becomes the conduction of the FET. Since it depends on the resistance and the drain current, it becomes a minute value, and it is difficult to ensure the accuracy of the cutoff determination voltage. If the other FET is turned on without being able to determine whether one of the FETs is cut off, an abnormal large current (short-through current) may flow due to a short circuit between the pair of FETs in each phase in the bridge rectifier circuit, resulting in a failure. There was a problem that there was.

また、出力端子へバッテリ電圧が印加される短絡故障や、その他異常や故障によりFETのドレイン端子よりもソース端子電圧が高くなる故障状態が発生した場合、電機子巻線からの発電電圧の有無に関わらず、FETを導通制御することとなり、故障検出ができずにブリッジ整流回路の過電流要因での焼損破損等の故障が発生するという問題があった。   In addition, when a fault condition occurs in which the source terminal voltage is higher than the drain terminal of the FET due to a short circuit fault in which the battery voltage is applied to the output terminal or other abnormality or fault, the presence or absence of the power generation voltage from the armature winding Regardless, there is a problem in that the FET is controlled to conduct, and the failure cannot be detected and a failure such as burnout damage due to an overcurrent factor of the bridge rectifier circuit occurs.

また、特許文献2によるアクティブダイオードでは、ショートスルー電流を防止することとしているが、アノード端子、カソード端子が電源端子、または、GND端子に接続される場合は、アンプの入力範囲が広くなるため、アンプ仕様を特殊な仕様にする必要があった。   Further, in the active diode according to Patent Document 2, the short-through current is prevented. However, when the anode terminal and the cathode terminal are connected to the power supply terminal or the GND terminal, the input range of the amplifier is widened. It was necessary to make the amplifier specifications special.

本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、発電機によるバッテリへの充電時の電気的損失を低減し、かつ異常電流からの保護を目的としたブリッジ整流回路を用いた充電回路並びに充電回路を用いた発電機及び電動機を提供することを目的としている。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and provides a bridge rectifier circuit for reducing electrical loss during charging of a battery by a generator and for protection from abnormal current. It is an object of the present invention to provide a charging circuit used and a generator and a motor using the charging circuit.

上記課題を解決するために、本発明の充電回路は、電機子巻線を有する発電機の各相の前記電機子巻線に接続された第1の制御極付半導体素子と第2の制御極付半導体素子による一対の制御極付半導体素子で構成されるブリッジ整流回路を備え、前記発電機により発電された交流電流を整流してバッテリに充電する充電回路において、基準電圧端子と、前記バッテリの正極電圧と前記基準電圧端子の基準電圧とを分圧した第1の分圧電位と前記電機子巻線端子の相電圧と前記基準電圧端子の基準電圧とを分圧した第2の分圧電位とを比較して、その判定結果を前記第1の制御極付半導体素子の制御極に出力する第1の比較器と、前記基準電圧と前記接地電圧とを分圧した第3の分圧電位と前記相電圧と前記基準電圧とを分圧した第4の分圧電位とを比較して、その判定結果を前記第2の制御極付半導体素子の制御極に出力する第2の比較器と、を有する制御部を備え、前記制御部は、前記電機子巻線の相電圧が前記バッテリの正極電圧よりも所定値高い場合には、前記第1の制御極付半導体素子を導通させ、それ以外の場合には前記第1の制御極付半導体素子を遮断し、前記相電圧が接地電圧よりも所定値低い場合には、前記第2の制御極付半導体素子を導通させ、それ以外の場合には前記第2の制御極付半導体素子を遮断することを特徴とするものである。 In order to solve the above-described problems, a charging circuit according to the present invention includes a first control pole-attached semiconductor element and a second control pole connected to the armature winding of each phase of a generator having an armature winding. comprising a bridge rectifier circuit composed of a pair of control Kiwametsuki semiconductor device by the semiconductor element with, in the charging circuit for charging the battery by rectifying the alternating current generated by the generator, and a reference voltage terminal, said battery A first divided potential obtained by dividing the positive voltage and the reference voltage of the reference voltage terminal, a second divided potential obtained by dividing the phase voltage of the armature winding terminal and the reference voltage of the reference voltage terminal. And a third divided potential obtained by dividing the reference voltage and the ground voltage by the first comparator that outputs the determination result to the control pole of the semiconductor element with the first control pole. And a fourth voltage divider that divides the phase voltage and the reference voltage Compared bets, a second comparator outputs the determination result to the control electrode of the second control Kiwametsuki semiconductor device includes a control unit having the control unit, the armature winding If the phase voltage is the predetermined value higher than the positive voltage of the battery, the to conduct first control Kiwametsuki semiconductor device, in other cases block the said first control Kiwametsuki semiconductor element, wherein If the phase voltage is the predetermined value lower than the ground voltage, said to conduct the second control Kiwametsuki semiconductor device, in other cases the characteristics that you block the second control Kiwametsuki semiconductor element To do .

また、本発明の発電機は、上記充電回路を備えたものである。   Moreover, the generator of this invention is provided with the said charging circuit.

また、本発明の電動機は、上記充電回路に、前記電機子巻線端子と前記基準電圧端子との間に設けられた切替スイッチと、前記切替スイッチによって切替え接続される電動機制御回路とを設けた電動機であって前記電動機運転時に、切替え接続された前記電動機制御回路によって制御されるものである。 In the electric motor of the present invention, the charging circuit includes a changeover switch provided between the armature winding terminal and the reference voltage terminal, and an electric motor control circuit that is switched and connected by the changeover switch . a motor, said at motor operation, and is controlled by switching the connected the motor control circuit.

本発明によれば、発電機によるバッテリへの充電回路にMOS型FETで構成されるブリッジ整流回路を用いることにより、電気的損失を低減することが可能となるとともに制御部によりFETの遮断が確実に行われるため、ショートスルー電流による故障を回避することが可能になる。   According to the present invention, it is possible to reduce electrical loss by using a bridge rectifier circuit composed of a MOS type FET as a charging circuit for a battery by a generator, and it is possible to reliably cut off an FET by a control unit. Therefore, it is possible to avoid a failure due to a short through current.

実施の形態1における充電回路を示す回路図である。3 is a circuit diagram illustrating a charging circuit according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1の充電回路における相電圧を示す波形図である。FIG. 3 is a waveform diagram showing phase voltages in the charging circuit of the first embodiment. 実施の形態2における充電回路を示す回路図である。6 is a circuit diagram showing a charging circuit in a second embodiment. FIG. 実施の形態3における充電回路を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a charging circuit in a third embodiment. 従来の充電回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the conventional charging circuit. 従来の充電回路の誘導電圧を示す波形図である。It is a wave form diagram which shows the induced voltage of the conventional charging circuit. 従来のアクティブダイオードを示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the conventional active diode.

以下、本発明の実施の形態に係る充電回路について図1〜図4に基づいて説明する。   Hereinafter, a charging circuit according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

実施の形態1.
図1は、実施の形態1における充電回路の回路構成を示す図である。
図1において、充電回路1は、充電されるバッテリ2の正極と接地(GND)間に接続され各相のブリッジ整流回路を構成する直列に配置された一対の制御極付半導体素子であるMOS型FETのFET1及びFET2と、FET1のソースS1とFET2のドレインD2間に接続された発電機の電機子巻線3と、FET1及びFET2を制御する制御部4とで構成されている。制御部4は、バッテリ電圧VBと基準電圧Vcomを分圧するための分圧抵抗Rs1とRf1と、この分圧抵抗Rs1とRf1とで分圧された第1の分圧電位Vm1と、電機子巻線3の相電圧Vphと基準電圧Vcomを分圧するための分圧抵抗Rf’とRsと、この分圧抵抗Rf’とRsとで分圧された第2の分圧電位Vp1と、分圧電位Vm1とVp1を比較し、その判定出力がFET1のゲートG1に接続されている第1の比較器COMP1と、基準電圧Vcomと相電圧Vphを分圧するための分圧抵抗Rf’とRsと、この分圧抵抗Rf’とRsとで分圧された第3の分圧電位Vm2と、基準電圧VcomとGNDを分圧するための分圧抵抗Rs2とRf2と、この分圧抵抗Rs2とRf2とで分圧された第4の分圧電位Vp2と、分圧電位Vm2とVp2を比較し、その判定出力がFET2のゲートG2に接続されている第2の比較器COMP2と、で構成されている。三相交流発電機の場合は、電機子巻線が3本あり、各相毎にそれぞれ上記充電回路が備えられ、バッテリに接続されている。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a diagram illustrating a circuit configuration of a charging circuit according to the first embodiment.
In FIG. 1, a charging circuit 1 is connected to a positive electrode of a battery 2 to be charged and grounded (GND), and is a MOS type that is a pair of semiconductor elements with control poles arranged in series to form a bridge rectifier circuit of each phase. The FET 1 and FET 2 of the FET, the armature winding 3 of the generator connected between the source S 1 of the FET 1 and the drain D 2 of the FET 2, and a control unit 4 that controls the FET 1 and FET 2. The control unit 4 includes voltage dividing resistors Rs1 and Rf1 for dividing the battery voltage VB and the reference voltage Vcom, a first divided potential Vm1 divided by the voltage dividing resistors Rs1 and Rf1, and an armature winding. The voltage dividing resistors Rf ′ and Rs for dividing the phase voltage Vph and the reference voltage Vcom of the line 3, the second divided potential Vp1 divided by the divided resistors Rf ′ and Rs, and the divided potential Vm1 and Vp1 are compared, the determination output is a first comparator COMP1 connected to the gate G1 of FET1, voltage dividing resistors Rf ′ and Rs for dividing the reference voltage Vcom and the phase voltage Vph, Divided by the third divided potential Vm2 divided by the voltage dividing resistors Rf ′ and Rs, the voltage dividing resistors Rs2 and Rf2 for dividing the reference voltages Vcom and GND, and the voltage dividing resistors Rs2 and Rf2. The fourth divided potential Vp2 that has been pressed and the divided voltage The potential Vm2 is compared with Vp2, and the determination output is constituted by a second comparator COMP2 connected to the gate G2 of the FET2. In the case of a three-phase AC generator, there are three armature windings, and the charging circuit is provided for each phase and connected to a battery.

次に、実施の形態1における充電回路の動作について、図1、図2を参照して説明する。なお、本発明の主体は充電回路にあるので、発電機の動作の説明は省略する。   Next, the operation of the charging circuit in Embodiment 1 will be described with reference to FIGS. In addition, since the main body of this invention exists in a charging circuit, description of operation | movement of a generator is abbreviate | omitted.

図1において、比較器COMP1は、バッテリ電圧VBと基準電圧Vcomを抵抗Rs1、Rf1で分圧された分圧電位Vm1と、相電圧Vphと基準電圧Vcomを抵抗Rs、Rf’で分圧した分圧電位Vp1とを比較し、Vp1>Vm1となる場合には、FET1のゲートG1をオンにし、それ以外の場合には、ゲートG1をオフにする。
また、比較器COMP2は、基準電圧Vcomと接地GNDを抵抗Rs2、Rf2で分圧した分圧電位Vp2と、相電圧Vphと基準電圧Vcomを抵抗Rs、Rf’で分圧した分圧電位Vm2とを比較し、Vp2>Vm2となる場合には、FET2のゲートG2をオンにし、それ以外の場合には、ゲートG2をオフにする。
In FIG. 1, a comparator COMP1 is a divided voltage Vm1 obtained by dividing the battery voltage VB and the reference voltage Vcom by resistors Rs1 and Rf1, and a divided voltage obtained by dividing the phase voltage Vph and the reference voltage Vcom by resistors Rs and Rf ′. The voltage potential Vp1 is compared, and if Vp1> Vm1, the gate G1 of the FET1 is turned on, and otherwise the gate G1 is turned off.
The comparator COMP2 includes a divided potential Vp2 obtained by dividing the reference voltage Vcom and the ground GND by the resistors Rs2 and Rf2, and a divided potential Vm2 obtained by dividing the phase voltage Vph and the reference voltage Vcom by the resistors Rs and Rf ′. When Vp2> Vm2, the gate G2 of the FET 2 is turned on, and in other cases, the gate G2 is turned off.

したがって、FET1を導通させる条件として、バッテリ電圧VBと基準電圧Vcomとの分圧電位Vm1の最大値よりも相電圧Vphと基準電圧Vcpmとの分圧電位Vp1の最小値が大きくなるように分圧比が設定され、FET2を導通させる条件として、接地電圧VGNDと基準電圧Vcomとの分圧電位Vm2の最小値よりも相電圧Vphと基準電圧Vcomとの分圧電位Vp2の最大値が小さくなるように分圧比が設定されている。   Therefore, the voltage dividing ratio is set so that the minimum value of the divided potential Vp1 between the phase voltage Vph and the reference voltage Vcpm is larger than the maximum value of the divided potential Vm1 between the battery voltage VB and the reference voltage Vcom. Is set so that the FET 2 is turned on so that the maximum value of the divided potential Vp2 between the phase voltage Vph and the reference voltage Vcom is smaller than the minimum value of the divided potential Vm2 between the ground voltage VGND and the reference voltage Vcom. The partial pressure ratio is set.

今、Rf1>Rf’とし、順方向に相電流が流れ、相電圧VphがH出力となった場合を想定する。Vm1、Vp1、Vphは、式(1)から式(4)で表される。

Vm1=(Rs1・VB+Rf1・Vcom)/(Rs1+Rf1) (1)
Vp1=(Rs・Vph+Rf’・Vcom)/(Rs+Rf’) (2)
ゲートG1がオンとなる相電圧Vphの値は、比較器COMP1の分圧電位Vm1(式(1))とVp1(式(2))が等しいときであることより、Rs1=Rsとすると、式(4)で表すことができる。

(Rs1・VB+Rf1・Vcom)/(Rs1+Rf1)
=(Rs・Vph+Rf’・Vcom)/(Rs+Rf’) (3)
Vph=VB+(Rf’−Rf1)(VB−Vcom)/(Rs+Rf1)
=VB+Voff1 (4)
ただし、Voff1=(Rf’−Rf1)(VB−Vcom)/(Rs+Rf1)である。
式(4)より相電圧Vphが、バッテリ電圧VBより所定値Voff1だけ上回った時点でFET1のゲートG1がオンになる。
Now, assume that Rf1> Rf ′, phase current flows in the forward direction, and phase voltage Vph becomes H output. Vm1, Vp1, and Vph are expressed by Formula (1) to Formula (4).

Vm1 = (Rs1 · VB + Rf1 · Vcom) / (Rs1 + Rf1) (1)
Vp1 = (Rs · Vph + Rf ′ · Vcom) / (Rs + Rf ′) (2)
The value of the phase voltage Vph at which the gate G1 is turned on is obtained when Rs1 = Rs because the divided potential Vm1 (formula (1)) and Vp1 (formula (2)) of the comparator COMP1 are equal. (4).

(Rs1 · VB + Rf1 · Vcom) / (Rs1 + Rf1)
= (Rs · Vph + Rf ′ · Vcom) / (Rs + Rf ′) (3)
Vph = VB + (Rf′−Rf1) (VB−Vcom) / (Rs + Rf1)
= VB + Voff1 (4)
However, Voff1 = (Rf′−Rf1) (VB−Vcom) / (Rs + Rf1).
From the equation (4), when the phase voltage Vph exceeds the battery voltage VB by a predetermined value Voff1, the gate G1 of the FET 1 is turned on.

ここで、順方向に相電流が流れている期間のFET1の挙動を考える。
FET1のゲートG1が、オンになると相電圧Vphとバッテリ電圧VBとがほぼ等しくなるため、

Vph≒VB<VB+Voff1 (5)
となり、ゲートG1はオフとなるが、
FET1のゲートG1が、オフになると相電圧Vphの電圧が上昇し、

Vph=VB+Voff1 (6)
となるため、ゲートG1は再びオンとなる。
Here, the behavior of the FET 1 during the period in which the phase current flows in the forward direction is considered.
When the gate G1 of the FET 1 is turned on, the phase voltage Vph and the battery voltage VB are substantially equal.

Vph≈VB <VB + Voff1 (5)
And the gate G1 is turned off,
When the gate G1 of the FET1 is turned off, the voltage of the phase voltage Vph increases,

Vph = VB + Voff1 (6)
Therefore, the gate G1 is turned on again.

すなわち、順方向の相電流が発生し、相電圧Vphが、VB+Voff1を超える出力となる期間は、FET1は導通/遮断を繰り返すが、順方向の相電流が消滅し、相電圧Vphが、VB+Voff1を超えなくなった時点でFET1は遮断固定となる(図2)。   That is, during the period in which the forward phase current is generated and the phase voltage Vph exceeds VB + Voff1, the FET1 repeats conduction / cutoff, but the forward phase current disappears and the phase voltage Vph becomes VB + Voff1. When it does not exceed, the FET 1 is cut off and fixed (FIG. 2).

なお、上記期間では、相電圧Vphは、バッテリ電圧VBからVB+Voff1の間となるため、FET2は常に遮断状態となっている。   Note that, during the above period, the phase voltage Vph is between the battery voltage VB and VB + Voff1, so that the FET 2 is always in a cut-off state.

次に、Rf2>Rf’とし、逆方向に相電流が流れ、相電圧VphがL出力となった場合を想定する。Vp2、Vm2、Vphは、式(7)から式(10)で表される。

Vp2=Rf2・Vcom/(Rs2+Rf2) (7)
Vm2=(Rs・Vph+Rf’・Vcom)/(Rs+Rf’) (8)
ゲートG2がオンする相電圧Vphの値は、比較器COMP2の分圧電位Vp2(式(7))とVm2(式(8))が等しいときであることより、Rs2=Rsとすると、式(10)で表すことができる。

Rf2・Vcom/(Rs+Rf2)
=(Rs・Vph+Rf’・Vcom)/(Rs+Rf’) (9)
Vph=(Rf’−Rf2)・Vcom/(Rs+Rf2)=−Voff2 (10)
ただし、Voff2=(Rf’−Rf2)・Vcom/(Rs+Rf2)である。
式(10)より相電圧Vphが接地電位VGNDより所定値Voff2だけ下回った時点でFET2のゲートG2をオンにする。
Next, it is assumed that Rf2> Rf ′, a phase current flows in the opposite direction, and the phase voltage Vph becomes an L output. Vp2, Vm2, and Vph are expressed by Expression (7) to Expression (10).

Vp2 = Rf2 · Vcom / (Rs2 + Rf2) (7)
Vm2 = (Rs · Vph + Rf ′ · Vcom) / (Rs + Rf ′) (8)
The value of the phase voltage Vph at which the gate G2 is turned on is obtained when Rs2 = Rs because the divided potential Vp2 (equation (7)) and Vm2 (equation (8)) of the comparator COMP2 are equal. 10).

Rf2 · Vcom / (Rs + Rf2)
= (Rs · Vph + Rf ′ · Vcom) / (Rs + Rf ′) (9)
Vph = (Rf′−Rf2) · Vcom / (Rs + Rf2) = − Voff2 (10)
However, Voff2 = (Rf′−Rf2) · Vcom / (Rs + Rf2).
From equation (10), when the phase voltage Vph falls below the ground potential VGND by a predetermined value Voff2, the gate G2 of the FET 2 is turned on.

ここで、逆方向に相電流が流れている期間のFET2の挙動を考える。
FET2のゲートG2がオンになると、相電圧Vphと接地電位VGNDとがほぼ等しくなるため、

Vph≒VGND>−Voff2 (11)
となり、ゲートG2はオフとなるが、
FET2のゲートG2がオフになると相電圧Vphが下降し、

Vph=−Voff2 (12)
となるため、ゲートG2は再びオンとなる。
Here, the behavior of the FET 2 during the period in which the phase current flows in the reverse direction will be considered.
When the gate G2 of the FET 2 is turned on, the phase voltage Vph and the ground potential VGND become substantially equal.

Vph≈VGND> −Voff2 (11)
And gate G2 is turned off,
When the gate G2 of FET2 is turned off, the phase voltage Vph decreases,

Vph = -Voff2 (12)
Therefore, the gate G2 is turned on again.

すなわち、逆方向の相電流が発生し、相電圧Vphが、−Voff2を下回る出力となる期間はFET2の導通/遮断を繰り返すが、逆方向の相電流が消滅し、相電圧Vphが−Voff2を下回らなくなった時点でFET2は遮断固定となる(図2)。   That is, while the phase current in the reverse direction is generated and the phase voltage Vph is output below −Voff2, the FET2 is repeatedly turned on / off, but the phase current in the reverse direction disappears and the phase voltage Vph becomes −Voff2 When it becomes less than the lower limit, FET2 is cut off and fixed (FIG. 2).

なお、上記期間では、相電圧Vphは接地VGNDから−Voff2の間となるため、FET1は常に遮断となっている。これにより、ブリッジ整流回路を用いた充電回路1により、発電機により発電された電力をバッテリ2に充電することができる。   In the period described above, the phase voltage Vph is between the ground VGND and -Voff2, so that the FET 1 is always cut off. Thereby, the battery 2 can be charged with the electric power generated by the generator by the charging circuit 1 using the bridge rectifier circuit.

このように、実施の形態1における充電回路によれば、発電機によるバッテリへの充電回路にMOS型FETで構成されるブリッジ整流回路を用いることにより、電気的損失を低減することが可能となるとともに、制御部4により、FET1の導通条件をVBより所定値Voff1だけ高電位、FET2の導通条件をVGNDより所定値Voff2だけ低電位に設定されるため、順方向、逆方向の相電流が消滅すると、FETの導通条件から外れ、速やかに遮断されるため、FETの導通が保持されることがなく、FETの遮断が確実に行われるので、ショートスルー電流による故障を回避することが可能となる顕著な効果がある。   As described above, according to the charging circuit in the first embodiment, it is possible to reduce electrical loss by using the bridge rectifier circuit formed of the MOS type FET for the battery charging circuit by the generator. At the same time, the control unit 4 sets the conduction condition of the FET 1 to a high potential by a predetermined value Voff1 from VB and the conduction condition of the FET 2 to a low potential by a predetermined value Voff2 from VGND, so that the forward and reverse phase currents disappear. Then, since the FET is disconnected from the conduction condition and is quickly shut down, the FET conduction is not maintained, and the FET is reliably cut off, so that a failure due to a short-through current can be avoided. There is a remarkable effect.

なお、バッテリ電圧VB、相電圧Vph、接地電圧VGNDは、基準電圧Vcomとの分圧構成としたため、比較器COMP1,COMP2の入力範囲がバッテリ電圧VB、接地電位VGNDから余裕を持たせることができ、比較器を特殊な仕様とする必要がないので、比較器の設計の自由度が広がり、安価な比較器で構成することができる。また、アナログ回路で構成しているため、回路構成も比較的簡単にできるため、回路規模を縮小することができ、安価、かつ、高信頼性とすることができる。基準電圧Vcomの値の設定については、比較器COMPの入力ダイナミックレンジを有効に設定するために、COMP入力範囲の中点とすることが望ましく、COMP電圧をVBとした場合には、VcomはVB/2とすることが妥当である。   Since the battery voltage VB, the phase voltage Vph, and the ground voltage VGND are divided from the reference voltage Vcom, the input ranges of the comparators COMP1 and COMP2 can have a margin from the battery voltage VB and the ground potential VGND. Since the comparator does not need to have a special specification, the degree of freedom in designing the comparator is widened, and the comparator can be configured with an inexpensive comparator. In addition, since the circuit is configured with an analog circuit, the circuit configuration can be made relatively simple, so that the circuit scale can be reduced, and the cost can be reduced and the reliability can be increased. Regarding the setting of the value of the reference voltage Vcom, in order to set the input dynamic range of the comparator COMP effectively, it is desirable to set it as the midpoint of the COMP input range. When the COMP voltage is VB, Vcom is VB / 2 is reasonable.

また、効果を得るためには、Voff1、Voff2は、VF(約0.7V)以下にする必要がある。そこで、Voff1、Voff2は、COMP精度、抵抗精度、抵抗分圧値に依存するが、各要素のばらつき、誤差を考慮しできるだけ小さくすることが望ましく、約0.1V程度が妥当である。これにより、FETでの消費電力を抑制し信頼性を向上することができる。   In order to obtain the effect, Voff1 and Voff2 need to be VF (about 0.7 V) or less. Therefore, Voff1 and Voff2 depend on the COMP accuracy, resistance accuracy, and resistance voltage division value, but it is desirable to make them as small as possible in consideration of variations and errors in each element, and about 0.1 V is appropriate. Thereby, the power consumption in FET can be suppressed and reliability can be improved.

また、図1では、交流電流の整流について一相分の充電回路について説明したが、三相交流の場合は、電機子巻線3が3本ありそれぞれについて、図1の充電回路が接続される。   In FIG. 1, the charging circuit for one phase has been described for the rectification of alternating current. However, in the case of three-phase alternating current, there are three armature windings 3 and the charging circuit of FIG. .

実施の形態2.
図3は、実施の形態2における充電回路の回路構成を示す図である。
図3に示す実施の形態2の充電回路では、図1で示す実施の形態1の充電回路に、第1の比較器COMP1の出力側とFET1のゲートG1の間、第2の比較器COMP2の出力側とFET2のゲートG2の間に、それぞれ抵抗R3,R5,R7、R4,R6,R8、トランジスタTR1,TR2、ダイオードDi1,Di2より構成されるゲートを駆動するスイッチング回路が追加されたものであり、FET1のゲートG1はFET2のゲートを駆動するスイッチング回路のトランジスタTR2のベースB2にダイオードDi1を介して接続されており、FET2のゲートG2はFET1のゲートを駆動するスイッチング回路のトランジスタTR1のベースB1にダイオードDi2を介して接続されている。他の構成要素は、図1と同じであるので説明を省略する。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating a circuit configuration of the charging circuit according to the second embodiment.
In the charging circuit of the second embodiment shown in FIG. 3, the charging circuit of the first embodiment shown in FIG. 1 is different from the output side of the first comparator COMP1 and the gate G1 of the FET1 between the second comparator COMP2. A switching circuit for driving a gate composed of resistors R3, R5, R7, R4, R6, and R8, transistors TR1 and TR2, and diodes Di1 and Di2 is added between the output side and the gate G2 of FET2. The gate G1 of the FET1 is connected to the base B2 of the transistor TR2 of the switching circuit that drives the gate of the FET2 via the diode Di1, and the gate G2 of the FET2 is the base of the transistor TR1 of the switching circuit that drives the gate of the FET1. It is connected to B1 through a diode Di2. The other components are the same as those in FIG.

次に、実施の形態2における充電回路の動作について、図3を参照して説明する。
FET1のゲートG1は、FET2のゲートを駆動するスイッチング回路のトランジスタTR2のベースB2に接続されており、また、FET2のゲートG2は、FET1のゲートを駆動するスイッチング回路のトランジスタTR1のベースB1に接続されており、これにより、FET1のゲートG1の電位がHのとき、FET2のゲートがオンとなり、FET2のゲートG2の電位はL、すなわちFET2は遮断される。同様に、FET2のゲートG2の電位がHのとき、FET2のゲートがオンとなり、FET1のゲートG1の電位はL、すなわちFET1は遮断される。
したがって、図3では、FET1のゲートG1がHのとき、FET2のゲートG2がLになるよう、また、FET2のゲートG2がHのとき、FET1のゲートG1がLになるようになっており、FET1とFET2が同時に導通しないように構成されている。
Next, the operation of the charging circuit in the second embodiment will be described with reference to FIG.
The gate G1 of the FET1 is connected to the base B2 of the transistor TR2 of the switching circuit that drives the gate of the FET2, and the gate G2 of the FET2 is connected to the base B1 of the transistor TR1 of the switching circuit that drives the gate of the FET1. Thus, when the potential of the gate G1 of the FET 1 is H, the gate of the FET 2 is turned on, and the potential of the gate G2 of the FET 2 is L, that is, the FET 2 is cut off. Similarly, when the potential of the gate G2 of the FET2 is H, the gate of the FET2 is turned on, and the potential of the gate G1 of the FET1 is L, that is, the FET1 is cut off.
Therefore, in FIG. 3, when the gate G1 of the FET1 is H, the gate G2 of the FET2 is L, and when the gate G2 of the FET2 is H, the gate G1 of the FET1 is L. The FET1 and the FET2 are configured not to conduct at the same time.

抵抗分圧による比較器を用いたブリッジ整流回路のFETのゲートを駆動する動作については、実施の形態1と同様であるので説明を省略する。これにより、ブリッジ整流回路を用いた充電回路1により、発電機により発電された電力をバッテリ2に充電することができる。   Since the operation of driving the FET gate of the bridge rectifier circuit using the resistor divider comparator is the same as in the first embodiment, the description thereof is omitted. Thereby, the battery 2 can be charged with the electric power generated by the generator by the charging circuit 1 using the bridge rectifier circuit.

このように、実施の形態2における充電回路では、発電機によるバッテリへの充電回路にMOS型FETで構成されるブリッジ整流回路を用いることにより、電気的損失を低減することが可能となるとともに、FETのゲートを駆動する制御部4を設けるとともに一対のFETが同時に導通状態とならないようにスイッチング回路を追加することにより、実施の形態1と同様の効果を有するとともに、FET1またはFET2のゲートG1、G2の電位の短絡が発生してもショートスルー電流による故障を確実に回避することができるという顕著な効果がある。   As described above, in the charging circuit according to the second embodiment, it is possible to reduce electrical loss by using a bridge rectifier circuit configured by a MOS FET for a battery charging circuit by a generator. By providing the control unit 4 for driving the gate of the FET and adding a switching circuit so that the pair of FETs are not in a conductive state at the same time, the same effect as in the first embodiment is obtained, and the gate G1 of the FET1 or FET2 Even if a short circuit of the potential of G2 occurs, there is a remarkable effect that a failure due to a short through current can be surely avoided.

なお、図3のダイオードDi1,Di2は、逆方向電流を阻止するためのものであるが、なくても動作上問題はない。   The diodes Di1 and Di2 in FIG. 3 are for preventing reverse current, but even if they are not present, there is no problem in operation.

実施の形態3.
図4は、実施の形態3における電動機の充電回路の回路構成を示す図である。
図4に示す実施の形態3の電動機の充電回路では、図3で示す実施の形態2の充電回路に、電機子巻線3の相電圧Vphと基準電圧Vcom間の分圧抵抗RsとRf’間に切替スイッチSWを設け、切替スイッチSWの切替え先が電動機制御回路5に接続されており、相電圧Vphと電動制御回路5とを切替えられるようになっている。他の構成要素は、図1及び図3と同じであるので説明を省略する。この充電回路は、発電機を兼ねる電動機に適用される。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a charging circuit for an electric motor in the third embodiment.
In the charging circuit for the electric motor of the third embodiment shown in FIG. 4, the voltage dividing resistors Rs and Rf ′ between the phase voltage Vph of the armature winding 3 and the reference voltage Vcom are added to the charging circuit of the second embodiment shown in FIG. A changeover switch SW is provided between them, and the changeover destination of the changeover switch SW is connected to the motor control circuit 5 so that the phase voltage Vph and the electric control circuit 5 can be switched. The other components are the same as those in FIGS. 1 and 3 and will not be described. This charging circuit is applied to an electric motor that also serves as a generator.

次に、実施の形態3における充電回路の動作について、図3を参照して説明する。
電動機が発電機として動作する場合は、比較器COMP1及びCOMP2を分圧抵抗RsとRf’により動作させるために、切替スイッチSWを相電圧Vphと基準電圧Vcom間を接続し、実施の形態2の通常の抵抗分圧により比較器COMPを作動、FETのゲートをスイッチング回路にて制御してバッテリ2を充電する。これに対して、電動機として動作させる場合は、切替スイッチSWを電動機制御回路5側に接続し、電動機制御回路5により別の条件でFETのゲートをスイッチング回路にて制御する。なお、実施の形態3では、図3に示す実施の形態2の充電回路に切替スイッチSWを設ける場合について説明したが、図1に示す実施の形態1の充電回路に切替スイッチSWを設ける場合であってもよい。
Next, the operation of the charging circuit in Embodiment 3 will be described with reference to FIG.
When the motor operates as a generator, the switch SW is connected between the phase voltage Vph and the reference voltage Vcom in order to operate the comparators COMP1 and COMP2 by the voltage dividing resistors Rs and Rf ′. The comparator COMP is operated by the normal resistance voltage division, and the battery 2 is charged by controlling the gate of the FET by the switching circuit. On the other hand, when operating as an electric motor, the changeover switch SW is connected to the electric motor control circuit 5 side, and the gate of the FET is controlled by the switching circuit by the electric motor control circuit 5 under different conditions. In the third embodiment, the case where the changeover switch SW is provided in the charging circuit of the second embodiment shown in FIG. 3 has been described. However, in the case where the changeover switch SW is provided in the charging circuit of the first embodiment shown in FIG. There may be.

なお、図4の実施の形態3では、分圧抵抗RsとRf’との間に切替スイッチSWを設ける場合について説明したが、分圧抵抗Rf’と電機子巻線3との間に設けても同様の効果を奏する。   In the third embodiment of FIG. 4, the case where the changeover switch SW is provided between the voltage dividing resistors Rs and Rf ′ has been described. However, the switch SW is provided between the voltage dividing resistor Rf ′ and the armature winding 3. Produces the same effect.

このように、実施の形態3における充電回路では、発電機を兼ねる電動機によるバッテリへの充電回路にMOS型FETで構成されるブリッジ整流回路を用いることにより、実施の形態1と同様、電気的損失を低減することが可能となるとともに、発電機としてバッテリへの充電させる場合には、通常の抵抗分圧により充電を制御し、電動機として動作させる場合には、電動機制御回路に切替えることによって、発電動作時のみならず電動動作時においてもショートスルー電流による故障を回避することが可能となる顕著な効果がある。   As described above, in the charging circuit according to the third embodiment, by using the bridge rectifier circuit configured by the MOS type FET in the charging circuit to the battery by the electric motor that also serves as the generator, the electrical loss is the same as in the first embodiment. In the case of charging the battery as a generator, the charging is controlled by normal resistance voltage division, and in the case of operating as a motor, the power generation is performed by switching to the motor control circuit. There is a remarkable effect that a failure due to a short through current can be avoided not only during operation but also during electric operation.

また、図において、同一符号は、同一または相当部分を示す。   Moreover, in the figure, the same code | symbol shows the same or an equivalent part.

1 充電回路
2 バッテリ
3 電機子巻線
4 制御部
5 電動機制御回路
FET1,FET2 MOS型FET
COMP1,COMP2 比較器
Vph 相電圧
Vcom 基準電圧
Rs1,Rf1,Rf’,Rs,Rs2,Rf2 分圧抵抗
TR1,TR2 トランジスタ
SW 切替スイッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Charging circuit 2 Battery 3 Armature winding 4 Control part 5 Motor control circuit FET1, FET2 MOS type FET
COMP1, COMP2 comparator Vph phase voltage Vcom reference voltage Rs1, Rf1, Rf ', Rs, Rs2, Rf2 voltage dividing resistor TR1, TR2 transistor SW changeover switch

Claims (6)

電機子巻線を有する発電機の各相の前記電機子巻線に接続された第1の制御極付半導体素子と第2の制御極付半導体素子による一対の制御極付半導体素子で構成されるブリッジ整流回路を備え、前記発電機により発電された交流電流を整流してバッテリに充電する充電回路において、
基準電圧端子と、前記バッテリの正極電圧と前記基準電圧端子の基準電圧とを分圧した第1の分圧電位と前記電機子巻線端子の相電圧と前記基準電圧端子の基準電圧とを分圧した第2の分圧電位とを比較して、その判定結果を前記第1の制御極付半導体素子の制御極に出力する第1の比較器と、前記基準電圧と前記接地電圧とを分圧した第3の分圧電位と前記相電圧と前記基準電圧とを分圧した第4の分圧電位とを比較して、その判定結果を前記第2の制御極付半導体素子の制御極に出力する第2の比較器と、を有する制御部を備え、
前記制御部は、前記電機子巻線の相電圧が前記バッテリの正極電圧よりも所定値高い場合には、前記第1の制御極付半導体素子を導通させ、それ以外の場合には前記第1の制御極付半導体素子を遮断し、前記相電圧が接地電圧よりも所定値低い場合には、前記第2の制御極付半導体素子を導通させ、それ以外の場合には前記第2の制御極付半導体素子を遮断することを特徴とする充電回路。
It is composed of a pair of semiconductor elements with control poles composed of a first semiconductor element with control poles and a second semiconductor element with control poles connected to the armature windings of each phase of a generator having an armature winding In a charging circuit comprising a bridge rectifier circuit, rectifying the alternating current generated by the generator and charging the battery,
A reference voltage terminal, a first divided potential obtained by dividing a positive voltage of the battery and a reference voltage of the reference voltage terminal, a phase voltage of the armature winding terminal, and a reference voltage of the reference voltage terminal are divided. A first comparator that compares the second divided potential and outputs the determination result to the control electrode of the semiconductor element with the first control electrode, and divides the reference voltage and the ground voltage. The third divided potential that has been compressed is compared with the fourth divided potential that is obtained by dividing the phase voltage and the reference voltage, and the determination result is applied to the control electrode of the semiconductor element with the second control electrode. A control unit having a second comparator for outputting,
Wherein, wherein, when the phase voltage of the armature winding a predetermined value greater than the positive voltage of the battery, the to conduct first control Kiwametsuki semiconductor device, the first in other cases of blocking the control Kiwametsuki semiconductor device, when the phase voltage is the predetermined value lower than the ground voltage, the second control Kiwametsuki is conducting semiconductor device, the second control electrode is otherwise charging circuit, wherein the benzalkonium to cut off the semiconductor element with.
前記第1の制御極付半導体素子を導通させる条件として、前記第1の分圧電位の最大値よりも前記第2の分圧電位の最小値が大きくなるように分圧比が設定され、前記第2の制御極付半導体素子を導通させる条件として、前記第3の分圧電位の最小値よりも前記第4の分圧電位の最大値が小さくなるように分圧比が設定されていることを特徴とする請求項1に記載の充電回路。 Wherein the first condition to conduct a control Kiwametsuki semiconductor device, the first partial potential dividing ratio so that the minimum value of the second partial potential than the maximum value becomes large is set, the first as a condition for conducting the second control Kiwametsuki semiconductor device, wherein the third partial potential dividing ratio so that the minimum value maximum value of said fourth partial potential than decreases in is set The charging circuit according to claim 1 . 前記第1の比較器と前記第1の制御極付半導体素子の制御極との間及び前記第2の比較器と前記第2の制御極付半導体素子の制御極との間にスイッチング回路を設け、前記第1の制御極付半導体素子の導通時には、前記第2の制御極付半導体素子を遮断状態とし、前記第2の制御極付半導体素子の導通時には、前記第1の制御極付半導体素子を遮断状態にすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の充電回路。 Provided a switching circuit between the control electrode of the first comparator and the first control Kiwametsuki the second and between the second comparator and the control electrode of the semiconductor element of the control Kiwametsuki semiconductor element , wherein the time of conduction of the first control Kiwametsuki semiconductor device, wherein the second control Kiwametsuki semiconductor elements and cut-off state, during conduction of the second control Kiwametsuki semiconductor device, the first control Kiwametsuki semiconductor element The charging circuit according to claim 1 , wherein the charging circuit is in a cut-off state. 前記第1および第2の制御極付半導体素子がMOS型FETであることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の充電回路。 The charging circuit as claimed in any one of claims 3, wherein the first and second control Kiwametsuki semiconductor device is a MOS type FET. 請求項1から請求項のいずれか1項に記載の充電回路を備えた発電機。 Generator with a charging circuit according to any one of claims 1 to 4. 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の充電回路に、前記電機子巻線端子と前記基準電圧端子との間に設けられた切替スイッチと、前記切替スイッチによって切替え接続される電動機制御回路とを設けた電動機であって前記電動機運転時に、切替え接続された前記電動機制御回路によって制御されることを特徴とする電動機。 A charging circuit as claimed in any one of claims 5, and changeover switch provided between the reference voltage terminal and the armature winding terminals, motor connected switched by the changeover switch An electric motor provided with a control circuit, wherein the electric motor is controlled by the electric motor control circuit that is switched and connected during operation of the electric motor.
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