JP5144323B2 - Method for manufacturing printed wiring board - Google Patents

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Description

本発明は、例えばフレキシブルプリント配線板や柔軟性を要求される薄板のプリント配線板の製造方法に関する。 The invention, for example, relates to the production how the printed wiring board sheet required a flexible printed circuit board or flexible.

最近の半導体部品の急速な進歩により、電子機器は小型軽量化、高性能化、多機能化の傾向にあり、これらに追従してプリント配線板の高密度化が進みつつある。このような高密度化に対応して、QFP(クワッド・フラットパック・パッケージ)、SOP(スモール・アウトライン・パッケージ)などと呼ばれるICパッケージに代わって、BGA(ボール・グリッド・アレイ)、CSP(チップ・スケール・パッケージ)などと呼ばれるICパッケージが登場した。このようなパッケージ基板や車載用のプリント配線板において、半導体などと接続するパッケージ基板上のパッドなどの開口部には、信頼性を向上させるための金めっきなどを施すために、ソルダーレジストが用いられる。   Due to recent rapid advances in semiconductor components, electronic devices are becoming smaller, lighter, higher performance, and multifunctional, and the printed wiring board is becoming increasingly dense following these trends. In response to this high density, BGA (ball grid array), CSP (chip) instead of IC packages called QFP (quad flat pack package), SOP (small outline package), etc. An IC package called “Scale Package” has appeared. In such a package substrate or an in-vehicle printed wiring board, a solder resist is used to apply gold plating or the like to improve the reliability in the opening of the pad or the like on the package substrate connected to a semiconductor or the like. It is done.

さらに、このようなプリント配線板やパッケージ基板に用いられるコア材の薄板化が進み、例えば、TAB(テープ・オート・ボンディング)、T−BGA(テープ・ボール・グリッド・アレイ)、T−CSP(テープ・チップ・スケール・パッケージ)、UT−CSP(ウルトラ・シン・チップ・スケール・パッケージ)などが登場してきた。このように、コア材が薄くなることにより、ソルダーレジストの硬化収縮による反りが問題となってきた。そして、このようなテープ上のコア材を用いた場合、ロール・ツー・ロール(roll−to−roll)法が用いられており、作業性、信頼性、膜厚精度、平滑性の観点から、ドライフィルムタイプのソルダーレジストが求められている。このようなドライフィルムタイプのソルダーレジストは、シートまたはロール状にて供給され、その形態における特性上、樹脂組成物中に柔軟性・造膜性に優れた樹脂成分を含有させる必要性がある。   Furthermore, the core material used for such printed wiring boards and package substrates has been made thinner. For example, TAB (Tape Auto Bonding), T-BGA (Tape Ball Grid Array), T-CSP ( Tape chip scale package), UT-CSP (Ultra Thin Chip Scale Package), etc. have appeared. As described above, as the core material becomes thinner, warping due to curing shrinkage of the solder resist has been a problem. And when using the core material on such a tape, the roll-to-roll method is used, From the viewpoint of workability, reliability, film thickness accuracy, and smoothness, There is a demand for a dry film type solder resist. Such a dry film type solder resist is supplied in the form of a sheet or a roll, and it is necessary to contain a resin component excellent in flexibility and film-forming property in the resin composition due to the characteristics in the form.

このような柔軟性・造膜性に優れた樹脂成分としては、例えば、ゴム状化合物や1分子中に少なくとも1個のカルボキシル基および2個の水酸基を有する化合物と、ジオール化合物と、ポリイソシアネート化合物との反応物の末端イソシアネート化合物に、1分子中に重合性不飽和基、カルボキシル基および少なくとも1個の水酸基を有する化合物を反応させて得られた感光性樹脂が挙げられる(例えば、特許文献1〜4参照)。   Examples of such resin components having excellent flexibility and film-forming properties include rubbery compounds, compounds having at least one carboxyl group and two hydroxyl groups in one molecule, diol compounds, and polyisocyanate compounds. And a photosensitive resin obtained by reacting a compound having a polymerizable unsaturated group, a carboxyl group and at least one hydroxyl group in one molecule with the terminal isocyanate compound of the reaction product (for example, Patent Document 1) To 4).

しかしながら、このような柔軟性・造膜性に優れた樹脂成分をソルダーレジストに配合すると、現像性が低下し、微小なパッドなどの開口部に現像残渣が生じ、金めっきなどの付着性が劣化することにより、歩留り、信頼性が低下するという問題がある。そこで、現像を繰り返すことにより残渣を取り除くことが可能な場合もあるが、生産性が低下するという問題がある。
特開2003−192760号公報(特許請求の範囲など) 特開2002−162739号公報(特許請求の範囲など) 特開2004−252485号公報(特許請求の範囲など) 特開2007−71966号公報(特許請求の範囲など)
However, when such a resin component with excellent flexibility and film-forming property is blended with a solder resist, the developability is lowered, a development residue is generated in an opening such as a fine pad, and adhesion such as gold plating is deteriorated. As a result, there is a problem that yield and reliability are lowered. Therefore, there are cases where the residue can be removed by repeating development, but there is a problem that productivity is lowered.
JP 2003-192760 A (Claims etc.) JP 2002-162739 A (Claims etc.) JP 2004-252485 A (Claims etc.) JP 2007-71966 A (Claims etc.)

本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、アルカリ現像型ソルダーレジスト層の所定の部位に形成された微小なパッドなどの開口部における現像残渣などを抑えることにより、めっき付着性などを改善し、高い信頼性、生産性を得ることが可能なプリント配線板の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and its purpose is to remove development residues and the like in openings such as fine pads formed in predetermined portions of an alkali development type solder resist layer. by suppressing, to improve plating adhesion, high reliability, is to provide a manufacturing how a printed wiring board capable of obtaining productivity.

上記課題を達成すべく、UT−CSPなどに用いられる柔軟性・造膜性に優れたアルカリ現像型ソルダーレジストを用いた場合において、現像後の水洗水を変更することにより、現像残渣を抑えることが可能であることを見出した。   In order to achieve the above-mentioned problems, the development residue can be suppressed by changing the washing water after development in the case of using an alkali development type solder resist excellent in flexibility and film-forming properties used in UT-CSP. Found that is possible.

即ち、本発明の一観点によれば、導体パターンの形成された基板表面に、カルボキシル基含有樹脂としてカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物を含有するアルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成する工程と、このアルカリ現像型ソルダーレジスト層を、所定の開口パターンで露光する工程と、この工程で露光したアルカリ現像型ソルダーレジスト層を希アルカリ水溶液により現像する工程と、この工程で現像したアルカリ現像型ソルダーレジスト層を2価の金属イオンを30〜1000ppm含む水洗水を用いて現像残渣を除去する工程と、この工程で現像残渣を除去したアルカリ現像型ソルダーレジスト層を熱硬化させる工程とからなる、前記アルカリ現像型ソルダーレジスト層の所定位置に開口部を形成することを特徴とする。 That is, according to one aspect of the present invention, a step of forming an alkali development type solder resist layer containing a carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound as a carboxyl group-containing resin on a substrate surface on which a conductor pattern is formed ; The step of exposing the alkali development type solder resist layer with a predetermined opening pattern, the step of developing the alkali development type solder resist layer exposed in this step with a dilute alkaline aqueous solution , and the alkali development type solder resist developed in this step removing the development residue layer with wash water containing 30~1000ppm divalent metal ions, an alkali development type solder resist layer was removed development residue in this process and a step of thermally curing, the alkali To form an opening at a predetermined position of the development type solder resist layer And butterflies.

なお、金属イオン濃度の単位、ppmは、試料1リットル中に含まれる金属イオンのmg数を表す単位である。   The unit of metal ion concentration, ppm, is a unit representing the mg number of metal ions contained in 1 liter of sample.

本発明によれば、アルカリ現像型ソルダーレジスト層の所定の部位に形成された微小なパッドなどの開口部における現像残渣などを抑え、めっき付着性などを改善し、高い信頼性、生産性を得ることが可能なプリント配線板を提供することが可能となる。   According to the present invention, development residue in an opening such as a fine pad formed at a predetermined portion of an alkali development type solder resist layer is suppressed, plating adhesion is improved, and high reliability and productivity are obtained. It is possible to provide a printed wiring board that can be used.

以下、本発明の最良の実施形態について、詳細に説明する。   Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described in detail.

まず、本発明のプリント配線板の製造方法は、現像し難い微小なパッド部(例えば、開口径が20〜100μmのもの。)を有するプリント配線板に対して、アルカリ現像型ソルダーレジストを用いて金メッキなどを施す際に好適に用いられる。   First, the printed wiring board manufacturing method of the present invention uses an alkali development type solder resist for a printed wiring board having a minute pad portion (for example, having an opening diameter of 20 to 100 μm) that is difficult to develop. It is suitably used when performing gold plating or the like.

本発明のプリント配線板の製造方法は、導体パターンの形成された基板表面に、カルボキシル基含有樹脂としてカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物を含有するアルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成し、このアルカリ現像型ソルダーレジスト層を、所定の開口パターンで露光し、希アルカリ水溶液により現像し、2価の金属イオンを30〜1000ppm含む水洗水を用いて水洗した後、熱硬化させることにより、アルカリ現像型ソルダーレジスト層の所定位置に開口部を形成することを特徴としている。   In the method for producing a printed wiring board of the present invention, an alkali development type solder resist layer containing a carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound as a carboxyl group-containing resin is formed on a substrate surface on which a conductor pattern is formed. The development type solder resist layer is exposed with a predetermined opening pattern, developed with a dilute alkaline aqueous solution, washed with water containing 30 to 1000 ppm of divalent metal ions, and then thermally cured to obtain an alkali development type. An opening is formed at a predetermined position of the solder resist layer.

即ち、本実施態様のプリント配線板の製造方法は、以下のような工程を有している。   That is, the manufacturing method of the printed wiring board of this embodiment has the following processes.

1. 導体パターンが形成された基板表面に、アルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成する工程
2. 露光工程
3. 希アルカリ水溶液による現像工程
4. 2価の金属イオンを30〜1000ppm含む水洗水を用いた水洗工程
5. (必要に応じて)水洗水をリンスする工程
6. 基板を乾燥する工程
(3〜6の工程を一括して、現像工程と呼ぶことが一般的である)
7. 熱硬化工程
そして、これらの工程を経て、導体パターンの形成された基板表面に、所定位置に開口部が形成されたアルカリ現像型ソルダーレジスト層を備えたプリント配線板が形成される。
1. 1. forming an alkali developing type solder resist layer on the surface of the substrate on which the conductor pattern is formed; 2. Exposure step 3. Development step with dilute alkaline aqueous solution 4. A washing step using washing water containing 30 to 1000 ppm of divalent metal ions. 5. Rinse flush water (if necessary) Step of drying the substrate (generally, steps 3 to 6 are collectively referred to as a development step)
7). Through these steps, a printed wiring board having an alkali development type solder resist layer having an opening formed at a predetermined position is formed on the surface of the substrate on which the conductor pattern is formed.

先ず、導体パターンが形成された基板表面に、後述するアルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成する。この工程における、導体パターンの形成された基板とは、例えば紙フェノール、紙エポキシ、ガラス布エポキシ、ガラスポリイミド、ガラス布/不繊布エポキシ、ガラス布/紙エポキシ、合成繊維エポキシ、フッ素・ポリエチレン・PPO・シアネートエステルなどを用いた高周波回路用銅張積層板などで、全てのグレード(FR−4など)の銅張積層板、その他ポリイミドフィルム、PETフィルム、ガラス基板、セラミック基板、ウエハ板などに導電パターンを形成した基板を挙げることができる。   First, an alkali development type solder resist layer to be described later is formed on the surface of the substrate on which the conductor pattern is formed. The substrate on which the conductor pattern is formed in this step is, for example, paper phenol, paper epoxy, glass cloth epoxy, glass polyimide, glass cloth / non-woven cloth epoxy, glass cloth / paper epoxy, synthetic fiber epoxy, fluorine / polyethylene / PPO・ Copper-clad laminates for high-frequency circuits using cyanate esters, etc. Conductive for copper-grade laminates of all grades (FR-4, etc.), other polyimide films, PET films, glass substrates, ceramic substrates, wafer plates, etc. A substrate on which a pattern is formed can be mentioned.

このような基板表面に、アルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成する工程において、液状のアルカリ現像型ソルダーレジストを使用する方法と、アルカリ現像型ソルダーレジスト層を有するドライフィルムを使用する方法がある。   In the step of forming an alkali development type solder resist layer on such a substrate surface, there are a method using a liquid alkali development type solder resist and a method using a dry film having an alkali development type solder resist layer.

液状のアルカリ現像型ソルダーレジストを使用する場合、後述の有機溶剤(D−1)で塗布方法に適した粘度に調整し、導体パターンの形成された基板上に、ディップコート法、フローコート法、ロールコート法、バーコーター法、スクリーン印刷法、カーテンコート法などの方法により全面塗布する。そして、約60〜100℃の温度でアルカリ現像型ソルダーレジスト中に含まれる有機溶剤(D−1)を揮発乾燥(仮乾燥)させる。このようにして、タックフリーのアルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成することができる。   When using a liquid alkali development type solder resist, the viscosity is adjusted to an application method with an organic solvent (D-1) described later, and a dip coating method, a flow coating method, The entire surface is applied by a roll coating method, bar coater method, screen printing method, curtain coating method or the like. Then, the organic solvent (D-1) contained in the alkali development type solder resist is volatilized and dried (temporarily dried) at a temperature of about 60 to 100 ° C. In this way, a tack-free alkali development type solder resist layer can be formed.

また、アルカリ現像型ソルダーレジスト層を有するドライフィルムとは、キャリアフィルムとアルカリ現像型ソルダーレジストをキャリアフィルム(またはカバーフィルム)に塗布・乾燥して得られたソルダーレジスト層と、ソルダーレジスト層上に剥離可能なカバーフィルムを有するものである。   The dry film having an alkali development type solder resist layer is a solder resist layer obtained by applying and drying a carrier film and an alkali development type solder resist on a carrier film (or cover film), and a solder resist layer. It has a peelable cover film.

キャリアフィルムとしては、10〜150μmの厚みのPETなどのポリエステルフィルム、ポリイミドフィルムなどが用いられる。   As the carrier film, a polyester film such as PET having a thickness of 10 to 150 μm, a polyimide film, or the like is used.

アルカリ現像型ソルダーレジスト層は、アルカリ現像型ソルダーレジストを、有機溶剤(D−1)で、キャリアフィルムまたはカバーフィルムに塗布可能な粘度に下げた後、ブレードコーター、リップコーター、コンマコーター、フィルムコーターなどを用いて、キャリアフィルム(またはカバーフィルム)に例えば10〜150μmの厚さで均一に塗布し乾燥して形成される。   The alkali development type solder resist layer is prepared by lowering the viscosity of the alkali development type solder resist with an organic solvent (D-1) so that it can be applied to a carrier film or a cover film, and then blade coater, lip coater, comma coater, film coater. For example, the film is uniformly applied to a carrier film (or cover film) with a thickness of 10 to 150 μm and dried.

カバーフィルムとしては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムなどを使用することができるが、アルカリ現像型ソルダーレジスト層との接着力が、キャリアフィルムよりも小さいものが良い。   As the cover film, a polyethylene film, a polypropylene film, or the like can be used, but it is preferable that the adhesive force with the alkali development type solder resist layer is smaller than that of the carrier film.

このようなアルカリ現像型ソルダーレジストのドライフィルムを使用する場合、カバーフィルムを剥がし、導体パターンの形成された基板にキャリアフィルム上のアルカリ現像型ソルダーレジスト層を重ねる。そして、ラミネーターなどを用いてラミネートすることにより、導体パターンの形成された基板上にアルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成することができる。このとき、キャリアフィルムは、露光前または露光後のいずれかに剥離すれば良い。また、ラミネートは、加熱ラミネーターで、通常、60〜110℃で、0.4MPa以上で行われる。このとき、真空ラミネーターを使用することにより、ボイドの発生を抑えることができる。   When using such a dry film of an alkali development type solder resist, the cover film is peeled off, and the alkali development type solder resist layer on the carrier film is overlaid on the substrate on which the conductor pattern is formed. Then, by laminating using a laminator or the like, an alkali development type solder resist layer can be formed on the substrate on which the conductor pattern is formed. At this time, the carrier film may be peeled off either before exposure or after exposure. Lamination is performed by a heating laminator, usually at 60 to 110 ° C. and at 0.4 MPa or more. At this time, generation of voids can be suppressed by using a vacuum laminator.

次に、このようにして形成されたアルカリ現像型ソルダーレジスト層を、所定の開口パターンで露光する。この露光工程において、活性エネルギー線の照射光源として、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプまたはメタルハライドランプを用いた接触または非接触露光機が一般的に用いられる。さらに、レーザー光を用いたレーザー・ダイレクト・イメージング装置を使用することもできる。   Next, the alkali development type solder resist layer thus formed is exposed with a predetermined opening pattern. In this exposure process, a contact or non-contact exposure machine using a low-pressure mercury lamp, a medium-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a xenon lamp or a metal halide lamp is generally used as an active energy ray irradiation light source. Furthermore, a laser direct imaging apparatus using laser light can be used.

このようにして露光されたアルカリ現像型ソルダーレジスト層を、現像液として希アルカリ水溶液を用いて現像する。この現像工程において、ディッピング法、シャワー法、スプレー法などを用いることができるが、後工程の水洗工程を考慮した場合、スプレー法を用いることが好ましい。   The alkali development type solder resist layer thus exposed is developed using a dilute alkaline aqueous solution as a developer. In this development step, a dipping method, a shower method, a spray method, or the like can be used, but it is preferable to use a spray method in consideration of a subsequent water washing step.

現像液としては、例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、アミン類など、1価のアルカリ金属塩またはアンモニウム塩を含む希アルカリ水溶液を使用することができる。   As the developer, for example, a dilute alkaline aqueous solution containing a monovalent alkali metal salt or ammonium salt such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia, amines is used. can do.

このようにして現像された直後のアルカリ現像型ソルダーレジスト層を、2価の金属イオンを30〜1000ppm含む水洗水を用いて水洗する。   The alkali development type solder resist layer just developed in this way is washed with water containing 30 to 1000 ppm of divalent metal ions.

この水洗工程において用いられる水洗水に含まれる2価の金属イオンとしては、カルシウムイオン(Ca2+)、マグネシウムイオン(Mg2+)、ストロンチウムイオン(Sr2+)、バリウムイオン(Ba2+)などが挙げられる。これらの金属イオンは、プリント配線板の絶縁性などにも悪影響の無いものが好適に用いられ、特に、カルシウムイオン、マグネシウムイオンが好ましい。 Examples of the divalent metal ions contained in the washing water used in this washing step include calcium ions (Ca 2+ ), magnesium ions (Mg 2+ ), strontium ions (Sr 2+ ), barium ions (Ba 2+ ) and the like. . As these metal ions, those having no adverse effect on the insulating properties of the printed wiring board are preferably used, and calcium ions and magnesium ions are particularly preferable.

これらの2価の金属イオンを含む化合物としては、例えば、塩化物、水酸化物、硫酸塩、燐酸塩、硝酸塩、酢酸塩などが挙げられるが、プリント配線板に悪影響を及ぼさない、塩化物や水酸化物が好適に用いられる。   Examples of compounds containing these divalent metal ions include chlorides, hydroxides, sulfates, phosphates, nitrates, acetates, etc., but chlorides and salts that do not adversely affect the printed wiring board. Hydroxides are preferably used.

これらの2価の金属イオンの濃度としては、30〜1000ppmである必要がある。2価の金属イオンの濃度が、30ppm未満の場合、アルカリ現像型ソルダーレジストの現像残渣を除去する効果が低く、現像残渣が生じてしまう。一方、1000ppmを超えた場合、水洗水中の微量に溶けていたアルカリ現像型ソルダーレジストの凝集が起こり、パッド部などに再付着してしまう。好ましくは、50〜1000ppmである。なお、2価の金属イオンとしてストロンチウムイオン(Sr2+)、バリウムイオン(Ba2+)を用いる場合、100〜1000ppmであることがより好ましい。 The concentration of these divalent metal ions needs to be 30 to 1000 ppm. When the concentration of the divalent metal ion is less than 30 ppm, the effect of removing the development residue of the alkali development type solder resist is low, and the development residue is generated. On the other hand, when it exceeds 1000 ppm, the agglomeration of the alkali development type solder resist dissolved in a minute amount in the washing water occurs and reattaches to the pad portion or the like. Preferably, it is 50-1000 ppm. Incidentally, strontium ions (Sr 2+) as divalent metal ions, in the case of using barium ion (Ba 2+), and more preferably 100 to 1000 ppm.

これら2価の金属イオンの濃度は、原子吸光光度法、誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP法)、イオンクロマトグラフ法などを用いて測定することにより管理することができる。また、簡易型の水質検査キットを使用することもできる。   The concentration of these divalent metal ions can be managed by measurement using atomic absorption spectrophotometry, inductively coupled plasma emission spectrometry (ICP method), ion chromatography, or the like. A simple water quality test kit can also be used.

このような水洗工程を設けることにより、現像残渣を低減することが可能となる。その理由としては、以下のことが考えられる。   By providing such a washing step, it is possible to reduce development residues. The reason is considered as follows.

柔軟性・造膜性に優れたカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物が含まれるアルカリ現像型ソルダーレジストは、炭酸ナトリウムなどの希アルカリ水溶液で現像したときに、溶解されにくく、アルカリ金属塩となる。そして、このアルカリ金属塩が水との作用でべた付きを生じるため、現像機のスプレー圧が伝わらない微小な開口部において除去されず、現像残渣が生じてしまうと考えられる。   An alkali development type solder resist containing a carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound excellent in flexibility and film-forming property is hardly dissolved and becomes an alkali metal salt when developed with a dilute alkaline aqueous solution such as sodium carbonate. . Then, since the alkali metal salt is sticky due to the action of water, it is considered that a development residue is generated without being removed at the minute opening where the spray pressure of the developing machine is not transmitted.

このべた付きを持ったカルボキシル基含有(メタ)アクリレート化合物のアルカリ金属塩(通常、ナトリウム塩)を、2価の金属イオンを30〜1000ppm含む水洗水を用いて水洗することにより、2価の金属塩への交換反応と塩架橋によって水に不溶な物質に変わり、水洗水に分散除去されると考えられる。このとき、一部の2価の金属イオンは、アルカリ現像型ソルダーレジスト層の表面近傍に若干量残存する。   By diluting the alkali metal salt (usually a sodium salt) of the carboxyl group-containing (meth) acrylate compound having a stickiness with water containing 30 to 1000 ppm of a divalent metal ion, the divalent metal is washed. It is considered that the substance is changed into a water-insoluble substance by the exchange reaction with salt and salt crosslinking, and is dispersed and removed in washing water. At this time, some divalent metal ions remain in a slight amount near the surface of the alkali development type solder resist layer.

ここで、アルカリ現像型ソルダーレジスト層の表面近傍に残存する2価の金属イオンは、例えば以下の手順で分析することができる。まず、アルカリ現像型ソルダーレジスト層を、削り取るなどにより分離し、例えば18MΩ以上の電気伝導度の純水中において、100〜120℃で4〜8時間加熱処理し、イオン成分を熱抽出する。そして、抽出液をイオンクロマトグラフィ(DIONEX社製、型式DXION Chromatograph)などを用いて分析することにより、アルカリ現像型ソルダーレジスト層の表面近傍に残存する2価の金属イオン成分を同定することができる。   Here, the divalent metal ions remaining in the vicinity of the surface of the alkali development type solder resist layer can be analyzed, for example, by the following procedure. First, the alkali developing type solder resist layer is separated by scraping or the like, and heat-treated at 100 to 120 ° C. for 4 to 8 hours in pure water having an electric conductivity of 18 MΩ or more, for example, to extract the ionic component by heat. Then, the divalent metal ion component remaining in the vicinity of the surface of the alkali development type solder resist layer can be identified by analyzing the extract using ion chromatography (model DION Chromatography, manufactured by DIONEX).

なお、カルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物とは、カルボキシル基含有ウレタンアクリレート化合物、カルボキシル基含有ウレタンメタクリレート化合物およびそれらの混合物を総称するもので、他の類似の表現についても同様である。   The carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound is a generic term for a carboxyl group-containing urethane acrylate compound, a carboxyl group-containing urethane methacrylate compound, and a mixture thereof, and the same applies to other similar expressions.

さらに、必要に応じて、イオン交換水により、二次洗浄(リンス)が行われる。   Further, secondary cleaning (rinsing) is performed with ion-exchanged water as necessary.

このようにして水洗(必要に応じて二次洗浄)が行われたアルカリ現像型ソルダーレジスト層を、乾燥させた後、熱硬化させる。   The alkali development type solder resist layer thus washed with water (secondary washing as necessary) is dried and then thermally cured.

このような熱硬化工程において、例えば、熱風循環式乾燥炉や遠赤外線硬化炉などを用い、例えば約140〜180℃の温度に設定して加熱される。そして、アルカリ現像型ソルダーレジスト中に含まれるカルボキシル基と、エポキシ樹脂などの熱硬化性成分が反応し、耐熱性、耐薬品性、耐吸湿性、密着性、電気特性などの諸特性に優れた硬化塗膜を形成することができる。   In such a thermosetting process, for example, a hot air circulation drying furnace, a far infrared curing furnace, or the like is used, and the heating is performed at a temperature of about 140 to 180 ° C., for example. And the carboxyl group contained in the alkali development type solder resist reacts with thermosetting components such as epoxy resin, and has excellent properties such as heat resistance, chemical resistance, moisture absorption resistance, adhesion, and electrical characteristics. A cured coating film can be formed.

また、めっき耐性などを向上させるため、熱硬化前または熱硬化後、紫外線照射による硬化を行ってもよい。例えば、紫外線照射コンベア炉を用いて、露光時に未反応のまま残ったアクリレート基などの感光基を、硬化させることができる。しかしながら、マーキングインキの密着性が低下したり、塗膜の弾性率が低下するなどの問題もあるため、用途などを考慮して、適宜硬化方法を選べばよい。   Moreover, in order to improve plating tolerance etc., you may perform hardening by ultraviolet irradiation before thermosetting or after thermosetting. For example, an ultraviolet irradiation conveyor furnace can be used to cure photosensitive groups such as acrylate groups that remain unreacted during exposure. However, since there are problems such as a decrease in the adhesion of the marking ink and a decrease in the modulus of elasticity of the coating film, an appropriate curing method may be selected in consideration of the application.

そして、これらの工程を経て、通常銅箔などの導電体パターンの形成された基板表面に、プリント配線板におけるパッド部などとなる部分に、金メッキなどが形成されるための開口部が形成されたアルカリ現像型ソルダーレジスト層を備えたプリント配線板が形成される。   Through these steps, an opening for forming gold plating or the like was formed on the surface of the substrate on which a conductor pattern such as a copper foil was normally formed on a portion to be a pad portion or the like in a printed wiring board. A printed wiring board provided with an alkali development type solder resist layer is formed.

このとき、開口部の径は、20〜100μmであることが好ましい。20μm未満であると、露光時の解像度が十分に得られないなどにより、精度よく開口部を形成することが困難となる。一方、100μmを超えると、搭載されるチップサイズが大きくなり、CSP、UT−CSPを用いるメリットが損なわれるためである。   At this time, the diameter of the opening is preferably 20 to 100 μm. If the thickness is less than 20 μm, it is difficult to form the opening with high precision because the resolution at the time of exposure cannot be sufficiently obtained. On the other hand, if it exceeds 100 μm, the chip size to be mounted becomes large, and the merit of using CSP and UT-CSP is impaired.

なお、このような小径の開口部を形成する際、水洗時に開口部内に水流が届きにくく、現像残渣が生じ易くなる。しかしながら、本実施形態における水洗水を用いることにより、小径の開口部を形成した場合でも、現像残渣の発生を抑えることが可能となる。   When forming such a small-diameter opening, it is difficult for the water flow to reach the opening during washing, and development residues are likely to occur. However, by using the rinsing water in the present embodiment, it is possible to suppress development residue even when a small-diameter opening is formed.

このようにして形成されたプリント配線板は、さらに、例えば酸性脱脂液などにより脱脂、洗浄した後、触媒液に浸漬して触媒付与を行う。そして、無電解ニッケルめっき、無電解金メッキを行うことにより、開口部にパッドが形成される。   The printed wiring board thus formed is further degreased and washed with, for example, an acidic degreasing solution, and then immersed in a catalyst solution to give a catalyst. And a pad is formed in an opening by performing electroless nickel plating and electroless gold plating.

このようなプリント配線板の製造方法において形成されるアルカリ現像型ソルダーレジスト層には、例えば、
(A)カルボキシル基含有樹脂
(B)光重合開始剤
(C)1分子中に2個以上の環状エーテル基および/または環状チオエーテル基を有する熱硬化性成分
(D)希釈剤
を含有するアルカリ現像型ソルダーレジストが用いられる。
In the alkali development type solder resist layer formed in such a printed wiring board manufacturing method, for example,
(A) Carboxyl group-containing resin (B) Photopolymerization initiator (C) Alkali development containing a thermosetting component (D) diluent having two or more cyclic ether groups and / or cyclic thioether groups in one molecule A type solder resist is used.

カルボキシル基含有樹脂(A)としては、分子中にカルボン酸を含有する樹脂化合物を使用することができる。さらに光硬化性や耐現像性の面からは、分子中にエチレン性不飽和二重結合を有するカルボキシル基含有感光性樹脂(A’)を用いることが好ましい。   As the carboxyl group-containing resin (A), a resin compound containing a carboxylic acid in the molecule can be used. Further, from the viewpoint of photocurability and development resistance, it is preferable to use a carboxyl group-containing photosensitive resin (A ′) having an ethylenically unsaturated double bond in the molecule.

具体的には、
(1)(メタ)アクリル酸などの不飽和カルボン酸と、それ以外の不飽和二重結合を有する化合物の1種類以上との共重合することにより得られるカルボキシル基含有樹脂
(2)不飽和カルボン酸と、それ以外の不飽和二重結合を有する化合物の共重合体に、部分的にエチレン性不飽和基をペンダントとして付加させる(例えば、グリシジルメタクリレートを付加させる)ことによって得られるカルボキシル基含有樹脂
(3)一分子中にエポキシ基と不飽和二重結合を有する化合物と、それ以外の不飽和二重結合を有する化合物の共重合体に、不飽和モノカルボン酸を反応させ、生成した第二級の水酸基に飽和または不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基含有樹脂
(4)多官能エポキシ化合物と不飽和モノカルボン酸を反応させ、生成した水酸基に飽和または不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基含有樹脂
(5)多官能エポキシ化合物と、不飽和モノカルボン酸と、一分子中に少なくとも1個のアルコール性水酸基と、エポキシ基と反応するアルコール性水酸基以外の1個の反応性基を有する化合物との反応生成物に、飽和または不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基含有樹脂
(6)多官能エポキシ化合物と不飽和モノカルボン酸を反応させ、生成した水酸基に飽和または不飽和多塩基酸無水物を反応させ、さらにグリシジルメタクリレートなどの一分子中にエポキシ基と不飽和二重結合を有する化合物を反応させて得られるカルボキシル基含有樹脂
(7)ビスフェノール型二官能エポキシ化合物の水酸基に、エピハロヒドリンを反応させて得られるビスフェノール型多官能エポキシ化合物と、不飽和モノカルボン酸との反応生成物に、飽和または不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られる線状のカルボキシル基含有樹脂
(8)ビスフェノール型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ化合物と、2個のフェノール性水酸基を有する芳香族化合物または2個のカルボキシル基を有する化合物を交互重合させ、生成した水酸基に、エピハロヒドリンを反応させて得られる多官能線状エポキシ化合物と、不飽和モノカルボン酸との反応生成物に、飽和または不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られる線状のカルボキシル基含有樹脂
(9)一分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物と、アルキレンオキシドまたはシクロカーボネート化合物とを反応させて得られる反応生成物に、不飽和基含有モノカルボン酸を反応させ、得られる反応生成物に多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基含有樹脂
(10)ヒドロキシル基含有(メタ)アクリレート化合物(a)、ジメチロールアルカン酸(b)、およびジイソシアネート化合物(c)を反応させて得られる化合物、またはさらに、ポリマーポリオール(d)を反応させて得られるカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物
などの樹脂が挙げられる。
In particular,
(1) Carboxyl group-containing resin obtained by copolymerizing an unsaturated carboxylic acid such as (meth) acrylic acid and one or more other compounds having an unsaturated double bond (2) unsaturated carboxylic acid Carboxyl group-containing resin obtained by partially adding an ethylenically unsaturated group as a pendant (for example, adding glycidyl methacrylate) to a copolymer of an acid and another compound having an unsaturated double bond (3) A second product produced by reacting a compound having an epoxy group and an unsaturated double bond in one molecule with a copolymer of another compound having an unsaturated double bond with an unsaturated monocarboxylic acid. Carboxyl group-containing resin obtained by reacting a saturated hydroxyl group with a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride (4) a polyfunctional epoxy compound and an unsaturated monocarboxylic acid And a carboxyl group-containing resin (5) obtained by reacting the produced hydroxyl group with a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride (5) a polyfunctional epoxy compound, an unsaturated monocarboxylic acid, and at least one per molecule. Carboxyl group-containing resin obtained by reacting a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride with a reaction product of an alcoholic hydroxyl group and a compound having one reactive group other than an alcoholic hydroxyl group that reacts with an epoxy group (6) A polyfunctional epoxy compound is reacted with an unsaturated monocarboxylic acid, the resulting hydroxyl group is reacted with a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride, and an epoxy group and an unsaturated double group in one molecule such as glycidyl methacrylate. Carboxyl group-containing resin (7) obtained by reacting a compound having a bond with the hydroxyl group of the bisphenol type bifunctional epoxy compound. Linear carboxyl group-containing resin obtained by reacting a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride with a reaction product of a bisphenol type polyfunctional epoxy compound obtained by reacting rhohydrin and an unsaturated monocarboxylic acid ( 8) Obtained by alternately polymerizing a bifunctional epoxy compound such as a bisphenol type epoxy resin and an aromatic compound having two phenolic hydroxyl groups or a compound having two carboxyl groups, and reacting an epihalohydrin with the resulting hydroxyl group In one molecule of a linear carboxyl group-containing resin (9) obtained by reacting a reaction product of a polyfunctional linear epoxy compound with an unsaturated monocarboxylic acid with a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride Reaction of a compound having two or more phenolic hydroxyl groups with an alkylene oxide or cyclocarbonate compound The reaction product obtained is reacted with an unsaturated group-containing monocarboxylic acid, and the resulting reaction product is reacted with a polybasic acid anhydride. (10) Carboxyl group-containing resin (10) Hydroxyl group-containing (meth) Compound obtained by reacting acrylate compound (a), dimethylolalkanoic acid (b), and diisocyanate compound (c), or further carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate obtained by reacting polymer polyol (d) Examples thereof include resins such as compounds.

このようなカルボキシル基含有樹脂(A)は、バックボーン・ポリマーの側鎖に多数の遊離カルボキシル基を有するため、希アルカリ水溶液による現像が可能である。   Since such a carboxyl group-containing resin (A) has a large number of free carboxyl groups in the side chain of the backbone polymer, development with a dilute alkaline aqueous solution is possible.

これらの中で、特に(5)〜(10)のカルボキシル基含有感光性樹脂が、UT−CSPなどのパッケージ基板に好適に用いられる。このうち、(10)のカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物を含有することにより、よりUT−CSPなどのパッケージ基板に好適な柔軟性の高いプリント配線板を形成することが可能となる。そして、このカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物は、柔軟性の付与の点で、カルボキシル基含有樹脂(A)100質量部に対して35質量部以上含まれることが好ましい。   Among these, the carboxyl group-containing photosensitive resins (5) to (10) are particularly preferably used for package substrates such as UT-CSP. Among these, by containing the carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound (10), it is possible to form a highly flexible printed wiring board suitable for a package substrate such as UT-CSP. And it is preferable that 35 mass parts or more of this carboxyl group containing urethane (meth) acrylate compound is contained with respect to 100 mass parts of carboxyl group containing resin (A) at the point of provision of a softness | flexibility.

このようなカルボキシル基含有樹脂(A)は、単独または複数組み合わせて用いることができる。また、柔軟性を付与するために、カルボキシル基末端ブタジエンアクリロニトリル(CTBN)などのカルボキシル基含有のゴム状化合物を使用してもよい。柔軟性付与の観点では、カルボキシル基含有のゴム状化合物、(7)、(8)の線状のカルボキシル基含有感光性樹脂、(10)のカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物を、カルボキシル基含有樹脂(A)総量に対して、15〜85質量%(カルボキシル基含有樹脂100質量部中15〜85質量部)含むことが好ましい。   Such carboxyl group-containing resins (A) can be used alone or in combination. In order to impart flexibility, a carboxyl group-containing rubber-like compound such as carboxyl group-terminated butadiene acrylonitrile (CTBN) may be used. From the viewpoint of imparting flexibility, the carboxyl group-containing rubber-like compound, the linear carboxyl group-containing photosensitive resin (7), (8), the carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound (10), It is preferable to contain 15-85 mass% (15-85 mass parts in 100 mass parts of carboxyl group-containing resin) with respect to the total amount of containing resin (A).

なお、このようなカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物などは、希アルカリ水溶液で現像したとき、べた付きを持つ現像残渣が生じ易くなる。しかしながら、本実施形態における水洗水を用いることにより、現像残渣の発生を抑えることが可能となる。   Such a carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound and the like are liable to produce a sticky development residue when developed with a dilute alkaline aqueous solution. However, it is possible to suppress development residue by using the washing water in the present embodiment.

また、カルボキシル基含有樹脂(A)の酸価は、40〜200mgKOH/gの範囲であることが好ましい。カルボン酸含有樹脂の酸価が40mgKOH/g未満であるとアルカリ現像が困難となり、一方、200mgKOH/gを超えると現像液による露光部の溶解が進むために、必要以上にラインが痩せたり、場合によっては、露光部と未露光部の区別なく現像液で溶解剥離してしまい、正常なレジストパターンの描画が困難となるためである。より好ましくは、45〜120mgKOH/gの範囲である。   Moreover, it is preferable that the acid value of carboxyl group-containing resin (A) is the range of 40-200 mgKOH / g. When the acid value of the carboxylic acid-containing resin is less than 40 mgKOH / g, alkali development becomes difficult. On the other hand, when the acid value exceeds 200 mgKOH / g, dissolution of the exposed area by the developer proceeds, so that the line becomes thinner than necessary. In some cases, the exposed portion and the unexposed portion are dissolved and separated with a developer without distinction, and it becomes difficult to draw a normal resist pattern. More preferably, it is the range of 45-120 mgKOH / g.

また、カルボキシル基含有樹脂(A)の重量平均分子量は、樹脂骨格により異なるが、一般的に2,000〜150,000のものが好ましい。重量平均分子量が2,000未満であると、タックフリー性能が劣ることがあり、露光後の塗膜の耐湿性が悪く現像時に膜減りが生じ、解像度が大きく劣ることがある。一方、重量平均分子量が150,000を超えると、現像性が著しく悪くなることがあり、貯蔵安定性が劣ることがある。より好ましくは、5,000〜100,000の範囲である。   Moreover, although the weight average molecular weight of carboxyl group-containing resin (A) changes with resin frame | skeletons, the thing of 2,000-150,000 is generally preferable. When the weight average molecular weight is less than 2,000, the tack-free performance may be inferior, the moisture resistance of the coated film after exposure may be poor, and the film may be reduced during development, and the resolution may be greatly inferior. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 150,000, developability may be remarkably deteriorated, and storage stability may be inferior. More preferably, it is in the range of 5,000 to 100,000.

このようなカルボキシル基含有樹脂(A)の配合割合は、全組成物中に、20〜60質量%であることが好ましい。20質量%より少ない場合、十分な塗膜強度を得ることが困難となる。一方、60質量%より多い場合、粘性が高くなり、塗布性などが低下してしまう。より好ましくは30〜50質量%である。   It is preferable that the mixture ratio of such carboxyl group-containing resin (A) is 20-60 mass% in the whole composition. When it is less than 20% by mass, it is difficult to obtain sufficient coating strength. On the other hand, when it is more than 60% by mass, the viscosity becomes high, and the coating property and the like are lowered. More preferably, it is 30-50 mass%.

光重合開始剤(B)としては、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのベンゾインとベンゾインアルキルエーテル類;アセトフェノン、2,2−ジメトキシー2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシー2−フェニルアセトフェノン、1,1−ジクロロアセトフェノンなどのアセトフェノン類;2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−(ジメチルアミノ)−2−[(4−メチルフェニル)メチル]−1−[4−(4−モルホリニル)フェニル]−1−ブタノンなどのアミノアセトフェノン類;2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、1−クロロアントラキノンなどのアントラキノン類;2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン類;アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなどのケタール類;ベンジル、ベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類;またはキサントン類;(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−ペンチルホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、エチル−2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルフォスフィネイトなどのフォスフィンオキサイド類、さらに(2−(アセチルオキシイミノメチル)チオキサンテン−9−オン)、(1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)などのオキシムエステル類が挙げられる。   Examples of the photopolymerization initiator (B) include benzoin and benzoin alkyl ethers such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin isopropyl ether; acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy Acetophenones such as 2-phenylacetophenone and 1,1-dichloroacetophenone; 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino- 1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, 2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4-morpholinyl) phenyl] -1-butanone, etc. Aminoacetophenones; 2-methyla Anthraquinones such as traquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone; 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, etc. Thioxanthones; ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyl dimethyl ketal; benzophenones such as benzyl and benzophenone; or xanthones; (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-pentylphosphine oxide, bis (2, 4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, ethyl-2,4,6-trimethylbenzoyl Phosphine oxides such as phenyl phosphinate, (2- (acetyloxyiminomethyl) thioxanthen-9-one), (1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- ( O-benzoyloxime)], ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime) It is done.

これらの光重合開始剤(B)は、単独でまたは複数を組み合わせて用いることができる。これらの光重合開始剤(B)の配合割合は、カルボキシル基含有樹脂(A)100質量部に対して、0.01〜30質量部が適当である。光重合開始剤(B)の使用量が0.01質量部より少ない場合、光硬化性が低下し、一方、30質量部より多い場合は、硬化塗膜特性が低下する。オキシム系光重合開始剤の場合、その配合割合は、0.01〜20質量部、より好ましくは0.01〜5質量部である。   These photopolymerization initiators (B) can be used alone or in combination. The mixing ratio of these photopolymerization initiators (B) is suitably 0.01 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the carboxyl group-containing resin (A). When the usage-amount of a photoinitiator (B) is less than 0.01 mass part, photocurability will fall, and when more than 30 mass parts, a cured coating film characteristic will fall. In the case of an oxime photopolymerization initiator, the blending ratio is 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.01 to 5 parts by mass.

さらに、光開始助剤として、3級アミン化合物やベンゾフェノン化合物を含有することができる。そのような3級アミン類としては、エタノールアミン類、4,4’−ジメチルアミノベンゾフェノン(日本曹達社製ニッソキュアーMABP)、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル(日本化薬社製カヤキュアーEPA)、2−ジメチルアミノ安息香酸エチル(インターナショナルバイオ−シンセエティックス社製Quantacure DMB)、4−ジメチルアミノ安息香酸(n−ブトキシ)エチル(インターナショナルバイオ−シンセエティックス社製Quantacure BEA)、p−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエチルエステル(日本化薬社製カヤキュアーDMBI)、4−ジメチルアミノ安息香酸2−エチルヘキシル(Van Dyk社製Esolol 507)、4,4’−ジエチルアミノベンゾフェノン(保土ヶ谷化学社製EAB)などが挙げられる。   Furthermore, a tertiary amine compound or a benzophenone compound can be contained as a photoinitiator aid. Examples of such tertiary amines include ethanolamines, 4,4′-dimethylaminobenzophenone (Nisso Cure MABP manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.), ethyl 4-dimethylaminobenzoate (Kayacure EPA manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 2- Ethyl dimethylaminobenzoate (Quantacure DMB manufactured by International Bio-Synthetics), ethyl 4-dimethylaminobenzoate (n-butoxy) Quantacure BEA manufactured by International Bio-Synthetics, isoamyl p-dimethylaminobenzoate Ethyl ester (Kayacure DMBI manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 2-Ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate (Esolol 507 manufactured by Van Dyk), 4,4'-diethylaminobenzophenone (Hodogaya Chemical) Company made EAB) and the like.

これら3級アミン化合物は、単独でまたは複数の混合物として使用することができる。特に好ましい3級アミン化合物は、4,4’−ジエチルアミノベンゾフェノンであるが、特にこれらに限られるものではない。波長300〜420nmの領域で光を吸収し、水素引き抜き型光重合開始剤と併用することによって増感効果を発揮するものであれば、光重合開始剤(B)、光開始助剤に限らず、単独であるいは複数併用して使用することができる。   These tertiary amine compounds can be used alone or as a mixture of a plurality of them. A particularly preferred tertiary amine compound is 4,4'-diethylaminobenzophenone, but is not particularly limited thereto. As long as it absorbs light in the wavelength region of 300 to 420 nm and exhibits a sensitizing effect when used in combination with a hydrogen abstraction type photopolymerization initiator, it is not limited to the photopolymerization initiator (B) and photoinitiator aid. These can be used alone or in combination.

1分子中に2個以上の環状エーテル基および/または環状チオエーテル基を有する熱硬化性成分(C)は、硬化物の耐熱性を向上させるために用いられる。   The thermosetting component (C) having two or more cyclic ether groups and / or cyclic thioether groups in one molecule is used for improving the heat resistance of the cured product.

1分子中に2個以上の環状エーテル基および/または環状チオエーテル基を有する熱硬化性成分(C)としては、1分子中に3、4または5員環の環状エーテル基、または環状チオエーテル基のいずれか一方または2種類の基を2個以上有する化合物であり、例えば、1分子内に少なくとも2個以上のエポキシ基を有する化合物、すなわち多官能エポキシ化合物(C−1)、1分子内に少なくとも2個以上のオキセタン基を有する化合物、すなわち多官能オキセタン化合物(C−2)、1分子内に2個以上のチオエーテル基を有する化合物、すなわちエピスルフィド樹脂などが挙げられる。   As the thermosetting component (C) having two or more cyclic ether groups and / or cyclic thioether groups in one molecule, three, four or five-membered cyclic ether groups or cyclic thioether groups in one molecule A compound having two or more of any one or two kinds of groups, for example, a compound having at least two epoxy groups in one molecule, that is, a polyfunctional epoxy compound (C-1), at least in one molecule Examples thereof include a compound having two or more oxetane groups, that is, a polyfunctional oxetane compound (C-2), a compound having two or more thioether groups in one molecule, that is, an episulfide resin.

多官能性エポキシ化合物(C−1)としては、例えば、ジャパンエポキシレジン社製のエピコート828、エピコート834、エピコート1001、エピコート1004、大日本インキ化学工業社製のエピクロン840、エピクロン850、エピクロン1050、エピクロン2055、東都化成社製のエポトートYD−011、YD−013、YD−127、YD−128、ダウケミカル社製のD.E.R.317、D.E.R.331、D.E.R.661、D.E.R.664、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のアラルダイド6071、アラルダイド6084、アラルダイドGY250、アラルダイドGY260、住友化学工業社製のスミ−エポキシESA−011、ESA−014、ELA−115、ELA−128、旭化成工業社製のA.E.R.330、A.E.R.331、A.E.R.661、A.E.R.664など(何れも商品名)のビスフェノールA型エポキシ樹脂;ジャパンエポキシレジン社製のエピコートYL903、大日本インキ化学工業社製のエピクロン152、エピクロン165、東都化成社製のエポトートYDB−400、YDB−500、ダウケミカル社製のD.E.R.542、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のアラルダイド8011、住友化学工業社製のスミ−エポキシESB−400、ESB−700、旭化成工業社製のA.E.R.711、A.E.R.714など(何れも商品名)のブロム化エポキシ樹脂;ジャパンエポキシレジン社製のエピコート152、エピコート154、ダウケミカル社製のD.E.N.431、D.E.N.438、大日本インキ化学工業社製のエピクロンN−730、エピクロンN−770、エピクロンN−865、東都化成社製のエポトートYDCN−701、YDCN−704、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のアラルダイドECN1235、アラルダイドECN1273、アラルダイドECN1299、アラルダイドXPY307、日本化薬社製のEPPN−201、EOCN−1025、EOCN−1020、EOCN−104S、RE−306、住友化学工業社製のスミ−エポキシESCN−195X、ESCN−220、旭化成工業社製のA.E.R.ECN−235、ECN−299など(何れも商品名)のノボラック型エポキシ樹脂;大日本インキ化学工業社製のエピクロン830、ジャパンエポキシレジン社製エピコート807、東都化成社製のエポトートYDF−170、YDF−175、YDF−2004、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のアラルダイドXPY306など(何れも商品名)のビスフェノールF型エポキシ樹脂;東都化成社製のエポトートST−2004、ST−2007、ST−3000(商品名)などの水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂;ジャパンエポキシレジン社製のエピコート604、東都化成社製のエポトートYH−434、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のアラルダイドMY720、住友化学工業社製のスミ−エポキシELM−120など(何れも商品名)のグリシジルアミン型エポキシ樹脂;チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のアラルダイドCY−350(商品名)などのヒダントイン型エポキシ樹脂;ダイセル化学工業社製のセロキサイド2021、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のアラルダイドCY175、CY179など(何れも商品名)の脂環式エポキシ樹脂;ジャパンエポキシレジン社製のYL−933、ダウケミカル社製のT.E.N.、EPPN−501、EPPN−502など(何れも商品名)のトリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂;ジャパンエポキシレジン社製のYL−6056、YX−4000、YL−6121(何れも商品名)などのビキシレノール型もしくはビフェノール型エポキシ樹脂またはそれらの混合物;日本化薬社製EBPS−200、旭電化工業社製EPX−30、大日本インキ化学工業社製のEXA−1514(商品名)などのビスフェノールS型エポキシ樹脂;ジャパンエポキシレジン社製のエピコート157S(商品名)などのビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂;ジャパンエポキシレジン社製のエピコートYL−931、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のアラルダイド163など(何れも商品名)のテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂;チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のアラルダイドPT810、日産化学工業社製のTEPICなど(何れも商品名)の複素環式エポキシ樹脂;日本油脂社製ブレンマーDGTなどのジグリシジルフタレート樹脂;東都化成社製ZX−1063などのテトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂;新日鉄化学社製ESN−190、ESN−360、大日本インキ化学工業社製HP−4032、EXA−4750、EXA−4700などのナフタレン基含有エポキシ樹脂;大日本インキ化学工業社製HP−7200、HP−7200Hなどのジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂;日本油脂社製CP−50S、CP−50Mなどのグリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂;さらにシクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートの共重合エポキシ樹脂;エポキシ変性のポリブタジエンゴム誘導体(例えばダイセル化学工業社製PB−3600など)、CTBN変性エポキシ樹脂(例えば東都化成社製のYR−102、YR−450など)などが挙げられるが、これらに限られるものではない。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは複数を組み合わせて用いることができる。これらの中でも特にノボラック型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂またはそれらの混合物が好ましい。   As the polyfunctional epoxy compound (C-1), for example, Epicoat 828, Epicoat 834, Epicoat 1001, Epicoat 1004 manufactured by Japan Epoxy Resin, Epicron 840, Epicron 850, Epicron 1050 manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. Epicron 2055, Epototo YD-011, YD-013, YD-127, YD-128 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., D.C. E. R. 317, D.E. E. R. 331, D.D. E. R. 661, D.E. E. R. 664, Ciba Specialty Chemicals' Araldide 6071, Araldide 6084, Araldide GY250, Araldide GY260, Sumitomo Chemical Industries Sumi-Epoxy ESA-011, ESA-014, ELA-115, ELA-128, Asahi Kasei Corporation A. E. R. 330, A.I. E. R. 331, A.I. E. R. 661, A.I. E. R. Bisphenol A type epoxy resin such as 664 (all trade names); Epicoat YL903 manufactured by Japan Epoxy Resin, Epicron 152, Epicron 165 manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Epototo YDB-400, YDB- manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd. 500, D.C. E. R. 542, Araldide 8011 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Sumi-epoxy ESB-400, ESB-700 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., and A.D. E. R. 711, A.I. E. R. Brominated epoxy resins such as 714 (all trade names); Epicoat 152 and Epicoat 154 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., D.C. E. N. 431, D.D. E. N. 438, Epicron N-730, Epicron N-770, Epicron N-865, Etototo YDCN-701, YDCN-704 from Toto Kasei Co., Ltd., Araldide ECN1235 from Ciba Specialty Chemicals, Araldide ECN1273, Araldide ECN1299, Araldide XPY307, Nippon Kayaku Co., Ltd. EPPN-201, EOCN-1025, EOCN-1020, EOCN-104S, RE-306, Sumitomo Chemical Industries Sumi-epoxy ESCN-195X, ESCN- 220, manufactured by Asahi Kasei Corporation. E. R. Novolak type epoxy resins such as ECN-235, ECN-299, etc. (both are trade names); Epicron 830 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Epicoat 807 manufactured by Japan Epoxy Resin, Epototo YDF-170 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. -175, YDF-2004, bisphenol F type epoxy resin such as Araldide XPY306 manufactured by Ciba Specialty Chemicals (all trade names); Epotot ST-2004, ST-2007, ST-3000 manufactured by Toto Kasei Hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, such as Epicoat 604 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Epotot YH-434 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., Araldide MY720 manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Sumitomo Chemical Co., Ltd. Epoxy ELM-1 Glycidylamine type epoxy resins such as 0 (all trade names); Hydantoin type epoxy resins such as Araldide CY-350 (trade name) manufactured by Ciba Specialty Chemicals; Celoxide 2021 manufactured by Daicel Chemical Industries, Ciba Specialty Alicyclic epoxy resins such as Araldide CY175 and CY179 manufactured by Chemicals (both are trade names); YL-933 manufactured by Japan Epoxy Resin; E. N. , EPPN-501, EPPN-502, etc. (all trade names) such as trihydroxyphenylmethane type epoxy resin; Japan Epoxy Resin YL-6056, YX-4000, YL-6121 (all trade names), etc. Xylenol type or biphenol type epoxy resins or mixtures thereof; bisphenol S type such as EBPS-200 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EPX-30 manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd., EXA-1514 manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. Epoxy resin; Bisphenol A novolak type epoxy resin such as Epicoat 157S (trade name) manufactured by Japan Epoxy Resin; Epicoat YL-931 manufactured by Japan Epoxy Resin, Araldide 163 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, etc. Name) Tetraphenylo Luethane type epoxy resin; Araldide PT810 manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., and heterocyclic epoxy resin such as TEPIC manufactured by Nissan Chemical Industries Co., Ltd. (all trade names); Diglycidyl phthalate resin such as Bremer DGT manufactured by Nippon Oil &Fats; Tetraglycidylxylenoylethane resins such as ZX-1063 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd .; Naphthalenes such as ESN-190 and ESN-360 manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., HP-4032, EXA-4750, and EXA-4700 manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. Group-containing epoxy resin; Epoxy resin having a dicyclopentadiene skeleton such as HP-7200 and HP-7200H manufactured by Dainippon Ink &Chemicals; Glycidyl methacrylate copolymer epoxy such as CP-50S and CP-50M manufactured by Nippon Oil & Fats Co., Ltd. Resin; further cyclohex Copolymerized epoxy resin of rumaleimide and glycidyl methacrylate; epoxy-modified polybutadiene rubber derivative (for example, PB-3600 manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), CTBN-modified epoxy resin (for example, YR-102, YR-450 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) However, it is not limited to these. These epoxy resins can be used alone or in combination. Among these, a novolac type epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin or a mixture thereof is particularly preferable.

多官能オキセタン化合物(C−2)としては、ビス[(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エーテル、ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エーテル、1,4−ビス[(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、(3−メチル−3−オキセタニル)メチルアクリレート、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルアクリレート、(3−メチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレート、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレートやそれらのオリゴマーまたは共重合体などの多官能オキセタン類の他、オキセタンとノボラック樹脂、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、カルド型ビスフェノール類、カリックスアレーン類、カリックスレゾルシンアレーン類、またはシルセスキオキサンなどの水酸基を有する樹脂とのエーテル化物などが挙げられる。その他、オキセタン環を有する不飽和モノマーとアルキル(メタ)アクリレートとの共重合体なども挙げられる。   Examples of the polyfunctional oxetane compound (C-2) include bis [(3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, 1,4-bis [ (3-Methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl acrylate, (3-ethyl In addition to polyfunctional oxetanes such as -3-oxetanyl) methyl acrylate, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate and oligomers or copolymers thereof, and oxetane Novolac resin, poly (p-hydroxystyrene), cardo-type bisphenol Le ethers, calixarenes, calix resorcin arenes, or the like ethers of a resin having a hydroxyl group such as silsesquioxane and the like. In addition, a copolymer of an unsaturated monomer having an oxetane ring and an alkyl (meth) acrylate is also included.

1分子中に2個以上の環状チオエーテル基を有する化合物としては、例えば、ジャパンエポキシレジン社製のビスフェノールA型エピスルフィド樹脂 YL7000などが挙げられる。また、同様の合成方法を用いて、ノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ基の酸素原子を硫黄原子に置き換えたエピスルフィド樹脂なども用いることができる。   Examples of the compound having two or more cyclic thioether groups in one molecule include bisphenol A type episulfide resin YL7000 manufactured by Japan Epoxy Resins. Moreover, episulfide resin etc. which replaced the oxygen atom of the epoxy group of the novolak-type epoxy resin with the sulfur atom using the same synthesis method can be used.

このような1分子中に2個以上の環状エーテル基および/または環状チオエーテル基を有する熱硬化性成分(C)の配合割合は、カルボキシル基含有樹脂(A)のカルボキシル基の合計量1当量に対して、0.5〜2.0当量であることが好ましい。1分子中に2個以上の環状エーテル基および/または環状チオエーテル基を有する熱硬化性成分(C)の配合割合が、0.5当量より少ない場合、カルボキシル基が残り、耐熱性、耐アルカリ性、電気絶縁性などが低下してしまう。一方、2.0当量を超えた場合、低分子量の1分子中に2個以上の環状エーテル基および/または環状チオエーテル基を有する熱硬化性成分(C)が残存することにより、塗膜の強度などが低下してしまう。より好ましくは、0.8〜1.5当量となる範囲である。   The blending ratio of the thermosetting component (C) having two or more cyclic ether groups and / or cyclic thioether groups in one molecule is 1 equivalent to the total amount of carboxyl groups of the carboxyl group-containing resin (A). On the other hand, it is preferably 0.5 to 2.0 equivalents. When the blending ratio of the thermosetting component (C) having two or more cyclic ether groups and / or cyclic thioether groups in one molecule is less than 0.5 equivalent, a carboxyl group remains, heat resistance, alkali resistance, Electrical insulation properties will be reduced. On the other hand, when it exceeds 2.0 equivalents, the thermosetting component (C) having two or more cyclic ether groups and / or cyclic thioether groups remains in one molecule having a low molecular weight, and thereby the strength of the coating film is increased. Etc. will fall. More preferably, it is the range used as 0.8-1.5 equivalent.

さらに、本実施形態に用いられるアルカリ現像型ソルダーレジストにおいて、カルボキシル基含有樹脂(A)の合成や組成物の調整のため、または光硬化性を向上させるため、希釈剤(D)が用いられる。希釈剤(D)としては、非反応性の希釈剤として、有機溶剤(D−1)、または反応性の希釈剤として、重合性モノマー(D−2)を使用することができる。   Further, in the alkali development type solder resist used in the present embodiment, a diluent (D) is used for the synthesis of the carboxyl group-containing resin (A), the adjustment of the composition, or the improvement of the photocurability. As the diluent (D), an organic solvent (D-1) can be used as a non-reactive diluent, or a polymerizable monomer (D-2) can be used as a reactive diluent.

有機溶剤(D−1)としては、ケトン類、芳香族炭化水素類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類、エステル類、アルコール類、脂肪族炭化水素、石油系溶剤などが挙げることができる。より具体的には、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類;トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類;ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールブチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルアセテート類;酢酸エチル、酢酸ブチルおよび上記グリコールエーテル類の酢酸エステル化物などのエステル類;エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール類;オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素;石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサなどの石油系溶剤などである。このような有機溶剤(D−1)は、単独でまたは複数の混合物として用いられる。   Examples of the organic solvent (D-1) include ketones, aromatic hydrocarbons, glycol ethers, glycol ether acetates, esters, alcohols, aliphatic hydrocarbons, petroleum solvents, and the like. More specifically, ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and tetramethylbenzene; cellosolve, methyl cellosolve, butyl cellosolve, carbitol, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl Glycol ethers such as ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether; dipropylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol butyl ether acetate, etc. Glycol ether acetates; ethyl acetate, butyrate And esters such as acetates of the above glycol ethers; alcohols such as ethanol, propanol, ethylene glycol, and propylene glycol; aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha, and solvent Petroleum solvents such as naphtha. Such an organic solvent (D-1) is used alone or as a mixture.

これら有機溶剤(D−1)の配合割合は、特に限定されるものではなく、コーティング性や乾燥塗膜の膜厚確保の面に配慮して決めることができるが、カルボキシル基含有樹脂(A)、およびカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物の合計量100質量部に対して300質量部以下が好ましい。   The blending ratio of these organic solvents (D-1) is not particularly limited, and can be determined in consideration of the coating property and securing the film thickness of the dried coating film, but the carboxyl group-containing resin (A) And 300 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of total amounts of a carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound.

また、反応性の希釈剤である重合性モノマー(D−2)としては、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレートなどのヒドロキシアルキルアクリレート類;エチレングリコール、メトキシテトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコールのモノまたはジアクリレート類;N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N,N−ジメチルアミノプロピルアクリルアミドなどのアクリルアミド類;N,N−ジメチルアミノエチルアクリレート、N,N−ジメチルアミノプロピルアクリレートなどのアミノアルキルアクリレート類;ヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリス−ヒドロキシエチルイソシアヌレートなどの多価アルコールまたはこれらのエチレオキサイド付加物もしくはプロピレンオキサイド付加物などの多価アクリレート類;フェノキシアクリレート、ビスフェノールAジアクリレート、およびこれらのフェノール類のエチレンオキサイド付加物もしくはプロピレンオキサイド付加物などのアクリレート類;グリセリンジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレートなどのグリシジルエーテルのアクリレート類;およびメラミンアクリレート、および/または上記アクリレートに対応する各メタクリレート類などが挙げられる。これらの中で、特に分子中に2個以上のエチレン性不飽和基を有する化合物である多官能(メタ)アクリレート化合物が、光硬化性に優れ好ましい。   Moreover, as the polymerizable monomer (D-2) which is a reactive diluent, hydroxyalkyl acrylates such as 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxypropyl acrylate; ethylene glycol, methoxytetraethylene glycol, polyethylene glycol, propylene Mono- or diacrylates of glycols such as glycol; acrylamides such as N, N-dimethylacrylamide, N-methylolacrylamide, N, N-dimethylaminopropylacrylamide; N, N-dimethylaminoethyl acrylate, N, N-dimethyl Aminoalkyl acrylates such as aminopropyl acrylate; hexanediol, trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol, tris-hydroxyl Polyhydric alcohols such as ethyl isocyanurate or polyhydric acrylates such as these ethylene oxide adducts or propylene oxide adducts; phenoxy acrylate, bisphenol A diacrylate, and ethylene oxide adducts or propylene oxide adducts of these phenols Acrylates such as: glycerin diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, acrylates of glycidyl ether such as triglycidyl isocyanurate; and melamine acrylate and / or methacrylates corresponding to the above acrylates, etc. Is mentioned. Among these, a polyfunctional (meth) acrylate compound which is a compound having two or more ethylenically unsaturated groups in the molecule is particularly preferable because of excellent photocurability.

さらに、ビスフェノールA、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールおよびクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などの多官能エポキシ樹脂に、アクリル酸を反応させたエポキシアクリレート樹脂や、さらにそのエポキシアクリレート樹脂の水酸基に、ペンタエリスリトールトリアクリレートなどのヒドロキシアクリレートとイソホロンジイソシアネートなどのジイソシアネートのハーフウレタン化合物を反応させたエポキシウレタンアクリレート化合物などが、挙げられる。このようなエポキシアクリレート系樹脂は、指触乾燥性を低下させることなく、光硬化性を向上させることができる。   Furthermore, polyfunctional epoxy resins such as bisphenol A, bisphenol F type epoxy resins, phenol and cresol novolac type epoxy resins, and epoxy acrylate resins obtained by reacting acrylic acid, and further to the hydroxyl groups of the epoxy acrylate resins, pentaerythritol triacrylate And an epoxy urethane acrylate compound obtained by reacting a half urethane compound of a diisocyanate such as isophorone diisocyanate. Such an epoxy acrylate resin can improve photocurability without deteriorating the touch drying property.

このような重合性モノマー(D−2)の配合割合は、カルボキシル基含有樹脂(A)100質量部に対して、120質量部以下であることが好ましい。重合性モノマー(D−2)の配合割合が、120質量部を超えた場合、電気絶縁性などが低下したり、塗膜が脆くなる。より好ましくは、10〜70質量部である。   It is preferable that the mixture ratio of such a polymerizable monomer (D-2) is 120 mass parts or less with respect to 100 mass parts of carboxyl group-containing resin (A). When the blending ratio of the polymerizable monomer (D-2) exceeds 120 parts by mass, the electrical insulation property is lowered or the coating film becomes brittle. More preferably, it is 10-70 mass parts.

本実施形態において用いられるアルカリ現像型ソルダーレジストは、カルボキシル基含有樹脂(A)のカルボキシル基と、1分子中に2個以上の環状エーテル基および/または環状チオエーテル基を有する熱硬化性成分(C)の硬化反応を促進するため、硬化触媒を配合することが好ましい。   The alkali development type solder resist used in this embodiment is a thermosetting component (C) having a carboxyl group of the carboxyl group-containing resin (A) and two or more cyclic ether groups and / or cyclic thioether groups in one molecule. It is preferable to add a curing catalyst in order to accelerate the curing reaction.

このような硬化触媒としては、例えば、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−エチル−4−メチルイミダゾールなどのイミダゾール誘導体;ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン、4−(ジメチルアミノ)−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メトキシ−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メチル−N,N−ジメチルベンジルアミンなどのアミン化合物、アジピン酸ヒドラジド、セバシン酸ヒドラジドなどのヒドラジン化合物;トリフェニルホスフィンなどのリン化合物など、また市販されているものとしては、例えば四国化成工業社製の2MZ−A、2MZ−OK、2PHZ、2P4BHZ、2P4MHZ(いずれもイミダゾール系化合物の商品名)、サンアプロ社製のU−CAT3503N、U−CAT3502T(いずれもジメチルアミンのブロックイソシアネート化合物の商品名)、DBU、DBN、U−CATSA102、U−CAT5002(いずれも二環式アミジン化合物およびその塩)などがある。特に、これらに限られるものではなく、エポキシ樹脂やオキセタン化合物の熱硬化触媒、もしくはエポキシ基および/またはオキセタニル基とカルボキシル基の反応を促進するものであればよく、単独でまたは複数を混合して使用してもかまわない。また、密着性付与剤としても機能するグアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、メラミン、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン、2−ビニル−4,6−ジアミノ−S−トリアジン、2−ビニル−4,6−ジアミノ−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物などのS−トリアジン誘導体を用いることもでき、好ましくはこれら密着性付与剤としても機能する化合物を熱硬化触媒と併用する。   Examples of such a curing catalyst include imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, Imidazole derivatives such as 1- (2-cyanoethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole; dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4- (dimethylamino) -N, N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N, N- Amine compounds such as dimethylbenzylamine, 4-methyl-N, N-dimethylbenzylamine, hydrazine compounds such as adipic acid hydrazide and sebacic acid hydrazide; phosphorus compounds such as triphenylphosphine, Example For example, 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ (both trade names of imidazole compounds) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. Compound trade names), DBU, DBN, U-CATSA102, U-CAT5002 (both bicyclic amidine compounds and salts thereof). In particular, it is not limited to these, as long as it is a thermosetting catalyst for an epoxy resin or an oxetane compound, or a catalyst that promotes the reaction between an epoxy group and / or an oxetanyl group and a carboxyl group, either alone or in combination. You can use it. Guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine, melamine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine, 2 S-triazine derivatives such as -vinyl-4,6-diamino-S-triazine / isocyanuric acid adduct and 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine / isocyanuric acid adduct can also be used, Preferably, a compound that also functions as an adhesion promoter is used in combination with a thermosetting catalyst.

硬化触媒の配合割合は通常の量的割合で充分であり、例えば全樹脂組成物100質量部に対して、0.1〜20質量部であることが好ましい。硬化触媒の配合割合が、0.1質量部より少ない場合、硬化時間が長くなり、作業性が低下するとともに、銅箔などの酸化が激しくなる。一方、硬化触媒の配合割合が、20質量部を超えた場合、電気特性が低下したり、仮乾燥後の放置ライフが短くなる。より好ましくは、0.5〜15.0質量部の割合である。   A usual quantitative ratio of the curing catalyst is sufficient. For example, it is preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total resin composition. When the blending ratio of the curing catalyst is less than 0.1 parts by mass, the curing time becomes longer, workability is lowered, and oxidation of the copper foil and the like becomes intense. On the other hand, when the blending ratio of the curing catalyst exceeds 20 parts by mass, the electrical characteristics are deteriorated or the standing life after temporary drying is shortened. More preferably, it is the ratio of 0.5-15.0 mass parts.

また、本実施形態に用いられるアルカリ現像型ソルダーレジストは、さらに硬化物の密着性、機械的強度、線膨張係数などの特性を向上させる目的で、無機充填剤を配合することができる。例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、無定形シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、雲母粉などの無機充填剤が使用できる。その配合割合は樹脂組成物の0〜80質量%であることが好ましい。   In addition, the alkali developing type solder resist used in the present embodiment can be blended with an inorganic filler for the purpose of further improving properties such as adhesion of the cured product, mechanical strength, and linear expansion coefficient. For example, inorganic fillers such as barium sulfate, barium titanate, silicon oxide powder, finely divided silicon oxide, amorphous silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, and mica powder can be used. The blending ratio is preferably 0 to 80% by mass of the resin composition.

また、さらに必要に応じて、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラックなどの着色剤、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、t−ブチルカテコール、ピロガロール、フェノチアジンなどの熱重合禁止剤、微粉シリカ、有機ベントナイト、モンモリロナイトなどの増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系などの消泡剤および/またはレベリング剤、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系などのシランカップリング剤などの添加剤類を配合することができる。   Further, if necessary, colorants such as phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, disazo yellow, crystal violet, titanium oxide, carbon black, naphthalene black, hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, t-butylcatechol, Thermal polymerization inhibitors such as pyrogallol and phenothiazine, thickeners such as fine silica, organic bentonite and montmorillonite, defoamers and / or leveling agents such as silicone, fluorine and polymer, imidazole, thiazole and triazole Additives such as a silane coupling agent such as a system can be blended.

そして、このようにして形成されるプリント配線板は、CSPや、UT−CSPなどのパッケージの基板として好適に用いられる。   And the printed wiring board formed in this way is used suitably as a board | substrate of packages, such as CSP and UT-CSP.

CSPは、ICチップをプリント配線板に実装するための中間板(インターポーザ)の役割を果たすものであり、そのサイズはICチップとほぼ同じものである。UT−CSPは、CSPの厚みを、さらに薄くしたものである。   The CSP functions as an intermediate board (interposer) for mounting an IC chip on a printed wiring board, and its size is almost the same as that of the IC chip. The UT-CSP is obtained by further reducing the thickness of the CSP.

このようなCSPまたはUT−CSPは、例えば、以下のようにして、製造され、実装される。   Such a CSP or UT-CSP is manufactured and mounted as follows, for example.

先ず、導体パターンが形成された基板の両面に、それぞれ開口部が形成されたアルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成し、ICチップと接続するためのパッドと、プリント配線板と接続するためのパッドを有するパッケージ基板を形成する。   First, an alkali development type solder resist layer having openings is formed on both surfaces of a substrate on which a conductor pattern is formed, and pads for connection with an IC chip and pads for connection with a printed wiring board are provided. A package substrate having the same is formed.

次いで、パッケージ基板のICチップ接続面に、ワイヤーボンディング工法またはフリップチップ工法を用いて、ICチップを接続する。そして、ICチップを封止材(必要に応じてアンダーフィル)で、パッケージ基板に固定する。   Next, the IC chip is connected to the IC chip connection surface of the package substrate using a wire bonding method or a flip chip method. Then, the IC chip is fixed to the package substrate with a sealing material (underfill if necessary).

さらに、パッケージ基板のプリント配線板接続面に、はんだボールを付着し、CSP(UT−CSP)が形成される。   Furthermore, a solder ball is adhered to the printed circuit board connection surface of the package substrate to form a CSP (UT-CSP).

形成されたCSP(UT−CSP)は、プリント配線板上に設置され、リフロー炉を通すことにより、はんだボールが溶融し、プリント配線板とその金メッキなどが施された開口部において接続されることにより実装される。   The formed CSP (UT-CSP) is installed on a printed wiring board, and when passed through a reflow furnace, the solder ball is melted and connected to the printed wiring board at the opening where the gold plating is applied. Implemented by.

以下に実施例および比較例を示して本発明の一態様について具体的に説明するが、本発明がこれら実施例に限定されるものではないことはもとよりである。   Examples of the present invention will be specifically described below with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

<カルボキシル基含有樹脂の合成>
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、EOCN−104S、軟化点92℃、エポキシ当量220)2200g、ジメチロールプロピオン酸134g、アクリル酸648.5g、メチルハイドロキノン4.6g、カルビトールアセテート1131gおよびソルベントナフサ484.9gを仕込み、90℃に加熱し撹拌し、反応混合物を溶解した。次いで反応液を60℃まで冷却し、トリフェニルホスフィン13.8gを仕込み、100℃に加熱し、約32時間反応させ、酸価が0.5mgKOH/gの反応物を得た。次に、これにテトラヒドロ無水フタル酸364.7g、カルビトールアセテート137.5gおよびソルベントナフサ58.8gを仕込み、95℃に加熱し、約6時間反応させ、冷却し、固形物の酸価40mgKOH/g、不揮発分65%のカルボキシル基含有感光性樹脂を得た。以下、この反応溶液をワニス(A−1)と称す。
<Synthesis of carboxyl group-containing resin>
2200 g of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EOCN-104S, softening point 92 ° C., epoxy equivalent 220), 134 g of dimethylolpropionic acid, 648.5 g of acrylic acid, 4.6 g of methylhydroquinone, 1131 g of carbitol acetate and 484.9 g of solvent naphtha was charged, heated to 90 ° C. and stirred to dissolve the reaction mixture. Next, the reaction solution was cooled to 60 ° C., charged with 13.8 g of triphenylphosphine, heated to 100 ° C., and reacted for about 32 hours to obtain a reaction product having an acid value of 0.5 mgKOH / g. Next, 364.7 g of tetrahydrophthalic anhydride, 137.5 g of carbitol acetate, and 58.8 g of solvent naphtha were charged into this, heated to 95 ° C., reacted for about 6 hours, cooled, and the solid acid value of 40 mgKOH / g. A carboxyl group-containing photosensitive resin having a nonvolatile content of 65% was obtained. Hereinafter, this reaction solution is referred to as varnish (A-1).

<カルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物の合成>
温度計、撹拌装置および環流冷却器を備えた5Lセパラブルフラスコに、ポリマーポリオールとしてポリカプロラクトンジオール(ダイセル化学工業社製PLACCEL208、分子量830)1,245g、カルボキシル基を有するジヒドロキシル化合物としてジメチロールプロピオン酸201g、ポリイソシアナートとしてイソホロンジイソシアナート777gおよびヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレートとして2−ヒドロキシエチルアクリレート119g、さらにp−メトキシフェノールおよびジ−t−ブチル−ヒドロキシトルエンを各々0.5gずつ投入した。攪拌しながら60℃まで加熱して停止し、ジブチル錫ジラウレート0.8gを添加した。反応容器内の温度が低下し始めたら再度加熱して、80℃で攪拌を続け、赤外線吸収スペクトルでイソシアナート基の吸収スペクトル(2280cm−1)が消失したことを確認して反応を終了し、粘稠液体のウレタンアクリレート化合物を得た。これをカルビトールアセテートを用いて不揮発分=50質量%に調整し、固形物の酸価47mgKOH/g、不揮発分50%のカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物を得た。以下、この反応溶液をワニス(A−2)と称す。
<Synthesis of carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound>
In a 5 L separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, and a reflux condenser, 1,245 g of polycaprolactone diol (PLACCEL 208, molecular weight 830, manufactured by Daicel Chemical Industries) as a polymer polyol, dimethylol propion as a dihydroxyl compound having a carboxyl group 201 g of acid, 777 g of isophorone diisocyanate as a polyisocyanate, 119 g of 2-hydroxyethyl acrylate as a (meth) acrylate having a hydroxyl group, and 0.5 g each of p-methoxyphenol and di-t-butyl-hydroxytoluene did. The mixture was stopped by heating to 60 ° C. while stirring, and 0.8 g of dibutyltin dilaurate was added. When the temperature in the reaction vessel starts to decrease, the mixture is heated again and stirred at 80 ° C., and the reaction is terminated after confirming that the absorption spectrum of the isocyanate group (2280 cm −1 ) has disappeared in the infrared absorption spectrum. A viscous liquid urethane acrylate compound was obtained. This was adjusted to a non-volatile content = 50 mass% using carbitol acetate to obtain a carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound having a solid acid value of 47 mgKOH / g and a non-volatile content of 50%. Hereinafter, this reaction solution is referred to as varnish (A-2).

<アルカリ現像型ソルダーレジストの調製>
得られたワニス(A−1)およびワニス(A−2)を用いて、下記配合成分を、3本ロールミルで混練し、アルカリ現像型ソルダーレジストを得た。
<Preparation of alkali development type solder resist>
Using the obtained varnish (A-1) and varnish (A-2), the following blending components were kneaded with a three-roll mill to obtain an alkali developing type solder resist.

ワニス(A−1) 77部
ワニス(A−2) 100部
2,4,6−トリメチルベンゾイル
ジフェニルホスフィンオキサイド 10部
メラミン 3部
ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート 20部
RE−306
(日本化薬社製ノボラック型エポキシ樹脂) 25部
フタロシアニン・グリーン 2部
粘度調整用溶剤
プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート 10部
<評価用基板の作製>
1.アルカリ現像型ソルダーレジスト層の形成
適宜導体パターンが形成されたFR−4基板を用い、これをバフ研磨した後、調製したアルカリ現像型ソルダーレジストを、スクリーン印刷法にて、全面印刷し、80℃、30分乾燥し、タックフリーのアルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成した。
77 parts of varnish (A-1)
Varnish (A-2) 100 parts
2,4,6-trimethylbenzoyl
10 parts of diphenylphosphine oxide
3 parts of melamine
Dipentaerythritol
Hexaacrylate 20 parts
RE-306
(Nippon Kayaku novolak epoxy resin) 25 parts
Phthalocyanine green 2 parts
Viscosity adjusting solvent
Propylene glycol monomethyl ether
Acetate 10 parts <Preparation of evaluation substrate>
1. Formation of Alkali Development Type Solder Resist Layer Using an FR-4 substrate with a conductor pattern appropriately formed and buffing this, the prepared alkali development type solder resist was printed on the entire surface by a screen printing method at 80 ° C. , Dried for 30 minutes to form a tack-free alkali development type solder resist layer.

2.露光工程
予め、アルカリ現像型ソルダーレジスト層の形成された基板、および高圧水銀灯搭載の接触露光機(ORC社製のEXP−2960)を用いて、コダックNo.2のステップタブレットで6段となる露光量を求めた。
2. Exposure process Using a contact exposure machine (EXP-2960 manufactured by ORC) equipped with an alkali development type solder resist layer in advance and a high pressure mercury lamp, Kodak No. The exposure amount which becomes 6 steps with the step tablet of 2 was obtained.

そして、アルカリ現像型ソルダーレジスト層の形成された基板上に、所定のパターンのネガフィルムを載せ、求められた露光量に設定し、上記接触露光機で露光した。   And the negative film of the predetermined pattern was mounted on the board | substrate with which the alkali image development type soldering resist layer was formed, it set to the calculated | required exposure amount, and it exposed with the said contact exposure machine.

3.現像工程
露光した基板を、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を用い、スプレー圧0.2MPaの現像機で現像してパターンを形成した。なお、現像機に付属している水洗装置は停止した状態にして、現像後、基板を取り出した。
3. Development Step The exposed substrate was developed using a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. with a developing machine having a spray pressure of 0.2 MPa to form a pattern. The washing apparatus attached to the developing machine was stopped and the substrate was taken out after development.

4.水洗工程
(水洗水の調製)
カルシウムイオンの供給源として、塩化カルシウム(分子量=110.98、カルシウムを36.11質量%含有)を用い、イオン交換水1リットル中に、塩化カルシウム(CaCl)2.769mgを溶解し、カルシウムイオンを1ppm含有する水洗水を調製した。同様に、カルシウムイオンを、10、20、30、100、500、1000、10000ppm含有する水洗水を調製した。
4). Flushing process (preparation of flush water)
Calcium chloride (molecular weight = 110.98, containing 36.11% by mass of calcium) was used as a source of calcium ions, and 2.769 mg of calcium chloride (CaCl 2 ) was dissolved in 1 liter of ion-exchanged water. Washing water containing 1 ppm of ions was prepared. Similarly, washing water containing calcium ions of 10, 20, 30, 100, 500, 1000, and 10,000 ppm was prepared.

併せて、カルシウムイオンを全く含まないイオン交換水を用意した。   In addition, ion-exchanged water containing no calcium ions was prepared.

(水洗)
2リットルビーカーに、上記各水洗水および攪拌子を入れ、マグネットスタラーで、水洗水を攪拌し、水流のある状態にした。この攪拌されている水洗水が入ったビーカーに、現像後の評価用基板を投入し水洗を行った。
(Washing)
The above-mentioned washing water and stirrer were placed in a 2 liter beaker, and the washing water was stirred with a magnetic stirrer to obtain a water flow. The substrate for evaluation after development was put into a beaker containing the washing water which was being stirred, and washed with water.

その後、リンス工程は省略し、水分をウェスなどで除去した後、乾燥させた。   Then, the rinse process was abbreviate | omitted, and it was made to dry after removing a water | moisture content with a waste cloth.

5.熱硬化工程
乾燥させた基板を、150℃に設定した熱風循環式乾燥炉に60分間投入し、アルカリ現像型ソルダーレジスト層を硬化させた。
5). Thermosetting process The dried substrate was put in a hot air circulation drying oven set at 150 ° C. for 60 minutes to cure the alkali development type solder resist layer.

このようにして開口部が設けられたアルカリ現像型ソルダーレジスト層が形成された評価用基板が作製された。   Thus, an evaluation substrate on which an alkali development type solder resist layer provided with an opening was formed was produced.

<基板の評価>
(1)現像残渣の評価
アルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成し、直径80μmのダミーパッドを作製するためのドットパターンが描かれたネガパターンを用いて、露光、現像後、各水洗水で水洗、乾燥させた熱硬化前の評価用基板について、走査型電子顕微鏡(SEM)を用い、以下の基準で現像残渣などを評価した。その結果を、表1に示す。
<Evaluation of substrate>
(1) Evaluation of development residue An alkali development type solder resist layer is formed, and after exposure and development using a negative pattern on which a dot pattern for producing a dummy pad with a diameter of 80 μm is drawn, each rinse is washed with water. About the dried evaluation board | substrate before thermosetting, the development residue etc. were evaluated on the following references | standards using the scanning electron microscope (SEM). The results are shown in Table 1.

○:現像残渣、付着物が無いもの。   ○: No development residue or deposit.

△:僅かに、現像残渣または付着物があるもの。   Δ: Slightly developed residue or deposits.

×:現像残渣または付着物があり、めっきの付着不良を起こすもの。   X: There are development residues or deposits, which causes poor adhesion of plating.

(2)はんだ耐熱性の評価
アルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成し、露光、現像後、各水洗水で水洗し、乾燥、熱硬化させた評価用基板に、ロジン系フラックスを塗布し、260℃のはんだ槽に30秒間浸漬した。プロピレングリコールメノモチルエーテルで、基板を洗浄後、塗膜の状態を、以下の基準で評価した。その結果を、併せて表1に示す。
(2) Evaluation of solder heat resistance After forming an alkali development type solder resist layer, exposure and development, washing with each washing water, drying and thermosetting, a rosin-based flux is applied to the substrate for evaluation at 260 ° C. Was immersed in a solder bath for 30 seconds. After washing the substrate with propylene glycol menomotyl ether, the state of the coating film was evaluated according to the following criteria. The results are also shown in Table 1.

○:塗膜の膨れ、剥がれ、変色などの異常が全く無い。   ○: No abnormality such as swelling, peeling or discoloration of the coating film.

×:著しい塗膜の膨れ、剥がれ、変色などが認められる。   X: Remarkable blistering, peeling, discoloration, etc. are observed.

(3)金めっき付着性の評価
アルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成し、露光、現像後、各水洗水で水洗し、乾燥、熱硬化させた評価用基板を、30℃の酸性脱脂液(日本マクダーミッド社製、Metex L−5Bの20vol%水溶液)に3分間浸漬して脱脂し、次いで流水中に3分間浸漬して水洗した。そして、14.3wt%過硫酸アンモン水溶液に室温で3分間浸漬し、ソフトエッチングを行い、次いで流水中に3分間浸漬して水洗した。10vol%硫酸水溶液に室温で評価用基板を1分間浸漬した後、流水中に30秒〜1分間浸漬して水洗した。さらに、30℃の触媒液(メルテックス社製、メタルプレートアクチベーター350の10vol%水溶液)に7分間浸漬し、触媒付与を行った後、流水中に3分間浸漬して水洗した。
(3) Evaluation of gold plating adhesion An alkali developing type solder resist layer was formed, exposed and developed, then washed with each washing water, dried and heat-cured, and an evaluation degreasing solution (Japan) It was degreased by immersion for 3 minutes in a 20 vol% aqueous solution of Metex L-5B manufactured by McDermid Co., Ltd., and then immersed in running water for 3 minutes and washed with water. Then, it was immersed in a 14.3 wt% ammonium persulfate aqueous solution at room temperature for 3 minutes, subjected to soft etching, and then immersed in running water for 3 minutes and washed with water. The substrate for evaluation was immersed in a 10 vol% sulfuric acid aqueous solution at room temperature for 1 minute, and then immersed in running water for 30 seconds to 1 minute and washed with water. Furthermore, after being immersed in a 30 ° C. catalyst solution (Meltex Co., 10 vol% aqueous solution of metal plate activator 350) for 7 minutes to give the catalyst, it was immersed in running water for 3 minutes and washed with water.

このように触媒付与を行った評価用基板を、85℃のニッケルめっき液(メルテックス社製、メルプレートNi−865Mの20vol%水溶液、pH4.6)に20分間浸漬して、無電解ニッケルめっきを行った。そして、10vol%硫酸水溶液に室温で1分間浸漬した後、流水中に30秒〜1分間浸漬して水洗した。次いで、95℃の金めっき液(メルテックス社製、オウロレクトロレスUP15vol%とシアン化金カリウム3vol%の水溶液、pH6)に10分間浸漬して無電解金めっきを行った後、流水中に3分間浸漬して水洗し、さらに60℃の温水に3分間浸漬して湯洗した。十分に水洗後、水をよくきり、乾燥し、無電解金めっきを施した評価用基板を得た。   The evaluation substrate thus provided with the catalyst was immersed in an 85 ° C. nickel plating solution (Meltex Ni-865M, 20 vol% aqueous solution, pH 4.6) for 20 minutes, and electroless nickel plating was performed. Went. Then, after being immersed in a 10 vol% sulfuric acid aqueous solution for 1 minute at room temperature, it was immersed in running water for 30 seconds to 1 minute and washed with water. Next, after electroless gold plating was performed by immersing in a gold plating solution at 95 ° C. (Meltex Co., an aqueous solution of Aurolectroles UP15 vol% and 3 vol% potassium cyanide, pH 6) for 10 minutes, It was immersed for a minute and washed with water, and further immersed in warm water at 60 ° C. for 3 minutes and washed with hot water. After sufficiently washing with water, water was thoroughly drained, dried, and an evaluation substrate subjected to electroless gold plating was obtained.

得られた評価用基板を、SEMで観察し、以下の評価基準で評価した。その結果を、併せて表1に示す。   The obtained evaluation substrate was observed with an SEM and evaluated according to the following evaluation criteria. The results are also shown in Table 1.

○:現像残渣による金めっき付着性に問題がないもの。   ○: No problem in gold plating adhesion due to development residue.

×:現像残渣により、金めっき付着性に問題があるもの。   X: A problem in gold plating adhesion due to development residue.

(4)PCT耐性の評価
アルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成し、露光、現像後、各水洗水で水洗し、乾燥、熱硬化させた評価用基板を、121℃、2気圧、湿度100%の高温高圧高湿槽に168時間入れ、硬化塗膜の状態変化を目視で観察し、以下の基準で評価した。その結果を、併せて表1に示す。
(4) Evaluation of PCT resistance An alkali development type solder resist layer was formed, exposed and developed, then washed with each washing water, dried and thermally cured, and the evaluation substrate was 121 ° C., 2 atm, and humidity 100%. It was placed in a high-temperature, high-pressure, high-humidity tank for 168 hours, the state change of the cured coating film was visually observed, and evaluated according to the following criteria. The results are also shown in Table 1.

○:顕著な膨れ、変色が認められないもの。   ○: No noticeable swelling or discoloration.

△:僅かな膨れ、変色が認められるもの。   Δ: Slight swelling and discoloration are observed.

×:顕著な膨れ、変色の認められるもの。   X: Remarkable swelling and discoloration are observed.

(5)HAST(Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test)後のマイグレーションの発生状態の評価
クシ型電極(ライン/スペース=50μm/50μm)が形成されたFR−4基板を用い、アルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成し、露光、現像後、各水洗水で水洗し、乾燥、熱硬化させた評価用基板について、130℃、湿度85%の雰囲気下で、DC5Vを印加し、168時間、HASTを行った。その後、マイグレーションの発生状態を光学顕微鏡で観察し、以下の基準で評価した。その結果を、併せて表1に示す。
(5) Evaluation of migration state after HAST (Highly accelerated temperature and stress stress test) Using an FR-4 substrate on which comb-type electrodes (line / space = 50 μm / 50 μm) are formed, an alkali development type solder resist layer After the exposure, development, and washing with each washing water, drying and thermosetting, the evaluation substrate was subjected to HAST for 168 hours by applying DC 5 V in an atmosphere of 130 ° C. and humidity 85%. . Thereafter, the occurrence of migration was observed with an optical microscope and evaluated according to the following criteria. The results are also shown in Table 1.

○:顕著なマイグレーションの発生が認められないもの。   ○: No significant migration was observed.

△:僅かにマイグレーションの発生が認められるもの。   Δ: Slight migration is observed.

×:顕著なマイグレーションの発生が認められるもの。   X: A remarkable migration is observed.

(6)反りの評価
基板として、厚み60μm、400mm×300mmの高耐熱接着絶縁材(日立化成工業社製)を用い、アルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成し、露光、現像後、各水洗水で水洗し、乾燥、熱硬化させた評価用基板を、平面上に置き、試験片の4隅の高さを測定した。そして、その合計を、そり変形量とし、その変形量から、以下の基準で、反りの評価を行った。その結果を、併せて表1に示す。
(6) Evaluation of warpage As a substrate, a high heat-resistant adhesive insulating material (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) having a thickness of 60 μm and 400 mm × 300 mm was used to form an alkali development type solder resist layer, and after exposure and development, The evaluation substrate washed with water, dried and thermally cured was placed on a flat surface, and the heights of the four corners of the test piece were measured. Then, the total was taken as the amount of warpage deformation, and warpage was evaluated from the amount of deformation according to the following criteria. The results are also shown in Table 1.

○:反り変形量が20mm未満のもの。   ○: Warpage deformation is less than 20 mm.

×:反り変形量が20mm以上のもの。
X: The amount of warp deformation is 20 mm or more.

表1に示す結果から明らかなように、カルシウムイオンを30〜1000ppm含む水洗水で水洗したものは、一回の水洗で現像残渣も認められず、解像性、金めっき付着性、PCT耐性、マイグレーション発生状態は良好であり、はんだ耐熱性も良好で、反りも認められなかった。   As is apparent from the results shown in Table 1, those washed with water containing 30 to 1000 ppm of calcium ions were not recognized as a development residue after being washed once, and resolution, gold plating adhesion, PCT resistance, The state of occurrence of migration was good, the solder heat resistance was good, and no warping was observed.

一方、イオン交換水、およびカルシウムイオンが20ppm以下の水洗水で処理したものは、一回の水洗では現像残渣が残っており、解像性、金めっき付着性に問題があった。また、PCT耐性、マイグレーション発生状態も劣っていた。また、カルシウムイオンの濃度が1000ppmを超えたものについても、現像残渣が残っており、解像性、金めっき付着性に問題があった。これは、水洗水中で、溶けていたアルカリ現像型ソルダーレジストが凝集したためであると考えられる。   On the other hand, when the ion-exchanged water and the water treated with 20 ppm or less of washing water with calcium ions are used, a development residue remains in one washing, and there is a problem in resolution and gold plating adhesion. Further, the PCT resistance and the migration occurrence state were inferior. In addition, even when the calcium ion concentration exceeded 1000 ppm, a development residue remained and there was a problem in resolution and gold plating adhesion. This is considered to be because the alkali-developable solder resist that had been dissolved in the washing water aggregated.

(7)水洗水中のイオン濃度変化の測定
カルシウムイオンを100ppm含む水洗水を用い、水洗水1リットル当たりの基板の処理面積とイオン濃度の変化を測定した。図1にその結果を示す。
(7) Measurement of change in ion concentration in washing water Using washing water containing 100 ppm of calcium ions, changes in the treatment area and ion concentration of the substrate per liter of washing water were measured. The result is shown in FIG.

図1に示すように、カルシウムイオンを100ppm含む水洗水において、処理面積の増大に伴いカルシウムイオンが減少するものの、1リットル当たり、約1m処理したときにカルシウムイオンは約30ppm残存しており、カルシウムイオンの補充無しで、1リットル当たり、基板面積約1mまで、問題無く、水洗できることが確認できた。従って、生産性高く水洗処理を行うことが可能であることがわかる。 As shown in FIG. 1, in washing water containing 100 ppm of calcium ions, calcium ions decrease with an increase in treatment area, but about 30 ppm of calcium ions remain when treated with about 1 m 2 per liter, It was confirmed that water could be washed without problems up to a substrate area of about 1 m 2 per liter without replenishing calcium ions. Therefore, it can be seen that the water washing process can be performed with high productivity.

実施例1と同様に評価用基板を作製し、水洗水に含まれる2価の金属イオンをマグネシウムイオンに変えて水洗を行った。水洗水のマグネシウムイオン濃度は50ppmに調製し、さらに比較例として、マグネシウムイオン濃度が10ppm、10000ppmのものを調製した。これを乾燥させた熱硬化前の評価用基板について、SEMを用いて現像残渣などを評価した。   A substrate for evaluation was prepared in the same manner as in Example 1, and the divalent metal ions contained in the washing water were changed to magnesium ions and washed with water. The magnesium ion concentration of washing water was adjusted to 50 ppm, and as a comparative example, a magnesium ion concentration of 10 ppm and 10,000 ppm was prepared. About the evaluation board | substrate before thermosetting which dried this, development residue etc. were evaluated using SEM.

図2にマグネシウムイオンを50ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真を示す。図に示すように、現像残渣などは認められなかった。   FIG. 2 shows an electron micrograph of the pad portion when washed with washing water containing 50 ppm of magnesium ions. As shown in the figure, development residues and the like were not recognized.

図3に比較例としてマグネシウムイオンを10ppm含む水洗水で洗浄したときのパッド部の電子顕微鏡写真を示す。粘着性のある現像残渣が、ランド周辺とパッド底部の外周に残っていることがわかる。   FIG. 3 shows an electron micrograph of the pad portion as a comparative example when washed with water containing 10 ppm of magnesium ions. It can be seen that an adhesive development residue remains on the periphery of the land and the outer periphery of the pad bottom.

図4に比較例としてマグネシウムイオンを10000ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真を示す。パッド上に、樹脂状のものが付着していることがわかる。   FIG. 4 shows, as a comparative example, an electron micrograph of the pad portion when washed with rinsing water containing 10000 ppm of magnesium ions. It can be seen that a resinous material is adhered on the pad.

以下のようにしてアルカリ現像型ソルダーレジストを調製し、実施例1と同様に評価用基板を作製した。   An alkali development type solder resist was prepared as follows, and an evaluation substrate was prepared in the same manner as in Example 1.

<カルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物の合成>
撹拌装置、温度計、コンデンサーを備えた反応容器に、1.5−ペンタンジオールと1.6−ヘキサンジオールから誘導されるポリカーボネートジオール(宇部興産社製、PDCL800、数平均分子量800)を2400g(3mol)、カルボキシル基を有するジヒドロキシル化合物としてジメチロールプロピオン酸を402g(3mol)、ポリイソシアネートとしてイソホロンジイソシアネート1554g(7mol)およびモノヒドロキシル化合物として2−ヒドロキシエチルアクリレート、238g(2.05mol)を投入した。撹拌しながら60℃まで加熱して停止し、反応容器内の温度が低下し始めた時点で、再度加熱して80℃で撹拌を続け、赤外線吸収スペクトルでイソシアネート基の吸収スペクトル(2280cm−1)が消失したことを確認して反応を終了し、粘稠液体のウレタンアクリレート化合物を得た。そして、固形分が50質量%となるようにカルビトールアセテートを添加し、数平均分子量22,000(ゲル担体液体クロマトグラフィー(GPC昭和電工社製GPC−1)を用い、ポリスチレンに換算した値)、固形分の酸価は46mgKOH/gのカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物(ワニスA−3)を得た。
<Synthesis of carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound>
In a reaction vessel equipped with a stirrer, a thermometer, and a condenser, 2400 g (3 mol) of polycarbonate diol derived from 1.5-pentanediol and 1.6-hexanediol (manufactured by Ube Industries, PDCL800, number average molecular weight 800). ), 402 g (3 mol) of dimethylolpropionic acid as a dihydroxyl compound having a carboxyl group, 1554 g (7 mol) of isophorone diisocyanate as a polyisocyanate, and 238 g (2.05 mol) of 2-hydroxyethyl acrylate as a monohydroxyl compound. When the temperature in the reaction vessel starts to decrease while heating to 60 ° C. while stirring, the mixture is heated again and stirred at 80 ° C., and the absorption spectrum of the isocyanate group (2280 cm −1 ) in the infrared absorption spectrum. The reaction was terminated after confirming disappearance of the product, and a viscous liquid urethane acrylate compound was obtained. And carbitol acetate was added so that solid content might be 50 mass%, and the number average molecular weight 22,000 (The value converted into polystyrene using gel carrier liquid chromatography (GPC-1 by GPC Showa Denko KK)). The acid value of the solid content was 46 mg KOH / g of a carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound (varnish A-3).

<カルボキシル基含有樹脂の合成>
温度計、窒素導入装置兼アルキレンオキシド導入装置及び撹拌装置を備えたオートクレーブに、ノボラック型クレゾール樹脂(商品名「ショーノールCRG951」、昭和高分子社製、OH当量:119.4)119.4部、水酸化カリウム1.19部及びトルエン119.4部を仕込み、撹拌しつつ系内を窒素置換し、加熱昇温した。次に、プロピレンオキシド63.8部を徐々に滴下し、125〜132℃、0〜4.8kg/cmで16時間反応させた。その後、室温まで冷却し、この反応溶液に89%リン酸1.56部を添加混合して水酸化カリウムを中和し、不揮発分62.1%、水酸基価が182.2g/eq.であるノボラック型クレゾール樹脂のプロピレンオキシド反応溶液を得た。これは、フェノール性水酸基1当量当りアルキレンオキシドが平均1.08モル付加しているものであった。
<Synthesis of carboxyl group-containing resin>
119.4 parts of a novolac type cresol resin (trade name “Shonol CRG951”, Showa Polymer Co., Ltd., OH equivalent: 119.4) in an autoclave equipped with a thermometer, a nitrogen introduction device / alkylene oxide introduction device and a stirring device. Then, 1.19 parts of potassium hydroxide and 119.4 parts of toluene were charged, the inside of the system was replaced with nitrogen while stirring, and the temperature was increased by heating. Next, 63.8 parts of propylene oxide was gradually added dropwise and reacted at 125 to 132 ° C. and 0 to 4.8 kg / cm 2 for 16 hours. Thereafter, the reaction solution was cooled to room temperature, and 1.56 parts of 89% phosphoric acid was added to and mixed with the reaction solution to neutralize potassium hydroxide. The nonvolatile content was 62.1% and the hydroxyl value was 182.2 g / eq. A novolak-type cresol resin propylene oxide reaction solution was obtained. This was an average of 1.08 moles of alkylene oxide added per equivalent of phenolic hydroxyl group.

得られたノボラック型クレゾール樹脂のアルキレンオキシド反応溶液293.0部、アクリル酸43.2部、メタンスルホン酸11.53部、メチルハイドロキノン0.18部およびトルエン252.9部を、撹拌装置、温度計及び空気吹き込み管を備えた反応器に仕込み、空気を10ml/分の速度で吹き込み、撹拌しながら、110℃で12時間反応させた。反応により生成した水は、トルエンとの共沸混合物として、12.6部の水が留出した。その後、室温まで冷却し、得られた反応溶液を15%水酸化ナトリウム水溶液35.35部で中和し、次いで水洗した。その後、エバポレーターにてトルエンをジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート118.1部で置換しつつ留去し、ノボラック型アクリレート樹脂溶液を得た。   293.0 parts of an alkylene oxide reaction solution of the obtained novolak-type cresol resin, 43.2 parts of acrylic acid, 11.53 parts of methanesulfonic acid, 0.18 part of methylhydroquinone and 252.9 parts of toluene were mixed with a stirrer and a temperature. A reactor equipped with a meter and an air blowing tube was charged, air was blown at a rate of 10 ml / min, and the reaction was carried out at 110 ° C. for 12 hours while stirring. 12.6 parts of water was distilled from the water produced by the reaction as an azeotrope with toluene. Thereafter, the reaction solution was cooled to room temperature, neutralized with 35.35 parts of a 15% aqueous sodium hydroxide solution, and then washed with water. Thereafter, toluene was distilled off while substituting 118.1 parts of diethylene glycol monoethyl ether acetate with an evaporator to obtain a novolak acrylate resin solution.

次に、得られたノボラック型アクリレート樹脂溶液332.5部及びトリフェニルホスフィン1.22部を、撹拌装置、温度計及び空気吹き込み管を備えた反応器に仕込み、空気を10ml/分の速度で吹き込み、撹拌しながら、テトラヒドロフタル酸無水物60.8部を徐々に加え、95〜101℃で6時間反応させ、冷却後、取り出した。このようにして不揮発分70.6%、固形物の酸価87.7mgKOH/gのカルボキシル基含有樹脂(ワニスA−4)を得た。   Next, 332.5 parts of the obtained novolak acrylate resin solution and 1.22 parts of triphenylphosphine were charged into a reactor equipped with a stirrer, a thermometer and an air blowing tube, and air was supplied at a rate of 10 ml / min. While blowing and stirring, 60.8 parts of tetrahydrophthalic anhydride was gradually added, reacted at 95 to 101 ° C. for 6 hours, cooled and taken out. Thus, a carboxyl group-containing resin (varnish A-4) having a nonvolatile content of 70.6% and a solid acid value of 87.7 mgKOH / g was obtained.

<アルカリ現像型ソルダーレジストの調製>
得られたカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物、ノボラック型アクリレート化合物を含むカルボキシル基含有樹脂を用いて、下記配合成分を、3本ロールミルで混練し、アルカリ現像型ソルダーレジストを得た。
<Preparation of alkali development type solder resist>
Using the carboxyl group-containing resin containing the obtained carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound and novolak acrylate compound, the following blending components were kneaded with a three-roll mill to obtain an alkali developing type solder resist.

ウレタンアクリレート(ワニスA−3) 170部
ノボラック型アクリレート(ワニスA−4) 23部
2,4,6−トリメチルベンゾイル
ジフェニルホスフィンオキサイド 10部
フェノチアジン 0.2部
メラミン 3部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート 20部
RE−306 25部
ファーストゲンブルー 0.6部
クロモフタルイエロー 0.6部
プロピレングレコールモノエチルエーテルアセテート 10部
調製したアルカリ現像型ソルダーレジストを用い、実施例1と同様に評価用基板を作製し、水洗水に含まれる2価の金属イオンをストロンチウムイオン、バリウムイオンに変えて、イオン濃度を変動させて水洗を行った。また、比較例として、3価のイオンであるアルミニウムイオンを含む水洗水を用いて水洗を行った。そして、これらを乾燥させた熱硬化前の評価用基板について、SEMを用いて現像残渣などを評価した。
170 parts of urethane acrylate (varnish A-3)
23 parts of novolak acrylate (varnish A-4)
2,4,6-trimethylbenzoyl
10 parts of diphenylphosphine oxide
0.2 parts of phenothiazine
3 parts of melamine
Dipentaerythritol hexaacrylate 20 parts
25 parts of RE-306
First Gen Blue 0.6 parts
Chromophthal yellow 0.6 parts
10 parts of propylene glycol monoethyl ether acetate Using the prepared alkali development type solder resist, an evaluation substrate was prepared in the same manner as in Example 1, and the divalent metal ions contained in the washing water were changed to strontium ions and barium ions. Then, washing with water was performed by changing the ion concentration. In addition, as a comparative example, washing was performed using washing water containing aluminum ions that are trivalent ions. And the development residue etc. were evaluated using SEM about the board | substrate for evaluation before thermosetting which dried these.

図5にストロンチウムイオンを115ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真を示す。図に示すように、現像残渣などは認められなかった。   FIG. 5 shows an electron micrograph of the pad portion when washed with water containing 115 ppm of strontium ions. As shown in the figure, development residues and the like were not recognized.

図6に比較例としてストロンチウムイオンを12ppm含む水洗水で洗浄したときのパッド部の電子顕微鏡写真を示す。粘着性のある現像残渣が、パッド底部の外周に残っていることがわかる。   As a comparative example, FIG. 6 shows an electron micrograph of the pad portion when washed with water containing 12 ppm of strontium ions. It can be seen that an adhesive development residue remains on the outer periphery of the pad bottom.

図7に比較例としてストロンチウムイオンを23000ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真を示す。パッド上に、樹脂状のものが付着していることがわかる。   FIG. 7 shows an electron micrograph of the pad portion as a comparative example when washed with water containing 23000 ppm of strontium ions. It can be seen that a resinous material is adhered on the pad.

図8にバリウムイオンを240ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真を示す。図に示すように、現像残渣などは認められなかった。   FIG. 8 shows an electron micrograph of the pad portion when washed with rinsing water containing 240 ppm of barium ions. As shown in the figure, development residues and the like were not recognized.

図9に比較例としてバリウムイオンを12ppm含む水洗水で洗浄したときのパッド部の電子顕微鏡写真を示す。粘着性のある現像残渣が、パッド底部の外周に残っていることがわかる。   FIG. 9 shows, as a comparative example, an electron micrograph of the pad portion when washed with water containing 12 ppm of barium ions. It can be seen that an adhesive development residue remains on the outer periphery of the pad bottom.

図10に比較例としてバリウムイオンを24000ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真を示す。パッド上およびその周辺に、樹脂状のものが付着していることがわかる。   As a comparative example, FIG. 10 shows an electron micrograph of the pad portion when washed with water containing 24000 ppm of barium ions. It can be seen that a resinous material is attached on and around the pad.

図11に比較例として3価のアルミニウムイオンを5ppm含む水洗水で洗浄したときのパッド部の電子顕微鏡写真を示す。粘着性のある現像残渣が、パッド底部の外周に残っていることがわかる。なお、5ppmより低濃度の領域であれば、現像残渣を発生させることなく水洗することが可能であると考えられる。しかしながら、実際、量産時にこのような低濃度に高精度で制御し、良好な生産性を得ることは困難である。   FIG. 11 shows, as a comparative example, an electron micrograph of the pad portion when washed with water containing 5 ppm of trivalent aluminum ions. It can be seen that an adhesive development residue remains on the outer periphery of the pad bottom. If the concentration is lower than 5 ppm, it is considered possible to wash with water without generating a development residue. However, in practice, it is difficult to control such a low concentration with high accuracy and obtain good productivity during mass production.

このように、アルカリ現像型ソルダーレジストの現像後の水洗において、2価の金属イオンを30〜1000ppm含む水洗水を用いることにより、一回の水洗で、アルカリ現像型ソルダーレジスト層の所定の部位に形成された微小なパッドなどの開口部における現像残渣などを抑えることが可能となる。従って、めっき付着性などを改善し、高い信頼性、生産性を得ることが可能なプリント配線板を提供することができる。   Thus, in the water washing after the development of the alkali development type solder resist, by using the water for washing containing 30 to 1000 ppm of divalent metal ions, the water can be washed once with a predetermined portion of the alkali development type solder resist layer. It is possible to suppress a development residue or the like in an opening such as a formed fine pad. Therefore, it is possible to provide a printed wiring board that can improve plating adhesion and the like and can obtain high reliability and productivity.

カルシウムイオンを100ppm含む水洗水を用いた時のカルシウムイオンと、水洗水1リットル当たりの処理面積の関係を示す図。The figure which shows the relationship between the calcium ion at the time of using the washing water containing 100 ppm of calcium ions, and the treatment area per liter of washing water. 本願発明の一態様に係るマグネシウムイオンを50ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真。The electron micrograph of the pad part when wash | cleaning with the washing water which contains 50 ppm of magnesium ions which concern on 1 aspect of this invention. 比較例に係るマグネシウムイオンを10ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真。The electron micrograph of a pad part when wash | cleaning with the washing water containing 10 ppm of magnesium ions which concern on a comparative example. 比較例に係るマグネシウムイオンを10000ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真。The electron micrograph of the pad part when it wash | cleans with the washing water containing 10000 ppm of magnesium ions which concern on a comparative example. 本願発明の一態様に係るストロンチウムイオンを115ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真。The electron micrograph of a pad part when wash | cleaning with the washing water which contains 115 ppm of strontium ion which concerns on 1 aspect of this invention. 比較例に係るストロンチウムイオンを12ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真。The electron micrograph of a pad part when wash | cleaning with the washing water which contains 12 ppm of strontium ion which concerns on a comparative example. 比較例に係るストロンチウムイオンを23000ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真。The electron micrograph of the pad part when it wash | cleans with the washing water containing 23000 ppm of strontium ion which concerns on a comparative example. 本願発明の一態様に係るバリウムイオンを240ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真。The electron micrograph of the pad part when it wash | cleans with the washing water containing 240 ppm of barium ion which concerns on 1 aspect of this invention. 比較例に係るバリウムイオンを12ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真。The electron micrograph of a pad part when wash | cleaning with the washing water containing 12 ppm of barium ion which concerns on a comparative example. 比較例に係るバリウムイオンを24000ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真。The electron micrograph of a pad part when wash | cleaning with the washing water which contains 24000 ppm of barium ion which concerns on a comparative example. 比較例に係るアルミニウムイオンを5ppm含む水洗水で洗浄した時のパッド部の電子顕微鏡写真。The electron micrograph of a pad part when wash | cleaning with the washing water containing 5 ppm of aluminum ions which concern on a comparative example.

Claims (8)

導体パターンの形成された基板表面に、カルボキシル基含有樹脂としてカルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物を含有するアルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成する工程と、
このアルカリ現像型ソルダーレジスト層を、所定の開口パターンで露光する工程と、
この工程で露光したアルカリ現像型ソルダーレジスト層を希アルカリ水溶液により現像する工程と、
この工程で現像したアルカリ現像型ソルダーレジスト層を2価の金属イオンを30〜1000ppm含む水洗水を用いて現像残渣を除去する工程と、
この工程で現像残渣を除去したアルカリ現像型ソルダーレジスト層を熱硬化させる工程とからなる、前記アルカリ現像型ソルダーレジスト層の所定位置に開口部を形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
Forming an alkali development type solder resist layer containing a carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound as a carboxyl group-containing resin on the substrate surface on which the conductor pattern is formed ;
The step of exposing the alkali development type solder resist layer with a predetermined opening pattern ;
Developing the alkali-developable solder resist layer exposed in this step with a dilute alkaline aqueous solution ;
A step of removing the development residue from the alkali development type solder resist layer developed in this step using washing water containing 30 to 1000 ppm of divalent metal ions ;
A method for producing a printed wiring board comprising: forming an opening at a predetermined position of the alkali development type solder resist layer, comprising the step of thermally curing the alkali development type solder resist layer from which development residues have been removed in this step .
前記2価の金属イオンは、Ca2+、Mg2+、Sr2+、Ba2+から選ばれた少なくとも一種の金属イオンであることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。 The method for producing a printed wiring board according to claim 1, wherein the divalent metal ion is at least one metal ion selected from Ca 2+ , Mg 2+ , Sr 2+ , and Ba 2+ . 前記カルボキシル基含有樹脂100質量部に対して、前記カルボキシル基含有ウレタン(メタ)アクリレート化合物を35質量部以上含有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプリント配線板の製造方法。   The method for producing a printed wiring board according to claim 1, wherein 35 parts by mass or more of the carboxyl group-containing urethane (meth) acrylate compound is contained with respect to 100 parts by mass of the carboxyl group-containing resin. . 前記開口部の径は、20〜100μmであることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。 Diameter of the opening, a manufacturing method of the printed wiring board according to claim 1, characterized in that a 20 to 100 [mu] m. 前記導体パターンの形成された基板表面に、アルカリ現像型ソルダーレジストを塗布し、乾燥させることにより前記アルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成することを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。 2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the alkali-developable solder resist layer is formed by applying an alkali-developable solder resist on the surface of the substrate on which the conductor pattern is formed, and drying the resist pattern. Method. 前記導体パターンの形成された基板表面に、アルカリ現像型ソルダーレジストからなるドライフィルムをラミネートすることにより、前記アルカリ現像型ソルダーレジスト層を形成することを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。 The formed substrate surface of the conductor pattern by laminating a dry film consisting of alkali development type solder resist, printed circuit board according to claim 1, characterized in that to form the alkali development type solder resist layer Manufacturing method. 前記導体パターンは、Cuを含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法。   The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the conductor pattern includes Cu. 前記導体パターン上に前記開口部が形成されることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法。   The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the opening is formed on the conductor pattern.
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