JP5142844B2

JP5142844B2 - Stabilization circuit and amplifier

Info

Publication number: JP5142844B2
Application number: JP2008156759A
Authority: JP
Inventors: 浩志大塚; 秀憲湯川; 一二三能登; 宏治山中; 晃井上; 祥紀津山; 伸茶木
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2008-06-16
Filing date: 2008-06-16
Publication date: 2013-02-13
Anticipated expiration: 2028-06-16
Also published as: JP2009303027A

Description

この発明は、マイクロ波やミリ波で使用される安定化回路及び増幅器に関するものである。 The present invention relates to a stabilization circuit and an amplifier used in microwaves and millimeter waves.

図１１は以下の特許文献１に開示されている従来の増幅器を示す構成図である。
図１１の増幅器は、入力端子５１と出力端子５７の間に、抵抗５２、１／４波長の伝送線路５３、抵抗５４、整合回路５５及び半導体素子５６が接続されている。
ただし、図１１では、半導体素子５６と整合回路５５を接続するワイヤや、出力整合回路などを省略している。 FIG. 11 is a block diagram showing a conventional amplifier disclosed in Patent Document 1 below.
In the amplifier of FIG. 11, a resistor 52, a quarter wavelength transmission line 53, a resistor 54, a matching circuit 55, and a semiconductor element 56 are connected between an input terminal 51 and an output terminal 57.
However, in FIG. 11, wires for connecting the semiconductor element 56 and the matching circuit 55, an output matching circuit, and the like are omitted.

半導体素子５６の入力インピーダンスは、整合回路５５によって変成されている。
即ち、図１２のスミスチャート上で、使用帯域における低域の周波数ＦＬから高域の周波数ＦＨにかけて５０Ωを巻くように変成されている。
図１１の増幅器は、抵抗５２，５４及び１／４波長の伝送線路５３により安定化が図られているが、入力端子５１から半導体素子５６側を見た入力インピーダンスは、やはり、低域の周波数ＦＬから高域の周波数ＦＨにかけて５０Ωを巻くように変成されている。 The input impedance of the semiconductor element 56 is transformed by the matching circuit 55.
That is, on the Smith chart of FIG. 12, it is transformed so that 50Ω is wound from the low frequency FL to the high frequency FH in the use band.
The amplifier shown in FIG. 11 is stabilized by resistors 52 and 54 and a transmission line 53 having a quarter wavelength. However, the input impedance when the semiconductor element 56 side is viewed from the input terminal 51 is still low frequency. It is transformed to wind 50Ω from FL to high frequency FH.

このため、入力端子５１における反射特性は、使用帯域における低域から高域にかけてほぼ同じような特性となり、使用帯域内で均一な反射特性が得られる。
また、半導体素子５６の入力インピーダンスにばらつきが生じても、ばらつく方向の差異による反射特性の劣化量が平均的には同じであり、安定な動作が可能になる効果が得られる。
ただし、半導体素子５６は、低域ほど最大有能利得（ＭＡＧ：ＭａｘｉｍｕｍＡｖａｉｌａｂｌｅＧａｉｎ）／最大安定利得（ＭＳＧ：ＭａｘｉｍｕｍＳｔａｂｌｅＧａｉｎ）が高いため、入力端子５１において、使用帯域内で均一な反射特性が得られるようにされている場合、得られる利得が低域の周波数ＦＬほど高くなり、平坦な特性とならなくなる。 For this reason, the reflection characteristics at the input terminal 51 are substantially the same from the low band to the high band in the use band, and a uniform reflection characteristic can be obtained within the use band.
Even if the input impedance of the semiconductor element 56 varies, the deterioration amount of the reflection characteristics due to the difference in the direction of variation is the same on average, so that an effect of enabling stable operation is obtained.
However, the semiconductor element 56 has a higher maximum available gain (MAG: Maximum Available Gain) / maximum stable gain (MSG: Maximum Stable Gain) at lower frequencies, and therefore, the input terminal 51 has uniform reflection characteristics within the use band. In the case where the gain is obtained, the gain obtained becomes higher as the frequency FL becomes lower, and the flat characteristic is not obtained.

特開平５−１３６６０７号公報（段落番号［０００８］、図２）JP-A-5-136607 (paragraph number [0008], FIG. 2)

従来の増幅器は以上のように構成されているので、入力端子５１において、使用帯域内で均一な反射特性が得られるようにされている場合、得られる利得が低域の周波数ＦＬほど高くなり、平坦な特性とならなくなるなどの課題があった。 Since the conventional amplifier is configured as described above, when the uniform reflection characteristic is obtained in the use band at the input terminal 51, the gain obtained is higher as the frequency FL is lower. There were problems such as no longer flat characteristics.

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、使用帯域内で平坦な利得特性と安定な動作を実現することができる安定化回路及び増幅器を得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain a stabilization circuit and an amplifier capable of realizing a flat gain characteristic and a stable operation within a use band.

この発明に係る安定化装置、抵抗がオープンスタブと伝送線路からなる回路に接続されており、上記回路の一端が半導体素子と接続されている安定化回路において、上記半導体素子の入力インピーダンスのうち、使用帯域における高域の周波数の入力インピーダンスが、使用帯域における低域の周波数の入力インピーダンスより高くなるように、上記伝送線路及び上記オープンスタブにより上記半導体素子の入力インピーダンスが変成され、
上記伝送線路及びオープンスタブが半導体素子と電気的に接続されている高誘電率基板である整合回路基板の配線パターンによって形成され、
上記抵抗が上記整合回路基板と電気的に接続されている低誘電率基板である別の基板の薄膜抵抗と、上記整合回路基板の薄膜抵抗とによって形成されているようにしたものである。 In the stabilization circuit according to the present invention, a resistor is connected to a circuit composed of an open stub and a transmission line, and one end of the circuit is connected to the semiconductor element. Of the input impedance of the semiconductor element, The input impedance of the semiconductor element is transformed by the transmission line and the open stub so that the input impedance of the high frequency in the use band is higher than the input impedance of the low frequency in the use band ,
The transmission line and the open stub are formed by a wiring pattern of a matching circuit board which is a high dielectric constant board electrically connected to a semiconductor element,
The resistor is formed by a thin film resistor of another substrate which is a low dielectric constant substrate electrically connected to the matching circuit substrate and a thin film resistor of the matching circuit substrate .

この発明によれば、抵抗がオープンスタブと伝送線路からなる回路に接続されており、上記回路の一端が半導体素子と接続されている安定化回路において、上記半導体素子の入力インピーダンスのうち、使用帯域における高域の周波数の入力インピーダンスが、使用帯域における低域の周波数の入力インピーダンスより高くなるように、上記伝送線路及び上記オープンスタブにより上記半導体素子の入力インピーダンスが変成されているように構成したので、使用帯域内で平坦な利得特性と安定な動作を実現することができる効果がある。
また、上記伝送線路及びオープンスタブが半導体素子と電気的に接続されている高誘電率基板である整合回路基板の配線パターンによって形成され、
上記抵抗が上記整合回路基板と電気的に接続されている低誘電率基板である別の基板の薄膜抵抗と、上記整合回路基板の薄膜抵抗とによって形成されているように構成したので、配線パターンの小型化を図り、抵抗の耐電圧を高めることができる効果がある。

According to the present invention, in a stabilization circuit in which a resistor is connected to a circuit composed of an open stub and a transmission line, and one end of the circuit is connected to a semiconductor element, the use band of the input impedance of the semiconductor element Because the input impedance of the semiconductor element is transformed by the transmission line and the open stub so that the input impedance of the high frequency in the band is higher than the input impedance of the low frequency in the use band. There is an effect that a flat gain characteristic and a stable operation can be realized in the use band.
Further, the transmission line and the open stub are formed by a wiring pattern of a matching circuit board which is a high dielectric constant board electrically connected to a semiconductor element,
Since the resistor is formed by the thin film resistor of another substrate which is a low dielectric constant substrate electrically connected to the matching circuit substrate and the thin film resistor of the matching circuit substrate, the wiring pattern Thus, there is an effect that the withstand voltage of the resistor can be increased.

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による増幅器を示す等価回路図である。
図１において、安定化回路２は一端が入力端子１と接続され、他端が半導体素子３のゲート端子と接続されており、安定化回路２は半導体素子３の入力インピーダンスを変成するとともに、安定化を図る回路である。
半導体素子３はゲート端子が安定化回路２の伝送線路５と接続されており、ゲート端子から入力された信号を増幅して出力端子４に出力する。
半導体素子３としては、例えば、ＦＥＴなどの素子が該当するが、ＦＥＴに限るものではなく、例えば、ＨＢＴやＩＧＢＴなどの素子でもよい。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing an amplifier according to Embodiment 1 of the present invention.
In FIG. 1, the stabilization circuit 2 has one end connected to the input terminal 1 and the other end connected to the gate terminal of the semiconductor element 3. The stabilization circuit 2 transforms the input impedance of the semiconductor element 3 and stabilizes it. This is a circuit for achieving the above.
The semiconductor element 3 has a gate terminal connected to the transmission line 5 of the stabilization circuit 2, amplifies the signal input from the gate terminal, and outputs the amplified signal to the output terminal 4.
The semiconductor element 3 corresponds to, for example, an element such as an FET, but is not limited to an FET, and may be an element such as an HBT or IGBT.

図１の例では、安定化回路２は、伝送線路５と抵抗６からなる直列回路と、その直列回路に接続されているオープンスタブ７から構成されている。
また、半導体素子３の入力インピーダンスのうち、使用帯域における高域の周波数ＦＨの入力インピーダンスが、使用帯域における低域の周波数ＦＬの入力インピーダンスより高くなるように、伝送線路５及びオープンスタブ７により半導体素子３の入力インピーダンスが変成されている。
図１では、安定化回路２と半導体素子３を接続するワイヤや、出力整合回路などを省略している。
図２は半導体素子３の入力インピーダンスを表しているスミスチャートを示す説明図である。 In the example of FIG. 1, the stabilization circuit 2 includes a series circuit including a transmission line 5 and a resistor 6, and an open stub 7 connected to the series circuit.
Further, among the input impedances of the semiconductor element 3, the transmission line 5 and the open stub 7 make the semiconductor so that the input impedance of the high frequency FH in the use band is higher than the input impedance of the low frequency FL in the use band. The input impedance of element 3 is transformed.
In FIG. 1, wires for connecting the stabilization circuit 2 and the semiconductor element 3, an output matching circuit, and the like are omitted.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a Smith chart showing the input impedance of the semiconductor element 3.

次に動作について説明する。
安定化回路２の伝送線路５と半導体素子３の接続点から、半導体素子３側を見た半導体素子３の入力インピーダンスは、使用周波数が低い場合、図２（ａ）に示すように、使用帯域における低域の周波数ＦＬから高域の周波数ＦＨにかけて容量性領域に存在している。 Next, the operation will be described.
When the operating frequency is low, the input impedance of the semiconductor element 3 viewed from the connection point between the transmission line 5 of the stabilizing circuit 2 and the semiconductor element 3 is as shown in FIG. Exists in the capacitive region from the low frequency FL to the high frequency FH.

このような半導体素子３の入力インピーダンスは、図２（ｂ）に示すように、安定化回路２の伝送線路５によって誘導性領域に変成される。
また、半導体素子３の入力インピーダンスは、図２（ｃ）に示すように、安定化回路２のオープンスタブ７によって、高域の周波数ＦＨが実軸上付近に変成される。
このとき、高域の周波数ＦＨの入力インピーダンスと比較して、低域の周波数ＦＬの入力インピーダンスは低くなる。 The input impedance of the semiconductor element 3 is transformed into an inductive region by the transmission line 5 of the stabilization circuit 2 as shown in FIG.
Further, as shown in FIG. 2C, the input impedance of the semiconductor element 3 is transformed to the vicinity of the real axis on the high frequency FH by the open stub 7 of the stabilization circuit 2.
At this time, the input impedance of the low frequency FL is lower than the input impedance of the high frequency FH.

安定化回路２には抵抗６が装荷されているので、安定化が図られるが、低域の周波数ＦＬの入力インピーダンスが、高域の周波数ＦＨの入力インピーダンスより低いため、入力端子１から信号が入力されると、抵抗６による入力信号の消費は低域の周波数ＦＬの方が大きくなる。
したがって、安定性については、高域の周波数ＦＨと比較して、低域の周波数ＦＬで大きく向上する。 Since the stabilization circuit 2 is loaded with the resistor 6, stabilization is achieved. However, since the input impedance of the low frequency FL is lower than the input impedance of the high frequency FH, a signal is input from the input terminal 1. When input, the consumption of the input signal by the resistor 6 becomes larger at the low frequency FL.
Therefore, the stability is greatly improved at the low frequency FL compared to the high frequency FH.

これに対して、半導体素子３では、低域と比べて高域ほど安定性がよいため、安定化回路２によって低域での安定性が高められることにより、使用帯域内では安定性が平均的によくなる。
また、半導体素子３では、低域と比べて高域ほどＭＡＧ／ＭＳＧが低いため、安定化回路２によって低域での利得が低下することにより、使用帯域内でのＭＡＧ／ＭＳＧの平坦性が向上する。 On the other hand, in the semiconductor element 3, stability is better at higher frequencies than at lower frequencies, so that the stability in the low frequency is increased by the stabilization circuit 2, so that the stability is average in the use band. Become better.
Further, in the semiconductor element 3, since the MAG / MSG is lower in the higher region than in the lower region, the gain in the low region is lowered by the stabilization circuit 2, so that the flatness of the MAG / MSG in the use band is reduced. improves.

ここで、図３は安定係数とＭＡＧ／ＭＳＧの計算結果を示す説明図である。
図３は、使用帯域がＣ帯の０．９３ＦＯから１．０７ＦＯの範囲である場合、安定係数とＭＡＧ／ＭＳＧが使用帯域内で均一によくなっていることを示している。
したがって、この実施の形態１によれば、使用帯域内で平坦な利得特性が得られることが理解される。 Here, FIG. 3 is an explanatory diagram showing calculation results of the stability coefficient and MAG / MSG.
FIG. 3 shows that when the use band is in the range of 0.93 FO to 1.07 FO in the C band, the stability coefficient and MAG / MSG are improved uniformly in the use band.
Therefore, according to the first embodiment, it is understood that a flat gain characteristic can be obtained within the use band.

以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、抵抗がオープンスタブと伝送線路からなる回路に接続されており、上記回路の一端が半導体素子と接続されている安定化回路において、半導体素子３の入力インピーダンスのうち、使用帯域における高域の周波数ＦＨの入力インピーダンスが、使用帯域における低域の周波数ＦＬの入力インピーダンスより高くなるように、伝送線路５及びオープンスタブ７により半導体素子３の入力インピーダンスが変成されているように構成したので、使用帯域内で平坦な利得特性と安定な動作を実現することができる効果を奏する。 As is apparent from the above, according to the first embodiment, in a stabilization circuit in which a resistor is connected to a circuit composed of an open stub and a transmission line, and one end of the circuit is connected to a semiconductor element. Among the input impedances of the element 3, the transmission line 5 and the open stub 7 allow the input impedance of the high frequency FH in the use band to be higher than the input impedance of the low frequency FL in the use band. Since the configuration is such that the input impedance is transformed, there is an effect that a flat gain characteristic and a stable operation can be realized within the use band.

なお、この実施の形態１では、半導体素子３の入力インピーダンスが低域の周波数ＦＬから高域の周波数ＦＨにかけて容量性領域に存在しているものについて示したが（図２（ａ）を参照）、使用周波数が高く、誘導性領域に存在していてもよい。
この場合も、高域の周波数ＦＨの入力インピーダンスが、低域の周波数ＦＬの入力インピーダンスより高くなるように、伝送線路５及びオープンスタブ７によって半導体素子３の入力インピーダンスを変成すれば、同様の効果を奏することができる。 In the first embodiment, the input impedance of the semiconductor element 3 is shown in the capacitive region from the low frequency FL to the high frequency FH (see FIG. 2A). The operating frequency is high and may be present in the inductive region.
In this case, the same effect can be obtained by changing the input impedance of the semiconductor element 3 by the transmission line 5 and the open stub 7 so that the input impedance of the high frequency FH is higher than the input impedance of the low frequency FL. Can be played.

また、この実施の形態１では、安定化回路２の伝送線路５が半導体素子３のゲート端子と接続されているものを示したが、安定化回路２の伝送線路５が半導体素子３のドレイン端子と接続されているようにしてもよい。 In the first embodiment, the transmission line 5 of the stabilization circuit 2 is connected to the gate terminal of the semiconductor element 3. However, the transmission line 5 of the stabilization circuit 2 is connected to the drain terminal of the semiconductor element 3. You may make it connect with.

実施の形態２．
上記実施の形態１では、安定化回路２が伝送線路５、抵抗６及びオープンスタブ７から構成されているものについて示したが、図４に示すように、安定化回路２の伝送線路５及びオープンスタブ７ａ，７ｂが、半導体素子３と電気的に接続されている整合回路基板８の表面の配線パターンによって形成され、安定化回路２の抵抗６が整合回路基板８の薄膜抵抗によって形成されているようにしてもよく、上記実施の形態１と同様の効果を奏することができる。 Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment, the stabilization circuit 2 includes the transmission line 5, the resistor 6, and the open stub 7. However, as illustrated in FIG. 4, the transmission line 5 and the open circuit of the stabilization circuit 2 are illustrated. The stubs 7 a and 7 b are formed by a wiring pattern on the surface of the matching circuit board 8 electrically connected to the semiconductor element 3, and the resistor 6 of the stabilization circuit 2 is formed by a thin film resistor of the matching circuit board 8. You may make it like, and there can exist an effect similar to the said Embodiment 1. FIG.

また、図５に示すように、２個の半導体素子３ａ，３ｂが整合回路基板８と電気的に接続されていてもよく、同様の効果を奏することができる。
図５において、４ａ，４ｂは出力端子である。 Further, as shown in FIG. 5, the two semiconductor elements 3a and 3b may be electrically connected to the matching circuit board 8, and the same effect can be obtained.
In FIG. 5, reference numerals 4a and 4b denote output terminals.

実施の形態３．
上記実施の形態１，２では、安定化回路２が抵抗６を装荷しているものについて示したが、抵抗６の抵抗値が、使用帯域における低域の周波数ＦＬの入力インピーダンスと、使用帯域における高域の周波数ＦＨの入力インピーダンスとの間に設定されているようにしてもよい。 Embodiment 3 FIG.
In the first and second embodiments, the stabilization circuit 2 is loaded with the resistor 6. However, the resistance value of the resistor 6 is the input impedance of the low frequency FL in the use band and the use band. It may be set between the input impedance of the high frequency FH.

この場合も、上記実施の形態１，２と同様の効果が得られるが、抵抗６の抵抗値が、使用帯域における低域の周波数ＦＬの入力インピーダンスより大きく、使用帯域における高域の周波数ＦＨの入力インピーダンスより小さいため、高域より低域の方が、より抵抗６における入力信号の消費が大きくなる。
このため、上記実施の形態１，２よりも更に平坦な利得特性が得られるという効果を奏する。 In this case as well, the same effect as in the first and second embodiments can be obtained, but the resistance value of the resistor 6 is larger than the input impedance of the low frequency FL in the use band, and the high frequency FH in the use band. Since it is smaller than the input impedance, the consumption of the input signal at the resistor 6 is greater in the low range than in the high range.
Therefore, there is an effect that a gain characteristic even flatter than that of the first and second embodiments can be obtained.

実施の形態４．
上記実施の形態２では、安定化回路２の伝送線路５及びオープンスタブ７ａ，７ｂが、半導体素子３と電気的に接続されている整合回路基板８の表面の配線パターンによって形成され、安定化回路２の抵抗６が整合回路基板８の薄膜抵抗によって形成されているものについて示したが（図４、図５を参照）、図６に示すように、安定化回路２の伝送線路５及びオープンスタブ７ａ，７ｂが、半導体素子３と電気的に接続されている整合回路基板８の表面の配線パターンによって形成され、安定化回路２の抵抗６が整合回路基板８と電気的に接続されている別の基板９の薄膜抵抗によって形成されているようにしてもよく、上記実施の形態２と同様の効果を奏することができる。
また、安定化回路２の伝送線路５及びオープンスタブ７ａ，７ｂを高誘電率基板である整合回路基板８に形成するようにすれば、配線パターンの小形化を図ることができる。 Embodiment 4 FIG.
In the second embodiment, the transmission line 5 and the open stubs 7a and 7b of the stabilization circuit 2 are formed by the wiring pattern on the surface of the matching circuit board 8 electrically connected to the semiconductor element 3, and the stabilization circuit 2 shows that the resistor 6 is formed by the thin film resistor of the matching circuit board 8 (see FIGS. 4 and 5). As shown in FIG. 6, the transmission line 5 and the open stub of the stabilizing circuit 2 are used. 7a and 7b are formed by a wiring pattern on the surface of the matching circuit board 8 electrically connected to the semiconductor element 3, and the resistor 6 of the stabilizing circuit 2 is electrically connected to the matching circuit board 8 The thin film resistor of the substrate 9 may be used, and the same effect as in the second embodiment can be obtained.
Further, if the transmission line 5 and the open stubs 7a and 7b of the stabilization circuit 2 are formed on the matching circuit substrate 8 which is a high dielectric constant substrate, the wiring pattern can be reduced in size.

なお、図６のように構成する場合でも、上記実施の形態３と同様に、抵抗６の抵抗値が、使用帯域における低域の周波数ＦＬの入力インピーダンスと、使用帯域における高域の周波数ＦＨの入力インピーダンスとの間に設定されているようにしてもよいことは言うまでもない。 Even in the case of the configuration as shown in FIG. 6, as in the third embodiment, the resistance value of the resistor 6 is such that the input impedance of the low frequency FL in the use band and the high frequency FH in the use band. Needless to say, it may be set between the input impedance and the input impedance.

実施の形態５．
上記実施の形態２では、安定化回路２の抵抗６が整合回路基板８の薄膜抵抗によって形成されているものについて示したが（図４、図５を参照）、図７に示すように、安定化回路２の抵抗１０ａ，１０ｂが整合回路基板８の薄膜抵抗によって伝送線路５上にＴ字形に形成されているようにしてもよい。 Embodiment 5 FIG.
In the second embodiment, the resistor 6 of the stabilizing circuit 2 is formed by the thin film resistor of the matching circuit substrate 8 (see FIGS. 4 and 5). However, as shown in FIG. The resistors 10a and 10b of the circuit 2 may be formed in a T shape on the transmission line 5 by the thin film resistors of the matching circuit substrate 8.

この場合も、上記実施の形態２と同様の効果が得られるが、安定化回路２の伝送線路５上に抵抗１０ａ，１０ｂがＴ字形に形成されているので、２個の半導体素子３ａ，３ｂの間の経路上に抵抗が形成され、ループ発振を抑圧することができる効果を奏する。
なお、低域の周波数ＦＬと高域の周波数ＦＨにおける入力インピーダンスの大きさが、上記実施の形態１に示した関係が満足すれば、図８に示すように、半導体素子３ａ，３ｂの近傍に別のオープンスタブ１１ａ，１１ｂがあってもよい。 In this case, the same effect as in the second embodiment can be obtained. However, since the resistors 10a and 10b are formed in a T shape on the transmission line 5 of the stabilization circuit 2, two semiconductor elements 3a and 3b are provided. A resistor is formed on the path between the two, and the effect of suppressing the loop oscillation is achieved.
If the magnitude of the input impedance at the low frequency FL and the high frequency FH satisfies the relationship shown in the first embodiment, as shown in FIG. 8, near the semiconductor elements 3a and 3b. There may be other open stubs 11a, 11b.

実施の形態６．
上記実施の形態５では、安定化回路２の抵抗１０ａ，１０ｂが伝送線路５上にＴ字形に形成されているものについて示したが、図９に示すように、整合回路基板８と電気的に接続されている別の基板９の薄膜抵抗によって抵抗１２を形成し、その抵抗１２と抵抗１０ａによって安定化を図るようにしてもよい。 Embodiment 6 FIG.
In the fifth embodiment, the resistors 10a and 10b of the stabilization circuit 2 are formed in a T shape on the transmission line 5. However, as shown in FIG. The resistor 12 may be formed by a thin film resistor of another connected substrate 9, and stabilization may be achieved by the resistor 12 and the resistor 10a.

この場合も、上記実施の形態５と同様の効果が得られるが、伝送線路５とオープンスタブ７ａ，７ｂを高誘電率基板である整合回路基板８に形成するようにすれば、配線パターンの小形化を図ることができる効果を奏する。
また、入力信号に対して垂直に配置されている配線パターンを含む抵抗１２を低誘電率基板である基板９に形成するようにすれば、抵抗の耐電圧を高めることができる効果を奏する。 In this case as well, the same effect as in the fifth embodiment can be obtained. However, if the transmission line 5 and the open stubs 7a and 7b are formed on the matching circuit substrate 8 which is a high dielectric constant substrate, the wiring pattern can be reduced in size. There is an effect that can be realized.
Further, if the resistor 12 including the wiring pattern arranged perpendicular to the input signal is formed on the substrate 9 which is a low dielectric constant substrate, an effect of increasing the withstand voltage of the resistor is obtained.

実施の形態７．
図１０はこの発明の実施の形態７による増幅器を示す平面図であり、図において、図５と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
図１０の例では、図５の伝送線路５が半導体素子３ａ，３ｂと整合回路基板８を電気的に接続するワイヤ１３ａ，１３ｂで代用され、図５のオープンスタブ７ａ，７ｂがワイヤ１３ａ，１３ｂをボンディングする配線パターン１４ａ，１４ｂで代用されている。 Embodiment 7 FIG.
10 is a plan view showing an amplifier according to Embodiment 7 of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG.
In the example of FIG. 10, the transmission line 5 of FIG. 5 is substituted by wires 13a and 13b that electrically connect the semiconductor elements 3a and 3b and the matching circuit board 8, and the open stubs 7a and 7b of FIG. 5 are replaced by the wires 13a and 13b. The wiring patterns 14a and 14b for bonding are used instead.

図１０のワイヤ１３ａ，１３ｂは、半導体素子３ａ，３ｂの入力インピーダンスを誘導性領域に変成する機能があり、ワイヤ１３ａ，１３ｂをボンディングする配線パターン１４ａ，１４ｂは容量性の成分を有するため、半導体素子３ａ，３ｂの入力インピーダンスを容量性領域側に変成する機能がある。
したがって、この実施の形態７の場合も、上記実施の形態１と同様に動作して、同様の利点を有する。
この実施の形態７の場合、図５の伝送線路５がワイヤ１３ａ，１３ｂで代用され、図５のオープンスタブ７ａ，７ｂが配線パターン１４ａ，１４ｂで代用されるため、小形化を図ることができる効果を奏する。 The wires 13a and 13b in FIG. 10 have a function of transforming the input impedance of the semiconductor elements 3a and 3b into an inductive region, and the wiring patterns 14a and 14b for bonding the wires 13a and 13b have capacitive components. There is a function of transforming the input impedance of the elements 3a and 3b to the capacitive region side.
Therefore, the seventh embodiment also operates in the same manner as the first embodiment and has the same advantages.
In the case of the seventh embodiment, since the transmission line 5 in FIG. 5 is substituted by the wires 13a and 13b and the open stubs 7a and 7b in FIG. 5 are substituted by the wiring patterns 14a and 14b, the size can be reduced. There is an effect.

この発明の実施の形態１による増幅器を示す等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram illustrating an amplifier according to a first embodiment of the present invention. 半導体素子の入力インピーダンスを表しているスミスチャートを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the Smith chart showing the input impedance of a semiconductor element. 安定係数とＭＡＧ／ＭＳＧの計算結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the stability coefficient and the calculation result of MAG / MSG. この発明の実施の形態２による増幅器を示す平面図である。It is a top view which shows the amplifier by Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態２による増幅器を示す平面図である。It is a top view which shows the amplifier by Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態４による増幅器を示す平面図である。It is a top view which shows the amplifier by Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態５による増幅器を示す平面図である。It is a top view which shows the amplifier by Embodiment 5 of this invention. この発明の実施の形態５による増幅器を示す平面図である。It is a top view which shows the amplifier by Embodiment 5 of this invention. この発明の実施の形態６による増幅器を示す平面図である。It is a top view which shows the amplifier by Embodiment 6 of this invention. この発明の実施の形態７による増幅器を示す平面図である。It is a top view which shows the amplifier by Embodiment 7 of this invention. 特許文献１に開示されている従来の増幅器を示す構成図である。It is a block diagram which shows the conventional amplifier currently disclosed by patent document 1. FIG. 半導体素子の入力インピーダンスを表しているスミスチャートを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the Smith chart showing the input impedance of a semiconductor element.

Explanation of symbols

１入力端子、２安定化回路、３，３ａ，３ｂ半導体素子、４，４ａ，４ｂ出力端子、５伝送線路、６抵抗、７，７ａ，７ｂオープンスタブ、８整合回路基板、９別の基板、１０ａ，１０ｂ抵抗、１１ａ，１１ｂオープンスタブ、１２抵抗、１３ａ，１３ｂワイヤ、１４ａ，１４ｂ配線パターン、５１入力端子、５２抵抗、５３１／４波長の伝送線路、５４抵抗、５５整合回路、５６半導体素子、５７出力端子。 1 input terminal, 2 stabilization circuit, 3, 3a, 3b semiconductor element, 4, 4a, 4b output terminal, 5 transmission line, 6 resistance, 7, 7a, 7b open stub, 8 matching circuit board, 9 another board, 10a, 10b resistance, 11a, 11b open stub, 12 resistance, 13a, 13b wire, 14a, 14b wiring pattern, 51 input terminal, 52 resistance, 53 1/4 wavelength transmission line, 54 resistance, 55 matching circuit, 56 semiconductor Element, 57 Output terminal.

Claims

In a stabilization circuit in which a resistor is connected to a circuit composed of an open stub and a transmission line, and one end of the circuit is connected to a semiconductor element, out of the input impedance of the semiconductor element, a high frequency in a use band The input impedance of the semiconductor element is transformed by the transmission line and the open stub so that the input impedance is higher than the input impedance of the low frequency in the use band ,
The transmission line and the open stub are formed by a wiring pattern of a matching circuit board which is a high dielectric constant board electrically connected to a semiconductor element,
A stabilizing circuit, wherein the resistor is formed by a thin film resistor of another substrate, which is a low dielectric constant substrate electrically connected to the matching circuit substrate, and a thin film resistor of the matching circuit substrate .

Transmission line is replaced by a wire for electrically connecting the matching circuit substrate and the semiconductor element, the stabilization circuit of claim 1, wherein the open stub is characterized in that it is substituted by a wiring pattern of bonding the wires.

In an amplifier comprising a stabilization circuit in which an open stub is connected to a series circuit composed of a transmission line and a resistor, and a semiconductor element connected to the series circuit of the stabilization circuit, The input impedance of the semiconductor element is transformed by the transmission line and the open stub of the stabilization circuit so that the input impedance of the high frequency in the use band is higher than the input impedance of the low frequency in the use band .
The transmission line and the open stub are formed by a wiring pattern of a matching circuit board which is a high dielectric constant board electrically connected to a semiconductor element,
An amplifier, wherein the resistor is formed by a thin film resistor of another substrate which is a low dielectric constant substrate electrically connected to the matching circuit substrate, and a thin film resistor of the matching circuit substrate .