JP4508037B2 - Attenuator - Google Patents

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Description

本発明は、グランドに電気的に接続され基板上に形成された抵抗体パターンと、この抵抗体パターンを介して互いに直列接続された一対の導体パターンとを有する減衰器に関し、詳しくは、周波数に対する減衰特性の改善を図った減衰器に関するものである。   The present invention relates to an attenuator having a resistor pattern electrically connected to a ground and formed on a substrate, and a pair of conductor patterns connected in series with each other through the resistor pattern. The present invention relates to an attenuator with improved attenuation characteristics.

図７は、入力信号の周波数が数［ＧＨｚ］になる高周波帯域やマイクロ波帯域で使用される従来の減衰器の構成を示した図である（例えば、特許文献１参照）。図７（ａ）は、斜視図であり、図７（ｂ）は上面図である。図７において、基板１０は、例えば、アルミナ等の絶縁基板である。   FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a conventional attenuator used in a high frequency band and a microwave band where the frequency of an input signal is several [GHz] (see, for example, Patent Document 1). FIG. 7A is a perspective view, and FIG. 7B is a top view. In FIG. 7, a substrate 10 is an insulating substrate such as alumina.

裏面電極１１は、基板１０の裏面全体に形成される。抵抗体パターン１２は、薄膜または厚膜の所定の抵抗値を持ったパターンであり、基板１０の表面に概矩形状に形成される。スルーホール１３は、抵抗体パターン１２の長手方向の両端に設けられ、裏面電極１１と抵抗体パターン１２とを電気的に接続する。   The back electrode 11 is formed on the entire back surface of the substrate 10. The resistor pattern 12 is a pattern having a predetermined resistance value of a thin film or a thick film, and is formed in a substantially rectangular shape on the surface of the substrate 10. The through holes 13 are provided at both ends of the resistor pattern 12 in the longitudinal direction, and electrically connect the back electrode 11 and the resistor pattern 12.

一対のマイクロストリップライン１４ａ、１４ｂは、導体パターンであり、信号を伝送する伝送経路であり、抵抗体パターン１２の長手方向のほぼ中央に設けられる。そして、マイクロストリップライン１４ａ、１４ｂの一端が、抵抗体パターン１２に接続され、抵抗体パターン１２を介して互いに直列接続されている。従って、抵抗体パターン１２とマイクロストリップライン１４ａ、１４ｂとで、概十字を形成している。   The pair of microstrip lines 14 a and 14 b is a conductor pattern, a transmission path for transmitting a signal, and is provided at substantially the center in the longitudinal direction of the resistor pattern 12. One ends of the microstrip lines 14 a and 14 b are connected to the resistor pattern 12, and are connected in series with each other via the resistor pattern 12. Therefore, the resistor pattern 12 and the microstrip lines 14a and 14b form an approximate cross.

このような装置の動作を説明する。
マイクロストリップライン１４ａの他端に入力した高周波な入力信号が、ライン１４ａによって伝送される。そして、ライン１４ａによって伝送された高周波信号が、抵抗体パターン１２により減衰される。さらに、減衰された信号が、ライン１４ｂに伝送され、ライン１４ｂの他端から後段の回路に伝送される。 The operation of such an apparatus will be described.
A high-frequency input signal input to the other end of the microstrip line 14a is transmitted by the line 14a. Then, the high frequency signal transmitted through the line 14 a is attenuated by the resistor pattern 12. Further, the attenuated signal is transmitted to the line 14b and is transmitted from the other end of the line 14b to the subsequent circuit.

特開平９−８３２１５号公報JP-A-9-83215

図７に示すように、基板１０上にパターン１２、１４ａ、１４ｂで減衰器を形成する場合、入力信号の入力レベルが大きく、減衰量も大きいと、抵抗体パターン１２での発熱量が大きくなる。例えば、入力信号の入力レベルが１［Ｗ］であり、減衰量が２０〜３０［ｄＢ］であれば、抵抗体パターン１２の発熱量は、ほぼ１［Ｗ］になる。もちろん、減衰量が小さくとも、入力レベルが大きいほど、発熱量が増える。   As shown in FIG. 7, when the attenuator is formed on the substrate 10 with patterns 12, 14a, and 14b, if the input level of the input signal is large and the attenuation is large, the amount of heat generated in the resistor pattern 12 increases. . For example, if the input level of the input signal is 1 [W] and the attenuation is 20 to 30 [dB], the heat generation amount of the resistor pattern 12 is approximately 1 [W]. Of course, even if the amount of attenuation is small, the amount of heat generation increases as the input level increases.

そのため、基板１０裏面の裏面電極１１を、減衰器を収納する金属ケース（図示せず）に密着させ、金属ケースへの放熱パスを確保している。なお、裏面電極１１は、金属ケースに電気的にも接続され、電位的にグランド（接地または筐体接地）になる。そして、放熱パスの確保と熱密度の低減とを目的として分布型のパターン設計を行なう。   For this reason, the back surface electrode 11 on the back surface of the substrate 10 is brought into close contact with a metal case (not shown) that houses the attenuator to secure a heat radiation path to the metal case. The back electrode 11 is also electrically connected to the metal case, and is grounded (grounded or case grounded). Then, a distributed pattern design is performed for the purpose of securing a heat radiation path and reducing the heat density.

具体的には、入力レベルが小さければ、抵抗体パターン１２での発熱量が小さいため、パターンサイズを小型化できる。一方、入力レベルが大きければ、発熱量も大きくなり、パターンサイズが大型化される。   Specifically, if the input level is small, the amount of heat generated by the resistor pattern 12 is small, so the pattern size can be reduced. On the other hand, if the input level is large, the amount of heat generation is also large, and the pattern size is increased.

ここで、図８は、図７に示す抵抗体パターン１２の高周波における等価回路であり、理想的には、π型の減衰器の等価回路で表現される。図８（ａ）は、パターンサイズが小さい場合であり、図８（ｂ）は、パターンサイズが大きい場合である。   Here, FIG. 8 is an equivalent circuit at a high frequency of the resistor pattern 12 shown in FIG. 7, and is ideally expressed by an equivalent circuit of a π-type attenuator. FIG. 8A shows a case where the pattern size is small, and FIG. 8B shows a case where the pattern size is large.

図８（ａ）において、マイクロストリップライン１４ａ、１４ｂを接続するライン上に直列抵抗Ｒ１、この直列抵抗Ｒ１の両端それぞれに一端が接続され他端がグランドに接続される並列抵抗Ｒ２、Ｒ３、この並列抵抗Ｒ２，Ｒ３と対称に並列抵抗Ｒ４，Ｒ５が接続される。一方、図８（ｂ）において、並列抵抗Ｒ２〜Ｒ５それぞれに寄生インダクタンスＬがある。なお、他にも寄生インダクタンス、寄生容量が発生するが、図示を省略している。   In FIG. 8A, a series resistor R1 is connected to the line connecting the microstrip lines 14a and 14b, parallel resistors R2 and R3 having one end connected to both ends of the series resistor R1 and the other end connected to the ground. Parallel resistors R4 and R5 are connected symmetrically with the parallel resistors R2 and R3. On the other hand, in FIG. 8B, each of the parallel resistors R2 to R5 has a parasitic inductance L. Although other parasitic inductances and parasitic capacitances are generated, they are not shown.

図８（ａ）に示すように、パターンサイズが小さければ、寄生インダクタンスや寄生容量の影響は小さく、ほぼ理想的な集中乗数モデルであらわされる。   As shown in FIG. 8A, if the pattern size is small, the influence of the parasitic inductance and the parasitic capacitance is small, which is expressed by an almost ideal concentrated multiplier model.

しかしながら、図８（ｂ）に示すように、パターンサイズが大きい場合、高周波信号では寄生インダクタンスや寄生容量（図示せず）が無視できぬ値となる。このため、特に並列抵抗Ｒ２〜Ｒ５につく寄生インダクタンスＬの影響で、周波数が高くなるほど減衰量が小さくなり、周波数に対する減衰特性が悪化するという問題があった。   However, as shown in FIG. 8B, when the pattern size is large, the parasitic inductance and the parasitic capacitance (not shown) are values that cannot be ignored in the high-frequency signal. For this reason, in particular, due to the influence of the parasitic inductance L attached to the parallel resistors R2 to R5, there is a problem that the attenuation amount decreases as the frequency increases, and the attenuation characteristic with respect to the frequency deteriorates.

そこで本発明の目的は、周波数に対する減衰特性の改善を図った減衰器を実現することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to realize an attenuator with improved attenuation characteristics with respect to frequency.

請求項１記載の発明は、
グランドに電気的に接続され基板上に形成された抵抗体パターンと、この抵抗体パターンを介して互いに直列接続された一対の導体パターンとを有する減衰器において、
一端が前記グランドに電気的に接続され、前記抵抗体パターンに沿って形成されるグランドパターンを設けたことを特徴とするものである。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、
前記抵抗体パターンの一端または両端と前記基板裏面のグランドとを電気的に接続するスルーホールを設けたことを特徴とするものである。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、
前記基板表面上に前記抵抗体パターンの長手方向に対して垂直に設けられるサイドパターンと、
このサイドパターンと前記基板裏面のグランドとを電気的に接続するスルーホールと
を設けたことを特徴とするものである。
請求項４記載の発明は、請求項１記載の発明において、
前記基板表面上に前記抵抗体パターンの長手方向に対して垂直に設けられるサイドパターンと、
前記基板側面に前記サイドパターンと前記基板裏面のグランドとを電気的に接続する側面のパターンと
を設けたことを特徴とするものである。
請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の発明において、
グランドパターンは、他端が開放端であることを特徴とするものである。
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の発明において、
抵抗体パターンは、両端が前記グランドに接続され、
前記抵抗体パターンと前記導体パターンとで、概十字を形成していることを特徴とするものである。
請求項７記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の発明において、
抵抗体パターンは、一端が前記グランドに接続され、他端が前記導体パターンと接続され、
前記抵抗体パターンと前記導体パターンとで、概Ｔ字を形成していることを特徴とするものである。
請求項８記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の発明において、
高周波信号の信号処理を行なう信号処理装置に用いたことを特徴とするものである。
The invention described in claim 1
In an attenuator having a resistor pattern electrically connected to the ground and formed on a substrate, and a pair of conductor patterns connected in series with each other through the resistor pattern,
One end is electrically connected to the ground, and a ground pattern formed along the resistor pattern is provided.
The invention according to claim 2 is the invention according to claim 1,
A through hole for electrically connecting one or both ends of the resistor pattern and the ground on the back surface of the substrate is provided.
The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1,
A side pattern provided perpendicular to the longitudinal direction of the resistor pattern on the substrate surface;
A through hole for electrically connecting the side pattern and the ground on the back surface of the substrate;
Is provided.
The invention according to claim 4 is the invention according to claim 1,
A side pattern provided perpendicular to the longitudinal direction of the resistor pattern on the substrate surface;
A side pattern electrically connecting the side pattern and the ground on the back surface of the substrate to the side surface of the substrate;
Is provided.
The invention according to claim 5 is the invention according to any one of claims 1 to 4 ,
The ground pattern is characterized in that the other end is an open end.
The invention according to claim 6 is the invention according to any one of claims 1 to 5 ,
The resistor pattern has both ends connected to the ground,
The resistor pattern and the conductor pattern form an approximate cross.
The invention according to claim 7 is the invention according to any one of claims 1 to 5 ,
The resistor pattern has one end connected to the ground and the other end connected to the conductor pattern.
The resistor pattern and the conductor pattern form an approximate T-shape.
The invention according to claim 8 is the invention according to any one of claims 1 to 7 ,
The present invention is characterized in that it is used in a signal processing device that performs signal processing of a high-frequency signal.

本発明によれば、以下のような効果がある。
請求項１〜８によれば、一端をグランドに電気的に接続したグランドパターンが、抵抗体パターンに沿って形成されるので、入力される信号の周波数が高くなるほど、グランドパターンがインピーダンスの低いバイパスとして機能する。これにより、抵抗体パターンのパターンサイズが大きくても、抵抗体パターンで発生する寄生インダクタンスの影響を減少することができ、周波数に対する減衰特性の改善を図ることができる。
The present invention has the following effects.
According to the first to eighth aspects, since the ground pattern in which one end is electrically connected to the ground is formed along the resistor pattern, the ground pattern has a lower impedance as the frequency of the input signal increases. Function as. Thereby, even if the pattern size of the resistor pattern is large, the influence of the parasitic inductance generated in the resistor pattern can be reduced, and the attenuation characteristic with respect to the frequency can be improved.

以下図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
［第１の実施例］
図１は、本発明の第１の実施例を示した構成図である。ここで、図７と同一のものには同一符号を付し、説明を省略する。また、斜視図も省略する。図１において、抵抗体パターン１２が形成されるのと同じ面の基板１０上に、グランドパターン１５が新たに形成される。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[First embodiment]
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. Here, the same components as those in FIG. A perspective view is also omitted. In FIG. 1, a ground pattern 15 is newly formed on the substrate 10 on the same surface as the resistor pattern 12 is formed.

グランドパターン１５は、スルーホール１３からマイクロストリップライン１４ａ、１４ｂ側に向けて、抵抗体パターン１２の長手方向に沿ってほぼ平行に形成される。なお、グランドパターン１５は、一端がスルーホール１３に電気的に接続され、他端がライン１４ａ、１４ｂに接続されず開放端である。つまり、グランドパターン１５は、いわゆる、スタブである。また、グランドパターン１５は、スルーホール１３それぞれに、抵抗体パターン１２の両脇に形成され、合計４個形成される。離間Ｓは、グランドパターン１５と抵抗体パターン１２の距離である。   The ground pattern 15 is formed substantially in parallel along the longitudinal direction of the resistor pattern 12 from the through hole 13 toward the microstrip lines 14a and 14b. One end of the ground pattern 15 is electrically connected to the through hole 13, and the other end is not connected to the lines 14a and 14b but is an open end. That is, the ground pattern 15 is a so-called stub. In addition, the ground pattern 15 is formed on each side of the resistor pattern 12 in each of the through holes 13, and a total of four ground patterns 15 are formed. The separation S is the distance between the ground pattern 15 and the resistor pattern 12.

このような装置の動作を説明する。
マイクロストリップライン１４ａの他端に入力した入力信号が、ライン１４ａによって伝送される。そして、ライン１４ａによって伝送された入力信号が、抵抗体パターン１２により減衰される。さらに、減衰された信号が、ライン１４ｂに伝送され、ライン１４ｂの他端から後段の回路に伝送される。 The operation of such an apparatus will be described.
An input signal input to the other end of the microstrip line 14a is transmitted by the line 14a. Then, the input signal transmitted through the line 14 a is attenuated by the resistor pattern 12. Further, the attenuated signal is transmitted to the line 14b and is transmitted from the other end of the line 14b to the subsequent circuit.

次に、周波数による寄生インダクタンス、寄生容量の説明をする。ここで、図２は、図１に示す抵抗体パターン１２、グランドパターン１５の等価回路の一例を示した図である。ここで、図８と同一のものは同一符号を付し、説明を省略する。   Next, parasitic inductance and parasitic capacitance according to frequency will be described. Here, FIG. 2 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of the resistor pattern 12 and the ground pattern 15 shown in FIG. Here, the same components as those in FIG.

直流〜低周波（数［ＧＨｚ］以下）の入力信号では、パターンサイズによらず、図８（ａ）に示すような、寄生インダクタンスや寄生容量の影響が小さく、ほぼ理想的な集中乗数モデルであらわされる。なお、抵抗体パターン１２からグランドパターン１５には、離間Ｓによって、ほとんど信号が伝送されない。   For input signals of direct current to low frequency (several [GHz] or less), regardless of the pattern size, the influence of parasitic inductance and parasitic capacitance is small as shown in FIG. Appears. Note that almost no signal is transmitted from the resistor pattern 12 to the ground pattern 15 due to the separation S.

高周波（例えば、４［ＧＨｚ］以上）の入力信号では、図２に示すように、並列抵抗Ｒ２〜Ｒ５につく寄生インダクタンスＬの影響が発生するが、抵抗体パターン１２に沿って追加したグランドパターン１５と抵抗体パターン１５間が、周波数が高くなるほどコンデンサとして動作する。そして、抵抗体パターン１２への経路が、高い周波数ほどインピーダンスの低いバイパスとなる。従って、寄生インダクタンスＬの影響が減少する。   As shown in FIG. 2, an input signal of high frequency (for example, 4 [GHz] or more) is affected by the parasitic inductance L attached to the parallel resistors R <b> 2 to R <b> 5. As the frequency increases, the capacitor 15 operates as a capacitor. The path to the resistor pattern 12 becomes a bypass having a lower impedance as the frequency becomes higher. Therefore, the influence of the parasitic inductance L is reduced.

図３を用いて説明する。図３は、高周波な信号の伝送を模式的に示した図である。高周波信号（矢印Ａ１）のうち所定パワー分の信号が、抵抗体パターン１２によってスルーホール１３に伝送される（矢印Ａ２）。しかし、信号の周波数が高くなるほどグランドパターン１５をバイパスして伝送され（矢印Ａ３）、寄生インダクタンスＬの影響が減少する。   This will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram schematically showing transmission of a high-frequency signal. Of the high-frequency signal (arrow A1), a signal for a predetermined power is transmitted to the through hole 13 by the resistor pattern 12 (arrow A2). However, as the signal frequency increases, the signal is transmitted by bypassing the ground pattern 15 (arrow A3), and the influence of the parasitic inductance L is reduced.

図４は、図１に示す装置の電磁界解析によるシミュレーションの結果を示した図である。図４において、横軸は入力信号の周波数であり、縦軸は減衰量である。図４中、菱形は、グランドパターン１５がない場合であり、丸印は、離間Ｓが３０［μｍ］の場合であり、三角は、離間Ｓが１００［μｍ］の場合である。   FIG. 4 is a diagram showing a result of simulation by electromagnetic field analysis of the apparatus shown in FIG. In FIG. 4, the horizontal axis represents the frequency of the input signal, and the vertical axis represents the attenuation. In FIG. 4, the rhombus is when the ground pattern 15 is not present, the circle is when the separation S is 30 [μm], and the triangle is when the separation S is 100 [μm].

図４に示すように、グランドパターン１５がない場合、１２［ＧＨｚ］において、減衰量の傾きは１．５［ｄＢ］程度の右肩あがりだが、グランドパターン１５を設け、離間Ｓを３０［μｍ］とすると、約０．６［ｄＢ］程度の右肩上がりになり、減衰特性が改善されている。   As shown in FIG. 4, when there is no ground pattern 15, the slope of attenuation is about 1.5 [dB] at 12 [GHz], but the ground pattern 15 is provided and the separation S is 30 [μm]. ] Is increased to about 0.6 [dB], and the attenuation characteristic is improved.

また、図４に示すように、離間Ｓを調整することにより、右肩上がりの傾向、すなわち減衰特性を連続的に変化させることもできる。   Further, as shown in FIG. 4, by adjusting the separation S, the tendency to rise rightward, that is, the attenuation characteristic can be continuously changed.

このように、一端をグランドに電気的に接続したグランドパターン１５が、抵抗体パターン１２の長手方向に沿って形成されるので、入力される信号の周波数が高くなるほど、グランドパターン１５はインピーダンスの低いバイパスとして機能する。これにより、抵抗体パターン１２のパターンサイズが大きくても、抵抗体パターン１２で発生する寄生インダクタンスＬの影響が減少することができ、周波数に対する減衰特性の改善を図ることができる。   Thus, since the ground pattern 15 having one end electrically connected to the ground is formed along the longitudinal direction of the resistor pattern 12, the impedance of the ground pattern 15 decreases as the frequency of the input signal increases. Acts as a bypass. Thereby, even if the pattern size of the resistor pattern 12 is large, the influence of the parasitic inductance L generated in the resistor pattern 12 can be reduced, and the attenuation characteristic with respect to the frequency can be improved.

また、抵抗体パターン１２とグランドパターン１５との離間Ｓを調整することにより、減衰特性の傾きを調整することができるので、周波数に対する減衰特性を所望の特性とすることができる。   In addition, since the slope of the attenuation characteristic can be adjusted by adjusting the separation S between the resistor pattern 12 and the ground pattern 15, the attenuation characteristic with respect to the frequency can be set to a desired characteristic.

［第２の実施例］
図５は、本発明の第２の実施例を示した構成図である。ここで、図１と同一のものには同一符号を付し、説明を省略する。図５（ａ）は上面図であり、図５（ｂ）はＡ−Ａ’の断面図である。図５において、スルーホール１３の代わりにグランド用のサイドパターン１６が設けられる。サイドパターン１６は、基板１０の表面（抵抗体パターン１２と同一面）に、概矩形状で、抵抗体パターン１２の長手方向に対して垂直に設けられる。また、サイドパターン１６は、基板１０の側面のパターン１６’を介して（または図示しないスルーホールを介して）、裏面電極１１と電気的に接続される。いわゆる、ラップグランドを形成する。もちろん、グランドパターン１５の一端が、このサイドパターン１６に接続される。 [Second Embodiment]
FIG. 5 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. Here, the same components as those in FIG. FIG. 5A is a top view, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line AA ′. In FIG. 5, a ground side pattern 16 is provided instead of the through hole 13. The side pattern 16 has a substantially rectangular shape on the surface of the substrate 10 (the same surface as the resistor pattern 12), and is provided perpendicular to the longitudinal direction of the resistor pattern 12. The side pattern 16 is electrically connected to the back electrode 11 via the pattern 16 ′ on the side surface of the substrate 10 (or via a through hole not shown). A so-called lap ground is formed. Of course, one end of the ground pattern 15 is connected to the side pattern 16.

すなわち、図１においては、グランドである裏面電極１１と抵抗体パターン１２とを電気的に接続するためスルーホール１３を用いる構成としたが、スルーホール１３の代わりにグランド用のサイドパターン１６、パターン１６’で、裏面電極１１と抵抗体パターン１２とを電気的に接続している。このような装置の動作は、裏面電極１１への信号の伝送を、スルーホール１３の代わりにサイドパターン１６で行なう以外は、図１に示す装置とほぼ同様なので説明を省略する。   That is, in FIG. 1, the through hole 13 is used to electrically connect the back electrode 11 that is the ground and the resistor pattern 12. However, instead of the through hole 13, the ground side pattern 16 and the pattern are used. The back electrode 11 and the resistor pattern 12 are electrically connected at 16 ′. The operation of such an apparatus is substantially the same as that of the apparatus shown in FIG. 1 except that the signal transmission to the back electrode 11 is performed by the side pattern 16 instead of the through hole 13, and thus the description thereof is omitted.

［第３の実施例］
図６は、本発明の第３の実施例を示した構成図である。ここで、図１と同一のものには同一符号を付し、説明を省略する。図１では、抵抗体パターン１２とマイクロストリップライン１４ａ、１４ｂとで、概十字を形成したが、図６は、概Ｔ字に形成した例を示している。 [Third embodiment]
FIG. 6 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention. Here, the same components as those in FIG. In FIG. 1, the resistor pattern 12 and the microstrip lines 14a and 14b form an approximate cross, but FIG. 6 shows an example in which the resistor pattern 12 and an approximately T-shape are formed.

図６において、片方のスルーホール１３およびこのスルーホールと一体に形成されるグランドパターン１５が取り外される。また、抵抗体パターン１２の代わりに、抵抗体パターン１７が設けられる。   In FIG. 6, one through hole 13 and the ground pattern 15 formed integrally with the through hole are removed. Further, a resistor pattern 17 is provided instead of the resistor pattern 12.

抵抗体パターン１７は、薄膜または厚膜の所定の抵抗値を持ったパターンであり、基板１０の表面に概矩形状に形成される。また、抵抗体パターン１７は、一端がスルーホール１３と電気的に接続され、他端がライン１４ａ、１４ｂと電気的に接続され、他端の端辺とライン１４ａ、１４ｂの長辺とが直線となるように形成される。このように、抵抗体パターン１７とマイクロストリップライン１４ａ、１４ｂとで、概Ｔ字を形成する。このような装置の動作は、抵抗体パターン１７の一端のみがスルーホール１３に接続されているので、減衰される信号が抵抗体パターン１７の両端のスルーホール１３でなく片端方向にのみ伝送される。これ以外の動作は、図１に示す装置と同様なので説明を省略する。   The resistor pattern 17 is a pattern having a predetermined resistance value of a thin film or a thick film, and is formed in a substantially rectangular shape on the surface of the substrate 10. The resistor pattern 17 has one end electrically connected to the through hole 13, the other end electrically connected to the lines 14a and 14b, and the other end and the long sides of the lines 14a and 14b are straight lines. It is formed to become. Thus, the resistor pattern 17 and the microstrip lines 14a and 14b form an approximate T shape. In the operation of such a device, since only one end of the resistor pattern 17 is connected to the through hole 13, the attenuated signal is transmitted only in one end direction instead of the through hole 13 at both ends of the resistor pattern 17. . The other operations are the same as those of the apparatus shown in FIG.

なお、本発明はこれに限定されるものではなく、以下に示すようなものでもよい。
図１、図５に示す減衰器において、両方のスルーホール１３またはサイドパターン１６にグランドパターン１５を設ける構成を示したが、片方のみでもよい。 The present invention is not limited to this, and may be as shown below.
In the attenuator shown in FIGS. 1 and 5, the configuration in which the ground pattern 15 is provided in both the through holes 13 or the side patterns 16 is shown, but only one of them may be used.

図１、図５、図６に示す減衰器において、抵抗体パターン１２、１７の両脇にグランドパターン１５を設ける構成を示したが、片方のみでもよい。   In the attenuator shown in FIGS. 1, 5, and 6, the configuration in which the ground pattern 15 is provided on both sides of the resistor patterns 12 and 17 is shown, but only one of them may be provided.

図１、図５、図６に示す減衰器において、グランドパターン１５の形状を、概矩形状としたが、他端を楕円形状にしたり、長手方向の長辺を曲線等にし、所望の減衰特性となるように調整してもよい。   In the attenuator shown in FIGS. 1, 5, and 6, the shape of the ground pattern 15 is approximately rectangular, but the other end is elliptical, the long side in the longitudinal direction is curved, etc., and desired attenuation characteristics are obtained. You may adjust so that it may become.

図１、図５、図６に示す減衰器において、グランドパターン１５の形状、大きさ等を同一の概矩形状としたが、各グランドパターン１５の形状、幅、長さ、大きさ等を変え、所望の減衰特性となるように調整してもよい。   In the attenuators shown in FIGS. 1, 5, and 6, the shape, size, etc. of the ground pattern 15 are the same rectangular shape, but the shape, width, length, size, etc. of each ground pattern 15 are changed. Alternatively, adjustment may be made to obtain a desired attenuation characteristic.

図１、図５、図６に示す減衰器において、導体パターンとしてマイクロストリップライン１４ａ、１４ｂを用いる構成を示したが、その他の伝送線（例えば、ストリップライン、コプレーナライン等）でもよい。   In the attenuator shown in FIGS. 1, 5, and 6, the configuration using the microstrip lines 14 a and 14 b as the conductor pattern is shown, but other transmission lines (for example, a strip line, a coplanar line, etc.) may be used.

図１、図５、図６に示す基板１０を、同軸タイプのなかにもうけてもよい、すなわち、同軸ケーブル内に基板１０を設け、同軸ケーブルの信号線をライン１４ａ、１４ｂと電気的に接続し、裏面電極１１を同軸ケーブルのシールド線と電気的に接続する。   The substrate 10 shown in FIGS. 1, 5, and 6 may be provided in a coaxial type, that is, the substrate 10 is provided in the coaxial cable, and the signal lines of the coaxial cable are electrically connected to the lines 14a and 14b. Then, the back electrode 11 is electrically connected to the shield wire of the coaxial cable.

さらに、高周波信号を取り扱う信号処理装置に用いられる回路、回路ブロックには、図１、図５、図６に示す減衰器の他に、フィルタ、分配器、カップラー等が使用される。これらの回路、回路ブロックでは、一般的に、周波数に対するロス特性が、右下がり（周波数が高くなるほど損失が大きくなる）のものが多い。そこで、本発明の減衰器（抵抗体パターン１２が大きく、高周波な信号に対しては並列抵抗成分に寄生インダクタンスが生ずる）を、これらの回路、回路ブロックに接続するとよい。すなわち、図１、図５、図６に示す減衰器の抵抗体パターン１２、１７とグランドパターン１５を適切な大きさとすることにより、周波数に対する減衰特性を調整し、右下がりのロス特性をもつ回路、回路ブロックが含まれたとしても、装置全体では、入力レベルの大小によらず、周波数に対して所望の傾斜をもつ特性にすることができる。これにより、信号処理を行なう信号処理装置全体の特性（減衰特性、ロス特性等）を改善することができる。   Furthermore, filters, distributors, couplers and the like are used in addition to the attenuators shown in FIGS. 1, 5, and 6 for circuits and circuit blocks used in signal processing apparatuses that handle high-frequency signals. In many of these circuits and circuit blocks, the loss characteristic with respect to the frequency generally decreases to the right (the loss increases as the frequency increases). Therefore, the attenuator of the present invention (the resistor pattern 12 is large and a parasitic inductance is generated in the parallel resistance component for a high-frequency signal) may be connected to these circuits and circuit blocks. That is, the attenuation characteristic with respect to the frequency is adjusted by making the resistor patterns 12 and 17 and the ground pattern 15 of the attenuator shown in FIGS. Even if a circuit block is included, the entire apparatus can have a characteristic having a desired slope with respect to the frequency regardless of the input level. Thereby, the characteristics (attenuation characteristics, loss characteristics, etc.) of the entire signal processing apparatus that performs signal processing can be improved.

本発明の第１の実施例を示した構成図である。It is the block diagram which showed the 1st Example of this invention. 図１に示す減衰器の抵抗体パターン１２、グランドパターン１５の等価回路の一例を示した図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of an equivalent circuit of a resistor pattern 12 and a ground pattern 15 of the attenuator illustrated in FIG. 1. 図１に示す減衰器の高周波における信号の伝送を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically signal transmission in the high frequency of the attenuator shown in FIG. 図１に示す減衰器の電磁界解析によるシミュレーションの結果を示した図であるIt is the figure which showed the result of the simulation by the electromagnetic field analysis of the attenuator shown in FIG. 本発明の第２の実施例を示した構成図である。It is the block diagram which showed the 2nd Example of this invention. 本発明の第３の実施例を示した構成図である。It is the block diagram which showed the 3rd Example of this invention. 従来の減衰器の構成例を示した図である。It is the figure which showed the structural example of the conventional attenuator. 図７に示す減衰器の抵抗体パターン１２の等価回路の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the equivalent circuit of the resistor pattern 12 of the attenuator shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 基板
１２、１７ 抵抗体パターン
１４ａ、１４ｂ マイクロストリップライン（導体パターン）
１５ グランドパターン
10 Substrate 12, 17 Resistor pattern 14a, 14b Microstrip line (conductor pattern)
15 Ground pattern

Claims (8)

基板裏面のグランドに電気的に接続され基板表面上に形成された抵抗体パターンと、この抵抗体パターンを介して互いに直列接続された一対の導体パターンとを有する減衰器において、
一端が前記グランドに電気的に接続され、前記抵抗体パターンに沿って形成されるグランドパターンを設けたことを特徴とする減衰器。 In an attenuator having a resistor pattern electrically connected to the ground on the back surface of the substrate and formed on the substrate surface , and a pair of conductor patterns connected in series with each other through the resistor pattern,
An attenuator, characterized in that one end is electrically connected to the ground, and a ground pattern formed along the resistor pattern is provided. 前記抵抗体パターンの一端または両端と前記基板裏面のグランドとを電気的に接続するスルーホールを設けたことを特徴とする請求項１記載の減衰器。2. The attenuator according to claim 1, further comprising a through hole for electrically connecting one or both ends of the resistor pattern and a ground on the back surface of the substrate. 前記基板表面上に前記抵抗体パターンの長手方向に対して垂直に設けられるサイドパターンと、A side pattern provided perpendicular to the longitudinal direction of the resistor pattern on the substrate surface;
このサイドパターンと前記基板裏面のグランドとを電気的に接続するスルーホールとA through hole for electrically connecting the side pattern and the ground on the back surface of the substrate;
を設けたことを特徴とする請求項１記載の減衰器。The attenuator according to claim 1, further comprising: 前記基板表面上に前記抵抗体パターンの長手方向に対して垂直に設けられるサイドパターンと、A side pattern provided perpendicular to the longitudinal direction of the resistor pattern on the substrate surface;
前記基板側面に前記サイドパターンと前記基板裏面のグランドとを電気的に接続する側面のパターンとA side pattern electrically connecting the side pattern and the ground on the back surface of the substrate to the side surface of the substrate;
を設けたことを特徴とする請求項１記載の減衰器。The attenuator according to claim 1, further comprising: グランドパターンは、他端が開放端であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の減衰器。 Ground pattern attenuator according to any one of the preceding claims, characterized in that the other end is an open end. 抵抗体パターンは、両端が前記グランドに接続され、
前記抵抗体パターンと前記導体パターンとで、概十字を形成していることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の減衰器。 The resistor pattern has both ends connected to the ground,
The attenuator according to any one of claims 1 to 5, wherein the resistor pattern and the conductor pattern form an approximate cross. 抵抗体パターンは、一端が前記グランドに接続され、他端が前記導体パターンと接続され、
前記抵抗体パターンと前記導体パターンとで、概Ｔ字を形成していることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の減衰器。 The resistor pattern has one end connected to the ground and the other end connected to the conductor pattern.
The attenuator according to any one of claims 1 to 5, wherein the resistor pattern and the conductor pattern form an approximate T-shape. 高周波信号の信号処理を行なう信号処理装置に用いたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の減衰器。 The attenuator according to any one of claims 1 to 7, wherein the attenuator is used in a signal processing device that performs signal processing of a high-frequency signal.
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