JP5141488B2 - 調理器用ガラストッププレート - Google Patents
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Description
そして、タッチパネルとしては、例えば、ガラス板上に導電性材を施した構造を有しているものがある。この場合には、ガラス表面には一様な電界が発生しており、指をパネル表面に触れると、指を介してガラス表面上の電界の状態に変化が起こり、4隅に微弱な電流が発生し、それぞれの比率を計算することで触れた位置を検出するものである。
しかしながら、これまでのタッチパネルでは、車載用途でも耐熱温度は85℃であり、耐熱性が不十分である。そのため、調理部に近く、調理中には200℃程度の高温となるトッププレートにタッチパネルを直接形成することは困難である。
また、タッチパネルが高温になることを防ぐために、トッププレートの下に空間を設けてタッチパネルを設置する方法を採用することも考えられるが、その場合には、反応性が鈍くなるという問題や、反射要素が多く、見え方が良くないという問題がある。
ガラス基板と、該ガラス基板の調理面とは反対側の面である裏側面に直接形成されたタッチパネル層とを有し、
該タッチパネル層は、上記ガラス基板の上記裏側面に直接形成された透明導電膜と、
該透明導電膜に接触するように上記裏側面に形成されたリード電極と、
上記透明導電膜を覆うように上記裏側面に形成された透明保護層とを有し、
上記透明導電膜は、酸化物半導体を用いて形成されており、
かつ、上記調理器用ガラストッププレートの下方に配置される表示板の表示を、上記タッチパネル層を介して上記調理器用ガラストッププレートの上方から視認可能に構成されていることを特徴とする調理器用ガラストッププレートにある(請求項1)。
また、上記タッチパネル層が上記ガラス基板の裏側面に設けられているため、上記タッチパネル層の損傷を防止することができ耐久性を得ることができ、また、調理器本体の装置との接続を良好に行うことができる。
そのため、上記透明導電膜を覆うように上記透明保護層を設けることにより、上記透明導電膜のギラつきのある存在感を和らげることができ、上記調理器用ガラストッププレートの下方に配置される表示板の表示を、上記タッチパネル層を介して上記調理器用ガラストッププレートの上方から視認可能に構成することができる。また、上記ガラス基板の裏側面に凹凸がある場合にも、上記透明保護層を設けることにより、凹凸の存在感を和らげることができる。このように、上記透明保護層によって、外光の反射・写り込み等を防止することができ、調理器用ガラストッププレートの下方に配置される表示板の表示をタッチパネル層を介して視認する際の視認性を向上させることができる。
また、天面操作をタッチパネル化することによって、操作が複雑な調理器でも操作部の小型化を図ることができる。そのため、従来の天面操作採用調理器よりも、操作を分かりやすくすることができ、また、ガラストッププレートの意匠性が操作部に煩わされなくすることができる。
上記ガラス基板としては、線熱膨張係数が−10〜80×10-7/℃(30〜500℃)であるものが好ましく、β−石英固溶体及びβ−スポジューメンを主結晶とするものであることがより好ましい。
また、上記タッチパネル層には、該タッチパネル層の下方に設けられる表示画面の表示を認識する際の視認性が求められるため、上記透明導電膜及び上記透明保護層は透明である必要がある。
また、上記リード電極は、印刷により形成することが好ましい。
また、上記透明導電膜を矩形状に形成し、上記リード電極を透明導電膜の四隅に設けることが好ましい。
電極接続の際に半田接着を行うと、低熱膨張のガラス基板と金属との間で剥離が起こる可能性があるため、機械的な接触接続とすることが好ましい。
そのため、組み込み時の透明導電膜への接触を防止するために、接触接続部が上記透明導電膜から十分に離れた位置となるようにリード電極を形成することが好ましい。
上記表示板は、コンピュータ等の外部から受けた画像情報を液晶ディスプレイなどで表示するものであり、調理器本体に設けられている。
なお、本発明の調理器用ガラストッププレートを用いて構成されるタッチパネルは静電容量方式であることが好ましい。
この場合には、特に、耐熱性及び導電性を有する透明導電膜を得ることができる。
そして、In2O3系酸化物半導体としては、例えば、ITO[In2O3−Sn]、IZO[In2O3−ZnO系アモルファス酸化物]等が挙げられる。
また、SnO2系酸化物半導体としては、例えば、SnO2、FTO[SnO2−F]、ATO[SnO2−Sb]等が挙げられる。
また、TiO2系酸化物半導体としては、TNO[TiO2−Nb、TiO2−Ta]等が挙げられる。
その中でも、上記半導体酸化物は、特に上記ITOであることが好ましい。
また、上記透明導電膜は、乾式法、塗布液焼結法により形成することが好ましい。
上記乾式法としては、例えば、スパッタにより形成する方法がある。
また、上記塗布液焼結法としては、例えば、微粒子分散液や、熱分解型液等を塗布した後、焼成することにより形成する方法がある。
上記透明導電膜の最適な膜厚は、上記透明導電膜を構成する材料により異なるが、膜厚が上記範囲内にある場合には、いずれの材料を用いても、所望の耐熱性、導電性、透明度を有することができる。
この場合には、特に、接触に強いリード電極を得ることができる。
また、上記導電性微粒子分散膜としては、例えば、上述の貴金属や、カーボンの微粒子を樹脂に分散させた膜が挙げられる。
そして、上記リード電極は、カーボンの微粒子を樹脂に分散させた電極よりなることがより好ましい。
この場合には、特に良好な透明保護層を形成することができる。
この場合には、特に良好な透明保護層を形成することができる。
調理器は、内部に加熱装置等が設けられているため、内部構造を隠蔽するために上記ガラス基板に絵付け層を設けることが好ましい。そして、上記絵付け層を設ける場合には、タッチパネル部分を除いて設けなければならない。
また、上記絵付け層は、上述した層を単独で積層しても良いし、複数の層を積層しても良い。
また、上記絵付け層は、上記ガラス基板の裏側面に直接設けられることが好ましい。そして、上記リード電極、及び上記保護層は、部分的に、上記絵付け層に重なるように形成されていてもよい。
本例は、本発明の実施例にかかる調理器用ガラストッププレートについて、図1〜図7を用いて説明する。
図1に示すように、本例の調理器用ガラストッププレート1は、ガラス基板2と、該ガラス基板2の調理面とは反対側の面である裏側面21に直接形成されたタッチパネル層3とを有する。
上記タッチパネル層3は、上記ガラス基板2の上記裏側面21に直接形成された透明導電膜31と、該透明導電膜31に接触するように上記裏側面21に形成されたリード電極32と、上記透明導電膜31を覆うように上記裏側面21に形成された透明保護層33とを有する。
以下、これを詳説する。
また、上記透明導電膜31を形成するための透明導電膜用材料として、市販のITO微粒子分散液を用意した。
また、上記リード電極32を形成するためのリード電極用材料として、カーボンペースト(球状の黒鉛粉末を15〜25重量部、鱗片状の黒鉛粉末を15〜25重量部、アセチレンブラックを10〜20重量部、及びポリエステルシリコーン樹脂を40〜55重量部含有し、上記球状及び鱗片状の黒鉛粉末は、その平均粒径が10μm〜20μmであるカーボンペースト)を用意した。
また、上記透明保護層33を形成するための透明保護層用材料として、市販のアルキル変性シリコーンを用意した。
また、図7には、本例の調理器用ガラストッププレート1を調理面側から見た図を示す。
すなわち、上記調理器用ガラストッププレート1は、上記ガラス基板2の裏側面21に上記タッチパネル層3が直接設けられているため、タッチの反応が良く、スイッチ性能が優れる。
また、上記タッチパネル層3が上記ガラス基板2の裏側面21に設けられているため、上記タッチパネル層3の損傷を防止することができ耐久性を得ることができる。
本例では、図8に示すように、実施例1において得られた調理器用ガラストッププレート1を用いて、調理器5を作製した。
本例の調理器5は、調理器本体6の上に上記調理器用ガラストッププレート1を載置した構成を有している。
そして、上記調理器用ガラストッププレート1は、リード電極32が上記調理器本体6の電極62と接触接合するように載置されている。上記調理器用ガラストッププレート1は、上記タッチパネル層3が上記ガラス基板2の裏側面21に設けられているため、調理器本体6の電極62との接続を良好に行うことができた。
また、上記調理器用ガラストッププレート1は上記絵付け層4を有しているため、調理器本体6に設けられる加熱装置等の内部構造(図示略)を隠蔽することができる。
2 ガラス基板
21 裏側面
3 タッチパネル層
31 透明導電膜
32 リード電極
33 透明保護層
4 絵付け層
41 第1絵付け層
42 第2絵付け層
Claims (7)
- 調理器の上部に配置するための調理器用トッププレートであって、
ガラス基板と、該ガラス基板の調理面とは反対側の面である裏側面に直接形成されたタッチパネル層とを有し、
該タッチパネル層は、上記ガラス基板の上記裏側面に直接形成された透明導電膜と、
該透明導電膜に接触するように上記裏側面に形成されたリード電極と、
上記透明導電膜を覆うように上記裏側面に形成された透明保護層とを有し、
上記透明導電膜は、酸化物半導体を用いて形成されており、
かつ、上記調理器用ガラストッププレートの下方に配置される表示板の表示を、上記タッチパネル層を介して上記調理器用ガラストッププレートの上方から視認可能に構成されていることを特徴とする調理器用ガラストッププレート。 - 請求項1において、上記酸化物半導体は、In2O3系酸化物半導体、SnO2系酸化物半導体、ZnO系酸化物半導体、及びTiO2系酸化物半導体のうち1種又は2種以上からなることを特徴とする調理器用ガラストッププレート。
- 請求項1又は2において、上記透明導電膜の膜厚は、10nm〜1000nmであることを特徴とする調理器用ガラストッププレート。
- 請求項1〜3のいずれか1項において、上記リード電極は、貴金属膜、又は導電性微粒子分散膜よりなることを特徴とするガラストッププレート。
- 請求項1〜4のいずれか1項において、上記透明保護層は、シリコーン系、ポリウレタン系、ポリイミド系、フッ素系、エポキシ系、アクリル系、又はこれらの変性タイプが主成分であることを特徴とする調理器用ガラストッププレート。
- 請求項1〜5のいずれか1項において、上記透明保護層の膜厚は、1μm〜100μmであることを特徴とする調理器用ガラストッププレート。
- 請求項1〜6のいずれか1項において、上記ガラス基板の裏側面には、更に絵付け層が形成されており、上記ガラス基板は絵付け層が形成されていない表示領域を有し、上記透明導電膜は、上記表示領域の領域内に形成されていることを特徴とする調理器用ガラストッププレート。
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