JP5135010B2 - スイッチング電源装置及びこれを用いた電子機器。 - Google Patents

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本発明は、一の入力電圧から複数の出力電圧を生成するスイッチング電源装置、及び、これを用いた電子機器(例えば携帯電話端末)に関するものである。
従来より、PWM[Pulse Width Modulation]信号を用いて出力トランジスタのスイッチング制御を行い、エネルギ貯蔵素子(コイルやコンデンサなど)を駆動することで、入力電圧Vinから所望の出力電圧Voutを生成するスイッチング電源装置(チョッパ型電源装置)が広く一般に用いられている。
なお、上記に関連する従来技術の一例として、特許文献1には、図5に示すように、コイルX1と出力スイッチ素子X2をN個(N≧2)の同期整流素子X31〜X3Nで共有することにより、一の入力電圧VinからN系統の出力電圧Vout1〜VoutNを生成する多出力の昇圧型スイッチング電源装置が開示・提案されている。
特開2004−274935号公報
確かに、特許文献1に記載のスイッチング電源装置であれば、素子数の不要な増大を招くことなく、非常に簡易な回路構成によって、一の入力電圧VinからN系統の出力電圧Vout1〜VoutNを生成することが可能である。
しかしながら、特許文献1には、N系統の出力電圧Vout1〜VoutNを安定化に必要な出力帰還制御に関する具体的な開示・言及がされておらず、出力スイッチ素子X2と同期整流素子X31〜X3nの同期タイミング制御や出力切換制御に関しては、さらなる改善の余地があった。
本発明は、上記の問題点に鑑み、出力スイッチ素子と同期整流素子の同期タイミング制御や出力切換制御の最適化を図りつつ、一の入力電圧から複数の出力電圧を生成することが可能なスイッチング電源装置及びこれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明に係るスイッチング電源装置は、コイルと出力スイッチ素子をN個(ただしN≧2)の同期整流素子で共有し、前記出力スイッチ素子に同期して駆動する前記同期整流素子を順次切り換えながら、前記コイルに蓄積された電気エネルギを分配して出力することにより、一の入力電圧からN系統の出力電圧を生成するスイッチング電源装置であって、前記出力スイッチ素子と前記N個の同期整流素子のスイッチング制御手段として、前記N系統の出力電圧を帰還制御することで生成されるN系統のデューティ信号のいずれか一を所定の周期毎に選択して基準デューティ信号を生成するデューティ選択回路と、前記基準デューティ信号に基づいて前記出力スイッチ素子に供給する第1制御信号と前記N個の同期整流素子に供給するN系統の第2制御信号を生成する制御信号生成回路と、を有して成る構成(第1の構成)とされている。
なお、上記第1の構成から成るスイッチング電源装置において、前記制御信号生成回路は、前記基準デューティ信号に基づいて、前記出力スイッチ素子と前記N個の同期整流素子の同時オフ期間を設けるように、第1制御信号及び第2制御信号を生成する構成(第2の構成)にするとよい。
また、上記第2の構成から成るスイッチング電源装置において、前記制御信号生成回路は、前記基準デューティ信号の立上がりタイミングを遅延させて第1遅延信号を生成し、これを第1制御信号として出力する第1遅延部と、前記基準デューティ信号の立下がりタイミングを遅延させて第2遅延信号を生成する第2遅延部と、前記所定の周期毎に第2遅延信号を前記N系統の第2制御信号のいずれか一として選択する出力選択部と、を有して成る構成(第3の構成)にするとよい。
また、上記第1〜第3いずれかの構成から成るスイッチング電源装置において、前記デューティ選択回路は、前記N系統のデューティ信号のうち、デューティが大きいものほどその選択頻度を高めるように制御される構成(第4の構成)にするとよい。
また、本発明に係る電子機器は、上記第1〜第4いずれかの構成から成るスイッチング電源装置と、前記スイッチング電源装置から電力供給を受けて駆動する負荷と、を有して成る構成(第5の構成)とされている。
本発明に係るスイッチング電源装置、及び、これを用いた電子機器であれば、出力スイッチ素子と同期整流素子の同期タイミング制御や出力切換制御の最適化を図りつつ、一の入力電圧から複数の出力電圧を生成するすることが可能となる。
図1は、本発明に係るスイッチング電源装置の一構成例を示すブロック図である。本構成例のスイッチング電源装置100は、一の入力電圧Vinを昇圧してN系統(ただしN≧2)の出力電圧Vout1〜VoutNを生成し、これをN系統の負荷(いずれも不図示)に各々供給する多出力の昇圧型スイッチング電源装置であって、Nチャネル型MOS[Metal Oxide Semiconductor]電界効果トランジスタ10と、Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ21〜2Nと、コイル30と、コンデンサ41〜4Nと、誤差アンプ51〜5Nと、発振器60と、コンパレータ71〜7Nと、制御部80と、を有して成る。なお、図1の例では、コイル30とコンデンサ41〜4N以外の回路要素が半導体装置に集積化されている。
トランジスタ10のドレインは、コイル30の一端に接続されている。コイル30の他端は、入力電圧Vinの印加端に接続されている。トランジスタ10のソースは、接地端に接続されている。トランジスタ10のゲートは、制御部80の第1ゲート信号G1の出力端に接続されている。トランジスタ21〜2Nのドレインは、いずれもコイル30の一端に接続されている。トランジスタ21〜2Nのソースは、それぞれ出力電圧Vout1〜VoutNの出力端に接続されている。トランジスタ21〜2Nのゲートは、それぞれ制御部80の第2ゲート信号G21〜G2Nの出力端に接続されている。コンデンサ41〜4Nの一端は、それぞれ出力電圧Vout1〜VoutNの出力端に接続されている。コンデンサ41〜4Nの他端は、いずれも接地端に接続されている。
誤差アンプ51〜5Nの反転入力端(−)は、それぞれ出力電圧Vout1〜VoutNに応じた帰還電圧Vfb1〜VfbN(出力電圧Vout1〜VoutNの分圧電圧)の印加端に接続されている。誤差アンプ51〜5Nの非反転入力端(+)は、それぞれ基準電圧Vref1〜VrefNの印加端に接続されている。コンパレータ71〜7Nの非反転入力端(+)は、それぞれ誤差アンプ51〜5Nの出力端(誤差信号ERR1〜ERRNの出力端)に接続されている。コンパレータ71〜7Nの反転入力端(−)は、いずれも発振器60の出力端(三角波信号OSCの出力端)に接続されている。コンパレータ71〜7Nの出力端は、それぞれ制御部80のデューティ信号D1〜DNの入力端に接続されている。
制御部80は、デューティ信号D1〜DNのいずれか一を所定の周期T毎に選択して基準デューティ信号Dを生成するデューティ選択回路81と、基準デューティ信号Dに基づいて第1ゲート信号G1及び第2ゲート信号G21〜G2Nを生成するゲート信号生成回路82を有して成る。なお、ゲート信号生成回路82の構成や動作(出力スイッチ素子と同期整流素子の同期タイミング制御や出力切換制御)については、後ほど詳述する。
まず、上記構成から成るスイッチング電源装置100の基本動作(出力電圧Vout1〜VoutNの生成動作)について詳細に説明する。
トランジスタ10は、制御部80からの第1ゲート信号G1に応じてスイッチング制御される出力トランジスタであり、トランジスタ21〜2Nは、制御部80からの第2ゲート信号G21〜G2Nに応じてスイッチング制御される同期整流トランジスタである。
すなわち、スイッチング電源装置100は、コイル30と出力トランジスタ10をN個の同期整流トランジスタ21〜2Nで共有する構成とされており、出力トランジスタ10に同期して駆動する同期整流トランジスタ21〜2Nを順次切り換えながら、コイル30に蓄積された電気エネルギを分配して出力することにより、N系統の出力電圧Vout1〜VoutNを生成する。
例えば、入力電圧Vinから出力電圧Vout1を生成する場合、制御部80では、トランジスタ10とトランジスタ21を相補的(排他的)にスイッチング制御するように、第1ゲート信号G1と第2ゲート信号G21に各々パルスが生成される。出力電圧Vout2〜VoutNを生成する場合についても、上記と同様であり、制御部80では、トランジスタ10とトランジスタ22〜2Nを相補的(排他的)にスイッチング制御するように、第1ゲート信号G1と第2ゲート信号G22〜G2Nに各々パルスが生成される。
なお、本明細書中で用いている「相補的(排他的)」という文言は、トランジスタ10とトランジスタ21〜2Nのオン/オフが完全に逆転している場合のほか、貫通電流防止の観点からトランジスタ10とトランジスタ21〜2Nのオン/オフ遷移タイミングに所定の遅延を与えている場合をも含むものとする。
上記の昇圧動作に関して、入力電圧Vinから出力電圧Vout1を生成する場合を例に挙げながら、より具体的に説明する。トランジスタ10がオン状態にされると、コイル30には、トランジスタ10を介して接地端に向けたスイッチ電流が流れ、その電気エネルギが蓄えられる。なお、トランジスタ10のオン期間において、既にコンデンサ41に電荷が蓄積されていた場合、負荷にはコンデンサ41からの電流が流れることになる。また、このとき、同期整流素子であるトランジスタ21は、トランジスタ10のオン状態に対して相補的(排他的)にオフ状態とされるため、コンデンサ41からトランジスタ10に向けて電流が流れ込むことはない。
一方、トランジスタ10がオフ状態にされると、コイル30に生じた逆起電圧によってコイル30に蓄積されていた電気エネルギが放出される。このとき、トランジスタ21はトランジスタ10のオフ状態に対して相補的(排他的)にオン状態とされるため、コイル30の一端からトランジスタ21を介して流れる電流は、出力電圧Vout1の出力端を介して負荷に流れ込むとともに、コンデンサ41を介して接地端にも流れ込み、コンデンサ41を充電することになる。上記動作が繰り返されることにより、負荷にはコンデンサ41によって平滑された出力電圧Vout1が供給される。
なお、上記のトランジスタ21及びコンデンサ41を、それぞれトランジスタ22〜2N及びコンデンサ42〜4Nと読み替えれば、入力電圧Vinから出力電圧Vout2〜VoutNを生成する場合の具体的な動作となる。
次に、上記構成から成るスイッチング電源装置100の出力帰還制御について詳細な説明を行う。
スイッチング電源装置100において、誤差アンプ51〜5Nは、それぞれ帰還電圧Vfb1〜VfbN(出力電圧Vout1〜VoutNの実際値に相当)と、基準電圧Vref1〜VrefN(出力電圧Vout1〜VoutNの目標値に相当)との差分を増幅して誤差信号ERR1〜ERRNを生成する。すなわち、誤差信号ERR1〜ERRNの電圧レベルは、出力電圧Vout1〜VoutNの目標値に対する乖離度に応じて変動する。より具体的に述べると、誤差信号ERR1〜ERRNの電圧レベルは、出力電圧Vout1〜VoutNが目標値よりも低いほど高レベルとなる。一方、発振器60は、所定の発振周波数を有する三角波信号OSCを生成する。
コンパレータ81〜8Nは、それぞれ誤差信号ERR1〜ERRNと三角波信号OSCとを比較してPWM方式のデューティ信号D1〜DNを生成する。すなわち、デューティ信号D1〜DNのオンデューティ(単位期間に占めるトランジスタ10のオン期間の比)は、誤差信号ERR1〜ERRNと三角波信号OSCとの相対的な高低に応じて逐次変動する。さらに具体的に述べると、出力電圧Vout1〜VoutNがその目標値よりも低いほど、デューティ信号D1〜DNのオンデューティは大きくなり、出力電圧Vout1〜VoutNがその目標値に近付くにつれて、デューティ信号D1〜DNのオンデューティは小さくなる。
制御部80は、入力電圧Vinを昇圧して出力電圧Vout1〜VoutNを生成するに際し、デューティ信号D1〜DNのいずれか一を所定の周期毎に選択して基準デューティ信号Dを生成し、基準デューティ信号Dから第1ゲート信号G1及び第2ゲート信号G21〜G2Nを生成することにより、トランジスタ10とトランジスタ21〜2Nのいずれか一を相補的(排他的)にスイッチング制御する。具体的に述べると、制御部80は、基準デューティ信号Dのオン期間には、トランジスタ10をオン状態とし、トランジスタ21〜2Nを全てオフ状態とする一方、基準デューティ信号Dのオフ期間には、トランジスタ10をオフ状態とし、トランジスタ21〜2Nのいずれか一をオン状態とする。
このように、スイッチング電源装置100は、誤差信号ERR1〜ERRNに基づく出力帰還制御により、出力電圧Vout1〜VoutNを所望の目標値に合わせ込むことができる。
次に、ゲート信号生成回路82の構成及び動作について、図2及び図3を参照しながら詳細に説明する。
図2は、ゲート信号生成回路82の構成を示すブロック図である。
図3は、ゲート信号生成動作の一例を示すタイミングチャートであり、上から順番に、デューティ信号D1〜DN、基準デューティ信号D、第1ゲート信号G1、及び、第2ゲート信号G21〜G2Nが示されている。なお、図3では、デューティ選択回路81において、所定の周期T毎にデューティ信号D1〜DNが1つずつ巡回的に選択されている場合が示されている。
図2に示すように、ゲート信号生成回路82は、デューティ選択回路81から入力される基準デューティ信号D(デューティ信号D1〜DNのマージ信号)に基づいて、トランジスタ10とトランジスタ21〜2Nの同時オフ期間を設けるように、第1ゲート信号G1及び第2ゲート信号G21〜G2Nを生成する手段であり、第1遅延部82aと、第2遅延部82bと、出力選択部82cと、を有して成る。
第1遅延部82aは、基準デューティ信号Dの立上がりタイミングに所定の遅延dを与えて第1遅延信号を生成し、これを第1ゲート信号G1として出力する手段である。第2遅延部82bは、基準デューティ信号Dの立下がりタイミングに所定の遅延dを与えて第2遅延信号を生成する手段である。出力選択部82cは、所定の周期T毎に第2遅延信号を第2制御信号G21〜G2Nのいずれか一として選択する手段である。
このような構成であれば、第1ゲート信号G1をハイレベルに立ち上げる前に、第2ゲート信号G21〜G2Nをハイレベルに立ち上げることができるので、トランジスタ10をオンする前に、トランジスタ21〜2Nをオフすることが可能となる。また、第2ゲート信号G21〜G2Nをローレベルに立ち下げる前に、第1ゲート信号G1をローレベルに立ち下げることができるので、トランジスタ21〜2Nをオンする前に、トランジスタ10をオフすることができる。
なお、デューティ選択回路81におけるデューティ信号D1〜DNの選択制御と、出力選択部82cにおける第2遅延信号の出力先選択制御は、適切な出力帰還ループが形成されるように、いずれも共通の選択制御信号SWに基づいて実施される。例えば、デューティ選択回路81において、デューティ信号D1が選択されている周期には、出力選択部82cにおいて、第2遅延信号が第2ゲート信号G21として選択される。同様に、デューティ信号D2〜DNが各々選択されている周期には、出力選択部82cにおいて、第2選択信号が第2ゲート信号G22〜G2Nとして各々選択される。
また、出力選択部82cは、第2ゲート信号G21〜G2Nのうち、第2遅延信号の出力先として選択されなかったものについては、これらが供給される同期整流トランジスタをいずれもオフ状態とするために、各々の電圧レベルをいずれもハイレベルとする。
上記したように、本発明に係るスイッチング電源装置100は、コイル30と出力トランジスタ10をN個(ただしN≧2)の同期整流トランジスタ21〜2Nで共有し、出力トランジスタ10に同期して駆動する同期整流トランジスタ21〜2Nを順次切り換えながら、コイル30に蓄積された電気エネルギを分配して出力することにより、一の入力電圧VinからN系統の出力電圧Vout1〜VoutNを生成する多出力の昇圧型スイッチング電源装置であって、出力トランジスタ10と同期整流トランジスタ21〜2Nのスイッチング制御手段として、N系統の出力電圧Vout1〜VoutNを帰還制御することで生成されるN系統のデューティ信号D1〜DNのいずれか一を所定の周期T毎に選択して基準デューティ信号Dを生成するデューティ選択回路81と、基準デューティ信号Dに基づいて出力トランジスタ10に供給する第1ゲート信号G1と同期整流トランジスタ21〜2Nに供給する第2ゲート信号G21〜G2Nを生成するゲート信号生成回路82と、を有して成る構成とされている。
このように、デューティ信号D1〜DNを一旦マージして基準デューティ信号Dを生成し、この基準デューティ信号Dから第1ゲート信号G1及び第2ゲート信号G21〜G2Nを生成する構成であれば、第1ゲート信号G1及び第2ゲート信号G21〜G2Nの同期タイミング制御が容易となり、トランジスタ10とトランジスタ21〜2Nの同時オフ期間を最適化することができるので、変換効率の低下を最小限に留めつつ、トランジスタ10とトランジスタ21〜2Nの同時オンを確実に防止することが可能となる。
なお、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
例えば、図3では、デューティ選択回路81において、所定の周期T毎にデューティ信号D1〜DNを1つずつ巡回的に選択していく構成、すなわち、デューティ信号D1〜DNに何ら優先順位を持たせていない構成を例に挙げて説明を行ったが、本発明の構成はこれに限定されるものではなく、デューティ選択回路81は、図4に示すように、デューティ信号D1〜DNのうち、デューティが大きいものほどその選択頻度を高めるように制御される構成としても構わない。このような構成とすることにより、出力電圧Vout1〜VoutNのうち、より重い負荷に供給されるものほど、その優先順位を高めて昇圧動作を行うように、出力切換制御を最適化することができるので、各負荷において出力電圧の不足が生じる事態を未然に回避することが可能となる。
本発明は、多出力の昇圧型スイッチング電源装置において、出力スイッチ素子と同期整流素子の同期タイミング制御や出力切換制御の最適化を図る上で有用な技術であり、バッテリ駆動の携帯電話端末を始めとして、スイッチング電源装置を搭載する電子機器全般に好適な技術である。
は、本発明に係るスイッチング電源装置の構成を示すブロック図である。 は、ゲート信号生成回路82の構成を示すブロック図である。 は、ゲート信号生成動作の一例を示すタイミングチャートである。 は、ゲート信号生成動作の別の一例を示すタイミングチャートである。 は、多出力の昇圧型スイッチング電源装置の一従来例を示す回路図である。
符号の説明
10 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ(出力スイッチ素子)
21〜2N Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ(同期整流素子)
30 コイル
41〜4N コンデンサ
51〜5N 誤差アンプ
60 発振器
71〜7N コンパレータ
80 制御部
81 デューティ選択回路
82 ゲート信号生成回路
82a 第1遅延部
82b 第2遅延部
82c 出力選択部
100 スイッチング電源装置

Claims (5)

  1. コイルと出力スイッチ素子をN個(ただしN≧2)の同期整流素子で共有し、前記出力スイッチ素子に同期して駆動する前記同期整流素子を順次切り換えながら、前記コイルに蓄積された電気エネルギを分配して出力することにより、一の入力電圧からN系統の出力電圧を生成するスイッチング電源装置であって、
    前記出力スイッチ素子と前記N個の同期整流素子のスイッチング制御手段として、
    前記N系統の出力電圧を帰還制御することで生成されるN系統のデューティ信号のいずれか一を所定の周期毎に選択して基準デューティ信号を生成するデューティ選択回路と、
    前記基準デューティ信号に基づいて前記出力スイッチ素子に供給する第1制御信号と前記N個の同期整流素子に供給するN系統の第2制御信号を生成する制御信号生成回路と、
    を有して成り、
    前記制御信号生成回路は、前記基準デューティ信号に基づいて、前記出力スイッチ素子と前記N個の同期整流素子の同時オフ期間を設けるように、第1制御信号及び第2制御信号を生成し、
    前記制御信号生成回路は、前記基準デューティ信号の立上がりタイミングを遅延させて第1遅延信号を生成し、これを第1制御信号として出力する第1遅延部と、前記基準デューティ信号の立下がりタイミングを遅延させて第2遅延信号を生成する第2遅延部と、前記所定の周期毎に第2遅延信号を前記N系統の第2制御信号のいずれか一として選択する出力選択部と、を有して成ることを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 前記デューティ選択回路は、前記N系統のデューティ信号のうち、デューティが大きいものほど、その選択頻度を高めるように制御されることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源装置。
  3. コイルと出力スイッチ素子をN個(ただしN≧2)の同期整流素子で共有し、前記出力スイッチ素子に同期して駆動する前記同期整流素子を順次切り換えながら、前記コイルに蓄積された電気エネルギを分配して出力することにより、一の入力電圧からN系統の出力電圧を生成するスイッチング電源装置であって、
    前記出力スイッチ素子と前記N個の同期整流素子のスイッチング制御手段として、
    前記N系統の出力電圧を帰還制御することで生成されるN系統のデューティ信号のいずれか一を所定の周期毎に選択して基準デューティ信号を生成するデューティ選択回路と、
    前記基準デューティ信号に基づいて前記出力スイッチ素子に供給する第1制御信号と前記N個の同期整流素子に供給するN系統の第2制御信号を生成する制御信号生成回路と、
    を有して成り、
    前記デューティ選択回路は、前記N系統のデューティ信号のうち、デューティが大きいものほど、その選択頻度を高めるように制御されることを特徴とするスイッチング電源装置。
  4. 前記制御信号生成回路は、前記基準デューティ信号に基づいて、前記出力スイッチ素子と前記N個の同期整流素子の同時オフ期間を設けるように、第1制御信号及び第2制御信号を生成することを特徴とする請求項3に記載のスイッチング電源装置。
  5. 請求項1〜請求項4のいずれかに記載のスイッチング電源装置と、前記スイッチング電源装置から電力供給を受けて駆動する負荷と、を有して成ることを特徴とする電子機器。
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