JP5130605B2 - 高性能材料の製造方法 - Google Patents
高性能材料の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5130605B2 JP5130605B2 JP2005024634A JP2005024634A JP5130605B2 JP 5130605 B2 JP5130605 B2 JP 5130605B2 JP 2005024634 A JP2005024634 A JP 2005024634A JP 2005024634 A JP2005024634 A JP 2005024634A JP 5130605 B2 JP5130605 B2 JP 5130605B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- producing
- crystal
- performance
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C14/00—Alloys based on titanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C11/00—Alloys based on lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C18/00—Alloys based on zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C20/00—Alloys based on cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
照)あるいは放電プラズマ焼結を利用した方法(例えば、特許文献5参照)などが挙げられる。一方、結晶配向を制御する方法としては、結晶磁気異方性を利用して磁場を印加することにより結晶方位を制御する方法(例えば、特許文献6参照)、結晶構造のすべり易さの異方性を利用した圧延−熱処理法、基板からのエピタキシャル成長を利用した化学気相成長(Chemical Vapor Deposition ; CVD)法および物理気相成長(Physical Vapor Deposition ; PVD)法などがある。
E=(MX −MY )・r2 ・ω2 /2RT
(MX ,MY はそれぞれ原子X,原子Yの原子量を、rは回転半径を、ωは角速度を、Rは気体定数を、Tは材料の絶対温度を表す)
本実施例では、材料Mとして全率固溶型ビスマス−アンチモン(7Bi−3Sb)合金を用いた。
本実施例では、材料としてカドミウム−アンチモン(Cd−Sb)系金属間化合物を用いた。
本実施例では、実施例1と同様にして作製した出発材料(7Bi−3Sb合金)に対して、高重力場発生装置を用いて、220℃以上240℃以下の温度に加熱して固相状態に保ちつつ、重力加速度79万g以上96万g以下の重力場で85時間の重力場処理を行った。処理した材料についても実施例1と同様にして組織観察を行い、結晶の粒径の測定を行った。
本実施例では、材料として全率固溶型セレン−テルル(7Se−3Te)系半導体固溶体(以下、7Se−3Te系半導体固溶体という)を用いた。
本実施例では、材料Mとして76Se、78Se、80Seおよび82Seの4種類の同位体を含むセレンの単体を用いた。
Claims (16)
- 二つ以上の異なる元素または同位体により構成された固相状態の材料に対して前記材料の再結晶温度以上、かつ固相状態を保つことができる温度以下の温度下で1万g(g=9.8m/s 2 )以上の重力加速度を印加することにより、その結晶を微細化させる
ことを特徴とする高性能材料の製造方法。 - 二つ以上の異なる元素または同位体により構成された固相状態の材料に対して前記材料の再結晶温度以上、かつ固相状態を保つことができる温度以下の温度下で1万g(g=9.8m/s 2 )以上の重力加速度を印加することにより、その結晶を微細化させ、結晶方位を揃える
ことを特徴とする高性能材料の製造方法。 - 前記材料は、二つ以上の異なる元素からなる合金もしくは固溶体、化合物もしくは化合物の混晶、またはこれらの混合物である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の高性能材料の製造方法。 - 前記材料は、二つ以上の異なる同位体からなる元素単体である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の高性能材料の製造方法。 - 前記二つ以上の異なる元素は、全率固溶型ビスマス(Bi)−アンチモン(Sb)合金、カドミウム(Cd)−アンチモン(Sb)系金属間化合物、ビスマス−テルル系半導体化合物(Bi 2 Te 3 )および全率固溶型セレン(Se)−テルル(Te)系半導体固溶体のうちのいずれかであり、
前記二つ以上の異なる同位体は、セレン( 76 Se, 78 Se, 80 Seおよび 82 Seのうちの少なくとも二つ)、テルル( 125 Te, 126 Te, 128 Teおよび 130 Teのうちの少なくとも二つ)、並びにシリコン( 28 Si, 29 Siおよび 30 Siのうちの少なくとも二つ)のうちのいずれかである
ことを特徴とする請求項1または2に記載の高性能材料の製造方法。 - 二つ以上の異なる同位体により構成された固相状態の材料に対して前記材料の再結晶温度以上、かつ固相状態を保つことができる温度以下の温度下で1万g(g=9.8m/s 2 )以上の重力加速度を印加することにより、その結晶方位を揃えて成長させる
ことを特徴とする高性能材料の製造方法。 - 二つ以上の異なる同位体により構成された固相状態の材料に対して前記材料の再結晶温度以上、かつ固相状態を保つことができる温度以下の温度下で1万g(g=9.8m/s 2 )以上の重力加速度を印加することにより、その結晶方位を揃えて成長させると共に、原子スケールの組成傾斜構造を形成する
ことを特徴とする高性能材料の製造方法。 - 前記二つ以上の異なる同位体は、セレン( 76 Se, 78 Se, 80 Seおよび 82 Seのうちの少なくとも二つ)、テルル( 125 Te, 126 Te, 128 Teおよび 130 Teのうちの少なくとも二つ)、並びにシリコン( 28 Si, 29 Siおよび 30 Siのうちの少なくとも二つ)のうちのいずれかである
ことを特徴とする請求項6または7に記載の高性能材料の製造方法。 - 前記重力加速度は、10万g(g=9.8m/s2 )以上である
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の高性能材料の製造方法。 - 高重力場において、前記材料の加熱または冷却を行う
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の高性能材料の製造方法。 - 高重力場において、前記材料を溶融状態から凝固させる
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の高性能材料の製造方法。 - 前記材料としてバルク材を用いる
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の高性能材料の製造方法。 - 前記材料として、厚さ2mm以下の単層もしくは多層構造の薄板材または薄膜材を用いる
ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の高性能材料の製造方法。 - 前記材料は、全率固溶型ビスマス−アンチモン合金であり、191℃以上205℃以下の温度下、88万g以上102万g以下の重力場で処理を施す
ことを特徴とする請求項1または2に記載の高性能材料の製造方法。 - 前記材料は、カドミウム−アンチモン系金属間化合物であり、345℃の温度下、最大重力加速度78万gの重力場で処理を施す
ことを特徴とする請求項1または2に記載の高性能材料の製造方法。 - 前記材料は、76Se,78Se,80Seおよび82Seの同位体を含むセレンの単体であり、255℃の温度下、最大重力加速度85万gの重力場で処理を施す
ことを特徴とする請求項1または2に記載の高性能材料の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005024634A JP5130605B2 (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 高性能材料の製造方法 |
PCT/JP2005/013977 WO2006080103A1 (ja) | 2005-01-31 | 2005-07-29 | 高性能材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005024634A JP5130605B2 (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 高性能材料の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006207011A JP2006207011A (ja) | 2006-08-10 |
JP5130605B2 true JP5130605B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=36740138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005024634A Active JP5130605B2 (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 高性能材料の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5130605B2 (ja) |
WO (1) | WO2006080103A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101279923B (zh) * | 2007-04-06 | 2010-08-25 | 宁波万华聚氨酯有限公司 | 一种制备多亚甲基多苯基多胺的方法 |
JP2009062588A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | 伸線用インゴットの成分濃度傾斜化方法 |
CN107267833B (zh) * | 2017-06-16 | 2018-12-18 | 杭州龙灿液态金属科技有限公司 | 抑制镓基室温液态合金凝固预相变的方法、合金及温度计 |
CN110487225B (zh) * | 2019-08-27 | 2020-10-23 | 上海交通大学 | 原子尺度应变计算方法和原子尺度应变计算装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4002628B2 (ja) * | 1996-04-30 | 2007-11-07 | 茂 真下 | 凝縮系物質を拡散処理する方法及びその方法で得られた物質 |
-
2005
- 2005-01-31 JP JP2005024634A patent/JP5130605B2/ja active Active
- 2005-07-29 WO PCT/JP2005/013977 patent/WO2006080103A1/ja not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006080103A1 (ja) | 2006-08-03 |
JP2006207011A (ja) | 2006-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Mazilkin et al. | Transmission electron microscopy investigation of boundaries between amorphous “grains” in Ni 50 Nb 20 Y 30 alloy | |
US7833361B2 (en) | Alloy and method for producing magnetic refrigeration material particles using same | |
KR102614644B1 (ko) | 높은 균일성 및 원소 함량을 갖는 알루미늄 합금 및 제품 | |
US20070099332A1 (en) | Chalcogenide PVD components and methods of formation | |
JP2008537763A (ja) | 金属複合材料およびこれを形成する方法 | |
WO2006112063A1 (ja) | 半導体装置放熱用合金材およびその製造方法 | |
US20080112878A1 (en) | Alloy casting apparatuses and chalcogenide compound synthesis methods | |
JP5130605B2 (ja) | 高性能材料の製造方法 | |
Mashimo et al. | Atomic-scale graded structure formed by sedimentation of substitutional atoms in a Bi–Sb alloy | |
Lu et al. | Effect of naturally deposited film on the sub-rapid solidification of medium manganese steel by using droplet solidification technique | |
JP6262332B2 (ja) | Al−Te−Cu−Zr合金からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
Cao et al. | Microstructural evolution and phase formation in rapidly solidified Ni-25.3 At. Pct Si alloy | |
CN108691007B (zh) | 金属单晶颗粒的制造方法 | |
US20070240750A1 (en) | Nanoscale thermoelectrics by bulk processing | |
JP3372129B2 (ja) | 高強度アルミニウム合金固化材およびその製造方法 | |
CN115698349B (zh) | 铝-钪复合材料、铝-钪复合材料溅射靶及制备方法 | |
El-Eskandarany | Amorphization process by rod-milling TixAl100− x and the effect of annealing | |
JP5353213B2 (ja) | 熱電材料、熱電材料の製造方法 | |
Gryc et al. | Technological Problems in Fabrication of Mg-Based Thermoelectric Materials by Conventional Casting Methods. | |
JP2005350324A (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
López-Ferreño et al. | Micro pulling down growth of very thin shape memory alloys single crystals | |
Nilsén | Processing and properties of MSM based hybrid materials | |
Ivanova et al. | Chalcogenides of Bismuth Obtained by Various Methods | |
Van Du et al. | Effects of the wheel rotation speed during the melt-spinning process on the structural morphology and the thermoelectric properties of Ti0. 5Zr0. 5NiSn alloy | |
Heinz | Microstructure control and iodine doping of bismuth telluride |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120312 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121022 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |