JP5125910B2 - 接続部材，その形成方法，接続構造およびその形成方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線板や電子デバイスの接続に用いられる接続部材，その形成方法およびこれを利用した接続構造ならびにその形成方法に関する。

従来より、電子機器には、フレキシブルプリント配線板（以下、ＦＰＣという）が配置されることが多い。ＦＰＣは、携帯電話などの開閉機構や回転機構を有する機器中の電気的接続を行うために、極めて便利なものである。ＦＰＣを他の配線板に接続する接続構造体（コネクタ）としては、無挿入力コネクタ（ＺＩＦ：Zero Interpose Force）が汎用されている（特許文献１参照）。

図９は、一般的なＺＩＦ構造のコネクタの構造を示す側面図である。同図に示すように、リジッドプリント配線板（以下、ＰＣＢという）に、ＺＩＦコネクタ１１０が配置されている。ＺＩＦコネクタ１１０には、コ字状の金属ワイヤからなる接触子１０３が設けられている。ＦＰＣは、ＺＩＦコネクタ１１０の接触子１０３のコ字状開口部に、ほとんど無挿入力で挿入される。そして、接触子１０３とＦＰＣの配線２０１とを接触させた状態でロック部１０５が軸１０６の回りに回動する。すると、接触子１０３の上側先端部がフレキシブル基板２００に食い込むように押圧する。ＺＩＦコネクタ１１０の作動により、ＦＰＣの配線２０１と、リジッド基板１００上の配線１０１とが電気的に接続される。

図１０は、特許文献２に開示されている、複数本の極細同軸線を基板の配線と接続するためのコネクタの構造である。
図１０に示すように、このコネクタ３００は、多心極細同軸線３０１を基板に電気的に接続するものである。コネクタ３００には、プラスチック等からなる絶縁体のハウジング３０２が備えられている。ハウジング３０２の幅方向に沿って、所定のピッチで複数本の導電端子３０３が配設されている。また、ハウジング３０２の上面を覆うシールド板３０４が設けられている。ハウジング３０２の幅方向に沿って所定のピッチで互いに隣接するように、収容凹部３０５が形成されている。各導電端子１０３は、収容凹部３０５内にそれぞれ位置決め配置されている。
一方、多心極細同軸線３０１は、中心導体３０７と、中間絶縁体３０８と、外側導体３０９と、外皮３１０とを内側から順に積層して形成されている。各多心極細同軸線３０１の中心導体３０７は、半田によって、対応する各導電端子３０３にそれぞれ接続されている。
特公平６−６５０９０号公報 特開２００５−３０２６０４号公報

しかるに、上記従来のＺＩＦコネクタや、極細同軸線用コネクタでは、以下の不具合があった。
ＺＩＦコネクタ１１０の場合、薄型化，小型化が求められると、電気的な接続の信頼性が低下するおそれがある。すなわち、接触子１０３などの厚みや幅寸法を、機械的強度を保ちつつ、低減すること自体に限界がある。

特許文献２のコネクタ３００では、多心極細同軸線３０１の中心導体３０７と、２０３とが、半田によって接続されている。したがって、接続をやり直す場合には、１つ１つの半田を外す必要があり、手間が煩雑となる。

本発明の目的は、各種配線部材や電子デバイス間の電気的接続に応用が可能で、脱着が容易な接続部材，その形成方法及び接続構造を提供することにある。

本発明の接続部材の形成方法は、第１，第２部材の第１，第２導体を接続するための接続部材を対象とする。熱収縮機能を有する板状の基材に、貫通孔を形成する工程と、基材を加熱した状態で延伸しながら冷却する工程とを含んでいる。
熱収縮機能を持たせる方法としては、熱可塑性高分子を架橋した後、加熱して延伸し、延伸した状態で冷却する方法がある。加熱温度は、結晶性樹脂の場合には、融点以上、非晶性樹脂の場合はガラス転位温度以上、が好ましい。熱可塑性高分子を架橋させる方法としては、電子線を照射する方法や、化学的に架橋する方法がある。

ただし、本発明の基材は、この方法に限定されることはなく、別の方法で熱収縮機能を付与されたものでもよい。
先に貫通孔を形成してから、基材を延伸するのが一般的であるが、延伸してから貫通孔を形成してもよい。
先に貫通孔を形成する場合には、当初は第１，第２導体が挿入できなくてもよい。基材を延伸した後に、貫通孔が、第１，第２導体が挿入できる大きさであればよい。
延伸する工程では、基材を１軸方向に延伸してもよいし、基材を２軸方向に延伸してもよい。

この方法により、第１，第２の導体を貫通孔に挿入した状態で、基材を加熱すると、基材が熱収縮する。すると、貫通孔の壁面が第１，第２導体を締め付けるので、第１，第２導体を導通させることが可能になる。第１，第２導体としては、ＦＰＣ，ＰＣＢ等の配線板の配線または電極，多心極細同軸線の中心導体，電子デバイスの電極，などがある。

この接続部材は、従来のＺＩＦコネクタのような複雑な形状は不要で、板状でよい。もっとも単純な構造としては、平板状があるが、平板状に限定されるものではない。したがって、従来のＺＩＦコネクタよりも、さらに低背化が可能である。また、延伸した拡大した貫通孔に、第１，第２導体を挿入すればよいので、無挿入力化も容易である。
また、第１，第２導体の接続状態を解除させる場合には、基材を延伸すればよいので、接続のやり直しが容易である。よって、多心極細同軸線の接続に用いる場合でも、接続のやり直しが可能となる。
よって、本発明により、各種部品や配線部材の接続に応用が可能で、脱着が容易な接続部材を提供することができる。

基材として、ポリエチレン樹脂を用いることにより、製造コストをより安価にすることができる。

基材として、複数の微細孔を有する多孔質樹脂を用いることが好ましい。配線板等は、電子部品の内部で曲げや圧縮などの応力を受けるが、多孔質樹脂の弾性力によって、ダメージを回避することができる。

多孔質樹脂を用いる場合、貫通孔の内壁面および各微細孔内を含む表面領域に、めっき層を含む貫通導電部材を形成する工程をさらに含むことが好ましい。貫通導電部材がない場合でも、第１，第２導体を貫通孔内で接触させれば、両者は導通する。しかし、第１，第２導体を十分高く突出させることが困難な場合や、製造ばらつきなどによって、第１，第２導体を接触させるのが困難な場合がある。このような場合でも、貫通孔の内壁部に貫通導電部材が設けられていると、第１，第２導体が、確実に導通する。
貫通導電部材を形成する工程は、基材を延伸する前に行なってもよいし、基材を延伸した後に行なってもよい。

貫通孔の内壁部に、ホットメルト接着剤層を形成する工程をさらに含むことも好ましい方法である。接続部材の基材を加熱したときに、ホットメルト接着層も融解し、第１，第２導体を確実に固定する。無電解めっきを行うのに比べると、安価である。
ホットメルト接着剤層を形成する工程は、基材を延伸する前に行なってもよいし、基材を延伸した後に行なってもよい。

本発明の接続構造の形成方法は、上記接続部材の形成を行なった後、以下の工程を行う方法である。第１、第２導体の各一部を貫通孔に挿入してから、基材を加熱して熱収縮させ、第１，第２導体を互いに導通させる。

この方法により、上述のように、低背化，無挿入力化も容易で、脱着が容易な接続構造が得られる。この接続構造は、ＦＰＣ，ＰＣＢ等の配線板，多心極細同軸線，電子デバイス間の接続構造として、適用することができる。

本発明の接続部材は、上記接続部材の形成方法によって形成されたものである。本発明の接続構造は、上記接続構造の形成方法によって形成されたものである。よって、本発明の接続部材，接続構造により、それぞれ上述の作用効果が得られる。

本発明の接続部材，その形成方法，接続構造，またはその形成方法によると、各種配線部材や電子デバイス間の電気的接続に応用が可能で、脱着が容易な接続部材や接続構造を得ることができる。

（一般的な接続構造）
図１（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一般的な接続構造の形成手順を示す斜視図である。図２は、本発明の一般的な接続構造の斜視図である。
まず、図１（ａ）に示す工程で、電子照射等により架橋された熱可塑性高分子からなる基材２を準備する。基材２は、多孔質樹脂であることが好ましいが、多孔質樹脂に限定されるものではない。
代表的な熱可塑性高分子としては、ポリエチレン樹脂，ポリプロピレン樹脂等のポリオレフィン系樹脂がある。ただし、ポリオレフィン系樹脂に限定されるものではない。

架橋処理には、放射線照射による方法および化学架橋による方法があるが、どのような架橋方法を用いてもよい。
放射線照射のうち、電子線照射は、照射装置自体大きくなく、比較的簡単に実施できる。電子線照射も含めて、放射線照射では、ＣＨ結合のＨを簡単に脱離させることができる。なお、脱離した結合手に酸素が結合しやすいために酸素濃度が上昇する傾向がある。
化学架橋の場合、基膜を構成する熱可塑性高分子に化学架橋の薬剤を含んでいる必要がある。これら熱可塑性高分子中の化学架橋の薬剤は、化学架橋のために加熱処理を行った後にも、残留する。たとえば、シラン架橋の場合はシランカップリング剤が残留するし、過酸化物架橋の場合は過酸化物が残留する。

次に、基材２に貫通孔５を開口して、接続部材１を形成する。多孔質の基材２に貫通孔５を穿孔する際には、後で説明するように、固形物を充填してドリル等による機械加工で穿孔する。
架橋した多孔質熱可塑性高分子では、機械加工による貫通孔の形成の際にバリが生成しにくく、バリ除去のための湿式エッチングを省略することができる。もちろん、わずかのバリも許されない高精度を要する場合には、湿式エッチングを行う場合もあるが、省略できる場合が多い。

図１（ｂ）に示す工程で、基材１を加熱し、延伸しつつ、冷却する。この処理によって、基材の幅が拡大するとともに、貫通孔５も拡大し、拡大貫通孔５ａが形成される。そして、熱収縮機能が付与される。

図１（ｃ）に示す工程で、配線体１０と、ＰＣＢ２０とを準備する。配線体１０は、配線１１と、芯体１２とを備えている。ＰＣＢ２０は、リジッド基板２１と、配線２３と、突起電極２２とを備えている。芯体１２および突起電極２２とは、半円柱の形状を有している。そして、芯体１２と、突起電極２２とを、接続部材１の拡大貫通孔５ａ内に挿入する。拡大貫通孔５ａは、芯体１２と、突起電極２２とを、容易に挿入できる程度まで拡大されている。
その後、接続部材１を加熱すると、基材２が図１（ａ）に示す大きさに戻るように、収縮する。それに伴い、拡大貫通孔５ａも収縮する。

上記処理により、図２に示される接続構造が形成される。図２には、貫通孔内における横断面構造が示されている。同図に示すように、熱収縮した収縮貫通孔５ｂ内で、各々半円柱状の芯体１２の一部と、突起電極２２の一部とが相接触している。すなわち、芯体１２と突起電極２２との間が、収縮した基材２によって締め付けられた状態で電気的に導通することになる。

接続部材１は、従来のＺＩＦコネクタのような複雑な形状は不要で、板状でよい。もっとも単純な構造としては、平板状があるが、平板状に限定されるものではない。したがって、従来のＺＩＦコネクタよりも、さらに低背化が可能である。図１（ｃ）に示す拡大貫通孔５ａを、芯体１２と突起電極２２とが遊嵌合できる大きさに設定すれば、無挿入力化も容易である。

また、芯体１２と突起電極２２との接続状態を解除させる場合には、基材を加熱して延伸すればよい。よって、接続のやり直しが容易である。
よって、本発明より、各種部品や配線部材の接続に応用が可能で、脱着が容易な接続部材１を提供することができる。

（実施の形態１）
図３は、本発明の実施の形態１に係る多心極細同軸線の構造を示す斜視図である。図４（ａ），（ｂ）は、順に、実施の形態１に係るＰＣＢの平面図、およびＰＣＢと多心極細同軸線との接続状態を示す平面図である。

図３に示すように、本実施の形態に係る多心極細同軸線３０は、複数本の極細同軸線３１を並列に連結させたものである。各極細同軸線３１は、内側から順に、中心導体３２と、中間絶縁体３３と、外側導体３４と、外皮３５とによって構成されている。外側導体３４は、中間絶縁体３３の周囲に形成され、接地となっている。中心導体３２の先端部は露出されており、この露出部分は、圧延されて、極細同軸線３１の並列面に沿うように扁平化されている。また、中心導体３２の最先端部３２ａは、ほぼ直角に曲げられている。
なお、中心導体３２の露出部分が必ずしも扁平である必要はない。

また、多心極細同軸線３０の外側導体３４の各露出部分を共通に接続する接地部材３８（グランドバー）が設けられている。
接地部材３８（グランドバー）は、係合部３６と、連結部３７とを有している。係合部３６は、金属導体からなる板材の両端部がほぼ直角に折り曲げられ、断面コ字状に形成されている。係合部３６は、波状の縦壁部３６ａと底壁部３６ｂとを有している。縦壁部３６ａには、外側導体３４と係合する多数の波状の溝が一定のピッチで形成されている。縦壁部３６ａの各溝は、各外側導体３４と半田付けによって接続されている。外側導体３４の半田付けされていない露出部には、接着剤が塗布されている。本実施の形態では、この係合部３６により、各極細同軸線間隔が所定のピッチに保持され、ひいては、各中心導体３２の整列位置が規定されている。

連結部３７は、係合部３６の縦壁部３６ａにろう付けによって接合されている。連結部３７の先端部３７ａは、中心導体３２とほぼ同じ高さ位置で、係合部３６にほぼ直交する方向に延びている。連結部３７の最先端部３７ｂは、ほぼ直角に曲げられている。

極細同軸線３１としては、たとえば極細径（ＡＷＧ（American Wire Gauge）４０−４６）のものが用いられる。極細同軸線３１の中心に配置される中心導体３２は、柔軟で曲げに強いことから一般に銅線からなる撚線が好まれる。しかし、本実施の形態では、変形しにくい単線を用いている。中心導体の扁平化された部分の厚みはたとえば７５μｍ程度であり、連結部２２の厚みも同程度である。

図４（ａ）に示すように、ＰＣＢ４０は、リジッド基板４１と、リジッド基板４１上に形成された信号配線４２と、接地配線４３とを有している。信号配線５２および接地配線５３の先端部には、それぞれ突起電極４２ａ，４３ａが形成されている。本実施の形態では、各突起電極４２ａ，４３ａは、扁平な形状となっている。

リジッド基板４１としては、ガラスエポキシ板に限らず、紙フェノール板，紙エポキシ板，フッ素樹脂板，アルミナ板等が用いられる。配線４２の材料としては、銅または銅合金を用いるのが一般的であるが、これに限定されるものではない。

そして、図４（ｂ）に示すように、接続部材１により、ＰＣＢ４０と多心極細同軸線３０とを電気的に接続する。接続部材１の基材２を融点以上に加熱すると、基材２が熱収縮する。各々扁平な形状の突起電極４２ａと中心導体３２の最先端部３２ａとが、収縮貫通孔５ｂ内で相接触している。また、各々扁平な形状の突起電極４３ａと接地部材３８の最先端部３７ｂとが、収縮貫通孔５ｂ内で相接触している。

本実施の形態により、本発明の一般的な接続構造で説明した作用効果が得られる。すなわち、接続構造において、平板状の接続部材１を用いて、極めて薄型の極細同軸ハーネスが得られる。また、接続部材１の基材２を延伸することで、接続のやり直しも容易である。

（実施の形態２）
図５は、実施の形態２に係る接続構造体の組立方法を説明するための斜視図である。図６は、実施の形態２に係る接続構造体の組立状態を示す断面図である。
ＰＣＢ４０は、実施の形態１におけるＰＣＢ４０と基本的に同じ構造を有している。ただし、この例では、接地配線の図示を省略している。また、リジッド基板４１には、枠部材４５が接着剤等により連結されている。枠部材４５は、ほぼコ字状の平面形状を有しており、配線４２の先端部を三方から囲んでいる。

ＰＣＢ４０の上方に、接続部材１０を挟んで、ＦＰＣ６０が配置されている。ＦＰＣ６０のフレキシブル基板６１の上面には、ガイド部材６５が貼り付けられている。ガイド部材６５は、ＰＣＢ４０上の枠部材４５を縦方向に挿通可能な大きさを有している。
また、フレキシブル基板６１の下面側には、配線６２と突起電極６２ａとが形成されている。配線６２及び突起電極６２ａの形状は、ＰＣＢ４０の配線４２および突起電極４２ａの構造と同様であるので、図示を省略している。

フレキシブル基板６１としては、ポリイミド板に限らず、ポリエステル板（低温使用），ガラスエポキシ板（薄板）等が用いられる。配線６２の材料としては、銅または銅合金を用いるのが一般的であるが、これに限定されるものではない。

本実施の形態の接続部材１は、多孔質樹脂からなる基材２を備えている。そして、拡大貫通孔５ａの内壁部には、無電解めっきを用いて、貫通導電部材６が形成されている。本実施の形態における接続部材１の形成手順については、後述する。

貫通導電部材を構成する金属は、銅、ニッケル、銀、金、ロジウムなど導電性があれば何でもよい。ただし、接触抵抗を高めないようにするために、環境温度で酸化膜を形成しにくいものが好ましい。導電性確保および酸化膜の形成防止のために、多層構造を採用するのがよい。とくにニッケル、金、ロジウムのうちのいずれか２つの多層構造を用いることにより、常温および１２５℃程度以上の高温で繰り返し使用しても、低接触抵抗を確保することができる。

組立時には、まず、ＦＰＣ６０に接続部材１を貼り付ける。このとき、接続部材１の拡大貫通孔５ａ内に突起電極６２ａを挿入する。次に、枠部材４５で囲まれる空間に、ガイド部材６５，接続部材１およびＦＰＣ６０を導入する。このとき、ガイド部材６５が枠部材４５を挿通して、ＦＰＣ６０等の導入を案内する。また、拡大貫通孔５ａ内に、ＰＣＢ４０の突起電極４２ａを挿入する。つまり、拡大貫通孔５ａ内には、上下から突起電極４２ａと６２ａとが挿入されている。

この状態で、接続部材１を加熱して、基材２を収縮させる。このとき、図６に示すように、１つの収縮貫通孔５ｂで、各突起電極４２ａ，６２ａが上下から相対峙している。突起電極４２ａ，６２ａは、互いに接触していなくてもよい。貫通導電部材６と、各突起電極４２ａ，６２ａが接触していることで、突起電極４２ａ，６２ａが相導通する。

本実施の形態によると、本発明の一般的な接続構造の作用効果に加えて、以下の効果を発揮することができる。貫通孔５の内壁部に、貫通導電部材６を設けたので、各突起電極４２ａ，６２ａ同士が接触しなくても、両者を導通させることができる。言い換えると、突起電極４２ａ，６２ａの高さを低減することができる。

なお、実施の形態１において、貫通孔５の内壁部に、本実施の形態と同様の貫通導電部材を設けてもよい。その場合、製造ばらつきなどによって、上下の突起電極同士が接触しない場合でも、貫通導電部材によって両者の導通を確保することができる。

−異方導電性シートの製造方法−
図７（ａ）〜（ｅ）は、実施の形態２に係る接続部材１（異方導電性シート）の製造工程を示す斜視図である。以下、図７（ａ）〜（ｅ）を参照しつつ、異方導電性シートの製造工程について説明する。ただし、本発明の接続部材の製造方法は、下記の方法に限定されるものではない。

図７（ａ）に示す工程では、架橋された多孔質熱可塑性高分子からなる基材２を準備する。架橋方法や熱可塑性高分子の種類は、上述の通りである。本実施の形態における熱可塑性高分子としては、ポリエチレン、シンジオタクチック−１，２−ポリブタジエン、エチレンプロピレンゴム（ＥＰＤＭ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ）、ポリプロピレン等を用いるのがよい。

多孔質熱可塑性高分子は、架橋されることによって、高分子間に結合が張り巡らされて、構造的または力学的に一体性を高め、高温下でのクリープや軟化の度合いが抑制される。この結果、本実施の形態の接続部材１（異方導電性シート）は、樹脂を基材２に用いながら、高温下での繰り返し使用で接圧低下を生じにくい特性を実現することができる。さらに、高温下でガスを発生せず、また、機械加工等で貫通孔を設けた際に、貫通孔縁のバリ生成を軽減することができる。そして、これらの諸特性を確保した上で、経済性にも優れている。

多孔質熱可塑性高分子からなる基材２は、抽出法によるものでも、延伸法によるものでもよい。抽出法は、熱可塑性高分子樹脂と核剤とを混合して、押し出してフィルム状にした後に、核剤を溶媒中に抽出して核剤が占めていた箇所を空孔として多孔質フィルムを製造する製造方法である。また、延伸法は、熱可塑性高分子樹脂粉末とパラフィンオイル等の低融点材料とを混合して、フィルム状に押し出し、延伸した後に加熱してパラフィンオイル等の低融点材料を排出して空孔とする多孔質フィルムの製造方法である。
多孔質熱可塑性高分子フィルムの気孔率は２０％〜８０％、平均孔径が１０μｍ以下の範囲にあることが望ましい。

抽出法による多孔質熱可塑性高分子フィルム４１としては、株式会社イノアックコーポレーションの市販品MAPS ST30等を用いることができる。延伸法による多孔質熱可塑性高分子フィルム４１としては、旭化成ケミカルズのハイポア（登録商標）等を用いることができる。また、後で説明する本発明の実施の形態２におけるように、上記の抽出法と同じ原理に基づいて、異方性導電フィルムの製造中に、多孔質フィルムとしてもよい。

次いで、多孔質熱可塑性高分子フィルムに対して、電子線照射による架橋処理を行って、架橋された多孔質熱可塑性高分子からなる基材２を形成する。電子線の吸収線量は、５０ｋＧｙ〜１０００ｋＧｙとするのがよい。架橋処理としては、電子線照射方法が属する放射線照射架橋（イオン照射、Ｘ線照射など）を用いてもよい。また、シランカップリングや過酸化物（ハイパーオキサイド）を用いた化学架橋を行ってもよい。化学架橋を行う場合には、多孔質熱可塑性高分子フィルム４１に予め化学架橋用の薬品を混合しておく必要がある。また、架橋効率を改善するためにトリアリルイソシアヌレートなどの架橋助剤を熱可塑性高分子に配合したり、ノルボルネンなどの二重結合を有する官能基を共重合させたり、側鎖として結合させてもよい。

なお、図７（ｂ）以下の工程を行う前に、基材２の延伸処理を行なっておいてもよい。すなわち、架橋された多孔質熱可塑性高分子からなる基材２を加熱して延伸し、延伸した状態で、冷却することによって、熱収縮機能を付与する。加熱温度については、すでに説明した通りである。ただし、この場合には、後の貫通孔形成の際に、挿入される電極よりも大きめの貫通孔を形成する。

次に、図７（ｂ）に示す工程では、上記延伸法により得られた基材２の両面に、マスク膜３，４を融着させる。これにより、３層構成の積層体８が形成される。そして、積層体８全体に貫通孔５を形成する（破線参照）。マスク膜３，４には、基材２と同じ材質の熱可塑性高分子膜、好ましくは多孔質熱可塑性高分子膜を用いる。このとき、たとえば、積層された３枚の多孔質熱可塑性高分子膜の両面を２枚のステンレス板で挟み、各ステンレス板を高温に加熱する。これにより、３層の多孔質熱可塑性高分子膜を互いに融着させることができる。

なお、貫通孔の形成に先立って、多孔質構造に液体または溶液を含浸させ、これを固形化する。したがって液体または溶液は、固形物を形成することができるものとなる。また、この固形物は、容易に除去できるものとするため、融解または溶解できるものとする。上記の液体または溶液は、含浸時の状態で表現しており、その中には常温で固体状態のものも含まれる。たとえば凝固点または融点が高く、常温（１５℃〜３０℃）で固体である材料は、加熱して液体（融液）にしてから、多孔質材料に含浸させ、含浸後に、凝固点または融点以下に冷却して固化させる。

常温で固体の材料を溶剤に溶かして溶液として用いる場合、ポリマー、パラフィン、ナフタレンなどの常温で固体の材料を溶解することができ、熱可塑性高分子に対して不溶性または難溶性で、非侵食の溶剤を用いるのがよい。溶解される材料には、炭化水素、可溶性ポリマー、とくにパラフィン、ナフタレンなどを用いることができる。また、とくに水溶性のポリエチレングリコールを好適に用いることができる。これらの材料は、流延法（キャスト法）または浸漬法（ディップ法）により、多孔質構造内に含浸させ、溶剤を除去することにより、固形物となる。ポリエチレングリコールは常温で固体であるが、含浸時に加熱して溶融状態とし、含浸後に常温にして固体とする。除去するときは、水溶性なので水により溶解除去するので、有機溶剤を用いないメリットを得ることができる。これらの可溶性ポリマーを用いることにより、多孔質であっても高精度の穿孔が可能となる。また、後で説明するように、可溶性ポリマーにより余剰厚みを表裏面に設けることにより、マスク層として被覆層または増厚層を形成することができる。

穿孔は、ドリルなどによる機械加工、電磁波アブレーション加工、金型によるモールド加工、超音波加工などを用いることができる。上記の固形物を充填させた多孔質材料の穿孔は、とくに機械加工の際に、無孔質材料に対する穿孔と同様に行うことができ、精度よく貫通孔を形成することができる。本発明の実施の形態では、基材２に架橋された多孔質熱可塑性高分子膜を用いるため、上記の機械加工において、バリを生じにくいため、機械加工の後で、バリ取りエッチングをしなくて済む利点を得ることができる。

穿孔の後、多孔質構造に充填された固形物を除去する。固形物がパラフィンの場合には加熱によりまたは溶剤により、それぞれ多孔質構造から除去する。また、上述のようにポリエチレングリコールの場合は、水によって溶解除去する。

次に、図７（ｃ）に示す工程では、貫通孔５の内壁部に、めっき触媒層７を形成する。触媒は、絶縁体である基材２の貫通孔５の壁面にめっき処理により導電金属膜を形成するに際し、金属イオンの還元反応を促進するものである。めっき処理には無電解めっき法を用いるのがよい。無電解めっき法では、一般に、金属を析出させたい箇所に、還元反応を促進する触媒を予め付着させておく。マスク膜３，４は、基材２におけるめっき触媒付着箇所を貫通孔５の内壁部に限定するためである。この目的を実現するためには、マスク膜３，４に限定されず、後で説明するように他の手段を用いることができる。

めっき触媒層７の付着の際には、積層体８全体を攪拌状態のパラジウム−スズコロイド液に浸漬する。この浸漬によって、図７（ｃ）に示すように、貫通孔５の内壁部を含む全表面に、パラジウム−スズのめっき触媒層７が付着する。

次に、図７（ｄ）に示す工程で、基材２の両面からマスク膜３，４をはがす。このとき、基材２の両面にはめっき触媒層７は形成されていない。一方、基材２の側端部には、めっき触媒層７が形成されている。このめっき触媒層７は、この工程の終了後、または無電解めっきの終了後に適宜除去される。

次に、図７（ｅ）に示す工程で、無電解めっきを行う前に、上記の方法により残留しためっき触媒層７中の触媒を活性化する。具体的には、めっき触媒活性化用として市販されている有機酸塩等に浸漬する。これにより、スズを溶解し、触媒を活性化する（めっき触媒の語は、上記のように活性化前にも活性化後にも区別しないで用いる）。

その後、無電解めっき液に、基材２を浸漬することにより、貫通孔５の内壁部にのみ導電金属膜を析出させる。これにより、筒状の導通路である貫通導電部材６が形成される。無電解めっき時間が短すぎると、基材２の厚み方向の導電性を確保することが困難になる。逆に、長すぎると、筒状の金属膜にならず塊状になり、不具合を生じるおそれがある。適度なめっき量とすることにより、多孔質構造を維持した状態で、所期の圧縮ストロークを得て、また厚み方向への導電性を確保することが可能となる。
以上の工程により、本実施の形態に係る接続部材１が形成される。

異方導電性シート（接続部材１）は、貫通孔５の径が、１０μｍ以下まで小さくできる。また、貫通導電部材７のピッチは３０μｍ以下まで、十分に挟ピッチ化することができる。したがって、突起電極（配線）の幅が10μｍ以下で、突起電極（配線）のピッチが３０μｍ以下に挟ピッチ化されていっても、十分な余裕を持って対応することがきる。

−配線板上への突起電極の形成方法−
図８（ａ）〜（ｃ）は、配線板上への突起電極の形成方法を示す縦断面図である。この例は、実施の形態１，２のいずれにも適用することができる。
図８（ａ）に示す工程で、フレキシブル基板４１（またはリジッド基板６１）上の配線４２（または６２）の上に、レジスト膜Ｒｅを形成する。レジスト膜Ｒｅのうち、配線４２（または６２）の一部の上方に位置する領域を開口する。

次に、図８（ｂ）に示す工程で、基板上に金属膜Ｍｅ（たとえば、Ｃｕ膜）を堆積する。このとき、レジスト膜Ｒｅの開口領域は金属膜Ｍｅによって埋められる。また、金属膜Ｍｅはレジスト膜Ｒｅの上方を覆っている。

次に、図８（ｃ）に示す工程で、アッシング等により、レジスト膜Ｒｅを除去する。これにより、金属膜Ｍｅのうちレジスト膜Ｒｅ上に位置する部分は除去され、開口領域に位置する部分のみが残される。この残存部分が、突起電極４２ａ（または６２ａ）となる。以上の工程は、いわゆるリフトオフ法として周知慣用の方法を用いることができる。

この方法により、実施の形態１，２の突起電極４２ａ（または６２ａ）を容易に形成することができる。なお、図８（ａ）におけるレジスト膜Ｒｅの開口領域の形状は、半円柱状，直方体，など、各種柱状の形状を任意に選択することができる。

（その他の実施の形態）
上記各実施の形態の接続構造は、広く、電子機器同士の電気的接続における配線部材間の接続に用いることができる。
電子機器の一方が検査装置で，他方が被検査デバイスである場合には、接続構造を検査装置に組み込むことができる。検査装置に組み込む場合、図１（ｃ）に示す芯体１２を、検査装置のプローブの代わりに用いることができる。

上記実施の形態における貫通導電部材に代えて、ホットメルト接着剤層を形成することができる。その場合、たとえば、図１（ａ）または（ｂ）に示す基材２を、ホットメルト接着剤液に浸漬するか、貫通孔５の内壁部にホットメルト接着剤を塗布すればよい。
特に、図７（ａ）〜（ｅ）に示す工程のように、多孔質樹脂を用いることが好ましい。多孔質樹脂を用いることにより、貫通孔５の内壁部の樹脂へのホットメルト接着剤の絡みつきがよくなる。ただし、図７（ｂ）に示すマスク膜３，４は必ずしも必要でない。

上記各実施の形態の構造は、例示にすぎず、本発明の範囲はこれらの記載の範囲に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載と、その記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものである。

本発明は、電子デバイスの検査や、電子部品の実装における，各種配線板同士、配線板と電子デバイスとの間の接続に利用することができる。

（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一般的な接続構造の形成手順を示す斜視図である。 本発明の一般的な接続構造の斜視図である。 本発明の実施の形態１に係る多心極細同軸線の斜視図である。 （ａ），（ｂ）は、順に、実施の形態１に係るＰＣＢの平面図、およびＰＣＢと多心極細同軸線との接続状態を示す平面図である。 本発明の実施の形態２に係る接続構造体の組立方法を説明するための斜視図である。 本発明の実施の形態２に係る接続構造体の組立状態を示す断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、実施の形態２に係る接続部材（異方導電性シート）の製造工程を示す斜視図である。 （ａ）〜（ｃ）は、配線板上への突起電極の形成方法を示す縦断面図である。 一般的なＺＩＦ構造のコネクタの構造を示す側面図である。 特許文献２に開示されている、複数本の極細同軸線を基板の配線と接続するためのコネクタの構造である。

符号の説明

１ 接続部材
２ 基材
３ マスク膜
４ マスク膜
５ 貫通孔
５ａ 拡大貫通孔
５ｂ 収縮貫通孔
６ 貫通導電部材
７ めっき触媒層
８ 積層体
１０ 配線体
１１ 配線
１２ 芯体
２０ ＰＣＢ
２１ リジッド基板
２２ 突起電極
２３ 配線
３０ 多心極細同軸線
３１ 極細同軸線
３２ 中心導体
３２ａ 最先端部
３３ 中間絶縁体
３４ 外側導体
３５ 外皮
３６ 係合部
３６ａ 側壁部
３６ｂ 底壁部
３７ 連結部
３７ａ 先端部
３７ｂ 最先端部
４０ ＰＣＢ
４１ リジッド基板
４２ 配線
４２ａ 突起電極
４３ 設置配線
４３ａ 突起電極
４５ 枠部材
６０ ＦＰＣ
６１ フレキシブル基板
６２ 配線
６２ａ 突起電極
６５ ガイド部材

Claims (8)

1. 第１部材の第１導体と、第２部材の第２導体とを接続するための接続部材の形成方法であって、
   熱収縮機能を有する板状の基材に、貫通孔を形成する工程（ａ）と、
   前記工程（ａ）の後または前に、基材を加熱し、延伸した後、前記基材を延伸したままで、冷却する工程（ｂ）と、
   を含む接続部材の形成方法。
2. 請求項１記載の接続部材の形成方法において、
   前記基材として、ポリエチレン樹脂を用いる、接続部材の形成方法。
3. 請求項１または２記載の接続部材の形成方法において、
   前記基材として、複数の微細孔を有する多孔質樹脂を用いる、接続部材の形成方法。
4. 請求項３記載の接続部材の形成方法において、
   前記貫通孔を形成した後、前記貫通孔の内壁面および各微細孔内を含む表面領域に、めっき層を含む貫通導電部材を形成する工程をさらに含む、接続部材の形成方法。
5. 請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の接続部材において、
   前記貫通孔を形成した後、前記貫通孔の内壁部に、ホットメルト接着剤層を形成する工程をさらに含む、接続部材の形成方法。
6. 請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の接続部材の形成方法における全ての工程と、
   前記全ての工程の後、前記貫通孔に、前記第１導体の一部と前記第２導体の一部とを挿入する工程（ｃ）と、
   前記工程（ｃ）の後、前記基材を加熱して、熱収縮させることにより、前記貫通孔内で，前記第１導体および第２導体を互いに導通させる工程（ｄ）と、
   を含む接続構造の形成方法。
7. 第１部材の第１導体と、第２部材の第２導体とを接続するための接続部材であって、
   請求項１〜６のうちいずれか１つに記載の接続部材の形成方法によって形成された接続部材。
8. 請求項７記載の接続部材と、
   第１導体を有する第１部材と、
   第２導体を有する第２部材と、
   を備え、
   前記第１導体の一部と第２導体の一部とは、前記接続部材の貫通孔内に挿入され、互いに導通した状態で、前記基材の熱収縮力によって固定されている、接続構造。

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