JP5123925B2 - マーキング方法、マークの認識方法および配線回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、マーキング方法、マークの認識方法および配線回路基板、詳しくは、配線回路基板のマークの形成に好適に用いられるマーキング方法、それによりマークが形成された配線回路基板、および、マークの認識方法に関する。

従来より、支持基板およびそれに支持される導体パターンを備える配線回路基板の製造工程において、製品の管理上、配線回路基板の支持基板にロット番号（製品番号）などを印刷によって表示することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、特許文献１では、支持基板の側面に、レーザ光線を照射して、被照射部を黒色化させることによって、図形記号を形成することが提案されている。

特開昭６１−１５９７９０号公報

しかるに、特許文献１の照射方法では、被照射部に多くの凹凸を形成して、被照射部を黒色化させている。そのため、図形記号を、光学的に確実に認識にすることが困難となる場合がある。
本発明の目的は、マークを光学的に確実に認識することができる、マーキング方法、マークの認識方法および配線回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明のマーキング方法は、金属層を備える配線回路基板の前記金属層にマークを形成するマーキング方法であって、底面の表面粗さＲａが１３０ｎｍ未満である凹部が形成されるように、レーザ光を前記金属層に照射することにより、前記マークを形成することを特徴としている。
また、本発明のマーキング方法では、前記底面の表面粗さが、前記マーク以外の前記金属層の表面の表面粗さに対して、２０ｎｍ以上小さいことが好適である。
また、本発明のマーキング方法では、前記底面の光沢度（ＪＩＳ Ｚ ８７４１、入射角４５度）が、３００％以上であることが好適である。

また、本発明のマーキング方法では、前記レーザ光が、ＹＶＯ４レーザ光および／またはＹＡＧレーザ光であることが好適である。
また、本発明のマーキング方法では、前記レーザ光を、０．６〜６Ｗの出力および２００ｍｍ／秒以上の走査速度で、前記金属層に照射することが好適である。
また、本発明のマークの認識方法は、上記したマーキング方法により、前記金属層に前記マークを形成するマーキング工程、および、前記マークを、認識装置を用いて認識する認識工程を備え、前記認識装置は、前記金属層に入射する入射光を発光する発光部と、前記入射光が前記金属層において反射された反射光を受光する受光部とを備え、前記発光部および前記受光部は、前記入射光の光軸と前記反射光の光軸とが一致するように配置され、前記発光部は、前記入射光の光軸と同一直線上にある直線光と、前記金属層に向かうに従って集光され、前記入射光の光軸に対して傾斜する傾斜光とを含む前記入射光を発光することを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板は、マークが形成される金属層を備え、前記金属層には、底面の表面粗さＲａが１３０ｎｍ未満である凹部が形成されるように、前記マークが形成されていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板では、前記底面の表面粗さが、前記マーク以外の前記金属層の表面の表面粗さに対して、２０ｎｍ以上小さいことが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記底面の光沢度（ＪＩＳ Ｚ ８７４１、入射角４５度）が、３００％以上であることが好適である。

本発明のマーキング方法および配線回路基板では、底面が平坦となる凹部が形成されるように、マークが形成される。
そのため、凹部の底面における光に対する反射率または光沢度が高いため、光を底面に照射すれば、底面において反射する反射光を確実に受光することができる。その結果、鮮明なマークの画像を認識することができる。

また、本発明のマークの認識方法によれば、発光部によって、直線光を凹部の底面で確実に反射させることができるとともに、傾斜光を凹部の側面で確実に反射させることができる。そのため、凹部の底面と側面とで反射された反射光を、受光部によって確実に受光することにより、鮮明なマークの画像を得ることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を複数備える回路付サスペンション基板集合体シートの平面図を示す。 図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の拡大平面図を示す。 図３は、図２に示す回路付サスペンション基板の断面図であって、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。 図４は、図２に示すマークの拡大平面図を示す。 図５は、図４に示すマークの拡大断面図を示す。 図６は、回路付サスペンション基板集合体シートの製造方法を示す工程図であり、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層、導体層およびカバー絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、回路付サスペンション基板および支持枠を形成する工程、（ｄ）は、マークを形成する工程を示す。 図７は、認識装置の概略構成図を示す。 図８は、図７に示す入射光の拡大図を示す。 図９は、実施例１において、認識装置により認識したマークの画像処理図である。 図１０は、実施例１において、表面粗さ計により観察したマークの断面の画像処理図である。 図１１は、実施例２において、認識装置により認識したマークの画像処理図である。 図１２は、実施例２において、表面粗さ計により測定したマークの断面の画像処理図である。 図１３は、比較例１において、認識装置により認識したマークの画像処理図である。 図１４は、比較例１において、表面粗さ計により観察したマークの断面の画像処理図である。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を複数備える回路付サスペンション基板集合体シートの平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の拡大平面図、図３は、図２に示す回路付サスペンション基板の断面図であって、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、図４は、図２に示すマークの拡大平面図、図５は、図４に示すマークの拡大断面図、図６は、回路付サスペンション基板集合体シートの製造方法を示す工程図、図７は、認識装置の概略構成図、図８は、図７に示す入射光の拡大図を示す。

なお、図１および図２において、後述するベース絶縁層５およびカバー絶縁層７は省略されている。また、図７において、紙面手前側を「右側」、紙面奥側を「左側」、紙面左側を「前側」、紙面右側を「後側」、紙面上側を「上側」、紙面下側を「下側」とする。
図１において、この配線回路基板としての回路付サスペンション基板集合体シート１は、複数の回路付サスペンション基板２と、回路付サスペンション基板２を分離可能に支持する支持枠３とを備えている。

回路付サスペンション基板２は、長手方向（先後方向、図１における縦方向）に延びており、支持枠３内において、長手方向および幅方向（長手方向に直交する方向、図１における横方向）において、互いに間隔を隔てて整列状態で配置されており、切断可能なジョイント部１４を介して支持枠３にそれぞれ支持されている。
この回路付サスペンション基板２は、図２に示すように、金属層としての金属支持基板４の上に、磁気ヘッド（図示せず）およびリード・ライト基板（図示せず）を電気的に接続するための導体層６が形成されている。

導体層６は、後述するが、磁気ヘッドの端子に接続するためのヘッド側端子９と、リード・ライト基板の端子に接続するための外部側端子１０と、ヘッド側端子９および外部側端子１０を接続するための配線８とを一体的に備える導体パターンとして形成されている。
回路付サスペンション基板２は、図３に示すように、金属支持基板４と、金属支持基板４の上に形成されるベース絶縁層５と、ベース絶縁層５の上に形成される導体層６と、ベース絶縁層５の上に、導体層６を被覆するように形成されるカバー絶縁層７とを備えている。

金属支持基板４は、図１および図２に示すように、支持枠３とともに金属支持層１１（図６（ａ）参照）から形成されており、平面視略矩形平板形状に形成されている。また、金属支持基板４を含む金属支持層１１を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、その厚みは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１８〜３０μｍである。

また、後述するマーク１６以外の金属支持基板４（金属支持層１１）の表面（上面）の表面粗さＲａ１は、例えば、１２５〜２５０ｎｍ、好ましくは、１３０〜２００ｎｍである。なお、金属支持基板４の表面の表面粗さＲａ１は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠し、非接触式表面粗さ計により測定される表面粗さの算術平均Ｒａとして求められる。

また、マーク１６以外の金属支持基板４（金属支持層１１）の表面における上方からの光（例えば、後述する直線光２８、図７参照）に対する光沢度（ＪＩＳＺ８７４１、入射角４５度）ｇ１は、例えば、１００％以上３００％未満、好ましくは、２００〜２５０％である。
また、マーク１６以外の金属支持基板４（金属支持層１１）の表面における波長４００〜８５０ｎｍ（より具体的には、４２０〜４７０ｎｍ）の上方からの光（例えば、後述する直線光２８、図７参照）に対する反射率ｒ１（入射角４５度）は、例えば、５０〜７０％、好ましくは、５０〜５５％である。

なお、「表面における光に対する反射率」とは、略上方（後述する直線光２８および傾斜光２９を含む）からの光（入射光）のうち、表面において略上方に向かって反射する光（上方反射光）の割合とする。つまり、全入射光のうち、表面において吸収された光（吸収光）、表面を透過した光（透過光）、および、表面において側方に向かって反射する光（側方反射光）を除外した光の割合とする。

また、金属支持基板４には、金属支持層１１を開口することにより形成されるスリット１５および後で詳述するマーク１６が形成されている。スリット１５は、長手方向において、ヘッド側端子９を挟む、平面視略コ字状に開口されている。
ベース絶縁層５は、図３に示すように、金属支持基板４の上面に、導体層６が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。また、図２において図示しないが、ベース絶縁層５は、金属支持基板４におけるマーク形成領域２０（後述）が露出するように形成されている。

ベース絶縁層５を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、精度のよいパターンでベース絶縁層５を形成するためには、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。また、その厚みは、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。

導体層６は、図２に示すように、互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線８と、配線８の先端部および後端部からそれぞれ連続するヘッド側端子９および外部側端子１０とを一体的に備えている。なお、配線８は、前側のスリット１５の後方において、幅方向両端部に配置されており、詳しくは、後側のスリット１５の後方において、幅方向途中（中央部）に、金属支持基板４におけるマーク形成領域２０（後述）が確保されるように形成されている。

導体層６を形成する導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などの金属箔が用いられ、導電性、加工性の観点から、好ましくは、銅箔が用いられる。また、導体層６の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。また、配線８の幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍであり、配線８間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍである。

カバー絶縁層７は、図３に示すように、ベース絶縁層５の上において、配線８を被覆し、かつ、ヘッド側端子９および外部側端子１０が露出するパターンとして形成されている。また、カバー絶縁層７は、金属支持基板４におけるマーク形成領域２０が露出するように形成されている。
カバー絶縁層７を形成する絶縁体としては、上記したベース絶縁層５と同様の絶縁体が用いられる。また、その厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、４〜１５μｍである。

支持枠３は、図１および図２に示すように、後述する回路付サスペンション基板集合体シート１の製造方法（図６参照）において、金属支持層１１を、回路付サスペンション基板２の外形形状に対応するように、部分的に外形加工する（切り抜く）ことにより、ジョイント部１４および金属支持基板４とともに形成される。
また、支持枠３には、回路付サスペンション基板２を囲む支持枠３の内周縁部と、回路付サスペンション基板２の外周縁部との間に、回路付サスペンション基板２を囲む平面視略枠状の隙間溝１２が形成されている。

また、上記した隙間溝１２を横切るようにして、ジョイント部１４が形成されている。ジョイント部１４は、支持枠３の内周縁部から隙間溝１２を通過して回路付サスペンション基板２の外周縁部に至るように形成されている。
このように、回路付サスペンション基板集合体シート１は、複数の回路付サスペンション基板２が、幅方向および長手方向において、互いに間隔を隔てて整列状態で配置され、回路付サスペンション基板２が、ジョイント部１４を介して支持枠３に支持されることにより形成されている。

そして、回路付サスペンション基板２の金属支持基板４には、マーク１６が形成されている。
マーク１６は、例えば、回路付サスペンション基板２の製品情報（設計情報）などを表示する製品番号（ロット番号）表示部、回路付サスペンション基板２の良否を表示する良否表示部などである。

マーク１６は、金属支持基板４のマーク形成領域２０に形成されている。
マーク形成領域２０は、金属支持基板４の後側のスリット１５の後方において、幅方向中央に設けられ、長手方向に延び、マーク１６が形成される領域として区画されている。
マーク１６は、マーク形成領域２０において、長手方向に沿って配置され、例えば、製品番号の文字（数字、図２に示される「００００」）が、長手方向に間隔を隔てて１列に整列配置されている。

また、マーク１６は、図５に示すように、金属支持基板４の上面から下方に向かって凹む凹部１７から形成されている。
凹部１７は、金属支持基板４の表面から下方に向かうに従って幅狭となるテーパ形状に切り欠かれるように形成にされている。具体的には、凹部１７は、底面１８と、底面１８の両端部から上側に向かって延びる内側面１９とから区画されている。

底面１８は、実質的に平坦状の平滑面として形成されており、マーク１６の周囲の金属支持基板４の上面と略平行状に形成されている。
また、平坦な底面１８とは、その表面粗さＲａ２が、次に説明する範囲内にある場合として定義される。
すなわち、底面１８の表面粗さＲａ２は、例えば、１３０ｎｍ未満、好ましくは、１２０ｎｍ以下、さらに好ましくは、１１５ｎｍ以下、とりわけ好ましくは、１００ｎｍ以下である。なお、底面１８の表面粗さＲａ２は、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、７５ｎｍ以上に設定される。

上記した底面１８の表面粗さＲａ２が、上記した範囲を超える場合には、底面１８に多くの凹凸が形成されており、後述するマーク１６の反射光３１と、マーク１６以外の反射光３１との光量の差を十分に確保できず、認識工程において、マーク１６を精度よく認識できない場合がある。
これにより、底面１８の表面粗さＲａ２は、マーク１６以外の表面の表面粗さＲａ１に対して、小さく、例えば、２０ｎｍ以上小さく、さらに好ましくは、４０ｎｍ以上小さく設定される。すなわち、下記式（１）における差ＤＲａ、つまり、マーク１６以外の表面の表面粗さＲａ１から、底面１８の表面粗さＲａ２を差し引いた値ＤＲａが、例えば、０ｎｍを超過し、好ましくは、２０ｎｍ以上、さらに好ましくは、４０ｎｍ以上である。

ＤＲａ＝（Ｒａ１−Ｒａ２） （１）
上記した差ＤＲａが上記範囲に満たない場合には、後述するマーク１６の反射光３１と、マーク１６以外の反射光３１との光量の差を十分に確保できず、認識工程において、マーク１６を精度よく認識できない場合がある。
なお、底面１８の表面粗さＲａ２は、上記したマーク１６以外の金属支持基板４の表面の表面粗さＲａ１と同様の方法によって求められる。

また、底面１８の上方からの光（例えば、後述する直線光２８）に対する光沢度（ＪＩＳＺ８７４１、入射角４５度）ｇ２は、例えば、３００％以上、好ましくは、４００％以上である。
すなわち、底面１８の光沢度ｇ２は、マーク１６以外の金属支持基板４の表面の光沢度ｇ１に比べて、高く、例えば、５０％以上高く、好ましくは、１５０％以上高く設定される。

すなわち、下記式（２）における差Ｄｇ、つまり、底面１８の光沢度ｇ２から、マーク１６以外の金属支持基板４の表面の光沢度ｇ１を差し引いた値Ｄｇが、例えば、０％を超過し、好ましくは、１００％以上である。
Ｄｇ＝（ｇ２−ｇ１） （２）
底面１８の光沢度ｇ２が上記範囲内にあり、また、差Ｄｇが、上記範囲内にあれば、認識工程において、マーク１６を精度よく認識することができる。

また、底面１８とマーク１６以外の金属支持基板４の上面との間の長さＤ、つまり、凹部１７の深さＤは、例えば、０．１〜１０μｍ、好ましくは、１〜２．５μｍである。
底面１８の深さＤが上記範囲に満たない場合には、凹部１７を確実に形成できず、平坦な底面１８を形成できない場合がある。
一方、底面１８の深さＤが上記範囲を超える場合には、長い照射時間を必要とするため、その分、平坦な底面１８を形成できない場合がある。また、内側面１９（後述）における反射光３１を受光部２４（後述、図７参照）が受光できず、反射光３１を十分な光量で得られない場合がある。さらに、製造コストが増大する場合がある。

内側面１９は、底面１８とマーク１６の金属支持基板４の上面とに連続しており、底面１８の両端部から上方斜め外側に向かって延びるように形成されている。
次に、回路付サスペンション基板集合体シート１の製造方法について、図６を参照して説明する。
この方法では、まず、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、支持枠３に支持される回路付サスペンション基板２を用意（製造）する。

すなわち、まず、図６（ａ）に示すように、金属支持層１１を用意する。金属支持層１１は、図１が参照されるように、平面視略矩形平板形状に形成されている。
次いで、この方法では、図６（ｂ）に示すように、金属支持層１１の上に、ベース絶縁層５、導体層６およびカバー絶縁層７を順次形成する。
ベース絶縁層５を形成するには、例えば、金属支持層１１の上面全面に、合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱および硬化させる。その後、エッチングなどにより、上記したパターンに形成する。また、感光性の合成樹脂を用いる場合には、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布および乾燥後、露光および現像し、その後、必要に応じて、加熱および硬化させる。また、ベース絶縁層５を形成するには、合成樹脂から、上記したパターンのフィルムを予め形成して、そのフィルムを、金属支持層１１の上面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

なお、ベース絶縁層５は、金属支持基板４のマーク形成領域２０が露出するように形成する。
次いで、導体層６を、ベース絶縁層５の上に形成する。導体層６を形成するには、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、アディティブ法が用いられる。

次いで、カバー絶縁層７を、ベース絶縁層５の上に、導体層６を被覆するように形成する。
カバー絶縁層７を形成するには、例えば、ベース絶縁層５および導体層６を含む金属支持層１１の上面全面に、上記した合成樹脂の溶液を塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱および硬化させる。その後、エッチングなどにより上記したパターンに形成する。また、感光性の合成樹脂を用いる場合には、ベース絶縁層５および導体層６を含む金属支持層１１の上面全面に、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布および乾燥後、露光および現像し、その後、必要に応じて、加熱および硬化させる。また、カバー絶縁層７を形成するには、カバー絶縁層７を形成するには、合成樹脂から、上記したパターンのフィルムを予め形成して、そのフィルムを、導体層６およびベース絶縁層５の上に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

なお、カバー絶縁層７は、金属支持基板４のマーク形成領域２０と、導体層６のヘッド側端子９および外部側端子１０とが露出するように形成する。
次いで、図６（ｃ）に示すように、回路付サスペンション基板２および支持枠３を同時に形成する。
回路付サスペンション基板２および支持枠３を形成するには、例えば、エッチング、穿孔などによって、スリット１５（図２参照）および隙間溝１２に対応する金属支持層１１を開口する。

これにより、スリット１５および隙間溝１２を同時に形成して、金属支持基板４を備える回路付サスペンション基板２と、回路付サスペンション基板２を整列状態で支持する支持枠３とを、それらの間を連結するジョイント部１４ととともに、金属支持層１１から同時に形成する。
次いで、この方法では、図６（ｄ）に示すように、金属支持基板４のマーク１６を形成する（マーキング工程、マーキング方法）。

マーク１６を形成するには、底面１８が平坦となる凹部１７が形成されるように、レーザ光を金属支持基板４のマーク形成領域２０に照射する。
より具体的には、レーザ光を、回路付サスペンション基板２の上方から、マーク形成領域２０の上面に向けて、照射する。
レーザ光としては、例えば、固体レーザ光、液体レーザ光、気体レーザ光などが用いられる。好ましくは、固体レーザ光、気体レーザが用いられ、さらに好ましくは、金属支持基板４に効率よくマーキングする波長の観点から、固体レーザ光が用いられる。

固体レーザ光としては、例えば、ＹＶＯ４（イットリウム・バナデイト）、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ４、Ｙ_２Ｏ_３などの単結晶または多結晶を含む母体に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａなどのｄ−ブロック元素および／またはＮｄ、Ｙｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍなどのランタノイド元素を含むドーパント（活性種）が添加（ドープ）されたレーザ媒質が用いられる。

固体レーザ光として、金属支持基板４により一層効率よくマーキングする波長の観点から、好ましくは、ＹＶＯ４にＮｄが添加されたレーザ媒質（Ｎｄ：ＹＡＧ）を用いるＹＶＯ４レーザ光（波長１０６４ｎｍ）、ＹＡＧにＮｄが添加されたレーザ媒質（Ｎｄ：ＹＡＧ）を用いるＹＡＧレーザ光（波長１０６４ｎｍ）が用いられる。
気体レーザ光としては、例えば、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦなどのガスのランプが用いられるエキシマレーザ光が用いられ、具体的には、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザ光（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＦエキシマレーザ光（３５１ｎｍ）などが用いられる。

これらレーザ光は、単独使用または２種以上併用することができる。
また、レーザ光は、これを再生および増幅して得られるパルスレーザ光として用いることもできる。
これらレーザ光の波長は、例えば、１００〜１２００ｎｍであり、金属支持基板４に効率よくマーキングする波長の観点から、好ましくは、４００〜１１００ｎｍである。

レーザ光の照射条件は、出力に応じて適宜設定され、例えば、出力０．６〜６Ｗで、例えば、走査速度が、例えば、２００ｍｍ／秒以上、好ましくは、５００ｍｍ／秒以上、さらに好ましくは、１０００ｍｍ／秒以上であり、通常、５０００ｍｍ／秒以下、好ましくは、２０００ｍｍ／秒以下である。
レーザ光の走査速度が上記した範囲に満たない場合には、凹部１７の底面１８に多くの凹凸が形成されてしまい、マーク１６の反射光３１と、マーク１６以外の反射光３１との光量の差を十分に確保できず、認識工程において、マーク１６を精度よく認識できない場合がある。

また、レーザ光をパルスレーザ光として用いる場合には、パルスの繰り返し周波数が、例えば、１Ｈｚ〜８０ＭＨｚ、好ましくは、１〜１００ｋＨｚである。
その後、マーク１６を、図７に示す認識装置２１を用いて認識する（認識工程）。
図７において、認識装置２１は、マーク１６を認識するためのＡＯＩ装置であって、認識工程において回路付サスペンション基板集合体シート１が後側から前側に向かって搬送（後述）されるように設けられている。

認識装置２１は、同軸照明による認識方式が単独で採用され、回路付サスペンション基板集合体シート１の上側に配置されており、発光部２２と、ハーフミラー２３と、受光部２４とを備えている。
発光部２２は、認識装置２１の上側後方に配置されており、支持板３９およびそれに支持される光源３２を備えている。

支持板３９は、上下方向および左右方向に沿う略矩形平板状に形成されている。
光源３２は、照射光２６をハーフミラー２３に照射するために設けられており、支持板３９の前面に配置され、照射口が前側に向かうように配置されている。光源３２は、例えば、ＬＥＤ（発光ダイオード）、蛍光灯、白熱灯、ハロゲン灯などからなり、好ましくは、入射光２７（後述）の波長の観点から、ＬＥＤからなる。光源３２は、好ましくは、複数のＬＥＤが上下方向および左右方向に沿って複数整列配置されている。

また、発光部２２には、図示しないが、光源３２から照射される照射光２６が次に説明するハーフミラー２３に所定の幅で集光されるように、遮蔽板などの光調整手段などが設けられている。
発光部２２は、光源３２から照射光２６を発光（照射）し、照射光２６を、必要により光調整手段によって、ハーフミラー２３に向かって集光させる。照射光２６の光軸（照射光軸）２６は、前後方向に沿って延び、光源３２の中心とハーフミラー２３の中心とを結ぶ線分と同一直線上にある。

ハーフミラー２３は、認識装置２１の略中央に配置されており、具体的には、発光部２２の前側に間隔を隔てて対向配置されている。ハーフミラー２３は、前側に向かって下方に傾斜するように配置されている。
ハーフミラー２３は、同軸照明に用いられる公知のハーフミラーからなり、具体的には、発光部２２から前方に照射された照射光２６を下側に反射可能で、かつ、回路付サスペンション基板集合体シート１において反射された反射光３１を上側に透過可能に形成されている。

発光部２２から照射された照射光２６は、ハーフミラー２３によって下側に反射されて入射光２７となる。
また、ハーフミラー２３の下面（後面）は、必要により、入射光２７が回路付サスペンション基板集合体シート１の表面に集光されるように、凹状など、適宜の形状に湾曲されていてもよい。

入射光２７の光軸としての入射光軸３３は、上下方向に沿って延び、回路付サスペンション基板集合体シート１とハーフミラー２３の中心とを結ぶ線分と同一直線上にある。
そして、上記した発光部２２による照射光２６の前方への照射およびハーフミラー２３における照射光２６の下方への反射により、入射光２７は、図８に示すように、入射光軸３３と同一直線上にある直線光２８と、回路付サスペンション基板集合体シート１に向かうに従って集光される傾斜光２９とを連続して含んでいる。

直線光２８は、図７に示すように、照射光２６がハーフミラー２３の中央において反射された光であり、直線光２８は、上下方向にわたって入射光軸３３と一致している。
傾斜光２９は、照射光２６がハーフミラー２３の中央以外の部分（周辺部）において反射された光であって、下方に向かうに従って入射光軸３３に近接するように、入射光軸３３に対して傾斜している。また、傾斜光２９は、図８に示すように、広角光３０および狭角光３８を連続して含んでいる。

広角光３０は、入射光軸３３との成す角度αが、例えば、５度を超過し、３０度未満、好ましくは、５度を超過し、２０度以下、さらに好ましくは、５度を超過し、１５度以下である。
狭角光３８は、入射光軸３３との成す角度βが、例えば、０度を超過し、５度以下である。

また、入射光２７の波長（つまり、照射光２６の波長）は、例えば、５５０〜８５０ｎｍ、好ましくは、６００〜７５０ｎｍである。
受光部２４は、図７に示すように、認識装置２１の上側中央に配置され、具体的には、ハーフミラー２３の上側に間隔を隔てて対向配置されている。また、受光部２４は、その下面が、反射光３１を受光する受光面となるように配置されている。

具体的には、受光部２４は、例えば、近赤外線カメラ、ＣＣＤカメラなどからなり、好ましくは、汎用性の観点から、ＣＣＤカメラからなる。
また、反射光３１の光軸としての反射光軸３４は、上下方向に沿って延び、回路付サスペンション基板集合体シート１と受光部２４の受光面の中心とを結び、ハーフミラー２３の中心を通過する線分と同一直線上にある。すなわち、発光部２２および受光部２４は、反射光軸３４が入射光軸３３と一致するように配置されている。

また、認識装置２１には、ＣＰＵ（図示せず）および支持台２５が設けられている。
図示しないＣＰＵは、受光部２４に接続されている。
支持台２５は、その上面が、回路付サスペンション基板集合体シート１の下面と摺動可能、かつ、支持可能な平滑面として形成されている。
認識装置２１の上記した部材の寸法は、上記した広角光３０を含む傾斜光２９が形成されるように適宜設定されている。具体的には、ハーフミラー２３の長さ（上下方向および前後方向に傾斜する傾斜方向長さ）Ｌ１が、例えば、２０〜３０ｍｍに設定され、左右方向長さ（図示されない）が、例えば、３０〜４０ｍｍに設定され、幅（左右方向長さ）が、例えば、２０〜４０ｍｍに設定され、ハーフミラー２３の中心と支持台２５の上面との間隔（上下方向長さ、ワークディスタンス）が、例えば、５〜１０ｍｍに設定されている。

そして、上記した認識装置２１を用いて、マーク１６を認識するには、まず、認識装置２１において、発光部２２により照射され、上記した直線光２８および傾斜光２９を含む入射光２７を、回路付サスペンション基板２のマーク１６に入射させる。
具体的には、入射光２７を回路付サスペンション基板集合体シート１の上側から回路付サスペンション基板集合体シート１の上面に向けて照射する。

より具体的には、図８が参照されるように、入射光２７を、マーク形成領域２０に入射させる。
次いで、図７に示すように、入射光２７が金属支持基板４のマーク形成領域２０において反射して、マーク形成領域２０から反射する反射光３１が、ハーフミラー２３を介して、受光部２４によって検知される。

続いて、受光部２４によって検知した反射光３１の光量を、ＣＰＵ（図示せず）によってデータ処理して、画像処理図（回路付サスペンション基板２の平面視における画像処理図であって、図９、図１１および図１３参照。）を形成し、形成した画像処理図において、マーク１６を現すことにより、マーク１６の製品番号および／または良否を認識する。
詳しくは、マーク１６において反射された反射光３１と、マーク１６以外のマーク形成領域２０において反射された反射光３１との光量の差によって、マーク１６のパターンデータを取得して、ＣＰＵにより、画像処理図を形成する。マーク１６は、画像処理図に現されており、それに基づいて、例えば、回路付サスペンション基板２の製品情報および／または良否などを正確に認識する。

上記したマーキング方法およびそれによりマーキングされた回路付サスペンション基板２では、底面１８が平坦となる凹部１７が形成されるように、マーク１６が形成される。
そのため、凹部１７の底面１８における光に対する光沢度ｇ２が、マーク１６以外の金属支持基板４の上面における光に対する光沢度ｇ１がよりも高いため、光を底面１８に照射することにより、底面１８において反射する反射光３１を確実に受光することができる。

その結果、鮮明なマーク１６の画像を認識することができる。
また、上記した認識方法によれば、発光部２２によって、直線光２８を凹部１７の底面１８で確実に反射させることができるとともに、傾斜光２９を凹部１７の内側面１９で確実に反射させることができる。
そのため、凹部１７の底面１８と内側面１９とで反射された反射光３１を、受光部２４によって確実に受光することにより、より一層鮮明なマーク１６の画像を得ることができる。

なお、上記した説明では、マーク形成領域２０を、金属支持基板４の上面に形成しているが、例えば、図示しないが、金属支持基板４の下面に形成することもできる。
また、上記した説明では、マーク形成領域２０を、回路付サスペンション基板２の内側に、回路付サスペンション基板２と１対１対応で設けているが、例えば、図１および図２に仮想線で示すように、回路付サスペンション基板２の外側に、回路付サスペンション基板集合体シート１と１対１対応で設けることもできる。

図１および図２の仮想線で示すように、マーク形成領域２０は、１枚の回路付サスペンション基板集合体シート１に対応して設けられ、具体的には、金属層としての支持枠３の幅方向一方側の先側に形成されている。
この回路付サスペンション基板集合体シート１では、マーク形成領域２０に形成されるマーク１６の画像を鮮明に認識することにより、１枚の回路付サスペンション基板集合体シート１の製品情報（例えば、回路付サスペンション基板２の個数など）、および／または、良否（例えば、回路付サスペンション基板２の不良品および／または良品の個数など）などを正確に認識することができる。

さらに、マーク形成領域２０を、回路付サスペンション基板２の内側および外側の両方に形成することもできる。
また、上記した説明では、マーク１６を、金属支持層から形成される金属支持基板４および／または支持枠３に形成しているが、例えば、図示しないが、導体層６に形成することもできる。

この場合には、マーク１６を、金属層としての導体層６におけるカバー絶縁層７から露出する露出部分を、マーク形成領域２０として区画し、これに、マーク１６を形成する。
また、上記した図６の説明では、図６（ｄ）に示すマーキング工程（方法）を、図６（ｃ）に示す回路付サスペンション基板２および支持枠３の形成後に実施しているが、マーキング工程の順序は、特に限定されず、いずれの工程の前後に実施することができる。

例えば、マーキング工程と回路付サスペンション基板２および支持枠３の形成工程とを逆にすることもできる。具体的には、ベース絶縁層５、導体層６およびカバー絶縁層７の形成（図６（ｂ）参照）後、マーキング工程（図６（ｄ）参照）を実施し、次いで、回路付サスペンション基板２および支持枠３を形成する（図６（ｃ）参照）。
また、上記した図８の説明では、傾斜光２９が広角光３０を含むように、発光部２２が発光しているが、例えば、図示しないが、広角光３０を含まず、狭角光３８のみを含むように、発光部２２が発光することもできる。

好ましくは、傾斜光２９が広角光３０を含むように、発光部２２が発光する。
これにより、傾斜光２９を凹部１７の内側面１９でより一層確実に反射させることができ、より一層鮮明なマーク１６の画像を得ることができる。
また、上記した回路付サスペンション基板集合体シート１を、図７の仮想線で示す搬送装置３５を用いて長尺（ロール）状に形成し、続いて、上記した認識工程を、搬送装置３５を用いて搬送して実施することもできる。

搬送装置３５は、例えば、前後方向に互いに間隔を隔てて配置される巻出ロール３６および巻取ロール３７を備えている。認識装置２１は、前後方向において、巻出ロール３６および巻取ロール３７の間に配置されている。搬送装置３５では、巻出ロール３６に長尺状の回路付サスペンション基板集合体シート１がロール状に巻回されており、その回路付サスペンション基板集合体シート１を、巻取ロール３７が巻き取るようにロール搬送する。そして、このロール搬送の途中において、認識工程を実施する。

また、上記した説明では、本発明のマーキング方法を、回路付サスペンション基板２の製品情報および／または良否の表示に用いているが、例えば、図示しないが、金属支持基板４が補強層として設けられたフレキシブル配線回路基板などの各種配線回路基板の製品情報および／または良否の表示にも広く適用することができる。

実施例１
まず、平面視矩形平板形状のステンレスからなる金属支持層を用意した（図６（ａ）参照）。金属支持層の厚みは２０μｍであり、その表面粗さ（Ｒａ１、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４）は１３０ｎｍであり、光沢度（ＪＩＳＺ８７４１、入射角４５度）は２５０％であった。

次いで、金属支持層の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布した後、加熱、乾燥し、フォトマスクを介して露光し、アルカリ現像液で現像した。その後、加熱、硬化させることにより、ポリイミドからなるベース絶縁層を、マーク形成領域が露出する上記したパターンで形成した。ベース絶縁層の厚みは１０μｍであった。
次いで、金属支持基板およびベース絶縁層の上に、クロム薄膜と銅薄膜とを、スパッタリング法によって順次形成することにより、金属薄膜を形成した。その後、金属薄膜の表面に、導体層の逆パターンで、ドライフィルムレジストからめっきレジストを形成した。その後、電解銅めっきにより、導体層を形成した後、めっきレジストを剥離し、導体パターンから露出する金属薄膜をエッチングにより形成した。導体層の厚みは１２μｍであった。

次いで、ベース絶縁層および導体層を含む金属支持層の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布した後、加熱、乾燥し、フォトマスクを介して露光し、アルカリ現像液で現像した。その後、加熱、硬化させることにより、ポリイミドからなるカバー絶縁層を、マーク形成領域が露出する上記したパターンで形成した（図６（ｂ）参照）。カバー絶縁層の厚みは５μｍであった。

次いで、スリットおよび隙間溝をエッチングにより開口した（図６（ｃ）参照）。
これにより、金属支持層から、金属支持基板を備える回路付サスペンション基板と支持枠とを、ジョイント部とともに同時に形成して、回路付サスペンション基板集合体シートを得た。
その後、レーザ光照射装置（型番ＭＤ−Ｓ９９１０、キーエンス社製）を用いて、レーザ光をマーク形成領域の表面に照射することにより、マーク（数字：００００）を形成した（図６（ｄ）参照）。

なお、マークの凹部の深さは２．０μｍであり、凹部の底面は平坦であった。
レーザ光の照射条件を以下に記載する。
レーザ媒質 ：ＹＶＯ４レーザ光（Ｎｄ：ＹＡＧ）
波長 ：１０６４ｎｍ
パルス ：有り（繰り返し周波数３０ｋＨｚ）
出力 ：６Ｗ（最高出力の１００％）
走査速度 ：１５００ｍｍ／秒
次いで、上記した図７に示すように、発光部（光源：ＬＥＤ、４２０〜４７０ｎｍ）と、ハーフミラーと、受光部（ＣＣＤカメラ）とを備える認識装置（型番ＣＶ−５０００、キーエンス社製）を用意した。

なお、この認識装置では、発光部は、直線光と傾斜光とを有するように発光可能であり、傾斜光は狭角光を含んでおり、狭角光の入射光軸との成す角度（β）が、０度を超過し、５度以下である。
そして、この認識装置を用いて、形成されたマークを認識した。認識装置のデータ処理により得られた画像処理図を図９に示す。

別途、表面粗さ計（型番Ｗｙｋｏ ＮＴ３３００、非接触式、Ｖｅｅｃｏ社製）によって、マークの底面の表面粗さ（算術平均Ｒａ、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４）を測定した。その結果を、表１に示す。
また、光沢計（型番ＶＧ ２０００、日本電色社製）によって、マークの底面の光沢度を測定した。その結果を、表１に示す。

また、レーザー顕微鏡（型番ＯＬＳ３０００，オリンパス社製）によって、マークの断面を観察した。その画像処理図を図１０に示す。
実施例２
出力を０．６Ｗ（最高出力の１０％）に変更した以外は、実施例１と同様にして、マークを形成し、続いて、マークを認識し、データ処理により得られた画像処理図を図１１に示す。なお、マークの凹部の深さは１．２μｍであり、凹部の底面は平坦であった。

その後、光沢計（型番ＶＧ ２０００、日本電色社製）によるマークの底面の光沢度、および、表面粗さ計（型番Ｗｙｋｏ ＮＴ３３００、非接触式、Ｖｅｅｃｏ社製）によるマークの底面の表面粗さをそれぞれ実施し、それらの結果を表１に示す。
また、レーザー顕微鏡（型番ＯＬＳ３０００，オリンパス社製）によって、マークの断面を観察した。その画像処理図を図１２に示す。

比較例１
走査速度を１００ｍｍ／秒に変更し、出力を３Ｗ（最高出力の５０％）に変更した以外は、実施例１と同様にして、マークを形成し、続いて、マークを認識し、データ処理により得られた画像処理図を図１３に示す。なお、マークの凹部の深さは３．５μｍであり、凹部の底面には多くの凹凸があった。

その後、光沢計（型番ＶＧ ２０００、日本電色社製）によるマークの底面の光沢度、および、表面粗さ計（型番Ｗｙｋｏ ＮＴ３３００、非接触式、Ｖｅｅｃｏ社製）によるマークの底面の表面粗さをそれぞれ実施し、それらの結果を表１に示す。
また、レーザー顕微鏡（型番ＯＬＳ３０００，オリンパス社製）によって、マークの断面を観察した。その画像処理図を図１４に示す。

１ 回路付サスペンション基板集合体シート
２ 回路付サスペンション基板
３ 支持枠
４ 金属支持基板
１６ マーク
１７ 凹部
１８ 底面
２１ 認識装置
２２ 発光部
２４ 受光部
２７ 入射光
２８ 直線光
２９ 傾斜光
３１ 反射光
３３ 入射光軸
３４ 受光光軸

Claims (9)

1. 金属層を備える配線回路基板の前記金属層にマークを形成するマーキング方法であって、
   底面の表面粗さＲａが１３０ｎｍ未満である凹部が形成されるように、レーザ光を前記金属層に照射することにより、前記マークを形成することを特徴とする、マーキング方法。
2. 前記底面の表面粗さが、前記マーク以外の前記金属層の表面の表面粗さに対して、２０ｎｍ以上小さいことを特徴とする、請求項１に記載のマーキング方法。
3. 前記底面の光沢度（ＪＩＳ Ｚ ８７４１、入射角４５度）が、３００％以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載のマーキング方法。
4. 前記レーザ光が、ＹＶＯ４レーザ光および／またはＹＡＧレーザ光であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のマーキング方法。
5. 前記レーザ光を、０．６〜６Ｗの出力および２００ｍｍ／秒以上の走査速度で、前記金属層に照射することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のマーキング方法。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載のマーキング方法により、前記金属層に前記マークを形成するマーキング工程、および、
   前記マークを、認識装置を用いて認識する認識工程を備え、
   前記認識装置は、
   前記金属層に入射する入射光を発光する発光部と、
   前記入射光が前記金属層において反射された反射光を受光する受光部とを備え、
   前記発光部および前記受光部は、前記入射光の光軸と前記反射光の光軸とが一致するように配置され、
   前記発光部は、前記入射光の光軸と同一直線上にある直線光と、前記金属層に向かうに従って集光され、前記入射光の光軸に対して傾斜する傾斜光とを含む前記入射光を発光することを特徴とする、マークの認識方法。
7. マークが形成される金属層を備え、
   前記金属層には、底面の表面粗さＲａが１３０ｎｍ未満である凹部が形成されるように、前記マークが形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
8. 前記底面の表面粗さが、前記マーク以外の前記金属層の表面の表面粗さに対して、２０ｎｍ以上小さいことを特徴とする、請求項７に記載の配線回路基板。
9. 前記底面の光沢度（ＪＩＳ Ｚ ８７４１、入射角４５度）が、３００％以上であることを特徴とする、請求項７または８に記載の配線回路基板。