JP5111667B2 - 変換ストリッピング法により化学物質を定量する方法およびそのために用いられるセンサーチップ - Google Patents
変換ストリッピング法により化学物質を定量する方法およびそのために用いられるセンサーチップ Download PDFInfo
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Description
本発明の目的は、変換ストリッピング法により高精度に化学物質を定量する方法およびそのために用いられるセンサーチップを提供することにある。
[1]: 試料溶液に含有される化学物質を定量する方法であって、以下の工程(a)〜(e)を具備する:
センサチップ(300)を用意する工程(a)、ここで、
前記センサチップ(300)は、基板(30)、一対の作用電極(31a/31b)、対極(33)、ストリッピング電極(34)、およびストリッピングゲル(35)を具備し、
一対の作用電極(31a/31b)は、第1作用電極(31a)および第2作用電極(31b)から構成され、
前記ストリッピング電極(34)の表面は銀を具備し、
前記ストリッピングゲル(35)は、前記ストリッピング電極(34)を覆い、
前記ストリッピングゲル(35)は、一対の作用電極(31a/31b)および対極(33)のいずれをも覆わず、
前記ストリッピングゲル(35)は、基準電解質およびイオン液体を含有し、
前記ストリッピングゲル(35)は、水を含有せず、
前記イオン液体は疎水性かつ不揮発性であり、
前記イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンから構成され、
前記基準電解質は、前記陽イオンおよびハロゲン化物イオンから構成され、
センサチップの表面に、前記試料溶液を供給し、前記表面を前記試料溶液により被覆する工程(b)、ここで、
前記試料溶液は、前記化学物質および酸化還元物質を含有するか、または酸化還元物質により修飾された化学物質を含有し、
ポテンシオスタットにより前記第1作用電極(31a)に電位を印加し、かつ前記第2作用電極(31b)を前記ストリッピング電極(34)に電気的に接続し、第1作用電極(31a)、前記第2作用電極(31b)、および前記ストリッピング電極(34)の各表面上において以下の化学式(I)〜(III)によって表される反応をそれぞれ生じさせる工程(c)、
前記第1作用電極(31a):
(式中、nは整数を示し、mは正の整数を示す。)
前記第2作用電極(31b):
(式中、nは整数を示し、mは正の整数を示す。)
前記ストリッピング電極(34):
(式中、Xはヨウ素原子、臭素原子、又は塩素原子を示す。)
ここで、前記ハロゲン化銀は、前記ストリッピング電極(34)の表面上に堆積し、
前記第1作用電極(31a)および前記第2作用電極(31b)に電位が印加されない状態でストリッピング電極(34)に電位を印加し、ストリッピング電極(34)を流れた電流量を測定する工程(d)、および
前記電流量に基づいて前記酸化還元物質(還元体)の濃度を算出し、前記算出された濃度に基づいて前記化学物質を定量する工程(e)。
[2]: 上記項目1に記載の方法であって、
前記センサチップ(300)は、注入口(36)を有するカバー(37)をさらに具備し、
前記カバー(37)と前記センサチップ(300)との間には空間が形成されており、
前記工程(b)において、前記試料溶液は前記注入口(36)を介して前記センサチップ(300)の表面に供給される。
[3]: 上記項目[2]に記載の方法であって、
前記センサーチップはさらに空気孔(38)を具備し、
前記工程(b)において、前記空間に満たされていた空気が、前記空気孔(38)から排出される。
[4]: 上記項目[2]に記載の方法であって、
前記工程(b)の後には、前記空間に試料溶液が満たされる。
[5]: 上記項目[1]に記載の方法であって、
前記陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIから選択される。
群I:下記式IV-(1)〜IV-(6)で表される陽イオン
(式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、およびR8は、同一又は異なって、水素原子、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖又若しくは分岐鎖状アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し、R9、R10、R11、およびR12は、同一又は異なって、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状脂肪族炭化水素基、アラルキル基、又はアリール基を示す。)
群II:下記式V-(1)又はV-(2)で表される陰イオン
(式中、Rf1およびRf2は同一又は互いに異なって、炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基を示す。)
[6]: 上記項目[1]に記載の方法であって、
前記イオン液体は、以下から選択される:
1,3−ジメチルイミダゾリウム ビストリフルオロメタンスルフォニルイミド
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビストリフルオロメタンスルフォニルイミド
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム トリフレート
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミド
1,3−ジエチルイミダゾリウム ビストリフルオロメタンスルフォニルイミド
1,3−ジエチルイミダゾリウム トリフレート
1−ブチル−3−エチルイミダゾリウムトリフレート
1,2−ジメチル−3−エチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム ビストリフルオロメタンスルフォニルイミド
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム トリフレート
1−イロプロピル−3−メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド
1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド
N,N−プロピルメチルピロリジニウム ビストリフルオロメタンスルフォニルイミド
プロピルトリメチルアンモニウム ビストリフルオロメタンスルフォニルイミド
N,N−メチルプロピルピペリジニウム ビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、または
N−ブチルピリジニウム ビストリフルオロメタンスルフォニルイミド。
[7]: 変換ストリッピング法のためのセンサチップであって、以下を具備する:
基板(30)、
一対のくし型作用電極(31a/31b)、
対極(33)、
ストリッピング電極(34)、および
ストリッピングゲル(35)、
ここで、
一対の作用電極(31a/31b)は、第1作用電極(31a)および第2作用電極(31b)から構成され、
前記ストリッピング電極(34)の表面は銀を具備し、
前記ストリッピングゲル(35)は、前記ストリッピング電極(34)を覆い、
前記ストリッピングゲル(35)は、一対のくし型作用電極(31a/31b)および対極(33)のいずれをも覆わず、
前記ストリッピングゲル(35)は、基準電解質およびイオン液体を含有し、
前記イオン液体は疎水性であり、
前記イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンから構成され、
前記基準電解質は、前記陽イオンおよびハロゲン化物イオンから構成される。
[8]: 上記項目[7]に記載のセンサチップであって、
前記センサチップは、注入口(36)を有するカバー(37)をさらに具備し、
前記カバー(37)と前記センサチップ(300)との間には空間が形成されている。
[9] 上記項目[8]に記載のセンサチップであって、
前記カバー(37)はさらに空気孔(38)を具備する。
[11]: 上記項目[7]に記載のセンサチップであって、
前記陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIから選択される。
群I:下記式IV-(1)〜IV-(6)で表される陽イオン
(式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、およびR8は、同一又は異なって、水素原子、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し、R9、R10、R11、およびR12は、同一又は異なって、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状脂肪族炭化水素基基、アラルキル基、又はアリール基を示す。)
群II:下記式V-(1)又はV-(2)で表される陰イオン
(式中、Rf1およびRf2は同一又は互いに異なって、炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基を示す。)
[11]: 上記項目[7]に記載のセンサチップであって、
前記イオン液体は、以下から選択される:
1,3−ジメチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム トリフレート、
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(ペンタフルオロエタンスルフォニルイミド)、
1,3−ジエチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
1,3−ジエチルイミダゾリウム トリフレート、
1−ブチル−3−エチルイミダゾリウムトリフレート、
1,2−ジメチル−3−エチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム トリフレート、
1−イロプロピル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
N,N−プロピルメチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
プロピルトリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
N,N−メチルプロピルピペリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、または
N−ブチルピリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド。
まず、センサーチップ300が用意される。
図3は、実施の形態1によるセンサーチップ300を示す。図4は、ポテンシオスタット42に接続されたセンサーチップ300を概念的に示す。センサーチップ300は、基板30、一対のくし型作用電極31a/31b、参照極32、対極33、ストリッピング電極34、ストリッピングゲル35、およびカバー37を具備している。カバー37は必要に応じて具備され、試料溶液を注入するための注入口36および空気孔38を具備する。
一対のくし型作用電極31a/31bは、第1作用電極31a、および第2作用電極31bから構成される。
参照極32は、必要に応じて具備される。高い定量精度を考慮すれば、センサーチップ300は参照極32を具備することが好ましい。
ストリッピングゲル35は、基準電解質とイオン液体とを含有する。イオン液体は支持電解質として機能する。ストリッピングゲル35は、基準電解質およびイオン性液体が、試料溶液と混合しない様に設定される。ストリッピングゲル35の設定方法は特に制限されない。一例は、疎水性ポリマー中に、基準電解質及びイオン液体を担持および/又は封入することである。当該疎水性ポリマーの例は、フッ化ビニリデン‐ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、およびポリブチルアクリレートである。
(式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、およびR8は、同一又は異なって、水素原子、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し、R9、R10、R11、およびR12は、同一又は異なって、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状脂肪族炭化水素基、アラルキル基、又はアリール基を示す。)
式IV-(2)で表されるイソキノリウムイオンにおいて、好ましくは、R2は炭素数1〜6のヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子であり、R1、R3、R4、R5、R6、R7、およびR8は水素原子である。
式IV-(3)で表されるピリジニウムイオンにおいて、好ましくは、R1はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜6のアルキル基であり、R2、R3、R4、R5、およびR6は水素原子である。
式IV−(4)で表されるピロリジニウムイオンにおいて、好ましくは、R1はメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、およびt−ブチル基からなる群より選択され、R2は炭素数1〜6のヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子であり、R3、R4、R5、およびR6は水素原子である。
式IV−(5)で表されるピペリジニウムイオンにおいて、好ましくは、R1はメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、およびt−ブチル基からなる群より選択され、R2は炭素数1〜6のヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子であり、R3、R4、R5、R6およびR7は水素原子である。
式IV-(6)で表されるアンモニウムイオンにおいて、好ましくは、R9、R10、R11、およびR12は、同一又は互いに異なって、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、又はベンジル基である。
陰イオン:下記式V-(1)又はV-(2)で表される陰イオン。
(式中、Rf1およびRf2は同一又は互いに異なって、炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基を示す。)
式V-(2)で表される陰イオンにおいて、好ましくはRf1は、トリフルオロメチル基である。
1,3−ジメチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニルイミド)
1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム トリフレート
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(ペンタフルオロエタンスルフォニル)イミド
1,3−ジエチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
1,3−ジエチルイミダゾリウム トリフレート
1−ブチル−3−エチルイミダゾリウムトリフレート
1,2−ジメチル−3−エチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニルイミド
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム トリフレート
1−イロプロピル−3−メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニル)イミド
1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
N,N−プロピルメチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
プロピルトリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
N,N−メチルプロピルピペリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
N−ブチルピリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド。
溶解度の観点から、基準電解質は、陽イオンは、イオン液体と同一または類似の陽イオンから構成されることが好ましい。『類似の陽イオン』とは、イオン液体の陽イオンが式IV-(1)で表される陽イオンである場合は、式IV-(1)で表されるいずれかの陽イオンである。具体的には、イオン液体が1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドである場合は、基準電解質は1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムハライドであることが好ましい。
本実施形態によるセンサーチップを作製する手順が以下、説明される。
フォトレジストにより被覆された絶縁性基板が、パターン作製用のマスクを介して紫外光に照射され、続いてアルカリ現像を行う。パターンが形成された基板30上に、金属がスパッタされる。有機溶媒に残りのフォトレジストが溶解され、不要な金属を除去する。基板30の全面が絶縁膜により被覆される。電極上の絶縁膜がドライエッチングによって除去され、一対のくし型作用電極31a/31b、参照極32、対極33、およびストリッピング電極34を形成する。銀/塩化銀電極は、銀/塩化銀のペーストを参照電極32上に塗布して形成される。
ストリッピングゲル35は、以下のように形成され得る。
まず、密閉容器中においてフッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体が超音波によって、氷冷しながらアセトンに溶解され、アセトン溶液を調製する。1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムヨージドを含有する1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドがアセトン溶液に添加される。その後、アセトン溶液は攪拌され、ストリッピング電極34上に滴下される。最後に、アセトンは蒸発されて、ストリッピングゲル35を形成する。
上述されたセンサーチップ300の表面に、試料溶液が供給され、前記表面を前記試料溶液により被覆する。試料溶液は、本発明により定量される化学物質を含有する。当該化学物質の例は、抗原、抗体、核酸、細胞、細菌、ウィルス、ハプテン、および糖類である。
より好ましくは、試料溶液は、カバー37とセンサーチップ300との間の空間を満たす。これにより、試料溶液の容量を一定にすることが可能になる。
(工程(c))
工程(c)においては、スイッチ41aおよび41bは、いずれも各端子Aに接続され、第1作用電極31aに一定電位が印加される。さらに、第2作用電極(31b)はストリッピング電極(34)に電気的に接続され、一対のくし型作用電極31a・31bの間におけるレドックスサイクルを形成する。
酸化還元物質がフェロセンカルボン酸である場合、くし型作用電極31a・31bおよびストリッピング電極34上では、以下の化学式(VI)〜(VIII)に示される反応が生じる。
ハロゲン化銀が、銀からなるストリッピング電極34の表面上に析出される。
(式中、Xはヨウ素原子、臭素原子、または塩素原子を示す。)
工程(d)では、スイッチ41aおよび41bは、いずれも端子Bに接続される。第1作用電極31aおよび第2作用電極31bのいずれにも、電位は印加されない。ポテンショスタット42により、ストリッピング電極34が掃引される。以下の化学式(IX)に示されるように、工程(c)時に析出したハロゲン化銀が電気分解され、生成したハロゲン化物イオンが試料溶液に溶解する。
ストリッピング電極2:
(式中、Xはヨウ素原子、臭素原子、又は塩素原子を示す。)
工程(d)の溶解時において流れる電流量は、ハロゲン化銀の析出量に比例する。ハロゲン化銀の析出量は、酸化還元物質(還元体)の濃度および工程(c)において電位が印加された時間の積に比例する。すなわち、以下の等式が充足される。
30 基板
30a 電極領域
30b 接続領域
31a 第1作用電極
31b 第2作用電極
32 参照極
33 対極
34 ストリッピング電極
35 ストリッピングゲル
36 注入孔
37 カバー
38 空気孔
39 リード線
41 スイッチボックス
41a スイッチ
41b スイッチ
42 ポテンシオスタット
W ポテンシオスタットの作用電極
R ポテンシオスタットの参照電極
C ポテンシオスタットの対極
Claims (11)
- 試料溶液に含有される化学物質を定量する方法であって、以下の工程(a)〜(e)を具備する:
センサチップを用意する工程(a)、ここで、
前記センサチップは、基板、一対の作用電極、対極、ストリッピング電極、およびストリッピングゲルを具備し、
一対の作用電極は、第1作用電極および第2作用電極から構成され、
前記ストリッピング電極の表面は銀を具備し、
前記ストリッピングゲルは、前記ストリッピング電極を覆い、
前記ストリッピングゲルは、一対の作用電極および対極のいずれをも覆わず、
前記ストリッピングゲルは、基準電解質およびイオン液体を含有し、
前記ストリッピングゲルは、水を含有せず、
前記イオン液体は疎水性かつ不揮発性であり、
前記イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンから構成され、
前記基準電解質は、前記陽イオンおよびハロゲン化物イオンから構成され、
センサチップの表面に、前記試料溶液を供給し、前記表面を前記試料溶液により被覆する工程(b)、ここで、
前記試料溶液は、前記化学物質および酸化還元物質を含有するか、または酸化還元物質により修飾された化学物質を含有し、
ポテンシオスタットにより前記第1作用電極に電位を印加し、かつ前記第2作用電極を前記ストリッピング電極に電気的に接続し、第1作用電極、前記第2作用電極、および前記ストリッピング電極の各表面上において以下の化学式(I)〜(III)によって表される反応をそれぞれ生じさせる工程(c)、
前記第1作用電極:
前記第2作用電極:
前記ストリッピング電極:
ここで、前記ハロゲン化銀は、前記ストリッピング電極の表面上に堆積し、
前記第1作用電極および前記第2作用電極に電位が印加されない状態でストリッピング電極に電位を印加し、ストリッピング電極を流れた電流量を測定する工程(d)、および
前記電流量に基づいて前記酸化還元物質(還元体)の濃度を算出し、前記算出された濃度に基づいて前記化学物質を定量する工程(e)。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記センサチップは、注入口を有するカバーをさらに具備し、
前記カバーと前記センサチップとの間には空間が形成されており、
前記工程(b)において、前記試料溶液は前記注入口を介して前記センサチップの表面に供給される。 - 請求項2に記載の方法であって、
前記センサーチップはさらに空気孔を具備し、
前記工程(b)において、前記空間に満たされていた空気が、前記空気孔から排出される。 - 請求項2に記載の方法であって、
前記工程(b)の後には、前記空間に試料溶液が満たされる。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIから選択される。
群I:下記式IV-(1)〜IV-(6)で表される陽イオン
群II:下記式V-(1)又はV-(2)で表される陰イオン
- 請求項1に記載の方法であって、
前記イオン液体は、以下から選択される:
1,3−ジメチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニルイミド)
1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム トリフレート
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(ペンタフルオロエタンスルフォニル)イミド
1,3−ジエチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
1,3−ジエチルイミダゾリウム トリフレート
1−ブチル−3−エチルイミダゾリウムトリフレート
1,2−ジメチル−3−エチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニルイミド
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム トリフレート
1−イロプロピル−3−メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニル)イミド
1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
N,N−プロピルメチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
プロピルトリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
N,N−メチルプロピルピペリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド
N−ブチルピリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド。 - 変換ストリッピング法のためのセンサチップであって、以下を具備する:
基板、
一対のくし型作用電極、
対極、
ストリッピング電極、および
ストリッピングゲル、
ここで、
一対の作用電極は、第1作用電極および第2作用電極から構成され、
前記ストリッピング電極の表面は銀を具備し、
前記ストリッピングゲルは、前記ストリッピング電極を覆い、
前記ストリッピングゲルは、一対のくし型作用電極および対極のいずれをも覆わず、
前記ストリッピングゲルは、基準電解質およびイオン液体を含有し、
前記イオン液体は疎水性であり、
前記イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンから構成され、
前記基準電解質は、前記陽イオンおよびハロゲン化物イオンから構成される。 - 請求項7に記載のセンサチップであって、
前記センサチップは、注入口を有するカバーをさらに具備し、
前記カバーと前記センサチップとの間には空間が形成されている。 - 請求項8に記載のセンサチップであって、
前記カバーはさらに空気孔を具備する。 - 請求項7に記載のセンサチップであって、
前記陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIから選択される。
群I:下記式IV-(1)〜IV-(6)で表される陽イオン
群II:下記式V-(1)又はV-(2)で表される陰イオン
- 請求項7に記載のセンサチップであって、
前記イオン液体は、以下から選択される:
1,3−ジメチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム トリフレート、
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(ペンタフルオロエタンスルフォニルイミド)、
1,3−ジエチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
1,3−ジエチルイミダゾリウム トリフレート、
1−ブチル−3−エチルイミダゾリウムトリフレート、
1,2−ジメチル−3−エチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム トリフレート、
1−イロプロピル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
N,N−プロピルメチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
プロピルトリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、
N,N−メチルプロピルピペリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、または
N−ブチルピリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド。
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