JP5109013B2 - ガラス化硬化材料とそのパッケージ封止構成への応用 - Google Patents

ガラス化硬化材料とそのパッケージ封止構成への応用 Download PDF

Info

Publication number
JP5109013B2
JP5109013B2 JP2008311783A JP2008311783A JP5109013B2 JP 5109013 B2 JP5109013 B2 JP 5109013B2 JP 2008311783 A JP2008311783 A JP 2008311783A JP 2008311783 A JP2008311783 A JP 2008311783A JP 5109013 B2 JP5109013 B2 JP 5109013B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
vitrification
silica
particles
siragusital
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008311783A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010132511A (ja
Inventor
歸山敏之
Original Assignee
歸山 敏之
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 歸山 敏之 filed Critical 歸山 敏之
Priority to JP2008311783A priority Critical patent/JP5109013B2/ja
Publication of JP2010132511A publication Critical patent/JP2010132511A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5109013B2 publication Critical patent/JP5109013B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body

Description

この発明は常温で形成するガラス化硬化材料と、相対する基板の封止パターンスペース内にて均一に該材料を形成する方法と、該材料のパッケージ封止構成への応用に関するものである。
Micro Opt−Electro Mechanical System(MOEMS)素子、赤外線検出素子、CCDイメージング素子、有機ELフラットパネル素子等のパッケージ封止において密封性、耐薬品性、耐候性が得られるガラスとガラスを接合するガラス封止法、ガラスと金属を接合する溶融封止法、セラミックと金属のソルダリング封止法、金属と金属を接合する溶接封止法等、また標準封止性の有機ポリマー接着材による封止法等が広く用いられている。
それらの封止法にあってゲッター材をパッケージ内部に封入し素子動作を阻害する水分、酸素等ガスを吸着・捕獲しパッケージ内部雰囲気を維持する等の手法が併用される場合がある。
一方、パッケージ内部を反応性ガス雰囲気に維持する場合には、パッケージ封止材料は該雰囲気にあって腐蝕されてはならない。
下記参考文献から、産業界において実用化されている低温形成ガラス材料技術の中で、特に
に示される方法、 に説明される常温で形成するガラス化硬化材料にパッケージ封止応用への可能性が評価できる。 特許番号2538527、特許権者 森実敏倫、発明の名称 金属酸化物ガラスの膜、及び球体微粒子の製造方法に示される方法。 無機質コーティング剤 SIRAGUSITAL & HEATLESS GLASS技術説明書 新技術創造研究所 http://www.ntci.co.jp 低温硬化コーティング材 OAシリーズ 150度C以下の低温での硬化が可能なSiO2系材料 日産化学工業株式会社 http://www.nissanchem.co.jp/products/electrinic−mate.html Display Materials OPSTAR PJ5000 Series JSR株式会社 http://www.jsr.co.jp/pd/ec−pd.shtml 湿式超高圧微粒化 事例集 2008101000TA1 吉田機械興行株式会社 http://www.yoshidakikai.co.jp
常温でガラス材料を形成するSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体はSi−O結合の無機結合から成る非晶質SiO2を形成し、該非晶質SiO2は水分、ガスに対する耐浸透・透過性、紫外線に対する耐候性に優れた特性を有し、高信頼性のパッケージ封止を可能とする材料として高い潜在力を有する。
SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体を相対する基板の間に形成される封止パターンスペースに満たし常温においてガラス化ネットワーク反応を進行させる過程において、接着端のガラス状物質に該スペースからはみ出ようとする力が作用し、該スペース中央部付近のガラス状物質が欠乏し空洞が形成される結果封止不良となる。
SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体のガラス化ネットワーク過程を経てガラス化硬化を完了したガラス材料はペンタフルオロプロピオン酸(Pentafluoropropionic Acid)液により腐蝕される。
サブミクロンサイズの粒子粉体が有する大きな比表面積による界面張力の効果をSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液全体の界面張力を制御することに利用し、該粒子を分散した該シリカ液体、基板表面、雰囲気が同時に接する境界の断面の点に働く界面張力をバランス条件に設定し該シリカ液体のガラス化ネットワーク反応を進行させ該シリカ液体のガラス化硬化を完了させる。
SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体に該粒子を分散し、該シリカ液体がSi−O結合ガラス化ネットワーク反応過程にあって、分散している該粒子表面と化学結合しながら該粒子をガラス化過程の材料にとり込み充填しガラス化硬化を完了し形成するガラス化硬化材料の改質を計る。
サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体を相対する基板間に形成される接着パターンスペースに満たし常温においてガラス化ネットワーク反応を進行させる過程において、ガラス状物質が該スペース内に安定に留まった状態でガラス化硬化を完了し、封止パターンスペース全域にわたり均一なガラス化硬化材料で封止することが可能となる。
サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体から形成されるガラス化硬化材料は該粒子による分散・充填効果が該ガラス化硬化材料品質に反映され、該ガラス化硬化材料のペンタフルオロプロピオン酸(Pentafluoropropionic Acid)液に対する耐腐蝕性が向上する。
特許番号「2538527」、特許権者「森実敏倫」、発明の名称「金属酸化物ガラスの膜及び球体微粒子の製造方法に示される方法」に常温領域において金属酸化物ガラスを得る方法が明示されており、該特許に基づき常温で無機のガラス材料を形成するSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体が製品化されて新技術創造研究所株式会社から販売されている。新技術創造研究所のホームページhttp://www.ntci.co.jp/product.htmに常温ガラスコーティング剤「シラグシタール」(ヒートレスグラス)/SIRAGUSITAL―B4373(シラグシタール)の詳細が記載されている。
図1にSi―O結合から成るSiO2ネットワークを示す。
材料形成の理論は、アルコール可溶型有機ケイ素化合物、その他金属化合物を液中でイオン化し、触媒を使用して常温(室温〜200度C)でガラスと同じSi―O結合1から成るSiO2ネットワークを形成する手法である。
図2にSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)のガラス化反応式を示す。
式2aに示すように硼素B3+とハロゲンXから生成するBX 錯イオンが、式2bのようにM(OR)のMと極めて容易に交換してMX n+1錯イオンとなり、式2cに示す加水分解反応が促進され金属水酸化物を生成、式2dに示す脱水反応が促進にされる結果、常温領域において金属酸化物ガラス(ヒートレスグラス)が得られると推定されている。
SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体は常温で指触乾燥まで2−3時間、標準硬化(硬度H−2H)まで24時間、完全硬化(硬度9H)まで6日以上で達する。
常温で形成される材料膜質は環境上の汚染懸念物質となる有機物成分を一切含まない完全な無機質であり、鉛筆硬度9H、優れた耐候性、耐薬品性、耐水性、耐ガスバリア性、耐熱性といった特性を示す。
図3にSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体による封止工程を示す。
封止工程は下基板にSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液を塗布する工程3、SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液を塗布した下基板に上基板をボンディングする工程4、SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液ガラス化ネットワーク過程の工程5、SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化完了の工程6から成る。
SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体7を下基板8の所定場所に所定量をスクリーン印刷法やディスペンス法で塗布し、上基板9を下基板8にボンディングし、スペーサー10によって一定の厚みに設定される上下基板間スペース11に該液体7が満たされ、封止端12a、12bでははみ出し形状13a、13bとなり、該形状を保ってガラス化ネットワーク過程を経てシリカ液体がガラス化硬化を完了する。
上下基板間スペース11内のSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体7は接着部の端では外部雰囲気にさらされる状態でガラス化ネットワーク反応が進行し一週間程度で該反応は完結しガラス化硬化を完了する。
図4にSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体表面、基板表面、雰囲気が接する三相界の断面の点に作用する界面張力の関係を示す。
下基板8の表面15上に働く下基板8と雰囲気16の間の界面張力18とSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体7と下基板8の表面15との間の界面張力19、該シリカ液体7の表面14の法線上に働く該シリカ液体7と雰囲気16との間の界面張力20はそれぞれ外側に向けて作用し、該シリカ液体7が下基板8の表面15上で接触角θ21を成し、3つの張力18、19、20が作用する三相界の断面の点17の位置はこれら3つの張力18、19、20の力関係により時間の経過と共に移動する。
図5にガラス化ネットワーク過程にあるSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)が封止部の端から外側へ流動しはみ出していくことにより封止層内で空洞を形成する現象を示す。
ボンディングされた基板8、9の封止部の端は外部雰囲気16に曝されており上下基板間スペース11内のSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体7は三相界の断面の点23a、23b、23c、23dにおいて作用する3つの張力18、19、20の関係に依存し該断面の点の位置が該封止部の封止端12a、12bから外側に向かって移動し、さらにガラス化ネットワーク過程にある該シリカ液体22a、22bの状態においても非常にゆっくりした流動現象が継続しはみ出し部24a、24bを形成していく結果、封止パターン中央部付近のスペース11内で該過程にある該シリカ液体7が欠乏することにより空洞25を形成し、ガラス化硬化完了時にはガラス化硬化完了封止部26a、26bとガラス化硬化完了はみ出し部27a、27bが形成される様子を封止断面より示す。
このようにガラス化ネットワーク過程にあるガラス状物質が封止パターン中央部付近において欠乏することにより形成される空洞25により封止不良となる。
図6にペンタフルオロプロピオン酸(Pentafluoropropionic Acid)28を示す。
ペンタフルオロプロピオン酸(Pentafluoropropionic Acid)28は、SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体により形成されるガラス化硬化材料に残存する構造不連続性や有機成分を腐蝕するので、該ガラス化硬化材料の完全性品質を検査する試薬とし使用する。
図7にSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料をペンタフルオロプロピオン酸液30に24時間浸漬しその耐腐蝕性を検査した結果を示す。
SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体7からガラス化硬化を完了し形成される封止部26a、26bとはみ出し部27a、27bで封止した基板8、9を検査容器29内のペンタフルオロプロピオン酸液30に24時間浸漬し該封止部26a、26bと該はみ出し部27a、27bの耐腐蝕性を検査した結果、基板8、9挟まれた該封止部26a、26bは封止端12a、12bから腐蝕されること無く完全なままで封止を保持しているが、該はみ出し部27a、27bに溶出・剥離による欠損部31a、31bを観察した。
因みに、ペンタフルオロプロピオン酸液30は、有機成分を意図的に数%混入したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体から形成されるガラス化硬化材料で封止した基板8と基板9を該液30に24時間浸漬すると該ガラス化硬化材料がすべて溶出し封止性が全く失われてしまう程の腐蝕性を示すものである。
本発明内容を以下に説明する。
ミクロンレベルの粒子サイズによる粉体材料の粒子粉の比表面積は数m2/gであるが、粒子サイズをサブミクロンと小さくしていけば粒子中の全原子数に対して表面に存在する原子数が増加する結果、粒子粉の比表面積は数100m2/gに達し粒子の特性に対しその界面効果が顕在化してくる。
よってサブミクロンサイズの粒子をSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体に分散することによって該粒子粉体材料がもつ大きな比表面積による界面効果を利用し該粒子分散該シリカ液全体の界面張力を制御することができる。
図8にサブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体表面、基板表面、雰囲気が接する三相界の断面の点に作用する界面張力がバランス状態にあり該断面の点が静止する様子を示す。
サブミクロンサイズの粒子32を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体33、下基板8の表面15、雰囲気16の3者の接する3相界の断面の点34に作用する該表面15上に働く下基板8と雰囲気16の間の界面張力35と該粒子32を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体33と下基板8の表面15の間の界面張力36、該粒子32を分散した該SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体33表面37の法線上に働く該液体と雰囲気の間の界面張力38はそれぞれ外側に向けて作用し接触角ε39でバランス状態にあり、該粒子32を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体33、下基板8の表面15、雰囲気16の3者が接する3相界の断面の点34の位置は静止する。
図9にサブミクロンサイズの粒子分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体のガラス化硬化材料封止工程を示す。
封止工程はサブミクロンサイズの粒子32を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体33を下基板8に塗布する工程40、該シリカ液塗布下基板に上基板をボンディングする工程41、該シリカ液ガラス化ネットワーク過程の工程42、該シリカ液ガラス化硬化完了の工程43から成る。
サブミクロンサイズの粒子32を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体33を下基板8上に塗布し上基板9をボンディングし該粒子32を分散した該シリカ液体33がスペーサー10により確保される封止スペース11内を満たし封止12a、12bからはみ出し部44a、44bを形成し、ガラス化ネットワーク反応が進行中の該粒子32を分散した該シリカ液体45の状態においてもスペース11内に該液体45は安定に留まりはみ出し部44c、44dの形状を維持しガラス化硬化が完了した時に該粒子32を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)ガラス化硬化完了材料46とガラス化硬化完了はみ出し部47a、47bが形成される結果を封止断面方向より示す。
高信頼性のパッケージ封止を可能とする材料としての観点からは、サブミクロンサイズの粒子32を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)ガラス化硬化完了材料46にあって分散・充填するサブミクロンサイズの粒子の材料は無機化合物である、又は紫外線による光化学反応に耐性を持つSi−O結合エネルギーと同じか、それ以上の結合エネルギーを持つ結合から成る無機化合物であり、又は金属、セラミックである、又は、金属、金属酸化物、炭化物、窒化物、燐酸化物、硫化物、炭酸化物である、又はシリカ、ジルコニア、チタニア、アルミナ、酸化スズ、酸化インジュウム、窒化シリコン、窒化ボロン、窒化チタン、窒化アルミニウム、リン酸ボロン、炭酸リチウム、炭化シリコン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、グラファイト、シリコン、酸化セリウムが具体例として挙げられるがもちろんこれ等の材料に限定されるものではない。
また、SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体7に分散するサブミクロンサイズの粒子32の添加割合はガラス化硬化材料封止工程における界面張力制御要求、ガラス化硬化完了材料に求められる信頼性要求等から総合的に決定される。
図10に本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例1を示す。
SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体48の主剤49、触媒剤50(発売元:新技術創造研究所株式会社、製造元:大都産業株式会社)、疎水化処理を施したシリカ球状微粒子51(平均粒度分布0.1um)X−24−9163A(信越化学工業株式会社)、数mmの幅で枠状にくり貫き形状加工したインターポーザー硼珪酸ガラス52(例えば、ガラス板厚1.1mm、表面粗さRa1.3nm)、両面Al2O3光学窓コーティング処理を施した平面硼珪酸ガラス53(例えば、ガラス板厚1.1mm、表面粗さRa0.8nm)を準備する。
工程54で、SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体の主剤49と触媒剤50を9容量に対し1容量の割合で攪拌混合を行ないSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ標準液体55を調合し、工程56で該シリカ標準液体55にかさ密度がおよそ0.5g/ccの疎水化処理を施したサブミクロンサイズのシリカ粒子51を3容量追加し十分な攪拌による分散を行ない該粒子51を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体57を調合する。
工程58において数mm幅で数cm長さの格子に繰り返しくり貫き形状加工したインターポーザーガラス52の各格子枠の上に、サブミクロンサイズのシリカ粒子51を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体57をディスペンス乃至はスクリーン印刷により所定のパターン59、60に塗布したインターポーザーガラス61を準備し、工程62で両面光学窓コーティング処理を施した平面ガラス53を該インターポーザーガラス61上から所定の位置にボンデイングし、該平面ガラス53と該インターポーザーガラス61の間に形成される5um厚みのスペーサー10により形成されるスペース11内に該シリカ液体57を満たした時、該枠状に形状加工したインターポーザーガラス52の封止端からは図9に示すはみ出し部44a、44bの様にはみ出し部が光学窓コーティング処理を施した平面ガラス表面上に形成されるが該表面上に安定に留まり、工程63において該シリカ粒子51を分散した該シリカ液体57のガラス化ネットワーク反応過程を経て、工程64においてガラス化硬化を完了し該スペース11内で該シリカ粒子を分散・充填した該シリカ液体ガラス化硬化材料65を形成するまで、該ガラス化硬化材料65の封止端からのはみ出し部が最初の位置に安定に留まり、図9に示すはみ出し部47a、47bの様な形状に維持されているため該スペース内中央付近において該ガラス化硬化材料65は欠乏せず、該平面ガラスと該インターポーザーガラスは均一な該ガラス化硬化材料65により封止される。
図11にサブミクロンサイズのシリカ粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料をペンタフルオロプロピオン酸(Pentafluoropropionic Acid)液30に24時間浸漬しその耐腐蝕性を検査した結果を示す。
インターポーザー52と平面ガラス53の間のスペース11に形成されたサブミクロンサイズのシリカ粒子51を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料65は封止端12a,12bから腐食されること無く完全なまま保持されており、かつペンタフルオロプロピオン酸液30に直接曝される封止端でのはみ出し部66a、66bの表面にクラック67a、67bを生じたが該はみ出し部66a、66bが溶出するまでに至っておらず、該シリカ粒子の該シリカ液体ガラス化硬化材料への分散・充填効果はペンタフルオロプロピオン酸液30に対する耐腐蝕性向上に反映される結果により確認できる。
図12に本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例2を示す。
両面光学窓コーティング処理を施した平面硼珪酸ガラス基板68と枠状にくり貫き形状加工したインターポーザー硼珪酸ガラス69をサブミクロンサイズの粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料70により封止した窓ユニットを作成し、例えば光変調機能を有する可動マイクロミラーミラー素子構造71を例えば半導体集積回路を形成したシリコン基板72上に形成し、該シリコン基板72と該窓ユニットを封止材料73により封止し該可動マイクロミラーミラー構造71が動作する内部雰囲気74を外部雰囲気75から分離する。
封止材料73はサブミクロンサイズの粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料70とすることも可能である。
図13に本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例3を示す。
パッケージ基板76にインターポーザー77を封止材料73で封止したパッケージ容器に、MEMSセンサー、CCD等の素子78をパッケージ基板76にアタッチしワイヤボンド電気配線79を施し、最後にカバー基板80をサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料70によりインターポーザー77に封止し内部雰囲気74を外部雰囲気75から分離する。
封止材料73はサブミクロンサイズの粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料70とすることも可能である。
図14に本発明によるサブミクロン粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例4を示す。
サブミクロンサイズの粒子分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体33をパッケージカバー基板83の周辺縁にパターン塗布し、例えば有機EL等の薄膜から構成される固体素子81を形成したパッケージ基板82の上から位置合わせボンディングすることにより、スペーサ84によって確保されるスペース85で該基板82と該カバー基板83が相対し、相対する両基板の周辺縁部を該シリカ液体33で満たし、該シリカ液体33をガラス化ネットワーク反応させる過程を経て形成される該シリカ液体ガラス化硬化材料70により封止し、該素子81を外部雰囲気75から分離する。
図15に本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例5を示す。
サブミクロンサイズの粒子分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体33をパッケージカバー基板83の全面に塗布し、例えば有機EL等の薄膜から構成される固体素子81を形成したパッケージ基板82の上から位置合わせボンディングし、スペーサ84によって確保されるスペース85内全体を該シリカ液体33で満たし、該シリカ液体33をガラス化ネットワーク反応させる過程を経て形成される該シリカ液体ガラス化硬化材料70により該スペース85全体を充填し該素子81を埋め込み封止し外部雰囲気75から分離する。
図16に本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例6を示す。
例えば有機EL等の固体素子81を形成したパッケージ基板82の該素子形成面に、サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体33を均一に塗布し、ガラス化ネットワーク反応過程を経て形成される該シリカ液体ガラス化硬化材料70により該素子81を形成したパッケージ基板82の全面を保護コート封止し、該素子81を外部雰囲気75から分離する。
尚、サブミクロンサイズの粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料70は無色透明で10um厚さの光透過率は90%以上を示す。
サブミクロンサイズの粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料は高信頼性のパッケージ封止を可能とする高い潜在力を有し、MEMSウエハーレベルパッケージング、有機ELフラットパネル軽量化パッケージング等、新しいパッケージ開発においてその応用実用化が検討されていく。
Si―O結合から成るSiO2ネットワーク SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)のガラス化反応式 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体による封止工程 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体表面、基板表面、雰囲気が接する三相界の断面の点に作用する界面張力の関係 ガラス化ネットワーク過程にあるSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)が封止部の端から外側へ流動しはみ出していくことにより封止層内で空洞を形成する現象 ペンタフルオロプロピオン酸(Pentafluoropropionic Acid) SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料をペンタフルオロプロピオン酸液に24時間浸漬試験した結果 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体表面、基板表面、雰囲気が接する三相界の断面の点に作用する界面張力がバランス状態にあり該断面の点が静止する様子 サブミクロンサイズの粒子分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体のガラス化硬化材料封止工程 本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例1 サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料をペンタフルオロプロピオン酸液に24時間浸漬試験した結果 本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例2 本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例3 本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例4 本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例5 本発明によるサブミクロンサイズの粒子分散・充填SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料封止実施例6
1 Si−O結合
2a 硼素B3+とハロゲンXからBX 錯イオン生成
2b M(OR)のMと交換してMX n+1錯イオン生成
2c 加水分解反応の促進から金属水酸化物生成
2d 脱水反応の促進から常温領域で金属酸化物生成
3 下基板にSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液を塗布する工程
4 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液を塗布した下基板に上基板をボンディングする工程
5 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液ガラス化ネットワーク過程の工程
6 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液ガラス化硬化完了工程
7 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体
8 下基板
9 上基板
10 スペーサー
11 上下基板間スペース
12a 封止端
12b 封止端
13a はみ出し形状
13b はみ出し形状
14 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体表面
15 下基板表面
16 雰囲気
17 三相界の断面の点
18 下基板と雰囲気の間の界面張力
19 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体と下基板表面の間の界面張力
20 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体表面の法線上に働く該シリカ液体と雰囲気の間の界面張力
21 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体が下基板表面上で成す接触角θ
22a ガラス化ネットワーク過程にある上下基板間スペース内のSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体
22b ガラス化ネットワーク過程にある上下基板間スペース内のSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体
23a 三相界の断面の点
23b 三相界の断面の点
23c 三相界の断面の点
23d 三相界の断面の点
24a ガラス化ネットワーク過程においても非常にゆっくりした流動現象が続くことにより形成されるはみ出し部
24b ガラス化ネットワーク過程においても非常にゆっくりした流動現象が続くことにより形成されるはみ出し部
25 空洞
26a ガラス化硬化を完了し形成される封止部
26b ガラス化硬化を完了し形成される封止部
27a ガラス化硬化を完了し形成されるはみ出し部
27b ガラス化硬化を完了し形成されるはみ出し部
28 ペンタフルオロプロピオン酸(Pentafluoropropionic Acid)
29 検査容器
30 検査容器内のペンタフルオロプロピオン酸液
31 溶出・剥離による欠損部
31b 溶出・剥離による欠損部
32 サブミクロンサイズの粒子
33 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体
34 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体、下基板表面、雰囲気の3者の接する3相界の断面の点
35 下基板と雰囲気の間の界面張力
36 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体と下基板表面の間の界面張力
37 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体表面
38 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体と雰囲気の間の界面張力
39 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体が下基板表面上で成す接触角ε
40 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体を下基板ヘ塗布する工程
41 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体を塗布した下基板に上基板をボンディングする工程
42 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液ガラス化ネットワーク過程の工程
43 サブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液ガラス化硬化完了の工程
44a はみ出し部
44b はみ出し部
44c はみ出し部
44d はみ出し部
45 ガラス化ネットワーク反応が進行中のサブミクロンサイズの粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体
46 サブミクロンサイズの粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)ガラス化硬化完了材料
47a サブミクロンサイズの粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)ガラス化硬化完了はみ出し部
47b サブミクロンサイズの粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)ガラス化硬化完了はみ出し部
48 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体剤
49 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体剤の主剤
50 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体剤の触媒剤
51 疎水化処理を施したシリカ球状微粒子
52 数mmの幅で枠状にくり貫き形状加工したインターポーザー硼珪酸ガラス
53 両面Al2O3光学窓コーティング処理を施した平面硼珪酸ガラス
54 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体の主剤と触媒剤を混合・熟成する工程
55 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ標準液体
56 SIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ標準液にサブミクロンサイズのシリカ粒子を混合する工程
57 サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体
58 サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体をインターポーザーガラスに塗布する工程
59 インターポーザーガラスの各格子枠の上に所定のパターンで塗布されたサブミクロンサイズのシリカ粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体
60 インターポーザーガラスの各格子枠の上に所定のパターンで塗布したサブミクロンサイズのシリカ粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体
61 サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体を所定のパターンで塗布したインターポーザーガラス
62 両面光学窓コーティング処理を施した平面ガラスをサブミクロンサイズのシリカ粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体を所定のパターンで塗布したインターポーザーガラス上から所定の位置にボンデイングする工程
63 サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化ネットワーク反応過程工程
64 サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化の完了工程
65 サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料
66a サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化膜の封止端におけるはみ出し部
66b サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化膜の封止端におけるはみ出し部
67a サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化膜の封止端におけるはみ出し部表面から発生したクラック
67b サブミクロンサイズのシリカ粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化膜の封止端におけるはみ出し部表面から発生したクラック
68 両面光学窓コーティング処理を施した平面硼珪酸ガラス基板
69 枠状にくり貫き形状加工したインターポーザー硼珪酸ガラス
70 サブミクロンサイズの粒子を分散・充填したSIRAGUSITAL―B4373(ヒートレスグラス)シリカ液体ガラス化硬化材料
71 例えば光変調機能を有する可動マイクロミラーミラー素子構造
72 例えば半導体集積回路を形成したシリコン基板
73 封止材料
74 内部雰囲気
75 外部雰囲気
76 パッケージ基板
77 インターポーザー
78 MEMSセンサー、CCD等の素子
79 ワイヤボンド電気配線
80 カバー基板
81 固体素子
82 パッケージ基板
83 パッケージカバー基板
84 スペーサ
85 スペース












Claims (8)

  1. 常温で無機ガラス材料を形成するアルコール可溶型有機ケイ素化合物その他金属化合物、触媒を含むシリカ液体にサブミクロンサイズの粒子を分散し該粒子の比表面積増加による界面張力の効果をシリカ液全体の界面張力を制御することに利用し、基板表面、雰囲気、該粒子を分散させた該シリカ液体の3者の接する3相界の断面の点に作用する界面張力をバランス条件に設定することにより、該粒子を分散させた該シリカ液体に於いてアルコール可溶型有機ケイ素化合物、その他金属化合物が液中でイオン化し触媒の作用によって常温でガラスと同じSi−O結合から成るSiO2ネットワークを形成する反応過程にあるガラス状態物質を封止パターン上、乃至は該封止パターンスペース内に安定に留めながら該Si−O結合ネットワーク形成反応過程を経てその反応を完了させ、該サブミクロンサイズの粒子を分散・充填したガラス化硬化材料を該封止パターン上、乃至は該封止パターンスペース内に均一に形成する接着封止方法。
  2. 請求項1に示される接着封止方法により、常温で無機ガラス材料を形成するアルコール可溶型有機ケイ素化合物その他金属化合物、触媒を含むシリカ液体にサブミクロンサイズの粒子を分散し該粒子を分散させた該シリカ液体に於いてアルコール可溶型有機ケイ素化合物、その他金属化合物が液中でイオン化し触媒の作用によって常温でガラスと同じSi−O結合から成るSiO2ネットワークを形成する反応過程にあるガラス状態物質を封止パターン上、乃至は該封止パターンスペース内に安定に留めながら該Si−O結合ネットワーク形成反応過程を経てその反応を完了させて、該封止パターン上、乃至は該封止パターンスペース内に均一に形成される、該サブミクロンサイズの粒子を分散・充填してなるガラス化硬化材料。
  3. 請求項2に示されるサブミクロンサイズの粒子を分散・充填してなるガラス化硬化材料であり、該シリカガラス化硬化材料に分散・充填するサブミクロンサイズの粒子無機化合物材料であることを特徴とするガラス化硬化材料
  4. 請求項3に示されるシリカガラス化硬化材料に分散・充填するサブミクロンサイズの粒子無機化合物材料であることを特徴とするシリカガラス化硬化材料であり、該サブミクロンサイズの粒子はSi−O結合エネルギーと同じか、それ以上の結合エネルギーを持つ結合から成る無機化合物材料であることを特徴とするガラス化硬化材料
  5. パッケージ基板とパッケージカバー基板とをインターポーザーを間に挟んで封止するパッケージにおいて、パッケージ基板とインターポーザー間とパッケージカバー基板とインターポーザー間とのいずれか一方、あるいは両方の接着封止層が請求項2、3、4のいずれかに記載されるガラス化硬化材料であるパッケージ。
  6. パッケージ基板とパッケージカバー基板とが相対しスペースを形成して成る基板対の周辺縁部の接着封止層が請求項2、3、4のいずれかに記載されるガラス化硬化材料であるパッケージ。
  7. 固体素子が形成されたパッケージ基板の該素子形成面側とパッケージカバー基板とが相対し囲まれて形成されるスペースを充填して形成される接着封止層が請求項2、3、4のいずれかに記載されるガラス化硬化材料であるパッケージ。
  8. 固体素子が形成されたパッケージ基板上の該素子形成領域を覆う接着封止保護膜層が請求項2、3、4のいずれかに記載されるガラス化硬化材料であるパッケージ。
JP2008311783A 2008-12-08 2008-12-08 ガラス化硬化材料とそのパッケージ封止構成への応用 Expired - Fee Related JP5109013B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008311783A JP5109013B2 (ja) 2008-12-08 2008-12-08 ガラス化硬化材料とそのパッケージ封止構成への応用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008311783A JP5109013B2 (ja) 2008-12-08 2008-12-08 ガラス化硬化材料とそのパッケージ封止構成への応用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010132511A JP2010132511A (ja) 2010-06-17
JP5109013B2 true JP5109013B2 (ja) 2012-12-26

Family

ID=42344209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008311783A Expired - Fee Related JP5109013B2 (ja) 2008-12-08 2008-12-08 ガラス化硬化材料とそのパッケージ封止構成への応用

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5109013B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101710852B1 (ko) * 2012-02-27 2017-02-27 코닝 인코포레이티드 밀폐 실링 응용을 위한 낮은 Tg 유리 가스켓
JP5281188B1 (ja) 2012-11-26 2013-09-04 有限会社 ナプラ 絶縁性ペースト、電子デバイス及び絶縁部形成方法
JP5531151B1 (ja) * 2013-11-13 2014-06-25 日油技研工業株式会社 可逆性示温インキ及びそれを用いた温度管理インジケータ
JP6305037B2 (ja) * 2013-11-29 2018-04-04 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 接合材
CN113031254A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 觉芯电子(无锡)有限公司 微镜装置、微镜晶圆级封装方法及光学窗口雏形制作方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2538527B2 (ja) * 1992-09-21 1996-09-25 敏倫 森実 金属酸化物ガラスの膜および球体微粒子の製造方法
JPH08295870A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Toshiba Chem Corp 耐熱絶縁接着剤
JP2007197647A (ja) * 2005-12-27 2007-08-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 液状熱硬化性樹脂組成物、および接合材
JP5171050B2 (ja) * 2007-01-31 2013-03-27 株式会社日立製作所 画像表示装置、及び封着用ガラスフリット

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010132511A (ja) 2010-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5109013B2 (ja) ガラス化硬化材料とそのパッケージ封止構成への応用
Roman et al. Surface engineering of poly (dimethylsiloxane) microfluidic devices using transition metal sol− gel chemistry
Guillemot et al. Latex-templated silica films: tailoring porosity to get a stable low-refractive index
US8823154B2 (en) Encapsulation architectures for utilizing flexible barrier films
US20150315405A1 (en) Sealant Composition and Display Apparatus
TW200534331A (en) Non-porous adherent inert coatings and methods of making
US8747604B2 (en) Method for manufacturing a microfluidic chip, and related chip and plate
CA2522566A1 (en) Hermetically sealed glass package and method of fabrication
Kaya et al. Spectral changes in Si–O–Si stretching band of porous glass network upon ingress of water
Xu et al. Photochemistry-based method for the fabrication of SnO2 monolayer ordered porous films with size-tunable surface pores for direct application in resistive-type gas sensor
CN102540538A (zh) 一种液晶面板、液晶显示装置和面板制备方法
TW201606437A (zh) 紫外線可硬化塗覆物
US8123898B2 (en) Methods of bonding optical structures, bonding and silylation of optical structures, bonded optical structures, and silylated bonded optical structures
Matisons Silanes and siloxanes as coupling agents to glass: a perspective
Terai et al. Heterogeneous bonding between cyclo‐olefin polymer (COP) and glass‐like substrate by newly developed water vapor‐assisted plasma, aqua plasma cleaner
US20150233876A1 (en) Method for producing a chromatography-enrichment column
JP2017521336A (ja) 薄ガラス複合体および薄ガラスの貯蔵方法
WO2019000815A1 (zh) Led封装及其制作方法
Loizillon et al. In-depth study of coating multimodal porosity using ellipsometry porosimetry in desorption scanning mode
JP6650704B2 (ja) フレキシブル有機el表示装置
KR101718541B1 (ko) 글래스화 경화 재료, 그 접촉 밀봉 방법 및 패키지
Bascom The surface chemistry of moisture-induced composite failure
TW201710070A (zh) 裝配結構、形成裝配結構的方法與形成封閉式封膠結構的方法
Hu et al. Interfacial investigation and mechanical properties of glass-Al-glass anodic bonding process
JP5283177B2 (ja) バリアフィルムの水蒸気透過率測定器及び測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111118

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111202

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20111202

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20111226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120326

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120724

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120801

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees