JP5104023B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、例えば、タッチパネル機能を有する液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device having a touch panel function, and an electronic apparatus including such an electro-optical device.

この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、複数の画素部毎に、或いは任意の個数の画素部を一群とする群毎に光センサを配置し、画素部を透過する透過光による画像表示、及び指示手段を介した当該液晶装置への情報の入力を可能にする、所謂タッチパネル機能を有する液晶装置が提案されている(例えば、特許文献1乃至4参照。)。このような液晶装置では、指或いは指示部材等の指示手段が液晶装置の表示面に触れたこと、或いは表示面上で動いたことが光センサ等の受光素子によって検出され、当該液晶装置への情報の入力が可能になっている。   In a liquid crystal device which is an example of this type of electro-optical device, an optical sensor is disposed for each of a plurality of pixel units or for a group of an arbitrary number of pixel units as a group, and an image by transmitted light transmitted through the pixel units. There has been proposed a liquid crystal device having a so-called touch panel function that enables input of information to the liquid crystal device through display and instruction means (see, for example, Patent Documents 1 to 4). In such a liquid crystal device, it is detected by a light receiving element such as an optical sensor that an instruction means such as a finger or an indicator member has touched the display surface of the liquid crystal device or moved on the display surface. Information can be entered.

このような電気光学装置では、指示手段の周囲が明るい場合には、表示面に近づく、或いは表示面に接触する指示手段の影がその周囲の明るい領域と識別されることによって指示手段の画像が特定される。他方、このような電気光学装置では、指示手段の周囲が暗い場合には、指等の指示手段によって反射された検出用の光を外光と区別して検出することによって指示手段の画像が特定される(例えば、特許文献5参照。)。また、表示面に表示された画像の輝度が低い場合と、高い場合との夫々において指等の指示手段によって反射された反射光を検出し、これら反射光相互の差分をとることによって指示手段の位置を特定する技術も提案されている(例えば、特許文献6参照。)。   In such an electro-optical device, when the periphery of the instruction unit is bright, the shadow of the instruction unit that approaches or touches the display surface is identified as a bright area around the display unit, so that the image of the instruction unit is displayed. Identified. On the other hand, in such an electro-optical device, when the surroundings of the instruction means are dark, the image of the instruction means is specified by detecting the detection light reflected by the instruction means such as a finger separately from outside light. (For example, see Patent Document 5). Further, the reflected light reflected by the pointing means such as a finger is detected when the brightness of the image displayed on the display surface is low and when the brightness is high, and the difference between the reflected lights is obtained. A technique for specifying a position has also been proposed (see, for example, Patent Document 6).

一方、タッチパネル機能を有しない液晶装置では、黒画像を挿入することによって画像の表示品位を高める技術が提案されている(例えば、特許文献7参照。)。   On the other hand, for a liquid crystal device that does not have a touch panel function, a technique for improving the display quality of an image by inserting a black image has been proposed (see, for example, Patent Document 7).

特開平5−333369号公報JP-A-5-333369 特開平6−18846号公報JP-A-6-18846 特開平6−194681号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-194681 特開2004−45875号公報JP 2004-45875 A 特開2006−317682号公報JP 2006-317682 A 特開2004−318819号公報JP 2004-318819 A 特開2006−30741号公報JP 2006-30741 A

しかしながら、この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、光源であるバックライトの消灯した状態で、外光を遮光する指示手段の影を検出する場合、例えば夜間等の外光が弱い環境下では指示手段によって遮られなかった外光の光強度が元々低いため、指示手段の影を他の部分と識別して検出することが困難になる。   However, in a liquid crystal device which is an example of this type of electro-optical device, when detecting a shadow of an instruction unit that blocks outside light with a backlight as a light source turned off, for example, in an environment where outside light is weak such as at night Below, since the light intensity of the outside light that is not blocked by the instruction means is originally low, it becomes difficult to distinguish and detect the shadow of the instruction means from other parts.

また、この種の液晶装置では、バックライトから出射された光が指示手段によって反射され、当該反射光を光センサ等の光検出手段で検出することによって指示手段を検知する方法も考えられるが、反射光及び外光の光強度が同程度になる環境下では、指示手段を他の部分と識別して検知することが難しくなる。   In addition, in this type of liquid crystal device, a method of detecting the indication means by reflecting the light emitted from the backlight by the indication means and detecting the reflected light by a light detection means such as an optical sensor can be considered. In an environment where the light intensity of the reflected light and the external light is approximately the same, it is difficult to distinguish and detect the pointing means from other parts.

加えて、外光の光強度が高い環境下では、指示手段及び画像表示面間に回り込む光量が増大するため、表示面のうち指示手段が接触した接触領域に配置された光センサによって光が検出された信号と、指示手段が接触しなかった非接触領域に配置された光センサによって光が検出された信号との比が小さくなり、指示手段を他の部分と識別して検出することが困難である。   In addition, in an environment where the intensity of external light is high, the amount of light that wraps around between the pointing means and the image display surface increases, so that light is detected by a light sensor arranged in the contact area of the display surface where the pointing means contacts. The ratio between the detected signal and the signal detected by the optical sensor arranged in the non-contact area where the indicating means did not contact is small, and it is difficult to distinguish and detect the indicating means from other parts. It is.

よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、表示面を指示する指等の指示手段を外光の光強度に左右されず確実に検出できるタッチパネル機能を有した電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above problems and the like. For example, an electric device having a touch panel function capable of reliably detecting an instruction means such as a finger indicating a display surface regardless of the light intensity of external light. It is an object to provide an optical device and an electronic apparatus including such an electro-optical device.

本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に形成されており、指示手段によって指示される表示面の表示領域を構成する複数の画素部と、前記表示面に画像を表示する表示期間の一のタイミングにおいて前記表示面に黒画像が表示され、且つ、前記表示期間の他のタイミングにおいて前記黒画像より高い輝度を有する他の画像が表示されるように、前記複数の画素部を制御する制御手段と、前記基板上において前記表示領域に形成された光センサ部とを備える。   In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention includes a substrate, a plurality of pixel portions formed on the substrate and constituting a display area of a display surface indicated by an instruction unit, and the display A black image is displayed on the display surface at one timing of the display period for displaying an image on the screen, and another image having a higher brightness than the black image is displayed at another timing of the display period. And a control means for controlling the plurality of pixel portions, and an optical sensor portion formed in the display area on the substrate.

本発明に係る電気光学装置によれば、基板は、例えば、後述する画素部に設けられた、TFT等の画素スイッチング用素子が形成されたTFTアレイ基板である。   According to the electro-optical device according to the present invention, the substrate is, for example, a TFT array substrate on which pixel switching elements such as TFTs are provided in a pixel unit described later.

複数の画素部は、基板上の表示領域を構成するように、例えばマトリクス状に配列されている。複数の画素部の夫々が駆動されることによって所望の画像が表示される表示面は、指等の指示手段によって指示可能に構成されている。   The plurality of pixel portions are arranged in a matrix, for example, so as to constitute a display region on the substrate. A display surface on which a desired image is displayed by driving each of the plurality of pixel portions is configured to be instructed by an instruction unit such as a finger.

制御手段は、例えば、各画素部に画像信号を供給するデータ線駆動回路部、或いは画素部に走査信号を供給する走査線駆動回路部等の各種回路部の動作を制御する制御回路部であり、基板上、或いは、各回路部に電気的に接続された外部回路部である。このような制御手段の制御下において、複数の画素部は、表示面に画像を表示する表示期間の一のタイミングにおいて表示面に黒画像が表示し、且つ、表示期間の他のタイミングにおいて黒画像より高い輝度を有する他の画像を表示する。これら黒画像及び他の画像の夫々は、表示面における表示領域に各画像に応じて一様な輝度で表示される。言い換えれば、表示期間の一のタイミング及び他のタイミングの夫々のタイミングでおいて、表示面から互いに異なる輝度で一様な光強度の光が指示手段に向かって出射されることになる。   The control means is, for example, a control circuit unit that controls operations of various circuit units such as a data line driving circuit unit that supplies an image signal to each pixel unit or a scanning line driving circuit unit that supplies a scanning signal to the pixel unit. , An external circuit unit electrically connected to the circuit unit or to each circuit unit. Under the control of such a control means, the plurality of pixel units display a black image on the display surface at one timing of the display period for displaying an image on the display surface, and a black image at another timing of the display period. Display other images with higher brightness. Each of these black images and other images is displayed with a uniform brightness in accordance with each image in the display area on the display surface. In other words, light having a uniform light intensity with different luminance is emitted from the display surface toward the instruction means at one timing of the display period and at another timing of the display period.

光センサ部は、基板上において表示領域に形成されている。したがって、光センサ部は、一のタイミングにおいて、指示手段によって遮られなかった外光を検出すると共に、他のタイミングにおいて、表示面から出射された光が指示手段によって反射された反射光を検出する。黒画像及び他の画像が一定の間隔で、或いは不定の間隔で表示面に表示されるため、外光の光強度が変化した場合でも、指示手段を検出できる。より具体的には、例えば、当該電気光学装置の周囲に照射される外光の光強度が低い場合、即ち周囲が暗い場合には、黒画像より高い輝度を有する他の画像が表示面に表示される他のタイミングにおいて、光センサ部は、指示手段によって反射された反射光を検出することによって指示手段を他の部分と識別しつつ検出可能である。他方、外光の光強度が高い場合、即ち、周囲が明るい場合には、一のタイミングにおいて、光センサ部は、指示手段によって遮られなかった外光を検出することによって、指示手段の影を検出することが可能になり、当該影の位置に基づいて指示手段の位置を特定可能になる。   The optical sensor unit is formed in the display area on the substrate. Accordingly, the optical sensor unit detects external light that is not blocked by the instruction unit at one timing, and detects reflected light that is reflected from the display surface by the instruction unit at another timing. . Since the black image and other images are displayed on the display surface at regular intervals or at irregular intervals, the indication means can be detected even when the light intensity of external light changes. More specifically, for example, when the light intensity of the external light applied to the periphery of the electro-optical device is low, that is, when the periphery is dark, another image having higher brightness than the black image is displayed on the display surface. At another timing, the optical sensor unit can detect the indication means while distinguishing it from other parts by detecting the reflected light reflected by the indication means. On the other hand, when the light intensity of outside light is high, that is, when the surroundings are bright, at one timing, the light sensor unit detects the outside light not blocked by the pointing means, thereby shadowing the pointing means. It becomes possible to detect, and the position of the pointing means can be specified based on the position of the shadow.

したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、表示面を指示する指等の指示手段を、外光の光強度に左右されず確実に検出することが可能であり、指示手段を介して確実に情報を入力可能なタッチパネル機能を有する電気光学装置を提供できる。   Therefore, according to the electro-optical device according to the present invention, it is possible to reliably detect an instruction unit such as a finger indicating the display surface without being influenced by the light intensity of the external light. An electro-optical device having a touch panel function capable of inputting information can be provided.

本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記他の画像は、前記表示領域から青色光が出射されることによって前記表示面に表示された青色画像であってもよい。   In one aspect of the electro-optical device according to the invention, the other image may be a blue image displayed on the display surface by emitting blue light from the display region.

この態様によれば、青色光は、赤色光及び緑色光等の他の色光に比べて人間の視覚に認識され難い。したがって、例えば、連続したフレームの夫々に応じて表示面に表示された画像によって動画像を表示する際には、黒画像及び青色画像がこれらフレームに部分的に挿入される。したがって、この態様によれば、黒画像及び青色画像が視覚に認識されないようにしつつ、指示手段を検出することが可能である。   According to this aspect, blue light is less likely to be recognized by human vision than other color lights such as red light and green light. Therefore, for example, when a moving image is displayed by an image displayed on the display surface according to each of successive frames, a black image and a blue image are partially inserted into these frames. Therefore, according to this aspect, it is possible to detect the instruction unit while preventing the black image and the blue image from being visually recognized.

本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記基板から見て、前記表示面の反対側に配置された光源を更に備え、前記光源は、前記一のタイミングにおいて消灯され、前記他のタイミングにおいて点灯されていてもよい。   In another aspect of the electro-optical device according to the invention, the electro-optical device further includes a light source disposed on the opposite side of the display surface as viewed from the substrate, and the light source is turned off at the one timing and the other timing is provided. It may be turned on.

この態様によれば、一のタイミング及び他のタイミングにおいて、光源の点灯および消灯に応じて指示手段に向かって出射される光を調節でき、外光の強度が変化しても確実に指示手段を検出できる。   According to this aspect, at one timing and at another timing, the light emitted toward the instruction unit can be adjusted according to the turning on and off of the light source, and the instruction unit can be reliably operated even when the intensity of the external light changes. It can be detected.

本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device of the present invention.

本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。   Since the electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention, a cellular phone, an electronic notebook, a word processor, a monitor direct-view video tape recorder, a work capable of high-quality display are provided. Various electronic devices such as a station, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. In addition, as an electronic apparatus according to the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper can be realized.

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。   Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.

以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。なお、以下では、本発明に係る電気光学装置の一例として液晶装置を挙げる。   Hereinafter, embodiments of an electro-optical device and an electronic apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. Hereinafter, a liquid crystal device will be described as an example of the electro-optical device according to the invention.

<1:液晶装置>
<1−1:液晶装置の全体構成>
先ず、図1及び図2を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置1の全体構成を説明する。図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置1の平面図であり、図2は、図1のII−II´断面図である。本実施形態に係る液晶装置1は、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。
<1: Liquid crystal device>
<1-1: Overall Configuration of Liquid Crystal Device>
First, the overall configuration of the liquid crystal device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view of the liquid crystal device 1 as seen from the counter substrate side together with the components formed on the TFT array substrate, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG. The liquid crystal device 1 according to the present embodiment is driven by a TFT active matrix driving method with a built-in driving circuit.

図1及び図2において、液晶装置1では、本発明の「基板」の一例であるTFTアレイ基板10と、対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10及び対向基板20間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10及び対向基板20は、複数の画素部が設けられる表示領域たる画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。   1 and 2, in the liquid crystal device 1, a TFT array substrate 10, which is an example of the “substrate” of the present invention, and a counter substrate 20 are disposed to face each other. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are sealed regions located around the image display region 10a, which is a display region in which a plurality of pixel portions are provided. Are adhered to each other by a sealing material 52 provided on the surface.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. In the sealing material 52, a gap material such as glass fiber or glass beads for dispersing the distance (inter-substrate gap) between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 to a predetermined value is dispersed.

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、TFTアレイ基板10の中心から見て、この額縁遮光膜53より以遠が周辺領域として規定されている。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. However, part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side. There is a peripheral area located around the image display area 10a. In other words, particularly in the present embodiment, when viewed from the center of the TFT array substrate 10, the distance from the frame light shielding film 53 is defined as the peripheral region.

周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿い、且つ、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域10aの両側に設けられた二つの走査線駆動回路104間をつなぐため、TFTアレイ基板10の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜53に覆われるようにして複数の配線105が設けられている。   A data line driving circuit 101 and an external circuit connection terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 in a region located outside the sealing region in which the sealing material 52 is disposed in the peripheral region. The scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to the one side so as to be covered with the frame light shielding film 53. Further, in order to connect the two scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display region 10 a in this way, a plurality of the pixel lines are covered along the remaining side of the TFT array substrate 10 and covered with the frame light shielding film 53. Wiring 105 is provided.

TFTアレイ基板10上の周辺領域には、後述する光センサを含むセンサ部を制御するためのセンサ制御回路部201が形成されている。外部回路接続端子102は、外部回路及び液晶装置1を電気的に接続する接続手段の一例であるフレキシブル基板(以下、FPCと称す。)200に設けられた接続端子に接続されている。液晶装置1が有するバックライトは、FPC200に搭載されたIC回路等から構成されるバックライト制御回路202によって制御される。尚、センサ制御回路部201及びバックライト制御回路202の夫々は、液晶装置1に内蔵されていてもよいし、液晶装置1の外部に形成されていてもよい。   In the peripheral region on the TFT array substrate 10, a sensor control circuit unit 201 for controlling a sensor unit including an optical sensor described later is formed. The external circuit connection terminal 102 is connected to a connection terminal provided on a flexible substrate (hereinafter referred to as FPC) 200 which is an example of a connection means for electrically connecting the external circuit and the liquid crystal device 1. The backlight included in the liquid crystal device 1 is controlled by a backlight control circuit 202 configured by an IC circuit or the like mounted on the FPC 200. Each of the sensor control circuit unit 201 and the backlight control circuit 202 may be built in the liquid crystal device 1 or formed outside the liquid crystal device 1.

対向基板20の4つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。他方、TFTアレイ基板10にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。   Vertical conductive members 106 functioning as vertical conductive terminals between the two substrates are disposed at the four corners of the counter substrate 20. On the other hand, the TFT array substrate 10 is provided with vertical conduction terminals in a region facing these corner portions. Thus, electrical conduction can be established between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極9a上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板20上には、対向電極21の他、格子状又はストライプ状の遮光膜23、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。液晶装置1によって表示される画像は、対向基板20の両面のうち液晶層50に面しない側の表示面20sに表示される。尚、本実施形態では、説明の便宜上、偏光板及びカラーフィルタの図示を省略しているが、対向基板20上に偏光板及びカラーフィルタが配置されている場合には、図中において、液晶装置1の最上面が表示面になる。   In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, an alignment film is formed on the pixel electrode 9a after the pixel switching TFT, the scanning line, the data line and the like are formed. On the other hand, on the counter substrate 20, in addition to the counter electrode 21, a lattice-shaped or striped light-shielding film 23 and an alignment film are formed on the uppermost layer portion. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films. The image displayed by the liquid crystal device 1 is displayed on the display surface 20 s on the side of the opposite substrate 20 that does not face the liquid crystal layer 50. In the present embodiment, illustration of the polarizing plate and the color filter is omitted for convenience of explanation, but when the polarizing plate and the color filter are arranged on the counter substrate 20, the liquid crystal device is shown in the drawing. The top surface of 1 becomes the display surface.

液晶装置1は、図中TFTアレイ基板10の下側に配置されたバックライト206を備えている。バックライト206は、本発明の「光源」の一例であり、表示面20sの裏面側に配置されていることになる。バックライト206は、発光ダイオードの一例である点状光源の半導体発光素子が平面的に配列されることによって構成されている。バックライト206は、有機EL素子等の発光ダイオードを含んで構成されていてもよい。また、導光体により側面に配置された光源からの光を面状に発光させるサイドライト方式のバックライトが用いられてもよい。   The liquid crystal device 1 includes a backlight 206 disposed below the TFT array substrate 10 in the drawing. The backlight 206 is an example of the “light source” in the present invention, and is disposed on the back side of the display surface 20s. The backlight 206 is configured by planarly arranging semiconductor light emitting elements of a point light source, which is an example of a light emitting diode. The backlight 206 may include a light emitting diode such as an organic EL element. Further, a sidelight type backlight that emits light from a light source arranged on a side surface by a light guide in a planar shape may be used.

尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、これらのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。   1 and 2, on the TFT array substrate 10, in addition to the drive circuits such as the data line drive circuit 101 and the scanning line drive circuit 104, the image signal on the image signal line is sampled to obtain data. Sampling circuit that supplies lines, precharge circuit that supplies pre-charge signals of a predetermined voltage level to multiple data lines in advance of image signals, inspection of quality, defects, etc. of the electro-optical device during production or shipment An inspection circuit or the like may be formed.

<1−2:液晶装置の回路構成>
次に、図3及び図4を参照しながら、液晶装置1の回路構成を説明する。図3は、液晶装置1の主要な回路構成を示したブロック図であり、図4は、センサ制御回路部201の詳細な回路構成を示したブロック図である。
<1-2: Circuit Configuration of Liquid Crystal Device>
Next, the circuit configuration of the liquid crystal device 1 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a block diagram illustrating a main circuit configuration of the liquid crystal device 1, and FIG. 4 is a block diagram illustrating a detailed circuit configuration of the sensor control circuit unit 201.

図3及び図4において、液晶装置1は、センサ制御回路部201、バックライト制御回路部202、本発明の「制御手段」の一例である表示制御回路部203、本発明の「光センサ部」の一例であるセンサ部204、表示部205、及びバックライト206を備えて構成されている。   3 and 4, the liquid crystal device 1 includes a sensor control circuit unit 201, a backlight control circuit unit 202, a display control circuit unit 203 which is an example of the “control unit” of the present invention, and the “photosensor unit” of the present invention. For example, a sensor unit 204, a display unit 205, and a backlight 206 are provided.

表示部205は、TFTアレイ基板10上の画像表示領域10aに形成された複数の画素部から構成されている。表示制御回路部203は、走査線駆動回路104及びデータ線駆動回路101を備えて構成されており、外部回路部207から供給される画像信号を含む各種信号に応じた画像を表示部205が表示可能なように表示部205の動作を制御する。センサ部204は、表示部205と共に、TFTアレイ基板10上の画像表示領域10aに形成されている。   The display unit 205 includes a plurality of pixel units formed in the image display region 10 a on the TFT array substrate 10. The display control circuit unit 203 includes the scanning line driving circuit 104 and the data line driving circuit 101, and the display unit 205 displays images corresponding to various signals including image signals supplied from the external circuit unit 207. The operation of the display unit 205 is controlled as possible. The sensor unit 204 is formed in the image display region 10 a on the TFT array substrate 10 together with the display unit 205.

センサ制御回路部201は、センサ部204の動作を制御すると共に、バックライト206から出射される光源光の光強度を変更するための信号をバックライト制御回路部202に供給する。   The sensor control circuit unit 201 controls the operation of the sensor unit 204 and supplies a signal for changing the light intensity of the light source light emitted from the backlight 206 to the backlight control circuit unit 202.

ここで、図4を参照しながら、センサ制御回路部201の詳細な構成を説明する。図4に示すように、センサ制御回路部201は、画像処理回路部201a、及びメモリ201bを備えて構成されている。画像処理回路部201aは、指等の指示手段が検出される際に、指示手段が撮像された画像のデータを処理する。メモリ201bは、画像処理回路部201aから供給されたデータを記憶する。画像処理回路部201aは、メモリ201bに記憶されたデータを適時読み出し、指示手段の位置を特定する際に利用する。   Here, a detailed configuration of the sensor control circuit unit 201 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4, the sensor control circuit unit 201 includes an image processing circuit unit 201a and a memory 201b. The image processing circuit unit 201a processes data of an image captured by the instruction unit when the instruction unit such as a finger is detected. The memory 201b stores data supplied from the image processing circuit unit 201a. The image processing circuit unit 201a reads the data stored in the memory 201b in a timely manner and uses the data to specify the position of the instruction unit.

再び、図3において、バックライト制御回路部202は、外部回路部207及びセンサ制御回路部201の夫々から供給された信号に基づいてバックライト206の動作を制御する。バックライト206は、バックライト制御回路部202の制御下において、液晶装置1の表示面20sを指等の指示手段が指示したことを検知するための光源光を表示面20sに出射する。   In FIG. 3 again, the backlight control circuit unit 202 controls the operation of the backlight 206 based on signals supplied from the external circuit unit 207 and the sensor control circuit unit 201, respectively. Under the control of the backlight control circuit unit 202, the backlight 206 emits light source light for detecting that an instruction unit such as a finger indicates the display surface 20s of the liquid crystal device 1 to the display surface 20s.

バックライト206は、外部回路部207からバックライト制御回路部202を介して供給される画像信号に応じた画像を表示面に表示するための表示光を出射する表示用光源として兼用されている。   The backlight 206 is also used as a display light source that emits display light for displaying an image corresponding to an image signal supplied from the external circuit unit 207 via the backlight control circuit unit 202 on the display surface.

したがって、尚、指示手段を検出するための光源光は、画像表示領域10aに所望の画像を表示するために各画素部に供給される画像信号とは別の信号が画素部、或いは光源に供給されることによって、表示面20Sから指示手段に向かって出射される。加えて、このような光源光は、画像表示領域10aに所望の画像を表示する互いに連続した一連のフレーム中に挿入される。黒画像もこれら一連のフレーム中に挿入される。   Therefore, as the light source light for detecting the instruction means, a signal different from the image signal supplied to each pixel unit for displaying a desired image in the image display region 10a is supplied to the pixel unit or the light source. As a result, the light is emitted from the display surface 20S toward the instruction unit. In addition, such light source light is inserted into a series of consecutive frames that display a desired image in the image display area 10a. Black images are also inserted into these series of frames.

なお、バックライト206によれば、別途指示手段を検出ための検出用の光を出射するための光源を設ける必要がないため、液晶装置1の構成を簡便なものにすることができる。   In addition, according to the backlight 206, since it is not necessary to provide the light source for emitting the detection light for detecting an instruction | indication means separately, the structure of the liquid crystal device 1 can be simplified.

<1−3:画素部の構成>
次に、図5乃至図9を参照しながら、液晶装置1の画素部の構成を詳細に説明する。図5は、液晶装置1の画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図6は、画素部と共にセンサ部204の等価回路を示した等価回路である。図7は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図8は、図7のVIII−VIII´断面図である。図9は、図7のIX−IX´断面図である。尚、図8及び図9においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
<1-3: Configuration of Pixel Unit>
Next, the configuration of the pixel portion of the liquid crystal device 1 will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 5 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix forming the image display region 10a of the liquid crystal device 1. FIG. 6 shows an equivalent circuit of the sensor unit 204 together with the pixel unit. It is the equivalent circuit shown. FIG. 7 is a plan view of a plurality of adjacent pixel groups on the TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII ′ of FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line IX-IX ′ of FIG. In FIGS. 8 and 9, the scale of each layer / member is different for each layer / member to have a size that can be recognized on the drawing.

図5において、液晶装置1の画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部72の夫々は、赤色を表示するサブ画素部72R、緑色を表示するサブ画素部72G、及び青色を表示するサブ画素部72Bを含んで構成されている。したがって、液晶装置1は、カラー画像を表示可能な表示装置である。サブ画素部72R、72G及び72Bの夫々は、画素電極9a、TFT30、及び液晶素子50aを備えている。TFT30は、画素電極9aに電気的に接続されており、液晶装置1の動作時に画素電極9aをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線6aは、TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、・・・、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。   In FIG. 5, each of a plurality of pixel portions 72 formed in a matrix that forms the image display region 10a of the liquid crystal device 1 includes a sub-pixel portion 72R that displays red, a sub-pixel portion 72G that displays green, and blue Is included. Therefore, the liquid crystal device 1 is a display device that can display a color image. Each of the sub-pixel portions 72R, 72G, and 72B includes a pixel electrode 9a, a TFT 30, and a liquid crystal element 50a. The TFT 30 is electrically connected to the pixel electrode 9a, and performs switching control of the pixel electrode 9a when the liquid crystal device 1 operates. The data line 6a to which the image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30. The image signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a. May be.

TFT30のゲートに走査線3aが電気的に接続されており、液晶装置1は、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、・・・、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、・・・、Snが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極9aを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、・・・、Snは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。   The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the liquid crystal device 1 sequentially applies the scanning signals G1, G2,..., Gm to the scanning line 3a in a pulse sequence in this order at a predetermined timing. It is comprised so that it may apply. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal S1, S2,... Supplied from the data line 6a is closed by closing the switch of the TFT 30 serving as a switching element for a certain period. Sn is written at a predetermined timing. Image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 9a are held for a certain period with the counter electrode formed on the counter substrate.

液晶層50に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置1からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。蓄積容量70は、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶素子50aと並列に付加されている。   The liquid crystal contained in the liquid crystal layer 50 modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light decreases according to the voltage applied in units of each sub-pixel unit. In the normally black mode, the voltage applied in units of each sub-pixel unit. Accordingly, the transmittance for incident light is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the liquid crystal device 1 as a whole. The storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal element 50a formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode in order to prevent the image signal from leaking.

図6において、センサ部204は、TFTアレイ基板10上の画像表示領域10aにおいて画素部72毎に形成されており、TFT211a、211b及び211c、フォトダイオード212、並びに容量素子213を備えて構成されている。   In FIG. 6, the sensor unit 204 is formed for each pixel unit 72 in the image display region 10 a on the TFT array substrate 10, and includes TFTs 211 a, 211 b and 211 c, a photodiode 212, and a capacitor 213. Yes.

TFT211aのゲートは、センサプリチャージ制御線302に電気的に接続されている。TFT211aのソース及びドレインの夫々は、プリチャージ線301、及びフォトダイオード212、並びに容量素子213に電気的に接続されている。   The gate of the TFT 211 a is electrically connected to the sensor precharge control line 302. Each of the source and drain of the TFT 211a is electrically connected to the precharge line 301, the photodiode 212, and the capacitor 213.

TFT211aは、センサ制御回路部201からセンサプリチャージ制御線302を介して供給されたプリチャージ制御信号に応じてオンオフが切り換えられる。フォトダイオード212は、プリチャージ線301及びTFT211aを介して供給されたプリチャージ電圧によってプリチャージされる。   The TFT 211 a is switched on and off in accordance with a precharge control signal supplied from the sensor control circuit unit 201 via the sensor precharge control line 302. The photodiode 212 is precharged by a precharge voltage supplied via the precharge line 301 and the TFT 211a.

TFT211bのゲートは、フォトダイオード212に電気的に接続されており、フォトダイオード212に蓄電された電荷量の変化を増幅する増幅用素子である。フォトダイオード212に生じる電荷量の変化は、フォトダイオード212が検出する光に起因して生じる。   The gate of the TFT 211b is electrically connected to the photodiode 212, and is an amplification element that amplifies a change in the amount of charge stored in the photodiode 212. The change in the amount of charge generated in the photodiode 212 is caused by light detected by the photodiode 212.

TFT211cのゲートは、センサ出力制御線303に電気的に接続されている。TFT211cは、センサ出力制御線303を介して供給される出力制御信号に応じてオンオフが切り換えられ、フォトダイオード212で生じた電荷量の変化に対応した出力信号をセンサ出力線304を介してセンサ制御回路部201に出力する。   The gate of the TFT 211 c is electrically connected to the sensor output control line 303. The TFT 211c is turned on / off in accordance with an output control signal supplied via the sensor output control line 303, and an output signal corresponding to a change in the amount of charge generated in the photodiode 212 is sensor-controlled via the sensor output line 304. Output to the circuit unit 201.

次に、図7乃至図9を参照して、画素部を構成するサブ画素部72sの具体的な構成を説明する。以下では、後述する指示手段の位置検出方法において黒画像及び青色画像の夫々を所定のタイミングで表示する画素部の主要な構成と、黒画像及び青色画像の夫々が表示された際に表示面20sに入射する光を検出するフォトダイオード212の構成とを詳細に説明し、これら画素部の構成要素及びフォトダイオード212と同層或いは異なる層に形成されたTFT211a、211b及び211c等の半導体素子の具体的な構成を省略する。尚、TFT211a等の半導体素子は、TFT30と同様に画素部の開口領域を透過する光が照射されないように、各画素部の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成されている。   Next, a specific configuration of the sub-pixel unit 72s that forms the pixel unit will be described with reference to FIGS. In the following, the main configuration of the pixel unit that displays each of the black image and the blue image at a predetermined timing in the position detection method of the instruction means described later, and the display surface 20s when each of the black image and the blue image is displayed. The configuration of the photodiode 212 for detecting light incident on the TFT will be described in detail, and the components of the pixel portion and the specifics of the semiconductor elements such as TFTs 211a, 211b, and 211c formed in the same layer as or different from the photodiode 212 are described. A typical configuration is omitted. The semiconductor element such as the TFT 211a is formed in a non-opening region that separates the opening regions of the respective pixel portions from each other so that light that passes through the opening region of the pixel portion is not irradiated, like the TFT 30.

図7及び図8において、液晶装置1のTFTアレイ基板10上には、X方向及びY方向に対してマトリクス状に複数の透明な画素電極9a(点線部9a´により輪郭が示されている)が設けられており、画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6a及び走査線3aが設けられている。指等の指示手段は、液晶装置1の表示面20sに接触、或いは表示面20sの所望の領域を指示することによって液晶装置1に各種情報を入力できる。   7 and 8, on the TFT array substrate 10 of the liquid crystal device 1, a plurality of transparent pixel electrodes 9a (contours are indicated by dotted line portions 9a ') in a matrix in the X and Y directions. The data lines 6a and the scanning lines 3a are provided along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9a. An instruction unit such as a finger can input various information to the liquid crystal device 1 by touching the display surface 20 s of the liquid crystal device 1 or instructing a desired region of the display surface 20 s.

走査線3aは、半導体層1aのうち図7中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域1a´に対向するように配置されている。走査線3aとデータ線6aとが交差する個所の夫々には画素スイッチング用のTFT30が設けられている。   The scanning line 3a is arranged so as to face the channel region 1a ′ indicated by the hatched region rising to the right in FIG. 7 in the semiconductor layer 1a. A pixel switching TFT 30 is provided at each of the intersections of the scanning line 3a and the data line 6a.

データ線6aは、その上面が平坦化された第2層間絶縁膜42を下地として形成された下地膜42aa上に形成されており、コンタクトホール81を介してTFT30の高濃度ソース領域に接続されている。データ線6a及びコンタクトホール81内部は、例えば、Al−Si−Cu、Al−Cu等のAl(アルミニウム)含有材料、又はAl単体、若しくはAl層とTiN層等との多層膜からなる。データ線6aは、TFT30を遮光する機能を有している。   The data line 6 a is formed on the base film 42 aa formed using the second interlayer insulating film 42 whose upper surface is flattened as a base, and is connected to the high concentration source region of the TFT 30 through the contact hole 81. Yes. The data line 6a and the inside of the contact hole 81 are made of, for example, an Al (aluminum) -containing material such as Al—Si—Cu or Al—Cu, Al alone, or a multilayer film including an Al layer and a TiN layer. The data line 6a has a function of shielding the TFT 30 from light.

蓄積容量70は、高濃度ドレイン領域1e及び画素電極9aに接続された画素電位側容量電極としての下部容量電極71と、固定電位側容量電極としての上部容量電極300の一部とが、誘電体膜75を介して対向配置されることにより形成されている。   The storage capacitor 70 includes a lower capacitor electrode 71 as a pixel potential side capacitor electrode connected to the high concentration drain region 1e and the pixel electrode 9a and a part of the upper capacitor electrode 300 as a fixed potential side capacitor electrode. It is formed by being opposed to each other through the film 75.

図7及び図8に示すように、上部容量電極300は、例えば金属又は合金を含む上側遮光膜(内蔵遮光膜)としてTFT30の上側に設けられている。上部容量電極300は、固定電位側容量電極としても機能する。上部容量電極300は、例えば、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)、Pd(パラジウム)、Al(アルミニウム等の金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。上部容量電極300は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第1膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第2膜とが積層された多層構造を持っていてもよい。   As shown in FIGS. 7 and 8, the upper capacitor electrode 300 is provided on the upper side of the TFT 30 as an upper light shielding film (built-in light shielding film) containing, for example, a metal or an alloy. The upper capacitor electrode 300 also functions as a fixed potential side capacitor electrode. The upper capacitor electrode 300 is, for example, at least one of metals such as Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten), Ta (tantalum), Mo (molybdenum), Pd (palladium), and Al (aluminum). The upper capacitor electrode 300 includes, for example, a first film made of a conductive polysilicon film and a metal silicide containing a refractory metal. It may have a multilayer structure in which a second film made of a film or the like is laminated.

下部容量電極71は、例えば導電性のポリシリコン膜や、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pd、Al等の金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなり画素電位側容量電極として機能する。下部容量電極71は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極300とTFT30との間に配置される、光吸収層或いは上側遮光膜の他の例としての機能を持ち、更に、画素電極9aとTFT30の高濃度ドレイン領域1eとを中継接続する機能を持つ。但し、下部容量電極71も、上部容量電極300と同様に、金属又は合金を含む単一層膜若しくは多層膜から構成されていてもよい。   The lower capacitor electrode 71 is made of, for example, a conductive polysilicon film or a simple metal, an alloy, a metal silicide, including at least one of metals such as Ti, Cr, W, Ta, Mo, Pd, and Al. It consists of polysilicide, a laminate of these, etc., and functions as a pixel potential side capacitor electrode. The lower capacitor electrode 71 functions as a pixel potential side capacitor electrode, and functions as another example of a light absorption layer or an upper light shielding film disposed between the upper capacitor electrode 300 as the upper light shielding film and the TFT 30. Furthermore, the pixel electrode 9a and the high-concentration drain region 1e of the TFT 30 have a function of relay connection. However, the lower capacitive electrode 71 may also be composed of a single layer film or a multilayer film containing a metal or an alloy, like the upper capacitive electrode 300.

容量電極としての下部容量電極71と上部容量電極300との間に配置される誘電体膜75は、例えばHTO(High Temperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。   The dielectric film 75 disposed between the lower capacitor electrode 71 and the upper capacitor electrode 300 as a capacitor electrode is, for example, a silicon oxide film such as an HTO (High Temperature Oxide) film, an LTO (Low Temperature Oxide) film, or a nitride. It is composed of a silicon film or the like.

上部容量電極300は、画素電極9aが配置された画像表示領域10aからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。   The upper capacitor electrode 300 extends from the image display region 10a where the pixel electrode 9a is disposed to the periphery thereof, and is electrically connected to a constant potential source to be a fixed potential.

TFT30の下側に下地絶縁膜12を介して格子状に設けられた下側遮光膜11aは、TFTアレイ基板10側から装置内に入射する戻り光からTFT30のチャネル領域1a´及びその周辺を遮光する。下側遮光膜11aは、上部容量電極300と同様に、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pd、Al等の金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。   The lower light-shielding film 11a provided in a grid pattern below the TFT 30 via the base insulating film 12 shields the channel region 1a ′ of the TFT 30 and its surroundings from the return light that enters the device from the TFT array substrate 10 side. To do. Similar to the upper capacitor electrode 300, the lower light-shielding film 11a includes, for example, at least one of metals such as Ti, Cr, W, Ta, Mo, Pd, and Al, a simple metal, an alloy, a metal silicide, It is made of polysilicide or a laminate of these.

下地絶縁層12は、下側遮光膜11aからTFT30を層間絶縁する機能の他、TFTアレイ基板10の全面に形成されることにより、TFTアレイ基板10の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用TFT30の特性の劣化を防止する機能を有する。画素電極9aは、下部容量電極71を中継することにより、コンタクトホール83及び85を介して半導体層1aのうち高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続されている。   In addition to the function of interlayer insulating the TFT 30 from the lower light-shielding film 11a, the base insulating layer 12 is formed on the entire surface of the TFT array substrate 10, thereby remaining rough after polishing the surface of the TFT array substrate 10 or after cleaning. It has a function of preventing deterioration of the characteristics of the pixel switching TFT 30 due to dirt or the like. The pixel electrode 9a is electrically connected to the high concentration drain region 1e in the semiconductor layer 1a through the contact holes 83 and 85 by relaying the lower capacitor electrode 71.

図7及び図8に示すように、液晶装置1は、透明なTFTアレイ基板10と、これに対向配置される透明な対向基板20とを備えている。TFTアレイ基板10は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板20は、例えばガラス基板や石英基板からなる。   As shown in FIGS. 7 and 8, the liquid crystal device 1 includes a transparent TFT array substrate 10 and a transparent counter substrate 20 disposed to face the TFT array substrate 10. The TFT array substrate 10 is made of, for example, a quartz substrate, a glass substrate, or a silicon substrate, and the counter substrate 20 is made of, for example, a glass substrate or a quartz substrate.

TFTアレイ基板10には、画素電極9aが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜16が設けられている。例えば、画素電極9aはITO(Indium Tin Oxide)膜などの透明導電性膜からなり、配向膜16は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。   A pixel electrode 9a is provided on the TFT array substrate 10, and an alignment film 16 that has been subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided above the pixel electrode 9a. For example, the pixel electrode 9a is made of a transparent conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film, and the alignment film 16 is made of an organic film such as a polyimide film.

対向基板20には、その全面に渡って対向電極21が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜22が設けられている。対向電極21は例えば、ITO膜などの透明導電性膜からなる。配向膜22は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。   A counter electrode 21 is provided on the entire surface of the counter substrate 20, and an alignment film 22 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided below the counter electrode 21. The counter electrode 21 is made of a transparent conductive film such as an ITO film. The alignment film 22 is made of an organic film such as a polyimide film.

対向基板20には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、上部容量電極300として設けられた上側遮光膜と併せ、TFTアレイ基板10側からの入射光のチャネル領域1a´ないしその周辺への侵入を阻止するのをより確実に阻止することができる。   The counter substrate 20 may be provided with a lattice-shaped or striped light-shielding film. By adopting such a configuration, together with the upper light shielding film provided as the upper capacitor electrode 300, it is more reliable to prevent the incident light from entering the channel region 1a ′ or its periphery from the TFT array substrate 10 side. Can be prevented.

このように構成され、画素電極9aと対向電極21とが対面するように配置されたTFTアレイ基板10と対向基板20との間には、液晶層50が形成される。液晶層50は、画素電極9aからの電界が印加されていない状態で配向膜16及び22により所定の配向状態をとる。   A liquid crystal layer 50 is formed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 that are configured as described above and are arranged so that the pixel electrode 9a and the counter electrode 21 face each other. The liquid crystal layer 50 takes a predetermined alignment state by the alignment films 16 and 22 in a state where an electric field from the pixel electrode 9a is not applied.

図8において、画素スイッチング用TFT30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、ゲート電極3a2、走査線3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a´、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜2、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、高濃度ソース領域1d並びに高濃度ドレイン領域1eを備えている。低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン領域1c、高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eは、半導体層1aの不純物領域を構成しており、チャネル領域1a´の両側にミラー対称に形成されている。   In FIG. 8, the pixel switching TFT 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and includes a gate electrode 3a2, a channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a in which a channel is formed by an electric field from the scanning line 3a, and a scanning line. An insulating film 2 including a gate insulating film that insulates 3a from the semiconductor layer 1a, a low concentration source region 1b and a low concentration drain region 1c, a high concentration source region 1d, and a high concentration drain region 1e are provided. The low-concentration source region 1b, the low-concentration drain region 1c, the high-concentration source region 1d, and the high-concentration drain region 1e constitute an impurity region of the semiconductor layer 1a and are formed in mirror symmetry on both sides of the channel region 1a ′. Yes.

ゲート電極3a2は、ポリシリコン膜等の導電膜や、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pd、Al等の金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等によって形成されており、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cに重ならないように絶縁膜2を介してチャネル領域1a´上に設けられている。したがって、TFT30では、高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eとゲート電極3a2とのオフセットが十分に確保されている。   The gate electrode 3a2 is composed of a conductive film such as a polysilicon film or a simple metal, an alloy, a metal silicide, a poly, including at least one of metals such as Ti, Cr, W, Ta, Mo, Pd, and Al. It is formed of silicide, a laminate of these, and the like, and is provided on the channel region 1a ′ via the insulating film 2 so as not to overlap the low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c. Therefore, in the TFT 30, the offset between the high concentration source region 1d and the high concentration drain region 1e and the gate electrode 3a2 is sufficiently secured.

尚、ゲート電極3a2の縁は、平面的に見て低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cとチャネル領域1a´との境界に重なっており、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cと、ゲート電極3a2との間に生じる寄生容量が低減されている。これにより、TFT30トランジスタの高速動作が可能となり、液晶装置1の表示性能が高められている。   Note that the edge of the gate electrode 3a2 overlaps the boundary between the lightly doped source region 1b and the lightly doped drain region 1c and the channel region 1a ′ in plan view, and the lightly doped source region 1b and the lightly doped drain region 1c The parasitic capacitance generated between the gate electrode 3a2 and the gate electrode 3a2 is reduced. As a result, the TFT 30 transistor can operate at high speed, and the display performance of the liquid crystal device 1 is enhanced.

加えて、液晶装置1では、ゲート電極3a2上にTFT30を覆うように形成された上部容量電極300によって、ゲート電極3a2のみによって遮光する場合に比べて効果的に低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cを遮光できる。   In addition, in the liquid crystal device 1, the low-concentration source region 1 b and the low-concentration drain are effectively provided by the upper capacitor electrode 300 formed on the gate electrode 3 a 2 so as to cover the TFT 30 as compared with the case where the light is shielded only by the gate electrode 3 a 2. The region 1c can be shielded from light.

このように、液晶装置1によれば、光リーク電流が低減されたTFT30を用いて、フリッカ等の画像表示を行う際に発生する不具合を低減でき、高品位で画像を表示できる。加えて、TFT30は、LDD構造を有しているため、TFT30の非動作時において低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cに流れるオフ電流が低減され、且つTFT30の動作時に流れるオン電流の低下が抑制されている。よって、液晶装置1によれば、LDD構造の利点及び光リーク電流が殆ど流れないことを利用して高品位で画像を表示できる。   As described above, according to the liquid crystal device 1, it is possible to reduce defects caused when displaying an image such as flicker using the TFT 30 with reduced light leakage current, and to display an image with high quality. In addition, since the TFT 30 has an LDD structure, the off-current flowing through the low-concentration source region 1b and the low-concentration drain region 1c is reduced when the TFT 30 is not operating, and the on-current flowing when the TFT 30 is operating is reduced. Is suppressed. Therefore, according to the liquid crystal device 1, it is possible to display an image with high quality by utilizing the advantage of the LDD structure and the fact that light leakage current hardly flows.

下側遮光膜11a上には、高濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール81及び高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール83が各々開孔された第1層間絶縁膜41が形成されている。   On the lower light-shielding film 11a, a first interlayer insulating film 41 is formed in which a contact hole 81 leading to the high concentration source region 1d and a contact hole 83 leading to the high concentration drain region 1e are opened.

第1層間絶縁膜41上には下部容量電極71及び上部容量電極300が形成されており、これらの上には、コンタクトホール81及び85が各々開孔された第2層間絶縁膜42が形成されている。   A lower capacitor electrode 71 and an upper capacitor electrode 300 are formed on the first interlayer insulating film 41, and a second interlayer insulating film 42 in which contact holes 81 and 85 are respectively formed is formed thereon. ing.

本実施形態における第2層間絶縁膜42は、例えばBPSG膜からなり、加熱による流動化状態を経ることによって上面が平坦化されている。即ち、その成膜時の上面には、下層側の蓄積容量70やTFT30、走査線3a、更には下地遮光膜11aの存在によって段差が生じているが、一旦流動化されることで、上面は段差による凹凸が均された状態となっている。尚、第2層間絶縁膜42は、感光性のアクリル樹脂などを用いて段差が軽減されていてもよい。   The second interlayer insulating film 42 in the present embodiment is made of, for example, a BPSG film, and the upper surface is flattened through a fluidized state by heating. That is, a step is formed on the upper surface during the film formation due to the existence of the storage capacitor 70, the TFT 30, the scanning line 3a, and further the base light shielding film 11a on the lower layer side. The unevenness due to the steps is leveled. The second interlayer insulating film 42 may be reduced in level using a photosensitive acrylic resin or the like.

更に、データ線6aの上から第2層間絶縁膜42の全面を覆うように、コンタクトホール85が形成された第3層間絶縁膜43が、例えばBPSG膜により形成されている。画素電極9a及び配向膜16は、第3層間絶縁膜43の上面に設けられている。尚、第3層間絶縁膜42は、感光性のアクリル樹脂などを用いて段差が軽減されていてもよい。   Further, a third interlayer insulating film 43 in which contact holes 85 are formed is formed of, for example, a BPSG film so as to cover the entire surface of the second interlayer insulating film 42 from above the data line 6a. The pixel electrode 9 a and the alignment film 16 are provided on the upper surface of the third interlayer insulating film 43. The third interlayer insulating film 42 may be reduced in level using a photosensitive acrylic resin or the like.

次に、図7及び図9を参照しながら、フォトダイオード212について詳細に説明する。   Next, the photodiode 212 will be described in detail with reference to FIGS.

図7及び図9に示すように、フォトダイオード212は、画像表示領域10aにおいて、実質的に画像表示に寄与する開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成されている。開口領域は、バックライト206から出射された表示用光が透過する領域である。このような開口領域は、データ線6a等の非透過性膜が形成された非開口領域に囲まれている。開口領域において、バックライト206から出射された表示用光は、液晶層50の配向状態に応じて変調され、変調光として表示面20sから出射される。   As shown in FIGS. 7 and 9, the photodiode 212 is formed in a non-opening region in the image display region 10a that substantially separates open regions that contribute to image display. The opening area is an area through which display light emitted from the backlight 206 is transmitted. Such an opening region is surrounded by a non-opening region where a non-permeable film such as the data line 6a is formed. In the opening region, the display light emitted from the backlight 206 is modulated according to the alignment state of the liquid crystal layer 50 and is emitted from the display surface 20s as modulated light.

フォトダイオード212は、表示面20sに接触する、或いは表示面20s上に位置する指示手段によって反射された反射光と外光とを検出する。センサ制御回路部201は、フォトダイオード212によって検出された反射光及び外光の夫々の光強度に基づいて指示手段の位置を特定する。フォトダイオード212は、TFTアレイ基板10側から順に下電極212e、N型半導体層212d、受光層212c及びP型半導体層212b、上電極212aが順次積層されてなるPINダイオードである。フォトダイオード212は、画像表示に寄与しない領域である非開口領域に配置されているため、画素の開口率を低下させず、各画素部の動作に応じた画像表示を阻害しない。第3層間絶縁膜43のうち非開口領域に延びる部分には、凹部152が形成されている。凹部152の底面には、フォトダイオード212の受光面212sが臨んでいる。また、対向基板20には、非開口領域を部分的に規定するブラックマトリックス153が形成されている。尚、フォトダイオード212は、TFT30と同層に水平方向に形成されていてもよい。フォトダイオード212及びTFT30を同層に形成することによって、これら素子の夫々を形成する工程を相互に共用でき、これら素子を別々の工程によって形成する場合に比べて工程を簡略化できる。   The photodiode 212 detects the reflected light and the external light reflected by the pointing means that is in contact with the display surface 20s or located on the display surface 20s. The sensor control circuit unit 201 specifies the position of the instruction unit based on the light intensity of each of the reflected light and the external light detected by the photodiode 212. The photodiode 212 is a PIN diode in which a lower electrode 212e, an N-type semiconductor layer 212d, a light receiving layer 212c, a P-type semiconductor layer 212b, and an upper electrode 212a are sequentially stacked from the TFT array substrate 10 side. Since the photodiode 212 is disposed in a non-opening region that does not contribute to image display, the photodiode 212 does not decrease the aperture ratio of the pixel and does not hinder image display according to the operation of each pixel unit. A recess 152 is formed in a portion of the third interlayer insulating film 43 that extends to the non-opening region. The light receiving surface 212 s of the photodiode 212 faces the bottom surface of the recess 152. The counter substrate 20 is formed with a black matrix 153 that partially defines a non-opening region. The photodiode 212 may be formed in the horizontal direction in the same layer as the TFT 30. By forming the photodiode 212 and the TFT 30 in the same layer, the process for forming each of these elements can be shared, and the process can be simplified as compared with the case where these elements are formed by separate processes.

<2:指示手段の検出方法>
次に、図10乃至図12を参照しながら、液晶装置1が指示手段を検出する検出方法を説明する。図10は、表示面20sに表示される動画像を構成する一連のフレーム画像の関係を示した概念図である。
<2: Method for detecting instruction means>
Next, a detection method in which the liquid crystal device 1 detects the instruction unit will be described with reference to FIGS. FIG. 10 is a conceptual diagram showing the relationship between a series of frame images constituting a moving image displayed on the display surface 20s.

図10に示すように、表示面20sには、表示制御回路部203の制御下で各画素部の駆動が制御され、連続する一連のフレーム(図中第Nフレームから第N+5フレーム)によって、画像Gn、Gn+1、Gn+2、Gn+3、Gn+4、Gn+5が表示される。ここで、画像Gn+1は、表示面20s全体の画像部に一様に黒色が表示される黒画像であり、画像Gn+4は、表示面20s全体の画素部に一様に青色が表示される青色画像である。画像Gn、Gn+2、Gn+3、及びGn+5は、画像信号に応じて表示面20sに表示されるべき動画像等の画像を構成する画像である。画像Gn+4は、画像Gn+1に比べて高い輝度を有している。したがって、連続した一連のフレームのうち、本発明の「一のタイミング」の一例である第N+1フレームにおいて黒画像である画像Gn+1が表示され、本発明の「他のタイミング」の一例である第N+4フレームにおいて、本発明の「他の画像」の一例である画像Gn+4が表示される。   As shown in FIG. 10, on the display surface 20s, driving of each pixel unit is controlled under the control of the display control circuit unit 203, and an image is displayed by a series of consecutive frames (Nth frame to N + 5th frame in the figure). Gn, Gn + 1, Gn + 2, Gn + 3, Gn + 4, Gn + 5 are displayed. Here, the image Gn + 1 is a black image in which black is uniformly displayed on the image portion of the entire display surface 20s, and the image Gn + 4 is a blue image in which blue is uniformly displayed on the pixel portion of the entire display surface 20s. It is. The images Gn, Gn + 2, Gn + 3, and Gn + 5 are images constituting an image such as a moving image to be displayed on the display surface 20s according to the image signal. The image Gn + 4 has higher brightness than the image Gn + 1. Therefore, the image Gn + 1 which is a black image is displayed in the (N + 1) th frame which is an example of the “one timing” in the present invention among a series of consecutive frames, and the N + 4th which is an example of the “other timing” in the present invention. In the frame, an image Gn + 4, which is an example of the “other image” of the present invention, is displayed.

センサ部204は、第N+1フレームにおいて、表示面20sを指示する指示手段によって遮られなかった外光を検出する。センサ部204は、第N+4フレームにおいて、表示面20sから出射された青色光が指示手段によって反射された反射光を検出する。   In the (N + 1) th frame, the sensor unit 204 detects outside light that is not blocked by the instruction unit that instructs the display surface 20s. The sensor unit 204 detects reflected light obtained by reflecting the blue light emitted from the display surface 20s by the instruction unit in the (N + 4) th frame.

したがって、液晶装置1によれば、外光の光強度が変化した場合でも、第N+1フレーム及び第N+4フレームの何れか一方のフレームにおいてセンサ部204によって検出された光によって指示手段を検出できる。   Therefore, according to the liquid crystal device 1, even when the light intensity of the external light changes, the instruction unit can be detected by the light detected by the sensor unit 204 in any one of the (N + 1) th frame and the (N + 4) th frame.

ここで、図10乃至図12を参照しながら、外光の光強度が変化した場合でも指示手段を検出できる原理を詳細に説明する。図11及び図12は、外光の強度に対して、タッチ部及び非タッチ部において検出される光の強度を示した一覧表である。尚、表1は、バックライトが点灯している状態、即ち表示面20sから一様に光が出射されている状態における光の検出状態を示しており、表2はバックライトが消灯している状態、即ち表示面20sから光が出射されていない状態における光の検出状態を示している。また、図11及び図12中におけるタッチ部は、指示手段によって表示面20sが指示された際に指示手段によって反射された光の強度を示しており、非タッチ部は指示手段によって遮られなかった外光の光強度を示す。   Here, with reference to FIG. 10 to FIG. 12, the principle that the indication means can be detected even when the light intensity of outside light changes will be described in detail. 11 and 12 are lists showing the intensity of light detected in the touch part and the non-touch part with respect to the intensity of external light. Table 1 shows a light detection state in a state where the backlight is turned on, that is, a state where light is emitted uniformly from the display surface 20s, and Table 2 shows that the backlight is turned off. The state of light detection in a state where light is not emitted from the display surface 20s is shown. 11 and 12 show the intensity of light reflected by the instruction unit when the display surface 20s is instructed by the instruction unit, and the non-touch part is not blocked by the instruction unit. Indicates the light intensity of outside light.

表1において、条件1及び3では、タッチ部及び非タッチ部の夫々において検出される光の強度が異なるため、指示手段を検出可能であるが、条件2ではタッチ部及び非タッチ部の夫々において検出される光強度が等しくなるため、指示手段の他の部分と識別して検出することができない。表2では、表1と同様に、条件6において指示手段を検出できない。   In Table 1, since the light intensity detected in each of the touch part and the non-touch part is different in the conditions 1 and 3, the instruction means can be detected. However, in the condition 2, in the touch part and the non-touch part, respectively. Since the detected light intensities are equal, they cannot be detected separately from other parts of the indicating means. In Table 2, as in Table 1, the indication means cannot be detected in Condition 6.

そこで、図10に示すように、本実施形態に係る液晶装置1によれば、互いに異なるタイミングで黒画像である画像Gn+1と、青色画像である画像Gn+4とが表示されるため、指示手段を検出できる。より具体的には、図11に示す表1中の条件2では、画像Gn+1が表示されることによって表2の条件5の状態の下で指示手段の影を検出でき、当該指示手段を他の部分と識別して検出できる。他方、図12に示す表2中の条件6では、画像Gn+4が表示されることによって表1の条件3の状態の下で指示手段によって反射された反射光を検出でき、当該指示手段を他の部分と識別して検出できる。   Therefore, as shown in FIG. 10, according to the liquid crystal device 1 according to the present embodiment, the image Gn + 1 that is a black image and the image Gn + 4 that is a blue image are displayed at different timings. it can. More specifically, in the condition 2 in Table 1 shown in FIG. 11, the shadow of the instruction means can be detected under the condition 5 in Table 2 by displaying the image Gn + 1. It can be detected by identifying the part. On the other hand, in condition 6 in Table 2 shown in FIG. 12, the reflected light reflected by the instruction means under the condition 3 in Table 1 can be detected by displaying the image Gn + 4. It can be detected by identifying the part.

したがって、本実施形態に係る液晶装置1によれば、外光の光強度が変化した場合でも、表示面20sを指示する指等の指示手段を検出でき、当該検出された指示手段を介して当該液晶装置1に各種情報を確実に入力することが可能である。   Therefore, according to the liquid crystal device 1 according to the present embodiment, even when the light intensity of outside light changes, it is possible to detect an instruction unit such as a finger that indicates the display surface 20s, and the detected unit through the detected instruction unit Various information can be reliably input to the liquid crystal device 1.

加えて、本実施形態では、他の色光より検知され難い青色画像を一連のフレーム画像に挿入することから、一連のフレーム画像によって表示される動画像の表示品位を低下させることがない利点もある。   In addition, in this embodiment, since a blue image that is hard to be detected by other color lights is inserted into a series of frame images, there is an advantage that the display quality of a moving image displayed by the series of frame images is not deteriorated. .

<3:電子機器>
次に、図13及び図14を参照しながら、上述した液晶装置を具備してなる電子機器の実施形態を説明する。
<3: Electronic equipment>
Next, an embodiment of an electronic apparatus including the above-described liquid crystal device will be described with reference to FIGS.

図13は、上述した液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図13において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、上述した液晶装置を含んでなる液晶表示ユニット1206とから構成されている。液晶表示ユニット1206は、液晶パネル1005の背面にバックライトを付加することにより構成されており、外光の光強度が変化しても確実に情報を入力できるタッチパネル機能を有している。   FIG. 13 is a perspective view of a mobile personal computer to which the above-described liquid crystal device is applied. In FIG. 13, a computer 1200 includes a main body 1204 provided with a keyboard 1202 and a liquid crystal display unit 1206 including the above-described liquid crystal device. The liquid crystal display unit 1206 is configured by adding a backlight to the back surface of the liquid crystal panel 1005, and has a touch panel function that can input information reliably even when the light intensity of external light changes.

次に、上述した液晶装置を携帯電話に適用した例について説明する。図14は、本実施形態の電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図14において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302とともに、反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置と同様の構成を有する液晶装置1005を備えている。携帯電話1300によれば、指等の指示手段によって表示面を介して正確に情報を入力可能である。   Next, an example in which the above-described liquid crystal device is applied to a mobile phone will be described. FIG. 14 is a perspective view of a mobile phone which is an example of the electronic apparatus of the present embodiment. In FIG. 14, a mobile phone 1300 includes a liquid crystal device 1005 that adopts a reflective display format and has the same configuration as the above-described liquid crystal device, along with a plurality of operation buttons 1302. According to the mobile phone 1300, information can be accurately input via the display surface by an instruction means such as a finger.

本実施形態に係る液晶装置の平面図である。It is a top view of the liquid crystal device concerning this embodiment. 図1のII−II´断面図である。It is II-II 'sectional drawing of FIG. 本実施形態に係る液晶装置の主要な回路構成を示したブロック図である。It is the block diagram which showed the main circuit structures of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. センサ制御回路部の詳細な回路構成を示したブロック図である。It is the block diagram which showed the detailed circuit structure of the sensor control circuit part. 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における等価回路である。3 is an equivalent circuit in an image display region of the liquid crystal device according to the present embodiment. 画素部と共にセンサ部の等価回路を示した等価回路である。It is the equivalent circuit which showed the equivalent circuit of the sensor part with the pixel part. データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed. 図7のVIII−VIII´断面図である。It is VIII-VIII 'sectional drawing of FIG. 図7のIX−IX´断面図である。It is IX-IX 'sectional drawing of FIG. 表示面に表示される動画像を構成する一連のフレーム画像の関係を示した概念図である。It is the conceptual diagram which showed the relationship of a series of frame images which comprise the moving image displayed on a display surface. 外光の強度に対して、タッチ部及び非タッチ部において検出される光の強度を示した一覧表(その1)である。It is the list | surface (the 1) which showed the intensity | strength of the light detected in a touch part and a non-touch part with respect to the intensity | strength of external light. 外光の強度に対して、タッチ部及び非タッチ部において検出される光の強度を示した一覧表(その2)である。It is the table | surface (the 2) which showed the intensity | strength of the light detected in a touch part and a non-touch part with respect to the intensity | strength of external light. 本実施形態に係る電子機器の一例を示した斜視図である。It is the perspective view which showed an example of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子機器の他の例を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the other example of the electronic device which concerns on this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・液晶装置、10・・・TFTアレイ基板、72・・・画素部、203・・・表示制御回路部、204・・・センサ部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal device, 10 ... TFT array substrate, 72 ... Pixel part, 203 ... Display control circuit part, 204 ... Sensor part

Claims (3)

基板と、
前記基板上に形成されており、指示手段によって指示される表示面の表示領域を構成する複数の画素部と、
前記表示面に画像を表示する表示期間の互いに異なるタイミングで黒色画像と青色画像とが表示され、
前記黒色画像が表示される場合には前記指示手段の影を検出する一方、
前記青色画像が表示される場合には前記指示手段によって反射された反射光を検出する、
ことを特徴とする電気光学装置。
A substrate,
A plurality of pixel portions that are formed on the substrate and constitute a display area of a display surface indicated by the instruction means;
A black image and a blue image are displayed at different timings of the display period for displaying the image on the display surface,
When the black image is displayed, the shadow of the instruction means is detected,
When the blue image is displayed, the reflected light reflected by the instruction means is detected.
An electro-optical device.
前記基板から見て、前記表示面の反対側に配置された光源を更に備え、
前記光源は、前記一のタイミングにおいて消灯され、前記他のタイミングにおいて点灯
されている、
ことを特徴とする請求項1記載の電気光学装置。
A light source disposed on the opposite side of the display surface as viewed from the substrate;
The light source is turned off at the one timing and turned on at the other timing.
The electro-optical device according to claim 1.
請求項1またはのいずれか一つに記載の電気光学装置を具備して
ことを特徴とする電子機器。
To claim 1 or 2 that has provided an electro-optical device according,
An electronic device characterized by that.
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