JP5102806B2 - リードフレームの製造方法、リードフレーム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 - Google Patents
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Description
えた電子素子を平状のリードフレームに搭載する場合、これら高さ位置の異なる接続端子とリードフレームとの間をワイヤボンディングにより接続する必要が生じ、半導体装置の製造コストが増大してしまう場合があった。
まず、本実施形態にかかるリードフレームの製造方法と、かかるリードフレームを用いたMAP法によるチップコンデンサの製造方法と、について順に説明する。
22により第1の金属板21を打ち抜いて第1の金属片20を形成しつつ、形成した第1の金属片20を絶縁性基材10の主面上に押し付けて固定する。
とは同じ種類の金属から構成されていてもよく、互いに異なる種類の金属から構成されていてもよい。例えば、第2の金属板31を溶接性の高い42Alloy等のニッケル鉄合金から構成しつつ、第1の金属板21を銅により構成してもよい。
定されている。そのため、第1の金属片20及び第2の金属片30の裏側へ絶縁性封止材50が回り込んでしまうことを抑制できる。そして、第1の金属片20及び第2の金属片30から絶縁性基材10を剥離するだけで、第1の金属片20と第2の金属片30とが底面側に露出したチップコンデンサ2を製造することが可能となる。これにより、チップコンデンサ2の製造コストを低減させることが可能となる。
材103の底面側まで延在させ、チップコンデンサ104の製造を終了する(図4(f))。
部401eの厚さw(mm)を所定の幅以下(例えば1mm)にすることは困難であり、チップコンデンサの長さL1(mm)を短縮させることは困難であった。また、厚板部401eと薄板部401a,401bとの境界にR形状の圧延の残留部分401f,401gが残ってしまい、厚板部401eの立ち上がりをシャープに形成することは困難であった。かかる残留部分401f,401gを除去しようとすればプレス工程等が追加的に必要となり、チップコンデンサの製造コストが増大してしまう場合があった。また、残留部分401f,401gを除去しない場合には、例えばコンデンサ素子の陰極102bと厚板部401eとの距離L2(mm)を広く確保する必要性が生じ、チップコンデンサの長さL1(mm)を短縮させることが困難であった。また、圧延による方法では、コンデンサ用リードフレームの材料として、例えば42Alloy等の硬度の高い(メタルフローの生じにくい)合金材料を用いることは困難であった。これに対し、本実施形態にかかるリードフレーム1においては、これらの課題は生じない。
上述の実施形態では、MAP法によりチップコンデンサを製造する方法について示したが、本発明は個別封止法によりチップコンデンサを製造する方法にも好適に適用可能である。また、本実施形態にかかるリードフレームに搭載する電子素子はコンデンサ素子に限定されず、ICやLSIであってもよい。また、本実施形態にかかるリードフレーム1は、QFPに限らず、SON(Small Online Non−leaded Package)等の他のノンリードパッケージにも好適に適用可能である。
2 チップコンデンサ
10 絶縁性基材
10a 接着面
20 第1の金属片
21 第1の金属板
30 第2の金属片
31 第2の金属板
Claims (8)
- 第1の金属板と絶縁性基材とを交差させつつ前記第1の金属板を打ち抜いて形成した第1の金属片を前記絶縁性基材の主面上に固定する工程と、
前記第1の金属板とは厚さの異なる第2の金属板と前記絶縁性基材とを交差させつつ前記第2の金属板を打ち抜いて形成した第2の金属片を前記絶縁性基材の主面上に固定する工程と、
を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 前記絶縁性基材、前記第1の金属板、及び前記第2の金属板はそれぞれ条材として形成されており、
前記第1の金属片を前記絶縁性基材の主面上に固定する工程では、前記絶縁性基材と前記第1の金属板とを互いに交差させつつそれぞれ長手方向に搬送し、
前記第2の金属片を前記絶縁性基材の主面上に固定する工程では、前記絶縁性基材と前記第2の金属板とを互いに交差させつつそれぞれ長手方向に搬送する
ことを特徴とする請求項1に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記絶縁性基材の主面、前記絶縁性基材の主面と対向する前記第1の金属板の主面、前記絶縁性基材と対向する前記第2の金属板の主面のうち少なくともいずれか1の面には接着剤が塗布されている
ことを特徴とする請求項1または2に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記第1の金属板には、前記第1の金属片の外周の一部のみを保持するように、第1の打ち抜き枠が予め形成され、
前記第2の金属板には、前記第2の金属片の外周の一部のみを保持するように、第2の打ち抜き枠が予め形成されている
ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。 - 前記第1の金属板と前記第2の金属板とは互いに異なる種類の金属から構成されている
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。 - リードフレームを製造する工程と、互いに高さ位置の異なる2つ以上の接続端子を備えた電子素子を前記リードフレーム上に搭載する搭載工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームを製造する工程は、
第1の金属板と絶縁性基材とを交差させつつ前記第1の金属板を打ち抜いて形成した第1の金属片を前記絶縁性基材の主面上に固定する工程と、
前記第1の金属板とは厚さの異なる第2の金属板と前記絶縁性基材とを交差させつつ前記第2の金属板を打ち抜いて形成した第2の金属片を前記絶縁性基材の主面上に固定する工程と、を有し、
前記搭載工程では、
前記電子素子の備える一の接続端子と前記第1の金属片とを接続すると共に、前記電子素子の備える他の接続端子と前記第2の金属片とを接続する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の金属片と前記第2の金属片との差厚は、前記電子素子の備える前記一の接続端子と前記他の接続端子の高さの差に一致しており、
前記搭載工程では、
前記電子素子の備える一の接続端子と前記第1の金属片とを直接接続すると共に、前記電子素子の備える他の接続端子と前記第2の金属片とを直接接続する
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁性基材の主面側の前記電子素子の周囲を絶縁性封止材で封止した後、前記第1の金属片及び前記第2の金属片から前記絶縁性基材を剥離して前記第1の金属片及び前記第2の金属片の底面を露出させる封止工程を有する
ことを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
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