JP5094467B2 - Manufacturing method of ceramic substrate - Google Patents

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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

本発明は、セラミック焼結体の表面に導体層が形成されたセラミック基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic substrate in which a conductor layer is formed on the surface of a ceramic sintered body.

従来、携帯電話機を始めとする移動体通信機器等の電子機器には、多数の電子装置が組み込まれている。このような携帯電話機等の通信機器は、近年小型化が急激に進んでおり、これに搭載されるセラミック基板も小型化、薄型化が要求されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, many electronic devices are incorporated in electronic devices such as mobile communication devices such as mobile phones. Such communication devices such as mobile phones have been rapidly reduced in size in recent years, and ceramic substrates mounted thereon are also required to be reduced in size and thickness.

このようなセラミック電子部品は、セラミック粉末に有機バインダ、可塑剤および溶剤等を加えてスラリーとし、ドクターブレード等によりセラミックグリーンシート(以下、グリーンシートともいう)を成形した後、金属粉末を含有する導体ペーストを印刷するなどしてグリーンシート上に導体パターン層を形成し、次に複数枚の導体パターン層が形成されたグリーンシートを積層して加圧することにより積層体を得た後、この積層体を焼成することにより得られる。   Such a ceramic electronic component contains a metal powder after forming a ceramic green sheet (hereinafter also referred to as a green sheet) with a doctor blade or the like by adding an organic binder, a plasticizer, a solvent, and the like to the ceramic powder to form a slurry. After forming a conductor pattern layer on the green sheet by printing a conductor paste, etc., and then stacking and pressing the green sheet on which a plurality of conductor pattern layers are formed, this laminate is obtained. It is obtained by firing the body.

一般的に、これらのセラミック基板には、クラックやカケ等の発生を抑制するために、セラミック焼結体をバレル研磨加工などをすることにより稜線部分にR面取り加工が施されている。
特開2003−309343号公報 特開平10−125565号公報
In general, these ceramic substrates are subjected to R chamfering on the ridge line portion by barrel-polishing the ceramic sintered body in order to suppress the occurrence of cracks, chips and the like.
JP 2003-309343 A Japanese Patent Laid-Open No. 10-125565

しかしながら、表面に導体層が形成されたセラミック基板をバレル研磨加工すると、研磨石が導体層に直接接触して研削されることから、セラミック基板の表面に形成された導体層が消失してしまうという問題点があった。   However, when barrel polishing is performed on a ceramic substrate having a conductor layer formed on the surface, the polishing stone is ground in direct contact with the conductor layer, so that the conductor layer formed on the surface of the ceramic substrate disappears. There was a problem.

本発明は以上のような従来の問題点を解決するために案出されたものであり、その目的は、セラミック基板の表面に形成された導体層を消失させることなく、セラミック基板の加工を可能にするセラミック基板の製造方法を提供することにある。   The present invention has been devised to solve the conventional problems as described above, and its purpose is to process the ceramic substrate without losing the conductor layer formed on the surface of the ceramic substrate. Another object is to provide a method for manufacturing a ceramic substrate.

本発明の配線基板の製造方法は、表面に導体層が設けられたセラミック焼結体を準備する準備工程と、前記セラミック焼結体の表面上において前記導体層を覆うように接着層を形成する形成工程と、平面視して前記セラミック焼結体の内側において、該セラミック焼結体に前記接着層を介してセラミック部材を接続する接続工程と、前記セラミック部材が接続された前記セラミック焼結体を研磨する研磨工程と、前記接着層を溶融させて前記セラミック部材および前記接着層を除去する除去工程とを有することを特徴とするものである。   The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a preparation step of preparing a ceramic sintered body having a conductor layer provided on a surface thereof, and an adhesive layer is formed so as to cover the conductor layer on the surface of the ceramic sintered body. Forming step, connecting step of connecting a ceramic member to the ceramic sintered body through the adhesive layer inside the ceramic sintered body in plan view, and the ceramic sintered body to which the ceramic member is connected And a removal step of removing the ceramic member and the adhesive layer by melting the adhesive layer.

また、好ましくは、上記セラミック基板の製造方法において、前記セラミック部材は、前記セラミック焼結体と同一の材料からなることを特徴とするものである。   Preferably, in the method for manufacturing a ceramic substrate, the ceramic member is made of the same material as the ceramic sintered body.

また、好ましくは、前記セラミック部材は、前記セラミック焼結体に向けて広がる傾斜面を有することを特徴とするものである。   Preferably, the ceramic member has an inclined surface that spreads toward the ceramic sintered body.

また、好ましくは、前記除去工程の後、前記セラミック焼結体において前記導体層が形成された表面を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とするものである。   Preferably, after the removing step, the ceramic sintered body has a cleaning step of cleaning the surface on which the conductor layer is formed.

また、好ましくは、前記接着層は、接着シートからなることを特徴とするものである。   Preferably, the adhesive layer is made of an adhesive sheet.

本発明のセラミック基板の製造方法によれば、セラミック基板の表面に形成された導体層を消失させることなく、セラミック基板の加工を可能にするセラミック基板の製造方法を実現することができる。   According to the method for manufacturing a ceramic substrate of the present invention, it is possible to realize a method for manufacturing a ceramic substrate that enables processing of the ceramic substrate without losing the conductor layer formed on the surface of the ceramic substrate.

以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の実施の形態によるセラミック基板の製造方法の一例を示す図である。図1において、1はセラミック焼結体、2は導体層、3は接着層、4はセラミック部材、11はエッジ部分にR面取りされたセラミック基板である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a ceramic substrate according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a ceramic sintered body, 2 is a conductor layer, 3 is an adhesive layer, 4 is a ceramic member, and 11 is a ceramic substrate having a chamfered edge.

本実施の形態によるセラミック基板11の製造方法は、表面に導体層2が設けられたセラミック焼結体1を準備する準備工程と、セラミック焼結体1の表面上において導体層2を覆うように接着層3を形成する形成工程と、平面視してセラミック焼結体1の内側において、セラミック焼結体1に接着層3を介してセラミック部材4を接続する接続工程と、セラミック部材4が接続されたセラミック焼結体1を研磨する研磨工程と、接着層3を溶融させてセラミック部材4および接着層3を除去する除去工程とを有する。   The manufacturing method of the ceramic substrate 11 according to the present embodiment includes a preparation step of preparing the ceramic sintered body 1 having the conductor layer 2 provided on the surface, and the conductor layer 2 covered on the surface of the ceramic sintered body 1. The forming step for forming the adhesive layer 3, the connecting step for connecting the ceramic member 4 to the ceramic sintered body 1 via the adhesive layer 3 inside the ceramic sintered body 1 in plan view, and the ceramic member 4 connected A polishing step of polishing the ceramic sintered body 1 and a removal step of melting the adhesive layer 3 and removing the ceramic member 4 and the adhesive layer 3.

以下に、具体的に説明する。まず、図1(a)に示すように、表面に導体層2が設けられたセラミック焼結体1を準備する。このセラミック焼結体1は、以下のようにして得られる。例えば、セラミック無機成分粉末に有機バインダ、可塑剤、および有機溶剤等を混合してスラリーを得て、これからドクターブレード法、圧延法、またはカレンダーロール法等によってセラミックグリーンシートを製作する。   This will be specifically described below. First, as shown to Fig.1 (a), the ceramic sintered compact 1 with which the conductor layer 2 was provided in the surface is prepared. This ceramic sintered body 1 is obtained as follows. For example, an organic binder, a plasticizer, an organic solvent, and the like are mixed with the ceramic inorganic component powder to obtain a slurry, and a ceramic green sheet is manufactured therefrom by a doctor blade method, a rolling method, a calendar roll method, or the like.

次に、必要な枚数のセラミックグリーンシートに対して、焼成することにより導体層2となる導体金属ペーストを、スクリーン印刷法、またはグラビア印刷法等により塗布する。この導体金属ペーストは、導体金属成分粉末に有機バインダ、可塑剤、および有機溶剤等を混合して作製する。   Next, a conductor metal paste that becomes the conductor layer 2 by firing is applied to the required number of ceramic green sheets by screen printing, gravure printing, or the like. This conductive metal paste is prepared by mixing a conductive metal component powder with an organic binder, a plasticizer, an organic solvent, and the like.

次に、これらのセラミックグリーンシートを積層して加熱圧着しセラミックグリーンシート積層体を作製する。このセラミックグリーンシート積層体を大気中または加湿窒素雰囲気中にて焼成することにより、セラミック焼結体1を作製する。   Next, these ceramic green sheets are laminated and heat-pressed to produce a ceramic green sheet laminate. The ceramic green sheet laminate is fired in the air or in a humidified nitrogen atmosphere to produce a ceramic sintered body 1.

セラミック焼結体1の内部には、必要に応じて、導体層2同士を電気的に導通させる内部配線導体層を形成してもよい。また、予め焼成することにより焼結させたセラミック焼結体1の表面に導体金属ペーストを塗布して熱処理することにより、導体層2を形成したセラミック焼結体1を作製してもよい。   An internal wiring conductor layer that electrically connects the conductor layers 2 may be formed inside the ceramic sintered body 1 as necessary. Moreover, you may produce the ceramic sintered compact 1 in which the conductor layer 2 was formed by apply | coating a conductor metal paste to the surface of the ceramic sintered compact 1 sintered by baking beforehand, and heat-processing.

次に、図1(b)に示すように、セラミック焼結体1の表面上において、接着層3を、導体層2を覆うようにディスペンス塗布方法やスクリーン印刷方法等によって形成し、その後、平面視してセラミック焼結体1よりも小さいセラミック部材4を、接着層3を介してセラミック焼結体1に接続する。ここで、図2に示すように、平面視してセラミック焼結体1の角部が覆われないように、セラミック部材4を、セラミック焼結体1の内側においてセラミック焼結体1に接続する。   Next, as shown in FIG. 1B, the adhesive layer 3 is formed on the surface of the ceramic sintered body 1 so as to cover the conductor layer 2 by a dispensing method, a screen printing method, or the like, The ceramic member 4 that is smaller than the ceramic sintered body 1 as viewed is connected to the ceramic sintered body 1 through the adhesive layer 3. Here, as shown in FIG. 2, the ceramic member 4 is connected to the ceramic sintered body 1 inside the ceramic sintered body 1 so that the corners of the ceramic sintered body 1 are not covered in a plan view. .

接着剤層3の種類としては、エポキシ系、アクリル系、若しくはウレタン系等のペースト状の接着剤、またはシート状の接着剤を用いることができる。   As the type of the adhesive layer 3, a paste adhesive such as epoxy, acrylic, or urethane, or a sheet adhesive can be used.

ここで、接着剤層3の形成に接着シートを用いた場合には、接着層3の膜厚を均一に形成することができることから、セラミック部材4を接続するときに接着層3がセラミック焼結体1の側面にはみ出すことを抑制することができ、研磨中にエッジ部分のR面取りの加工ムラがよりいっそう少ないセラミック基板11を得ることができる。   Here, when an adhesive sheet is used to form the adhesive layer 3, the adhesive layer 3 can be formed uniformly, so that when the ceramic member 4 is connected, the adhesive layer 3 is ceramic sintered. The ceramic substrate 11 can be prevented from protruding to the side surface of the body 1 and the unevenness of the R chamfering of the edge portion during polishing is further reduced.

セラミック部材4の種類としては、アルミナセラミックスやガラスセラミックス等の酸化物セラミックス、窒化アルミや炭化珪素等の非酸化物セラミックスを用いることができる。ここで、セラミック部材4の材料とセラミック焼結体1の材料とが、同一の材料で形成されている場合には、研磨中に研削されたセラミック部材4がセラミック焼結体1の表面に再付着することによる絶縁性の劣化の発生をよりいっそう少ないものとすることができる。   As the type of the ceramic member 4, oxide ceramics such as alumina ceramics and glass ceramics, and non-oxide ceramics such as aluminum nitride and silicon carbide can be used. Here, when the material of the ceramic member 4 and the material of the ceramic sintered body 1 are formed of the same material, the ceramic member 4 ground during polishing is re-applied to the surface of the ceramic sintered body 1. The occurrence of deterioration of insulating properties due to adhesion can be further reduced.

また、図3に示すように、セラミック部材4が、セラミック焼結体1に向けて広がる傾斜面を有する形状である場合には、研磨中に研磨石や研磨材がセラミック焼結体のエッジ部分に接触作用しやすくなることから、短時間でエッジ部分にR面取り加工をすることができるとともに、R面取りの加工ムラがよりいっそう少ないセラミック基板11を得ることができる。   In addition, as shown in FIG. 3, when the ceramic member 4 has a shape having an inclined surface that spreads toward the ceramic sintered body 1, the polishing stone and the abrasive are edge portions of the ceramic sintered body during polishing. Therefore, the ceramic substrate 11 can be obtained in which the edge chamfering process can be performed on the edge portion in a short time and the processing irregularity of the R chamfering process is further reduced.

次に、図1(c)に示すように、セラミック部材4が接続されたセラミック焼結体1を研磨することにより、エッジ部分のR面取りをする。   Next, as shown in FIG. 1 (c), the ceramic sintered body 1 to which the ceramic member 4 is connected is polished to round the edge portion.

研磨の方法としては、研磨石、研磨材、および研磨溶液の入った研磨容器内に、セラミック焼結体1を入れて回転または振動させる、いわゆるバレル研磨加工、または研磨材を高圧空気とともにセラミック焼結体1へ吹き付ける、いわゆるブラスト研磨加工等を用いることができる。   As a polishing method, a ceramic sintered body 1 is put in a polishing container containing a polishing stone, an abrasive, and a polishing solution, and the ceramic sintered body 1 is rotated or vibrated. A so-called blast polishing process or the like that is sprayed onto the bonded body 1 can be used.

また、セラミック焼結体1とセラミック部材4とが一体化した状態で研磨することにより、例えばセラミック焼結体1の厚みが薄い場合等であっても、セラミック部材4がセラミック焼結体1の強度を補強することができることから、研磨中にセラミック焼結体1が割れる、またはクラックが生じることを低減することができる。   Further, by polishing in a state where the ceramic sintered body 1 and the ceramic member 4 are integrated, for example, even when the thickness of the ceramic sintered body 1 is thin, the ceramic member 4 is made of the ceramic sintered body 1. Since the strength can be reinforced, the ceramic sintered body 1 can be prevented from cracking or cracking during polishing.

次に、図1(d)に示すように、接着層3を溶融させてセラミック部材4および接着層3をセラミック焼結体1から除去する。除去方法としては、例えば、セラミック焼結体1を500乃至1000℃に加熱することにより、接着層3を溶融分解させて、セラミック部材4を除去する。これにより、セラミック基板11を得ることができる。   Next, as shown in FIG. 1D, the adhesive layer 3 is melted to remove the ceramic member 4 and the adhesive layer 3 from the ceramic sintered body 1. As a removing method, for example, the ceramic sintered body 1 is heated to 500 to 1000 ° C. to melt and decompose the adhesive layer 3 to remove the ceramic member 4. Thereby, the ceramic substrate 11 can be obtained.

なお、接着層3とセラミック部材4とを除去した後、表面に導体層2が形成されたセラミック焼結体1を洗浄する洗浄工程を行ってもよい。その場合には、セラミック焼結体1および導体層2の表面の接着層3の残渣を取り除くことができることから、絶縁信頼性がより一層高いセラミック基板11とすることができる。   In addition, after removing the adhesive layer 3 and the ceramic member 4, you may perform the washing | cleaning process of wash | cleaning the ceramic sintered compact 1 in which the conductor layer 2 was formed in the surface. In that case, since the residue of the adhesive layer 3 on the surface of the ceramic sintered body 1 and the conductor layer 2 can be removed, the ceramic substrate 11 with higher insulation reliability can be obtained.

なお、導体層2の表面に、半導体チップやチップ部品を搭載する場合には、半田等による接合を強固なものにするために、その表面にニッケル層および金層をメッキ法等により順次被着しておいてもよい。   When a semiconductor chip or chip component is mounted on the surface of the conductor layer 2, a nickel layer and a gold layer are sequentially deposited on the surface by a plating method or the like in order to strengthen the bonding with solder or the like. You may keep it.

さらに、導体層2はセラミック焼結体1の片面にのみ形成されたものに限定されず、セラミック焼結体1の両面に導体層2が形成されて、それぞれに接着層3とセラミック部材4とを接続しておいてもよい。   Furthermore, the conductor layer 2 is not limited to the one formed only on one side of the ceramic sintered body 1. The conductor layer 2 is formed on both sides of the ceramic sintered body 1, and the adhesive layer 3, the ceramic member 4, May be connected.

また、セラミック部材4は、セラミック焼結体1と同様のセラミック焼結体であってもよい。この場合は、2つのセラミック焼結体1の導体層2が形成された表面同士を対向させて、その表面を接着剤を介して接続してもよい。この場合は、2つのセラミック焼結体1の加工を同時に行うことができ、作業効率を向上させることができる。   The ceramic member 4 may be a ceramic sintered body similar to the ceramic sintered body 1. In this case, the surfaces on which the conductor layers 2 of the two ceramic sintered bodies 1 are formed may be opposed to each other and the surfaces may be connected via an adhesive. In this case, the two ceramic sintered bodies 1 can be processed simultaneously, and the working efficiency can be improved.

以上のようなセラミック基板の製造方法によれば、セラミック焼結体1の表面に設けられた導体層2が、研磨中に研磨石や研磨材に直接接触することなく研磨される。このため、セラミック焼結体1の表面に設けられた導体層2が研磨されて剥がれること、および研削された導体層2中の金属成分がセラミック焼結体1の表面に再付着して、セラミック基板11の絶縁性を劣化させることを抑制することができる。   According to the method for manufacturing a ceramic substrate as described above, the conductor layer 2 provided on the surface of the ceramic sintered body 1 is polished without directly contacting a polishing stone or an abrasive during polishing. For this reason, the conductor layer 2 provided on the surface of the ceramic sintered body 1 is polished and peeled, and the metal component in the ground conductor layer 2 is reattached to the surface of the ceramic sintered body 1, thereby Degradation of the insulating properties of the substrate 11 can be suppressed.

そして、以上のような方法で作製されたセラミック基板11は、表面の導体層2を消失させることなく、そのエッジ稜線部分に均一にR面取り加工がされた、信頼性の高いものとすることができる。   The ceramic substrate 11 produced by the method as described above should be highly reliable, with the R edge chamfering processed uniformly on the edge ridge line portion without losing the conductor layer 2 on the surface. it can.

以下、実施例を挙げて本発明の配線基板の製造方法を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although the Example is given and the manufacturing method of the wiring board of this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited only to a following example.

まず、セラミック無機成分としてアルミナ粉末を90質量部、焼結助剤としてシリカ、マグネシア、カルシアを合わせて10質量部の割合で調合したセラミック粉末100質量部に対して、有機バインダとしてアクリル樹脂15質量部を調合し、有機溶剤としてトルエン及び酢酸エチルをボールミルにより混合し、セラミックスラリーを調製した。このセラミックスラリーをドクターブレード法により塗布し、乾燥させて厚み100μmのアルミナセラミックグリーンシートを形成した。   First, 90 parts by mass of alumina powder as a ceramic inorganic component, and 100 parts by mass of ceramic powder prepared by combining silica, magnesia, and calcia as sintering aids at a ratio of 10 parts by mass, acrylic resin 15 parts by mass as an organic binder Parts were prepared, and toluene and ethyl acetate as an organic solvent were mixed by a ball mill to prepare a ceramic slurry. This ceramic slurry was applied by a doctor blade method and dried to form an alumina ceramic green sheet having a thickness of 100 μm.

次に、このアルミナセラミックグリーンシートの表面に、タングステン粉末を100質量部にアクリル樹脂10質量部と有機溶剤としてのα−テルピネオール1質量部とを加え、攪拌脱泡機により十分に混合した後に、3本ロールにて十分に混練した導体金属ペーストを、スクリーン印刷法によって1mm×1mmの四角形状で20μmの厚みに塗布し、70℃で30分乾燥した。   Next, after adding 10 parts by mass of acrylic resin and 1 part by mass of α-terpineol as an organic solvent to 100 parts by mass of tungsten powder on the surface of the alumina ceramic green sheet, and thoroughly mixing with a stirring deaerator, A conductor metal paste sufficiently kneaded with three rolls was applied to a thickness of 20 μm in a 1 mm × 1 mm square shape by screen printing, and dried at 70 ° C. for 30 minutes.

次に、このアルミナセラミックグリーンシートを積み重ねて、20MPaの圧力と50℃の温度で加熱圧着してアルミナセラミックグリーンシートの積層体を作製した。   Next, the alumina ceramic green sheets were stacked and thermocompression bonded at a pressure of 20 MPa and a temperature of 50 ° C. to produce a laminate of alumina ceramic green sheets.

次に、このアルミナセラミックグリーンシート積層体を、加湿窒素雰囲気中1600℃、1時間で焼成して、表面に導体層2が設けられた5mm×5mmの四角形状で厚み1mmのセラミック焼結体1を作製した。   Next, this alumina ceramic green sheet laminate is fired in a humidified nitrogen atmosphere at 1600 ° C. for 1 hour to form a ceramic sintered body 1 having a 5 mm × 5 mm square shape with a conductor layer 2 provided on the surface and a thickness of 1 mm. Was made.

次に、表面に導体層2を形成しない以外は同様に、4mm×4mmの四角形状で厚み0.5mmのセラミック部材4を作製した。   Next, a ceramic member 4 having a square shape of 4 mm × 4 mm and a thickness of 0.5 mm was produced in the same manner except that the conductor layer 2 was not formed on the surface.

次に、セラミック焼結体1の表面に形成した導体層2を覆うように、エポキシ系接着剤をディスペンス塗布法によって厚み100umに接着層3を形成した。この接着層3を介してセラミック部材4を載置して100℃、30分で加熱硬化させて接続した。   Next, an adhesive layer 3 having a thickness of 100 μm was formed by dispensing an epoxy adhesive so as to cover the conductor layer 2 formed on the surface of the ceramic sintered body 1. The ceramic member 4 was placed via the adhesive layer 3 and connected by being cured by heating at 100 ° C. for 30 minutes.

次に、このセラミック焼結体1を、バレル槽内にジルコニアの研磨石、炭化珪素の研磨材、水の研磨溶液とともに投入し、50rpmで12時間回転させて研磨加工した。   Next, the ceramic sintered body 1 was put into a barrel tank together with a zirconia polishing stone, a silicon carbide polishing material, and a water polishing solution, and was polished by rotating at 50 rpm for 12 hours.

次に、研磨したセラミック焼結体1を窒素雰囲気中500℃、1時間の加熱処理をして、接着層3を溶融させセラミック部材4をセラミック焼結体1から除去した。このようにして、セラミック基板11を作製した。   Next, the polished ceramic sintered body 1 was heated in a nitrogen atmosphere at 500 ° C. for 1 hour to melt the adhesive layer 3 and remove the ceramic member 4 from the ceramic sintered body 1. Thus, the ceramic substrate 11 was produced.

次に、比較例としてセラミック部材4を接続させない以外の構成は上記と同様にしてセラミック基板11を作製した。   Next, as a comparative example, a ceramic substrate 11 was produced in the same manner as above except that the ceramic member 4 was not connected.

得られたセラミック基板11について、導体層2の表面を50倍の顕微鏡で外観状態を観察したところ、実施例のセラミック基板11は、導体層2にキズや剥離がなく、セラミック焼結体1のエッジ部分にR面取りがされていた。一方、比較例のセラミック基板11は、導体層2にキズが発生して、セラミック焼結体1から剥離していた。   Regarding the obtained ceramic substrate 11, when the appearance of the surface of the conductor layer 2 was observed with a 50-fold microscope, the ceramic substrate 11 of the example had no scratches or peeling on the conductor layer 2, and the ceramic substrate 11 The edge portion was chamfered. On the other hand, in the ceramic substrate 11 of the comparative example, the conductor layer 2 was scratched and peeled from the ceramic sintered body 1.

本発明の実施の形態によるセラミック基板の製造方法の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the manufacturing method of the ceramic substrate by embodiment of this invention. セラミック部材が接続されたセラミック焼結体を示す平面図である。It is a top view which shows the ceramic sintered compact to which the ceramic member was connected. セラミック部材が接続されたセラミック焼結体を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the ceramic sintered compact to which the ceramic member was connected.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・セラミック焼結体
2・・・導体層
3・・・接着層
4・・・セラミック部材
11・・・セラミック基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic sintered compact 2 ... Conductor layer 3 ... Adhesion layer 4 ... Ceramic member 11 ... Ceramic substrate

Claims (5)

表面に導体層が設けられたセラミック焼結体を準備する準備工程と、
前記セラミック焼結体の表面上において前記導体層を覆うように接着層を形成する形成工程と、
平面視して前記セラミック焼結体の内側において、該セラミック焼結体に前記接着層を介してセラミック部材を接続する接続工程と、
前記セラミック部材が接続された前記セラミック焼結体を研磨する研磨工程と、
前記接着層を溶融させて前記セラミック部材および前記接着層を除去する除去工程と
を有するセラミック基板の製造方法。
A preparation step of preparing a ceramic sintered body provided with a conductor layer on the surface;
Forming a bonding layer so as to cover the conductor layer on the surface of the ceramic sintered body;
A connecting step of connecting a ceramic member to the ceramic sintered body via the adhesive layer inside the ceramic sintered body in plan view;
A polishing step of polishing the ceramic sintered body to which the ceramic member is connected;
And a removing step of removing the ceramic member and the adhesive layer by melting the adhesive layer.
前記セラミック部材は、前記セラミック焼結体と同一の材料からなる請求項1に記載のセラミック基板の製造方法。   The method for manufacturing a ceramic substrate according to claim 1, wherein the ceramic member is made of the same material as the ceramic sintered body. 前記セラミック部材は、前記セラミック焼結体に向けて広がる傾斜面を有する請求項1または請求項2に記載のセラミック基板の製造方法。   The method for manufacturing a ceramic substrate according to claim 1, wherein the ceramic member has an inclined surface that spreads toward the ceramic sintered body. 前記除去工程の後、前記セラミック焼結体において前記導体層が形成された表面を洗浄する洗浄工程を有する請求項1から請求項3のいずれかに記載のセラミック基板の製造方法。   The method for manufacturing a ceramic substrate according to any one of claims 1 to 3, further comprising a cleaning step of cleaning a surface of the ceramic sintered body on which the conductor layer is formed after the removing step. 前記接着層は、接着シートからなる請求項1から請求項4のいずれかに記載のセラミック基板の製造方法。   The method for manufacturing a ceramic substrate according to claim 1, wherein the adhesive layer is made of an adhesive sheet.
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