JP5090449B2 - テラヘルツ帯デバイス用素子及びテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法 - Google Patents

テラヘルツ帯デバイス用素子及びテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5090449B2
JP5090449B2 JP2009520577A JP2009520577A JP5090449B2 JP 5090449 B2 JP5090449 B2 JP 5090449B2 JP 2009520577 A JP2009520577 A JP 2009520577A JP 2009520577 A JP2009520577 A JP 2009520577A JP 5090449 B2 JP5090449 B2 JP 5090449B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
znte
terahertz
band device
single crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009520577A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2009001796A1 (ja
Inventor
聰明 朝日
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority to JP2009520577A priority Critical patent/JP5090449B2/ja
Publication of JPWO2009001796A1 publication Critical patent/JPWO2009001796A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5090449B2 publication Critical patent/JP5090449B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/0296Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S1/00Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range
    • H01S1/02Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range solid

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Description

【技術分野】
【0001】
本発明は、テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等に用いられるテラヘルツ帯デバイス用素子及びその製造方法に関し、特に、電気光学結晶であるZnTe単結晶を利用したテラヘルツ帯デバイス用素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、サブミリ波から遠赤外域を含む周波数領域(0.1〜10THz)はテラヘルツ電磁波領域と総称され、光波と電波の境界に位置する。近年では、酸化物単結晶や化合物半導体単結晶からなる電気光学結晶(Electro-Optic Crystal)や半導体の光伝導スイッチ素子をフェムト秒レーザで励起することによりテラヘルツ波を発生する技術や、電気光学結晶の複屈折の特性を利用してテラヘルツ波を検出する技術が開発される等、テラヘルツ波に関する技術は著しく進歩している。
【0003】
例えば、非特許文献1には、広帯域のテラヘルツ超短パルスのサンプリング技術である電気光学サンプリング(EOS)について記載されている。また、ZnTe単結晶をテラヘルツ検出器として用いる場合、入射するレーザ(光パルス)とテラヘルツ波(テラヘルツパルス)間での完全な位相整合は不可能であるため、薄い結晶の方が分散が小さくなって、検出される帯域幅が広くなることが記載されている。つまり、入射するレーザとテラヘルツ波の位相整合はZnTe単結晶基板の厚さに依存するので、基板厚さを薄くして整合性をよくすれば、テラヘルツ波の検出帯域を広くすることができる。
【0004】
また、非特許文献2には、非線形光学効果を用いたテラヘルツ波発生に関する技術が記載されている。例えば、GaSeを用いた場合の差周波発生に関する技術として、GaSeは負の一軸性結晶のため、入射した励起光の垂直方向成分は常光、水平方向成分は異常光となり、常光と異常光は屈折率が異なるために同じパルス内の異なる周波数成分間の差周波が発生することが記載されている。
一方、ZnTeは等軸結晶のため、通常、常光と異常光に屈折率差はないが、結晶中に「ひずみ」があると常光と異常光に屈折率差が生じるので、上述したGaSeと同様にテラヘルツ波が差周波として発生することとなる。例えば、ヘムト秒レーザをZnTe単結晶基板に照射することによりテラヘルツ波を発生させることができる。
【0005】
このように、ZnTe単結晶はテラヘルツ波検出器及びテラヘルツ波発生器等のテラヘルツ帯デバイス用の素子として利用されている。特に、広帯域のテラヘルツ波の発生及び検出には、厚さ50μm以下の極薄ZnTe基板が使用されている。
また、この厚さ50μm以下の極薄ZnTe基板は取り扱いが困難であることから、従来は、例えば石英ガラス基板上にZnTe基板を設けるようにして機械的強度を補強している。
【0006】
図7A、図7Bは、ZnTe基板を用いた従来のテラヘルツ帯デバイス用素子の用途例について示した説明図である。図7A、図7Bに示すように、テラヘルツ波検出素子及びテラヘルツ波発生素子は、ZnTe基板2が石英ガラス基板1に貼着されて構成されている。例えば、石英ガラス基板1上に鏡面研磨したZnTe基板2の片面を接着剤などで貼り付けた後、さらに他方の表面を鏡面研磨して所望の厚さとされる。
【0007】
図7Aに示すように、テラヘルツ波検出素子では石英ガラス基板1側からテラヘルツ波及びプローブ光(直線偏光)が入射され、ZnTe基板2からプローブ光(楕円偏光)が出射される。また、図7Bに示すように、テラヘルツ波発生素子では石英ガラス基板1側から励起光が入射され、ZnTe基板2からテラヘルツ波が出射される。
【非特許文献1】
テラヘルツセンシングテクノロジー 第8章(2006)、監修:大森豊昭、発行所:株式会社エヌ・ティー・エス
【非特許文献2】
テラヘルツテクノロジー 第II章1(2005)、監訳:大森豊昭、発行所:株式会社エヌ・ティー・エス
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかしながら、図7Aに示すテラヘルツ波検出素子においては、入射したテラヘルツ波は、ZnTe基板2に到達する前に接着剤や石英ガラス基板1によって吸収され信号強度が低下するため、テラヘルツ波によりZnTe基板2に生じる電界は、本来のテラヘルツ波の信号強度を反映したものとならない虞がある。そのため、テラヘルツ波を精度よく検出することが困難となる。
[0009]
また、図7Bに示すテラヘルツ波発生素子においては、照射した励起光(例えば、ヘムト秒レーザ)のパルス幅が、石英ガラス基板1や接着剤を透過する際に広がってしまうため、ZnTe基板2において必要な周波数を有するテラヘルツ波が発生されない虞がある。例えば、当初のパルス幅で数THzまで発生するものが、パルス幅の広がりにより1THz程度にしかならない場合がある。
[0010]
また、ZnTe基板2を所望の厚さまで研磨した後、石英ガラス基板1に貼着する場合、薄く研磨する際にZnTe基板の周辺部などが破損することが多々ある。
[0011]
本発明は、テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるとともに、取り扱いが容易なテラヘルツ帯デバイス用素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
【0012】
請求項1に記載の発明は、上記目的を達成するためになされたもので、テラヘルツ波を発生又は検出するためのテラヘルツ帯デバイス用素子であって、結晶方位が(110)、(111)、或いは電気光学効果を有した方位であるZnTe単結晶基板を前記素子として備えており、その表裏面が外部に露呈されていることを特徴とする。
【0014】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のテラヘルツ帯デバイス用素子において、1又は複数の開口部を有する板状保持部材に、前記ZnTe単結晶基板が前記開口部を覆うように貼着されてなることを特徴とする。
【0015】
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のテラヘルツ帯デバイス用素子において、前記板状保持部材は、前記ZnTe単結晶基板を貼着する凹状収容部を有し、前記凹状収容部の底面の一部に前記開口部が形成され、前記凹状収容部は、前記ZnTe単結晶基板を嵌合可能な形状を有することを特徴とする。
【0016】
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載のテラヘルツ帯デバイス用素子において、前記凹状収容部に嵌合されたZnTe単結晶基板と前記板状保持部材は、その裏面が同じ高さになるように研磨加工されていることを特徴とする。
【0018】
請求項に記載の発明は、結晶方位が(110)、(111)、或いは電気光学効果を有した方位であるZnTe単結晶基板を、1又は複数の開口部を有する板状保持部材に、前記開口部を覆うように貼着する工程と、前記貼着工程後に前記ZnTe単結晶基板を裏面研磨する工程を有することを特徴とする。
【0019】
請求項に記載の発明は、1又は複数の開口部が形成された凹状収容部を有する板状保持部材を用い、結晶方位が(110)、(111)、或いは電気光学効果を有した方位であるZnTe単結晶基板を、前記凹状収容部に前記開口部を覆うように貼着する工程と、前記貼着工程後に前記ZnTe単結晶基板を裏面研磨する工程を有することを特徴とする。
【0021】
本発明に係るテラヘルツ帯デバイス用素子によれば、テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスに用いた場合に、板状保持部材である石英ガラス基板や接着剤などが、テラヘルツ波の発生又は検出に悪影響を及ぼすのを防止できるので、優れた特性を有するテラヘルツ帯デバイスを実現することができる。
また、テラヘルツ帯デバイス用素子の全体としての厚さが薄くなるわけではないので、適度の機械的強度を有することとなり、取り扱いが容易となる。
【0022】
また、本発明に係るテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法によれば、ZnTe単結晶基板が破損することなく容易に所望の厚さとすることができるので、所望の特性を有するテラヘルツ帯デバイス用素子を歩留まりよく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1A】板状保持部材としての石英ガラス基板の上面図である。
【図1B】板状保持部材としての石英ガラス基板のA−A断面図である。
【図2A】石英ガラス基板にZnTe基板を貼着した状態を示す上面図である。
【図2B】石英ガラス基板にZnTe基板を貼着した状態を示すA−A断面図である。
【図3】第1実施例に係る製造方法により完成したテラヘルツ帯デバイス用素子の断面図である。
【図4A】第1実施例に係るテラヘルツ帯デバイス用素子の用途例について示した説明図である。
【図4B】第1実施例に係るテラヘルツ帯デバイス用素子の用途例について示した説明図である。
【図5A】レジスト膜を形成されたZnTe基板の上面図である。
【図5B】レジスト膜を形成されたZnTe基板のB−B断面図である。
【図6】第2実施例に係る製造方法により完成したテラヘルツ帯デバイス用素子の断面図である。
【図7A】ZnTe基板を用いた従来のテラヘルツ帯デバイス用素子の用途例について示した説明図である。
【図7B】ZnTe基板を用いた従来のテラヘルツ帯デバイス用素子の用途例について示した説明図である。
【符号の説明】
【0024】
1 石英ガラス基板(板状保持部材)
2 ZnTe基板
12 開口部
【発明を実施するための最良の形態】
【0025】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
(第1実施例)
第1実施例では、板状保持部材としての石英ガラス基板1を用いたテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法について示す。
図1Aは板状保持部材としての石英ガラス基板の上面図、図1Bは板状保持部材としての石英ガラス基板のA−A断面図、図2Aは石英ガラス基板にZnTe単結晶基板を貼着した状態を示す上面図、図2Bは石英ガラス基板にZnTe単結晶基板を貼着した状態を示すA−A断面図、図3は完成したテラヘルツ帯デバイス用素子の断面図である。
【0026】
図1A、図1Bに示すように、第1実施例で使用する石英ガラス基板1は、円盤状部材の直径に沿って凹状の溝部11が形成されており、この凹状溝部11の底面中央に円形の開口部12が形成されている。すなわち、石英ガラス基板1は、ZnTe単結晶基板2を貼着する凹状溝部11を有し、凹状溝部11の底面の一部(中央部)に開口部12が形成されている。
【0027】
ここで、石英ガラス基板1の各寸法は、直径R=19.9mm、厚さh1=1mm、凹状溝部の深さh2=10μm、幅W=10.2mm、開口部12の直径r=6mmとしている。なお、本実施例では、凹状溝部11の深さh2により貼着されるZnTe基板の厚さを制御するので、所望する厚さに応じてこの凹状溝部11の深さは5〜100μmの範囲で適宜変更される。また、その他の寸法は一例であり、特に限定されるものではない。
【0028】
まず、インゴットから、例えば、厚さt=数100μm、(110)面で切断された10.2mm四方の正方形状のZnTe基板2(アズカット・ウェハ)を用意し、このZnTe基板2の表面を鏡面研磨し、表面粗さを1μm以下とする。
ここで、ZnTe基板2の一辺は石英ガラス基板1の凹状溝部11の幅Wと同じとしている。これにより、ZnTe基板2は凹状溝部11に嵌合されるので、貼着する位置を容易に決定できる上、ZnTe基板2を貼着した後の研磨工程においてZnTe基板2が応力により剥がれ易くなるのを防止できる。
【0029】
次いで、図2A、図2Bに示すように、ZnTe基板2を石英ガラス基板1の開口部12を覆うように載置し、開口部12に対応する領域以外の部分において接着剤等で貼着する。このとき、ZnTe基板2の鏡面研磨した表面が凹状溝部11との接触面となり、接触部位では接着剤を介してZnTe基板2と凹状溝部11の底面が接触することとなる。
【0030】
次いで、ZnTe基板2の裏面(図2では上側の面)を粗研磨して石英ガラス基板1の面と同じ高さとする。つまり、凹状溝部11の高さh2を予め所望の高さとすることにより、ZnTe基板2の厚さを容易に所望の厚さとすることができる。
さらに、ZnTe基板2の裏面を鏡面研磨して表面粗さが1μm以下となるようにする。この研磨工程において、研磨装置の取付治具には石英ガラス基板1が保持されることとなる。したがって、ZnTe基板2には取付治具からの応力は加わらなくなるので、研磨工程においてZnTe基板2が破損するのを効果的に防止できる。
そして、研磨面を洗浄して、図3に示すテラヘルツ帯デバイス用素子10が完成する。
【0031】
第1実施例に係る製造方法によれば、石英ガラス基板1を用いてテラヘルツ帯デバイス用素子10を製造するので、研磨工程などでZnTe基板2が破損することなく容易に所望の厚さとすることができる。これにより、製造工程におけるテラヘルツ帯デバイス用素子10の歩留まりを格段に向上できる。
また、このようにして製造されたテラヘルツ帯デバイス用素子10は、結晶方位が(110)、厚みが5〜100μm、表面粗さが1μm以下であるZnTe基板2を備えるので、テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて、優れた特性を発揮する。
【0032】
また、テラヘルツ帯デバイス用素子10において、ZnTe基板2の中央部表裏面は外部に露呈されているので、テラヘルツ波や励起光の入射時に、石英ガラス基板1や接着剤などが悪影響を及ぼすのを防止できる。したがって、優れた特性を有するテラヘルツ帯デバイスを実現することができる。
【0033】
すなわち、図4Aに示すように、テラヘルツ波検出素子では、石英ガラス基板1側から入射されたテラヘルツ波及びプローブ光(直線偏光)は、開口部12を通して直接ZnTe基板2に入射されるので、出射されるプローブ光(楕円偏光)は入射したテラヘルツ波の信号強度を正確に反映したものとなる。
また、図4Bに示すように、テラヘルツ波発生素子では、石英ガラス基板1側から入射された励起光(例えば、ヘムト秒レーザ)は直接ZnTe基板2に入射されるので、ZnTe基板2において必要な周波数を有するテラヘルツ波を確実に発生させることができる。
【0034】
また、テラヘルツ帯デバイス用素子10の全体としての厚さが薄くなるわけではなく、石英ガラス基板1によっても適度の機械的強度を確保されているので、取り扱いが容易となる。
【0035】
(第2実施例)
第2実施例では、板状保持部材としての石英ガラス基板1を用いずにテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法について示す。
図5Aはレジスト膜を形成されたZnTe基板の上面図、図5Bはレジスト膜を形成されたZnTe基板のB−B断面図、図6は完成したテラヘルツ帯デバイス用素子の断面図である。
【0036】
まず、インゴットから、例えば、厚さt=100μm、(110)面で切断された10.2mm四方の正方形状のZnTe基板2(アズカット・ウェハ)を用意し、このZnTe基板2の表裏面を鏡面研磨し、表面粗さを1μm以下とする。
【0037】
次いで、フォトリソグラフィ技術を利用して、図5A、図5Bに示すように、このZnTe基板2の中心部(直径6mm)以外にレジスト3を形成する。
次いで、ZnTe基板2の中心部2aをブロムメタノール或いは重クロム酸カリウム溶液などでエッチングし、基板中心部2aの厚さを所望の厚さ(例えば、10μm)とする。
そして、ZnTe基板2を洗浄して、図6に示すテラヘルツ帯デバイス用素子20が完成する。
【0038】
第2実施例に係る製造方法によれば、ZnTe基板2の厚さをエッチングにより制御するので、破損することなく容易に所望の厚さとすることができ、テラヘルツ帯デバイス用素子10を歩留まりよく製造することができる。
【0039】
また、このようにして製造されたテラヘルツ帯デバイス用素子10は、結晶方位が(110)、表面粗さが1μm以下であり、一部(基板中心部)の厚みが5〜100μmで、それ以外の厚みは100μmを超えるZnTe基板2を備え、基板中心部がテラヘルツ波発生素子やテラヘルツ波検出素子として用いられるので、テラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮する。
【0040】
また、テラヘルツ帯デバイス用素子10において、ZnTe基板2の表裏面は外部に露呈されているので、テラヘルツ波や励起光の入射時に、石英ガラス基板1や接着剤などが悪影響を及ぼすのを防止できる。したがって、優れた特性を有するテラヘルツ帯デバイスを実現することができる。
【0041】
さらに、テラヘルツ帯デバイス用素子20の全体としての厚さが薄くなるわけではないので、適度の機械的強度を有することとなり、取り扱いが容易となる。
【0042】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0043】
例えば、第1実施例では、石英ガラス基板1の凹状溝部11に円形の開口部12を1つ形成した板状保持部材について示しているが、板状保持部材の形状はこれに制限されない。すなわち、石英ガラス基板1に、貼着されるZnTe基板2と平面視で同じ形状に窪んだ凹状収容部を形成するようにしてもよいし、或いは凹状収容部を形成しないようにしてもよい。また、開口部12の形状を矩形状にしてもよいし、複数形成するようにしてもよい。
【0044】
また、第1実施例において、ZnTe基板2を所定の厚さまで研磨した後、さらに、開口部12側からZnTe基板2をエッチングするようにしてもよい。例えば、ZnTe基板2の厚さを極めて薄くする場合(例えば、10μm以下)等、研磨処理ではZnTe基板2が破損する虞があるときに有効である。
また、第1,第2実施例において、ZnTe基板2の結晶方位を(111)或いは電気光学効果を有した方位としても同様の効果を得ることができる。

Claims (6)

  1. テラヘルツ波を発生又は検出するためのテラヘルツ帯デバイス用素子であって、
    結晶方位が(110)、(111)、或いは電気光学効果を有した方位であるZnTe単結晶基板を前記素子として備えており、その表裏面が外部に露呈されていることを特徴とするテラヘルツ帯デバイス用素子。
  2. 1又は複数の開口部を有する板状保持部材に、前記ZnTe単結晶基板が前記開口部を覆うように貼着されてなることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ帯デバイス用素子。
  3. 前記板状保持部材は、前記ZnTe単結晶基板を貼着する凹状収容部を有し、前記凹状収容部の底面の一部に前記開口部が形成され、前記凹状収容部は、前記ZnTe単結晶基板を嵌合可能な形状を有することを特徴とする請求項2に記載のテラヘルツ帯デバイス用素子。
  4. 前記凹状収容部に嵌合されたZnTe単結晶基板と前記板状保持部材は、その裏面が同じ高さになるように研磨加工されていることを特徴とする請求項3に記載のテラヘルツ帯デバイス用素子。
  5. 結晶方位が(110)、(111)、或いは電気光学効果を有した方位であるZnTe単結晶基板を、1又は複数の開口部を有する板状保持部材に、前記開口部を覆うように貼着する工程と、
    前記貼着工程後に前記ZnTe単結晶基板を裏面研磨する工程を有することを特徴とするテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法。
  6. 1又は複数の開口部が形成された凹状収容部を有する板状保持部材を用い、結晶方位が(110)、(111)、或いは電気光学効果を有した方位であるZnTe単結晶基板を、前記凹状収容部に前記開口部を覆うように貼着する工程と、
    前記貼着工程後に前記ZnTe単結晶基板を裏面研磨する工程を有することを特徴とするテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法。
JP2009520577A 2007-06-25 2008-06-23 テラヘルツ帯デバイス用素子及びテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法 Active JP5090449B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009520577A JP5090449B2 (ja) 2007-06-25 2008-06-23 テラヘルツ帯デバイス用素子及びテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007166715 2007-06-25
JP2007166715 2007-06-25
JP2009520577A JP5090449B2 (ja) 2007-06-25 2008-06-23 テラヘルツ帯デバイス用素子及びテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法
PCT/JP2008/061417 WO2009001796A1 (ja) 2007-06-25 2008-06-23 テラヘルツ帯デバイス用素子及びテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2009001796A1 JPWO2009001796A1 (ja) 2010-08-26
JP5090449B2 true JP5090449B2 (ja) 2012-12-05

Family

ID=40185610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009520577A Active JP5090449B2 (ja) 2007-06-25 2008-06-23 テラヘルツ帯デバイス用素子及びテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5090449B2 (ja)
WO (1) WO2009001796A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102647571B1 (ko) * 2020-07-24 2024-03-14 한국전력공사 테라헤르츠파 발생장치 및 테라헤르츠파 정렬방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000352558A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Hamamatsu Photonics Kk テラヘルツ波分光器
JP2003270598A (ja) * 2002-03-15 2003-09-25 Nikko Materials Co Ltd 電気光学結晶およびZnTe電気光学結晶の製造方法
JP2005099453A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Kansai Electric Power Co Inc:The テラヘルツ電磁波発生素子
JP2006154336A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Nikko Kinzoku Kk 電気光学結晶素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000352558A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Hamamatsu Photonics Kk テラヘルツ波分光器
JP2003270598A (ja) * 2002-03-15 2003-09-25 Nikko Materials Co Ltd 電気光学結晶およびZnTe電気光学結晶の製造方法
JP2005099453A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Kansai Electric Power Co Inc:The テラヘルツ電磁波発生素子
JP2006154336A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Nikko Kinzoku Kk 電気光学結晶素子

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009001796A1 (ja) 2008-12-31
JPWO2009001796A1 (ja) 2010-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5730327B2 (ja) 焦電素子及びその製造方法
EP3715931B1 (en) Method of removing foreign matter in the manufacture of an optical detection device
TW201245067A (en) Cutting method for bonded glass, manufacturing method for package, package, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic machine and radio clock
JP6144684B2 (ja) テラヘルツ波検出素子とその作製方法および観察装置
JP5090449B2 (ja) テラヘルツ帯デバイス用素子及びテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法
WO2013175528A1 (ja) 光伝導基板および光伝導素子
US8445875B2 (en) Optical crystal and terahertz wave generation device and method
JP2009217085A (ja) 光学部品
US20200310104A1 (en) Wafer inspection method and wafer
EP2899514B1 (en) Terahertz-wave detection element, production method therefor, joined body, and observation device
CN103477204A (zh) 测定构造体、其制造方法及使用该测定构造体的测定方法
JP2010224064A (ja) 光導波路デバイス
TWI592982B (zh) Method of manufacturing semiconductor device
CN111482709A (zh) 被加工物的加工方法
US9851305B2 (en) Surface-enhanced Raman scattering unit and Raman spectroscopic analysis method
JP5428932B2 (ja) 光導波路デバイス及びその製造方法
JP2003270598A (ja) 電気光学結晶およびZnTe電気光学結晶の製造方法
JP4291615B2 (ja) 光学素子ウエハ及びその製造方法、光学素子の製造方法
JPH09210885A (ja) 裏面からの成分分析の試料作成方法
JP4756853B2 (ja) 電気光学結晶素子
JP3321614B2 (ja) 電界測定用プローブの製造方法
JP5926906B2 (ja) テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法
JP2006251086A (ja) 電磁波発生素子
US10809201B2 (en) Crystal orientation detecting apparatus and crystal orientation detecting method
RU2219529C1 (ru) Устройство для контроля ориентации плоскости среза монокристаллических пластин

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100902

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120904

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120912

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5090449

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250