JP5085753B2 - 可変容量素子及び共振回路 - Google Patents
可変容量素子及び共振回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5085753B2 JP5085753B2 JP2011055427A JP2011055427A JP5085753B2 JP 5085753 B2 JP5085753 B2 JP 5085753B2 JP 2011055427 A JP2011055427 A JP 2011055427A JP 2011055427 A JP2011055427 A JP 2011055427A JP 5085753 B2 JP5085753 B2 JP 5085753B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitance
- voltage value
- signal
- ferroelectric layer
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 126
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 30
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 22
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 9
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150096058 Erfe gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 rare earth iron oxide Chemical class 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Near-Field Transmission Systems (AREA)
Description
1.非接触受信装置の構成
2.可変容量コンデンサの構成
3.可変容量コンデンサの設計概要
4.具体例
5.変形例
本実施形態では、非接触受信装置として、非接触ICカードを例にとり説明する。図1は、本実施形態の非接触ICカードの受信系(復調系)回路部のブロック構成図である。なお、図1では、説明を簡略するために、信号の送信系(変調系)回路部は省略している。送信系回路部の構成は、従来の非接触ICカード等と同様の構成である。
次に、可変容量コンデンサ5bについて、図2〜4を参照しながら説明する。図2は、可変容量コンデンサ5bの概略構成図である。
次に、本実施形態の可変容量コンデンサ5bの容量特性の設計概要を図5及び6を参照しながら説明する。図5(a)は、可変容量コンデンサ5b周辺の回路構成図であり、図5(b)は、可変容量コンデンサ5bの容量Cvの交流電圧依存性(容量特性)を示した図である。
次に、本実施形態の具体例を説明する。具体例では、強誘電体層51の形成材料として、BaTiO3(チタン酸バリウム)を用いた例を説明する。
上記実施形態では、電圧に対して容量がほぼ変化しないコンデンサ5aと可変容量コンデンサ5bとを並列に接続して構成した共振コンデンサ5を備える受信部1(アンテナ)の例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、共振コンデンサ5を可変容量コンデンサ5bのみで構成してもよいし、コンデンサ5aと可変容量コンデンサ5bとを直列に接続して共振コンデンサ5を構成してもよい。
Claims (14)
- 強誘電体材料で形成され、外部から入力される所定周波数の受信信号の印加により容量が変化し、且つ、該受信信号の受信電圧値の変化範囲内の所定の電圧範囲で、前記受信電圧値が高くなると前記容量が小さくなるまたは大きくなる特性を有する強誘電体層と、
前記強誘電体層を挟み込むように設けられた2つの電極であって、各電極が、前記受信信号が印加される受信用の電極と、前記受信電圧値に基づいて前記強誘電体層の容量を変化させる容量制御用の電極とを兼ねる、2つの電極と
を備える可変容量素子。 - 強誘電体材料で形成され、外部から入力される交流信号の印加により容量が変化し、且つ、該交流信号の交流電圧値の変化範囲内の所定の電圧範囲で、前記交流電圧値が高くなると前記容量が小さくなるまたは大きくなる特性を有する強誘電体層と、
前記強誘電体層を挟み込むように設けられた複数の電極であって、2つの電極のみで構成された複数の電極と
を備える可変容量素子。 - 強誘電体材料で形成され、外部から入力される交流信号の印加により容量が変化し、且つ、該交流信号の交流電圧値の変化範囲内の所定の電圧範囲で、前記交流電圧値が高くなると前記容量が小さくなる特性を有する強誘電体層と、
前記強誘電体層を挟み込むように設けられた2つの電極であって、各電極が、前記交流信号が印加される信号入力用の電極と、前記交流電圧値に基づいて前記強誘電体層の容量を変化させる容量制御用の電極とを兼ねる、2つの電極と
を備える可変容量素子。 - イオン分極を生じる強誘電体材料で形成され、外部から入力される交流信号の印加により容量が変化し、且つ、該交流信号の交流電圧値の変化範囲内の所定の電圧範囲で、前記交流電圧値が高くなると前記容量が小さくなるまたは大きくなる特性を有する強誘電体層と、
前記強誘電体層を挟み込むように設けられた2つの電極であって、各電極が、前記交流信号が印加される信号入力用の電極と、前記交流電圧値に基づいて前記強誘電体層の容量を変化させる容量制御用の電極とを兼ねる、2つの電極と
を備える可変容量素子。 - 強誘電体材料で形成され、外部から入力される所定周波数の受信信号の印加により容量が変化し、且つ、該受信信号の受信電圧値の変化範囲内の所定の電圧範囲で、前記受信電圧値が高くなると前記容量が小さくなるまたは大きくなる特性を有する強誘電体層と、
前記強誘電体層を挟み込むように設けられた2つの電極とを備え、
前記電極の個数が2つのみである
可変容量素子。 - 強誘電体材料で形成され、外部から入力される交流信号の印加により容量が変化し、且つ、該交流信号の交流電圧値の変化範囲内の所定の電圧範囲で、前記交流電圧値が高くなると前記容量が小さくなる特性を有する強誘電体層と、
前記強誘電体層を挟み込むように設けられた2つの電極とを備え、
前記電極の個数が2つのみである
可変容量素子。 - イオン分極を生じる強誘電体材料で形成され、外部から入力される交流信号の印加により容量が変化し、且つ、該交流信号の交流電圧値の変化範囲内の所定の電圧範囲で、前記交流電圧値が高くなると前記容量が小さくなるまたは大きくなる特性を有する強誘電体層と、
前記強誘電体層を挟み込むように設けられた2つの電極とを備え、
前記電極の個数が2つのみである
を備える可変容量素子。 - 前記電極の個数が2つのみである
請求項1、3及び4のいずれか一項に記載の可変容量素子。 - 前記強誘電体層に印加される前記受信電圧値又は前記交流電圧値が高くなると、前記強誘電体層の前記容量が小さくなる特性を有する
請求項1、2、4、5及び7のいずれか一項に記載の可変容量素子。 - 前記強誘電体材料が、イオン分極を生じる強誘電体材料である
請求項1、2、3、5及び6のいずれか一項に記載の可変容量素子。 - 強誘電体材料で形成され、外部から入力される所定周波数の受信信号の印加により容量が変化し、且つ、該受信信号の受信電圧値の変化範囲内の所定の電圧範囲で、前記受信電圧値が高くなると前記容量が小さくなるまたは大きくなる特性を有する強誘電体層と、前記強誘電体層を挟み込むように設けられた2つの電極であって、各電極が、前記受信信号が印加される受信用の電極と、前記受信電圧値に基づいて前記強誘電体層の容量を変化させる容量制御用の電極とを兼ねる、2つの電極とを有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、
前記共振コンデンサに接続された共振コイルと
を備える共振回路。 - 強誘電体材料で形成され、外部から入力される所定周波数の受信信号の印加により容量が変化し、且つ、該受信信号の受信電圧値の変化範囲内の所定の電圧範囲で、前記受信電圧値が高くなると前記容量が小さくなるまたは大きくなる特性を有する強誘電体層と、前記強誘電体層を挟み込むように設けられた2つの電極とを備え、前記電極の個数が2つのみである可変容量素子を含む共振コンデンサと、
前記共振コンデンサに接続された共振コイルと
を備える共振回路。 - 前記可変容量素子が、前記受信電圧値の変化範囲内の所定の電圧範囲で、前記受信電圧値が高くなると前記可変容量素子の容量が小さくなる特性を有し、前記共振回路の共振周波数が前記所定周波数と略同一になる場合の前記共振コンデンサの容量をC 1 とし、最大の前記受信電圧値を受信した際の前記共振コンデンサの容量をC 2 とし、かつ、前記最大の受信電圧値に対する、受信信号を復調する信号処理部の最大の動作電圧値の相対値に対応する前記共振回路のデチューン値をΔfdとしたとき、
C 2 ≦C 1 /(Δfd) 2
の関係が成立する
請求項11又は12に記載の共振回路。 - 前記共振コンデンサが、前記可変容量素子のみで構成される
請求項11〜13のいずれか一項に記載の共振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011055427A JP5085753B2 (ja) | 2011-03-14 | 2011-03-14 | 可変容量素子及び共振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011055427A JP5085753B2 (ja) | 2011-03-14 | 2011-03-14 | 可変容量素子及び共振回路 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008222812A Division JP4737253B2 (ja) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | 非接触受信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011138544A JP2011138544A (ja) | 2011-07-14 |
JP5085753B2 true JP5085753B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=44349822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011055427A Active JP5085753B2 (ja) | 2011-03-14 | 2011-03-14 | 可変容量素子及び共振回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5085753B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6122307B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2017-04-26 | デクセリアルズ株式会社 | 可変容量回路、可変容量デバイス、共振回路、増幅回路及び電子機器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3012456B2 (ja) * | 1994-06-03 | 2000-02-21 | 寛 川嶋 | 可変コンデンサ |
JP2001005938A (ja) * | 1999-04-19 | 2001-01-12 | Denso Corp | 非接触式icカード |
JP2001160122A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Hitachi Ltd | 非接触icカード |
JP2006303219A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Murata Mfg Co Ltd | 可変容量素子 |
EP1889360A1 (en) * | 2005-06-09 | 2008-02-20 | TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) | A tunable circuit arrangement and a method for providing such an arrangement |
-
2011
- 2011-03-14 JP JP2011055427A patent/JP5085753B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011138544A (ja) | 2011-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4737253B2 (ja) | 非接触受信装置 | |
US8884720B2 (en) | Capacitance element and resonance circuit | |
JP5076026B2 (ja) | 容量素子及び共振回路 | |
US9337796B2 (en) | Capacitance device and resonance circuit | |
JP4888418B2 (ja) | 可変容量素子とその制御方法、電子デバイス及び通信モバイル機器 | |
JP6319758B2 (ja) | 静電容量デバイス、共振回路及び電子機器 | |
KR101709881B1 (ko) | 가변 용량 회로, 가변 용량 디바이스, 공진 회로, 증폭 회로 및 전자 기기 | |
WO2013061677A1 (ja) | 静電容量素子、及び共振回路 | |
US20120062338A1 (en) | Electrostatic capacitance element, method of manufacturing electrostatic capacitance element, and resonance circuit | |
KR20140094508A (ko) | 정전 용량 소자 및 공진 회로 | |
JP2010251426A (ja) | 可変容量素子及び電子機器 | |
JP5085753B2 (ja) | 可変容量素子及び共振回路 | |
WO2012102190A1 (ja) | 容量素子、容量素子の製造方法、共振回路、通信システム、ワイヤレス充電システム、電源装置及び電子機器 | |
KR101642638B1 (ko) | 전자부품, 이를 포함하는 무선 전력 송신 장치, 및 이를 포함하는 무선 전력 수신 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5085753 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120927 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120927 |
|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20130219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |