JP5083879B2 - イオンビーム発生装置 - Google Patents
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Description
I. Yamada, J. Matsuo, N. Toyoda and A. Kirkpatrick:"Materials processing by gas cluster ion beams", Mater. Sci. Eng. R 34 (2001) p231. N. Winograd, "The Magic of Cluster SIMS",Analytical Chemistry, April 1 (2005) p 143 A. P. Lozano, M. Martinez−Sanchez, "Ionic liquid ion sources: suppression of electrochemical reactions using voltage alternation", Journal of Colloid and Interface Science, 280 (2004) p149. C. Larriba, S. Castro, J. Fernandez de la Mora, P. Lozano, "Monoenergetic source of kilodalton ions from Taylor cones of ionic liquids", Journal of Applied Physics, 101 (2007) p084303.
(a)Trihexyltetradecylphosphonium bis(2,4,4−trimethylpentyl) phosphinate,
(C48H102O2P2 :分子量773.27)
(b)Trihexyltetradecylphosphonium bis(trifluoromethylsulfonyl)amide,
(C34H68F6NO4PS2:分子量 764.0)
(c)Tetrabutylammonium heptadecafluorooctanesulfonate,
(C24H36F17NO3S:分子量 741.59)
(d)1−Butyl−1−(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−tridecafluorooctyl)imidazolium
hexafluorophosphate,
(C15H16F19N2P:分子量 616.24 )
(e)1−Methyl−3−(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−tridecafluorooctyl)imidazolium
hexafluorophosphate,
(C12H10F19N2P:分子量 574.16)
(f)1−Ethyl−3−methylimidazolium bis(pentafluoroethylsulfonyl)imide,
(C10H11F10N3O4S2:分子量 491.33)
(g)N,N−Diethyl−N−methyl−N−(2−methoxyethl)ammonium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide,
(C10H20O5N2S2F6:分子量 426.4)
(1)「イオン液体」を含有する溶液を用いていることで、イオン液体を構成するプラスイオンとマイナスイオンを利用できることになり、従来の技術では難しかった負イオンのイオンビーム化も可能となる。
(3)キャピラリーから放出されるイオン生成量を増大させることが可能となるため、得られるイオンビーム電流値を増大することが可能となる。
(5)溶液をエレクトロスプレーにより放出する“針状の細管(キャピラリー)”の位置を最適化できるため、イオンビーム源として効率を高めることが可能となる。
Claims (3)
- イオンビーム発生装置において、該装置は、イオン液体の溶液供給ライン、エレクトロスプレーを行う少なくとも導電性針状細管を有するエレクトロスプレー装置、イオンビームとして利用されなかった該イオン液体の回収を行うイオン液体回収装置及びイオン源内部を備えており、該イオン液体を含有する溶液をエレクトロスプレー法により気相中に放出させ、必要なイオンのみを該イオン源内部の下流に輸送するイオンビーム発生装置であって、
上記針状細管の下流側に偏向電極を備えると共に、上記イオン源内部には、ウィーンフィルタからなる質量分離装置、引出電極、加速電極を備え、該偏向電極及び質量分離装置により必要なイオンのみを下流の引出電極、加速電極を通して直進させ、
上記イオンビーム発生装置はイオンビームの進行方向が重力の方向に下向きに傾斜するように装置全体が傾斜して設けられ、上記イオン源内部に設けられた引出電極及び加速電極は、上部からのみ支持するとともに、イオン源内部の下部にイオン液体を溜める装置を備えることにより、イオン源内部に余分に入り込んだイオン液体が、イオン源内部の下部に備えた上記イオン液体を溜める装置に溜まる構造としたことを特徴とするイオンビーム発生装置。 - 請求項1に記載のイオンビーム発生装置において、上記イオン液体回収装置で回収したイオンビームとして利用されなかったイオン液体及び上記イオン液体を溜める装置で溜めた余分に入り込んだイオン液体を循環させる循環装置を有することを特徴とするイオンビーム発生装置。
- 請求項1に記載のイオンビーム発生装置において、上記針状細管の内部に白金製細線を密に充填することにより、針状細管の先端から微細で多数の液滴を放出することを特徴とするイオンビーム発生装置。
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