JP5074927B2 - Surface modifier and its use - Google Patents
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Description
本発明は、さまざまな基材の表面上に防汚層または低表面張力の層を形成するのに用いられる表面改質剤、ならびに表面改質剤を使用する処理層を形成する方法に関する。さらに、本発明は、表面改質剤が用いられる光学部材（例えば、反射防止フイルム、光学フィルタ、光学レンズ、眼鏡レンズ、ビームスプリッタ、プリズム、鏡など）；ディスプレイ（例えば液晶ディスプレイ、ＣＲＴディスプレイ、投影ＴＶ、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネセンスディスプレイなど）のスクリーン表面に適用される反射防止光学部材；光学機能部材；そのような光学機能部材がディスプレイスクリーン表面に適用されている表示装置；処理ガラス；処理陶磁器などに関する； The present invention relates to a surface modifier used to form an antifouling layer or a low surface tension layer on the surface of various substrates, and a method of forming a treatment layer using the surface modifier. Furthermore, the present invention provides an optical member (for example, an antireflection film, an optical filter, an optical lens, a spectacle lens, a beam splitter, a prism, a mirror, etc.) in which a surface modifier is used; a display (for example, a liquid crystal display, a CRT display, a projection) Antireflection optical member applied to the screen surface of TV, plasma display, electroluminescence display, etc .; optical functional member; display device in which such optical functional member is applied to the display screen surface; treated glass; treated ceramic Etc .;
反射防止コーティング、光学フィルタ、光学レンズ、眼鏡レンズ、ビームスプリッタ、プリズム、鏡および他の光学要素および衛生陶磁器は、使用時に、指紋、皮脂、汗、化粧品などで汚れやすい。一旦付着すると、そのような汚れは容易に落ちにくく、特に、反射防止コーティングを有する光学部材に付着している汚れは容易に目立って、問題を生じさせる。更に、自動車および航空機の窓は、耐久的な撥水性を有することを必要とする。 Anti-reflective coatings, optical filters, optical lenses, spectacle lenses, beam splitters, prisms, mirrors and other optical elements and sanitary ware are prone to smear with fingerprints, sebum, sweat, cosmetics, etc. in use. Once attached, such stains are not easily removed, and in particular, stains attached to an optical member having an anti-reflective coating are easily noticeable and cause problems. Furthermore, automobile and aircraft windows need to have durable water repellency.
汚れおよび撥水性に関するそのような課題を解決するために、さまざまな防汚剤を使用する技術が、これまで提案されてきた。 In order to solve such problems related to dirt and water repellency, techniques using various antifouling agents have been proposed so far.
例えば、特開平９−６１６０５号公報は、基材をパーフルオロアルキル基含有化合物で表面処理することによって得られた防汚性反射防止フィルタを提案している。特公平６−２９３３２号公報は、その表面に、ポリフルオロアルキル基含有モノ−およびジシラン化合物およびハロゲン−、アルキル−またはアルコキシシラン化合物を含んでなる反射防止コーティングを有する防汚性の低反射プラスチックを提案している。特開平７−１６９４０号公報は、パーフルオロアルキル（メタ）アクリレートエステルとアルコキシシラン基含有モノマーとのコポリマーを、二酸化ケイ素を主に含んでなる光学薄膜の上に形成することによって、得られた光学部材を提案している。 For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-61605 proposes an antifouling antireflection filter obtained by surface-treating a base material with a perfluoroalkyl group-containing compound. Japanese Examined Patent Publication No. 6-29332 discloses an antifouling low-reflection plastic having an antireflection coating comprising a polyfluoroalkyl group-containing mono- and disilane compound and a halogen-, alkyl- or alkoxysilane compound on its surface. is suggesting. JP-A-7-16940 discloses an optical obtained by forming a copolymer of a perfluoroalkyl (meth) acrylate ester and an alkoxysilane group-containing monomer on an optical thin film mainly containing silicon dioxide. Proposing members.
しかしながら、従来既知の方法によって形成される防汚性コーティングは不十分な防汚性を有しており、特に、指紋、皮脂、汗および化粧品のような汚れを取り除くことは困難である。更に、それらがより長い期間の間使われるとともに、防汚性は非常に減少する。従って、優れた防汚性および優れた耐久性を有する防汚性コーティングの開発が必要とされている。
本発明は上記の従来技術の課題を解決して、水分または指紋、皮脂、汗、化粧品などの汚れがさまざまな基材、例えば特に反射防止フイルム、光学部材およびガラスの表面に付着することを防止する、優れた高い耐久性の低表面張力処理層を形成でき、かつ汚れまたは水分が一旦付着したとしても容易に拭き取ることができる表面改質剤を提供するものである。 The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, and prevents moisture or fingerprints, sebum, sweat, cosmetics and other dirt from adhering to the surfaces of various substrates such as antireflection films, optical members and glass. It is therefore an object of the present invention to provide a surface modifier that can form an excellent and highly durable low surface tension treatment layer and can be easily wiped even if dirt or moisture once adheres.
本発明の別の目的は、優れた低表面張力の層を形成することができる表面改質剤の製造方法を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a method for producing a surface modifier capable of forming an excellent low surface tension layer.
更に、本発明の別の目的は、優れた低表面張力の層を容易に形成する方法を提供することである。 Yet another object of the present invention is to provide a method for easily forming an excellent low surface tension layer.
さらに、本発明の別の目的は、優れた低表面張力の層を備えている光学部材およびさまざまな基材を提供することである。 Furthermore, another object of the present invention is to provide optical members and various substrates comprising an excellent low surface tension layer.
さらに、本発明の別の目的は、優れた低表面張力の層を備えている反射防止光学部材を提供することである。 Furthermore, another object of the present invention is to provide an antireflection optical member having an excellent low surface tension layer.
さらに、本発明の別の目的は、反射防止部材を備えている光学機能部材を提供することである。 Furthermore, another object of the present invention is to provide an optical functional member provided with an antireflection member.
さらに、本発明の別の目的は、光学機能部材を備えている表示スクリーン表面を有する表示装置を提供することである。 Furthermore, another object of the present invention is to provide a display device having a display screen surface provided with an optical functional member.
さらに、本発明の別の目的は、本発明の化合物の使用を微細加工（例えばナノインプリント）の分野に提供することである。微細加工は、近年顕著に技術開発されており、精密な離型を可能にする。 Furthermore, another object of the present invention is to provide the use of the compounds of the present invention in the field of microfabrication (eg nanoimprint). Microfabrication has been remarkably developed in recent years, and enables precise mold release.
さらに、本発明の別の目的は、本発明の化合物の使用を、材料を形成する装置製造および本発明の化合物の大きな撥液特性のため非常に小さい幅を有する線の加工容易性を可能にする処理方法に提供することである。
さらに、本発明の別の目的は、本発明の化合物の使用を石製品（例えばコンクリート、石灰岩、花崗岩または大理石）の処理に提供することである。
In addition, another object of the present invention is to allow the use of the compounds of the present invention to make materials forming devices and processability of lines with very small widths due to the large liquid repellency properties of the compounds of the present invention. Is to provide a processing method.
Furthermore, another object of the present invention is to provide the use of the compounds of the present invention for the treatment of stone products (eg concrete, limestone, granite or marble).
本発明は、一般式（Ａ）および／または部分加水分解生成物（一般式（Ｂ））で示される有機シリコーン化合物を含んで成る防汚剤を提供する。 The present invention provides an antifouling agent comprising an organosilicone compound represented by general formula (A) and / or a partial hydrolysis product (general formula (B)).
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”Si(X')3-a(R1)a
(A)
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”Si (X ') 3-a (R 1 ) a
(A)
一般式（Ａ）において、ｑは、１〜３の整数であり；ｍ、ｎおよびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；Ｘは、酸素または二価の有機基であり；Ｘ”は、二価の有機シリコーンスペーサー基であり；Ｒ１は、Ｃ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基であり；ａは、０〜２の整数であり；Ｘ’は、加水分解性基である。 In general formula (A), q is an integer of 1 to 3; m, n and o are each an integer of 0 to 200; p is 0, 1 or 2; X is oxygen Or a divalent organic group; X ″ is a divalent organosilicone spacer group; R 1 is a C 1-22 linear or branched hydrocarbon group; a is 0-2 An integer; X ′ is a hydrolyzable group.
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X')2-a(R1)aSiO(F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X')1-a(R1)aSiO)zF-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X')2-a(R1)aSi
(B)
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 2-a (R 1 ) a SiO ( F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 1-a (R 1 ) a SiO) z F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 2-a (R 1 ) a Si
(B)
一般式（Ｂ）において、ｑは、１〜３の整数であり；ｍ、ｎおよびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；Ｘは、酸素または二価の有機基であり；Ｘ”は、二価の有機シリコーンスペーサー基であり；Ｒ１は、Ｃ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基であり；ａは、０〜２の整数であり；Ｘ’は、加水分解性基であり；ならびにａが０または１である場合に、ｚは、０〜１０の整数である。］。 In general formula (B), q is an integer of 1 to 3; m, n and o are each an integer of 0 to 200; p is 0, 1 or 2; X is oxygen Or a divalent organic group; X ″ is a divalent organosilicone spacer group; R 1 is a C 1-22 linear or branched hydrocarbon group; a is 0-2 X ′ is a hydrolyzable group; and when a is 0 or 1, z is an integer from 0 to 10.]
さらにまた、本発明は、前記表面改質剤の製造方法を提供する。 Furthermore, the present invention provides a method for producing the surface modifier.
本発明は、該表面改質剤を使用して、低い表面張力を形成する方法を提供する。 The present invention provides a method of forming low surface tension using the surface modifier.
本発明は、該表面改質剤を使用することによって得られた低い表面張力を有する表面を提供する。 The present invention provides a surface having a low surface tension obtained by using the surface modifier.
本発明は、表面改質剤を含んでいる処理層を備えている光学部材を提供する。 The present invention provides an optical member provided with a treatment layer containing a surface modifier.
本発明は、表面改質剤を含んでいる処理層を備えている反射防止光学部材を提供する。 The present invention provides an antireflection optical member having a treatment layer containing a surface modifier.
本発明は、反射防止光学部材を含んでいる光学機能部材を提供する。 The present invention provides an optical functional member including an antireflection optical member.
本発明は、光学機能部材を備えている表示装置を提供する。 The present invention provides a display device including an optical functional member.
本発明は、表面改質剤を含有している処理層を備えている表面を有する無機基材（例えばガラス）を提供する。 The present invention provides an inorganic substrate (for example, glass) having a surface provided with a treatment layer containing a surface modifier.
本発明は、上記表面を有する無機基材を有する自動車および航空機ガラスならびに衛生製品（衛生陶磁器）を提供する。 The present invention provides automobile and aircraft glass and sanitary products (sanitary ceramics) having an inorganic substrate having the above surface.
本発明は、ナノインプリントにおける精密離型への表面改質剤の適用を提供する。 The present invention provides application of surface modifiers to precision mold release in nanoimprints.
本発明は、表面改質剤を使用してミクロ構造を有する装置を容易に製造する方法を提供する。 The present invention provides a method for easily manufacturing a device having a microstructure using a surface modifier.
本発明の表面改質剤が特定の有機シリコーン化合物を含むので、表面改質剤を用いて、処理層が基材（例えば、さまざまな光学部材（反射防止フイルム、光学フィルタ、光学レンズ、眼鏡レンズ、ビームスプリッタ、プリズム、鏡など））の上に形成される場合に、汚れ、例えば、指紋、皮脂、汗、化粧品など、または水分の付着が、光学部材の光学的性質を損なうことなく、防止され、そして、汚れおよび水分は、一旦付着したとしても、容易に拭き取ることができ、処理層は高い耐久性を有している。 Since the surface modifier of the present invention contains a specific organosilicone compound, the treatment layer is made of a substrate (for example, various optical members (for example, antireflection film, optical filter, optical lens, spectacle lens) using the surface modifier. Prevents dirt, eg fingerprints, sebum, sweat, cosmetics, or moisture from adhering to the optical components without sacrificing the optical properties of the optical component when formed on the beam splitter, prism, mirror, etc.) The dirt and moisture can be easily wiped once adhered, and the treatment layer has high durability.
本発明の防汚剤は、一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）で示される有機シリコーン化合物を含有している。 The antifouling agent of the present invention contains an organosilicone compound represented by general formula (A) and / or general formula (B).
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”Si(X')3-a(R1)a
(A)
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”Si (X ') 3-a (R 1 ) a
(A)
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X')2-a(R1)aSiO(F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X')1-a(R1)aSiO)zF-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X')2-a(R1)aSi
(B)
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 2-a (R 1 ) a SiO ( F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 1-a (R 1 ) a SiO) z F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 2-a (R 1 ) a Si
(B)
一般式（Ａ）において、ｑは、１〜３の整数であり；
ｍ、ｎおよびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；
ｐは、０、１または２であり；
Ｘは、酸素または二価の有機基であり；
Ｘ”は、二価の有機シリコーンスペーサー基であり；
Ｒ１は、Ｃ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基であり；
ａは、０〜２の整数であり；ならびに
Ｘ’は、加水分解性基である。
In general formula (A), q is an integer of 1-3;
m, n and o are each an integer from 0 to 200;
p is 0, 1 or 2;
X is oxygen or a divalent organic group;
X ″ is a divalent organosilicone spacer group;
R 1 is a C 1-22 linear or branched hydrocarbon group;
a is an integer from 0 to 2; and X ′ is a hydrolyzable group.
一般式（Ｂ）において、ｑは、１〜３の整数であり；
ｍ、ｎおよびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；
ｐは、０、１または２であり；
ＸおよびＸ”は、スペーサー基であり；
Ｒ１は、Ｃ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基であり；
ａは、０〜２の整数であり；
Ｘ’は、加水分解性基であり；ならびに
ａが０または１である場合に、ｚは、０〜１０の整数である。
好ましくは、一般式（Ａ）および（Ｂ）において、Ｘは、酸素原子または二価の有機基（例えばＣ１−２２の直鎖または分岐のアルキレン基）であり；
Ｒ１は、Ｃ１−２２アルキル基、より好ましくはＣ１−１２アルキル基であり；
Ｘ”は、少なくとも１つのシロキサン基および少なくとも１つのメチレン基を有する基であり；ならびに
Ｘ’は、塩素、アルコキシ（−ＯＲ）基またはＯ−Ｎ＝ＣＲ２（ただし、ＲはＣ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基（特に、直鎖または分岐のアルキル基である。）である。
In the general formula (B), q is an integer of 1 to 3;
m, n and o are each an integer from 0 to 200;
p is 0, 1 or 2;
X and X ″ are spacer groups;
R 1 is a C 1-22 linear or branched hydrocarbon group;
a is an integer from 0 to 2;
X ′ is a hydrolyzable group; and when a is 0 or 1, z is an integer from 0 to 10.
Preferably, in the general formulas (A) and (B), X is an oxygen atom or a divalent organic group (for example, a C 1-22 linear or branched alkylene group);
R 1 is a C 1-22 alkyl group, more preferably a C 1-12 alkyl group;
X "is a group having at least one siloxane group and at least one methylene group; and X 'is chlorine, alkoxy (-OR) group, or O-N = CR 2 (wherein, R is C 1-22 A linear or branched hydrocarbon group (particularly a linear or branched alkyl group).
一般式（Ａ）または（Ｂ）における加水分解性基（Ｘ’）として、下記の基が例示される：
アルコキシ基またはアルコキシ基置換アルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシおよびメトキシエトキシ基；アシルオキシ基、例えば、アセトキシ、プロピオニルオキシおよびベンゾイルオキシ基；アルケニルオキシ基、例えば、イソプロペニルオキシおよびイソブテニルオキシ基；イミンオキシ基、例えば、ジメチルケトキシム、メチルエチルケトキシム、ジエチルケトキシム、シクロヘキサンオキシム基；置換アミノ基、例えば、メチルアミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノおよびジエチルアミノ基；アミド基、例えば、Ｎ−メチルアセトアミドおよびＮ−エチルアミド基；置換アミノオキシ基、例えば、ジメチルアミノオキシおよびジエチルアミンオキシ基；ハロゲン、例えば、塩素など。加水分解性基の中で、-OCH3, -OC2H5, および -O-N=C(CH3)2 が特に好ましい。種々のＸ’基は所望に応じて、平衡、例えば、≡Si(OMe) + メチルエチルケトオキシム → ≡Si(ケトオキシム) + MeOHにより、あるいは反応、例えば、≡Si(OMe) + AcCl → =SiCl + AcOMeにより交換してよい。加水分解性基は、１種として、または、２種以上の組合せとして、本発明の防汚剤の有機シリコーン化合物に含めることができる。
Examples of the hydrolyzable group (X ′) in the general formula (A) or (B) include the following groups:
Alkoxy groups or alkoxy-substituted alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, propoxy and methoxyethoxy groups; acyloxy groups such as acetoxy, propionyloxy and benzoyloxy groups; alkenyloxy groups such as isopropenyloxy and isobutenyloxy groups An imineoxy group such as dimethyl ketoxime, methyl ethyl ketoxime, diethyl ketoxime, cyclohexane oxime group; a substituted amino group such as methylamino, ethylamino, dimethylamino and diethylamino group; an amide group such as N-methylacetamide and N A substituted aminooxy group such as dimethylaminooxy and diethylamineoxy group; a halogen such as chlorine; Of the hydrolyzable groups, —OCH 3 , —OC 2 H 5 , and —ON═C (CH 3 ) 2 are particularly preferred. The various X ′ groups can be equilibrated, eg, ≡Si (OMe) + methyl ethyl ketoxime → ≡Si (ketoxime) + MeOH or reaction, eg ≡Si (OMe) + AcCl → = SiCl + AcOMe May be replaced. Hydrolyzable groups can be included in the organosilicone compound of the antifouling agent of the present invention as one kind or as a combination of two or more kinds.
一般式（Ａ）および（Ｂ）のスペーサー基ＸおよびＸ”は、パーフルオロポリエーテルへのヒドロシリル化によって、加水分解可能なシリコン官能基［Si(X’) 3-a (R 1 ) a ］の連結を促進するために必要とされる。Ｘは下記式の基によって例示することができる: 酸素、二価の有機基、例えば、アミド、N-メチルアミド、N-エチルアミド、エステル、エーテル、組み合わせて、Ｘ”は、独立的に二価の有機シリコーン基、例えば、-R3Si(R2)2(OSi(R2)2)bO- または -R3Si(R2)2(OSi(R2)2)bR3- （式中、Ｒ２は独立的にＣ１−Ｃ２２の直鎖または分岐の置換されていてよいアルキル、Ｃ６−Ｃ２０の非置換または置換のアリール基、Ｒ３は独立的に二価の有機基、例えば、Ｃ１−Ｃ２２の直鎖または分岐の置換されていてよいアルキル、およびｂは１〜１００の整数である。）である。 The spacer groups X and X ″ in general formulas (A) and (B) are hydrolysable silicon functional groups [Si (X ′) 3−a (R 1 ) a ] by hydrosilylation to perfluoropolyethers . .X required to facilitate connection of can be exemplified by a group of the formula: oxygen, divalent organic groups, for example, an amide, N- methylamide, N- ethylamide, esters, ethers, combinations X ″ is independently a divalent organosilicone group such as —R 3 Si (R 2 ) 2 (OSi (R 2 ) 2 ) b O— or —R 3 Si (R 2 ) 2 (OSi (R 2 ) 2 ) b R 3 −, wherein R 2 is independently C 1 -C 22 straight or branched alkyl, C 6 -C 20 unsubstituted or substituted aryl group, R 3 is independently a divalent organic group, for example, a straight chain or branched optionally substituted alkyl of C 1 -C 22, and Is an integer of 1 to 100.).
一般式（Ａ）および（Ｂ）において、ｍ、ｎおよびｏの合計は、好ましくは５以上、特に好ましくは１０以上である。Ｘは好ましくは酸素またはアミドであり、ここで、Ｘ”は、好ましくは-CH2CH2CH2Si(Me2)2OSi(Me2)2O- または -CH2CH2CH2Si(Me2)2OSi(Me2)2C2H4-である。一般式（Ａ）において、ａは好ましくは０である。 In the general formulas (A) and (B), the total of m, n and o is preferably 5 or more, particularly preferably 10 or more. X is preferably oxygen or amide, where X ″ is preferably —CH 2 CH 2 CH 2 Si (Me 2 ) 2 OSi (Me 2 ) 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 Si ( Me 2 ) 2 OSi (Me 2 ) 2 C 2 H 4 — In formula (A), a is preferably 0.
一般式（Ａ）で示される化合物群の中で特に好ましい化合物である、Ｘが酸素であり、Ｘ”が-CH2CH2CH2Si(Me2)2OSi(Me2)2C2H4-であり、ａが０であり、Ｘ’が−ＯＣＨ３である一般式（Ａ）で示される化合物は、遷移金属の存在下で、HSi(Me2)2OSi(Me2)2C2H4Si(OMe)3と下記の一般式（Ｃ）で示される化合物とのヒドロシリル化反応によって合成することができる。 In the compound group represented by the general formula (A), X is oxygen, and X ″ is —CH 2 CH 2 CH 2 Si (Me 2 ) 2 OSi (Me 2 ) 2 C 2 H 4 - and, a is 0, compound X 'is represented by the general formula (a) is a -OCH 3 in the presence of a transition metal, HSi (Me 2) 2 OSi (Me 2) 2 C It can be synthesized by a hydrosilylation reaction between 2 H 4 Si (OMe) 3 and a compound represented by the following general formula (C).
ヒドロシリル化で使用可能な触媒のＶＩＩＩ族遷移金属は、好ましくは白金またはロジウムである。白金が最も好ましい。クロロ白金酸として、または１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンとの白金錯体として白金を供給すること、またはトリス（トリフェニルホスフィノ）ＲｈＩＣｌとしてロジウムを供給することが好ましい。 The catalyst Group VIII transition metal that can be used in hydrosilylation is preferably platinum or rhodium. Platinum is most preferred. Supplying platinum as chloroplatinic acid or as a platinum complex with 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, or supplying rhodium as tris (triphenylphosphino) Rh I Cl It is preferable to do.
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”'
(C)
一般式（Ｃ）において、ｑは、１〜３の整数であり；ｍ、ｎおよびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；Ｘは、酸素または二価の有機基であり；Ｘ”'は、末端エチレン性不飽和を有する一価の有機基、例えば、-CH2CH=CH2, -(CH2)9CH=CH2, -CH2CMe=CH2 である。ヒドロシリル化の時、Ｘ”'は、Ｘ”の成分である。
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”'
(C)
In the general formula (C), q is an integer of 1 to 3; m, n and o are each an integer of 0 to 200; p is 0, 1 or 2; X is oxygen Or a divalent organic group; X ″ ′ is a monovalent organic group having terminal ethylenic unsaturation, for example, —CH 2 CH═CH 2 , — (CH 2 ) 9 CH═CH 2 , —CH 2 CMe = CH 2. During hydrosilylation, X ″ ′ is a component of X ″.
具体的には、特に好ましい化合物は、以下の反応スキームに従って製造することができる。 Specifically, particularly preferred compounds can be produced according to the following reaction scheme.
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXCH2CH=CH2
+ HMe2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3
→
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXCH2CH2CH2Me2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XCH 2 CH = CH 2
+ HMe 2 SiOMe 2 SiC 2 H 4 Si (OMe) 3
→
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XCH 2 CH 2 CH 2 Me 2 SiOMe 2 SiC 2 H 4 Si ( OMe) 3
上記の反応スキームにおいて、ｑは、１〜３の整数であり；ｍ、ｎおよびｏは、それぞれに０〜２００の整数であり；ｐは、１または２であり；Ｘは、酸素または二価の有機基であり；構造CH2CH=CH2のＸ”’は、構造-CH2CH2CH2-のＸ”の成分に転化する。他の好ましい化合物は、上記反応スキームにおいてHMe2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3 をHMe2Si(OSiMe2)3OSi(OMe)3 または、より大きなオリゴマーに置き換えることによって製造できる。 In the above reaction scheme, q is an integer from 1 to 3; m, n and o are each an integer from 0 to 200; p is 1 or 2; X is oxygen or divalent be an organic group; structure CH 2 CH = CH 2 of X "'has the structure -CH 2 CH 2 CH 2 - of X" converted to a component of. Other preferred compounds can be prepared by replacing HMe 2 SiOMe 2 SiC 2 H 4 Si (OMe) 3 with HMe 2 Si (OSiMe 2 ) 3 OSi (OMe) 3 or larger oligomers in the above reaction scheme.
ヒドロシリル化反応は、反応を駆動する水素化ケイ素が過剰の状態で適当な時間および温度で反応させることによって進行する。必要により、適当な溶媒を、混合を容易にするために加えることができる。核磁気共鳴または赤外分光学のようなさまざまな器械による方法を、反応進行を監視するために用いることができる。
例えば、好適な条件は、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン触媒との白金錯体（すなわちＶＩＩＩ族遷移金属）として供給される０．０１〜１０ｍｍｏｌの白金を使用してフッ素化合物1モルにつき１．０５〜３モルのHSiによる１〜１０時間および３０〜９０℃の反応である。過剰の水素化ケイ素は、充分に揮発性であれば、真空蒸留によって反応生成物から容易に除去できる。成分の相溶を促進するように、ヒドロシリル化反応のために、溶媒をも用いてもよい。
The hydrosilylation reaction proceeds by reacting at an appropriate time and temperature with an excess of silicon hydride driving the reaction. If necessary, a suitable solvent can be added to facilitate mixing. Various instrumental methods such as nuclear magnetic resonance or infrared spectroscopy can be used to monitor the reaction progress.
For example, suitable conditions use 0.01-10 mmol of platinum supplied as a platinum complex (ie, a Group VIII transition metal) with a 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane catalyst. And 1 to 10 hours and 30 to 90 ° C reaction with 1.05 to 3 moles of HSi per mole of fluorine compound. Excess silicon hydride, if sufficiently volatile, can be easily removed from the reaction product by vacuum distillation. A solvent may also be used for the hydrosilylation reaction to promote compatibility of the components.
上記一般式（Ｃ）で示されるフッ素化合物の中で、特に好ましいものは、ｑが３であり、ｍが１０〜２００であり、ｎが１であり、ｏが０であり、ｐが１であり、Ｘが酸素または二価の有機基、例えば、アミド、N-メチルアミド、N-エチルアミド、エステルであり、Ｘ”'は、CH2CH=CH2である一般式（Ｃ）で示されるものである。 Among the fluorine compounds represented by the above general formula (C), particularly preferable one is that q is 3, m is 10 to 200, n is 1, o is 0, and p is 1. There, X is oxygen or a divalent organic group, for example, an amide, N- methylamide, N- ethylamide, an ester, X "'are those represented by the general formula is CH 2 CH = CH 2 (C ) It is.
一般式（Ａ）で示される他の化合物は、上記の反応スキームに従って、同じように合成できる。 Other compounds represented by the general formula (A) can be synthesized in the same manner according to the above reaction scheme.
一般式（Ｂ）で示される化合物は、一般式（Ａ）で示される化合物の部分加水分解および縮合反応によって合成できる。 The compound represented by the general formula (B) can be synthesized by partial hydrolysis and condensation reaction of the compound represented by the general formula (A).
一般式（Ａ）および／または（Ｂ）によって示される有機シリコーン化合物は、単独で、または、２種以上の組合せとして使用でき、本発明の表面改質剤を形成する。
任意の触媒を、必要に応じて、一般式（Ａ）および／または（Ｂ）で示される有機シリコーン化合物による表面改質を促進するために使用できる。これらは、単独で、または、２種以上の組合せとして使用でき、本発明の表面改質剤を形成する。好適な触媒化合物の例としては、ジブチル錫オクトエート、ステアリン酸鉄、オクタン酸鉛などのような有機酸の金属塩、チタン酸テトライソプロピル、チタン酸テトラブチルのようなチタン酸エステル、アセチルアセトナト・チタンのようなキレート化合物などが挙げられる。一般式（Ａ）および／または（Ｂ）で示される有機シリコーン化合物１００重量部に対して、好ましくは０〜５重量部、より好ましくは０．０１〜２重量部の範囲の量で任意の触媒を使用する。
The organosilicone compounds represented by the general formulas (A) and / or (B) can be used alone or in combination of two or more to form the surface modifier of the present invention.
Any catalyst can be used to accelerate the surface modification with the organosilicone compound represented by the general formula (A) and / or (B), if necessary. These can be used alone or in combination of two or more to form the surface modifier of the present invention. Examples of suitable catalyst compounds include metal salts of organic acids such as dibutyl tin octoate, iron stearate, lead octoate, etc., titanate esters such as tetraisopropyl titanate, tetrabutyl titanate, acetylacetonato titanium And the like. Any catalyst is preferably used in an amount ranging from 0 to 5 parts by weight, more preferably from 0.01 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the organosilicone compound represented by formula (A) and / or (B). Is used.
一般式（Ａ）および／または（Ｂ）で示される有機シリコーン化合物は、表面改質剤の活性成分である。表面改質剤は、一般式（Ａ）および／または（Ｂ）で示される有機シリコーン化合物のみから成ってよい。あるいは、表面改質剤は、一般式（Ａ）および／または（Ｂ）で示される有機シリコーン化合物、および液体媒体（例えば有機溶媒）を含んでなっていてよい。表面改質剤における有機シリコーン化合物の濃度は、表面改質剤に対して０．０１〜８０重量％であることが好ましい。
有機溶媒は、有機溶媒が本発明の組成物に含まれる成分（特に、有機シリコーン化合物）と反応しない限りにおいて、有機シリコーン化合物を溶解することが好ましいさまざまな溶媒であってよい。有機溶媒の例としては、含フッ素アルカン、含フッ素ハロアルカン、含フッ素芳香族化合物および含フッ素エーテル（例えばヒドロフルオロエーテル（ＨＦＥ））のような含フッ素溶媒を含む。
The organosilicone compound represented by the general formula (A) and / or (B) is an active component of the surface modifier. The surface modifier may consist only of an organosilicone compound represented by the general formula (A) and / or (B). Alternatively, the surface modifier may comprise an organosilicone compound represented by the general formula (A) and / or (B) and a liquid medium (for example, an organic solvent). The concentration of the organic silicone compound in the surface modifier is preferably 0.01 to 80% by weight with respect to the surface modifier.
The organic solvent may be various solvents that preferably dissolve the organic silicone compound as long as the organic solvent does not react with the components (particularly, the organic silicone compound) contained in the composition of the present invention. Examples of the organic solvent include fluorine-containing solvents such as fluorine-containing alkanes, fluorine-containing haloalkanes, fluorine-containing aromatic compounds, and fluorine-containing ethers (for example, hydrofluoroether (HFE)).
表面処理層を形成するために本発明の表面改質剤で処理される基材は、特に限定されない。基材の例としては、無機基材、例えば、ガラス板、無機層を含んで成るガラス板、セラミック；ならびに、有機基材、例えば、透明プラスチック基材、および無機層を含んで成る透明プラスチック基材；などを含んでなる光学部材が挙げられる。 The substrate to be treated with the surface modifier of the present invention to form the surface treatment layer is not particularly limited. Examples of substrates include inorganic substrates such as glass plates, glass plates comprising inorganic layers, ceramics; and organic substrates such as transparent plastic substrates and transparent plastic substrates comprising inorganic layers. And an optical member comprising a material.
無機基材の例は、ガラス板を含む。無機層を含んでなるガラス板を形成するための無機化合物の例としては、金属酸化物（酸化ケイ素（二酸化ケイ素、一酸化ケイ素など）酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化ナトリウム、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）など；および、ハロゲン化金属（フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ナトリウム、フッ化ランタン、フッ化セリウム、フッ化リチウム、フッ化トリウムなど）が挙げられる。 Examples of the inorganic substrate include a glass plate. Examples of inorganic compounds for forming a glass plate comprising an inorganic layer include metal oxides (silicon oxide (silicon dioxide, silicon monoxide, etc.) aluminum oxide, magnesium oxide, titanium oxide, tin oxide, zirconium oxide, Sodium oxide, antimony oxide, indium oxide, bismuth oxide, yttrium oxide, cerium oxide, zinc oxide, ITO (indium tin oxide), etc .; and metal halides (magnesium fluoride, calcium fluoride, sodium fluoride, fluoride) Lanthanum, cerium fluoride, lithium fluoride, thorium fluoride, etc.).
そのような無機化合物を含んで成る無機層または無機基材は、単一層または、多層であってよい。無機層は反射防止層として働き、既知の方法、例えば湿潤被覆、ＰＶＤ（物理蒸着）、ＣＶＤ（化学蒸着）によって形成できる。湿潤被覆法の例としては、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、および類似の方法が挙げられる。ＰＶＤ法の例としては、真空蒸着、反応性析出、イオンビーム補助析出、スパッタリング、イオン表面被覆および類似の方法が挙げられる。 The inorganic layer or inorganic substrate comprising such an inorganic compound may be a single layer or a multilayer. The inorganic layer acts as an antireflection layer and can be formed by known methods such as wet coating, PVD (physical vapor deposition), CVD (chemical vapor deposition). Examples of wet coating methods include dip coating, spin coating, flow coating, spray coating, roll coating, gravure coating, and similar methods. Examples of PVD methods include vacuum deposition, reactive deposition, ion beam assisted deposition, sputtering, ion surface coating, and similar methods.
使用可能な有機基材の中で、透明プラスチック基材の例としては、さまざまな有機ポリマーを含んで成る基材が挙げられる。透明度、屈折率、分散性および類似の光学的性質ならびにさまざまな他の特性（例えば耐衝撃性、耐熱性および耐久性）の観点から、光学部材として使用する基材は、通常、ポリオレフィン（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど）、ポリアミド（例えば、ナイロン６、ナイロン６６など）、ポリスチレン、塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール、アクリル、セルロース（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、セロハンなど）またはこれら有機ポリマーのコポリマーを含んで成る。これらの基材は、本発明で処理できる透明プラスチック基材の例として挙げることができる。 Among the organic substrates that can be used, examples of transparent plastic substrates include substrates comprising various organic polymers. In view of transparency, refractive index, dispersibility and similar optical properties and various other properties (eg, impact resistance, heat resistance and durability), substrates used as optical members are usually polyolefins (eg, Polyethylene, polypropylene, etc.), polyester (eg, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc.), polyamide (eg, nylon 6, nylon 66, etc.), polystyrene, vinyl chloride, polyimide, polyvinyl alcohol, ethylene vinyl alcohol, acrylic, cellulose (eg, , Triacetylcellulose, diacetylcellulose, cellophane, etc.) or copolymers of these organic polymers. These substrates can be mentioned as examples of transparent plastic substrates that can be treated in the present invention.
使用可能な材料の例は、既知の添加剤、例えば、帯電防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、潤滑油、着色剤、抗酸化剤、難燃剤を、これら有機基材の有機ポリマーに添加することによって製造されたものを含む。 Examples of materials that can be used are known additives such as antistatic agents, UV absorbers, plasticizers, lubricants, colorants, antioxidants, flame retardants added to organic polymers of these organic substrates. Including those manufactured by
無機層を有機基材の上に形成することによって製造された基材を、本発明の基材としての使用することが可能である。この場合、無機層は、反射防止層として働いて、上記のような方法によって有機基材の上に形成できる。 A substrate produced by forming an inorganic layer on an organic substrate can be used as the substrate of the present invention. In this case, the inorganic layer works as an antireflection layer and can be formed on the organic substrate by the above method.
処理すべき無機基材または有機基材は、特に限定されない。光学部材として使用する透明プラスチック基材は、通常、フイルムまたはシートの形態である。フイルムまたはシートの形態のこの種の基材をも、本発明の基材として使用できる。フイルムまたはシートの形態の基材は、単層体または複数の有機ポリマーの積層体であってよい。厚さは、特に限定されないが、好ましくは０．０１〜５ｍｍである。 The inorganic substrate or organic substrate to be treated is not particularly limited. The transparent plastic substrate used as the optical member is usually in the form of a film or a sheet. This type of substrate in the form of a film or sheet can also be used as the substrate of the present invention. The substrate in the form of a film or sheet may be a single layer or a laminate of a plurality of organic polymers. Although thickness is not specifically limited, Preferably it is 0.01-5 mm.
ハードコート層を、透明プラスチック基材と無機層との間に形成できる。
ハードコート層は、基材の表面の硬度を改良し、更には基材の表面を平坦にしおよび滑らかにし、このようにして、透明プラスチック基材と無機層との間の接着力を高める。従って、鉛筆および類似の負荷によって生じる引っ掻き傷を防止できる。さらに、ハードコート層は透明プラスチック基材の屈曲によって生じる無機層のひび割れを防止することができる。このように、光学部材の機械的強度を改良できる。
A hard coat layer can be formed between the transparent plastic substrate and the inorganic layer.
The hard coat layer improves the hardness of the surface of the substrate and further flattens and smoothes the surface of the substrate, thus increasing the adhesion between the transparent plastic substrate and the inorganic layer. Thus, scratches caused by pencils and similar loads can be prevented. Further, the hard coat layer can prevent cracking of the inorganic layer caused by bending of the transparent plastic substrate. Thus, the mechanical strength of the optical member can be improved.
透明度、適当な硬度および機械強度を有する限り、ハードコート層の材料は特に限定されない。例えば、熱硬化性樹脂、および電離放射線または紫外線照射によって硬化する樹脂を使用可能である。紫外線硬化アクリル樹脂、有機シリコーン樹脂および熱硬化性ポリシロキサン樹脂が特に好ましい。このような樹脂の屈折率は、好ましくは透明プラスチック基材の屈折率に等しいかまたは接近している。 The material of the hard coat layer is not particularly limited as long as it has transparency, appropriate hardness and mechanical strength. For example, a thermosetting resin and a resin that is cured by ionizing radiation or ultraviolet irradiation can be used. UV curable acrylic resins, organic silicone resins and thermosetting polysiloxane resins are particularly preferred. The refractive index of such a resin is preferably equal to or close to the refractive index of the transparent plastic substrate.
そのようなハードコート層を形成するコーティング方法は、特に限定されない。均一なコーティングを達成することができるいずれかの方法を用い得る。ハードコート層が３マイクロメートル以上の厚さを有するときに、充分な強さが得られる。しかしながら、５〜７マイクロメートルの範囲が、透明度、コーティング精度および取扱いの容易さからみて好ましい。 The coating method for forming such a hard coat layer is not particularly limited. Any method that can achieve a uniform coating may be used. Sufficient strength is obtained when the hard coat layer has a thickness of 3 micrometers or more. However, the range of 5 to 7 micrometers is preferable from the viewpoint of transparency, coating accuracy, and ease of handling.
さらに、ハードコート層において０．０１〜３マイクロメートルの平均粒径を有する無機粒子または有機粒子を混合分散させることによって、「防眩」と一般に呼ばれる光拡散処理を行うことができる。そのような粒子としていずれかの透明な粒子を用いられることができるが、低屈折率の材料が好ましい。酸化ケイ素およびフッ化マグネシウムが、特に安定性、耐熱性などの点で好ましい。光拡散処理は、ハードコート層に凹凸表面を設けることによっても達成することができる。 Furthermore, by mixing and dispersing inorganic particles or organic particles having an average particle size of 0.01 to 3 micrometers in the hard coat layer, a light diffusion treatment generally called “anti-glare” can be performed. Any transparent particles can be used as such particles, but materials with a low refractive index are preferred. Silicon oxide and magnesium fluoride are particularly preferable in terms of stability and heat resistance. The light diffusion treatment can also be achieved by providing an uneven surface on the hard coat layer.
上記のような基材を、本発明の反射防止光学部材の透明基材として使用できる。特に、表面上の反射防止層を有して成るそのような基材は、反射防止層を有して成る透明基材でありえる。本発明の反射防止光学部材は、防汚層をそのような基材の表面の上に形成することによって得ることができる。 The base material as described above can be used as the transparent base material of the antireflection optical member of the present invention. In particular, such a substrate comprising an antireflection layer on the surface can be a transparent substrate comprising an antireflection layer. The antireflection optical member of the present invention can be obtained by forming an antifouling layer on the surface of such a substrate.
そのような光学部材に加えて、本発明の表面改質剤は、自動車または航空機用の窓部材に適用でき、高度な機能を提供する。更に表面硬度を改良するために、本発明の表面改質剤とＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）との組合せを使用するいわゆるゾル−ゲル法によって表面改質を行うことも可能である。 In addition to such an optical member, the surface modifier of the present invention can be applied to a window member for an automobile or an aircraft, and provides an advanced function. Furthermore, in order to improve the surface hardness, it is also possible to perform surface modification by a so-called sol-gel method using a combination of the surface modifier of the present invention and TEOS (tetraethoxysilane).
ナノインプリント法における離型剤として本発明の表面改質剤を用いると、精密な離型を容易に達成できる。表面を本発明の表面改質剤で処理する場合に、改質剤はほぼ単層の状態に拡散し、その結果、得られる層はわずか数ナノメートルの厚さを有する。そのような厚さにもかかわらず、以下に実施例に示すように、表面を１１０度以上の水の接触角を有し、５度以下の水の落下角を有する表面を形成することが可能である。 When the surface modifier of the present invention is used as a release agent in the nanoimprint method, precise release can be easily achieved. When the surface is treated with the surface modifier of the present invention, the modifier diffuses into a nearly monolayer state, so that the resulting layer has a thickness of only a few nanometers. Despite such thickness, it is possible to form a surface with a water contact angle of 110 degrees or more and a water drop angle of 5 degrees or less, as shown in the examples below. It is.
本発明の表面改質剤は、優れた撥液性を有しており、リソグラフィーおよびデバイス形成に応用できる。 The surface modifier of the present invention has excellent liquid repellency and can be applied to lithography and device formation.
さらに、セラミック材料の表面を処理することによって、メンテナンス容易な衛生陶磁器および外壁を製造することも可能である。 Furthermore, it is also possible to manufacture sanitary ceramics and outer walls that are easy to maintain by treating the surface of the ceramic material.
処理層を形成する方法は、特に限定されない。例えば、湿潤被覆法および乾燥被覆法を使用できる。 The method for forming the treatment layer is not particularly limited. For example, wet coating methods and dry coating methods can be used.
湿潤被覆法の例としては、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティングおよび類似の方法が挙げられる。 Examples of wet coating methods include dip coating, spin coating, flow coating, spray coating, roll coating, gravure coating and similar methods.
乾燥被覆法の例としては、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。真空蒸着法の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、高周波加熱、イオンビームおよび類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ−ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。 Examples of dry coating methods include vacuum deposition, sputtering, CVD and similar methods. Specific examples of the vacuum deposition method include resistance heating, electron beam, high frequency heating, ion beam, and similar methods. Specific examples of the CVD method include plasma-CVD, optical CVD, thermal CVD, and similar methods.
さらに、常圧プラズマ法による被覆も可能である。 Furthermore, coating by the atmospheric pressure plasma method is also possible.
湿潤被覆法を使用するときに、使用可能な希釈溶媒は特に限定されない。組成物の安定性および揮発性の観点から、次の化合物が好ましい：５〜１２の炭素原子を有するパーフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、パーフルオロヘキサン、パーフルオロメチルシクロヘキサンおよびパーフルオロ−１，３−ジメチルシクロヘキサン）；
ポリフルオロ芳香族炭化水素（例えば、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン）；
ポリフルオロ脂肪族炭化水素、パーフルオロブチルメチルエーテルおよび類似のＨＦＥなど。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上の混合物として用いることができる。
When the wet coating method is used, the dilution solvent that can be used is not particularly limited. In view of the stability and volatility of the composition, the following compounds are preferred: perfluoroaliphatic hydrocarbons having 5 to 12 carbon atoms (for example perfluorohexane, perfluoromethylcyclohexane and perfluoro-1,3) -Dimethylcyclohexane);
Polyfluoroaromatic hydrocarbons (eg bis (trifluoromethyl) benzene);
Such as polyfluoroaliphatic hydrocarbons, perfluorobutyl methyl ether and similar HFE. These solvents can be used alone or as a mixture of two or more.
湿潤被覆法は、複雑な形状および／または大面積を有する基材のために使用することが好ましい。 The wet coating method is preferably used for substrates having complex shapes and / or large areas.
一方では、防汚層を形成する時の作業環境を考慮して、希釈溶媒を必要としない乾燥被覆法が好ましい。真空蒸着法が特に好ましい。 On the other hand, in view of the working environment when forming the antifouling layer, a dry coating method that does not require a diluting solvent is preferred. Vacuum deposition is particularly preferred.
乾燥または湿潤被覆法によって防汚層を基材の上に形成した後に、必要に応じて、加熱、加湿、光照射、電子線照射などを行うことができる。 After the antifouling layer is formed on the substrate by a dry or wet coating method, heating, humidification, light irradiation, electron beam irradiation, or the like can be performed as necessary.
本発明の防汚剤を用いて形成した防汚層の厚さは、特に限定されない。１〜１０ナノメートルの範囲が、光学部材の光学性能、耐引っ掻き性および防汚性の点から好ましい。 The thickness of the antifouling layer formed using the antifouling agent of the present invention is not particularly limited. The range of 1-10 nanometer is preferable from the point of the optical performance of an optical member, scratch resistance, and antifouling property.
以下の例は、詳細に本発明を例示することを目的としており、本発明の範囲を限定しない。 The following examples are intended to illustrate the invention in detail and do not limit the scope of the invention.
合成例１：
磁気攪拌子、還流冷却器、温度調節器および上部空間乾燥窒素導入口を備えている２５０ｍＬの３口フラスコに、61.17 gの (F3CCF2CF2(OCF2CF2CF2)11OCF2CF2CH2OCH2CH=CH2)、 48.88gの１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンおよび7.46g のHMe2SiOMe2SiCH2CH2Si(OMe)3 と HMe2SiOMe2SiCHMeSi(OMe)3との２：１混合物を加えた。内容物を８０℃に加熱して、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン（３ｇ）に溶解した１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンと錯体形成したＰｔ金属（０．０１６ｇ）を５時間にわたって添加した。内容物を８０℃で１２時間維持して、F3CCF2CF2(OCF2CF2CF2)11OCF2CF2CH2OCH2CH2CH2Me2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3の２：１混合物を製造した。残余のシランおよび溶媒を反応混合物から留去し、活性炭（１ｇ）を加えた。生成物を、５ミクロン膜上のセライト濾過助剤の床で濾過した。赤外および核磁気共鳴分光法による分析は、CH2=CHCH2O および HSi官能基の完全な消失を示した。
Synthesis example 1:
In a 250 mL 3-neck flask equipped with a magnetic stir bar, reflux condenser, temperature controller and head space dry nitrogen inlet, 61.17 g of (F 3 CCF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 CF 2 ) 11 OCF 2 CF 2 CH 2 OCH 2 CH = CH 2 ), 48.88 g of 1,3-bis (trifluoromethyl) benzene and 7.46 g of HMe 2 SiOMe 2 SiCH 2 CH 2 Si (OMe) 3 and HMe 2 SiOMe 2 SiCHMeSi ( A 2: 1 mixture with OMe) 3 was added. The contents were heated to 80 ° C. and Pt complexed with 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dissolved in 1,3-bis (trifluoromethyl) benzene (3 g). Metal (0.016 g) was added over 5 hours. The contents are maintained at 80 ° C. for 12 hours, and F 3 CCF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 CF 2 ) 11 OCF 2 CF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Me 2 SiOMe 2 SiC 2 H 4 Si (OMe ) A 2: 1 mixture of 3 was produced. Residual silane and solvent were distilled off from the reaction mixture and activated carbon (1 g) was added. The product was filtered through a bed of celite filter aid on a 5 micron membrane. Analysis by infrared and nuclear magnetic resonance spectroscopy showed complete disappearance of the CH 2 ═CHCH 2 O and HSi functional groups.
合成例２〜７
合成例１に記載されているのと同様の手順で、以下の化合物を合成した。
合成化合物 2;
F3CCF2CF2(OCF2CF2CF2)11OCF2CF2CH2OCH2CH2CH2Me2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3
合成化合物 3;
F3CCF2CF2(OCF2CF2CF2)11OCF2CF2CONHCH2CH2CH2Me2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3
合成化合物 4;
F3CCF2CF2O[CF(CF3)CF2O]3CF(CF3)CH2OCH2CH2CH2Me2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3
合成化合物 5;
F3CCF2CF2O[CF(CF3)CF2O]3CF(CF3)CONHCH2CH2CH2Me2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3
合成化合物 6;
F3CCF2CF2O[CF(CF3)CF2O]4CF(CF3)CH2OCH2CH2CH2Me2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3
合成化合物 7;
F3CCF2CF2O[CF(CF3)CF2O]5CF(CF3)CH2OCH2CH2CH2Me2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3
Synthesis Examples 2-7
The following compounds were synthesized in the same procedure as described in Synthesis Example 1.
Synthetic compound 2;
F 3 CCF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 CF 2 ) 11 OCF 2 CF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Me 2 SiOMe 2 SiC 2 H 4 Si (OMe) 3
Synthetic compound 3;
F 3 CCF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 CF 2 ) 11 OCF 2 CF 2 CONHCH 2 CH 2 CH 2 Me 2 SiOMe 2 SiC 2 H 4 Si (OMe) 3
Synthetic compound 4;
F 3 CCF 2 CF 2 O [CF (CF 3 ) CF 2 O] 3 CF (CF 3 ) CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Me 2 SiOMe 2 SiC 2 H 4 Si (OMe) 3
Synthetic compound 5;
F 3 CCF 2 CF 2 O [CF (CF 3 ) CF 2 O] 3 CF (CF 3 ) CONHCH 2 CH 2 CH 2 Me 2 SiOMe 2 SiC 2 H 4 Si (OMe) 3
Synthetic compound 6;
F 3 CCF 2 CF 2 O [CF (CF 3 ) CF 2 O] 4 CF (CF 3 ) CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Me 2 SiOMe 2 SiC 2 H 4 Si (OMe) 3
Synthetic compound 7;
F 3 CCF 2 CF 2 O [CF (CF 3 ) CF 2 O] 5 CF (CF 3 ) CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Me 2 SiOMe 2 SiC 2 H 4 Si (OMe) 3
比較化合物 a
オプツールDSX (ダイキン工業株式会社製) を入手し、これを「比較化合物 a」とした。
Comparative compound a
Optool DSX (manufactured by Daikin Industries, Ltd.) was obtained and designated as “Comparative Compound a”.
シリコンウエハ基材の予備処理：
シリコンウエハ（２ｃｍ ｘ ４ｃｍ ｘ ０．７ｍｍ）を、アセトン中において２５℃で１０分間にわたって超音波処理し、１００℃で１時間にわたって、硫酸／３０重量％過酸化水素水＝７０／３０（Ｖ／Ｖ）で洗浄した。次いで、ウエハをメタノールおよびエタノールによってこの順で洗浄し、室温において減圧下で乾燥した。更に、ＵＶ／オゾン化処理を１０分間にわたって７０Ｐａで行った。それによって、水接触角が０℃であることを確認した。
Pretreatment of silicon wafer substrate:
A silicon wafer (2 cm × 4 cm × 0.7 mm) was sonicated in acetone at 25 ° C. for 10 minutes, and sulfuric acid / 30 wt% hydrogen peroxide solution = 70/30 (V / Washed with V). The wafer was then washed in this order with methanol and ethanol and dried under reduced pressure at room temperature. Further, UV / ozonization treatment was performed at 70 Pa for 10 minutes. Thereby, it was confirmed that the water contact angle was 0 ° C.
表面改質剤による湿潤被覆：
合成化合物および比較化合物の各々をＨＦＥ−７２００（３Ｍ製）で希釈して０．０５重量％、０．１０重量％および０．５０重量％の濃度にした。前記のように予備処理したシリコンウエハを化合物希釈液中に２５℃で３０分間にわたって浸漬し、２５℃で２４時間乾燥した。次いで、ウエハをＨＦＥ−７２００中において２５℃で１０分間にわたって超音波洗浄して、減圧下で２５℃で１時間にわたって乾燥した。
Wet coating with surface modifier:
Each of the synthetic compound and the comparative compound was diluted with HFE-7200 (manufactured by 3M) to a concentration of 0.05 wt%, 0.10 wt% and 0.50 wt%. The silicon wafer pretreated as described above was immersed in a compound diluent at 25 ° C. for 30 minutes and dried at 25 ° C. for 24 hours. The wafer was then ultrasonically cleaned in HFE-7200 at 25 ° C. for 10 minutes and dried at 25 ° C. under reduced pressure for 1 hour.
接触角および転落角の測定：
処理した試料について、水接触角および水転落角を、Ｍｏｄｅｌ ＣＡ−Ｘ（協和界面科学株式会社製）によって測定した。測定は、２０℃および６５％のＲＨの条件で、２０マイクロリットルの蒸留水の液滴を用いて行った。
Measurement of contact angle and sliding angle:
About the processed sample, the water contact angle and the water fall angle were measured by Model CA-X (made by Kyowa Interface Science Co., Ltd.). The measurement was performed using 20 microliters of distilled water droplets at 20 ° C. and 65% RH.
指紋の付着性：
処理試料の表面に指を押しつけ、指紋付着を行い、指紋の付着性および認知性を、以下の基準に従って目視により評価した。
Fingerprint adhesion:
A finger was pressed against the surface of the treated sample to perform fingerprint adhesion, and the adhesion and recognition of the fingerprint were visually evaluated according to the following criteria.
A: 指紋は、わずかにのみ付着しており、付着していたとしても、容易に認知できない。
B: 指紋の付着は認知できるものである。
A: Fingerprints are only slightly attached, and even if they are attached, they cannot be easily recognized.
B: Fingerprint attachment is perceptible.
拭き取りによる指紋の除去容易性：
試料表面に付着している指紋をセルロース不織布（ベンリーゼ（Ｂｅｍｃｏｔ） Ｍ−３（旭化成株式会社製））で拭き取り、以下の基準に従って指紋の除去性を目視により評価した。
Easy removal of fingerprints by wiping:
The fingerprint adhering to the sample surface was wiped off with a cellulose non-woven fabric (Bemcot M-3 (manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.)), and the removability of the fingerprint was visually evaluated according to the following criteria.
A: 指紋を完全に拭き取り得る。
B: 拭き取り後に指紋の痕跡が残る。
C: 指紋を拭き取ることができない。
A: The fingerprint can be wiped off completely.
B: Traces of fingerprints remain after wiping.
C: The fingerprint cannot be wiped off.
耐磨耗性：
５００ｇｆの負荷をかけてセルロース不織布（ベンリーゼ（Ｂｅｍｃｏｔ） Ｍ−３（旭化成株式会社製））で試料表面を１００回擦り、前記の試験に付した。
Abrasion resistance:
The sample surface was rubbed 100 times with a cellulose non-woven fabric (Bemcot M-3 (manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.)) under a load of 500 gf and subjected to the above test.
表１において、括弧内の値は、耐摩耗試験の値である。 In Table 1, the values in parentheses are the values of the abrasion resistance test.
表１は、本発明の表面改質剤を使用して形成される処理層が比較例の処理層と同様の水接触角を有するが、比較例の処理層よりもずっと少ない水転落角を有しており、水によって濡らすのが困難であり、指紋の拭き取り容易性を実現していることを示す。表１は、これら優れた特性に耐久性があることをも示す。 Table 1 shows that the treatment layer formed using the surface modifier of the present invention has a water contact angle similar to that of the comparative treatment layer, but has a much smaller water tumbling angle than the comparative treatment layer. This indicates that it is difficult to wet with water and that it is easy to wipe off fingerprints. Table 1 also shows that these excellent properties are durable.
実施例２
実施例１におけるのと同様の手順で、合成化合物２〜７の種々の特性を測定した。
結果を表２〜表４に示す。
Example 2
In the same procedure as in Example 1, various characteristics of the synthetic compounds 2 to 7 were measured.
The results are shown in Tables 2-4.
表２、表３および表４は、表１にて説明したのと同様の結果を示す。 Tables 2, 3 and 4 show the same results as described in Table 1.
本発明の表面改質剤を使用して基材表面の上に形成される処理層は、処理層が従来既知の処理剤を使用して形成したよりも非常に少ない転落角を有しており、汚れ（例えば、指紋、皮脂、汗および化粧品）に対して、より高い耐性を示す。更に、これら汚れが本発明の表面改質剤の処理した層に付着した場合であっても、汚れは容易に拭き取ることができる。さらにまた、これらの特性は、安定的に示される。 The treatment layer formed on the substrate surface using the surface modifier of the present invention has a much smaller falling angle than the treatment layer formed using a conventionally known treatment agent. More resistant to dirt (eg fingerprints, sebum, sweat and cosmetics). Furthermore, even if these stains adhere to the layer treated with the surface modifier of the present invention, the stains can be easily wiped off. Furthermore, these characteristics are shown stably.
さらに、光学機能部材に、本発明の反射防止光学部材または光学要素を結合することによって得られた光学機能部材（例えば、偏光板）は、その表面上に形成された、上述の優れた機能および高い耐久性を有する処理層を有している。したがって、例えば、さまざまなディスプレイ（液晶ディスプレイ、ＣＲＴディスプレイ、映像ディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネセンスディスプレイなど）のディスプレイスクリーンの前パネルに結合されるときに、本発明の高い画像認識性が備わった表示装置を提供する。 Furthermore, the optical function member (for example, polarizing plate) obtained by combining the anti-reflection optical member or the optical element of the present invention with the optical function member has the above-described excellent function and formed on the surface thereof. It has a treatment layer with high durability. Thus, for example, when combined with the front panel of the display screen of various displays (liquid crystal display, CRT display, video display, plasma display, electroluminescent display, etc.), the display with the high image recognizability of the present invention. Providing equipment.
さらにまた、本発明の表面改質剤を使用して基材表面の上に形成された処理層は、極めて薄くて、したがって、非常に精密な加工性および優れた微細機械加工性を有する。 Furthermore, the treatment layer formed on the substrate surface using the surface modifier of the present invention is very thin and thus has very precise workability and excellent micromachining.
Claims (55)
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”Si(X’)3-a(R1)a
(A)
［式中、ｑは、１〜３の整数であり；
ｍ、ｎ、およびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；
ｐは、０、１または２であり；
Ｘは、酸素または二価の有機基であり；
Ｘ”は、二価の有機シリコーンスペーサー基であり；
Ｒ１は、Ｃ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基であり；
ａは０〜２の整数であり；ならびに
Ｘ’は、加水分解性基である。］
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X’)2-a(R1)aSiO(F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X’)1-a(R1)aSiO)zF-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X’)2-a(R1)aSi
(B)
［式中、ｑは、１〜３の整数であり；
ｍ、ｎおよびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；
ｐは、０、１または２であり；
Ｘは、酸素または二価の有機基であり；
Ｘ”は、二価の有機シリコーンスペーサー基であり；
Ｒ １ は、Ｃ １−２２ の直鎖または分岐の炭化水素基であり；
ａは０〜２の整数であり；
Ｘ’は、加水分解性基であり；ならびに
ａが０または１である場合に、ｚは、０〜１０の整数である。］。Surface modifier comprising an organosilicone compound represented by general formula (A) and / or general formula (B):
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”Si (X ') 3-a (R 1 ) a
(A)
[Wherein q is an integer of 1 to 3;
m, n, and o are each an integer from 0 to 200;
p is 0, 1 or 2;
X is oxygen or a divalent organic group;
X ″ is a divalent organosilicone spacer group;
R 1 is a C 1-22 linear or branched hydrocarbon group;
a is an integer from 0 to 2; and X ′ is a hydrolyzable group. ]
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 2-a (R 1 ) a SiO ( F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 1-a (R 1 ) a SiO) z F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 2-a (R 1 ) a Si
(B)
[Wherein q is an integer of 1 to 3;
m, n and o are each an integer from 0 to 200;
p is 0, 1 or 2;
X is oxygen or a divalent organic group;
X ″ is a divalent organosilicone spacer group;
R 1 is a C 1-22 linear or branched hydrocarbon group;
a is an integer from 0 to 2;
X ′ is a hydrolyzable group; and when a is 0 or 1, z is an integer from 0 to 10. ].
F-(CF 2 ) q -(OC 3 F 6 ) m -(OC 2 F 4 ) n -(OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX”Si(X’) 3-a (R 1 ) a
(A)
で示される有機シリコーン化合物の製造方法であって、
方法は、遷移金属の存在下での、HMe2Si(OMe2Si)bR3Si(X')3-a(R1)a
（式中、Ｒ1は直鎖または分岐のＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ａは０または１であり、ｂは１〜１００の整数である。）と下記の一般式（Ｃ）：
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”’
(C)
［式中，ｑは１〜３の整数であり；ｍ、ｎ、およびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；そして、Ｘは、酸素または二価の有機基であり；Ｘ”’は、末端エチレン性不飽和を有する一価の有機基である。］
で示される化合物との間のヒドロシリル化反応を使用する製造方法。X ″ is a divalent organosilicone group, X ′ is a hydrolyzable group, and a is 0. General formula (A):
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”Si (X ') 3-a (R 1 ) a
(A)
A method for producing an organosilicone compound represented by:
The method consists of HMe 2 Si (OMe 2 Si) b R 3 Si (X ′) 3-a (R 1 ) a in the presence of a transition metal.
(In the formula, R 1 is a linear or branched C 1 -C 22 hydrocarbon group, R 3 is a divalent organic group, a is 0 or 1, and b is an integer of 1 to 100. ) And the following general formula (C):
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”'
(C)
Wherein q is an integer from 1 to 3; m, n and o are each an integer from 0 to 200; p is 0, 1 or 2; and X is oxygen or A divalent organic group; X ″ ′ is a monovalent organic group having terminal ethylenic unsaturation.]
The manufacturing method using the hydrosilylation reaction between the compounds shown by these.
F-(CF 2 ) q -(OC 3 F 6 ) m -(OC 2 F 4 ) n -(OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX”Si(X’) 3-a (R 1 ) a
(A)
で示される有機シリコーン化合物の製造方法であって、
方法は、遷移金属の存在下での、HMe2Si(OMe2Si)bOSi(X’)3-a(R1)a（式中、Ｒ1は直鎖または分岐のＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ａは０または１であり、ｂは０〜１００の整数である。）と下記の一般式（Ｃ）：
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”’
(C)
［式中，ｑは１〜３の整数であり；ｍ、ｎ、およびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；そして、Ｘは、酸素または二価の有機基であり；X”’は、末端エチレン性不飽和を有する一価の有機基である。］
で示される化合物との間のヒドロシリル化反応を使用する製造方法。X ″ is a divalent organosilicone group, X ′ is a hydrolyzable group, and a is 0.
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”Si (X ') 3-a (R 1 ) a
(A)
A method for producing an organosilicone compound represented by:
The method is as follows: HMe 2 Si (OMe 2 Si) b OSi (X ′) 3-a (R 1 ) a (wherein R 1 is linear or branched C 1 -C 22 in the presence of a transition metal. A hydrocarbon group, R 3 is a divalent organic group, a is 0 or 1, and b is an integer of 0 to 100) and the following general formula (C):
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”'
(C)
Wherein q is an integer from 1 to 3; m, n and o are each an integer from 0 to 200; p is 0, 1 or 2; and X is oxygen or A divalent organic group; X ″ ′ is a monovalent organic group having terminal ethylenic unsaturation.]
The manufacturing method using the hydrosilylation reaction between the compounds shown by these.
F-(CF 2 ) q -(OC 3 F 6 ) m -(OC 2 F 4 ) n -(OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX”Si(X’) 3-a (R 1 ) a
(A)
で示される有機シリコーン化合物の製造方法であって、
方法は、遷移金属の存在下での、HMe2Si(OMe2Si)bR3Si(X’)3-a(R1)a （式中、Ｒ1は直鎖または分岐のＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ａは０または１であり、ｂは１〜１００の整数である。）と下記の一般式（Ｃ）：
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”’
(C)
［式中，ｑは１〜３の整数であり；ｍ、ｎ、およびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；そして、Ｘは、酸素または二価の有機基であり；X”’は、末端エチレン性不飽和を有する一価の有機基である。］
で示される化合物との間のヒドロシリル化反応を使用する製造方法。X ″ is a divalent organosilicone group, X ′ is alkoxy, and a is 0.
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”Si (X ') 3-a (R 1 ) a
(A)
A method for producing an organosilicone compound represented by:
The method is as follows: HMe 2 Si (OMe 2 Si) b R 3 Si (X ′) 3-a (R 1 ) a (wherein R 1 is linear or branched C 1 − in the presence of a transition metal. C 22 hydrocarbon group, R 3 is a divalent organic group, a is 0 or 1, and b is an integer of 1 to 100) and the following general formula (C):
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”'
(C)
Wherein q is an integer from 1 to 3; m, n and o are each an integer from 0 to 200; p is 0, 1 or 2; and X is oxygen or A divalent organic group; X ″ ′ is a monovalent organic group having terminal ethylenic unsaturation.]
The manufacturing method using the hydrosilylation reaction between the compounds shown by these.
F-(CF 2 ) q -(OC 3 F 6 ) m -(OC 2 F 4 ) n -(OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX”Si(X’) 3-a (R 1 ) a
(A)
で示される有機シリコーン化合物の製造方法であって、
方法は、遷移金属の存在下での、HMe2Si(OMe2Si)bOSi(X’)3-a(R1)a （式中、Ｒ1は直鎖または分岐のＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ａは０または１であり、ｂは０〜１００の整数である。）と下記の一般式（Ｃ）：
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”’
(C)
［式中，ｑは１〜３の整数であり；ｍ、ｎ、およびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；そして、Ｘは、酸素または二価の有機基であり；X”’は、末端エチレン性不飽和を有する一価の有機基である。］
で示される化合物との間のヒドロシリル化反応を使用する製造方法。X ″ is a divalent organosilicone group, X ′ is alkoxy, and a is 0.
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”Si (X ') 3-a (R 1 ) a
(A)
A method for producing an organosilicone compound represented by:
The method is as follows: HMe 2 Si (OMe 2 Si) b OSi (X ′) 3-a (R 1 ) a (wherein R 1 is linear or branched C 1 -C 22 in the presence of a transition metal. A hydrocarbon group, R 3 is a divalent organic group, a is 0 or 1, and b is an integer of 0 to 100) and the following general formula (C):
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”'
(C)
Wherein q is an integer from 1 to 3; m, n and o are each an integer from 0 to 200; p is 0, 1 or 2; and X is oxygen or A divalent organic group; X ″ ′ is a monovalent organic group having terminal ethylenic unsaturation.]
The manufacturing method using the hydrosilylation reaction between the compounds shown by these.
F-(CF 2 ) q -(OC 3 F 6 ) m -(OC 2 F 4 ) n -(OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX”(X’) 2-a (R 1 ) a SiO(F-(CF 2 ) q -(OC 3 F 6 ) m -(OC 2 F 4 ) n -(OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX”(X’) 1-a (R 1 ) a SiO) z F-(CF 2 ) q -(OC 3 F 6 ) m -(OC 2 F 4 ) n -(OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX”(X’) 2-a (R 1 ) a Si
(B)
［式中、ｑは、１〜３の整数であり；
ｍ、ｎおよびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；
ｐは、０、１または２であり；
Ｘは、酸素または二価の有機基であり；
Ｘ”は、二価の有機シリコーンスペーサー基であり；
Ｘ’は、加水分解性基であり；
Ｒ １ は、Ｃ １−２２ の直鎖または分岐の炭化水素基であり；
ａは０〜２の整数であり；ならびに
ａが０または１である場合に、ｚは、０〜１０の整数である。］
で示される有機シリコーン化合物の製造方法であって、
方法が、請求項２０〜２７のいずれかに記載の方法に従って得られる一般式（Ａ）で示される化合物の部分加水分解および縮合反応を使用する製造方法。General formula (B)
F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 2-a (R 1 ) a SiO ( F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 1-a (R 1 ) a SiO) z F- (CF 2 ) q- (OC 3 F 6 ) m- (OC 2 F 4 ) n- (OCF 2 ) o (CH 2 ) p XX ”(X ') 2-a (R 1 ) a Si
(B)
[Wherein q is an integer of 1 to 3;
m, n and o are each an integer from 0 to 200;
p is 0, 1 or 2;
X is oxygen or a divalent organic group;
X ″ is a divalent organosilicone spacer group;
X ′ is a hydrolyzable group;
R 1 is a C 1-22 linear or branched hydrocarbon group;
a is an integer from 0 to 2;
When a is 0 or 1, z is an integer of 0 to 10. ]
A method for producing an organosilicone compound represented by:
The manufacturing method using the partial hydrolysis and condensation reaction of the compound shown by the formula (A) obtained according to the method in any one of Claims 20-27.
処理表面が、単分子膜の形態のパーフルオロポリエーテルを含んで成る処理表面。A treated surface obtained using the surface modifier according to any one of claims 1 to 19,
A treated surface, wherein the treated surface comprises perfluoropolyether in the form of a monolayer.
表面改質剤を含浸した多孔性物品を真空下で加熱して表面改質剤を蒸発させることによって基材上に処理層を形成する工程
を有してなる、表面を形成する方法。A step of impregnating a porous article with the surface modifier according to any one of claims 1 to 19, and heating the porous article impregnated with the surface modifier under vacuum to evaporate the surface modifier. A method for forming a surface, comprising a step of forming a treatment layer on a substrate.
透明基材の少なくとも一つの面の上に形成された反射防止フイルム、および
最外の表面の上に形成された処理層
を有して成る反射防止光学部材であって、
処理層が、請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を含んでなる反射防止光学部材。Transparent substrate,
An antireflection optical member comprising an antireflection film formed on at least one surface of a transparent substrate, and a treatment layer formed on an outermost surface,
An antireflection optical member, wherein the treatment layer comprises the surface modifier according to any one of claims 1 to 19.
反射防止光学部材に取り付けた機能的な光学部材を有して成る光学機能部材。40. An optical functional member comprising the antireflection optical member according to claim 38 or 39 and a functional optical member attached to the antireflection optical member.
コーティング部材が請求項４０または４１に記載の光学機能部材である表示装置。A display device having a coating member attached with an adhesive to the front surface of the front panel on the surface of the display screen,
42. A display device, wherein the coating member is the optical functional member according to claim 40 or 41.
-R-R 3Three Si(RSi (R 22 )) 22 (OSi(R(OSi (R 22 )) 22 )) bb O- または -RO- or -R 3Three Si(RSi (R 22 )) 22 (OSi(R(OSi (R 22 )) 22 )) bb RR 3Three - -
（式中、Ｒ(Wherein R ２2 はＣIs C １1 −Ｃ-C ２２22 の直鎖または分岐の置換されていてよいアルキル、ＣA linear or branched optionally substituted alkyl, C ６6 −Ｃ-C ２０20 の非置換または置換のアリール基、ＲAn unsubstituted or substituted aryl group, R ３3 は独立的に二価の有機基、例えば、ＣAre independently divalent organic groups such as C １1 −Ｃ-C ２２22 の直鎖または分岐の置換されていてよいアルキル、およびｂは１〜１００の整数である。）Linear or branched alkyl which may be substituted, and b is an integer of 1 to 100. )
で示される請求項１に記載の表面改質剤。The surface modifier of Claim 1 shown by these.
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