JP5062753B2 - 薄膜試料のゼーベック係数および熱伝導率を測定する方法および装置 - Google Patents
薄膜試料のゼーベック係数および熱伝導率を測定する方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5062753B2 JP5062753B2 JP2008053026A JP2008053026A JP5062753B2 JP 5062753 B2 JP5062753 B2 JP 5062753B2 JP 2008053026 A JP2008053026 A JP 2008053026A JP 2008053026 A JP2008053026 A JP 2008053026A JP 5062753 B2 JP5062753 B2 JP 5062753B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- sample
- film sample
- thermal conductivity
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Description
Z=(S2/ρk)
この式で、Sはゼーベック係数[μV/K],ρは電気抵抗[S/m],kは熱伝導率[W/(m・K)]である。
S=V/ΔT (V:起電力[μV],ΔT:温度差[K])
で表すことができる。一般的に優れた熱電材料(試料)とは、性能指数が大きい、すなわちゼーベック係数が大きく、電気抵抗率と熱伝導率が小さい物質であると言われている。
1)材料の近傍に発熱体を設け、試料の一端を冷却する。
2)発熱体により加熱された2つの物体を試料の端部に接触させる。
3)ハロゲンランプで試料と密着している試料台を過熱する。
これらの方式でも安定的な測定ができなかったので、2個の架台間に懸架された平板試料の下方中心部からスポット光を試料に照射して、試料中心部を局部加熱し、温度勾配が生じた試料の中心部と試料端部の任意の2点間の起電力を熱電対で測定する装置も提案されている(特許文献1を参照)。
図1、図2はいずれも説明が理解され易くした簡略図面で、図1は、この発明の構造体を斜め上方から見た図面で、図2は、側面から見た図面であり、試料の厚さなど、その構成は、理解しやすいように誇張して示されている。
S=dV/(Th−Tc)
ここでdV(薄膜の起電力μV),Th−Tc(薄膜の表裏間の温度差K)である。
mのn型で、ヒーターの設定温度は30℃で、あった。この実験において、50秒までは略10秒ごとに、以後は略50秒ごとの時間間隔で複数回にわたり2回測定した結果をもとに上式からゼーベック係数を算出した結果、ゼーベック係数が略150〜200の範囲内で、しかも何分かにわたる(10分〜50分程度の範囲)測定でさえも略安定した測定結果が得られた。
またアルミ棒の場合、押し当てる力の調整が難しく、薄膜試料を突き破ったり、熱平衡までに時間を要し(1時間程度)、データー自体も不安定であった。
基板、薄膜試料の間での接触度の強弱、さらには対流による試料表面の熱流束の乱れなどが影響するものと思われる。
次に図4に従って熱伝導率の測定につき説明する。
この図4における熱伝導率は以下の式で表される。この図において、2はアルミ(Al)基板、3は薄板試料(Bi−Te)で、a,bは各々Al基板と薄膜試料の厚さ、K1
,K2はAl基板およびBi−Teの薄膜試料の熱伝導率、T1,T2,T3は図に示すAl
基板裏および表面、熱電素子(薄板試料)表面の夫々の部分の温度である。この結果、この図示した薄膜試料に熱伝導率は理論上次のようになる。
K2=bK1(T1−T2)/a(T2−T3)
a,b (Al基板,Bi−Te夫々の膜厚 m)
K1,K2 (Al基板、Bi−Te夫々の熱伝導率 W/(m・k))
T1,T2,T3 (基板裏、Al基板表面、熱電素子表面夫々の温度K)
Ti−T2およびT2より算出した熱伝導率を図5および図6に示す。ここではn型,p型でかつ膜厚1μm,4μm,12μmのものを使用し、かつ30℃,50℃,60℃の温度のもとで測定、計算した。図5において明らかなように、中間点計算値Tiと中間点実測値T2との差、Ti−T2は一部を除いて他は略等しく、よって中間点実測値T2から算出される熱伝導率K2は、信頼性の高い値と考えられる。また図5をアレンジして示した図6のように、n型,p型の各薄膜の膜厚1μm,4μm,12μmの場合にあっても温度30℃,50℃,60℃における各熱伝導率は略直線状態となり、十分利用できることが判明した。なお薄膜のn型,p型は以下の組成である。
n型;Bi2(Se0.15Te2.85)
p型;(Bi0.5Sb1.5)Te3
薄膜の標準試料としてタルタン板、パラジウム板、コンスタンタン箔、PLD法で作成した膜厚1μmのコンスタンタン薄膜を用い、基板の標準試料としてアルミニウムを用いた。計算値と測定値の差(Ti−T2)および測定値(T2)より算出した熱伝導率を示したものであり、この図において明らかなように、中間点計算値(Ti)と中間点実測値(
T2)の差(Ti−T2)はゼロで、これから得られた結果を示す図10においても明確なごとく、タルタン等の各標準試料の文献値と同じような略直線的な結果が得られた。この結果からも明らかなように、この発明の方法・装置は、信頼性の高いものと考えられ、実用に十分耐えられるものであることは明らかである。
図11に、図1,図2の構成の変形例を示す。
図において図1,図2と同じ符号は、同じものを示す。この図において、7は2本のスライド枠体を示し、この枠体7上をフード4を保持したスライド部材8が矢印9方向に移動し、フード4と薄膜試料3間の距離を調整する。また図のa〜eは、熱電対Tc1,Tc2,Tc3,電圧計Vのリード線を構成し、各リード線の各端子は、その先端の端子部分(◎印)で、ヒーターブロック1、基板2、に電気的接続されてそれぞれからの出力を検出できる構成となっている。なお、リード線c,eの先端の端子は、フードを貫通して、薄膜試料面3に接触するようになっており、薄膜試料からの電気的信号がフードを介し
て取り出せるように構成されている。また、10は、風速、約数メートル/秒の送風5のための送風手段である。
2 基板
3 薄膜(板)試料
4 フード
5 送風
6 枠体
7 スライド枠体
8 スライド部材
10 送風手段
a,b,c,d,e リード線
Tc1、Tc2、Tc3 熱電対
V 電圧計
Claims (2)
- ヒーターブロック上に薄膜試料を貼付した基板を載置するとともに、前記基板上の薄膜試料面を透明なフードで被うとともにこれらを一体的に略垂直状態で保持し、フード面への送風により薄膜試料面のフード側面の温度値をヒーター側面の温度値より低温に維持するとともに、薄膜試料表面・ブロック表面(薄膜試料裏面)の各温度値差および薄膜試料表裏面間の起電力値とから、薄膜試料のゼーベック係数および熱伝導率を測定する方法。
- ヒーターブロックと、このヒーターブロック上に載置される薄膜試料を貼付した基板と、これらの薄膜試料面を被う透明なフードと、これらを一体的に略垂直状態に保持する枠体と、薄膜試料面のフード側面(薄膜試料表面)の温度値をヒーター側面温度(薄膜試料裏面)より低温に維持するためにフード側面に送風するための送風手段と、薄膜試料表面・ブロック表面の各温度値差を測定する熱電対と、薄膜試料表裏面間の起電力を測定する電圧計とからなる薄膜試料のゼーペック係数および熱伝導率測定装置、
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008053026A JP5062753B2 (ja) | 2008-03-04 | 2008-03-04 | 薄膜試料のゼーベック係数および熱伝導率を測定する方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008053026A JP5062753B2 (ja) | 2008-03-04 | 2008-03-04 | 薄膜試料のゼーベック係数および熱伝導率を測定する方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009210378A JP2009210378A (ja) | 2009-09-17 |
JP5062753B2 true JP5062753B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=41183694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008053026A Expired - Fee Related JP5062753B2 (ja) | 2008-03-04 | 2008-03-04 | 薄膜試料のゼーベック係数および熱伝導率を測定する方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5062753B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103616396A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定弹簧钢的方法 |
CN103616399A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定α+β双相钛合金的方法 |
CN103616432A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定合金高速钢的方法 |
CN103616402A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定超硬铝的方法 |
CN103616400A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定α型钛合金的方法 |
CN103616397A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定β型钛合金的方法 |
CN107966470A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-04-27 | 武汉嘉仪通科技有限公司 | 一种测量薄膜横向热导率的方法及装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9140612B2 (en) * | 2011-02-23 | 2015-09-22 | California Institute Of Technology | Measuring seebeck coefficient |
US9448121B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-09-20 | Industrial Technology Research Institute | Measurement method, measurement apparatus, and computer program product |
TWI467165B (zh) * | 2012-04-10 | 2015-01-01 | Ind Tech Res Inst | 量測方法、量測裝置及電腦程式產品 |
TWI481862B (zh) * | 2013-05-24 | 2015-04-21 | Univ Nat Taiwan Ocean | 晶片檢測平台 |
CN103616398B (zh) * | 2013-10-10 | 2015-09-23 | 贵州大学 | 无损快速测定镍基变形高温合金的方法 |
CN103616403B (zh) * | 2013-10-10 | 2016-05-04 | 贵州大学 | 无损快速测定奥氏体不锈钢的方法 |
CN105699418A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-06-22 | 东华大学 | 一种柔性薄膜材料热导率测定装置 |
JP6820564B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2021-01-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 熱電モジュール発電評価装置 |
CN114354678B (zh) * | 2020-10-13 | 2024-04-09 | 中国科学院化学研究所 | 一种薄膜热电材料性能参数测试装置、方法及系统 |
KR102547728B1 (ko) * | 2021-10-27 | 2023-06-23 | 서울시립대학교 산학협력단 | 열전도도 측정 장치 및 이의 측정 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0518913A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-26 | Tokuyama Soda Co Ltd | 熱起電力の測定方法および装置 |
JPH06174668A (ja) * | 1992-12-10 | 1994-06-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 温度差発生装置 |
JP2000074862A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Sharp Corp | 交流加熱によるゼーベック係数の測定方法およびこれに用いる測定用サンプルの構造 |
JP2007024603A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Toyota Motor Corp | 薄膜状試料の測定方法 |
-
2008
- 2008-03-04 JP JP2008053026A patent/JP5062753B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103616396A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定弹簧钢的方法 |
CN103616399A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定α+β双相钛合金的方法 |
CN103616432A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定合金高速钢的方法 |
CN103616402A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定超硬铝的方法 |
CN103616400A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定α型钛合金的方法 |
CN103616397A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-03-05 | 贵州大学 | 无损快速测定β型钛合金的方法 |
CN103616400B (zh) * | 2013-10-10 | 2015-09-30 | 贵州大学 | 无损快速测定α型钛合金的方法 |
CN103616399B (zh) * | 2013-10-10 | 2015-09-30 | 贵州大学 | 无损快速测定α+β双相钛合金的方法 |
CN107966470A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-04-27 | 武汉嘉仪通科技有限公司 | 一种测量薄膜横向热导率的方法及装置 |
CN107966470B (zh) * | 2017-09-15 | 2020-05-22 | 武汉嘉仪通科技有限公司 | 一种测量薄膜横向热导率的方法及装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009210378A (ja) | 2009-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5062753B2 (ja) | 薄膜試料のゼーベック係数および熱伝導率を測定する方法および装置 | |
Iervolino et al. | Temperature calibration and electrical characterization of the differential scanning calorimeter chip UFS1 for the Mettler-Toledo Flash DSC 1 | |
Wilson et al. | Thermal conductivity measurements of high and low thermal conductivity films using a scanning hot probe method in the 3 ω mode and novel calibration strategies | |
JP5076235B2 (ja) | 熱電対ヒータとこれを用いた温度計測装置 | |
JP6131406B2 (ja) | 熱量計および熱量計の設計方法 | |
KR20150007686A (ko) | 열전성능 측정 장치 | |
JP2016024174A (ja) | 物質の熱拡散率測定方法およびその方法を使った物質の熱電特性評価装置 | |
Szakmany et al. | Nanowire thermocouple characterization platform | |
Amatya et al. | High temperature Z-meter setup for characterizing thermoelectric material under large temperature gradient | |
JP4234475B2 (ja) | 熱電素子性能評価装置および熱電素子の性能評価方法 | |
Nishida | Measurements of electrical properties | |
Nandihalli | A short account of thermoelectric film characterization techniques | |
JP2005221238A (ja) | 温度差の検出方法、温度センサおよびこれを用いた赤外線センサ | |
JP4982766B2 (ja) | 熱電特性計測用センサ | |
JP4474550B2 (ja) | 熱電素子の特性評価方法 | |
JP7232513B2 (ja) | ゼーベック係数測定装置及びその測定方法 | |
RU2764241C2 (ru) | Устройство измерения скорости или расхода газа | |
Liu et al. | In-plane thermoelectric properties of Si/Ge superlattice | |
Ao et al. | Radiation‐Corrected Harman Method for Characterization of Thermoelectric Materials | |
Taylor et al. | Measurement of thermal conductivity using steady-state isothermal conditions and validation by comparison with thermoelectric device performance | |
Iwasaki et al. | Evaluation of the figure of merit of thermoelectric modules by harman method | |
Ling et al. | Thermal conductivity measurement of thermoelectric films using transient Photo-Electro-Thermal technique | |
Hahtela et al. | Thermal-Conductivity Measurement of Thermoelectric Materials Using 3\upomega 3 ω Method | |
JP2008224496A (ja) | 熱物性測定装置、および熱物性測定方法 | |
JPWO2017164104A1 (ja) | 熱電モジュール発電評価装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120620 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120801 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120802 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |