JP5058770B2

JP5058770B2 - Electronic components

Info

Publication number: JP5058770B2
Application number: JP2007320941A
Authority: JP
Inventors: シヤオユウミイ; 岳雄高橋; 知史上田
Original assignee: Fujitsu Ltd; Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd; Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2007-12-12
Filing date: 2007-12-12
Publication date: 2012-10-24
Anticipated expiration: 2027-12-12
Also published as: JP2009146996A

Description

本発明は電子部品に関し、特に縦方向に離間したスパイラル状の複数のコイルを有する電子部品に関する。 The present invention relates to an electronic component, and more particularly to an electronic component having a plurality of spiral coils spaced in the longitudinal direction.

位相整合等を行う場合、インダクタやキャパシタが用いられる。例えば、携帯電話やワイヤレスＬＡＮ（Local Area Network)等のＲＦ（Radio frequency)システムにおいては、小型化、低コスト化、高性能化の要求がある。この要求を満たすため、基板上にインダクタやキャパシタ等の受動素子を集積化した集積型受動素子等の電子部品が用いられる。 When performing phase matching or the like, an inductor or a capacitor is used. For example, in an RF (Radio frequency) system such as a mobile phone or a wireless LAN (Local Area Network), there is a demand for miniaturization, cost reduction, and high performance. In order to satisfy this requirement, electronic components such as integrated passive elements in which passive elements such as inductors and capacitors are integrated on a substrate are used.

特許文献１には、基板上にスパイラル状のコイルをインダクタとして用いた集積電子部品が開示されている。特許文献２および特許文献３には、スパイラル状の複数のコイルが縦方向に空隙を介し離間して設けられたインダクタが開示されている。
特開２００６−１５７７３８号公報特開２００７−６７２３６号公報米国特許第６５１８１６５号明細書 Patent Document 1 discloses an integrated electronic component using a spiral coil as an inductor on a substrate. Patent Documents 2 and 3 disclose an inductor in which a plurality of spiral coils are provided in the vertical direction so as to be spaced apart from each other through a gap.
JP 2006-157738 A JP 2007-67236 A US Pat. No. 6,518,165

特許文献２に係るインダクタによれば、高いＱ値（先鋭度）を得ることができる。しかしながら、特許文献２に係るインダクタは、縦方向にコイルが空隙を介し離間して形成されているため、上層コイルの機械強度および耐衝撃能力が十分ではないという課題がある。 According to the inductor according to Patent Document 2, a high Q value (sharpness) can be obtained. However, the inductor according to Patent Document 2 has a problem in that the mechanical strength and impact resistance of the upper coil are not sufficient because the coils are formed in the vertical direction so as to be separated from each other with a gap.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、縦方向に空隙を介し離間して設けられたスパイラル状のコイルを有する電子部品において、機械強度および耐衝撃能力を確保し、かつインダクタの性能を向上させることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and in an electronic component having a spiral coil provided in the vertical direction with a gap therebetween, the mechanical strength and impact resistance capability are ensured, and the performance of the inductor It aims at improving.

本発明は、基板と、前記基板上に設けられたスパイラル状の第１コイルと、前記第１コイル上方に空隙を介し離間して設けられたスパイラル状の第２コイルと、前記第２コイルを支持し、前記第２コイルの周のうち最外周にのみに設けられている絶縁性の第１支持部と、を具備することを特徴とする電子部品である。本発明によれば、第１支持部が第２コイルを支持するため、第２コイルの機械強度および耐衝撃能力を確保することができる。また、第１支持部が絶縁性であるため、渦電流損が生じない。よって、電子部品の性能を向上させることができる。 The present invention includes a substrate, a spiral first coil provided on the substrate, a spiral second coil provided above the first coil with a gap therebetween, and the second coil. And an insulating first support portion provided only on the outermost periphery of the circumference of the second coil . According to the present invention, since the first support portion supports the second coil, the mechanical strength and impact resistance capability of the second coil can be ensured. Further, since the first support part is insulative, no eddy current loss occurs. Therefore, the performance of the electronic component can be improved.

上記構成において、前記第１支持部は、前記第２コイルの下面に接し、前記第２コイルと前記基板との間に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、第１支持部が第２コイルをより安定に支持することができる。 The said structure WHEREIN: The said 1st support part can be set as the structure provided in contact with the lower surface of the said 2nd coil, and between the said 2nd coil and the said board | substrate. According to this structure, the 1st support part can support the 2nd coil more stably.

上記構成において、前記第１支持部は、前記第２コイルの中心からの角度が実質的に等間隔になるように配置されている構成とすることができる。この構成によれば、第２コイルのうねりを抑制することができる。 The said structure WHEREIN: The said 1st support part can be set as the structure arrange | positioned so that the angle from the center of a said 2nd coil may become substantially equal intervals. According to this configuration, the undulation of the second coil can be suppressed.

上記構成において、前記基板上に設けられ、前記第２コイルを外部と接続するための配線と、前記配線と前記第２コイルとを電気的に接続し、前記第２コイルの最外周に設けられ、前記第２コイルを支持する第２支持部を具備し、前記第１支持部と前記第２支持部とは、前記第２コイルの中心からの角度が実質的の等間隔になるように配置されている構成とすることができる。この構成によれば、第２コイルのうねりを抑制することができる。 In the above configuration, the wiring provided on the substrate, electrically connecting the second coil to the outside, and electrically connecting the wiring and the second coil, provided on the outermost periphery of the second coil. And a second support part for supporting the second coil, wherein the first support part and the second support part are arranged such that the angles from the center of the second coil are substantially equidistant. It can be set as the structure currently made. According to this configuration, the undulation of the second coil can be suppressed.

上記構成において、前記基板上に設けられ、前記第２コイルを外部と接続するための配線と、前記配線と前記第２コイルとを電気的に接続し、前記第２コイルの最外周から離間して設けられた第２支持部を具備し、前記第１支持部のうち１つは、前記第２コイルの最外周の終端に設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, a wiring provided on the substrate for connecting the second coil to the outside, electrically connecting the wiring and the second coil, and spaced apart from the outermost periphery of the second coil. The second support portion is provided, and one of the first support portions may be provided at the end of the outermost periphery of the second coil.

上記構成において、前記第１支持部は、二酸化シリコンより誘電率が小さい材料からなる構成とすることができる。第１支持部に起因する寄生容量は第１支持部の誘電率に比例し、誘電率が低い程ほど寄生容量が小さくなる。この構成によれば、第１支持部を構成する材料はは二酸化シリコンより誘電率が小さいため、第１支持部に起因した寄生容量を抑制することができる。 The said structure WHEREIN: A said 1st support part can be set as the structure which consists of material whose dielectric constant is smaller than silicon dioxide. The parasitic capacitance caused by the first support portion is proportional to the dielectric constant of the first support portion. The lower the dielectric constant, the smaller the parasitic capacitance. According to this configuration, since the material constituting the first support portion has a dielectric constant smaller than that of silicon dioxide, parasitic capacitance caused by the first support portion can be suppressed.

上記構成において、前記第１コイルと前記第２コイルとを前記第２コイルの最内周の終端において電気的に接続し、前記第２コイルを支持する第３支持部を具備する構成とすることができる。 In the above-described configuration, the first coil and the second coil are electrically connected at the end of the innermost circumference of the second coil, and a third support portion for supporting the second coil is provided. Can do.

本発明によれば、第１支持部が第２コイルを支持するため、第２コイルの機械強度および耐衝撃能力を確保することができる。また、第１支持部が絶縁性であるため、渦電流損が生じない。よって、電子部品の性能を向上させることができる。 According to the present invention, since the first support portion supports the second coil, the mechanical strength and impact resistance capability of the second coil can be ensured. Further, since the first support part is insulative, no eddy current loss occurs. Therefore, the performance of the electronic component can be improved.

図１は比較例１に係る巻き数が４．５（第２コイル２０の巻き数が２．５、第１コイル１０の巻き数が２）のインダクタの斜視図、図２は上面図である。図１および図２を参照に、ガラスからなる基板５０上にスパイラル状の第１コイル１０、第１コイル１０上にスパイラル状の第２コイル２０が離間して設けられ、第１コイル１０と第２コイル２０との間は空隙となっている。すなわち大気が充満している。第１コイル１０および第２コイル２０はほぼ重なるように設けられている。基板５０上に、第１コイル１０と同じ金属層で形成され、インダクタ３０の外部と接続するための配線１８および２８が設けられている。配線１８は第１コイル１０の最外周の終端（すなわち外端）と直接接続されている。 FIG. 1 is a perspective view of an inductor according to Comparative Example 1 having 4.5 turns (2.5 turns of the second coil 20 and 2 turns of the first coil 10), and FIG. 2 is a top view. . Referring to FIGS. 1 and 2, a spiral first coil 10 is provided on a glass substrate 50, and a spiral second coil 20 is provided on the first coil 10 so as to be spaced apart from each other. There is a gap between the two coils 20. That is, the atmosphere is full. The first coil 10 and the second coil 20 are provided so as to substantially overlap. Wirings 18 and 28 that are formed of the same metal layer as the first coil 10 and are connected to the outside of the inductor 30 are provided on the substrate 50. The wiring 18 is directly connected to the outermost end (that is, the outer end) of the first coil 10.

第２コイル２０の最外周の終端に第２支持部３４が設けられ、配線２８は第２支持部３４を介し第２コイル２０と電気的に接続されている。第１コイル１０および第２コイル２０の最内周の終端（すなわち内端）に第３支持部３２が設けられている。第１コイル１０および第２コイル２０は第３支持部３２を介し電気的に接続されている。また、第３支持部３２および第２支持部３４は、第２コイル２０を支持する機能も有している。このように、インダクタ３０は、基板５０上に、縦方向に離間して設けられ、互いに電気的に接続された円形スパイラル状の第１コイル１０および第２コイル２０を有している。 A second support portion 34 is provided at the end of the outermost periphery of the second coil 20, and the wiring 28 is electrically connected to the second coil 20 via the second support portion 34. A third support portion 32 is provided at the innermost end (that is, the inner end) of the first coil 10 and the second coil 20. The first coil 10 and the second coil 20 are electrically connected via the third support portion 32. Further, the third support part 32 and the second support part 34 also have a function of supporting the second coil 20. As described above, the inductor 30 includes the first coil 10 and the second coil 20 that are provided on the substrate 50 so as to be separated from each other in the vertical direction and are electrically connected to each other.

図３は比較例２に係るインダクタの上面図（第１コイル１０は不図示）である。第２コイル２０の最内周の内側の側面に２つの支持部３１が接続されている。第２コイル２０の最外周の外側の側面に３つの支持部３３が接続されている。その他のインダクタ構成は、比較例１と同じであり説明を省略する。 FIG. 3 is a top view of the inductor according to the comparative example 2 (the first coil 10 is not shown). Two support portions 31 are connected to the inner side surface of the innermost circumference of the second coil 20. Three support portions 33 are connected to the outer peripheral side surface of the second coil 20. Other inductor configurations are the same as those of the first comparative example, and the description thereof is omitted.

図４（ａ）、図４（ｂ）および図４（ｃ）は、それぞれ第３支持部３２、第２支持部３４および支持部３３近傍の断面図である。図４（ａ）を参照に、第３支持部３２は、受け部１５、支柱部３６および受け部２５からなる。受け部１５と受け部２５との間に支柱部３６が形成されている。受け部１５は第１コイル１０と直接接続され、受け部２５は第２コイル２０と直接接続されている。図４（ｂ）を参照に、第２支持部３４は、受け部１５、支柱部３６および受け部２５からなる。受け部１５と受け部２５との間に支柱部３６が形成されている。受け部１５は配線２８と直接接続され、受け部２５は第２コイル２０と直接接続されている。図４（ｃ）を参照に、支持部３３は、土台部２３、支柱部２４および受け部２５からなる。土台部２３と受け部２５との間に支柱部２４が形成されている。受け部２５は第２コイル２０の側面に直接接続されている。土台部２３は、基板５０上に形成されている。土台部２３は配線１８、２８および第１コイル１０とは電気的には接続されていない。つまり、支持部３３は、配線１８、２８または第１コイル１０が形成されていない基板５０上に形成されている。支持部３１は支持部３３と同じ構成である。 4A, 4B, and 4C are cross-sectional views in the vicinity of the third support portion 32, the second support portion 34, and the support portion 33, respectively. With reference to FIG. 4A, the third support portion 32 includes a receiving portion 15, a column portion 36, and a receiving portion 25. A strut portion 36 is formed between the receiving portion 15 and the receiving portion 25. The receiving part 15 is directly connected to the first coil 10, and the receiving part 25 is directly connected to the second coil 20. With reference to FIG. 4B, the second support portion 34 includes a receiving portion 15, a support portion 36 and a receiving portion 25. A strut portion 36 is formed between the receiving portion 15 and the receiving portion 25. The receiving portion 15 is directly connected to the wiring 28, and the receiving portion 25 is directly connected to the second coil 20. With reference to FIG. 4C, the support portion 33 includes a base portion 23, a support column portion 24, and a receiving portion 25. A strut portion 24 is formed between the base portion 23 and the receiving portion 25. The receiving portion 25 is directly connected to the side surface of the second coil 20. The base portion 23 is formed on the substrate 50. The base portion 23 is not electrically connected to the wirings 18 and 28 and the first coil 10. That is, the support portion 33 is formed on the substrate 50 on which the wirings 18 and 28 or the first coil 10 are not formed. The support part 31 has the same configuration as the support part 33.

第１コイル１０、配線２８、受け部１５および土台部２３は、膜厚が約１０μｍのめっき法を用い形成された銅からなる金属層であり、同時に形成されている。支柱部２４および３６は、膜厚が約３０μｍのめっき法を用い形成された銅からなる金属層であり、同時に形成されている。第２コイル２０および受け部２５は、膜厚が約１０μｍのめっき法を用い形成された銅からなる金属層であり、同時に形成されている。以上のように、支持部３１および３３は、第３支持部３２および第２支持部３４と同じ材料で構成されている。これにより、支持部３１および３３を形成する製造工程を簡略化することができる。比較例２によれば、導電性の支持部３１および３３が第２コイル２０を支持している。これにより、第２コイル２０の機械強度および耐衝撃能力を向上させることができる。 The 1st coil 10, the wiring 28, the receiving part 15, and the base part 23 are the metal layers which consist of copper formed using the plating method with a film thickness of about 10 micrometers, and are formed simultaneously. The column portions 24 and 36 are metal layers made of copper formed using a plating method having a film thickness of about 30 μm, and are formed simultaneously. The 2nd coil 20 and the receiving part 25 are the metal layers which consist of copper formed using the plating method with a film thickness of about 10 micrometers, and are formed simultaneously. As described above, the support portions 31 and 33 are made of the same material as the third support portion 32 and the second support portion 34. Thereby, the manufacturing process which forms the support parts 31 and 33 can be simplified. According to Comparative Example 2, the conductive support portions 31 and 33 support the second coil 20. Thereby, the mechanical strength and impact resistance capability of the second coil 20 can be improved.

図５は、比較例１および比較例２に係るインダクタのインダクタンス値Ｌに対するＱ値の測定値を示した図である。黒丸および白丸はそれぞれ比較例１および比較例２を示している。作製した比較例１および比較例２の第１コイル１０および第２コイル２０は銅からなり、それぞれの膜厚Ｔ１およびＴ２（図１参照）は約１０μｍである。また、第１コイル１０と第２コイル２０との間の距離ＴＳ（図１参照）は３０μｍである。インダクタの内径ｄ、線幅Ｗおよび線間隔Ｓ（図２参照）はそれぞれ２５０μｍ、１０μｍおよび１０μｍである。インダクタ３０の巻き数Ｒは２．５から５．５である。測定した周波数は１．９３ＧＨｚである。 FIG. 5 is a diagram showing measured values of the Q value with respect to the inductance value L of the inductors according to Comparative Example 1 and Comparative Example 2. Black circles and white circles indicate Comparative Example 1 and Comparative Example 2, respectively. The first coil 10 and the second coil 20 of the manufactured Comparative Example 1 and Comparative Example 2 are made of copper, and the film thicknesses T1 and T2 (see FIG. 1) are about 10 μm. The distance TS (see FIG. 1) between the first coil 10 and the second coil 20 is 30 μm. The inner diameter d, the line width W, and the line interval S (see FIG. 2) of the inductor are 250 μm, 10 μm, and 10 μm, respectively. The number of turns R of the inductor 30 is 2.5 to 5.5. The measured frequency is 1.93 GHz.

図５より、インダクタンス値Ｌが小さい場合、比較例１と比較例２とのＱ値は同程度であるが、インダクタンス値が大きい場合、比較例２は、比較例１に対しＱ値が低い。このように、比較例２が比較例１に対しＱ値が低いのは、支持部３１および３３に生じる渦電流に起因した渦電流損のためである。 From FIG. 5, when the inductance value L is small, the Q values of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 are about the same, but when the inductance value is large, Comparative Example 2 has a lower Q value than Comparative Example 1. As described above, the comparative example 2 has a lower Q value than the comparative example 1 because of eddy current loss due to eddy currents generated in the support portions 31 and 33.

実施例１は、第２コイル２０を支持する第１支持部を絶縁性材料を用いて形成する例である。第１支持部３８が絶縁性のため、渦電流損を抑制することができる。 The first embodiment is an example in which the first support portion that supports the second coil 20 is formed using an insulating material. Since the first support portion 38 is insulative, eddy current loss can be suppressed.

図６（ａ）は、実施例１に係るインダクタの上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図６（ａ）を参照に、インダクタ３０は巻き数Ｒが６．５（第１コイル１０の巻き数が３、第２コイル２０の巻き数が３．５）のインダクタである。図６（ａ）および図６（ｂ）を参照に、第２コイル２０と基板５０との間に第２コイル２０を支持する絶縁性の第１支持部３８が設けられている。第２コイル２０の下面は、第１支持部３８に接している。また、第１支持部３８は、基板５０および第１コイル１０の上面上に形成されている。 FIG. 6A is a top view of the inductor according to the first embodiment, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. Referring to FIG. 6A, the inductor 30 is an inductor having a number of turns R of 6.5 (the number of turns of the first coil 10 is 3, and the number of turns of the second coil 20 is 3.5). With reference to FIG. 6A and FIG. 6B, an insulating first support portion 38 that supports the second coil 20 is provided between the second coil 20 and the substrate 50. The lower surface of the second coil 20 is in contact with the first support portion 38. The first support portion 38 is formed on the upper surface of the substrate 50 and the first coil 10.

実施例１によれば、第１支持部３８が第２コイル２０を支持するため、第２コイル２０の機械強度および耐衝撃能力を確保することができる。また、第１支持部３８が絶縁性であるため、渦電流損が生じない。よって、インダクタ３０のＱ値を比較例１程度に向上させることができる。 According to the first embodiment, since the first support portion 38 supports the second coil 20, the mechanical strength and impact resistance capability of the second coil 20 can be ensured. Moreover, since the 1st support part 38 is insulating, an eddy current loss does not arise. Therefore, the Q value of the inductor 30 can be improved to about Comparative Example 1.

また、第２コイル２０を安定に支持するためには、第１支持部３８は第２コイル２０の下面下で第２コイル２０を支持することが好ましい導電性材料の支持部が第２コイル２０の下面下で第２コイル２０を支持すると、第１コイル１０と第２コイル２０とが電気的に短絡してしまう。実施例１によれば、第１支持部３８が絶縁性のため、第２コイル２０を下面下で支持することができる。 In order to stably support the second coil 20, the first support portion 38 is preferably a support portion made of a conductive material that preferably supports the second coil 20 under the lower surface of the second coil 20. If the second coil 20 is supported under the lower surface, the first coil 10 and the second coil 20 are electrically short-circuited. According to the first embodiment, since the first support portion 38 is insulative, the second coil 20 can be supported under the lower surface.

第２コイル２０を構成する金属の応力により、第１支持部３８に支持されていない第２コイル２０にはうねりが発生する。図７は、第２コイル２０が第１支持部３８に支持されていない部分でのインダクタ３０の断面図である。図７の第２コイル２０の内周と外周とでうねりＵが発生している。実施例１においては、第１支持部３８は、第２コイル２０の最外周から最内周にかけて連続して設けられている。これにより、うねりＵを抑制することができる。また、第１支持部３８が第２コイル２０をより強固に保持することができ、耐衝撃性を向上させることができる。 Due to the stress of the metal constituting the second coil 20, undulation occurs in the second coil 20 that is not supported by the first support portion 38. FIG. 7 is a cross-sectional view of the inductor 30 at a portion where the second coil 20 is not supported by the first support portion 38. Swelling U is generated between the inner periphery and the outer periphery of the second coil 20 in FIG. In the first embodiment, the first support portion 38 is continuously provided from the outermost periphery to the innermost periphery of the second coil 20. Thereby, the undulation U can be suppressed. Moreover, the 1st support part 38 can hold | maintain the 2nd coil 20 more firmly, and can improve impact resistance.

さらに、第１支持部３８は、インダクタ３０の中心Ｂからの角度αが実質的に等間隔になるように配置されている。言い換えれば、２個の第１支持部３８と第２支持部３４とのそれぞれのなす角度αはほぼ均等である。これにより、うねりＵをより抑制することができる。なお、実施例３では、第１支持部３８が３箇所設けられているが、１箇所、２箇所でも良いし、４箇所以上でもよい。 Furthermore, the first support portions 38 are arranged such that the angles α from the center B of the inductor 30 are substantially equally spaced. In other words, the angles α formed by the two first support portions 38 and the second support portions 34 are substantially equal. Thereby, the wave | undulation U can be suppressed more. In the third embodiment, three first support portions 38 are provided, but may be one, two, or four or more.

実施例２は、第１支持部３８が第２コイル２０の最外周に設けられた例である。図８（ａ）は、実施例２に係るインダクタの上面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）を参照に、実施例１と比較し、２つの第１支持部３８が第２コイル２０の最外周にのみ設けられている。第１支持部３８を構成する誘電体の体積が小さいほど、誘電体に起因する寄生容量及び誘電損失が小さくなる。これにより、実施例１に比べ、誘電性である第１支持部３８による寄生容量および誘電損失を抑制することができる。特に、インダクタの磁束密度は第２コイル２０の内側は外側に対して大きい。よって、誘電体に起因する誘電損失を抑制するためには、第１支持部３８は第２コイル２０の最外周に設けることが好ましい。また、第２コイル２０の最外周は、直径が大きいため、第２コイル２０の他の部分に比べ、機械的な剛性および耐衝撃能力が小さい。したがって、最外周の第２コイル２０に第１支持部３８を設けることにより、第２コイル２０の耐衝撃能力を向上させることができる。さらに、第２コイル２０の最外周は、第２コイル２０を構成する金属線の内部応力による変形(うねり)が発生し易い。したがって、最外周の第２コイル２０に第１支持部３８を設けることにより、第２コイル２０のうねりを抑制することができる。 The second embodiment is an example in which the first support portion 38 is provided on the outermost periphery of the second coil 20. FIG. 8A is a top view of the inductor according to the second embodiment, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. With reference to FIG. 8A and FIG. 8B, compared to the first embodiment, two first support portions 38 are provided only on the outermost periphery of the second coil 20. The smaller the volume of the dielectric that forms the first support portion 38, the smaller the parasitic capacitance and dielectric loss due to the dielectric. Thereby, compared with Example 1, the parasitic capacitance and dielectric loss by the 1st support part 38 which are dielectric can be suppressed. In particular, the magnetic flux density of the inductor is larger on the inner side of the second coil 20 than on the outer side. Therefore, it is preferable to provide the first support portion 38 on the outermost periphery of the second coil 20 in order to suppress dielectric loss caused by the dielectric. Moreover, since the outermost periphery of the 2nd coil 20 is large in diameter, compared with the other part of the 2nd coil 20, mechanical rigidity and impact resistance capability are small. Therefore, the impact resistance capability of the second coil 20 can be improved by providing the first support portion 38 on the outermost second coil 20. Furthermore, the outermost periphery of the second coil 20 is likely to be deformed (swelled) due to internal stress of the metal wire constituting the second coil 20. Therefore, the undulation of the second coil 20 can be suppressed by providing the first support portion 38 on the outermost second coil 20.

また、第２支持部３４は、第２コイル２０の最外周に接して設けられている。これにより、２つの第１支持部３８と第２支持部３４の３つの支持部で第２コイル２０を支持することができる。よって、第１支持部３８の数を減らし、誘電体に起因する寄生容量をより抑制することができる。さらに、２つの第１支持部３８と第２支持部３４とは、第２コイル２０の中心からの角度αが実質的の等間隔になるように配置されている。これにより、実施例１と同様に第２コイル２０のうねりＵを抑制し、耐衝撃性を向上させることができる。 The second support portion 34 is provided in contact with the outermost periphery of the second coil 20. Accordingly, the second coil 20 can be supported by the three support portions of the two first support portions 38 and the second support portion 34. Therefore, the number of first support portions 38 can be reduced, and parasitic capacitance due to the dielectric can be further suppressed. Further, the two first support portions 38 and the second support portion 34 are arranged so that the angles α from the center of the second coil 20 are substantially equidistant. Thereby, the undulation U of the 2nd coil 20 can be suppressed similarly to Example 1, and impact resistance can be improved.

実施例３は、第１支持部３８が分離して設けられた例である。図９（ａ）は、実施例３に係るインダクタの上面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図９（ａ）および図９（ｂ）を参照に、実施例１と比較し、第１支持部３８は、第２コイル２０の最外周から最内周にかけて第２コイル２０のライン毎に分離して、直線状に設けられている。これにより、実施例１に比べ、誘電性である第１支持部３８の体積を小さくすることができ誘電体に起因する寄生容量と誘電損失を抑制することができる。また、各ラインで第２コイル２０を支持できるため、実施例２に比べ、第２コイル２０のうねりＵを抑制し、耐衝撃性を向上させることができる。 Example 3 is an example in which the first support portion 38 is provided separately. FIG. 9A is a top view of the inductor according to the third embodiment, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line ABC of FIG. 9A. 9A and 9B, compared with the first embodiment, the first support portion 38 is separated for each line of the second coil 20 from the outermost periphery to the innermost periphery of the second coil 20. And it is provided linearly. Thereby, compared with Example 1, the volume of the 1st support part 38 which is dielectric can be made small, and the parasitic capacitance and dielectric loss resulting from a dielectric material can be suppressed. Moreover, since the 2nd coil 20 can be supported by each line, compared with Example 2, the wave | undulation U of the 2nd coil 20 can be suppressed and impact resistance can be improved.

実施例４は、実施例３に比べ第１支持部３８を小さくした例である。図１０（ａ）は、実施例３に係るインダクタの上面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）を参照に、実施例２と比較し、第１支持部３８が細い。実施例４のように、第１支持部３８を細くすることにより、第１支持部３８に起因した寄生容量と誘電損失をより抑制することができる。 The fourth embodiment is an example in which the first support portion 38 is made smaller than the third embodiment. FIG. 10A is a top view of the inductor according to the third embodiment, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. With reference to FIG. 10A and FIG. 10B, the first support portion 38 is thinner than the second embodiment. By narrowing the first support portion 38 as in the fourth embodiment, parasitic capacitance and dielectric loss due to the first support portion 38 can be further suppressed.

実施例５は、第２支持部３４が第２コイル２０から離間して設けられた例である。図１１（ａ）は、実施例５に係るインダクタの上面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）を参照に、実施例１と比較し、第２支持部３４が第２コイル２０の最外周から離間して設けられている。第２コイル２０と第２支持部３４とは配線２７により電気的に接続されている。第１支持部３８ａは第２コイル２０の終端を支持している。このように、第２支持部３４が第２コイル２０から離れている場合は、第１支持部３８のうち１つは、第２コイル２０の最外周の終端に設けられることが好ましい。これにより、第２コイル２０の耐衝撃性を向上させることができる。 The fifth embodiment is an example in which the second support portion 34 is provided apart from the second coil 20. FIG. 11A is a top view of the inductor according to the fifth embodiment, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. With reference to FIGS. 11A and 11B, the second support portion 34 is provided apart from the outermost periphery of the second coil 20 as compared with the first embodiment. The second coil 20 and the second support portion 34 are electrically connected by a wiring 27. The first support portion 38 a supports the end of the second coil 20. Thus, when the 2nd support part 34 is separated from the 2nd coil 20, it is preferable that one of the 1st support parts 38 is provided in the terminal of the outermost periphery of the 2nd coil 20. FIG. Thereby, the impact resistance of the second coil 20 can be improved.

実施例６は、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられ、第１支持部３８が第２コイル２０の最外周に設けられた例である。図１２（ａ）は、実施例６に係るインダクタの上面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）を参照に、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられ、第１支持部３８が第２コイル２０の最外周に設けられた場合も、第１支持部３８のうち１つは、第２コイル２０の最外周の終端に設けられることが好ましい。 The sixth embodiment is an example in which the second support portion 34 is provided apart from the second coil 20 and the first support portion 38 is provided on the outermost periphery of the second coil 20. FIG. 12A is a top view of the inductor according to the sixth embodiment, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. Referring to FIG. 12A and FIG. 12B, the second support portion 34 is provided away from the second coil 20, and the first support portion 38 is provided on the outermost periphery of the second coil 20. One of the first support portions 38 is preferably provided at the outermost end of the second coil 20.

実施例７は、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられ、第１支持部３８が分離して設けられた例である。図１３（ａ）は、実施例７に係るインダクタの上面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１３（ａ）および図１３（ｂ）を参照に、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられ、第１支持部３８が、第２コイル２０の最外周から最内周にかけて第２コイル２０のライン毎に分離して設けられている場合も、第１支持部３８のうち１つは、第２コイル２０の最外周の終端に設けられることが好ましい。 The seventh embodiment is an example in which the second support portion 34 is provided apart from the second coil 20 and the first support portion 38 is provided separately. FIG. 13A is a top view of the inductor according to the seventh embodiment, and FIG. 13B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. Referring to FIGS. 13A and 13B, the second support portion 34 is provided to be separated from the second coil 20, and the first support portion 38 extends from the outermost periphery to the innermost periphery of the second coil 20. Even when the second coil 20 is provided separately for each line, one of the first support portions 38 is preferably provided at the end of the outermost periphery of the second coil 20.

実施例８は、実施例６に比べ、第１支持部３８を小さくした例である。図１４（ａ）は、実施例８に係るインダクタの上面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）を参照に、実施例６と比較し、第１支持部３８が細い。実施例８のように、第１支持部３８を細くすることにより、第１支持部３８に起因した寄生容量と誘電損失をより抑制することができる。 The eighth embodiment is an example in which the first support portion 38 is made smaller than the sixth embodiment. FIG. 14A is a top view of the inductor according to the eighth embodiment, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. Referring to FIGS. 14A and 14B, the first support portion 38 is narrower than that of the sixth embodiment. By narrowing the first support portion 38 as in the eighth embodiment, parasitic capacitance and dielectric loss due to the first support portion 38 can be further suppressed.

図１５（ａ）は、実施例１に係るインダクタの上面図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１５（ａ）を参照に、インダクタ３０は巻き数Ｒが５．５（第１コイル１０の巻き数が３、第２コイル２０の巻き数が２．５）のインダクタである。図１５（ａ）および図１５（ｂ）を参照に、第１支持部３８は、第２コイル２０の最外周に１つのみ設けられている。第２支持部３４は、第２コイル２０の最外周の終端に設けられている。第１支持部３８と第２支持部３４との第２コイル２０の中心Ｂに対する角度γは、鈍角であり、ほぼ１８０°である。第１支持部３８は１つでもよい。これにより、第１支持部３８による寄生容量と誘電損失を抑制することができる。特に、第２コイル２０の巻き数が少ない場合（例えば２．５以下）は、第２コイル２０のうねりＵが生じにくいため、第２コイル２０を１つとしてもよい。 FIG. 15A is a top view of the inductor according to the first embodiment, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. Referring to FIG. 15A, the inductor 30 is an inductor having a number of turns R of 5.5 (the number of turns of the first coil 10 is 3, and the number of turns of the second coil 20 is 2.5). Referring to FIG. 15A and FIG. 15B, only one first support portion 38 is provided on the outermost periphery of the second coil 20. The second support portion 34 is provided at the outermost end of the second coil 20. An angle γ of the first support portion 38 and the second support portion 34 with respect to the center B of the second coil 20 is an obtuse angle, which is approximately 180 °. There may be one first support portion 38. Thereby, the parasitic capacitance and dielectric loss by the 1st support part 38 can be suppressed. In particular, when the number of turns of the second coil 20 is small (for example, 2.5 or less), since the undulation U of the second coil 20 hardly occurs, the number of the second coil 20 may be one.

実施例１０は、実施例９に比べ、第１支持部３８を小さくした例である。図１６（ａ）は、実施例１０に係るインダクタの上面図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１６（ａ）および図１６（ｂ）を参照に、実施例９と比較し、第１支持部３８が細い。実施例１０のように、第１支持部３８を細くすることにより、第１支持部３８に起因した寄生容量と誘電損失をより抑制することができる。 The tenth embodiment is an example in which the first support portion 38 is made smaller than the ninth embodiment. FIG. 16A is a top view of the inductor according to the tenth embodiment, and FIG. 16B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. Referring to FIG. 16A and FIG. 16B, the first support portion 38 is thinner than that of the ninth embodiment. By narrowing the first support portion 38 as in the tenth embodiment, parasitic capacitance and dielectric loss due to the first support portion 38 can be further suppressed.

実施例１１は、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられた例である。図１７（ａ）は、実施例１１に係るインダクタの上面図であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１７（ａ）および図１７（ｂ）を参照に、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられている場合、第１支持部３８のうち１つは、第２コイル２０の最外周の終端に設けられることが好ましい。 The eleventh embodiment is an example in which the second support portion 34 is provided apart from the second coil 20. FIG. 17A is a top view of the inductor according to Example 11, and FIG. 17B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. Referring to FIG. 17A and FIG. 17B, when the second support portion 34 is provided apart from the second coil 20, one of the first support portions 38 is the second coil 20. It is preferable to be provided at the outermost end.

実施例１２は、実施例１１に比べ、第１支持部３８を小さくした例である。図１８（ａ）は、実施例１２に係るインダクタの上面図であり、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１８（ａ）および図１８（ｂ）を参照に、実施例１２と比較し、第１支持部３８が細い。実施例１１のように、第１支持部３８を細くすることにより、第１支持部３８に起因した寄生容量と誘電損失をより抑制することができる。 The twelfth embodiment is an example in which the first support portion 38 is made smaller than the eleventh embodiment. FIG. 18A is a top view of the inductor according to the twelfth embodiment, and FIG. 18B is a cross-sectional view taken along the line A-B-C in FIG. With reference to FIG. 18A and FIG. 18B, the first support portion 38 is thinner than that of the twelfth embodiment. By narrowing the first support portion 38 as in the eleventh embodiment, parasitic capacitance and dielectric loss due to the first support portion 38 can be further suppressed.

実施例１から実施例１２において、第１支持部３８は、例えば、ポリイミド、ＢＣＢ（Benzocyclobutene）、ＰＢＯ（Polybenzoxazole）等を用いることができる。誘電性である第１支持部３８に起因したインダクタ３０の寄生容量を抑制するため、第１支持部３８は誘電率の小さい材料であることが好ましい。特に、二酸化シリコンより誘電率の小さい低誘電体材料からなることが好ましい。 In Example 1 to Example 12, for example, polyimide, BCB (Benzocyclobutene), PBO (Polybenzoxazole), or the like can be used for the first support portion 38. In order to suppress the parasitic capacitance of the inductor 30 caused by the first support portion 38 that is dielectric, the first support portion 38 is preferably made of a material having a low dielectric constant. In particular, it is preferably made of a low dielectric material having a dielectric constant smaller than that of silicon dioxide.

また、基板５０としては、絶縁性の高い材料が好ましく、石英（合成石英を含む）、ガラス（パイレックス（登録商標）、テンパックス、アルミノシリケート、ホウケイ酸ガラスなど）、セラミック等の絶縁基板または高抵抗シリコン基板等を用いることができる。さらに、ＬｉＮｂＯ_３基板、ＬｉＴａＯ_３基板を用いることもできる。第１コイル１０および第２コイル２０に用いる材料は低抵抗な金属が好ましく、銅以外にも金、アルミニウム、銀等を用いることができる。さらに、第１コイル１０の基板５０と接する層には、基板との密着性の高い高融点材料、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等、またはＴｉ、Ｃｒ，Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれかを含む合金を用いることが好ましい。 The substrate 50 is preferably made of a highly insulating material, such as quartz (including synthetic quartz), glass (Pyrex (registered trademark), Tempax, aluminosilicate, borosilicate glass, etc.), ceramic or other insulating substrate or high A resistive silicon substrate or the like can be used. Furthermore, a LiNbO ₃ substrate or a LiTaO ₃ substrate can also be used. The material used for the first coil 10 and the second coil 20 is preferably a low-resistance metal, and gold, aluminum, silver or the like can be used in addition to copper. Further, the layer of the first coil 10 in contact with the substrate 50 has a high melting point material with high adhesion to the substrate, such as Ti, Cr, Ni, Mo, Ta, W, or Ti, Cr, Ni, Mo, Ta. It is preferable to use an alloy containing any of W and W.

外径Ｄが小さくなるとＱ値が小さくなり、外径Ｄが大きくなるとチップサイズが大きくなる。これらを考慮し外径Ｄは決定され、１００μｍ〜１ｍｍの範囲が好ましい、線幅Ｗは、抵抗が大きくならずかつｄ／Ｄが小さくならない範囲で設定され、３〜１００μｍの範囲が好ましい。線間隔Ｓは、誘導結合が生じかつｄ／Ｄが小さくならない範囲で設定され、３〜１００μｍの範囲が好ましい。巻き数Ｒは、ｄ／Ｄ、線幅Ｗ、線間隔Ｓにより最適値が設定され、０．５〜３０の範囲が好ましい。 The Q value decreases as the outer diameter D decreases, and the chip size increases as the outer diameter D increases. Taking these into consideration, the outer diameter D is determined and is preferably in the range of 100 μm to 1 mm. The line width W is set in a range in which resistance is not increased and d / D is not reduced, and is preferably in the range of 3 to 100 μm. The line spacing S is set in a range where inductive coupling occurs and d / D does not become small, and a range of 3 to 100 μm is preferable. The optimum number of turns R is set by d / D, line width W, and line interval S, and a range of 0.5 to 30 is preferable.

第１コイル１０および第２コイル２０の膜厚Ｔ１およびＴ２は、抵抗が大きくなくかつ製造が容易な範囲で設定することができる。３〜３０μｍの範囲が好ましい。第１コイル１０および第２コイル２０の距離ＴＳは、寄生容量成分が小さくかつ誘導結合が大きくなる範囲で設定することができる。３〜４０μｍの範囲が好ましい。 The film thicknesses T1 and T2 of the first coil 10 and the second coil 20 can be set within a range where resistance is not large and manufacture is easy. A range of 3 to 30 μm is preferred. The distance TS between the first coil 10 and the second coil 20 can be set in a range where the parasitic capacitance component is small and the inductive coupling is large. The range of 3-40 micrometers is preferable.

実施例１３は、実施例１に係るインダクタを用いた集積化受動素子の例である。図１９は実施例１３に係る集積化受動素子の斜視図、図２０は上面図（第１コイル１１１、１２１および第１支持部１１８、１２８は不図示）である。図１９および図２０を参照に、基板１０２上に、第１コイル１１１および第２コイル１１２からなるインダクタ１１０並びに第１コイル１２１および第２コイル１２２からなるインダクタ１２０が形成されている。インダクタ１１０および１２０は実施例６に係るインダクタである。インダクタ１１０の第１コイル１１１および第２コイル１１２の内端は第３支持部１６５により互いに電気的に接続され、第１コイル１１１は外端で配線１５２に接続され、第２コイル１１２は外端で第２支持部１６０を介し配線１５１に電気的に接続されている。第２コイル１１２は第１支持部１１８により支持されている。 Example 13 is an example of an integrated passive element using the inductor according to Example 1. FIG. 19 is a perspective view of an integrated passive element according to Embodiment 13, and FIG. 20 is a top view (first coils 111 and 121 and first support portions 118 and 128 are not shown). Referring to FIGS. 19 and 20, an inductor 110 including a first coil 111 and a second coil 112 and an inductor 120 including a first coil 121 and a second coil 122 are formed on a substrate 102. Inductors 110 and 120 are inductors according to the sixth embodiment. The inner ends of the first coil 111 and the second coil 112 of the inductor 110 are electrically connected to each other by the third support portion 165, the first coil 111 is connected to the wiring 152 at the outer end, and the second coil 112 is connected to the outer end. Thus, it is electrically connected to the wiring 151 through the second support portion 160. The second coil 112 is supported by the first support part 118.

インダクタ１２０の第１コイル１２１および第２コイル１２２の内端は第３支持部１７５により互いに接続され、第１コイル１２１は外端で配線１５４に接続され、第２コイル１２２は外端で第２支持部１７０を介し配線１５３に接続されている。第２コイル１２２は第１支持部１２８により支持されている。配線１５１から１５４は基板１０２上に形成され、それぞれパッド１３１から１３４に接続されている。パッド１３２と１３３とは配線１５７で接続されている。パッド１３１と１３４の間には、下部電極１４１、誘電体層１４２および上部電極１４３からなるキャパシタ１４０が接続されている。上部電極１４３と配線１５１とは上部の配線１５６で接続されている。パッド１３１を入力、パッド１３４を出力、パッド１３２および１３３を接地することにより、集積化受動素子１００は、パッド１３１と１３４間にπ型Ｌ−Ｃ−Ｌ回路を構成する。 The inner ends of the first coil 121 and the second coil 122 of the inductor 120 are connected to each other by the third support portion 175, the first coil 121 is connected to the wiring 154 at the outer end, and the second coil 122 is the second end at the outer end. It is connected to the wiring 153 through the support part 170. The second coil 122 is supported by the first support portion 128. The wirings 151 to 154 are formed on the substrate 102 and connected to the pads 131 to 134, respectively. Pads 132 and 133 are connected by a wiring 157. A capacitor 140 including a lower electrode 141, a dielectric layer 142, and an upper electrode 143 is connected between the pads 131 and 134. The upper electrode 143 and the wiring 151 are connected by the upper wiring 156. The integrated passive element 100 forms a π-type LCL circuit between the pads 131 and 134 by inputting the pad 131, outputting the pad 134, and grounding the pads 132 and 133.

実施例１３によれば、集積化受動素子１００内のインダクタ１１０および１２０が実施例１に係るインダクタで構成されている。第１支持部１１８および１２８がそれぞれ第２コイル１１２および１２２を保持するため、インダクタ１１０および１２０の機械強度および耐衝撃能力を向上させることができる。また、３個の第１支持部１１８が均等間隔で設けられているため、第２コイル１１２のうねりを抑制することができる。さらに、第３支持部１６５、第１支持部１１８および第２支持部１６０を同時に形成しているため、製造工程を簡略化することができる。さらに、第１支持部１１８および１２８が絶縁性材料から構成されているため、渦電流損を抑制することができる。 According to the thirteenth embodiment, the inductors 110 and 120 in the integrated passive element 100 are configured by the inductor according to the first embodiment. Since the first support portions 118 and 128 hold the second coils 112 and 122, respectively, the mechanical strength and impact resistance capability of the inductors 110 and 120 can be improved. Further, since the three first support portions 118 are provided at equal intervals, the undulation of the second coil 112 can be suppressed. Further, since the third support portion 165, the first support portion 118, and the second support portion 160 are formed at the same time, the manufacturing process can be simplified. Furthermore, since the first support portions 118 and 128 are made of an insulating material, eddy current loss can be suppressed.

次に、図２１（ａ）から図２２（ｃ）を用い、実施例１３に係る集積化受動素子の製造方法について説明する。図２１（ａ）から図２２（ｃ）は図２０のＡ−Ａ断面に相当する断面模式図である。 Next, a manufacturing method of the integrated passive element according to Example 13 will be described with reference to FIGS. FIG. 21A to FIG. 22C are schematic cross-sectional views corresponding to the AA cross section of FIG.

図２１（ａ）を参照に、ガラス基板１０２上に、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal)キャパシタの下部電極１４１およびパッドの下部層としてＡｕを含む金属層１８０をスパッタ法または蒸着法を用い形成する。下部電極１４１上に誘電体層１４２をスパッタ法やＰＥＣＶＤ（Plasma enhanced chemical vapor deposition）法を用い形成する。誘電体層１４２としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等を用いることができる。例えば、誘電体層１４２は、厚さが１００ｎｍのＰＥＣＶＤ法を用い形成したＳｉ_３Ｎ_４膜である。 Referring to FIG. 21A, a metal layer 180 containing Au as a lower electrode 141 of a MIM (Metal Insulator Metal) capacitor and a lower layer of a pad is formed on a glass substrate 102 by sputtering or vapor deposition. A dielectric layer 142 is formed on the lower electrode 141 by sputtering or PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition). The dielectric layer 142 can be used _{_{_{SiO 2, Si 3 N 4,}}} Al 2 O 3, Ta 2 O 5 or the like. For example, the dielectric layer 142 is a Si ₃ N ₄ film formed using PECVD with a thickness of 100 nm.

図２１（ｂ）を参照に、電解めっき用の種層（不図示）を形成する。種層の材料として、後に電気めっきを行う材料と同じものが望ましく、例えばＣｒ／Ｃｕ（２０ｎｍ／５００ｎｍ）をスパッタ法を用い形成する。めっきを行う開口部を有するフォトレジスト２００を形成する。開口部内に電解めっきを行い、例えば膜厚が１０μｍのＣｕからなるめっき層１８４を形成する。これにより、めっき層１８４から、第１コイル１２１、上部電極１４３、配線１５３、１５４およびパッドの下部が形成される。下部電極１４１、誘電体層１４２および上部電極１４３からＭＩＭキャパシタ１４０が形成される。 Referring to FIG. 21B, a seed layer (not shown) for electrolytic plating is formed. The material for the seed layer is preferably the same as the material to be electroplated later, for example, Cr / Cu (20 nm / 500 nm) is formed by sputtering. A photoresist 200 having an opening for plating is formed. Electrolytic plating is performed in the opening to form a plating layer 184 made of Cu having a thickness of 10 μm, for example. Thus, the first coil 121, the upper electrode 143, the wirings 153 and 154, and the lower portion of the pad are formed from the plating layer 184. The MIM capacitor 140 is formed from the lower electrode 141, the dielectric layer 142, and the upper electrode 143.

図２１（ｃ）を参照に、ファトレジスト２００を除去する。めっきを行う開口部を有するフォトレジスト２０２を形成する。開口部内に電解めっきを行い、例えば膜厚が１０μｍのＣｕからなるめっき層１８６を形成する。これにより、めっき層１８６から、支柱部１７５、１７６およびパッドの中間部が形成される。 Referring to FIG. 21C, the photoresist 200 is removed. A photoresist 202 having an opening for plating is formed. Electrolytic plating is performed in the opening to form a plating layer 186 made of Cu having a thickness of 10 μm, for example. As a result, the column portions 175 and 176 and the intermediate portion of the pad are formed from the plating layer 186.

図２１（ｄ）を参照に、フォトレジスト２０２を除去する。種層を除去する。感光性ＢＣＢを塗布する。露光現像することにより、ＢＣＢからなる第１支持部１２８を形成する。このとき、第１支持部１２８と支柱部１７５および１７６の高さはほぼ同じであることが好ましい。 Referring to FIG. 21D, the photoresist 202 is removed. Remove seed layer. Photosensitive BCB is applied. By performing exposure and development, the first support portion 128 made of BCB is formed. At this time, it is preferable that the heights of the first support portion 128 and the column portions 175 and 176 are substantially the same.

図２２（ａ）を参照に、犠牲層フォトレジスト２０４を塗布する。犠牲層フォトレジスト２０４の上面は、第１支持部１２８、支柱部１７５および１７６の上面とほぼ平面とする。犠牲層フォトレジスト２０４上全面に電解めっき用の種層（不図示）を形成する。種層上にめっきを行う開口部を有するフォトレジスト２０６を形成する。開口部内に電解めっきを行い、例えば膜厚が１０μｍのＣｕからなるめっき層１８８を形成する。これにより、めっき層１８８から、第２コイル１２２、配線１５６およびパッドの上部が形成される。めっき層１８４、１８６および１８８から第３支持部１７４および第２支持部１７６が形成される。 Referring to FIG. 22A, a sacrificial layer photoresist 204 is applied. The upper surface of the sacrificial layer photoresist 204 is substantially flat with the upper surfaces of the first support portion 128 and the column portions 175 and 176. A seed layer (not shown) for electrolytic plating is formed on the entire surface of the sacrificial layer photoresist 204. A photoresist 206 having an opening for plating is formed on the seed layer. Electrolytic plating is performed in the opening to form a plating layer 188 made of Cu having a thickness of 10 μm, for example. Thus, the second coil 122, the wiring 156, and the upper part of the pad are formed from the plating layer 188. A third support portion 174 and a second support portion 176 are formed from the plating layers 184, 186 and 188.

図２２（ｂ）を参照に、開口部を有するフォトレジスト２０８を形成する。パッド１３１および１３３となるべきめっき層１８８上に、Ｎｉ層１９０およびＡｕ層１９２を形成する。めっき層１８４、１８６、１８８Ｎｉ層１９０およびＡｕ層１９２からパッド１３１および１３３が形成される。 Referring to FIG. 22B, a photoresist 208 having an opening is formed. An Ni layer 190 and an Au layer 192 are formed on the plating layer 188 to be the pads 131 and 133. Pads 131 and 133 are formed from the plating layers 184, 186, 188 Ni layer 190 and Au layer 192.

図２２（ｃ）を参照に、フォトレジスト２０８、種層（不図示）、フォトレジスト２０６および犠牲層フォトレジスト２０４を除去する。これにより、実施例１３に係る集積化受動素子が形成される。 Referring to FIG. 22C, the photoresist 208, the seed layer (not shown), the photoresist 206, and the sacrificial layer photoresist 204 are removed. Thereby, the integrated passive element according to Example 13 is formed.

実施例１から１３においては、インダクタが２つのコイルが積層された場合を例に説明したが、複数のコイルが空隙を介し離間して積層された場合に、積層されたコイル同士を絶縁性の第１支持部で支持してもよい。 In the first to thirteenth embodiments, the case where two coils are stacked as an inductor has been described as an example. However, when a plurality of coils are stacked separated by a gap, the stacked coils are insulated. You may support by a 1st support part.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

図１は比較例１に係るインダクタの斜視図である。1 is a perspective view of an inductor according to Comparative Example 1. FIG. 図２は比較例１に係るインダクタの上面図である。FIG. 2 is a top view of the inductor according to the first comparative example. 図３は比較例２に係るインダクタ上面図である。FIG. 3 is a top view of an inductor according to Comparative Example 2. 図４（ａ）から図４（ｃ）は比較例２に係る支持部の断面図である。4A to 4C are cross-sectional views of the support portion according to Comparative Example 2. FIG. 図５は比較例１および比較例２に係るインダクタのＬに対するＱ値を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a Q value with respect to L of the inductors according to Comparative Example 1 and Comparative Example 2. 図６（ａ）および図６（ｂ）は実施例１に係るインダクタを示す図である。6A and 6B are diagrams illustrating the inductor according to the first embodiment. 図７は第２コイルのうねりを説明する図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the undulation of the second coil. 図８（ａ）および図８（ｂ）は実施例２に係るインダクタを示す図である。FIG. 8A and FIG. 8B are diagrams illustrating an inductor according to the second embodiment. 図９（ａ）および図９（ｂ）は実施例３に係るインダクタを示す図である。FIG. 9A and FIG. 9B are diagrams illustrating the inductor according to the third embodiment. 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は実施例４に係るインダクタを示す図である。FIG. 10A and FIG. 10B are diagrams illustrating an inductor according to the fourth embodiment. 図１１（ａ）および図１１（ｂ）は実施例５に係るインダクタを示す図である。FIG. 11A and FIG. 11B are diagrams illustrating an inductor according to the fifth embodiment. 図１２（ａ）および図１２（ｂ）は実施例６に係るインダクタを示す図である。FIG. 12A and FIG. 12B are diagrams illustrating an inductor according to the sixth embodiment. 図１３（ａ）および図１３（ｂ）は実施例７に係るインダクタを示す図である。FIG. 13A and FIG. 13B are diagrams illustrating an inductor according to the seventh embodiment. 図１４（ａ）および図１４（ｂ）は実施例８に係るインダクタを示す図である。FIG. 14A and FIG. 14B are diagrams illustrating an inductor according to the eighth embodiment. 図１５（ａ）および図１５（ｂ）は実施例９に係るインダクタを示す図である。FIG. 15A and FIG. 15B are diagrams illustrating the inductor according to the ninth embodiment. 図１６（ａ）および図１６（ｂ）は実施例１０に係るインダクタを示す図である。FIG. 16A and FIG. 16B are diagrams illustrating the inductor according to the tenth embodiment. 図１７（ａ）および図１７（ｂ）は実施例１１に係るインダクタを示す図である。FIG. 17A and FIG. 17B are diagrams illustrating the inductor according to the eleventh embodiment. 図１８（ａ）および図１８（ｂ）は実施例１２に係るインダクタを示す図である。FIG. 18A and FIG. 18B are diagrams illustrating an inductor according to the twelfth embodiment. 図１９は実施例１３に係る集積化受動素子の斜視図である。FIG. 19 is a perspective view of an integrated passive element according to the thirteenth embodiment. 図２０は実施例１３に係る集積化受動素子の上面図である。FIG. 20 is a top view of the integrated passive element according to the thirteenth embodiment. 図２１（ａ）から図２１（ｄ）は実施例１３に係る集積化受動素子の製造方法を示す断面図（その１）である。FIG. 21A to FIG. 21D are cross-sectional views (part 1) illustrating the method for manufacturing the integrated passive element according to the thirteenth embodiment. 図２２（ａ）から図２２（ｃ）は実施例１３に係る集積化受動素子の製造方法を示す断面図（その２）である。FIG. 22A to FIG. 22C are sectional views (No. 2) showing the method for manufacturing the integrated passive element according to the thirteenth embodiment.

Explanation of symbols

１０第１コイル
１８配線
２０第２コイル
２８配線
３０インダクタ
３２第３支持部
３４第２支持部
３８第１支持部
５０基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 1st coil 18 wiring 20 2nd coil 28 wiring 30 Inductor 32 3rd support part 34 2nd support part 38 1st support part 50 Board | substrate

Claims

A substrate,
A spiral first coil provided on the substrate;
A spiral second coil provided above the first coil with a gap therebetween;
An insulating first support portion that supports the second coil and is provided only on the outermost periphery of the circumference of the second coil ;
An electronic component comprising:

The electronic component according to claim 1, wherein the first support portion is in contact with a lower surface of the second coil and is provided between the second coil and the substrate.

3. The electronic component according to claim 1, wherein the first support portion is disposed so that the angles from the center of the second coil are substantially equidistant. 4.

Wiring provided on the substrate and for connecting the second coil to the outside;
Electrically connecting the wiring and the second coil, provided on the outermost periphery of the second coil, and comprising a second support part for supporting the second coil;
3. The electron according to claim 1, wherein the first support part and the second support part are arranged so that the angles from the center of the second coil are substantially equidistant. 4. parts.

Wiring provided on the substrate and for connecting the second coil to the outside;
Electrically connecting the wiring and the second coil, and comprising a second support portion provided apart from the outermost periphery of the second coil,
Wherein one of the first support part, the electronic component according to any one of claims 1 3, characterized in that provided at the end of the outermost circumference of the second coil.

Said first support part, the electronic component according to any one claim of claims 1-5, characterized in that it consists of a material dielectric constant than silicon dioxide is small.

The first coil and the second coil are electrically connected at the end of the innermost circumference of the second coil, and a third support part is provided for supporting the second coil. The electronic component according to any one of items 6 to 6 .