JP5056190B2 - Heat-resistant light-shielding film, method for producing the same, and aperture or light quantity adjusting device using the same - Google Patents

Heat-resistant light-shielding film, method for producing the same, and aperture or light quantity adjusting device using the same Download PDF

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Description

本発明は、耐熱遮光フィルムとその製造方法及びそれを用いた絞り又は光量調整用装置に関し、より詳しくは、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラのレンズシャッターなどのシャッター羽根または絞り羽根やプロジェクタの絞りや光量調整用絞り装置（オートアイリスともいう）の絞り羽根などの光学機器部品として用いられ、遮光性、耐熱性、摺動性、低光沢性、導電性に優れた耐熱遮光フィルムとその製造方法及びそれを用いた絞り又は光量調整用装置に関する。   The present invention relates to a heat-resistant light-shielding film, a method for producing the same, and an aperture or light amount adjusting device using the film, and more particularly, shutter blades or aperture blades such as lens shutters of digital cameras and digital video cameras, and apertures and light amounts of projectors. A heat-resistant light-shielding film that is used as an optical device part such as a diaphragm blade of an aperture device for adjustment (also referred to as an auto iris) and has excellent light-shielding properties, heat resistance, sliding properties, low glossiness, and electrical conductivity, its production method, and The present invention relates to a diaphragm or a light amount adjusting device used.

現在、カメラ用のシャッター羽根や絞り羽根は、シャッタースピードが高速化し、極めて短時間に動作と停止を行うので、軽量化かつ高摺動性である必要がある。また、フィルムなどの感光材、ＣＣＤなどの撮像素子の前面を覆って光を遮るものなので、基本的に遮光性を必要とする。更に、光学機器用の羽根は、複数枚が互いに重なり合って動作するので滑らかな動作のために潤滑性が必要となる。また、各羽根間の漏れ光を防ぐために表面の反射率は低いことが望まれる。使用環境によっては、カメラ内部が高温となる場合があり、耐熱性が求められている。   At present, shutter blades and diaphragm blades for cameras have a high shutter speed and operate and stop in a very short time. Therefore, they need to be lightweight and highly slidable. In addition, since light is blocked by covering the front surface of a photosensitive material such as a film and an image pickup device such as a CCD, basically, light shielding is required. Furthermore, since a plurality of blades for an optical device operate while overlapping each other, lubricity is required for smooth operation. Moreover, in order to prevent the leak light between each blade | wing, it is desired that the surface reflectance is low. Depending on the usage environment, the inside of the camera may become hot, and heat resistance is required.

一方、プレゼンテーション、ホームシアターなどの映像観賞用の投影装置である液晶プロジェクタの光量調整用絞り羽根として使用される遮光フィルムにおいても、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラと同様な特性が求められ、特に耐熱性に関しては、カメラ以上の特性が求められている。   On the other hand, the same characteristics as those of digital cameras and digital video cameras are required for light-shielding films used as aperture blades for adjusting the amount of light in liquid crystal projectors, which are projection devices for viewing images such as presentations and home theaters. Therefore, characteristics superior to those of cameras are required.

一般的に、上記遮光フィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのプラスチックフィルムやＳＵＳ、ＳＫ材、Ａｌ等の金属薄板を基材としたものが実用化されている。カメラのレンズシャッターにおいて、金属薄板の遮光フィルムをシャッター羽根、絞り羽根として用いる場合、羽根材を開閉する際に、金属板同士が擦れあって大きな騒音が発生する。また、液晶プロジェクタでは、映像が変化するときに光量調整用絞り装置の羽根を高速で移動させて各画像の輝度変化を和らげる必要があるが、金属薄板の遮光フィルムを絞り羽根に用いた場合、羽根同士が擦れの騒音を繰り返し発生する。また、この騒音を低減するためには羽根を低速で動作することになり、この場合、画像の変化に光量調整が追いつかず、画像が不安定となるという問題があった。   In general, the light-shielding film has been put to practical use with a plastic film such as polyethylene terephthalate (PET) or a metal thin plate such as SUS, SK material, or Al as a base material. When a light shielding film made of a thin metal plate is used as a shutter blade or a diaphragm blade in a lens shutter of a camera, the metal plates rub against each other when the blade material is opened and closed, generating a large noise. Also, in a liquid crystal projector, when the image changes, it is necessary to move the blades of the light amount adjusting diaphragm device at high speed to moderate the luminance change of each image, but when a light shielding film of a thin metal plate is used for the diaphragm blades, The blades repeatedly generate rubbing noise. In order to reduce the noise, the blades are operated at a low speed. In this case, there is a problem that the light amount adjustment cannot catch up with the change in the image and the image becomes unstable.

前記問題や軽量化の観点から、近年の遮光フィルムの構成は、金属薄板でなくプラスチックフィルムを基材に用いることが主流となってきている。更に、絶縁性のプラスチックフィルムを遮光羽根に用いると、静電気の帯電によるゴミ付着の問題が生じるため、プラスチック基材を用いた遮光フィルムには導電性も求められている。上記の事情から、遮光フィルムの必要特性は、高遮光性、耐熱性、低光沢性、摺動性、導電性、低発塵性であるとされている。このような遮光フィルムの特性を満足するために、従来からさまざまな材料、フィルム構造を用いたものが提案されている。   From the viewpoints of the above problems and weight reduction, it has become the mainstream in recent years to use a plastic film as a base material instead of a metal thin plate. Further, when an insulating plastic film is used for the light shielding blade, there is a problem of dust adhesion due to electrostatic charging. Therefore, the light shielding film using the plastic substrate is also required to have conductivity. From the above circumstances, the necessary characteristics of the light shielding film are said to be high light shielding properties, heat resistance, low glossiness, slidability, conductivity, and low dust generation. In order to satisfy such properties of the light shielding film, various materials and film structures have been proposed.

例えば、特許文献１には、遮光性、低光沢性、導電性の点からランプ光源等から発せられる光を吸収させるためにカーボンブラック、チタンブラック等の導電性黒色微粒子をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの樹脂フィルムに含浸させ遮光性及び導電性を持たせ、更に遮光フィルムの片面または両面をマット処理し、低光沢性とした遮光フィルムが開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses that polyethylene black terephthalate (PET) film contains conductive black fine particles such as carbon black and titanium black in order to absorb light emitted from a lamp light source or the like in terms of light shielding properties, low glossiness, and conductivity. A light-shielding film having low gloss by impregnating a resin film such as the above to impart light-shielding properties and conductivity and further matting one or both surfaces of the light-shielding film is disclosed.

特許文献２では、樹脂フィルム表面上に、遮光性と導電性を有するカーボンブラックなどの黒色顔料や潤滑剤、艶消し剤を含有した熱硬化性樹脂層を塗布し、遮光性、導電性、潤滑性、低光沢性を付与した遮光フィルムが開示されている。   In Patent Document 2, a thermosetting resin layer containing a black pigment such as carbon black having a light-shielding property and conductivity, a lubricant, and a matting agent is applied on the surface of the resin film, and the light-shielding property, conductivity, and lubrication. And a light-shielding film imparted with low glossiness.

特許文献３では、アルミニウム合金などの金属製羽根材料の表面に硬質炭素膜を形成した遮光材が開示されている。   Patent Document 3 discloses a light shielding material in which a hard carbon film is formed on the surface of a metal blade material such as an aluminum alloy.

特許文献４では、遮光羽根の剛性を高めるためプラスチック基材の両面に炭素繊維を含有する熱硬化性樹脂のプリプレグシートで強化した遮光羽根の構造が開示されている。   Patent Document 4 discloses a structure of a light shielding blade reinforced with a prepreg sheet of a thermosetting resin containing carbon fibers on both surfaces of a plastic substrate in order to increase the rigidity of the light shielding blade.

遮光フィルムは、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、液晶プロジェクタ等の光学機器用遮光羽材として広く使用されている。近年、液晶プロジェクタではリビングルームといった明るい環境下でも鮮やかなハイコントラストな映像が楽しめるように高画質化の要求が高まっている。したがって、画質の高輝度化によりランプ光源が高出力となるため、光量調整用の絞り装置内の温度が高くなる傾向にある。光量を調整する遮光フィルムへ高出力な光が照射されるため、遮光フィルムが加熱されて熱変形しやすい環境となっている。   The light shielding film is widely used as a light shielding material for optical devices such as digital cameras, digital video cameras, and liquid crystal projectors. In recent years, there has been an increasing demand for liquid crystal projectors with high image quality so that vivid high-contrast images can be enjoyed even in a bright environment such as a living room. Accordingly, since the lamp light source has a high output due to the high brightness of the image quality, the temperature in the diaphragm device for adjusting the light amount tends to be high. Since high output light is irradiated to the light shielding film for adjusting the amount of light, the light shielding film is heated and is easily deformed by heat.

遮光フィルムの基材、例えばポリエチレンテレフタレートを基材とした遮光フィルムは、比重も軽いので広く使用されているが、ランプ光源が高出力となる場合、ポリエチレンテレフタレートは熱変形温度が低く、引張弾性率などの機械的強度が弱いため、走行中もしくは制動時に発生する振動や衝撃などで遮光羽根が歪んでしまう可能性がある。   A light-shielding film base material, for example, a light-shielding film based on polyethylene terephthalate is widely used because its specific gravity is light, but when the lamp light source has a high output, polyethylene terephthalate has a low thermal deformation temperature and a tensile elastic modulus. Since the mechanical strength such as the above is weak, there is a possibility that the light-shielding blade may be distorted by vibration or impact generated during running or braking.

また、遮光フィルムで低光沢性や摺動性を発揮させるためにサンドブラスト法によるマット処理が行われている。この処理は、更に、入射光を散乱させ表面の光沢性を低下させ、視認性を向上させる効果がある。上記処理により、遮光フィルムが接触しても遮光フィルム同士の接触面積が大きくならず摺動性の低下も防止できるものと考えられる。   In addition, mat processing by sandblasting is performed in order to exhibit low gloss and slidability with a light-shielding film. This treatment further has an effect of scattering the incident light to reduce the glossiness of the surface and improve the visibility. It is considered that the above treatment can prevent a decrease in slidability without increasing the contact area between the light shielding films even when the light shielding films are in contact with each other.

デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、液晶プロジェクタでは、遮光フィルムをシャッター羽根、絞り羽根等として必ず複数枚近接し、かつ重なり合って使用するようになってきているため、有機成分の遮光材、潤滑剤、艶消し剤を使用している遮光フィルムでは、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラや液晶プロジェクタが暴露される温度、湿度といった使用環境がより厳しくなっている。特に、液晶プロジェクタでは、上記したように、近年の画像の高輝度化に伴うランプ光源の高出力化により、装置（光量調整用装置、絞り装置）内の温度が２００℃付近まで上昇するようになってきている。このような厳しい環境下で、上記のような従来の遮光フィルムを使用すると、変形したり、変色したりするなど、耐久性の面で好ましくなく、実用上問題があった。   In digital cameras, digital video cameras, and liquid crystal projectors, the use of multiple light shielding films as shutter blades, diaphragm blades, etc. is always close and overlapping, so organic light shielding materials, lubricants, glossy With a light-shielding film using an eraser, the usage environment such as temperature and humidity to which a digital camera, a digital video camera, and a liquid crystal projector are exposed is more severe. In particular, as described above, in a liquid crystal projector, the temperature in the device (light quantity adjusting device, diaphragm device) increases to around 200 ° C. due to the increase in output of the lamp light source accompanying the recent increase in image brightness. It has become to. When such a conventional light-shielding film as described above is used in such a severe environment, it is not preferable in terms of durability, such as being deformed or discolored, and there is a problem in practical use.

さらに、遮光フィルムの２００℃以上での高熱環境下での熱変形が大きくなると、遮光フィルム同士の接触により、高速の動作ができなくなるなど摺動性が劣化し、前記表面に微細な凹凸構造を有する低光沢性遮光フィルムであっても、このような遮光フィルム同士の接触によって擦れる度合いが多くなると低光沢性の劣化が起こるなどして、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、液晶プロジェクタ本来の機能が得られなくなってしまう可能性もあった。   Furthermore, when the thermal deformation of the light-shielding film in a high heat environment at 200 ° C. or higher increases, the sliding property deteriorates due to contact between the light-shielding films, such as being unable to operate at high speed, and a fine uneven structure is formed on the surface. Even if it has a low-gloss light-shielding film, the original function of digital cameras, digital video cameras, and liquid crystal projectors can be obtained because the low-gloss deterioration occurs when the degree of rubbing due to the contact between the light-shielding films increases. There was also the possibility of being lost.

また、特許文献１では、低光沢性を発現させるためにサンドブラストによるマット処理で表面凹凸を形成した遮光フィルムが提案されている。しかし、サンドブラスト法では、フィルムの表面粗さはショット材の材質、粒度、吐出圧力等に依存し、粒径の大きいショット材は、水洗浄やブラッシング等の洗浄でフィルム表面から除去できるが、粒径が１μｍ未満と小さい粒子は洗浄後においてもフィルム表面上に残存してしまい、完全には除去しきれない。ショット材が残存すると、遮光フィルムが晒される高熱環境下では、ショット材と基材であるプラスチックフィルムとで熱膨張係数が異なるため、熱応力の差により、ショット材がフィルムから脱落してしまい、粉塵の発生源となってしまい、その周囲の光学部品に悪影響を及ぼしてしまうという問題も発生する。
特開平１−１２０５０３号公報 特開平４−９８０２号公報 特開平２−１１６８３７号公報 特開２０００−７５３５３号公報 Patent Document 1 proposes a light-shielding film in which surface irregularities are formed by mat processing by sandblasting in order to express low gloss. However, in the sandblasting method, the surface roughness of the film depends on the material, particle size, discharge pressure, etc. of the shot material. Particles having a diameter of less than 1 μm remain on the film surface even after washing and cannot be completely removed. When the shot material remains, in a high heat environment where the light shielding film is exposed, the shot material and the plastic film as the base material have different thermal expansion coefficients, so the shot material falls off the film due to the difference in thermal stress, There also arises a problem that it becomes a dust generation source and adversely affects the surrounding optical components.
JP-A-1-120503 JP 4-9802 A Japanese Patent Laid-Open No. 2-116837 JP 2000-75353 A

本発明の目的は、２００℃以上の高温に晒される液晶プロジェクタの光量調整用羽根や、加工時に高温に晒されるデジタルカメラのシャッター羽根や固定絞りとして用いる、表面に微細な凹凸構造を持たせた、耐熱性に優れた遮光フィルム、また、導電性、低反射性（低光沢性）、軽量性を兼ね備えており、２００℃以上の高温下で長時間使用しても、これらの特性が劣化せず、粉塵の発生や変形のない耐熱性遮光フィルム、更に、この耐熱性遮光フィルムを絞り羽根に用いた、軽量で駆動時の消費電力が低い光量調整用装置を提供することにある。   The object of the present invention is to provide a fine concavo-convex structure on the surface, which is used as a blade for adjusting the light amount of a liquid crystal projector exposed to a high temperature of 200 ° C. or higher, or as a shutter blade or fixed diaphragm of a digital camera exposed to a high temperature during processing. It is a light-shielding film with excellent heat resistance, and also has electrical conductivity, low reflectivity (low glossiness), and light weight. Even when used at a high temperature of 200 ° C or higher for a long time, these characteristics deteriorate. It is another object of the present invention to provide a heat-resistant light-shielding film that is free from dust generation and deformation, and a light amount adjustment device that uses this heat-resistant light-shielding film as a diaphragm blade and that is light in weight and has low power consumption during driving.

本発明者らは、上述した従来の技術の課題を解決するため、表面に微細な凹凸を有する耐熱性の樹脂フィルムを基材として用い、その上にスパッタリング法で特定の厚さを有するチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属遮光膜を形成した後、この金属膜上に、スパッタリング法でチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する低反射性のＮｉ系酸化物膜を積層することで、２００℃程度の高熱環境下でも変形せず、遮光性、低光沢性、摺動性、色味、低反射性が維持できる耐熱遮光フィルムが得られ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、液晶プロジェクタなどの絞りの部材として利用できることを見出し、本発明を完成するに至った。   In order to solve the problems of the conventional techniques described above, the present inventors use a heat-resistant resin film having fine irregularities on the surface as a base material, and titanium having a specific thickness by a sputtering method thereon, After forming a metal light-shielding film containing one or more elements selected from the group consisting of tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, on the metal film A low-reflective Ni-based oxide containing one or more elements selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon by sputtering. By laminating physical films, it is not deformed even in a high heat environment of about 200 ° C., and can maintain light-shielding property, low glossiness, slidability, color and low reflectivity Heat shielding film is obtained, a digital camera, a digital video camera, found that can be used as members for the diaphragm, such as a liquid crystal projector, and have completed the present invention.

すなわち、本発明の第１の発明によれば、２００℃以上の耐熱性を有するポリイミド、アラミド、ポリフェニレンサルファド、又はポリエーテルサルフォンから選ばれた１種類以上で構成され、表面粗さが０．２〜０．８μｍ（算術平均高さＲａ）である樹脂フィルム基材（Ａ）と、樹脂フィルム基材（Ａ）の片面もしくは両面にスパッタリング法で形成された５０〜２５０ｎｍの膜厚を有するチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）、及び金属膜（Ｂ）上にスパッタリング法で形成された、５〜２４０ｎｍの膜厚を有する低反射性のＮｉ系酸化物膜（Ｃ）の積層膜とからなり、積層膜の表面粗さが０．１〜０．７μｍ（算術平均高さＲａ）、かつ積層膜の表面抵抗値が７０００Ω／□以下であることを特徴とする耐熱遮光フィルムが提供される。 That is, according to the first invention of the present invention, it is composed of one or more kinds selected from polyimide, aramid, polyphenylene sulfide, or polyether sulfone having heat resistance of 200 ° C. or higher, and the surface roughness is 0. The resin film substrate (A) having a thickness of 2 to 0.8 μm (arithmetic average height Ra) and a film thickness of 50 to 250 nm formed by sputtering on one or both surfaces of the resin film substrate (A) A metal film (B) containing one or more elements selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, and a metal film (B And a laminated film of a low-reflectivity Ni-based oxide film (C) having a film thickness of 5 to 240 nm formed by a sputtering method on the surface of the laminated film. Saga 0.1 to 0.7 (arithmetic average height Ra), and heat-shielding film surface resistance of the laminated film is characterized in that at 7000Ω / □ or less is provided.

また、本発明の第２の発明によれば、第１の発明において、前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）が、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の添加元素を含有することを特徴とする耐熱遮光フィルムが提供される。 According to the second invention of the present invention, in the first invention, the Ni-based oxide film (C) is composed mainly of nickel, titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, There is provided a heat-resistant light-shielding film characterized by containing one or more additive elements selected from the group consisting of iron, copper, zinc, aluminum, and silicon.

さらに、本発明の第３の発明によれば、第１または２の発明において、前記積層膜の光反射率が、波長３８０〜７８０ｎｍにおいて７％以下であることを特徴とする耐熱遮光フィルムが提供される。 Furthermore, according to the third invention of the present invention, there is provided a heat-resistant light-shielding film according to the first or second invention, wherein the laminated film has a light reflectance of 7% or less at a wavelength of 380 to 780 nm. Is done.

また、本発明の第４の発明によれば、第１〜３のいずれかの発明において、樹脂フィルム基材（Ａ）の両面に、金属膜（Ｂ）とＮｉ系酸化物膜（Ｃ）からなる積層膜が形成されており、フィルム基板を中心として対称の構造であることを特徴とする耐熱遮光フィルムが提供される。 According to the fourth invention of the present invention, in any one of the first to third inventions, the metal film (B) and the Ni-based oxide film (C) are formed on both surfaces of the resin film substrate (A). A heat-resistant light-shielding film is provided, which has a laminated film formed and has a symmetrical structure with a film substrate as a center.

また、本発明の第５の発明によれば、第１〜４のいずれかの発明において、樹脂フィルム基材（Ａ）と前記金属膜（Ｂ）の界面に、ガスバリア膜（Ｄ）として金属酸化物膜がスパッタリング法で形成されていることを特徴とする耐熱遮光フィルムが提供される。 According to the fifth invention of the present invention, in any one of the first to fourth inventions, a metal oxide is formed as a gas barrier film (D) at the interface between the resin film substrate (A) and the metal film (B). There is provided a heat-resistant light-shielding film characterized in that a material film is formed by a sputtering method.

さらに、本発明の第６の発明によれば、第５の発明において、ガスバリア膜（Ｄ）が、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、二オブ、鉄、アルミニウム、珪素、ニッケルからなる群より選ばれる１種類以上の元素を主成分とする酸化物膜であることを特徴とする耐熱遮光フィルムが提供される。 Furthermore, according to the sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect , the gas barrier film (D) is made of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, aluminum, silicon, nickel. There is provided a heat-resistant light-shielding film, which is an oxide film containing as a main component one or more elements selected from the group.

また、本発明の第７の発明によれば、第５又は６の発明において、樹脂フィルム基材（Ａ）の両面に、ガスバリア膜（Ｄ）と金属膜（Ｂ）とＮｉ系酸化物膜（Ｃ）からなる積層膜が形成されており、フィルム基板を中心として対称の構造であることを特徴とする耐熱遮光フィルムが提供される。 According to the seventh invention of the present invention, in the fifth or sixth invention, the gas barrier film (D), the metal film (B), and the Ni-based oxide film (B) are formed on both surfaces of the resin film substrate (A). There is provided a heat-resistant light-shielding film characterized in that a laminated film comprising C) is formed and has a symmetrical structure with a film substrate as a center.

さらに、本発明の第８の発明によれば、第７の発明において、樹脂フィルム基材（Ａ）の両面に形成されるガスバリア膜（Ｄ）同士、金属膜（Ｂ）同士、及び酸化物膜（Ｃ）同士は、実質的に同じ金属元素組成であることを特徴とする耐熱遮光フィルムが提供される。 Furthermore, according to the eighth invention of the present invention, in the seventh invention, the gas barrier films (D), the metal films (B), and the oxide film formed on both surfaces of the resin film substrate (A). (C) is provided with the heat-resistant light-shielding film characterized by being substantially the same metal element composition.

一方、本発明の第９の発明によれば、第１〜４のいずれかの発明において、片面もしくは両面の表面粗さが０．２〜０．８μｍ（算術平均高さＲａ）の凹凸表面を有する樹脂フィルム基材（Ａ）をスパッタリング装置に供給し、金属膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリングにより樹脂フィルム基材（Ａ）の凹凸表面上に、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）を形成し、次に、酸化物膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリングガスに酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、金属膜（Ｂ）上に、Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）を形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法が提供される。 On the other hand, according to the ninth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, the uneven surface having a surface roughness of one or both sides of 0.2 to 0.8 μm (arithmetic average height Ra) is provided. The resin film substrate (A) is supplied to a sputtering apparatus, and titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, and cobalt are formed on the uneven surface of the resin film substrate (A) by sputtering using a metal film forming target. Forming a metal film (B) containing one or more elements selected from the group consisting of niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, and then using an oxide film forming target, Production of a heat-resistant light-shielding film, wherein a Ni-based oxide film (C) is formed on a metal film (B) by reactive sputtering in which oxygen gas is introduced into a sputtering gas The law is provided.

また、本発明の第１０の発明によれば、第５〜８のいずれかの発明において、片面もしくは両面の表面粗さが０．２〜０．８μｍ（算術平均高さＲａ）の凹凸表面を有する樹脂フィルム基材（Ａ）をスパッタリング装置に供給し、不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながらスパッタリングして樹脂フィルム基材（Ａ）上にガスバリア膜（Ｄ）を形成し、次に、不活性ガス雰囲気下でスパッタリングして、ガスバリア膜（Ｄ）上にチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）を形成した後、不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながらスパッタリングして、金属膜（Ｂ）上にＮｉ系酸化物膜（Ｃ）を形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法が提供される。 Further, according to the tenth aspect of the present invention, in the fifth to eighth any one of the, one or both sides of the surface roughness of the uneven surface of 0.2 to 0.8 [mu] m (arithmetic average height Ra) A resin film substrate (A) having a gas barrier film (D) is formed on the resin film substrate (A) by sputtering while introducing an oxygen gas into an inert gas atmosphere. One kind selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon on the gas barrier film (D) by sputtering in an inert gas atmosphere After forming the metal film (B) containing the above elements, sputtering is performed while introducing an oxygen gas into an inert gas atmosphere, and a Ni-based oxide film (C) is formed on the metal film (B). Method for producing a heat-resistant light-shielding film and forming is provided.

また、本発明の第１１の発明によれば、第９又は１０の発明において、スパッタリングガス圧が、０．２〜１．０Ｐａであることを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法が提供される。 Moreover, according to the eleventh invention of the present invention, there is provided the method for producing a heat-resistant light-shielding film characterized in that, in the ninth or tenth invention, the sputtering gas pressure is 0.2 to 1.0 Pa. .

また、本発明の第１２の発明によれば、第９〜１１のいずれかの発明において、スパッタリング時の樹脂フィルム基材温度が、１８０℃以上であることを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法が提供される。 According to a twelfth aspect of the present invention, in any one of the ninth to eleventh aspects, the resin film substrate temperature during sputtering is 180 ° C. or higher. Is provided.

また、本発明の第１３の発明によれば、第９〜１２のいずれかの発明において、前記金属膜（Ｂ）及び前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）が形成された耐熱遮光フィルムを、さらに、スパッタリング装置に供給し、スパッタリングによって樹脂フィルム基材（Ａ）の裏面にチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）及びＮｉ系酸化物膜（Ｃ）を順次形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法が提供される。 According to a thirteenth aspect of the present invention, in any one of the ninth to twelfth aspects, the heat-resistant light-shielding film on which the metal film (B) and the Ni-based oxide film (C) are formed, And selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon on the back surface of the resin film substrate (A) by sputtering. There is provided a method for producing a heat-resistant light-shielding film, wherein a metal film (B) containing one or more elements and a Ni-based oxide film (C) are sequentially formed.

さらに、本発明の第１４の発明によれば、第１０〜１２のいずれかの発明において、前記ガスバリア膜（Ｄ）及び前記金属膜（Ｂ）及び前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）が形成された耐熱遮光フィルムを、さらに、スパッタリング装置に供給し、スパッタリングによって樹脂フィルム基材（Ａ）の裏面に、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、二オブ、鉄、アルミニウム、珪素、ニッケルからなる群より選ばれる１種類以上の元素を含むガスバリア膜及びチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）及びＮｉ系酸化物膜（Ｃ）を順次形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法が提供される。 Furthermore, according to the fourteenth aspect of the present invention, in any one of the tenth to twelfth aspects, the gas barrier film (D), the metal film (B), and the Ni-based oxide film (C) are formed. The heat-resistant light-shielding film is further supplied to a sputtering apparatus, and from the back surface of the resin film substrate (A) by sputtering, titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, aluminum, silicon, nickel A gas barrier film containing one or more elements selected from the group consisting of one or more selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon A heat-resistant light-shielding film characterized by sequentially forming an element-containing metal film (B) and a Ni-based oxide film (C) Method for producing Irumu is provided.

また、本発明の第１５の発明によれば、第１０〜１４のいずれかの発明において、前記ガスバリア膜形成用ターゲットと前記酸化物膜形成用ターゲットがそれぞれ同一のものを用い、各膜を形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法が提供される。 According to the fifteenth aspect of the present invention, in any one of the tenth to fourteenth aspects, the gas barrier film formation target and the oxide film formation target are the same, and each film is formed. A method for producing a heat-resistant light-shielding film is provided.

さらに、本発明の第１６の発明によれば、第９〜１５のいずれかの発明において、樹脂フィルム基材（Ａ）が、ロール状に巻き取られてスパッタリング装置のフィルム搬送部にセットされることを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法が提供される。 Furthermore, according to the sixteenth invention of the present invention, in any one of the ninth to fifteenth inventions, the resin film substrate (A) is wound into a roll and set in the film transport section of the sputtering apparatus. A method for producing a heat-resistant light-shielding film is provided.

また、本発明の第１７の発明によれば、第９〜１６のいずれかの発明において、成膜中の樹脂フィルム基材が冷却されずに、成膜室内でフローティングの状態でスパッタリング成膜されることを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法が提供される。 According to the seventeenth aspect of the present invention, in any of the ninth to sixteenth aspects, the resin film substrate being formed is sputtered in a floating state in the film forming chamber without being cooled. A method for producing a heat-resistant light-shielding film is provided.

一方、本発明の第１８の発明によれば、第１〜８のいずれかの発明の耐熱遮光フィルムを加工して製造された耐熱性に優れた絞りが提供される。 On the other hand, according to the eighteenth aspect of the present invention, there is provided a diaphragm having excellent heat resistance manufactured by processing the heat-resistant light-shielding film of any one of the first to eighth aspects.

また、本発明の第１９の発明によれば、第１〜８のいずれかの発明の耐熱遮光フィルムを羽根材として用いてなる光量調整用装置が提供される。 According to the nineteenth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for adjusting the amount of light using the heat-resistant light-shielding film of any one of the first to eighth aspects as a blade material.

本発明の耐熱遮光フィルムは、２００℃以上の耐熱性を有する耐熱性の樹脂フィルム基材（Ａ）上に、スパッタリング法により特定厚さのチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する遮光性を有する金属膜（Ｂ）（以下、単に金属膜ともいう）と、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する低反射性のＮｉ系酸化物膜（Ｃ）（以下、単に酸化物膜ともいう）が形成される。また、金属膜（Ｂ）に銅元素を含有する場合には、樹脂フィルム基材表面に、密着性を強化するために、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の添加元素を含有するＮｉ系金属膜が形成される。よって、耐熱性を有する遮光性の金属膜（Ｂ）と低反射性のＮｉ系酸化物膜（Ｃ）が緻密な膜組織を形成しているため、従来の塗膜工程で得られる遮光フィルムに比べ、表面の磨耗性、摩擦性、導電性に優れている。   The heat-resistant light-shielding film of the present invention has a specific thickness of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, on a heat-resistant resin film substrate (A) having a heat resistance of 200 ° C. or higher by a sputtering method. A light-shielding metal film (B) (hereinafter also simply referred to as a metal film) containing one or more elements selected from the group consisting of iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, and nickel as a main component A low-reflectivity Ni-based oxide film containing one or more elements selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon ( C) (hereinafter also simply referred to as an oxide film) is formed. When the copper film is contained in the metal film (B), in order to reinforce the adhesion to the resin film substrate surface, nickel is the main component, titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, A Ni-based metal film containing one or more additive elements selected from the group consisting of niobium, iron, zinc, aluminum, and silicon is formed. Therefore, since the heat-shielding light-shielding metal film (B) and the low-reflective Ni-based oxide film (C) form a dense film structure, a light-shielding film obtained by a conventional coating process is used. In comparison, it has excellent surface wear, friction and electrical conductivity.

本発明の耐熱遮光フィルムは、最表面層となるＮｉ系酸化物膜の種類を選ぶことで黒色度が高くて低反射特性を有する耐熱性遮光フィルムが実現できる。つまり、最表面層に可視域での透過率の低い低反射性のＮｉ系酸化物膜を金属膜上に積層すると、金属膜の高い反射率を顕著に減少することができ、さらに積層膜の表面粗さが０．１〜０．７μｍ（算術平均高さＲａ）であることも寄与して、波長３８０〜７８０ｎｍにおける光反射率は７％以下または３％以下の低反射（低光沢性）となり黒色を呈することができる。また逆に、最表面層に可視域〜近赤外域の透過率の高い酸化物膜を選ぶと、黒色度は劣るものの、金属膜の高反射特性を活かして、熱線を効果的に反射できる耐熱遮光フィルムが実現される。このような耐熱遮光フィルムは、例えば、プロジェクタなど絞り羽根材に用いると、強いランプ光が照射されても加熱が抑制されるため好都合である。   The heat-resistant light-shielding film of this invention can implement | achieve the heat-resistant light-shielding film which has high blackness and a low reflection characteristic by selecting the kind of Ni type oxide film used as the outermost surface layer. In other words, when a low-reflectivity Ni-based oxide film with low transmittance in the visible region is laminated on the metal film, the high reflectance of the metal film can be remarkably reduced. The surface roughness is 0.1 to 0.7 μm (arithmetic average height Ra), and the light reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm is 7% or less or 3% or less. And can exhibit a black color. Conversely, if an oxide film with high transmittance in the visible to near-infrared region is selected as the outermost surface layer, the blackness is inferior, but the heat resistance that can effectively reflect heat rays by taking advantage of the high reflection characteristics of the metal film A light shielding film is realized. When such a heat-resistant light-shielding film is used for a diaphragm blade material such as a projector, for example, heating is suppressed even when strong lamp light is irradiated.

本発明の耐熱遮光フィルムは、従来の金属箔板に耐熱塗料を施した耐熱遮光フィルムを使用した遮光羽根に比べ、樹脂フィルムを基材として使用しているので軽量化され、絞り羽根等に搭載された時の摺動性が向上し、更には駆動モーターの小型化が可能となり、低コストに繋がる。   The heat-resistant light-shielding film of the present invention is reduced in weight because it uses a resin film as a base material compared to a conventional light-shielding blade using a heat-resistant light-shielding film with a heat-resistant paint applied to a metal foil plate, and is mounted on a diaphragm blade or the like This improves the slidability and further reduces the size of the drive motor, leading to lower costs.

更に、樹脂フィルム基材の片面にのみ金属膜及び酸化物膜を形成し、金属膜及び酸化物膜が形成されていない樹脂フィルム面側に粘着材を塗布した耐熱遮光フィルムとして使用することも可能であり、カメラやプロジェクタなどの鏡筒などにおいて、低反射性や低光沢性が必要不可欠な部材の壁面に貼り付けることによって低反射面を形成することができる。   Furthermore, it can be used as a heat-resistant light-shielding film in which a metal film and an oxide film are formed only on one side of the resin film substrate, and an adhesive is applied to the resin film side where the metal film and the oxide film are not formed. In a lens barrel such as a camera or projector, a low reflection surface can be formed by sticking to a wall surface of a member indispensable for low reflection and low gloss.

更に耐熱性樹脂フィルムを中心に対称型である膜構造とすることができ、成膜時の膜応力による遮光フィルムの変形を生じないので生産性に優れている。   Further, the film structure can be symmetric with the heat-resistant resin film as the center, and the light shielding film is not deformed by the film stress at the time of film formation, so that the productivity is excellent.

また、本発明の遮光性の金属膜及び低反射性のＮｉ系酸化物膜のスパッタリング法による成膜条件を最適化すれば、前記膜を緻密で高い密着性を有する膜とすることができ、２００℃程度の高熱環境下に晒されても前記膜は剥がれることはない。前記緻密で硬質な最表面の酸化物膜に覆われているので該耐熱遮光フィルムの動作時に膜の剥がれがない。基材フィルムのマット処理、具体的には、サンドブラスト法によるフィルム表面処理の際にショット材が除去できずにフィルム表面に残存していても、その上に高熱環境下でも高い密着性を維持できる上記の緻密な積層膜に覆われているので、高熱環境下でもショット材の脱落や膜剥がれ等による粉塵は起こらない。   Further, by optimizing the film formation conditions by the sputtering method of the light-shielding metal film and the low-reflectivity Ni-based oxide film of the present invention, the film can be a dense and highly adhesive film, Even when exposed to a high heat environment of about 200 ° C., the film does not peel off. Since it is covered with the dense and hard outermost oxide film, the film does not peel off during the operation of the heat-resistant light-shielding film. Even if the shot material remains on the surface of the film without being removed during the mat surface treatment of the base film, specifically, the film surface treatment by the sandblast method, high adhesion can be maintained even in a high heat environment. Since it is covered with the above-mentioned dense laminated film, dust due to dropping off of the shot material or film peeling does not occur even in a high heat environment.

したがって、本発明の耐熱遮光フィルムは、耐熱性が求められている液晶プロジェクタの光量調整用装置の絞り羽根材として特に有用であり、また、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのシャッター装置のシャッター羽根材としても使用できるため、工業的に極めて有用である。   Therefore, the heat-resistant light-shielding film of the present invention is particularly useful as a diaphragm blade material for a light amount adjusting device of a liquid crystal projector that is required to have heat resistance, and a shutter blade material of a shutter device such as a digital camera or a digital video camera. It can also be used as an industrially useful material.

さらに、本発明の耐熱遮光フィルムを絞り羽根材として用いた光量調整用装置は、金属薄板を羽根材料に用いた従来の耐熱性光量調整用装置と比べて、絞り羽根材が軽量であるため絞り羽根を駆動する際の消費電力の低減が実現できる。よって、駆動モーターの小型化が可能となり、光量調整用装置自体の小型化を実現することができるなどのメリットも有するため、工業的に極めて有用といえる。   Furthermore, the light quantity adjustment device using the heat-resistant light-shielding film of the present invention as a diaphragm blade material is lighter than the conventional heat-resistant light quantity adjustment device using a metal thin plate as a blade material. Reduction of power consumption when driving the blades can be realized. Therefore, the drive motor can be reduced in size, and the light amount adjusting device itself can be reduced in size, which is extremely useful industrially.

以下、本発明の耐熱遮光フィルムとその製造方法について、図１〜３を参照しながら説明する。   Hereinafter, the heat-resistant light-shielding film of the present invention and the production method thereof will be described with reference to FIGS.

１．耐熱遮光フィルム
本発明の耐熱遮光フィルムは、２００℃以上の耐熱性を有するポリイミド、アラミド、ポリフェニレンサルファド、又はポリエーテルサルフォンから選ばれた１種類以上で構成され、表面粗さが０．２〜０．８μｍ（算術平均高さＲａ）である樹脂フィルム基材（Ａ）と、樹脂フィルム基材（Ａ）の片面もしくは両面にスパッタリング法で形成された５０〜２５０ｎｍの膜厚を有するチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）、及び金属膜（Ｂ）上にスパッタリング法で形成された、５〜２４０ｎｍの膜厚を有する低反射性のＮｉ系酸化物膜（Ｃ）の積層膜とからなり、積層膜の表面粗さが０．１〜０．７μｍ（算術平均高さＲａ）、かつ積層膜の表面抵抗値が７０００Ω／□以下であることを特徴とする。 1. Heat-resistant light-shielding film The heat-resistant light-shielding film of the present invention is composed of one or more kinds selected from polyimide, aramid, polyphenylene sulfide, or polyether sulfone having a heat resistance of 200 ° C. or higher, and has a surface roughness of 0.2. Titanium having a film thickness of 50 to 250 nm formed by sputtering on one or both sides of the resin film substrate (A) having a thickness of ~ 0.8 μm (arithmetic average height Ra) and the resin film substrate (A), On the metal film (B) containing one or more elements selected from the group consisting of tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, and the metal film (B) And a multilayer film of a low-reflectivity Ni-based oxide film (C) having a film thickness of 5 to 240 nm formed by a sputtering method. Surface roughness 0.1 to 0.7 (arithmetic mean height Ra), and the surface resistance of the laminated film is characterized in that at 7000Ω / □ or less.

そして、上記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）は、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有することを特徴としている。   The Ni-based oxide film (C) was selected from the group consisting of nickel, the main component being titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon. It is characterized by containing one or more elements.

また、金属膜（Ｂ）に銅元素が含有する場合では、ポリイミドなどの樹脂フィルムとの密着性を向上させるために、樹脂フィルム基材（Ａ）と金属膜（Ｂ）の界面に、膜の緻密性が高いＮｉ系金属膜がスパッタリング法で形成されていることが好ましい。上記Ｎｉ系金属膜としては、Ｎｉを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、二オブ、鉄、アルミニウム、珪素からなる群より選ばれる１種類以上の添加元素を含有するＮｉ系金属膜であることが好ましい。   In addition, in the case where the copper element is contained in the metal film (B), in order to improve the adhesion with a resin film such as polyimide, the film is formed at the interface between the resin film substrate (A) and the metal film (B). It is preferable that a Ni-based metal film having high density is formed by a sputtering method. The Ni-based metal film includes Ni as a main component, and Ni containing one or more additive elements selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, aluminum, and silicon. A metal film is preferable.

図１は、本発明にかかる耐熱遮光フィルムの一例の構成を示す模式的な図である。本発明の遮光フィルムは、基材としての樹脂フィルム１と、その表面に形成されたチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜２と、その上に形成されたニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する低反射性のＮｉ系酸化物膜３との積層膜から構成されている。   FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an example of a heat-resistant light-shielding film according to the present invention. The light-shielding film of the present invention includes a resin film 1 as a base material and a group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon formed on the surface thereof. Mainly composed of a metal film 2 containing one or more selected elements and nickel formed thereon, titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, And a laminated film with a low-reflectivity Ni-based oxide film 3 containing one or more elements selected from the group consisting of silicon.

そして、その積層膜は、表面粗さが０．１〜０．７μｍ（算術平均高さＲａ）、より好ましくは、０．２〜０．７μｍ、最も好ましくは、０．３〜０．６μｍである。積層膜の表面粗さが０．１μｍ未満であると低光沢性が得られず、また、積層膜の表面粗さが０．７μｍを超えると積層膜の表面欠陥が付きやすく十分な遮光性（透過率０％）を得られないという点で好ましくない。   The laminated film has a surface roughness of 0.1 to 0.7 μm (arithmetic average height Ra), more preferably 0.2 to 0.7 μm, and most preferably 0.3 to 0.6 μm. is there. If the surface roughness of the laminated film is less than 0.1 μm, low gloss cannot be obtained, and if the surface roughness of the laminated film exceeds 0.7 μm, surface defects of the laminated film are likely to occur and sufficient light shielding properties ( This is not preferable in that a transmittance of 0% cannot be obtained.

樹脂フィルム１の厚みは、特に限定されるわけではないが、例えば１０〜１２５μｍの範囲であることが望ましい。１０μｍより薄いものでは、遮光フィルムの製造時にフィルム自体のハンドリングが悪く、フィルムに傷や折れ目などの表面欠陥が付きやすくなり歩留まり高く製造することが難しい。１２５μｍより厚いと小型化が進むシャッター装置や光量調整用絞り装置へ遮光羽根を複数枚搭載することができないからである。   Although the thickness of the resin film 1 is not specifically limited, For example, it is desirable that it is the range of 10-125 micrometers. When the thickness is less than 10 μm, the film itself is poorly handled during the production of the light-shielding film, and surface defects such as scratches and creases are easily attached to the film, making it difficult to produce with a high yield. This is because if the thickness is larger than 125 μm, it is impossible to mount a plurality of light shielding blades on a shutter device or a light amount adjusting diaphragm device that is becoming smaller.

遮光性のチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）は、厚みが５０ｎｍ以上であることが必要である。厚みが５０ｎｍ未満であると、膜の光通過が生じて十分な遮光機能を持たないので好ましくない。ただし、膜厚が厚くなると遮光性が良くなるが、２５０ｎｍを超えると、材料コストや成膜時間の増加による製造コスト高につながり、また膜の応力も大きくなって変形しやすくなる。十分な遮光性（透過率０％）と低膜応力、低製造コストを考慮して、前記金属膜の膜厚は５０〜２５０ｎｍとする。 The light-shielding metal film (B) containing one or more elements selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon has a thickness. Needs to be 50 nm or more. If the thickness is less than 50 nm, light passage through the film occurs and the light shielding function is not sufficient, which is not preferable. However, when the film thickness is increased, the light shielding property is improved. However, if the thickness exceeds 250 nm, the manufacturing cost is increased due to an increase in material cost and film formation time, and the stress of the film is increased and the film is easily deformed. Sufficient light-shielding property (0% transmission) and low film stress, in view of the low production cost, the thickness of the metal film is set to 50 to 250 nm.

また、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する低反射性のＮｉ系酸化物膜（Ｃ）は、膜厚を５〜２４０ｎｍとすることで可視域の反射率を低減することができる。   Low reflectivity containing nickel as a main component and containing at least one element selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon The Ni-based oxide film (C) can reduce the reflectance in the visible region by setting the film thickness to 5 to 240 nm.

チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する前記金属膜（Ｂ）と、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する低反射性の前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）とは、樹脂フィルム基板の片面に形成されていてもよいが、両面に形成されている方が好ましい（図１参照）。   The metal film (B) containing one or more elements selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, and mainly nickel The low-reflective Ni-based oxide containing at least one element selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon as a component The material film (C) may be formed on one surface of the resin film substrate, but is preferably formed on both surfaces (see FIG. 1).

両面に形成される場合は、フィルム基板を中心として各面の金属膜同士及び酸化物膜同士の組成及び膜厚が対称の構造であることが、より好ましい。基板の上に形成された薄膜は、基板に対して応力を与えるため、変形の要因となる。応力による変形は成膜直後でも見られる場合があるが、特に２００℃程度に加熱されると変形が大きくなり顕著となりやすい。しかし、上記のように基板の両面に形成する前記金属膜と低反射性の前記酸化物膜の材質を同じにして、基板を中心として対称の構造にすることで、加熱条件下でも応力のバランスが維持され、フラットな耐熱遮光フィルムを実現しやすい。   When formed on both surfaces, it is more preferable that the composition and film thickness of the metal films and oxide films on each surface are symmetrical with respect to the film substrate. Since the thin film formed on the substrate gives stress to the substrate, it causes deformation. Although deformation due to stress may be observed even immediately after film formation, the deformation becomes large and becomes prominent particularly when heated to about 200 ° C. However, as described above, the metal film formed on both surfaces of the substrate and the low-reflective oxide film are made of the same material and have a symmetrical structure with the substrate as the center, thereby balancing the stress even under heating conditions. Is maintained and it is easy to realize a flat heat-resistant light-shielding film.

（Ａ）樹脂フィルム基材
本発明の耐熱遮光フィルムの基材である樹脂フィルムは、その表面に算術平均高さＲａが０．２〜０．８μｍ、特に０．３〜０．７μｍの微細な凹凸構造を有することが好ましい。算術平均高さとは、算術平均粗さとも言われ、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から測定曲線までの偏差の絶対値を合計して平均した値である。Ｒａが０．２μｍより小さいと、フィルム表面に形成した金属膜の密着性が得られず、十分な低光沢性や低反射性も得られない。また、Ｒａが０．８μｍを超えると、フィルム表面の凹凸が大きすぎて凹部で金属膜の成膜ができず、フィルム表面を被覆し十分な遮光性を得ようとすれば金属膜の膜厚が厚くなってしまうためコスト高となり好ましくない。 (A) Resin film substrate The resin film which is the substrate of the heat-resistant light-shielding film of the present invention has a fine arithmetic average height Ra of 0.2 to 0.8 μm, particularly 0.3 to 0.7 μm on the surface thereof. It preferably has an uneven structure. Arithmetic mean height is also called arithmetic mean roughness, and is extracted from the roughness curve by the reference length in the direction of the mean line, and the absolute value of the deviation from the mean line of the extracted part to the measurement curve is summed and averaged. It is the value. When Ra is smaller than 0.2 μm, the adhesion of the metal film formed on the film surface cannot be obtained, and sufficient low glossiness and low reflectivity cannot be obtained. On the other hand, if Ra exceeds 0.8 μm, the unevenness of the film surface is so large that the metal film cannot be formed in the recess, and the film thickness of the metal film can be obtained by covering the film surface and obtaining sufficient light shielding properties. Is undesirably high in cost.

基材として用いる樹脂フィルムは、透明樹脂で構成されていても顔料を練り込んだ着色樹脂で構成されていても構わないが、２００℃以上の耐熱性を有するものでなければならない。ここで、２００℃以上の耐熱性を有するフィルムとは、ガラス転移点が２００℃以上であるフィルムであり、またガラス転移点の存在しない材料については、２００℃以上の温度にて変質しないことを意味する。樹脂材料の材質としては量産性を考慮した場合、スパッタリングによるロールコーティングが可能となるような可撓性を有する材料であることが望ましい。   The resin film used as the substrate may be made of a transparent resin or a colored resin kneaded with a pigment, but must have a heat resistance of 200 ° C. or higher. Here, a film having a heat resistance of 200 ° C. or higher is a film having a glass transition point of 200 ° C. or higher, and a material having no glass transition point is not altered at a temperature of 200 ° C. or higher. means. In view of mass productivity, the resin material is preferably a flexible material that enables roll coating by sputtering.

耐熱性の樹脂フィルムは、ポリイミド（ＰＩ）、アラミド（ＰＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、又はポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）から選択される１種類以上の材料で構成する。２００℃以上の耐熱性を有しているフィルムの中でもポリイミドフィルムは、最も耐熱温度が高く、特に好ましいフィルムである。 Heat-resistant resin film, polyimide (PI), aramid (PA), polyphenylene sulfide (PPS), or composed of one or more materials selected from polyether sulfone (PES). Among films having a heat resistance of 200 ° C. or higher, a polyimide film has the highest heat resistance temperature and is a particularly preferable film.

前記金属膜を形成する前の樹脂フィルム表面は、成膜前に予め表面処理して凹凸を形成する。ここで表面処理とは、例えば、ナノインプリンティング加工やショット材に砂を使用したマット処理加工を行って得ることができるが、このような処理法に限定されない。ショット材を用いたマット処理加工は、フィルムを搬送しながらフィルム表面に凹凸を形成することができるが、最適なＲａ値の凹凸は、マット処理中のフィルム搬送速度とショット材の種類、大きさに依存するので、これらの条件を最適化してフィルム表面の算術平均高さＲａ値が０．２〜０．８μｍとなるように表面処理を行う。マット処理後のフィルムは、洗浄してショット材を除去した後、乾燥する。フィルムの両面に金属膜と低反射性の酸化物膜を形成する場合は、フィルムの両面をマット処理する。   The resin film surface before forming the metal film is subjected to surface treatment in advance before film formation to form irregularities. Here, the surface treatment can be obtained, for example, by performing nanoimprinting or mat treatment using sand as a shot material, but is not limited to such a treatment method. Matting processing using shot material can form unevenness on the film surface while transporting the film, but the optimal Ra value unevenness depends on the film transport speed during mat processing, the type and size of shot material Therefore, the surface treatment is performed so that the arithmetic average height Ra value of the film surface is 0.2 to 0.8 μm by optimizing these conditions. The film after the mat treatment is washed to remove the shot material and then dried. When a metal film and a low-reflective oxide film are formed on both sides of the film, both sides of the film are matted.

（Ｂ）金属膜
本発明の耐熱遮光フィルムは、２００℃の高熱環境下でも耐えうる耐熱性を有していることが特徴である。それは、スパッタリング法で上記温度以上で得た金属膜（Ｂ）と低反射性のＮｉ系酸化物膜（Ｃ）が高緻密性で耐酸化性を有しており、フィルムと金属膜（Ｂ）との密着性が良いことによる。 (B) Metal film The heat-resistant light-shielding film of the present invention is characterized by having heat resistance that can withstand even in a high heat environment of 200 ° C. That is, the metal film (B) obtained at a temperature higher than the above by sputtering and the Ni-based oxide film (C) having low reflectivity have high density and oxidation resistance, and the film and metal film (B) This is because of the good adhesion to the.

一般に金属膜は酸化されると透明度が増加するため、遮光膜となる金属膜の耐酸化性は重要である。また金属膜は、金属の種類によっては２００〜２５０℃で溶融してしまう材料もあるため、遮光膜となる金属膜は３００℃以上の高融点材料であることが重要である。本発明の耐熱遮光フィルムに用いる金属膜の材料は、耐酸化性に優れた元素周期表の４族から１２族の遷移金属元素、アルミニウム、又は珪素から選ばれる１種類以上の元素を含有することが好ましい。   In general, when a metal film is oxidized, the transparency increases. Therefore, the oxidation resistance of the metal film to be a light shielding film is important. Further, depending on the type of metal, the metal film may be a material that melts at 200 to 250 ° C. Therefore, it is important that the metal film serving as the light shielding film is a high melting point material of 300 ° C. or higher. The material of the metal film used for the heat-resistant light-shielding film of the present invention contains one or more elements selected from group 4 to group 12 transition metal elements, aluminum, or silicon of the periodic table with excellent oxidation resistance. Is preferred.

具体的には、前記金属膜（Ｂ）は、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜であることが必要である。これらの元素を含有する金属膜（Ｂ）は、スパッタリング法でポリイミドなどの樹脂フィルムに成膜すると、高い密着性を得ることができる。また、上記元素の金属膜は、耐熱性や耐食性を更に向上させるため、上記金属元素以外の元素を添加して合金としたもの、或いは金属間化合物としたものを使用しても構わない。例えば鉄元素を含む金属膜には、鉄を含むステンレス材やＳＫ材の金属膜も含まれる。   Specifically, the metal film (B) includes at least one element selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon. It is necessary that the metal film is contained. When the metal film (B) containing these elements is formed on a resin film such as polyimide by a sputtering method, high adhesion can be obtained. Moreover, in order to further improve heat resistance and corrosion resistance, the metal film of the element may be an alloy obtained by adding an element other than the metal element or an intermetallic compound. For example, a metal film containing an iron element includes a metal film made of stainless steel or SK containing iron.

なお、金属膜の材料には上記の金属元素の他、炭素、窒素が含まれていても構わない。金属膜への炭素、窒素を導入するには、それぞれ、金属膜を成膜する時のスパッタリングガス中に、炭化水素ガス、窒素ガスなどの炭素や窒素を含む添加ガスを導入してスパッタリング成膜することで可能であるが、上記のような添加ガスを用いなくても、ターゲット中に炭素、窒素を含有させることでも、これらの元素を導入することができる。特に上記金属膜に炭素、窒素が含まれると、耐熱性を更に改善することができるため有用である。よって、本発明の耐熱遮光フィルムの金属膜材料には、上記の方法で作製された炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン、炭化モリブデン、炭化ニオブ、炭化鉄、炭化銅、炭化アルミニウム、炭化珪素、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化モリブデン、窒化ニオブ、窒化鉄、窒化銅、窒化アルミニウム、窒化珪素などの炭化物や窒化物も、十分な遮光性と耐熱性を発揮する金属膜材料であり、樹脂フィルムに対する高密着性も発揮するため含まれる。   Note that the metal film material may contain carbon and nitrogen in addition to the above metal elements. In order to introduce carbon and nitrogen into the metal film, sputtering film formation is performed by introducing an additive gas containing carbon and nitrogen such as hydrocarbon gas and nitrogen gas into the sputtering gas when forming the metal film, respectively. However, it is possible to introduce these elements by using carbon or nitrogen in the target without using the additive gas as described above. In particular, when the metal film contains carbon or nitrogen, it is useful because the heat resistance can be further improved. Therefore, the metal film material of the heat-resistant light-shielding film of the present invention includes titanium carbide, tantalum carbide, tungsten carbide, molybdenum carbide, niobium carbide, iron carbide, copper carbide, aluminum carbide, silicon carbide, nitridation produced by the above method. Carbides and nitrides such as titanium, tantalum nitride, tungsten nitride, molybdenum nitride, niobium nitride, iron nitride, copper nitride, aluminum nitride, and silicon nitride are also metal film materials that exhibit sufficient light-shielding properties and heat resistance. It is included because it exhibits high adhesion to the film.

さらに本発明の耐熱遮光フィルムの金属膜材料には、これらの炭化物と窒化物の固溶体や化合物、これら炭化物および／または窒化物と上記金属元素との固溶体や化合物も同様の理由から含まれる。また、本発明の金属膜には、酸素はなるべく含まない方が、樹脂フィルムとの高い密着性や高い遮光性を維持するためには好ましい。しかし、スパッタリングガス中に残留する酸素などが成膜時に金属膜の一部、或いは全体的に膜中に取り込まれて含有していても、金属性や高い遮光性や樹脂フィルムとの高い密着性を損なわない程度であれば構わない。金属膜中の酸素の含有量は、樹脂フィルムとの密着性を維持するために、金属元素に対して５原子％以下、特に３原子％以下であることが望ましい。   Further, the metal film material of the heat-resistant light-shielding film of the present invention includes solid solutions and compounds of these carbides and nitrides, and solid solutions and compounds of these carbides and / or nitrides and the above metal elements for the same reason. Further, it is preferable that the metal film of the present invention contains as little oxygen as possible in order to maintain high adhesion to the resin film and high light shielding properties. However, even if oxygen remaining in the sputtering gas is partly or entirely incorporated into the film at the time of film formation, the metal property, high light shielding property, and high adhesion to the resin film are included. It does not matter as long as the above is not impaired. The content of oxygen in the metal film is desirably 5 atomic% or less, particularly 3 atomic% or less with respect to the metal element in order to maintain adhesion with the resin film.

また、本発明の耐熱遮光フィルムの金属膜は、組成（金属元素の含有量や種類、炭素含有量、窒素含有量、酸素含有量）の異なった複数種類の金属膜の積層膜で構成されていても構わない。   In addition, the metal film of the heat-resistant light-shielding film of the present invention is composed of a laminated film of a plurality of types of metal films having different compositions (content and type of metal element, carbon content, nitrogen content, oxygen content). It doesn't matter.

密着性については、元来、有機物である樹脂フィルム基材と無機物である金属膜との間では高い密着性を得ることが難しい。これは、樹脂フィルム基材と金属膜の界面の密着性が不十分である場合、２００℃の高熱環境下で、樹脂フィルム基材と金属膜の熱膨張差により膜剥離が生じやすいからである。   About adhesion, it is difficult to obtain high adhesion between a resin film substrate that is organic and a metal film that is inorganic. This is because when the adhesion at the interface between the resin film substrate and the metal film is insufficient, film peeling is likely to occur due to a difference in thermal expansion between the resin film substrate and the metal film in a high heat environment of 200 ° C. .

このような熱膨張差による膜剥離を回避するには、樹脂フィルム基材と膜の高密着性を維持する必要があるが、本発明の金属膜は、上記したように、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜であり、樹脂フィルムの表面は、酸素の官能基を有しており、本発明の金属膜中には適量のチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素などの酸素と結合しやすい元素が含まれていることから、フィルム表面の酸素の官能基と化学結合が生じて、フィルムと金属膜間の密着性が強化される。   In order to avoid such film peeling due to the difference in thermal expansion, it is necessary to maintain high adhesion between the resin film substrate and the film. However, as described above, the metal film of the present invention is made of titanium, tantalum, tungsten. , Vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and a metal film containing one or more elements selected from the group consisting of silicon, and the surface of the resin film has oxygen functional groups. The metal film of the present invention contains an appropriate amount of an element that easily binds to oxygen such as titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon. Therefore, a chemical bond is formed with a functional group of oxygen on the film surface, and the adhesion between the film and the metal film is enhanced.

なお、元素周期表の４族から１２族の遷移金属元素の中で、銅やクロムやマンガンを主成分とする金属膜は、樹脂フィルム、特にポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムとの密着性が悪いので、フィルム上に直接形成することは好ましくない。銅以外の上記の元素を主成分とする金属膜を密着強化膜として介在させて、銅やクロムやマンガンを主成分とする金属膜を形成すると高密着化が実現できるため好ましい（この場合は遮光性の役割を担う膜は、銅系薄膜／密着強化膜の積層金属膜となり、密着強化膜が樹脂フィルム側に配置される）。密着強化膜の膜厚は２〜５０ｎｍでよく、例えばニッケル系金属膜などが効果的である。密着強化膜として用いられるニッケルを主成分とする金属膜は、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の添加元素を含有されていても構わない。   In addition, among the transition metal elements of Group 4 to Group 12 of the periodic table, the metal film mainly composed of copper, chromium, or manganese has poor adhesion to a resin film, particularly a resin film such as a polyimide film. It is not preferable to form it directly on the film. It is preferable to form a metal film mainly composed of copper, chromium or manganese by interposing a metal film mainly composed of the above elements other than copper as an adhesion strengthening film (in this case, light shielding) The film that plays the role of the property is a laminated metal film of copper-based thin film / adhesion reinforcing film, and the adhesion reinforcing film is arranged on the resin film side). The film thickness of the adhesion reinforcing film may be 2 to 50 nm, and for example, a nickel-based metal film is effective. The nickel-based metal film used as the adhesion strengthening film is one or more types selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, zinc, aluminum, and silicon. An element may be contained.

また、スズやインジウム、ガリウムなどの金属材料は２５０℃以下で溶融化してしまうため、これらの元素を主成分とする金属膜は、本発明の耐熱遮光フィルムを構成する金属膜として利用することはできない。ただし、スズやインジウム、ガリウムなどの金属材料でも、他の元素を添加して、融点が３００℃以上に上げた材料であれば、本発明の耐熱遮光フィルムの金属膜として利用することができる。   In addition, since metal materials such as tin, indium, and gallium are melted at 250 ° C. or lower, the metal film containing these elements as a main component cannot be used as the metal film constituting the heat-resistant light-shielding film of the present invention. Can not. However, even a metal material such as tin, indium, and gallium can be used as the metal film of the heat-resistant light-shielding film of the present invention as long as the melting point is raised to 300 ° C. or higher by adding other elements.

また、希土類金属やアルカリ金属、アルカリ土類金属など、２００℃前後において酸素と結合して発熱をともなって反応する金属は、本発明の耐熱遮光フィルムの遮光用の金属膜として使うことはできない。   In addition, metals that react with heat generated by combining with oxygen at around 200 ° C., such as rare earth metals, alkali metals, and alkaline earth metals, cannot be used as the light-shielding metal film of the heat-resistant light-shielding film of the present invention.

また、鉛やカドミウム、水銀、ビスマスなどの人体や環境に対して著しく有害な金属材料は本発明の耐熱遮光フィルム材料の構成材料としては選択しない。   Further, metallic materials that are extremely harmful to the human body and the environment, such as lead, cadmium, mercury, and bismuth, are not selected as the constituent material of the heat-resistant light-shielding film material of the present invention.

（Ｃ）Ｎｉ系酸化物膜
また、本発明の耐熱遮光フィルムは、低反射性のＮｉ系酸化物膜を有している。樹脂フィルム基材に形成された金属膜は反射率が高いが、金属膜の上に低反射性のＮｉ系酸化物膜を積層することで、耐熱遮光フィルムの波長３８０〜７８０ｎｍにおける光反射率を減少させることができる。低反射性のＮｉ系酸化物膜は、単層でも酸素含有量や構成元素の種類及び含有量の異なる層で構成されても構わない。また、金属膜上に積層する低反射性のＮｉ系酸化物膜は、透明度の高いものでも、透明度が低くて着色したものでもよい。 (C) Ni-based oxide film The heat-resistant light-shielding film of the present invention has a low-reflective Ni-based oxide film. The metal film formed on the resin film substrate has a high reflectance, but by laminating a low-reflectivity Ni-based oxide film on the metal film, the light reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm of the heat-resistant light-shielding film can be increased. Can be reduced. The low-reflectivity Ni-based oxide film may be a single layer or may be composed of layers having different oxygen contents, types of constituent elements, and contents. Further, the low-reflectivity Ni-based oxide film laminated on the metal film may be either highly transparent or colored with low transparency.

本発明の低反射性のＮｉ系酸化物膜（Ｃ）は、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有しており、前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）は、高熱環境下での耐熱性、他耐食性に優れている。   The low-reflective Ni-based oxide film (C) of the present invention comprises nickel as a main component and is composed of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon. One or more selected elements are contained, and the Ni-based oxide film (C) is excellent in heat resistance and other corrosion resistance under a high heat environment.

具体的には、前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）は、金属成分がニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類の元素のみからなるＮｉ系酸化物であってもよいが、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた２種類以上の元素を含有した酸化物膜であってもよい。また、これらの酸化物膜と金属膜との界面には、これら２層の膜の成分の一部もしくは全てが含まれた化合物層が形成されても構わない。   Specifically, the Ni-based oxide film (C) is composed of nickel as a main component, titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon. It may be a Ni-based oxide composed of only one element selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon. It may be an oxide film containing two or more elements selected from the group. In addition, a compound layer containing a part or all of the components of these two layers may be formed at the interface between these oxide film and metal film.

上記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）は、上記組成を有しており、これらの元素は不動態を形成しやすいため耐熱性の他、耐食性にも優れている。また、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素などの元素を含む酸化物膜は、耐熱性に優れているとともに、耐摩耗性、靭性が高いことから、遮光羽根として動作する上でも利点がある。   The Ni-based oxide film (C) has the above composition, and since these elements are easy to form a passive state, they are excellent in corrosion resistance as well as heat resistance. In addition, an oxide film containing elements such as titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon has excellent heat resistance and wear resistance and toughness. Since it is high, there is an advantage in operating as a light shielding blade.

前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）には、上記の金属元素の他、炭素、窒素が含まれていても構わない。酸化物膜に炭素、窒素を含ませると屈折率を調整することができて低反射性を実現しやすくなる。また、前記酸化物膜には、遷移金属の酸化物膜や酸素欠損を多く含む金属酸化物膜のように可視域で透過率の低い（例えば単膜で透過率が１０〜６０％）酸化物材質を使用すると、低反射性を実現しやすくなるため好ましい。このようなＮｉ系酸化物膜を用いた本発明の耐熱遮光フィルムは、波長３８０〜７８０ｎｍにおいて、光反射率を２％以下、或いは１％以下や０．５％以下とすることができる。前記Ｎｉ系酸化物膜は、組成（酸素含有量、炭素含有量、窒素含有量、金属元素の含有量や種類）の異なった複数種類の酸化物膜の積層膜で構成されていても構わない。組成が異なって屈折率と消衰係数の異なった酸化物膜の積層膜を用いることで、より強い反射防止効果が発現して低反射性を実現することもでき、黒色度のより高い耐熱遮光フィルムを得ることができる。   The Ni-based oxide film (C) may contain carbon and nitrogen in addition to the above metal elements. When carbon and nitrogen are included in the oxide film, the refractive index can be adjusted and low reflectivity can be easily realized. The oxide film has a low transmittance in the visible region (for example, a single film having a transmittance of 10 to 60%) such as a transition metal oxide film or a metal oxide film containing a large amount of oxygen vacancies. Use of a material is preferable because low reflectivity is easily realized. The heat-resistant light-shielding film of the present invention using such a Ni-based oxide film can have a light reflectance of 2% or less, 1% or less, or 0.5% or less at a wavelength of 380 to 780 nm. The Ni-based oxide film may be composed of a stacked film of a plurality of types of oxide films having different compositions (oxygen content, carbon content, nitrogen content, metal element content and type). . By using an oxide film with a different composition and different refractive index and extinction coefficient, a stronger antireflection effect can be realized and low reflectivity can be realized. A film can be obtained.

上記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）の膜厚は、５〜２４０ｎｍとする。これにより可視域の反射率を低減することができる。膜厚が５ｎｍ未満であると反射率、光沢度を十分に低下できない場合があり、また、２４０ｎｍを超えると、表面抵抗が大きくなるだけでなく、経済性の面でも好ましくない。 The Ni-based oxide film (C) has a thickness of 5 to 240 nm . Thereby, the reflectance in the visible range can be reduced. If the film thickness is less than 5 nm, the reflectivity and glossiness may not be lowered sufficiently. If it exceeds 240 nm, not only the surface resistance increases, but also from the economical viewpoint.

また、前記金属膜（Ｂ）上に形成される上記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）は、反射防止効果を発揮する膜厚に設定されているとより好ましい。すなわち耐熱遮光フィルムの表面に入射する可視光は、Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）と空気との界面と、金属膜（Ｂ）とＮｉ系酸化物膜（Ｃ）の界面で反射するが、これらの反射光が大気に出たときに互いに干渉して打ち消しあうような位相差が生じるような酸化物膜の膜厚であると、著しく低反射性が実現するため好ましい。   The Ni-based oxide film (C) formed on the metal film (B) is more preferably set to a film thickness that exhibits an antireflection effect. That is, visible light incident on the surface of the heat-resistant light-shielding film is reflected at the interface between the Ni-based oxide film (C) and air and at the interface between the metal film (B) and the Ni-based oxide film (C). It is preferable that the thickness of the oxide film is such that a phase difference that causes the reflected light to interfere and cancel each other when the reflected light enters the atmosphere is realized.

また、本発明の耐熱遮光フィルムは、熱線光の照射による温度上昇をなるべく低減させるために、熱線光について高反射特性を持たせることも可能である。この場合、前記Ｎｉ系酸化物膜には、上記とは逆に、可視域の透過率がなるべく高い酸化物材質を使用して、酸化物膜内での熱線の吸収をなるべく抑制することが望ましい。上記特性とすることにより、金属膜による熱線の高反射特性を利用するのである。また、上記のように選定された酸化物膜の屈折率を加味して、該酸化物膜の膜厚を最適化し、酸化物膜／金属膜界面での近赤外域の反射光と、外界／酸化物界面での近赤外域の反射光が強め合って、高反射特性を実現させることも可能である。以上のような構成の熱線の高反射特性を持たせた耐熱遮光フィルムは、可視域での最大反射率が３〜７％と適度な反射率を示すことができる。反射率が高く７％以上であると、反射光が迷光となり悪影響を及ぼすため、７％以下が好ましい。このような構成の耐熱遮光フィルムは、黒色度は劣るが、反射光の波長バランスに応じて、赤色、紫色、青色、黄土色などを呈する。   In addition, the heat-resistant light-shielding film of the present invention can also have high reflection characteristics with respect to heat ray light in order to reduce temperature rise due to irradiation with heat ray light as much as possible. In this case, contrary to the above, it is desirable to use an oxide material having as high a transmittance in the visible region as possible for the Ni-based oxide film to suppress the absorption of heat rays in the oxide film as much as possible. . By adopting the above characteristics, the high reflection characteristic of the heat ray by the metal film is utilized. Further, in consideration of the refractive index of the oxide film selected as described above, the thickness of the oxide film is optimized, and the reflected light in the near infrared region at the oxide film / metal film interface and the external / It is also possible to realize high reflection characteristics by strengthening the reflected light in the near infrared region at the oxide interface. The heat-resistant light-shielding film having the high-reflective property of the heat ray having the above-described configuration can exhibit an appropriate reflectivity of 3 to 7% in the maximum reflectivity in the visible range. If the reflectance is high and 7% or more, the reflected light becomes stray light and has an adverse effect, so 7% or less is preferable. The heat-resistant light-shielding film having such a configuration is inferior in blackness, but exhibits red, purple, blue, ocher, etc. according to the wavelength balance of reflected light.

また、樹脂フィルムの両面に上記金属膜と上記Ｎｉ系酸化物膜を積層している本発明の耐熱遮光フィルムにおいて、それぞれの面の酸化物膜で可視域の透過率の異なる膜を用いて、黒色度と反射率が両面で異なった構成をとっても、用途によっては有効である。例えば、本発明の耐熱遮光フィルムをプロジェクタ用のランプに近い場所での羽根材として用いる場合には、ランプ光の照射されるフィルム面側は、光による加熱の回避を最重要視して、可視〜近赤外光の高反射特性を有するよう選定し、ランプ側と逆面では可視光の反射が迷光となることが嫌われるために、可視域の低反射性を有する黒色度の高い構成とすることも有効である。その場合、上述したように、ランプ側は酸素欠損が少なくて透過率の高いＮｉ系酸化物膜が用いられ、その反対側には酸素欠損が多くて可視域の透過率の低いＮｉ系酸化物膜を用いればよい。ここで、プラスチックフィルムは、一般に絶縁性のため静電気が発生しやすいが、仮に絶縁性の遮光フィルムを用いて遮光羽根として動作させた場合には、静電気が発生して、羽根同士が静電吸着する場合がある。羽根同士が吸着しないためには、遮光フィルムに導電性が必要と言える。   Moreover, in the heat-resistant light-shielding film of the present invention in which the metal film and the Ni-based oxide film are laminated on both surfaces of the resin film, using oxide films on the respective surfaces and films having different transmittances in the visible region, Even if the blackness and the reflectance are different on both sides, it may be effective depending on the application. For example, when the heat-resistant light-shielding film of the present invention is used as a blade material in a place close to a projector lamp, the film surface side irradiated with the lamp light is visible with the highest importance being placed on avoiding heating by light. ~ Selected to have high reflection characteristics of near-infrared light, and because it is hated that reflection of visible light becomes stray light on the opposite side of the lamp side, it has a high blackness configuration with low reflectivity in the visible range and It is also effective to do. In that case, as described above, a Ni-based oxide film having a low oxygen deficiency and a high transmittance is used on the lamp side, and a Ni-based oxide film having a large amount of oxygen deficiency and a low transmittance in the visible region is used on the opposite side. A film may be used. Here, plastic films are generally insulative and are likely to generate static electricity. However, if an insulating light-shielding film is used to operate as a light-shielding blade, static electricity is generated and the blades are electrostatically attracted to each other. There is a case. In order to prevent the blades from adsorbing, it can be said that the light shielding film needs to be electrically conductive.

本発明の耐熱遮光フィルムに用いる金属膜及び酸化物膜の材料は、具体的な金属膜としては、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜であり、酸化物膜としては、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の添加元素を含有するＮｉ系酸化物膜であるため、導電性を有しており、表面抵抗値が１０１３Ω／□（オーム・パー・スクエアと読む）以上である樹脂塗膜系などの遮光フィルムに比べ、表面抵抗値を１×１０４Ω／□以下と小さくすることができる。
Ｎｉ系酸化物膜において、上記元素が添加されることで、添加元素が半導体でのドーパント的な作用を有し、電気抵抗を減少することができる。最表面が酸化珪素、アルミナなどの絶縁膜で形成される遮光フィルムでは、表面抵抗値は１０４Ω／□程度が限界であるが、本発明の耐熱遮光フィルムでは表面抵抗値が７０００Ω／□以下となり、１０００Ω／□以下、好ましくは５００Ω／□以下、更には１００Ω／□以下にすることができる。 The material of the metal film and the oxide film used for the heat-resistant light-shielding film of the present invention includes titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon as specific metal films. A metal film containing one or more elements selected from the group consisting of nickel oxide as a main component, titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, Since it is a Ni-based oxide film containing one or more additive elements selected from the group consisting of zinc, aluminum, and silicon, it has conductivity and has a surface resistance of 10 13 Ω / □ (ohms) (Read as per square) The surface resistance value can be reduced to 1 × 10 4 Ω / □ or less compared to the above-mentioned light-shielding films such as resin coatings. .
By adding the above element to the Ni-based oxide film, the added element has a dopant-like effect on the semiconductor, and electric resistance can be reduced. In the light-shielding film whose outermost surface is formed of an insulating film such as silicon oxide or alumina, the surface resistance value is about 10 4 Ω / □, but in the heat-resistant light-shielding film of the present invention, the surface resistance value is 7000Ω / □ or less. Thus, it can be set to 1000Ω / □ or less, preferably 500Ω / □ or less, and further 100Ω / □ or less.

なお、本発明の耐熱遮光フィルムは、上記Ｎｉ系酸化物膜の表面に、潤滑性や低摩擦性を有する他の薄膜（例えば、フッ素含有の有機膜や、炭素膜、ダイヤモンドライクカーボン膜など）を薄く塗布して利用しても、本発明の特徴を損なわなければ構わない。   The heat-resistant light-shielding film of the present invention has another thin film having lubricity and low friction on the surface of the Ni-based oxide film (for example, a fluorine-containing organic film, a carbon film, a diamond-like carbon film, etc.). Even if it is applied thinly, it does not matter if the characteristics of the present invention are not impaired.

本発明の耐熱遮光フィルムにおいては、金属膜上の最表面に、酸素欠損を有する酸化物や遷移金属の酸化物膜などの可視域での透過率の低い酸化物膜を採用することで、積層膜の光反射が、波長３８０〜７８０ｎｍにおいて７％以下、或いは３％以下で黒色度の高い耐熱遮光フィルムを実現することができる。このような耐熱遮光フィルムは、光反射を極力抑制したい光学フィルム部材（例えばシャッター羽根など）として有用である。また、本発明の耐熱遮光フィルムにおいては、金属膜上の最表面に、可視域〜近赤外域の透過率の高い酸化物膜を採用することで、黒色度は劣るが、強いランプ光が照射されても熱線を金属膜で効果的に反射して加熱温度上昇を効果的に避けるような特徴を持たせることができる。   In the heat-resistant light-shielding film of the present invention, an oxide film having a low transmittance in the visible region, such as an oxide having oxygen vacancies or an oxide film of a transition metal, is employed on the outermost surface of the metal film, thereby being laminated. A heat-resistant light-shielding film having a high blackness can be realized when the light reflection of the film is 7% or less or 3% or less at a wavelength of 380 to 780 nm. Such a heat-resistant light-shielding film is useful as an optical film member (for example, a shutter blade) that wants to suppress light reflection as much as possible. In addition, in the heat-resistant light-shielding film of the present invention, by using an oxide film having a high transmittance in the visible region to the near infrared region on the outermost surface on the metal film, the blackness is inferior, but strong lamp light is irradiated. However, the heat ray can be effectively reflected by the metal film to effectively avoid the heating temperature rise.

（Ｄ）ガスバリア膜
通常、ポリイミドなどの樹脂フィルム基材には、酸素や水分が多く含まれる。ポリイミド中のこれらのガスは、成膜前に加熱処理等を行って除去する。しかし、十分に除去できずに、金属膜と酸化物膜を形成して製造された耐熱遮光フィルムは、２５０℃前後の高熱環境下におかれると、樹脂フィルムから酸素や水分が放出されて金属膜内の一部に酸素が進入する。酸素が進入した金属膜は光学定数が異なるため、耐熱遮光フィルムの色味の変化が生じてしまう。また、成膜前に樹脂フィルム基材のガス抜きを十分に行って製造された耐熱遮光フィルムでも、恒温恒湿試験（例えば、８５℃、９０％ＲＨ、１０００時間）の環境下に耐熱遮光フィルムを配置すると、樹脂フィルムの側面から水や酸素が進入して、金属膜の樹脂フィルム側の一部に酸素が進入して、同様の要因で色味が変わってしまう。このような色味変化を回避するため、本発明では、樹脂フィルム基材と前記金属膜の界面に、膜の緻密性が高いガスバリア膜（Ｄ）として金属酸化物膜をスパッタリング法で形成することが好ましい。 (D) Gas barrier film Usually, a resin film substrate such as polyimide contains a large amount of oxygen and moisture. These gases in the polyimide are removed by heat treatment or the like before film formation. However, a heat-resistant light-shielding film manufactured by forming a metal film and an oxide film without being sufficiently removed can release oxygen and moisture from the resin film when placed in a high heat environment of around 250 ° C. Oxygen enters part of the membrane. Since the metal film into which oxygen has entered has different optical constants, the color of the heat-resistant light-shielding film changes. In addition, even a heat-resistant light-shielding film manufactured by sufficiently degassing a resin film substrate before film formation can be used under the environment of a constant temperature and humidity test (for example, 85 ° C., 90% RH, 1000 hours). When water is placed, water or oxygen enters from the side surface of the resin film, oxygen enters a part of the metal film on the resin film side, and the color changes due to the same factors. In order to avoid such color change, in the present invention, a metal oxide film is formed as a gas barrier film (D) having a high film density at the interface between the resin film substrate and the metal film by a sputtering method. Is preferred.

ガスバリア膜（Ｄ）は、酸化物膜（Ｃ）と同じ組成のニッケル系酸化物膜の他、例えば、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、二オブ、鉄、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる１種類以上の元素を主成分とするニッケルを含まない酸化物膜も有効である。これらのガスバリア膜は、化学量論組成よりも酸素欠損を有する膜の方が、膜の緻密性が高いため、フィルムから放出されるガスの通過を、より効果的に阻止できる。   The gas barrier film (D) is made of, for example, titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, aluminum, and silicon in addition to the nickel-based oxide film having the same composition as the oxide film (C). An oxide film that does not contain nickel and contains one or more elements selected from the group as a main component is also effective. Among these gas barrier films, a film having oxygen vacancies has a higher film density than a stoichiometric composition, so that the passage of gas released from the film can be more effectively prevented.

ガスバリア膜（Ｄ）は５〜３０ｎｍ、好ましくは８〜２５ｎｍ形成されていることが望ましい。膜厚が５ｎｍ未満ではガスバリア機能が不十分であり、３０ｎｍを超えると、金属膜との密着性が低下することがあり好ましくない。ガスバリア膜（Ｄ）、及び酸化物膜（Ｃ）が同一のＮｉ系金属ターゲットから製造できる膜であると、単一のターゲットと単一のカソードを用いて耐熱遮光フィルムを製造できるため製造コストの低減につながるため好ましい。   The gas barrier film (D) is desirably formed to 5 to 30 nm, preferably 8 to 25 nm. If the film thickness is less than 5 nm, the gas barrier function is insufficient, and if it exceeds 30 nm, the adhesion to the metal film may be lowered, which is not preferable. If the gas barrier film (D) and the oxide film (C) are films that can be manufactured from the same Ni-based metal target, a heat-resistant light-shielding film can be manufactured using a single target and a single cathode, so that the manufacturing cost can be reduced. This is preferable because it leads to reduction.

２．耐熱遮光フィルムの製造方法
本発明の耐熱遮光フィルムの製造方法は、算術平均高さＲａが０．２〜０．８μｍの表面粗さを有する樹脂フィルム基材（Ａ）をスパッタリング装置に供給し、不活性ガス雰囲気下、フィルム基材温度１８０℃以上でスパッタリングして、該樹脂フィルム基材（Ａ）上に、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）を形成し、次に、不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながらスパッタリングして、前記金属膜（Ｂ）上に、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有するＮｉ系酸化物膜（Ｃ）を形成して耐熱遮光フィルムを得ることを特徴とする。 2. Manufacturing method of heat-resistant light-shielding film The manufacturing method of the heat-resistant light-shielding film of the present invention supplies a resin film substrate (A) having a surface roughness with an arithmetic average height Ra of 0.2 to 0.8 μm to a sputtering apparatus, Sputtering is performed at a film substrate temperature of 180 ° C. or higher under an inert gas atmosphere, and titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, and aluminum are formed on the resin film substrate (A). And a metal film (B) containing one or more elements selected from the group consisting of silicon, and then sputtered while introducing an oxygen gas into an inert gas atmosphere. ) On top of nickel, titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, silica One or more elements selected from the group consisting of forming the Ni-based oxide film (C) containing in; and obtaining a heat-shielding film.

前記金属膜（Ｂ）および低反射性の前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）がスパッタリング法で形成されているため、インクの塗布法や真空蒸着法と比べて膜の緻密性がよく、下地（基板や膜）との密着性が良好であるという特徴がある。この性質は、耐熱遮光フィルムを２００℃の高熱環境下で使用したときに顕著である。インクの塗布法や真空蒸着法で形成したときは、膜剥がれや、膜の酸化による色味の変化が見られるが、本発明のようにスパッタリング法で膜を形成した場合はこのような恐れがない。
前記金属膜（Ｂ）上に形成される上記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）は、反射防止効果を発揮する膜厚に設定されているとより好ましい。すなわち耐熱遮光フィルムの表面に入射する可視光は、Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）と空気との界面と、金属膜（Ｂ）とＮｉ系酸化物膜（Ｃ）の界面で反射するが、これらの反射光が大気に出たときに互いに干渉して打ち消しあうような位相差が生じるような酸化物膜の膜厚であると、著しく低反射性が実現するため好ましい。 Since the metal film (B) and the low-reflectivity Ni-based oxide film (C) are formed by a sputtering method, the film has better denseness than the ink coating method or the vacuum deposition method, and the base ( It is characterized by good adhesion to a substrate or film. This property is remarkable when the heat-resistant light-shielding film is used in a high heat environment of 200 ° C. When formed by ink coating or vacuum deposition, film peeling and color change due to oxidation of the film can be seen, but such a fear may occur when the film is formed by sputtering as in the present invention. Absent.
The Ni-based oxide film (C) formed on the metal film (B) is more preferably set to a film thickness that exhibits an antireflection effect. That is, visible light incident on the surface of the heat-resistant light-shielding film is reflected at the interface between the Ni-based oxide film (C) and air and at the interface between the metal film (B) and the Ni-based oxide film (C). It is preferable that the thickness of the oxide film is such that a phase difference that causes the reflected light to interfere and cancel each other when the reflected light enters the atmosphere is realized.

本発明の製造方法において、耐熱遮光フィルムは、上述のようにスパッタリング法で樹脂フィルム基材上に遮光性の金属膜と低反射性の酸化物膜を形成して製造される。スパッタリング法は、蒸気圧の低い材料の膜を基材上に形成する場合や精密な膜厚制御が必要となる時に有効な薄膜形成方法である。   In the production method of the present invention, the heat-resistant light-shielding film is produced by forming a light-shielding metal film and a low-reflective oxide film on a resin film substrate by sputtering as described above. The sputtering method is an effective thin film forming method when a film of a material having a low vapor pressure is formed on a substrate or when precise film thickness control is required.

一般的に、アルゴンなどのスパッタリングガス圧（約１０Ｐａ以下）のもとで、基材を陽極とし、膜の原料となるスパッタリングターゲットを陰極として、この間にグロー放電を起こさせてアルゴンプラズマを発生させ、プラズマ中のアルゴン陽イオンを陰極のスパッタリングターゲットに衝突させてスパッタリングターゲット成分の粒子を弾き飛ばし、この粒子を基材上に堆積させて成膜する方法である。 上記、スパッタリング法は、アルゴンプラズマの発生方法で分けられ、高周波プラズマを用いるものは高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流プラズマを用いるものは直流（ＤＣ）スパッタリング法である。また、マグネトロンスパッタリング法は、スパッタリングターゲットの裏側に磁石を配置し、アルゴンプラズマをスパッタリングターゲット直上に集中させ、低ガス圧でもアルゴンイオンの衝突効率を上げて成膜する方法である。   In general, under a sputtering gas pressure of argon or the like (about 10 Pa or less), a base material is used as an anode and a sputtering target as a raw material for a film is used as a cathode, and glow plasma is generated therebetween to generate argon plasma. In this method, the argon cation in the plasma is collided with the sputtering target of the cathode, the particles of the sputtering target component are blown off, and the particles are deposited on the substrate to form a film. The sputtering method is classified according to the method of generating argon plasma. A method using high frequency plasma is a high frequency (RF) sputtering method, and a method using direct current plasma is a direct current (DC) sputtering method. The magnetron sputtering method is a method in which a magnet is arranged on the back side of a sputtering target, argon plasma is concentrated directly on the sputtering target, and a film is formed by increasing the collision efficiency of argon ions even at a low gas pressure.

金属膜と酸化物膜を成膜するには、例えば、図２に示した巻き取り式スパッタリング装置を用いることができる。この装置は、ロール状の樹脂フィルム基材１が巻き出しロール４にセットされ、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプ５で真空槽６内を排気した後、巻き出しロール４から搬出されたフィルム１が途中、冷却キャンロール７の表面を通って、巻き取りロール８で巻き取られていく構成をとる。冷却キャンロール７の表面の対向側にはマグネトロンカソード９が設置され、このカソードには膜の原料となるターゲット１０が取り付けてある。なお、巻き出しロール４、冷却キャンロール７、巻き取りロール８などで構成されるフィルム搬送部は、隔壁１１でマグネトロンカソード８と隔離されている。   In order to form the metal film and the oxide film, for example, a winding type sputtering apparatus shown in FIG. 2 can be used. In this apparatus, a roll-shaped resin film substrate 1 is set on an unwinding roll 4, and after the vacuum tank 6 is evacuated by a vacuum pump 5 such as a turbo molecular pump, the film 1 unloaded from the unwinding roll 4 is removed. In the middle, the structure is such that it is taken up by the take-up roll 8 through the surface of the cooling can roll 7. A magnetron cathode 9 is installed on the opposite side of the surface of the cooling can roll 7, and a target 10 serving as a film raw material is attached to this cathode. Note that the film transport unit including the unwinding roll 4, the cooling can roll 7, the winding roll 8, and the like is separated from the magnetron cathode 8 by the partition wall 11.

ターゲットとしては、金属膜形成用ターゲットと酸化物膜形成用ターゲットとを用いる。金属膜形成用ターゲットとは、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属製ターゲットである。また金属膜中に炭素および／または窒素を含ませるために、金属膜形成用の金属製ターゲットには炭素および／または窒素を含ませてもよく、上記金属の炭化物や窒化物の金属製ターゲットを用いても構わない。     As the target, a metal film forming target and an oxide film forming target are used. The metal film forming target is a metal target containing one or more elements selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon. It is. Further, in order to include carbon and / or nitrogen in the metal film, the metal target for forming the metal film may include carbon and / or nitrogen, and the above metal carbide or nitride metal target may be used. You may use.

一方、酸化物膜形成用ターゲットとは、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属製ターゲット又は酸化物製ターゲットである。また酸化物膜中に炭素および／または窒素を含ませるために、酸化物形成用の金属製ターゲットもしくは酸化物ターゲットには炭素および／または窒素を含ませてもよく、上記金属の炭化物や窒化物の金属ターゲットを用いても構わない。   On the other hand, the target for forming an oxide film is one type selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, with nickel as the main component. It is a metal target or oxide target containing the above elements. In addition, in order to include carbon and / or nitrogen in the oxide film, the metal target or oxide target for forming the oxide may include carbon and / or nitrogen, and the above-described metal carbide or nitride. The metal target may be used.

また、本発明の耐熱遮光フィルムの製造方法において、樹脂フィルム基材（Ａ）上に形成される金属膜（Ｂ）が銅元素を含有する場合には、樹脂フィルム基材（Ａ）と上記金属膜（Ｂ）との界面に、ポリイミドなどの樹脂フィルムとの密着性に優れた、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有するＮｉ系金属膜を密着強化膜としてスパッタリング法で形成することが好ましい。金属膜形成用ターゲットと同等のターゲットを用いて、金属膜形成の場合と同じようにスパッタリング法で形成すればよい。   Moreover, in the manufacturing method of the heat-resistant light-shielding film of this invention, when the metal film (B) formed on a resin film base material (A) contains a copper element, a resin film base material (A) and said metal Mainly nickel, titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, zinc, aluminum, and silicon with excellent adhesion to a resin film such as polyimide at the interface with the film (B) It is preferable to form a Ni-based metal film containing one or more elements selected from the group consisting of the above as an adhesion strengthening film by a sputtering method. A target equivalent to the metal film forming target may be used and formed by sputtering as in the case of metal film formation.

以下、成膜方法について、具体的に説明する。
まず、ロール状の樹脂フィルム基材１を巻き出しロール４にセットし、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプ５で真空槽６内を排気する。その後、巻き出しロール４から樹脂フィルム基材１を供給し、途中、冷却キャンロール７の表面を通って、巻き取りロール８で巻き取られていくようにしながら、冷却キャンロール７とカソード間で放電させて、冷却キャンロール表面に密着搬送されている樹脂フィルム基材１に成膜する。なお、樹脂フィルム基材は、スパッタリング前に２００℃以上の温度で加熱し、乾燥しておくことが望ましい。 Hereinafter, the film forming method will be specifically described.
First, the roll-shaped resin film substrate 1 is set on the unwinding roll 4 and the inside of the vacuum chamber 6 is exhausted by a vacuum pump 5 such as a turbo molecular pump. Thereafter, the resin film substrate 1 is supplied from the unwinding roll 4, and while being taken up by the take-up roll 8 through the surface of the cooling can roll 7 on the way, between the cooling can roll 7 and the cathode. It discharges and forms into a film on the resin film base material 1 closely_contact | adhered and conveyed by the cooling can roll surface. The resin film substrate is desirably heated at a temperature of 200 ° C. or higher and dried before sputtering.

本発明の耐熱遮光フィルムにおいて、金属膜層（Ｂ）は、例えば、アルゴン雰囲気中において、上記金属膜形成用ターゲットを使用した高周波（ＲＦ）または直流（ＤＣ）マグネトロンスパッタリング法により樹脂フィルム基材（Ａ）上に成膜形成される。   In the heat-resistant light-shielding film of the present invention, the metal film layer (B) is a resin film substrate (RF) or direct current (DC) magnetron sputtering method using the metal film forming target in an argon atmosphere, for example. A) A film is formed on top.

金属膜を成膜する時の成膜時のスパッタリングガス圧は、装置の種類などによっても異なるので一概に規定できないが、１．０Ｐａ以下、例えば、０．２〜１．０Ｐａにすることが好ましい。これにより、ショット材が樹脂フィルム基材上に微量残存していても、２００℃の高熱環境下でショット材、金属膜、低反射性の酸化物膜の熱膨張差によっても膜が剥がれなくなる。成膜時のガス圧が０．２Ｐａ未満であると、ガス圧が低いためスパッタリング法でのアルゴンプラズマが不安定となり、成膜した膜の膜質が悪くなる。一方、成膜時のガス圧が１．０Ｐａを超えた場合では、金属膜の結晶粒が粗くなり、高緻密な膜質でなくなるので樹脂フィルム基材との密着力が弱くなり、膜が剥がれてしまう。   The sputtering gas pressure at the time of forming the metal film varies depending on the type of the apparatus and the like, and thus cannot be generally specified, but is preferably 1.0 Pa or less, for example, 0.2 to 1.0 Pa. . As a result, even if a small amount of shot material remains on the resin film substrate, the film does not peel off due to a difference in thermal expansion of the shot material, the metal film, and the low-reflective oxide film in a high heat environment at 200 ° C. If the gas pressure at the time of film formation is less than 0.2 Pa, the gas pressure is low, so that the argon plasma in the sputtering method becomes unstable, and the film quality of the formed film deteriorates. On the other hand, when the gas pressure at the time of film formation exceeds 1.0 Pa, the crystal grain of the metal film becomes rough and the film quality is not high, so the adhesion with the resin film substrate becomes weak and the film peels off. End up.

また、成膜時の樹脂フィルム基材温度は、少なくとも１８０℃以上、特に１８０〜２２０℃とすることが望ましい。これにより、２００℃以上の耐熱性を有するフィルムとの密着性の優れた、緻密な膜質の耐熱遮光フィルムが得られる。成膜時の樹脂フィルム基材温度が１８０℃未満では、２００℃以上での耐熱試験における金属膜と樹脂フィルムとの密着性が悪化するので好ましくない。ただし、このような耐熱性が要求されない場合には、金属膜を１８０℃未満でも成膜できる。なお、金属膜の膜厚は、成膜時のフィルムの搬送速度とターゲットへの投入電力で制御される。   Moreover, it is desirable that the resin film substrate temperature during film formation be at least 180 ° C. or higher, particularly 180 to 220 ° C. Thereby, a dense heat-resistant light-shielding film having excellent adhesion to a film having heat resistance of 200 ° C. or higher can be obtained. When the temperature of the resin film substrate during film formation is less than 180 ° C., the adhesion between the metal film and the resin film in a heat resistance test at 200 ° C. or more is not preferable. However, when such heat resistance is not required, the metal film can be formed even at a temperature lower than 180 ° C. The film thickness of the metal film is controlled by the film conveyance speed during film formation and the input power to the target.

また、成膜中には樹脂フィルム基材はプラズマから自然加熱される。スパッタリングガス圧とターゲットへの投入電力やフィルム搬送速度を調整することで、自然加熱によって成膜中の基板の温度を１８０℃以上に維持することは容易である。スパッタリングガス圧は低いほど、投入電力は高いほど、フィルム搬送速度は遅いほどプラズマからの自然加熱による加熱温度は高くなる。   In addition, the resin film substrate is naturally heated from the plasma during film formation. By adjusting the sputtering gas pressure, the input power to the target, and the film transport speed, it is easy to maintain the temperature of the substrate during film formation at 180 ° C. or higher by natural heating. The lower the sputtering gas pressure, the higher the input power, and the slower the film transport speed, the higher the heating temperature by natural heating from the plasma.

成膜中の基材の温度は、放射温度計で測定することも可能であり、また予め樹脂フィルム表面にサーモラベルを貼り付けておいて、成膜後にラベルの色の変化を見て達した温度を知ることができる。   The temperature of the substrate during film formation can be measured with a radiation thermometer, and a thermo-label was attached to the surface of the resin film in advance, and the change in label color was observed after film formation. You can know the temperature.

金属膜が成膜された後、この金属膜上に上記Ｎｉ系酸化物膜を形成する。低反射性の該酸化物層は、例えば、酸化物膜中の金属成分にあたる金属ターゲットを用いて、アルゴン及び酸素ガス雰囲気中で高周波（ＲＦ）又は直流（ＤＣ）マグネトロンスパッタリング法により形成することができる。     After the metal film is formed, the Ni-based oxide film is formed on the metal film. The low-reflective oxide layer can be formed by, for example, a radio frequency (RF) or direct current (DC) magnetron sputtering method in an argon and oxygen gas atmosphere using a metal target corresponding to a metal component in the oxide film. it can.

酸化物膜を成膜する時の成膜時のスパッタリングガス圧は、装置の種類などによっても異なるので一概に規定できないが、１．０Ｐａ以下、例えば、０．２〜１．０Ｐａにすることが好ましい。成膜時のガス圧が０．２Ｐａ未満であると、ガス圧が低いためスパッタリング法でのアルゴンプラズマが不安定となり、成膜した膜の膜質が悪くなる。また、成膜時のガス圧が１．０Ｐａを超えた場合では、酸化物膜の粒が粗くなり、高緻密な膜質でなくなるので金属膜との密着力が弱くなり、膜が剥がれてしまう。   The sputtering gas pressure at the time of depositing the oxide film varies depending on the type of apparatus and the like, and thus cannot be generally specified. However, it may be 1.0 Pa or less, for example, 0.2 to 1.0 Pa. preferable. If the gas pressure at the time of film formation is less than 0.2 Pa, the gas pressure is low, so that the argon plasma in the sputtering method becomes unstable, and the film quality of the formed film deteriorates. Further, when the gas pressure during film formation exceeds 1.0 Pa, the oxide film grains become coarse and the film quality is not high, so that the adhesion with the metal film is weakened and the film is peeled off.

スパッタリングガス中の酸素ガスの含有量は特に制限されないが、例えば、不活性ガスに対して１〜１０％、好ましくは２〜６％混合することができる。   The content of oxygen gas in the sputtering gas is not particularly limited, but for example, 1 to 10%, preferably 2 to 6% can be mixed with the inert gas.

また、成膜時の樹脂フィルム基材温度は、上記した金属膜を成膜する時と同様であり、少なくとも１８０℃以上、特に１８０〜２２０℃とすることが望ましい。これにより緻密な酸化物膜が得られる。樹脂フィルム基材温度が１８０℃未満では、緻密な酸化膜が形成できないので好ましくない。なお、酸化物膜の膜厚は、成膜時のフィルムの搬送速度とターゲットへの投入電力で制御される。   Further, the resin film substrate temperature at the time of film formation is the same as that at the time of forming the metal film described above, and is preferably at least 180 ° C. or more, particularly 180 to 220 ° C. Thereby, a dense oxide film is obtained. A resin film substrate temperature of less than 180 ° C. is not preferable because a dense oxide film cannot be formed. Note that the film thickness of the oxide film is controlled by the film conveyance speed during film formation and the input power to the target.

酸化物膜成膜中には、上記金属膜成膜時と同様に、成膜中に樹脂フィルム基材はプラズマから自然加熱される。ガス圧とターゲットへの投入電力やフィルム搬送速度を調整することで、ターゲットから基材に入射する熱電子やプラズマからの熱輻射によって成膜中のフィルム基板の表面温度を１８０℃以上に維持することは容易である。ガス圧は低いほど、投入電力は高いほど、フィルム搬送速度は遅いほどプラズマからの自然加熱による加熱効果は高くなる。成膜時のフィルムが冷却キャンに接触させている場合でも、自然加熱の影響でフィルム表面の温度は冷却キャン温度よりもはるかに高い温度となる。しかし、自然加熱によるフィルム表面の温度は冷却キャンで冷却されながら行われるため、キャンの温度にも大きく依存し、なるべく成膜時の自然加熱の効果を利用するのであれば、冷却キャンの温度を高めにして搬送速度を遅くすることが効果的である。   During the formation of the oxide film, the resin film substrate is naturally heated from the plasma during the film formation as in the case of forming the metal film. By adjusting the gas pressure, the input power to the target, and the film conveyance speed, the surface temperature of the film substrate during film formation is maintained at 180 ° C. or higher by thermionic radiation incident on the base material from the target and thermal radiation from the plasma. It is easy. The lower the gas pressure, the higher the input power, and the slower the film conveyance speed, the higher the heating effect by natural heating from the plasma. Even when the film during film formation is in contact with the cooling can, the temperature of the film surface is much higher than the cooling can temperature due to the effect of natural heating. However, since the temperature of the film surface by natural heating is performed while being cooled by a cooling can, it greatly depends on the temperature of the can, and if the effect of natural heating at the time of film formation is used as much as possible, the temperature of the cooling can should be set. It is effective to increase the speed and reduce the conveying speed.

また、冷却キャンでフィルム搬送しながらスパッタリング成膜する方法ではなく、ロール状の樹脂フィルム基材を巻き出しロールにセットし、フィルム裏面を冷却手段に保持されることなく巻き取りロールで巻き取りながら成膜する方法（フローティング法）を採用すると、自然加熱効果を有効に利用することができる。この方法では、ターゲット対向のフィルム基材は背後で冷却されず、成膜室内でフローティングの状態で成膜が行われる。この時、ターゲットやプラズマから熱がフィルムに照射されるが、成膜室は真空であるため、溜まった熱は逃げにくく、効果的に加熱される。フローティング法では、実際２７０℃以上の自然加熱効果も容易に実現可能である。   Also, it is not a method of sputtering film formation while transporting a film with a cooling can, but a roll-shaped resin film substrate is set on an unwinding roll, and the film back surface is wound on a winding roll without being held by a cooling means If a film forming method (floating method) is employed, the natural heating effect can be used effectively. In this method, the film substrate facing the target is not cooled behind, but is formed in a floating state in the film formation chamber. At this time, heat is applied to the film from the target and plasma, but since the film formation chamber is vacuum, the accumulated heat is difficult to escape and is effectively heated. In the floating method, a natural heating effect of 270 ° C. or more can be easily realized.

成膜中の基材表面の温度は、放射温度計で測定することも可能であり、また予めフィルム表面にサーモラベルを貼り付けておいて、成膜後にラベルの色の変化を見て達した温度を知ることができる。   The temperature of the substrate surface during film formation can be measured with a radiation thermometer, and a thermo label was attached to the film surface in advance, and the color change of the label was observed after film formation. You can know the temperature.

前記の通り、通常、ポリイミドなどの樹脂フィルム基材には、酸素や水分が多く含まれるので、本発明では、樹脂フィルム基材に前記金属膜を形成する前に、ガスバリア膜として金属酸化物膜をスパッタリング法で形成することが好ましい。   As described above, since a resin film substrate such as polyimide usually contains a large amount of oxygen and moisture, in the present invention, before forming the metal film on the resin film substrate, a metal oxide film is used as a gas barrier film. Is preferably formed by sputtering.

ガスバリア膜としての酸化物層は、ガスバリア膜形成用ターゲットを用いて、酸化物膜形成の場合と同じようにスパッタリング法で形成すればよい。例えば、上記したガスバリア膜形成用ターゲットを、アルゴン及び酸素ガス雰囲気中で、高周波（ＲＦ）又は直流（ＤＣ）マグネトロンスパッタリング法により形成することができる。   The oxide layer as the gas barrier film may be formed by sputtering using a gas barrier film forming target as in the case of forming the oxide film. For example, the above-described target for forming a gas barrier film can be formed by radio frequency (RF) or direct current (DC) magnetron sputtering in an argon and oxygen gas atmosphere.

該酸化物膜を成膜する時の成膜時のスパッタリングガス圧は、装置の種類などによっても異なるので一概に規定できないが、１．０Ｐａ以下、例えば、０．２〜１．０Ｐａにすることが好ましい。成膜時のガス圧が０．２Ｐａ未満であると、ガス圧が低いためスパッタリング法でのアルゴンプラズマが不安定となり、成膜した膜の膜質が悪くなる。また、成膜時のガス圧が１．０Ｐａを超えた場合では、酸化物膜の粒が粗くなり、高緻密な膜質でなくなるので金属膜との密着力が弱くなり、膜が剥がれてしまう。   The sputtering gas pressure at the time of depositing the oxide film varies depending on the type of apparatus and the like, and thus cannot be generally specified, but should be 1.0 Pa or less, for example, 0.2 to 1.0 Pa. Is preferred. If the gas pressure at the time of film formation is less than 0.2 Pa, the gas pressure is low, so that the argon plasma in the sputtering method becomes unstable, and the film quality of the formed film deteriorates. Further, when the gas pressure during film formation exceeds 1.0 Pa, the oxide film grains become coarse and the film quality is not high, so that the adhesion with the metal film is weakened and the film is peeled off.

成膜時のフィルム温度は、少なくとも１８０℃以上とすることが望ましい。これにより緻密な酸化物膜を有する耐熱遮光フィルムが得られる。酸化物膜の膜厚は、成膜時のフィルムの搬送速度とターゲットへの投入電力で制御される。これらのガスバリア膜は、５〜３０ｎｍ形成すると効果的である。   The film temperature during film formation is desirably at least 180 ° C. or higher. Thereby, a heat-resistant light-shielding film having a dense oxide film is obtained. The film thickness of the oxide film is controlled by the film conveyance speed during film formation and the input power to the target. It is effective to form these gas barrier films with a thickness of 5 to 30 nm.

スパッタリングガス中の酸素ガスの含有量は特に制限されないが、例えば、不活性ガスに対して１〜１０％、好ましくは２〜６％混合することができる。   The content of oxygen gas in the sputtering gas is not particularly limited, but for example, 1 to 10%, preferably 2 to 6% can be mixed with the inert gas.

樹脂フィルム基材（Ａ）は、必要によりガスバリア膜（Ｄ）が形成され、さらに、金属膜（Ｂ）が成膜された後、この金属膜上にＮｉ系酸化物膜（Ｃ）を形成する。前記一方の面に成膜が終了した樹脂フィルム基材（Ａ）を、裏返した状態でスパッタリング装置に供給し、同様に、スパッタリングによって同じ構成の、樹脂フィルム基材（Ａ）の表面に必要によりガスバリア膜（Ｄ）が形成され、金属膜（Ｂ）及び酸化物膜（Ｃ）を順次形成する。これにより、本発明の耐熱遮光フィルムが得られる。   The resin film substrate (A) is formed with a gas barrier film (D) if necessary, and further, after a metal film (B) is formed, a Ni-based oxide film (C) is formed on the metal film. . The resin film substrate (A) whose film has been formed on the one surface is supplied to the sputtering apparatus in an inverted state, and similarly, if necessary, the surface of the resin film substrate (A) having the same configuration is formed by sputtering. A gas barrier film (D) is formed, and a metal film (B) and an oxide film (C) are sequentially formed. Thereby, the heat-resistant light-shielding film of this invention is obtained.

ターゲットとしては、上記したように、ガスバリア膜形成用ターゲット、金属膜形成用ターゲットと酸化物膜形成用ターゲットとを用いることとなるが、前記ガスバリア膜形成用ターゲットと前記酸化物膜形成用ターゲットはそれぞれ同一のターゲットを用いて、ガス雰囲気を変えるなどして膜を形成することができる。真空槽内にターゲットを３種類配置することを行わずに済み、真空装置を簡略化できコスト低減することができる。   As described above, as described above, the gas barrier film formation target, the metal film formation target, and the oxide film formation target are used. The gas barrier film formation target and the oxide film formation target are A film can be formed by changing the gas atmosphere using the same target. It is not necessary to arrange three types of targets in the vacuum chamber, and the vacuum apparatus can be simplified and the cost can be reduced.

更に耐熱性の樹脂フィルム基材を中心に対称型の膜構造を形成できることから、成膜時の膜応力による遮光フィルムの変形を生じることもないので生産性に優れている。   Furthermore, since a symmetrical film structure can be formed around a heat-resistant resin film substrate, the light-shielding film is not deformed by the film stress during film formation, which is excellent in productivity.

これにより、基材フィルムの片面に金属膜と酸化物膜が形成された耐熱遮光フィルムを得ることができる。両面に、金属膜と酸化物膜が形成された耐熱遮光フィルムを得るには、さらに、上記スパッタリング装置に供給し、同様にして、スパッタリングによって樹脂フィルム基材の裏面に金属膜、及び酸化物膜を順次形成する。   Thereby, the heat-resistant light-shielding film in which the metal film and the oxide film were formed on one side of the base film can be obtained. In order to obtain a heat-resistant light-shielding film in which a metal film and an oxide film are formed on both sides, the metal film and the oxide film are further supplied to the sputtering apparatus and similarly on the back surface of the resin film substrate by sputtering. Are sequentially formed.

なお、金属膜と酸化物膜を成膜するのに、フィルム巻き取り式スパッタリング装置を例示し、連続的に成膜する方法について詳述したが、本発明は、これに限定されることなく、成膜時に基材フィルムの移動をさせずに行う回分式成膜方法を採用することもできる。この場合は、雰囲気ガスの切り替え、フィルム搬入・停止という操作が加わり煩雑となる。さらに、基材フィルムは、ロール状のものでなくとも、所定の大きさに切断された状態で装置内に固定してもよい。   In addition, in order to form the metal film and the oxide film, the film winding type sputtering apparatus is exemplified, and the method of continuously forming the film has been described in detail, but the present invention is not limited to this, A batch-type film formation method that does not move the base film during film formation can also be employed. In this case, operations such as switching of the atmospheric gas and loading / stopping of the film are added and complicated. Further, the base film may be fixed in the apparatus in a state of being cut into a predetermined size, even if it is not a roll-shaped film.

３．耐熱遮光フィルムの用途
本発明の耐熱遮光フィルムは、デジタルカメラの絞りやシャッター装置の羽根、デジタルビデオカメラの絞りや光量調整用絞り装置（オートアイリスとも呼ばれる）の絞り羽根や、液晶プロジェクタの絞りや光量調整用絞り装置の絞り羽根として用いることができる。特に、耐熱性が要求されるプロジェクタ用途の絞りや光量調整用絞り装置（オートアイリス）の絞り羽根材として有用である。 3. Applications of heat-resistant light-shielding film The heat-resistant light-shielding film of the present invention is a diaphragm of a digital camera, blades of a shutter device, a diaphragm of a digital video camera, a diaphragm blade of a diaphragm device for light intensity adjustment (also called auto iris), a diaphragm of a liquid crystal projector It can be used as a diaphragm blade of an adjusting diaphragm device. In particular, it is useful as a diaphragm blade material of a diaphragm for projector use that requires heat resistance and a diaphragm device for adjusting light quantity (auto iris).

耐熱遮光フィルムを絞りや光量調整用絞り装置（オートアイリス）の絞り羽根材とするには、端面クラックが生じない打ち抜き加工をすればよい。 絞りには、予め絞り開口径を規定した孔を設けた１枚の耐熱遮光板とし、この耐熱遮光板を投影光路に出入り自在に設けた機構のものとして用いることができる。   In order to use the heat-resistant light-shielding film as a diaphragm or a diaphragm blade material of a diaphragm device for adjusting light quantity (auto iris), punching processing that does not cause end face cracks may be performed. The diaphragm may be a single heat-resistant light-shielding plate provided with a hole whose aperture diameter is defined in advance, and this heat-resistant light-shielding plate can be used as a mechanism provided so as to freely enter and exit the projection optical path.

また、光量調整用絞り装置（オートアイリス）の絞り羽根には、複数の絞り羽根として用い、それらの絞り羽根を可動させ、絞り開口径を可変して光量の調整が可能となる機構のものとして用いることができる。   In addition, the diaphragm blades of the diaphragm device for light quantity adjustment (auto iris) are used as a plurality of diaphragm blades, and are used as a mechanism capable of adjusting the light amount by moving the diaphragm blades and changing the aperture diameter of the diaphragm. be able to.

図３は、打ち抜き加工を施した耐熱遮光羽根１２を搭載した光量調整用絞り装置の絞り機構を示す模式的な図である。耐熱遮光羽根１２には、ガイド孔１３、駆動モーターと係合するガイドピン１４と遮光羽根の稼働位置を制御するピン１５を設けた基板１６に取り付けるための孔１７を設けている。また、基板１６の中央にはランプ光が通過する開口部１８があるが、絞り装置の構造により遮光羽根は、さまざまな形状であってもよい。本発明の耐熱遮光フィルムは、樹脂フィルムを基材としているので、軽量化でき、遮光羽根を駆動する駆動部材の小型化と消費電力の低減が可能となる。   FIG. 3 is a schematic diagram showing a diaphragm mechanism of a light quantity adjusting diaphragm device equipped with a heat-resistant light-shielding blade 12 subjected to punching. The heat-resistant light-shielding blade 12 is provided with a guide hole 13, a guide pin 14 that engages with a drive motor, and a hole 17 that is attached to a substrate 16 provided with a pin 15 that controls the operating position of the light-shielding blade. In addition, although there is an opening 18 through which the lamp light passes in the center of the substrate 16, the light shielding blade may have various shapes depending on the structure of the diaphragm device. Since the heat-resistant light-shielding film of the present invention uses a resin film as a base material, the weight can be reduced, and the drive member that drives the light-shielding blade can be downsized and the power consumption can be reduced.

次に、本発明について、実施例、比較例を用いて具体的に説明する。なお、得られた耐熱遮光フィルムの評価は以下の方法で行った。
（光学濃度、反射率）
分光光度計を使用し、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの可視光域の遮光性と反射率を測定した。遮光性は、分光光度計で測定される透過率（Ｔ）を用いて次式により換算した。 Next, the present invention will be specifically described using examples and comparative examples. In addition, evaluation of the obtained heat-resistant light-shielding film was performed by the following method.
(Optical density, reflectance)
Using a spectrophotometer, the light-shielding property and reflectance in the visible light region with a wavelength of 380 nm to 780 nm were measured. The light shielding property was converted by the following equation using the transmittance (T) measured with a spectrophotometer.

光学濃度＝Ｌｏｇ（１／Ｔ）
シャッター装置や光量調整用絞り装置の絞り羽根では光学濃度は４以上、最大反射率は５％以下であることが必要である。
（表面光沢度）
表面光沢度は、光沢度計を用いてＪＩＳ Ｚ８７４１に基づき測定した。表面光沢度は、３％未満であれば光沢性が良好である。
（摩擦係数）
静摩擦係数及び動摩擦係数は、ＪＩＳ Ｄ１８９４に基づき測定した。静摩擦係数及び動摩擦係数が０．３以下の場合は良好（○）とし、０．３を超えるものは不十分（×）とした。
（表面粗さ）
得られた耐熱遮光フィルムの算術平均高さＲａを表面粗さ計で測定した。
（耐熱性）
得られた耐熱遮光フィルムの耐熱特性を以下の手順で評価した。２２０℃に加熱セットしたオーブン（アドバンテック社製）に、作製した耐熱遮光フィルムを２４時間放置した後、取り出した。評価は、反りや膜の変色が無い場合は良好（○）とし、反りもしくは膜の変色がある場合は不十分（×）とした。
（密着性）
耐熱試験後の膜の密着性をＪＩＳ Ｃ００２１に基づき評価した。評価は膜剥がれがない場合は良好（○）とし、膜剥がれがあるものは不十分（×）とした。
（導電性）
得られた耐熱遮光フィルムの表面抵抗値をＪＩＳ Ｋ６９１１に基づき測定した。 Optical density = Log (1 / T)
In the diaphragm blades of the shutter device and the light amount adjusting diaphragm device, it is necessary that the optical density is 4 or more and the maximum reflectance is 5% or less.
(Surface gloss)
The surface glossiness was measured based on JIS Z8741 using a gloss meter. If the surface glossiness is less than 3%, the glossiness is good.
(Coefficient of friction)
The static friction coefficient and the dynamic friction coefficient were measured based on JIS D1894. When the static friction coefficient and the dynamic friction coefficient were 0.3 or less, it was judged as good (◯), and those exceeding 0.3 were judged as insufficient (x).
(Surface roughness)
The arithmetic average height Ra of the obtained heat-resistant light-shielding film was measured with a surface roughness meter.
(Heat-resistant)
The heat resistance characteristics of the obtained heat-resistant light-shielding film were evaluated by the following procedure. The produced heat-resistant light-shielding film was allowed to stand for 24 hours in an oven (Advantech) heated at 220 ° C. and then taken out. The evaluation was good (◯) when there was no warpage or film discoloration, and was insufficient (×) when there was warpage or film discoloration.
(Adhesion)
The adhesion of the film after the heat test was evaluated based on JIS C0021. The evaluation was good (◯) when there was no film peeling, and insufficient (×) when there was film peeling.
(Conductivity)
The surface resistance value of the obtained heat-resistant light-shielding film was measured based on JIS K6911.

（実施例１）
図２に示した巻き取り式スパッタリング装置を用いて遮光性の金属膜と低反射性の酸化物膜の成膜を行った。まず、冷却キャンロール７の表面の対向側にマグネトロンカソード９が設置された装置のカソードに膜の原料となるターゲット１０を取り付けた。巻き出しロール４、冷却キャンロール７、巻き取りロール８などで構成されるフィルム搬送部は、隔壁１１でマグネトロンカソード９と隔離されている。次に、ロール状の樹脂フィルム基材１を巻き出しロール４にセットした。 Example 1
A light-shielding metal film and a low-reflective oxide film were formed using the winding type sputtering apparatus shown in FIG. First, a target 10 as a film raw material was attached to the cathode of an apparatus in which a magnetron cathode 9 was installed on the opposite side of the surface of the cooling can roll 7. A film transport unit configured by the unwinding roll 4, the cooling can roll 7, the winding roll 8, and the like is separated from the magnetron cathode 9 by a partition wall 11. Next, the roll-shaped resin film substrate 1 was set on the unwinding roll 4.

ポリイミド（ＰＩ）フィルムは、厚さ７５μｍであり、フィルムの表面は、所定の吐出時間、吐出圧力、搬送速度でサンドブラスト加工してあり、両面とも算術平均高さがＲａ０．５μｍの微細な凹凸が形成されている。該ポリイミド（ＰＩ）フィルムをスパッタリング前に２００℃以上の温度で加熱し、乾燥している。   The polyimide (PI) film has a thickness of 75 μm, and the surface of the film is sandblasted at a predetermined discharge time, discharge pressure, and conveyance speed, and has fine irregularities with an arithmetic average height of Ra 0.5 μm on both sides. Is formed. The polyimide (PI) film is heated and dried at a temperature of 200 ° C. or higher before sputtering.

次に、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプ５で真空槽６内を排気した後、冷却キャンロール７とカソード間で放電させて、樹脂フィルム基材１を冷却キャンロール表面に密着搬送しながら成膜を行った。   Next, after the inside of the vacuum chamber 6 is evacuated by a vacuum pump 5 such as a turbo molecular pump, the film is discharged between the cooling can roll 7 and the cathode, and the resin film substrate 1 is transported in close contact with the surface of the cooling can roll. Went.

まず、Ｔｉターゲットをカソードに設置し、このカソードから直流スパッタリング法で金属膜を成膜した。金属膜はスパッタリングガスに純アルゴンガス（純度９９．９９９％）を用いて成膜を行った。成膜時のスパッタガス圧は、０．４〜１．０Ｐａにて実施した。成膜時のフィルムの搬送速度とターゲットへの投入電力を制御することで金属膜の膜厚を制御した。巻き出しロール４から搬出された樹脂フィルム基材１は、途中、冷却キャンロール７の表面を通って、巻き取りロール８で巻き取った。   First, a Ti target was set on the cathode, and a metal film was formed from the cathode by a direct current sputtering method. The metal film was formed using a pure argon gas (purity 99.999%) as a sputtering gas. The sputtering gas pressure during film formation was 0.4 to 1.0 Pa. The film thickness of the metal film was controlled by controlling the film conveyance speed and the input power to the target during film formation. The resin film substrate 1 unloaded from the unwinding roll 4 was taken up by the winding roll 8 through the surface of the cooling can roll 7 on the way.

次に、Ｎｉ−Ｔｉターゲットをカソードに設置し、金属膜が形成された上記ロールをセットし、装置に供給し、このカソードから直流スパッタリング法で金属膜上に低反射金属酸化物膜を成膜した。低反射性の酸化物膜はスパッタリングガスに酸素ガスを２〜６％混合したアルゴンガスを用いて成膜を行った。成膜時のスパッタガス圧は、０．４〜１．０Ｐａにて実施した。成膜時のフィルムの搬送速度とターゲットへの投入電力を制御することで酸化物膜の膜厚を制御した。巻き出しロール４から搬出されたフィルム１は、途中、冷却キャンロール７の表面を通って、巻き取りロール８で巻き取った。 こうしてポリイミド（ＰＩ）フィルムの両面に、膜厚１００ｎｍの金属膜と膜厚５０ｎｍの酸化物膜を順に、スパッタリング成膜し、さらにフィルムの裏面側も同様の成膜を実施して、ポリイミド（ＰＩ）フィルム基材を中心に対称構造の耐熱遮光フィルムを作製した。   Next, a Ni-Ti target is set on the cathode, the roll on which the metal film is formed is set, and the roll is supplied to the apparatus, and a low-reflection metal oxide film is formed on the metal film from the cathode by DC sputtering. did. The low-reflective oxide film was formed using argon gas in which 2 to 6% of oxygen gas was mixed with sputtering gas. The sputtering gas pressure during film formation was 0.4 to 1.0 Pa. The film thickness of the oxide film was controlled by controlling the film conveyance speed during film formation and the input power to the target. The film 1 unloaded from the unwinding roll 4 passed through the surface of the cooling can roll 7 and was wound up by the winding roll 8 on the way. In this way, a metal film having a thickness of 100 nm and an oxide film having a thickness of 50 nm were sequentially formed on both sides of the polyimide (PI) film, and the same film was formed on the back side of the film. ) A heat-resistant light-shielding film having a symmetrical structure with a film substrate as the center was produced.

スパッタリング時のフィルムの表面温度を赤外線放射温度計で、巻き取り式スパッタリング装置の石英ガラスののぞき窓から測定すると１８０〜２２０℃の温度であった。また、成膜前に予めフィルム表面に貼り付けてあったサーモラベル（アイビー技研製、型番：１０１−８−１７６）を用いて成膜中の最高加熱温度をチェックしても同様の結果であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured with an infrared radiation thermometer from the observation window of the quartz glass of the winding type sputtering apparatus, the temperature was 180 to 220 ° C. The same result was obtained even when the maximum heating temperature during film formation was checked using a thermolabel (manufactured by Ivy Giken, model number: 101-8-176) that had been attached to the film surface before film formation. It was.

得られた金属膜の組成は、ＩＣＰ発光分析およびＥＰＭＡ定量分析から、ターゲット組成とほぼ同じであることを確認した。また、低反射性の酸化物膜として、ターゲット金属の酸化物膜が得られていることを確認した。また金属膜、酸化物膜の膜厚は、断面ＴＥＭ観察から測定し、所定の膜厚になっていることを確認した。   The composition of the obtained metal film was confirmed to be almost the same as the target composition from ICP emission analysis and EPMA quantitative analysis. Moreover, it confirmed that the oxide film of the target metal was obtained as a low reflective oxide film. Moreover, the film thickness of the metal film and the oxide film was measured from cross-sectional TEM observation, and it was confirmed that the film thickness was a predetermined film thickness.

次に、作製した耐熱遮光フィルムを前記方法で評価した。
光学濃度は４以上、最大反射率は１％以下であった。光沢度は、２％以下となり光沢性は良好であった。静摩擦係数及び動摩擦係数は、０．３以下となり、良好であった。また、表面抵抗値は、４００Ω／□であり、表面の算術平均高さは、０．４μｍであった。加熱後の耐熱遮光フィルムには、反りは発生せず、変色もなかった。また、膜剥がれはなく、良好であった。また、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−４に基づいて引っかき硬度試験（鉛筆法）を行ったところ、十分な硬度レベルのＨ以上であった。遮光性、反射特性、光沢度、摩擦係数も加熱前と変化なかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表１にまとめた。 Next, the produced heat-resistant light-shielding film was evaluated by the above method.
The optical density was 4 or more, and the maximum reflectance was 1% or less. The glossiness was 2% or less, and the glossiness was good. The static friction coefficient and the dynamic friction coefficient were 0.3 or less, which was favorable. The surface resistance value was 400Ω / □, and the arithmetic average height of the surface was 0.4 μm. The heat-resistant light-shielding film after heating did not warp and did not discolor. Moreover, there was no film peeling and it was favorable. Moreover, when the scratch hardness test (pencil method) was performed based on JIS K5600-5-4, it was H or more of sufficient hardness level. The light-shielding properties, reflection properties, glossiness, and friction coefficient were unchanged from those before heating. The construction and characteristics of the heat-resistant light-shielding film thus produced are summarized in Table 1.

得られた耐熱遮光フィルムは、光学濃度、反射率、表面光沢度、耐熱性、摩擦係数、導電性のすべてについて良好であり、得られた評価結果によれば、実施例１の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができることがわかる。   The obtained heat-resistant light-shielding film is good in all of the optical density, reflectance, surface glossiness, heat resistance, friction coefficient, and conductivity. According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 1 is It can be seen that it can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２）
金属膜の膜厚のみを５０ｎｍに変えた以外は実施例１と全く同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。 作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等であった。 (Example 2)
A heat-resistant light-shielding film was produced under exactly the same conditions as in Example 1 except that only the thickness of the metal film was changed to 50 nm. Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same as in Example 1.

光学濃度、反射率、光沢度などの特性は実施例１と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は、４００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは、０．４μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表１にまとめた。
得られた評価結果より、実施例２の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。 The same characteristics as in Example 1 were obtained, such as optical density, reflectance, and glossiness. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 400Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm. Moreover, even in the adhesion evaluation of the film after the heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that the film had heat resistance characteristics equivalent to those of Example 1 without warping or film peeling. The construction and characteristics of the heat-resistant light-shielding film thus produced are summarized in Table 1.
From the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 2 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３）
金属膜の膜厚のみを２５０ｎｍに変えた以外は実施例１と全く同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 3)
A heat-resistant light-shielding film was produced under exactly the same conditions as in Example 1 except that only the thickness of the metal film was changed to 250 nm.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等であった。   Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same as in Example 1.

光学濃度、反射率、光沢度などの特性は実施例１と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は、３００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは、０．３μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表１にまとめた。   The same characteristics as in Example 1 were obtained, such as optical density, reflectance, and glossiness. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 300Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.3 μm. Moreover, even in the adhesion evaluation of the film after the heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that the film had heat resistance characteristics equivalent to those of Example 1 without warping or film peeling. The construction and characteristics of the heat-resistant light-shielding film thus produced are summarized in Table 1.

得られた評価結果より、実施例３の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   From the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 3 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例４）
ポリイミドフィルムのサンドブラストによる表面加工の条件のみを変えて、算術平均高さＲａが０．２μｍのポリイミドフィルムを使った以外は実施例１と全く同じ条件で、同じ膜構成の耐熱遮光フィルムを作製した。 Example 4
A heat-resistant light-shielding film having the same film configuration was produced under exactly the same conditions as in Example 1 except that the polyimide film having an arithmetic average height Ra of 0.2 μm was used except that the surface processing conditions of the polyimide film by sandblasting were changed. .

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1. Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1.

光学濃度、反射率、光沢度などの特性は実施例１と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は、５００Ω／□で、表面の算術平均高さＲａは、０．１μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表１にまとめた。   The same characteristics as in Example 1 were obtained, such as optical density, reflectance, and glossiness. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 500Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.1 μm. Moreover, even in the adhesion evaluation of the film after the heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that the film had heat resistance characteristics equivalent to those of Example 1 without warping or film peeling. The construction and characteristics of the heat-resistant light-shielding film thus produced are summarized in Table 1.

得られた評価結果より、実施例４の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   From the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 4 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例５）
ポリイミドフィルムのサンドブラストによる表面加工の条件のみを変えて、算術平均高さＲａが０．８μｍのポリイミドフィルムを使った以外は実施例１と全く同じ条件で、同じ膜構成の耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 5)
A heat-resistant light-shielding film having the same film configuration was produced under exactly the same conditions as in Example 1 except that a polyimide film having an arithmetic average height Ra of 0.8 μm was used except that the surface processing conditions of the polyimide film by sandblasting were changed. .

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。光学濃度、反射率、光沢度などの特性は実施例１と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は、５００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．７μｍであることを確認した。     Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. The same characteristics as in Example 1 were obtained, such as optical density, reflectance, and glossiness. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 500Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.7 μm.

また、２２０℃で２４時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表１にまとめた。   Moreover, even in the adhesion evaluation of the film after the heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that the film had heat resistance characteristics equivalent to those of Example 1 without warping or film peeling. The construction and characteristics of the heat-resistant light-shielding film thus produced are summarized in Table 1.

得られた評価結果より、実施例５の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   From the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 5 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例６）
フィルムの両面でなく片面にのみサンドブラスト処理を行って金属遮光膜と低反射金属酸化物膜を成膜した以外は実施例１と全く同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 6)
A heat-resistant light-shielding film was produced under exactly the same conditions as in Example 1 except that the metal light-shielding film and the low-reflection metal oxide film were formed by sandblasting only on one side, not both sides of the film.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。その結果、光学濃度、反射率、光沢度などの特性は実施例１と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は、５００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは、０．４μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間加熱試験後の膜の密着性評価を行ったが、膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。反りについては、加熱試験によって、若干生じており、５ｃｍ角に形状加工したサンプルを平坦な面に置いて、最大２ｍｍの反りが生じていた。これは片面にのみ成膜したことによって生じた膜応力による影響であるが、この程度の反りであれば、絞りとして利用する際、支持基材に複数箇所、接着固定することで使用することができる。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表１にまとめた。   Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. As a result, the same optical density, reflectance, and glossiness as those of Example 1 were obtained. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 500Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm. Moreover, although the adhesive evaluation of the film | membrane after a 24-hour heating test was performed at 220 degreeC, it turned out that there is no film | membrane peeling and it has the heat resistance characteristic equivalent to Example 1. FIG. The warp was slightly caused by the heating test, and a warp of 2 mm at the maximum occurred when a sample processed into a 5 cm square was placed on a flat surface. This is the effect of film stress caused by film formation on only one side, but if this degree of warping, it can be used by adhering and fixing multiple places to the support substrate when used as a diaphragm. it can. The construction and characteristics of the heat-resistant light-shielding film thus produced are summarized in Table 1.

得られた評価結果より、実施例６の遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   From the obtained evaluation results, the light-shielding film of Example 6 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

得られた耐熱遮光フィルムは、非成膜面側に粘着材を塗布しておけば、鏡筒などの低反射性・低光沢性が要求される光学部材の壁面に貼って、低反射・低光沢面を形成することができる。   If the obtained heat-resistant light-shielding film is coated with an adhesive on the non-film-forming surface side, it can be applied to the wall surface of optical members that require low reflectivity and low gloss, such as a lens barrel, to achieve low reflectivity and low A glossy surface can be formed.

（実施例７）
Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を５ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様の要領で、遮光性のチタン膜と低反射性のＮｉ−Ｔｉ酸化物膜を両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 7)
Except that the thickness of the Ni—Ti oxide film was changed to 5 nm, a heat-shielding titanium film and a low-reflecting Ni—Ti oxide film were formed on both sides in the same manner as in Example 1, and heat resistance was achieved. A light shielding film was prepared.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、４００Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 4% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 400Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果より、実施例７の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   From the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 7 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例８）
Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を２４０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 8)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the Ni—Ti oxide film was changed to 240 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率５％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、４００Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 5% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 400Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果より、実施例８の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   From the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 8 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例９）
低反射性の金属酸化物膜を、Ｎｉ−Ｗターゲットを用いて成膜した以外は、実施例１と同様の要領で、フィルムの両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。 Example 9
A heat-resistant light-shielding film was produced by forming a film on both surfaces of the film in the same manner as in Example 1 except that a low-reflective metal oxide film was formed using a Ni-W target.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率１％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、５００Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light-shielding film was evaluated in the same manner as in Example 1, it was found that a light-shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 1% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 500Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果より、実施例９の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   From the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 9 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例１０）
Ｎｉ−Ｗ酸化物膜の膜厚を５ｎｍに変えた以外は、実施例９と同様の要領で、遮光性のチタン膜と低反射性のＮｉ−Ｗ酸化物膜を両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 10)
Except for changing the thickness of the Ni—W oxide film to 5 nm, a heat-resistant titanium film and a low-reflective Ni—W oxide film were formed on both sides in the same manner as in Example 9, and heat resistance was achieved. A light shielding film was prepared.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度２％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また、表面抵抗値は、４００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間の加熱試験後に膜の密着性を評価したが、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。   When the evaluation (optical properties, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was evaluated by the same method and conditions as in Example 1, the optical density was 4 or more, the maximum reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm was 4%, and the gloss was 2% or less. It was found that a light-shielding film was obtained. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 400Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm. Moreover, although the adhesiveness of the film was evaluated after a heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that there was no warpage or film peeling and the heat resistance was equivalent to that of Example 1.

得られた評価結果より、実施例１０の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   From the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 10 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例１１）
Ｎｉ−Ｗ酸化物膜の膜厚を２４０ｎｍに変えた以外は実施例９と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 11)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 9 except that the thickness of the Ni—W oxide film was changed to 240 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率５％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また、実施例１と同条件の場合は、表面抵抗値は、４００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間の加熱試験後に膜の密着性を評価したが、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。   When evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1, the optical density was 4 or more, the maximum reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm was 5%, and the glossiness was 3% or less. It was found that a light-shielding film was obtained. Moreover, in the case of the same conditions as Example 1, it was confirmed that the surface resistance value was 400Ω / □ and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm. Moreover, although the adhesiveness of the film was evaluated after a heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that there was no warpage or film peeling and the heat resistance was equivalent to that of Example 1.

得られた評価結果より、実施例１１の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   From the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 11 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例１２）
低反射性の金属酸化物膜を、Ｎｉ−Ｔａターゲットを用いて成膜した以外は、実施例１と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを試作した。 (Example 12)
A heat-resistant light-shielding film was prototyped in the same manner as in Example 1 except that a low-reflective metal oxide film was formed using a Ni-Ta target.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率３％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また、実施例１と同条件の場合は、表面抵抗値は、５００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．３μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間の加熱試験後に膜の密着性を評価したが、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。   When the evaluation (optical characteristics and heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1, the optical density was 4 or more, the maximum reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm was 3%, and the glossiness was 3% or less. It was found that a light-shielding film was obtained. Moreover, in the case of the same conditions as Example 1, it was confirmed that the surface resistance value was 500Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.3 μm. Moreover, although the adhesiveness of the film was evaluated after a heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that there was no warpage or film peeling and the heat resistance was equivalent to that of Example 1.

得られた評価結果より、実施例１２の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   From the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 12 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例１３）
Ｎｉ−Ｔａ酸化物膜の膜厚を５ｎｍに変えた以外は、実施例１２と同様の要領で、遮光性のチタン膜と低反射性のＮｉ−Ｔａ酸化物膜を両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。フィルムの種類及びフィルムのマット処理条件は実施例１と同じである。 (Example 13)
Except that the thickness of the Ni-Ta oxide film was changed to 5 nm, a heat-shielding titanium film and a low-reflective Ni-Ta oxide film were formed on both sides in the same manner as in Example 12, and heat resistance was achieved. A light shielding film was prepared. The type of film and the matting conditions of the film are the same as in Example 1.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率３％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、３００Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．３μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated in the same manner as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 3% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 300Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.3 μm.

得られた評価結果よれば、実施例１３の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 13 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例１４）
Ｎｉ−Ｔａ酸化物膜の膜厚を２４０ｎｍに変えた以外は実施例１２と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 14)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 12 except that the thickness of the Ni—Ta oxide film was changed to 240 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、６００Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 4% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 600Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例１４の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 14 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例１５）
遮光性の金属膜を、Ｗターゲットを用いて作製した以外は、実施１と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 15)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 1 except that a light-shielding metal film was produced using a W target.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率３％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、３００Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated in the same manner as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 3% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 300Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例１５の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 15 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例１６）
遮光性の金属膜の膜厚を５０ｎｍに変えた以外は、実施例１５と同様の要領で、遮光性のタンブステン膜と低反射性のＮｉ−Ｔｉ酸化物膜を両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。フィルムの種類及びフィルムのマット処理条件は実施例１と同じである。膜厚については表１に示した。 (Example 16)
Except for changing the film thickness of the light-shielding metal film to 50 nm, a light-shielding tambusten film and a low-reflective Ni—Ti oxide film were formed on both sides in the same manner as in Example 15, and heat-resistant light-shielding A film was prepared. The type of film and the matting conditions of the film are the same as in Example 1. The film thickness is shown in Table 1.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。その結果、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率３％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また、実施例１と同条件の場合は、表面抵抗値は、３００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間の加熱試験後に膜の密着性を評価したが、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。   Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. As a result, it was found that a light-shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 3% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. Moreover, in the case of the same conditions as Example 1, it was confirmed that the surface resistance value was 300Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm. Moreover, although the adhesiveness of the film was evaluated after a heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that there was no warpage or film peeling and the heat resistance was equivalent to that of Example 1.

得られた評価結果によれば、実施例１６の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 16 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例１７）
遮光性の金属膜の膜厚を２５０ｎｍに変えた以外は実施例１５と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 17)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 15 except that the thickness of the light-shielding metal film was changed to 250 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。その結果、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率３％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また、実施例１と同条件の場合は、表面抵抗値は、３００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間の加熱試験後に膜の密着性を評価したが、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。   Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. As a result, it was found that a light-shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 3% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. Moreover, in the case of the same conditions as Example 1, it was confirmed that the surface resistance value was 300Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm. Moreover, although the adhesiveness of the film was evaluated after a heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that there was no warpage or film peeling and the heat resistance was equivalent to that of Example 1.

得られた評価結果によれば、実施例１７の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 17 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例１８）
Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を５ｎｍに変えた以外は実施例１５と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 18)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 15 except that the thickness of the Ni—Ti oxide film was changed to 5 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。その結果、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率３％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また、実施例１と同条件の場合は、表面抵抗値は、２００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間の加熱試験後に膜の密着性を評価したが、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。   Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. As a result, it was found that a light-shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 3% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. Further, in the case of the same conditions as in Example 1, it was confirmed that the surface resistance value was 200Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm. Moreover, although the adhesiveness of the film was evaluated after a heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that there was no warpage or film peeling and the heat resistance was equivalent to that of Example 1.

得られた評価結果によれば、実施例１８の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 18 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例１９）
Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を２４０ｎｍに変えた以外は、実施例１５と同様の要領で、遮光性のタングステン膜と低反射性のＮｉ−Ｔｉ酸化膜を両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。フィルムの種類及びフィルムのマット処理条件は実施例１と同じである。膜厚については表１に示した。 (Example 19)
Except for changing the thickness of the Ni—Ti oxide film to 240 nm, a heat-shielding light-shielding tungsten film and a low-reflective Ni—Ti oxide film were formed on both sides in the same manner as in Example 15, and heat-resistant light-shielding. A film was prepared. The type of film and the matting conditions of the film are the same as in Example 1. The film thickness is shown in Table 1.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率３％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、４００Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。
得られた評価結果によれば、実施例１９の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。 When the obtained light shielding film was evaluated in the same manner as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 3% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 400Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.
According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 19 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２０）
遮光性の金属膜をＡｌターゲットを用いて、低反射性のＮｉ系酸化物膜をＮｉ−Ｔｉ酸化物膜を用いて、Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を５ｎｍに変えた以外は実施例１と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 20)
Example except that the light-shielding metal film is made of an Al target, the low-reflective Ni-based oxide film is made of a Ni-Ti oxide film, and the thickness of the Ni-Ti oxide film is changed to 5 nm. In the same manner as in 1, a heat-resistant light-shielding film was produced.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率５％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、６００Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 5% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 600Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例２０の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 20 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２１）
Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を５０ｎｍに変えた以外は実施例２０と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 21)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 20 except that the thickness of the Ni—Ti oxide film was changed to 50 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率２％、光沢度２％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、２×１０3Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．３μｍであることを確認した。 When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 2% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 2% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 2 × 10 3 Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.3 μm.

得られた評価結果によれば、実施例２１の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 21 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２２）
Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を２４０ｎｍに変えた以外は実施例２０と同様の要領で、遮光性のＡｌ膜と低反射性のＮｉ−Ｔｉ酸化物膜を両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。フィルムの種類及びフィルムのマット処理条件は実施例１と同じである。膜厚については表１に示した。 (Example 22)
Except that the thickness of the Ni—Ti oxide film was changed to 240 nm, a light-shielding Al film and a low-reflective Ni—Ti oxide film were formed on both surfaces in the same manner as in Example 20, and heat-resistant light-shielding A film was prepared. The type of film and the matting conditions of the film are the same as in Example 1. The film thickness is shown in Table 1.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率２％、光沢度２％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、２×１０3Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．３μｍであることを確認した。 When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 2% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 2% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 2 × 10 3 Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.3 μm.

得られた評価結果によれば、実施例２２の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 22 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２３）
遮光性の金属膜を、Ｃｕターゲットを用いて作製した以外は実施例２０と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。なお、ポリイミドフィルムと金属膜の密着性を上げるために、密着強化膜として、Ｎｉ−Ｔｉターゲットを用いて、アルゴン雰囲気下でフィルム上にＮｉ−Ｔｉ膜２０ｎｍ形成した。 (Example 23)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 20 except that a light-shielding metal film was produced using a Cu target. In addition, in order to raise the adhesiveness of a polyimide film and a metal film, 20 nm of Ni-Ti films | membranes were formed on the film in argon atmosphere using the Ni-Ti target as an adhesion reinforcement film | membrane.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、１００Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．３μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 4% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 100Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.3 μm.

得られた評価結果によれば、実施例２３の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 23 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２４）
Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を５０ｎｍに変えた以外は実施例２３と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 24)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 23 except that the thickness of the Ni—Ti oxide film was changed to 50 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度２％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、１５０Ω／□以下であり、表面の算術平均高さＲａは０．３μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated in the same manner as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 4% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 2% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 150Ω / □ or less, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.3 μm.

得られた評価結果によれば、実施例２４の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 24 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２５）
Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を２４０ｎｍに変えた以外は実施例２３と同様の要領で、遮光性のＣｕ膜と低反射性のＮｉ−Ｔｉ酸化物膜を両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。 実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。 (Example 25)
Except that the thickness of the Ni—Ti oxide film was changed to 240 nm, a light-shielding Cu film and a low-reflective Ni—Ti oxide film were formed on both sides in the same manner as in Example 23, and heat-resistant light-shielding A film was prepared. When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

その結果、得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また、表面抵抗値は、２００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。得られた評価結果によれば、実施例２５の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   As a result, when the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm of 4%, and a glossiness of 3% or less was obtained. I understood it. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 200Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 25 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２６）
遮光性の金属膜を、Ｆｅターゲットを用いて、低反射性の酸化物膜を、Ｎｉ−Ｔｉターゲットを用いて、実施例１と同様の要領で、遮光性のＦｅ膜と低反射性のＮｉ−Ｔｉ酸化物膜を両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 26)
In the same manner as in Example 1, a light-shielding metal film was formed using a Fe target, a low-reflective oxide film was used, and a Ni-Ti target was used. A heat-resistant light-shielding film was produced by forming a Ti oxide film on both sides.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

その結果、得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度２％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、２００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   As a result, when the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm of 4%, and a glossiness of 2% or less was obtained. I understood it. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 200Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例２６の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 26 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２７）
Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を５０ｎｍに変えた以外は、実施例２６と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 27)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 26 except that the thickness of the Ni—Ti oxide film was changed to 50 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

その結果、得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、２００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   As a result, when the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm of 4%, and a glossiness of 3% or less was obtained. I understood it. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 200Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例２７の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 27 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２８）
Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を２４０ｎｍに変えた以外は実施例２６と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２００℃の温度であった。 (Example 28)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 26 except that the thickness of the Ni—Ti oxide film was changed to 240 nm. When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as Example 1, it was 180-200 degreeC.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。その結果、光学濃度、反射率、光沢度などの特性は実施例１と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は、３００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは、０．３μｍであることを確認した。   Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. As a result, the same optical density, reflectance, and glossiness as those of Example 1 were obtained. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 300Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.3 μm.

得られた評価結果によれば、実施例２８の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 28 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例２９）
遮光性の金属膜をＡｌ−Ｔｉターゲットを用いて、低反射性のＮｉ系酸化物膜をＮｉ−Ｔｉターゲットを用いて作製した以外は、実施例１と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 29)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 1 except that a light-shielding metal film was produced using an Al—Ti target and a low-reflective Ni-based oxide film was produced using a Ni—Ti target. did.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。その結果、反射率、光沢度などの特性は実施例１と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は、５×１０3Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．３μｍであることを確認した。２２０℃で２４時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表２にまとめた。 Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. As a result, the same characteristics as in Example 1 were obtained, such as reflectance and glossiness. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 5 × 10 3 Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.3 μm. Even in the adhesion evaluation of the film after the heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that there was no warpage or peeling of the film, and the film had heat resistance characteristics equivalent to Example 1. The composition and characteristics of the heat-resistant light-shielding film produced are summarized in Table 2.

得られた評価結果によれば、実施例２９の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 29 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３０）
遮光性の金属膜の膜厚を５０ｎｍに変えた以外は実施例２９と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 30)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 29 except that the thickness of the light-shielding metal film was changed to 50 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as Example 1, it was 180-220 degreeC.

実施例１と同等の方法、条件で評価した結果、光学濃度、反射率、光沢度、耐熱性などの諸特性は実施例１と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は、１×１０3Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは、０．３μｍであることを確認した。２２０℃で２４時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例１と同等の耐熱特性を有していることがわかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表２にまとめた。 As a result of evaluation under the same method and conditions as in Example 1, the same characteristics as in Example 1 were obtained, such as optical density, reflectance, glossiness, and heat resistance. Moreover, the surface resistance value was 1 × 10 3 Ω / □, and it was confirmed that the arithmetic average height Ra of the surface was 0.3 μm. Even in the adhesion evaluation of the film after the heating test at 220 ° C. for 24 hours, it was found that there was no warpage or peeling of the film, and the film had heat resistance characteristics equivalent to Example 1. The composition and characteristics of the heat-resistant light-shielding film produced are summarized in Table 2.

得られた評価結果によれば、実施例３０の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 30 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３１）
遮光性の金属膜の膜厚を２５０ｎｍに変えた以外は、実施例２９と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 31)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 29 except that the thickness of the light-shielding metal film was changed to 250 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率２％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、５×１０3Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。 When the obtained light shielding film was evaluated in the same manner as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 2% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 5 × 10 3 Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例３１の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 31 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３２）
低反射性のＮｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を５ｎｍに変えた以外は実施例２９と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。 (Example 32)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 29 except that the thickness of the low reflective Ni—Ti oxide film was changed to 5 nm. When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率２％、光沢度２％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、７×１０3Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。 When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 2% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 2% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Moreover, the surface resistance value was 7 × 10 3 Ω / □, and it was confirmed that the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例３２の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 32 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３３）
低反射性のＮｉ−Ｔｉ酸化物膜の膜厚を２４０ｎｍに変えた以外は、実施例２９と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。 (Example 33)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 29 except that the thickness of the low-reflectivity Ni—Ti oxide film was changed to 240 nm. When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率２％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、５×１０3Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。 When the obtained light shielding film was evaluated in the same manner as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 2% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 5 × 10 3 Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例３３の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 33 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３４）
遮光性の金属膜をＭｏ−Ｎｂターゲットを用いて作製した以外は、実施例１と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 34)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 1 except that a light-shielding metal film was produced using a Mo—Nb target.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率６％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、５００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated in the same manner as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 6% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 500Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例３４の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 34 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３５）
遮光性の金属膜の膜厚を５０ｎｍに変えた以外は、実施例３４と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。 (Example 35)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 34 except that the thickness of the light-shielding metal film was changed to 50 nm. When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率６％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、４００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated in the same manner as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 6% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 400Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例３５の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 35 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３６）
遮光性の金属膜の膜厚を２５０ｎｍに変えた以外は、実施例３４と同様の要領で、遮光フィルムを作製した。実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。 (Example 36)
A light-shielding film was produced in the same manner as in Example 34 except that the thickness of the light-shielding metal film was changed to 250 nm. When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率５％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、３００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 5% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 300Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例３６の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 36 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３７）
低反射性の酸化物膜の膜厚を５ｎｍに変えた以外は、実施例３４と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。 (Example 37)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 34 except that the thickness of the low reflective oxide film was changed to 5 nm. When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率７％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、１００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 7% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 100Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例３７の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 37 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３８）
低反射性の酸化膜の膜厚を２４０ｎｍに変えた以外は、実施例３４と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 38)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 34 except that the thickness of the low reflective oxide film was changed to 240 nm.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、４×１０3Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。 When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 4% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 4 × 10 3 Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例３８の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 38 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例３９）
遮光性の金属膜をＴｉＣターゲットを用いて、膜厚２００ｎｍの炭素を含む遮光性のＴｉＣ膜と、低反射性の酸化物膜をＮｉ−Ｔｉターゲットを用いて、膜厚５０ｎｍの低反射性のＮｉ−Ｔｉ酸化物膜を、実施例２と同様の要領で、両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。 各膜の組成はＥＰＭＡで定量分析を行い、ＴｉＣ膜、Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜が得られていることを確認した。 (Example 39)
A light-shielding metal film using a TiC target, a light-shielding TiC film containing carbon having a thickness of 200 nm, and a low-reflective oxide film using a Ni-Ti target and having a low-reflectivity of 50 nm. A Ni—Ti oxide film was formed on both sides in the same manner as in Example 2 to produce a heat-resistant light-shielding film. The composition of each film was quantitatively analyzed with EPMA, and it was confirmed that a TiC film and a Ni—Ti oxide film were obtained.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、２×１０3Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。 When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 4% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 2 × 10 3 Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例３９の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 39 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例４０）
遮光性の金属膜をＴｉＮターゲットを用いて作製した以外は、実施例３９と同様の要領で耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 40)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 39 except that a light-shielding metal film was produced using a TiN target.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率４％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、３×１０3Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。 When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 4% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 3 × 10 3 Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例４０の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 40 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例４１）
遮光性の金属膜をＴｉターゲットを用いて、低反射性の酸化物膜をＮｉ−Ｔｉターゲットを用いて、遮光性のＴｉ膜と低反射性の窒素を含むＮｉ−Ｔｉ酸化物膜を両面に成膜して作製した。低反射性の酸化物膜は、アルゴンガス雰囲気下に酸素ガスと微量の窒素ガスを導入し、膜厚５０ｎｍの、窒素を含むＮｉ−Ｔｉ酸化物膜とした。 (Example 41)
Using a Ti target for the light-shielding metal film, a Ni-Ti target for the low-reflective oxide film, a Ni-Ti oxide film containing light-shielding Ti film and low-reflective nitrogen on both sides A film was formed. The low-reflective oxide film was a Ni—Ti oxide film containing nitrogen having a thickness of 50 nm by introducing oxygen gas and a small amount of nitrogen gas in an argon gas atmosphere.

各膜の組成はＥＰＭＡで定量分析を行い、Ｔｉ膜、窒素を含むＮｉ−Ｔｉ酸化物膜が得られていることを確認した。   The composition of each film was quantitatively analyzed by EPMA, and it was confirmed that a Ti film and a Ni—Ti oxide film containing nitrogen were obtained.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率１％、光沢度２％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、３００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 1% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 2% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 300Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例４１の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 41 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例４２）
実施例１と同じ成膜装置を用いて、算術平均高さＲａが０．５μｍであるポリイミドフィルムを用い、ガスバリア膜としてＮｉ−Ｗターゲットを用いて、膜厚２０ｎｍのＮｉ−Ｗ酸化物膜を形成し、その上に遮光性の金属膜として、金属Ｗターゲットを用いて、膜厚１２０ｎｍのタングステン膜を形成し、さらに低反射性の酸化物膜には膜厚５０ｎｍのＮｉ−Ｗ酸化物膜を用いて耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 42)
Using the same film forming apparatus as in Example 1, a polyimide film having an arithmetic average height Ra of 0.5 μm is used, a Ni—W target is used as a gas barrier film, and a Ni—W oxide film having a thickness of 20 nm is formed. A tungsten film having a thickness of 120 nm is formed thereon using a metal W target as a light-shielding metal film, and a Ni-W oxide film having a thickness of 50 nm is formed as a low-reflective oxide film. The heat-resistant light-shielding film was produced using.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率２％、最小反射率１．５％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、４００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, the light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 2% at a wavelength of 380 to 780 nm, a minimum reflectance of 1.5%, and a glossiness of 3% or less. It was found that was obtained. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 400Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

また、この耐熱遮光フィルムを、８５℃、９０％ＲＨで１０００時間の恒温恒湿試験を行ったが、色味の変化はなかった。波長３８０〜７８０ｎｍでの分光測定を行うと、最大反射率、最小反射率はともに変化していなかった。   Further, this heat-resistant light-shielding film was subjected to a constant temperature and humidity test for 1000 hours at 85 ° C. and 90% RH, but there was no change in color. When spectroscopic measurement was performed at a wavelength of 380 to 780 nm, the maximum reflectance and the minimum reflectance were not changed.

得られた評価結果によれば、実施例４２の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 42 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

また、この耐熱遮光フィルムを、８５℃、９０％ＲＨで１０００時間の恒温恒湿試験を行ったが、反射率、色味、表面抵抗は変化無かった。   Further, this heat-resistant light-shielding film was subjected to a constant temperature and humidity test for 1000 hours at 85 ° C. and 90% RH, but the reflectance, color, and surface resistance did not change.

（実施例４３）
樹脂フィルム基板と金属膜の間にガスバリア膜を未挿入にした以外は実施例４２と同等の方法、構造で耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 43)
A heat-resistant light-shielding film was produced by the same method and structure as in Example 42 except that the gas barrier film was not inserted between the resin film substrate and the metal film.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as Example 1, it was 180-220 degreeC.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率２％、最小反射率１．５％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、３００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, the light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 2% at a wavelength of 380 to 780 nm, a minimum reflectance of 1.5%, and a glossiness of 3% or less. It was found that was obtained. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 300Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例４３の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 43 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

また、この耐熱遮光フィルムを、８５℃、９０％ＲＨで１０００時間の恒温恒湿試験を行ったところ、若干の色味の変化がみられ、黒色から暗い濃紺色へ変化した。波長３８０〜７８０ｎｍでの分光測定を行うと、最大反射率は５％まで上昇し、最小反射率は０．２％まで低下していることがわかった。試験後の耐熱遮光フィルムの断面ＴＥＭ観察およびＥＤＸによる局所組成分析をおこなうと、金属膜の樹脂フィルム側の一部の領域に酸素が３％ほど進入していることがわかった。このように金属膜が光学特性の異なる二層構造となっていることから上述のような反射率の変化がみられたものと考えられる。   Further, when this thermostable light-shielding film was subjected to a constant temperature and humidity test at 85 ° C. and 90% RH for 1000 hours, a slight change in color was observed, and the color changed from black to dark dark blue. When spectroscopic measurement was performed at a wavelength of 380 to 780 nm, it was found that the maximum reflectance increased to 5% and the minimum reflectance decreased to 0.2%. When cross-sectional TEM observation of the heat-resistant light-shielding film after the test and local composition analysis by EDX were performed, it was found that about 3% of oxygen entered a part of the metal film on the resin film side. Since the metal film has a two-layer structure with different optical characteristics as described above, it is considered that the change in reflectance as described above was observed.

この様な色味の変化があっても最大反射率は５％以下であり、十分に利用することができるが、色味変化を嫌うような用途としては実施例４２に示したようにガスバリア膜を挿入することが有用である。   Even if there is such a color change, the maximum reflectance is 5% or less, which can be fully utilized. However, as shown in Example 42, the gas barrier film is used for applications that dislike the color change. Is useful to insert.

（実施例４４）
実施例４２において、挿入したガスバリア膜として、酸化シリコン膜（膜厚３０ｎｍ）のスパッタリング膜に変えた以外は実施例４２と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。８５℃、９０％ＲＨで１０００時間の恒温恒湿試験を実施したところ、色味や反射率の変化はなく、ガスバリア膜として有効に機能することがわかった。 (Example 44)
In Example 42, a heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 42 except that the inserted gas barrier film was changed to a sputtering film of a silicon oxide film (film thickness 30 nm). When a constant temperature and humidity test was conducted at 85 ° C. and 90% RH for 1000 hours, it was found that there was no change in color and reflectance, and the film effectively functioned as a gas barrier film.

ガスバリア膜を酸化タンタル（膜厚１０ｎｍ）、酸化タングステン（膜厚１０ｎｍ）、酸化バナジウム（膜厚３０ｎｍ）、酸化モリブデン（膜厚２０ｎｍ）、酸化コバルト（膜厚１０ｎｍ）、酸化ニオブ（膜厚１０ｎｍ）、酸化鉄（膜厚１０ｎｍ）、酸化アルミニウム（膜厚３０ｎｍ）、又は酸化チタン膜（膜厚５ｎｍ、３０ｎｍ）とした場合も同様に、ガスバリア膜として有効に機能することがわかった。   Tantalum oxide (film thickness 10 nm), tungsten oxide (film thickness 10 nm), vanadium oxide (film thickness 30 nm), molybdenum oxide (film thickness 20 nm), cobalt oxide (film thickness 10 nm), niobium oxide (film thickness 10 nm) It was also found that iron oxide (film thickness: 10 nm), aluminum oxide (film thickness: 30 nm), or titanium oxide film (film thickness: 5 nm, 30 nm) also functions effectively as a gas barrier film.

（実施例４５）
樹脂フィルム基材を厚みが１２．５μｍのポリイミドフィルムに変えた以外は実施例１と同様の要領で、耐熱遮光フィルムを作製した。ポリイミドフィルムの表面粗さは実施例１と同じである。 (Example 45)
A heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 1 except that the resin film substrate was changed to a polyimide film having a thickness of 12.5 μm. The surface roughness of the polyimide film is the same as in Example 1.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率５％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、４００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, it was found that a light shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 5% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 400Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

また、上記ポリイミドフィルムの厚みのみを、２５μｍ、３８μｍに変えても、同等の特性を有する耐熱遮光フィルムが得られた。   Moreover, even if only the thickness of the polyimide film was changed to 25 μm and 38 μm, a heat-resistant light-shielding film having equivalent characteristics was obtained.

得られた評価結果によれば、実施例４５の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 45 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

（実施例４６）
金属膜及び低反射性の酸化物膜を成膜する時のスパッタリングガス圧を０．２Ｐａに変えた以外は、実施例１と同様の要領で、両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 46)
Except that the sputtering gas pressure when forming the metal film and the low-reflective oxide film was changed to 0.2 Pa, a heat-resistant light-shielding film was produced by forming a film on both sides in the same manner as in Example 1. .

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率１％、光沢度３％以下の遮光フィルムが得られていることがわかった。また耐熱性についても同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、３００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light-shielding film was evaluated in the same manner as in Example 1, it was found that a light-shielding film having an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 1% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. It was. The heat resistance was also evaluated in the same manner, but the results were exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 300Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、実施例４６の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。
また、成膜時のガス圧のみを０．５Ｐａ、０．７Ｐａ、又は１．０Ｐａとした場合も同様の結果が得られた。 According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 46 can be used as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.
Similar results were obtained when only the gas pressure during film formation was 0.5 Pa, 0.7 Pa, or 1.0 Pa.

（実施例４７）
金属膜及び低反射性の酸化物膜を成膜する時のスパッタリングガス圧を１．２Ｐａに変えた以外は、実施例１と同様の要領で、両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。 (Example 47)
A heat-resistant light-shielding film was produced by forming a film on both sides in the same manner as in Example 1 except that the sputtering gas pressure when forming the metal film and the low-reflective oxide film was changed to 1.2 Pa. .

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、光学濃度４以上、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率１％、光沢度３％以下と実施例１と同等の遮光フィルムが得られていることがわかった。また、表面抵抗値は、３００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであったが、耐熱試験後の密着試験では、膜がわずかに剥がれた。   When the obtained light-shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, a light-shielding film equivalent to Example 1 with an optical density of 4 or more, a maximum reflectance of 1% at a wavelength of 380 to 780 nm, and a glossiness of 3% or less was obtained. I found out. Further, the surface resistance value was 300Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm. However, in the adhesion test after the heat resistance test, the film was slightly peeled off.

得られた評価結果によれば、実施例４７の耐熱遮光フィルムは、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材としては不適であったが、他の多くの光学用途に利用できることがわかった。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film of Example 47 was unsuitable as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C., but many other optical uses. I found that it can be used.

（比較例１）
ポリイミドフィルムのサンドブラストによる表面加工の条件を変えて遮光フィルムを作製した。すなわち、算術平均高さＲａが０．１μｍのポリイミドフィルムを使った以外は実施例１と全く同じ条件で、同じ膜構成の耐熱遮光フィルムを作製した。 (Comparative Example 1)
The light shielding film was produced by changing the surface processing conditions of the polyimide film by sandblasting. That is, a heat-resistant light-shielding film having the same film configuration was produced under the same conditions as in Example 1 except that a polyimide film having an arithmetic average height Ra of 0.1 μm was used.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。その結果、光学濃度は実施例１と同じ４以上のものが得られたが、波長３８０〜７８０ｎｍにおける反射率は最大で８％、光沢度は６％を示し、実施例１と比べて反射率と光沢度の大きい耐熱遮光フィルムであった。また、表面抵抗値は、５００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは、０．１μｍ未満であることを確認した。２２０℃で２４時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表１にまとめた。   Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. As a result, an optical density of 4 or more was obtained, which was the same as in Example 1. However, the reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm was 8% at the maximum, and the glossiness was 6%. It was a heat-resistant light-shielding film with high gloss. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 500Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was less than 0.1 μm. In the adhesion evaluation of the film after the heating test at 220 ° C. for 24 hours, there was no warpage or film peeling. The construction and characteristics of the heat-resistant light-shielding film thus produced are summarized in Table 1.

このような反射率や光沢度の値の大きい耐熱遮光フィルムを、シャッター羽根などに用いようとしても表面反射の影響を受けるため利用は困難である。   Even if such a heat-resistant light-shielding film having a large value of reflectance or gloss is used for a shutter blade or the like, it is difficult to use it because it is affected by surface reflection.

（比較例２）
サンドブラストによる表面加工の条件を変えて作製した、算術平均高さＲａが１．０μｍのポリイミドフィルムを使った以外は実施例１と全く同じ条件で同じ膜構成の耐熱遮光フィルムを作製した。 (Comparative Example 2)
A heat-resistant light-shielding film having the same film configuration was produced under exactly the same conditions as in Example 1 except that a polyimide film having an arithmetic average height Ra of 1.0 μm was used, which was produced by changing the surface processing conditions by sandblasting.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。その結果、反射率は最大で１％以下で、光沢度は２％以下であり、実施例２と同じものが得られたが、光学濃度は２を示し、実施例１と比べて光学濃度の少ない耐熱遮光フィルムであった。また、表面抵抗値は、５００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは、０．９μｍであることを確認した。２２０℃で２４時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表１にまとめた。   Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. As a result, the maximum reflectance was 1% or less, and the glossiness was 2% or less, which was the same as that of Example 2. However, the optical density was 2, which was higher than that of Example 1. There were few heat-resistant light-shielding films. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 500Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.9 μm. In the adhesion evaluation of the film after the heating test at 220 ° C. for 24 hours, there was no warpage or film peeling. The construction and characteristics of the heat-resistant light-shielding film thus produced are summarized in Table 1.

得られた評価結果によれば、比較例２の、光学濃度の低い耐熱遮光フィルムは、実施例と比べてかなり光を透過してしまうため、液晶プロジェクタの絞りの部材だけでなく多くの光学系遮光用途に利用できない。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film having a low optical density in Comparative Example 2 transmits a considerable amount of light as compared with the Example, so that not only the diaphragm member of the liquid crystal projector but also many optical systems. It cannot be used for shading.

（比較例３）
樹脂フィルムとして、マット処理を行わなかったＰＥＴフィルムを使用した以外は実施例１と同様の条件、構成で遮光フィルムを作製した。実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。 (Comparative Example 3)
A light-shielding film was produced under the same conditions and configuration as in Example 1 except that a PET film that was not matted was used as the resin film. When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムは、光学濃度は３、反射率は最大で１２％、光沢度は９０％となり、また、表面抵抗値は、４００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは、０．５μｍであることを確認した。表面のうねり、しわが発生して、２００℃程度の高熱環境下で使用される液晶用プロジェクタの絞りなどの羽根部材としては不適であることがわかった。   The obtained light-shielding film has an optical density of 3, a maximum reflectance of 12%, a glossiness of 90%, a surface resistance of 400Ω / □, and an arithmetic average height Ra of 0 on the surface. Confirmed to be 5 μm. It has been found that surface waviness and wrinkles are generated, making it unsuitable as a blade member for a diaphragm of a liquid crystal projector used in a high heat environment of about 200 ° C.

また、樹脂フィルムとしてＰＥＮフィルムやＰＣフィルムを使用した場合も同様な結果であった。   Similar results were obtained when a PEN film or a PC film was used as the resin film.

（比較例４）
成膜時のフィルム基材温度が１８０℃未満となるよう、成膜中のフィルム基材を冷却するキャンロールの冷却温度を５０℃とし、ターゲットへの投入電力を実施例１の５０％とした以外は実施例１と同等の方法、構造で耐熱遮光フィルムを作製した。実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１４０〜１６０℃の温度であった。 (Comparative Example 4)
The cooling temperature of the can roll that cools the film base material during film formation was set to 50 ° C., and the input power to the target was set to 50% of Example 1 so that the film base material temperature during film formation was less than 180 ° C. Except for the above, a heat-resistant light-shielding film was produced by the same method and structure as in Example 1. It was 140-160 degreeC when the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the method similar to Example 1. FIG.

作製した耐熱遮光フィルムの評価（光学特性、耐熱性）を実施例１と同様の方法、条件で実施した。その結果、光学濃度は２、反射率は最大で６％、光沢度は７％を示した。また、表面抵抗値は、６００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは、０．５μｍであることを確認した。また、２２０℃で２４時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りが大きく、膜の密着性は非常に悪い結果であった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表１にまとめた。   Evaluation (optical characteristics, heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding film was carried out under the same method and conditions as in Example 1. As a result, the optical density was 2, the maximum reflectance was 6%, and the glossiness was 7%. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 600Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.5 μm. Moreover, in the adhesion evaluation of the film after the heating test at 220 ° C. for 24 hours, the warpage was large and the adhesion of the film was very bad. The construction and characteristics of the heat-resistant light-shielding film thus produced are summarized in Table 1.

得られた評価結果によれば、比較例４の光学濃度、反射率、光沢度、密着性の悪い耐熱遮光フィルムは、光学濃度、反射率、光沢度といった光学特性が悪く、密着性がないため、液晶プロジェクタの絞りの部材だけでなく多くの光学系用途に利用できない。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film with poor optical density, reflectance, glossiness, and adhesion of Comparative Example 4 has poor optical properties such as optical density, reflectance, and glossiness, and has no adhesion. Therefore, it cannot be used not only for the diaphragm member of a liquid crystal projector but also for many optical system applications.

（比較例５）
遮光性の金属膜をＴｉターゲットを用いて膜厚３０ｎｍの遮光性のＴｉ膜と、低反射性の酸化物膜をＮｉ−Ｔｉターゲットを用いて膜厚５０ｎｍの低反射性のＮｉ−Ｔｉ酸化物膜を、実施例１と同様の要領で、両面に成膜して耐熱遮光フィルムを作製した。チタン膜、Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜ともに直流スパッタリング法で成膜した。チタン膜はスパッタリングガスとしてアルゴンのみを用い、Ｎｉ−Ｔｉ酸化物膜はスパッタリングガスとしてアルゴンと酸素の混合ガスを用いた。フィルムの厚みは７５μｍのものを用いたが、フィルムの種類及びフィルムのマット処理条件は実施例１と同じである。 (Comparative Example 5)
A light-shielding metal film using a Ti target and a light-shielding Ti film having a thickness of 30 nm, and a low-reflection oxide film using a Ni-Ti target and a low-reflection Ni-Ti oxide having a thickness of 50 nm A film was formed on both sides in the same manner as in Example 1 to produce a heat-resistant light-shielding film. Both the titanium film and the Ni—Ti oxide film were formed by DC sputtering. For the titanium film, only argon was used as the sputtering gas, and for the Ni—Ti oxide film, a mixed gas of argon and oxygen was used as the sputtering gas. A film having a thickness of 75 μm was used.

実施例１と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると１８０〜２２０℃の温度となり、実施例１と同等のフィルム温度であった。   When the surface temperature of the film at the time of sputtering was measured by the same method as in Example 1, the temperature was 180 to 220 ° C., which was the same film temperature as in Example 1.

得られた遮光フィルムを実施例１と同様の方法で評価すると、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率５％、光沢度３％以下であったが、光学濃度が２であり、僅かに光を透過することを確認した。また耐熱性については同様に評価を行ったが、実施例１と全く同じ結果であった。また、表面抵抗値は、２００Ω／□であり、表面の算術平均高さＲａは０．４μｍであることを確認した。   When the obtained light-shielding film was evaluated by the same method as in Example 1, the maximum reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm was 5% and the glossiness was 3% or less, but the optical density was 2, and light was slightly emitted. Permeation was confirmed. Further, the heat resistance was evaluated in the same manner, but the result was exactly the same as in Example 1. Further, it was confirmed that the surface resistance value was 200Ω / □, and the arithmetic average height Ra of the surface was 0.4 μm.

得られた評価結果によれば、比較例５の光学濃度の低い耐熱遮光フィルムは、僅かに光を通すため、液晶プロジェクタの絞りなどの部材としては好ましくない。   According to the obtained evaluation results, the heat-resistant light-shielding film having a low optical density of Comparative Example 5 transmits light slightly, and thus is not preferable as a member such as a diaphragm of a liquid crystal projector.

（実施例４８）
実施例１〜４７で作製した耐熱遮光フィルムに打ち抜き加工を施し、２０ｍｍ×３０ｍｍの遮光羽根を作製した。遮光羽根１枚の重量は、０．００７〜０．０２ｇとなった。遮光羽根２枚を絞り装置に搭載し、耐久試験を行った。 (Example 48)
The heat-resistant light-shielding film produced in Examples 1 to 47 was punched to produce 20 mm × 30 mm light-shielding blades. The weight of one light shielding blade was 0.007 to 0.02 g. Two light-shielding blades were mounted on an aperture device and a durability test was performed.

耐久試験では、ランプ光を照射しながら遮光羽根の作動範囲での最大及び最小の開口径となる範囲を数万回繰り返して遮光羽根を稼動し、その時に遮光羽根の耐熱性、耐摩耗性を評価した。   In the durability test, the light shielding blade is operated by repeating the range of the maximum and minimum opening diameters in the operating range of the light shielding blade tens of thousands of times while irradiating the lamp light. evaluated.

試験による磨耗による遮光羽根の外観変化はなく、絞り装置内に磨耗による異物の付着は見られなかった。したがって、摩擦、磨耗や騒音が小さいこと、及び樹脂フィルムを基材とすることで軽量化され、遮光羽根を駆動するモーターの駆動トルクを小さくすることができ、摺動性が良好であった。   There was no change in the appearance of the light-shielding blade due to wear due to the test, and no foreign matter adhered to the diaphragm device due to wear. Therefore, the friction, wear and noise are small, and the weight is reduced by using the resin film as a base material, and the driving torque of the motor for driving the light shielding blade can be reduced, and the slidability is good.

（比較例６）
遮光羽根を、厚みが５０μｍ、７５μｍ、１５０μｍの金属製のＳＵＳ薄板に変えた以外は、実施例４と同じように遮光フィルムを打ち抜き加工し、ＳＵＳ薄板を基材とした２０ｍｍ×３０ｍｍの遮光羽根を作製し、実施例４８と同様の評価を実施した。遮光羽根の重量は、０．２〜０．６ｇであり、実施例４８の本発明の耐熱遮光フィルムを用いた同一形状の遮光羽根の重量と比べて重かった。 (Comparative Example 6)
Except for changing the light-shielding blade to a metal SUS thin plate having a thickness of 50 μm, 75 μm, or 150 μm, the light-shielding film was punched out in the same manner as in Example 4, and the light-shielding blade of 20 mm × 30 mm using the SUS thin plate as a base The same evaluation as in Example 48 was performed. The weight of the light shielding blade was 0.2 to 0.6 g, which was heavier than the weight of the light shielding blade having the same shape using the heat-resistant light shielding film of Example 48 of the present invention.

試験による磨耗による遮光羽根の外観変化はなく、絞り装置内に磨耗による異物の付着は見られなかった。しかし、遮光羽根の重量が大きいので、遮光羽根を駆動するモーターの駆動トルクが大きくなり、摺動性が悪かった。




There was no change in the appearance of the light-shielding blade due to wear due to the test, and no foreign matter adhered to the diaphragm device due to wear. However, since the weight of the light shielding blade is large, the driving torque of the motor that drives the light shielding blade is increased, and the slidability is poor.




Figure 0005056190
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Figure 0005056190
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本発明の耐熱遮光フィルムの断面図である。It is sectional drawing of the heat-resistant light-shielding film of this invention. 本発明の耐熱遮光フィルムの製造に用いる巻き取り式スパッタリング装 置の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the winding-type sputtering apparatus used for manufacture of the heat-resistant light-shielding film of this invention. 本発明の耐熱遮光フィルムを使用した光量調整用装置の絞り機構を示す 模式図である。It is a schematic diagram showing a diaphragm mechanism of a light quantity adjusting device using the heat-resistant light-shielding film of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 樹脂フィルム基材
２ 遮光性の金属膜
３ 低反射性の酸化物膜
４ 巻き出しロール
５ 真空ポンプ
６ 真空槽
７ 冷却キャンロール
８ 巻き取りロール
９ マグネトロンカソード
１０ ターゲット
１１ 隔壁
１２ 耐熱遮光羽根
１３ ガイド孔
１４ ガイドピン
１５ ピン
１６ 基板
１７ 孔
１８ 開口部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resin film base material 2 Light-shielding metal film 3 Low reflective oxide film 4 Unwinding roll 5 Vacuum pump 6 Vacuum tank 7 Cooling can roll 8 Winding roll 9 Magnetron cathode 10 Target 11 Partition 12 Heat-resistant light-shielding blade 13 Guide Hole 14 Guide pin 15 Pin 16 Substrate 17 Hole 18 Opening

Claims (19)

２００℃以上の耐熱性を有するポリイミド、アラミド、ポリフェニレンサルファド、又はポリエーテルサルフォンから選ばれた１種類以上で構成され、表面粗さが０．２〜０．８μｍ（算術平均高さＲａ）である樹脂フィルム基材（Ａ）と、樹脂フィルム基材（Ａ）の片面もしくは両面にスパッタリング法で形成された５０〜２５０ｎｍの膜厚を有するチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）、及び金属膜（Ｂ）上にスパッタリング法で形成された、５〜２４０ｎｍの膜厚を有する低反射性のＮｉ系酸化物膜（Ｃ）の積層膜とからなり、積層膜の表面粗さが０．１〜０．７μｍ（算術平均高さＲａ）、かつ積層膜の表面抵抗値が７０００Ω／□以下であることを特徴とする耐熱遮光フィルム。 It is composed of one or more selected from polyimide, aramid, polyphenylene sulfide, or polyether sulfone having heat resistance of 200 ° C. or higher, and has a surface roughness of 0.2 to 0.8 μm (arithmetic average height Ra). The resin film substrate (A), and titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium having a film thickness of 50 to 250 nm formed by sputtering on one or both surfaces of the resin film substrate (A) 5 to 240 nm formed by sputtering on the metal film (B) containing one or more elements selected from the group consisting of iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, and the metal film (B) The surface roughness of the multilayer film is 0.1 to 0.7 μm (arithmetic average height R). a) and a heat resistance light-shielding film, wherein the laminated film has a surface resistance value of 7000Ω / □ or less . 前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）が、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の添加元素を含有することを特徴とする請求項１に記載の耐熱遮光フィルム。   The Ni-based oxide film (C) is one kind selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, with nickel as the main component. The heat-resistant light-shielding film according to claim 1, comprising the above additive elements. 前記積層膜の光反射率が、波長３８０〜７８０ｎｍにおいて７％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の耐熱遮光フィルム。 The heat resistant light-shielding film according to claim 1 or 2 , wherein the laminated film has a light reflectance of 7% or less at a wavelength of 380 to 780 nm. 樹脂フィルム基材（Ａ）の両面に、金属膜（Ｂ）とＮｉ系酸化物膜（Ｃ）からなる積層膜が形成されており、フィルム基板を中心として対称の構造であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。 A laminated film composed of a metal film (B) and a Ni-based oxide film (C) is formed on both surfaces of the resin film substrate (A), and has a symmetrical structure with the film substrate as a center. The heat-resistant light-shielding film in any one of Claims 1-3 . 樹脂フィルム基材（Ａ）と前記金属膜（Ｂ）の界面に、ガスバリア膜（Ｄ）として金属酸化物膜がスパッタリング法で形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。 The interface of the resin film substrate (A) and the metal film (B), to any one of claims 1 to 4, the metal oxide film as a gas barrier layer (D) is characterized in that it is formed by sputtering The heat-resistant light-shielding film as described. 前記ガスバリア膜（Ｄ）が、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、二オブ、鉄、アルミニウム、珪素、ニッケルからなる群より選ばれる１種類以上の元素を主成分とする酸化物膜であることを特徴とする請求項５に記載の耐熱遮光フィルム。 The gas barrier film (D) is an oxide film containing as a main component one or more elements selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, aluminum, silicon, and nickel. The heat-resistant light-shielding film according to claim 5 , wherein 樹脂フィルム基材（Ａ）の両面に、ガスバリア膜（Ｄ）と金属膜（Ｂ）とＮｉ系酸化物膜（Ｃ）からなる積層膜が形成されており、フィルム基板を中心として対称の構造であることを特徴とする請求項５又は６に記載の耐熱遮光フィルム。 A laminated film composed of a gas barrier film (D), a metal film (B), and a Ni-based oxide film (C) is formed on both surfaces of the resin film substrate (A), and has a symmetrical structure with the film substrate as the center. The heat-resistant light-shielding film according to claim 5 or 6 , wherein the heat-resistant light-shielding film is provided. 樹脂フィルム基材（Ａ）の両面に形成されるガスバリア膜（Ｄ）同士、金属膜（Ｂ）同士、及び酸化物膜（Ｃ）同士は、実質的に同じ金属元素組成であることを特徴とする請求項４に記載の耐熱遮光フィルム。 The gas barrier films (D), metal films (B), and oxide films (C) formed on both surfaces of the resin film substrate (A) have substantially the same metal element composition. The heat-resistant light-shielding film according to claim 4 . 片面もしくは両面の表面粗さが０．２〜０．８μｍ（算術平均高さＲａ）の凹凸表面を有する樹脂フィルム基材（Ａ）をスパッタリング装置に供給し、金属膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリングにより樹脂フィルム基材（Ａ）の凹凸表面上に、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）を形成し、次に、酸化物膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリングガスに酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、金属膜（Ｂ）上に、Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。 A resin film base material (A) having an uneven surface with a surface roughness of one or both sides of 0.2 to 0.8 μm (arithmetic average height Ra) is supplied to a sputtering apparatus, and using a metal film forming target, One or more kinds selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon on the uneven surface of the resin film substrate (A) by sputtering. A metal film (B) containing an element is formed, and then Ni-based oxidation is performed on the metal film (B) by reactive sputtering using an oxide film forming target and oxygen gas introduced into a sputtering gas. A manufacturing method of the heat-resistant light-shielding film according to any one of claims 1 to 4, wherein a physical film (C) is formed. 片面もしくは両面の表面粗さが０．２〜０．８μｍ（算術平均高さＲａ）の凹凸表面を有する樹脂フィルム基材（Ａ）をスパッタリング装置に供給し、不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながらスパッタリングして樹脂フィルム基材（Ａ）上にガスバリア膜（Ｄ）を形成し、次に、不活性ガス雰囲気下でスパッタリングして、ガスバリア膜（Ｄ）上にチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）を形成した後、不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながらスパッタリングして、金属膜（Ｂ）上にＮｉ系酸化物膜（Ｃ）を形成することを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。 Supply a resin film substrate (A) having an uneven surface with a surface roughness of 0.2 to 0.8 μm (arithmetic average height Ra) on one or both sides to a sputtering apparatus, and introduce oxygen gas into an inert gas atmosphere Sputtering is performed to form a gas barrier film (D) on the resin film substrate (A), and then sputtering is performed in an inert gas atmosphere to form titanium, tantalum, tungsten, vanadium on the gas barrier film (D). After forming a metal film (B) containing one or more elements selected from the group consisting of molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, oxygen gas is introduced into the inert gas atmosphere. introduced by sputtering while the heat shielding fill according to any one of claims 5-8, characterized in that to form the Ni-based oxide film (C) on the metal film (B) The method of production. スパッタリングガス圧が、０．２〜１．０Ｐａであることを特徴とする請求項９又は１０に記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。 Sputtering gas pressure is 0.2-1.0Pa, The manufacturing method of the heat-resistant light-shielding film of Claim 9 or 10 characterized by the above-mentioned. スパッタリング時の樹脂フィルム基材温度が、１８０℃以上であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。 The method for producing a heat-resistant light-shielding film according to any one of claims 9 to 11, wherein a resin film substrate temperature during sputtering is 180 ° C or higher. 前記金属膜（Ｂ）及び前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）が形成された耐熱遮光フィルムを、さらに、スパッタリング装置に供給し、スパッタリングによって樹脂フィルム基材（Ａ）の裏面にチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）及びＮｉ系酸化物膜（Ｃ）を順次形成することを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。 The heat-resistant light-shielding film on which the metal film (B) and the Ni-based oxide film (C) are formed is further supplied to a sputtering apparatus, and titanium, tantalum, and tungsten are formed on the back surface of the resin film substrate (A) by sputtering. A metal film (B) containing at least one element selected from the group consisting of vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon, and a Ni-based oxide film (C) in sequence It forms, The manufacturing method of the heat-resistant light-shielding film in any one of Claims 9-12 characterized by the above-mentioned. 前記ガスバリア膜（Ｄ）及び前記金属膜（Ｂ）及び前記Ｎｉ系酸化物膜（Ｃ）が形成された耐熱遮光フィルムを、さらに、スパッタリング装置に供給し、スパッタリングによって樹脂フィルム基材（Ａ）の裏面に、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、二オブ、鉄、アルミニウム、珪素、ニッケルからなる群より選ばれる１種類以上の元素を含むガスバリア膜及びチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれた１種類以上の元素を含有する金属膜（Ｂ）及びＮｉ系酸化物膜（Ｃ）を順次形成することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。 The heat-resistant light-shielding film on which the gas barrier film (D), the metal film (B), and the Ni-based oxide film (C) are formed is further supplied to a sputtering apparatus, and the resin film substrate (A) is formed by sputtering. A gas barrier film containing one or more elements selected from the group consisting of titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum, cobalt, niobium, iron, aluminum, silicon, nickel, and titanium, tantalum, tungsten, vanadium, molybdenum on the back surface Sequentially forming a metal film (B) and a Ni-based oxide film (C) containing one or more elements selected from the group consisting of cobalt, niobium, iron, copper, zinc, aluminum, and silicon. The manufacturing method of the heat-resistant light-shielding film in any one of Claims 10-12 characterized by the above-mentioned. 前記ガスバリア膜形成用ターゲットと前記酸化物膜形成用ターゲットがそれぞれ同一のものを用い、各膜を形成することを特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。 The method for producing a heat-resistant light-shielding film according to any one of claims 10 to 14 , wherein the gas barrier film-forming target and the oxide film-forming target are the same, and each film is formed. 樹脂フィルム基材（Ａ）が、ロール状に巻き取られてスパッタリング装置のフィルム搬送部にセットされることを特徴とする請求項９〜１５のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。 The method for producing a heat-resistant light-shielding film according to any one of claims 9 to 15 , wherein the resin film substrate (A) is wound into a roll and set in a film transport unit of a sputtering apparatus. 成膜中の樹脂フィルム基材が冷却されずに、成膜室内でフローティングの状態でスパッタリング成膜されることを特徴とする請求項９〜１６のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。 The method for producing a heat-resistant light-shielding film according to any one of claims 9 to 16 , wherein the resin film substrate during film formation is formed by sputtering in a floating state in the film formation chamber without being cooled. 請求項１〜８のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムを加工して製造された耐熱性に優れた絞り。 Processed to stop with excellent manufacturing thermostable heat shielding film according to any one of claims 1-8. 請求項１〜８のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムを羽根材として用いてなる光量調整用装置。 Light amount adjustment device using the blade material and heat shielding film according to any one of claims 1-8.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4941412B2 (en) * 2008-06-19 2012-05-30 住友金属鉱山株式会社 Manufacturing method of heat-resistant light-shielding film
JP4735672B2 (en) * 2008-06-27 2011-07-27 住友金属鉱山株式会社 Film-shaped shading plate, and aperture, aperture device for adjusting light quantity, or shutter using the same
JP5195792B2 (en) * 2010-03-11 2013-05-15 住友金属鉱山株式会社 Heat-resistant light-shielding film and method for producing the same
JP2012068536A (en) * 2010-09-24 2012-04-05 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Heat-resistant light-shielding film and production method of the same, and diaphragm and diaphragm device for controlling light quantity using the heat-resistant light-shielding film
JP2012203309A (en) * 2011-03-28 2012-10-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Heat-resistant light-shielding film
JP6365422B2 (en) * 2015-06-04 2018-08-01 住友金属鉱山株式会社 Method for manufacturing conductive substrate

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697322B2 (en) * 1987-11-05 1994-11-30 ソマール株式会社 Roughened light-shielding film having conductivity
JP2002347155A (en) * 2000-05-31 2002-12-04 Nitto Denko Corp Particle-dispersion-system resin sheet and liquid crystal display
JP3679045B2 (en) * 2001-03-07 2005-08-03 日東電工株式会社 Resin sheet with color filter, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device
CN100516938C (en) * 2003-11-14 2009-07-22 日本电产科宝株式会社 ND filter and light quantity diaphragming device including the same
JP2005250262A (en) * 2004-03-05 2005-09-15 Olympus Corp Shutter device, imaging unit and camera
JP2006138974A (en) * 2004-11-11 2006-06-01 Nidec Copal Corp Light shielding sector material

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