JP6365422B2 - Method for manufacturing conductive substrate - Google Patents
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Description
本発明は、導電性基板、導電性基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a conductive substrate and a method for manufacturing a conductive substrate.
特許文献1に開示されているように、高分子フィルム上に透明導電膜としてITO膜を形成したタッチパネル用透明の導電性フィルムが従来から用いられている。 As disclosed in Patent Document 1, a transparent conductive film for a touch panel in which an ITO film is formed as a transparent conductive film on a polymer film has been conventionally used.
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ITOは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。 By the way, in recent years, the display screen including a touch panel has been increased in screen size. Correspondingly, a conductive substrate such as a transparent conductive film for a touch panel is required to have a large area. However, since ITO has a high electric resistance value, there is a problem that it cannot cope with an increase in the area of the conductive substrate.
このため、例えば特許文献2、3に開示されているようにITO膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、配線層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。 For this reason, for example, as disclosed in Patent Documents 2 and 3, the use of a metal foil such as copper instead of the ITO film has been studied. However, when copper is used for the wiring layer, since copper has a metallic luster, there is a problem that the visibility of the display decreases due to reflection.
そこで、銅等の金属箔により構成される配線層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。しかしながら、配線パターンを有する導電性基板とするためには、配線層と黒化層を形成した後に、配線層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要があるが、エッチング液に対する反応性が配線層と黒化層で異なるという問題があった。すなわち、配線層と黒化層を同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできないという問題であった。また、配線層のエッチングと黒化層のエッチングとを別の工程で実施する場合、工程数が増加するという問題があった。 Therefore, a conductive substrate in which a blackening layer made of a black material is formed together with a wiring layer made of a metal foil such as copper has been studied. However, in order to obtain a conductive substrate having a wiring pattern, it is necessary to form a desired pattern by etching the wiring layer and the blackened layer after forming the wiring layer and the blackened layer. There is a problem that the reactivity with respect to is different between the wiring layer and the blackened layer. That is, if the wiring layer and the blackened layer are simultaneously etched, one of the layers cannot be etched into the target shape. In addition, when the wiring layer etching and the blackening layer etching are performed in separate steps, there is a problem that the number of steps increases.
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた導電性基板の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above-described problems of the related art, an object of one aspect of the present invention is to provide a method for manufacturing a conductive substrate including a copper layer and a blackened layer that can be etched simultaneously.
上記課題を解決するため本発明の一態様は、
透明基材を準備する透明基材準備工程と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
前記透明基材の少なくとも前記一方の面側に黒化層を形成する黒化層形成工程とを有し、
前記黒化層形成工程において、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有し、タングステン酸化物を10質量%以上30質量%以下の割合で含み、残部が前記ニッケル酸化物であるターゲットを用いて、窒素を含有する雰囲気中で前記黒化層を成膜する導電性基板の製造方法を提供する。
In order to solve the above problems, one embodiment of the present invention provides:
A transparent substrate preparation step of preparing a transparent substrate;
A copper layer forming step of forming a copper layer on at least one surface side of the transparent substrate;
A blackened layer forming step of forming a blackened layer on at least the one surface side of the transparent substrate,
In the blackening layer forming step, using a target containing nickel oxide and tungsten oxide, containing tungsten oxide in a proportion of 10% by mass or more and 30% by mass or less, and the balance being the nickel oxide, Provided is a method for manufacturing a conductive substrate in which the blackening layer is formed in an atmosphere containing nitrogen .
本発明の一態様によれば、同時にエッチング処理を行うこと出来る銅層と、黒化層とを備えた導電性基板の製造方法を提供することができる。
According to one embodiment of the present invention, a method for manufacturing a conductive substrate including a copper layer and a blackened layer that can be etched simultaneously can be provided.
以下、本発明の導電性基板および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
(導電性基板)
本実施形態の導電性基板は透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された黒化層と、を備えた構成とすることができる。
Hereinafter, an embodiment of a conductive substrate and a method for manufacturing the conductive substrate of the present invention will be described.
(Conductive substrate)
The conductive substrate of this embodiment includes a transparent base material, a copper layer formed on at least one surface side of the transparent base material, and a blackening layer formed on at least one surface side of the transparent base material. Can be configured.
そして、黒化層は、酸素、窒素、ニッケル、及びタングステンを含有することができる。また、黒化層は、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有する、タングステン酸化物を5質量%以上30質量%以下の割合で含んでいるターゲットを用いて成膜することができる。 The blackening layer can contain oxygen, nitrogen, nickel, and tungsten. The blackening layer can be formed using a target containing nickel oxide and tungsten oxide and containing tungsten oxide in a proportion of 5% by mass to 30% by mass.
なお、本実施形態における導電性基板とは、銅層等をパターニングする前の透明基材の表面に銅層や黒化層を有する基板と銅層等をパターニングして配線の形状にした基板、すなわち配線基板とを含む。 In addition, the conductive substrate in the present embodiment is a substrate in which a substrate having a copper layer or a blackened layer on the surface of the transparent base material before patterning the copper layer or the like and a copper layer or the like are patterned into a wiring shape, That is, a wiring board is included.
ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。 First, each member included in the conductive substrate of this embodiment will be described below.
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。 It does not specifically limit as a transparent base material, The insulator film which permeate | transmits visible light, a glass substrate etc. can be used preferably.
可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えばポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等を好ましく用いることができる。 As the insulator film that transmits visible light, for example, a polyamide film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a cycloolefin film, a polycarbonate film, or the like can be preferably used.
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。 It does not specifically limit about the thickness of a transparent base material, It can select arbitrarily according to the intensity | strength, electrostatic capacitance, light transmittance, etc. which are required when it is set as an electroconductive board | substrate.
次に銅層について説明する。銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または銅層と酸素、窒素、ニッケル、及びタングステンを含有する層(以下、単に「黒化層」とも記載する)との間に接着剤を配置しないことが望ましい。すなわち銅層は他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。 Next, the copper layer will be described. The copper layer is not particularly limited. However, in order not to reduce the light transmittance, the copper layer and the transparent substrate or the copper layer and a layer containing oxygen, nitrogen, nickel, and tungsten (hereinafter simply referred to as “black”). It is desirable that no adhesive be placed between the adhesive layer and the layer. That is, the copper layer is preferably formed directly on the upper surface of another member.
例えば透明基材または黒化層上に乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を銅層とすることができる。これにより、透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。 For example, a copper thin film layer can be formed on a transparent substrate or a blackened layer by a dry plating method, and the copper thin film layer can be used as a copper layer. Thereby, a copper layer can be formed directly on a transparent base material or a blackening layer, without passing an adhesive agent.
また、銅層の膜厚が厚い場合には、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することにより、銅薄膜層と銅めっき層とを有する銅層とすることもできる。すなわち、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していても良い。銅層が銅薄膜層と銅めっき層とを有することにより、この場合も透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。 When the copper layer is thick, the copper thin film layer is used as a power feeding layer, and a copper plating layer is formed by a wet plating method to form a copper layer having a copper thin film layer and a copper plating layer. You can also. That is, the copper layer may have a copper thin film layer and a copper plating layer. Since the copper layer has the copper thin film layer and the copper plating layer, the copper layer can be directly formed on the transparent substrate or the blackening layer without using an adhesive.
銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層は100nm以上であることが好ましく、150nm以上とすることがより好ましい。 The thickness of the copper layer is not particularly limited, and when the copper layer is used as a wiring, it can be arbitrarily selected according to the magnitude of the current supplied to the wiring, the wiring width, and the like. In particular, the copper layer is preferably 100 nm or more, and more preferably 150 nm or more so that sufficient current can be supplied.
銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じやすくなる。このため、銅層の厚さは3μm以下であることが好ましく、700nm以下であることがより好ましく、200nm以下であることがさらに好ましい。 The upper limit value of the thickness of the copper layer is not particularly limited, but if the copper layer becomes thick, side etching occurs because etching takes time when performing etching to form a wiring, and the resist peels off during the etching. Etc. are likely to occur. For this reason, the thickness of the copper layer is preferably 3 μm or less, more preferably 700 nm or less, and even more preferably 200 nm or less.
なお、銅層が上述のように銅薄膜層と銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。 In addition, when a copper layer has a copper thin film layer and a copper plating layer as mentioned above, it is preferable that the sum total of the thickness of a copper thin film layer and the thickness of a copper plating layer is the said range.
次に、黒化層について説明する。銅層は金属光沢を有するため、透明基材に銅層をエッチングした配線を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。 Next, the blackened layer will be described. Since the copper layer has a metallic luster, the copper reflects light as described above only by forming a wiring obtained by etching the copper layer on a transparent base material. For example, when used as a conductive substrate for a touch panel, the display is visually recognized. There was a problem that the performance decreased.
そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を十分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であった。そこで本発明の発明者らが検討を行ったところ、酸素、窒素、ニッケル、及びタングステンを含有する層は黒色であるため黒化層に使用でき、さらにエッチング液に対して十分な反応性を示すため、銅層と同時にエッチング処理を行えることを見出したものである。 Therefore, a method of providing a blackened layer has been studied, but the blackened layer may not have sufficient reactivity with the etching solution, and the copper layer and the blackened layer are simultaneously etched into a desired shape. It was difficult. Therefore, the inventors of the present invention have studied, and since the layer containing oxygen, nitrogen, nickel, and tungsten is black, it can be used as a blackening layer and further exhibits sufficient reactivity with the etching solution. Therefore, it has been found that the etching process can be performed simultaneously with the copper layer.
酸素、窒素、ニッケル、及びタングステンを含有する層である黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により成膜することができる。ただし、比較的容易に黒化層を成膜できることから、スパッタリング法により成膜することが好ましい。 The method for forming the blackening layer, which is a layer containing oxygen, nitrogen, nickel, and tungsten, is not particularly limited, and can be formed by any method. However, since the blackening layer can be formed relatively easily, it is preferable to form the film by sputtering.
黒化層はニッケル酸化物とタングステン酸化物との混合物から作製した、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットを用いてスパッタリング法により成膜することができる。 The blackening layer can be formed by a sputtering method using a target containing nickel oxide and tungsten oxide, which is made from a mixture of nickel oxide and tungsten oxide.
黒化層をスパッタリング法により成膜する際、チャンバー内に反応性ガスとして、酸素と窒素、もしくは窒素のみを供給しながら成膜することができる。チャンバー内に供給する酸素と窒素の供給割合は特に限定されるものではないが、酸素を0体積以上20体積%以下、窒素を30体積%以上70体積%以下の割合で含有するガスをチャンバー内に供給しながらスパッタリング法により成膜することが好ましい。 When the blackening layer is formed by sputtering, it can be formed while supplying oxygen and nitrogen, or only nitrogen, as reactive gases in the chamber. The supply ratio of oxygen and nitrogen supplied into the chamber is not particularly limited, but a gas containing oxygen in a ratio of 0 to 20% by volume and nitrogen in a ratio of 30 to 70% by volume is contained in the chamber. It is preferable to form a film by a sputtering method while supplying to the substrate.
これは、チャンバー内に供給するガス中の酸素の供給割合を20体積%以下とすることにより、黒化層のエッチング液に対する反応性を特に高めることができ、銅層と共にエッチングを行う際、銅層と黒化層とをより容易に所望のパターンにすることができ好ましいからである。なお、上述のように黒化層を成膜する際のニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットには酸素が含まれているため、黒化層を成膜する際のチャンバー内への酸素の供給割合は、0体積%以上10体積%以下とすることがより好ましい。 This is because when the oxygen supply ratio in the gas supplied into the chamber is 20% by volume or less, the reactivity of the blackening layer with respect to the etching solution can be particularly improved. This is because the desired pattern can be more easily formed between the layer and the blackened layer. As described above, since the target containing nickel oxide and tungsten oxide when forming the blackened layer contains oxygen, the target into the chamber when forming the blackened layer is contained. The oxygen supply ratio is more preferably 0% by volume to 10% by volume.
黒化層を成膜する際にチャンバー内に窒素を供給することにより、成膜した黒化層をエッチングしやすくなるが、供給割合が多くなりすぎると黒化層の黒色が薄くなり、黒化層としての性能が低下する恐れがある。また、窒素の供給割合が多くなりすぎると、ターゲットからのスパッタ速度が遅くなる恐れがある。このためスパッタリングの際にチャンバー内に供給するガス中の窒素の供給割合は30体積%以上70体積%以下とすることが好ましく、35体積%以上40体積%以下とすることがより好ましい。 Supplying nitrogen into the chamber when depositing the blackened layer makes it easier to etch the blackened layer, but if the supply ratio increases too much, the blackened layer becomes darker and blackened. There is a possibility that the performance as a layer is lowered. Moreover, when the supply ratio of nitrogen increases too much, the sputtering rate from the target may be reduced. For this reason, the supply ratio of nitrogen in the gas supplied into the chamber during sputtering is preferably 30% by volume to 70% by volume, and more preferably 35% by volume to 40% by volume.
窒素の供給割合を30体積%以上とすることで、成膜した黒化層をよりエッチングし易くなり好ましい。 A nitrogen supply ratio of 30% by volume or more is preferable because the formed blackened layer is more easily etched.
また、窒素の供給割合を70体積%以下とすることによりニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットのスパッタ速度を確保でき、成膜した黒化層について、光の反射を十分に抑制できる色にできるため好ましい。さらにチャンバー内へ窒素の供給割合が40体積%以下になるように供給した場合、スパッタ速度が特に向上するため、より好ましい。 Moreover, the sputtering rate of the target containing nickel oxide and tungsten oxide can be secured by setting the nitrogen supply ratio to 70% by volume or less, and reflection of light can be sufficiently suppressed for the formed blackened layer. It is preferable because it can be colored. Further, it is more preferable to supply nitrogen into the chamber so that the supply ratio of nitrogen is 40% by volume or less because the sputtering rate is particularly improved.
なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素と窒素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素と窒素以外の残部については例えばアルゴンまたはヘリウムを供給することができる。 Note that when sputtering is performed, the gas supplied into the chamber is preferably an inert gas for the remainder other than oxygen and nitrogen. For the remainder other than oxygen and nitrogen, for example, argon or helium can be supplied.
ここまで、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットを用いた酸素、窒素、ニッケル、及びタングステンを含有する層の成膜方法について説明したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、酸素、窒素、ニッケル、及びタングステンを含有する層は、ニッケル−タングステン合金のターゲットを用いて、チャンバー内に窒素と酸素とを供給しながらスパッタリング法により成膜することもできる。 So far, the method for forming a layer containing oxygen, nitrogen, nickel, and tungsten using a target containing nickel oxide and tungsten oxide has been described; however, the present invention is not limited to such a mode. For example, a layer containing oxygen, nitrogen, nickel, and tungsten can be formed by a sputtering method using a nickel-tungsten alloy target while supplying nitrogen and oxygen into the chamber.
ところで、黒化層は、反射率とエッチング性との両特性を備えていることが好ましい。すなわち、黒化層は低反射率であり、高いエッチング性を備えていることが好ましい。本発明の発明者らの検討によれば、反射率、及びエッチング性は、成膜した黒化層中の酸素と窒素との含有量に影響を受ける。そして、黒化層中の酸素と窒素との含有量は、スパッタリングする際のチャンバー内への気体の供給量に影響を受ける。 By the way, it is preferable that the blackening layer has both characteristics of reflectance and etching. That is, it is preferable that the blackened layer has a low reflectance and has a high etching property. According to the study by the inventors of the present invention, the reflectance and the etching property are affected by the contents of oxygen and nitrogen in the formed blackened layer. The contents of oxygen and nitrogen in the blackened layer are affected by the amount of gas supplied into the chamber during sputtering.
上述のようにニッケル−タングステン合金ターゲットを用いて黒化層を成膜する場合、均一で上記両特性を備えた黒化層を得るため、黒化層中の酸素と窒素との含有量を制御する場合、チャンバー内の窒素と酸素の比率を高精度に制御する必要がある。 When forming a blackening layer using a nickel-tungsten alloy target as described above, the content of oxygen and nitrogen in the blackening layer is controlled in order to obtain a blackening layer that is uniform and has both the above characteristics. In this case, it is necessary to control the ratio of nitrogen and oxygen in the chamber with high accuracy.
これに対して、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットの場合、ターゲットに酸素が含まれている。このため、係るターゲットを用いて均一で上記両特性を備えた黒化層を得るため、黒化層中の酸素と窒素との含有量を制御する場合、スパッタリングする際のチャンバー内は、ほぼ窒素を制御すればよい。従って、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットを用いて黒化層を成膜する場合、比較的容易に黒化層中の酸素と窒素の比率を制御することができ、均一で、反射率と、エッチング性とに優れた黒化層を作製することができる。 On the other hand, in the case of a target containing nickel oxide and tungsten oxide, the target contains oxygen. For this reason, in order to obtain a blackened layer that is uniform and has both of the above characteristics using such a target, when controlling the contents of oxygen and nitrogen in the blackened layer, the inside of the chamber during sputtering is substantially nitrogen. Can be controlled. Therefore, when forming a blackening layer using a target containing nickel oxide and tungsten oxide, the ratio of oxygen and nitrogen in the blackening layer can be controlled relatively easily, A blackened layer having excellent reflectance and etching property can be produced.
このため、ここまで説明したように酸素、窒素、ニッケル、及びタングステンを含有する層である黒化層は、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットを用いて成膜することが好ましい。 Therefore, as described so far, the blackening layer that is a layer containing oxygen, nitrogen, nickel, and tungsten is preferably formed using a target containing nickel oxide and tungsten oxide.
ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットの組成は特に限定されないが、例えばタングステン酸化物を5重量%以上30重量%以下の割合で含有することが好ましく、タングステン酸化物を15重量%以上25重量%以下の割合で含有することがより好ましい。これらの場合、例えば残部はニッケル酸化物により構成することができる。このため、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットは、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とからなるターゲットとすることもできる。ただし、これらの場合においても、ターゲットを作製する際に用いるバインダー等の不可避成分が含まれていることを排除するものではない。 The composition of the target containing nickel oxide and tungsten oxide is not particularly limited. For example, it is preferable to contain tungsten oxide in a proportion of 5 wt% to 30 wt%, and tungsten oxide is 15 wt% or more. More preferably, it is contained in a proportion of 25% by weight or less. In these cases, for example, the remainder can be made of nickel oxide. For this reason, the target containing nickel oxide and tungsten oxide can be a target made of nickel oxide and tungsten oxide. However, even in these cases, it is not excluded that unavoidable components such as a binder used for producing the target are included.
なお、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットは、ニッケル酸化物と、タングステン酸化物との混合物を焼結することで製造することができる。しかし、タングステン酸化物の含有量が増加すると、該ターゲットの焼結性が低下する場合がある。すなわちターゲットとすることが困難になる場合がある。しかし、タングステン酸化物含有量が30重量%以下の場合、焼結性が十分に高く、容易にターゲットとすることができるため好ましい。 Note that a target containing nickel oxide and tungsten oxide can be manufactured by sintering a mixture of nickel oxide and tungsten oxide. However, when the content of tungsten oxide increases, the sinterability of the target may decrease. That is, it may be difficult to target. However, when the tungsten oxide content is 30% by weight or less, it is preferable because the sinterability is sufficiently high and can be easily targeted.
また、本発明の発明者らの検討によると、ターゲット中のタングステン酸化物の含有量が増加するにつれて、透明基材や、銅層と、黒化層との密着性を向上させることができる。そして、ターゲット中のタングステン酸化物の含有量を5重量%以上とすることで、該ターゲットを用いて作製した黒化層と、透明基材または銅層との密着性を十分に高めることができるため好ましい。 Moreover, according to examination of the inventors of this invention, the adhesiveness of a transparent base material, a copper layer, and a blackening layer can be improved as content of the tungsten oxide in a target increases. And by making content of the tungsten oxide in a target into 5 weight% or more, the adhesiveness of the blackening layer produced using this target and a transparent base material or a copper layer can fully be improved. Therefore, it is preferable.
成膜した黒化層中において、酸素、窒素、ニッケル及びタングステンはどのような形態で含まれていてもよい。ニッケルまたはタングステンが例えば、酸化ニッケル(NiO)、窒化ニッケル(Ni3N)、酸化タングステン(WO3、WO2、W2O3)や窒化タングステン(W2N、WN)等の酸化物または窒化物を生成し、該化合物が黒化層に含まれていてもよい。 In the formed blackened layer, oxygen, nitrogen, nickel and tungsten may be contained in any form. Nickel or tungsten is, for example, oxide or nitride such as nickel oxide (NiO), nickel nitride (Ni 3 N), tungsten oxide (WO 3 , WO 2 , W 2 O 3 ) or tungsten nitride (W 2 N, WN). And the compound may be contained in the blackened layer.
また、黒化層は例えば酸素および窒素を含有するニッケル−タングステン混合物のように、酸素、窒素、ニッケル及びタングステンを同時に含有する1種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述したニッケルの酸化物、ニッケルの窒化物、タングステンの酸化物、タングステンの窒化物から選択される1種類以上の物質を含有する層であってもよい。 Further, the blackening layer may be a layer composed of only one kind of substance containing oxygen, nitrogen, nickel and tungsten simultaneously, such as a nickel-tungsten mixture containing oxygen and nitrogen. For example, it may be a layer containing one or more substances selected from the above-described nickel oxide, nickel nitride, tungsten oxide, and tungsten nitride.
特に、黒化層はX線回折により得られる回折パターンから同定される主相が窒化ニッケルであることが好ましい。 In particular, in the blackened layer, the main phase identified from the diffraction pattern obtained by X-ray diffraction is preferably nickel nitride.
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、20nm以上であることが好ましく、30nm以上とすることがより好ましい。これは、黒化層が薄い場合には光の反射を十分に抑制することができない場合があるためである。これに対して黒化層の厚さを上記範囲とすることにより、銅層表面での光の反射をより確実に抑制できるため好ましい。 The thickness of the blackened layer is not particularly limited, but is preferably 20 nm or more, and more preferably 30 nm or more. This is because light reflection may not be sufficiently suppressed when the blackening layer is thin. On the other hand, it is preferable to make the thickness of the blackened layer in the above range because reflection of light on the surface of the copper layer can be more reliably suppressed.
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは50nm以下とすることが好ましく、45nm以下とすることがより好ましい。 The upper limit of the thickness of the blackening layer is not particularly limited, but even if it is thicker than necessary, the time required for film formation and the time required for etching when forming the wiring are increased, resulting in an increase in cost. Will be invited. For this reason, the thickness of the blackened layer is preferably 50 nm or less, and more preferably 45 nm or less.
次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。 Next, a configuration example of the conductive substrate of this embodiment will be described.
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層と、黒化層と、を備えている。この際、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。 As described above, the conductive substrate of this embodiment includes a transparent base material, a copper layer, and a blackening layer. Under the present circumstances, the order of lamination | stacking at the time of arrange | positioning a copper layer and a blackening layer on a transparent base material is not specifically limited. Further, a plurality of copper layers and blackening layers can be formed.
具体的な構成例について、図1、図2を用いて以下に説明する。図1、図2は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。 A specific configuration example will be described below with reference to FIGS. 1 and 2 show examples of cross-sectional views of the conductive substrate of this embodiment on a plane parallel to the lamination direction of the transparent base material, the copper layer, and the blackening layer.
例えば、図1(a)に示した導電性基板10Aのように、透明基材11の一方の面11a側に銅層12と、黒化層13と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図1(b)に示した導電性基板10Bのように、透明基材11の一方の面11a側と、もう一方の面(他方の面)11b側と、にそれぞれ銅層12A、12Bと、黒化層13A、13Bと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層12(12A、12B)、及び、黒化層13(13A、13B)を積層する順は、図1(a)、(b)の例に限定されず、透明基材11側から黒化層13(13A、13B)、銅層12(12A、12B)の順に積層することもできる。
For example, as in the
このように透明基材11側から黒化層13(13A、13B)、銅層12(12A、12B)の順に積層することもできる。このように透明基材11と銅層12との間に黒化層13を配置した場合、黒化層13により透明基材11と銅層12との密着性を高めることができるため好ましい。なお、例えば後述する図2(a)に示した構造を有する場合についても、同様の理由から第1の黒化層131は透明基材11と銅層12との密着性を高めることができる。
Thus, the blackening layer 13 (13A, 13B) and the copper layer 12 (12A, 12B) can be laminated in this order from the
また、例えば黒化層を透明基材11の1つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図2(a)に示した導電性基板20Aのように、透明基材11の一方の面11a側に、第1の黒化層131と、銅層12と、第2の黒化層132と、をその順に積層することができる。
Further, for example, a configuration in which a plurality of blackening layers are provided on one surface side of the
この場合も透明基材11の両面に銅層、第1の黒化層、第2の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図2(b)に示した導電性基板20Bのように、透明基材11の一方の面11a側と、もう一方の面(他方の面)11b側と、にそれぞれ第1の黒化層131A、131Bと、銅層12A、12Bと、第2の黒化層132A、132Bと、をその順に積層できる。
In this case as well, a configuration in which a copper layer, a first blackened layer, and a second blackened layer are laminated on both surfaces of the
なお、図1(b)、図2(b)において、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材11を対称面として透明基材11の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図2(b)において、透明基材11の一方の面11a側の構成を図1(a)の構成と同様に、銅層12と、黒化層13と、をその順に積層した形態とし、透明基材11の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
In FIGS. 1B and 2B, when a copper layer and a blackening layer are laminated on both surfaces of the transparent base material, the
ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅層と、銅層表面での光の反射を抑制できる黒化層と、を設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。 Up to this point, the conductive substrate of the present embodiment has been described. However, in the conductive substrate of the present embodiment, a copper layer on the transparent substrate, and a blackened layer that can suppress reflection of light on the surface of the copper layer; Therefore, reflection of light by the copper layer can be suppressed.
本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば本実施形態の導電性基板は、波長550nmの光の反射率は40%以下であることが好ましく、30%以下であることがより好ましく、20%以下であることが特に好ましい。これは波長550nmの光の反射率が40%以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。 The degree of light reflection of the conductive substrate of the present embodiment is not particularly limited, but for example, the conductive substrate of the present embodiment preferably has a reflectance of light having a wavelength of 550 nm of 40% or less. 30% or less is more preferable, and 20% or less is particularly preferable. This is preferable when the reflectance of light having a wavelength of 550 nm is 40% or less, for example, even when used as a conductive substrate for a touch panel, since the display visibility hardly deteriorates.
反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、導電性基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化側から測定を行うことができる。 The reflectance can be measured by irradiating the blackened layer with light. That is, measurement can be performed from the blackened side of the copper layer and the blackened layer included in the conductive substrate.
具体的には例えば図1(a)のように透明基材11の一方の面11aに銅層12、黒化層13の順に積層した場合、黒化層13に光を照射できるように、図中Aで示した表面側から測定できる。
Specifically, for example, when the copper layer 12 and the blackened
また、図1(a)の場合と銅層12と黒化層13との配置を換え、透明基材11の一方の面11aに黒化層13、銅層12の順に積層した場合、透明基材11を除いて黒化層13が最表面に位置する側である、透明基材11の面11b側から反射率を測定できる。
Further, in the case of FIG. 1A, the arrangement of the copper layer 12 and the blackened
なお、後述のように導電性基板は銅層及び黒化層をエッチングすることにより配線を形成できるが、上記反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、エッチング処理前、または、エッチング処理を行った後であれば、黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。 As will be described later, the conductive substrate can form wiring by etching the copper layer and the blackened layer, but the reflectance is arranged on the outermost surface when the transparent substrate is removed from the conductive substrate. The reflectance of the blackened layer on the surface on the light incident side is shown. For this reason, if it is before an etching process or after performing an etching process, it is preferable that the measured value in the part in which the blackening layer remains satisfy | fills the said range.
本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板にはメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。 As described above, the conductive substrate of this embodiment can be preferably used as a conductive substrate for a touch panel, for example. In this case, the conductive substrate can have a mesh-like wiring.
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。 The conductive substrate provided with the mesh-like wiring can be obtained by etching the copper layer and the blackening layer of the conductive substrate of the present embodiment described so far.
例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図3に示す。図3はメッシュ状の配線を備えた導電性基板30を銅層、黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。図3に示した導電性基板30は、透明基材11と、図中X軸方向に平行な複数の配線31AとY軸方向に平行な配線31Bとを有している。なお、配線31A、31Bは銅層をエッチングして形成されており、該配線31A、31Bの上面および/または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線31A、31Bと同じ形状にエッチングされている。
For example, a two-layer wiring can be used as a mesh wiring. A specific configuration example is shown in FIG. FIG. 3 shows a view of the
透明基材11と配線31A、31Bとの配置は特に限定されない。透明基材11と配線との配置の構成例を図4(a)、(b)に示す。図4(a)、(b)は図3のA−A´線での断面図に当たる。
The arrangement of the
まず、図4(a)に示したように、透明基材11の上下面にそれぞれ配線31A、31Bが配置されていてもよい。なお、この場合、配線31A、31Bの上面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層32A、32Bが配置される。
First, as shown to Fig.4 (a),
また、図4(b)に示したように、1組の透明基材11A、11Bを用い、一方の透明基材11Aを挟んで上下面に配線31A、31Bを配置し、かつ、一方の配線31Bは透明基材11A、11B間に配置されてもよい。この場合も、配線31A、31Bの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層32A、32Bが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、銅層との配置は限定されるものではない。このため、図4(a)、(b)いずれの場合でも黒化層32A、32Bと配線31A、31Bの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化層を複数層設けることもできる。
Further, as shown in FIG. 4B, a pair of
図3及び図4(a)に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図1(b)、図2(b)のように透明基材11の両面に銅層12A、12Bと、黒化層13A、13B(131A、132A、131B、132B)と、を備えた導電性基板から形成することができる。
The conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIG. 3 and FIG. 4A includes, for example,
図1(b)の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材11の一方の面11a側の銅層12A及び黒化層13Aを、図1(b)中X軸方向に平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。図1(b)中のX軸方向とは、図1(b)中の各層の幅方向と平行な方向を意味している。
The case where it is formed using the conductive substrate of FIG. 1B will be described as an example. First, the
そして、透明基材11のもう一方の面11b側の銅層12B及び黒化層13Bを図1(b)中Y軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図1(b)中のY軸方向は、紙面と垂直な方向を意味している。
A plurality of linear patterns parallel to the Y-axis direction in FIG. 1B are arranged at predetermined intervals on the
以上の操作により図3、図4(a)に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材11の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層12A、12B、黒化層13A、13Bのエッチングは同時に行ってもよい。
Through the above operation, the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIGS. 3 and 4A can be formed. Note that the etching of both surfaces of the
図3に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図1(a)または図2(a)に示した導電性基板を2枚用いることにより形成することもできる。図1(a)の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図1(a)に示した導電性基板2枚についてそれぞれ、銅層12及び黒化層13を、X軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて2枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。2枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではなく、図4(b)のように銅層12等が積層された図1(a)における面Aと、銅層12等が積層されていない図1(a)における面11bとを貼り合せてもよい。また、例えば透明基材11の銅層12等が積層されていない図1(a)における面11b同士を貼り合せて断面が図4(a)に示した構造となるように貼り合せてもよい。
The conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIG. 3 can also be formed by using two conductive substrates shown in FIG. 1 (a) or FIG. 2 (a). The case where the conductive substrate of FIG. 1A is used will be described as an example. For the two conductive substrates shown in FIG. 1A, the copper layer 12 and the blackened
なお、図3、図4に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。 Note that the width of the wiring and the distance between the wirings in the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIGS. 3 and 4 are not particularly limited, and are selected according to, for example, the amount of current flowing through the wiring. can do.
また、図3、図4においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線(配線パターン)を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ(干渉縞)が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線(ジグザグ直線)等の各種形状にすることもできる。 3 and 4 show an example in which a mesh-like wiring (wiring pattern) is formed by combining linear wirings, but the present invention is not limited to such a configuration, and a wiring pattern is configured. The wiring can have any shape. For example, the shape of the wiring constituting the mesh-like wiring pattern can be changed to various shapes such as jagged lines (zigzag straight lines) so that moire (interference fringes) does not occur between the images on the display.
このように2層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
(導電性基板の製造方法)
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
Thus, a conductive substrate having a mesh-like wiring composed of two layers of wiring can be preferably used as a conductive substrate for a projected capacitive touch panel, for example.
(Method for producing conductive substrate)
Next, a configuration example of the method for manufacturing the conductive substrate according to the present embodiment will be described.
本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。 The manufacturing method of the conductive substrate of this embodiment can have the following processes.
透明基材を準備する透明基材準備工程。 A transparent base material preparation step for preparing a transparent base material.
透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程。 A copper layer forming step of forming a copper layer on at least one surface side of the transparent substrate.
透明基材の少なくとも一方の面側に黒化層を形成する黒化層形成工程。 A blackened layer forming step of forming a blackened layer on at least one surface side of the transparent substrate.
そして、黒化層形成工程においては、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有し、タングステン酸化物を5質量%以上30質量%以下の割合で含んでいるターゲットを用いて、窒素を含有する雰囲気中で前記黒化層を成膜することができる。 In the blackening layer forming step, an atmosphere containing nitrogen using a target containing nickel oxide and tungsten oxide and containing tungsten oxide in a proportion of 5% by mass to 30% by mass. The blackening layer can be formed therein.
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。 Although the manufacturing method of the electroconductive board | substrate of this embodiment is demonstrated below, since it can be set as the structure similar to the case of the above-mentioned electroconductive board | substrate except the point demonstrated below, description is abbreviate | omitted.
上述のように、本実施形態の導電性基板においては、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成工程と、黒化層形成工程の順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する導電性基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。 As described above, in the conductive substrate of this embodiment, the order of stacking when the copper layer and the blackened layer are arranged on the transparent substrate is not particularly limited. Further, a plurality of copper layers and blackening layers can be formed. For this reason, the order of the copper layer forming step and the blackened layer forming step and the number of times of execution are not particularly limited, and are performed at an arbitrary number of times according to the structure of the conductive substrate to be formed. be able to.
透明基材を準備する透明基材準備工程は、例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の工程での各工程に供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。 The transparent substrate preparation step for preparing a transparent substrate is a step of preparing a transparent substrate composed of, for example, an insulating film that transmits visible light, a glass substrate, or the like, and the specific operations are particularly limited. It is not a thing. For example, in order to use for each process in a latter process, it can cut | disconnect etc. to arbitrary sizes as needed.
なお、可視光を透過する絶縁体フィルムとして特に好適に用いることができるフィルムについては既述のため、ここでは説明を省略する。 Note that since a film that can be particularly suitably used as an insulating film that transmits visible light has already been described, description thereof is omitted here.
次に銅層形成工程について説明する。 Next, the copper layer forming step will be described.
銅層は既述のように、銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅薄膜層と銅めっき層とを有することもできる。このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程と、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程と、を有していても良い。 As described above, the copper layer preferably has a copper thin film layer. Moreover, it can also have a copper thin film layer and a copper plating layer. For this reason, a copper layer formation process can have a process of forming a copper thin film layer, for example with a dry plating method. Moreover, the copper layer forming step may include a step of forming a copper thin film layer by a dry plating method and a step of forming a copper plating layer by a wet plating method using the copper thin film layer as a power feeding layer. .
銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。 The dry plating method used for forming the copper thin film layer is not particularly limited, and for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like can be used. In particular, as the dry plating method used for forming the copper thin film layer, it is more preferable to use the sputtering method because the film thickness can be easily controlled.
巻取式スパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。まず、銅ターゲットをスパッタリング用カソードに装着し、真空チャンバー内に基材、具体的には透明基材や、黒化層を形成した透明基材等をセットする。真空チャンバー内を真空排気後、Arガスを導入して装置内を0.13Pa〜1.3Pa程度に保持する。この状態で、巻出ロールから基材を例えば毎分1〜20m程度の速さで搬送しながら、カソードに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。 The process of forming a copper thin film layer will be described taking the case of using a winding type sputtering apparatus as an example. First, a copper target is mounted on a sputtering cathode, and a base material, specifically a transparent base material, a transparent base material with a blackened layer, or the like is set in a vacuum chamber. After evacuating the inside of the vacuum chamber, Ar gas is introduced to maintain the inside of the apparatus at about 0.13 Pa to 1.3 Pa. In this state, while conveying the substrate from the unwinding roll at a speed of, for example, about 1 to 20 m per minute, power is supplied from the DC power supply for sputtering connected to the cathode, and sputtering discharge is performed, and the desired material is applied on the substrate. The copper thin film layer can be continuously formed.
湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。 The conditions in the step of forming the copper plating layer by the wet plating method, that is, the conditions for the electroplating treatment are not particularly limited, and various conditions according to ordinary methods may be adopted. For example, a copper plating layer can be formed by supplying a base material on which a copper thin film layer is formed in a plating tank containing a copper plating solution and controlling the current density and the conveyance speed of the base material.
次に、黒化層形成工程について説明する。 Next, the blackening layer forming process will be described.
黒化層形成工程も特に限定されるものではないが、既述のように、スパッタリング法により、黒化層を成膜する工程とすることができる。 Although the blackening layer forming step is not particularly limited, as described above, the blackening layer can be formed by sputtering.
この際、ターゲットとしてニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットを用いることができる。ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有するターゲットの組成は特に限定されないが、例えばタングステン酸化物を5質量%以上30質量%以下の割合で含有することが好ましく、タングステン酸化物を15質量%以上25質量%以下の割合で含有することがより好ましい。これらの場合、残部はニッケル酸化物により構成することができる。 At this time, a target containing nickel oxide and tungsten oxide can be used as the target. The composition of the target containing nickel oxide and tungsten oxide is not particularly limited. For example, it is preferable to contain tungsten oxide in a proportion of 5% by mass to 30% by mass, and tungsten oxide is 15% by mass or more. More preferably, it is contained in a proportion of 25% by mass or less. In these cases, the balance can be composed of nickel oxide.
また、黒化層形成工程において、黒化層をスパッタリング法により成膜する際、反応性ガスとして、チャンバー内に窒素と酸素、もしくは窒素のみを供給しながら成膜することができる。チャンバー内に供給する酸素と窒素の供給割合は特に限定されるものではないが、酸素を0体積以上20体積%以下、窒素を30体積%以上70体積%以下の割合で含有するガスをチャンバー内に供給しながらスパッタリング法により成膜することが好ましい。 Further, in forming the blackened layer by sputtering in the blackened layer forming step, the blackened layer can be formed while supplying nitrogen and oxygen or only nitrogen into the chamber as a reactive gas. The supply ratio of oxygen and nitrogen supplied into the chamber is not particularly limited, but a gas containing oxygen in a ratio of 0 to 20% by volume and nitrogen in a ratio of 30 to 70% by volume is contained in the chamber. It is preferable to form a film by a sputtering method while supplying to the substrate.
特に、黒化層を成膜する際のターゲットには酸素が含まれているため、黒化層を成膜する際のチャンバー内への酸素の供給割合は、0体積%以上10体積%以下とすることがより好ましい。また、スパッタリングの際にチャンバー内に供給する窒素の供給割合は35体積%以上40体積%以下とすることがより好ましい。 In particular, since oxygen is contained in the target when forming the blackened layer, the supply ratio of oxygen into the chamber when forming the blackened layer is 0% by volume or more and 10% by volume or less. More preferably. Further, the supply ratio of nitrogen supplied into the chamber at the time of sputtering is more preferably 35% by volume or more and 40% by volume or less.
なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素と窒素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素と窒素以外の残部については例えばアルゴンまたはヘリウムを供給することができる。 Note that when sputtering is performed, the gas supplied into the chamber is preferably an inert gas for the remainder other than oxygen and nitrogen. For the remainder other than oxygen and nitrogen, for example, argon or helium can be supplied.
成膜した黒化層中において、酸素、窒素、ニッケル及びタングステンはどのような形態で含まれていてもよい。ニッケルまたはタングステンが例えば、酸化ニッケル(NiO)、窒化ニッケル(Ni3N)、酸化タングステン(WO3、WO2、W2O3)や窒化タングステン(W2N、WN)等の酸化物または窒化物を生成し、該化合物が黒化層に含まれていてもよい。 In the formed blackened layer, oxygen, nitrogen, nickel and tungsten may be contained in any form. Nickel or tungsten is, for example, oxide or nitride such as nickel oxide (NiO), nickel nitride (Ni 3 N), tungsten oxide (WO 3 , WO 2 , W 2 O 3 ) or tungsten nitride (W 2 N, WN). And the compound may be contained in the blackened layer.
また、黒化層は例えば酸素および窒素を含有するニッケル−タングステン混合物のように、酸素、窒素、ニッケル及びタングステンを同時に含有する1種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述したニッケルの酸化物、ニッケルの窒化物、タングステンの酸化物、タングステンの窒化物から選択される1種類以上の物質を含有する層であってもよい。 Further, the blackening layer may be a layer composed of only one kind of substance containing oxygen, nitrogen, nickel and tungsten simultaneously, such as a nickel-tungsten mixture containing oxygen and nitrogen. For example, it may be a layer containing one or more substances selected from the above-described nickel oxide, nickel nitride, tungsten oxide, and tungsten nitride.
特に、黒化層はX線回折により得られる回折パターンから同定される主相が窒化ニッケルであることが好ましい。 In particular, in the blackened layer, the main phase identified from the diffraction pattern obtained by X-ray diffraction is preferably nickel nitride.
そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、既述の導電性基板と同様に、銅層は厚さが100nm以上であることが好ましく、150nm以上とすることがより好ましい。また、銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、3μm以下であることが好ましく、700nm以下であることがより好ましく、200nm以下であることがさらに好ましい。 And as for the electroconductive board | substrate obtained by the manufacturing method of the electroconductive board | substrate demonstrated here, it is preferable that the copper layer is 100 nm or more like the conductive board | substrate mentioned above, and it shall be 150 nm or more. More preferred. The upper limit value of the thickness of the copper layer is not particularly limited, but is preferably 3 μm or less, more preferably 700 nm or less, and further preferably 200 nm or less.
また、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板においても、黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば20nm以上であることが好ましく、30nm以上とすることがより好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、50nm以下とすることが好ましく、45nm以下とすることがより好ましい。 Also in the conductive substrate obtained by the conductive substrate manufacturing method described here, the thickness of the blackening layer is not particularly limited, but is preferably 20 nm or more, for example, 30 nm or more. It is more preferable. The upper limit of the thickness of the blackening layer is not particularly limited, but is preferably 50 nm or less, and more preferably 45 nm or less.
さらに、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、波長550nmの光の反射率は40%以下であることが好ましく、30%以下であることがより好ましく、20%以下であることが特に好ましい。 Furthermore, the conductive substrate obtained by the conductive substrate manufacturing method described herein preferably has a light reflectance of 550 nm of 40% or less, more preferably 30% or less, and 20% or less. It is particularly preferred that
そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、メッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。この場合、上述の工程に加えて、銅層と、黒化層と、をエッチングすることにより、配線を形成するエッチング工程をさらに有することができる。 And the conductive substrate obtained by the manufacturing method of the conductive substrate demonstrated here can be made into the conductive substrate provided with the mesh-shaped wiring. In this case, in addition to the above-described steps, an etching step of forming a wiring by etching the copper layer and the blackening layer can be further included.
係るエッチング工程は例えば、まず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図1(a)に示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層13の露出した面A上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
In the etching step, for example, first, a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is formed on the outermost surface of the conductive substrate. In the case of the conductive substrate shown in FIG. 1A, a resist can be formed on the exposed surface A of the
次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層12、黒化層13のエッチングを実施することができる。
Next, the copper layer 12 and the blackened
なお、図1(b)のように透明基材11の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、導電性基板の最表面A及びBにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材11の両面に形成した銅層、黒化層を同時にエッチングしてもよい。
In addition, when a copper layer and a blackening layer are disposed on both surfaces of the
また、透明基材11の両側に形成された銅層及び黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層12A及び黒化層13Aのエッチングを行った後に、銅層12B及び黒化層13Bのエッチングを行うこともできる。
In addition, the copper layer and the blackened layer formed on both sides of the
黒化層は銅層と同様のエッチング液への反応性を示すことから、エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸と、の混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と、塩酸との含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を5重量%以上50重量%以下の割合で含むことが好ましく、10重量%以上30重量%以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を1重量%以上50重量%以下の割合で含むことが好ましく、1重量%以上20重量%以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。 Since the blackening layer exhibits the same reactivity to the etching solution as the copper layer, the etching solution used in the etching step is not particularly limited, and an etching solution generally used for etching the copper layer is preferably used. be able to. As the etching solution, for example, a mixed aqueous solution of ferric chloride and hydrochloric acid can be used more preferably. The contents of ferric chloride and hydrochloric acid in the etching solution are not particularly limited. For example, ferric chloride is preferably contained in a proportion of 5 wt% to 50 wt%, and preferably 10 wt%. More preferably, it is contained in a proportion of 30% by weight or less. Further, for example, the etching solution preferably contains hydrochloric acid in a proportion of 1 wt% or more and 50 wt% or less, and more preferably contains 1 wt% or more and 20 wt% or less. The remainder can be water.
エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していること好ましく、例えば40℃以上50℃以下に加熱して用いることが好ましい。 Although the etching solution can be used at room temperature, it is preferably heated to increase the reactivity. For example, it is preferably heated to 40 to 50 ° C.
上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。 The specific form of the mesh-like wiring obtained by the above-described etching process is as described above, and the description thereof is omitted here.
また、既述のように、図1(a)、図2(a)に示した透明基材11の一方の面側に銅層、黒化層を有する導電性基板を2枚貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、2枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。
In addition, as described above, two conductive substrates having a copper layer and a blackened layer are bonded to one side of the
なお、メッシュ状の配線として図3、図4においては、直線形状にパターン化された配線を組み合わせた例を示したが、係る形態に限定されるものではない。配線パターンを構成する配線、すなわちパターン化された銅層の形状は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ(干渉縞)が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線(ジグザグ直線)等の各種形状にすることもできる。 3 and 4 show examples of mesh-like wirings in which wirings patterned in a linear shape are combined. However, the present invention is not limited to such a form. The wiring constituting the wiring pattern, that is, the shape of the patterned copper layer can be any shape. For example, the shape of the wiring constituting the mesh-like wiring pattern can be changed to various shapes such as jagged lines (zigzag straight lines) so that moire (interference fringes) does not occur between the images on the display.
以上に本実施形態の導電性基板及び導電性基板の製造方法について説明した。係る導電性基板によれば、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示すことから、容易に所望の配線を形成することができる。また、酸素、窒素、ニッケル、及びタングステンを含有する層は黒色であるため黒化層として機能し、銅層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。 The conductive substrate and the method for manufacturing the conductive substrate of the present embodiment have been described above. According to such a conductive substrate, since the copper layer and the blackened layer show substantially the same reactivity with the etching solution, a desired wiring can be easily formed. In addition, since the layer containing oxygen, nitrogen, nickel, and tungsten is black, it functions as a blackened layer and can suppress reflection of light by the copper layer. For example, when a conductive substrate for a touch panel is used. , Visibility can be suppressed.
以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples of the present invention, but the present invention is not limited to these Examples.
まず、後述する各実施例、比較例において作製した試料の評価方法について説明する。
(評価方法)
(1)反射率
測定は、紫外可視光分光光度計(株式会社島津製作所製 型番:UV−2550)に反射率測定ユニットを設置して行った。
First, the evaluation method of the sample produced in each Example mentioned later and a comparative example is demonstrated.
(Evaluation method)
(1) Reflectance Measurement was performed by installing a reflectance measurement unit in an ultraviolet-visible light spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, model number: UV-2550).
以下の実施例1〜6、比較例1、2では断面形状が、銅層12と、黒化層13との積層順を逆にした点以外は、図1(a)と同様の構造を有する導電性基板を作製した。すなわち、透明基材11側から、黒化層13、銅層12の順に積層した導電性基板を作製した。そこで、作製した導電性基板のうち、透明基材11を除いて黒化層13が最表面側に位置する透明基材11側から、黒化層13に対して入射角5°、受光角5°として、波長550nmの光を照射した際の反射率を測定した。
(2)溶解試験
各実施例、比較例において作製した導電性基板をエッチング液に浸漬して銅層及び黒化層の溶解試験を行った。エッチング液としては塩化第二鉄10重量%と塩酸10重量%と。残部が水からなる水溶液を用い、エッチング液の温度は室温(25℃)とした。
In the following Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2, the cross-sectional shape has the same structure as FIG. 1A except that the stacking order of the copper layer 12 and the blackened
(2) Dissolution test The conductive substrate produced in each Example and the comparative example was immersed in etching liquid, and the dissolution test of the copper layer and the blackening layer was done. Etching liquid is 10% by weight of ferric chloride and 10% by weight of hydrochloric acid. An aqueous solution of the balance was used, and the temperature of the etching solution was room temperature (25 ° C.).
上記エッチング液に1分間浸漬後、導電性基板をエッチング液から取り出し、銅層および、黒化層が完全に溶解し、透明基材のみとなっていた場合に○と評価した。エッチング液から取り出した際に、銅層または黒化層が残存していた場合には、同じエッチング液にさらに1分間浸漬し、エッチング液から取り出した際に銅層及び黒化層が完全に溶解し、透明基材のみとなっていた場合には△と評価した。2回目のエッチング液への浸漬後においても銅層または黒化層が残存していた場合には×と評価した。
(試料の作製条件)
以下に各実施例、比較例における導電性基板の製造条件を示す。
[実施例1]
銅層12と、黒化層13との積層順を逆にした点以外は、図1(a)に示した構造と同等の構造を有する導電性基板を作製した。すなわち、各層の積層順は透明基材11側から黒化層13、銅層12の順となっている。
After immersing in the etching solution for 1 minute, the conductive substrate was taken out of the etching solution, and the copper layer and the blackened layer were completely dissolved and only a transparent substrate was evaluated as ◯. If the copper layer or blackened layer remains when removed from the etchant, immerse in the same etchant for another minute and completely dissolve the copper layer and blackened layer when removed from the etchant. However, when only the transparent substrate was used, it was evaluated as Δ. When the copper layer or the blackened layer remained even after the second immersion in the etching solution, it was evaluated as x.
(Sample preparation conditions)
The manufacturing conditions of the conductive substrate in each example and comparative example are shown below.
[Example 1]
A conductive substrate having a structure equivalent to the structure shown in FIG. 1A was produced except that the stacking order of the copper layer 12 and the blackened
以下に具体的な導電性基板の作製手順を説明する。 A specific procedure for manufacturing a conductive substrate will be described below.
まず、縦5cm、横5cm、厚さ0.02mmのポリエチレンテレフタラート樹脂(PET)製の透明基材を準備した(透明基材準備工程)。 First, a transparent substrate made of polyethylene terephthalate resin (PET) having a length of 5 cm, a width of 5 cm, and a thickness of 0.02 mm was prepared (transparent substrate preparation step).
透明基材の一方の面上に、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とからなるターゲットを用いて、酸素および窒素を含有する雰囲気中で黒化層を形成した(黒化層形成工程)。 A blackened layer was formed on one surface of the transparent substrate using a target composed of nickel oxide and tungsten oxide in an atmosphere containing oxygen and nitrogen (blackened layer forming step).
黒化層形成工程はスパッタリング装置(芝浦メカトロニクス株式会社製 型式:CFS−4ES−2)を用いて行った。また、ターゲットとして酸化タングステンを10質量%含み、残部が酸化ニッケルからなるターゲットを用いた。 The blackening layer forming step was performed using a sputtering apparatus (Model: CFS-4ES-2 manufactured by Shibaura Mechatronics Co., Ltd.). Moreover, the target which contains tungsten oxide 10 mass% as a target and the remainder consists of nickel oxide was used.
まず、チャンバー内に透明基材を、ターゲットと対向し、ターゲットと、透明基材との間距離が85mmになるように設置した。 First, the transparent base material was installed in the chamber so as to face the target and the distance between the target and the transparent base material was 85 mm.
次いで、チャンバー内に透明基材を設置後、チャンバー内を真空引きした。なお、スパッタリング前のチャンバーの到達真空度は1×10−3Paとした。 Next, after setting the transparent substrate in the chamber, the chamber was evacuated. The ultimate vacuum in the chamber before sputtering was 1 × 10 −3 Pa.
そして、透明基材を15rpmで回転させながらスパッタリングを行った。 Then, sputtering was performed while rotating the transparent substrate at 15 rpm.
スパッタリングの間、チャンバー内には窒素とアルゴンとを合計で15sccmになるように供給しながら行った。なお、チャンバーには窒素30体積%、酸素20体積%、残部がアルゴンになるように各ガスを供給し、スパッタリングを行った。また、スパッタリングにより黒化層の成膜を行う際、DC電源によってターゲットに電流0.42A、電圧476V(電力値約200W)を印加した。 During sputtering, nitrogen and argon were supplied into the chamber so that the total amount was 15 sccm. Each gas was supplied to the chamber so that nitrogen was 30% by volume, oxygen was 20% by volume, and the balance was argon, and sputtering was performed. Further, when the blackening layer was formed by sputtering, a current of 0.42 A and a voltage of 476 V (power value of about 200 W) were applied to the target by a DC power source.
以上の手順、条件により厚さ30nmの黒化層を成膜した。 A blackened layer having a thickness of 30 nm was formed according to the above procedure and conditions.
黒化層を成膜後、X線回折装置(Bruker AXS 社製 型式:D8 DISCOVER μ−HR)により、黒化層の主相を確認した。結果を表1に示す。 After forming the blackened layer, the main phase of the blackened layer was confirmed by an X-ray diffractometer (manufactured by Bruker AXS, model number: D8 DISCOVER μ-HR). The results are shown in Table 1.
次に、透明基材の一方の面上、ここでは黒化層の上面に銅層を形成した(銅層形成工程)。 Next, a copper layer was formed on one surface of the transparent substrate, here the upper surface of the blackened layer (copper layer forming step).
銅層は、銅ターゲットを用いて、上記黒化層を成膜した基材に銅薄膜層の膜厚が200nmとなるようにスパッタリング法により成膜した。なお、銅薄膜層を成膜する際、チャンバーにはアルゴンを100体積%供給し、基板回転速度を15rpmとし、DC電源によりスパッタリングを行った。 The copper layer was formed by sputtering using a copper target so that the film thickness of the copper thin film layer was 200 nm on the substrate on which the blackened layer was formed. When forming the copper thin film layer, 100% by volume of argon was supplied to the chamber, the substrate rotation speed was 15 rpm, and sputtering was performed with a DC power source.
以上の工程により得られた導電性基板について反射率と溶解試験を実施した。結果を表1に示す。
[実施例2]
黒化層を成膜する際、チャンバー内に窒素50体積%、残部がアルゴンになるように各ガスを供給した点以外は実施例1と同様にして実施した。なお、チャンバー内にはガスを合計で15sccmになるように供給しながら行っている。
The conductive substrate obtained through the above steps was subjected to reflectance and dissolution tests. The results are shown in Table 1.
[Example 2]
The blackening layer was formed in the same manner as in Example 1 except that each gas was supplied so that the volume of nitrogen was 50 vol% and the balance was argon. Note that the gas is supplied into the chamber so that the total gas is 15 sccm.
結果を表1に示す。
[実施例3]
黒化層を成膜する際、チャンバー内に窒素40体積%、酸素5体積%、残部がアルゴンになるように各ガスを供給した点と、ターゲットとして酸化タングステンを20質量%含み、残部が酸化ニッケルからなるターゲットを用いた点以外は実施例1と同様にして実施した。なお、チャンバー内にはガスを合計で15sccmになるように供給しながら行っている。
結果を表1に示す。
[実施例4]
黒化層を成膜する際、チャンバー内に窒素40体積%、酸素2体積%、残部がアルゴンになるように各ガスを供給した点と、黒化層の厚さを20nmとした点以外は実施例3と同様にして実施した。なお、チャンバー内にはガスを合計で15sccmになるように供給しながら行っている。
The results are shown in Table 1.
[Example 3]
When forming the blackening layer, each gas was supplied into the chamber so that nitrogen was 40% by volume, oxygen was 5% by volume, and the balance was argon, and 20% by mass of tungsten oxide was used as the target, and the balance was oxidized. It implemented similarly to Example 1 except the point which used the target which consists of nickel. Note that the gas is supplied into the chamber so that the total gas is 15 sccm.
The results are shown in Table 1.
[Example 4]
When forming the blackened layer, except that the gas was supplied into the chamber so that nitrogen was 40% by volume, oxygen was 2% by volume, and the balance was argon, and the thickness of the blackened layer was 20 nm. The same operation as in Example 3 was performed. Note that the gas is supplied into the chamber so that the total gas is 15 sccm.
結果を表1に示す。
[実施例5]
黒化層を成膜する際、チャンバー内に窒素70体積%、酸素10%、残部がアルゴンになるように各ガスを供給した点とターゲットとして酸化タングステンを30質量%含み、残部が酸化ニッケルからなるターゲットを用いた点以外は実施例1と同様にして実施した。なお、チャンバー内にはガスを合計で15sccmになるように供給しながら行っている。
The results are shown in Table 1.
[Example 5]
When the blackening layer is formed, the gas is supplied in a volume of 70% by volume of nitrogen, 10% of oxygen, and the balance is argon, and 30% by mass of tungsten oxide is used as a target, and the remainder is made of nickel oxide. This was carried out in the same manner as in Example 1 except that the target to be used was used. Note that the gas is supplied into the chamber so that the total gas is 15 sccm.
結果を表1に示す。
[実施例6]
黒化層を成膜する際、チャンバー内に窒素50体積%、残部がアルゴンになるように各ガスを供給した点以外は実施例5と同様にして実施した。なお、チャンバー内にはガスを合計で15sccmになるように供給しながら行っている。
結果を表1に示す。
[比較例1]
黒化層を成膜する際、チャンバー内に窒素20体積%、酸素3体積%、残部がアルゴンになるように各ガスを供給した点とターゲットとして酸化タングステンを40質量%含み、残部が酸化ニッケルからなるターゲットを用いた点以外は実施例1と同様にして実施した。なお、チャンバー内にはガスを合計で15sccmになるように供給しながら行っている。
The results are shown in Table 1.
[Example 6]
The blackening layer was formed in the same manner as in Example 5 except that each gas was supplied so that the volume of nitrogen was 50 vol% and the balance was argon. Note that the gas is supplied into the chamber so that the total gas is 15 sccm.
The results are shown in Table 1.
[Comparative Example 1]
When the blackening layer is formed, nitrogen is 20% by volume, oxygen is 3% by volume, each gas is supplied so that the balance is argon, and 40% by mass of tungsten oxide is used as the target, and the balance is nickel oxide. It implemented like Example 1 except the point which used the target which consists of. Note that the gas is supplied into the chamber so that the total gas is 15 sccm.
結果を表1に示す。
[比較例2]
黒化層を成膜する際、チャンバー内に窒素50体積%、酸素20体積%、残部がアルゴンになるように各ガスを供給した点とターゲットとして酸化タングステンを40質量%含み、残部が酸化ニッケルからなるターゲットを用いた点以外は実施例1と同様にして実施した。なお、チャンバー内にはガスを合計で15sccmになるように供給しながら行っている。
The results are shown in Table 1.
[Comparative Example 2]
When forming the blackening layer, nitrogen contained 50% by volume, oxygen 20% by volume, each gas was supplied so that the balance was argon, and 40% by mass of tungsten oxide as a target, the balance being nickel oxide It implemented like Example 1 except the point which used the target which consists of. Note that the gas is supplied into the chamber so that the total gas is 15 sccm.
結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.
これに対して、比較例1、2は波長550nmの光の反射率は、実施例1〜実施例6と比較して低くなっているが、溶解試験において黒化層が溶解せずに残存した。 On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, the reflectance of light having a wavelength of 550 nm is lower than those in Examples 1 to 6, but the blackened layer remained undissolved in the dissolution test. .
これは黒化層を成膜する際に用いたターゲットに含まれるタングステン酸化物の濃度が30質量%を越えていたため、黒化層中にNi3N以外にタングステン酸化物が存在し、エッチング液に対する反応性が低くなったためと考えられる。 This is because the tungsten oxide concentration contained in the target used for forming the blackened layer exceeded 30% by mass, and therefore tungsten oxide was present in the blackened layer in addition to Ni 3 N. This is thought to be due to the lower reactivity to.
10A、10B、20A、20B、30 導電性基板
11、11A、11B 透明基材
12、12A、12B 銅層
13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B、32A、32B 黒化層
31A、31B 配線
10A, 10B, 20A, 20B, 30
Claims (6)
前記透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
前記透明基材の少なくとも前記一方の面側に黒化層を形成する黒化層形成工程とを有し、
前記黒化層形成工程において、ニッケル酸化物とタングステン酸化物とを含有し、タングステン酸化物を10質量%以上30質量%以下の割合で含み、残部が前記ニッケル酸化物であるターゲットを用いて、窒素を含有する雰囲気中で前記黒化層を成膜する導電性基板の製造方法。 A transparent substrate preparation step of preparing a transparent substrate;
A copper layer forming step of forming a copper layer on at least one surface side of the transparent substrate;
And a blackened layer forming step of forming a blackened layer on at least the one surface side of the transparent substrate,
In the blackening layer forming step contains a nickel oxide and tungsten oxide, look-containing tungsten oxide at a ratio of less than 30 wt% to 10 wt%, using a target balance being said nickel oxide A method for producing a conductive substrate, wherein the blackened layer is formed in an atmosphere containing nitrogen.
前記黒化層は厚さが20nm以上である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。 The copper layer has a thickness of 100 nm or more,
Method for producing a conductive substrate according to any one of claims 1 to 3 wherein the blackening layer is the 20nm or more in thickness.
得られる導電性基板がメッシュ状の配線を備える請求項1乃至5のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。 Etching the copper layer and the blackened layer further to form a wiring,
The method for producing a conductive substrate according to any one of claims 1 to 5 , wherein the obtained conductive substrate includes a mesh-like wiring.
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