JP5051726B2 - スピン偏極電流を利用する無線周波数発振器 - Google Patents
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Description
GPS : Global Positioning System
UWB : Ultra Wide Band
802.11 a/g: ワイヤレス網用システム
RFID : Radio−frequency Identification(特にラベル)
‐ 伝導電子がポーラライザ(1)から層(2)に移動する場合には、スピン移動のトルクは、層(2)の磁化を層(1)の磁化に対して平行に向ける;
‐ 対照的に、伝導電子が層(2)からポーラライザ(1)に移動する場合には、このトルクは、層(2)の磁化を層(1)の磁化に対して反平行に向ける。
‐ 第一に、層(2)の磁化の反転;この反転は、外部磁場または電流の振幅に依存して、ヒステリシスでも可逆性でも有り得る;また、この現象を、ランダムアクセスメモリ(MRAMとも称される)の形成に関する情報書き込み手段としても利用可能である。
‐ また、層(2)の磁気モーメントの持続性の歳差運動状態の励起:これは、本発明の枠組みにおいて利用される効果である。
‐ モードA:強磁性共鳴(ferromagnetic resonance,FMR)型の小角度の歳差運動:この歳差運動のモードは、比較的弱い強度の電流に対して生じ、印加される電流に依存しない所定の周波数を有する信号によって特徴付けられる;
‐ モードB:大角度の歳差運動:この歳差運動のモードは、印加される電流が特定の閾値を超える場合に生じ、印加される電流に対する著しい周波数依存性によって特徴付けられる;
‐ モードC:弱い磁場に加えて中程度の強度の電流に対するマイクロ波RTSノイズ。こうした条件下で測定されるスペクトルは、1GHz付近を中心とする非常に幅広く非常に振幅の高いピークを示す。
‐ 所謂“点接触(ポイントコンタクト)型”積層体であり、活性層(層1、層2、層3)はナノメータパターンを用いてエッチングされず、その場合には、大型のパターン(略μm2)を用いて形成される;典型的には50nmである極端に細い金属コンタクトが層(2)の上に、外部ナノチップ(例えば、原子間力顕微鏡のチップ)または内部ナノチップ(スクリーン印刷ピラー)を用いて形成される。
‐ “ピラー”型積層体:全ての層がエッチングされて、100nmのオーダの直径を有するピラーが形成される;層(1)と層(2)との間の顕著な静磁気相互作用の発生を防止するために、層(1)がエッチングされないままの場合がある。
少なくとも
‐ 固定された磁化方向を有する第一の所謂“固定”磁性層と、
‐ 第二の磁性層と、
‐ 二つの層の間に挿入された非磁性層と
から成る積層体と、
これらの層に垂直な方向に電子の流れを生じさせ、また、適用可能な場合に構造体に外部磁場を印加する手段とを備える。
2 自由層
3 非磁性層(スペーサ)
4 反強磁性層
5 参照層
6 反強磁性層
Claims (16)
- スピン偏極電流が流れる磁気抵抗装置を含む無線周波数発振器であり、
前記磁気抵抗装置が、
少なくとも
‐ 固定された磁化方向を有する第一の所謂"固定"磁性層(1)と、
‐ 第二の磁性層(2)と、
‐ 該二つの層の間に挿入された非磁性層(3)と
から成る積層体と、
層に垂直な方向に電子の流れを生じさせ、また、適用可能な場合に構造体に外部磁場を印加する手段とを備え、
前記第二の磁性層(2)が、前記磁気抵抗装置を構成する前記積層体を流れる円錐状またはシリンダー状の電流の広がり以下の波長を有する磁気励起に対して、同一の幾何学的形状を有する同一の物質から成る単一の層において測定される励起緩和係数よりも少なくとも10%大きい励起緩和係数を有することを特徴とする無線周波数発振器。 - 前記第二の磁性層(2)が、反強磁性層(6)に結合された単一の層から成り、前記反強磁性層(6)が、スペーサとして機能する前記非磁性層(3)の反対側の前記第二の磁性層(2)の表面上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の無線周波数発振器。
- 前記反強磁性層(6)を構成する物質が、Ir20Mn80、FeMn、PtMnを含む合金の群から選択されていることを特徴とする請求項2に記載の無線周波数発振器。
- 前記第二の磁性層(2)が合成反強磁性層から成ることを特徴とする請求項1に記載の無線周波数発振。
- 前記第二の磁性層(2)が交換によって固定されている合成反強磁性層から成ることを特徴とする請求項4に記載の無線周波数発振器。
- 前記第二の磁性層を構成する物質が高い交換スティフネス定数及び高いキュリー温度を有する物質であることを特徴とする請求項1に記載の無線周波数発振器。
- 前記第二の磁性層(2)が、低い磁気モーメントを有する磁性物質、特に10から20%のホウ素を含むCoFeB合金から形成されていることを特徴とする請求項1に記載の無線周波数発振器。
- 前記第二の磁性層(2)に、不純物(特にランタノイド系ベースの不純物(とりわけ、テルビウムベースの不純物)が、典型的には0.01%から2%(原子百分率)の低濃度でドーピングされていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の無線周波数発振器。
- 固定層と称されポーラライザとして機能する前記第一の磁性層(1)が単一の層から成り、前記第一の磁性層(1)の固定が、前記第一の磁性層を反強磁性層(特にIrMnまたはPtMnから形成された反強磁性層)(4)に結合することによって確実にされていて、また、前記反強磁性層(4)が、前記第一の磁性層(1)と前記非磁性層(3)との間の界面の反対側の前記第一の磁性層(1)の表面上に独立して取り付けられていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の無線周波数発振器。
- ポーラライザとして機能する前記第一の磁性層(1)が交換によって固定されている合成反強磁性層から成ることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の無線周波数発振器。
- 反強磁性層(4)が、前記第一の磁性層(1)と前記非磁性層(3)との間の界面の反対側の前記第一の磁性層(1)の表面上に独立して取り付けられていることを特徴とする請求項10に記載の無線周波数発振器。
- 前記第一の磁性層(1)及び前記第二の磁性層(2)が、層の平面の内または外に向けられたいずれかの方向に固定されていることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の無線周波数発振器。
- 第二のスペーサを構成する第二の非磁性層が、前記第二の磁性層(2)とスペーサ(3)との間の界面の反対側の表面上に独立して取り付けられていて、また、第二のポーラライザとして機能する第二の固定層が、前記第二の磁性層(2)との界面の反対側の前記第二のスペーサの界面上に独立して取り付けられていることを特徴とする請求項1、請求項4、請求項6及び請求項7のいずれか一項に記載の無線周波数発振器。
- 前記第二の固定層が、前記第二の固定層と前記第二のスペーサとの間の界面の反対側の面上に独立して取り付けられた反強磁性層に結合可能な合成反強磁性(SAF)層から成るかまたは単一の層であることを特徴とする請求項13に記載の無線周波数発振器。
- 前記磁気抵抗装置を構成する前記積層体が、活性層(1、2、3)がナノメータパターンでエッチングされないことによって"点接触型"に形成されていて、前記第二の磁性層(2)の上に最大50nmのオーダの金属コンタクトを生じさせるナノチップが使用されていることを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の無線周波数発振器。
- 前記磁気抵抗装置を構成する前記積層体が、"ピラー"として形成されていて、少なくとも前記第二の磁性層(2)及び前記非磁性層(3)がエッチングされて、100nmのオーダの直径を有するピラーが形成されていることを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の無線周波数発振器。
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JP5036585B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2012-09-26 | 株式会社東芝 | 磁性発振素子、この磁性発振素子を有する磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 |
FR2929759B1 (fr) * | 2008-04-03 | 2010-04-16 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique integrant un empilement magnetoresistif |
FR2944384B1 (fr) * | 2009-04-09 | 2012-01-20 | Commissariat Energie Atomique | Oscillateur radiofrequence a vanne de spin ou a jonction tunnel |
US20100308923A1 (en) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | Seagate Technology Llc | Magnetic voltage controlled oscillator |
US8432644B2 (en) * | 2009-06-25 | 2013-04-30 | HGST Netherlands B.V. | Spin torque oscillator sensor enhanced by magnetic anisotropy |
US8259409B2 (en) * | 2009-06-25 | 2012-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Spin torque oscillator sensor |
KR101132718B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2012-04-06 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 주파수 변환기 |
US20110058408A1 (en) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | Agency For Science, Technology And Research | Memory cell arrangements; memory cell reader; method for determining a memory cell storage state |
KR101616046B1 (ko) * | 2009-10-05 | 2016-04-27 | 삼성전자주식회사 | 발진기 및 그 동작방법 |
FR2952486B1 (fr) | 2009-11-06 | 2012-01-06 | Commissariat Energie Atomique | Oscillateur radiofrequence |
FR2957210B1 (fr) | 2010-03-03 | 2012-04-13 | Commissariat Energie Atomique | Oscillateur radiofrequence et procede de generation d'un signal oscillant |
FR2957209B1 (fr) | 2010-03-03 | 2012-04-13 | Commissariat Energie Atomique | Oscillateur radiofrequence et procede de generation d'un signal oscillant |
US8581672B2 (en) * | 2010-05-14 | 2013-11-12 | Nokia Corporation | Frequency synthesis |
KR101676809B1 (ko) | 2010-08-13 | 2016-11-16 | 삼성전자주식회사 | 발진기 및 그 동작방법 |
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WO2012033571A1 (en) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | New York University | Aggregated spin-tprque nano-oscillators |
KR101740485B1 (ko) | 2010-09-16 | 2017-05-29 | 삼성전자 주식회사 | 발진기와 그 제조 및 동작방법 |
US8421440B2 (en) * | 2010-10-25 | 2013-04-16 | Nokia Corporation | Apparatus for spectrum sensing and associated methods |
KR101777264B1 (ko) | 2010-11-09 | 2017-09-12 | 삼성전자 주식회사 | 발진기 및 상기 발진기의 동작 방법 |
US8525602B2 (en) * | 2011-03-23 | 2013-09-03 | Honeywell International Inc. | Magnetic device with weakly exchange coupled antiferromagnetic layer |
FR2974418B1 (fr) | 2011-04-20 | 2013-05-31 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur d'oscillations |
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FR2974468B1 (fr) | 2011-04-20 | 2013-05-31 | Commissariat Energie Atomique | Demodulateur d'un signal electrique module en frequence |
US8462461B2 (en) * | 2011-07-05 | 2013-06-11 | HGST Netherlands B.V. | Spin-torque oscillator (STO) with magnetically damped free layer |
US8908424B2 (en) * | 2011-10-03 | 2014-12-09 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Magnetization switching through magnonic spin transfer torque |
US9343656B2 (en) * | 2012-03-02 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Magnetic tunnel junction (MTJ) structure in magnetic random access memory |
US9355654B1 (en) * | 2012-12-21 | 2016-05-31 | Western Digital Technologies, Inc. | Spin torque oscillator for microwave assisted magnetic recording with increased damping |
KR20140135566A (ko) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 삼성전자주식회사 | 자기저항요소 및 이를 포함하는 메모리소자 |
FR3020497B1 (fr) | 2014-04-28 | 2016-05-13 | Commissariat Energie Atomique | Aimant permanent comportant un empilement de couches ferromagnetiques et antiferromagnetiques |
CN105223414B (zh) * | 2014-06-18 | 2018-11-09 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种高灵敏度的微波探测器 |
CL2015003361A1 (es) * | 2015-11-16 | 2017-08-04 | Univ Santiago Chile | Nanogenerador de campo magnético alterno que utiliza un nanohilo que permite ser aplicado en la generación corriente alterna a nivel de nanoescala; y método asociado |
CN107895623B (zh) * | 2016-01-14 | 2020-06-09 | 青岛大学 | 一种光学模铁磁共振增强的多层膜 |
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CN108242858A (zh) * | 2016-12-27 | 2018-07-03 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种基于电子自旋属性的新型射频微波能量采集装置 |
FR3073661B1 (fr) | 2017-11-10 | 2019-11-22 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Aimant permanent comprenant une couche antiferromagnetique et une couche ferromagnetique |
CN109256656B (zh) * | 2018-10-19 | 2020-04-24 | 山东大学 | 自旋矩纳米振荡器及基于该振荡器的太赫兹信号发生器 |
CN109411993A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-03-01 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器 |
WO2021242323A1 (en) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | Western Digital Technologies, Inc. | Spin torque oscillator with an antiferromagnetically coupled assist layer and methods of operating the same |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5390061A (en) * | 1990-06-08 | 1995-02-14 | Hitachi, Ltd. | Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head |
US5786900A (en) * | 1994-03-23 | 1998-07-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image recording device for recording multicolor images with dot pitch pattern randomly arranged only in the sub-scanning direction |
US5695864A (en) * | 1995-09-28 | 1997-12-09 | International Business Machines Corporation | Electronic device using magnetic components |
JP3995072B2 (ja) * | 2000-11-16 | 2007-10-24 | 富士通株式会社 | Cpp構造スピンバルブヘッド |
FR2817999B1 (fr) * | 2000-12-07 | 2003-01-10 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique a polarisation de spin et a empilement(s) tri-couche(s) et memoire utilisant ce dispositif |
US6958927B1 (en) * | 2002-10-09 | 2005-10-25 | Grandis Inc. | Magnetic element utilizing spin-transfer and half-metals and an MRAM device using the magnetic element |
US6963500B2 (en) * | 2003-03-14 | 2005-11-08 | Applied Spintronics Technology, Inc. | Magnetic tunneling junction cell array with shared reference layer for MRAM applications |
JP2005025831A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | 高周波発振素子、磁気情報記録用ヘッド及び磁気記憶装置 |
US6980469B2 (en) * | 2003-08-19 | 2005-12-27 | New York University | High speed low power magnetic devices based on current induced spin-momentum transfer |
EP1548702A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Method for ultra-fast controlling of a magnetic cell and related devices |
US7471491B2 (en) * | 2004-03-30 | 2008-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic sensor having a frequency filter coupled to an output of a magnetoresistance element |
JP4050245B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2008-02-20 | 株式会社東芝 | 磁気記録ヘッド及び磁気記憶装置 |
US7241631B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-07-10 | Grandis, Inc. | MTJ elements with high spin polarization layers configured for spin-transfer switching and spintronics devices using the magnetic elements |
JP4677589B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-04-27 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 伝送回路一体型マイクロ波発生素子並びにマイクロ波検出方法、マイクロ波検出回路、マイクロ波検出素子及び伝送回路一体型マイクロ波検出素子 |
US7558028B2 (en) * | 2005-11-16 | 2009-07-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head with improved CPP sensor using Heusler alloys |
US7616412B2 (en) * | 2006-07-21 | 2009-11-10 | Carnegie Melon University | Perpendicular spin-torque-driven magnetic oscillator |
US7750421B2 (en) * | 2007-07-23 | 2010-07-06 | Magic Technologies, Inc. | High performance MTJ element for STT-RAM and method for making the same |
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