JP5050240B2 - High voltage pulse generator and discharge excitation gas laser device using the same - Google Patents
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Description
本発明は、高電圧パルス装置、及びこれを用いた放電励起ガスレーザ装置に関する。 The present invention relates to a high voltage pulse device and a discharge excitation gas laser device using the same.
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、その製造用の投影露光装置においては解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される露光光の短波長化が進められており、半導体露光用光源として、従来の水銀ランプに代わって波長248nmのKrFエキシマレーザ装置が用いられている。 With the miniaturization and high integration of semiconductor integrated circuits, improvement in resolving power is demanded in the projection exposure apparatus for production. For this reason, the wavelength of the exposure light emitted from the exposure light source has been shortened, and a KrF excimer laser device having a wavelength of 248 nm is used as a semiconductor exposure light source in place of the conventional mercury lamp.
また、現在は波長193nmのArFエキシマレーザ装置が使用され始めており、さらに、次世代の半導体露光用光源として、波長157nmのフッ素分子レーザ装置等の紫外線を放出するガスレーザ装置が有力である。 At present, an ArF excimer laser device having a wavelength of 193 nm is beginning to be used, and a gas laser device that emits ultraviolet rays such as a fluorine molecular laser device having a wavelength of 157 nm is promising as a next-generation semiconductor exposure light source.
これらの露光用ガスレーザ装置においては、レーザ媒質であるレーザガスが数百kPaで封入されたレーザチャンバの内部に所定距離離間して対向した一対の主放電電極が設置される。そして高電圧パルス発生装置を用いて主放電電極に高電圧パルスを印加してパルス放電を発生させることによってレーザガスを励起し、レーザ光を発振させる。ガスレーザ装置では上記した放電動作が繰返し行われ、所定の発振周波数でのパルスレーザ発振が行われる。 In these exposure gas laser apparatuses, a pair of main discharge electrodes facing each other at a predetermined distance are installed inside a laser chamber in which a laser gas as a laser medium is sealed at several hundred kPa. Then, a high voltage pulse is applied to the main discharge electrode using a high voltage pulse generator to generate a pulse discharge, thereby exciting the laser gas and oscillating the laser beam. In the gas laser device, the above-described discharge operation is repeated, and pulse laser oscillation is performed at a predetermined oscillation frequency.
露光用ガスレーザ装置においては、スループットの増大や、露光量の安定化のため、高繰り返し発振(例えば、KrFエキシマレーザ装置やArFエキシマレーザ装置においては発振周波数4kHz以上、フッ素分子レーザ装置においては発振周波数2kHz以上)が要求される。
高繰り返し発振を実現するには、主放電電極に印加する高電圧パルスは立上りが速く、また短パルスであることが望ましい。
In an exposure gas laser device, in order to increase throughput and stabilize the exposure amount, high repetition oscillation (for example, an oscillation frequency of 4 kHz or more in a KrF excimer laser device or an ArF excimer laser device, an oscillation frequency in a fluorine molecular laser device) 2 kHz or more) is required.
In order to realize high repetition oscillation, it is desirable that the high voltage pulse applied to the main discharge electrode has a fast rise and a short pulse.
図10は、下記特許文献1に示すような露光用ガスレーザ装置において、レーザ媒質であるレーザガスを励起するためにレーザガスが封入されたレーザチャンバ内で主放電を発生させるための、高電圧パルス発生装置の回路の一例を示している。図10において、高電圧パルス発生装置は、高電圧パルスを発生させるパルス発生回路24と、発生したパルスを圧縮するパルス圧縮回路25とを備えている。
FIG. 10 shows a high-voltage pulse generator for generating a main discharge in a laser chamber in which a laser gas is sealed in order to excite a laser gas as a laser medium in an exposure gas laser apparatus as shown in Patent Document 1 below. An example of this circuit is shown. In FIG. 10, the high voltage pulse generator includes a
パルス発生回路24及びパルス圧縮回路25は、可飽和リアクトルからなる3個の磁気スイッチSR1、SR2,SR3と、主コンデンサC0、第1コンデンサC1、第2コンデンサC2、ピーキングコンデンサCpと、昇圧トランスTrと、固体スイッチSWとを備えている。図10において、GNDが接地側、HVが高圧側である。
The
磁気スイッチSR1、SR2,SR3、コンデンサC1、C2、及び昇圧トランスTrは、絶縁ならびに冷却のために、絶縁性冷媒である絶縁オイルを充填したオイルタンク11の内部に設置されている。
また露光用ガスレーザ装置は、レーザガスを封入したレーザチャンバ12を備えている。レーザチャンバ12の内部には、主放電電極14、15、予備電離電極21、及び予備電離コンデンサCcが設置されている。
The magnetic switches SR1, SR2, SR3, capacitors C1, C2, and the step-up transformer Tr are installed inside an
The exposure gas laser apparatus includes a
固体スイッチSWは、例えばIGBT等の半導体スイッチ素子からなり、図示しないゲート回路からの信号に基づき、急激に短絡する。
また磁気スイッチSR1、SR2,SR3は、例えば可飽和リアクトルからなり、それらの両端に印加された電圧と電圧の印加時間との積(電圧の時間積分値)が、各磁気スイッチの特性で決まる所定の値になると飽和して、急激に低インピーダンスとなる。尚、磁気スイッチSR1は固体スイッチSWにおけるスイッチングロスを低減させるために用いられるものであり、磁気アシストとも呼ばれる。
Solid switch SW consists of semiconductor switch elements, such as IGBT, for example, and short-circuits rapidly based on the signal from the gate circuit which is not illustrated.
The magnetic switches SR1, SR2, SR3 are composed of, for example, saturable reactors, and the product of the voltage applied to both ends of the magnetic switches and the voltage application time (time integration value of the voltage) is determined by the characteristics of each magnetic switch. When the value becomes saturates, the impedance becomes abruptly low. The magnetic switch SR1 is used to reduce the switching loss in the solid switch SW, and is also called magnetic assist.
まず、パルス発生回路24について説明する。
パルス発生回路24は、主コンデンサC0、磁気アシストSR1、昇圧トランスTrの1次側、及び固体スイッチSWを備えている。
高圧電源CHGから、所定の高電圧が主コンデンサC0に印加され、主コンデンサC0が充電される。このとき、固体スイッチSWは、オフ(絶縁)状態になっている。
First, the
The
A predetermined high voltage is applied to the main capacitor C0 from the high voltage power supply CHG, and the main capacitor C0 is charged. At this time, the solid switch SW is in an off (insulated) state.
主コンデンサC0の充電が完了し、固体スイッチSWを図示しないコントローラからオン(短絡)状態にすると、固体スイッチSW両端にかかっていた電圧VC0が、磁気アシストSR1の両端にかかる。上述したように、磁気アシストSR1の両端にかかる電圧VC0の時間積分値が、磁気アシストSR1の特性で定められた所定値に達すると、磁気アシストSR1は飽和して低インピーダンスとなる。 When charging of the main capacitor C0 is completed and the solid switch SW is turned on (short circuit) from a controller (not shown), the voltage VC0 applied to both ends of the solid switch SW is applied to both ends of the magnetic assist SR1. As described above, when the time integration value of the voltage VC0 applied to both ends of the magnetic assist SR1 reaches a predetermined value determined by the characteristics of the magnetic assist SR1, the magnetic assist SR1 is saturated and becomes low impedance.
これにより、主コンデンサC0、磁気アシストSR1、昇圧トランスTrの1次側、及び固体スイッチSWからなるループに、1次側巻線19を通って、電流i1が流れる。そして、昇圧トランスTrに発生した磁束によって、その2次側に電流が誘導され、昇圧トランスTrの2次側及び第1コンデンサC1からなる第1のループに電流i2が流れて、第1コンデンサC1が電圧VC1で充電される。 As a result, the current i1 flows through the primary winding 19 through the loop composed of the main capacitor C0, the magnetic assist SR1, the primary side of the step-up transformer Tr, and the solid switch SW. The magnetic flux generated in the step-up transformer Tr induces a current on the secondary side of the step-up transformer Tr. The current i2 flows through the first loop including the secondary side of the step-up transformer Tr and the first capacitor C1, and the first capacitor C1. Is charged with the voltage VC1.
このとき、昇圧トランスTrの1次側巻線対2次側巻線の巻数(ターン数)比に応じて、電圧が昇圧される。一例として、1次側対2次側の巻数比は1対8になっており、高圧電源CHGから3.8kVの電圧VC0が主コンデンサC0に印加されると、第1コンデンサC1には、そのほぼ8倍の約30kVの高電圧VC1が充電されることになる。 At this time, the voltage is boosted according to the ratio of the number of turns (turns) of the primary side winding to the secondary side winding of the step-up transformer Tr. As an example, the primary-to-secondary turns ratio is 1: 8. When a voltage VC0 of 3.8 kV is applied to the main capacitor C0 from the high-voltage power supply CHG, The high voltage VC1 of about 30 kV, which is almost eight times, is charged.
次に、パルス圧縮回路25について説明する。
第1コンデンサC1に充電された高電圧VC1の時間積分値が、磁気スイッチSR2の特性で決まる所定の値に達すると、磁気スイッチSR2が飽和して低インピーダンスとなる。その結果、第1コンデンサC1、磁気スイッチSR2、及び第2コンデンサC2からなる第2のループに図示しない電流が流れ、第1コンデンサC1に蓄えられていた電荷が、第2コンデンサC2に移行する。
Next, the
When the time integral value of the high voltage VC1 charged in the first capacitor C1 reaches a predetermined value determined by the characteristics of the magnetic switch SR2, the magnetic switch SR2 is saturated and becomes low impedance. As a result, a current (not shown) flows through the second loop including the first capacitor C1, the magnetic switch SR2, and the second capacitor C2, and the charge stored in the first capacitor C1 is transferred to the second capacitor C2.
このとき、第2のループは、第1のループよりもインダクタンスが小さくなるように構成されている。これによってパルスの圧縮が行われ、第2のループを流れる電流は、第1のループを流れる電流i2よりもパルス幅が小さく、尖頭値が大きなパルス電流となっている。 At this time, the second loop is configured such that the inductance is smaller than that of the first loop. As a result, the pulse is compressed, and the current flowing through the second loop is a pulse current having a smaller pulse width and a larger peak value than the current i2 flowing through the first loop.
第2コンデンサC2に電荷が蓄えられ、磁気スイッチSR3の両端部に印加された電圧VC2時間積分値が磁気スイッチSR3の特性で決まる所定値になると、磁気スイッチSR3が飽和して低インピーダンスとなる。
これにより、第2コンデンサC2、磁気スイッチSR3、及びピーキングコンデンサCpからなる第3のループに図示しない電流が流れ、第2コンデンサC2に蓄えられていた電荷が、ピーキングコンデンサCpに移行する。
When the electric charge is stored in the second capacitor C2 and the voltage VC2 time integral value applied to both ends of the magnetic switch SR3 becomes a predetermined value determined by the characteristics of the magnetic switch SR3, the magnetic switch SR3 is saturated and becomes low impedance.
As a result, a current (not shown) flows through a third loop including the second capacitor C2, the magnetic switch SR3, and the peaking capacitor Cp, and the charge stored in the second capacitor C2 shifts to the peaking capacitor Cp.
予備電離電極21は、棒状の金属からなる第1予備電離電極17と、その周囲を取り囲む誘電体チューブ16と、誘電体チューブ16に接触した金属製の第2予備電離電極18とを備えている。第1予備電離電極17は高圧HV側に、第2予備電離電極18は接地GND側に、それぞれ接続されている。
The
ピーキングコンデンサCpの充電が進むにつれて、第1予備電離電極17と第2予備電離電極18との間の電位差が増大し、所定の電位差になると、誘電体チューブ16表面に、コロナ放電が発生する。このコロナ放電によって誘電体チューブ16の表面に紫外線が発生し、これにより、主放電電極14、15間のレーザガスが電離され、予備電離が起きる。
As the charging of the peaking capacitor Cp proceeds, the potential difference between the
ピーキングコンデンサCpの充電がさらに進んで、ピーキングコンデンサCpの電圧VCpがブレークダウン電圧に達すると、主放電電極(14、15)間のレーザガスに絶縁破壊が生じて、放電空間で主放電が開始される。これにより、レーザガスが励起され、レーザ光が発生する。
主放電によって、ピーキングコンデンサCpの電圧は急激に低下する。
When the peaking capacitor Cp is further charged and the voltage VCp of the peaking capacitor Cp reaches the breakdown voltage, dielectric breakdown occurs in the laser gas between the main discharge electrodes (14, 15), and main discharge is started in the discharge space. The Thereby, the laser gas is excited and laser light is generated.
Due to the main discharge, the voltage of the peaking capacitor Cp rapidly decreases.
このような放電動作が、固体スイッチSWのスイッチング動作によって繰り返されることにより、所定の発振周波数で、パルスレーザ発振が行われる。
尚、上記のパルス圧縮回路25は、磁気スイッチを用いていることから、磁気パルス圧縮回路とも呼ばれる。
The
しかしながら、前記従来技術には、次に述べるような問題がある。
図11に、上記のような高電圧パルス発生装置における要素部品の配置図を示す。
上述したパルス発生回路24の磁気アシストSR1及び昇圧トランスTr、並びに、パルス圧縮回路25の磁気スイッチSR2,SR3、第1コンデンサC1、及び第2コンデンサC2は、動作時の発熱量が大きいために冷却する必要がある。
However, the prior art has the following problems.
FIG. 11 shows a layout of component parts in the high voltage pulse generator as described above.
The magnetic assist SR1 and step-up transformer Tr of the
通常これらは、冷却のために、絶縁オイル等の絶縁性冷媒が満たされ、オイルタンク11の内部に設置される。
即ち、図11に示すように、磁気アシストSR1及び昇圧トランスTrは、オイルタンク11の内部に設置されている。37及び38は、電流をオイルタンク11の内部に導入する、第1及び第2の電流導入端子である。
Normally, these are filled with an insulating refrigerant such as insulating oil for cooling, and are installed inside the
That is, as shown in FIG. 11, the magnetic assist SR 1 and the step-up transformer Tr are installed inside the
第1電流導入端子37と第2電流導入端子38は、略同様の構造をしている。図12に、第1電流導入端子37の斜視図を示す。
図11、図12に示すように、碍子等の絶縁性の筒状絶縁部材51の中心部には、金属製のロッド52が挿入されている。筒状絶縁部材51の外部には、金属製のフランジ53が取り付けられ、フランジ53とオイルタンク11の壁面との間は、図示しないボルトで固定されている。
The first
As shown in FIGS. 11 and 12, a
オイルタンク11の壁面にはOリング溝54が設けられ、図示しないOリングによってフランジ53との間を封止している。また、ロッド52と筒状絶縁部材51との間、及び筒状絶縁部材51とフランジ53との間には、図示しないOリング溝が設けられ、Oリングで封止されている。
An O-
図10に示したように、第1の電流導入端子37のロッド52は、オイルタンク11の外側で、固体スイッチSWに接続されている。また、第2の電流導入端子38のロッド52は、オイルタンク11の外側で主コンデンサC0と、高圧電源CHGの高圧側HVに接続されている。
As shown in FIG. 10, the
また、図11に示すように、第1電流導入端子37のロッド52は、オイルタンク11の内側で、1次側巻線19の一端部19Aに接続されている。1次側巻線19は、磁気アシストSR1及び昇圧トランスTrの外側を通って、昇圧トランスTr及び磁気アシストSR1を、それぞれ所定回数だけターンする。そして、1次側巻線19の他端部19Bは、オイルタンク11の内側で、第2電流導入端子38のロッド52に接続されている。
As shown in FIG. 11, the
このとき、短絡や沿面放電を防ぐために、第1の電流導入端子37のロッド52と、第2の電流導入端子38のロッド52との距離L1は、非常に大きくなっている。
その結果、1次側巻線19が囲む、図11中にハッチングで示す領域28の面積が大きくなってしまう。これにより、上述したパルス発生回路24のインダクタンスが大きくなり、パルス発生回路24で発生する電圧パルスのパルス幅を狭くすることが困難になるという問題がある。
At this time, in order to prevent short circuit and creeping discharge, the distance L1 between the
As a result, the area of the
また、電流導入端子37、38において、電流を導入する部材であるロッド52、52は、いずれも棒状の部材となっている。そのため、ロッド52、52を電流が通る際の浮遊インダクタンスが大きく、パルス発生回路24のインダクタンスが大きくなるという問題がある。
Further, in the
上述したように露光用ガスレーザ装置(KrFレーザ装置、ArFレーザ装置、フッ素分子レーザ装置)は、高繰り返し発振が求められている。また、KrFレーザ装置、ArFレーザ装置、フッ素分子レーザ装置と放出するレーザ光の波長が短くなるにつれ、放電空間に投入するエネルギーも大きくなる。 As described above, the exposure gas laser device (KrF laser device, ArF laser device, fluorine molecular laser device) is required to have high repetition oscillation. Further, as the wavelength of the laser beam emitted from the KrF laser device, ArF laser device, or fluorine molecular laser device becomes shorter, the energy input to the discharge space also increases.
一方、高繰り返し化の要請に応えるためには、ピーキングコンデンサCpへのエネルギー移行時間(図1における磁気パルス圧縮回路25の最終段のコンデンサC2からピーキングコンデンサCpへの電荷の移行時間)を短くする必要がある。
On the other hand, in order to meet the demand for higher repetition, the energy transfer time to the peaking capacitor Cp (the charge transfer time from the capacitor C2 at the final stage of the magnetic
ピーキングコンデンサCpへの充電時間が短くない場合、すなわち、主放電電極14、15へ印加される電圧パルスの立上りが速くない場合、放電開始電圧Vbが小さいうちに主放電電極14、15間で放電が発生するのでレーザ出力が小さくなる。特に波長の短いレーザ光を放出するガスレーザ装置ほど、放電空間に大きなエネルギーを投入しなければならないので、影響は大きい。
When the charging time to the peaking capacitor Cp is not short, that is, when the rise of the voltage pulse applied to the
また、ピーキングコンデンサCpに移行しきれない余剰電流が、磁気パルス圧縮回路25の最終段のコンデンサ(図1ではコンデンサC2)から放電空間へ流れ込むが、この余剰電流はレーザ発振に寄与しない。よって、放電パルスの後半部で、電界集中等により放電が不均一となって、次回のパルス放電に悪影響を及ぼすことがある。
Further, surplus current that cannot be transferred to the peaking capacitor Cp flows into the discharge space from the last stage capacitor (capacitor C2 in FIG. 1) of the magnetic
特に、発振周波数が高くなると、パルス間隔が短くなるので、前回のパルス放電の影響を受ける可能性が高くなる。よって、上記履歴の影響を受けないようにするには、ピーキングコンデンサCpへの充電時間をできるだけ短くする必要がある。 In particular, when the oscillation frequency is increased, the pulse interval is shortened, so that the possibility of being affected by the previous pulse discharge is increased. Therefore, in order not to be affected by the history, it is necessary to shorten the charging time for the peaking capacitor Cp as much as possible.
上記の例のように、パルス発生回路24で発生させるパルスのパルス幅を短くできない場合、磁気パルス圧縮回路25の圧縮比を大きくしなければならない。
圧縮比を増大させるには、2つの方法がある。一つは、磁気パルス圧縮回路25の段数は増大させず(例えば、2段)、各段での圧縮比を増大させる方法である。すなわち、各磁気スイッチを構成する可飽和リアクトルのコアへの巻数を減らして、コアの断面積を大きくする。もう一つは、磁気パルス圧縮回路25の各段の圧縮比はそのままかあまり増大させず、段数を増やす方法である。
When the pulse width of the pulse generated by the
There are two ways to increase the compression ratio. One is a method of increasing the compression ratio at each stage without increasing the number of stages of the magnetic pulse compression circuit 25 (for example, two stages). That is, the number of turns of the saturable reactor that constitutes each magnetic switch is reduced to increase the cross-sectional area of the core. The other is a method of increasing the number of stages without increasing the compression ratio of each stage of the magnetic
前者の方法では、可飽和リアクトルのコアの断面積が増大するので、磁気パルス圧縮回路25が大型化する。一方、後者の方法では、各段の圧縮比は増大しないので各段個別には大型化しないが、段数が増える分、磁気スイッチとコンデンサのセットの数が増大するので、結局、磁気パルス圧縮回路25が大型化する。
In the former method, since the cross-sectional area of the core of the saturable reactor is increased, the magnetic
いずれにしても磁気パルス圧縮回路25が大型化することにより、メンテナンスも大掛かりなものとなり、また、磁気パルス圧縮回路25そのものの材料コストが増加する。
従って、パルス発生回路24のインダクタンスを、少しでも小さくすることが、求められている。
In any case, when the magnetic
Therefore, it is required to reduce the inductance of the
本発明は、上記の問題に着目してなされたものであり、高効率に高電圧短パルスを負荷に印加可能な高電圧パルス発生装置、及びこれを用いた放電励起ガスレーザ装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made paying attention to the above problems, and provides a high voltage pulse generator capable of applying a high voltage short pulse to a load with high efficiency, and a discharge excitation gas laser device using the same. It is aimed.
上記の目的を達成するために、本発明は、
高電圧パルスを発生するパルス発生回路と、発生した高電圧パルスを圧縮するパルス圧縮回路とを備え、
パルス発生回路及びパルス圧縮回路を構成する要素部品のうち、少なくとも一部が絶縁性冷媒に満たされた容器中に設置され、
容器中に設置された要素部品と容器の外部に設置された要素部品との間が、電流導入端子を介して電気的に接続される高電圧パルス発生装置において、
前記電流導入端子が、高圧側及び接地側の通電部材を備えている。
これにより、高圧側通電部材と接地側通電部材との間の距離が短くなるので、パルス発生回路又はパルス圧縮回路の回路面積が小さくなり、インダクタンスが小さくなって、パルス幅の短い高電圧パルスを発生可能となる。
In order to achieve the above object, the present invention provides:
A pulse generation circuit for generating a high voltage pulse and a pulse compression circuit for compressing the generated high voltage pulse;
Among the component parts constituting the pulse generation circuit and the pulse compression circuit, at least a part is installed in a container filled with an insulating refrigerant,
In the high-voltage pulse generator in which the component part installed in the container and the component part installed outside the container are electrically connected via the current introduction terminal,
The current introduction terminal includes a high-voltage side and a ground-side energization member.
As a result, the distance between the high-voltage side energizing member and the ground-side energizing member is shortened, so that the circuit area of the pulse generation circuit or the pulse compression circuit is reduced, the inductance is reduced, and a high voltage pulse with a short pulse width is generated. Can be generated.
また、本発明に係る高電圧パルス発生装置は、
前記高圧側及び接地側の通電部材のうち少なくとも一方が、面構造となっている。
これにより、通電部材の有する浮遊インダクタンスが小さくなるので、パルス発生回路又はパルス圧縮回路のインダクタンスが小さくなる。
The high voltage pulse generator according to the present invention is
At least one of the high-voltage side and ground-side current-carrying members has a surface structure.
As a result, the stray inductance of the current-carrying member is reduced, so that the inductance of the pulse generation circuit or the pulse compression circuit is reduced.
また本発明に係る高電圧パルス発生装置は、
前記高圧側及び接地側の通電部材のうち一方が柱状又は筒状形状であり、
他方がそれを同軸状に囲むような筒状形状となっている。
これにより、電流導入端子をコンパクトに構成可能である。
The high voltage pulse generator according to the present invention is
One of the high-voltage side and ground-side current-carrying members is columnar or cylindrical,
The other has a cylindrical shape surrounding it coaxially.
Thereby, a current introduction terminal can be constituted compactly.
また本発明に係る高電圧パルス発生装置は、
前記高圧側及び接地側の通電部材が、互いに略平行に配置された平板状である。
これにより、通電部材の有する浮遊インダクタンスが、より小さくなる。
The high voltage pulse generator according to the present invention is
The energization members on the high-voltage side and the grounding side have a flat plate shape that is disposed substantially parallel to each other.
As a result, the stray inductance of the current-carrying member is further reduced.
また本発明の放電励起ガスレーザ装置は、
レーザガスが密封されたレーザチャンバと、
レーザチャンバ内部に対向して配置された主放電電極とを備え、
上記の高電圧パルス発生装置から発生した高電圧パルスによって主放電電極間に主放電を発生させ、レーザガスを励起してレーザ光を発生させている。
これにより、立上りの速い、狭いパルス幅の電流で主放電を起こすことができるので、大量のエネルギーを主放電電極間に注入することができ、レーザ光の発振効果が向上する。また、安定な高繰り返し発振動作が可能となる。
The discharge excitation gas laser apparatus of the present invention is
A laser chamber sealed with a laser gas;
A main discharge electrode disposed facing the inside of the laser chamber,
The main discharge is generated between the main discharge electrodes by the high voltage pulse generated from the above high voltage pulse generator, and the laser gas is excited to generate the laser beam.
As a result, a main discharge can be caused by a current having a narrow pulse width that rises quickly, so that a large amount of energy can be injected between the main discharge electrodes, and the laser light oscillation effect is improved. In addition, stable high repetition oscillation operation is possible.
また本発明の放電励起ガスレーザ装置は、
前記放電励起ガスレーザ装置がエキシマレーザ装置又はフッ素分子レーザ装置のいずれかである。
本発明を、エキシマレーザ装置又はフッ素分子レーザ装置に応用することにより、発振周波数が増大するので、これらのレーザ装置を半導体露光用の光源として用いることにより、半導体製造の効率が向上する。
The discharge excitation gas laser apparatus of the present invention is
The discharge excitation gas laser device is either an excimer laser device or a fluorine molecular laser device.
When the present invention is applied to an excimer laser device or a fluorine molecular laser device, the oscillation frequency is increased. Therefore, by using these laser devices as a light source for semiconductor exposure, the efficiency of semiconductor manufacturing is improved.
また本発明の放電励起ガスレーザ装置は、
前記放電励起ガスレーザ装置がフッ素分子レーザ装置であり、
発振周波数が2kHz以上である。
フッ素分子レーザ装置においては、半導体露光用の光源として2kHz以上の発振周波数を得ることが求められており、そのためには本発明を応用して、立上りの速い、狭いパルス幅の電流で主放電を起こす必要がある。
The discharge excitation gas laser apparatus of the present invention is
The discharge excitation gas laser device is a fluorine molecular laser device,
The oscillation frequency is 2 kHz or more.
In a fluorine molecular laser device, it is required to obtain an oscillation frequency of 2 kHz or more as a light source for semiconductor exposure. For this purpose, the present invention is applied to perform main discharge with a fast rising current with a narrow pulse width. It is necessary to wake up.
また本発明の放電励起ガスレーザ装置は、
前記放電励起ガスレーザ装置及びエキシマレーザ装置であり、
発振周波数が4kHz以上である。
エキシマレーザ装置においては、半導体露光用の光源として4kHz以上の発振周波数を得ることが求められており、そのためには本発明を応用して、立上りの高い、狭いパルス幅の電流で主放電を起こす必要がある。
The discharge excitation gas laser apparatus of the present invention is
The discharge excitation gas laser device and the excimer laser device,
The oscillation frequency is 4 kHz or more.
In an excimer laser device, it is required to obtain an oscillation frequency of 4 kHz or more as a light source for semiconductor exposure. For this purpose, the present invention is applied to cause main discharge with a current having a high rise and a narrow pulse width. There is a need.
以下、図を参照しながら、本発明に係る実施形態を詳細に説明する。
図1は、第1実施形態に係る露光用ガスレーザ装置において、レーザ媒質であるレーザガスを励起するためにレーザガスが封入されたレーザチャンバ内で主放電を発生させるための、高電圧パルス発生装置の一例を示している。
図2は、第1実施形態に係る高電圧パルス発生装置の斜視図、図3は高電圧パルス発生装置を図2の矢印C方向から見た正面図、図4は高電圧パルス発生装置を図2の矢印D方向から見た側面図を、それぞれ示している。
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 shows an example of a high voltage pulse generator for generating a main discharge in a laser chamber in which a laser gas is sealed in order to excite a laser gas as a laser medium in the gas laser apparatus for exposure according to the first embodiment. Is shown.
2 is a perspective view of the high voltage pulse generator according to the first embodiment, FIG. 3 is a front view of the high voltage pulse generator as viewed from the direction of arrow C in FIG. 2, and FIG. 4 is a diagram of the high voltage pulse generator. The side view seen from the arrow D direction of 2 is shown, respectively.
図3、図4に示すように、高電圧パルス発生装置は、レーザガスを封入したレーザチャンバ12の内部に、上下方向に対して配置された主放電電極14、15を備えている。
主放電電極14、15のうち、上側のカソード15の側面には、長手方向に沿って、複数のピーキングコンデンサCpが配置されている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the high-voltage pulse generator includes
A plurality of peaking capacitors Cp are arranged along the longitudinal direction on the side surface of the
図5にピーキングコンデンサCpの斜視図を示す。ピーキングコンデンサCpはセラミックコンデンサであり、円筒形状の両端部に、それぞれ金属製のコンデンサ電極30、30を備えている。コンデンサ電極30には、ネジ山が切られた取付穴31が設けられ、ボルトをねじ込んで巻線を固定することができる。尚、コンデンサC1、C2の形状も、ほぼ同様である。
ピーキングコンデンサCpは、両側のコンデンサ電極30、30を結んだ方向が、主放電電極14、15を含む平面と略垂直になるように固定されている。そして、一側コンデンサ電極30は、主放電電極14、15に接続され、他側コンデンサ電極30は、レーザチャンバ12に接地されている。
FIG. 5 shows a perspective view of the peaking capacitor Cp. The peaking capacitor Cp is a ceramic capacitor, and is provided with
The peaking capacitor Cp is fixed so that the direction connecting the
レーザチャンバ12の上部には開口部32が設けられ、絶縁板33で封止されている。カソード15の上部には、金属製の電流通電部材34が突出し、絶縁板33を貫通して、レーザチャンバ12の上部に設置されたオイルタンク11の内部に突出している。電流通電部材34と絶縁板33及びオイルタンク11との間は、それぞれ図示しないOリングによって封止されている。
An
オイルタンク11内部の最下段には、細長いループ状のコアを備えた、最終段磁気スイッチSR3が設置されている。図2においては、ループの形状として、平行な直線の両端部同士を曲線で接続した、例えば陸上競技のトラックのような長穴形状を例示したが、これらに限られるものではない。例えば、楕円(長円)形状や、或いは長方形の四隅に曲率を設けた(R面取りを施した)形状など、細長いループ状であればよい。
尚、以下の説明においては、コアの端面47に平行な平面をコアのループ面、コアの側面48に平行な方向を、コアの軸方向と呼ぶ。
At the lowermost stage inside the
In the following description, a plane parallel to the
最終段磁気スイッチSR3は、コアのループ面が主放電電極14、15の対向方向と垂直な水平面内にあるように、かつ、ループ面の長軸が主放電電極14、15の長手方向と一致するように設置されている。
最終段磁気スイッチSR3の上方には、それぞれ略円形のコアを有する磁気アシストSR1と、昇圧トランスTrと、磁気スイッチSR2とが、コアの軸方向を主放電電極14、15の長手方向と略一致させ、かつそれぞれのコアの中心軸を略一致させて配置されている。
In the final stage magnetic switch SR3, the loop surface of the core is in a horizontal plane perpendicular to the opposing direction of the
Above the final stage magnetic switch SR3, a magnetic assist SR1 having a substantially circular core, a step-up transformer Tr, and a magnetic switch SR2 substantially match the axial direction of the core with the longitudinal direction of the
尚、本実施形態においては、冷却のために、昇圧トランスTrはコアを軸方向に3分割し、磁気スイッチSR1は2分割して構成されている。これは、コアの放熱が両側端面47、47のみから行われることから、端面47の数を増やして、コア内部に熱がこもらないようにしているものである。但し、分割数は、これに限られるものではなく、また、分割しない場合もある。 In the present embodiment, for cooling, the step-up transformer Tr is configured by dividing the core into three parts in the axial direction, and the magnetic switch SR1 is divided into two parts. This is because the heat dissipation of the core is performed only from both side end faces 47, 47, so that the number of end faces 47 is increased so that heat is not trapped inside the core. However, the number of divisions is not limited to this, and may not be divided.
最終段磁気スイッチSR3の両側方には、複数の第2コンデンサC2が、主放電電極14、15の長手方向に沿って、両側コンデンサ電極30、30を結ぶ方向が略鉛直となるように配置されている。このとき、第2コンデンサC2の数と、ピーキングコンデンサCpの数とを一致させることは、必須ではないが好適である。
On both sides of the final stage magnetic switch SR3, a plurality of second capacitors C2 are arranged along the longitudinal direction of the
これにより、「第2コンデンサC2−最終段磁気スイッチSR3−ピーキングコンデンサCp」の距離を最小にし、浮遊インダクタンスを低減させられる。さらには、第2コンデンサC2の位置を、対応するピーキングコンデンサCpの位置になるべく近づけるようにすると、なおよい。
第2コンデンサC2の上方には、第2コンデンサC2と略同数の第1コンデンサC1が、主放電電極14、15の長手方向に沿って両側コンデンサ電極30、30を結ぶ方向が略鉛直となるように配設されている。
As a result, the distance of “second capacitor C2−final stage magnetic switch SR3−peaking capacitor Cp” can be minimized, and stray inductance can be reduced. Furthermore, it is more preferable that the position of the second capacitor C2 is as close as possible to the position of the corresponding peaking capacitor Cp.
Above the second capacitor C2, approximately the same number of first capacitors C1 as the second capacitors C2 are arranged so that the direction connecting the
オイルタンク11の内部には、絶縁性のオイルが充満している。オイルタンク11内部のコアの上方には、絶縁オイルを冷却する熱交換器39が設置されており、熱交換器39の内部には、外部から冷却水が導入されている。
図4に示すように、オイルタンク11内部の下部の、最終段磁気スイッチSR3の手前側側方には、オイルタンク11と長手方向を一致させて、クロスフローファン41が設置されている(図2、図3には図示せず)。
The
As shown in FIG. 4, a
クロスフローファン41は、例えば図示しない磁気カップリング等を介して、オイルタンク11の外部に設置された図示しないモータによって駆動され、絶縁オイルをオイルタンク11の内部で循環させる(矢印40)。クロスフローファン41の長手方向の寸法は、オイルタンク11の長手方向の寸法に、なるべく近くなるようになっている。
The cross flow
これにより、絶縁オイルはコアで発生した熱を奪い、熱交換器39で冷却されてクロスフローファン41に戻る。このとき絶縁オイルの流れは、コアの端面47,47間を、コアの端面47に平行に通過する。コアは、上述したように、その両側端面47、47から大半の熱を放熱するので、絶縁オイルにコアの端面47、47間を通過させることにより、効率的に熱を奪うことができ、好適な冷却が可能となっている。
Thereby, the insulating oil takes away the heat generated in the core, is cooled by the
以下、電気的な接続について説明する。レーザチャンバ12及びオイルタンク11は接地されており、カソード15に対向するアノードも、レーザチャンバ12を介して接地されている。
第2コンデンサC2の下側のコンデンサ電極30は、例えば銅製の第2接地プレート36によって、それぞれのオイルタンク11に接地されている。また、第2コンデンサC2の上側のコンデンサ電極30に接続された第2巻線43は、最終段磁気スイッチSR3を所定巻数だけターンして、電流通電部材34に接続されている。
Hereinafter, electrical connection will be described. The
The
第1コンデンサC1の下側コンデンサ電極30は、例えば銅製の第1接地プレート35によって、それぞれオイルタンク11に接地されている。尚、図3においては、説明のために銅プレートが図中左右に折り曲げられているように描画されているが、実際には、図4に示すように、第2コンデンサC2の外側に折り曲げられている。
The
また、第1コンデンサC1の上側コンデンサ電極30は、水平方向に渡された銅製のプレート状電極29によって、互いに短絡されている。プレート状電極29には、例えば図示しない孔が設けられ、ボルトとナットを用いて、第1巻線42が接続自在となっている。第1巻線42は、電気スイッチSR2を所定巻数だけターンして、第2コンデンサC2の上側コンデンサ電極30に接続される。
また、前記プレート状電極29には、2次側巻線20も接続され、昇圧トランスTrを所定巻数だけターンして、GNDに接地されている。
Further, the
Further, the
図3に示すように、オイルタンク11の壁面には、実施形態に係る両極型電流導入端子44が取着されている。以下、両極型電流導入端子44について、詳細に説明する。
図6に、両極型電流導入端子44と磁気スイッチSR1及び昇圧トランスTrとの接続を示す正面図、図7に両極型電流導入端子44の斜視図を示す。
As shown in FIG. 3, a bipolar
6 is a front view showing the connection between the bipolar
図6、図7に示すように、両極型電流導入端子44は、中央部を貫通する金属製の柱状の高圧側通電部材57と、その周囲を取り巻く絶縁部材56と、その周囲を筒状に取り巻く金属製の接地側通電部材58と、その周囲を取り巻く絶縁性のフランジ59とを備えている。
フランジ59にはOリング溝60が設けられ、図示しないOリングによって、オイルタンク11の壁面との間を封止している。フランジ59の、Oリング溝60の内周側には、図示しないボルト穴が設けられ、オイルタンク11の外側からボルトによって固定されている。
As shown in FIGS. 6 and 7, the bipolar
The
両極型電流導入端子44の接地側通電部材58は、オイルタンク11の内側において、1次巻線19の一端部19Aに接続している。1次側巻線19は、磁気アシストSR1及び昇圧トランスTrの外側を通って、昇圧トランスTr及び磁気アシストSR1を、それぞれ所定回数だけターンする。そして、1次側巻線19の他端部19Bは、オイルタンク11の内側で、両極型電流導入端子44の高圧側通電部材57に接続されている。
The ground-
一方、高圧側通電部材57は、オイルタンク11の外側で、主コンデンサC0と、高圧電源CHGの高圧側HVに接続されている。また、接地側通電部材58は、オイルタンク11の外側で、固体スイッチSWに接続されている(図1参照)。
On the other hand, the high-voltage
以上説明したように第1実施形態によれば、電流導入端子を両極型として、1つの両極型電流端子44が、高圧側と接地側との通電部材57、58を備えるようにしている。これにより、通電部材間の距離L2が小さくなるので、1次側巻線19が囲む領域28の面積が小さくなる。
その結果、パルス発生回路24のインダクタンスが小さくなるので、パルス発生回路24で発生する電圧パルスのパルス幅を狭くすることが容易となる。
As described above, according to the first embodiment, the current introduction terminal is a bipolar type, and one bipolar type
As a result, since the inductance of the
また、接地側電流通電部材を筒型形状としているので、接地側電流通電部材における浮遊インダクタンスが小さくなり、同様にパルス発生回路24のインダクタンスが小さくなる。
Further, since the ground-side current conducting member has a cylindrical shape, the floating inductance in the ground-side current conducting member is reduced, and the inductance of the
従って、磁気パルス圧縮回路25の圧縮比を大きくする必要がなく、高電圧パルス発生装置を大型化しなくても、ピーキングコンデンサCpへの充電時間が短くなり、高繰り返し発振が可能となる。
Therefore, it is not necessary to increase the compression ratio of the magnetic
図8に、第2実施形態に係る両極型電流導入端子44の斜視図を示す。図8において、両極型電流導入端子44は、中央に平板型の高圧側通電部材57を備え、その周囲を絶縁部材56で囲み、その上下両側に平板型の接地側通電部材58を配置している。
そして、フランジ59によって、これらの部材をオイルタンク11に固定している。両極型電流導入端子44を、1次側巻線19を用いて磁気スイッチSR1及び昇圧トランスTrに接続した場合の正面図は、図6に示したものと同様である。
FIG. 8 is a perspective view of a bipolar
These members are fixed to the
第2実施形態によれば、高圧側通電部材57を平板としている。これにより、高圧側通電部材57における浮遊インダクタンスも小さくなるので、第1実施形態に加えて、パルス発生回路24のインダクタンスをさらに小さくすることができる。
According to the second embodiment, the high-voltage
図9に、第3実施形態に係る両極型電流導入端子44の斜視図を示す。図9において両極型電流導入端子44は、中央に棒状の絶縁部材61と、その周囲を取り巻く筒状の高圧側通電部材57とを備えている。そして、その周囲を筒状に取り巻く絶縁部材56と、その周囲を筒状に取り巻く金属製の接地側通電部材58と、その周囲を取り巻く絶縁性のフランジ59とを備えている。
それぞれの間は、図示しないOリングによって封止されている。
FIG. 9 is a perspective view of a bipolar
The space between each is sealed by an O-ring (not shown).
第3実施形態によれば、高圧側通電部材57を筒状としているので、高圧側通電部材57の浮遊インダクタンスが小さくなり、しかも全体を同軸状に構成しているので、両極型電流導入端子44がコンパクトとなる。
尚、第1、第3実施形態の説明において、高圧側通電部材57及び接地側通電部材58を、円柱状や円筒状としたが、これに限られるものではなく、断面が楕円や多角形の、柱状や筒状でもよい。
According to the third embodiment, since the high-voltage
In the description of the first and third embodiments, the high-voltage
尚、高電圧パルス発生装置の回路例として、まずパルス発生回路によって発生したパルスを昇圧トランスTrによって増幅し、磁気パルス圧縮回路25によって圧縮する場合について説明したが、これに限られるものではない。
例えば、パルス圧縮回路25が前段にあって、パルスを圧縮してから、これを昇圧トランスTrによって増幅してもよい。或いは、入力が充分大きい場合、昇圧トランスTrを省略してもよい。
このような場合においても、本発明に係る両極型電流導入端子44を用いることにより、インダクタンスを小さくすることができるので、パルス圧縮回路25のコアが小さく、段数も少なくなる。
As an example of the circuit of the high voltage pulse generator, the case where the pulse generated by the pulse generator circuit is first amplified by the step-up transformer Tr and compressed by the magnetic
For example, the
Even in such a case, since the inductance can be reduced by using the bipolar
11:オイルタンク、12:レーザチャンバ、14:主放電電極(アノード)、15:主放電電極(カソード)、16:誘電体チューブ、17:第1予備電離電極、18:第2予備電離電極、19:1次側巻線、20:2次側巻線、21:予備電離電極、24:パルス発生回路、25:パルス圧縮回路、28:領域、29:プレート状電極、30:コンデンサ電極、31:取付穴、32:開口部、33:絶縁板、34:電流通電部材、35:第1接地プレート、36:第2接地プレート、37:第1電流導入端子、38:第2電流導入端子、39:熱交換器、40:オイル流、41:クロスフローファン、42:第1巻線、43:第2巻線、44:両極型電流導入端子、47:コア電極、48:コア側面、51:筒状絶縁部材、52:ロッド、53:フランジ、54:Oリング溝、56:絶縁部材、57:高圧側通電部材、58:接地側通電部材、59:フランジ、60:Oリング溝、61:絶縁部材。 11: oil tank, 12: laser chamber, 14: main discharge electrode (anode), 15: main discharge electrode (cathode), 16: dielectric tube, 17: first preionization electrode, 18: second preionization electrode, 19: Primary winding, 20: Secondary winding, 21: Preionization electrode, 24: Pulse generation circuit, 25: Pulse compression circuit, 28: Region, 29: Plate electrode, 30: Capacitor electrode, 31 : Mounting hole, 32: opening, 33: insulating plate, 34: current conducting member, 35: first ground plate, 36: second ground plate, 37: first current introduction terminal, 38: second current introduction terminal, 39: Heat exchanger, 40: Oil flow, 41: Cross flow fan, 42: First winding, 43: Second winding, 44: Bipolar current introduction terminal, 47: Core electrode, 48: Core side surface, 51 : Cylindrical insulating member, 52: Rod 53: Flange, 54: O-ring groove, 56: insulating member, 57: high-pressure side energizing member, 58: ground side energizing member, 59: flange, 60: O-ring groove, 61: insulating member.
Claims (11)
パルス発生回路(24)及びパルス圧縮回路(25)を構成する要素部品のうち、少なくとも一部が絶縁性冷媒に満たされた容器中に設置され、
容器中に設置された要素部品と容器の外部に設置された要素部品との間が、電流導入端子(44)を介して電気的に接続される高電圧パルス発生装置において、
パルス発生回路(24)及びパルス圧縮回路(25)を構成する要素部品のうち、少なくともパルス発生回路を構成する要素部品が絶縁性冷媒に満たされた容器中に設置され、
電流導入端子が、容器の内外を貫く高圧側通電部材と、高圧側通電部材の周囲を取り巻く絶縁部材(56)と、絶縁部材の周囲の少なくとも一部に配され、かつ、容器の内外を貫く接地側通電部材と、高圧側通電部材、絶縁部材及び接地側通電部材の周囲を取り巻き、かつ、容器内面に密着して絶縁性冷媒の流出を防ぐ絶縁性のフランジとを具備する
ことを特徴とする上記の高電圧パルス発生装置。 A pulse generation circuit (24) for generating a high voltage pulse, and a pulse compression circuit (25) for compressing the generated high voltage pulse;
Among the component parts constituting the pulse generation circuit (24) and the pulse compression circuit (25), at least a part is installed in a container filled with an insulating refrigerant,
In the high-voltage pulse generator in which the element part installed in the container and the element part installed outside the container are electrically connected via the current introduction terminal (44),
Among the component parts constituting the pulse generation circuit (24) and the pulse compression circuit (25), at least the component parts constituting the pulse generation circuit are installed in a container filled with an insulating refrigerant,
The current introduction terminal is disposed on at least a part of the periphery of the insulating member and the high voltage side energizing member that penetrates the inside and outside of the container, the insulating member (56) surrounding the periphery of the high voltage side energizing member , and penetrates the inside and outside of the container A grounding side energizing member and an insulating flange surrounding the periphery of the high voltage side energizing member, the insulating member, and the grounding side energizing member and in close contact with the inner surface of the container to prevent the insulating refrigerant from flowing out. The high voltage pulse generator described above.
容器の内側において、電流導入端子の接地側通電部材は、パルス発生回路の巻線の一端に接続され、巻線の他の一端が、電流導入端子の高圧側通電部材に接続され、
容器の外側において、電流導入端子の高圧型通電部材は、高圧電源の高圧端子側に接続され、電流導入端子の接地側通電部材は、高圧電源の接地側端子に接続される
ことを特徴とする請求項1に記載の高電圧パルス発生装置。 A high-voltage power supply is provided outside the container,
Inside the container, the ground-side energization member of the current introduction terminal is connected to one end of the winding of the pulse generation circuit, and the other end of the winding is connected to the high-voltage side energization member of the current introduction terminal,
Outside the container, the high-voltage energization member of the current introduction terminal is connected to the high-voltage terminal side of the high-voltage power supply, and the ground-side energization member of the current introduction terminal is connected to the ground-side terminal of the high-voltage power supply. The high voltage pulse generator according to claim 1.
前記高圧側及び接地側の通電部材(57、58)のうち少なくとも一方が面形状となっている
ことを特徴とする高電圧パルス発生装置。 In the high voltage pulse generator according to any one of claims 1 to 3,
At least one of the high-voltage side and ground-side current-carrying members (57, 58) has a surface shape.
前記高圧側及び接地側の通電部材(57、58)のうち一方が柱状又は筒状形状であり、
他方がそれを同軸状に囲むような筒状形状となっている
ことを特徴とする高電圧パルス発生装置。 The high voltage pulse generator according to claim 5,
One of the high-voltage side and ground-side current-carrying members (57, 58) is columnar or cylindrical,
A high-voltage pulse generator characterized in that the other has a cylindrical shape surrounding it coaxially.
前記高圧側及び接地側の通電部材(57、58)が、互いに略平行に配置された平板状である
ことを特徴とする高電圧パルス発生装置。 The high voltage pulse generator according to claim 5,
The high-voltage pulse generator according to claim 1, wherein the high-voltage side and ground-side current-carrying members (57, 58) have a flat plate shape arranged substantially parallel to each other.
レーザガスが密封されたレーザチャンバ(12)と、
レーザチャンバ(12)内部に対向して配置された主放電電極(14、15)とを備え、
請求項1〜7のいずれかに記載の高電圧パルス発生装置から発生した高電圧パルスによって主放電電極(14、15)間に主放電を発生させ、レーザガスを励起してレーザ光を発生させている
ことを特徴とする放電励起ガスレーザ装置。 In the discharge excitation gas laser device,
A laser chamber (12) in which a laser gas is sealed;
A main discharge electrode (14, 15) disposed facing the inside of the laser chamber (12),
A main discharge is generated between the main discharge electrodes (14, 15) by the high voltage pulse generated from the high voltage pulse generator according to any one of claims 1 to 7, and the laser gas is excited to generate laser light. A discharge-excited gas laser device.
前記放電励起ガスレーザ装置がエキシマレーザ装置又はフッ素分子レーザ装置のいずれかである
ことを特徴とする放電励起ガスレーザ装置。 In the discharge excitation gas laser device according to claim 8,
The discharge excitation gas laser device is either an excimer laser device or a fluorine molecular laser device.
前記放電励起ガスレーザ装置がフッ素分子レーザ装置であり、
発振周波数が2kHz以上である
ことを特徴とする放電励起ガスレーザ装置。 In the discharge excitation gas laser device according to claim 9,
The discharge excitation gas laser device is a fluorine molecular laser device,
An oscillation frequency is 2 kHz or more.
前記放電励起ガスレーザ装置がエキシマレーザ装置であり、
発振周波数が4kHz以上である
ことを特徴とする放電励起ガスレーザ装置。 In the discharge excitation gas laser device according to claim 9,
The discharge excitation gas laser device is an excimer laser device;
An oscillation frequency is 4 kHz or more. A discharge excitation gas laser device characterized in that the oscillation frequency is 4 kHz or more.
Priority Applications (1)
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