JP5045310B2 - 二次イオン質量分析技術による高精度な深さ方向分析法および分析装置 - Google Patents
二次イオン質量分析技術による高精度な深さ方向分析法および分析装置 Download PDFInfo
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K. Wittmaack,「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジーA(J. Vac. Sci. Technol. A)」,1990年,A8,p.2246, J. J. Vajo,「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジーA(J. Vac. Sci. Technol. A)」,1996年,A14,p.2709 Y.片岡,「アプライド・サーフェス・サイエンス(Applied Surf. Sci.)」,2003年,第203−204巻,p.43 E. Cirlin,「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジーA(J. Vac. Sci. Technol. A)」,1991年,A9,p.1395 K. Wittmaack,「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジーA(J. Vac. Sci. Technol. A)」,1990年,A8,p.2246
(2)第二の所定時間経過時点における試料電流値が当該平均値と一致するように前記試料ステージ角度を変更し、
(3)以後、必要に応じて上記(2)の操作を繰り返す、
やり方が実際的であり好ましい。
(1)試料ステージ角度を固定して二次イオン量を第一の所定時間カウントした後に、当該所定時間における試料電流値の平均値を求め、
(2)第二の所定時間経過時点における試料電流値が当該平均値と一致するように前記試料ステージ角度を変更し、
(3)以後、必要に応じて上記(2)の操作を繰り返す方法である。
図5は本発明に係るSIMS装置の概略図である。系は真空吸引されている。一次イオンガン1から照射された一次イオンは試料ステージ2上の試料3の試料面に当たり、放出された二次イオンは質量分析器4で分析される。Lは試料ステージ上の垂線を表す。試料ステージを接地することによって流れる電流は試料電流値としてモニター5により測定される。試料電流値に応じて前記試料ステージの角度を変更する様子は矢印によって示されている。試料ステージの角度を変更する機構は示されていない。
Si基板に3keVのO2 +を照射し、Si+を検出した。そのため、予め、測定対象であるSi基板を二つに分け、その一つ(第一の試料)について、Si基板上の一次イオン照射領域(スキャン領域)を変えながら設定した一次イオン入射角度と試料電流初期値との関係を求めた。
2 試料ステージ
3 試料
4 質量分析器
5 モニター
Claims (3)
- 二次イオン質量分析法による、試料の深さ方向における元素の分析方法であって、一次イオンの試料表面への照射中に、試料電流値の変化に応じて、当該一次イオンの入射方向に対する試料ステージの角度を変更することにより、当該一次イオンの試料表面への入射角度を補正することを含み、
更に、
(1)試料ステージ角度を固定して二次イオン量を第一の所定時間カウントした後に、当該所定時間における試料電流値の平均値を求め、
(2)第二の所定時間経過時点における試料電流値が当該平均値と一致するように前記試料ステージ角度を変更する、
操作を複数回繰り返す、
ことを含む、
分析方法。 - 上記試料ステージの角度変更に際して、試料ステージの垂線方向を0度としたときに、試料電流値が増加した場合には一次イオンの試料への入射角度が小さくなる方向へ試料ステージを動かし、試料電流値が減少した場合には一次イオンの試料への入射角度が大きくなる方向へ試料ステージを動かすことを含む、請求項1に記載の分析方法。
- 請求項1または2に記載の分析方法を実行するための二次イオン質量分析装置であって、試料電流値をモニターする機構と、当該試料電流値に応じて前記試料ステージの角度を変更する機構とを備えた二次イオン質量分析装置。
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