JP5045209B2 - プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。

プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。

パネルを駆動する方法としては、サブフィールド法、すなわち、１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般に用いられている。

各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を各電極上に形成するとともに、書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（放電のための起爆剤＝励起粒子）を発生させる。書込み期間では、表示を行うべき放電セルに選択的に書込みパルス電圧を印加して書込み放電を発生させ壁電荷を形成する（以下、この動作を「書込み」とも記す）。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルス電圧を印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。

また、サブフィールド法の中でも、緩やかに変化する電圧波形を用いて初期化放電を行い、さらに維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させた駆動方法が開示されている。

具体的には、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては直前の維持期間で維持放電を行った放電セルにのみ初期化放電を発生させる選択初期化動作を行う。このように駆動することによって、画像の表示に関係のない発光に依存して変化する黒表示領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は全セル初期化動作における微弱発光だけとなり、コントラストの高い画像表示が可能となる（例えば、特許文献１参照）。

また、上述の特許文献１には、維持期間における最後の維持パルスのパルス幅を他の維持パルスのパルス幅よりも短くし、表示電極対間の壁電荷による電位差を緩和する、いわゆる細幅消去放電についても記載されている。この細幅消去放電によって、続くサブフィールドの書込み期間における書込み動作を安定させ、コントラスト比の高いプラズマディスプレイ装置を実現することができる。
特開２０００−２４２２２４号公報

近年においては、更なるパネルの高精細化が進められているが、高精細化されたパネルでは、パネル内に形成される電極の数が増えるため、書込みに要する時間が増大しないように書込みパルス電圧のパルス幅を短縮しなければならず、これにより書込みが不安定になるという問題があった。

また、パネルの高精細化にともない微細化された放電セルでは、壁電荷が失われる電荷抜けと呼ばれる現象が生じやすいことが確認されており、この電荷抜けが発生すると、放電不良が発生して画像表示品質を劣化させたり、あるいは、放電の発生に必要な印加電圧が上昇するという問題が生じていた。

電荷抜けが発生する主な原因の１つに書込み動作時の放電ばらつきがある。例えば、書込み動作時の放電ばらつきが大きく、書込み放電が強く発生してしまうと、発光させる放電セルと非発光の放電セルとが隣接したところで、発光させる放電セルが非発光の放電セルから壁電荷を奪ってしまうことがあり、電荷抜けが発生する。したがって、書込み放電をできるだけ安定に発生させることが、電荷抜けを防止するためには重要である。

本発明はこのような課題に鑑みなされたものであり、高精細化されたパネルにおいても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、書込み放電を安定に発生させることができ、画像表示品質のよいプラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法を提供することを目的とする。

本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルと、１フィールド期間内に設けた初期化期間と書込み期間と維持期間とを有する複数のサブフィールドの初期化期間において緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を発生させるとともに１フィールド期間の少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間においては緩やかに上昇する第１の傾斜波形電圧を発生させ、維持期間の最後においては、第１の傾斜波形電圧よりも勾配を急峻にし、かつ上昇する波形電圧があらかじめ定めた所定電位に到達したら直ちに降下させる第２の傾斜波形電圧を発生させて走査電極を駆動する走査電極駆動回路とを備え、走査電極駆動回路は、下り傾斜波形電圧における最低電圧を、第１の電圧と、第１の電圧よりも電圧値の高い第２の電圧と、第２の電圧よりも電圧値の高い第３の電圧とで切換えて下り傾斜波形電圧を発生させることを特徴とする。

これにより、高精細化されたパネルにおいても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、書込み放電を安定に発生させることができ、パネルの画像表示品質を向上させることができる。

また、このプラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路は、直前のサブフィールドの維持期間における維持パルスの総数が所定値以上のサブフィールドにおいて、上述の最低電圧を第３の電圧にして下り傾斜波形電圧を発生させることを特徴とする。これにより、書込み放電をさらに安定に発生させることができ、パネルの画像表示品質をさらに向上させることができる。

また、このプラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路は、第１の傾斜波形電圧を発生させるサブフィールドにおいては、上述の最低電圧を第２の電圧にして下り傾斜波形電圧を発生させてもよい。これにより、書込み放電をさらに安定に発生させることができる。

また、このプラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路は、下り傾斜波形電圧と第２の電圧または第３の電圧とを比較する比較器と、比較器からの出力を有効にするか無効にするかを切換えるスイッチング素子と、比較器からの出力にもとづき走査電極駆動回路からの出力を下り傾斜波形電圧から所定の電圧に切換えるスイッチング素子と、比較器に入力する電圧を第２の電圧と第３の電圧とで切換えるフォトカプラとを有する構成としてもよい。

また、本発明のパネルの駆動方法は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルの駆動方法であって、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド期間内に複数設け、初期化期間において緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を発生させるとともに１フィールド期間の少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間においては緩やかに上昇する第１の傾斜波形電圧を発生させて走査電極に印加し、維持期間の最後においては、第１の傾斜波形電圧よりも勾配を急峻にし、かつ上昇する波形電圧があらかじめ定めた所定電位に到達したら直ちに降下させる第２の傾斜波形電圧を発生させて走査電極に印加し、下り傾斜波形電圧における最低電圧を、第１の電圧と、第１の電圧よりも電圧値の高い第２の電圧と、第２の電圧よりも電圧値の高い第３の電圧とで切換えて下り傾斜波形電圧を発生させることを特徴とする。

これにより、高精細化されたパネルにおいても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、書込み放電を安定に発生させることができ、パネルの画像表示品質を向上させることができる。

また、本発明のパネルの駆動方法では、直前のサブフィールドの維持期間における維持パルスの総数が所定値以上のサブフィールドにおいて、上述の最低電圧を第３の電圧にして下り傾斜波形電圧を発生させることを特徴とする。これにより、書込み放電をさらに安定に発生させることができ、パネルの画像表示品質をさらに向上させることができる。

また、本発明のパネルの駆動方法では、第１の傾斜波形電圧を発生させるサブフィールドにおいては、上述の最低電圧を第２の電圧にして下り傾斜波形電圧を発生させてもよい。これにより、書込み放電をさらに安定に発生させることができる。

本発明によれば、高精細化されたパネルにおいても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、書込み放電を安定に発生させることができ、画像表示品質のよいプラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法を提供することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。

また、保護層２６は、放電セルにおける放電開始電圧を下げるために、パネルの材料として使用実績があり、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）ガスを封入した場合に２次電子放出係数が大きく耐久性に優れたＭｇＯを主成分とする材料から形成されている。

背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。

これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして、内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。

なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。

図２は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。なお、図１、図２に示したように、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとは互いに平行に対をなして形成されているために、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間に大きな電極間容量Ｃｐが存在する。

次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。それぞれのサブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。

各サブフィールドにおいて、初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。加えて、放電遅れを小さくし書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（放電のための起爆剤＝励起粒子）を発生させるという働きを持つ。このときの初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる全セル初期化動作と、直前のサブフィールドで維持放電を行った放電セルだけで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化動作とがある。

書込み期間では、後に続く維持期間において発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、輝度重みに比例した数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。このときの比例定数を「輝度倍率」と呼ぶ。

なお、本実施の形態では、維持期間の最後に傾斜波形電圧を発生させており、これにより、続くサブフィールドの書込み期間における書込み動作を安定させている。以下、まず駆動電圧波形の概要について説明し、続いて駆動回路の構成について説明する。

図３は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち全セル初期化動作を行うサブフィールド（以下、「全セル初期化サブフィールド」と呼称する）と、選択初期化動作を行うサブフィールド（以下、「選択初期化サブフィールド」と呼称する）とを示しているが、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形もほぼ同様である。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データにもとづき選択された電極を表す。

まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。

第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する第１の傾斜波形電圧（以下、「上りランプ波形電圧」と呼称する）を印加する。

なお、本実施の形態では、この上りランプ波形電圧を約１．３Ｖ／μｓｅｃの勾配にして発生させている。

この上りランプ波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。

初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧（以下、「下りランプ波形電圧」と呼称する）を印加する（以下、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する下りランプ波形電圧の最小値を「初期化電圧Ｖｉ４」として引用する）。この間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。

なお、図３の第２ＳＦの初期化期間に示したように、初期化期間の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加してもよい。すなわち、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｉ３’から初期化電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を印加する。これにより前のサブフィールドの維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められる。また直前の維持放電によってデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部に十分な正の壁電圧が蓄積されている放電セルでは、この壁電圧の過剰な部分が放電され書込み動作に適した壁電圧に調整される。一方、前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように前半部を省略した初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して初期化放電を行う選択初期化動作となる。

ここで、本実施の形態においては、この初期化電圧Ｖｉ４の電圧値を３つの異なる電圧値で切換えてパネル１０を駆動する構成としている。以下、最も高い初期化電圧Ｖｉ４を「Ｖｉ４Ｈ」と記し、最も低い初期化電圧Ｖｉ４を「Ｖｉ４Ｌ」と記し、その間の電位となる初期化電圧Ｖｉ４を「Ｖｉ４Ｍ」と記す。

続く書込み期間では、まず維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。

そして、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（Ｖｅ２−Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅ２を、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態とすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。

このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。

続く維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。

そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。

続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。

そして、維持期間の最後には、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに、ベース電位となる０（Ｖ）から電圧Ｖｅｒｓに向かって緩やかに上昇する第２の傾斜波形電圧（以下、「消去ランプ波形電圧」と呼称する）を印加する。これにより、微弱な放電を持続して発生させ、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧の一部または全部を消去している。

具体的には、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０（Ｖ）に戻した後、ベース電位となる０（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｅｒｓに向かって上昇する第２の傾斜波形電圧である消去ランプ波形電圧を、第１の傾斜波形電圧である上りランプ波形電圧よりも急峻な勾配、例えば約１０Ｖ／μｓｅｃの勾配で発生させ、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する。すると、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で微弱な放電が発生する。そして、この微弱な放電は、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎへの印加電圧が上昇する期間、持続して発生する。そして、上昇する電圧があらかじめ定めた所定電位である電圧Ｖｅｒｓに到達したら直ちに走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する電圧をベース電位となる０（Ｖ）まで降下させる。

このとき、この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、常に維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Ｄｋ上の正の壁電荷を残したまま、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上と維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上との間の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、すなわち（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。以下、この消去ランプ波形電圧によって発生させる維持期間の最後の放電を「消去放電」と呼称する。

なお、本実施の形態では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する電圧があらかじめ定めた電圧Ｖｅｒｓに到達したら、直ちにベース電位となる０（Ｖ）まで降下させる構成としている。これは、上昇する電圧があらかじめ定めた電圧Ｖｅｒｓに到達した後、その電圧を維持したままにすると、次の条件、すなわち、
自身が非発光の放電セル（そのサブフィールドで書込みがなされていない放電セル）である。
隣接セルが発光させる放電セル（そのサブフィールドで書込みがなされた放電セル）である。
自身が直前のサブフィールドで維持放電を発生した。
といった条件にあてはまる放電セルで異常放電が発生しやすいことを実験的に確認したためである。

この異常放電は、続く書込み期間での誤放電を誘発するため、できるだけ発生させないようにすることが望ましく、本実施の形態では、消去ランプ波形電圧を発生させる際に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する電圧が電圧Ｖｅｒｓに到達した後、直ちにベース電位となる０（Ｖ）まで降下させる構成としているので、この異常放電の発生を防止しつつ、放電セル内の壁電圧を続く書込み動作が安定に行えるように最適に調整することが可能である。

続くサブフィールドの動作は、維持期間の維持パルスの数を除いて上述の動作とほぼ同様であるため説明を省略する。以上が、本実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。

なお、本実施の形態では、電圧Ｖｅｒｓの電圧値を維持パルス電圧Ｖｓ＋３（Ｖ）、例えば、約２１３（Ｖ）に設定しているが、ここでは電圧Ｖｅｒｓの電圧値を、維持パルス電圧Ｖｓ−１０（Ｖ）以上かつ維持パルス電圧Ｖｓ＋１０（Ｖ）以下の電圧範囲に設定することが望ましい。電圧Ｖｅｒｓの電圧値をこの上限値よりも大きくすると壁電圧の調整が過剰となり、また、下限値よりも小さくすると壁電圧の調整が不足して、それぞれ続く書込み動作を安定に行えない恐れがあるためである。

また、本実施の形態では、消去ランプ波形電圧の勾配を約１０Ｖ／μｓｅｃにする構成を説明したが、この勾配は、２Ｖ／μｓｅｃ以上２０Ｖ／μｓｅｃ以下に設定することが望ましい。勾配をこの上限値よりも急峻にすると壁電圧を調整するための放電が微弱な放電とならず、また、勾配をこの下限値よりも緩やかにすると放電そのものが微弱になりすぎてしまい、それぞれ壁電圧の調整がうまく行えない恐れがあるためである。

また、上述したように、本実施の形態では、初期化期間において、下りランプ波形電圧の最低電圧である初期化電圧Ｖｉ４の電圧値を、３つの異なる電圧値、すなわち第１の電圧であるＶｉ４Ｌと、それよりも電圧値の高い第２の電圧であるＶｉ４Ｍと、さらに電圧値の高い第３の電圧であるＶｉ４Ｈとで切換えて下りランプ波形電圧を発生する構成としている。そして、維持期間における維持パルスの総数および後述するパネル温度検出回路によって検出されたパネル１０の温度に応じて、初期化電圧Ｖｉ４の電圧値をＶｉ４ＬとＶｉ４ＭとＭｉ４Ｈとで切換えて下りランプ波形電圧を発させるように構成している。これにより、安定した書込み放電を実現している。

次に、サブフィールド構成について説明する。図４、図５は、本発明の実施の形態１におけるサブフィールド構成の一例を示す図である。なお、図４、図５はサブフィールド法における１フィールド期間の駆動波形を略式に記したもので、それぞれのサブフィールドの駆動電圧波形は図３の駆動電圧波形と同等なものである。

図４に示すように、本実施の形態では、１フィールドを１０のサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第１０ＳＦ）で構成し、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。各サブフィールドの維持パルスの総数は、例えば、それぞれ（５、１０、１５、２９、５４、８８、１４６、２１５、２９３、３９５）であるものとする。そして、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第１０ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなり、維持放電を発生させない黒表示領域の輝度である黒輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなって、コントラストの高い画像表示が可能となる。

しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。

そして、上述したように、維持期間における維持パルスの総数および後述するパネル温度検出回路によって検出されたパネル１０の温度に応じて、下りランプ波形電圧の初期化電圧Ｖｉ４の電圧値を３つの異なる電圧値、すなわちＶｉ４ＬとＶｉ４ＭとＶｉ４Ｈとで切換えて下りランプ波形電圧を発生させる構成としている。

具体的には、後述するパネル温度検出回路がパネル１０の温度を高温（ここでは、５５℃以上）と判定した場合には、図５（ａ）に示すように、直前のサブフィールドの維持パルスの総数が２０未満サブフィールド（ここでは、第２ＳＦ〜第４ＳＦ）および全セル初期化サブフィールド（ここでは、第１ＳＦ）の初期化期間においては初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにし、直前のサブフィールドの維持パルスの総数が２０以上のサブフィールド（ここでは、第５ＳＦ〜第１０ＳＦ）の初期化期間においては初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにして下りランプ波形電圧を発生させ、初期化動作を行う。

また、パネル温度検出回路がパネル１０の温度を中温（ここでは、２０℃以上５５℃未満）と判定した場合には、図５（ｂ）に示すように、全てのサブフィールドの初期化期間において、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにして下りランプ波形電圧を発生させ、初期化動作を行う。

また、パネル温度検出回路がパネル１０の温度を低温（ここでは、２０℃未満）と判定した場合には、図５（ｃ）に示すように、全セル初期化動作を行う第１ＳＦの初期化期間においては初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにし、第２ＳＦ〜第１０ＳＦの初期化期間においては初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにして下りランプ波形電圧を発生させ、初期化動作を行う。

本実施の形態では、このような構成とすることにより、安定した書込み放電を実現している。これは、次のような理由による。

書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する初期化期間では、下りランプ波形電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加することによって初期化放電を発生させる。したがって、下りランプ波形電圧の最も低い初期化電圧Ｖｉ４の電圧値に応じて各電極上に形成される壁電荷の状態も変化し、続く書込み放電に必要な印加電圧も変化する。

図６は、本発明の実施の形態１における初期化電圧Ｖｉ４と書込みパルス電圧との関係を示す図である。図６において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを表し、横軸は初期化電圧Ｖｉ４を表す。

この図６に示すように、初期化電圧Ｖｉ４が低いほど、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄは低減される。例えば、初期化電圧Ｖｉ４が約−９０（Ｖ）のときの書込みパルス電圧Ｖｄが約６６（Ｖ）であるのに対し、初期化電圧Ｖｉ４が約−９５（Ｖ）のときの書込みパルス電圧Ｖｄは約５０（Ｖ）であり、初期化電圧Ｖｉ４を約−９０（Ｖ）から約−９５（Ｖ）にすると、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄは約１６（Ｖ）低減される。

一方、初期化電圧Ｖｉ４と安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａとには次のような関係がある。図７は、本発明の実施の形態１における初期化電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧との関係を示す図である。図７において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を表し、横軸は初期化電圧Ｖｉ４を表す。

そして、この図７に示すように、初期化電圧Ｖｉ４が低いほど、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａは大きくなる。例えば、初期化電圧Ｖｉ４が約−９０（Ｖ）のときの走査パルス電圧の振幅が約１１０（Ｖ）であるのに対し、初期化電圧Ｖｉ４が約−９５（Ｖ）のときの走査パルス電圧の振幅は約１２０（Ｖ）であり、初期化電圧Ｖｉ４を約−９０（Ｖ）から約−９５（Ｖ）にすることで、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａは約１０（Ｖ）も大きくなってしまう。

このように、初期化電圧Ｖｉ４を低くすると、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄは低減されるが、それとは逆に、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａは大きくなってしまう。

一方、維持放電の発生回数が多いサブフィールドに続くサブフィールドでは、そうでないサブフィールドと比較して、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄが低減されることが確認された。これは、維持パルスの総数が多く十分な回数の維持放電が発生する維持期間では、プライミング粒子が十分に形成されるためと考えられる。すなわち、多くの維持放電が発生して十分なプライミング粒子が形成されたサブフィールドに続くサブフィールドでは初期化電圧Ｖｉ４を比較的高く設定することが可能となる。それにより、安定した放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａを低減できるので、書込み放電を安定に発生させることができる。

逆に、維持放電の発生回数が少ないサブフィールドに続くサブフィールドでは、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄが低減されにくいため、初期化電圧Ｖｉ４を高くしすぎない方がよい。また、全セル初期化動作を行った直後は、下りランプ波形電圧での放電により壁電圧を十分に調整しなければならないため、下りランプ波形電圧による放電の持続時間をある程度確保する必要がある。

また、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａがパネル１０の温度に依存して変化することも確認された。

図８は、本発明の実施の形態１におけるパネルの温度と走査パルス電圧との関係を示す図である。図８において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を表し、横軸はパネル１０の温度を表す。また、図８の実線は全てのサブフィールドで初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにしたときの結果を表し、図８の破線は第１ＳＦ〜第４ＳＦでは初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにし第５ＳＦ〜第１０ＳＦでは初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにしたときの結果を表す。

そして、この図８に示すように、パネル１０の温度が低くなるほど、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａは低減されることが確認された。例えば、図８の実線では、パネル１０の温度が約７０（℃）のときの走査パルス電圧の振幅が約１４４（Ｖ）であるのに対し、パネル１０の温度が約３５（℃）のときの走査パルス電圧の振幅は約８８（Ｖ）であり、パネル１０の温度が約３５（℃）のときにはパネル１０の温度が約７０（℃）のときよりも、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａは約５６（Ｖ）も低くなる。

すなわち、パネル１０の温度が低温のときには、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａが低減されるため、初期化電圧Ｖｉ４を低く設定して、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを低減させることが望ましく、また、パネル１０の温度が高温のときには、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａが高くなるため、必要な走査パルス電圧が低減されるように初期化電圧Ｖｉ４を高く設定することが望ましい。

これらのことから、本実施の形態では、後述するパネル温度検出回路がパネル１０の温度を高温（ここでは、５５℃以上）と判定したときに、図５（ａ）に示すように、直前のサブフィールドの維持期間における維持パルスの総数が多い（ここでは２０以上）サブフィールド（ここでは、第５ＳＦ〜第１０ＳＦ）において初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにして下りランプ波形電圧を発生させる構成とする。ただし、上述した理由により、直前のサブフィールドの維持パルスの総数が２０未満のサブフィールドおよび全セル初期化サブフィールド（ここでは、第１ＳＦ〜第４ＳＦ）の初期化期間においては初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにする。

さらに、本実施の形態では、パネル温度検出回路がパネル１０の温度を中温（ここでは、２０℃以上５５℃未満）と判定したときには、図５（ｂ）に示すように、全てのサブフィールドにおいて初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにして下りランプ波形電圧を発生させる。パネル温度検出回路がパネル１０の温度を低温（ここでは、２０℃未満）と判定したときには、図５（ｃ）に示すように、全セル初期化サブフィールド（ここでは、第１ＳＦ）において初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにし、全セル初期化サブフィールドを除くサブフィールド（ここでは、第２ＳＦ〜第１０ＳＦ）において初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにして下りランプ波形電圧を発生させる構成とする。

このようなサブフィールド構成とすることにより、高精細化されたパネルにおいても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、書込み放電を安定に発生させることが可能となる。

なお、第１ＳＦ〜第４ＳＦで初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにし、第５ＳＦ〜第１０ＳＦで初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにしたときには、図８の破線に示すように、図８の実線に示す全てのサブフィールドで初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにしたときと比べて、例えばパネル１０の温度が約７０（℃）のときには、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を約１０（Ｖ）低減でき、パネル１０の温度が約６０（℃）のときには同走査パルス電圧を約５（Ｖ）低減できることが確認された。

なお、本実施の形態では、パネル温度検出回路がパネル１０の温度を低温（ここでは、２０℃未満）と判定したときに、全セル初期化動作を行う第１ＳＦの初期化期間では初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにしているが、これは、パネルの温度が低温のときには放電遅れが大きくなりやすく、そのため第１ＳＦで行う全セル初期化動作での上りランプ波形電圧印加時に形成される壁電圧が高温時等と比べて少なくなりやすいため、壁電圧を調整する作用を有する下りランプ波形電圧での放電持続時間を長くしすぎないようにするためである。

次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図９は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５、パネル温度検出回路４６および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。

画像信号処理回路４１は、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路４２はサブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。

パネル温度検出回路４６は、温度を検出するために用いられる熱電対等の一般に知られた素子からなる温度センサ４７を有する。そして、温度センサ４７で検出したパネル１０の温度とあらかじめ定めた温度しきい値とを比較して、パネル温度が低温か中温か高温かを判断し、その結果をタイミング発生回路４５に出力する。具体的には、温度しきい値として２０℃および５５℃を設定し、パネル温度が低温（２０℃未満）か、中温（２０℃以上５５℃未満）か、高温（５５℃以上）かを判断し、その結果を示す信号をタイミング発生回路４５に出力する。なお、これらの数値は単なる一例に過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様に応じて最適な値に設定すればよい。

タイミング発生回路４５は水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよびパネル温度検出回路４６からの出力をもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。そして、上述したように、本実施の形態においては、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する下りランプ波形電圧の初期化電圧Ｖｉ４をパネル温度にもとづいて制御する構成としており、それに応じたタイミング信号を走査電極駆動回路４３に出力する。これにより、書込み動作を安定化させる。

走査電極駆動回路４３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する初期化波形電圧を発生するための初期化波形発生回路（図示せず）、維持期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する維持パルスを発生するための維持パルス発生回路（図示せず）、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルス電圧を発生するための走査パルス発生回路（図示せず）を有し、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎをそれぞれ駆動する。維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路（図示せず）および電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２を発生するための回路を備え、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動する。

次に、走査電極駆動回路４３について説明する。図１０は、本発明の実施の形態１における走査電極駆動回路４３の回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路５０、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路５３、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路５４を備えている。なお、図１０には、スイッチング素子Ｑ１３を用いた分離回路を示している。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作を「オン」、遮断させる動作を「オフ」と表記し、スイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。

維持パルス発生回路５０は、後述する電力回収回路と後述するクランプ回路とを備え、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき内部に備えた各スイッチング素子を切換えて維持パルス電圧Ｖｓを発生させる。

初期化波形発生回路５３は、スイッチング素子Ｑ１１とコンデンサＣ１０と抵抗Ｒ１０とを有し電圧Ｖｉ２までランプ状に緩やかに上昇する初期化動作時の上りランプ波形電圧を発生する第１の傾斜波形発生回路である第１のミラー積分回路５５、スイッチング素子Ｑ１５とコンデンサＣ１１と抵抗Ｒ１２とを有し電圧Ｖｅｒｓまでランプ状に緩やかに上昇する消去ランプ波形電圧を発生する第２の傾斜波形発生回路である第２のミラー積分回路５６、スイッチング素子Ｑ１４とコンデンサＣ１２と抵抗Ｒ１１とを有し所定の初期化電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに下降する初期化動作時の下りランプ波形電圧を発生する第３の傾斜波形発生回路である第３のミラー積分回路５７を備えている。なお、図１０には、ミラー積分回路のそれぞれの入力端子を入力端子ＩＮａ、入力端子ＩＮｂ、入力端子ＩＮｃとして示している。

また、本実施の形態では、消去ランプ波形電圧発生時における電圧の上昇を電圧Ｖｅｒｓで精度良く停止させるために、消去ランプ波形電圧とあらかじめ定められた所定電圧とを比較し、消去ランプ波形電圧が所定電圧に到達したら直ちに消去ランプ波形電圧を発生させる第２のミラー積分回路の動作を停止させるスイッチング回路を有する。具体的には、逆流防止用のダイオードＤ１３、電圧Ｖｅｒｓの電圧値を調整するための抵抗Ｒ１３、初期化波形発生回路５３から出力される電圧が電圧Ｖｅｒｓに到達したら第２のミラー積分回路５６の入力端子ＩＮｃを「Ｌｏ」にするためのスイッチング素子Ｑ１６、保護用のダイオードＤ１２、抵抗Ｒ１４を備えている。

スイッチング素子Ｑ１６は、一般に用いられているＮＰＮ型のトランジスタからなり、ベースを初期化波形発生回路５３の出力に、コレクタを第２のミラー積分回路５６の入力端子ＩＮｃに、エミッタを、直列に接続された抵抗Ｒ１３、ダイオードＤ１３を介して電圧Ｖｓに接続している。抵抗Ｒ１３は、初期化波形発生回路５３から出力される電圧が電圧Ｖｅｒｓに到達したらスイッチング素子Ｑ１６がオンするようにその抵抗値を設定しており、そのため、初期化波形発生回路５３から出力される電圧が電圧Ｖｅｒｓに到達したらスイッチング素子Ｑ１６はオンする。すると、第２のミラー積分回路５６を動作させるために入力端子ＩＮｃに入力される電流はスイッチング素子Ｑ１６に引き抜かれるため第２のミラー積分回路５６は動作を停止する。

一般的にミラー積分回路は、発生させるランプ波形の勾配に、自身の回路を構成する素子のばらつきの影響を受けやすく、そのため、単にミラー積分回路の動作期間だけで波形生成を行うと、ランプ波形の最大電圧値がばらつきやすい。一方、本実施の形態では、消去ランプ波形電圧の最大電圧値を目標電圧値に対して±３（Ｖ）に収めるのが望ましいことが確認されており、本実施の形態における構成を用いることで、目標電圧値に対して±１（Ｖ）程度の範囲に収めることができ、消去ランプ波形電圧を精度良く発生させることが可能となる。

なお、電圧Ｖｅｒｓ’は電圧Ｖｅｒｓよりも高い電圧値に設定することが望ましく、本実施の形態では、電圧Ｖｅｒｓ’を電圧Ｖｓ＋３０（Ｖ）に設定している。また、本実施の形態では、電圧Ｖｅｒｓが電圧Ｖｓ＋３（Ｖ）になるように抵抗Ｒ１３の抵抗値を設定しており、具体的には抵抗Ｒ１３を１００Ω、電圧Ｖｓを２１０（Ｖ）、抵抗Ｒ１４を１ｋΩに設定している。ただし、これらの値は表示電極対数１０８０の４２インチのパネルにもとづき設定した値に過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様に応じて最適に設定すればよい。

そして、初期化波形発生回路５３は、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき上述した初期化波形電圧、または消去ランプ波形電圧を発生させる。

例えば、初期化波形における上りランプ波形電圧を発生させる場合には、入力端子ＩＮａに所定の電圧（例えば、１５（Ｖ））の定電流を入力して、入力端子ＩＮａを「Ｈｉ」にする。これにより抵抗Ｒ１０からコンデンサＣ１０に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１１のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に上昇し始める。

また、全セル初期化動作および選択初期化動作の初期化波形における下りランプ波形電圧を発生させる場合には、入力端子ＩＮｂに所定の電圧（例えば、１５（Ｖ））の定電流を入力して、入力端子ＩＮｂを「Ｈｉ」にする。すると、抵抗Ｒ１１からコンデンサＣ１２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１４のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に下降し始める。

また、維持期間の最後において消去ランプ波形電圧を発生させる場合には、入力端子ＩＮｃに所定の電圧の定電流を入力して、入力端子ＩＮｃを「Ｈｉ」にする。これにより抵抗Ｒ１２からコンデンサＣ１１に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１５のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に上昇し始める。なお、本実施の形態では、抵抗Ｒ１２の抵抗値を抵抗Ｒ１０の抵抗値よりも小さくしており、これにより、第２の傾斜波形電圧である消去ランプ波形電圧を、第１の傾斜波形電圧である上りランプ波形電圧よりも勾配を急峻にして発生させている。

そして、初期化波形発生回路５３から出力される駆動電圧波形が徐々に上昇して電圧Ｖｅｒｓよりも高くなると、スイッチング素子Ｑ１６がオンして入力端子ＩＮｃに入力される定電流はスイッチング素子Ｑ１６に引き抜かれ、第２のミラー積分回路５６は動作を停止する。これにより、初期化波形発生回路５３から出力される駆動電圧波形は直ちにベース電位となる０（Ｖ）まで降下する。こうして、本実施の形態では、消去ランプ波形電圧発生時における電圧の上昇を所定電位である電圧Ｖｅｒｓで精度良く停止させ、その後、直ちにベース電位となる０（Ｖ）まで降下させている。

走査パルス発生回路５４は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに走査パルス電圧を出力するスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎと、スイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎの低電圧側を電圧Ｖａにクランプするためのスイッチング素子Ｑ２１と、スイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎを制御するための制御回路ＩＣ１〜ＩＣｎと、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎを重畳した電圧Ｖｃをスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎの高電圧側に印加するためのダイオードＤ２１およびコンデンサＣ２１とを備えている。そしてスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎのそれぞれは、電圧Ｖｃを出力するためのスイッチング素子ＱＨ１〜ＱＨｎと電圧Ｖａを出力するためのスイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎとを備えている。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルス電圧Ｖａを順次発生させる。なお、走査パルス発生回路５４は、初期化期間では初期化波形発生回路５３の電圧波形を、維持期間では維持パルス発生回路５０の電圧波形をそのまま出力する。

なお、スイッチング素子Ｑ３、スイッチング素子Ｑ４、スイッチング素子Ｑ１３には非常に大きな電流が流れるため、これらのスイッチング素子にはＦＥＴ、ＩＧＢＴ等を複数並列接続して用いインピーダンスを低下させている。

また、走査パルス発生回路５４は、論理積演算を行うアンドゲートＡＧと、２つの入力端子に入力される入力信号の大小を比較する比較器ＣＰと、一般に用いられるスイッチング動作を行うフォトカプラＰＣと、逆流防止用のダイオードＤ２２およびダイオードＤ２３と、保護用のダイオードＤ２４とを備える。フォトカプラＰＣは切換え信号ＣＥＬ３の「Ｈｉ」／「Ｌｏ」の切換えによりスイッチング動作を切換える。切換え信号ＣＥＬ３としては、例えば、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号を用いることができる。電圧Ｖｓｅｔ３は電圧Ｖｓｅｔ２よりも高い電圧値であり、そのため、フォトカプラＰＣがオフのときには電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２が重畳された電圧が比較器ＣＰに入力されるが、フォトカプラＰＣがオンのときには逆流防止用のダイオードＤ２２の働きにより電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ３が重畳された電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）が比較器ＣＰに入力される。そして比較器ＣＰは、フォトカプラＰＣがオフのときには電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）を、フォトカプラＰＣがオンのときには電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）を、駆動電圧波形と比較し、駆動電圧波形の方が高い場合には「０」を、それ以外では「１」を出力する。アンドゲートＡＧには、２つの入力信号、すなわち比較器ＣＰの出力信号ＣＥＬ１と切換え信号ＣＥＬ２とが入力される。切換え信号ＣＥＬ２としては、例えば、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号を用いることができる。そして、アンドゲートＡＧは、いずれの入力信号も「１」の場合には「１」を出力し、それ以外の場合には「０」を出力する。アンドゲートＡＧの出力は制御回路ＩＣ１〜ＩＣｎに入力され、アンドゲートＡＧの出力が「０」であればスイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎを介して駆動電圧波形を、アンドゲートＡＧの出力が「１」であればスイッチング素子ＱＨ１〜ＱＨｎを介して、所定の電圧である、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧Ｖｃを出力する。すなわち、アンドゲートＡＧは、比較器ＣＰからの出力を有効にするか無効にするかを切換えるスイッチング素子としての働きを有する。本実施の形態は、このようにして、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌ（切換え信号ＣＥＬ２を「Ｌｏ」にしたとき）とＶｉ４Ｍ（切換え信号ＣＥＬ２を「Ｈｉ」にするとともに切換え信号ＣＥＬ３を「Ｌｏ」にしたとき）とＶｉ４Ｈ（切換え信号ＣＥＬ２を「Ｈｉ」にするとともに切換え信号ＣＥＬ３を「Ｈｉ」にしたとき）とで切換えている。なお、本実施の形態では、電圧Ｖｓｅｔ２を６（Ｖ）とし、電圧Ｖｓｅｔ３を１０（Ｖ）としているが、この数値は単なる一例に過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に応じて最適な電圧値に設定すればよい。

なお、本実施の形態では、第１の傾斜波形発生回路、第２の傾斜波形発生回路、第３の傾斜波形発生回路に、実用的であり比較的構成が簡単なＦＥＴを用いたミラー積分回路を採用しているが、傾斜波形発生回路は何らこの構成に限定されるものではなく、上りランプ波形電圧および下りランプ波形電圧を発生することができる回路であればどのような回路であってもよい。

次に、走査電極駆動回路４３の維持パルス発生回路５０と維持電極駆動回路４４の維持パルス発生回路６０について説明する。

図１１は、本発明の実施の形態１における維持パルス発生回路５０、維持パルス発生回路６０の回路図である。なお、図１１にはパネル１０の電極間容量をＣｐとして示し、初期化波形発生回路５３および走査パルス発生回路５４は省略している。

維持パルス発生回路５０は、電力回収回路５１とクランプ回路５２とを備えている。電力回収回路５１は、電力回収用のコンデンサＣ１、スイッチング素子Ｑ１、スイッチング素子Ｑ２、逆流防止用のダイオードＤ１、逆流防止用のダイオードＤ２、共振用のインダクタＬ１を有している。なお、電力回収用のコンデンサＣ１は電極間容量Ｃｐに比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収回路５１の電源として働くように、電圧値Ｖｓの半分の約Ｖｓ／２に充電されている。クランプ回路５２は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子Ｑ３、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子Ｑ４を有している。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき内部に備えた各スイッチング素子を切換えて維持パルス電圧Ｖｓを発生させる。

維持パルス発生回路５０において、例えば、維持パルス波形を立ち上げる際には、スイッチング素子Ｑ１をオンにして電極間容量Ｃｐと電力回収回路５１が備えたインダクタＬ１とを共振させ、電力回収用のコンデンサＣ１からスイッチング素子Ｑ１、ダイオードＤ１、インダクタＬ１を通して走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電力を供給する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電圧が電圧Ｖｓに近づいた時点でスイッチング素子Ｑ３をオンにして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプする。

逆に、維持パルス波形を立ち下げる際には、スイッチング素子Ｑ２をオンにして電極間容量Ｃｐと電力回収回路が備えたインダクタＬ１とを共振させ、電極間容量ＣｐからインダクタＬ１、ダイオードＤ２、スイッチング素子Ｑ２を通して電力回収用のコンデンサＣ１に電力を回収する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電圧が０（Ｖ）に近づいた時点でスイッチング素子Ｑ４をオンにして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを０（Ｖ）にクランプする。

維持電極駆動回路４４の維持パルス発生回路６０は、走査電極駆動回路４３の維持パルス発生回路５０とほぼ同様の構成であり、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動するときの電力を回収して再利用するための電力回収回路６１と、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電圧Ｖｓおよび０（Ｖ）にクランプするためのクランプ回路６２とを備えており、パネル１０の電極間容量Ｃｐの一端である維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに接続されている。

電力回収回路６１は、電力回収用のコンデンサＣ３０、スイッチング素子Ｑ３１、スイッチング素子Ｑ３２、逆流防止用のダイオードＤ３１、ダイオードＤ３２、共振用のインダクタＬ３０を有している。そして、電極間容量ＣｐとインダクタＬ３０とをＬＣ共振させて維持パルスの立ち上がりおよび立ち下がりを行う。クランプ回路６２は、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子Ｑ３３、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子Ｑ３４を有している。そして、スイッチング素子Ｑ３３を介して維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電源ＶＳに接続して電圧Ｖｓにクランプし、スイッチング素子Ｑ３４を介して維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを接地して０（Ｖ）にクランプする。

また、維持電極駆動回路４４は、電圧Ｖｅ１を発生する電源ＶＥ１、電圧Ｖｅ１を維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加するためのスイッチング素子Ｑ３６、スイッチング素子Ｑ３７、電圧ΔＶｅを発生する電源ΔＶＥ、逆流防止用のダイオードＤ３３、電圧Ｖｅ１に電圧ΔＶｅを積み上げるためのポンプアップ用のコンデンサＣ３１、電圧Ｖｅ１に電圧ΔＶｅを積み上げて電圧Ｖｅ２とするためのスイッチング素子Ｑ３８、スイッチング素子Ｑ３９を備えている。

例えば、図３に示した電圧Ｖｅ１を印加するタイミングでは、スイッチング素子Ｑ３６、スイッチング素子Ｑ３７を導通させて、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにダイオードＤ３３、スイッチング素子Ｑ３６、スイッチング素子Ｑ３７を介して正の電圧Ｖｅ１を印加する。なお、このときスイッチング素子Ｑ３８を導通させ、コンデンサＣ３１の電圧が電圧Ｖｅ１になるように充電しておく。また、図３に示した電圧Ｖｅ２を印加するタイミングでは、スイッチング素子Ｑ３６、スイッチング素子Ｑ３７は導通させたまま、スイッチング素子Ｑ３８を遮断させるとともにスイッチング素子Ｑ３９を導通させてコンデンサＣ３１の電圧に電圧ΔＶｅを重畳し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧（Ｖｅ１＋ΔＶｅ）、すなわち電圧Ｖｅ２を印加する。このとき、逆流防止用のダイオードＤ３３の働きにより、コンデンサＣ３１から電源ＶＥ１への電流は遮断される。

なお、これらのスイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。

なお、電力回収回路５１のインダクタＬ１とパネル１０の電極間容量ＣｐとのＬＣ共振の周期、および電力回収回路６１のインダクタＬ３０と同電極間容量ＣｐとのＬＣ共振の周期（以下、「共振周期」と記す）は、インダクタＬ１、Ｌ３０のインダクタンスをそれぞれＬとすれば、計算式「２π√（ＬＣｐ）」によって求めることができる。そして、本実施の形態では、電力回収回路５１、６１における共振周期が約１５００ｎｓｅｃになるようにインダクタＬ１、Ｌ３０を設定しているが、この数値は実施の形態における一例に過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適な値に設定すればよい。

次に、初期化波形発生回路５３の動作と初期化電圧Ｖｉ４を制御する方法について、図１２から図１４を用いて説明する。まず、図１２を用いて初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにする場合の動作を説明し、次に、図１３を用いて初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにする場合の動作を説明し、次に、図１４を用いて初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにする場合の動作を説明する。なお、図１２から図１４では全セル初期化動作時の駆動波形を例にして初期化電圧Ｖｉ４を制御する方法を説明するが、選択初期化動作においても、同様の制御方法により初期化電圧Ｖｉ４を制御することができる。

また、図１２から図１４では、全セル初期化動作を行う駆動電圧波形を期間Ｔ１〜期間Ｔ５で示した５つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。また、電圧Ｖｉ１、電圧Ｖｉ３は電圧Ｖｓに等しいものとし、電圧Ｖｉ２は電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ４Ｌは負の電圧Ｖａに等しいものとし、電圧Ｖｉ４Ｍは負の電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２を重畳させた電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）に等しいものとし、電圧Ｖｉ４Ｈは負の電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ３を重畳させた電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）に等しいものとして説明する。また、図面には、アンドゲートＡＧへの入力信号ＣＥＬ１、ＣＥＬ２、ＣＥＬ３を、「１」を「Ｈｉ」、「０」を「Ｌｏ」と表記する。

図１２は、本発明の実施の形態１における全セル初期化期間の走査電極駆動回路４３の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにするために、期間Ｔ１〜期間Ｔ５において、切換え信号ＣＥＬ２は「０」に維持している。

また、図１２には、消去ランプ波形電圧の発生と上りランプ波形電圧の発生との違いを示すため、消去ランプ波形電圧を発生させる期間Ｔ８〜期間Ｔ９の動作もあわせて示す。

なお、ここでは、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌ（ここでは、負の電圧Ｖａに等しい）にするために、期間Ｔ１〜期間Ｔ５において、切換え信号ＣＥＬ２は「０」に維持する。また、図示はしていないが、維持期間および初期化期間においては、維持パルス発生回路５０および初期化波形発生回路５３からの出力を走査電極駆動回路４３の出力とするため、スイッチング素子Ｑ２１はオフに維持する。また、図示はしていないが、分離回路を構成するスイッチング素子Ｑ１３には、入力端子ＩＮｂに入力する信号とは逆極性の信号を入力するように構成しており、入力端子ＩＮｂが「Ｌｏ」の期間はスイッチング素子Ｑ１３はオンとなる。また、入力端子ＩＮｂが「Ｈｉ」の期間はスイッチング素子Ｑ１３はオフとなるが、ＭＯＳＦＥＴには、スイッチング動作を行う部分に対してボディダイオードと呼ばれる寄生ダイオードが逆並列（スイッチング動作を行う部分に対して並列に、かつスイッチング動作により電流が流れる方向とは逆方向が順方向となるよう）に生成されるため、スイッチング素子Ｑ１３がオフであっても、第３のミラー積分回路５７はこのボディダイオードを介して走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに下りランプ波形電圧を印加することができる。

まず、消去ランプ波形電圧を維持期間の最後に発生させる際の動作について説明する。

（期間Ｔ８）
期間Ｔ８では、入力端子ＩＮｃを「Ｈｉ」にする。これにより、抵抗Ｒ１２からコンデンサＣ１１に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１５のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路４３の出力電圧は、上りランプ波形電圧よりも急峻な勾配でランプ状に上昇し始める。こうして、ベース電位となる０（Ｖ）から電圧Ｖｅｒｓに向かって上昇する第２の傾斜波形電圧である消去ランプ波形電圧を発生させる。そして、この消去ランプ波形電圧が上昇する間に走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間の電圧差は放電開始電圧を超える。このとき、本実施の形態では、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間でのみ放電が発生するように各数値を設定しており、例えば、維持パルス電圧Ｖｓを約２１０（Ｖ）とし、電圧Ｖｅｒｓを約２１３（Ｖ）とし、消去ランプ波形電圧の勾配を約１０Ｖ／μｓｅｃとしている。これにより、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に微弱な放電を発生させることができ、この微弱な放電を消去ランプ波形電圧が上昇する期間、継続させることができる。

このとき、急激な電圧変化による瞬間的な強い放電を発生させてしまうと、強い放電で発生した大量の荷電粒子は、その急激な電圧変化を緩和するように大きな壁電荷を形成し、直前の維持放電で形成された壁電圧を過剰に消去してしまう。また、大画面化、高精細化され、駆動インピーダンスが増大したパネルでは、駆動回路から発生される駆動波形にリンギング等の波形歪が生じやすくなるため、上述した細幅消去放電を発生させる駆動波形では、波形歪による強い放電が発生する恐れがある。

しかし、本実施の形態では、印加電圧を徐々に上昇させる消去ランプ波形電圧により走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に微弱な消去放電を継続して発生させる構成としているので、たとえ大画面化、高精細化され、駆動インピーダンスが増大したパネルであっても、消去放電を安定に発生させることができ、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を、続く書込みを安定に発生させるに最適な状態に調整することができる。

なお、図面には示していないが、このときデータ電極Ｄ１〜Ｄｍは０（Ｖ）に保持されているので、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上には正の壁電圧が形成される。

（期間Ｔ９）
初期化波形発生回路５３から出力される駆動電圧波形が電圧Ｖｅｒｓに到達すると、スイッチング素子Ｑ１６がオンし、第２のミラー積分回路５６を動作させるために入力端子ＩＮｃに入力される電流はスイッチング素子Ｑ１６に引き抜かれて第２のミラー積分回路５６は動作を停止する。

こうして、ベース電位となる０（Ｖ）から電圧Ｖｅｒｓに向かって上昇する第２の傾斜波形電圧である消去ランプ波形電圧が発生する。

次に、続くサブフィールドの初期化期間（ここでは、全セル初期化期間）の動作について説明する。

（期間Ｔ１）
まず、維持パルス発生回路５０のスイッチング素子Ｑ１をオンにする。すると、電極間容量ＣｐとインダクタＬ１とが共振し、電力回収用のコンデンサＣ１からスイッチング素子Ｑ１、ダイオードＤ１、インダクタＬ１を通して走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電圧が上がり始める。

（期間Ｔ２）
次に、維持パルス発生回路５０のスイッチング素子Ｑ３をオンにする。するとスイッチング素子Ｑ３を介して走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｓが印加され、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電位は電圧Ｖｓ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ１と等しい）となる。

（期間Ｔ３）
次に、上りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路の入力端子ＩＮａを「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮａに、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ１０からコンデンサＣ１０に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１１のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に上昇し始める。そしてこの電圧上昇は、入力端子ＩＮａが「Ｈｉ」の間継続する。

この出力電圧が電圧Ｖｒ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ２と等しい）まで上昇したら、その後、入力端子ＩＮａを「Ｌｏ」にする。具体的には入力端子ＩＮａに、例えば電圧０（Ｖ）を印加する。

このようにして、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｓ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ１と等しい）から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｒ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ２と等しい）に向かって緩やかに上昇する上りランプ波形電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する。

（期間Ｔ４）
入力端子ＩＮａを「Ｌｏ」にすると走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電圧が電圧Ｖｓ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ３と等しい）まで低下する。そしてその後、スイッチング素子Ｑ３をオフにする。

（期間Ｔ５）
次に、下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路の入力端子ＩＮｂを「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮｂに、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ１１からコンデンサＣ１２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１４のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に下降し始める。そして、初期化期間が終了する直前に、入力端子ＩＮｂを「Ｌｏ」とする。具体的には入力端子ＩＮｂに、例えば電圧０（Ｖ）を印加する。

なお、期間Ｔ５ではスイッチング素子Ｑ１３はオフとなるが、下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路は、スイッチング素子Ｑ１３のボディダイオードを介して走査電極駆動回路４３の出力電圧を下降させることができる。

このとき、比較器ＣＰでは、この下りランプ波形電圧と、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２が加えられた電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）とが比較されており、比較器ＣＰからの出力信号は、下りランプ波形電圧が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）以下となった時刻ｔ５において「０」から「１」に切換わる。しかし、期間Ｔ１〜期間Ｔ５において切換え信号ＣＥＬ２は「０」に維持されているため、アンドゲートＡＧからは「０」が出力される。したがって、走査パルス発生回路５４からは、初期化電圧Ｖｉ４を負の電圧Ｖａ、すなわちＶｉ４Ｌにした下りランプ波形電圧がそのまま出力される。

なお、ここではＶｉ４Ｌを負の電圧Ｖａと等しいとしたため、図１２では、下りランプ波形電圧がＶｉ４Ｌに到達した後その電圧を一定期間保持するような波形図となっているが、これは、図１０に示した回路の構成上、このような波形になったに過ぎない。本実施の形態においては何らこの波形や図１０に示した回路構成に限定されるものではなく、Ｖｉ４Ｌに到達した後すぐに電圧Ｖｃに切換わるような構成であってもかまわない。

以上のようにして、走査電極駆動回路４３は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに対して、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する第１の傾斜波形電圧である上りランプ波形電圧を発生させ、その後、電圧Ｖｉ３から初期化電圧Ｖｉ４（Ｖｉ４Ｌ）に向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を発生させて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加することができる。

なお、図示はしていないが、初期化期間終了後、続く書込み期間では、スイッチング素子Ｑ２１をオンに維持する。これにより、比較器ＣＰの一方の端子に入力される電圧は負の電圧Ｖａとなり、比較器ＣＰからの出力信号ＣＥＬ１は「１」に維持される。これにより、アンドゲートＡＧからの出力は「１」に維持され、走査パルス発生回路５４からは、負の電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧Ｖｃが出力される。そして、負の走査パルス電圧を発生させるタイミングで切換え信号ＣＥＬ２を「０」にすることで、アンドゲートＡＧの出力信号は「０」となり、走査パルス発生回路５４からは負の電圧Ｖａが出力される。このようにして、書込み期間における負の走査パルス電圧を発生させることができる。

次に、図１３を用いて初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにする場合の動作を説明する。図１３は、本発明の実施の形態１における全セル初期化期間の走査電極駆動回路４３の動作の他の例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにするために、期間Ｔ１〜Ｔ５１において切換え信号ＣＥＬ２を「１」にし、切換え信号ＣＥＬ３を「０」にしている。また、図１３において、期間Ｔ１〜Ｔ４の動作および期間Ｔ８、Ｔ９の動作は図１２に示した動作と同様であるので、ここでは、図１２に示した期間Ｔ５と動作の異なる期間Ｔ５１について説明する。

（期間Ｔ５１）
期間Ｔ５１では、下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路の入力端子ＩＮｂを「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮｂに、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ１１からコンデンサＣ１２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１４のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に下降し始める。

このとき、切換え信号ＣＥＬ３は「０」なので、比較器ＣＰでは、この下りランプ波形電圧と、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２が加えられた電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）とが比較されており、比較器ＣＰからの出力信号は、下りランプ波形電圧が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）以下となった時刻ｔ５１において「０」から「１」に切換わる。そして、このとき切換え信号ＣＥＬ２は「１」であるため、アンドゲートＡＧの入力はともに「１」となって、アンドゲートＡＧからは「１」が出力される。これにより、走査パルス発生回路５４からは、負の電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧Ｖｃが出力される。したがって、この下りランプ波形電圧における最低電圧を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）、すなわちＶｉ４Ｍとすることができる。なお、入力端子ＩＮｂは、走査パルス発生回路５４からの出力が電圧Ｖｃとなってから初期化期間が終了するまでの間に「Ｌｏ」とする。

以上のようにして、走査電極駆動回路４３は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに対して、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する第１の傾斜波形電圧である上りランプ波形電圧を発生させ、その後、電圧Ｖｉ３から初期化電圧Ｖｉ４（Ｖｉ４Ｍ）に向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を発生させて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加することができる。

次に、図１４を用いて初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにする場合の動作を説明する。図１４は、本発明の実施の形態１における全セル初期化期間の走査電極駆動回路４３の動作の他の例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにするために、期間Ｔ１〜Ｔ５２において切換え信号ＣＥＬ２を「１」にし、切換え信号ＣＥＬ３を「１」にしている。また、図１４においても、期間Ｔ１〜Ｔ４の動作および期間Ｔ８、Ｔ９の動作は図１２に示した動作と同様であるので、ここでは、図１２に示した期間Ｔ５と動作の異なる期間Ｔ５２について説明する。

（期間Ｔ５２）
期間Ｔ５２では、下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路の入力端子ＩＮｂを「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮｂに、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ１１からコンデンサＣ１２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１４のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に下降し始める。

このとき、切換え信号ＣＥＬ３は「１」なので、比較器ＣＰでは、この下りランプ波形電圧と、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ３が加えられた電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）とが比較されており、比較器ＣＰからの出力信号は、下りランプ波形電圧が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）以下となった時刻ｔ５２において「０」から「１」に切換わる。そして、このとき切換え信号ＣＥＬ２は「１」であるため、アンドゲートＡＧの入力はともに「１」となって、アンドゲートＡＧからは「１」が出力される。これにより、走査パルス発生回路５４からは、負の電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧Ｖｃが出力される。したがって、この下りランプ波形電圧における最低電圧を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）、すなわちＶｉ４Ｈとすることができる。なお、入力端子ＩＮｂは、走査パルス発生回路５４からの出力が電圧Ｖｃとなってから初期化期間が終了するまでの間に「Ｌｏ」とする。

以上のようにして、走査電極駆動回路４３は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに対して、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する第１の傾斜波形電圧である上りランプ波形電圧を発生させ、その後、電圧Ｖｉ３から初期化電圧Ｖｉ４（Ｖｉ４Ｈ）に向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を発生させて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加することができる。

なお、ここでは、比較器ＣＰにおける比較結果でスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎを切換える構成としたため、図１３、図１４において、下りランプ波形電圧がＶｉ４ＭまたはＶｉ４Ｈに到達した後すぐに電圧Ｖｃに切換わるような波形となっているが、本実施の形態においては何らこの波形に限定されるものではなく、Ｖｉ４ＭまたはＶｉ４Ｈに到達した後その電圧を一定期間保持するような構成であってもかまわない。

このように、本実施の形態では、走査電極駆動回路４３を図１０に示したような回路構成とすることで、緩やかに下降する下りランプ波形電圧の最低電圧、すなわち初期化電圧Ｖｉ４の電圧値をＶｉ４ＬとＶｉ４ＭとＶｉ４Ｈとで簡単に切換えることが可能になる。

なお、本実施の形態では全セル初期化動作における初期化電圧Ｖｉ４の制御について説明したが、選択初期化動作においては上りランプ波形電圧を発生させない点が異なるだけで下りランプ波形電圧の発生については上述と同様の動作であり、初期化電圧Ｖｉ４の制御も同様に行うことができる。

以上、説明したように、本実施の形態においては、初期化電圧Ｖｉ４を、Ｖｉ４Ｌと、Ｖｉ４Ｌよりも電圧値の高いＶｉ４Ｍと、Ｖｉ４Ｍよりも電圧値の高いＶｉ４Ｈとで切換える構成とし、パネル１０の温度に応じて初期化電圧Ｖｉ４を変更する構成とする。すなわち、パネル温度検出回路４６により、検出されたパネル１０の温度が低温（本実施の形態では、２０℃未満）と判定されたときには第１ＳＦの初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにし第２ＳＦ〜第１０ＳＦの初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにして下りランプ波形電圧を発生させ、パネル１０の温度が中温（本実施の形態では、２０℃以上５５℃未満）と判定されたときには全サブフィールドの初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにして下りランプ波形電圧を発生させ、パネル１０の温度が高温（本実施の形態では、５５℃以上）と判定されたときには第１ＳＦ〜第４ＳＦの初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍにし第５ＳＦ〜第１０ＳＦの初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにして下りランプ波形電圧を発生させる構成とする。これにより、高精細化されたパネルにおいても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく安定に書込み放電を発生させることができ、画像表示品質を向上させることが可能となる。

（実施の形態２）
実施の形態１では、維持期間の維持パルスの総数およびパネル１０の温度に応じて、サブフィールド毎に初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４ＬとＶｉ４ＭとＶｉ４Ｈとで切換える構成を説明したが、各サブフィールドの維持期間の維持パルスの総数のみに応じて、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４ＬとＶｉ４ＭとＶｉ４Ｈとで切換える構成とすることもできる。

図１５は、本発明の実施の形態２におけるサブフィールド構成の一例を示す図である。例えば、図１５に示すように、パネルの温度にかかわらず、直前のサブフィールドの維持パルスの総数が２０未満サブフィールド（ここでは、第２ＳＦ〜第４ＳＦ）および全セル初期化サブフィールド（ここでは、第１ＳＦ）の初期化期間においては初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍとし、直前のサブフィールドの維持パルスの総数が２０以上（ここでは、第５ＳＦ〜第１０ＳＦ）の初期化期間においては初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈとして下りランプ波形電圧を発生させる構成としてもよい。このような構成では、直前のサブフィールドで十分に維持放電が発生し十分なプライミング粒子が形成されたサブフィールドにおいて初期化電圧Ｖｉ４を高く（Ｖｉ４Ｈ）するので、必要な走査パルス電圧Ｖａを低減でき、書込み放電を安定に発生させる効果を得ることが可能となる。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、図９に示した実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロックから、パネル温度検出回路４６を省いた構成とすることができる。

（実施の形態３）
実施の形態１では、維持期間の維持パルスの総数およびパネル１０の温度に応じて、サブフィールド毎に初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４ＬとＶｉ４ＭとＶｉ４Ｈとで切換える構成を説明したが、パネル１０の温度のみに応じて、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４ＬとＶｉ４ＭとＶｉ４Ｈとで切換える構成とすることもできる。

図１６は、本発明の実施の形態３におけるサブフィールド構成の一例を示す図である。例えば、パネル温度検出回路がパネル１０の温度を高温（５５℃以上）と判定した場合には、図１６（ａ）に示すように、全てのサブフィールドの初期化期間において初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈとして下りランプ波形電圧を発生させ、パネル温度検出回路がパネル１０の温度を中温（２０℃以上５５℃未満）と判定した場合には、図１６（ｂ）に示すように、全てのサブフィールドの初期化期間において初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍとして下りランプ波形電圧を発生させ、パネル温度検出回路がパネル１０の温度を低温（２０℃未満）と判定した場合には、図１６（ｃ）に示すように、全てのサブフィールドの初期化期間において初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌとして下りランプ波形電圧を発生させて、初期化動作を行う構成としてもよい。上述したように、パネル１０の温度が低温のときには安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａが低減され、また、パネル１０の温度が高温のときには、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａが高くなるが、このような構成とすることで、パネル１０の温度が低温のときには初期化電圧Ｖｉ４を低く設定して安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを低減させることができ、また、パネル１０の温度が高温のときには必要な走査パルス電圧が低減されるように初期化電圧Ｖｉ４を高く設定することが可能となるので、書込み放電を安定に発生させる効果を得ることができる。

なお、この構成においては、例えば、全セル初期化サブフィールドにおいてのみ、パネル１０の温度にかかわらず初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｍとして下りランプ波形電圧を発生させる構成としてもよい。

なお、本発明の実施の形態では、消去ランプ波形電圧において、上昇する電圧が電圧Ｖｅｒｓに到達したら、直ちにベース電位となる０（Ｖ）まで降下させる構成を説明したが、上述した異常放電を防止するためには、降下到達電位を電圧Ｖｅｒｓの７０％以下に設定することが望ましい。図１７は、本発明の実施の形態における駆動電圧波形の他の例を示した波形図である。例えばこの図面に示すように、消去ランプ波形電圧が電圧Ｖｅｒｓに到達した後、直ちに電圧Ｖｂ（電圧Ｖｂは、電圧Ｖｅｒｓ×０．７以下の電圧）まで降下させるように構成すれば、たとえ、その後その電圧Ｖｂを一定期間維持したとしても、上述した異常放電を防止しつつ、上述した効果を得ることが可能である。また、本発明の実施の形態では、降下到達電位の下限電圧値をベース電位となる０（Ｖ）に設定しているが、この下限電圧値は、続く下りランプ波形電圧による選択初期化動作を円滑に行えるようにするために設定した値に過ぎない。本実施の形態は、この下限電圧値が何ら上述した値に限定されるものではなく、消去動作に続く動作が円滑に行える範囲で最適に設定すればよい。

なお、本発明の実施の形態において、図１０に示した走査電極駆動回路４３は単なる一構成例を示したものに過ぎず、同様の動作を実現できるものであれば、どのような回路構成であってもかまわない。また、消去ランプ波形電圧を発生させるための回路も単なる一構成例を示したものに過ぎず、同様の動作を実現できる他の回路に置き換えることができる。

なお、本発明の実施の形態は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを第１の走査電極群と第２の走査電極群とに分割し、書込み期間を、第１の走査電極群に属する走査電極のそれぞれに走査パルスを順次印加する第１の書込み期間と、第２の走査電極群に属する走査電極のそれぞれに走査パルスを順次印加する第２の書込み期間とで構成し、第１の書込み期間および第２の書込み期間の少なくとも一方において、走査パルスを印加する走査電極群に属する走査電極には、走査パルス電圧よりも高い第２の電圧から走査パルス電圧に遷移し再び第２の電圧に遷移する走査パルスを順次印加し、走査パルスを印加しない走査電極群に属する走査電極には、走査パルス電圧より高い第３の電圧と、第２の電圧および第３の電圧より高い第４の電圧とのいずれかの電圧を印加し、少なくとも隣接する走査電極に走査パルス電圧が印加されている間は第３の電圧を印加する、いわゆる２相駆動によるパネルの駆動方法にも適用させることができ、上述と同様の効果を得ることができる。

なお、本発明の実施の形態では、消去ランプ波形電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する構成を説明したが、最後の維持パルスを印加する電極が走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの場合には、消去ランプ波形電圧を維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する構成とすることもできる。しかし、本発明の実施の形態においては、最後の維持パルスを印加する電極を維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにし、消去ランプ波形電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する構成にする方が望ましい。

なお、本発明の実施の形態では、電力回収回路５１、６１において、維持パルスの立ち上がりと立ち下がりとで１つのインダクタを共通に用いる構成を説明したが、複数のインダクタを用い、維持パルスの立ち上がりと立ち下がりとで異なるインダクタを使用する構成としてもかまわない。また、その場合には、上述した電力回収回路５１、電力回収回路６１において共振周期が約１５００ｎｓｅｃとなるようにインダクタを設定する構成は、立ち下がりに用いるインダクタに適用するものとする。また、立ち上がりに用いるインダクタに関しては、立ち下がりとは異なる共振周期、例えば約１２００ｎｓｅｃとなるように設定してもよい。

なお、本発明の実施の形態において示した具体的な各数値、例えば電圧Ｖｅｒｓの電圧値や消去パルス波形電圧の勾配等は、実験に用いた表示電極対数１０８０の４２インチのパネルの特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態の一例を示したものに過ぎない。本発明の実施の形態はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に応じて最適な値に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。

本発明は、大画面化、高精細化されたパネルにおいても、書込み放電を安定に発生させることができ、画像表示品質のよいプラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法として有用である。

本発明の実施の形態１におけるパネルの構造を示す分解斜視図 同パネルの電極配列図 同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図 本発明の実施の形態１におけるサブフィールド構成の一例を示す図 本発明の実施の形態１におけるサブフィールド構成の一例を示す図 本発明の実施の形態１における初期化電圧Ｖｉ４と書込みパルス電圧との関係を示す図 本発明の実施の形態１における初期化電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧との関係を示す図 本発明の実施の形態１におけるパネルの温度と走査パルス電圧との関係を示す図 本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態１における走査電極駆動回路の回路図 本発明の実施の形態１における維持パルス発生回路の回路図 本発明の実施の形態１における全セル初期化期間の走査電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャート 本発明の実施の形態１における全セル初期化期間の走査電極駆動回路の動作の他の例を説明するためのタイミングチャート 本発明の実施の形態１における全セル初期化期間の走査電極駆動回路の動作の他の例を説明するためのタイミングチャート 本発明の実施の形態２におけるサブフィールド構成の一例を示す図 本発明の実施の形態３におけるサブフィールド構成の一例を示す図 本発明の実施の形態における駆動電圧波形の他の例を示した波形図

符号の説明

１ プラズマディスプレイ装置
１０ パネル
２１ （ガラス製の）前面板
２２ 走査電極
２３ 維持電極
２４ 表示電極対
２５，３３ 誘電体層
２６ 保護層
３１ 背面板
３２ データ電極
３４ 隔壁
３５ 蛍光体層
４１ 画像信号処理回路
４２ データ電極駆動回路
４３ 走査電極駆動回路
４４ 維持電極駆動回路
４５ タイミング発生回路
４６ パネル温度検出回路
４７ 温度センサ
５０，６０ 維持パルス発生回路
５１，６１ 電力回収回路
５２，６２ クランプ回路
５３ 初期化波形発生回路
５４ 走査パルス発生回路
５５ 第１のミラー積分回路
５６ 第２のミラー積分回路
５７ 第３のミラー積分回路
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ１１，Ｑ１３，Ｑ１４，Ｑ１５，Ｑ１６，Ｑ２１，Ｑ３１，Ｑ３２，Ｑ３３，Ｑ３４，Ｑ３６，Ｑ３７，Ｑ３８，Ｑ３９，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ スイッチング素子
Ｃ１，Ｃ１０，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ３０，Ｃ３１ コンデンサ
Ｌ１，Ｌ３０ インダクタ
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ１２，Ｄ１３，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ２３，Ｄ２４，Ｄ３１，Ｄ３２，Ｄ３３ ダイオード
ＡＧ アンドゲート
ＣＰ 比較器
ＰＣ フォトカプラ
Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４ 抵抗

Claims (7)

1. 走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、
   １フィールド期間内に設けた初期化期間と書込み期間と維持期間とを有する複数のサブフィールドの前記初期化期間において緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を発生させるとともに１フィールド期間の少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間においては緩やかに上昇する第１の傾斜波形電圧を発生させ、前記維持期間の最後においては、前記第１の傾斜波形電圧よりも勾配を急峻にし、かつ上昇する波形電圧があらかじめ定めた所定電位に到達したら直ちに降下させる第２の傾斜波形電圧を発生させて前記走査電極を駆動する走査電極駆動回路とを備え、
   前記走査電極駆動回路は、前記下り傾斜波形電圧における最低電圧を、第１の電圧と、前記第１の電圧よりも電圧値の高い第２の電圧と、前記第２の電圧よりも電圧値の高い第３の電圧とで切換えて前記下り傾斜波形電圧を発生させることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
2. 前記走査電極駆動回路は、直前のサブフィールドの前記維持期間における維持パルスの総数が所定値以上のサブフィールドにおいて、前記最低電圧を第３の電圧にして前記下り傾斜波形電圧を発生させることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
3. 前記走査電極駆動回路は、前記第１の傾斜波形電圧を発生させるサブフィールドにおいては、前記最低電圧を前記第２の電圧にして前記下り傾斜波形電圧を発生させることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
4. 前記走査電極駆動回路は、前記下り傾斜波形電圧と前記第２の電圧または前記第３の電圧とを比較する比較器と、前記比較器からの出力を有効にするか無効にするかを切換えるスイッチング素子と、前記比較器からの出力にもとづき前記走査電極駆動回路からの出力を前記下り傾斜波形電圧から所定の電圧に切換えるスイッチング素子と、前記比較器に入力する電圧を前記第２の電圧と前記第３の電圧とで切換えるフォトカプラとを有することを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
5. 走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
   初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド期間内に複数設け、
   前記初期化期間において緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を発生させるとともに１フィールド期間の少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間においては緩やかに上昇する第１の傾斜波形電圧を発生させて前記走査電極に印加し、前記維持期間の最後においては、前記第１の傾斜波形電圧よりも勾配を急峻にし、かつ上昇する波形電圧があらかじめ定めた所定電位に到達したら直ちに降下させる第２の傾斜波形電圧を発生させて前記走査電極に印加し、
   前記下り傾斜波形電圧における最低電圧を、第１の電圧と、前記第１の電圧よりも電圧値の高い第２の電圧と、前記第２の電圧よりも電圧値の高い第３の電圧とで切換えて前記下り傾斜波形電圧を発生させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
6. 直前のサブフィールドの前記維持期間における維持パルスの総数が所定値以上のサブフィールドにおいて、前記最低電圧を第３の電圧にして前記下り傾斜波形電圧を発生させることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
7. 前記第１の傾斜波形電圧を発生させるサブフィールドにおいては、前記最低電圧を前記第２の電圧にして前記下り傾斜波形電圧を発生させることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。

Images