JP5045060B2 - 携帯端末 - Google Patents

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本発明は、DRAM(ダイナミックRAM)を搭載した携帯端末において、DRAMのリフレッシュの消費電流を低減する携帯端末に関する。
DRAMのリフレッシュを制御して低消費電力化を実現するプリンタ装置がある(例えば、特許文献1参照。)。このプリンタ装置では、DRAMの領域を分けて、バンク0は主制御プログラム、バンク1〜3はホスト装置から送られてくるプリントデータの受信バッファとして割り当てている。
プリンタ装置の電源オンのシステム起動時にフラッシュROMから主制御プログラムをバンク0にロードし、スタンバイ状態S202になる。スタンバイ状態S202及びプリント状態S203の時はDRAM全領域をリフレッシュして全領域のデータを保持している。
スタンバイ状態S202が所定時間続くとパワーセーブ状態S204になる。パワーセーブ状態S204の時は、DRAMのバンク0の主制御プログラム領域のみリフレッシュしてその領域のみデータ保持し、バンク1〜3のプリントデータの受信バッファには、有効なデータがないので保持する必要がなく、従ってリフレッシュしていない。これにより、省電力している。
パワーセーブ状態S204から、データ受信やパワーキー押下でスタンバイ状態S202に戻ると、DRAMのバンク0の主制御プログラムはそのままリフレッシュにより保持されているので、すぐに主制御プログラムの実行を行うことができる。
このDRAMのリフレッシュ制御は、スキャナや携帯機器においても適用しても構わないとの記載がある。
特開2006−7584号公報(第4〜6頁、図1〜図3)
特許文献1のDRAMリフレッシュ制御を、電池で動作する携帯端末に適用すると、携帯端末の待ち受け状態では、DRAMの主制御プログラム領域のみをリフレッシュすることになる。しかし、携帯端末の主制御プログラム領域は相当大きいために、この領域のみのリフレッシュであっても、かなりの電流を消費してしまう。特に、携帯端末は電池で動作しているために、携帯端末の待ち受け可能時間が短くなってしまうという問題がある。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、DRAMのプログラム領域を更に細分化してリフレッシュし、必要に応じてフラッシュメモリからDRAMへのデータロードを行うことにより、待ち受け状態での消費電流を低減し、待ち受け可能時間を延ばすことができる携帯端末を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の携帯端末は、第1プログラムと第2プログラムを記憶する不揮発性の第1のメモリと、前記第1プログラムがロードされる第1領域と、前記第2プログラムがロードされる第2領域と、プログラム実行中にデータが変わる第3領域とを有するリフレッシュ処理の必要な第2のメモリと、第1プログラム初期化状態においては前記第2のメモリの第1領域と第3領域をリフレッシュして前記第1のメモリから第1プログラムを前記第2のメモリの第1領域にロードし、引き続いて第1プログラム実行状態においては当該第1領域の第1プログラムを実行し、当該第1プログラム実行中に前記第2プログラムへの遷移条件が発生した場合には第2プログラム実行状態に遷移し、当該第2プログラム実行状態おいては前記第2のメモリの全領域をリフレッシュして前記第1のメモリから第2プログラムを前記第2のメモリの第2領域にロードして当該第2領域の第2プログラムを実行し、当該第2プログラムの実行終了後は前記第2のメモリの第1領域と第3領域をリフレッシュして前記第1プログラム実行状態に遷移する制御を行う制御部とを具備することを特徴とする。
本発明によれば、携帯端末において、待ち受け状態での消費電流を低減し、待ち受け可能時間を延ばすことが可能となる。
図1は、本発明の各実施例に係る携帯端末の関連部分のブロック図である。携帯端末100は、図示しないCPUやプログラムメモリなどにより動作するコンピュータシステムであり、各種のアプリケーション処理を行う。携帯端末100は、制御部1、アンテナ2、通信部3、送受信部4、スピーカ5、マイクロホン6、通話部7、表示部8、入力部9、DRAM(ダイナミックRAM)10、NAND(NANDフラッシュメモリ)11、待ち受け処理部12などにより構成される。
制御部1は、携帯端末100全体の制御を行う。アンテナ2は、基地局(図示せず)との間で電波の送受信を行う。通信部3は、アンテナ2が受信した高周波信号を送受信部4へ送信し、また、送受信部4から送信される高周波信号をアンテナ2より送信する。送受信部4は、通信部3からの高周波信号を増幅、周波数変換及び復調し、それによって得られたディジタル音声信号を通話部7へ、また、制御信号を制御部1に送る。更には、通話部7から送信されるディジタル音声信号、及び制御部1から送信される制御信号を変調、周波数変換及び増幅し、高周波信号を得て、それを通信部3に送る。
スピーカ5は、受話やその他の音声出力用である。マイクロホン6は、送話などの音声入力用である。通話部7は、送受信部4から送信されるディジタル音声信号をアナログ音声信号に変換し、それを増幅して受話用スピーカ5に送る。また、マイクロホン6から送信されるアナログ音声信号を増幅し、それをディジタル音声信号に変換して送受信部4に送信する。表示部8は、各種表示出力用であり、LCDなどで構成される。入力部9は、各種キー操作用の入力手段である。
DRAM10は、プログラム実行用の主記憶メモリである。ダイナミックRAMなので、リフレッシュが必要であり、ここではリフレッシュ領域を第1、第2、第3の3つに分けている。NAND11は、補助記憶メモリであり、不揮発性のNANDフラッシュメモリを使用する。NAND11は、DRAM10の第1、第2、第3の領域などに対応する領域を持つ。待ち受け処理部12は、携帯端末100が通信の待ち受け状態にある場合、待ち受け画面の表示処理などを行い、表示部8に表示させる。
図2は、本発明の各実施例に係る携帯端末のDRAMとNANDの対応を説明する図である。Code、RO(リードオンリーデータ)、RW(リードライトデータ)、ZI(ゼロイニシャライズ)は、携帯端末100のプログラム開発時のコンパイラが出力するデータ種別である。CodeとROはプログラム実行時にデータ不変の領域、RWとZIはプログラム実行時にデータが変わる領域である。
NAND11には、Code、RO、RW初期値、ファイルシステムデータが予め記憶される。NAND11に余裕がある場合は、更に、RW、ZI領域を設ける。NAND11は、制御対象の違いにより、第1領域、第2領域、第3領域を持つ。NAND11の第1領域は、携帯端末100の無線通信の待ち受け処理などの実行プログラムの領域である。第2領域は、待ち受け処理状態から、ユーザによるキー操作や、無線通信の着信などがあって、それぞれの処理を行うための実行プログラムの領域である。第3領域は、プログラム実行時にデータが変わる領域である。
携帯端末100が動作中は、状況に応じて、NAND11の第1領域、第2領域などがDRAM10にロードされて、DRAM10上でプログラムが実行される。NAND11のRW初期値の領域は、初期時にDRAM10のRW領域にロードされ、その後、プログラム実行時にデータが変わる。
DRAM10のプログラム実行時にデータが変わる領域である第3の領域は、必要に応じて、NAND11の第3の領域に保存される。また、必要に応じて、NAND11の第3の領域からDRAM10の第3の領域にロードされる。
図3は、本発明の実施例1に係る制御部の動作フローチャートである。以下、ブート処理は済んでいるものとして説明する。
制御部1は、まず、DRAMの待ち受け処理プログラム領域(第1)とプログラム実行中にデータが変わる領域(第3)のみをリフレッシュ開始する(ステップS1)。これで、DRAMの第1と第3領域が使える状態になる。次に、待ち受け処理プログラム(第1)をNANDからDRAMへロードする(ステップS2)。この第1領域は、次の待ち受け処理(ステップS3)と割り込みチェック(ステップS4)の処理プログラムである。
次に、DRAM上で待ち受け処理プログラムを実行(第1)する(ステップS3)。待ち受け処理では、図示しないVRAM(ビデオRAM)に待ち受け時の表示画像を送り、表示部8に待ち受け画面が表示される。その状態で、キー操作や無線通信での着信の発生などの割り込みをチェックする(ステップS5)。この第1プログラム実行時の消費電流により、携帯端末100の待ち受け可能時間が決まるが、この間、DRAMのリフレッシュは、ステップS2で設定した第1と第3領域のみであるため、省電力となる。DRAMの全領域のリフレッシュを行う場合に比べて、待ち受け可能時間を延ばすことができる。
ステップS5で割り込みが発生すると、次に、割り込みに対応した処理(第2プログラム)を実行するための準備を行う。まず、DRAMの全領域をリフレッシュ開始する(ステップS5)。これで、DRAMの全領域が使える状態になる。次に、その他の全プログラム(第2)をNANDからDRAMへロードする(ステップS6)。このロード処理は多少の時間を要する。
次に、DRAM上で割り込みに対応した処理を実行(第2)する(ステップS8)。この処理が終了した後、一定期間経過したかをチェックする(ステップS8)。この間、再び割り込みが発生したら、ステップS8へ戻り、割込みに対応した処理を実行する。
ステップS9で一定期間経過したら、第2プログラム実行状態を終えて、ステップS1と同じように、DRAMの待ち受け処理プログラム領域(第1)とプログラム実行中にデータが変わる領域(第3)のみをリフレッシュ開始する(ステップS9)。これにより、DRAMの第2領域はデータが壊れるが、DRAMの第1、第3領域のみをリフレッシュするので省電力状態となって、ステップS4へ戻り、待ち受け状態になる。
実施例1によれば、携帯端末の無線通信の待ち受け中は、DRAMの待ち受け処理プログラム領域(第1)とプログラム実行中にデータが変わる領域(第3)のみをリフレッシュする。待ち受け状態から他の第2プログラムの実行状態に遷移するときに、DRAMの全領域をリフレッシュ開始し、NANDからDRAMに第2プログラムをロードする。これにより、携帯端末の待ち受け可能時間を延ばすことができる。
図4は、本発明の実施例2に係る制御部の動作フローチャートである。実施例1との相違点は、待ち受け処理中には、DRAMの待ち受け処理プログラム領域(第1)のみをリフレッシュする。そして、DRAMの第2プログラム実行中にデータが変わる領域(第3)はNANDに保存し、第2プログラムの再開時にNANDからDRAMに再ロードするなどが異なる点である。実施例1と異なる箇所に異なるステップ番号を付して説明する。
制御部1は、まず、DRAMの待ち受け処理プログラム領域(第1)のみをリフレッシュ開始する(ステップS11)。この処理が図3のステップS1と異なる。DRAMの第3領域は、後述のステップS3、S4の待ち受け処理プログラム実行(第1)では、基本的に使用しないからである。次に、待ち受け処理プログラム(第1)をNANDからDRAMへロードする(ステップS2)。この第1領域は、次の待ち受け処理(ステップS3)と割り込みチェック(ステップS4)の処理プログラムである。
この後、待ち受け処理プログラムなどの第1プログラムを実行する(ステップS3、S4)。この第1プログラム実行時のDRAMのリフレッシュは、ステップS11で設定した第1領域のみであるため、省電力となる。実施例1に比べても更に待ち受け可能時間を延ばすことができる。
次に、DRAMの全領域をリフレッシュ開始し(ステップS5)、その他の全プログラム(第2)をNANDからDRAMへロードする(ステップS6)。
次に、後述のステップS91で第3領域がNANDに保存された場合であるが、それをDRAMの第3領域へロードする(ステップS71)。これは、当初は、後述のステップS91を通過しないために、S71の処理は行われない。そして、第2プログラムを実行する(ステップS7、S8)。
第2プログラム実行状態を終えた後、DRAMの第2プログラム実行中にデータが変わる領域(第3)をNANDに保存する(ステップS91)。これは次のステップS101で行うDRAMの待ち受け処理プログラム領域(第1)のみのリフレッシュ開始により、DRAMの第3領域が壊れるからである。
ステップS101の後、再び、待ち受け処理プログラムなどの第1プログラム実行(ステップS3、S4)に戻る。そして、再び、第2プログラム初期化において、ステップS5、S6に引き続き、以前ステップS91でNANDに保存された第3領域をDRAMの第3領域へロードする(ステップS71)。これにより、DRAMの第3領域が復活する。そして、第2プログラムの実行に入る(ステップS7、S8)。以後、繰り返す。
実施例2によれば、携帯端末の無線通信の待ち受け中は、DRAMの待ち受け処理プログラム領域(第1)のみをリフレッシュする。そして、DRAMの第2プログラム実行中にデータが変わる領域(第3)はNANDに保存し、第2プログラムの再開時にNANDからDRAMに再ロードする。これにより、実施例1に比べても更に待ち受け可能時間を延ばすことができる。
なお、各実施例において、無線通信の待ち受け処理を第1プログラムとしたが、例えば、無線通信用の携帯端末で無線オフモードを持つ場合、無線オフモードで一定時間キー操作のない状態での待機処理を第1プログラムとしてもよい。そして、キー操作が行われるとキー操作に対応した第2プログラムへ遷移するようにしてもよい。また、携帯端末は、携帯電話、PHS、PDA、その他の無線機能を持たない携帯端末であってもよい。
本発明の各実施例に係る携帯端末の関連部分のブロック図。 本発明の各実施例に係る携帯端末のDRAMとNANDの対応を説明する図。 本発明の実施例1に係る制御部の動作フローチャート。 本発明の実施例2に係る制御部の動作フローチャート。
符号の説明
1 制御部
2 アンテナ
3 通信部
4 送受信部
5 スピーカ
6 マイクロホン
7 通話部
8 表示部
9 入力部
10 DRAM
11 NAND
12 待ち受け処理部
100 携帯端末

Claims (4)

  1. 第1プログラムと第2プログラムを記憶する不揮発性の第1のメモリと、
    前記第1プログラムがロードされる第1領域と、前記第2プログラムがロードされる第2領域と、プログラム実行中にデータが変わる第3領域とを有するリフレッシュ処理の必要な第2のメモリと、
    第1プログラム初期化状態においては前記第2のメモリの第1領域と第3領域をリフレッシュして前記第1のメモリから第1プログラムを前記第2のメモリの第1領域にロードし、引き続いて第1プログラム実行状態においては当該第1領域の第1プログラムを実行し、当該第1プログラム実行中に前記第2プログラムへの遷移条件が発生した場合には第2プログラム実行状態に遷移し、当該第2プログラム実行状態おいては前記第2のメモリの全領域をリフレッシュして前記第1のメモリから第2プログラムを前記第2のメモリの第2領域にロードして当該第2領域の第2プログラムを実行し、当該第2プログラムの実行終了後は前記第2のメモリの第1領域と第3領域をリフレッシュして前記第1プログラム実行状態に遷移する制御を行う制御部とを具備し
    前記第1プログラムは、リードオンリーデータを参照しないプログラムであることを特徴とする携帯端末。
  2. 前記第1プログラムは、無線通信の待ち受け処理の実行プログラムであり、前記第2プログラムへの遷移条件は、キー操作の発生、無線通信の着信であることを特徴とする請求項1に記載の携帯端末。
  3. 第1プログラムと第2プログラムを記憶し更に第3保存領域を有する不揮発性の第1のメモリと、
    前記第1プログラムがロードされる第1領域と、前記第2プログラムがロードされる第2領域と、プログラム実行中にデータが変わる第3領域とを有するリフレッシュ処理の必要な第2のメモリと、
    第1プログラム初期化状態においては前記第2のメモリの第1領域をリフレッシュして前記第1のメモリから第1プログラムを前記第2のメモリの第1領域にロードし、引き続いて第1プログラム実行状態においては当該第1領域の第1プログラムを実行し、当該第1プログラム実行中に前記第2プログラムへの遷移条件が発生した場合には第2プログラム実行状態に遷移し、当該第2プログラム実行状態おいては前記第2のメモリの全領域をリフレッシュして前記第1のメモリから第2プログラムを前記第2のメモリの第2領域にロードして当該第2領域の第2プログラムを実行し、当該第2プログラムの実行終了後は前記第2のメモリの第3領域を前記第1のメモリの第3保存領域に保存し、前記第2のメモリの第1領域をリフレッシュして前記第1プログラム実行状態に遷移する制御を行う制御部とを具備し、
    前記第1プログラムは、リードオンリーデータを参照しないプログラムであることを特徴とする携帯端末。
  4. 前記第1プログラムは、無線通信の待ち受け処理の実行プログラムであり、前記第2プログラムへの遷移条件は、キー操作の発生であることを特徴とする請求項に記載の携帯端末。
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