JP5040933B2 - 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 - Google Patents
有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5040933B2 JP5040933B2 JP2009010632A JP2009010632A JP5040933B2 JP 5040933 B2 JP5040933 B2 JP 5040933B2 JP 2009010632 A JP2009010632 A JP 2009010632A JP 2009010632 A JP2009010632 A JP 2009010632A JP 5040933 B2 JP5040933 B2 JP 5040933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- organic
- opening
- light emitting
- desiccant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 46
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 42
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-dimethylpyridine-2,5-diamine Chemical compound CN(C)C1=CC=C(N)C=N1 OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 3-(3-hydroxypropylamino)propan-1-ol Chemical compound OCCCNCCCO CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Ce+3] MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M dipotassium;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].[K+] FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N gallium;sulfuric acid Chemical compound [Ga].OS(O)(=O)=O SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);disulfate Chemical compound [Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器に関するものである。
一般に、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、酸素や水分に極めて弱く、すぐ劣化してしまうという欠点を有している。有機ＥＬ素子は、層間絶縁膜を介してＴＦＴと接続される構造が一般的であるが、層間絶縁膜として適した有機絶縁膜は、水蒸気を透過し、水分を吸収しやすいという特性を持っている。そのため、従来は、層間絶縁膜と有機ＥＬ素子との間に、層間絶縁膜よりも水分透過率の小さい無機絶縁膜を形成することが行われている。
しかしながら、層間絶縁膜の表面を無機絶縁膜で完全に覆った有機ＥＬ装置では、有機発光層形成前のベーク工程や信頼性試験における加熱処理等によって、層間絶縁膜に膜剥がれが発生し、必ずしも目的とする効果が得られないという問題があった。これは、層間絶縁膜に含まれていた水分が、熱等の外的要因によって層間絶縁膜を膨張させ、有機発光層へ拡散するためと考えられている。
そこで、特許文献１，２では、無機絶縁膜の一部に開口部を形成した有機ＥＬ装置が提案されている。この構成によれば、層間絶縁膜からの水分の放出が無機絶縁膜によって妨げられることがないので、開口部を通して層間絶縁膜に含まれる水分を効率よく放出することができる。したがって、層間絶縁膜中の水分に起因したダークスポットの発生が防止され、信頼性に優れた有機ＥＬ装置が提供できる。
しかしながら、無機絶縁膜の一部に開口部を形成した有機ＥＬ装置では、外部からの水分の浸入も生じ易いという不具合を有している。そのため、封止基板によって有機ＥＬ素子を封止した後、製品として出荷した場合に、無機絶縁膜で完全に層間絶縁膜の表面を覆ったものに比べて、思ったほど寿命が延びず、必ずしも期待した効果が得られないという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ダークスポットの発生を抑制した信頼性の高い有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬ装置は、素子基板に形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記素子基板において前記有機絶縁膜が露出した部位を覆って形成された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に形成された枠状の接合部材を介して前記素子基板と接合された封止基板と、を備えた有機ＥＬ装置であって、前記接合部材に囲まれた領域の内側に、前記有機絶縁膜の一部を露出させる前記無機絶縁膜の開口部が設けられ、前記開口部に露出した前記有機絶縁膜を覆って乾燥剤が設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、無機絶縁膜の一部に開口部が形成されているので、有機絶縁膜からの水分の放出が無機絶縁膜によって妨げられることがない。そのため、開口部を介して有機絶縁膜に含まれている水分を容易に放出することができる。また、外部からの水分の浸入は乾燥剤によって防止されるため、製品出荷後に開口部を介して水分が浸入することもない。さらに、封止基板で発光部を封止した後において、有機絶縁膜中の水分を乾燥剤によって吸収することができるため、例えば、製品出荷前の信頼性試験において加熱処理を行った場合でも、有機ＥＬ装置に有機絶縁膜の膜剥がれや、それによるダークスポットの発生等が生じることはない。したがって、長寿命で信頼性に優れた有機ＥＬ装置が提供できる。
この構成によれば、無機絶縁膜の一部に開口部が形成されているので、有機絶縁膜からの水分の放出が無機絶縁膜によって妨げられることがない。そのため、開口部を介して有機絶縁膜に含まれている水分を容易に放出することができる。また、外部からの水分の浸入は乾燥剤によって防止されるため、製品出荷後に開口部を介して水分が浸入することもない。さらに、封止基板で発光部を封止した後において、有機絶縁膜中の水分を乾燥剤によって吸収することができるため、例えば、製品出荷前の信頼性試験において加熱処理を行った場合でも、有機ＥＬ装置に有機絶縁膜の膜剥がれや、それによるダークスポットの発生等が生じることはない。したがって、長寿命で信頼性に優れた有機ＥＬ装置が提供できる。
本発明においては、前記接合部材に囲まれた領域の内側に、複数の前記画素電極が形成されてなる発光領域が設けられ、前記発光領域の周囲を囲んで１つ又は複数の前記開口部が形成されていることが望ましい。
この構成によれば、無機絶縁膜の開口部が発光領域の外側に配置されているため、例えば発光領域の内部（すなわち、画素電極間の領域）に開口部を形成する場合に比べて、開口部の大きさやレイアウトを自由に設計することができる。また、乾燥剤が発光領域の周囲を囲むように配置されるため、乾燥剤の量を多くすることができ、素子基板と封止基板との接合部から侵入する水分を効果的に捕捉することができる。そのため、例えばトップエミッション構造の有機ＥＬ装置に適用した場合には、発光領域と重なる部分に配置される乾燥剤を薄くすることができ、或いは、完全に省略することにより、封止基板側からの光の取り出し効率を向上させることができる。
この構成によれば、無機絶縁膜の開口部が発光領域の外側に配置されているため、例えば発光領域の内部（すなわち、画素電極間の領域）に開口部を形成する場合に比べて、開口部の大きさやレイアウトを自由に設計することができる。また、乾燥剤が発光領域の周囲を囲むように配置されるため、乾燥剤の量を多くすることができ、素子基板と封止基板との接合部から侵入する水分を効果的に捕捉することができる。そのため、例えばトップエミッション構造の有機ＥＬ装置に適用した場合には、発光領域と重なる部分に配置される乾燥剤を薄くすることができ、或いは、完全に省略することにより、封止基板側からの光の取り出し効率を向上させることができる。
本発明においては、前記乾燥剤は、前記開口部を覆って前記発光領域の周囲を囲むと共に、前記封止基板と前記無機絶縁膜の開口部に露出した前記有機絶縁膜との双方に密着していることが望ましい。
この構成によれば、乾燥剤が素子基板と封止基板との双方に密着しているので、素子基板と封止基板との接合部から侵入する水分をより効果的に捕捉することができる。
この構成によれば、乾燥剤が素子基板と封止基板との双方に密着しているので、素子基板と封止基板との接合部から侵入する水分をより効果的に捕捉することができる。
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、素子基板に形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記素子基板において前記有機絶縁膜が露出した部位を覆って形成された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に形成された枠状の接合部材を介して前記素子基板と接合された封止基板と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記有機発光層の形成前に、前記接合部材に囲まれた領域の内側に、前記有機絶縁膜の一部を露出させる前記無機絶縁膜の開口部を形成し、前記有機絶縁膜を加熱することにより、前記開口部を介して前記有機絶縁膜に含まれている水分を放出する工程を含み、前記有機発光層の形成後、前記封止基板を前記素子基板に接合する前又は接合する際に、前記無機絶縁膜の開口部に露出した前記有機絶縁膜を覆って乾燥剤を配置する工程を含むことを特徴とする。
この方法によれば、無機絶縁膜の一部に開口部が形成されているので、有機絶縁膜からの水分の放出が無機絶縁膜によって妨げられることがない。そのため、開口部を介して有機絶縁膜に含まれている水分を容易に放出することができる。また、外部からの水分の浸入は乾燥剤によって防止されるため、製品出荷後に開口部を介して水分が浸入することもない。さらに、封止基板で発光部を封止した後において、有機絶縁膜中の水分を乾燥剤によって吸収することができるため、例えば、製品出荷前の信頼性試験において加熱処理を行った場合でも、有機ＥＬ装置に有機絶縁膜の膜剥がれや、それによるダークスポットの発生等が生じることはない。したがって、長寿命で信頼性に優れた有機ＥＬ装置が提供できる。
この方法によれば、無機絶縁膜の一部に開口部が形成されているので、有機絶縁膜からの水分の放出が無機絶縁膜によって妨げられることがない。そのため、開口部を介して有機絶縁膜に含まれている水分を容易に放出することができる。また、外部からの水分の浸入は乾燥剤によって防止されるため、製品出荷後に開口部を介して水分が浸入することもない。さらに、封止基板で発光部を封止した後において、有機絶縁膜中の水分を乾燥剤によって吸収することができるため、例えば、製品出荷前の信頼性試験において加熱処理を行った場合でも、有機ＥＬ装置に有機絶縁膜の膜剥がれや、それによるダークスポットの発生等が生じることはない。したがって、長寿命で信頼性に優れた有機ＥＬ装置が提供できる。
本発明においては、前記無機絶縁膜を形成する工程は、前記画素電極を覆って前記有機絶縁膜上に無機材料膜を形成する工程と、前記無機材料膜の一部を除去して前記画素電極の一部を露出させる開口部を形成する工程と、を含み、前記有機絶縁膜の一部を露出させる前記開口部の形成工程は、前記画素電極の一部を露出させる開口部の形成工程と同時に行われることが望ましい。
この方法によれば、製造工程を増加させずに効率的に開口部を形成することができる。
この方法によれば、製造工程を増加させずに効率的に開口部を形成することができる。
本発明においては、前記封止基板と前記素子基板とを接合する工程は、前記乾燥剤が付着した前記封止基板を前記素子基板上に配置し、前記乾燥剤を前記無機絶縁膜の開口部に露出した前記有機絶縁膜に密着させる工程を含むことが望ましい。
この方法によれば、乾燥剤を素子基板と封止基板との双方に密着させることができる。そのため、素子基板と封止基板との接合部から侵入する水分を効果的に捕捉することができる。
この方法によれば、乾燥剤を素子基板と封止基板との双方に密着させることができる。そのため、素子基板と封止基板との接合部から侵入する水分を効果的に捕捉することができる。
本発明の電子機器は、上述した本発明の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、ダークスポットの発生を抑制した信頼性の高い電子機器を提供することができる。
この構成によれば、ダークスポットの発生を抑制した信頼性の高い電子機器を提供することができる。
［有機ＥＬ装置］
図１は、本発明の有機ＥＬ装置の一例であるラインヘッド１の平面図である。ラインヘッド１は、長細い矩形の素子基板２０上に、複数の有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子１９を配列してなる発光領域１Ａを有している。なお、図１では有機ＥＬ素子１９を２列にしてこれらを千鳥状に配置したが、１列の有機ＥＬ素子１９で形成してもよい。
図１は、本発明の有機ＥＬ装置の一例であるラインヘッド１の平面図である。ラインヘッド１は、長細い矩形の素子基板２０上に、複数の有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子１９を配列してなる発光領域１Ａを有している。なお、図１では有機ＥＬ素子１９を２列にしてこれらを千鳥状に配置したが、１列の有機ＥＬ素子１９で形成してもよい。
図２は、ラインヘッド１の断面図である。ラインヘッド１は、有機ＥＬ素子１９が形成された素子基板２０と、素子基板２０の有機ＥＬ素子１９が形成された面を封止する封止基板３０とを備えている。素子基板２０と封止基板３０は、両基板の対向領域の周縁部に設けられた枠状の接合部材３１を介して接合され一体化されている。
素子基板２０は、ガラス等からなる基板１０上に、半導体層１２３及びゲート電極１２４を有するＴＦＴ（スイッチング素子）１２を含む回路部１１を備えている。回路部１１の表面には、ＴＦＴ１２のソース電極１２１及びドレイン電極１２２を覆って、ＳｉＯ２を主体とする無機絶縁膜１３が形成されている。無機絶縁膜１３上には、感光性、絶縁性および耐熱性を備えたアクリル系やポリイミド系等の樹脂材料を主体とする有機絶縁膜（平坦化膜）１４が形成されている。
有機絶縁膜１４上には、ＩＴＯ等からなる画素電極（第１電極）１５が形成されている。画素電極１５は、有機絶縁膜１４及び無機絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＨ１を介してＴＦＴ１２のドレイン電極１２２と接続されている。
有機絶縁膜１４上には、画素電極１５を覆って、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜１６が形成されている。無機絶縁膜１６は、有機絶縁膜１４よりも水分透過率が低い材料で形成され、有機絶縁膜１４中に含まれる水分が有機ＥＬ素子１９に拡散するのを防止している。また、無機絶縁膜１６は、素子基板２０において有機絶縁膜１４が露出する部位全体を覆って形成され、外部から有機絶縁膜１４に水分が浸入することを防止している。
無機絶縁膜１６には、画素電極１５の一部を露出させる開口部Ｈ２が形成されている。無機絶縁膜１６上には、開口部Ｈ２に露出した画素電極１５を覆って、有機低分子材料又は有機高分子材料からなる有機発光層１７が形成されている。また、有機発光層１７を覆って、ＭｇＡｇからなる共通電極（第２電極）１８が形成されている。画素電極１５、有機発光層１７、及び共通電極１８によって有機ＥＬ素子１９が形成され、有機ＥＬ素子１９が素子基板２０の長手方向に沿って複数形成されることにより、素子基板２０に細長いライン状の発光領域１Ａが形成されている（図１参照）。
なお、図２では、有機ＥＬ素子１９を画素電極１５と共通電極１８との間に有機発光層１７を挟持することにより形成したが、画素電極１５と有機発光層１７との間には、必要に応じて正孔注入層や正孔輸送層等を形成することができる。また、有機発光層１７と共通電極１８との間にも、必要に応じて電子輸送層や電子注入層を形成することができる。本発明では、有機発光層に付加して形成される正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の層を含めて「有機発光層」と定義する。
無機絶縁膜１６には、画素電極１５と重ならない領域に開口部Ｈ３が形成されている。開口部Ｈ３の位置は、図１に示すように、接合部材３１と発光領域１Ａとの間である。開口部Ｈ３は、発光領域１Ａの周囲を囲むように、素子基板２０の長手方向に沿って多数形成されている。本実施形態では、複数の開口部Ｈ３を発光領域１Ａの上下にそれぞれ１列ずつ配置したが、複数列ずつ配置しても良い。また、素子基板２０の長手方向だけでなく短手方向にも形成し、発光領域１Ａの周囲を枠状に取り囲むように配置しても良い。さらに、素子基板２０の長手方向に配列した複数の開口部Ｈ３を繋げて、連続した一本の細長い開口部Ｈ３を形成しても良い。
無機絶縁膜１６の開口部Ｈ３には、乾燥剤３２が配置されている。乾燥剤３２は、開口部Ｈ３に露出する有機絶縁膜１４を覆うと共に、その上部が封止基板３０と接触している。乾燥剤３２は、開口部Ｈ３と共に発光領域１Ａの周囲を囲むように配置され、素子基板２０、封止基板３０、及び接合部材３１によって囲まれた封止空間内に収容されている。乾燥剤３２は、開口部Ｈ３毎に形成しても良く、一方向に配列した複数の開口部Ｈ３に対して共通の細長いライン状の乾燥剤を形成しても良い。
乾燥剤３２は、封止空間内の雰囲気下で吸湿効果を発揮するものであれば、特に限定されることはなく種々のものが使用可能である。例えば、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、硫酸リチウム（Ｌｉ２ＳＯ４）、硫酸ナトリウム（Ｎａ２ＳＯ４）、硫酸カルシウム（ＣａＳＯ４）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ４）、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ４）、硫酸ガリウム（Ｇａ２（ＳＯ４）３）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ４）２）、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）、塩化カルシウム（ＣａＣｌ２）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、塩化ストロンチウム（ＳｒＣｌ２）、塩化イットリウム（ＹＣｌ３）、塩化銅（ＣｕＣｌ２）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化タンタル（ＴａＦ５）、フッ化ニオブ（ＮｂＦ５）、臭化カルシウム（ＣａＢｒ２）、臭化セリウム（ＣｅＢｒ３）、臭化セレン（ＳｅＢｒ４）、臭化バナジウム（ＶＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、ヨウ化バリウム（ＢａＩ２）、ヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ２）、過塩素酸バリウム（Ｂａ（ＣｌＯ４）２）、過塩素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＣｌＯ４）２）等が挙げられる。
乾燥剤３２は、必要に応じて、封止基板３０の発光領域１Ａと対向する面に形成しても良い。この場合、発光領域１Ａの周囲に十分な厚みの乾燥剤３２が形成されているため、発光領域１Ａと対向する面に配置する乾燥剤の厚みは必要最小限に抑えることができる。特に、本実施形態のラインヘッド１では、乾燥剤３２が素子基板２０と封止基板３０との双方に密着し、接合部材３１と発光領域１Ａとの間を隔離するように形成されているため、接合領域からの水分の浸入が効果的に抑制される。そのため、発光領域１Ａと対向する面に配置する乾燥剤を完全に省略することもでき、この場合、トップエミッション型の有機ＥＬ装置に適用した場合に、封止基板３０側からの光の取り出し効率を最大限高めることができる。
無機絶縁膜１６上には、発光領域１Ａ及び乾燥剤３２を内側に囲む枠状の接合部材３１が形成されている。接合部材３１は、エポキシ樹脂やガラスフリット等からなり、接合部材３１を介して素子基板２０と封止基板３０とが接合されている。
図３〜図６は、ラインヘッド１の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図３に示すように、公知の手法を用いて、基板１０上に回路部１１、無機絶縁膜１３、有機絶縁膜１４、画素電極１５を形成する。そして、有機絶縁膜１４上に、画素電極１５を覆って無機材料膜１６Ａを形成し、無機材料膜１６Ａ上にフォトレジストＭを形成する。フォトレジストＭには、画素電極１５上及び画素電極１５の非形成領域上（発光領域と接合部材との間の位置）に開口部Ｈ４，Ｈ５が形成されている。
次に、図４に示すように、フォトレジストＭをマスクとして無機材料膜１６Ａをウェットエッチングし、画素電極１５上及び画素電極１５の非形成領域上に開口部Ｈ２，Ｈ３を有する無機絶縁膜１６を形成する。続いて、有機絶縁膜１４を加熱し、有機絶縁膜１４に含まれている水分を放出する。例えば、ドライエアー雰囲気で、有機絶縁膜１４を約１５０〜２５０℃に加熱して、約５〜１２０分間保持する。これにより、有機絶縁膜１４に含まれている水分が無機絶縁膜１６の開口部Ｈ３を通って外部に放出される。
次に、図５に示すように、公知の手法を用いて、開口部Ｈ２に露出した画素電極１５上に有機発光層１７と共通電極１８を形成し、有機ＥＬ素子１９を形成する。
次に、図６に示すように、有機ＥＬ素子１９が形成された素子基板２０と、接合部材３１及び乾燥剤３２が付着した封止基板３０とを対向配置し、乾燥剤３２と開口部Ｈ３とを位置決めしつつ、接合部材３１によって素子基板２０と封止基板３０とを接合する。このとき、乾燥剤３２の厚みは、最終的に得られる封止空間のギャップ（封止基板３０と開口部Ｈ３に露出した有機絶縁膜１４との間の間隔）よりも厚く形成しておく。こうすることで、封止基板３０を素子基板２０上に加圧したときに、乾燥剤３２が押しつぶされて開口部Ｈ３全体を覆うと共に、開口部Ｈ３内に露出した有機絶縁膜１４と密着する。
乾燥剤３２の形成方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等の公知の手法を用いることができる。シート状の乾燥剤を封止基板３０に接着してもよい。この場合、封止基板３０に溝を設け、この溝に接着剤を用いて乾燥剤を固定することにより、十分な厚みの乾燥剤を形成することができる。
本実施形態のラインヘッド１によれば、無機絶縁膜１６の一部に開口部Ｈ３が形成されているので、有機絶縁膜１４からの水分の放出が無機絶縁膜１６によって妨げられることがない。そのため、開口部Ｈ３を介して有機絶縁膜１４に含まれている水分を容易に放出することができる。また、外部からの水分の浸入は乾燥剤３２によって防止されるため、製品出荷後に開口部Ｈ３を介して水分が浸入することもない。さらに、封止基板３０で発光部を封止した後において、有機絶縁膜１４中の水分を乾燥剤３２によって吸収することができるため、例えば、製品出荷前の信頼性試験において加熱処理を行った場合でも、ラインヘッド１に有機絶縁膜１４の膜剥がれや、それによるダークスポットの発生等が生じることはない。したがって、長寿命で信頼性に優れたラインヘッド１が提供できる。
また、無機絶縁膜１６の開口部Ｈ３が発光領域１Ａの外側に配置されているため、例えば発光領域１Ａの内部（すなわち、画素電極１５間の領域）に開口部Ｈ３を形成する場合に比べて、開口部Ｈ３の大きさやレイアウトを自由に設計することができる。また、乾燥剤３２が発光領域１Ａの周囲を囲むように配置されるため、乾燥剤３２の量を多くすることができ、素子基板２０と封止基板３０との接合部から侵入する水分を効果的に捕捉することができる。そのため、例えばトップエミッション構造のラインヘッドに適用した場合には、発光領域１Ａと重なる部分に配置される乾燥剤を薄くすることができ、或いは、完全に省略することにより、封止基板３０側からの光の取り出し効率を向上させることができる。
以上、有機ＥＬ装置の一例としてラインヘッドを説明したが、本発明はラインヘッドに限らず、有機ＥＬディスプレイ等、種々の有機ＥＬ装置に適用可能である。有機ＥＬ装置の構成や形状も上述のものに限定されず、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
［電子機器］
図７は、本発明の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例である画像形成装置１０００の概略図である。画像形成装置１０００は、ラインヘッド１を露光手段として組み込んだラインヘッドモジュール１００３を備えている。ラインヘッドモジュール１００３は、複数の有機ＥＬ素子を整列配置したラインヘッド１と、ラインヘッド１からの光を正立等倍結像させるレンズ素子を整列配置したＳＬアレイ（レンズアレイ）１００１と、ラインヘッド１およびＳＬアレイ１００１の外周部を保持するヘッドケース１００２と、を備えている。ラインヘッド１とＳＬアレイアレイ１００１とは、互いにアライメントされた状態でヘッドケース１００２に保持されており、これによってＳＬアレイ１００１は、ラインヘッド１からの光を感光体ドラム１００４に正立等倍結像させるようになっている。本実施形態の画像形成装置１０００は、上述した本発明に係るラインヘッド１を備えているため、ダークスポットの発生を抑制した信頼性の高い画像形成装置となる。
図７は、本発明の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例である画像形成装置１０００の概略図である。画像形成装置１０００は、ラインヘッド１を露光手段として組み込んだラインヘッドモジュール１００３を備えている。ラインヘッドモジュール１００３は、複数の有機ＥＬ素子を整列配置したラインヘッド１と、ラインヘッド１からの光を正立等倍結像させるレンズ素子を整列配置したＳＬアレイ（レンズアレイ）１００１と、ラインヘッド１およびＳＬアレイ１００１の外周部を保持するヘッドケース１００２と、を備えている。ラインヘッド１とＳＬアレイアレイ１００１とは、互いにアライメントされた状態でヘッドケース１００２に保持されており、これによってＳＬアレイ１００１は、ラインヘッド１からの光を感光体ドラム１００４に正立等倍結像させるようになっている。本実施形態の画像形成装置１０００は、上述した本発明に係るラインヘッド１を備えているため、ダークスポットの発生を抑制した信頼性の高い画像形成装置となる。
１…ラインヘッド（有機ＥＬ装置）、１Ａ…発光領域、１４…有機絶縁膜、１５…画素電極、１６…無機絶縁膜、１６Ａ…無機材料膜、１７…有機発光層、１８…共通電極、１９…有機ＥＬ素子、２０…素子基板、３０…封止基板、３１…接合部材、３２…乾燥剤、１０００…画像形成装置（電子機器）、Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５…開口部
Claims (7)
- 素子基板に形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記素子基板において前記有機絶縁膜が露出した部位を覆って形成された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に形成された枠状の接合部材を介して前記素子基板と接合された封止基板と、を備えた有機ＥＬ装置であって、
前記接合部材に囲まれた領域の内側に、前記有機絶縁膜の一部を露出させる前記無機絶縁膜の開口部が設けられ、前記開口部に露出した前記有機絶縁膜を覆って乾燥剤が設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。 - 前記接合部材に囲まれた領域の内側に、複数の前記画素電極が形成されてなる発光領域が設けられ、前記発光領域の周囲を囲んで１つ又は複数の前記開口部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
- 前記乾燥剤は、前記開口部を覆って前記発光領域の周囲を囲むと共に、前記封止基板と前記無機絶縁膜の開口部に露出した前記有機絶縁膜との双方に密着していることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
- 素子基板に形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記素子基板において前記有機絶縁膜が露出した部位を覆って形成された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に形成された枠状の接合部材を介して前記素子基板と接合された封止基板と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記有機発光層の形成前に、前記接合部材に囲まれた領域の内側に、前記有機絶縁膜の一部を露出させる前記無機絶縁膜の開口部を形成し、前記有機絶縁膜を加熱することにより、前記開口部を介して前記有機絶縁膜に含まれている水分を放出する工程を含み、
前記有機発光層の形成後、前記封止基板を前記素子基板に接合する前又は接合する際に、前記無機絶縁膜の開口部に露出した前記有機絶縁膜を覆って乾燥剤を配置する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 - 前記無機絶縁膜を形成する工程は、前記画素電極を覆って前記有機絶縁膜上に無機材料膜を形成する工程と、前記無機材料膜の一部を除去して前記画素電極の一部を露出させる開口部を形成する工程と、を含み、
前記有機絶縁膜の一部を露出させる前記開口部の形成工程は、前記画素電極の一部を露出させる開口部の形成工程と同時に行われることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。 - 前記封止基板と前記素子基板とを接合する工程は、前記乾燥剤が付着した前記封止基板を前記素子基板上に配置し、前記乾燥剤を前記無機絶縁膜の開口部に露出した前記有機絶縁膜に密着させる工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
- 請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009010632A JP5040933B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009010632A JP5040933B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010170768A JP2010170768A (ja) | 2010-08-05 |
| JP5040933B2 true JP5040933B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=42702722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009010632A Active JP5040933B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5040933B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4520226B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
| JP4683883B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2007073459A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 |
| JP4655942B2 (ja) * | 2006-01-16 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 |
| JP2007273446A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-10-18 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置 |
| JP4809087B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-11-02 | セイコーエプソン株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置、電子機器、およびエレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-01-21 JP JP2009010632A patent/JP5040933B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010170768A (ja) | 2010-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI715561B (zh) | 有機發光顯示設備 | |
| KR102000043B1 (ko) | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| US9997589B2 (en) | Display device | |
| WO2018149158A1 (zh) | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| US10177347B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
| TW201445793A (zh) | 具有撓性基板之有機發光顯示裝置 | |
| KR20140142419A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102002767B1 (ko) | 유기전계발광 표시소자 | |
| KR101992261B1 (ko) | 표시소자용 메탈마스크, 및 이를 이용한 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR101980761B1 (ko) | Ｆｐｃｂ와의 전기적 접속이 원활한 표시소자 | |
| CN107452893B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| US11417855B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| WO2016026225A1 (zh) | 一种有机发光显示装置及有机发光二极管的封装方法 | |
| US10403652B2 (en) | Semiconductor circuit substrate and display device using the same | |
| KR102100656B1 (ko) | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| US20160218317A1 (en) | Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| EP2728640B1 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| JP2018022624A (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法 | |
| CN114220821B (zh) | 显示面板 | |
| KR20150111005A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| JP2005100685A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
| KR20160066463A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
| JP5040933B2 (ja) | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 | |
| CN108461528B (zh) | Oled拼接显示器及其拼接方法 | |
| JP2017174641A (ja) | 表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111125 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120607 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120612 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120625 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5040933 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |