JP5035133B2 - Circuit board with bonding film, bonding method of circuit board with bonding film, electronic device and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board with a bonding film that connects the conductor portions of two circuit boards physically and electrically through the bonding film without exposing them to high temperature, and to provide a method of bonding a circuit board with a bonding film that connects the circuit board with a bonding film to a circuit board, an electronic device having excellent reliability and an electronic apparatus which ensures high reliability. <P>SOLUTION: The circuit board with the bonding film has the bonding film 80 which is electrically connected with a conductor post 42. The bonding film 80 is provided by supplying a liquid material containing a metal complex to the conductor post 42 and then drying and firing the liquid material, and contains metal atoms and a leaving group consisting of organic components. When energy is given at least to a partial region of the bonding film 80, leaving groups existing in the vicinity of the surface of the bonding film 80 are desorbed therefrom and adhesive properties to a terminal 600 appear on the surface of the bonding film 80 thus connecting the terminal 600 and the conductor post 42 physically and electrically. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、接合膜付き回路基板、接合膜付き回路基板の接合方法、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。   The present invention relates to a circuit board with a bonding film, a method for bonding a circuit board with a bonding film, an electronic device, and an electronic apparatus.

２つの基板にそれぞれ設けられた端子同士を物理的かつ電気的に接続する方法として、ロウ材で構成されたボール状の端子（半田ボール）を溶融・再固化する方法が広く用いられている。
かかる方法は、例えば、半導体パッケージを回路基板に実装する際に、半導体パッケージおよび回路基板にそれぞれ設けられた端子同士を接続する際に適用される（例えば、特許文献１参照。）。 As a method for physically and electrically connecting terminals provided on two substrates, a method of melting and resolidifying ball-shaped terminals (solder balls) made of a brazing material is widely used.
Such a method is applied, for example, when the semiconductor package is mounted on a circuit board and the terminals provided on the semiconductor package and the circuit board are connected to each other (see, for example, Patent Document 1).

具体的には、このような半導体パッケージの回路基板への実装は、例えば、以下のようにして行われる。
まず、図９に示すような半導体パッケージ９００を用意する。
この半導体パッケージ９００は、貫通孔（ビア）９０１が形成されたインターポーザー９０２と、インターポーザー９０２の一方の面（図９中、上面）に設けられた配線パターン９０３と、インターポーザー９０２のビア９０１内に設けられ、配線パターン９０３の一部と電気的に接続された導体ポスト（端子）９０４と、インターポーザー９０２の他方の面（図９中、下面）に臨む導体ポスト９０４の端面（以下、「接合面９０４ａ」と言う。）に接合され、この面から突出するバンプ９０５と、配線パターン９０３の上面にその縁部が露出するように設けられた接合層９０７とを有している。 Specifically, such a semiconductor package is mounted on a circuit board as follows, for example.
First, a semiconductor package 900 as shown in FIG. 9 is prepared.
This semiconductor package 900 includes an interposer 902 in which a through-hole (via) 901 is formed, a wiring pattern 903 provided on one surface (the upper surface in FIG. 9) of the interposer 902, and a via 901 in the interposer 902. Conductor posts (terminals) 904 that are provided inside and electrically connected to a part of the wiring pattern 903, and end faces (hereinafter referred to as the following) of the conductor posts 904 facing the other surface (lower surface in FIG. 9) of the interposer 902. A bump 905 that is bonded to and protrudes from this surface, and a bonding layer 907 that is provided on the upper surface of the wiring pattern 903 so that the edge thereof is exposed.

また、半導体パッケージ９００は、インターポーザー９０２の上側に、配線パターン９０３と電気的に接続された半導体チップ９０６が、接合層９０７を介して、載置されている。
かかる構成の半導体パッケージにおいて、バンプ９０５が上述した半田ボールで構成されている。 In the semiconductor package 900, a semiconductor chip 906 electrically connected to the wiring pattern 903 is placed on the upper side of the interposer 902 through a bonding layer 907.
In the semiconductor package having such a configuration, the bump 905 is formed of the solder ball described above.

次に、半導体パッケージ９００を実装すべき端子を備える回路基板を用意し、回路基板の端子とバンプ９０５とが接触するように、回路基板上に半導体パッケージ９００を載置する。
次に、これらを加熱してバンプ９０５を溶融させた後に、冷却して再固化させる半田リフロー工程を経ることにより、バンプ９０５の再固化物を介して、回路基板の端子と導体ポスト９０４とが物理的かつ電気的に接合され、これにより、半導体パッケージが回路基板上に実装される。 Next, a circuit board having terminals to which the semiconductor package 900 is to be mounted is prepared, and the semiconductor package 900 is placed on the circuit board so that the terminals of the circuit board and the bumps 905 are in contact with each other.
Next, after the bumps 905 are melted by heating them and then cooled and re-solidified, the terminals of the circuit board and the conductor posts 904 are connected via the re-solidified product of the bumps 905. Physically and electrically bonded, whereby the semiconductor package is mounted on the circuit board.

以上のようなバンプ９０５を溶融・再固化させる半田リフロー工程では、バンプ（半田ボール）９０５を溶融するために、半導体パッケージ９００が高温下（２６０℃程度）に晒される。かかる高温下に半導体パッケージ９００が晒されると、インターポーザー９０２と半導体チップ９０６とを接合する接合層９０７に剥離が生じ、これを起因として、半導体パッケージ９００にクラックが生じるという問題がある。
そのため、半導体パッケージ９００を高温下に晒すことなく、２つの基板にそれぞれ設けられた端子同士を物理的かつ電気的に接続し得る接続方法が求められている。
特開２００４−６６８２号公報 In the solder reflow process for melting and re-solidifying the bumps 905 as described above, the semiconductor package 900 is exposed to a high temperature (about 260 ° C.) in order to melt the bumps (solder balls) 905. When the semiconductor package 900 is exposed to such a high temperature, the bonding layer 907 for bonding the interposer 902 and the semiconductor chip 906 is peeled off, which causes a problem that the semiconductor package 900 is cracked.
Therefore, there is a need for a connection method that can physically and electrically connect terminals provided on two substrates without exposing the semiconductor package 900 to a high temperature.
JP 2004-6682 A

本発明の目的は、高温下に晒すことなく、２つの回路基板がそれぞれ備える導体部同士を接合膜を介して物理的かつ電気的に確実に接続し得る接合膜付き回路基板、かかる接合膜付き回路基板を回路基板に接続し得る接合膜付き回路基板の接合方法、かかる接合膜付き回路基板を備える信頼性に優れた電子デバイス、および、かかる電子デバイスを備える高い信頼性が得られる電子機器を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a circuit board with a bonding film that can physically and electrically reliably connect the conductor portions of each of the two circuit boards through the bonding film without being exposed to high temperatures, and with such a bonding film. A bonding method for a circuit board with a bonding film capable of connecting the circuit board to the circuit board, an electronic device having such a reliability with the circuit board with the bonding film, and an electronic apparatus having high reliability with the electronic device. It is to provide.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合膜付き回路基板は、第１の導体部を備える回路基板に接続して用いられ、
基板と、該基板に設けられた第２の導体部と、該第２の導体部に電気的に接続して設けられた導電性を有する接合膜とを有し、
前記接合膜は、前記第２の導体部に金属錯体を含有する液状材料を供給し、該液状材料を乾燥・焼成することにより設けられ、前記金属錯体に含まれる金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、前記第１の導体部との接着性が発現し、前記第１の導体部と前記第２の導体部とを物理的かつ電気的に接続するものであることを特徴とする。
これにより、高温下に晒すことなく、接合膜を介して、接合膜付き回路基板が有する第２の導体部と、回路基板が有する第１の導体部とを、物理的かつ電気的に接続し得る、信頼性に優れた接合膜付き回路基板とすることができる。 Such an object is achieved by the present invention described below.
The circuit board with the bonding film of the present invention is used by being connected to a circuit board having the first conductor portion,
A substrate, a second conductor portion provided on the substrate, and a conductive bonding film provided in electrical connection with the second conductor portion;
The bonding film is provided by supplying a liquid material containing a metal complex to the second conductor portion, and drying and baking the liquid material, and includes a metal atom contained in the metal complex and an organic component. And a leaving group to be
The bonding film is provided with energy in at least a part of the bonding film, so that the leaving group existing in the vicinity of the bonding film surface is desorbed from the bonding film, whereby the bonding film surface has the surface. Adhesiveness with the first conductor portion is developed in the region, and the first conductor portion and the second conductor portion are physically and electrically connected.
Accordingly, the second conductor part included in the circuit board with the bonding film and the first conductor part included in the circuit board are physically and electrically connected via the bonding film without being exposed to a high temperature. The circuit board with a bonding film having excellent reliability can be obtained.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記脱離基は、前記液状材料を乾燥させた後、焼成した際に、前記金属錯体に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
このように成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基として用いる構成とすることにより、形成された金属膜中に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜を形成することができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, it is preferable that the leaving group is one in which a part of the organic substance contained in the metal complex remains when the liquid material is dried and then baked.
By adopting a structure in which the residue remaining in the film when the film is formed is used as the leaving group, it is not necessary to introduce the leaving group into the formed metal film, and the process is relatively simple. A bonding film can be formed.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記焼成の際の焼成温度は、７０〜２００℃であることが好ましい。
かかる範囲内に設定することにより、金属錯体に含まれる有機物が、その一部を残存させた状態で、金属錯体中から確実に除去されるため、その表面にエネルギーを付与することにより接着性が好適に発現する接合膜を確実に形成することができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, the firing temperature during the firing is preferably 70 to 200 ° C.
By setting within this range, the organic matter contained in the metal complex is reliably removed from the metal complex in a state in which a part of the organic substance remains, so that adhesion can be obtained by applying energy to the surface. A bonding film that is suitably expressed can be formed reliably.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記焼成は、不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。
これにより、第２の導体部上に純粋な金属膜が形成されることなく、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で接合膜を形成することができる。その結果、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜を形成することができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, the firing is preferably performed in an inert gas atmosphere.
As a result, the bonding film can be formed in a state where a part of the organic substance contained in the metal complex is left without forming a pure metal film on the second conductor portion. As a result, it is possible to form a bonding film having excellent characteristics as both the bonding film and the metal film.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記焼成は、減圧下で行われることが好ましい。
これにより、形成される接合膜の膜密度が緻密化して、接合膜をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
本発明の接合膜付き回路基板では、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, the firing is preferably performed under reduced pressure.
Thereby, the film density of the formed bonding film is densified, and the bonding film can have more excellent film strength.
In the circuit board with a bonding film of the present invention, the leaving group contains a carbon atom as an essential component and includes an atomic group containing at least one of a hydrogen atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom, and a halogen atom. It is preferable that it is comprised.
These leaving groups are relatively excellent in binding / leaving selectivity by applying energy. For this reason, the leaving group which leaves | separates comparatively easily and uniformly by providing energy is obtained, and the adhesiveness of the bonding film can be further enhanced.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記脱離基は、アルキル基を含むことが好ましい。
アルキル基を含む脱離基は、化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を備える接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明の接合膜付き回路基板では、前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛、鉄、インジウムおよびルテニウムのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、特に優れた導電性を発揮するものとなる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, the leaving group preferably includes an alkyl group.
Since a leaving group containing an alkyl group has high chemical stability, a bonding film having an alkyl group as a leaving group has excellent weather resistance and chemical resistance.
In the circuit board with a bonding film of the present invention, the metal atom is preferably at least one of copper, aluminum, zinc, iron, indium and ruthenium.
By making the bonding film contain these metal atoms, the bonding film exhibits particularly excellent conductivity.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記接合膜は、少なくとも２種の前記金属原子を含有し、前記金属原子のうち融点が低い方の金属原子は、その融点が２６０℃未満であることが好ましい。
これにより、接合膜付き回路基板を回路基板に接続する際に、接合膜と第１の導体部とを接合した後、融点が低い方の金属原子を溶融させれば、接合膜にエネルギーを付与することにより発現した接着性により接合膜と第１の導体部との接合強度をより向上させることができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, the bonding film contains at least two kinds of the metal atoms, and the metal atom having the lower melting point of the metal atoms has a melting point of less than 260 ° C. preferable.
Thereby, when connecting the circuit board with the bonding film to the circuit board, after bonding the bonding film and the first conductor portion, if the metal atom having a lower melting point is melted, energy is given to the bonding film. By doing so, the bonding strength between the bonding film and the first conductor portion can be further improved by the adhesiveness expressed.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記融点が低い方の金属原子は、インジウム、セレンおよびリチウムのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
このような金属原子を選択すれば、接合膜と第１の導体部との接合強度を向上させつつ、接合膜付き回路基板を、回路基板に対してより高い信頼性をもって接続し得るものとすることができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, the metal atom having the lower melting point is preferably at least one of indium, selenium, and lithium.
If such a metal atom is selected, the circuit board with the bonding film can be connected to the circuit board with higher reliability while improving the bonding strength between the bonding film and the first conductor portion. be able to.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を第１の導体部に対してより確実に接合することができる。また、接合膜をより優れた導電性を発揮するものとすることができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, the abundance ratio of metal atoms to carbon atoms in the bonding film is preferably 3: 7 to 7: 3.
By setting the abundance ratio of the metal atom and the carbon atom to be within the above range, the stability of the bonding film is increased, and the bonding film can be more reliably bonded to the first conductor portion. Further, the bonding film can exhibit more excellent conductivity.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記液状材料は、前記第２の導体部に液滴吐出法を用いて選択的に供給されることが好ましい。
これにより、接合膜を基板上に形成することなく、第２の導体部上に選択的に形成することができる。
本発明の接合膜付き回路基板では、前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、第１の導体部に対して、化学的結合に基づいて強固に接合可能な接合膜とすることができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, it is preferable that the liquid material is selectively supplied to the second conductor portion using a droplet discharge method.
Accordingly, the bonding film can be selectively formed on the second conductor portion without being formed on the substrate.
In the circuit board with a bonding film of the present invention, the bonding film preferably has an active hand after the leaving group present at least near the surface thereof is released from the bonding film.
Thereby, it can be set as the joining film | membrane which can be firmly joined with respect to a 1st conductor part based on a chemical bond.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、接合膜は、第１の導体部に対して、特に強固な接合が可能なものとなる。
本発明の接合膜付き回路基板では、前記接合膜の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、接合膜の寸法精度が著しく低下するのを防止して、接合膜を第１の導体部に対してより確実に接合することができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, the active hand is preferably a dangling hand or a hydroxyl group.
As a result, the bonding film can be particularly strongly bonded to the first conductor portion.
In the circuit board with a bonding film of the present invention, the average thickness of the bonding film is preferably 50 to 1000 nm.
Thereby, it can prevent that the dimensional accuracy of a joining film falls remarkably, and can join a joining film with respect to a 1st conductor part more reliably.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が寸法精度の高いもの、すなわち、第２の導体部に対応するように設けられた接合膜の高さをほぼ均一なものとすることができる。
本発明の接合膜付き回路基板では、前記第２の導体部の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、第２の導体部の表面を清浄化および活性化し、接合膜と第２の導体部との接合強度を高めることができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, the bonding film is preferably in a solid state having no fluidity.
Accordingly, the bonding film itself can have a high dimensional accuracy, that is, the height of the bonding film provided so as to correspond to the second conductor portion can be made substantially uniform.
In the circuit board with a bonding film of the present invention, it is preferable that a surface of the second conductor portion that is in contact with the bonding film is subjected in advance to a surface treatment that improves adhesion with the bonding film.
Thereby, the surface of the second conductor portion can be cleaned and activated, and the bonding strength between the bonding film and the second conductor portion can be increased.

本発明の接合膜付き回路基板では、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、第２の導体部の表面を特に最適化することができる。
本発明の接合膜付き回路基板の接合方法は、本発明の接合膜付き回路基板を用意し、前記接合膜に前記エネルギーを付与して接着性を発現させる工程と、
前記第１の導体部を備える第１の回路基板を用意し、前記接合膜付き回路基板と前記回路基板とを重ね合わせることにより、前記接合膜に発現した接着性により、前記接合膜を介して前記第１の導体部と前記第２の導体部とを物理的かつ電気的に接続する工程とを有することを特徴とする。
これにより、高温下に晒すことなく、接合膜付き回路基板が有する第２の導体部と、回路基板が有する第１の導体部とを接合膜を介して物理的かつ電気的に接続した状態で、接合膜付き回路基板と回路基板とを接合することができる。 In the circuit board with a bonding film of the present invention, the surface treatment is preferably plasma treatment.
Thereby, in order to form a joining film, the surface of the 2nd conductor part can be optimized especially.
The method for bonding a circuit board with a bonding film according to the present invention includes a step of preparing the circuit board with a bonding film according to the present invention, imparting the energy to the bonding film, and expressing adhesiveness;
A first circuit board provided with the first conductor portion is prepared, and the circuit board with the bonding film and the circuit board are overlapped with each other, and adhesiveness developed in the bonding film causes the bonding film to pass through the bonding film. A step of physically and electrically connecting the first conductor portion and the second conductor portion.
Accordingly, the second conductor part of the circuit board with the bonding film and the first conductor part of the circuit board are physically and electrically connected to each other through the bonding film without being exposed to a high temperature. The circuit board with the bonding film and the circuit board can be bonded.

本発明の接合膜付き回路基板の接合方法は、本発明の接合膜付き回路基板と、前記第１の導体部を備える回路基板とを用意し、前記第１の導体部と前記接合膜とが当接するように、前記接合膜付き回路基板と前記回路基板とを重ね合わせる工程と、
前記接合膜に前記エネルギーを付与して接着性を発現させることにより、前記接合膜を介して前記第１の導体部と前記第２の導体部とを物理的かつ電気的に接続する工程とを有することを特徴とする。
これにより、高温下に晒すことなく、接合膜付き回路基板が有する第２の導体部と、回路基板が有する第１の導体部とを接合膜を介して物理的かつ電気的に接続した状態で、接合膜付き回路基板と回路基板とを接合することができる。 The method for bonding a circuit board with a bonding film according to the present invention comprises preparing the circuit board with a bonding film according to the present invention and a circuit board having the first conductor portion, wherein the first conductor portion and the bonding film are provided. A step of superimposing the circuit board with the bonding film and the circuit board so as to abut,
Physically and electrically connecting the first conductor portion and the second conductor portion via the bonding film by applying the energy to the bonding film to develop adhesiveness. It is characterized by having.
Accordingly, the second conductor part of the circuit board with the bonding film and the first conductor part of the circuit board are physically and electrically connected to each other through the bonding film without being exposed to a high temperature. The circuit board with the bonding film and the circuit board can be bonded.

本発明の接合膜付き回路基板の接合方法では、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。 In the method for bonding a circuit board with a bonding film of the present invention, the energy is applied by a method of irradiating the bonding film with energy rays, a method of heating the bonding film, and a method of applying a compressive force to the bonding film. It is preferable to carry out by at least one of these methods.
Thereby, energy can be imparted to the bonding film relatively easily and efficiently.

本発明の接合膜付き回路基板の接合方法では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜に付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中の脱離基を確実に脱離させることができる。その結果、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。 In the method for bonding a circuit board with a bonding film of the present invention, it is preferable that the energy beam is an ultraviolet ray having a wavelength of 126 to 300 nm.
As a result, the amount of energy applied to the bonding film is optimized, so that the leaving group in the bonding film can be desorbed with certainty. As a result, the bonding film can exhibit adhesiveness while preventing the characteristics (mechanical characteristics, chemical characteristics, etc.) of the bonding film from deteriorating.

本発明の接合膜付き回路基板の接合方法では、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
本発明の接合膜付き回路基板の接合方法では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて接合膜付き回路基板や回路基板に損傷等が生じるのを防止しつつ、接合体の接合強度を確実に高めることができる。 In the method for bonding a circuit board with a bonding film of the present invention, the heating temperature is preferably 25 to 100 ° C.
Thereby, it is possible to reliably increase the bonding strength while reliably preventing the bonded body from being deteriorated and deteriorated by heat.
In the method for bonding a circuit board with a bonding film of the present invention, the compressive force is preferably 0.2 to 10 MPa.
Accordingly, it is possible to reliably increase the bonding strength of the bonded body while preventing damage to the circuit board with the bonding film and the circuit board due to the pressure being too high.

本発明の接合膜付き回路基板の接合方法では、前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
本発明の電子デバイスは、本発明の接合膜付き回路基板を備えることを特徴とする。
これにより、高温下に晒すことなく、回路基板に対して接続し得る信頼性に優れた電子デバイスとすることができる。 In the method for bonding a circuit board with a bonding film of the present invention, it is preferable that the energy is applied in an air atmosphere.
Thereby, it is not necessary to spend time and cost to control the atmosphere, and energy can be applied more easily.
The electronic device of the present invention includes the circuit board with the bonding film of the present invention.
Thereby, it can be set as the electronic device excellent in the reliability which can be connected with respect to a circuit board, without exposing to high temperature.

本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスと、該電子デバイスを搭載する前記回路基板とを有し、前記電子デバイスが備える前記第２の導体部と、前記回路基板が備える前記第１の導体部とが前記接合膜を介して物理的かつ電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、第１の導体部と第２の導体部とが接合膜を介して高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い電子機器が得られる。 The electronic apparatus of the present invention includes the electronic device of the present invention and the circuit board on which the electronic device is mounted, the second conductor portion included in the electronic device, and the first circuit included in the circuit board. The conductor portion is physically and electrically connected through the bonding film.
As a result, a highly reliable electronic device is obtained in which the first conductor portion and the second conductor portion are firmly bonded with high dimensional accuracy via the bonding film.

以下、本発明の接合膜付き回路基板、接合膜付き回路基板の接合方法、電子デバイスおよび電子機器を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜半導体装置＞
まず、本発明の電子デバイスを半導体装置に適用した場合の実施形態について説明する。 Hereinafter, a circuit board with a bonding film, a bonding method for a circuit board with a bonding film, an electronic device, and an electronic apparatus of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
<Semiconductor device>
First, an embodiment when the electronic device of the present invention is applied to a semiconductor device will be described.

図１は、本発明の電子デバイスを半導体装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示す半導体装置が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図３は、図１に示す半導体装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下では、説明の都合上、図１〜図３中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。   FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment in which the electronic device of the present invention is applied to a semiconductor device, and FIG. 2 is a partially enlarged view showing a state before energy application of a bonding film included in the semiconductor device shown in FIG. 3 is a partially enlarged view showing a state after energy is applied to the bonding film included in the semiconductor device shown in FIG. In the following, for convenience of explanation, the upper side in FIGS. 1 to 3 is referred to as “upper” or “upper”, and the lower side is referred to as “lower” or “lower”.

図１に示す半導体装置（半導体パッケージ）１０は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体パッケージであり、半導体チップ（半導体素子）２０と、インターポーザー（基板）３０と、配線パターン４１と、複数の導体ポスト（第２の導体部）４２と、導体ポスト４２に対応して複数設けられた接合膜８０とを有している。
インターポーザー（支持台）３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。 A semiconductor device (semiconductor package) 10 illustrated in FIG. 1 is a CSP (Chip Size Package) type semiconductor package, and includes a semiconductor chip (semiconductor element) 20, an interposer (substrate) 30, a wiring pattern 41, and a plurality of pieces. A conductor post (second conductor portion) 42 and a plurality of bonding films 80 corresponding to the conductor post 42 are provided.
The interposer (support base) 30 is an insulating substrate and is made of various resin materials such as polyimide. The plan view shape of the interposer 30 is usually a square such as a square or a rectangle.

インターポーザー３０の上面（一方の面）３１には、例えば銅等の導電性金属材料で構成される配線パターン４１が、所定形状で設けられている。
また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、複数のビア（スルーホール：貫通孔）３３が形成されている。このビア内には、導電性材料で構成される導体ポスト（第２の導体部）４２が設けられている。 On the upper surface (one surface) 31 of the interposer 30, a wiring pattern 41 made of a conductive metal material such as copper is provided in a predetermined shape.
The interposer 30 is formed with a plurality of vias (through holes: through holes) 33 penetrating in the thickness direction. A conductor post (second conductor portion) 42 made of a conductive material is provided in the via.

導体ポスト４２は、その一端（インターポーザー３０の上面に臨む端面）が、配線パターン４１の一部に電気的に接続されている。また、導体ポスト４２の他端（インターポーザー３０の下面に臨む端面：以下、「接合面４３」と言う。）には、導電性を有する接合膜８０が、後述する実装方法において、回路基板が備える端子（第１の導体部）と物理的かつ電気的に接続し得るように設けられている。これにより、接合膜８０は、導体ポスト４２を介して、配線パターン４１の一部に電気的に接続されている。   One end of the conductor post 42 (the end surface facing the upper surface of the interposer 30) is electrically connected to a part of the wiring pattern 41. In addition, a conductive bonding film 80 is provided on the other end of the conductor post 42 (an end surface facing the lower surface of the interposer 30; hereinafter referred to as a “bonding surface 43”). It is provided so that it can be physically and electrically connected to a terminal (first conductor portion) provided. Thereby, the bonding film 80 is electrically connected to a part of the wiring pattern 41 via the conductor post 42.

導体ポスト４２の構成材料（導電性材料）としては、それぞれ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、これらを含む合金のような金属系材料、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）のような金属酸化物系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。さらには、ポリチオフェン、ポリアセチレンのような導電性高分子材料も用いることができる。 As the constituent material (conductive material) of the conductor post 42, for example, Au, Ag, Cu, or a metal-based material such as an alloy containing these, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide ( Metal oxide materials such as IZO), antimony tin oxide (ATO), fluorine-containing indium tin oxide (FTO), zinc oxide (ZnO), titanium dioxide (TiO 2 ), etc. One kind or a combination of two or more kinds can be used. Furthermore, conductive polymer materials such as polythiophene and polyacetylene can also be used.

また、インターポーザー３０上には、配線パターン４１の一部（本実施形態では、辺縁部を除いた領域）を覆うように、例えばエポキシ系樹脂等の各種樹脂材料で構成される接合層６０が設けられ、この接合層６０を介して半導体チップ２０がインターポーザー３０上に支持・固定（設置）されている。
この半導体チップ（半導体素子）２０は、これが有する電極パッド２１と配線パターン４１のうち接合層６０で覆われていない部分が、導電性ワイヤー２２で電気的に接続されている。これにより、半導体チップ２０と各端子６０２とが電気的に接続されている。 Further, on the interposer 30, the bonding layer 60 made of various resin materials such as an epoxy resin so as to cover a part of the wiring pattern 41 (in the present embodiment, a region excluding the edge portion). The semiconductor chip 20 is supported and fixed (installed) on the interposer 30 through the bonding layer 60.
In the semiconductor chip (semiconductor element) 20, a portion of the electrode pad 21 and the wiring pattern 41 which are not covered with the bonding layer 60 is electrically connected by the conductive wire 22. Thereby, the semiconductor chip 20 and each terminal 602 are electrically connected.

そして、インターポーザー３０の上面３１側に設けられた各部材は、例えばエポキシ系樹脂等の各種樹脂材料で構成されるモールド部５０により封止されている。
かかる構成の半導体装置１０において、接合膜８０は、インターポーザー３０の下面（他方の面）３２側で接合面４３、すなわち、導体ポスト４２の下面３２側の端部に設けられている。 And each member provided in the upper surface 31 side of the interposer 30 is sealed with the mold part 50 comprised, for example with various resin materials, such as an epoxy resin.
In the semiconductor device 10 having such a configuration, the bonding film 80 is provided on the bonding surface 43 on the lower surface (the other surface) 32 side of the interposer 30, that is, on the end portion on the lower surface 32 side of the conductor post 42.

この接合膜８０が、本発明では、後述する実装方法において半導体装置１０を回路基板６００に実装する際に、回路基板６００が備える端子６０２に物理的に接合する接合膜（接着層）としての機能を発揮するとともに、半導体装置１０と回路基板６００とが電気的に接続する端子としての機能も発揮する。
このように、接合膜として優れた接着性を発揮し、かつ、端子として優れた導電性を発揮する接合膜８０は、以下のような構成となっている。 In the present invention, the bonding film 80 functions as a bonding film (adhesive layer) that is physically bonded to the terminal 602 included in the circuit board 600 when the semiconductor device 10 is mounted on the circuit board 600 in a mounting method described later. As well as a function as a terminal for electrically connecting the semiconductor device 10 and the circuit board 600.
As described above, the bonding film 80 that exhibits excellent adhesiveness as a bonding film and exhibits excellent conductivity as a terminal has the following configuration.

接合膜８０は、導体ポスト４２の接合面４３に設けることにより、導体ポスト４２と電気的に接続されており、金属錯体に含まれる金属原子と、有機成分で構成される脱離基８０３とを含むものであり（図２参照。）、後述するように、導体ポスト４２に金属錯体を含有する液状材料を供給し、この液状材料を乾燥・焼成することにより形成される。
このような接合膜８０は、エネルギーが付与されると、脱離基８０３が接合膜８０の少なくとも表面８５付近から脱離し、図３に示すように、接合膜８０の少なくとも表面８５付近に、活性手８０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜８０の表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜８０は、後述する回路基板６００が備える端子（第１の導体部）６０２に対して、強固に効率よく接合可能なものとなる。 The bonding film 80 is electrically connected to the conductor post 42 by being provided on the bonding surface 43 of the conductor post 42, and includes a metal atom contained in the metal complex and a leaving group 803 composed of an organic component. (See FIG. 2). As will be described later, a liquid material containing a metal complex is supplied to the conductor post 42, and the liquid material is dried and fired.
In such a bonding film 80, when energy is applied, the leaving group 803 is released from at least the vicinity of the surface 85 of the bonding film 80, and as shown in FIG. A hand 804 is generated. Thereby, adhesiveness is developed on the surface of the bonding film 80. When such adhesiveness is developed, the bonding film 80 can be firmly and efficiently bonded to a terminal (first conductor portion) 602 included in the circuit board 600 described later.

この接合膜８０と端子６０２との接合は、後述するように、半田ボールで構成された半田バンプを用いて行う場合とは異なり、２６０℃程度の高温下に晒すことなく行い得ることから、接合層６０が剥離すること、ひいては、半導体装置１０にクラックが生じることが確実に防止される。
また、接合膜８０は、金属錯体に含まれる金属原子と、有機成分で構成される脱離基８０３とを含むものであることから、変形し難い強固な膜となる。さらに、接合膜８０は、流動性を有さない固体状をなすものである。これらのため、接合膜８０自体が寸法精度の高いもの、すなわち、導体ポスト４２に対応するように設けられた各接合膜８０の高さをほぼ均一なものとすることができる。そのため、半導体装置１０は、後述する実装方法において、半導体装置１０を回路基板６００に実装する際に、各接合膜８０と、これに対応する端子６０２との接合を確実に行い得るものとなる。その結果、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合を、物理的かつ電気的に行うことができる。 As will be described later, the bonding film 80 and the terminal 602 can be bonded without being exposed to a high temperature of about 260 ° C., unlike the case of using solder bumps formed of solder balls. It is possible to reliably prevent the layer 60 from being peeled and, in turn, cracking in the semiconductor device 10.
In addition, the bonding film 80 includes a metal atom contained in the metal complex and a leaving group 803 composed of an organic component, so that the bonding film 80 is a strong film that is difficult to be deformed. Further, the bonding film 80 is a solid that does not have fluidity. Therefore, the bonding film 80 itself has high dimensional accuracy, that is, the height of each bonding film 80 provided so as to correspond to the conductor post 42 can be made substantially uniform. Therefore, when the semiconductor device 10 is mounted on the circuit board 600 in a mounting method described later, the semiconductor device 10 can surely bond each bonding film 80 and the corresponding terminal 602. As a result, the bonding between the conductor post 42 and the terminal 602 via the bonding film 80 can be performed physically and electrically.

さらに、金属錯体に含まれる金属原子と、有機成分で構成される接合膜８０は、優れた導電性を有している。これにより、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との電気的な接続が、特に低抵抗率なものとなる。
以上のような接合膜８０としての機能が好適に発揮されるように、金属錯体に含まれる金属原子および脱離基８０３が選択される。 Further, the bonding film 80 composed of metal atoms and organic components contained in the metal complex has excellent conductivity. As a result, the electrical connection between the conductor post 42 and the terminal 602 via the bonding film 80 is particularly low in resistivity.
The metal atom and the leaving group 803 included in the metal complex are selected so that the function as the bonding film 80 as described above is suitably exhibited.

具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Specifically, examples of the metal atom include Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Hf, Transition metal elements such as Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, various lanthanoid elements, various actinoid elements, Li, Be, Na, Mg, Al, K, Ca, Zn, Ga, Rb, Sr, Typical metal elements such as Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, Tl, Pd, Bi, and Po can be used, and one or more of these can be used in combination.

ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜８０に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜８０の導電性をより高めることができる。   Here, since the transition metal element is the only difference in the number of outermost electrons between the transition metal elements, the physical properties are similar. Transition metals generally have high hardness and melting point, and high electrical conductivity and thermal conductivity. For this reason, when a transition metal element is used as a metal atom, the adhesiveness expressed in the bonding film 80 can be further improved. In addition, the conductivity of the bonding film 80 can be further increased.

また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、ＩｎおよびＲｕのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜８０は、特に、優れた導電性を発揮するものとなる。また、金属錯体を含有する液状材料を乾燥・焼成して接合膜８０を得る際に、これらの金属原子を含む金属錯体を原材料として用いることにより、比較的容易にかつ均一な膜厚の接合膜８０を成膜することができる。   Further, when one or more of Cu, Al, Zn, Fe, In, and Ru are used as metal atoms, the bonding film 80 exhibits particularly excellent conductivity. . In addition, when the liquid material containing the metal complex is dried and fired to obtain the bonding film 80, the bonding film having a relatively uniform film thickness can be obtained by using the metal complex containing these metal atoms as a raw material. 80 can be deposited.

さらに、金属原子として、少なくとも２種の金属原子を組み合わせて用いる場合には、これらの金属原子のうち融点が低い方の金属原子は、その融点が２６０℃未満であるのが好ましい。これにより、接合膜８０と端子６０２とを接合した後に、融点が低い方の金属原子を溶融させれば、接合膜８０にエネルギーを付与することにより発現した接着性により接合膜８０と端子６０２との接合強度をより向上させることができる。   Further, when a combination of at least two metal atoms is used as the metal atom, the metal atom having the lower melting point among these metal atoms preferably has a melting point of less than 260 ° C. Thus, after the bonding film 80 and the terminal 602 are bonded, if the metal atom having a lower melting point is melted, the bonding film 80 and the terminal 602 are bonded to each other due to the adhesiveness developed by applying energy to the bonding film 80. The bonding strength can be further improved.

このことは、融点が低い方の金属原子を溶融状態とすることにより、融点が低い方の金属原子が接合膜８０中を拡散し、融点が高い方の金属原子の周りを取り囲むように配置し、その結果、融点が低い方の金属原子と融点が低い方の金属原子との接触面積が増大することによるものと考えられる。
また、融点が低い方の金属原子として、その融点が２６０℃未満であるものを選択すれば、接合膜８０を加熱する温度を、半田ボールで構成された半田バンプを用いて行う場合よりも低く設定することができるので、半導体装置１０にクラックが生じてしまうのを的確に防止または抑制することができる。そのため、半導体装置１０は、回路基板６００に対してより高い信頼性をもって接続し得るものとなる。 This is because the metal atom having the lower melting point is placed in a molten state so that the metal atom having the lower melting point diffuses in the bonding film 80 and surrounds the metal atom having the higher melting point. As a result, it is considered that the contact area between the metal atom having the lower melting point and the metal atom having the lower melting point is increased.
Further, if a metal atom having a lower melting point is selected that has a melting point lower than 260 ° C., the temperature for heating the bonding film 80 is lower than that in the case of using solder bumps composed of solder balls. Since it can be set, the occurrence of cracks in the semiconductor device 10 can be accurately prevented or suppressed. Therefore, the semiconductor device 10 can be connected to the circuit board 600 with higher reliability.

かかる観点から、融点が低い方の金属原子の融点は２６０℃未満であればよいが、１４０〜１８０℃程度であるのが好ましい。これにより、接合膜８０と端子６０２との接合強度を向上させつつ、半導体装置１０にクラックが生じてしまうのをより的確に防止または抑制することができる。
このような融点が１４０〜１８０℃程度である金属原子としては、例えば、インジウム、セレンおよびリチウム等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの金属原子を用いれば、前述したような効果を確実に得ることができる。 From this viewpoint, the melting point of the metal atom having the lower melting point may be less than 260 ° C., but is preferably about 140 to 180 ° C. Thereby, it is possible to more accurately prevent or suppress the occurrence of cracks in the semiconductor device 10 while improving the bonding strength between the bonding film 80 and the terminal 602.
Examples of such metal atoms having a melting point of about 140 to 180 ° C. include indium, selenium, and lithium, and one or more of these can be used in combination. If these metal atoms are used, the above-described effects can be reliably obtained.

また、脱離基８０３は、前述したように、接合膜８０から脱離することにより、接合膜８０に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基８０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜８０に確実に結合しているものが好適に選択される。   In addition, the leaving group 803 behaves so as to generate an active hand in the bonding film 80 by detaching from the bonding film 80 as described above. Accordingly, the leaving group 803 is relatively easily and uniformly desorbed by being given energy, but is securely bonded to the bonding film 80 so as not to be desorbed when no energy is given. Those are preferably selected.

具体的には、脱離基８０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基８０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基８０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜８０の接着性をより高度なものとすることができる。   Specifically, as the leaving group 803, an atomic group containing a carbon atom as an essential component and containing at least one of a hydrogen atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom and a halogen atom is preferably selected. Is done. Such a leaving group 803 is relatively excellent in selectivity for binding / leaving due to energy application. For this reason, such a leaving group 803 can sufficiently satisfy the above-described necessity, and the adhesiveness of the bonding film 80 can be made higher.

より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基８０３は、特に、アルキル基を含むのが好ましい。アルキル基を含む脱離基８０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基８０３としてアルキル基を備える接合膜８０は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。 More specifically, examples of the atomic group (group) include an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, and a carboxyl group, and the end of the alkyl group is an isocyanate group. And those terminated with a group, an amino group, a sulfonic acid group, and the like.
Among the atomic groups as described above, the leaving group 803 particularly preferably includes an alkyl group. Since the leaving group 803 including an alkyl group has high chemical stability, the bonding film 80 including an alkyl group as the leaving group 803 has excellent weather resistance and chemical resistance.

また、かかる構成の接合膜８０において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜８０の安定性が高くなり、接合膜８０を端子６０２に対してより確実に接合することができる。また、接合膜８０をより優れた導電性を発揮するものとすることができる。   In the bonding film 80 having such a configuration, the abundance ratio of metal atoms to oxygen atoms is preferably about 3: 7 to 7: 3, and more preferably about 4: 6 to 6: 4. By setting the abundance ratio of metal atoms and carbon atoms to be in the above range, the stability of the bonding film 80 is increased, and the bonding film 80 can be bonded to the terminal 602 more reliably. Further, the bonding film 80 can exhibit more excellent conductivity.

また、接合膜８０の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜８０の平均厚さを前記範囲内とすることにより、接合膜８０の寸法精度が著しく低下するのを防止して、接合膜８０を端子６０２に対してより確実に接合することができる。
すなわち、接合膜８０の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られず、端子６０２との接合が行われないおそれがある。一方、接合膜８０の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合膜８０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。 The average thickness of the bonding film 80 is preferably about 50 to 1000 nm, and more preferably about 100 to 800 nm. By setting the average thickness of the bonding film 80 within the above range, the dimensional accuracy of the bonding film 80 can be prevented from significantly lowering, and the bonding film 80 can be bonded to the terminal 602 more reliably.
That is, when the average thickness of the bonding film 80 is less than the lower limit value, sufficient bonding strength cannot be obtained, and bonding to the terminal 602 may not be performed. On the other hand, when the average thickness of the bonding film 80 exceeds the upper limit, the dimensional accuracy of the bonding film 80 may be significantly reduced.

さらに、接合膜８０の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜８０にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、導体ポスト４２の接合面４３（接合膜８０に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜８０を接合させることができる。その結果、接合膜８０は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、半導体装置１０を回路基板６００に実装する際に、接合膜８０の端子６０２に対する密着性を高めることができる。   Furthermore, if the average thickness of the bonding film 80 is within the above range, a certain degree of shape followability is ensured for the bonding film 80. For this reason, for example, even when unevenness is present on the bonding surface 43 (surface adjacent to the bonding film 80) of the conductor post 42, the bonding is performed so as to follow the shape of the unevenness depending on the height of the unevenness. The membrane 80 can be bonded. As a result, the bonding film 80 can absorb the unevenness and reduce the height of the unevenness generated on the surface. When the semiconductor device 10 is mounted on the circuit board 600, the adhesion of the bonding film 80 to the terminal 602 can be improved.

なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜８０の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、前記範囲内で、接合膜８０の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような導体ポスト４２に接合して設けられた接合膜８０は、本発明では、導体ポスト４２に、金属錯体を含有する液状材料を供給し、この液状材料を乾燥・焼成することにより形成される。 Note that the degree of the shape followability as described above becomes more prominent as the thickness of the bonding film 80 increases. Therefore, in order to sufficiently ensure the shape followability, the thickness of the bonding film 80 should be as large as possible within the above range.
In the present invention, the bonding film 80 provided by bonding to the conductor post 42 as described above is supplied by supplying a liquid material containing a metal complex to the conductor post 42, and drying and baking this liquid material. It is formed.

以下、このような金属錯体を含有する液状材料を用いた接合膜８０の形成方法について説明する。
［１Ａ］まず、金属錯体を含有する液状材料を、導体ポスト４２上に対して選択的に供給し、この液状材料中に含まれる溶媒を除去し乾燥させることにより、導体ポスト４２上に乾燥被膜を形成する。 Hereinafter, a method for forming the bonding film 80 using a liquid material containing such a metal complex will be described.
[1A] First, a liquid material containing a metal complex is selectively supplied onto the conductor post 42, and the solvent contained in the liquid material is removed and dried to dry the coating film on the conductor post 42. Form.

液状材料を導体ポスト４２上に供給する方法としては、導体ポスト４２上に対して選択的に供給し得るものであれば、特に限定されないが、特に、液滴吐出法を用いるのが好ましい。液滴吐出法によれば、液状材料を液滴として導体ポスト４２の表面に供給することができるため、たとえ導体ポスト４２の形状が微細なものであったとしても、液状材料を導体ポスト４２の形状に対応して確実に供給することができる。   The method for supplying the liquid material onto the conductor post 42 is not particularly limited as long as it can be selectively supplied onto the conductor post 42. In particular, it is preferable to use a droplet discharge method. According to the droplet discharge method, the liquid material can be supplied to the surface of the conductor post 42 as a droplet. Therefore, even if the shape of the conductor post 42 is fine, the liquid material is removed from the conductor post 42. It can be reliably supplied according to the shape.

液滴吐出法としては、特に限定されないが、圧電素子による振動を利用して液状材料を吐出する構成のインクジェット法が好適に用いられる。インクジェット法によれば、目的とする領域（位置）に、液状材料を液滴として、優れた位置精度で供給することができる。また、圧電素子の振動数および液状材料の粘度等を適宜設定することにより、液滴のサイズ（大きさ）を、比較的容易に調整できることから、液滴のサイズを小さくすれば、導体ポスト４２の形状に対応してより確実に液状材料を供給することができる。   The droplet discharge method is not particularly limited, but an ink jet method in which a liquid material is discharged using vibration by a piezoelectric element is preferably used. According to the ink jet method, a liquid material can be supplied as droplets to a target region (position) with excellent positional accuracy. Further, by appropriately setting the frequency of the piezoelectric element, the viscosity of the liquid material, and the like, the size (size) of the droplet can be adjusted relatively easily. Therefore, if the size of the droplet is reduced, the conductor post 42 is reduced. The liquid material can be supplied more reliably corresponding to the shape.

液状材料の粘度（２５℃）は、通常、３〜１０ｍＰａ・ｓ程度であるのが好ましく、４〜８ｍＰａ・ｓ程度であるのがより好ましい。液状材料の粘度をかかる範囲とすることにより、液滴の吐出をより安定的に行うことができるとともに、導体ポスト４２の形状に対応して描画し得る大きさの液滴を吐出することができる。さらに、この液状材料を乾燥・焼成させた際に、接合膜８０を形成するのに十分な量の金属錯体を液状材料中に含有したものとすることができる。   The viscosity (25 ° C.) of the liquid material is usually preferably about 3 to 10 mPa · s, and more preferably about 4 to 8 mPa · s. By setting the viscosity of the liquid material in such a range, it is possible to discharge droplets more stably, and it is possible to discharge droplets having a size that can be drawn according to the shape of the conductor post 42. . Furthermore, when this liquid material is dried and fired, a sufficient amount of a metal complex for forming the bonding film 80 can be contained in the liquid material.

また、液状材料の粘度をかかる範囲内とすれば、具体的には、液滴の量（液状材料の１滴の量）を、平均で、０．１〜４０ｐＬ程度に、より現実的には１〜３０ｐＬ程度に設定し得る。これにより、導体ポスト４２上に供給された際の液滴の着弾径が小さなものとなることから、導体ポスト４２が微細な形状のものであったとしても、この形状に対応した接合膜８０を確実に形成することができる。   In addition, if the viscosity of the liquid material is within such a range, specifically, the amount of droplets (the amount of one droplet of the liquid material) is about 0.1 to 40 pL on average, more realistically. It can be set to about 1 to 30 pL. Thereby, since the landing diameter of the droplet when supplied onto the conductor post 42 becomes small, even if the conductor post 42 has a fine shape, the bonding film 80 corresponding to this shape is formed. It can be reliably formed.

さらに、導体ポスト４２に供給する液滴の供給量を適宜設定することにより、形成される接合膜８０の厚さの制御を比較的容易に行うことができる。
なお、液滴吐出法としては、インクジェット法に限定されず、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用してインクを吐出するバブルジェット法（「バブルジェット」は登録商標）を液滴吐出法として用いるようにしてもよい。バブルジェット法によってもインクジェット法と同様の効果が得られる。 Furthermore, the thickness of the bonding film 80 to be formed can be controlled relatively easily by appropriately setting the supply amount of droplets supplied to the conductor posts 42.
The droplet discharge method is not limited to the ink jet method, and a bubble jet method (“Bubble Jet” is a registered trademark) that discharges ink using thermal expansion of a material by an electrothermal conversion element is a droplet discharge method. You may make it use as. The bubble jet method can provide the same effect as the ink jet method.

液状材料は、前述のように金属錯体を含有し、この金属錯体を材料中に溶解または分散するための溶媒または分散剤を含有するものである。
金属錯体を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、特に限定されず、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、ブチルアミン、ドデシルアミンのようなアミン系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。 The liquid material contains a metal complex as described above, and contains a solvent or a dispersant for dissolving or dispersing the metal complex in the material.
The solvent or dispersion medium for dissolving or dispersing the metal complex is not particularly limited, and examples thereof include inorganic solvents such as ammonia, water, hydrogen peroxide, carbon tetrachloride, and ethylene carbonate, methyl ethyl ketone (MEK), acetone, and the like. Ketone solvents, alcohol solvents such as methanol, ethanol, isobutanol, ether solvents such as diethyl ether and diisopropyl ether, amine solvents such as butylamine and dodecylamine, cellosolve solvents such as methyl cellosolve, hexane, pentane Aliphatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene and benzene, aromatic heterocyclic solvents such as pyridine, pyrazine and furan, amides such as N, N-dimethylformamide (DMF) Solvents, dichloromethane, chloroform, etc. Rogen compound solvents, ester solvents such as ethyl acetate and methyl acetate, sulfur compound solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO) and sulfolane, nitrile solvents such as acetonitrile, propionitrile and acrylonitrile, formic acid and trifluoroacetic acid Various organic solvents such as organic acid solvents, mixed solvents containing these, and the like can be used.

金属錯体は、液状材料中に含まれ、本工程において、この液状材料を乾燥させることにより形成される乾燥被膜の主材料として構成する。
この金属錯体としては、形成すべき接合膜８０の種類に応じて適宜選択され、特に限定されるものではないが、例えば、ビス（２，６−ジメチル−２−（トリメチルシリロキシ）−３，５−ヘプタジオナト）銅（II）（Ｃｕ（ＳＯＰＤ）２；Ｃ２４Ｈ４６ＣｕＯ６Ｓｉ２）、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］、ビス（ジピバロイルメタナイト）銅［Ｃｕ（ＤＰＭ）２、ＤＭＰ：Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２］、ビス（ジピバロイルメタナイト）インジウム［Ｉｎ（ＤＰＭ）２］、トリス（ジピバロイルメタナイト）イリジウム［Ｉｒ（ＤＰＭ）３］、トリス（ジピバロイルメタナイト）イットリウム［Ｙ（ＤＰＭ）３］、トリス（ジピバロイルメタナイト）ガドリニウム［Ｇｄ（ＤＰＭ）３］、ビス（イソブチルピバロイルメタナイト）銅［Ｃｕ（ＩＢＰＭ）２、ＩＢＭＰ：Ｃ１０Ｈ１７Ｏ２］トリス（イソブチルピバロイルメタナイト）ルテニウム［Ｒｕ（ＩＢＰＭ）３］、ビス（ジイソブチリルメタナイト）銅［Ｃｕ（ＤＩＢＭ）２、ＤＩＢＭ：Ｃ９Ｈ１５Ｏ２］のようなβジケトン系錯体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）のようなキノリノール系錯体、銅フタロシアニンのようなフタロシアニン系錯体、トリフルオロ酢酸銅、トリフルオロ酢酸イットリウム、テレフタル酸銅錯体のようなカルボン酸塩系錯体および下記一般式（１）で表わされるギ酸銅錯体等が挙げられる。これらの中でも、βジケトン系錯体を用いるのが好ましい。βジケトン系錯体は、比較的各種溶媒に対して高い溶解性を示すものが多いので、βジケトン系錯体および溶媒の組み合わせを適宜選択することにより、目的とする膜厚を有する接合膜８０を形成するのに十分な量のβジケトン系錯体を溶媒中に溶解させることができる。 The metal complex is contained in a liquid material, and is configured as a main material of a dry film formed by drying the liquid material in this step.
The metal complex is appropriately selected according to the kind of the bonding film 80 to be formed, and is not particularly limited. For example, bis (2,6-dimethyl-2- (trimethylsilyloxy) -3, 5-heptadionato) copper (II) (Cu (SOPD) 2 ; C 24 H 46 CuO 6 Si 2 ), 2,4-pentadionate-copper (II), Cu (hexafluoroacetylacetonate) (vinyltrimethylsilane) ) [Cu (hfac) (VTMS)], Cu (hexafluoroacetylacetonate) (2-methyl-1-hexen-3-ene) [Cu (hfac) (MHY)], Cu (perfluoroacetylacetonate) (Vinyl trimethylsilane) [Cu (pfac) (VTMS)], Cu (perfluoroacetylacetonate) (2-methyl-1-hexe) 3-ene) [Cu (pfac) (MHY )], bis (di-pivaloyl meth night) copper [Cu (DPM) 2, DMP : C 11 H 19 O 2], bis (di-pivaloyl meth night) indium [In (DPM) 2 ], tris (dipivaloylmethanite) iridium [Ir (DPM) 3 ], tris (dipivaloylmethanite) yttrium [Y (DPM) 3 ], tris (dipivaloylmethanite) Gadolinium [Gd (DPM) 3 ], bis (isobutylpivaloylmethanite) copper [Cu (IBPM) 2 , IBMP: C 10 H 17 O 2 ] tris (isobutylpivaloylmethanite) ruthenium [Ru (IBPM) 3 ] , Β-diketones such as bis (diisobutyrylmethanite) copper [Cu (DIBM) 2 , DIBM: C 9 H 15 O 2 ] Quinolinol complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ), tris (4-methyl-8quinolinolate) aluminum (III) (Almq 3 ), (8-hydroxyquinoline) zinc (Znq 2 ) Phthalocyanine complexes such as copper phthalocyanine, copper trifluoroacetate, yttrium trifluoroacetate, carboxylate complexes such as copper terephthalate complex, and copper formate complexes represented by the following general formula (1). Among these, it is preferable to use a β-diketone complex. Since many β-diketone complexes have a relatively high solubility in various solvents, a bonding film 80 having a desired film thickness is formed by appropriately selecting a combination of a β-diketone complex and a solvent. A sufficient amount of β-diketone complex can be dissolved in the solvent.

Figure 0005035133
［上記一般式（１）中、Ｃｕは２価の銅、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を示す。］
Figure 0005035133
 [In the general formula (1), Cu represents divalent copper, and R 1 and R 2 each represents an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent. ]

なお、一般式（１）中のＲ１およびＲ２のそれぞれの脂肪族炭化水素基は、飽和の脂肪族炭化水素基または不飽和の脂肪族炭化水素基が挙げられる。
飽和の脂肪族炭化水素基としては、アルキル基が挙げられる。例えば、アルキル基として、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、ノナデシル基などの直鎖アルキル基、イソブチル基、１−メチルヘキシル基、１−メチルオクチル基、１−メチルデシル基、１−メチルドデシル基、１−エチルドデシル基、１−メチルヘキサデシル基、１−メチルノナデシル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１，１−ジメチルヘキシル基、１，１−ジメチルオクチル基、１，１−ジメチルデシル基、１，１−ジメチルドデシル基、１，１−ジメチルヘキサデシル基、１，１−ジメチルノナデシル基などの分岐アルキル基が挙げられる。 In addition, as for each aliphatic hydrocarbon group of R < 1 > and R < 2 > in General formula (1), a saturated aliphatic hydrocarbon group or an unsaturated aliphatic hydrocarbon group is mentioned.
Examples of the saturated aliphatic hydrocarbon group include an alkyl group. For example, as an alkyl group, a butyl group, a hexyl group, an octyl group, a decyl group, a dodecyl group, a hexadecyl group, a nonadecyl group or the like linear alkyl group, an isobutyl group, a 1-methylhexyl group, a 1-methyloctyl group, 1- Methyldecyl group, 1-methyldodecyl group, 1-ethyldodecyl group, 1-methylhexadecyl group, 1-methylnonadecyl group, tert-butyl group, 1,1-dimethylhexyl group, 1,1-dimethyloctyl group, 1, Examples thereof include branched alkyl groups such as 1-dimethyldecyl group, 1,1-dimethyldodecyl group, 1,1-dimethylhexadecyl group and 1,1-dimethylnonadecyl group.

不飽和の脂肪族炭化水素基としては、アルケニル基またはアルキニル基が挙げられる。 例えば、アルケニル基として、１−ブテニル基、１−ヘキセニル基、１−オクテニル基、１−デセニル基、１−ドデセニル基、１−ヘキサデセニル基、１−ノナデセニル基などの直鎖アルケニル基、イソブテニル基、１−メチル−１−ヘキセニル基、１−メチル−１−オクテニル基、１−メチル−１−デセニル基、１−メチル−１−ドデセニル基、１−メチル−１−ヘキサデセニル基、ｓｅｃ−ブテニル基、１，１−ジメチル−２−ヘキセニル基、１，１−ジメチル−３−オクテニル基、１，１−ジメチル−４−デセニル基、１，１−ジメチル−５−ドデセニル基、１，１−ジメチル−６−ヘキサデセニル基などの分岐アルケニル基が挙げられる。   Examples of the unsaturated aliphatic hydrocarbon group include an alkenyl group and an alkynyl group. For example, as an alkenyl group, a linear alkenyl group such as 1-butenyl group, 1-hexenyl group, 1-octenyl group, 1-decenyl group, 1-dodecenyl group, 1-hexadecenyl group, 1-nonadecenyl group, isobutenyl group, 1-methyl-1-hexenyl group, 1-methyl-1-octenyl group, 1-methyl-1-decenyl group, 1-methyl-1-dodecenyl group, 1-methyl-1-hexadecenyl group, sec-butenyl group, 1,1-dimethyl-2-hexenyl group, 1,1-dimethyl-3-octenyl group, 1,1-dimethyl-4-decenyl group, 1,1-dimethyl-5-dodecenyl group, 1,1-dimethyl- Examples include branched alkenyl groups such as 6-hexadecenyl group.

例えば、アルキニル基として、２−ブチニル基、２−ヘキシニル基、２−オクチニル基、２−デシニル基、２−ドデシニル基、２−ヘキサデシニル基、２−ノナデシニル基などの直鎖アルキニル基、イソブチニル基、１−メチル−２−ヘキシニル基、１−メチル−２−オクチニル基、１−メチル−２−デシニル基、１−メチル−２−ドデシニル基、１−メチル−２−ヘキサデシニル基、１，１−ジメチル−２−ヘキシニル基、１，１−ジメチル−３−オクチニル基、１，１−ジメチル−４−デシニル基、１，１−ジメチル−５−ドデシニル基、１，１−ジメチル−６−ヘキサデシニル基などの分岐アルキニル基などが挙げられる。   For example, as the alkynyl group, a linear alkynyl group such as a 2-butynyl group, a 2-hexynyl group, a 2-octynyl group, a 2-decynyl group, a 2-dodecynyl group, a 2-hexadecynyl group, a 2-nonadecynyl group, an isobutynyl group, 1-methyl-2-hexynyl group, 1-methyl-2-octynyl group, 1-methyl-2-decynyl group, 1-methyl-2-dodecynyl group, 1-methyl-2-hexadecynyl group, 1,1-dimethyl 2-hexynyl group, 1,1-dimethyl-3-octynyl group, 1,1-dimethyl-4-decynyl group, 1,1-dimethyl-5-dodecynyl group, 1,1-dimethyl-6-hexadecynyl group, etc. And a branched alkynyl group.

上記のような金属錯体を用いることにより、次工程［２Ａ］において、乾燥被膜を焼成して接合膜８０を形成する際に、金属錯体中に含まれる有機物を、その一部を接合膜８０中に残存させつつ、金属錯体中から除去する（脱離させる）ことができる。
また、液状材料を乾燥させる際の温度は、金属錯体の種類、および、液状材料に含まれる溶媒または分散剤の種類によっても若干異なるが、２５〜１００℃程度であるのが好ましく、２５〜７５℃程度であるのがより好ましい。
液状材料を乾燥させる時間は、０．５〜４８時間程度であるのが好ましく、１５〜３０時間程度であるのがより好ましい。 By using the metal complex as described above, when forming the bonding film 80 by baking the dry film in the next step [2A], a part of the organic matter contained in the metal complex is contained in the bonding film 80. It can be removed (desorbed) from the metal complex while remaining in the metal.
In addition, the temperature at which the liquid material is dried slightly varies depending on the type of the metal complex and the type of the solvent or dispersant contained in the liquid material, but is preferably about 25 to 100 ° C. It is more preferable that the temperature is about ° C.
The time for drying the liquid material is preferably about 0.5 to 48 hours, more preferably about 15 to 30 hours.

さらに、液状材料を乾燥させる際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのがより好ましい。減圧雰囲気下とする場合、減圧の程度は、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
液状材料を乾燥させる際の条件を上記のように設定することにより、液状材料中から溶媒または分散媒を除去して、主として金属錯体で構成される乾燥被膜を導体ポスト４２上に確実に形成することができる。 Furthermore, the pressure of the atmosphere when drying the liquid material may be under atmospheric pressure, but more preferably under reduced pressure. In the case of a reduced pressure atmosphere, the degree of pressure reduction is preferably about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −4 Torr, and more preferably about 1 × 10 −6 to 1 × 10 −5 Torr. .
By setting the conditions for drying the liquid material as described above, the solvent or dispersion medium is removed from the liquid material, and a dry film mainly composed of a metal complex is reliably formed on the conductor post 42. be able to.

［２Ａ］次に、導体ポスト４２上に設けられた乾燥被膜を焼成する。
これにより、乾燥被膜中の金属錯体に含まれる有機物が、その一部を残存させた状態で、金属錯体中から除去される。その結果、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜８０がインターポーザー３０上に形成されることなく導体ポスト４２上に選択的に形成される。 [2A] Next, the dry film provided on the conductor post 42 is fired.
Thereby, the organic substance contained in the metal complex in the dry film is removed from the metal complex in a state in which a part thereof remains. As a result, the bonding film 80 including the metal atom and the leaving group composed of the organic component is selectively formed on the conductor post 42 without being formed on the interposer 30.

このように金属錯体を含む乾燥被膜を焼成して接合膜８０を得る方法では、乾燥被膜を焼成した際に、接合膜８０中で残存している前記有機物の一部が脱離基８０３として機能する。このように、本発明では、接合膜８０を成膜する際に膜中に残存する有機物の一部（残存物）を脱離基８０３として用いる構成となっているので、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、金属錯体を含有する液状材料を乾燥・焼成するという比較的簡単な工程で接合膜８０を成膜することができる。   As described above, in the method of firing the dry film containing the metal complex to obtain the bonding film 80, a part of the organic substance remaining in the bonding film 80 functions as the leaving group 803 when the dry film is fired. To do. As described above, in the present invention, when the bonding film 80 is formed, a part of the organic substance (residue) remaining in the film is used as the leaving group 803. There is no need to introduce a leaving group, and the bonding film 80 can be formed by a relatively simple process of drying and baking a liquid material containing a metal complex.

なお、金属錯体を用いて形成された接合膜８０に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基８０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基８０３として機能するものであってもよい。
また、乾燥被膜を焼成する際の温度は、金属錯体の種類によっても若干異なるが、７０〜２００℃程度であるのが好ましく、１００〜１５０℃程度であるのがより好ましい。 Note that part of the organic substance remaining in the bonding film 80 formed using the metal complex may function as the leaving group 803, or part of the organic substance may serve as the leaving group 803. It may function.
Moreover, although the temperature at the time of baking a dry film changes a little also with the kind of metal complex, it is preferable that it is about 70-200 degreeC, and it is more preferable that it is about 100-150 degreeC.

乾燥被膜を焼成する時間は、０．５〜４８時間程度であるのが好ましく、１５〜３０時間程度であるのがより好ましい。
かかる条件で乾燥被膜を焼成することにより、金属錯体に含まれる有機物が、その一部を残存させた状態で、金属錯体中から確実に除去されるため、その表面にエネルギーを付与することにより接着性が好適に発現する接合膜８０を確実に形成することができる。 The time for firing the dry film is preferably about 0.5 to 48 hours, more preferably about 15 to 30 hours.
By firing the dry film under such conditions, the organic matter contained in the metal complex is reliably removed from the metal complex in a state in which a portion of the organic substance remains, so that adhesion is achieved by applying energy to the surface. Therefore, it is possible to reliably form the bonding film 80 in which the properties are suitably expressed.

さらに、乾燥被膜を焼成する際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのがより好ましい。減圧雰囲気下とする場合、減圧の程度は、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜８０の膜密度が緻密化して、接合膜８０をより優れた膜強度を有するものとすることができる。 Furthermore, the pressure of the atmosphere when firing the dry film may be under atmospheric pressure, but is more preferably under reduced pressure. In the case of a reduced pressure atmosphere, the degree of pressure reduction is preferably about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −4 Torr, and more preferably about 1 × 10 −6 to 1 × 10 −5 Torr. . Thereby, the film density of the bonding film 80 is densified, and the bonding film 80 can have more excellent film strength.

また、乾燥被膜を焼成する際の雰囲気は、特に限定されないが、窒素、アルゴン、ヘリウムのような不活性ガス雰囲気であるのが好ましい。これにより、金属錯体中に含まれる有機物のほぼ全てが除去されることなく、すなわち、導体ポスト４２上に純粋な金属膜が形成されることなく、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で接合膜８０を形成することができる。その結果、接合膜および導電膜としての双方の特性に優れた接合膜８０を形成することができる。   Moreover, the atmosphere at the time of baking a dry film is although it does not specifically limit, It is preferable that it is inert gas atmosphere like nitrogen, argon, and helium. As a result, almost all of the organic matter contained in the metal complex is not removed, that is, a pure metal film is not formed on the conductor post 42, and a part of the organic matter contained in the metal complex remains. In this state, the bonding film 80 can be formed. As a result, it is possible to form the bonding film 80 having excellent characteristics as both the bonding film and the conductive film.

なお、金属錯体として、２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、雰囲気中に、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜８０に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜８０を成膜することができる。その結果、この接合膜８０は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。   When a metal complex containing an oxygen atom in its molecular structure such as 2,4-pentadionate-copper (II) or [Cu (hfac) (VTMS)] is used in the atmosphere It is preferable to add hydrogen gas. Thereby, the reducibility with respect to oxygen atoms can be improved, and the bonding film 80 can be formed without excessive oxygen atoms remaining in the bonding film 80. As a result, the bonding film 80 has a low abundance of metal oxide in the film, and exhibits excellent conductivity.

以上のようにして、導体ポスト４２の接合面４３に対して導電性を有する接合膜８０を電気的に接続した状態で形成することができる。
なお、導体ポスト４２の接合面４３には、上記の方法により接合膜８０を形成するのに先立って、導体ポスト４２の構成材料に応じて、あらかじめ、導体ポスト４２と接合膜８０との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。 As described above, the conductive bonding film 80 can be formed in a state of being electrically connected to the bonding surface 43 of the conductor post 42.
Prior to forming the bonding film 80 on the bonding surface 43 of the conductor post 42 by the above-described method, the adhesion between the conductor post 42 and the bonding film 80 is determined in advance according to the constituent material of the conductor post 42. It is preferable to apply a surface treatment that enhances the thickness.

かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、導体ポスト４２の接合面４３を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、接合膜８０と導体ポスト４２との接合を確実に行うことができる。   Examples of the surface treatment include physical surface treatment such as sputtering treatment and blast treatment, plasma treatment using oxygen plasma, nitrogen plasma, etc., corona discharge treatment, etching treatment, electron beam irradiation treatment, ultraviolet irradiation treatment, ozone Examples include chemical surface treatment such as exposure treatment, or a combination of these. By performing such treatment, the joint surface 43 of the conductor post 42 can be cleaned and the region can be activated. Thereby, the joining film 80 and the conductor post 42 can be reliably joined.

また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜８０を形成するために、インターポーザー３０の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施す接合面４３が、導電性高分子材料で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、導体ポスト４２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜８０の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる導体ポスト４２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属酸化物系材料等を主材料とするものが挙げられる。 Further, by using plasma treatment among these surface treatments, the surface of the interposer 30 can be particularly optimized in order to form the bonding film 80.
In addition, when the joining surface 43 to which surface treatment is performed is made of a conductive polymer material, corona discharge treatment, nitrogen plasma treatment, and the like are particularly preferably used.
Further, depending on the constituent material of the conductor post 42, there is a material in which the bonding strength of the bonding film 80 is sufficiently high without performing the surface treatment as described above. As a constituent material of the conductor post 42 that can obtain such an effect, for example, a material mainly composed of various metal oxide-based materials as described above can be cited.

このような材料で構成された導体ポスト４２は、接合面４３が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された導体ポスト４２を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、導体ポスト４２と端子６０２とを接合膜８０を介して強固に接合することができる。
なお、この場合、導体ポスト４２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面４３の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。 The conductor post 42 made of such a material has a bonding surface 43 covered with an oxide film, and a relatively active hydroxyl group is bonded to the surface of the oxide film. Therefore, when the conductor post 42 made of such a material is used, the conductor post 42 and the terminal 602 can be firmly bonded via the bonding film 80 without performing the surface treatment as described above. .
In this case, the entire conductor post 42 does not have to be made of the material as described above, and at least the vicinity of the surface of the joint surface 43 only needs to be made of the material as described above.

以上のようにして、導体ポスト４２の接合面４３に接合膜８０を設けることができる。
なお、上記では、接合膜８０を導体ポスト４２の接合面４３に設ける構成について説明したが、接合膜８０は、端子６０２に設けるようにしてもよい。この場合、端子６０２の表面に、予め、前述したような表面処理を設けるようにすれば、前述したような効果が同様に得られる。 As described above, the bonding film 80 can be provided on the bonding surface 43 of the conductor post 42.
In the above description, the bonding film 80 is provided on the bonding surface 43 of the conductor post 42. However, the bonding film 80 may be provided on the terminal 602. In this case, if the surface treatment as described above is provided in advance on the surface of the terminal 602, the effect as described above can be obtained similarly.

なお、かかる構成の半導体装置１０において、インターポーザー（基板）３０と、導体ポスト（第２の導体部）と、導電性を有する接合膜８０とにより本発明の接合膜付き回路基板が構成される。
さらに、接合膜８０は、導体ポスト４２と端子６０２の双方に設けるようにしてもよい。なお、この場合、表面処理は、導体ポスト４２と端子６０２の双方に行ってもよく、いずれか一方に選択的に行うようにしてもよい。 In the semiconductor device 10 having such a configuration, the interposer (substrate) 30, the conductor post (second conductor portion), and the conductive bonding film 80 constitute the circuit board with the bonding film of the present invention. .
Further, the bonding film 80 may be provided on both the conductor post 42 and the terminal 602. In this case, the surface treatment may be performed on both the conductor post 42 and the terminal 602, or may be selectively performed on one of them.

次に、上述した半導体装置の製造方法（接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合方法）について説明する。
図４および図５は、それぞれ、図１に示す半導体装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。なお、以下では説明の都合上、図４および図５中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device described above (a method for bonding the conductor post 42 and the terminal 602 via the bonding film 80) will be described.
4 and 5 are diagrams for explaining a method (manufacturing process) of the semiconductor device shown in FIG. In the following, for convenience of explanation, the upper side in FIGS. 4 and 5 is referred to as “upper” or “upper”, and the lower side is referred to as “lower” or “lower”.

［１Ｂ］まず、インターポーザー３０となる基板を用意し、ビア３３を形成することにより、インターポーザー３０を得る（図４（ａ）参照）。
ビア３３は、基板の上面に、ビア３３に対応する領域に窓部を有するレジストマスクを形成し、このレジストマスクを介して、基板をエッチングすることにより形成することができる。
エッチング方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 [1B] First, a substrate to be the interposer 30 is prepared, and the via 33 is formed to obtain the interposer 30 (see FIG. 4A).
The via 33 can be formed by forming a resist mask having a window portion in a region corresponding to the via 33 on the upper surface of the substrate and etching the substrate through the resist mask.
As an etching method, for example, one or a combination of two or more of plasma etching, reactive ion etching, beam etching, optical assist etching, and the like can be used.

［２Ｂ］次に、前記工程［１Ｂ］で得られたインターポーザー３０のビア３３内に導体ポスト４２を形成し、次いで、インターポーザー３０の一方の面に、配線パターン４１を形成する（図４（ｂ）参照）。
導体ポスト４２は、例えば、導電性材料を含有する液状導電材料（ペースト）を、ビア３３内に供給した後、乾燥さらには必要に応じて焼成することにより形成することができる。 [2B] Next, a conductor post 42 is formed in the via 33 of the interposer 30 obtained in the step [1B], and then a wiring pattern 41 is formed on one surface of the interposer 30 (FIG. 4). (See (b)).
The conductor post 42 can be formed, for example, by supplying a liquid conductive material (paste) containing a conductive material into the via 33, and then drying and firing as necessary.

なお、前記液状導電材料としては、例えば、銀ペースト、ＩＴＯ粒子のような金属酸化物粒子の分散液等を用いることができる。
また、前記液状導電材料をビア３３内に供給する方法としては、例えば、液滴吐出法（インクジェット法）、スピンコート法、マイクロコンタクトプリンティング法のような各種塗布法等が挙げられるが、特に、インクジェット法を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、液状導電材料を容易かつ確実にビア３３内に供給することができる。 As the liquid conductive material, for example, a silver paste, a dispersion of metal oxide particles such as ITO particles, or the like can be used.
Examples of a method for supplying the liquid conductive material into the via 33 include various coating methods such as a droplet discharge method (inkjet method), a spin coating method, and a micro contact printing method. It is preferable to use an inkjet method. According to the ink jet method, the liquid conductive material can be supplied into the via 33 easily and reliably.

なお、導体ポスト４２は、かかる形成方法の他、気相成膜法を用いて形成することも可能である。
また、配線パターン４１は、インターポーザー３０の上面全体に、導電膜を形成した後、この導電膜上に配線パターン４１に対応するマスクを形成し、このマスクを介して、導電膜の不要部分を除去することによって形成することができる。 The conductor post 42 can be formed using a vapor phase film forming method in addition to such a forming method.
In addition, after forming a conductive film on the entire upper surface of the interposer 30, the wiring pattern 41 forms a mask corresponding to the wiring pattern 41 on the conductive film, and an unnecessary portion of the conductive film is formed through the mask. It can be formed by removing.

導電膜を形成する方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等が挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、導電膜の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the method for forming the conductive film include chemical vapor deposition (CVD) such as plasma CVD, thermal CVD, and laser CVD, vacuum deposition, sputtering (low temperature sputtering), dry plating methods such as ion plating, electrolytic plating, Examples thereof include wet plating methods such as immersion plating and electroless plating, thermal spraying methods, sol-gel methods, MOD methods, bonding of metal foils, and the like, and these can be used alone or in combination.
For removing the conductive film, for example, one or more of physical etching methods such as plasma etching, reactive ion etching, beam etching, and optically assisted etching, and chemical etching methods such as wet etching are used. Can be used in combination.

［３Ｂ］次に、導体ポスト４２の接合面４３に電気的に接続するように、前述したような接合膜の形成方法を用いて、接合膜８０を形成する（図４（ｃ）参照）。
［４Ｂ］次に、インターポーザー３０の配線パターン４１を形成した上面３１に、その辺縁部を除いて接合層６０を形成する（図４（ｄ）参照）。
接合層６０は、インターポーザー３０の上面に、辺縁部を覆うようにマスクを形成し、そして、このマスクを介して、例えば樹脂接着剤を供給することによって形成した後、マスクを除去することにより得ることができる。
樹脂接着剤の供給方法としては、例えば、前述の液状導電材料の供給方法と同様の方法を挙げることができる。 [3B] Next, the bonding film 80 is formed using the bonding film forming method as described above so as to be electrically connected to the bonding surface 43 of the conductor post 42 (see FIG. 4C).
[4B] Next, the bonding layer 60 is formed on the upper surface 31 on which the wiring pattern 41 of the interposer 30 is formed, excluding the edge (see FIG. 4D).
The bonding layer 60 is formed by forming a mask on the upper surface of the interposer 30 so as to cover the edge portion, and is formed by supplying, for example, a resin adhesive through the mask, and then the mask is removed. Can be obtained.
As a method for supplying the resin adhesive, for example, a method similar to the method for supplying the liquid conductive material described above can be used.

［５Ｂ］次に、接合層６０に、半導体チップ２０を固着し、半導体チップ２０に設けられた電極パッド２１と、配線パターン４１とを電気的に接続する（図５（ｅ）参照）。
半導体チップ２０の固着は、例えば、接合層６０の上に、半導体チップ２０を載置し、接合層６０を硬化することにより行われる。
また、電極パッド２１と配線パターン４１との電気的な接続は、半導体チップ２０の電極パッド２１と、接合層６０から露出する配線パターン４１とを導電性ワイヤー２２で接続（ワイヤボンディング）することにより行われる。 [5B] Next, the semiconductor chip 20 is fixed to the bonding layer 60, and the electrode pads 21 provided on the semiconductor chip 20 and the wiring pattern 41 are electrically connected (see FIG. 5E).
The semiconductor chip 20 is fixed by, for example, placing the semiconductor chip 20 on the bonding layer 60 and curing the bonding layer 60.
The electrical connection between the electrode pad 21 and the wiring pattern 41 is achieved by connecting (wire bonding) the electrode pad 21 of the semiconductor chip 20 and the wiring pattern 41 exposed from the bonding layer 60 with a conductive wire 22. Done.

［６Ｂ］次に、インターポーザー３０上に、上面３１側に設けられた各部材を覆うようにモールド部５０を形成する（図５（ｆ）参照）。
モールド部５０は、例えば、インターポーザー３０が搬入された成型金型内に、溶融状態の樹脂を充填し、仮硬化した後、成型金型からインターポーザー３０を取り出し、樹脂を完全に硬化させることによって形成することができる。
以上のようにして、本発明の電子デバイスが適用された半導体装置１０すなわち本発明の接合膜付き回路基板を備える半導体装置１０を得ることができる。 [6B] Next, the mold part 50 is formed on the interposer 30 so as to cover each member provided on the upper surface 31 side (see FIG. 5F).
For example, the mold unit 50 fills a melted resin into a molding die into which the interposer 30 is carried and temporarily cures the resin, and then removes the interposer 30 from the molding die and completely cures the resin. Can be formed.
As described above, the semiconductor device 10 to which the electronic device of the present invention is applied, that is, the semiconductor device 10 including the circuit board with the bonding film of the present invention can be obtained.

＜実装方法＞
次に、上述した半導体装置１０を、導体部を備える回路基板に、本発明の接合膜付き回路基板の接合方法を用いて、実装（接続）する方法について説明する。
＜＜第１実装方法＞＞
まず、半導体装置１０の第１実装方法について説明する。
図６は、図１に示す半導体装置を回路基板に実装する第１実装方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下では、説明の都合上、図６中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。 <Mounting method>
Next, a method for mounting (connecting) the above-described semiconductor device 10 to a circuit board having a conductor portion by using the method for bonding a circuit board with a bonding film of the present invention will be described.
<< First mounting method >>
First, a first mounting method of the semiconductor device 10 will be described.
FIG. 6 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a first mounting method for mounting the semiconductor device shown in FIG. 1 on a circuit board. In the following, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 6 is referred to as “upper” or “upper”, and the lower side is referred to as “lower” or “lower”.

［Ｓ１］まず、本発明の接合膜付き回路基板を備える半導体装置１０を用意し、接合膜８０の表面８５に対して（インターポーザー３０の他方の面３２全体にわたって）、エネルギーを付与する。
ここで、接合膜８０にエネルギーを付与すると、接合膜８０では、脱離基８０３の結合手が切れて接合膜８０の表面８５付近から脱離し、脱離基８０３が脱離した後には、活性手が接合膜８０の表面８５付近に生じる。これにより、接合膜８０の表面８５に、端子６０２との接着性が発現する。 [S1] First, the semiconductor device 10 including the circuit board with the bonding film of the present invention is prepared, and energy is applied to the surface 85 of the bonding film 80 (over the entire other surface 32 of the interposer 30).
Here, when energy is applied to the bonding film 80, in the bonding film 80, after the bond of the leaving group 803 is cut and released from the vicinity of the surface 85 of the bonding film 80 and the leaving group 803 is released, the bonding film 80 is activated. A hand is generated near the surface 85 of the bonding film 80. Thereby, the adhesiveness with the terminal 602 is expressed on the surface 85 of the bonding film 80.

このような状態の接合膜８０は、後工程［Ｓ３］において、化学的結合に基づいて、端子６０２と強固に接合可能なものとなる。
ここで、接合膜８０に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜８０にエネルギー線を照射する方法、接合膜８０を加熱する方法、接合膜８０に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜８０をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜８０をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜８０にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜８０にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜８０に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。 The bonding film 80 in such a state can be firmly bonded to the terminal 602 based on chemical bonding in the post-process [S3].
Here, the energy applied to the bonding film 80 may be applied using any method. For example, a method of irradiating the bonding film 80 with energy rays, a method of heating the bonding film 80, and bonding Examples thereof include a method of applying compressive force (physical energy) to the film 80, a method of exposing the bonding film 80 to plasma (applying plasma energy), a method of exposing the bonding film 80 to ozone gas (applying chemical energy), and the like. It is done. In particular, in this embodiment, as a method for applying energy to the bonding film 80, it is particularly preferable to use a method of irradiating the bonding film 80 with energy rays. Since this method can apply energy to the bonding film 80 relatively easily and efficiently, it is preferably used as a method for applying energy.

このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図６（ａ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜８０中の脱離基８０３を確実に脱離させることができる。これにより、接合膜８０の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜８０に接着性を確実に発現させることができる。 Among these, as energy rays, for example, light such as ultraviolet rays and laser beams, X-rays, γ rays, electron beams, particle beams such as ion beams, etc., or a combination of two or more of these energy rays Is mentioned.
Among these energy rays, it is particularly preferable to use ultraviolet rays having a wavelength of about 126 to 300 nm (see FIG. 6A). With the ultraviolet rays within such a range, the amount of energy applied is optimized, so that the leaving group 803 in the bonding film 80 can be reliably removed. As a result, the bonding film 80 can reliably exhibit adhesiveness while preventing the characteristics (mechanical characteristics, chemical characteristics, etc.) of the bonding film 80 from deteriorating.

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基８０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜８０の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜８０との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。 Further, since ultraviolet rays can be processed in a short time without unevenness, the leaving group 803 can be efficiently removed. Furthermore, ultraviolet rays also have the advantage that they can be generated with simple equipment such as UV lamps.
The wavelength of the ultraviolet light is more preferably about 126 to 200 nm.
In the case of using the UV lamp, the output may vary depending on the area of the bonding film 80 is preferably from 1mW / cm 2 ~1W / cm 2 or so, at 5mW / cm 2 ~50mW / cm 2 of about More preferably. In this case, the separation distance between the UV lamp and the bonding film 80 is preferably about 3 to 3000 mm, and more preferably about 10 to 1000 mm.

また、紫外線を照射する時間は、接合膜８０の表面８５付近の脱離基８０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜８０に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜８０が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜８０の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。   The time for irradiating with ultraviolet rays is preferably set to a time that allows the leaving group 803 near the surface 85 of the bonding film 80 to be removed, that is, a time that the bonding film 80 is not irradiated with ultraviolet rays more than necessary. . Thereby, it is possible to effectively prevent the bonding film 80 from being deteriorated or deteriorated. Specifically, although it varies slightly depending on the amount of ultraviolet light, the constituent material of the bonding film 80, etc., it is preferably about 0.5 to 30 minutes, more preferably about 1 to 10 minutes.

また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜８０のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜８０の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜８０の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。 Moreover, although an ultraviolet-ray may be irradiated continuously in time, you may irradiate intermittently (pulse form).
On the other hand, examples of the laser light include a pulsed laser (pulse laser) such as an excimer laser, a continuous wave laser such as a carbon dioxide laser, and a semiconductor laser. Among these, a pulse laser is preferably used. In the pulse laser, heat hardly accumulates with time in the portion of the bonding film 80 irradiated with the laser light, so that deterioration and deterioration of the bonding film 80 due to the accumulated heat can be reliably prevented. That is, according to the pulse laser, it is possible to prevent the heat accumulated in the bonding film 80 from being affected.

また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜８０に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。   The pulse width of the pulse laser is preferably as short as possible in consideration of the influence of heat. Specifically, the pulse width is preferably 1 ps (picosecond) or less, and more preferably 500 fs (femtosecond) or less. When the pulse width is within the above range, the influence of heat generated in the bonding film 80 due to laser light irradiation can be accurately suppressed. A pulse laser having a pulse width as small as the above range is called a “femtosecond laser”.

また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基８０３を接合膜８０の表面８５付近から確実に切断することができる。 The wavelength of the laser light is not particularly limited, but is preferably about 200 to 1200 nm, and more preferably about 400 to 1000 nm.
In the case of a pulse laser, the peak output of the laser light varies depending on the pulse width, but is preferably about 0.1 to 10 W, and more preferably about 1 to 5 W.
Furthermore, the repetition frequency of the pulse laser is preferably about 0.1 to 100 kHz, and more preferably about 1 to 10 kHz. By setting the frequency of the pulse laser within the above range, the temperature of the portion irradiated with the laser light is remarkably increased, and the leaving group 803 can be reliably cut from the vicinity of the surface 85 of the bonding film 80.

なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基８０３を接合膜８０から確実に切断することができる。   The various conditions of such laser light are such that the temperature of the portion irradiated with the laser light is preferably from room temperature (room temperature) to about 600 ° C., more preferably about 200 to 600 ° C., and even more preferably 300 to 400 ° C. It is preferable to adjust as appropriate. As a result, the temperature of the portion irradiated with the laser light is significantly increased, and the leaving group 803 can be reliably cut from the bonding film 80.

また、接合膜８０に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜８０の表面８５に合わせた状態で、この表面８５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面８５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜８０の表面８５に存在する脱離基８０３を選択的に脱離させることができる。   In addition, it is preferable that the laser light applied to the bonding film 80 is scanned along the surface 85 in a state where the focal point is aligned with the surface 85 of the bonding film 80. Thereby, the heat generated by the laser light irradiation is locally accumulated in the vicinity of the surface 85. As a result, the leaving group 803 present on the surface 85 of the bonding film 80 can be selectively removed.

また、接合膜８０に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。   Further, the irradiation of the energy beam to the bonding film 80 may be performed in any atmosphere, and specifically, the atmosphere, an oxidizing gas atmosphere such as oxygen, a reducing gas atmosphere such as hydrogen, nitrogen, An inert gas atmosphere such as argon or a reduced pressure (vacuum) atmosphere in which these atmospheres are decompressed may be mentioned, and it is particularly preferable to perform in an air atmosphere. Thereby, it is not necessary to spend time and cost to control the atmosphere, and irradiation of energy rays can be performed more easily.

このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜８０の表面８５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行える。そのため、ろう材で構成される半田ボールを用いて端子と接合する場合のように半導体装置１０を高温下（２６０℃程度）に晒す必要がないため、インターポーザー３０および接合膜８０の変質・劣化、さらには、接合層６０における剥離の発生が確実に防止され、ひいては、得られる半導体装置１０におけるクラックの発生等に起因する変質・劣化が確実に防止される。   Thus, according to the method of irradiating energy rays, it is possible to easily apply energy selectively to the vicinity of the surface 85 of the bonding film 80. Therefore, there is no need to expose the semiconductor device 10 to a high temperature (about 260 ° C.) as in the case of bonding to a terminal using a solder ball made of a brazing material, so that the interposer 30 and the bonding film 80 are altered and deteriorated. Furthermore, the occurrence of peeling in the bonding layer 60 is reliably prevented, and as a result, alteration and deterioration due to the occurrence of cracks and the like in the obtained semiconductor device 10 are reliably prevented.

また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜８０から脱離する脱離基８０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基８０３の脱離量を調整することにより、接合膜８０と端子６０２との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基８０３の脱離量を多くすることにより、接合膜８０の表面８５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜８０に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基８０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜８０の表面８５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜８０に発現する接着性を抑えることができる。 Moreover, according to the method of irradiating energy rays, the magnitude of energy to be applied can be easily adjusted with high accuracy. For this reason, it is possible to adjust the desorption amount of the leaving group 803 desorbed from the bonding film 80. By adjusting the amount of elimination of the leaving group 803 in this way, the bonding strength between the bonding film 80 and the terminal 602 can be easily controlled.
That is, by increasing the amount of elimination of the leaving group 803, more active hands are generated in the vicinity of the surface 85 of the bonding film 80, so that the adhesiveness expressed in the bonding film 80 can be further increased. On the other hand, by reducing the amount of elimination of the leaving group 803, the number of active hands generated in the vicinity of the surface 85 of the bonding film 80 can be reduced, and the adhesiveness developed in the bonding film 80 can be suppressed.

なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。 In addition, in order to adjust the magnitude | size of the energy to provide, what is necessary is just to adjust conditions, such as the kind of energy beam, the output of an energy beam, the irradiation time of an energy beam.
Furthermore, according to the method of irradiating energy rays, a large amount of energy can be applied in a short time, so that the energy can be applied more efficiently.

ここで、エネルギーが付与される前の接合膜８０は、図２に示すように、その表面８５付近に脱離基８０３を有している。かかる接合膜８０にエネルギーを付与すると、脱離基８０３（図２では、メチル基）が接合膜８０から脱離する。これにより、図３に示すように、接合膜８０の表面８５に活性手８０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜８０の表面に接着性が発現する。   Here, the bonding film 80 before energy is applied has a leaving group 803 near the surface 85 as shown in FIG. When energy is applied to the bonding film 80, the leaving group 803 (methyl group in FIG. 2) is released from the bonding film 80. As a result, as shown in FIG. 3, active hands 804 are generated on the surface 85 of the bonding film 80 and activated. As a result, adhesiveness is developed on the surface of the bonding film 80.

ここで、本明細書中において、接合膜８０が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜８０の表面８５および内部の脱離基８０３が脱離して、接合膜８０の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜８０が「活性化された」状態と言うこととする。   Here, in this specification, the state in which the bonding film 80 is “activated” means that the surface 85 of the bonding film 80 and the internal leaving group 803 are desorbed as described above, and the structure of the bonding film 80 is determined. In addition to the state in which an unterminated bond hand (hereinafter also referred to as “unbonded hand” or “dangling bond”) occurs in the atom, this unbonded hand is terminated by a hydroxyl group (OH group). Furthermore, the bonding film 80 is referred to as an “activated” state including a state in which these states are mixed.

したがって、活性手８０４とは、図３に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手８０４が存在するようにすれば、接合膜８０に対して、端子６０２をより確実に接合することが可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜８０に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。 Therefore, the active hand 804 means an unbonded hand (dangling bond) or an unbonded hand terminated with a hydroxyl group as shown in FIG. If such an active hand 804 is present, the terminal 602 can be more reliably bonded to the bonding film 80.
The latter state (state in which dangling bonds are terminated by a hydroxyl group) is obtained by, for example, irradiating the bonding film 80 with energy rays in the atmospheric air so that moisture in the atmosphere terminates the dangling bonds. Therefore, it is easily generated.

また、本実装方法では、接合膜８０と端子６０２とを接着する（接合する）前に、予め、接合膜８０に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、接合膜８０と端子６０２とを接合する（接合膜８０上に端子６０２を搭載する）際、または貼り合わせた（接合膜８０上に端子６０２を搭載する）後に行うようにしてもよい。なお、このような場合については、後述する第２実装方法において説明する。   Further, in this mounting method, the case where energy is applied to the bonding film 80 in advance before bonding (bonding) the bonding film 80 and the terminal 602 is described. The bonding film 80 and the terminal 602 may be bonded (the terminal 602 is mounted on the bonding film 80) or after the bonding (the terminal 602 is mounted on the bonding film 80). Such a case will be described in a second mounting method described later.

［Ｓ２］次に、図６（ｂ）に示すような回路基板６００を用意する。
本実施形態では、回路基板６００は、配線パターン（図示せず）が形成された平板状の基体（基板）６０１と、配線パターンに接続された複数の端子（第１の導体部）６０２とを有している。
次いで、前記工程［Ｓ１］において、接合膜８０に対してエネルギーを付与された半導体装置１０を、図６（ｃ）に示すように、活性化させた接合膜８０と端子６０２の表面とが当接するようにして、半導体装置１０と回路基板６００とを重ね合わせることにより、接合膜８０を端子６０２に接触させる。これにより、前記工程［Ｓ１］において、接合膜８０が端子６０２に対する接着性が発現していることから、接合膜８０と端子６０２とが化学的に結合することとなり、接合膜８０が端子６０２に接着する。その結果、接合膜８０を介して、導体ポスト４２と端子６０２とが物理的かつ電気的に接続される。 [S2] Next, a circuit board 600 as shown in FIG. 6B is prepared.
In the present embodiment, the circuit board 600 includes a flat substrate (substrate) 601 on which a wiring pattern (not shown) is formed, and a plurality of terminals (first conductor portions) 602 connected to the wiring pattern. Have.
Next, in the step [S1], the activated bonding film 80 and the surface of the terminal 602 are applied to the semiconductor device 10 to which energy is applied to the bonding film 80, as shown in FIG. The bonding film 80 is brought into contact with the terminal 602 by overlapping the semiconductor device 10 and the circuit board 600 so as to be in contact with each other. Accordingly, in the step [S1], since the bonding film 80 exhibits adhesion to the terminal 602, the bonding film 80 and the terminal 602 are chemically bonded, and the bonding film 80 is bonded to the terminal 602. Glue. As a result, the conductor post 42 and the terminal 602 are physically and electrically connected via the bonding film 80.

ここで、本工程において、接合膜８０と端子６０２とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、端子６０２の接合膜８０との接合に供される領域に、水酸基が露出していると、本工程において、接合膜８０と端子６０２とが接触するように、接合膜８０上に端子６０２を搭載したとき、接合膜８０の表面８５に存在する水酸基と、端子６０２に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜８０と端子６０２とが接合されると推察される。 Here, a mechanism for bonding the bonding film 80 and the terminal 602 in this step will be described.
For example, if a hydroxyl group is exposed in a region of the terminal 602 that is used for bonding with the bonding film 80, the terminal 602 is placed on the bonding film 80 so that the bonding film 80 and the terminal 602 come into contact with each other in this step. Is mounted, the hydroxyl group present on the surface 85 of the bonding film 80 and the hydroxyl group present on the terminal 602 attract each other by hydrogen bonding, and an attractive force is generated between the hydroxyl groups. It is assumed that the bonding film 80 and the terminal 602 are bonded by this attractive force.

また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜８０と端子６０２との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜８０と端子６０２とが接合されると推察される。
以上のようにして、回路基板６００上に半導体装置１０が実装（搭載）される。 Further, the hydroxyl groups attracting each other by the hydrogen bond are cleaved from the surface with dehydration condensation depending on the temperature condition or the like. As a result, at the contact interface between the bonding film 80 and the terminal 602, the bonds in which the hydroxyl groups are bonded are bonded. Thereby, it is assumed that the bonding film 80 and the terminal 602 are bonded.
As described above, the semiconductor device 10 is mounted (mounted) on the circuit board 600.

なお、接合膜８０中に、少なくとも２種の金属原子が含まれる場合には、接合膜８０と端子６０２とを接続した後に、これらのうち融点が低い方の金属原子の融点付近の温度で接合膜８０を加熱する。これにより、融点が低い方の金属原子と融点が低い方の金属原子との接触面積が増大することに起因して、接合膜８０と端子６０２との接合強度をより向上させることができる。   When the bonding film 80 includes at least two kinds of metal atoms, after the bonding film 80 and the terminal 602 are connected, the bonding is performed at a temperature near the melting point of the metal atom having the lower melting point. The membrane 80 is heated. Accordingly, the bonding strength between the bonding film 80 and the terminal 602 can be further improved due to an increase in the contact area between the metal atom having the lower melting point and the metal atom having the lower melting point.

このようにして得られた半導体装置１０が実装された回路基板６００では、半田ボールと端子６０２との接合のように、物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜８０と端子６０２とが接合されている。このため、半導体装置１０を回路基板６００上に短時間で実装することができ、かつ、接合膜８０が端子６０２から極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。   In the circuit board 600 on which the semiconductor device 10 obtained in this manner is mounted, it is not a bond based on a physical bond, such as a bond between a solder ball and a terminal 602, but a strong bond that occurs in a short time such as a covalent bond. Based on such chemical bonding, the bonding film 80 and the terminal 602 are bonded. For this reason, the semiconductor device 10 can be mounted on the circuit board 600 in a short time, and the bonding film 80 is very difficult to peel from the terminal 602, and bonding unevenness or the like hardly occurs.

さらに、半田ボールと端子６０２との接合のように、半導体装置１０を高温下（２６０℃程度）に晒す必要がないため、インターポーザー３０および接合膜８０の変質・劣化、さらには、接合層６０における剥離の発生が確実に防止され、ひいては、半導体装置１０におけるクラックの発生等に起因する変質・劣化が確実に防止される。
また、接合膜８０自体が、優れた導電性を有し、電導体（配線）としての機能も発揮するものであることから、絶縁性の接着剤を用いて接合した場合とは異なり、接着剤中に銀粒子等の導電体を含有させることなく、導体ポスト４２および端子６０２間での導通を確実に得ることができる。 Further, unlike the bonding between the solder ball and the terminal 602, it is not necessary to expose the semiconductor device 10 to a high temperature (about 260 ° C.), so that the interposer 30 and the bonding film 80 are deteriorated and deteriorated, and further, the bonding layer 60. The occurrence of delamination is reliably prevented, and as a result, the alteration and deterioration due to the occurrence of cracks in the semiconductor device 10 are reliably prevented.
In addition, since the bonding film 80 itself has excellent conductivity and also functions as a conductor (wiring), the adhesive is different from the case of bonding using an insulating adhesive. Conductivity between the conductor post 42 and the terminal 602 can be reliably obtained without containing a conductor such as silver particles therein.

さらに、接合膜８０を介して導体ポスト４２と端子６０２とを接合しているため、導体ポスト４２や端子６０２の構成材料に制約がないという利点も得られ、導体ポスト４２および端子６０２の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
また、前記工程［Ｓ１］で活性化された接合膜８０の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［Ｓ１］の終了後、できるだけ早く本工程［Ｓ２］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［Ｓ１］の終了後、６０分以内に本工程［Ｓ２］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜８０の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜８０上に端子６０２を搭載したとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。 Further, since the conductor post 42 and the terminal 602 are bonded via the bonding film 80, there is an advantage that there is no restriction on the constituent material of the conductor post 42 and the terminal 602, and each configuration of the conductor post 42 and the terminal 602 is obtained. Each material selection range can be expanded.
Further, the active state of the surface of the bonding film 80 activated in the step [S1] is gradually reduced. For this reason, it is preferable to perform this process [S2] as soon as possible after completion of the process [S1]. Specifically, after the completion of the step [S1], the step [S2] is preferably performed within 60 minutes, and more preferably within 5 minutes. Within this time, the surface of the bonding film 80 maintains a sufficiently active state, so that when the terminal 602 is mounted on the bonding film 80 in this step, sufficient bonding strength is obtained between them. Can do.

換言すれば、活性化させる前の接合膜８０は、脱離基８０３を備えた状態で化学的に比較的安定な膜であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜８０は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜８０が形成された半導体装置１０を多量に製造または購入して保存しておき、本実装方法を行う直前に、必要な個数のみに前記工程［Ｓ１］に記載したエネルギーの付与を行う構成とすることは、半導体装置１０の保存上の観点から現実的である。   In other words, the bonding film 80 before being activated is a chemically relatively stable film having a leaving group 803 and is excellent in weather resistance. For this reason, the bonding film 80 before being activated is suitable for long-term storage. Therefore, a large amount of the semiconductor device 10 on which such a bonding film 80 is formed is manufactured or purchased and stored, and the energy described in the step [S1] is applied to only a necessary number immediately before performing this mounting method. From the viewpoint of storage of the semiconductor device 10, it is realistic to adopt a configuration in which the above-described provision is performed.

なお、以上説明したような回路基板６００が備える端子６０２には、導体ポスト４２と同様に、端子６０２の構成材料に応じて、接合を行う前に、あらかじめ、端子６０２と接合膜８０との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜８０と端子６０２との接合強度をより高めることができる。
また、表面処理としては、導体ポスト４２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
さらに、端子６０２を接合する際、または、端子６０２を接合した後に、必要に応じ、以下の２つの工程（［Ｓ３Ａ］および［Ｓ３Ｂ］）のうちの少なくとも一方の工程（導体ポスト４２と端子６０２との接合をより確実にするための工程）を行うようにしてもよい。これにより、導体ポスト４２と端子６０２との接合がより確実なものなる。 Note that the terminal 602 provided on the circuit board 600 as described above is in close contact with the terminal 602 and the bonding film 80 before bonding according to the constituent material of the terminal 602, similarly to the conductor post 42. It is preferable to perform a surface treatment for enhancing the properties. Thereby, the bonding strength between the bonding film 80 and the terminal 602 can be further increased.
Further, as the surface treatment, the same treatment as the above-described surface treatment applied to the conductor post 42 can be applied.
Furthermore, when joining the terminal 602 or after joining the terminal 602, if necessary, at least one of the following two steps ([S3A] and [S3B]) (the conductor post 42 and the terminal 602). The step for making the bonding with the more reliable) may be performed. Thereby, joining of the conductor post 42 and the terminal 602 becomes more reliable.

［Ｓ３Ａ］ 本工程では、前記工程［Ｓ２］で得られた、半導体装置１０が実装された回路基板６００を、導体ポスト４２と端子６０２とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、導体ポスト４２の表面および端子６０２の表面に、それぞれ接合膜８０の表面がより近接し、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合をより確実なものとすることができる。 [S3A] In this step, the circuit board 600 mounted with the semiconductor device 10 obtained in the step [S2] is pressed in a direction in which the conductor posts 42 and the terminals 602 approach each other.
Thereby, the surface of the bonding film 80 is closer to the surface of the conductor post 42 and the surface of the terminal 602, respectively, and the bonding of the conductor post 42 and the terminal 602 via the bonding film 80 is made more reliable. it can.

また、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加圧することにより、接合膜８０との接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合をより確実なものとすることができる。
このとき、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加圧する際の圧力は、半導体装置１０および回路基板６００が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合がより確実なものとなる。 Further, by pressurizing the circuit board 600 on which the semiconductor device 10 is mounted, the gap remaining at the bonding interface with the bonding film 80 can be crushed and the bonding area can be further expanded. As a result, the bonding between the conductor post 42 and the terminal 602 via the bonding film 80 can be made more reliable.
At this time, the pressure when pressurizing the circuit board 600 on which the semiconductor device 10 is mounted is a pressure that does not damage the semiconductor device 10 and the circuit board 600 and is preferably as high as possible. Thereby, in proportion to this pressure, the bonding between the conductor post 42 and the terminal 602 via the bonding film 80 becomes more reliable.

なお、この圧力は、導体ポスト４２および端子６０２の各構成材料、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、導体ポスト４２および端子６０２の各構成材料等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合がより確実なものとなる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、導体ポスト４２、端子６０２および半導体チップ２０等の各構成材料によっては、導体ポスト４２、端子６０２および半導体チップ２０等に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。 In addition, what is necessary is just to adjust this pressure suitably according to conditions, such as each constituent material of the conductor post 42 and the terminal 602, and a joining apparatus. Specifically, although it is slightly different depending on the constituent materials of the conductor post 42 and the terminal 602, it is preferably about 0.2 to 10 MPa, more preferably about 1 to 5 MPa. As a result, the bonding between the conductor post 42 and the terminal 602 via the bonding film 80 becomes more reliable. The pressure may exceed the upper limit, but depending on the constituent materials such as the conductor post 42, the terminal 602, and the semiconductor chip 20, the conductor post 42, the terminal 602, the semiconductor chip 20, and the like may be damaged. There is a fear.
The time for pressurization is not particularly limited, but is preferably about 10 seconds to 30 minutes. In addition, what is necessary is just to change suitably the time to pressurize according to the pressure at the time of pressurizing. Specifically, the higher the pressure applied to the circuit board 600 on which the semiconductor device 10 is mounted, the higher the bonding strength can be achieved even if the pressing time is shortened.

［Ｓ３Ｂ］ 本工程では、前記工程［Ｓ２］で得られた、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加熱する。
これにより、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合をより確実なものとすることができる。
このとき、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加熱する際の温度は、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度に設定され、より好ましくは５０〜１００℃程度に設定される。かかる範囲の低温度での加熱であれば、半導体装置１０中で接合層６０に剥離が生じるのが確実に防止される。また、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合をより確実なものとすることができる。 [S3B] In this step, the circuit board 600 mounted with the semiconductor device 10 obtained in the step [S2] is heated.
As a result, the bonding between the conductor post 42 and the terminal 602 via the bonding film 80 can be made more reliable.
At this time, the temperature when heating the circuit board 600 on which the semiconductor device 10 is mounted is not particularly limited, but is preferably set to about 25 to 100 ° C., more preferably about 50 to 100 ° C. If the heating is performed at such a low temperature, peeling of the bonding layer 60 in the semiconductor device 10 is reliably prevented. Further, the bonding between the conductor post 42 and the terminal 602 through the bonding film 80 can be made more reliable.

さらに、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［Ｓ３Ａ］、［Ｓ３Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合をさらに確実なものとすることができる。 Furthermore, the heating time is not particularly limited, but is preferably about 1 to 30 minutes.
Moreover, when performing both said process [S3A] and [S3B], it is preferable to perform these simultaneously. That is, it is preferable to heat the circuit board 600 on which the semiconductor device 10 is mounted while applying pressure. Thereby, the effect by pressurization and the effect by heating are exhibited synergistically, and the bonding between the conductor post 42 and the terminal 602 via the bonding film 80 can be further ensured.

以上のような工程を行うことにより、半導体装置１０が実装された回路基板６００における接合膜８０の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
なお、本実装方法で説明した、回路基板６００は、基体６０１上に配線パターンが形成されているものとしたが、これには限定されず、半導体チップ２０のように半導体基板上に半導体回路が形成されているものであってもよい。 By performing the steps as described above, it is possible to easily further improve the bonding strength of the bonding film 80 in the circuit board 600 on which the semiconductor device 10 is mounted.
The circuit board 600 described in this mounting method has a wiring pattern formed on the base body 601, but the present invention is not limited to this, and the semiconductor circuit is formed on the semiconductor substrate like the semiconductor chip 20. It may be formed.

＜＜第２実装方法＞＞
次に、半導体装置１０の第２実装方法について説明する。
図７は、図１に示す半導体装置の第２実装方法（製造工程）を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図７中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。 << Second mounting method >>
Next, a second mounting method of the semiconductor device 10 will be described.
FIG. 7 is a diagram for explaining a second mounting method (manufacturing process) of the semiconductor device shown in FIG. In the following, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 7 is referred to as “upper” or “upper”, and the lower side is referred to as “lower” or “lower”.

以下、第２実装方法について説明するが、前記第１実装方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実装方法では、接合膜８０と端子６０２とが接触するように、回路基板６００上に半導体装置１０を載置した後に、接合膜８０にエネルギーを付与して、接合膜８０に端子６０２を接合するようにした以外は、前記第１実装方法と同様である。 Hereinafter, the second mounting method will be described, but the description will focus on differences from the first mounting method, and description of similar matters will be omitted.
In the second mounting method, after placing the semiconductor device 10 on the circuit board 600 so that the bonding film 80 and the terminal 602 are in contact with each other, energy is applied to the bonding film 80 so that the terminal 602 is connected to the bonding film 80. Except for joining, it is the same as the first mounting method.

すなわち、本実装方法では、半導体装置１０が備える接合膜８０の表面と、回路基板６００が備える端子６０２の表面とが密着するように、回路基板６００上に半導体装置１０を載置した後、接合膜８０に対してエネルギーを付与して接合膜８０を活性化させて、接合膜８０と端子６０２とを接合させることにより、回路基板６００上に半導体装置１０を実装する。   That is, in this mounting method, after mounting the semiconductor device 10 on the circuit board 600 so that the surface of the bonding film 80 included in the semiconductor device 10 and the surface of the terminal 602 included in the circuit board 600 are in close contact, The semiconductor device 10 is mounted on the circuit substrate 600 by applying energy to the film 80 to activate the bonding film 80 and bonding the bonding film 80 and the terminal 602.

以下、半導体装置１０の第２実装方法について説明する。
［Ｓ１’］まず、半導体装置１０と、回路基板６００を用意し、その後、接合膜８０と端子６０２とが当接するように、回路基板６００と、半導体装置１０とを重ね合わせる（図７（ａ）参照。）。
［Ｓ２’］次に、図７（ｂ）に示すように、接合膜８０に対してエネルギーを付与する。接合膜８０にエネルギーが付与されると、接合膜８０に、端子６０２との接着性が発現する。これにより、接合膜８０を介して導体ポスト４２と端子６０２とが物理的かつ電気的に接続され、その結果、回路基板６００上に半導体装置１０が実装される。 Hereinafter, the second mounting method of the semiconductor device 10 will be described.
[S1 ′] First, the semiconductor device 10 and the circuit board 600 are prepared, and then the circuit board 600 and the semiconductor device 10 are overlaid so that the bonding film 80 and the terminal 602 come into contact with each other (FIG. 7A). )reference.).
[S2 ′] Next, as shown in FIG. 7B, energy is applied to the bonding film 80. When energy is applied to the bonding film 80, the bonding film 80 exhibits adhesiveness with the terminal 602. As a result, the conductor post 42 and the terminal 602 are physically and electrically connected via the bonding film 80, and as a result, the semiconductor device 10 is mounted on the circuit board 600.

ここで、接合膜８０に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実装方法で挙げたような方法で付与される。
また、本実装方法では、接合膜８０にエネルギーを付与する方法としては、特に、接合膜８０を加熱する方法、および接合膜８０に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法のうちの少なくとも一方を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜８０に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。 Here, the energy applied to the bonding film 80 may be applied by any method, for example, by the method described in the first mounting method.
In this mounting method, as a method for applying energy to the bonding film 80, at least one of a method for heating the bonding film 80 and a method for applying compressive force (physical energy) to the bonding film 80 is particularly provided. Is preferably used. Since these methods can apply energy to the bonding film 80 relatively easily and efficiently, they are suitable as energy application methods.

一方、接合膜８０を加熱することにより、接合膜８０に対してエネルギーを付与する場合には、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の低温度での加熱であれば、半導体装置１０中で接合層６０に剥離が生じるのが確実に防止される。また、接合膜８０を確実に活性化させることができる。   On the other hand, when energy is applied to the bonding film 80 by heating the bonding film 80, the heating temperature is preferably set to about 25 to 100 ° C., and set to about 50 to 100 ° C. More preferred. If the heating is performed at such a low temperature, peeling of the bonding layer 60 in the semiconductor device 10 is reliably prevented. Further, the bonding film 80 can be activated reliably.

また、加熱時間は、接合膜８０の脱離基８０３を脱離し得る程度の時間とすればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、接合膜８０は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法等の各種方法で加熱することができる。
なお、赤外線を照射する方法を用いる場合には、導体ポスト４２または端子６０２は、光吸収性を有する材料で構成されているのが好ましい。これにより、赤外線を照射された導体ポスト４２または端子６０２は、効率よく発熱する。その結果、接合膜８０を効率よく加熱することができる。 Further, the heating time may be a time that can remove the leaving group 803 of the bonding film 80, and specifically, it is about 1 to 30 minutes if the heating temperature is within the above range. preferable.
The bonding film 80 may be heated by any method, but can be heated by various methods such as a method using a heater and a method of irradiating infrared rays.
In addition, when using the method of irradiating infrared rays, it is preferable that the conductor post 42 or the terminal 602 is made of a light-absorbing material. Thereby, the conductor post 42 or the terminal 602 irradiated with infrared rays efficiently generates heat. As a result, the bonding film 80 can be efficiently heated.

また、ヒータを用いる方法を用いる場合には、導体ポスト４２または端子６０２のうちヒータを接触させる側の部材は、熱伝導性に優れた材料で構成されているのが好ましい。これにより、導体ポスト４２または端子６０２を介して、接合膜８０に対して効率よく熱を伝えることができ、接合膜８０を効率よく加熱することができる。
また、接合膜８０に圧縮力を付与することにより、接合膜８０に対してエネルギーを付与する場合には、導体ポスト４２と端子６０２とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜８０に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜８０に、端子６０２との十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、導体ポスト４２、端子６０２および半導体チップ２０等の各構成材料によっては、導体ポスト４２、端子６０２および半導体チップ２０等に損傷等が生じるおそれがある。 Moreover, when using the method using a heater, it is preferable that the member of the conductor post 42 or the terminal 602 that contacts the heater is made of a material having excellent thermal conductivity. Accordingly, heat can be efficiently transmitted to the bonding film 80 via the conductor post 42 or the terminal 602, and the bonding film 80 can be efficiently heated.
In addition, when energy is applied to the bonding film 80 by applying a compressive force to the bonding film 80, the conductor post 42 and the terminal 602 approach each other at a pressure of about 0.2 to 10 MPa. It is preferable to compress, and it is more preferable to compress at a pressure of about 1 to 5 MPa. Accordingly, moderate energy can be easily applied to the bonding film 80 simply by compression, and sufficient adhesiveness with the terminal 602 is exhibited in the bonding film 80. The pressure may exceed the upper limit, but depending on the constituent materials such as the conductor post 42, the terminal 602, and the semiconductor chip 20, the conductor post 42, the terminal 602, the semiconductor chip 20, and the like may be damaged. There is a fear.

また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
以上のようにして、半導体装置１０を回路基板６００に実装（接続）することができる。 The time for applying the compressive force is not particularly limited, but is preferably about 10 seconds to 30 minutes. In addition, what is necessary is just to change suitably the time which provides compression force according to the magnitude | size of compression force. Specifically, the time for applying the compressive force can be shortened as the compressive force increases.
As described above, the semiconductor device 10 can be mounted (connected) to the circuit board 600.

なお、本実施形態では、本発明の電子デバイスを半導体装置に適用し、本発明の接合方法を用いて、この半導体装置を回路基板上に実装（接続）する場合について説明したが、このような場合に限定されず、本発明の電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオード、半導体レーザーのような発光素子、コンデンサー、ダイオード、チップコイルのような電子部品および等に適用でき、これらを本発明の接合方法を用いて、回路基板上に接続することができる。   In the present embodiment, the case where the electronic device of the present invention is applied to a semiconductor device and the semiconductor device is mounted (connected) on a circuit board using the bonding method of the present invention has been described. The electronic device of the present invention is not limited to the case, and can be applied to an organic electroluminescence element, a light emitting element such as a light emitting diode and a semiconductor laser, an electronic component such as a capacitor, a diode, and a chip coil, and the like. It is possible to connect on the circuit board using the bonding method.

＜電子機器＞
次に、上述した半導体装置１０を備える本発明の電子機器について説明する。
なお、以下では、本発明の電子機器の一例として、携帯電話を代表に説明する。
図８は、本発明の電子機器が適用された携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
図８に示す携帯電話は、表示部１００１を備える携帯電話本体１０００を有している。携帯電話本体１０００には、例えば、上述した半導体装置１０が、表示部１００１が備える回路基板６００に搭載された状態で内蔵されており、これは、表示部１００１における画像の表示を制御する制御手段等として用いられる。 <Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus of the present invention including the semiconductor device 10 described above will be described.
In the following, a mobile phone will be described as a representative example of the electronic apparatus of the present invention.
FIG. 8 is a perspective view showing an embodiment of a mobile phone to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
A cellular phone shown in FIG. 8 has a cellular phone main body 1000 including a display unit 1001. For example, the above-described semiconductor device 10 is built in the mobile phone body 1000 in a state of being mounted on a circuit board 600 included in the display unit 1001, which is a control unit that controls display of an image on the display unit 1001. Etc.

なお、半導体装置１０は、図８で説明した携帯電話の他に、種々の電子機器に対して適用できる。
例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等にも適用できる。 Note that the semiconductor device 10 can be applied to various electronic devices in addition to the mobile phone described in FIG.
For example, TV, video camera, viewfinder type, monitor direct view type video tape recorder, laptop personal computer, car navigation device, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device , Word processors, workstations, videophones, security TV monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with touch panels (for example, cash dispensers and vending machines for financial institutions), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters) , ECG display device, ultrasonic diagnostic device, endoscope display device), fish detector, various measuring instruments, instruments (for example, vehicles, aircraft, ship instruments), flight simulator, and other various monitors, The present invention can also be applied to a projection display device such as a projector.

以上、本発明の接合膜付き回路基板、接合膜付き回路基板の接合方法、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、半導体装置（電子デバイス）を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。具体的には、前記実施形態では、半導体チップの配線パターンとがワイヤボンディングによって接続されているが、本発明の半導体装置は、半導体チップと配線パターンとがＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング）によって接合されたものであってもよい。
また、前記本実施形態では、回路基板が備える端子に接合膜を接合する場合について説明したが、接合膜を接合する部位は、回路基板が備える回路の一部、すなわち、導体部のいかなる部位であってもよい。 As described above, the circuit board with the bonding film, the bonding method of the circuit board with the bonding film, the electronic device, and the electronic apparatus of the present invention have been described based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited to these. For example, each unit included in the semiconductor device (electronic device) can be replaced with any component that can exhibit the same function. Specifically, in the embodiment, the wiring pattern of the semiconductor chip is connected by wire bonding. However, in the semiconductor device of the present invention, the semiconductor chip and the wiring pattern are bonded by TAB (tape automated bonding). It may be.
Further, in the present embodiment, the case where the bonding film is bonded to the terminal included in the circuit board has been described. However, the part where the bonding film is bonded is a part of the circuit included in the circuit board, that is, any part of the conductor portion. There may be.

本発明の電子デバイスを半導体装置に適用した場合の実施形態を示す図（縦断面図）である。It is a figure (longitudinal section) showing an embodiment at the time of applying an electronic device of the present invention to a semiconductor device. 図１に示す半導体装置が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state before energy provision of the joining film with which the semiconductor device shown in FIG. 1 is provided. 図１に示す半導体装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state after the energy provision of the joining film with which the semiconductor device shown in FIG. 1 is provided. 図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。FIG. 8 is a diagram (longitudinal sectional view) for illustrating the method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。FIG. 8 is a diagram (longitudinal sectional view) for illustrating the method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示す半導体装置を回路基板に実装する第１実装方法を説明するための図（縦断面図）である。It is a figure (vertical sectional view) for demonstrating the 1st mounting method which mounts the semiconductor device shown in FIG. 1 on a circuit board. 図１に示す半導体装置を回路基板に実装する第２実装方法を説明するための図（縦断面図）である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating the 2nd mounting method which mounts the semiconductor device shown in FIG. 1 on a circuit board. 本発明の電子機器が適用された携帯電話の実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows embodiment of the mobile telephone to which the electronic device of this invention was applied. 半田ボールを備える半導体装置の一例を示す縦断面図である。It is a longitudinal section showing an example of a semiconductor device provided with a solder ball.

符号の説明Explanation of symbols

１０……半導体装置 ２０……半導体チップ ２１……電極パッド ２２……導電性ワイヤー ３０……インターポーザー ３１……上面（一方の面） ３２……下面（他方の面） ３３……ビア ４１……配線パターン ４２……導体ポスト ４３……接合面 ５０……モールド部 ６０……接合層 ８０……接合膜 ８０３……脱離基 ８０４……活性手 ８５……表面 ６００……回路基板 ６０１……基体 ６０２……端子 ９００……半導体パッケージ ９０１……貫通孔（ビア） ９０２……インターポーザー ９０３……配線パターン ９０４……導体ポスト ９０４ａ……接合面 ９０５……バンプ ９０６……半導体チップ ９０７……接合層 １０００……携帯電話本体 １００１……表示部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor device 20 ... Semiconductor chip 21 ... Electrode pad 22 ... Conductive wire 30 ... Interposer 31 ... Upper surface (one surface) 32 ... Lower surface (other surface) 33 ... Via 41 ... ... Wiring pattern 42 ... Conductor post 43 ... Joining surface 50 ... Mold part 60 ... Joining layer 80 ... Joining film 803 ... Leaving group 804 ... Active hand 85 ... Surface 600 ... Circuit board 601 ... ... Base 602 ... Terminal 900 ... Semiconductor package 901 ... Through hole (via) 902 ... Interposer 903 ... Wiring pattern 904 ... Conductor post 904a ... Bonding surface 905 ... Bump 906 ... Semiconductor chip 907 ... ... Junction layer 1000 …… Mobile phone body 1001 …… Display

Claims (27)

第１の導体部を備える回路基板に接続して用いられ、
基板と、該基板に設けられた第２の導体部と、該第２の導体部に電気的に接続して設けられた導電性を有する接合膜とを有し、
前記接合膜は、前記第２の導体部に金属錯体を含有する液状材料を供給し、該液状材料を乾燥・焼成することにより設けられ、前記金属錯体に含まれる金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、前記第１の導体部との接着性が発現し、前記第１の導体部と前記第２の導体部とを物理的かつ電気的に接続するものであることを特徴とする接合膜付き回路基板。 Used in connection with a circuit board comprising a first conductor part,
A substrate, a second conductor portion provided on the substrate, and a conductive bonding film provided in electrical connection with the second conductor portion;
The bonding film is provided by supplying a liquid material containing a metal complex to the second conductor portion, and drying and baking the liquid material, and includes a metal atom contained in the metal complex and an organic component. And a leaving group to be
The bonding film is provided with energy in at least a part of the bonding film, so that the leaving group existing in the vicinity of the bonding film surface is desorbed from the bonding film, whereby the bonding film surface has the surface. Adhesiveness with said 1st conductor part expresses in a field, and it is what connects said 1st conductor part and said 2nd conductor part physically and electrically, Bonding film characterized by the above-mentioned Circuit board with. 前記脱離基は、前記液状材料を乾燥させた後、焼成した際に、前記金属錯体に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項１に記載の接合膜付き回路基板。   2. The circuit board with a bonding film according to claim 1, wherein the leaving group is one in which a part of an organic substance contained in the metal complex remains when the liquid material is dried and then baked. 前記焼成の際の焼成温度は、７０〜２００℃である請求項１または２に記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 1 or 2, wherein a firing temperature in the firing is 70 to 200 ° C. 前記焼成は、不活性ガス雰囲気下で行われる請求項１ないし３のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 1, wherein the firing is performed in an inert gas atmosphere. 前記焼成は、減圧下で行われる請求項１ないし４のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 1, wherein the baking is performed under reduced pressure. 前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   6. The leaving group according to claim 1, wherein the leaving group comprises a carbon atom as an essential component and an atomic group containing at least one of a hydrogen atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom and a halogen atom. A circuit board with a bonding film according to any one of the above. 前記脱離基は、アルキル基を含む請求項６に記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 6, wherein the leaving group includes an alkyl group. 前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛、鉄、インジウムおよびルテニウムのうちの少なくとも１種である請求項１ないし７のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a junction film according to claim 1, wherein the metal atom is at least one of copper, aluminum, zinc, iron, indium, and ruthenium. 前記接合膜は、少なくとも２種の前記金属原子を含有し、前記金属原子のうち融点が低い方の金属原子は、その融点が２６０℃未満である請求項１ないし８のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   The bonding according to any one of claims 1 to 8, wherein the bonding film contains at least two kinds of the metal atoms, and a metal atom having a lower melting point among the metal atoms has a melting point of less than 260 ° C. Circuit board with film. 前記融点が低い方の金属原子は、インジウム、セレンおよびリチウムのうちの少なくとも１種である請求項９に記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 9, wherein the metal atom having a lower melting point is at least one of indium, selenium, and lithium. 前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし１０のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to any one of claims 1 to 10, wherein an abundance ratio of metal atoms to carbon atoms in the bonding film is 3: 7 to 7: 3. 前記液状材料は、前記第２の導体部に液滴吐出法を用いて選択的に供給される請求項１ないし１１のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 1, wherein the liquid material is selectively supplied to the second conductor portion using a droplet discharge method. 前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし１２のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 1, wherein an active hand is generated after the leaving group present at least near the surface of the bonding film is released from the bonding film. 前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項１３に記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 13, wherein the active hand is a dangling bond or a hydroxyl group. 前記接合膜の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍである請求項１ないし１４のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 1, wherein an average thickness of the bonding film is 50 to 1000 nm. 前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしている請求項１ないし１５のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 1, wherein the bonding film is in a solid state having no fluidity. 前記第２の導体部の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１６のいずれかに記載の接合膜付き回路基板。   The surface with which the said 2nd conductor part is in contact with the said bonding film is with the bonding film in any one of Claim 1 thru | or 16 in which the surface treatment which improves adhesiveness with the said bonding film is given previously. Circuit board. 前記表面処理は、プラズマ処理である請求項１７に記載の接合膜付き回路基板。   The circuit board with a bonding film according to claim 17, wherein the surface treatment is a plasma treatment. 請求項１ないし１８のいずれかに記載の接合膜付き回路基板を用意し、前記接合膜に前記エネルギーを付与して接着性を発現させる工程と、
前記第１の導体部を備える第１の回路基板を用意し、前記接合膜付き回路基板と前記回路基板とを重ね合わせることにより、前記接合膜に発現した接着性により、前記接合膜を介して前記第１の導体部と前記第２の導体部とを物理的かつ電気的に接続する工程とを有することを特徴とする接合膜付き回路基板の接合方法。 A step of preparing a circuit board with a bonding film according to any one of claims 1 to 18, and applying the energy to the bonding film to develop adhesiveness;
A first circuit board provided with the first conductor portion is prepared, and the circuit board with the bonding film and the circuit board are overlapped with each other, and adhesiveness developed in the bonding film causes the bonding film to pass through the bonding film. A method for bonding a circuit board with a bonding film, comprising: physically and electrically connecting the first conductor portion and the second conductor portion. 請求項１ないし１８のいずれかに記載の接合膜付き回路基板と、前記第１の導体部を備える回路基板とを用意し、前記第１の導体部と前記接合膜とが当接するように、前記接合膜付き回路基板と前記回路基板とを重ね合わせる工程と、
前記接合膜に前記エネルギーを付与して接着性を発現させることにより、前記接合膜を介して前記第１の導体部と前記第２の導体部とを物理的かつ電気的に接続する工程とを有することを特徴とする接合膜付き回路基板の接合方法。 A circuit board with a bonding film according to any one of claims 1 to 18 and a circuit board having the first conductor part are prepared, and the first conductor part and the bonding film are in contact with each other. Superposing the circuit board with the bonding film and the circuit board;
Physically and electrically connecting the first conductor portion and the second conductor portion via the bonding film by applying the energy to the bonding film to develop adhesiveness. A method for bonding a circuit board with a bonding film, comprising: 前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１８のいずれかに記載の接合膜付き回路基板の接合方法。   The energy is applied by at least one of a method of irradiating the bonding film with energy rays, a method of heating the bonding film, and a method of applying a compressive force to the bonding film. 18. A method for bonding a circuit board with a bonding film according to any one of 18 above. 前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項１９に記載の接合膜付き回路基板の接合方法。   The method of bonding a circuit board with a bonding film according to claim 19, wherein the energy ray is an ultraviolet ray having a wavelength of 126 to 300 nm. 前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項１９または２０に記載の接合膜付き回路基板の接合方法。   The method for bonding a circuit board with a bonding film according to claim 19 or 20, wherein the heating temperature is 25 to 100 ° C. 前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項１９ないし２１のいずれかに記載の接合膜付き回路基板の接合方法。   The said compressive force is 0.2-10MPa, The joining method of the circuit board with a joining film in any one of Claim 19 thru | or 21. 前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項１９ないし２２のいずれかに記載の接合膜付き回路基板の接合方法。   23. The method for bonding a circuit board with a bonding film according to claim 19, wherein the application of energy is performed in an air atmosphere. 請求項１ないし１８のいずれかに記載の接合膜付き回路基板を備えることを特徴とする電子デバイス。   An electronic device comprising the circuit board with a bonding film according to claim 1. 請求項２６に記載の電子デバイスと、該電子デバイスを搭載する前記回路基板とを有し、前記電子デバイスが備える前記第２の導体部と、前記回路基板が備える前記第１の導体部とが前記接合膜を介して物理的かつ電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。   27. An electronic device according to claim 26, the circuit board on which the electronic device is mounted, the second conductor part included in the electronic device, and the first conductor part included in the circuit board. An electronic device characterized in that it is physically and electrically connected through the bonding film.
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