JP2006147646A - Method and system for forming wiring, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming wiring which can surely form the wiring in a flexible board using a drop injection method. <P>SOLUTION: The method of forming the wiring in the flexible board 1 comprises a process of fixing the flexible board 1 to a support 5, and a process of carrying the flexible board 1 and the support 5 together and performing a prescribed treatment on the flexible board 1. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線形成方法、配線形成システム、並びに電子機器に関するものである。   The present invention relates to a wiring forming method, a wiring forming system, and an electronic apparatus.

電子回路又は集積回路等に使われる配線の形成には、例えば、リソグラフィー法が用いられる。リソグラフィー法は、一般に、真空装置などの大がかりな設備と複雑な工程を必要とするだけでなく、材料使用効率が低く、製造コストが高い。さらに、配線パターンの微細化に限界がある。   For example, a lithography method is used to form a wiring used for an electronic circuit or an integrated circuit. In general, the lithography method requires not only large equipment such as a vacuum apparatus and a complicated process, but also low material use efficiency and high manufacturing cost. Furthermore, there is a limit to the miniaturization of the wiring pattern.

そこで、機能性材料を含む液体を基材に吐出して、配線パターンを直接的に描画形成する液滴吐出方式の利用が検討されている。この方法は、導電性微粒子を分散させた液体を液滴吐出ヘッドから基板に吐出して液状ラインを形成し、その後、熱処理や光処理（レーザ照射など）により液状ラインを焼成し、配線パターンを形成するものである（例えば、特許文献１参照）。この方法では、液滴吐出方式の利用により、製造工程が簡略化されるとともに、材料使用効率も高いので製造コストを低減することができ、また、配線パターンの微細化を実現しやすい。
米国特許第５１３２２４８号明細書 Therefore, the use of a droplet discharge method in which a liquid containing a functional material is discharged onto a substrate to directly draw and form a wiring pattern has been studied. In this method, a liquid in which conductive fine particles are dispersed is discharged from a droplet discharge head onto a substrate to form a liquid line, and then the liquid line is baked by heat treatment or light treatment (laser irradiation or the like) to form a wiring pattern. It forms (for example, refer patent document 1). In this method, the use of the droplet discharge method simplifies the manufacturing process, and the material use efficiency is high, so that the manufacturing cost can be reduced and the miniaturization of the wiring pattern can be easily realized.
US Pat. No. 5,132,248

液滴吐出方式を用いたパターン形成では、複数の板状基板を個別搬送する技術、いわゆる枚葉搬送方式を用いるのが一般的である。枚葉搬送方式は、基板の移動制御に関して柔軟性が比較的高いことなどから、液滴吐出方式への適用が容易である。   In pattern formation using a droplet discharge system, a technique for individually transporting a plurality of plate-like substrates, that is, a so-called single wafer transport system is generally used. The single-wafer transfer method is easy to apply to the droplet discharge method because of its relatively high flexibility with respect to substrate movement control.

これに対して、巻出しリールと巻取りリールとの間でフレキシブル基板を連続的に走行させるいわゆるリールツーリール方式（Reel to Reel System）の搬送技術がある。リールツーリール方式は、基板の移動制御に関する制限が比較的多いものの、量産性が高く、基板の薄型化に適している。   On the other hand, there is a so-called reel-to-reel system transport technology in which a flexible substrate is continuously run between an unwinding reel and a take-up reel. Although the reel-to-reel method has relatively many restrictions on the movement control of the substrate, the reel-to-reel method has high mass productivity and is suitable for thinning the substrate.

近年、カードサイズの電子機器をはじめ、各種の電子機器は、薄くかつ軽くなる傾向にある。このような電子機器の薄厚化、軽量化に伴い、これに用いられる配線基板も薄型化の傾向にあり、その基体としてフレキシブル基板が多く用いられる。   In recent years, various electronic devices including card-sized electronic devices tend to be thin and light. Along with the reduction in thickness and weight of electronic devices, wiring boards used therefor tend to be thinner, and a flexible substrate is often used as the substrate.

フレキシブル基板は、剛性が比較的低いことから、その搬送には上記リールツーリール方式を採用するのが一般的である。しかしながら、リールツーリール方式と液滴吐出法とを用いた配線形成技術は現時点で十分に確立されていない。   Since the flexible substrate has a relatively low rigidity, the reel-to-reel method is generally adopted for its conveyance. However, wiring formation technology using the reel-to-reel method and the droplet discharge method has not been sufficiently established at present.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、フレキシブル基板に対して液滴吐出方式を用いて配線を確実に形成することが可能な配線形成方法及び配線形成システムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and provides a wiring forming method and a wiring forming system capable of reliably forming a wiring on a flexible substrate using a droplet discharge method. Objective.

本発明の方法は、フレキシブル基板に配線を形成する方法であって、前記フレキシブル基板を支持体に固定する工程と、前記フレキシブル基板と前記支持体とを一体的に搬送しかつ前記フレキシブル基板に対して所定の処理を行う工程と、を有することを特徴とする。   The method of the present invention is a method of forming wiring on a flexible substrate, the step of fixing the flexible substrate to a support, the flexible substrate and the support being integrally conveyed, and the flexible substrate And performing a predetermined process.

例えば、前記所定の処理は、前記支持体に固定された前記フレキシブル基板に、液滴吐出法により液体材料を配置する工程を含む。   For example, the predetermined process includes a step of disposing a liquid material on the flexible substrate fixed to the support by a droplet discharge method.

この方法によれば、フレキシブル基板が支持体に固定されることにより、フレキシブル基板と支持体との一体物である搬送体の剛性が確保される。そして、枚葉搬送方式を採用することで、フレキシブル基板に対して液滴吐出方式を用いて配線を確実に形成することが可能となる。   According to this method, the flexible substrate is fixed to the support, whereby the rigidity of the transport body that is an integrated body of the flexible substrate and the support is ensured. By adopting the single wafer transfer method, it is possible to reliably form wiring on the flexible substrate using the droplet discharge method.

上記の方法において、前記支持体から前記フレキシブル基板を取り外す工程をさらに有してもよい。
これにより、薄型化や軽量化が図られた配線基板の提供が可能となる。
なお、これに限らず、フレキシブル基板と支持体との一体物を最終製品に使用してもよい。 Said method WHEREIN: You may further have the process of removing the said flexible substrate from the said support body.
As a result, it is possible to provide a wiring board that is reduced in thickness and weight.
However, the present invention is not limited to this, and an integrated body of a flexible substrate and a support may be used for the final product.

また上記の方法において、前記支持体は、リジット基板であり、前記固定する工程は、接着層を介して前記フレキシブル基板を前記リジット基板に貼り付ける工程を含むのが好ましい。
これにより、フレキシブル基板と支持体（リジット基板）との一体化が容易に図られるとともに、公知の様々な枚葉搬送技術の利用が可能となる。 In the above method, it is preferable that the support is a rigid substrate, and the fixing step includes a step of attaching the flexible substrate to the rigid substrate via an adhesive layer.
As a result, the flexible substrate and the support (rigid substrate) can be easily integrated, and various known single-wafer conveyance techniques can be used.

この場合、前記接着層が、光照射により接着性が低下する機能を有することにより、支持体からのフレキシブル基板の取り外すが容易となる。   In this case, since the adhesive layer has a function of reducing the adhesiveness by light irradiation, the flexible substrate can be easily detached from the support.

また、一の前記リジット基板に対して複数の前記フレキシブル基板を貼り付けることにより、生産性の向上や多品種化が図られる。   In addition, productivity can be improved and a variety of products can be achieved by attaching a plurality of flexible substrates to one rigid substrate.

この場合、複数の前記フレキシブル基板が貼り付けられた一の前記リジット基板を分割する工程をさらに有してもよい。
複数のフレキシブル基板が貼り付けられた状態で一のリジット基板を分割することにより、その分割体の剛性が確保され、以後の処理においても取り扱いが容易である。 In this case, you may further have the process of dividing | segmenting one said rigid board | substrate with which the said some flexible substrate was affixed.
By dividing one rigid substrate in a state where a plurality of flexible substrates are bonded, the rigidity of the divided body is ensured, and handling is easy in subsequent processing.

本発明のシステムは、フレキシブル基板に配線を形成するシステムであって、前記フレキシブル基板を支持体に固定する固定装置と、前記フレキシブル基板と前記支持体とを一体的に搬送しかつ前記フレキシブル基板に対して所定の処理を行う処理装置と、を備えることを特徴とする。   The system of the present invention is a system for forming a wiring on a flexible substrate, the fixing device for fixing the flexible substrate to a support, the flexible substrate and the support being integrally conveyed, and the flexible substrate. And a processing device that performs predetermined processing on the processing device.

例えば、前記処理装置は、前記支持体に固定された前記フレキシブル基板に、液滴吐出法により液体材料を配置する装置を含む。   For example, the processing apparatus includes an apparatus that disposes a liquid material on the flexible substrate fixed to the support by a droplet discharge method.

このシステムによれば、フレキシブル基板が支持体に固定されることにより、フレキシブル基板と支持体との一体物である搬送体の剛性が確保される。そして、枚葉搬送方式を採用することで、フレキシブル基板に対して液滴吐出方式を用いて配線を確実に形成することが可能となる。   According to this system, the flexible substrate is fixed to the support, whereby the rigidity of the transport body that is an integrated body of the flexible substrate and the support is ensured. By adopting the single wafer transfer method, it is possible to reliably form wiring on the flexible substrate using the droplet discharge method.

上記の装置において、前記支持体から前記フレキシブル基板を取り外す装置をさらに有する構成とすることができる。   Said apparatus WHEREIN: It can be set as the structure which further has an apparatus which removes the said flexible substrate from the said support body.

また上記の装置において、前記支持体は、リジット基板であり、前記固定装置は、接着剤を介して前記フレキシブル基板を前記リジット基板に貼り付ける装置を含む構成とすることができる。   In the above apparatus, the support may be a rigid substrate, and the fixing device may include a device for attaching the flexible substrate to the rigid substrate via an adhesive.

前記接着層は、光照射により接着性が低下する機能を有するのが好ましい。   It is preferable that the adhesive layer has a function of reducing adhesiveness by light irradiation.

本発明の電子機器は、先に記載の配線形成システムを用いて形成された配線を備えることを特徴とする。
この電子機器によれば、薄型化や軽量化が図られる。 An electronic apparatus according to the present invention includes a wiring formed using the wiring forming system described above.
According to this electronic apparatus, thickness reduction and weight reduction are achieved.

（配線形成システム）
図１は、本発明の実施形態に係る配線形成システムおよび配線形成方法の概要を示す模式図である。
図１に示すように、配線形成システム１００は、フレキシブル基板１を支持体であるリジット基板５に固定する固定装置１１０と、フレキシブル基板１とリジット基板５とを一体的に搬送しかつフレキシブル基板１に対して所定の処理を行う処理装置（液滴吐出装置１３０、膜硬化装置１４０等）と、リジット基板５からフレキシブル基板１を取り外す剥離装置１２０等を含んで構成される。 (Wiring formation system)
FIG. 1 is a schematic diagram showing an outline of a wiring forming system and a wiring forming method according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the wiring forming system 100 integrally conveys the fixing device 110 that fixes the flexible substrate 1 to the rigid substrate 5 as a support, the flexible substrate 1 and the rigid substrate 5, and the flexible substrate 1. The apparatus includes a processing apparatus (droplet discharge apparatus 130, film curing apparatus 140, etc.) that performs a predetermined process on the substrate and a peeling apparatus 120 that removes the flexible substrate 1 from the rigid substrate 5.

フレキシブル基板１としては、例えば、ポリイミドなどの樹脂材を基材とする柔軟性の高いプラスチック基板やプラスチックフィルム基板が用いられる。   As the flexible substrate 1, for example, a highly flexible plastic substrate or plastic film substrate using a resin material such as polyimide as a base material is used.

リジット基板５としては、ガラス基板、プラスチック基板、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板等、剛性の比較的高い基体が好ましく用いられる。本例では、光透過性や耐熱性が高いガラス基板やプラスチック基板（ガラスエポキシ基板等）がより好ましく用いられる。   As the rigid substrate 5, a substrate having a relatively high rigidity such as a glass substrate, a plastic substrate, a silicon substrate, a quartz substrate, a ceramic substrate, or a metal substrate is preferably used. In this example, a glass substrate or a plastic substrate (such as a glass epoxy substrate) having high light transmittance and heat resistance is more preferably used.

固定装置１１０は、内部空間の圧力が所定の真空圧に制御される真空チャンバ１１１、及びリジット基板５にフレキシブル基板１を貼り付けるための押圧機構１１２等を含む。押圧機構１１２は、ローラとリジット基板５との間にフレキシブル基板１を配置し、ローラの周面によってフレキシブル基板１をリジット基板５に押し付けるものである。固定装置１１０では、真空チャンバ１１１内の空間を真空圧に制御することによりフレキシブル基板１とリジット基板５との間から空気が排除され、押圧機構１１２によってリジット基板５にフレキシブル基板１を密着させることにより、リジット基板５にフレキシブル基板１が貼付される。   The fixing device 110 includes a vacuum chamber 111 in which the pressure in the internal space is controlled to a predetermined vacuum pressure, a pressing mechanism 112 for attaching the flexible substrate 1 to the rigid substrate 5, and the like. The pressing mechanism 112 disposes the flexible substrate 1 between the roller and the rigid substrate 5 and presses the flexible substrate 1 against the rigid substrate 5 by the peripheral surface of the roller. In the fixing device 110, air is excluded from between the flexible substrate 1 and the rigid substrate 5 by controlling the space in the vacuum chamber 111 to a vacuum pressure, and the flexible substrate 1 is brought into close contact with the rigid substrate 5 by the pressing mechanism 112. Thus, the flexible substrate 1 is attached to the rigid substrate 5.

フレキシブル基板１とリジット基板５との間には接着層５Ａが配置される。接着層５Ａの介在により、リジット基板５とフレキシブル基板１とがより強固に貼り合わされる。
この場合、接着層５Ａは、固定装置１１０による貼付動作の前に、リジット基板５の表面あるいはフレキシブル基板１の表面に予め形成されているとよい。本例では、接着層５Ａとして、所定波長の光照射により接着性が低下する機能を有するものを用いる。こうした接着層５Ａとしては、例えば、半導体チップの製造過程で用いられるダイアタッチフィルムやバックグラインドフィルム等を利用することができる。 An adhesive layer 5 </ b> A is disposed between the flexible substrate 1 and the rigid substrate 5. Due to the interposition of the adhesive layer 5A, the rigid substrate 5 and the flexible substrate 1 are bonded more firmly.
In this case, the adhesive layer 5 </ b> A may be formed in advance on the surface of the rigid substrate 5 or the surface of the flexible substrate 1 before the sticking operation by the fixing device 110. In this example, as the adhesive layer 5A, a layer having a function of reducing the adhesiveness when irradiated with light having a predetermined wavelength is used. As such an adhesive layer 5A, for example, a die attach film or a back grind film used in the process of manufacturing a semiconductor chip can be used.

剥離装置１２０は、剥離用の光を照射する照射機構１２１、及びフレキシブル基板１及びリジット基板５を個別に保持しかつ互いに離間させる不図示の取り外し機構等を含む。接着層５Ａが上記したダイアタッチフィルムやバックグラインドフィルムであると、ＵＶ光等の特定波長光を照射することにより、各フィルムの密着力が低下する。剥離装置１２０では、照射機構１２１による光照射により接着層５Ａの密着力を低下させた後に、リジット基板５からフレキシブル基板１を剥離する。これにより、所定の処理後のフレキシブル基板１がリジット基板５から取り外される。   The peeling device 120 includes an irradiation mechanism 121 that emits light for peeling, a removal mechanism (not shown) that holds the flexible substrate 1 and the rigid substrate 5 individually and separates them from each other. When the adhesive layer 5A is the above-described die attach film or back grind film, the adhesive strength of each film is reduced by irradiating with a specific wavelength light such as UV light. In the peeling device 120, the flexible substrate 1 is peeled from the rigid substrate 5 after reducing the adhesion of the adhesive layer 5 </ b> A by light irradiation by the irradiation mechanism 121. Thereby, the flexible substrate 1 after a predetermined process is removed from the rigid substrate 5.

ここで、フレキシブル基板１に対する所定の処理としては、例えば、洗浄、表面処理、描画、膜硬化の他、各種液処理やめっき処理等が挙げられる。そして、これらの処理により、フレキシブル基板１上に配線および絶縁膜などを形成することができる。
図１には、液滴吐出法によりフレキシブル基板１に液体材料を配置する液滴吐出装置１３０と、フレキシブル基板１上に形成された液体材料の膜を硬化する膜硬化装置１４０とが代表的に示されている。 Here, examples of the predetermined treatment for the flexible substrate 1 include various liquid treatments and plating treatments in addition to cleaning, surface treatment, drawing, and film curing. And by these processes, a wiring, an insulating film, etc. can be formed on the flexible substrate 1.
FIG. 1 representatively shows a droplet discharge device 130 that disposes a liquid material on the flexible substrate 1 by a droplet discharge method, and a film curing device 140 that cures a film of the liquid material formed on the flexible substrate 1. It is shown.

液滴吐出装置１３０は、フレキシブル基板１とリジット基板５との一体物（以後、必要に応じて搬送体１１と称する。）を搭載するテーブル１３１と、搬送体１１に液滴を吐出する液滴吐出ヘッド３０（インクジェットヘッド）とを主として構成されている。テーブル１３１は、搬送体１１を吸着保持するための真空吸着装置等の吸着手段が設けられている。液滴吐出ヘッド３０とテーブル１３１とを相対的に移動させながら、液滴吐出ヘッド３０に形成されたノズルから液体材料を液滴状に吐出することにより、搬送体１１（フレキシブル基板１）上に液体材料が配置され、所望パターン形状で液体材料の膜（液状ライン）が形成される。液滴吐出ヘッド３０の内部構造および動作については、後に詳述する。   The droplet discharge device 130 includes a table 131 on which an integrated body of the flexible substrate 1 and the rigid substrate 5 (hereinafter, referred to as a conveyance body 11 as necessary), and a droplet that discharges droplets onto the conveyance body 11. The discharge head 30 (inkjet head) is mainly configured. The table 131 is provided with suction means such as a vacuum suction device for holding the carrier 11 by suction. The liquid material is ejected in the form of droplets from the nozzles formed on the droplet ejection head 30 while relatively moving the droplet ejection head 30 and the table 131, whereby the carrier 11 (the flexible substrate 1) is ejected. The liquid material is arranged, and a film (liquid line) of the liquid material is formed in a desired pattern shape. The internal structure and operation of the droplet discharge head 30 will be described in detail later.

膜硬化装置１４０は、フレキシブル基板１上に形成された液状パターンの硬化（あるいは焼成）を行うものであり、本例では、フレキシブル基板１の表面にＵＶ（波長３６５ｎｍ）を光照射し、液状膜を硬化させる構成からなる。液状膜の硬化あるいは焼成は、ホットプレート、電気炉などによる熱処理の他、ランプアニールによる光照射によって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。絶縁性の材料膜を硬化することにより絶縁膜が形成される。導電性の材料膜を硬化（焼成）することにより配線膜が形成される。   The film curing device 140 is for curing (or firing) the liquid pattern formed on the flexible substrate 1. In this example, the surface of the flexible substrate 1 is irradiated with UV (wavelength 365 nm) to form a liquid film. It consists of the composition which hardens. The liquid film can be cured or baked by light irradiation by lamp annealing as well as heat treatment by a hot plate or an electric furnace. The light source used for lamp annealing is not particularly limited, but excimer laser such as infrared lamp, xenon lamp, YAG laser, argon laser, carbon dioxide laser, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc. Can be used as a light source. The insulating film is formed by curing the insulating material film. A wiring film is formed by curing (baking) the conductive material film.

なお、フレキシブル基板１上への材料配置に先立って、フレキシブル基板１の表面を洗浄あるいは改質するのが好ましい。基板洗浄は、フレキシブル基板１の表面を洗浄するものであり、例えば、フレキシブル基板１の表面を光照射する。表面改質は、フレキシブル基板１上に形成された下地膜の表面を改質するもので、例えば、フレキシブル基板１の表面を光照射する。処理条件は、紫外光の強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ、あるいは、酸素を反応ガスとするプラズマ処理や、基板をオゾン雰囲気に曝す処理との組み合わせ等によって調整することもできる。   Prior to material placement on the flexible substrate 1, it is preferable to clean or modify the surface of the flexible substrate 1. The substrate cleaning is for cleaning the surface of the flexible substrate 1, and for example, the surface of the flexible substrate 1 is irradiated with light. The surface modification is for modifying the surface of the base film formed on the flexible substrate 1. For example, the surface of the flexible substrate 1 is irradiated with light. The treatment conditions can be adjusted by a combination of ultraviolet light intensity, wavelength, heat treatment (heating), a plasma treatment using oxygen as a reactive gas, or a treatment of exposing the substrate to an ozone atmosphere.

このように、本例の配線形成システム１００では、フレキシブル基板１をリジット基板５に貼り付けた状態（搬送体１１）で流動させて、フレキシブル基板１に対して配線形成用の所定処理を行う。フレキシブル基板１は柔軟性が高いものの、リジット基板５に貼り付けられることでその一体物（搬送体１１）は十分な剛性を持つものとなる。その結果、本例の配線形成システム１００では、枚葉方式による公知の搬送技術の利用が可能となり、フレキシブル基板１に対して液滴吐出方式を用いて配線を確実に形成することができる。   As described above, in the wiring forming system 100 of the present example, the flexible substrate 1 is flowed in a state of being attached to the rigid substrate 5 (conveying body 11), and a predetermined process for forming the wiring is performed on the flexible substrate 1. Although the flexible substrate 1 has high flexibility, when the flexible substrate 1 is affixed to the rigid substrate 5, the integrated body (conveyance body 11) has sufficient rigidity. As a result, in the wiring forming system 100 of this example, it is possible to use a known transfer technique by a single wafer method, and it is possible to reliably form a wiring on the flexible substrate 1 by using a droplet discharge method.

また、フレキシブル基板１とリジット基板５との一体物はハンドリング（搬送、ストック、ピッキング等）が容易であり、配線形成後の処理工程（基板単体・モジュール化基板をさらに加工・組み立てする基板組み込み工程など）において作業効率の向上を図ることができる。また本例のシステムは、自動化にも好ましく適用される。   In addition, the integrated body of the flexible substrate 1 and the rigid substrate 5 is easy to handle (carrying, stocking, picking, etc.), and processing steps after wiring formation (substrate assembly step for further processing and assembling the substrate unit and modular substrate) Etc.) can improve work efficiency. The system of this example is also preferably applied to automation.

そして、所定の処理後のフレキシブル基板１はリジット基板５から取り外され、そのフレキシブル基板１は、薄型化や軽量化が図られた配線基板として好ましく用いられる。本例では、液滴吐出法の利用により、配線パターンの微細化や製造コストの低減にも有利である。   Then, the flexible substrate 1 after the predetermined processing is removed from the rigid substrate 5, and the flexible substrate 1 is preferably used as a wiring substrate that is reduced in thickness and weight. In this example, the use of the droplet discharge method is advantageous in miniaturizing the wiring pattern and reducing the manufacturing cost.

なお、フレキシブル基板の搬送に用いられるリールツーリール方式では例えば以下のような課題がある。（１）液滴吐出装置のステージにフレキシブル基板を固定したり位置決めしたりするのが困難である。（２）焼成時に基板変形が生じやすい。（３）めっき処理や液処理において、基板の支持用に専用の治具が必要である。（４）基板に屈曲に伴うストレスが発生しやすい。
本例の配線形成システム１００では、公知の枚葉搬送技術が利用可能であることから、リールツーリール方式に伴うこうした課題を回避可能である。 Note that the reel-to-reel method used for transporting the flexible substrate has the following problems, for example. (1) It is difficult to fix or position the flexible substrate on the stage of the droplet discharge device. (2) Substrate deformation is likely to occur during firing. (3) A dedicated jig is required for supporting the substrate in the plating process and the liquid process. (4) The substrate is likely to be stressed due to bending.
In the wiring forming system 100 of this example, since a known single wafer transfer technique can be used, such a problem associated with the reel-to-reel method can be avoided.

フレキシブル基板１を取り外したリジット基板５は再利用してもよい。この場合、リジット基板５がガラス材からなると再利用しやすい。   The rigid substrate 5 from which the flexible substrate 1 has been removed may be reused. In this case, if the rigid substrate 5 is made of a glass material, it is easy to reuse.

また、フレキシブル基板１をリジット基板５に貼り付けたまま、その一体物を最終製品に使用してもよい。この場合、配線基板として好ましく用いられるプラスチック基板（例えばガラスエポキシ基板等）をリジット基板５に用いるとよい。
このように、本例の配線形成システム１００では、フレキシブル基板１を取り外すか否かの選択により、配線基板についてフレキシブル基板かリジット基板かを選択することが可能となる。 Alternatively, the integrated substrate may be used as a final product while the flexible substrate 1 is adhered to the rigid substrate 5. In this case, a plastic substrate (such as a glass epoxy substrate) that is preferably used as the wiring substrate may be used as the rigid substrate 5.
As described above, in the wiring forming system 100 of this example, it is possible to select whether the wiring board is a flexible board or a rigid board by selecting whether or not the flexible board 1 is removed.

図２は、リジット基板５に貼り付けられたフレキシブル基板１の様子の一例を示す平面模式図である。
図２の例では、１つのリジット基板５に対して４種類かつ複数のフレキシブル基板１が貼り付けられている。具体的には、１つのリジット基板５上に、それぞれフレキシブル基板１からなる８つの基板Ａと、各１つずつの基板Ｂ、基板Ｃ、基板Ｄとが配置されている。 FIG. 2 is a schematic plan view illustrating an example of the state of the flexible substrate 1 attached to the rigid substrate 5.
In the example of FIG. 2, four types of flexible substrates 1 are attached to one rigid substrate 5. Specifically, eight substrates A each composed of a flexible substrate 1 and one substrate B, one substrate C, and one substrate D are disposed on one rigid substrate 5.

このように、１つのリジット基板５に対して同一種あるいは複数種からなる複数のフレキシブル基板１を貼り付けることにより、生産性の向上や多品種化が図られる。   In this way, by attaching a plurality of flexible substrates 1 of the same type or a plurality of types to one rigid substrate 5, productivity can be improved and a wide variety of products can be achieved.

１つのリジット基板５に複数のフレキシブル基板１を貼り付ける場合、その貼り付けた状態のまま各フレキシブル基板１ごとに１つのリジット基板５を複数に分割してもよい。複数のフレキシブル基板１が貼り付けられた状態で一のリジット基板５を分割することにより、その分割体の剛性が確保されるので、以後の処理においても取り扱いが容易である。   When a plurality of flexible substrates 1 are affixed to one rigid substrate 5, one rigid substrate 5 may be divided into a plurality for each flexible substrate 1 in the affixed state. By dividing one rigid substrate 5 in a state where a plurality of flexible substrates 1 are bonded, the rigidity of the divided body is ensured, so that it is easy to handle in subsequent processing.

なお、本例では、接着層を介してフレキシブル基板と支持体であるリジット基板とを貼り合わせているが支持体の支持面を鏡面加工するなどにより接着層を介在させずに上記貼り合わせを行ってもよい。   In this example, the flexible substrate and the rigid substrate as a support are bonded to each other through an adhesive layer, but the above bonding is performed without interposing the adhesive layer by, for example, mirroring the support surface of the support. May be.

また、接着層はダイアタッチフィルムやバックグラインドフィルムに限定されず、他の材料を用いてもよい。   The adhesive layer is not limited to a die attach film or a back grind film, and other materials may be used.

また、フレキシブル基板が固定される支持体は、リジット基板に限定されない。例えば、支持体は、フレキシブル基板を所望の姿勢で保持可能な機構を有するものであってもよい。こうした保持機構としては、例えば、機械的な把持機構の他、多孔質部材にエア吸着機構などを有する構成が挙げられる。   Further, the support to which the flexible substrate is fixed is not limited to a rigid substrate. For example, the support may have a mechanism that can hold the flexible substrate in a desired posture. As such a holding mechanism, for example, a structure having an air adsorbing mechanism or the like in a porous member in addition to a mechanical gripping mechanism can be mentioned.

次に、上述した液滴吐出ヘッドにつき、図３を参照して具体的に説明する。
図３は液滴吐出ヘッドを示す図であり、図３（ａ）は要部斜視図であり、図３（ｂ）は要部断面図である。
図３（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０（インクジェットヘッド）は、例えばステンレス製のノズルプレート３２と振動板３３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）３４を介して接合したものである。ノズルプレート３２と振動板３３との間には、仕切部材３４によって複数の空間３５と液溜まり３６とが形成されている。各空間３５と液溜まり３６の内部は液状体で満たされており、各空間３５と液溜まり３６とは供給口３７を介して連通したものとなっている。また、ノズルプレート３２には、空間３５から液状体を噴射するためのノズル孔３８が縦横に整列させられた状態で複数形成されている。一方、振動板３３には、液溜まり３６に液状体を供給するための孔３９が形成されている。 Next, the above-described droplet discharge head will be specifically described with reference to FIG.
3A and 3B are views showing a droplet discharge head, FIG. 3A is a perspective view of a main part, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the main part.
As shown in FIG. 3A, the droplet discharge head 30 (inkjet head) includes, for example, a stainless steel nozzle plate 32 and a vibration plate 33, and both are joined via a partition member (reservoir plate) 34. Is. A plurality of spaces 35 and a liquid reservoir 36 are formed between the nozzle plate 32 and the diaphragm 33 by the partition member 34. Each space 35 and the liquid reservoir 36 are filled with a liquid material, and each space 35 and the liquid reservoir 36 communicate with each other via a supply port 37. The nozzle plate 32 is formed with a plurality of nozzle holes 38 for injecting the liquid material from the space 35 in a state where the nozzle holes 38 are aligned vertically and horizontally. On the other hand, a hole 39 for supplying a liquid material to the liquid reservoir 36 is formed in the vibration plate 33.

また、図３（ｂ）に示すように、振動板３３の空間３５に対向する面と反対側の面上には、圧電素子（ピエゾ素子）４０が接合されている。この圧電素子４０は、一対の電極４１の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。そして、このような構成のもとに圧電素子４０が接合されている振動板３３は、圧電素子４０と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間３５の容積が増大するようになっている。したがって、空間３５内に増大した容積分に相当する液状体が、液溜まり３６から供給口３７を介して流入する。また、このような状態から圧電素子４０への通電を解除すると、圧電素子４０と振動板３３はともに元の形状に戻る。したがって、空間３５も元の容積に戻ることから、空間３５内部の液状体の圧力が上昇し、ノズル孔３８から基板に向けて液状体の液滴４２が吐出される。   Further, as shown in FIG. 3B, a piezoelectric element (piezo element) 40 is bonded on the surface of the diaphragm 33 opposite to the surface facing the space 35. The piezoelectric element 40 is positioned between a pair of electrodes 41 and is configured to bend so that when it is energized, it projects outward. The diaphragm 33 to which the piezoelectric element 40 is bonded in such a configuration is bent integrally with the piezoelectric element 40 at the same time so that the volume of the space 35 is increased. It is going to increase. Therefore, the liquid corresponding to the increased volume in the space 35 flows from the liquid reservoir 36 through the supply port 37. Further, when energization to the piezoelectric element 40 is released from such a state, both the piezoelectric element 40 and the diaphragm 33 return to their original shapes. Therefore, since the space 35 also returns to its original volume, the pressure of the liquid material inside the space 35 rises, and the liquid droplets 42 are ejected from the nozzle holes 38 toward the substrate.

なお、各ノズル孔３８には、それぞれに独立して圧電素子４０が設けられていることにより、その吐出動作がそれぞれ独立してなされるようになっている。すなわち、このような圧電素子４０に送る電気信号としての吐出波形を制御することにより、各ノズルからの液滴の吐出量を調整し、変化させることができるようになっている。
なお、液滴吐出ヘッド３０の方式としては、前記の圧電素子４０を用いたピエゾジェットタイプ以外に限定されることなく、例えばサーマル方式を採用することもでき、その場合には印可時間を変化させることなどにより、液滴吐出量を変化させることができる。 In addition, each nozzle hole 38 is independently provided with a piezoelectric element 40 so that the discharge operation is performed independently. That is, by controlling the ejection waveform as an electrical signal sent to the piezoelectric element 40, the ejection amount of droplets from each nozzle can be adjusted and changed.
The method of the droplet discharge head 30 is not limited to the piezo jet type using the piezoelectric element 40, and for example, a thermal method can be adopted. In that case, the application time is changed. For example, the droplet discharge amount can be changed.

（配線パターン）
次に、上記パターン形成方法を用いて形成される配線パターンの一例について説明する。
図４は、配線パターンの一例を説明するための部分断面構成図である。
図４に示すように、実装基板１０は、フレキシブル基板１上に半導体チップ（一面側に接続端子を備えた電子デバイス）２を実装した構造を備えている。フレキシブル基板１は、ポリイミド等の樹脂からなるもので、テープ状またはシート状など、各種の形状に形成されたものが用いられている。 (Wiring pattern)
Next, an example of a wiring pattern formed using the pattern forming method will be described.
FIG. 4 is a partial cross-sectional configuration diagram for explaining an example of a wiring pattern.
As shown in FIG. 4, the mounting substrate 10 has a structure in which a semiconductor chip (an electronic device having a connection terminal on one surface side) 2 is mounted on a flexible substrate 1. The flexible substrate 1 is made of a resin such as polyimide, and is formed in various shapes such as a tape shape or a sheet shape.

このフレキシブル基板１の実装面（図示上側面）上には、その全面に、絶縁性樹脂からなる下地絶縁層３が設けられている。この下地絶縁層３を形成する絶縁性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂材料やエポキシ系樹脂材料、あるいは、アクリル等の紫外線硬化性樹脂材料と、エポキシ等の熱硬化性樹脂材料とを混合した材料等の有機絶縁材料により構成することができる。   On the mounting surface (upper side surface in the figure) of the flexible substrate 1, a base insulating layer 3 made of an insulating resin is provided on the entire surface. As an insulating resin for forming the base insulating layer 3, for example, an acrylic resin material, an epoxy resin material, or an ultraviolet curable resin material such as acrylic and a thermosetting resin material such as epoxy are mixed. An organic insulating material such as a material can be used.

下地絶縁層３の上には、金属配線（配線パターン）４が形成されている。この金属配線４は、液滴吐出法を用いて形成されたもので、銀微粒子等の金属微粒子の焼結体により形成されている。なお、この金属配線４は、フレキシブル基板１の端縁側にて図示しない配線に接続し、この配線を介してフレキシブル基板１とは別の外部端子（図示せず）に接続されるようになっている。また、この金属配線４は、フレキシブル基板１の中央部側の端部において、半導体チップ２のパッド（接続端子）７と、接続配線４ｃを介して接続されるようになっている。   A metal wiring (wiring pattern) 4 is formed on the base insulating layer 3. The metal wiring 4 is formed by using a droplet discharge method, and is formed of a sintered body of metal fine particles such as silver fine particles. The metal wiring 4 is connected to a wiring (not shown) on the edge side of the flexible substrate 1 and is connected to an external terminal (not shown) different from the flexible substrate 1 through the wiring. Yes. The metal wiring 4 is connected to the pad (connection terminal) 7 of the semiconductor chip 2 via the connection wiring 4 c at the end of the flexible substrate 1 on the center side.

下地絶縁層３上には、熱硬化性の絶縁性樹脂からなる接着層６が形成されている。この接着層６は、下地絶縁層３と半導体チップ２との間を接着しているものであり、接着層６を形成する熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂材料等が用いられる。   An adhesive layer 6 made of a thermosetting insulating resin is formed on the base insulating layer 3. The adhesive layer 6 adheres between the base insulating layer 3 and the semiconductor chip 2. As the thermosetting resin for forming the adhesive layer 6, for example, an epoxy resin material or the like is used.

そして、この接着層６上には半導体チップ２が、その端子形成面（能動面）２ａと反対側の載置面２ｂをフレキシブル基板１側に向けた状態で接着されている。半導体チップ２は、本実施形態では５０μｍ以下の厚さに形成された極薄のもので、能動面である端子形成面２ａをフレキシブル基板１と反対側に向けた状態で実装された、すなわちフェースアップボンディングされたものである。   The semiconductor chip 2 is bonded onto the adhesive layer 6 with the mounting surface 2b opposite to the terminal forming surface (active surface) 2a facing the flexible substrate 1 side. In the present embodiment, the semiconductor chip 2 is an extremely thin one formed to a thickness of 50 μm or less, and is mounted with the terminal forming surface 2a, which is an active surface, facing away from the flexible substrate 1, that is, a face Up-bonded.

半導体チップ２のパッド７は、例えば、半導体チップ２内の集積回路（図示せず）から引き出されたアルミニウム合金からなる基層（図示せず）上に、Ｎｉ、Ａｕがこの順にメッキされて形成されたものである。なお、パッド７において実質的な接合層となる最外層（最上層）については、Ａｕ以外にも、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｉｎとしてもよく、さらにこれらの複数からなる積層構造としてもよい。   The pads 7 of the semiconductor chip 2 are formed by, for example, plating Ni and Au in this order on a base layer (not shown) made of an aluminum alloy drawn from an integrated circuit (not shown) in the semiconductor chip 2. It is a thing. In addition, the outermost layer (uppermost layer) which is a substantial bonding layer in the pad 7 may be, for example, Ag, Cu, Sn, In other than Au, or may have a laminated structure including a plurality of these.

半導体チップ２の側面部には、端子形成面２ａから外側に延びて下地絶縁層３上に至る斜面部を形成するスロープ材９が形成されており、このスロープ材９の斜面部の表面を経由してパッド７と金属配線４とを結ぶ接続配線４ｃが形成されている。接続配線４ｃは、金属配線４と同様、液滴吐出法を用いて形成されたものであり、金属微粒子を焼結してなる配線である。スロープ材９は半導体チップ２の端子形成面２ａと下地絶縁層３表面との段差を緩和する作用を奏するものであり、液滴吐出法を用いて形成される接続配線４ｃの断線等を防止する機能を奏する。すなわち、液滴吐出法では、物体の略鉛直面への材料配置が比較的困難であるものの、物体の略鉛直面を覆うようにスロープ材を配置し、そのスロープ材の斜面部に材料を配置することで、配線形成が容易かつ確実なものとなる。   A slope material 9 is formed on the side surface portion of the semiconductor chip 2 to form a slope portion extending outward from the terminal formation surface 2 a and reaching the base insulating layer 3, and passes through the surface of the slope portion of the slope material 9. Thus, a connection wiring 4 c that connects the pad 7 and the metal wiring 4 is formed. Similar to the metal wiring 4, the connection wiring 4c is formed by using a droplet discharge method, and is a wiring formed by sintering metal fine particles. The slope material 9 acts to alleviate the level difference between the terminal formation surface 2a of the semiconductor chip 2 and the surface of the base insulating layer 3, and prevents disconnection of the connection wiring 4c formed using the droplet discharge method. Play a function. That is, with the droplet discharge method, although it is relatively difficult to place the material on the substantially vertical surface of the object, the slope material is disposed so as to cover the substantially vertical surface of the object, and the material is disposed on the slope portion of the slope material. By doing so, the wiring can be formed easily and reliably.

スロープ材９は、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂材料を、ディスペンサ等の液体材料塗布手段を用いてフレキシブル基板１上に塗布することで形成することができる。あるいは、ドライフィルムを固着することにより形成してもよい。   The slope material 9 is made of, for example, a resin material such as polyimide resin, silicone-modified polyimide resin, epoxy resin, silicone-modified epoxy resin, benzocyclobutene (BCB), polybenzoxazole (PBO), or a liquid material such as a dispenser. It can form by apply | coating on the flexible substrate 1 using an application | coating means. Or you may form by sticking a dry film.

半導体チップ２、金属配線４、接続配線４ｃ等を含むフレキシブル基板１上に、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等の有機絶縁材料からなる絶縁層８ａが形成されている。絶縁層８ａは、金属配線４及び半導体チップ２を保護する、いわゆるパッシべーション膜であり、外部との接触による金属配線４の短絡、水分や反応性ガスによる金属配線４、接続配線４ｃ等の腐食、及び半導体チップ２の破損等を防止する機能を奏する。絶縁層８ａは、図示したように、半導体チップ２上とその外側の領域とで膜厚が異なっており、本実施形態の場合、半導体チップ２上で薄く、半導体チップ２の外側で厚くなるように形成されている。   An insulating layer 8a made of an organic insulating material such as acrylic resin or epoxy resin is formed on the flexible substrate 1 including the semiconductor chip 2, the metal wiring 4, the connection wiring 4c, and the like. The insulating layer 8a is a so-called passivation film that protects the metal wiring 4 and the semiconductor chip 2. The short circuit of the metal wiring 4 due to contact with the outside, the metal wiring 4 due to moisture or reactive gas, the connection wiring 4c, etc. It functions to prevent corrosion and damage to the semiconductor chip 2. As shown in the drawing, the insulating layer 8a has different film thicknesses on the semiconductor chip 2 and the outer region. In the present embodiment, the insulating layer 8a is thin on the semiconductor chip 2 and thick on the outside of the semiconductor chip 2. Is formed.

（配線パターン形成方法）
次に、上述した配線パターンの形成方法について図５を参照して説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、フレキシブル基板１を接着層５Ａを介してリジット基板５に貼り付ける。そして、フレキシブル基板１の上に前述した下地絶縁層３を形成するための絶縁性樹脂材料をロールコータ法等の公知の塗布法によって塗布し、続いて加熱処理して固化させる。 (Wiring pattern forming method)
Next, a method for forming the above-described wiring pattern will be described with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 5A, the flexible substrate 1 is attached to the rigid substrate 5 via the adhesive layer 5A. And the insulating resin material for forming the base | substrate insulating layer 3 mentioned above on the flexible substrate 1 is apply | coated by well-known apply | coating methods, such as a roll coater method, and is subsequently heat-processed and solidified.

絶縁性樹脂材料に対する加熱処理としては、２００℃程度での加熱による本硬化処理を行って下地絶縁層３を形成するようにしてもよく、また、数十℃から百数十℃程度での加熱や、温風または熱風を用いた加熱処理による仮硬化処理にとどめておいてもよい。特に仮硬化処理にとどめておいた場合でも、後の金属配線形成工程での熱処理により、塗布された絶縁性樹脂材料からなる樹脂層３ａが本硬化して下地絶縁層３となるからである。   As the heat treatment for the insulating resin material, the base insulating layer 3 may be formed by performing a main curing process by heating at about 200 ° C., or heating at about several tens to hundreds of degrees C Alternatively, it may be limited to a temporary curing process by heat treatment using warm air or hot air. This is because the resin layer 3a made of the applied insulating resin material is finally cured and becomes the base insulating layer 3 by the heat treatment in the subsequent metal wiring forming process even when the temporary curing process is limited.

次いで、下地絶縁層３上の所定位置に、図５（ａ）に示すように液滴吐出法によって金属微粒子を分散液に分散させてなる液状体を吐出し配置する。液滴吐出法としては、インクジェット法やディスペンサ法などが採用可能であるが、特にインクジェット法が、所望位置に所望量の液状材料を配することができるため好ましく、本実施形態ではインクジェット法を用いるものとする。   Next, as shown in FIG. 5A, a liquid material in which metal fine particles are dispersed in a dispersion liquid is discharged and arranged at a predetermined position on the base insulating layer 3. As the droplet discharge method, an inkjet method, a dispenser method, or the like can be adopted. In particular, the inkjet method is preferable because a desired amount of liquid material can be disposed at a desired position. In this embodiment, the inkjet method is used. Shall.

吐出する液状体としては、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル等の金属微粒子を、分散液に分散させてなるものが用いられる。ここで、金属微粒子については、その分散性を向上させるため、表面に有機物などをコーティングして用いることもできる。金属微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えば立体障害や静電反発を誘発するようなポリマーが挙げられる。また、金属微粒子の粒径は５ｎｍ以上、０．１μｍ以下であるのが好ましい。０．１μｍより大きいと、吐出ヘッドのノズルの目詰まりが起こりやすく、インクジェット法による吐出が困難になるからである。また５ｎｍより小さいと、金属微粒子に対するコーティング材の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となるからである。   As the liquid to be discharged, a material obtained by dispersing metal fine particles such as gold, silver, copper, palladium, nickel, etc. in a dispersion liquid is used. Here, in order to improve the dispersibility of the metal fine particles, the surface can be used by coating an organic substance or the like. Examples of the coating material for coating the surface of the metal fine particles include polymers that induce steric hindrance and electrostatic repulsion. The particle size of the metal fine particles is preferably 5 nm or more and 0.1 μm or less. If it is larger than 0.1 μm, the nozzle of the ejection head is likely to be clogged, and it becomes difficult to eject by the ink jet method. On the other hand, if the thickness is smaller than 5 nm, the volume ratio of the coating material to the metal fine particles is increased, and the ratio of the organic matter in the obtained film becomes excessive.

金属微粒子を分散させる分散液としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上、２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上、２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散液が急激に蒸発してしまい、良好な膜（配線膜）を形成することが困難となるためである。
また、分散液の蒸気圧は、０．００１ｍｍＨｇ以上、５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上、６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法（液滴吐出法）で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難となるからである。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散液の場合、乾燥が遅くなって膜中に分散液が残留しやすくなり、後工程の加熱処理後に良質の導電膜（配線）が得られにくくなるからである。 As the dispersion for dispersing the metal fine particles, those having a vapor pressure at room temperature of 0.001 mmHg or more and 200 mmHg or less (about 0.133 Pa or more and 26600 Pa or less) are preferable. This is because when the vapor pressure is higher than 200 mmHg, the dispersion rapidly evaporates after discharge, making it difficult to form a good film (wiring film).
The vapor pressure of the dispersion is more preferably 0.001 mmHg or more and 50 mmHg or less (about 0.133 Pa or more and 6650 Pa or less). This is because when the vapor pressure is higher than 50 mmHg, nozzle clogging due to drying tends to occur when droplets are ejected by the ink jet method (droplet ejection method), and stable ejection becomes difficult. On the other hand, in the case of a dispersion having a vapor pressure lower than 0.001 mmHg at room temperature, the drying is slow and the dispersion tends to remain in the film, and a high-quality conductive film (wiring) is obtained after the heat treatment in the subsequent process. This is because it becomes difficult.

使用する分散液としては、前記の金属微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されないが、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、テトラデカン、デカリン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、又はエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また、インクジェット法への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、更に好ましい分散液としては水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散液は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用できる。   The dispersion to be used is not particularly limited as long as it can disperse the metal fine particles and does not cause aggregation. In addition to water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, n-heptane , N-octane, decane, tetradecane, decalin, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydronaphthalene, cyclohexylbenzene and other hydrocarbon compounds, or ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene Glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, bis (2 Methoxyethyl) ether, p- ether compounds such as dioxane, propylene carbonate, .gamma.-butyrolactone, N- methyl-2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, may be mentioned polar compounds such as cyclohexanone. Of these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferred, and further preferred dispersions are preferred in view of dispersibility of the fine particles, stability of the dispersion, and ease of application to the inkjet method. Examples thereof include water and hydrocarbon compounds. These dispersions can be used alone or as a mixture of two or more.

前記金属微粒子を分散液に分散する場合の分散質濃度、すなわち金属微粒子濃度は、１質量％以上、８０質量％以下であり、所望の金属配線４の膜厚に応じて調整することができる。１質量％未満では後の加熱による焼成処理に長時間を要することになり、また、８０質量％を超えると凝集をおこしやすくなって均一な膜が得られにくくなるからである。   The dispersoid concentration when the metal fine particles are dispersed in the dispersion, that is, the metal fine particle concentration is 1% by mass or more and 80% by mass or less, and can be adjusted according to the desired film thickness of the metal wiring 4. If it is less than 1% by mass, it will take a long time for the subsequent baking treatment by heating, and if it exceeds 80% by mass, aggregation tends to occur and it becomes difficult to obtain a uniform film.

前記金属微粒子を分散液に分散させてなる液状体の表面張力は、０．０２Ｎ／ｍ以上、０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲に入ることが好ましい。インクジェット法にて液状体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、この液状体のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるからである。   The surface tension of a liquid obtained by dispersing the metal fine particles in a dispersion is preferably in the range of 0.02 N / m or more and 0.07 N / m or less. When the liquid material is ejected by the ink jet method, if the surface tension is less than 0.02 N / m, the wettability of the liquid material to the nozzle surface increases, and thus flight bending easily occurs, and 0.07 N / m. This is because if it exceeds, the shape of the meniscus at the tip of the nozzle is not stable, and it becomes difficult to control the discharge amount and the discharge timing.

上記液状体の粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上、５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。インクジェット法にて吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には、吐出ヘッドのノズル周辺部がインク（液状体）の流出によって汚染されやすく、また、粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合には、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなって円滑な液滴の吐出が困難になるからである。   The viscosity of the liquid is preferably 1 mPa · s or more and 50 mPa · s or less. When discharging by the inkjet method, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the nozzle periphery of the discharge head is easily contaminated by the outflow of ink (liquid material), and if the viscosity is greater than 50 mPa · s. This is because the frequency of clogging at the nozzle holes increases, and it becomes difficult to smoothly discharge droplets.

本実施形態では、金属微粒子として銀微粒子を用いてなる液状体の液滴４２を、図５（ａ）に示したように液滴吐出ヘッド３０から吐出し、フレキシブル基板１上の配線を形成すべき場所に滴下し、焼成後に金属配線４となる中間構造体４ｂを形成する。本実施形態の場合、この中間構造体４ｂは、基板上に滴下された液状体ないしこの液状体の乾燥物を指すものである。前記液状体の吐出配置に際しては、液だまり（バルジ）が生じないように、続けて吐出する液滴の重なり程度を制御することが好ましい。また、一回目の吐出では複数の液滴を互いに接しないように離間して吐出し、２回目以降の吐出によって、その間を埋めていくような吐出方法を採用することもできる。   In the present embodiment, a liquid droplet 42 using silver fine particles as metal fine particles is discharged from the droplet discharge head 30 as shown in FIG. 5A to form wiring on the flexible substrate 1. An intermediate structure 4b that is dropped in a place and becomes the metal wiring 4 after firing is formed. In the present embodiment, the intermediate structure 4b refers to a liquid dropped on the substrate or a dried product of the liquid. In the discharge arrangement of the liquid material, it is preferable to control the overlapping degree of the liquid droplets to be continuously discharged so that a liquid bulge does not occur. Further, it is also possible to employ a discharge method in which a plurality of droplets are discharged so as not to contact each other in the first discharge, and the space is filled by the second and subsequent discharges.

このようにして金属配線４の中間構造体４ｂを形成したならば、これを２００℃程度で加熱することによって焼成し、金属微粒子（銀微粒子）を焼結して図５（ｂ）に示すように金属配線４を形成する。前記の絶縁性樹脂材料を仮硬化状態の樹脂層３ａとしてあった場合には、本工程の加熱処理により、前記の絶縁性樹脂材料が本硬化して下地絶縁層３となる。なお、中間構造体４ｂについても、金属微粒子（銀微粒子）を焼結させて金属配線４とする本硬化処理ではなく、液状体中の分散液を蒸発させる程度の仮硬化処理にとどめておいてもよい。   When the intermediate structure 4b of the metal wiring 4 is thus formed, it is fired by heating at about 200 ° C., and the metal fine particles (silver fine particles) are sintered, as shown in FIG. 5B. The metal wiring 4 is formed on the substrate. When the insulating resin material is the temporarily cured resin layer 3a, the insulating resin material is finally cured and becomes the base insulating layer 3 by the heat treatment in this step. Note that the intermediate structure 4b is not limited to the main curing process in which the metal fine particles (silver fine particles) are sintered to form the metal wirings 4, but the temporary curing process to the extent that the dispersion liquid in the liquid is evaporated. Also good.

次に、前記下地絶縁層３上に熱硬化性樹脂を塗布し、図５（ｂ）に示すように未硬化状態での接着層６ａを形成する。塗布法については、特に限定されることなく、ロールコータ法や液滴吐出法など公知の塗布法を採用することができる。本実施形態では、金属配線４と重ならない位置に接着層６ａを形成しているが、金属配線４の基板中央部側の端部を一部覆うように接着層６ａを形成してもよく、この場合には、接着層６を介して接着される半導体チップ２の下側（フレキシブル基板１側）に接続配線４が配されることとなる。またかかる構成において、半導体チップ２の載置面２ｂに接続端子が形成されているならば、金属配線４と載置面２ｂ側の接続端子とを半導体チップ２の実装領域内で接続することも可能である。   Next, a thermosetting resin is applied on the base insulating layer 3 to form an uncured adhesive layer 6a as shown in FIG. The coating method is not particularly limited, and a known coating method such as a roll coater method or a droplet discharge method can be employed. In the present embodiment, the adhesive layer 6a is formed at a position that does not overlap the metal wiring 4, but the adhesive layer 6a may be formed so as to partially cover the end of the metal wiring 4 on the substrate center side. In this case, the connection wiring 4 is arranged on the lower side (flexible substrate 1 side) of the semiconductor chip 2 bonded through the adhesive layer 6. In this configuration, if the connection terminal is formed on the mounting surface 2 b of the semiconductor chip 2, the metal wiring 4 and the connection terminal on the mounting surface 2 b side may be connected within the mounting region of the semiconductor chip 2. Is possible.

次いで、この未硬化状態の接着層６ａ上に半導体チップ２を位置合わせし、図５（ｃ）に示すように、接着層６ａと平面的に重なるように載置する。次に、図５（ｄ）に示すように、半導体チップ２の端子形成面２ａと、金属配線４との間の段差を緩和するためのスロープ材９を形成する。このスロープ材９は、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂材料を、ディスペンサ等の液体材料塗布手段を用いて塗布することにより形成する。スロープ材９は、図示のように、半導体チップ２の側面から外側に向かって薄くなるように形成し、半導体チップ２の端子形成面２ａから金属配線４に至る傾斜面を有したものとする。またスロープ材９は、パッド７を覆わない限度でその一部が端子形成面２ａに乗り上げていてもよい。   Next, the semiconductor chip 2 is aligned on the uncured adhesive layer 6a and placed so as to overlap the adhesive layer 6a in a plan view as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 5 (d), a slope material 9 for relaxing the step between the terminal formation surface 2 a of the semiconductor chip 2 and the metal wiring 4 is formed. The slope material 9 is made of, for example, a resin material such as a polyimide resin, a silicone-modified polyimide resin, an epoxy resin, a silicone-modified epoxy resin, benzocyclobutene (BCB), polybenzoxazole (PBO), or a liquid such as a dispenser. It forms by apply | coating using a material application means. As shown in the figure, the slope material 9 is formed so as to become thinner from the side surface of the semiconductor chip 2 toward the outside, and has an inclined surface extending from the terminal forming surface 2 a of the semiconductor chip 2 to the metal wiring 4. Further, the slope material 9 may partially run on the terminal forming surface 2a as long as the pad 7 is not covered.

次に、図５（ｅ）に示すように、接続配線４ｃを形成する。接続配線４ｃは、端子形成面２ａに形成されたパッド７の上面からスロープ材９の斜面上を通って金属配線４上に至るように形成する。この接続配線４ｃは、先の金属配線４と同様の方法で形成することができる。具体的には、図５（ｅ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０から金属微粒子（銀微粒子）を含む液状体の液滴を所定位置に吐出して基板上に選択配置し、その後、乾燥工程、焼成工程を経て金属配線とする。   Next, as shown in FIG. 5E, the connection wiring 4c is formed. The connection wiring 4 c is formed so as to extend from the upper surface of the pad 7 formed on the terminal formation surface 2 a to the metal wiring 4 through the slope of the slope material 9. The connection wiring 4c can be formed by the same method as the metal wiring 4 described above. Specifically, as shown in FIG. 5 (e), liquid droplets containing metal fine particles (silver fine particles) are discharged from a droplet discharge head 30 to a predetermined position and selectively disposed on a substrate, and then Metal wiring is obtained through a drying process and a firing process.

また、上記接続配線４ｃの焼成と同時に接着層６ａを硬化させて接着層６とし、この接着層６を介して半導体チップ２の載置面２ｂをフレキシブル基板１に密着固定する。その後、半導体チップ２及び金属配線４を覆う絶縁層８を形成し、リジット基板５からフレキシブル基板１を剥離して取り外すことにより、図４に示した実装構造を具備した実装基板１０を得る。
なお、前述したように金属配線４の中間構造体４ｂについて、本硬化処理でなく仮硬化処理にとどめておいた場合には、接続配線４ｃの焼成処理により、中間構造体４ａの金属微粒子も焼結される。またそれと同時に、前記の絶縁性樹脂３ａも本硬化し、下地絶縁層３となる。 Further, simultaneously with the firing of the connection wiring 4 c, the adhesive layer 6 a is cured to form the adhesive layer 6, and the mounting surface 2 b of the semiconductor chip 2 is tightly fixed to the flexible substrate 1 through the adhesive layer 6. Thereafter, an insulating layer 8 covering the semiconductor chip 2 and the metal wiring 4 is formed, and the flexible substrate 1 is peeled off and removed from the rigid substrate 5 to obtain the mounting substrate 10 having the mounting structure shown in FIG.
As described above, when the intermediate structure 4b of the metal wiring 4 is kept in the temporary curing process instead of the main curing process, the metal fine particles of the intermediate structure 4a are also sintered by the firing process of the connection wiring 4c. Tied. At the same time, the insulating resin 3 a is also fully cured to form the base insulating layer 3.

上記工程により得られる実装基板１０の製造に際しては、フレキシブル基板１をリジット基板５に貼り付けた搬送体１１を搬送することから、枚葉方式による公知の搬送技術の利用により、フレキシブル基板１に対して所定の処理を確実に行うことができる。   In manufacturing the mounting substrate 10 obtained by the above process, since the transport body 11 having the flexible substrate 1 attached to the rigid substrate 5 is transported, the flexible substrate 1 can be applied to the flexible substrate 1 by using a known transport technique using a single-wafer method. Thus, predetermined processing can be performed reliably.

また、実装基板１０の製造に際し、接続配線４ｃを介して金属配線４とパッド７とを電気的に接続する構造を採用しており、基本的に半導体チップ２を加圧することなく焼成処理のみで、金属配線４とパッド７との間の導通を確保することができる。したがって、例えば極薄の半導体チップ２を実装する場合にも、これを加圧することなく実装処理を行うことができる。よって、加圧による半導体チップ２の破壊や接続信頼性の低下といった不都合を回避することができる。よって、特に本発明は、各種の電子機器やその部品（電子部品）における、超薄型パッケージの製造に好適に採用される。   Further, when the mounting substrate 10 is manufactured, a structure in which the metal wiring 4 and the pad 7 are electrically connected through the connection wiring 4c is adopted, and basically only the baking process is performed without pressing the semiconductor chip 2. In addition, conduction between the metal wiring 4 and the pad 7 can be ensured. Therefore, for example, even when an extremely thin semiconductor chip 2 is mounted, the mounting process can be performed without pressurizing it. Therefore, inconveniences such as destruction of the semiconductor chip 2 due to pressurization and a decrease in connection reliability can be avoided. Therefore, especially this invention is suitably employ | adopted for manufacture of an ultra-thin package in various electronic devices and its components (electronic component).

また、前記金属配線４及び接続配線４ｃを、金属微粒子を分散させた液状体を用いる液滴吐出法で形成するようにしたので、これらの金属配線４及び接続配線４ｃについても十分薄厚化でき、したがって実装構造全体の薄厚化をより進めることができる。また、金属配線４や接続配線４ｃを形成するための液状体の吐出を同じ装置で行うことができるので、生産性を高めることができる。   Further, since the metal wiring 4 and the connection wiring 4c are formed by a droplet discharge method using a liquid material in which metal fine particles are dispersed, the metal wiring 4 and the connection wiring 4c can be sufficiently thinned, Therefore, it is possible to further reduce the thickness of the entire mounting structure. Moreover, since the discharge of the liquid material for forming the metal wiring 4 and the connection wiring 4c can be performed with the same apparatus, productivity can be improved.

また、前記液状体を介して前記金属配線４と前記半導体チップ２のパッド７とを接合する工程に先立ち、熱硬化性の絶縁性樹脂からなる接着層６ａを半導体チップ２の下側に形成するようにしたので、接続および導通のための液状体の焼成処理によって熱硬化性樹脂からなる接着層６ａも同時に硬化するので、フレキシブル基板１と半導体チップ２との間の接合および封止をより良好にすることができ、さらにアンダーフィルの使用により封止を行う場合などに比べ、硬化処理時間をなくすことで生産性を向上することができる。   Further, prior to the step of bonding the metal wiring 4 and the pad 7 of the semiconductor chip 2 through the liquid material, an adhesive layer 6a made of a thermosetting insulating resin is formed on the lower side of the semiconductor chip 2. As a result, the adhesive layer 6a made of a thermosetting resin is simultaneously cured by firing the liquid material for connection and conduction, so that the bonding and sealing between the flexible substrate 1 and the semiconductor chip 2 are better. Further, productivity can be improved by eliminating the curing processing time as compared with the case where sealing is performed by using an underfill.

（電子機器）
図６（ａ）は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、筐体の内部或いは表示部１３０１に、前述の方法を用いて得られる回路基板を備えている。図中、符号１３０２は操作ボタン、符号１３０３は受話口、符号１３０４は送話口を示している。
図６（ｂ）は、（ａ）に示す表示部１３０１の斜視構成図である。表示部１３０１は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置からなる表示パネル１３１１の一辺端に、電子デバイス１３１２を実装した回路基板１３１３を接続してなる構成を備えている。そして、この回路基板１３１３には、本発明の実装方法を用いて電子デバイスを実装された回路基板が好適に用いられており、実装基板上に薄型に電子デバイスが実装されているので、携帯電話１３００の薄型化、小型化を実現することができる。 (Electronics)
FIG. 6A is a perspective view showing an example of an electronic apparatus according to the present invention. A cellular phone 1300 shown in this figure includes a circuit board obtained by using the above-described method, in the housing or in the display portion 1301. In the figure, reference numeral 1302 indicates an operation button, reference numeral 1303 indicates an earpiece, and reference numeral 1304 indicates a mouthpiece.
FIG. 6B is a perspective configuration diagram of the display unit 1301 shown in FIG. The display unit 1301 has a configuration in which a circuit board 1313 on which an electronic device 1312 is mounted is connected to one end of a display panel 1311 made of a liquid crystal display device or an organic EL display device. The circuit board 1313 is preferably a circuit board on which an electronic device is mounted using the mounting method of the present invention, and the electronic device is mounted thinly on the mounting board. 1300 can be made thinner and smaller.

前記実施の形態の実装基板は、前記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々、種々の電子機器に適用することができる。いずれの電子機器においても、本発明の実装基板を適用することで、薄型化、小型化を実現することができる。また、前記実施形態の実装基板は、液晶装置に限らず、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置（ＰＤＰ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）等の電気光学装置などの電子機器の部品などとして好適に用いることができる。   The mounting board of the embodiment is not limited to the mobile phone, but an electronic book, a personal computer, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, The present invention can be applied to various electronic devices such as a calculator, a word processor, a workstation, a video phone, a POS terminal, and a device equipped with a touch panel. In any electronic device, by using the mounting substrate of the present invention, it is possible to realize a reduction in thickness and size. In addition, the mounting substrate of the embodiment is not limited to the liquid crystal device, and is preferably used as a component of an electronic device such as an electro-optical device such as an organic EL device, a plasma display device (PDP), and a field emission display (FED). Can do.

本発明の実施形態に係る配線形成システムおよび配線形成方法の概要を示す模式図。The schematic diagram which shows the outline | summary of the wiring formation system and wiring formation method which concern on embodiment of this invention. リジット基板に貼り付けられたフレキシブル基板の様子の一例を示す平面模式図。The plane schematic diagram which shows an example of the mode of the flexible substrate affixed on the rigid board | substrate. 液滴吐出ヘッドの説明図。Explanatory drawing of a droplet discharge head. 配線パターンを有する実装基板の部分断面構成図。The partial cross section block diagram of the mounting substrate which has a wiring pattern. 図４の実装基板の製造方法を示す断面構成図。FIG. 5 is a cross-sectional configuration diagram illustrating a method for manufacturing the mounting substrate of FIG. 4. 電子機器の一例とそれに備えられた表示部の斜視構成図。FIG. 6 is a perspective configuration diagram of an example of an electronic device and a display unit provided in the electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

１…フレキシブル基板、２…半導体チップ、４…金属配線、５Ａ…接着層、５…リジット基板（支持体）、６…接着層、７…パッド、９…スロープ材、１０…実装基板、１１…搬送体、３０…液滴吐出ヘッド、４２…液滴、１００…配線形成システム、１１０…固定装置、１２０…剥離装置、１３０…液滴吐出装置、１４０…膜硬化装置。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Flexible substrate, 2 ... Semiconductor chip, 4 ... Metal wiring, 5A ... Adhesive layer, 5 ... Rigid substrate (support body), 6 ... Adhesive layer, 7 ... Pad, 9 ... Slope material, 10 ... Mounting substrate, 11 ... Transport body 30... Droplet discharge head, 42... Droplet, 100 .. wiring forming system, 110... Fixing device, 120.

Claims (13)

フレキシブル基板に配線を形成する方法であって、
前記フレキシブル基板を支持体に固定する工程と、
前記フレキシブル基板と前記支持体とを一体的に搬送しかつ前記フレキシブル基板に対して所定の処理を行う工程と、を有することを特徴とする配線形成方法。 A method of forming wiring on a flexible substrate,
Fixing the flexible substrate to a support;
A wiring forming method comprising: transporting the flexible substrate and the support integrally and performing a predetermined process on the flexible substrate. 前記所定の処理は、前記支持体に固定された前記フレキシブル基板に、液滴吐出法により液体材料を配置する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。   The wiring forming method according to claim 1, wherein the predetermined process includes a step of disposing a liquid material on the flexible substrate fixed to the support by a droplet discharge method. 前記支持体から前記フレキシブル基板を取り外す工程をさらに有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線形成方法。   The wiring forming method according to claim 1, further comprising a step of removing the flexible substrate from the support. 前記支持体は、リジット基板であり、
前記固定する工程は、接着層を介して前記フレキシブル基板を前記リジット基板に貼り付ける工程を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線形成方法。 The support is a rigid substrate;
The wiring forming method according to claim 1, wherein the fixing step includes a step of attaching the flexible substrate to the rigid substrate through an adhesive layer. 前記接着層は、光照射により接着性が低下する機能を有することを特徴とする請求項４に記載の配線形成方法。   The wiring forming method according to claim 4, wherein the adhesive layer has a function of reducing adhesiveness by light irradiation. 一の前記リジット基板に対して複数の前記フレキシブル基板を貼り付けることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の配線形成方法。   The wiring forming method according to claim 4, wherein a plurality of the flexible substrates are attached to one rigid substrate. 複数の前記フレキシブル基板が貼り付けられた一の前記リジット基板を分割する工程をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の配線形成方法。   The wiring forming method according to claim 6, further comprising a step of dividing the one rigid substrate to which the plurality of flexible substrates are attached. フレキシブル基板に配線を形成するシステムであって、
前記フレキシブル基板を支持体に固定する固定装置と、
前記フレキシブル基板と前記支持体とを一体的に搬送しかつ前記フレキシブル基板に対して所定の処理を行う処理装置と、を備えることを特徴とする配線形成システム。 A system for forming wiring on a flexible substrate,
A fixing device for fixing the flexible substrate to a support;
A wiring forming system comprising: a processing device that integrally conveys the flexible substrate and the support and performs a predetermined process on the flexible substrate. 前記処理装置は、前記支持体に固定された前記フレキシブル基板に、液滴吐出法により液体材料を配置する装置を含むことを特徴とする請求項８に記載の配線形成システム。   The wiring forming system according to claim 8, wherein the processing apparatus includes an apparatus that disposes a liquid material on the flexible substrate fixed to the support by a droplet discharge method. 前記支持体から前記フレキシブル基板を取り外す装置をさらに有することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の配線形成システム。   The wiring forming system according to claim 8, further comprising a device that removes the flexible substrate from the support. 前記支持体は、リジット基板であり、
前記固定装置は、接着剤を介して前記フレキシブル基板を前記リジット基板に貼り付ける装置を含むことを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれかに記載の配線形成システム。 The support is a rigid substrate;
The wiring forming system according to any one of claims 8 to 10, wherein the fixing device includes a device for attaching the flexible substrate to the rigid substrate via an adhesive. 前記接着層は、光照射により接着性が低下する機能を有することを特徴とする請求項１１に記載の配線形成システム。   The wiring forming system according to claim 11, wherein the adhesive layer has a function of reducing adhesiveness by light irradiation. 請求項８から請求項１２のいずれかに記載の配線形成システムを用いて形成された配線を備えることを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising a wiring formed using the wiring forming system according to claim 8.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016711A (en) * 2007-07-09 2009-01-22 Seiko Instruments Inc Resin-sealed semiconductor apparatus
JP2009272350A (en) * 2008-04-30 2009-11-19 Ricoh Co Ltd Pattern array sheet and method of manufacturing same, and electronic device chip ,and method of manufacturing same
JP2010034526A (en) * 2008-06-24 2010-02-12 Panasonic Corp Wiring board and method of manufacturing wiring board
JP2013225609A (en) * 2012-04-23 2013-10-31 Ricoh Co Ltd Method of manufacturing three-dimensional electronic circuit and three-dimensional electronic circuit
JP2014011256A (en) * 2012-06-28 2014-01-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Heat treatment method and heat treatment apparatus
WO2017068831A1 (en) * 2015-10-19 2017-04-27 株式会社村田製作所 Inductor and dc-dc converter
WO2023135947A1 (en) * 2022-01-12 2023-07-20 富士フイルム株式会社 Method for manufacturing substrate having functional pattern, device for forming functional pattern, and program

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016711A (en) * 2007-07-09 2009-01-22 Seiko Instruments Inc Resin-sealed semiconductor apparatus
JP2009272350A (en) * 2008-04-30 2009-11-19 Ricoh Co Ltd Pattern array sheet and method of manufacturing same, and electronic device chip ,and method of manufacturing same
JP2010034526A (en) * 2008-06-24 2010-02-12 Panasonic Corp Wiring board and method of manufacturing wiring board
JP2013225609A (en) * 2012-04-23 2013-10-31 Ricoh Co Ltd Method of manufacturing three-dimensional electronic circuit and three-dimensional electronic circuit
JP2014011256A (en) * 2012-06-28 2014-01-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Heat treatment method and heat treatment apparatus
WO2017068831A1 (en) * 2015-10-19 2017-04-27 株式会社村田製作所 Inductor and dc-dc converter
WO2023135947A1 (en) * 2022-01-12 2023-07-20 富士フイルム株式会社 Method for manufacturing substrate having functional pattern, device for forming functional pattern, and program

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