JP5034043B2 - 加速度センサ、および加速度検出装置 - Google Patents
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小型の加速度センサを作製するためのMEMS技術には、大きく分けてバルクマイクロマシニング技術とサーフェスマイクロマシニング技術とがある。バルクマイクロマシニング技術を用いて作製された加速度センサでは3軸方向の各加速度成分を検出可能なものが提案されているが(特許文献1を参照。)、バルクマイクロマシニング技術を用いると小型化が困難であるので、更なる小型化の観点からサーフェスマイクロマシニング技術を用いて3軸方向の各加速度成分を検出可能なものが模索されている。
したがって、本発明にかかる加速度センサでは、加速度が作用したときに第1揺動杆、第2揺動杆の夫々において一方の電極対の間隙の変化と他方の電極対の間隙の変化を対比したとき互いの符号が逆になり、加速度が作用して各電極対がキャパシタとして機能するときに一方のキャパシタの静電容量の変化量と他方のキャパシタの静電容量の変化量とを対比したときに上記X軸方向もしくはY軸方向の変位に起因する成分の符号が逆になる。
具体的には、本発明に係る加速度センサにおいて、上記第1揺動杆、第2揺動杆の夫々に形成された夫々の上記可動電極を、長尺状として上記基板と並行させ、これらに対向する上記固定電極を長尺状として上記基板と並行させておき、上記固定電極と上記可動電極とを夫々の軸が平行になるように対向させて、上記第1揺動杆の電極対の対向面における可動電極側の対向面の図心と固定電極側の対向面の図心との上記Z軸方向での順序を、上記第2揺動杆の電極対の対向面における可動電極側の対向面の図心と固定電極側の対向面の図心との上記Z軸方向での順序と、逆にすれば、上記機能を発揮させることができる。
そして、本発明にかかる加速度センサでは、上記構成を採用することによって、各キャパシタの静電容量の変化分に、上記X軸方向、Y軸方向、Z軸方向の変位に起因する成分を含ませることができ、したがって、各キャパシタの静電容量の測定値をもとに例えばガウスの消去法などの演算処理をすることにより3軸方向(上記X軸方向、Y軸方向、Z軸方向)夫々の変位に起因する成分を抽出することができる。これらX軸、Y軸、Z軸を直交座標系に一致させれば、抽出後の各変位成分の使い勝手が向上して好ましい。
(1) C1=Co+P△X+R△Z
(2) C2=Co−P△X+R△Z
(3) C3=Co+Q△Y−R△Z
(4) C4=Co−Q△Y−R△Z
ここで、C1は、第1揺動杆部側の一対の電極対のうち一方の電極対の静電容量、C2は、第1揺動杆部側の一対の電極対のうち他方の電極対の静電容量、C3は、第2揺動杆部側の一対の電極対のうち一方の電極対の静電容量、C4は、第2揺動杆部側の一対の電極対のうち他方の電極対の静電容量を表す。
したがって、上記式(1)ないし(4)から△X、△Y、△Zの各項を抽出するためにたとえば後述する実施の形態で用いる図5に示すように各キャパシタC1〜C4を並列接続した回路を構築して、以下の式(5)から(7)を上記演算処理部に実行させると、上記演算処理部が差動演算を実行することとなり、上記式に含まれる各軸方向の変位成分に対応する出力値を出力することができ、各軸方向の加速度を検出することができる。
(5) (Co+P△X+R△Z)・(−Vr)+(Co−P△X+R△Z)・(+Vr)=Cf・Vx
(6) (Co+Q△Y−R△Z)・(−Vr)+(Co−Q△Y−R△Z)・(+Vr)=Cf・Vy
(7) (Co+P△X+R△Z)・(+Vr)+(Co−P△X+R△Z)・(+Vr)+(Co+Q△Y−R△Z)・(−Vr)+(Co−Q△Y−R△Z)・(−Vr)=Cf・Vz
但し、Co:加速度が作用していないときの各可変キャパシタの静電容量(初期容量)
P,Q,R:係数
△X,△Y,△Z:各軸方向の変位
+Vr,−Vr:当該加速度検出装置に対する入力電圧
Vx,Vy,Vz:当該加速度検出装置からの出力電圧
Cf:負帰還用キャパシタの静電容量
よって、本発明に係る加速度センサでは、上記演算処理部と接続すれば、当該加速度センサに加速度が加わったときに加速度を3次元的に検出可能な構成とすることができる。
本発明に係る加速度センサは、サーフェスマイクロマシニング技術を用いて作成された従来のいわゆる1軸、あるいは2軸の加速度センサを2つあるいは3つ組み合わせた場合に比べて、また、従来のバルクマイクロマシニング技術で作製された加速度センサと比べて加速度を3次元的に検出しながら、加速度センサの構造を薄くして小型化を図ることができる。
そして、このように上記可動電極、固定電極を配すると、これら可動電極、固定電極を上記揺動杆の軸を基準に線対称になるように配することもできるので、上記揺動杆の夫々が上記可動電極の長手方向に揺動しても当該方向への変位に対する感度を消すことができ、既述したような差動演算において差動演算処理の対象となる項を一つ減らすことができ、演算処理の負担を抑制できて、好ましい。また、上記ばね部材の少なくとも1つに可動電極の外部引き出し電路を兼ねさせているので、上記固定電極の外部引き出し電路を、上記固定電極の両端部のうち上記可動電極に臨まない方の端部から引き出せば、上記基板面上において可動電極の外部引き出し電路と固定電極の外部引き出し電路とを離すことができ、平面配線が容易になって、当該加速度センサの構造の薄型化を図ることができ、好ましい。
本発明の実施の形態1に係る3軸加速度検出装置について、適宜、図面を用いて説明する。
<検出装置の概略構成>
図1(a)は、本実施の形態に係る3軸加速度検出装置の概略断面図であり、同図(b)は、当該検出装置内の要部平面図である。
具体的には、当該モールド体11の内底に載置されたダイパッド14の主面に導電部材15を介して当該センサ部12と当該演算処理部13とがダイボンドされている。演算処理部13には例えばASIC等の半導体素子が採用されている。当該検出装置10では、当該センサ部12、シーケンス制御用回路36を含む演算処理部13ならびに不図示の電源とで検出回路(図5(b)参照)が構築されている。
センサ部12では、センサ構造体20の主面を覆うように被覆板21が載置されている。被覆板21は例えばガラス材を主成分として形成されたものである。被覆板21にはスルーホール22が穿設されており、当該スルーホール22を塞ぐように図示しない配線層が設けられ、当該配線層がボンディングパッド部19と一体となっている。したがって、当該配線層を介してセンサ構造体20の電位取り出し部26(図2参照)が演算処理部13と電気的に接続され、以下に説明するセンサ構造体20からの信号が演算処理部13に出力される。
図2は、本実施の形態に係るセンサ構造体20の概略平面図である。
図2に示すように、本実施の形態では、基板23の主面に固定電極ユニット24が複数個固定され、可動電極ユニット25が基板23に加速度が加わったときにその加速度の方向にかつ加速度の大きさに比例して3次元的に揺動できるようにばね部33で支持されている。各固定電極ユニット24には、固定電極指29が基板23の主面に沿って一定方向に櫛歯状に列設されている。また、可動電極ユニット25には、上記固定電極指29に並行するように櫛歯状の可動電極指31が列設されている。図示した範囲内においては、固定電極ユニット24が4つ設けられ、そのうち一方の対は固定電極指29がX軸方向に、他方の対は固定電極指29がY軸方向に沿って設けられている。また、可動電極ユニット25が1つ基板23主面に設けられており、これら各固定電極ユニット24、可動電極ユニット25は互いに電気的に絶縁されている。すなわち、例えばSOI(Silicon On Insulator)基板を用いてセンサ構造体20が作製されていれば、各固定電極ユニット24と可動電極ユニット25とは基板23の主面方向において間隙を空けて設けられているので、固定電極ユニット24同士ならびに固定電極ユニット24と可動電極ユニット25との間を電気的に絶縁することができる。もちろん固定電極ユニット24が互いに絶縁物で繋がれて一体的に設けられていても良い。
センサ構造体20では、固定電極ユニット24、可動電極ユニット25を囲うように枠体27が基板23の主面のうち基板23の周部に配されており、枠体27を接地電位(GND)に設定するための電位取り出し部26が上記の電位取り出し部26の列の中に含まれるように配されている。
固定電極ユニット24のそれぞれは、壁部28と固定電極指29とを備えている(図3,4参照)。
当該壁部28は、基板23主面を均等に4分割するように、略二等辺三角形状のあるいは略二等辺三角形と矩形とを組み合わせたような輪郭を有する。ただし、当該壁部28は二等辺の交差点に該当する部分において開口されている。当該壁部28は、当該開口部を互いにつき合わせた状態で配されている。本実施の形態では、当該壁部28の輪郭は略二等辺三角形状であるが、これに限定されず、正三角形状であっても良い。
また、図3,4に示すように、本実施の形態では基板23の主面に垂直な方向において、固定電極ユニット24の固定電極指29の長さが、上記A部および上記B部で同じであり、なおかつ上記C部および上記D部で同じであるのに対して、上記A部もしくは上記B部と上記C部もしくは上記D部とを比べたとき、異なっている。具体的には、基板23の主面に垂直な方向では、上記A部および上記B部における固定電極ユニット24の固定電極指29の長さが、上記C部および上記D部における固定電極ユニット24の固定電極指29の長さに比べて大きい。
可動電極ユニット25は質量(マス)部30と可動電極指31とを備えている(図3,4参照)。
当該質量部30は、図示した範囲内において基板23主面の図心から直線状の杆が直交したように、別限すれば、杆部材を四方に伸ばしたように十字状に配されている(図2参照)。当該質量部30の当該杆部材の夫々が固定電極ユニット24の壁部28の上記開口部分から当該壁部28に囲われた基板23主面上の領域内に進入するように配されている。
可動電極ユニット25とばね部33を介して接続されているアンカー部32は、基板23の主面のうち固定電極ユニット24の壁部28に囲われた領域で基板23の主面に固定されている(図2参照)。そして可動電極ユニット25の質量部30と当該アンカー部32とをばね部33が繋いでいる。
当該構成を採用することによって、当該センサ構造体20に対して3軸方向の各軸方向成分もしくはこれら各軸方向成分のいずれかの方向成分同士を合計した加速度が加わったとき、当該質量部30から延出された複数の可動電極指31は、当該アンカー部32および当該ばね部33を介して基板23に対して3次元的に変位可能に支持されている。
図2に示すように、センサ構造体20のうちA部ないしD部の全てにおいて固定電極ユニット24の固定電極指29と可動電極ユニット25の可動電極指31とは、それぞれの主面がX軸方向またはY軸方向に対向するように配されている。そして、不図示の電源から固定電極ユニット24の固定電極指29に電圧が印加され、可動電極ユニット25の可動電極指31が接地電位(GND)に維持されると、当該対向主面がキャパシタの機能を発揮する。
〔Z軸方向における対向電極の特徴〕
図3の部分拡大図に示すように、基板23主面に垂直なZ軸方向において、センサ構造体20においてA部およびB部では、可動電極指31と固定電極指29とが、それらの対向主面の図心同士が互いにずれるように配されている。C部およびD部でも同様に対向主面の図心同士が互いにずれるように電極指29,31が配されている。
すなわち、センサ構造体20のA部およびB部では、可動電極指31の当該対向主面の図心mcが固定電極指29の当該対向主面の図心fcよりも基板23主面に近づくように固定電極指29,可動電極指31が配されており(図6参照)、C部およびD部では、可動電極指31の当該対向主面の図心mcが固定電極指29の当該対向主面の図心fcよりも基板23主面から離れるように固定電極指29,可動電極指31が配されている(図7参照)。
当該構成に限定されず、当該電極指29と当該電極指31とを対比したときに基板23の主面からの離間距離が異なっていても良い。当該離間距離が同じであると、当該離間距離が異なる場合に比べて、SOI(Silicon On Insurator)基板を用いてセンサ構造体20を作製することが容易となって好ましい。
〔X軸方向、Y軸方向における対向電極の特徴〕
図3の部分拡大図に示すように、センサ構造体20のうちA部では、基板23の主面に沿う方向において、固定電極ユニット24の固定電極指29に挟まれるように配置された可動電極ユニット25の可動電極指31が両隣の固定電極ユニット24の固定電極指29に対して等距離に位置しておらず、具体的には、可動電極ユニット25の可動電極指31と当該可動電極指31に対してX軸の負の方向に位置する固定電極ユニット24の固定電極指29との間隙距離が、可動電極ユニット25の可動電極指31と当該可動電極指31に対してX軸の正の方向に位置する固定電極ユニット24の固定電極指29との間隙距離に比べて、短い。
可動電極ユニット25の可動電極指31と固定電極ユニット24の固定電極指29とが既述した位置で配設されたことによって、本実施の形態に係るセンサ構造体20では、加速度が加わって可動電極ユニット25の可動電極指31がX軸方向の変位成分を有するとき、A部とB部とを対比した場合に、可変キャパシタの静電容量の変化のうちX軸方向の変位に起因する成分が互いに逆符号となるような構造となっており、かつC部とD部とを対比した場合においても、加速度が加わって可動電極ユニット25の可動電極指31がY軸方向の変位成分を有するとき、同様の関係を有するような構造となっている。
具体的には、基板23主面に沿う方向において、センサ構造体20のうちC部では、可動電極ユニット25の可動電極指31と当該可動電極指31に対してY軸の負の方向に位置する固定電極ユニット24の固定電極指29との間隙距離が、可動電極ユニット25の可動電極指31と当該電極指31に対してY軸の正の方向に位置する固定電極ユニット24の固定電極指29との間隙距離に比べて、短い。
そして、センサ構造体20のうちC部とD部とを対比した場合に、C部での可変キャパシタの静電容量変化のうちY軸方向の変位に起因する成分が増加するとき、D部での可変キャパシタの静電容量変化のうちY軸方向の変位に起因する成分が減少し、逆に、C部での可変キャパシタの静電容量変化のうちY軸方向の変位に起因する成分が減少するとき、D部での可変キャパシタの静電容量変化のうちY軸方向の変位に起因する成分が増加するような構造となっている。
図5(a)は、本実施の形態に係るセンサ構造体20を電気等価回路で示した概略模式図であり、図5(b)は、本実施の形態に係る検出回路34を電気等価回路で示した概略模式図であり、図5(c)は、検出回路34への電圧印加のon/offのタイミングチャートを示した概略模式図である。
図5(a)に示すように、本実施の形態にかかるセンサ構造体20を電気等価回路として見たときに、可変キャパシタC1ないしC4のそれぞれでは、可動電極ユニット25の可動電極指31の各主面が同電位の平板電極となり、固定電極ユニット24の固定電極指29の主面が当該可動電極指31の主面とは異なる電位の平板電極となりかつ当該固定電極指29同士でも異なる電位に設定可能な平板電極となるように、センサ構造体20が構築されている。
<検出装置の動作>
図6、7は本実施の形態に係る可変キャパシタの概略断面図である。図6は上記A部およびB部での可変キャパシタの断面を、図7は上記C部およびD部での可変キャパシタの断面を概略的に示したものである。ちょうど図6は図3と対応し、図7は図4と対応している。
可変キャパシタC1,C2では、図3で示したように対向電極を構成する可動電極ユニット25の可動電極指31が一体的にかつ3次元的に変位するように設けられているので、センサ構造体20に加速度が加わったとき、図6の破線で示すように全ての当該可動電極指31が同じ方向に変位する。具体的には、X軸方向の変位成分とZ軸方向の変位成分とを含む方向に当該可動電極指31全てが同じ方向に変位する。
そして、上記式13と式14とを対比したときに注目すべき点は、Y軸方向変位に起因する変化成分すなわち△Yの項の符号が逆となっていて、かつ△Zの項の符号が同じになっている点である。
△X,△Y,△Zそれぞれの項においてこのような符号の関係が成立するのは、既述した電極構造に起因する。
〔X軸方向の加速度成分の検出動作〕
図5(c)に示すように、期間p1において、検出回路34のスイッチング素子s1b,s2aをonにし、かつ他のスイッチング素子をoffにすると、可変キャパシタC1のうち固定電極ユニット24の固定電極指29に対して電源から−Vrの電圧が印加され、かつ可変キャパシタC2のうち固定電極ユニット24の可動電極指29に対して電源から+Vrの電圧が印加される。
この出力電圧Vxがオペアンプ(OPA)35から出力され、期間p1においてスイッチSxがonされるとキャパシタCxに出力電圧Vxが蓄積され、出力電圧Vxを検出できる。
したがって、上記電極構造ならびに上記演算処理によって可動電極ユニット25の可動電極指31のX軸方向の変位成分のみを検出することができる。
図5(c)に示すように、期間p2において、検出回路34のスイッチング素子s3b,s4aをonにし、かつ他のスイッチング素子をoffにすると、可変キャパシタC3のうち固定電極ユニット24の固定電極指29に対して電源から−Vrの電圧が印加され、かつ可変キャパシタC4のうち固定電極ユニット24の固定電極指29に対して電源から+Vrの電圧が印加される。
この出力電圧Vyがオペアンプ(OPA)35から出力され、期間p2においてスイッチSyがonされるとキャパシタCyに出力電圧Vyが蓄積され、出力電圧Vyを検出できる。
したがって、上記電極構造ならびに上記演算処理によって可動電極ユニット25の可動電極指31のY軸方向の変位成分のみを検出することができる。
図5(c)に示すように、期間p3において、検出回路34のスイッチング素子s1a,s2a,s3b,s4bをonにし、かつ他のスイッチング素子をoffにすると、各可変キャパシタC1,C2のうち固定電極ユニット24の固定電極指29に対して電源から+Vrの電圧が印加され、かつ各可変キャパシタC3,C4のうち固定電極ユニット24の固定電極指29に対して電源から−Vrの電圧が印加される。
この出力電圧Vzがオペアンプ(OPA)35から出力され、期間p3においてスイッチSzがonされるとキャパシタCzに出力電圧Vzが蓄積され、出力電圧Vzを検出できる。
《実施の形態1に係る加速度検出装置の効果》
本実施の形態では、当該センサ構造体20が固定電極ユニット24の固定電極指29と可動電極ユニット25の可動電極指31とが上記構成を有することにより、A部とB部とを対比するとき、可変キャパシタC1とC2とがX軸方向において逆符号の静電容量変化を起こすように配され、かつC部とD部とを対比したとき、可変キャパシタC3とC4とがY軸方向において逆符号の静電容量変化を起こすように配されている。
したがって、当該センサ構造体20を上記演算処理部に組み込み、上記タイミングに従って当該センサ構造体20に加速度が加わったときの出力値を演算処理すれば、3軸方向の加速度を検出することができる加速度検出装置を実現することができる。
そして、本実施の形態における加速度センサは、サーフェスマイクロマシニング技術で作製できるので、汎用のMEMSプロセスで作製でき、従来のバルクマイクロマシニング技術で作製された3軸加速度センサと比べて製造工程が簡易な構造を備えている。
また、図2に示すように、固定電極指29への通電経路は、二等辺状の壁部28を通じてその端、より具体的には十字状の質量部30を構成する上記杆の夫々を線対称の軸とする正方形を想定したときにその仮想の正方形の角部から基板23の主面に形成された電位取り出し部26へと繋がり、可動電極指31への通電経路は、上記仮想正方形の各辺の中間に位置するばね部33に通電経路を兼用させて、質量部30とそのばね部33を通りアンカー部32を通って固定電極指29側の電位取出し部26とは異なる電位取出し部26へと繋がっているので、当該センサ構造体20での配線を平面状に容易に形成することができ、センサ構造体20の薄型化を図ることができる。
<その他>
本実施の形態では、上記第1の主面と上記第2の主面とが基板23主面方向における直交座標系の各軸方向(X軸方向およびY軸方向)と直角になるように配されていたが、これに限定されず、これらX軸方向、Y軸方向と直角でなくても良い。
なぜなら、既述のように、3軸の加速度を受けたときの各キャパシタの静電容量には、各キャパシタの対向主面と垂直な方向の変位成分と、基板23に垂直な方向の変位成分との2つの成分が含まれているので、3つのキャパシタを用意しておけば適切な演算処理を実行することにより当該各方向の変位成分を抽出でき、基板23主面での実装面積を削減することができる。
すなわち、上記実施の形態で用いた簡易な構成の演算処理部によっては、3つのキャパシタからなるセンサ構造体を採用すると、演算処理ができないのに対し、本実施の形態に係る4つのキャパシタからなるセンサ構造体20を用いれば、演算処理ができる。
しかしながら、質量部30が直交する杆状の外形を有していれば、幾何的に安定するので、感度の安定性を向上させることができて好ましく、さらに可動電極指31が当該杆部材の軸に線対称に配されていれば、さらに幾何的に安定して感度の安定性を向上させることができる。
11 絶縁モールド体
12 センサ部
13 演算処理部
14 ダイパッド
15 導電部材
16 リード
17,18,19 ボンディングパッド部
20 センサ構造体
21 被覆板
22 スルーホール
23 基板
24 固定電極ユニット
25 可動電極ユニット
26 電位取り出し部
27 枠体
28 壁部
29 固定電極指
30 質量(マス)部
31 可動電極指
32 アンカー部
33 ばね部
34 検出回路
35 オペアンプ
36 シーケンス制御用回路
37 検出回路部
Claims (7)
- 基板と、この基板に対しX,Y,Z軸方向に揺動自在な揺動体とを備え、
前記揺動体は第1揺動杆とこれに交差する第2揺動杆とを備え、
両揺動杆の交差部を中心として反対方向に伸びる、合計4つの揺動杆部材の夫々には複数の可動電極が形成され、前記基板側には前記可動電極の夫々に対向する固定電極が形成されて電極対が形成され、
前記第1揺動杆、第2揺動杆の夫々に形成された夫々の前記可動電極が、長尺状であって前記基板と並行し、これらに対向する前記固定電極が長尺状であって前記基板と並行しており、前記固定電極と前記可動電極とは夫々の軸が平行になるように対向しており、各揺動杆部材に設けられた複数の可動電極とそれに対向する基板上の固定電極は、前記交差部からの距離に比例して電極長が長くなるように構成され、且つ各可動電極とそれに対向する基板上の固定電極は、揺動杆の軸を基準に線対称になるように配され、
第1揺動杆を構成する一対の前記揺動杆部材の夫々の可動電極と、これらに対向する前記固定電極とによって形成されている電極対は、第1揺動杆の長手方向(X軸方向)の揺動に対し、一方の電極対の間隙が縮まり、他方の電極対の間隙が拡がるように設定され、
第2揺動杆を構成する一対の前記揺動杆部材の夫々の可動電極と、これらに対向する前記固定電極とによって形成された電極対は、第2揺動杆の長手方向(Y軸方向)の揺動に対し、一方の電極対の間隙が縮まり、他方の電極対の間隙が拡がるように設定され、
さらに、前記揺動体のZ軸方向の揺動に対し、第1揺動杆の電極対の静電容量の変化と第2揺動杆の電極対の静電容量の変化とが逆になるよう前記固定電極と可動電極の関係が設定されていることを特徴とする加速度センサ。 - 加速度が作用していない状態において、前記第1揺動杆に形成された前記可動電極と前記基板上の前記固定電極とで構成される1対の電極対の静電容量、ならびに前記第2揺動杆に形成された前記可動電極と前記基板上の前記固定電極とで構成される1対の電極対の静電容量が夫々等しく設定されていることを特徴とする請求項1に記載の加速度センサ。
- 2つの揺動杆の前記可動電極と前記基板上の前記固定電極との配設順序は、2つの揺動杆の交差部から見たとき、いずれの揺動杆部材に沿う方向においても同一の順序であることを特徴とする請求項1または2に記載の加速度センサ。
- 前記第1揺動杆の電極対の対向面における可動電極側の対向面の図心と固定電極側の対向面の図心との前記Z軸方向での順序が、前記第2揺動杆の電極対の対向面における可動電極側の対向面の図心と固定電極側の対向面の図心との前記Z軸方向での順序と、逆になっていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の加速度センサ。
- 第1揺動杆と第2揺動杆とは、各杆の両端部が、基板に設けたばね部材で支持されていることにより、揺動自在な構成とされていることを特徴とする請求項1に記載の加速度センサ。
- 加速度作用時において、前記第1揺動杆部の電極対が、以下の式(1)または(2)の関係を満たす静電容量変化を起こすキャパシタとして夫々形成され、前記第2揺動杆部の電極対が以下の式(3)または(4)の関係を満たす静電容量変化を起こすキャパシタとして夫々形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の加速度センサ。
(1) C1=Co+P△X+R△Z
(2) C2=Co−P△X+R△Z
(3) C3=Co+Q△Y−R△Z
(4) C4=Co−Q△Y−R△Z
但し、C1,C2,C3,C4:加速度が作用したときの各可変キャパシタの静電容量
Co:加速度が作用していないときの各可変キャパシタの静電容量(初期容量)
P,Q,R:係数
△X,△Y,△Z:各軸方向の変位 - 請求項6に記載の加速度センサと、加速度の作用に応じて前記X,Y,Zの夫々の軸方向成分値を出力する演算処理部とを備えており、
前記演算処理部は加速度の作用に応じて以下の式(5)から(7)を実行することを特徴とする加速度検出装置。
(5) (Co+P△X+R△Z)・(−Vr)+(Co−P△X+R△Z)・(+Vr)=Cf・Vx
(6) (Co+Q△Y−R△Z)・(−Vr)+(Co−Q△Y−R△Z)・(+Vr)=Cf・Vy
(7) (Co+P△X+R△Z)・(+Vr)+(Co−P△X+R△Z)・(+Vr)+(Co+Q△Y−R△Z)・(−Vr)+(Co−Q△Y−R△Z)・(−Vr)=Cf・Vz
但し、Co:加速度が作用していないときの各可変キャパシタの静電容量(初期容量)
P,Q,R:係数
△X,△Y,△Z:各軸方向の変位
+Vr,−Vr:当該加速度検出装置に対する入力電圧
Vx,Vy,Vz:当該加速度検出装置からの出力電圧
Cf:負帰還用キャパシタの静電容量
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