JP5031170B2 - 内蔵光学センサを備えた研磨パッド - Google Patents

内蔵光学センサを備えた研磨パッド Download PDF

Info

Publication number
JP5031170B2
JP5031170B2 JP2002510230A JP2002510230A JP5031170B2 JP 5031170 B2 JP5031170 B2 JP 5031170B2 JP 2002510230 A JP2002510230 A JP 2002510230A JP 2002510230 A JP2002510230 A JP 2002510230A JP 5031170 B2 JP5031170 B2 JP 5031170B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing pad
electrical signal
transformer winding
polishing
reflected light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002510230A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004503925A5 (ja
JP2004503925A (ja
Inventor
ステファン・エイチ・ウルフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Strasbaugh Inc
Original Assignee
Strasbaugh Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Strasbaugh Inc filed Critical Strasbaugh Inc
Publication of JP2004503925A publication Critical patent/JP2004503925A/ja
Publication of JP2004503925A5 publication Critical patent/JP2004503925A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5031170B2 publication Critical patent/JP5031170B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013Devices or means for detecting lapping completion
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

【0001】
技術分野
本発明は半導体ウェハ加工の分野であり、特に、半導体ウェハで行われる化学機械研磨作業で使用する使い捨て研磨パッドに関し、ここで研磨パッドは研磨作業が行われている間に、研磨される表面の状態を監視し、加工の終了点を決定することができる光学センサを有する。
【0002】
背景技術
1999年4月13日に発行された米国特許第5893796号および2000年4月4日に発行された継続特許第6045439号において、ビラング(Birang)らは研磨パッドに取り付けられる窓の多くの設計を示している。研磨されるウェハは研磨パッドの上面にあり、該研磨パッドは剛体プラテンの上にあって、これによりウェハの下面で研磨が生じる。その表面は、研磨加工中、剛体プラテンより下方に設置された干渉計により監視される。干渉計はレーザビームを上方に向け、該レーザビームがウェハの下面に達するようにするために、レーザビームはプラテンの開口を通過し、研磨パッドを経て上方に続くようにしなければならない。プラテンの開口の上方にスラリーが蓄積するのを防止するために、研磨パッドに窓が設けられている。窓がどのように形成されるかに拘わらず、干渉計センサが常にプラテンの下方に設置され、研磨パッドには決して設置されないことは明らかである。
【0003】
1999年9月7日にタング(Tang)に発行された米国特許第5949927号には、研磨加工中に研磨面を監視する多くの技術が記載されている。ある実施形態では、タングは、研磨パッドに埋設された光ファイバーケーブルに言及している。このケーブルは単に光の導体にすぎない。光源および検出を行う検出器はパッドの外側に設置されている。研磨パッドの内側に光源や検出器を含むことをタングはどこにも提案していない。タングのいくつかの実施形態では、光ファイバー内の光を回転部品から静止部品に送信するのに、光ファイバーデカプラ(decoupler)が使用されている。他の実施形態では、光信号は回転部品上で検出され、その結果の電気信号は電気スリップリングを介して静止部品に送信される。タングの特許には、電波や、音響波、変調光ビーム、あるいは磁気誘導により電気信号を静止部品に送信することの提案はなされていない。
【0004】
1992年1月21日にシュルツ(Schultz)に発行された米国特許第5081796号には、部分研磨後に、ウェハの一部がプラテンの縁に張り出す位置にウェハを移動させる方法が記載されている。この張り出し部分の磨耗量は干渉計により測定され、研磨加工を続けるべきか否かが決定される。
【0005】
結論として、研磨加工中に研磨された面を監視する幾つかの技術が当業者に知られているが、これらの技術のいずれも満足のいくものはない。タングに記載された光ファイバーバンドルは高価であり、潜在的に脆弱である。ビラングらにより使用されているように、プラテンの下に設置された干渉計の使用は、研磨パッドを支持するプラテンに開口を形成することを必要とする。従って、本発明者は、経済的で強固であり、部品の小型化に最新の進歩を利用した監視システムを案出することに着手した。
【0006】
発明の開示
本発明の目的は、研磨作業中に、研磨されるウェハ表面の反射率のような光学特性を監視するために光学センサが収容された研磨パッドを提供することである。光学センサから引き出されるリアルタイムのデータにより特に加工の終了点を決定することが可能である。
【0007】
本発明の他の目的は、研磨パッド内の光学センサに電力を供給する装置を提供することである。
【0008】
本発明の他の目的は、光学特性を示す電気信号を回転研磨パッドから隣接する非回転受信部に送信するのに使用される電力を供給する装置を提供することである。
【0009】
本発明の他の目的は、研磨パッドが電力および信号処理回路を収容する非使い捨てハブに取り外し可能に接続される、光学センサを収容する使い捨て研磨パッドを提供することである。
【0010】
本発明によると、光源と検出器を有する光学センサは、研摩パッドの盲穴に、研摩される面に対向するように配置されている。光源からの光は研摩される面で反射し、該反射光は検出器で検出され、該検出器は検出器に反射して戻った光の強度に関する電気信号を生成する。
【0011】
検出器で生成された電気信号は、研摩パッドの層間に隠された薄導体により、検出器の位置から研摩パッドの中央孔まで、半径方向内方に伝導される。
【0012】
使い捨て可能な研摩パッドは、機械的かつ電気的に、研摩パッドと共に回転するハブに取り外し可能に接続されている。ハブは、電力を光学センサに供給すること、および検出器で生成された電気信号をシステムの非回転部に送信することと関係する電子回路を有する。これらの電子回路の費用を負担しているため、ハブは使い捨て可能であるとは考えられていない。研摩パッドが磨耗して使用できなくなった後、当該研摩パッドは光学センサと薄導体とともに廃棄される。
【0013】
本発明によると、ハブ内の電子回路を作動させ光学センサの光源に給電するための電力は、いくつかの技術により供給される。好ましい実施形態では、変圧器の二次巻線は回転ハブ内に収容され、一次巻線は研摩機の隣接する非回転部に設置されている。第1の代案の実施形態では、太陽電池すなわち光電池配列(photovoltaic array)が回転ハブに装着され、機械の非回転部に装着された光源により照射される。他の代案の実施形態では、電力はハブ内に設置されたバッテリーから引き出される。さらに他の実施形態では、回転研磨パッドまたは回転ハブの電気導体は、研摩機の隣接する非回転部に装着された永久磁石の磁界を通過し、発電機を構成する。
【0014】
本発明によると、研摩される面の光学特性を表す電気信号は、任意の技術により、回転ハブから研摩機の隣接する静止部に送信される。好ましい実施形態では、送信される電気信号は、隣接する非回転構造に設置された検出器により、光ビームを周波数変調するのに使用される。代案の実施形態では、無線リンクまたは音響リンクにより送信される。さらに他の実施形態では、信号は回転ハブ上の変圧器の一次巻線に印加され、研摩機の隣接する非回転部に設置された変圧器の二次巻線により受け取られる。この変圧器は、電力をハブに結合するのに使用される変圧器と同じであるか、異なる変圧器とすることもできる。
【0015】
本発明の特徴であると信じられる機構と操作方法の両方についての新規な特徴は、さらなる目的と利点とともに、本発明の幾つかの実施形態を一例として示す添付図面に関してなされる以下の説明からより明らかとなる。しかしながら、図面は例証と説明のみを目的とするものであり、本発明の限界を規定するものではないことは明確に理解されるべきである。
【0016】
発明を実施するための最良の形態
本発明が使用されるウェハは、異なる材料の複数層を有する合成構造である。典型的には、最外層は下層との境界面に達するまで研磨される。この点において、研磨加工の終了点に達したと言われている。本発明の研磨パッドは、金属から酸化物または他の材料までの移行(transition)はもちろんのこと、酸化物層からシリコン層までの移行を検出するのに適用することができる。
【0017】
研磨機を停止してウェハを取り除いて検査し、該ウェハを研磨機に戻して研磨機を始動することは、工程が十分に行われたか否かを決定する非常に非効率的な方法である。理想的には、本発明を用いることで、本発明の光学センサが終了点(endpoint)に達したという決定を許す情報を提供するまで、研磨加工を進行することができる。
【0018】
終了点の検出が本発明の主目的ではないが、本発明を使用する他の可能性は考慮中である。これには、終了点がどれくらい離れているかを決定すること、ウェハ上の種々の領域をサンプリングすること、ウェハの表面をマッピングすることも含んでいる。単一の光学センサが次の段落に記載されているが、本発明のいくつかの使用では多数の光学センサを研磨パッドに含めてもよいことが企図されている。
【0019】
本発明は、従来の研磨パッドに光学センサと他の部品を埋設することにより当該従来の研磨パッドを修正することを含む。未修正の研磨パッドは商業的に広範囲に入手可能であり、ニュージャージー州ニューアークのローデル社(Rodel Company)により製造されたモデルIC1000は典型的な未修正パッドである。トーマスウェスト社(Thomas West Company)により製造されたパッドも使用することができる。これらのパッドを本発明に従って修正し使用する方法は以下の説明から明らかである。
【0020】
この議論では、本発明の光学センサは研磨される面の光学特性を検出することが分かる。典型的には、面の光学特性はその反射率である。しかしながら、偏光、吸収性、光ルミネセンス(あれば)を含む面の他の光学特性も検出することができる。これらの種々の特性を検出する技術は光学分野で公知であり、典型的には、偏光子やスペクトルフィルタを光学系に付加することを含む。このため、以下の議論では、さらに一般的な用語である「光学特性」が使用されている。
【0021】
以下に使用される「光学(optical)」および「光(light)」の用語は、紫外光、可視光、赤外光を含む。「無線(radio)」および「音響(acoustic)」の用語は、通常の広い意味において使用されている。
【0022】
図1に示すように、研磨パッド10は円形形状であり、中央円形孔12を有する。本発明に従い、盲穴14が研磨パッドに形成され、該穴14は研磨される面に対向するように上方に開口している。本発明に従い、光学センサ16が盲穴14に設置され、該光学センサ16から中央開口12まで延びる導体リボン18が研磨パッドに埋設されている。
【0023】
研磨パッドが使用されるとき、ハブ20が中央孔12に上方から挿入され、研磨パッドの下方にあるベース22をハブ20のねじ部にねじ止めすることでそこに固定される。図4に最もよく見られるように、研磨パッド10はハブの一部とベースの一部の間に挟持される。研削加工中、研磨パッド、ハブおよびベースは、中央垂直軸24の回りに互いに回転する。
【0024】
図1および図4−7には、研磨機の非回転部26が見られる。これはハブ20の近傍または上方に設置されるのが好ましい。非回転部26は、本発明の一部とは考えられないが、本発明の付属物であり、その目的は以下にさらに十分に説明する。
【0025】
図2は、好ましい実施形態における光学センサ16をさらに詳細に示す上方前部斜視図である。光学センサ16は、光源28、検出器30、反射面32および導体リボン18からなる。導体リボン18は、電力を光源28に供給し、検出器30の電気出力信号を中央孔12に送信するために、互いに積層された多数のほぼ平行な導体を有する。光源28と検出器30は調和した組みであるのが好ましい。一般に、光源28は発光ダイオードであり、検出器30はフォトダイオードである。光源28により放射された光束の中央軸は最初は水平に向けられるが、反射面32に達すると、当該光は上方に向かって研磨される面に衝突し反射する。反射光は反射面32で向きを変えられ、これにより検出器30に落ち、該検出器はそこに落ちた光の強度に関係した電気信号を生じる。図2に示す配置はセンサの高さを節約するように選択されている。
【0026】
より小さな光源や検出器が利用可能になると、反射面で分配することができ、その代わりに図3の側面図に示す配置を使用することができる。
【0027】
光学部品と導体リボン18の端部は、図1の盲孔14内にこぢんまりと嵌まるようなサイズである薄いディスク34の形態に包まれている。図2と図3の配置では、検出器に達する迷光の量を低減するのにバッフルを使用してもよいことが理解される。
【0028】
導体リボン18内には、電力導体36、信号導体38、および図示しない1または複数の戻りまたは接地導体の少なくとも3つの導体が含まれている。
【0029】
図4に最もよく示すように、電力導体36は研磨パッドの中央孔12の近傍にて電力プラグ40で終わっており、同様に信号導体38は信号プラグ42で終わっている。ハブ20が中央孔12に挿入されると、電力プラグ40は電力ジャック44と電気的に接触し、信号プラグ42は信号ジャック46と電気的に接触する。Oリングシール48は、研磨加工で使用される液体がプラグやジャックに達するのを防止している。ジャー蓋形のシール50がベース22に設けられ、ハブ内の電子回路が汚染されずに残るのをさらに保証している。
【0030】
検出器30によって生成される光学特性に関する電気信号は、信号ジャック46から導体52によって信号処理回路54に送信され、該信号処理回路は当該電気信号に応じて導体56に光学特性を示す処理信号を生成する。導体56の処理信号は次に送信器58に印加される。
【0031】
図4に示す実施形態では、送信器58は、時間変動電流(time-varying electrical current)を変圧器の一次巻線60に印加し、該変圧器は処理信号を表す可変磁界(varying magnetic field)62を生成する。磁界62はハブ20の上部を通って上方に延びて、研磨機の非回転部26または他の非回転物体の近傍に設置された変圧器の二次巻線によって傍受される。可変磁界62は二次巻線64に電流を誘導し、該電流は受信器66に印加され、該受信器はターミナル68に光学特性を表す信号を生成する。この信号は、研磨作業の進展を監視したり、および/または,研磨加工の終了点に達したか否かを決定するような目的で、外部回路により使用される。
【0032】
電力を研磨機の隣接する非回転部26から回転ハブ20に送信するのに、類似の誘導技術を使用してもよい。非回転部26の主電源70は電流を変圧器の一次巻線72に印加し、該変圧器は磁界74を生成し、該磁界はハブ20の上部を通って下方に延びて、二次巻線76によって傍受され、該二次巻線において可変磁界は電流を誘導し、該電流は電力受信回路78に印加される。電力受信器78は導体80上の電力を電力ジャック44に印加し、該電力ジャックから電力が電力プラグ40と電力導体36を経て光源28に送信される。また、電力受信器78は導体82を介して電力を信号処理回路54に供給し、導体84を介して送信器58に供給する。現在のところ、磁気誘導技術はベストモードであり、電力を回転ハブ20に送信する好ましい実施形態である。ある実施形態では、巻線60は同じ巻線76であり、巻線64は同じ巻線72である。重畳電力と信号成分は、この実施形態では異なる周波数帯域であり、フィルタリングによって分離される。
【0033】
図5−7は、代案の実施形態を示し、ここでは回転ハブ20から研磨機の非回転部26に信号を送信し、また非回転部26から回転ハブ20に電力を送信するのに他の技術が使用されている。
【0034】
図5に示す実施形態では、送信器58はさらに変調器86を有し、該変調器は発光ダイオードまたはレーザダイオード88に光学特性を表す処理信号である周波数変調電流を印加する。発光ダイオード88は光波90を放射し、該光波はレンズ92でフォトダイオード検出器94上に集光される。検出器94は光波を電気信号に変換し、該電気信号は受信器96で複調され、ターミナル68に光学特性を表す電気信号を生成する。現在のところ、これは電気信号を回転ハブ20から研摩機の非回転部26に送信するベストモードであり、好ましい技術である。
【0035】
また、図5の実施形態では、電力の主電源はバッテリー98であり、該バッテリーは電力を電力分配回路100に供給し、該電力分配回路は電力を電力ジャック44、信号処理回路54および送信器回路58に分配する。
【0036】
図6の実施形態では、送信器58はアンテナ102を有する無線送信器であり、該送信器はハブ20の上部を通って電波104を送信する。電波104はアンテナ106で傍受され、受信器103で複調され、ターミナル68に光学特性を表す電気信号を生成する。
【0037】
また、図6の実施形態では、電力は、非回転部26に設置された永久磁石110からなる磁石とインダクタ112とからなり、インダクタ112が永久磁石110を通って回転すると、永久磁石110の磁界は電流を誘導する。誘導電流は電力回路114で整流され濾過されて電力分配回路116により分配される。
【0038】
図7の実施形態では、送信器58はさらに電力増幅器118を含み、該電力増幅器は音波122を生成するラウドスピーカ120を駆動する。音波122は研摩機の非回転部26に設置されたマイクロフォン124でピックアップされる。マイクロフォン124は電気信号を生成し、該電気信号は受信器126に印加され、該受信器は光学特性を表す電気信号をターミナル68に生成する。
【0039】
また図7の実施形態では、非回転部26に設置された光源132により太陽電池すなわちソーラーパネル128に照射された光130に応じて、電力が回転ハブ20内で発生する。ソーラーパネル128の電気出力は、必要なら変換器134により適当な電圧に変換され、電力分配回路116に印加される。
【0040】
以上のように、化学機械研摩加工において使用する研摩パッドであって、研摩加工中に研摩される面の状態を監視する光学センサを含む研摩パッドを説明した。光学系を含む研摩パッドは、使い捨て可能であり、光学センサで生成される信号を受信して非回転部に送信する使い捨てでないハブとともに使用される。ハブはまた該ハブに設置された他の電子回路はもちろん光学センサに電力を供給する回路を有する。前述した幾つかの実施形態では、信号は電波、音波、光波、または磁気誘導により、回転ハブから非回転部に送信されてもよいことが分かる。また、種々の実施形態では、バッテリーをハブに収容したり、外部で照射される光により起動するソーラーパネルを介して電力をハブに結合し、あるいは回転ハブに装着された誘導機(inductor)内で固定永久磁石が電流を誘導する発電機(magneto)により、電力を供給してもよい。
【0041】
産業上の利用可能性
研摩パッドに内蔵された光学センサにより、研摩加工の進展を連続的に監視することができ、所望の終了点に達したときに加工を終わらせることができるとともに、加工を早くまたは遅く終わらせるのを回避することができる。このような望まれない可能性を回避することにより、研摩加工をさらに有効に完了させることができる。本発明は、異なる光学特性を有する層を有する如何なる加工物の研摩や研削にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の好ましい実施形態の要素の一般配置を示す分解斜視図。
【図2】 本発明の好ましい実施形態に使用される光学センサの前方上部斜視図。
【図3】 本発明の代案の実施形態における光学センサを示す側面図。
【図4】 本発明の好ましい実施形態によるハブの中間断面を示す図。
【図5】 本発明の第1の代案実施形態におけるハブの中間断面を示す図。
【図6】 本発明の第2の代案実施形態におけるハブの中間断面を示す図。
【図7】 本発明の第3の代案実施形態におけるハブの中間断面を示す図。
【符号の説明】
10 研摩パッド
12 中央孔
14 穴
20 ハブ
26 非回転部
28 光源
30 検出器
58,78 電子回路

Claims (49)

  1. 加工物の面上で研摩加工を実行するのに使用する研摩パッドにおいて、
    研摩加工中に前記面の光学特性を検出する光学手段を前記研摩パッドに設け、
    前記光学手段は、光を生成する光源と、前記光源から前記加工物の面で反射した光を受けて、反射光の強度を表す電気信号を生じる検出手段とを有し、
    前記光学手段から前記研磨パッドの中央孔に電気信号を伝導する信号伝導手段を前記研磨パッドに設けたことを特徴とする研摩パッド。
  2. 前記光源は発光ダイオードである請求項1に記載の研摩パッド。
  3. 前記光源はソリッドステートレーザである請求項1に記載の研摩パッド。
  4. 前記光源は前記加工物の面を照射するように向けられている請求項1に記載の研摩パッド。
  5. 前記光学手段はさらに、前記光源により生成される光を前記加工物の面に反射するように向けられた反射面を有する請求項1に記載の研摩パッド。
  6. 前記信号伝導手段はさらに細長いフレキシブル回路板を有する請求項1に記載の研摩パッド。
  7. 前記中央孔に設置された取り外し可能なハブと、
    前記信号伝導手段を離脱可能に受け入れて電気信号を前記ハブに入れるように機械的に適合された電気信号接続手段と、
    該電気信号接続手段に接続され、前記電気信号を受け入れて、該電気信号に応じて光学特性を表す処理信号を生成する信号処理手段と、
    該信号処理手段に接続され、前記処理信号を送信する送信手段と、
    を有する請求項1に記載の研摩パッド。
  8. 前記送信手段はさらに前記処理信号を表す電波を送信する手段を有する請求項7に記載の研摩パッド。
  9. 前記送信手段はさらに前記処理信号を表す音波を放射する手段を有する請求項7に記載の研摩パッド。
  10. 前記送信手段はさらに前記処理信号を表す光波を放射する手段を有する請求項7に記載の研摩パッド。
  11. 前記送信手段はさらに前記処理信号を表す可変磁界を生成する手段を有する請求項7に記載の研摩パッド。
  12. 前記中央孔から前記光学手段に延び、該光学手段に電力を供給する電力導体と、
    前記研摩パッドの中央孔に設置された取り外し可能なハブとからなり、
    前記取り外し可能なハブは、
    外部で付与されるエネルギーに応じて電力を生じる電力受容手段と、
    前記電力導体を離脱可能に受け入れて、前記電力受容手段により生成された電力を前記電力導体に印加するように機械的に適合された電力接続手段とを有する請求項1に記載の研摩パッド。
  13. 前記電力受容手段は、外部で当たる光に応じて電力を生成する太陽電池を有する請求項12に記載の研磨パッド。
  14. 前記電力受容手段は誘導器を有し、該誘導器は当該誘導器を通過する印加磁界の変化に応じて電力を生成する請求項12に記載の研摩パッド。
  15. 前記研摩パッドの中央孔から前記光学手段に延び、該光学手段に電力を供給する電力導体と、
    前記研摩パッドの中央開口に設置された取り外し可能なハブとをさらに有し、
    前記取り外し可能なハブは、
    電力を生成するバッテリーと、
    前記電力導体を離脱可能に受け入れて、前記バッテリーにより生成された電力を前記電力導体に印加するように機械的に適合された電力接続手段とを有する請求項1に記載の研摩パッド。
  16. ウェハを研磨し、正確な研磨手順の終了点を決定するためのシステムであって、研磨パッドはプラテンに固定され、前記プラテンおよび前記研磨パッドは回転し、前記ウェハの表面は該表面の研磨を達成するために前記研磨パッドの研磨範囲に保持され、少なくとも前記研磨パッドの一部は研磨に使用されないシステムにおいて、
    前記研磨範囲中に、前記パッドに配置されたディスクを有する研磨パッドと、
    前記ディスクの中に配置され、前記ウェハ表面の光学特性を検出するようになっており、前記ウェハ表面の光学特性に応じた電気信号を出力するように動作可能である光学センサと、
    回転中のパッドから、固定受信器に信号を誘導的に伝達するように動作可能な誘導連結システムであって、前記パッドとともに回転するように前記パッドに固定された一次変圧器巻線と、前記固定受信器中の二次変圧器巻線と、前記光学センサからの電気信号出力を前記一次変圧器巻線に伝達する手段を含む誘導連結システムとからなるシステム。
  17. 前記光学センサは、前記ウェハ表面の光学特性に比例した一定の電流出力を与え、
    前記誘導連結システムは、前記光学センサの前記一定の電流出力を前記一次変圧器巻線への時間変動電気入力に変換する手段をさらに含む、請求項16に記載のシステム。
  18. 前記研磨パッドに配置され、前記ウェハ表面を照らして前記光学センサに反射光を与える発光源をさらに含み、
    前記光学センサは、前記ウェハ表面からの反射光の強さに応じて出力を与える請求項16に記載のシステム。
  19. 前記光学センサは、前記研磨パッドの中心から外れて設置され、
    前記一次変圧器巻線は前記パッドの中心に設置され、
    前記固定受信器は、前記二次変圧器巻線が前記一次変圧器巻線に動作可能に近接して保持されるように、前記一次変圧器巻線に関係して設置されている請求項16に記載のシステム。
  20. 前記研磨パッドの中央に設置され、前記一次変圧器巻線を収容するハブをさらに含み、
    前記固定受信器は、前記二次変圧器巻線が前記一次変圧器巻線に動作可能に近接して保持されるように、前記ハブの上に吊り下げられている請求項16に記載のシステム。
  21. ウェハ表面を研磨し、前記ウェハ表面の状態に関するデータを収集し転送する研磨パッドアセンブリであって、
    研磨パッドと、
    前記研磨パッドに設置され、ウェハ表面に光線を導く手段と、
    前記研磨パッドに設置され、前記ウェハ表面からの反射光を検出し、前記反射光に応じた電気信号を創成する光検出手段と、
    前記反射光に応じた電気信号を処理し、前記反射光に応じた時間変動電気信号を生成する手段と、
    送信器の前記時間変動電気信号出力を受け取るようになっている一次変圧器巻線とを含む前記研磨パッドアセンブリ。
  22. 信号を分析して前記ウェハ表面の状態を決める手段に出力するために、前記一次変圧器巻線に入力された時間変動電気信号が時間変動電気信号を誘導するように、前記一次変圧器巻線に動作可能に近接して設置された二次変圧器巻線をさらに含む請求項21に記載の研磨パッドアセンブリ。
  23. 前記ウェハ表面に光線を導く手段はLEDからなり、
    前記反射光を検出する手段は、検出された反射光の量に比例する電流を生成するフォトダイオードからなり、
    前記電気信号を処理し、時間変動電気信号を生成する手段は、前記フォトダイオードによる電流出力に応じた処理された電気信号を生成するようになっている信号プロセッサと、前記処理された信号に応じた時間変動電流を生成するようになっている送信器とを含む請求項21に記載の研磨パッドアセンブリ。
  24. 前記ウェハ表面に光線を導く手段はLEDからなり、
    前記反射光を検出する手段は、検出された反射光の量に比例する電流を生成するフォトダイオードをからなり、
    前記電気信号を処理し、時間変動電気信号を生成する手段は、前記フォトダイオードによる電流出力に応じた処理された電気信号を生成するようになっている信号プロセッサと、前記処理された信号に応じた時間変動電流を生成するようになっている送信器とを含む請求項22に記載の研磨パッドアセンブリ。
  25. 前記一次変圧器巻線は、前記パッドの中心近くに位置し、前記パッドが回転する時に前記パッドと共に回転するように前記パッドに固定されている請求項21に記載の研磨パッドアセンブリ。
  26. 前記一次変圧器巻線は、前記パッドの中心近くに位置し、前記パッドが回転するときに前記パッドと共に回転するように、前記パッドに固定され、前記二次変圧器巻線は、前記一次巻線の上に吊り下げられている請求項22に記載の研磨パッドアセンブリ。
  27. 前記反射光に応じた電気信号を処理し、前記反射光に応じた時間変動電気信号を生成する手段および前記一次変圧器巻線は、前記研磨パッドの中心に固定されたハブの中に設置され、前記二次変圧器巻線は、前記ハブの近傍に吊り下げられている請求項25に記載の研磨パッドアセンブリ。
  28. 前記反射光に応じた電気信号を処理し、前記反射光に応じた時間変動電気信号を生成する手段および前記一次変圧器巻線は、前記研磨パッドの中心に固定されたハブの中に設置され、前記二次変圧器巻線は、前記ハブの近傍に吊り下げられている請求項26に記載の研磨パッドアセンブリ。
  29. 前記研磨パッドに固定された二次電力変圧器巻線と、一次電力変圧器の近くに固定された一次電力変圧器巻線と、前記二次電力変圧器巻線の出力から前記光を導く手段に電力を供給する手段とをさらに含む請求項21に記載の研磨パッドアセンブリ。
  30. 前記研磨パッドに固定された二次電力変圧器巻線と、一次電力変圧器の近くに固定された一次電力変圧器巻線と、前記二次電力変圧器巻線の出力からLEDに電力を供給する手段とをさらに含む請求項22に記載の研磨パッドアセンブリ。
  31. ウェハ表面を研磨し、前記ウェハ表面の状態に関するデータを収集し転送する研磨パッドアセンブリであって、
    研磨パッドと、
    前記研磨パッドに設置され、ウェハ表面に光線を導く手段と、
    前記研磨パッドに設置され、前記ウェハ表面からの反射光を検出し、前記反射光に応じた電気信号を創成する光検出手段と、
    前記反射光に応じた電気信号を処理し、対応する処理された信号を生成する手段と、
    前記処理された信号に応じた時間変動電気信号を生成する送信器と、
    前記送信器の前記時間変動電気信号出力を受け取るようになっている一次変圧器巻線とを含む前記研磨パッドアセンブリ。
  32. 信号を分析して前記ウェハ表面の状態を決める手段に出力するために、前記一次変圧器巻線に入力された時間変動電気信号が時間変動電気信号を誘導するように、前記一次変圧器巻線に動作可能に近接して設置された二次変圧器巻線をさらに含む請求項31に記載の研磨パッドアセンブリ。
  33. ウェハを研磨し、正確な研磨手順の終了点を決定するためのシステムであって、研磨パッドはプラテンに固定され、前記プラテンおよび前記研磨パッドは回転し、前記ウェハの表面は該表面の研磨を達成するために前記研磨パッドの研磨範囲に保持され、少なくとも前記研磨パッドの一部は研磨に使用されないシステムにおいて、
    前記研磨範囲中に、前記パッドに配置されたディスクを有する研磨パッドと、
    前記ディスクの中に配置され、前記ウェハ表面の光学特性を検出するようになっており、前記ウェハ表面の光学特性に応じた電気信号を出力するように動作可能である光学センサと、
    回転中のパッドから、固定受信器に信号を光学的に伝達するように動作可能な光学連結システムであって、前記パッドとともに回転するように前記パッドに固定されたLEDと、前記固定受信器に収容され、前記LEDからの光信号出力を前記ウェハ表面の光学特性に対応する電気信号に変換動作可能な検出器と、前記光学センサからの電気信号出力を前記LEDに伝達する手段を含む光学連結システムとからなるシステム。
  34. 前記光学センサは、前記ウェハ表面の光学特性に比例した一定の電流出力を与え、
    前記光学連結システムは、前記光学センサの前記一定の電流出力を前記LEDへの時間変動電気入力に変換する手段をさらに含む、請求項33に記載のシステム。
  35. 前記研磨パッドに配置され、前記ウェハ表面を照して前記光学センサに反射光を与える発光源をさらに含み、
    前記光学センサは、前記ウェハ表面からの反射光の強さに応じて出力を与える請求項33に記載のシステム。
  36. 前記光学センサは、前記研磨パッドの中心から外れて設置され、
    前記LEDは前記パッドの中心に設置され、
    前記固定受信器は、前記検出器が前記LEDに動作可能に近接して保持されるように、前記LEDに関係して設置されている請求項33に記載のシステム。
  37. 前記研磨パッドの中央に設置され、前記LEDを収容するハブをさらに含み、
    前記固定受信器は、前記検出器が前記LEDに動作可能に近接して保持されるように、前記ハブの上に吊り下げられている請求項33に記載のシステム。
  38. ウェハ表面を研磨し、前記ウェハ表面の状態に関するデータを収集し転送する研磨パッドアセンブリであって、
    研磨パッドと、
    前記研磨パッドに設置され、ウェハ表面に光線を導く手段と、
    前記研磨パッドに設置され、前記ウェハ表面からの反射光を検出し、前記反射光に応じた電気信号を創成する光検出手段と、
    前記反射光に応じた電気信号を処理し、前記反射光に応じた時間変動電気信号を生成する手段と、
    送信器の前記時間変動電気信号出力を受け取るようになっており、対応する光学出力を生成するLEDとを含む前記研磨パッドアセンブリ。
  39. 信号を分析して前記ウェハ表面の状態を決める手段に出力するために、前記LEDに入力された時間変動電気信号が時間変動光学信号を生成し、それが順に時間変動電気信号を生成するように、前記LEDに動作可能に近接して設置された光検出器をさらに含む請求項38に記載の研磨パッドアセンブリ。
  40. 前記ウェハ表面に光線を導く手段はLEDからなり、
    前記反射光を検出する手段は、検出された反射光の量に比例する電流を生成するフォトダイオードからなり、
    前記電気信号を処理し、時間変動電気信号を生成する手段は、前記フォトダイオードによる電流出力に応じた処理された電気信号を生成するようになっている信号プロセッサと、前記処理された信号に応じた時間変動電流を生成するようになっている送信器とを含む請求項38に記載の研磨パッドアセンブリ。
  41. 前記ウェハ表面に光線を導く手段はLEDからなり、
    前記反射光を検出する手段は、検出された反射光の量に比例する電流を生成するフォトダイオードをからなり、
    前記電気信号を処理し、時間変動電気信号を生成する手段は、前記フォトダイオードによる電流出力に応じた処理された電気信号を生成するようになっている信号プロセッサと、前記処理された信号に応じた時間変動電流を生成するようになっている送信器とを含む請求項39に記載の研磨パッドアセンブリ。
  42. 前記LEDは、前記パッドの中心近くに位置し、前記パッドが回転する時に前記パッドと共に回転するように前記パッドに固定されている請求項38に記載の研磨パッドアセンブリ。
  43. 前記LEDは、前記パッドの中心近くに位置し、前記パッドが回転するときに前記パッドと共に回転するように前記パッドに固定され、前記フォトダイオードは、前記LEDの上に吊り下げられている請求項39に記載の研磨パッドアセンブリ。
  44. 前記反射光に応じた電気信号を処理し、前記反射光に応じた時間変動電気信号を生成する手段および前記LEDは、前記研磨パッドの中心に固定されたハブの中に設置され、前記フォトダイオードは、前記ハブの近傍に吊り下げられている請求項42に記載の研磨パッドアセンブリ。
  45. 前記反射光に応じた電気信号を処理し、前記反射光に応じた時間変動電気信号を生成する手段および前記LEDは、前記研磨パッドの中心に固定されたハブの中に設置され、前記フォトダイオードは、前記ハブの近傍に吊り下げられている請求項43に記載の研磨パッドアセンブリ。
  46. 前記研磨パッドに固定された二次電力変圧器巻線と、一次電力変圧器の近くに固定された一次電力変圧器巻線と、前記二次電力変圧器巻線の出力から前記光を導く手段に電力を供給する手段とをさらに含む請求項38に記載の研磨パッドアセンブリ。
  47. 前記研磨パッドに固定された二次電力変圧器巻線と、一次電力変圧器の近くに固定された一次電力変圧器巻線と、前記二次電力変圧器巻線の出力からLEDに電力を供給する手段とをさらに含む請求項39に記載の研磨パッドアセンブリ。
  48. ウェハ表面を研磨し、前記ウェハ表面の状態に関するデータを収集し転送する研磨パッドアセンブリであって、
    研磨パッドと、
    前記研磨パッドに設置され、ウェハ表面に光線を導く手段と、
    前記研磨パッドに設置され、前記ウェハ表面からの反射光を検出し、前記反射光に応じた電気信号を創成する光検出手段と、
    前記反射光に応じた電気信号を処理し、対応する処理された信号を生成する手段と、
    前記処理された信号に応じた時間変動電気信号を生成する送信器と、
    送信器の前記時間変動電気信号出力を受け取るようになっており、時間変動光学信号を生成するLEDとを含む前記研磨パッドアセンブリ。
  49. 信号を分析して前記ウェハ表面の状態を決める手段に出力するために、前記LEDにより出力された時間変動光学信号を検出し、順に時間変動電気信号を生成するように、前記LEDに動作可能に近接して設置されたフォトダイオードをさらに含む請求項48に記載の研磨パッドアセンブリ。
JP2002510230A 2000-06-09 2000-07-03 内蔵光学センサを備えた研磨パッド Expired - Fee Related JP5031170B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/590,470 US6485354B1 (en) 2000-06-09 2000-06-09 Polishing pad with built-in optical sensor
US09/590,470 2000-06-09
PCT/US2000/018399 WO2001096062A1 (en) 2000-06-09 2000-07-03 Polishing pad with built-in optical sensor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004503925A JP2004503925A (ja) 2004-02-05
JP2004503925A5 JP2004503925A5 (ja) 2005-08-25
JP5031170B2 true JP5031170B2 (ja) 2012-09-19

Family

ID=24362394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002510230A Expired - Fee Related JP5031170B2 (ja) 2000-06-09 2000-07-03 内蔵光学センサを備えた研磨パッド

Country Status (11)

Country Link
US (6) US6485354B1 (ja)
EP (1) EP1296800B1 (ja)
JP (1) JP5031170B2 (ja)
KR (1) KR100766139B1 (ja)
CN (2) CN100340372C (ja)
AT (1) ATE297291T1 (ja)
AU (1) AU2000260706A1 (ja)
DE (1) DE60020746T2 (ja)
SG (1) SG133404A1 (ja)
TW (1) TW553804B (ja)
WO (1) WO2001096062A1 (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6876454B1 (en) 1995-03-28 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
DE69632490T2 (de) 1995-03-28 2005-05-12 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren und Vorrichtung zur In-Situ-Kontrolle und Bestimmung des Endes von chemisch-mechanischen Planiervorgängen
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US6976901B1 (en) * 1999-10-27 2005-12-20 Strasbaugh In situ feature height measurement
US6726528B2 (en) * 2002-05-14 2004-04-27 Strasbaugh Polishing pad with optical sensor
US6485354B1 (en) * 2000-06-09 2002-11-26 Strasbaugh Polishing pad with built-in optical sensor
US20020137431A1 (en) * 2001-03-23 2002-09-26 Labunsky Michael A. Methods and apparatus for polishing and planarization
US7074110B1 (en) 2001-11-23 2006-07-11 Stephan H Wolf Optical coupler hub for chemical-mechanical-planarization polishing pads with an integrated optical waveguide
US6780085B2 (en) * 2001-11-23 2004-08-24 Stephan H. Wolf Fiber optical sensor embedded into the polishing pad for in-situ, real-time, monitoring of thin films during the chemical mechanical planarization process
US6878039B2 (en) * 2002-01-28 2005-04-12 Speedfam-Ipec Corporation Polishing pad window for a chemical-mechanical polishing tool
US20030181136A1 (en) * 2002-03-22 2003-09-25 Billett Bruce H. CMP pad platen with viewport
US7040957B2 (en) * 2002-08-14 2006-05-09 Novellus Systems Inc. Platen and manifold for polishing workpieces
US7727049B2 (en) * 2003-10-31 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Friction sensor for polishing system
WO2005043132A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-12 Applied Materials, Inc. Polishing endpoint detection system and method using friction sensor
US7235154B2 (en) * 2004-01-08 2007-06-26 Strasbaugh Devices and methods for optical endpoint detection during semiconductor wafer polishing
US7091053B2 (en) * 2004-03-26 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company In-line wafer surface mapping
US20050277841A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-15 Adnan Shennib Disposable fetal monitor patch
US20060030782A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Adnan Shennib Heart disease detection patch
US20060030781A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Adnan Shennib Emergency heart sensor patch
WO2006089291A1 (en) * 2005-02-18 2006-08-24 Neopad Technologies Corporation Use of phosphorescent materials for two-dimensional wafer mapping in a chemical mechanical polishing
US7169016B2 (en) * 2005-05-10 2007-01-30 Nikon Corporation Chemical mechanical polishing end point detection apparatus and method
US8688189B2 (en) * 2005-05-17 2014-04-01 Adnan Shennib Programmable ECG sensor patch
US20070191728A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Adnan Shennib Intrapartum monitor patch
US20070255184A1 (en) * 2006-02-10 2007-11-01 Adnan Shennib Disposable labor detection patch
JP4814677B2 (ja) * 2006-03-31 2011-11-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
US7887392B2 (en) * 2007-06-06 2011-02-15 Novellus Systems, Inc. Platen assembly and work piece carrier head employing flexible circuit sensor
TWM347669U (en) * 2008-06-19 2008-12-21 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad and polishing device
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
CN102371540B (zh) * 2010-08-19 2013-12-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 抛光垫清理器
US20140020829A1 (en) * 2012-07-18 2014-01-23 Applied Materials, Inc. Sensors in Carrier Head of a CMP System
US9347634B2 (en) * 2013-02-25 2016-05-24 Ford Global Technologies, Llc Illuminating floor mat with wireless power transfer
US20140329439A1 (en) * 2013-05-01 2014-11-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for acoustical monitoring and control of through-silicon-via reveal processing
US9347822B2 (en) * 2014-05-07 2016-05-24 Tyco Electronics Corporation Photocell receptacle having variably positionable cap and base
CN104057395B (zh) * 2014-07-17 2016-04-13 成都精密光学工程研究中心 抛光模面形监测装置
US10034109B2 (en) * 2015-04-09 2018-07-24 Audera Acoustics Inc. Acoustic transducer systems with position sensing
US10160089B2 (en) * 2015-10-01 2018-12-25 Ebara Corporation Polishing apparatus
CN108630561B (zh) * 2017-03-15 2021-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 基片表面的检测装置和检测方法、传片腔室
US11660722B2 (en) 2018-08-31 2023-05-30 Applied Materials, Inc. Polishing system with capacitive shear sensor

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US583447A (en) * 1897-06-01 Stove or furnace
US4793895A (en) * 1988-01-25 1988-12-27 Ibm Corporation In situ conductivity monitoring technique for chemical/mechanical planarization endpoint detection
US4972089A (en) * 1989-04-03 1990-11-20 Motorola Inc. Single package electro-optic transmitter-receiver
US5132617A (en) * 1990-05-16 1992-07-21 International Business Machines Corp. Method of measuring changes in impedance of a variable impedance load by disposing an impedance connected coil within the air gap of a magnetic core
US5081793A (en) * 1990-06-07 1992-01-21 Mauro Gerald D Wood clad window assembly and associated method
US5081796A (en) 1990-08-06 1992-01-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
US6614529B1 (en) 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US5700180A (en) * 1993-08-25 1997-12-23 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US5893796A (en) 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5964643A (en) 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
DE69632490T2 (de) * 1995-03-28 2005-05-12 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren und Vorrichtung zur In-Situ-Kontrolle und Bestimmung des Endes von chemisch-mechanischen Planiervorgängen
US5838447A (en) 1995-07-20 1998-11-17 Ebara Corporation Polishing apparatus including thickness or flatness detector
JPH0929620A (ja) * 1995-07-20 1997-02-04 Ebara Corp ポリッシング装置
JP3601910B2 (ja) * 1995-07-20 2004-12-15 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び方法
US6010538A (en) * 1996-01-11 2000-01-04 Luxtron Corporation In situ technique for monitoring and controlling a process of chemical-mechanical-polishing via a radiative communication link
US5663637A (en) * 1996-03-19 1997-09-02 International Business Machines Corporation Rotary signal coupling for chemical mechanical polishing endpoint detection with a westech tool
US6012697A (en) * 1996-04-12 2000-01-11 Nikon Corporation Stage and supporting mechanism for supporting movable mirror on stage
JP3672685B2 (ja) 1996-11-29 2005-07-20 松下電器産業株式会社 研磨方法及び研磨装置
JPH10214804A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Olympus Optical Co Ltd 機械化学研磨装置用の平坦化過程モニター装置
JP3795185B2 (ja) * 1997-06-04 2006-07-12 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JPH1133914A (ja) * 1997-07-22 1999-02-09 Koei Sangyo Kk ラップ盤の研磨液供給装置
US5913713A (en) 1997-07-31 1999-06-22 International Business Machines Corporation CMP polishing pad backside modifications for advantageous polishing results
US6007408A (en) * 1997-08-21 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical polishing of substrates
JP3183259B2 (ja) * 1998-06-03 2001-07-09 日本電気株式会社 半導体ウェハ研磨状態モニタリング装置及び研磨終了点検出方法
US6106662A (en) * 1998-06-08 2000-08-22 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing
US6190234B1 (en) * 1999-01-25 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Endpoint detection with light beams of different wavelengths
US6146242A (en) * 1999-06-11 2000-11-14 Strasbaugh, Inc. Optical view port for chemical mechanical planarization endpoint detection
US6485354B1 (en) * 2000-06-09 2002-11-26 Strasbaugh Polishing pad with built-in optical sensor

Also Published As

Publication number Publication date
EP1296800B1 (en) 2005-06-08
US7918712B2 (en) 2011-04-05
US7195541B2 (en) 2007-03-27
US6695681B2 (en) 2004-02-24
US7052366B2 (en) 2006-05-30
CN1454131A (zh) 2003-11-05
KR20030022142A (ko) 2003-03-15
JP2004503925A (ja) 2004-02-05
US20040229545A1 (en) 2004-11-18
CN101125414A (zh) 2008-02-20
US20090061734A1 (en) 2009-03-05
US20060217038A1 (en) 2006-09-28
EP1296800A4 (en) 2003-08-06
US6485354B1 (en) 2002-11-26
DE60020746T2 (de) 2006-03-16
ATE297291T1 (de) 2005-06-15
SG133404A1 (en) 2007-07-30
WO2001096062A1 (en) 2001-12-20
KR100766139B1 (ko) 2007-10-10
CN100340372C (zh) 2007-10-03
TW553804B (en) 2003-09-21
EP1296800A1 (en) 2003-04-02
US20030109196A1 (en) 2003-06-12
US20100144244A1 (en) 2010-06-10
DE60020746D1 (de) 2005-07-14
AU2000260706A1 (en) 2001-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5031170B2 (ja) 内蔵光学センサを備えた研磨パッド
US7083497B2 (en) Polishing pad with built-in optical sensor
TW577974B (en) Optical techniques for measuring layer thicknesses and other surface characteristics of objects such as semiconductor wafers
KR20080110650A (ko) 반도체웨이퍼를 연마하는 동안 웨이퍼 특성을 측정하는 장치와 방법
US7549909B2 (en) Methods for optical endpoint detection during semiconductor wafer polishing
JP3795185B2 (ja) ポリッシング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070629

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100827

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100831

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101129

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20101206

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101228

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110111

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110125

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110809

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111108

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111115

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111208

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111215

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120106

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120529

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120627

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees