JP5027557B2 - Memory device for gaming machine - Google Patents
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Description
本発明は、パチンコ遊技機、コイン遊技機又はスロットマシン等の遊技機に使用される遊技機用メモリ装置に関する。 The present invention relates to a memory device for a gaming machine used in a gaming machine such as a pachinko gaming machine, a coin gaming machine, or a slot machine.
上述した遊技機では、遊技者の興趣を高めるために様々な改良工夫が行われてきており、そうした改良工夫では種々の動作をコンピュータを用いて制御することでより複雑な動作を可能にしている。また、近年映像技術を導入して映像を用いた演出効果によりさらに遊技者の興趣を高める工夫が行われている。 In the above-described gaming machines, various improvements have been made to increase the interest of the player, and these improvements enable more complex operations by controlling various operations using a computer. . In recent years, video technology has been introduced to devise ways to further enhance the player's interest through the effect of using video.
映像を用いた演出効果を行う場合には大量の画像データを予め記憶しておく必要があるため、大容量の記憶装置が必要となる。大容量の記憶装置としては、HDやDVDといった記憶媒体があるが、遊技機では装置のコンパクト化や不正改造対策の観点からセキュリティの高い不揮発性メモリが用いられている。 When performing an effect using a video, it is necessary to store a large amount of image data in advance, and thus a large-capacity storage device is required. As a large-capacity storage device, there are storage media such as HD and DVD, but in gaming machines, a nonvolatile memory with high security is used from the viewpoint of compactness of the device and countermeasures against unauthorized modification.
また、遊技機の電子化に伴い不正改造を防止する目的のため、様々な対策が提案されている。例えば、特許文献1では、遊技機制御手段に割り当てられたユニークな識別情報を書き換え不能かつ不揮発的に記憶するセキュリティメモリに記憶するようにした点が記載されている。また、特許文献2では、遊技動作を実現する制御プログラムを記憶するメモリ部の未使用領域にアクセスすると検査用ROMの出力が変化するようにした異常検出部を備えた遊技機が記載されている。また、特許文献3では、乱数発生回路を用いて不正アクセスを防止した遊技機用制御チップが記載されている。
In addition, various countermeasures have been proposed for the purpose of preventing unauthorized modification accompanying the digitization of gaming machines. For example,
一方、不揮発性メモリとしては、マスクROM、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリ、FRAMといったものが挙げられるが、近年フラッシュメモリの大容量化が進み、量産化によりコストも安価となったため、幅広い用途に用いられるようになっている。また、フラッシュメモリをコントローラとワンパッケージングしたものも提案されている(特許文献4及び5参照)。
遊技機用に使用される記憶装置としては大容量でコストの安価なフラッシュメモリを用いることが好ましいが、フラッシュメモリは不揮発性であるものの書き換えが行えることから物理的に書込み不可能な状態にしておく必要がある。 As a storage device used for gaming machines, it is preferable to use a flash memory with a large capacity and a low cost. However, since the flash memory is non-volatile, it can be rewritten so that it cannot be physically written. It is necessary to keep.
フラッシュメモリには、NOR型及びNAND型の2つのタイプがある。図7に示すように、NOR型フラッシュメモリ400をマイコン300に接続する場合には、CE(CHIP ENABLE)端子、WE(WRITE ENABLE)端子、OE(OUTPUT ENABLE)端子、ADDR(ADDRESS)端子及びDATA端子についてそれぞれ対応する端子に接続する。
There are two types of flash memory, NOR type and NAND type. As shown in FIG. 7, when the
そして、NOR型フラッシュメモリ400からデータを読み出す場合には、図8に示すように、OE端子に読出し指令信号を入力しADDR端子に読み出すアドレスデータを送信して読み出されたデータをDATA端子から受信する。
When data is read from the
データを書き込む場合にはWE端子に書込み指令信号を入力しADDR端子に書き込むアドレスデータを送信して書き込むデータをDATA端子に送信するが、図7に示すように、NOR型フラッシュメモリ400のWE端子に電源電圧Vccを常時印加してプルアップ状態にしておけば、NOR型フラッシュメモリ400に対して書き込みを禁止することができる。
When writing data, a write command signal is input to the WE terminal, address data to be written to the ADDR terminal is transmitted, and the data to be written is transmitted to the DATA terminal. As shown in FIG. 7, the WE terminal of the
一方、図9に示すように、NAND型フラッシュメモリ500をマイコン300に接続する場合には、CE端子及びWE端子についてはそれぞれ対応する端子に接続し、マイコン300のOE端子をNAND型フラッシュメモリ500のRE(READ ENABLE)端子に接続し、マイコン300のADDR端子のうち2つの端子をNAND型フラッシュメモリ500のCLE(COMMAND LATCH ENABLE)端子及びALE(ADDRESS LATCH ENABLE)端子に接続し、マイコン300のDATA端子をNAND型フラッシュメモリ500のI/O(INPUT/OUTPUT)端子に接続する。
On the other hand, as shown in FIG. 9, when the
そして、NAND型フラッシュメモリ500からデータを読み出す場合には、図10に示すように、WE端子に書込み指令信号を入力してDATA端子からI/O端子にコマンドデータ及びアドレスデータを送信しALE端子にラッチ信号を入力することでコマンドデータ及びアドレスデータがNAND型フラッシュメモリ500内に記憶され、メモリ内で読出し動作が行なわれる。次に、OE端子からRE端子に読出し信号が入力されてI/O端子からDATA端子に読み出されたデータが出力される。
When data is read from the
本発明は、読出し処理の際にも書込み指令信号を入力する必要があるNAND型フラッシュメモリを、書き込み禁止とすることで不正改造に対して十分なセキュリティを持たせることが可能な遊技機用メモリ装置を提供することを目的とするものである。 The present invention relates to a memory for a gaming machine capable of providing sufficient security against unauthorized modification by prohibiting writing in a NAND flash memory that needs to receive a write command signal even during read processing. The object is to provide an apparatus.
上述したように、遊技機用として用いる場合にはNOR型フラッシュメモリのほうが不正改造対策をとることが容易であるが、NOR型フラッシュメモリは大容量化するに従いADDR端子を増加させる必要があり、製造コストもNAND型に比べて高いといったデメリットがある。その点、NAND型フラッシュメモリは大容量化しても端子数が増加せず製造コストも安価に抑えることができることから、今後遊技機の開発を進めるにあたり、増加することが予想される大量の画像データを記憶するメモリとしてはNAND型フラッシュメモリを使用することが要請されている。 As described above, when used for a gaming machine, the NOR flash memory is easier to take measures against unauthorized modification, but the NOR flash memory needs to increase the ADDR terminal as the capacity increases. There is a demerit that the manufacturing cost is higher than that of the NAND type. In that respect, the NAND flash memory does not increase the number of terminals even if the capacity is increased, and the manufacturing cost can be kept low. Therefore, a large amount of image data that is expected to increase in the future development of gaming machines It is required to use a NAND flash memory as a memory for storing the memory.
本発明に係る遊技機用メモリ装置は、遊技機を制御するための情報を記憶するNAND型フラッシュメモリと、遊技機を制御する本体制御回路からの読出し指令信号に基づいてNAND型フラッシュメモリから情報を読み出すコントローラとを備えた遊技機用メモリ装置であって、前記コントローラは、本体制御回路からの前記読出し指令信号を受信するとともにNAND型フラッシュメモリから読み出されたデータを本体制御回路に送信する本体側インターフェース部と、本体制御回路から受信した前記読出し指令信号及び本体制御回路に送信するデータを記憶するバッファメモリ部と、NAND型フラッシュメモリに書込み指令信号及び読出し指令信号を送信するとともにNAND型フラッシュメモリとの間でデータを送受信するメモリ側インターフェース部と、NAND型フラッシュメモリ内の不良ブロック領域に関する情報に基づいて不良ブロック領域に代替するブロック領域にデータを書き込むとともに不良ブロック領域及び代替するブロック領域を対応付けるアドレス管理テーブルを作成する制御部と、NAND型フラッシュメモリから読み出されたデータのエラー検出及び検出されたエラーの訂正を行う誤り訂正回路とを備え、前記制御部は、本体制御回路から前記本体側インターフェース部を介して前記読出し指令信号としてコマンドデータ及びアドレスデータを含む読出し用出力信号を受信すると、前記アドレス管理テーブルに基づいて受信したアドレスデータに対応するブロック領域のアドレスデータを読み出し、NAND型フラッシュメモリに前記メモリ側インターフェース部を介して書込み指令信号並びに当該コマンドデータ及び読み出したアドレスデータを送信し、NAND型フラッシュメモリから前記メモリ側インターフェース部を介して読み出されたデータを前記バッファメモリ部に保存するとともに読み出されたデータを前記誤り訂正回路によりエラーチェックし、本体制御回路から前記本体側インターフェース部を介して前記読出し指令信号として受信した前記バッファメモリ部に対する読込指令信号に基づいて前記バッファメモリ部に保存されたデータを前記本体側インターフェース部を介して本体制御回路に送信することを特徴とする。さらに、前記本体側インターフェース部の書込み指令信号入力端子には、所定電圧が常時印加されていることを特徴とする。さらに、前記NAND型フラッシュメモリ及び前記コントローラは、ワンパッケージ化されていることを特徴とする。 A memory device for gaming machine according to the present invention is a NAND flash memory that stores information for controlling a gaming machine and information from the NAND flash memory based on a read command signal from a main body control circuit that controls the gaming machine. a gaming machine memory device and a controller for reading, the controller transmits the data read from the NAND type flash memory which receives the read command signal from the main control circuit to the main control circuit NAND type transmits the main body side interface unit, a buffer memory unit for storing data to be transmitted to the read command signal and the main body control circuit receives from the main control circuit, a NAND-type flash memory write command signal and read command signal Memory that transmits / receives data to / from flash memory An interface unit; a control unit that writes data to a block area that replaces the defective block area based on information on the defective block area in the NAND flash memory and creates an address management table that associates the defective block area with the alternative block area; An error correction circuit for detecting an error of data read from the NAND flash memory and correcting the detected error, and the control unit receives the read command from the main body control circuit via the main body side interface unit. Upon receiving an output signal for reading including command data and address data as signals, reads the address data of the block area corresponding to the address data received on the basis of the address management table, the memory side to the NAND-type flash memory The write command signal, the command data, and the read address data are transmitted via the interface unit, and the data read from the NAND flash memory via the memory side interface unit is stored in the buffer memory unit and read. The output data is checked for errors by the error correction circuit, and stored in the buffer memory unit based on the read command signal for the buffer memory unit received as the read command signal from the main unit control circuit via the main unit side interface unit The transmitted data is transmitted to the main body control circuit via the main body side interface section. Further, a predetermined voltage is constantly applied to the write command signal input terminal of the main body side interface section. Further, the NAND flash memory and the controller are packaged in one package.
本発明に係る遊技機は、上記の遊技機用メモリ装置を備えている。 A gaming machine according to the present invention includes the above gaming machine memory device.
本発明に係る遊技機用メモリ装置は、上記のような構成を有することで、従来のNAND型フラッシュメモリのように本体制御回路から書込み指令信号を入力することなくコントローラを介してNAND型フラッシュメモリからデータを読み出すことができるので、メモリに不正にアクセスして情報を書き換えることが難しくなる。そのため、安価で大容量化することが容易なNAND型メモリを遊技機用のメモリ装置として使用することが可能となる。 The memory device for gaming machines according to the present invention has the above-described configuration, so that the NAND flash memory can be connected via the controller without inputting a write command signal from the main body control circuit as in the conventional NAND flash memory. Since data can be read from the memory, it becomes difficult to rewrite information by illegally accessing the memory. Therefore, it is possible to use a NAND memory that is inexpensive and easy to increase in capacity as a memory device for gaming machines.
そして、コントローラを介して読出し処理を行うため、任意のコマンドデータを設定してそのコマンドデータに対応してコントローラで書込み指令信号をNAND型フラッシュメモリに入力するように設定することもでき、例えば遊技機毎にコマンドデータを設定するといった不正改造防止対策を講じることも可能になる。 Since the read process is performed through the controller, it is possible to set arbitrary command data and set the controller to input a write command signal to the NAND flash memory in accordance with the command data. It is also possible to take measures to prevent unauthorized modification such as setting command data for each machine.
また、従来のNAND型フラッシュメモリと同様にコマンドデータ及びアドレスデータを本体側インターフェース部に入力することができ、メモリが大容量化してもアドレス端子を増加させる必要がなくコンパクトにパッケージングすることができる。 Also, command data and address data can be input to the main body side interface unit as in the conventional NAND flash memory, and even if the capacity of the memory is increased, there is no need to increase the address terminals and the packaging can be made compactly. it can.
また、本体側インターフェース部に書込み指令信号入力端子を設ける場合には、当該入力端子に、例えばプルアップ又はプルダウン状態として常時所定電圧を印加しておくことで確実に書込み禁止とすることができる。 Further, when a write command signal input terminal is provided in the main body side interface unit, writing can be reliably prohibited by always applying a predetermined voltage to the input terminal, for example, in a pull-up or pull-down state.
また、NAND型フラッシュメモリ及びコントローラをワンパッケージ化することで、よりコンパクトな遊技機用メモリ装置とすることができる。ここで、ワンパッケージ化とは、単一又は複数の回路システムを外観上及び構成として1つにまとめることを意味し、例えば、シリコンウェハから切り出された1つ又は複数の半導体素子をセラミックや樹脂等の材料を用いて全体を封止し、半導体素子に接続する端子により基板等に実装可能としたものが挙げられる。 Further, by making the NAND flash memory and the controller into one package, a more compact gaming machine memory device can be obtained. Here, the one-packaging means that one or a plurality of circuit systems are combined into one in terms of appearance and configuration. For example, one or a plurality of semiconductor elements cut out from a silicon wafer can be combined with ceramic or resin. The whole is sealed using a material such as, and can be mounted on a substrate or the like by a terminal connected to a semiconductor element.
以下、本発明に係る実施形態について詳しく説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明を実施するにあたって好ましい具体例であるから、技術的に種々の限定がなされているが、本発明は、以下の説明において特に本発明を限定する旨明記されていない限り、これらの形態に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail. The embodiments described below are preferable specific examples for carrying out the present invention, and thus various technical limitations are made. However, the present invention is particularly limited in the following description. Unless otherwise specified, the present invention is not limited to these forms.
図1は、遊技機の一例としてパチンコ遊技機全体の正面図を示している。前面にはガラス扉1が設けられており、ガラス扉枠1aには、後述する遊技盤が視認できるようにガラス板1bが嵌め込まれている。ガラス扉1の下方には、遊技球供給部2が配設されており、入賞により供給された遊技球が遊技球供給部2からあふれた場合には、遊技球は、さらに下方に配設された受け皿3に移されるようになっている。遊技球供給部2から供給された遊技球は操作ハンドル4を回転操作することで、図示されていない発射装置により発射され、発射通路を通って遊技盤の上方に導かれる。受け皿3の上方近傍にはスピーカー5が取り付けられており、遊技の進行に応じて音声や音楽等の効果音が流され、様々な情報を報知して遊技を盛り立てる。
FIG. 1 shows a front view of the entire pachinko gaming machine as an example of the gaming machine. A
図2は、遊技盤10を示している。遊技盤10のほぼ中央には液晶表示パネルを備えた画像表示装置20が配置され、周辺には外レール30及び内レール31が配置されている。
FIG. 2 shows the
外レール30及び内レール31は、略円弧状の案内板で構成されて所定間隔を空けて設置されており、発射装置により発射された遊技球は外レール30及び内レール31によって上方に誘導されて遊技領域に入っていく。遊技領域に入った遊技球は、途中に釘等の案内部材に誘導されながら転がっていく。遊技領域には、図柄始動口40、開閉作動口41、普通入賞口42及び大入賞口43が配置されており、こうした入賞口を遊技球が通過すると、様々な特典が得られるように設定される。図柄始動口40、開閉作動口41及び普通入賞口42は常時開放されて遊技球を受け入れ可能とされているが、大入賞口43はその入口部分を図示されていないシャッタにより常時閉鎖されており、抽選結果で大当たりがあった場合にシャッタが全開されるようになっている。図柄始動口40の入口部分には、左右に開閉する一対の可動部材44が設けられ、可動部材44が閉じた状態の時には入口部分の開口が小さくなって遊技球が入りにくくなり、可動部材44が開いた状態では入口部分が全開するとともに可動部材44が羽根を広げたようになって図柄始動口40に遊技球がより容易に入るようになる。
The
図柄始動口40に遊技球が入賞すると、画像表示装置20の液晶表示パネルに表示される図柄の変動が開始される。液晶表示パネルの表示領域は、全体として3×3のマトリクス表示となっており、表示領域に停止表示された図柄の組合せにより様々な特典を獲得することができる。例えば、図柄が停止した後その組合せが大当たりの場合は、大入賞口44が開放され、入賞が極めて容易な状態となる。停止表示される図柄の組合せは、遊技機の主制御装置において実行される内部抽選の抽選結果によって予め決められ、その組合せに基づいて様々な演出表示が行われて遊技者の興趣を盛り上げるようになっている。
When a game ball wins the symbol start opening 40, the variation of the symbol displayed on the liquid crystal display panel of the
また、画像表示装置20で回転表示中に図柄始動口40に遊技球が入った場合には、画像表示装置20の上部に配置された4つの保留ランプ21が入った遊技球の数だけ点灯するようになっており、4回までを上限として図柄のスクロール表示動作開始を繰り返すことができる。一方、開閉動作口41を遊技球が通過すると、図柄始動口40の入口部分に配置された可動部材44が左右に開いた状態となる。そして、可動部材44が開いていることを報知するために開閉ランプ22の丸印が点灯状態となる。このように、表示装置を駆使して遊技者に様々な情報を伝達することで、興趣を高めることができる。
In addition, when a game ball enters the symbol start opening 40 during the rotation display on the
図3は、上述した遊技機が有する回路構成の一例を示すブロック図である。回路構成は、大きく分けて遊技の進行を制御する主制御装置100、画像表示装置20及び画像表示を制御する画像表示制御装置200からなる。図示されていないが、スピーカー5を用いて効果音の出力制御を行う音声制御装置が別に設けられている。主制御装置100は、制御部101、スイッチ回路102、ソレノイド回路103、ランプ回路104及び入出力ポート105を備えている。制御部101は、CPU110、RAM111及びROM112を備え、入賞管理、払出管理及び演出管理等遊技機全般にわたる制御を行っている。スイッチ回路102は、入賞口を遊技球が通過したことを検出するゲートセンサ51及び始動口センサ52、入賞に関連するカウントセンサ53及びVカウントセンサ54からの検出信号を制御部101へ送信する。ソレノイド回路103は、図柄始動口40の入口部分に配置された可動部材44を駆動する開閉ソレノイド55に対して、制御部101からの制御信号に応答して駆動信号を送信する。ランプ回路104は、保留ランプ21、開閉ランプ22や装飾用ランプ等の表示ランプ56に対して、制御部101からの制御信号に応答して表示信号を送信する。入出力ポート105は、他の制御装置の入出力ポートに対して、制御部101からの制御信号を送信したり、他の制御装置からの信号を受信し、制御部101に送信する。図示するように、入出力ポート105は、画像表示制御装置200へは送信のみ行われ、画像表示制御装置200からの信号は受信されないようになっている。
FIG. 3 is a block diagram illustrating an example of a circuit configuration of the gaming machine described above. The circuit configuration is roughly divided into a
画像表示制御装置200は、CPU201、プログラムROM202、RAM203、入力ポート204、画像処理回路205、画像ROM206、RAM207、画面分割回路208及び出力ポート209を備えている。入力ポート204は、入出力ポート105からの信号を受信し、CPU201へ送信する。CPU201は、プログラムROM202に記憶された画像制御プログラム、モータ制御プログラム等を読み出し、RAM203に必要に応じてデータ等を一時記憶させて演算処理を行う。画像ROM206には画像表示装置20に表示される複数種類の図柄に関する画像データや人物像や背景などの画像データが記憶されており、RAM207には、画像表示装置20に表示される画像表示データが随時記憶される。RAM207の画像表示データは、画面分割回路208により表示領域に対応した画像表示データに分割され出力ポート208を介して画像表示装置20に送信される。画像処理回路205は、CPU201からの制御信号に基づいて画像ROM206からの画像データの読み出し、RAM207への読み書き、画像分割回路208での画像処理、出力ポート209への出力といった処理を円滑に進めるためのタイミング調整を行い、画像表示データを画像表示装置20に送信して適当なタイミングで各表示領域に表示するようにコントロールする。
The image
図3に示す制御装置は、例えば、始動口センサ52が遊技球の通過を検出すると、その検出信号はスイッチ回路102を介して制御部101の送信され、制御部101は図柄変動処理を開始する。まず、乱数処理の結果に基づいて内部抽選が行われ、当り又ははずれが決定される。そして、乱数処理結果から画像表示装置20の表示領域に停止表示される図柄が決定される。はずれの場合には、リーチ状態(有効ライン上に当り図柄のうち2つが揃った状態)となる演出表示を行うか、確変図柄とするかといった決定がなされ、制御部101において、入賞に関する事項が決定される。入賞に関する事項が決定されると、それに対応した画像表示処理を行うための表示制御コマンドデータが入出力ポート105を介して画像表示制御装置200に送信される。また、当りと決定された場合には、大入賞口43の開放処理がなされる。
In the control device shown in FIG. 3, for example, when the
図4は、主制御装置100のROM112に本発明に係るメモリ装置を用いた場合の構成図である。主制御装置100の制御処理を行う本体制御回路であるマイコン300にメモリ装置600が接続されており、メモリ装置600は、コントローラ601及びNAND型フラッシュメモリ602をワンパッケージングして構成されている。ここで、NAND型フラッシュメモリ602としては、従来公知のものが用いられる。
FIG. 4 is a configuration diagram when the memory device according to the present invention is used in the
マイコン300は、CE端子、WE端子、OE端子、ADDR端子及びDATA端子を備えており、NAND型フラッシュメモリ602は、CE端子、WE端子、RE端子、CLE端子、ALE端子及びI/O端子を備えている。
The
コントローラ601は、マイコン側に、HCE(HOST CHIP ENABLE)端子、HWE(HOST WRITE ENABLE)端子、HOE(HOST OUTPUT ENABLE)端子、ADDR端子及びDATA端子を備えており、HCE端子はマイコン300のCE端子に、HOE端子はマイコン300のOE端子に、ADDR端子及びDATA端子はそれぞれマイコン300のADDR端子及びDATA端子に接続されている。そして、HWE端子は、電源電圧Vccが常時印加されてプルアップされた状態に設定されている。また、メモリ側に、FCE(FLASH CHIP ENABLE)端子、FWE(FLASH WRITE ENABLE)端子、FRE(FLASH READ ENABLE)端子、CLE端子、ALE端子及びI/O端子を備えており、FCE端子はNAND型フラッシュメモリ602のCE端子に、FWE端子はNAND型フラッシュメモリ602のWE端子に、FRE端子はNAND型フラッシュメモリ602のRE端子に、CLE端子はNAND型フラッシュメモリ602のCLE端子に、ALE端子はNAND型フラッシュメモリ602のALE端子に、I/O端子はNAND型フラッシュメモリ602のI/O端子に接続されている。
The
図5は、コントローラ601に関するブロック構成図である。コントローラ601は、マイコン300との間でデータを送受信する本体側インターフェース部603、NAND型フラッシュメモリ602との間でデータを送受信するメモリ側インターフェース部604、マイコン300から受信したデータ及びマイコン300に送信するためのデータを一時的に記憶するバッファメモリ部605、コントローラ601のデータ制御処理及びNAND型フラッシュメモリ602の不良ブロック管理を行う制御部であるCPU606、ROM607及びRAM608、NAND型フラッシュメモリ602から読み出されたデータのエラー検出及び検出されたエラーの訂正を行う誤り訂正回路609を備えている。
FIG. 5 is a block diagram of the
図6は、メモリ装置600からデータを読み出す場合のタイミングチャートである。マイコン300のCE端子からの出力信号がLOWになり、OE端子から所定のタイミングで信号が出力され、そのタイミングに同期してADDR端子からコマンドデータ及びアドレスデータに相当する信号列CMD0、ADDR0〜4、CMD1が出力される。コントローラ601は、これらの信号列を受信するとそれに対応してダミーデータに相当する信号列DUMMYをDATA端子から出力する。マイコン300は、DATA端子に受信されたダミーデータは、読み出されたデータではないので、使用しない。
FIG. 6 is a timing chart when reading data from the memory device 600. An output signal from the CE terminal of the
コントローラ601は、ADDR端子を介して受信したコマンドデータ及びアドレスデータを用いて、図10に示すように、従来のNAND型フラッシュメモリと同様に、CLE端子及びFCE端子から信号を出力してFWE端子から所定のタイミングで信号を出力する。そして、ALE端子をHIGHにして、FWE端子から出力される信号のタイミングに同期してマイコン300から受信したコマンドデータ及びアドレスデータをI/O端子から送信する。
The
この場合、CPU606は、予めNAND型フラッシュメモリ602内の不良ブロック領域に関する情報に基づいて不良ブロックに代替するブロック領域にデータを書き込むように処理しており、そのためのアドレス管理テーブルを作成している。したがって、マイコン300からアドレスデータを受信すると、アドレス管理テーブルに基づいて受信したアドレスデータに対応するブロック領域のアドレスデータをI/O端子から送信する。
In this case, the
NAND型フラッシュメモリ602は、I/O端子にコマンドデータ及びアドレスデータを受信すると、従来と同様にこれらのデータに基づいて対応するアドレス領域のデータを読出し処理を行う。読み出されたデータは、図10に示すように、コントローラ601からFRE端子に所定のタイミングで信号が出力されてそのタイミングに同期してI/O端子からコントローラ601に送信されるようになる。
When the
コントローラ601は、I/O端子に読み出されたデータを受信すると、データをバッファメモリ部605に保存するとともに誤り訂正回路609によりデータエラーのチェックを行い、エラーが検出された場合にはエラー訂正処理を行う。
When the
データエラーがチェックされたデータはバッファメモリ部605に保存され、図6に示すように、マイコン300のOE端子から所定のタイミングで信号が出力されてADDR端子からバッファメモリ部605内のデータの読込指令信号READが送信されると、それに対応してDATA端子からバッファメモリ部605に保存されたデータDATAN〜N+1が送信される。
Data for which a data error has been checked is stored in the
こうしてアドレスデータADDR0〜4に対応するNAND型フラッシュメモリ602に記憶されたデータDATAN〜N+1の読出し処理が行われ、この読出し処理を繰り返すことで記憶されたデータを順次読み出していくことができる。
In this way, the data DATAN to N + 1 stored in the
以上説明したように、メモリ装置600は、従来のNAND型フラッシュメモリのように書込み指令信号を入力することなくデータの読出し処理を行うことができ、従来のNOR型フラッシュメモリと同様にHWE端子をプルアップ状態にしておけば書込み禁止にすることができるため、不正改造を防止する効果を持たせることが可能となる。また、コマンドデータ及びアドレスデータを一連の信号列で送信できるためメモリの容量が増加するに従いそれに比例してADDR端子のピン数を増加させなくてもよい。 As described above, the memory device 600 can perform data read processing without inputting a write command signal as in the conventional NAND flash memory, and the HWE terminal is connected to the memory device 600 as in the conventional NOR flash memory. If the pull-up state is set, writing can be prohibited, so that it is possible to have an effect of preventing unauthorized modification. Further, since command data and address data can be transmitted by a series of signal strings, the number of pins of the ADDR terminal need not be increased in proportion to the increase in memory capacity.
なお、以上説明した例では、本発明に係るメモリ装置を主制御装置100側のメモリ装置として用いた場合について説明したが、画像表示制御装置200側のメモリ装置として用いることもできる。また、上記した実施形態において記載した端子名は、一般に使用される別の端子名を用いてもよく、記載した端子名に限定されることはない。
In the example described above, the case where the memory device according to the present invention is used as the memory device on the
100 主制御装置
200 画像表示制御装置
300 マイコン
600 メモリ装置
601 コントローラ
602 NAND型フラッシュメモリ
100 Main controller
200 Image display controller
300 microcomputer
600 memory devices
601 controller
602 NAND flash memory
Claims (4)
前記コントローラは、
本体制御回路からの前記読出し指令信号を受信するとともにNAND型フラッシュメモリから読み出されたデータを本体制御回路に送信する本体側インターフェース部と、
本体制御回路から受信した前記読出し指令信号及び本体制御回路に送信するデータを記憶するバッファメモリ部と、
NAND型フラッシュメモリに書込み指令信号及び読出し指令信号を送信するとともにNAND型フラッシュメモリとの間でデータを送受信するメモリ側インターフェース部と、
NAND型フラッシュメモリ内の不良ブロック領域に関する情報に基づいて不良ブロック領域に代替するブロック領域にデータを書き込むとともに不良ブロック領域及び代替するブロック領域を対応付けるアドレス管理テーブルを作成する制御部と、
NAND型フラッシュメモリから読み出されたデータのエラー検出及び検出されたエラーの訂正を行う誤り訂正回路とを備え、
前記制御部は、
本体制御回路から前記本体側インターフェース部を介して前記読出し指令信号としてコマンドデータ及びアドレスデータを含む読出し用出力信号を受信すると、前記アドレス管理テーブルに基づいて受信したアドレスデータに対応するブロック領域のアドレスデータを読み出し、NAND型フラッシュメモリに前記メモリ側インターフェース部を介して書込み指令信号並びに当該コマンドデータ及び読み出したアドレスデータを送信し、
NAND型フラッシュメモリから前記メモリ側インターフェース部を介して読み出されたデータを前記バッファメモリ部に保存するとともに読み出されたデータを前記誤り訂正回路によりエラーチェックし、
本体制御回路から前記本体側インターフェース部を介して前記読出し指令信号として受信した前記バッファメモリ部に対する読込指令信号に基づいて前記バッファメモリ部に保存されたデータを前記本体側インターフェース部を介して本体制御回路に送信する
ことを特徴とする遊技機用メモリ装置。 A gaming machine memory comprising: a NAND flash memory for storing information for controlling a gaming machine; and a controller for reading information from the NAND flash memory based on a readout command signal from a main body control circuit for controlling the gaming machine A device,
The controller is
A body-side interface unit for transmitting the data read from the NAND flash memory to the main control circuit which receives the read command signal from the main control circuit,
A buffer memory unit for storing data to be transmitted to the read command signal and the main body control circuit receives from the main control circuit,
A memory-side interface unit that transmits a write command signal and a read command signal to the NAND flash memory and transmits / receives data to / from the NAND flash memory;
A controller that writes data to a block area that replaces the defective block area based on information on the defective block area in the NAND flash memory and creates an address management table that associates the defective block area and the alternative block area;
An error correction circuit for detecting an error of data read from the NAND flash memory and correcting the detected error;
The controller is
When a read output signal including command data and address data is received as the read command signal from the main body control circuit via the main body side interface unit, the address of the block area corresponding to the address data received based on the address management table Read data, send a write command signal and the command data and read address data to the NAND flash memory via the memory side interface unit,
The data read from the NAND flash memory via the memory side interface unit is stored in the buffer memory unit and the read data is checked for errors by the error correction circuit,
Data stored in the buffer memory unit is controlled via the main body side interface unit based on a read command signal for the buffer memory unit received as the read command signal from the main body control circuit via the main body side interface unit A memory device for gaming machines, characterized by being transmitted to a circuit.
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