JP5026801B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(半導体装置の製造方法)
〔本発明の第1の実施の形態〕
本実施の形態に係る製造方法として、第2導電型のチャネル領域4を形成した後に、第1導電型のソース領域5を形成し、その後トレンチ領域6を形成する工程順序となる製造方法を説明する。
本実施の形態に係る製造方法として、トレンチ領域6を形成した後に、第2導電型のチャネル領域4を形成し、その後第1導電型のソース領域5を形成する工程順序となる製造方法を説明する。
本実施の形態に係る製造方法として、第2導電型のチャネル領域4を形成した後に、トレンチ領域6を形成し、その後第1導電型のソース領域5を形成する工程順序となる製造方法を説明する。
上記の本発明の実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
(1)製造プロセス上のばらつきに起因する欠陥の影響を受けづらく、従来よりも優れた歩留まりで半導体装置を製造することができる。
(2)半導体装置間のしきい値電圧のばらつきが小さい半導体装置を、従来よりも安定して製造することができる。
(3)特殊な(高価な)製造装置を用いず、比較的安価な製造装置により低いコストで半導体装置を製造することができる。
図13に示した製造工程に沿って、実施例1〜3および比較例1〜2の半導体装置(nチャネル型MOSFET)を100個ずつ作製した。このとき、工程cにおけるイオン注入エネルギー条件、工程dにおける熱処理条件の異なる半導体装置を製造した。表1に工程cおよび工程dの製造条件を示す。
Claims (3)
- 第2導電型の単結晶珪素基板の主面上にエピタキシャル成長で形成された第1導電型の半導体層と、その表面上に形成された第2導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域の表面領域に選択的に設けられた第1導電型のソース領域と、前記ソース領域から前記チャネル領域を貫通して前記半導体層に至るトレンチ領域と、前記トレンチ領域の内壁に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の内側空間に充填されたゲート電極を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記チャネル領域を形成した後に、前記トレンチ領域を形成し、その後に前記ソース領域を形成する工程順序であり、
前記チャネル領域の形成は、前記第1導電型の半導体層の表面に、前記第2導電型の不純物をイオン注入し、その後、第1の熱処理を施すことによりなされ、前記第2導電型の不純物のイオン注入における加速電圧が200〜300keVであり、イオン注入する前記第2導電型の不純物のドーズ量が1×10 13 〜1×10 14 個/cm 2 であり、前記第1の熱処理が非酸化性雰囲気中1090〜1110℃の温度で60〜180分間保持する熱処理であり、
前記ソース領域の形成は、前記第1の熱処理を施した前記第2導電型の半導体層の表面の選択的領域に、前記第1導電型の不純物をイオン注入し、その後、第2の熱処理を施すことによりなされ、前記第1導電形の不純物のイオン注入における加速電圧が30〜300keVであり、イオン注入する前記第1導電型の不純物のドーズ量が1×10 15 〜5×10 16 個/cm 2 であり、前記第2の熱処理が非酸化性雰囲気中995〜1020℃の温度で80〜400分間保持する熱処理であり、かつ前記第2の熱処理の温度は前記第1の熱処理の温度よりも50〜130℃低く設定され、
前記ソース領域の深さが前記ソース領域の主面から0.4〜0.6μmとなり、前記チャネル領域における前記第2導電型の不純物濃度ピークの位置が前記ソース領域の主面から0.7〜1.2μmの深さとなり、かつ前記第2導電型の不純物濃度のピーク深さが前記ソース領域と前記チャネル領域との境界から0.3μm以上深くなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記チャネル領域を形成するための不純物のイオン注入において、前記イオン注入における入射角度が0〜7°であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ソース領域を形成するための不純物のイオン注入において、前記イオン注入における入射角度が0〜7°であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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