JP5018628B2 - デュアルバンドアンテナ装置 - Google Patents
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根日屋英之(著)、小川真紀(著)「ユビキタス時代のアンテナ設計」東京電機大学出版局、2005年9月30日(P133−134)
図1は、本発明の実施の形態1によるデュアルバンドアンテナ装置の構成を示す斜視図である。図1において、24は、基板である。基板24の板面に平行で、左右の側端に直交する方向が水平線の方向である。つまり、水平面は、基板24の板面に垂直で、基板24の上下にある側端に平行な面である。また、基板24の板面に平行で、上下の側端に直交する方向がいわゆる鉛直線の方向である。つまり、鉛直面は、基板24の板面に垂直で、基板24の左右にある側端に平行な面である。
図1に示すように、実施の形態1によるデュアルバンドアンテナ装置Aは、基板24の一方端(図1では上方端)側に配置されるダイポールアンテナ1と、基板24の他方側(図1では下方側)に配置される高周波回路である高周波モジュール3と、それらの間を接続するマイクロストリップ線路(信号導体)を有する給電線2と、給電線2の高周波モジュール3側に配置される第1のスイッチ5および第2のスイッチ6とを備えている。
図2は、並列共振回路の周波数特性を示す図である。図2(a)は、共振周波数が周波数fHである場合の周波数特性を示し、図2(b)は、共振周波数が周波数fLである場合の周波数特性を示している。
図3と図4を参照して説明する。なお、図3は、図1に示すデュアルバンドアンテナ装置のデュアルバンドに対する等価回路(a)、周波数fHのハイバンドに対する等価回路(b)、周波数fLのローバンドに対する等価回路(c)を示す図である。図4は、マイクロスリップ線路と対応するグランド導体とに流れる電流と磁界の関係を示す図である。
図6は、本発明の実施の形態2によるデュアルバンドアンテナ装置の構成を示す斜視図である。なお、図6では、図1(実施の形態1)に示した構成要素と同一ないしは同等である構成要素には同一の符号が付されている。ここでは、この実施の形態2に関わる部分を中心に説明する。
図6に示すように、この実施の形態2によるデュアルバンドアンテナ装置Bは、図1(実施の形態1)に示した構成において、第1および第2のスイッチ5,6に代えて、第1および第2のスイッチ20,21をダイポールアンテナ1側に配置してある。
図7を参照して説明する。図7は、図6に示すデュアルバンドアンテナ装置のデュアルバンドに対する等価回路(a)、周波数fHのハイバンドに対する等価回路(b)、周波数fLのローバンドに対する等価回路(c)を示す図である。
図8は、本発明の実施の形態3によるデュアルバンドアンテナ装置の構成を示す斜視図である。なお、図8では、図1(実施の形態1)に示した構成要素と同一ないしは同等である構成要素には同一の符号が付されている。ここでは、この実施の形態3に関わる部分を中心に説明する。
図8に示すように、実施の形態3によるデュアルバンドアンテナ装置Cでは、図1(実施の形態1)に示した構成において、直線状の給電線2に代えた、直角に折り曲げた給電線25が設けられている。
図9は、本発明の実施の形態4として、実施の形態1によるデュアルバンドアンテナ装置の応用例を示す斜視図である。なお、図9では、図1(実施の形態1)に示した構成要素と同一ないしは同等である構成要素には同一の符号が付されている。ここでは、筐体に関する説明は省略して、この実施の形態4に関わる部分を中心に説明する。
図9において、基板26には、実施の形態1によるデュアルバンドアンテナ装置Aの他に、もう一つのアンテナ装置Dが並置されている。デュアルバンドアンテナ装置Aにおいて、高周波モジュール3の位置に設けてある27は、デュアルバンド無線システムを実現するGSMモジュールである。GSMモジュール27は、GSMの900MHz帯と1800MHz帯(1710〜1880MHz)を使用する。給電線2は、GSMモジュール27のアンテナ端子に接続されている。
図9において、GSMモジュール27が1800MHz帯を使用する場合は、第1および第2放射エレメント1a,1bからなるダイポールアンテナ1を用いて送受信を行い、DECTモジュール28は、ダイポールアンテナ30を用いて送受信を行う。2つのアンテナともダイポールアンテナであるので、グランド導体4bを流れるアンテナ電流による結合は発生しない。
1 ダイポールアンテナ
1a 第1の放射エレメント
1b 第2の放射エレメント
2 給電線(マイクロスリップ線路)
2a 給電線の信号導体
2b 給電線のグランド導体
3 高周波モジュール(高周波回路)
4a,4b グランド導体
5 第1のスイッチ
5a チップコンデンサ
5b チップコイル
6 第2のスイッチ
6a チップコンデンサ
6b チップコイル
20 第1のスイッチ
20a チップコンデンサ
20b チップコイル
21 第2のスイッチ
21a チップコンデンサ
21b チップコイル
24 基板
25 直角に折り曲げた給電線
26 基板
27 GSMモジュール
28 DECTモジュール
29 給電線(マイクロスリップ線路)
30 ダイポールアンテナ
D もう一つのアンテナ装置
Claims (8)
- 第1および第2の放射エレメントで構成されるダイポールアンテナと、高周波信号の送信または受信或いは送受信を行う高周波回路と、前記ダイポールアンテナと前記高周波回路との間を接続する信号導体を有する給電線と、前記給電線の前記信号導体とそれに対応するグランド導体との間に接続され、第1の周波数の信号の通過を阻止し、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数の信号を通過させる第1のスイッチと、前記第1のスイッチの配置位置近傍の前記高周波回路側において、前記給電線の前記信号導体に対応するグランド導体と前記高周波回路のグランド導体との間に接続され、前記第1の周波数の信号を通過させ、前記第2の周波数の信号の通過を阻止する第2のスイッチと、を備え、前記第1および第2の放射エレメントの長さは、それぞれ前記第1の周波数の1/4波長であり、前記第1および第2の放射エレメントと前記給電線の対応する導体とを合わせた全長は、それぞれ、前記第2の周波数の1/4波長であることを特徴とするデュアルバンドアンテナ装置。
- 第1および第2の放射エレメントで構成されるダイポールアンテナと、高周波信号の送信または受信或いは送受信を行う高周波回路と、前記ダイポールアンテナと前記高周波回路との間を接続する信号導体を有する給電線と、前記給電線の前記ダイポールアンテナとの接続端近傍において、当該給電線の前記信号導体とそれに対応するグランド導体との間に接続され、第1の周波数の信号の通過を阻止し、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数の信号を通過させる第1のスイッチと、前記第1のスイッチの配置位置近傍の前記高周波回路側において、前記給電線の前記信号導体に対応するグランド導体と前記高周波回路のグランド導体との間に接続され、前記第1の周波数の信号を通過させ、前記第2の周波数の信号の通過を阻止する第2のスイッチと、を備え、前記第1および第2の放射エレメントの長さは、それぞれ前記第1の周波数の1/4波長であり、前記第1および第2の放射エレメントと前記給電線の対応する導体とを合わせた全長は、それぞれ、前記第2の周波数の1/4波長であることを特徴とするデュアルバンドアンテナ装置。
- 前記第1のスイッチは、共振周波数が前記第1の周波数に設定されている並列共振回路で構成されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載にデュアルバンドアンテナ装置。
- 前記第2のスイッチは、共振周波数が前記第2の周波数に設定されている並列共振回路で構成されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載にデュアルバンドアンテナ装置。
- 前記給電線は、直線形状で配置されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載にデュアルバンドアンテナ装置。
- 前記給電線は、直角に折れ曲がった形状で配置されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載にデュアルバンドアンテナ装置。
- 前記給電線は、ストリップ線路である、ことを特徴とする請求項1または2に記載にデュアルバンドアンテナ装置。
- 前記給電線は、同軸線路である、ことを特徴とする請求項1または2に記載にデュアルバンドアンテナ装置。
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