JP5009389B2 - 反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 - Google Patents
反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5009389B2 JP5009389B2 JP2010035670A JP2010035670A JP5009389B2 JP 5009389 B2 JP5009389 B2 JP 5009389B2 JP 2010035670 A JP2010035670 A JP 2010035670A JP 2010035670 A JP2010035670 A JP 2010035670A JP 5009389 B2 JP5009389 B2 JP 5009389B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- gas
- absorber
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
。また、遮光膜に求められる性能として、転写パターンが形成されたフォトマスクにおいて、ArF露光光等で露光された際、遮光膜表面で光が表面反射する表面反射率を所定値以下(30%未満)に低減しなければならない。通常、光透過型のフォトマスクブランクにおけるCr遮光膜の場合、遮光性能の高い遮光層としてのCr膜の上層に表面反射防止層としてCr酸化層を積層する。また、近年、液浸露光等の開口数がNA>1の高NA(Hyper−NA)露光技術が用いられ始めている。このような高NA露光技術では、フォトマスクへの露光の際、フォトマスクの透明基板の裏面(透明基板の遮光膜が成膜されていない面)側からのArF露光光の入射角度(透明基板裏面の垂線となす角度)が大きくなることから、透明基板の裏面側から入射して透明基板の表面と遮光膜の裏面との界面で反射した反射光が透明基板の裏面で再反射される。そして、その再反射された光が遮光膜の除去された部分の透明基板の表面から出ていった場合、フレア(Flare)や露光量超過エラー(Dose Error)等、レジスト膜等の露光対象物へのパターン転写に悪影響を与えることがある。このため、透明基板と遮光層との間に裏面反射防止層を設ける場合が多い。また、裏面反射防止層の反射光の反射率(裏面反射率)は、通常40%未満に低減する必要がある。Cr遮光膜の場合は、透明基板とCr膜の遮光層との間に裏面反射防止層としてCr窒化層を入れる場合が多い。
ていない状態のままで透明基板上に衝突させることができる。これによって、Ta粒子の衝突時にTa酸化物を主成分とする遮光層に大きな圧縮力を付与することができ、遮光層内部の引張応力を低減させることができる。
(実施例1)
縦・横の寸法が、約152mm×152mmで、厚さが6.35mmの合成石英からなる基板1を、DCマグネトロンスパッタ装置に導入する。スパッタ装置内を2×10−5(Pa)以下に排気した後、スパッタ装置内にXeとN2の混合ガス(スパッタガス)を導入する。このとき、Xeの流量は11sccm、N2の流量は15sccmに調整した
。スパッタリングターゲットにはTaを用いた。ガスの流量が安定した後、DC電源の電力を1.5kWに設定し、基板1上に厚み44.9nmのTa窒化層2を成膜した(図3(a)参照)。
実施例1におけるTa窒化層2のスパッタ成膜時、スパッタ時導入ガスにXeガスとN2ガスの混合ガスを使用した効果を確認するため、従来の製法であるArガスとN2ガスの混合ガスとからなるスパッタ時導入ガスを使用してTa窒化層2をスパッタ成膜した以外は、実施例1と同様に遮光膜を作製し、比較例1とした。
機 レーザーテック社製 M1350(レーザーテック社の商品名)で欠陥検査を行ってみたところ、欠陥を正常に識別できることが確認できた。比較例1の製造条件等を表3にまとめて示す。
する引張応力とバランスを取ることで、さらにガラス基板の変形量を小さくでき、ハーフピッチ32nm以下の微細パターン露光で要求される精度を満たすだけのマスクブランクを作製することができることがわかった。
図4は実施例2にかかるフォトマスクブランクを示す断面図である。図4に示されるように、実施例2にかかるフォトマスクブランクは、合成石英からなるガラス基板1上に、遮光層として、厚さ46.7nmのTa−B−N層21が形成され、このTa−B−N層21の上に、表面反射防止層として、厚さ10nmのTa−B−O層31が形成されてなるものである。なお、Ta−B−N層21とTa−B−O層31とによって遮光膜33を構成するものである。ここで、Ta−B−N層21のN含有量は15at%、Ta−B−O層31のO含有量は58at%である。
図5は、実施例3にかかる反射型マスクブランクの構成を示す断面図である。反射型マスクブランクは、特に、極短紫外(Extreme UltraViolet,EUV 波長 約13nm)光を用いたEUVリソグラフィで使用される反射型マスクを作製するためのマスクブランクである。反射型マスクブランクは、基板10上に、多層反射膜11、中間膜12、吸収体膜(遮光膜)13が順に積層して形成されている。多層反射膜11は、EUV光を高反射率で反射させる膜であり、相対的に屈折率の高い物質と、相対的に屈折率の低い物質が数nmオーダーで交互に積層された構造のものが通常使用されている。多層反射膜11には、MoとSiを交互に40周期程度積層したMo/Si周期多層反射膜が広く用いられているほか、Ru/Si周期多層反射膜、Mo/Be周期多層反射膜、Mo化合物/Si化合物周期多層反射膜、Si/Nb周期多層反射膜、Si/Mo/Ru周期多層反射膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層反射膜、Si/Ru/Mo/Ru周期多層反射膜などがある。
成することにより、転写パターンを有する反射型マスクが作製される。そして、EUV露光装置の所定箇所に取り付けてEUV光を照射すると、エッチングされて多層反射膜11が露出した部分ではEUV光を反射し、吸収体膜13が残存している部分ではEUV光は吸収されることで、転写パターンが露光対象物であるウェハ上のレジスト等に転写されるようになっている。
ンスドエナジー社の商品名)を用いている。
フォトマスクブランクは、一定の加工処理等を施すことによってフォトマスクに形成できる中間体としてのフォトマスクブランクとして利用することができる。
2 遮光層
3 反射防止層
30 遮光膜
Claims (6)
- 基板上に、多層反射膜と少なくとも2層からなる吸収体膜とを有する反射型マスクブランクであって、
前記吸収体膜は、タンタル窒化物を主成分とし、キセノンを含む材料からなる吸収体層と、該吸収体層の上面に積層されるタンタル酸化物を主成分とし、アルゴンを含む材料からなる表面反射防止層と
を有することを特徴とする反射型マスクブランク。 - 前記吸収体層または表面反射防止層は、ホウ素を含む材料からなることを特徴とする請求項1記載の反射型マスクブランク。
- 請求項1または2のいずれかに記載の反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンが形成されていることを特徴とする反射型マスク。
- 多層反射膜を備える基板の多層反射膜上に、タンタルあるいはタンタルを主成分とする材料からなるスパッタターゲットを使用し、キセノンガスと窒素系ガスの混合ガスをスパッタガスとして用いたスパッタリングによって、タンタル窒化物を主成分とする材料からなる吸収体層を形成する吸収体層形成工程と、
前記吸収体層形成工程で形成した吸収体層の上面に、タンタルあるいはタンタルを主成分とする材料からなるスパッタターゲットを使用し、アルゴンガスと酸素系ガスの混合ガスをスパッタガスとして用いたスパッタリングによって、タンタル酸化物を主成分とする材料からなる表面反射防止層を形成する表面反射防止層形成工程と
を有することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記タンタルを主成分とする材料からなるスパッタターゲットは、タンタルとホウ素の焼結体であることを特徴とする請求項4記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項1または2のいずれかに記載の反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成してなる反射型マスクの製造方法であって、
前記吸収体膜上に形成された転写パターンを有するレジスト膜をエッチングマスクとして、酸素を実質的に含まないフッ素系ガスで表面反射防止層をドライエッチングする工程と、
該工程後、前記レジスト膜および表面反射防止層のうち少なくともいずれかをエッチングマスクとして、酸素を実質的に含まない塩素系ガスで吸収体層をドライエッチングする工程と
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010035670A JP5009389B2 (ja) | 2008-02-27 | 2010-02-22 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008046890 | 2008-02-27 | ||
JP2008046890 | 2008-02-27 | ||
JP2010035670A JP5009389B2 (ja) | 2008-02-27 | 2010-02-22 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009015734A Division JP4465405B2 (ja) | 2008-02-27 | 2009-01-27 | フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにこれらの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012123512A Division JP5681668B2 (ja) | 2008-02-27 | 2012-05-30 | フォトマスクブランク、フォトマスク、反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010118692A JP2010118692A (ja) | 2010-05-27 |
JP5009389B2 true JP5009389B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=42306099
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010035670A Active JP5009389B2 (ja) | 2008-02-27 | 2010-02-22 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 |
JP2012123512A Active JP5681668B2 (ja) | 2008-02-27 | 2012-05-30 | フォトマスクブランク、フォトマスク、反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012123512A Active JP5681668B2 (ja) | 2008-02-27 | 2012-05-30 | フォトマスクブランク、フォトマスク、反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5009389B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012208505A (ja) * | 2008-02-27 | 2012-10-25 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク、反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210089406A (ko) | 2020-01-08 | 2021-07-16 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 포토마스크 |
WO2022239752A1 (ja) * | 2021-05-14 | 2022-11-17 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付き基板 |
JPWO2023286669A1 (ja) * | 2021-07-12 | 2023-01-19 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3391699B2 (ja) * | 1998-05-07 | 2003-03-31 | 日本電信電話株式会社 | X線マスクの製造方法 |
JP3303858B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2002-07-22 | 日本電気株式会社 | X線マスク及びその製造方法 |
JP4061319B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2008-03-19 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
US20060008749A1 (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-12 | Frank Sobel | Method for manufacturing of a mask blank for EUV photolithography and mask blank |
JP4465405B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2010-05-19 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにこれらの製造方法 |
JP5009389B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2012-08-22 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 |
-
2010
- 2010-02-22 JP JP2010035670A patent/JP5009389B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-30 JP JP2012123512A patent/JP5681668B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012208505A (ja) * | 2008-02-27 | 2012-10-25 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク、反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5681668B2 (ja) | 2015-03-11 |
JP2012208505A (ja) | 2012-10-25 |
JP2010118692A (ja) | 2010-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4465405B2 (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにこれらの製造方法 | |
JP5590113B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法 | |
JP4845978B2 (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにフォトマスクの製造方法 | |
KR100906026B1 (ko) | 반사형 포토마스크 블랭크, 반사형 포토마스크, 및 이것을이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
US8828627B2 (en) | Reflective mask blank for EUV lithography and reflective mask for EUV lithography | |
TW201435485A (zh) | Euv微影術用反射型光罩基底及其製造方法 | |
JP2013084910A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法 | |
JP2014160752A (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用反射層付基板 | |
JP6186996B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、euvリソグラフィ用反射型マスク | |
JP5258368B2 (ja) | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
JP2019070854A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP5681668B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスク、反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 | |
JP5009590B2 (ja) | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 | |
JP5194547B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスク及びマスクブランク | |
JP2012159855A (ja) | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 | |
JP5333016B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク | |
JP6896694B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JP6451884B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、euvリソグラフィ用反射型マスク | |
JP2011222887A (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板 | |
JP6288327B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、euvリソグラフィ用反射型マスク | |
JP5568158B2 (ja) | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
JP5581293B2 (ja) | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120516 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120530 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5009389 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |