JP4997141B2

JP4997141B2 - 真空処理装置、基板の温度制御方法

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Publication number: JP4997141B2
Application number: JP2008040183A
Authority: JP
Inventors: 日出夫竹井; 智池田; 健二水野; 正志菊池; 英之小形
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Priority date: 2008-02-21
Filing date: 2008-02-21
Publication date: 2012-08-08
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Description

本発明は、基板を保持する基板トレイと、基板ホルダ、その基板ホルダを有する真空処理装置、及び基板の温度制御方法に関する。

従来より、ドライエッチングや成膜等の基板処理を行う際、基板の冷却、加熱等の温度制御が行われる。
一般に、温度制御は、基板を載置する載置台に、加熱手段や冷却手段等の温度制御手段を設け、該温度制御手段で載置台を加熱又は冷却し、熱伝導により、載置台上の基板を加熱又は冷却する。
しかしながら、複数の基板を同時に載置台に配置して処理を行う場合、基板毎に温度のばらつきが生じ、処理速度にばらつきが生じやすい。
特開２００６−６６４１７号公報

本発明は上記課題を解決するためのものであり、その目的は、複数枚の基板を同時に温度制御可能な装置及び方法を提供することである。

上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置される基板保持装置と、前記基板保持装置が配置される載置台と、前記基板保持装置上に乗せられる押圧板と、前記押圧板を昇降させるピンと、を有し、前記基板保持装置は、二以上の第一の貫通孔が形成された支持板と、前記支持板の片面に配置された１又は複数のリング状の弾性部材とを有し、各前記第一の貫通孔は前記弾性部材で取り囲まれ、前記支持板の前記弾性部材とは反対側の面の各前記第一の貫通孔周囲の部分は、保持対象の基板が密着可能な着座部にされ、各前記第一の貫通孔は前記弾性部材で取り囲まれ、前記弾性部材は、前記支持板の裏面と、前記載置台の表面と密着した状態で、前記載置台上に配置されるように構成され、前記載置台には、前記弾性部材のリング内側の空間に熱媒体ガスを供給する供給路が設けられ、前記押圧板は、前記載置台上の前記基板保持装置を覆うように、前記ピンに取り付けられ、各前記第一の貫通孔上にそれぞれ前記基板を配置して各前記基板の裏面を前記第一の貫通孔内にそれぞれ露出させ、前記押圧板によって前記基板保持装置を前記載置台に押し付けて前記弾性部材を前記載置台に密着させると、前記基板と前記載置台の間の空間が前記弾性部材によって密閉され、前記熱媒体ガスが密閉された前記空間に供給されるように構成された真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記支持板に重ね合わされるカバーを有し、前記カバーには、各前記第一の貫通孔上に配置された前記基板の表面がそれぞれ露出される第二の貫通孔が設けられ、前記ピンによって前記押圧板を降下させると、前記押圧板によって、前記カバーを介して前記支持板が押圧されて前記弾性部材が前記載置台に密着され、前記第二の貫通孔に露出する前記基板表面は、前記押圧板に設けられた第三の貫通孔内に露出される真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、各前記第一の貫通孔は、別々の前記弾性部材でそれぞれ周囲が取り囲まれた真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記弾性部材には、一の前記弾性部材で複数の前記第一の貫通孔を取り囲むものが含まれる真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記弾性部材は、前記支持板の裏面に密着して取り付けられた真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記載置台を冷却又は加熱する温度制御手段を有する真空処理装置である。
本発明は上記記載の真空処理装置を用い、複数枚の前記基板の温度を真空処理しながら制御する基板の温度制御方法であって、各前記第一の貫通孔をそれぞれ覆うように、前記支持板の表面上に複数の前記基板をそれぞれ配置し、各前記第一の貫通孔に前記基板の裏面が露出された状態で、前記第二の貫通孔内に露出する各前記基板の表面を真空処理する際に、前記温度制御手段で前記載置台を加熱又は冷却しながら各前記基板の裏面の密閉された前記空間に前記熱媒体を供給し、前記基板温度を測定して前記熱媒体の温度を制御して、前記基板の温度を制御する基板の温度制御方法である。

本発明は上記のように構成されており、弾性部材は支持板に接触し、基板には接触しないようになっている。従って、基板が弾性部材の構成材料（ゴム等）で汚染されない。
また、基板トレイを載置台上で昇降させるとき、昇降ピンを支持板に接触させれば、基板は昇降ピンにも接触しないので、昇降ピンにより基板が汚染されたり、破損することもない。

弾性部材は載置台に取り付けてもよいし、基板トレイの支持板に取り付けてもよい。更に、弾性部材を載置台と支持板のいずれにも取り付けずに分離させておき、基板トレイを載置台に置くときに、基板トレイと載置台の間に配置してもよい。
しかしながら、弾性部材を、載置台と支持板のいずれかに予め取り付けておいた方が、基板トレイの交換作業が簡易である。また、弾性部材は消耗品であるため、定期的に交換が必要であり、弾性部材を支持板に取り付けた方が、載置台に取り付けた場合に比べて、弾性部材の交換作業が簡易である。

複数の基板を温度制御（冷却又は加熱）しながらエッチングや成膜等の処理をすることができる。各基板は熱媒体ガスに接触し、熱伝導で温度制御されるか、温度応答性が高い。複数枚の基板を同時に同じ処理速度で処理することができる。基板は弾性部材にも昇降ピンにも接触しないから、汚染されない。

図５は本発明の基板保持装置３０の平面図であり、基板保持装置３０に基板を保持させる前の状態を示している。この基板保持装置３０は、板状の基板トレイ３１を有している。
基板トレイ３１は支持板３２と、支持板３２を表面から裏面まで貫通する複数の貫通孔３５とを有している。支持板３２の片面（裏面）の各貫通孔３５周囲にはリング状の溝（不図示）が設けられ、各貫通孔３５は溝で取り囲まれている。

各溝にはリング状の弾性部材４１が嵌め込まれ、各弾性部材４１は底面が溝の底面と接触し、上部が溝から突き出された状態で、支持板３２の裏面に貫通孔３５を取り囲んで配置されている。
支持板３２の弾性部材４１が配置された側と反対側の面（表面）のうち、貫通孔３５を取り囲む部分にはシール部材３７が配置され、貫通孔３５はシール部材３７で取り囲まれている。

この基板保持装置３０に保持される基板７の形状と大きさは予め分かっている。
貫通孔３５の外周は基板７の平面形状外周よりも小さくされ、貫通孔３５を覆うように基板７を支持板３２表面に載せると、支持板３２の貫通孔３５周囲の部分と、シール部材３７とが着座部３６となり、基板７は裏面が貫通孔３５内に露出し、縁部分が着座部３６と接触した状態で、支持板３２表面上に配置される。

ここでは、着座部３６のうち、シール部材３７が基板７と接触するようになっているが、シール部材３７を設けず、支持板３２の貫通孔周囲の部分で着座部３６を構成し、基板７を支持板３２に接触させてもよい。
図６は基板７を支持板３２表面上に配置した状態を示しており、図６と、後述する図７、８では着座部３６は省略している。

図９は板状のカバー３３を示している。カバー３３には貫通孔３４が複数形成されている。
ここでは、カバー３３の貫通孔３４は基板７の平面形状より小さく、その間隔は、支持板３２上の基板７の間隔と略等しくされ、各基板７上に、カバー３３の貫通孔３４が位置するように、カバー３３を支持板３２に重ね合わせると、基板７表面の処理されるべき処理領域は貫通孔３４内に露出し、基板７表面の処理領域外の部分がカバー３３と接触する。
基板７はカバー３３と支持板３２とで挟まれた状態になるから、ボルト等の締め付け部材で、カバー３３を支持板３２とを互いに押し付けると、基板７は押圧され、固定される。

図３、７は締め付け部材４４で固定した状態を示しており、図３は図７のＡ−Ａ切断線断面図に相当する。この状態では、基板７は支持板３２とカバー３３に固定されているから、貫通孔３４、３５との位置関係が変化しない。従って、基板７表面の処理領域がカバー３３の貫通孔３４内に露出し、基板７の裏面が支持板３２の貫通孔３５内に露出した状態が維持される。

次に、上記基板保持装置３０を用いた本発明の真空処理装置について説明する。
図１の符号１は本発明の真空処理装置１を示している。この真空処理装置１は、真空槽１１と、基板ホルダ２とを有しており、基板ホルダ２は、載置台２１と、上述した基板保持装置３０を有している。

載置台２１は真空槽１１の内部に配置されるか、真空槽１１の一壁面（ここでは底面）に形成された貫通孔内に、表面を真空槽１１の内部空間に向けて配置され、いずれの場合も、載置台２１の少なくとも表面が真空槽１１内部に位置する。

ここでは、載置台２１は真空槽１１壁面の貫通孔内に配置されている。当該貫通孔の内壁面と、載置台２１の側面は直接密着するか、アルミナ等の絶縁部材１６等を介して密着し、載置台２１側面と貫通孔内壁面の間は気密にされ、気体が通過しないようになっている。

真空槽１１は開閉バルブを介して、他の真空槽（ここでは搬送室６）に接続されている。搬送室６には搬送ロボットのような搬送装置が配置されており、基板保持装置３０は、弾性部材４１が露出する面を下方に向けて搬送ロボットのハンド４に乗せられる。

基板７は支持板３２上に乗せられているから、ハンド４には接触せず、基板保持装置３０は支持板３２又は弾性部材４１がハンド４と接触して、ハンド４上に保持される。
ハンド４を回転又は収縮させると、基板保持装置３０はハンド４と一緒に真空槽１１内部に搬入され、載置台２１上の所定位置に配置される。

真空槽１１の底壁（載置台２１、絶縁部材１６を含む）には貫通孔５７、５８が形成され、貫通孔５７、５８には第一、第二のピン５１、５２が挿通されている。第一、第二のピン５１、５２は不図示の昇降装置に接続されており、真空槽１１の内部雰囲気を外部雰囲気から遮断したまま、昇降可能になっている。

第一のピン５１は、上端が、基板保持装置３０の基板７以外の部分（ここでは支持板３２）と対面している。第一のピン５１を上昇させると、上端が、基板保持装置３０の基板７以外の部分と接触する。

第一のピン５１は３本以上が基板保持装置３０と接触するか、第一のピン５１の数が３本未満の場合は、第一のピン５１が分岐して、基板保持装置３０と接触する上端の数が３本以上になっており、第一のピン５１を更に上昇させると、基板保持装置３０がハンド４から第一のピン５１に移載され、保持される。上述したように、第一のピン５１は基板７に接触しないから、基板７の汚染がおこらない。

基板保持装置３０を第一のピン５１に保持されたら、ハンド４を載置台２１と基板保持装置３０の間から退避させる。第一のピン５１を下降させると、基板保持装置３０が下降し、載置台２１上に移載される。基板保持装置３０の裏面には弾性部材４１が突き出ているから、基板保持装置３０は弾性部材４１が載置台２１と接触し、基板７は載置台２１とは接触しない。

第二のピン５２の上端には、基板保持装置３０よりも平面形状が大きい押圧板５３が、載置台２１上の基板保持装置３０を覆うように取り付けられている。
基板保持装置３０を真空槽１１に搬入する前には、第二のピン５２を上昇させ、押圧板５３をハンド４上の基板保持装置３０よりも上方に配置しておき、基板保持装置３０が第一のピン５１に保持された後に、第二のピン５２を下降させ、載置台２１上の基板保持装置３０に押圧板５３を押し付ける。

図８は、押圧板５３と基板保持装置３０との位置関係を示す平面図である。押圧板５３には貫通孔５４又は切り込みが形成されており、カバー３３の貫通孔３４は全て押圧板５３の貫通孔５４又は切り込み内に露出し、カバー３３の縁部分（又は支持板３２）が押圧板５３に接触して押圧される。
従って、押圧板５３と第二のピン５２とで構成される密着部材５９により、基板保持装置３０は、各基板７の処理領域が露出した状態で載置台２１に押し付けられる。

ここでは、押圧板５３にはカバー３３の貫通孔３４上にそれぞれ貫通孔５４が形成され、基板保持装置３０の縁部分だけでなく、基板保持装置３０の基板７と基板７の間の部分も、押圧板５３で押圧されるようになっており、基板保持装置３０の縁部分だけが押圧される場合に比べて、基板保持装置３０がより安定して載置台２１上に保持される。

上述したように、基板保持装置３０のうち、弾性部材４１が載置台２１と接触している。弾性部材４１はゴム等弾性変形可能な弾性材料で構成されており、押圧板５３を下降させ、基板保持装置３０を載置台２１に押し付けると、弾性部材４１が弾性変形し、支持板３２と載置台２１の両方に密着する（図２）。

弾性部材４１のリング内側には、支持板３２の貫通孔３５が位置するが、その貫通孔３５は基板７で覆われ、しかも、基板７は貫通孔３５周囲の着座部３６と密着している。従って、弾性部材４１のリング内側の空間は、載置台２１と、弾性部材４１と、支持板３２と、着座部３６と、基板７とで囲まれ、密閉される。

図４は図２の部分拡大断面図であり、載置台２１にはガス供給路２５が設けられている。載置台２１表面の、弾性部材４１と接触する部分の内側には、噴出口が設けられ、噴出口はガス供給路２５を介してガス供給系２６に接続されている。
ガス供給系２６には熱媒体ガスが配置されており、熱媒体ガスは、ガス供給系２６から、ガス供給路２５を通って、噴出口から、弾性部材４１で取り囲まれた空間に供給される。

載置台２１には温度制御手段６１が取り付けられている。温度制御手段６１は特に限定されないが、ピエゾ素子のように通電することで冷却する冷却手段、ヒーターのように通電することで発熱する加熱手段、載置台２１に取り付けられた配管を有し、該配管内に水やガス等の熱媒体を流すことで、載置台２１を冷却又は加熱する循環手段等がある。

弾性部材４１のリング内側の空間には載置台２１表面が露出しており、載置台２１が温度制御手段６１で冷却又は加熱されると、弾性部材４１のリング内側の空間に充満する熱媒体ガスは、載置台２１表面と接触して冷却又は加熱される。各基板７は裏面が支持板３２の貫通孔３５内に露出して、熱媒体ガスと接触するから、各基板７は熱媒体ガスにより冷却又は加熱される。

次に、この真空処理装置１を用いて複数枚の基板７を同時に処理する工程について説明する。
真空槽１１と搬送室６には真空排気系９が接続されており、真空排気系９により、真空槽１１と搬送室６内部を真空排気し、所定圧力の真空雰囲気を形成する。

真空処理装置１の外部で、上述したように、複数の基板７を基板保持装置３０に保持させる。その基板保持装置３０を、搬送ロボットのハンド４に載せ、搬送室６内と真空槽１１内の真空雰囲気を維持したまま、真空槽１１内に搬入する。

上述したように基板保持装置３０を載置台２１に乗せて密着部材５９で基板保持装置３０を押圧（又は吸着）し、弾性部材４１が弾性変形して支持板３２と載置台２１の両方に密着し、かつ、支持板３２と載置台２１とが所定距離離間（例えば２００μｍ以上４００μｍ以下）した状態を維持する。

真空槽１１内の真空雰囲気を維持したまま、各弾性部材４１のリング内側の空間に、Ｈｅガスのような熱媒体ガスを供給し、そのリング内側の空間に、真空槽１１内部のリング外側の空間よりも高圧（例えば１０００Ｐａ以上）で、大気圧よりも低圧の温度調整雰囲気を形成する。

このとき、基板保持装置３０は上述した密着部材５９により、載置台２１に押し付けられるから、弾性部材４１のリング内側の空間と、外側の空間に圧力差が生じても、基板保持装置３０が載置台２１上から外れない。

真空槽１１には処理ガス供給系８が接続されており、真空槽１１の内部を真空排気しながら、処理ガス供給系８からエッチングガスや原料ガス等の処理ガスを導入して、真空槽１１内部に温度調整雰囲気よりも低圧の処理雰囲気を形成する。
基板７を処理するときの処理温度は予め設定されている。例えば、エッチングの処理温度は１０℃以上１００℃以下の範囲にある。

予備試験により、実際の処理工程と同じ条件で、基板保持装置３０に保持された基板７を処理し、各基板７が決められた温度になるような温度制御手段６１の運転条件を予め求めておく。尚、運転条件とは、温度制御手段６１が冷却手段や加熱手段の場合は通電量であり、循環手段の場合は熱媒体の温度と熱媒体の流量である。

真空槽１１の内部には電極１５が配置されており、真空槽１１内部の処理雰囲気を維持しながら、予備試験で求めた運転条件で温度制御手段６１を動作させ、電源５から電極１５に高周波電圧を印加すると、処理ガスがプラズマ化する。処理ガスがエッチングガスの場合は基板７表面がエッチングされ、処理ガスが原料ガスの場合は、基板７表面に原料ガスの反応生成物の膜が成膜される。

各基板７は決められた温度にされているから、エッチング速度や成膜速度等の処理速度は、各基板７で略等しくなる。
所定膜厚がエッチング除去されるか、反応生成物の膜が所定膜厚に達したら、電極１５への通電を停止し、処理を終了する。

真空槽１１内部を真空排気しながら、密着部材５９による押圧力（又は後述する吸着力）を徐々に弱める。真空槽１１の内部圧力と、各弾性部材４１のリング内側の空間の圧力とが略等しくなったら、第一、第二のピン５１、５２を上昇させ、基板保持装置３０を載置台２１から分離する。

押圧板５３を基板保持装置３０よりも上方に移動させて基板保持装置３０から分離し、基板保持装置３０と載置台２１との間にハンド４を配置し、第一のピン５１を下降させると、基板保持装置３０が第一のピン５１からハンド４に移載される。

ハンド４を伸縮、回転させ、基板保持装置３０をハンド４と一緒に真空槽１１から搬出し、ハンド４に未処理の基板７が複数保持された基板保持装置３０を載せ、上述したように、真空槽１１内に搬入して載置台２１に置き、密着部材５９で載置台２１に押し付ける（基板保持装置３０の交換）。

基板保持装置３０の交換後、上述したように各基板７を予め決められた温度にしながら処理を行えば、各基板７が均一に処理される。基板保持装置３０の交換と、各基板７の処理とを交互に行えば、多数の基板７を連続して処理することができる。

真空槽１１から搬出した処理済みの基板保持装置３０は、そのまま真空処理装置１外部に搬出するか、搬送室に接続された他の処理室で、後処理や成膜等の処理を行った後、真空処理装置１外部に搬出する。
搬出後は、締め付け部材４４を取り外せば、処理済みの基板７を基板保持装置３０から分離させることができる。

尚、載置台２１を電極で構成し、載置台２１と真空槽１１を絶縁部材１６で絶縁させておき、真空槽１１を接地電位に置いた状態で、載置台２１を構成する電極に高周波電圧を印加すれば、基板７表面に入射する処理ガスのプラズマ等の入射エネルギーを制御することができる。例えば、入射エネルギーを小さくしてダメージを低減させたり、逆に入射エネルギーを大きくして処理速度を大きくする。

以上は、予備試験で予め温度制御手段６１の運転条件を求めておく場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、真空槽１１に温度センサーを設け、基板７の温度を温度センサーで測定し、その測定温度に基づいて、温度制御手段６１の運転条件（冷却手段の熱媒体温度及び流量、又は加熱手段の発熱量）を、基板７が決められた温度になるように調整してもよい。

処理ガスの種類と基板７の処理方法は特に限定されない。エッチングの場合は、基板７表面に露出してエッチング対象物と化学反応して、エッチング対象物を除去するものを用いる。例えば、エッチング対象物がシリコン（Ｓｉ）の場合、処理ガスは化学構造中にフッ素原子を含有するフッ化ガス（例えばＸｅＦ₂）である。

また、処理ガスとして、化学構造中に酸素を有する酸化ガスや、化学構造中に窒素を有する窒化ガスを用い、該処理ガスを基板表面に接触させて、基板７表面に露出する物質を酸化又は窒化させてもよい。

処理ガスとして、原料ガスと反応性ガス（例えば還元ガス）を用い、基板７表面で原料ガスと反応性ガスとを化学反応（例えば還元）させ、反応生成物を基板７表面に堆積させて、反応生成物の膜を成膜してもよい。更に、原料ガスを基板７表面に露出する物質と反応させて、反応生成物の膜を成膜してもよい。

要するに、本発明は、処理ガスを基板７表面上で化学反応させて、基板７の処理を行うものであり、成膜装置やエッチング装置や表面改質装置等の真空処理を行なう真空処理装置を広く含む。

基板７と弾性部材４１及び貫通孔３４、３５、５４の形状は特に限定されないが、具体的には、基板７が矩形の場合、弾性部材４１は四角リング状、貫通孔３４、３５、５４は矩形であり、基板７が円形の場合、弾性部材４１は円形リング状、貫通孔３４、３５、５４は円形である。

以上は、密着部材５９で基板保持装置３０を載置台２１に押し付ける場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、密着部材５９として、載置台２１に静電吸着装置（静電チャックプレート）を設け、該静電吸着装置に通電して、基板保持装置３０を吸着し、載置台２１に密着させてもよい。しかしながら、静電吸着力により基板７に形成された回路等が破損する虞がある場合は、静電吸着装置ではなく、図１、２に示したように、押圧力で基板保持装置３０を載置台２１に密着させることが望ましい。

支持板３２やカバー３３の材質は特に限定されないが、一例を挙げるとアルミナ等のセラミックである。
弾性部材４１の材質は特に限定されないが、基板７を処理する時の温度で弾性変形可能な材料を用いる。一例を述べるとシリコーンゴム等である。

シール部材３７の材質も特に限定されないが、ゴムのように弾性変形可能な弾性材料は、一般に加硫剤、充填剤、架橋剤等の添加剤が添加されているから、シール部材３７とを弾性材料で構成すると添加剤により基板７が汚染されてしまう。従って、シール部材３７の材質としては、ポリイミド、フッ素樹脂等、基板７を処理する時の温度で弾性変形しない硬質樹脂を用いることが望ましい。

また、シール部材３７の設置場所は支持板３２と基板７の間（着座部３６）に限定されず、基板７とカバー３３の間、更に、押圧板５３とカバー３３の間に配置してもよい。
熱媒体ガスは特に限定されないが、比熱が高く、かつ、基板７や弾性部材４１を腐食しないものが望ましく、例えば、熱媒体ガスは、Ｈｅと、Ｎｅと、Ａｒとからなる群より選択されるいずれか一種類以上を含有する。

本発明によりエッチングを行う際の、処理条件の一例を述べると、エッチング電極（載置台２１）の温度が５℃〜３０℃、エッチング電極に印加するＲＦ電力が１．８ｋＷ、電極１５に印加するＲＦ電力が２．７ｋＷ、真空槽１１の内部圧力が１３．３Ｐａ、エッチング時間が９０秒、弾性部材４１リング内側のＨｅ圧力が１３００Ｐａ〜１５００Ｐａ、処理ガスがＳＦ₆（２００ｓｃｃｍ）と、ＣＨＦ₃（３５０ｓｃｃｍ）と、Ａｒ（３００ｓｃｃｍ）であり、この条件では基板７の温度は７１℃〜９３℃になった。尚、基板７毎の温度のばらつきは小さく、処理速度の違いも実用上無視できる範囲であった。

以上は各基板７を同じ温度にする場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、支持板３２の貫通孔３５が異なる弾性部材４１で取り囲まれ、弾性部材４１のリング内側の空間が互いに分離された場合には、各弾性部材４１のリング内側を、異なる温度の熱媒体ガスで充満させ、基板７を異なる温度にすることもできる。

以上は、支持板３２の貫通孔３５を、別々の弾性部材４１で取り囲む場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１０に示すように、支持板３２の貫通孔３５のうち、二以上を一つの弾性部材７１で取り囲んでもよい。

基板保持装置を載置台に配置する前の真空処理装置の断面図基板保持装置を載置台に配置した状態の真空処理装置の断面図複数枚の基板を保持させた基板保持装置の断面図基板保持装置を載置台に配置した状態の拡大断面図基板保持装置に基板を配置する前の平面図支持板上に基板を配置した状態の平面図支持板とカバーとを重ね合わせた状態の平面図押圧板を基板保持装置に押し当てた状態の平面図カバーの平面図基板保持装置の他の例の平面図

符号の説明

１……真空処理装置２……基板ホルダ７……基板１１……真空槽２１……載置台２５……ガス供給路３０……基板保持装置３１……基板トレイ３２……支持板３５……貫通孔４１、７１……弾性部材６１……温度制御手段

Claims

真空槽と、
前記真空槽内に配置される基板保持装置と、
前記基板保持装置が配置される載置台と、
前記基板保持装置上に乗せられる押圧板と、
前記押圧板を昇降させるピンと、
を有し、
前記基板保持装置は、
二以上の第一の貫通孔が形成された支持板と、
前記支持板の片面に配置された１又は複数のリング状の弾性部材とを有し、
各前記第一の貫通孔は前記弾性部材で取り囲まれ、
前記支持板の前記弾性部材とは反対側の面の各前記第一の貫通孔周囲の部分は、保持対象の基板が密着可能な着座部にされ、
各前記第一の貫通孔は前記弾性部材で取り囲まれ、前記弾性部材は、前記支持板の裏面と、前記載置台の表面と密着した状態で、前記載置台上に配置されるように構成され、
前記載置台には、前記弾性部材のリング内側の空間に熱媒体ガスを供給する供給路が設けられ、
前記押圧板は、前記載置台上の前記基板保持装置を覆うように、前記ピンに取り付けられ、
各前記第一の貫通孔上にそれぞれ前記基板を配置して各前記基板の裏面を前記第一の貫通孔内にそれぞれ露出させ、
前記押圧板によって前記基板保持装置を前記載置台に押し付けて前記弾性部材を前記載置台に密着させると、前記基板と前記載置台の間の空間が前記弾性部材によって密閉され、前記熱媒体ガスが密閉された前記空間に供給されるように構成された真空処理装置。
前記支持板に重ね合わされるカバーを有し、
前記カバーには、各前記第一の貫通孔上に配置された前記基板の表面がそれぞれ露出される第二の貫通孔が設けられ、
前記ピンによって前記押圧板を降下させると、前記押圧板によって、前記カバーを介して前記支持板が押圧されて前記弾性部材が前記載置台に密着され、前記第二の貫通孔に露出する前記基板表面は、前記押圧板に設けられた第三の貫通孔内に露出される請求項１記載の真空処理装置。
各前記第一の貫通孔は、別々の前記弾性部材でそれぞれ周囲が取り囲まれた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理装置。
前記弾性部材には、一の前記弾性部材で複数の前記第一の貫通孔を取り囲むものが含まれる請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理装置。
前記弾性部材は、前記支持板の裏面に密着して取り付けられた請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の真空処理装置。
前記載置台を冷却又は加熱する温度制御手段を有する請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の真空処理装置。
請求項６記載の真空処理装置を用い、複数枚の前記基板の温度を真空処理しながら制御する基板の温度制御方法であって、
各前記第一の貫通孔をそれぞれ覆うように、前記支持板の表面上に複数の前記基板をそれぞれ配置し、
各前記第一の貫通孔に前記基板の裏面が露出された状態で、前記第二の貫通孔内に露出する各前記基板の表面を真空処理する際に、
前記温度制御手段で前記載置台を加熱又は冷却しながら各前記基板の裏面の密閉された前記空間に前記熱媒体を供給し、前記基板温度を測定して前記熱媒体の温度を制御して、前記基板の温度を制御する基板の温度制御方法。