JP4993949B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
12、31 nウェル
13、23 ゲート
21、24、41 n+拡散層
22、42 pウェル
50、51 基板
52 絶縁膜
53 基板間配線
D1、D2 ダイオード
IN、IN1〜IN4 入力端子
INV1、INV2 インバータ回路
N1〜N5 Nチャネルトランジス
NAND1、NAND2 NAND回路
NOR1、NOR2 NOR回路
OUT 出力端子
P1〜P5 Pチャネルトランジスタ
RD1〜RD8 放射線
Claims (10)
- 電源および出力端子間に接続される第1導電型電界効果トランジスタ群と接地および前記出力端子間に接続される第2導電型電界効果トランジスタ群とを組み合わせたCMOSタイプの論理回路を含む半導体集積回路装置であって、
前記論理回路は、
前記電源および出力端子間に逆バイアスとなるように接続される第1のダイオードと、
前記接地および出力端子間に逆バイアスとなるように接続される第2のダイオードと、
を備え、
前記論理回路が形成される基板の垂直方向から見て、前記第1のダイオードの拡散層領域の投影面が前記第2導電型トランジスタ群に含まれるトランジスタのそれぞれのドレイン拡散層領域の投影面を含むと共に、該それぞれのドレイン拡散層領域が存在する基板と前記第1のダイオードの拡散層領域が存在する基板とを離隔するように配置し、
前記論理回路が形成される基板の垂直方向から見て、前記第2のダイオードの拡散層領域の投影面が前記第1導電型トランジスタ群に含まれるトランジスタのそれぞれのドレイン拡散層領域の投影面を含むと共に、該それぞれのドレイン拡散層領域が存在する基板と前記第2のダイオードの拡散層領域が存在する基板とを離隔するように配置することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記論理回路は、
前記第1導電型電界効果トランジスタ群が、第1のトランジスタからなり、
前記第2導電型電界効果トランジスタ群が、第2のトランジスタからなる
インバータ回路であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 2つの前記インバータ回路を備え、
該2つのインバータ回路は、
一方のインバータ回路の入力端子と他方のインバータ回路の出力端子とを接続し、
他方のインバータ回路の入力端子と一方のインバータ回路の出力端子とを接続して
ラッチ回路を構成することを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路装置。 - 前記論理回路は、
前記第1導電型電界効果トランジスタ群が、縦続接続される第1および第2のトランジスタからなり、
前記第2導電型電界効果トランジスタ群が、並列接続される第3および第4のトランジスタからなる
2入力NOR回路であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 前記論理回路は、
前記第1導電型電界効果トランジスタ群が、並列接続される第1および第2のトランジスタからなり、
前記第2導電型電界効果トランジスタ群が、縦続接続される第3および第4のトランジスタからなる
2入力NAND回路であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 2つの前記2入力NOR回路を備え、
該2つの2入力NOR回路は、
一方の2入力NOR回路の一つの入力端子と他方の2入力NOR回路の出力端子とを接続し、
他方の2入力NOR回路の一つの入力端子と一方の2入力NOR回路の出力端子とを接続して
フリップフロップ回路を構成することを特徴とする請求項4記載の半導体集積回路装置。 - 2つの前記2入力NAND回路を備え、
該2つの2入力NAND回路は、
一方の2入力NAND回路の一つの入力端子と他方の2入力NAND回路の出力端子とを接続し、
他方の2入力NAND回路の一つの入力端子と一方の2入力NAND回路の出力端子とを接続して
フリップフロップ回路を構成することを特徴とする請求項5記載の半導体集積回路装置。 - 前記それぞれのドレイン拡散層領域が存在する基板と前記第1のダイオードの拡散層領域が存在する基板とが絶縁層を介して張り合わせられた構成であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記絶縁層には内部に前記それぞれのドレイン拡散層領域が存在する基板と前記第1のダイオードの拡散層領域が存在する基板との電気的接続を行う配線パターンを有する請求項8記載の半導体集積回路装置。
- 電源および出力端子間に接続される第1導電型電界効果トランジスタと接地および前記出力端子間に接続される第2導電型電界効果トランジスタとを組み合わせたCMOSタイプの論理回路を含む半導体集積回路装置であって、
前記論理回路は、
前記電源および出力端子間に逆バイアスとなるように接続される第1のダイオードと、
前記接地および出力端子間に逆バイアスとなるように接続される第2のダイオードと、
を備え、
前記論理回路が形成される基板の垂直方向から見て、前記第1のダイオードの拡散層領域の投影面が前記第2導電型トランジスタのドレイン拡散層領域の投影面を含むと共に、該ドレイン拡散層領域が存在する基板と前記第1のダイオードの拡散層領域が存在する基板とを離隔するように配置し、
前記論理回路が形成される基板の垂直方向から見て、前記第2のダイオードの拡散層領域の投影面が前記第1導電型トランジスタのドレイン拡散層領域の投影面を含むと共に、該ドレイン拡散層領域が存在する基板と前記第2のダイオードの拡散層領域が存在する基板とを離隔するように配置することを特徴とする半導体集積回路装置。
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