JP4991775B2 - Gate drive circuit - Google Patents

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Description

本発明は、能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路及びこれを有する能動マトリクス駆動ディスプレイ装置に関し、より詳細にはディスプレイ装置の表示特性を向上させることができる駆動回路に関するものである。   The present invention relates to a drive circuit for an active matrix drive display device and an active matrix drive display device having the same, and more particularly to a drive circuit capable of improving display characteristics of the display device.

多結晶液晶表示装置は、素子動作を高速化させることができ、素子の低電力駆動が可能であるという長所がある反面、製造工程が複雑であるという短所がある。従って、前記多結晶液晶表示装置は、小型ディスプレイ装置に主に適用され、非晶質液晶表示装置は、主にノートブックPC、LCDモニター、HDTVなどの大画面ディスプレイ装置に適用される。   The polycrystalline liquid crystal display device has the advantages that the device operation can be speeded up and the device can be driven at low power, but the manufacturing process is complicated. Accordingly, the polycrystalline liquid crystal display device is mainly applied to a small display device, and the amorphous liquid crystal display device is mainly applied to a large screen display device such as a notebook PC, an LCD monitor, and an HDTV.

最近は、前記非晶質液晶表示装置にも前記多結晶液晶表示装置のように液晶表示パネルのガラス基板上にゲート駆動回路を形成することで、組み立ての工程の数を減少しようとする技術開発に努めている。   Recently, a technology for reducing the number of assembly steps by forming a gate driving circuit on the glass substrate of the liquid crystal display panel as in the case of the polycrystalline liquid crystal display device in the amorphous liquid crystal display device. We are striving to

一般的に、前記ゲート駆動回路は、一つのシフトレジスタと前記シフトレジスタに各種信号を提供するための配線部で構成される。前記配線部は、複数の配線で構成され、前記配線のレイアウトは、前記ゲート駆動回路から出力される出力信号に影響を及ぼす。即ち、前記配線が互いにクロスされかつ発生されるキャパシタンスによって前記ゲート駆動回路の出力信号が歪曲される現状が発生される。   In general, the gate driving circuit includes a shift register and a wiring unit for providing various signals to the shift register. The wiring portion is composed of a plurality of wirings, and the layout of the wiring affects an output signal output from the gate driving circuit. That is, the current state is generated in which the output signals of the gate driving circuit are distorted due to the crossing of the wirings and the generated capacitance.

従って、前記液晶表示装置の表示特性を低下させる。   Accordingly, the display characteristics of the liquid crystal display device are deteriorated.

また、非晶質液晶表示装置が次第に大型化されるか又は高解像度を有する方向に開発されることによって、TFT基板に集積された従来のゲート駆動回路で画面を駆動するのには次のような問題点が発生する。   Further, as the amorphous liquid crystal display device is gradually increased in size or developed in a direction having a high resolution, the screen is driven by the conventional gate driving circuit integrated on the TFT substrate as follows. Problems occur.

まず、画面が大型化されるか解像度が高くなると、そのだけ前記非晶質液晶表示装置のTFT基板に形成されたゲートライン及びゲートラインに連結された画素の数も増加される。ゲートライン及び画素が増加することによってゲート駆動部から離れるほどゲートラインのRCディレイが大きくなり、一番目のゲートラインから最後のゲートラインに行くほどハイレベル区間を有して発生されたクロックの遅延時間が大きくなる。このような理由のため、ゲート出力信号の歪曲が発生するようになり、これによって液晶表示装置の表示特性が低下される。   First, as the screen is enlarged or the resolution is increased, the number of gate lines formed on the TFT substrate of the amorphous liquid crystal display device and the number of pixels connected to the gate lines are increased accordingly. As the number of gate lines and pixels increases, the RC delay of the gate line increases as the distance from the gate driver increases, and the delay of the clock generated with a high level interval from the first gate line to the last gate line. Time will increase. For this reason, the gate output signal is distorted, which deteriorates the display characteristics of the liquid crystal display device.

また、配線幅が一番大きくて最外郭に配置されている配線の間にキャパシタンスが形成される。これによって、液晶表示装置のRCディレイが更に大きくなる。従って、ゲート駆動信号を最小限のディレイでゲートラインに伝達することができる構造が必要である。   Further, a capacitance is formed between the wirings having the largest wiring width and arranged at the outermost contour. This further increases the RC delay of the liquid crystal display device. Therefore, there is a need for a structure that can transmit the gate drive signal to the gate line with a minimum delay.

従って、本発明の一特徴は、表示特性を向上させることができる能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路を提供することにある。また、本発明の他の特徴は、前記の駆動回路を有する液晶表示装置を提供する。   Accordingly, one feature of the present invention is to provide a driving circuit for an active matrix driving display device capable of improving display characteristics. Another feature of the present invention provides a liquid crystal display device having the driving circuit.

前述した本発明の一特徴による能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路は、 発明1は、多数のゲートラインが具備される液晶表示パネルの周辺領域に形成されるゲート駆動回路において、複数のステージが従属的に連結されて各ステージから出力された前記スイッチング素子を制御する駆動信号を出力端子を介して前記ゲートラインに順次提供するシフトレジスタと、前記シフトレジスタの周辺に形成され前記シフトレジスタに信号を供給するための 配線で構成された配線部と、を含む。   A driving circuit of an active matrix driving display device according to one aspect of the present invention described above is as follows. Invention 1 is a gate driving circuit formed in a peripheral region of a liquid crystal display panel having a plurality of gate lines, and a plurality of stages are subordinate. And a shift register that sequentially supplies a drive signal for controlling the switching element output from each stage to the gate line through an output terminal, and a signal that is formed around the shift register and is sent to the shift register. And a wiring section composed of wiring for supply.

前記配線部は、前記シフトレジスタの奇数番目ステージに第1クロック信号を提供する第1クロック配線と、前記シフトレジスタの偶数番目ステージに前記第1クロック信号と位相が反転された第2クロック信号を提供する第2クロック配線と、液晶が存在しないシールライン領域に形成され、前記第1クロック配線の端部と結合され前記奇数番目ステージに前記第1クロック信号を提供する第3クロック配線と、液晶が存在しない前記シールライン領域に形成され、前記第2クロック配線の端部と結合され前記偶数番目ステージに前記第2クロック信号を提供する第4クロック配線と、を含む。   The wiring unit includes a first clock wiring for providing a first clock signal to odd-numbered stages of the shift register, and a second clock signal having a phase inverted from that of the first clock signal for even-numbered stages of the shift register. A second clock wiring to be provided; a third clock wiring formed in a seal line region where no liquid crystal is present; and coupled to an end of the first clock wiring to provide the first clock signal to the odd-numbered stage; and a liquid crystal And a fourth clock wiring that is formed in the seal line region that is not present and is coupled to an end of the second clock wiring to provide the second clock signal to the even-numbered stage.

発明2は、発明1において、前記第1クロック配線の入力端子の反対に位置する一端は、前記第3クロック配線の入力端子の反対に位置する一端と結合され、前記第2クロック配線の入力端子の反対に位置する一端は、前記第4クロック配線の入力端子の反対に位置する一端と結合される ことを特徴とする。
発明3は、発明2において、前記第1クロック配線は、前記シフトレジスタの最後のステージが配置される第2領域で前記第3クロック配線と結合されるように配置され、前記第2クロック配線は、前記第2領域で前記第4クロック配線と結合されるように配置されることを特徴とする。
A second aspect of the present invention is the first aspect of the present invention, wherein one end located opposite to the input terminal of the first clock wiring is coupled to one end located opposite to the input terminal of the third clock wiring, and the input terminal of the second clock wiring One end of the fourth clock line is coupled to one end of the fourth clock line.
A third aspect of the present invention is the second aspect of the present invention, wherein the first clock wiring is arranged so as to be coupled with the third clock wiring in a second region where the last stage of the shift register is arranged, and the second clock wiring is The second region is arranged to be coupled to the fourth clock line.

発明4は、発明1において、前記配線部は、前記シフトレジスタの各ステージに第1電源電圧を提供するための第1電源電圧配線、第2電源電圧を提供するための第2電源電圧配線及び一番目のステージに開始信号を提供するための開始信号配線を更に含むことを特徴とする。
発明5は、発明4において、前記開始信号配線、前記第1電源電圧配線、前記第2クロック配線、前記第1クロック配線、前記第2電源電圧配線、前記第3クロック配線、前記第4クロック配線の順序に前記シフトレジスタに近接するように配置されることを特徴とする。
A fourth aspect of the present invention is the first aspect, wherein the wiring section includes a first power supply voltage wiring for providing a first power supply voltage to each stage of the shift register, a second power supply voltage wiring for providing a second power supply voltage, and The apparatus further includes a start signal wiring for providing a start signal to the first stage.
The invention 5 is the invention 4, wherein the start signal wiring, the first power supply voltage wiring, the second clock wiring, the first clock wiring, the second power supply voltage wiring, the third clock wiring, and the fourth clock wiring. In this order, the shift registers are arranged close to each other.

発明6は、発明4において、前記第2電源電圧配線と前記シフトレジスタとの間に配置され前記第2電源電圧配線と前記各ステージを連結する電源電圧連結ラインを更に含み、前記第1クロック配線は、前記電源電圧連結ラインとクロスしない第1領域で第1幅を有し、前記電源電圧連結ラインとクロスする第2領域で第2幅を有し、前記第2クロック配線は、前記電源電圧連結ラインとクロスしない第3領域で第3幅を有し、前記電源電圧連結ラインとクロスする第4領域で第4幅を有し、前記第2幅は第1幅よりも小さく、前記第4幅は第3幅よりも小さいことを特徴とする。
発明7は、発明4において、前記第2電源電圧配線と前記シフトレジスタとの間に配置され前記第2電源電圧配線と前記各ステージを連結する電源電圧連結ラインを更に含み、前記電源電圧連結ラインは、第1クロック配線及び第2クロック配線とクロスしない第1領域で第1幅を有し、第1クロック配線及び第2クロック配線とクロスする第2領域で第2幅を有し、前記第2幅は第1幅よりも小さいことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the fourth aspect, the power supply voltage connection line is disposed between the second power supply voltage line and the shift register and connects the second power supply voltage line and the respective stages. Has a first width in a first region that does not cross the power supply voltage connection line, has a second width in a second region that crosses the power supply voltage connection line, and the second clock wiring is connected to the power supply voltage. The third region not crossing the connection line has a third width, the fourth region crossing the power supply voltage connection line has a fourth width, the second width is smaller than the first width, and the fourth width The width is smaller than the third width.
A seventh aspect of the present invention is the power supply voltage connection line according to the fourth aspect, further comprising a power supply voltage connection line disposed between the second power supply voltage line and the shift register and connecting the second power supply voltage line and the respective stages. Has a first width in a first region that does not cross the first clock wiring and the second clock wiring, and has a second width in a second region that crosses the first clock wiring and the second clock wiring, The second width is smaller than the first width.

本発明の第1実施例による液晶表示パネルを示した図面である。1 is a diagram illustrating a liquid crystal display panel according to a first embodiment of the present invention. 図1に図示されたゲート駆動回路を構成するシフトレジスタを具体的に示した図面である。2 is a diagram specifically illustrating a shift register constituting the gate driving circuit illustrated in FIG. 1. 図2に図示された駆動ステージの構成を示した回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration of a drive stage illustrated in FIG. 2. 図3に図示された駆動ステージのレイアウト図面である。FIG. 4 is a layout diagram of the drive stage illustrated in FIG. 3. 図2に図示されたダミーステージの構成を示した回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration of a dummy stage illustrated in FIG. 2. 図5に図示されたダミーステージのレイアウト図面である。6 is a layout drawing of the dummy stage shown in FIG. ダミーステージが駆動ステージと同じ構造を有する場合、ダミーステージの出力波形図である。When a dummy stage has the same structure as a drive stage, it is an output waveform diagram of the dummy stage. ダミーステージが図5に図示された回路で構成された場合の出力波形図である。FIG. 6 is an output waveform diagram when a dummy stage is configured by the circuit shown in FIG. 5. 本発明の第2実施例による駆動ステージ及びダミーステージの構成を示した回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram illustrating a configuration of a drive stage and a dummy stage according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第3実施例によるゲート駆動回路を示した図面である。5 is a diagram illustrating a gate driving circuit according to a third embodiment of the present invention. 図10に図示されたゲート駆動回路の出力波形図である。FIG. 11 is an output waveform diagram of the gate driving circuit illustrated in FIG. 10. 図10に図示された第3及び第4クロック配線の位置を具体的に示したゲート駆動回路のレイアウト図面である。FIG. 11 is a layout diagram of a gate driving circuit specifically illustrating positions of third and fourth clock lines illustrated in FIG. 10. 第1及び第3クロック配線の連結関係と第2及び第4クロック配線の連結関係を示したレイアウト図面である。6 is a layout diagram illustrating a connection relationship between first and third clock lines and a connection relationship between second and fourth clock lines. 本発明の第4実施例によるシフトレジスタの配線構造を示した図面である。6 is a diagram illustrating a wiring structure of a shift register according to a fourth embodiment of the present invention. 図14に図示された配線構造を有するシフトレジスタを示したレイアウト図面である。FIG. 15 is a layout diagram illustrating a shift register having the wiring structure illustrated in FIG. 14. 本発明の第5実施例によるシフトレジスターを配線構造を示したレイアウトの図面である。7 is a layout diagram illustrating a wiring structure of a shift register according to a fifth embodiment of the present invention;

以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施例をより詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施例による液晶表示パネルを示した図面であり、図2は、図1に図示されたゲート駆動回路を構成するシフトレジスタを具体的に示した図面である。
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a view showing a liquid crystal display panel according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view specifically showing a shift register constituting the gate driving circuit shown in FIG.

図1を参照すると、本発明の一実施例による液晶表示パネル200は、TFT基板100、カラーフィルター基板(図示せず)及び前記TFT基板100とカラーフィルター基板との間に介在された液晶層(図示せず)で構成される。   Referring to FIG. 1, a liquid crystal display panel 200 according to an embodiment of the present invention includes a TFT substrate 100, a color filter substrate (not shown), and a liquid crystal layer (between the TFT substrate 100 and the color filter substrate). (Not shown).

前記TFT基板100は、映像を表示する表示領域(DA)及び前記表示領域(DA)に隣接した周辺領域(PA)に区分されるが、前記表示領域(DA)には複数の画素がマトリクス形態に具備される。具体的に、前記複数の画素それぞれは、第1方向に延長されたデータライン(DL)と前記第1方向と直交する第2方向に延長されたゲートライン(GL)に連結されたTFT110及び前記TFT110に結合された画素電極120を含む。   The TFT substrate 100 is divided into a display area (DA) for displaying an image and a peripheral area (PA) adjacent to the display area (DA). The display area (DA) includes a plurality of pixels in a matrix form. It is equipped with. Specifically, each of the plurality of pixels includes a TFT 110 connected to a data line (DL) extended in a first direction and a gate line (GL) extended in a second direction orthogonal to the first direction, A pixel electrode 120 coupled to the TFT 110 is included.

前記複数の画素の数によって前記液晶表示装置200の解像度が決定される。前記複数の画素がmxn個で具備されると、前記解像度はmxn個になる。このとき、前記TFT基板100上には、m個の前記データライン(DL1〜DLm)が具備され、n個の前記ゲートライン(GL1〜GLn)が具備される。   The resolution of the liquid crystal display device 200 is determined by the number of the plurality of pixels. If the plurality of pixels are mxn, the resolution is mxn. At this time, m data lines DL1 to DLm are provided on the TFT substrate 100, and n gate lines GL1 to GLn are provided.

一方、前記データライン(DL1〜DLm)の一端が配置される第1周辺領域(PA)には、データ駆動回路140がチップ形態で付着され、前記ゲートライン(GL1〜GLn)の一端が配置される第2周辺領域(PA)にはゲート駆動回路が集積される。前記ゲート駆動回路130は、前記表示領域(DA)に前記複数の画素を形成する工程と同じ工程上で形成される。   Meanwhile, a data driving circuit 140 is attached in a chip form to the first peripheral area PA where one end of the data lines DL1 to DLm is disposed, and one end of the gate lines GL1 to GLn is disposed. A gate driving circuit is integrated in the second peripheral area (PA). The gate driving circuit 130 is formed on the same process as the process of forming the plurality of pixels in the display area (DA).

前記ゲート駆動回路130は、一つのシフトレジスタで構成される。
図2に図示されたように、前記シフトレジスタ131は、従属的に連結された複数のステージ(SRC1〜SRCn+1)で構成される。具体的に、前記シフトレジスタ131は、n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)及びダミーステージ(SRCn+1)を含む。ここで、前記nは偶数である。
The gate driving circuit 130 is composed of one shift register.
As shown in FIG. 2, the shift register 131 includes a plurality of stages (SRC1 to SRCn + 1) that are connected in a dependent manner. Specifically, the shift register 131 includes n driving stages (SRC1 to SRCn) and a dummy stage (SRCn + 1). Here, n is an even number.

前記n個の駆動ステージ(SCR1〜SRCn)は、前記n個のゲートライン(GL1〜GLn)にゲート駆動信号を順次出力する。このとき、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)それぞれの出力端子(OUT)は、以前駆動ステージの制御端子(CT)にそれぞれ連結される。また、前記n個の駆動ステージ(SCR1〜SRCn)それぞれのキャリー端子(CR)は次の駆動ステージの入力端子(IN)に連結される。   The n driving stages (SCR1 to SRCn) sequentially output gate driving signals to the n gate lines (GL1 to GLn). At this time, the output terminals (OUT) of the n driving stages (SRC1 to SRCn) are connected to the control terminal (CT) of the previous driving stage, respectively. The carry terminals (CR) of the n drive stages (SCR1 to SRCn) are connected to the input terminal (IN) of the next drive stage.

例外に、一番目の駆動ステージ(SCR1)の入力端子(IN)には、出力信号のかわりに開始信号(ST)が提供される。   As an exception, the input signal (IN) of the first driving stage (SCR1) is provided with a start signal (ST) instead of an output signal.

一方、前記ダミーステージ(SRCn+1)の入力端子(IN)がn番目駆動ステージ(SRCn)のキャリー端子(CR)に連結され、ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT)が前記n番目駆動ステージ(SRCn)の制御端子(CT)に連結された形態で具備される。従って、前記ダミーステージ(SCRn+1)は、前記n番目駆動ステージ(SRCn)がちゃんと動作することができるように制御する。また、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT)は、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)にも結合される。従って、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、ダミーステージ(SRCn+1)自体の出力信号によって制御される。   Meanwhile, the input terminal (IN) of the dummy stage (SRCn + 1) is connected to the carry terminal (CR) of the nth driving stage (SRCn), and the output terminal (OUT) of the dummy stage (SRCn + 1) is connected to the nth driving stage (SRCn + 1). SRCn) is connected to the control terminal (CT). Therefore, the dummy stage (SCRn + 1) is controlled so that the nth driving stage (SRCn) can operate properly. The output terminal (OUT) of the dummy stage (SRCn + 1) is also coupled to the control terminal (CT) of the dummy stage (SRCn + 1). Therefore, the dummy stage (SRCn + 1) is controlled by the output signal of the dummy stage (SRCn + 1) itself.

前記シフトレジスタ131の周辺には、前記シフトレジスタ131に各種信号を供給するための配線部132が具備される。具体的に、前記配線部132は、開始信号配線(STL)、第1電圧配線(VDDL)、第1クロック配線(CKL)及び第2クロック配線(CKBL)、第2電圧配線(VSSL)を含む。   A wiring unit 132 for supplying various signals to the shift register 131 is provided around the shift register 131. Specifically, the wiring unit 132 includes a start signal wiring (STL), a first voltage wiring (VDDL), a first clock wiring (CKL), a second clock wiring (CKBL), and a second voltage wiring (VSSL). .

前記開始信号配線(STL)は、開始信号(ST)を前記一番目の駆動ステージ(SRC1)の入力端子(IN)に提供する。ここで、前記開始信号(ST)は、外部のグラフィックコントローラ(図示せず)などから提供される垂直動機信号に動機されたパルスである。前記第1電圧配線(VDDL)も前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)及びダミーステージ(SRCn+1)にそれぞれ連結されて第1電圧(VDD)を供給し、前記第2電圧配線(VSSL)は、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)及びダミーステージ(SRCn+1)にそれぞれ連結されて第2電圧(VSS)を供給する。   The start signal line (STL) provides a start signal (ST) to the input terminal (IN) of the first drive stage (SRC1). Here, the start signal (ST) is a pulse motivated by a vertical motivation signal provided from an external graphic controller (not shown). The first voltage line VDDL is connected to the n driving stages SRC1 to SRCn and the dummy stage SRCn + 1 to supply a first voltage VDD, and the second voltage line VSSL is connected to the first voltage line VDDL. The n driving stages SRC1 to SRCn and the dummy stage SRCn + 1 are connected to supply a second voltage VSS.

一方、前記第1クロック配線(CK)は、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)のうち、奇数番目の駆動ステージ(SRC1,SRC3)及びダミーステージ(SRCn+1)に第1クロック信号(CK)を提供し、第2クロック配線(CKBL)は、前記n個の駆動ステージ(SCR1〜SRCn)のうち、偶数番目の駆動ステージ(SRC2,SRCn)に前記第1クロック信号(CK)と反転された位相を有する第2クロック信号(CKB)を提供する。   Meanwhile, the first clock line CK is connected to the odd-numbered driving stages SRC1 and SRC3 and the dummy stage SRCn + 1 among the n driving stages SRC1 to SRCn. The second clock wiring (CKBL) is inverted from the first clock signal (CK) to the even-numbered driving stages (SRC2, SRCn) among the n driving stages (SCR1 to SRCn). A second clock signal (CKB) having a phase is provided.

従って、各ステージの出力信号(OUT1〜OUTn)が順次にアクティブ区間(ハイ状態)を有して発生されるため、出力信号(OUT1〜OUTn)のアクティブ区間で対応される前記ゲートライン(GL〜GL1)がそれぞれ順次選択される。   Accordingly, since the output signals (OUT1 to OUTn) of the respective stages are sequentially generated with an active period (high state), the gate lines (GL to) corresponding to the active period of the output signals (OUT1 to OUTn) are generated. GL1) are selected sequentially.

図3は、図2に図示された駆動ステージの構成を示した回路であり、図4は、図3に図示された駆動ステージのレイアウト図面である。但し、図3及び図4では、n番目の駆動ステージ(SRCn)の構成を代表的に提示し、その他の駆動ステージ(SRC1〜SRCn−1)は、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)と同じ構成を有するため、余りの駆動ステージ(SRC1〜SRCn−1)に対した説明は省略する。   FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the drive stage shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a layout drawing of the drive stage shown in FIG. However, in FIGS. 3 and 4, the configuration of the nth drive stage (SRCn) is representatively shown, and the other drive stages (SRC1 to SRCn−1) are the same as the nth drive stage (SRCn). Since it has a configuration, the description of the remaining drive stages (SRC1 to SRCn-1) is omitted.

図3及び図4を参照するとシフトレジスタ131のn番目の駆動ステージ(SRCn)は、プルアップ部113a、プルダウン部131b、プルアップ駆動部131c、プルダウン駆動部131d、キャリー出力部131eを含む。また、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)は、入力端子(IN)、出力端子(OUT)、制御端子(CT)、クロック信号端子(CKT)、第2電圧端子(VSST)、第1電圧端子(VDDT)及びキャリー出力端子(CR)を有する。   3 and 4, the nth driving stage (SRCn) of the shift register 131 includes a pull-up unit 113a, a pull-down unit 131b, a pull-up driving unit 131c, a pull-down driving unit 131d, and a carry output unit 131e. The nth driving stage (SRCn) includes an input terminal (IN), an output terminal (OUT), a control terminal (CT), a clock signal terminal (CKT), a second voltage terminal (VSST), and a first voltage terminal. (VDDT) and a carry output terminal (CR).

前記プルアップ部131aは、クロック信号(CK)の入力を受けるドレイン、第1ノード(N1)に連結されたゲート及び前記出力端子(OUT)に連結されたソースで構成された第1NMOSトランジスタ(NT1)で構成される。   The pull-up unit 131a includes a drain that receives an input of a clock signal (CK), a gate connected to a first node (N1), and a source connected to the output terminal (OUT). ).

前記プルダウン部131bは、ドレインが前記出力端子(OUT)に連結され、ゲートが第2ノード(N2)に連結され、ソースが前記第2端子(VSST)に連結された第2NMOSトランジスタ(NT2)で構成される。   The pull-down unit 131b is a second NMOS transistor (NT2) having a drain connected to the output terminal (OUT), a gate connected to the second node (N2), and a source connected to the second terminal (VSST). Composed.

前記プルアップ駆動部131cは、キャパシタ(C)、第3乃至第9NMOSトランジスタ(NT3,NT4,NT5,NT6,NT7、NT8、NT9)で構成される。前記キャパシタ(C)は、第1ノード(N1)と出力端子(OUT)との間に連結される。前記第3NMOSトランジスタ(NT3)は、ドレインが前記第1電圧端子(VDDT)に連結され、ゲートが前記入力端子(IN)に連結され、ソースが前記第1ノード(N1)に連結された構成を有する。また、前記4NMOSトランジスタ(NT4)は、ドレインとゲートが前記第1電圧端子(VDDT)に共通に連結され、ソースが前記第5NMOSトランジスタ(NT5)のゲートに連結された構成を有する。一方、前記第5NMOSトランジスタ(NT5)はドレインが前記第1電圧端子(VDDT)に連結され、ゲートが前記第4NMOSトランジスタ(NT4)のソースに連結され、ソースが前記第2ノード(N2)に連結された構成を有する。   The pull-up driver 131c includes a capacitor (C) and third to ninth NMOS transistors (NT3, NT4, NT5, NT6, NT7, NT8, NT9). The capacitor (C) is connected between the first node (N1) and the output terminal (OUT). The third NMOS transistor (NT3) has a drain connected to the first voltage terminal (VDDT), a gate connected to the input terminal (IN), and a source connected to the first node (N1). Have. The 4NMOS transistor NT4 has a drain and gate commonly connected to the first voltage terminal VDDT and a source connected to the gate of the fifth NMOS transistor NT5. Meanwhile, the fifth NMOS transistor NT5 has a drain connected to the first voltage terminal VDDT, a gate connected to the source of the fourth NMOS transistor NT4, and a source connected to the second node N2. It has the structure made.

前記第6NMOSトランジスタ(NT6)は、ドレインが前記第3NMOSトランジスタ(NT3)のソースに連結され、ゲートが前記第2ノードに連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。また、前記第7NMOSトランジスタ(NT7)は、ゲートが前記第2ノード(N2)に連結され、ドレインが前記入力端子(IN)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第8NMOSトランジスタ(NT8)は、ドレインが前記第2ノード(N2)に連結され、ゲートが前記入力端子(IN)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。   The sixth NMOS transistor NT6 has a drain connected to the source of the third NMOS transistor NT3, a gate connected to the second node, and a source connected to the second voltage terminal VSSVS. Have. The seventh NMOS transistor (NT7) has a gate connected to the second node (N2), a drain connected to the input terminal (IN), and a source connected to the second voltage terminal (VSST). It has a configuration. The eighth NMOS transistor (NT8) has a drain connected to the second node (N2), a gate connected to the input terminal (IN), and a source connected to the second voltage terminal (VSST). Have.

図面に図示しなかったが、前記第8NMOSトランジスタ(NT8)のソースは、前記第2電圧(VSS)より低い電圧レベルを有する第3電源電圧が提供される第3電源電圧端子に連結されることができる。一方、前記第9NMOSトランジスタ(NT9)は、ドレインが前記入力端子(IN)に連結され、ゲートが制御端子(CT)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。   Although not shown in the drawing, the source of the eighth NMOS transistor NT8 is connected to a third power supply voltage terminal to which a third power supply voltage having a voltage level lower than the second voltage VSS is provided. Can do. Meanwhile, the ninth NMOS transistor NT9 has a drain connected to the input terminal (IN), a gate connected to the control terminal (CT), and a source connected to the second voltage terminal (VSST). Have.

前記プルダウン駆動部131dは、第10乃至第13NMOSトランジスタ(NT10,NT11,NT12,NT13)を含む。具体的に、前記第10NMOSトランジスタ(NT10)は、ドレインが前記第2ノード(N2)に連結され、ゲートが前記第1ノード(N1)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第11NMOSトランジスタ(NT11)は、ドレインが前記第4NMOSトランジスタ(NT4)のソースに連結され、ゲートが前記第1ノード(N1)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。また、前記第12NMOSトランジスタ(NT12)は、ドレインが前記第1ノード(N1)に連結され、ゲートが前記制御端子(CT)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第13NMOSトランジスタ(NT13)は、ドレインが前記出力端子(OUT)に連結され、ゲートが前記制御端子(CT)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。   The pull-down driver 131d includes tenth to thirteenth NMOS transistors (NT10, NT11, NT12, NT13). Specifically, the tenth NMOS transistor NT10 has a drain connected to the second node N2, a gate connected to the first node N1, and a source connected to the second voltage terminal VSSST. It has a connected configuration. The eleventh NMOS transistor NT11 has a drain connected to the source of the fourth NMOS transistor NT4, a gate connected to the first node N1, and a source connected to the second voltage terminal VSSST. Have a configuration. The twelfth NMOS transistor (NT12) has a drain connected to the first node (N1), a gate connected to the control terminal (CT), and a source connected to the second voltage terminal (VSST). It has a configuration. The thirteenth NMOS transistor NT13 has a drain connected to the output terminal OUT, a gate connected to the control terminal CT, and a source connected to the second voltage terminal VSSST. .

一方、前記キャリー出力部131eは、ドレインが前記クロック信号端子(CKT)に連結され、ゲートが前記第1ノード(N1)に連結され、ソースが前記キャリー出力端子(CR)に連結された第14NMOSトランジスタ(NT14)を含む。従って、前記キャリー出力部131eは、次の駆動ステージの入力端子(IN)に第1及び第2クロック信号(CK/CKB)のうち、対応されるクロック信号の伝達を制御する。   Meanwhile, the carry output unit 131e has a drain connected to the clock signal terminal (CKT), a gate connected to the first node (N1), and a source connected to the carry output terminal (CR). A transistor (NT14) is included. Accordingly, the carry output unit 131e controls transmission of the corresponding clock signal among the first and second clock signals (CK / CKB) to the input terminal (IN) of the next driving stage.

前記n番目の駆動ステージ(SRCn)で、前記入力端子(IN)に提供された以前ステージのキャリー信号(CR)によって前記第3NMOSトランジスタ(NT3)がタンーオンされることで、前記第1ノード(N1)の電位が前記第2電圧(VSS)から前記第1電圧(VDD)に上昇される。以後、前記第4及び第5NMOSトランジスタ(NT4,NT5)及び前記第1ノード(N1)の電位の上昇によって前記第10NMOSトランジスタ(NT10)がターンオンされる。このように、前記第10NMOSトランジスタ(NT10)が動作されることで、前記第2ノード(N2)の電位が前記第2電圧(VSS)にダウンされる。それによって、前記第2NMOSトランジスタ(NT2)がターンオフされる。   In the nth driving stage (SRCn), the third NMOS transistor NT3 is turned on by a carry signal (CR) of the previous stage provided to the input terminal (IN), so that the first node (N1) ) Is increased from the second voltage (VSS) to the first voltage (VDD). Thereafter, the tenth NMOS transistor NT10 is turned on by increasing the potentials of the fourth and fifth NMOS transistors NT4 and NT5 and the first node N1. As described above, the tenth NMOS transistor NT10 is operated, so that the potential of the second node N2 is lowered to the second voltage VSS. Accordingly, the second NMOS transistor NT2 is turned off.

前記第1ノード(N1)の電位が上昇されることによって、前記第1NMOSトランジスタ(NT1)がターンオンされることで、前記出力端子(OUT)にオン電圧レベルを有する前記クロック信号(CK)が出力され始めると、出力電圧がキャパシタ(C)にブートストラップ(bootstrap)されて前記第1NMOSトランジスタ(NT1)のゲート電圧が前記第1電圧(VDD)以上に上昇されるようになる。従って、前記第1NMOSトランジスタ(NT1)が完全(FULL)導通状態を維持するようになる。   When the potential of the first node (N1) is increased, the first NMOS transistor (NT1) is turned on, so that the clock signal (CK) having an on voltage level is output to the output terminal (OUT). When the operation starts, the output voltage is bootstrapped to the capacitor C, and the gate voltage of the first NMOS transistor NT1 is increased to the first voltage VDD or higher. Accordingly, the first NMOS transistor NT1 is maintained in a complete (FULL) conduction state.

以後、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)の制御端子(CT)を通じてオン電圧レベルに上昇されたダミーステージの出力信号が提供されると、前記第12及び第13NMOSトランジスタ(NT12,NT13)がターンオンされる。   Thereafter, when the output signal of the dummy stage raised to the ON voltage level is provided through the control terminal (CT) of the nth driving stage (SRCn), the twelfth and thirteenth NMOS transistors (NT12 and NT13) are turned on. Is done.

前記第12NMOSトランジスタ(NT12)がターンオンされることによって前記第1ノード(N1)の電位が前記第1電圧(VDD)から前記第2電圧(VSS)にダウンされる。それによって、前記第10NMOSトランジスタ(NT10)がターンオフされる。従って、前記第4及び第5NMOSトランジスタ(NT4,NT5)を通じて前記第2ノード(N2)は、前記第2電圧(VSS)から前記第1電圧(VDD)に上昇される。   When the twelfth NMOS transistor NT12 is turned on, the potential of the first node N1 is lowered from the first voltage VDD to the second voltage VSS. Accordingly, the tenth NMOS transistor NT10 is turned off. Accordingly, the second node N2 is raised from the second voltage VSS to the first voltage VDD through the fourth and fifth NMOS transistors NT4 and NT5.

また、前記制御端子(CT)から提供された前記ダミーステージの出力信号は、前記13NMOSトランジスタ(NT13)をターンオンさせ、ターンオンされた前記第13NMOSトランジスタ(NT13)は、前記第2NMOSトランジスタ(NT2)と共に前記出力端子(OUT)に前記第2電圧(VSS)を出力する。   The dummy stage output signal provided from the control terminal CT turns on the 13 NMOS transistor NT13, and the 13th NMOS transistor NT13 turned on together with the second NMOS transistor NT2. The second voltage (VSS) is output to the output terminal (OUT).

一方、前記第7乃至第8NMOSトランジスタ(NT7,NT8)は、前記出力端子(OUT)に前記第1電圧(VDD)が出力される状態で前記入力端子(IN)に提供されるn−1番目の駆動ステージの出力信号がオン電圧レベルに変更される場合にターンオンされる。   Meanwhile, the seventh to eighth NMOS transistors NT7 and NT8 are n−1th transistors provided to the input terminal (IN) in a state where the first voltage (VDD) is output to the output terminal (OUT). It is turned on when the output signal of the driving stage is changed to the ON voltage level.

具体的に、前記出力端子(OUT)に前記電圧(VSS)が出力される状態で前記入力端子(IN)にオン電圧レベルを有するn−1番目の駆動ステージの出力信号が提供されると、前記第8NMOSトランジスタ(NT8)がターンオンされながら前記入力端子(IN)に提供された前記n−1番目の駆動ステージの出力信号を前記第2電圧端子(VSST)に放電させる。   Specifically, when an output signal of the (n−1) th driving stage having an ON voltage level is provided to the input terminal (IN) in a state where the voltage (VSS) is output to the output terminal (OUT), While the eighth NMOS transistor NT8 is turned on, the output signal of the (n-1) th driving stage provided to the input terminal (IN) is discharged to the second voltage terminal (VSST).

また、前記第9NMOSトランジスタ(NT9)は、前記制御端子(CT)を通じて提供された前記ダミーステージの出力信号によってターンオンされて前記入力端子(IN)に提供されるオン電圧レベルに変更されたn-1番目の駆動ステージの出力信号を放電させる。従って、前記第1NMOSトランジスタ(NT1)がターンオンされることが防止される。   In addition, the ninth NMOS transistor NT9 is turned on by the output signal of the dummy stage provided through the control terminal CT, and is changed to an on-voltage level provided to the input terminal IN. The output signal of the first drive stage is discharged. Accordingly, the first NMOS transistor NT1 is prevented from being turned on.

一方、前記制御端子(CT)を通じて印加される前記ダミーステー(SRCn+1)ジの出力信号がオフ電圧レベルに下降され、前記第12MNOSトランジスタ(NT12)がターンオフされても前記第2ノード(N2)は前記第4及び第5NMOSトランジスタ(NT4,NT5)を通じて前記第1電圧(VDD)にバイアスされた状態を維持する。従って、前記第2NMOSトランジスタ(NT2)は、ターンオン状態を維持して前記出力端子(OUT)には前記第2電圧(VSS)が続いて出力される。   Meanwhile, even if the output signal of the dummy stage (SRCn + 1) applied through the control terminal (CT) is lowered to the off voltage level and the twelfth MNOS transistor (NT12) is turned off, the second node (N2) A state of being biased to the first voltage (VDD) is maintained through the fourth and fifth NMOS transistors NT4 and NT5. Accordingly, the second NMOS transistor NT2 maintains a turn-on state, and the second voltage VSS is continuously output to the output terminal OUT.

図5は、図2に図示されたダミーステージの構成を示した回路図であり、図6は、図5に図示された駆動ステージのレイアウト図面である。但し、図5及び図6を説明するのにおいて、前記図3及び図4に図示されたn番目の駆動ステージ(SRCn)と同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付与し、それに対応する説明は省略する。   FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of the dummy stage shown in FIG. 2, and FIG. 6 is a layout drawing of the drive stage shown in FIG. However, in the description of FIGS. 5 and 6, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the nth drive stage (SRCn) illustrated in FIGS. 3 and 4, and the corresponding descriptions are given. Is omitted.

図5及び図6を参照すると、ダミーステージ(SRCn+1)は、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)のようにプルアップ部131a、プルダウン部131b、プルアップ駆動部131c、プルダウン駆動部131f及びキャリー出力部131eを含む。ここで、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、前記n番目の駆動ステージと同じ構造を有するが、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)には前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT)が連結される。従って、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、自体の出力信号によって制御される。   Referring to FIGS. 5 and 6, the dummy stage (SRCn + 1) includes a pull-up unit 131a, a pull-down unit 131b, a pull-up driving unit 131c, a pull-down driving unit 131f, and a carry output like the n-th driving stage (SRCn). Part 131e. Here, the dummy stage (SRCn + 1) has the same structure as the nth driving stage, but the control terminal (CT) of the dummy stage (SRCn + 1) has an output terminal (OUT) of the dummy stage (SRCn + 1). Are concatenated. Therefore, the dummy stage (SRCn + 1) is controlled by its own output signal.

このとき、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号を所定の時間のあいだ維持するために、前記制御端子(CT)に直接的に連結されたトランジスタのサイズ(NT12’)が変形される。   At this time, in order to maintain the output signal of the dummy stage (SRCn + 1) for a predetermined time, the size (NT12 ') of the transistor directly connected to the control terminal (CT) is changed.

具体的に、前記ダミースタージ(SRCn+1)で、第12NMOSトランジスタ(NT12’)のサイズは、前記n番目の駆動ステージの第12トランジスタ(NT12)のサイズより約10倍ぐらい小さい。   Specifically, the size of the twelfth NMOS transistor (NT12 ') is about 10 times smaller than the size of the twelfth transistor (NT12) of the nth driving stage in the dummy stir (SRCn + 1).

トランジスタのサイズは、トランジスタチャンネルの長さ(L)に対したその幅(W)の割合(W/L)である。一般的に、長さ(L)は決まっているので、前記トランジスタのサイズはチャンネルの幅(W)によって決定される。従って、前記ダミーステージ(SRCn+1)に利用される前記第12NMOSトランジスタ(NT12’)の幅(W)は、前記n番目の駆動ステージに利用される前記第12NMOSトランジスタ(NT12)の幅(W)より約10倍ぐらい小さい。図4及び図6を参照すると、図6に図示された第12NMOSトランジスタNT12’のチャンネル幅は、図4に図示された第12MNOSトランジスタNT12のチャンネル幅に比べて約10倍ぐらい小さい。   The size of the transistor is the ratio (W / L) of its width (W) to the length (L) of the transistor channel. In general, since the length (L) is determined, the size of the transistor is determined by the channel width (W). Accordingly, the width (W) of the twelfth NMOS transistor (NT12 ′) used for the dummy stage (SRCn + 1) is greater than the width (W) of the twelfth NMOS transistor (NT12) used for the nth driving stage. About 10 times smaller. 4 and 6, the channel width of the twelfth NMOS transistor NT12 'shown in FIG. 6 is about 10 times smaller than the channel width of the twelfth MNOS transistor NT12 shown in FIG.

即ち、オン電圧レベルに上昇された前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号が前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)にフィードバッグされても、前記第12NMOSトランジスタ(NT12’)のサイズによって前記第12NMOSトランジスタ(NT12’)がターンオンされるまでは、所定時間が所要される。従って、前記第10NMOSトランジスタ(NT10)もすぐターンオフされないので、前記第2ノード(N2)は、前記第2電圧(VSS)を所定時間のあいだ維持する。これによって、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子は、所定の時間のあいだオン電圧レベルを維持することができる。   That is, even if the output signal of the dummy stage (SRCn + 1) raised to the ON voltage level is fed back to the control terminal (CT) of the dummy stage (SRCn + 1), the size of the twelfth NMOS transistor (NT12 ′) A predetermined time is required until the twelfth NMOS transistor (NT12 ′) is turned on. Accordingly, since the tenth NMOS transistor NT10 is not immediately turned off, the second node N2 maintains the second voltage VSS for a predetermined time. As a result, the output terminal of the dummy stage (SRCn + 1) can maintain the on-voltage level for a predetermined time.

所定時間が経過された以後、前記第12NMOSトランジスタ(NT12’)がターンオンされると、それに対応して前記第10NMOSトランジスタ(N10)がターンオフされ、前記第2ノード(N2)は、前記第2電圧(VSS)から前記第1電圧(VDD)に上昇される。前記第2ノード(N2)の電位が前記第1電圧(VDD)に上昇されることによって、前記第2NMOSトランジスタ(NT2)がターンオンされて前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT)には前記第2電圧(VSS)が出力される。   When the twelfth NMOS transistor NT12 ′ is turned on after a predetermined time has elapsed, the tenth NMOS transistor N10 is turned off correspondingly, and the second node N2 is connected to the second voltage. The voltage is raised from (VSS) to the first voltage (VDD). When the potential of the second node (N2) is raised to the first voltage (VDD), the second NMOS transistor (NT2) is turned on and the output terminal (OUT) of the dummy stage (SRCn + 1) is connected to the output terminal (OUT). A second voltage (VSS) is output.

また、前記ダミーステージ(SRCn+1)では、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)から制御端子(CT)に連結された前記第13NMOSトランジスタ(NT13)が除去された状態で構成される。図6を参照すると、図4に図示された第13NMOSトランジスタ(NT13)が除去されていることがわかる。従って、ターンオン状態にある前記第2NMOSトランジスタ(NT2)のみが前記出力端子(OUT)に前記第2電圧(VSS)を出力することで、前記出力端子(OUT)に前記第2電圧(VSS)が出力される時間を延ばすことができる。   The dummy stage (SRCn + 1) is configured by removing the thirteenth NMOS transistor (NT13) connected to the control terminal (CT) from the nth driving stage (SRCn). Referring to FIG. 6, it can be seen that the thirteenth NMOS transistor NT13 illustrated in FIG. 4 is removed. Accordingly, only the second NMOS transistor NT2 that is turned on outputs the second voltage VSS to the output terminal OUT, so that the second voltage VSS is applied to the output terminal OUT. The output time can be extended.

図7は、駆動ステージと同じ構造で構成されたダミーステージの出力波形図であり、図8は、ダミーステージが図5に図示された回路図で構成された場合の出力波形図である。但し、図7及び図8で、X軸は時間(μs)であり、Y軸は電圧(V)である。   FIG. 7 is an output waveform diagram of a dummy stage configured with the same structure as the drive stage. FIG. 8 is an output waveform diagram when the dummy stage is configured with the circuit diagram shown in FIG. However, in FIGS. 7 and 8, the X-axis is time (μs) and the Y-axis is voltage (V).

図7を参照すると、駆動ステージが順次にハイ区間を有する出力信号(OUTn−1、OUTn)を出力した以後、ダミーステージ(SRCn+1)が出力信号(OUTn+1)を出力するように動作される。図7では、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、前記駆動ステージと同じ回路図で構成され、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子が前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子に連結される。このとき、n番目の駆動ステージの出力信号(OUTn)によって前記ダミーステージの出力端子から出力される出力信号(OUTn+1’)がオン電圧レベルに変更されると同時に、オン電圧レベルに変更された前記出力信号(OUTn+1’)は、前記n番目の駆動ステージの制御端子及びダミーステージ(SRCn+1)自体の制御端子にそれぞれ提供される。   Referring to FIG. 7, after the driving stage sequentially outputs the output signals (OUTn−1, OUTn) having the high period, the dummy stage (SRCn + 1) is operated to output the output signal (OUTn + 1). In FIG. 7, the dummy stage (SRCn + 1) has the same circuit diagram as the drive stage, and the output terminal of the dummy stage (SRCn + 1) is connected to the control terminal of the dummy stage (SRCn + 1). At this time, the output signal (OUTn + 1 ′) output from the output terminal of the dummy stage is changed to the on voltage level by the output signal (OUTn) of the nth driving stage, and at the same time, the output signal (OUTn + 1 ′) changed to the on voltage level. The output signal (OUTn + 1 ′) is provided to the control terminal of the nth driving stage and the control terminal of the dummy stage (SRCn + 1) itself.

以後、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子を通じてフィードバックされた自体の前記出力信号(OUTn+1’)によって、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子から出力される前記出力信号(OUTn+1’)は、ターンオフ電圧レベルにダウンされた。これによって、前記ダミーステージの出力信号(OUTn+1’)が所定期間のうち、オン電圧レベルを維持できなくてすぐオフ電圧レベルにダウンされた。即ち、前記ダミーステージ出力信号(OUTn+1’)の最大電圧の大きさは駆動ステージ出力信号(OUTn)の最大電圧レベルに遥かに及ばない値を有するようになる。   Thereafter, the output signal (OUTn + 1 ′) output from the output terminal of the dummy stage (SRCn + 1) according to its own output signal (OUTn + 1 ′) fed back through the control terminal of the dummy stage (SRCn + 1) Down to level. As a result, the output signal (OUTn + 1 ') of the dummy stage is lowered to the off voltage level immediately after the on voltage level cannot be maintained for a predetermined period. That is, the maximum voltage level of the dummy stage output signal (OUTn + 1 ') has a value far below the maximum voltage level of the driving stage output signal (OUTn).

一方、図8に図示されたように、前記ダミーステージが図5に図示された回路図で構成されると、前記ダミーステージの出力信号(OUTn+1’)は安定的に表れる。   On the other hand, as shown in FIG. 8, when the dummy stage is configured with the circuit diagram shown in FIG. 5, the output signal (OUTn + 1 ') of the dummy stage appears stably.

前記駆動ステージが順次にハイ区間を有する出力信号(OUTn−1,OUTn)を出力した後、前記ダミーステージが動作される。即ち、n番目の駆動ステージの出力信号(OUTn)によって前記ダミーステージの出力端子から出力される出力信号(OUTn+1)がオン電圧レベル(または、ハイレベル)に変更されると同時に、オン電圧レベルに変更された前記出力信号(OUTn+1)は、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)の制御端子及びダミーステージ(SRCn+1)自体の制御端子にそれぞれ提供される。   After the driving stage sequentially outputs output signals (OUTn-1, OUTn) having a high period, the dummy stage is operated. That is, the output signal (OUTn + 1) output from the output terminal of the dummy stage is changed to the on voltage level (or high level) by the output signal (OUTn) of the nth driving stage, and at the same time, the output voltage (OUTn + 1) is changed to the on voltage level. The changed output signal (OUTn + 1) is provided to the control terminal of the nth driving stage (SRCn) and the control terminal of the dummy stage (SRCn + 1) itself.

以後、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子を通じて前記出力信号(OUTn+1)が提供されても、前記ダミー制御端子に連結されたトランジスタのサイズが小さいため、前記ダミーステージの出力端子から出力される前記出力信号(OUTn+1)がオフ電圧レベルにダウンされるまでは所定時間が所要された。従って、前記ダミーステージの出力信号(OUTn+1)は、所定期間のあいだ、オン電圧レベルを維持することができる。   Thereafter, even if the output signal (OUTn + 1) is provided through the control terminal of the dummy stage (SRCn + 1), since the size of the transistor connected to the dummy control terminal is small, the output signal is output from the output terminal of the dummy stage. A predetermined time was required until the output signal (OUTn + 1) was lowered to the off voltage level. Accordingly, the output signal (OUTn + 1) of the dummy stage can maintain the on-voltage level for a predetermined period.

このとき、前記ハイ区間を有する駆動ステージの出力信号(OUTn)とオン電圧レベルを有する前記ダミーステージの出力信号(OUTn+1)は、ほぼ同じ電圧を有して発生された。従って、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)は、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号(OUTn+1)によって安定的に駆動されることができる。   At this time, the output signal (OUTn) of the driving stage having the high period and the output signal (OUTn + 1) of the dummy stage having the ON voltage level are generated with substantially the same voltage. Accordingly, the nth driving stage (SRCn) can be stably driven by the output signal (OUTn + 1) of the dummy stage (SRCn + 1).

図9は、本発明の第2実施例によるシフトレジスタの駆動ステージ及びダミーステージの構成を示した回路図である。   FIG. 9 is a circuit diagram showing the configuration of the drive stage and dummy stage of the shift register according to the second embodiment of the present invention.

図9を参照すると、本発明の第2実施例によるシフトレジスタ133は、n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)及びダミーステージ(SRCn+1)で構成される。前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)のうち、n番目の駆動ステージ(SRCn)は、プルアップ部133a、プルダウン部133b、プル駆動部133c及びプルダウン駆動部133dを含む。   Referring to FIG. 9, the shift register 133 according to the second embodiment of the present invention includes n driving stages (SRC1 to SRCn) and a dummy stage (SRCn + 1). Among the n driving stages (SRC1 to SRCn), the nth driving stage (SRCn) includes a pull-up unit 133a, a pull-down unit 133b, a pull driving unit 133c, and a pull-down driving unit 133d.

前記プルアップ部133aは、ドレインを通じてクロック信号(CK)の入力を受けて、ゲートが第1ノード(N1a)に連結され、出力端子(OUTn)にソースが連結された第1NMOSトランジスタ(NT1a)で構成される。   The pull-up unit 133a is a first NMOS transistor (NT1a) that receives a clock signal (CK) through a drain, has a gate connected to the first node (N1a), and a source connected to an output terminal (OUTn). Composed.

前記プルダウン部133bは、出力端子(OUTn)にドレインが連結され、第2ノード(N2a)にゲートが連結され、ソースが第2電圧端子(VSST)に連結された第2NMOSトランジスタ(NT2a)で構成される。   The pull-down unit 133b includes a second NMOS transistor (NT2a) having a drain connected to the output terminal (OUTn), a gate connected to the second node (N2a), and a source connected to the second voltage terminal (VSST). Is done.

前記プルアップ駆動部133cは、キャパシタ(C)、第3乃至第5NMOSトランジスタ(NT3a,NT4a,NT5a)で構成される。前記キャパシタ(C)は、前記第1ノード(N1a)と出力端子(OUT)との間に連結される。前記第3NMOSトランジスタ(NT3a)は、ドレインが第1電圧端子(VDDT)に連結され、ゲートが入力端子(IN)に連結され、ソースが前記第1ノード(N1a)に連結された構成を有する。前記第4NMOSトランジスタ(NT4a)は、ドレーンが前記第1ノード(N1a)が連結され、ゲートが制御端子(CT)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第5NMOSトランジスタ(NT5a)は、ドレイン前記第1ノード(N1a)に連結され、ゲートが前記第2ノード(N2a)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第3NMOSトランジスタ(NT3a)のサイズは前記第5NMOSトランジスタ(NT5a)のサイズより約2倍ぐらい大きい。   The pull-up driver 133c includes a capacitor (C) and third to fifth NMOS transistors (NT3a, NT4a, NT5a). The capacitor (C) is connected between the first node (N1a) and an output terminal (OUT). The third NMOS transistor NT3a has a drain connected to the first voltage terminal VDDT, a gate connected to the input terminal IN, and a source connected to the first node N1a. The fourth NMOS transistor NT4a has a drain connected to the first node N1a, a gate connected to the control terminal CT, and a source connected to the second voltage terminal VSSST. . The fifth NMOS transistor (NT5a) has a drain connected to the first node (N1a), a gate connected to the second node (N2a), and a source connected to the second voltage terminal (VSST). Have. The size of the third NMOS transistor NT3a is about twice as large as the size of the fifth NMOS transistor NT5a.

前記プルダウン駆動部133dは、第6及び第7NMOSトランジスタ(NT6a,NT7a)で構成される。前記第6NMOSトランジスタ(NT6a)は、ドレインとゲートが前記第1電圧端子(VDDT)に共通に連結され、ソースが前記第2ノード(N2a)に連結された構成を有する。前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)は、ドレインが前記第2ノード(N2a)に連結され、ゲートが前記第1ノード(N1a)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第6NMOSトランジスタ(NT6a)のサイズは、前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)のサイズより約16倍ぐらい大きい。   The pull-down driver 133d includes sixth and seventh NMOS transistors (NT6a and NT7a). The sixth NMOS transistor NT6a has a drain and gate commonly connected to the first voltage terminal VDDT and a source connected to the second node N2a. The seventh NMOS transistor (NT7a) has a drain connected to the second node (N2a), a gate connected to the first node (N1a), and a source connected to the second voltage terminal (VSST). Have The size of the sixth NMOS transistor NT6a is about 16 times larger than the size of the seventh NMOS transistor NT7a.

前記n番目の駆動ステージ(SRCn)の入力端子にn−1番目の駆動ステージの出力信号が提供されると、前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)がターンオンされる。前記第7NMOSトランジスタが動作されることによって、前記第2ノード(N2a)の電位が前記第1電圧(VDD)から前記第2電圧(VSS)にダウンされ、それによって前記第2NMOSトランジスタ(NT2a)がターンオフされる。以後、前記第7NMOSトランジスタ(N7a)がターンオンされても、前記第6NMOSトランジスタ(NT6a)のサイズが前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)のサイズよち約16倍ぐらい大きいため、前記第2ノード(N2a)は、前記第2電圧(VSS)で続いて維持される。   When the output signal of the (n-1) th driving stage is provided to the input terminal of the nth driving stage (SRCn), the seventh NMOS transistor (NT7a) is turned on. By operating the seventh NMOS transistor, the potential of the second node (N2a) is lowered from the first voltage (VDD) to the second voltage (VSS), thereby causing the second NMOS transistor (NT2a) to move. Turned off. Thereafter, even if the seventh NMOS transistor N7a is turned on, the size of the sixth NMOS transistor NT6a is about 16 times larger than the size of the seventh NMOS transistor NT7a. Is subsequently maintained at the second voltage (VSS).

前記n番目の駆動ステージ(SRCn)の制御端子(CT)を通じてオン電圧レベルに上昇された前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号(OUTn+1)が提供されると、前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)がターンオフされる。従って、前記第6NMOSトランジスタ(NT6a)を通じて前記第2ノード(N2a)は前記第2電圧(VSS)から前記第1電圧(VDD)に上昇される。   When the output signal (OUTn + 1) of the dummy stage (SRCn + 1) raised to the ON voltage level is provided through the control terminal (CT) of the nth driving stage (SRCn), the seventh NMOS transistor (NT7a) is turned off. Is done. Accordingly, the second node N2a is raised from the second voltage VSS to the first voltage VDD through the sixth NMOS transistor NT6a.

以後、n番目の駆動ステージ(SRCn)の制御端子(CT)を通じて印加される前記ダミーステージ(SRCn)の出力信号(OUTn+1)がオフ電圧レベルにダウンされて前記第4NMOSトランジスタ(NT4a)がターンオフされても、前記第2ノード(N2a)は、前記第6NMOSトランジスタ(NT6a)を通じて前記第1電圧(VDD)にバイアスされる。従って、前記第2NMOSトランジスタ(NT2a)は、ターンオン状態を維持して前記出力端子(OUTn)には前記第2電圧(VSS)が続いて出力される。   Thereafter, the output signal (OUTn + 1) of the dummy stage (SRCn) applied through the control terminal (CT) of the nth driving stage (SRCn) is lowered to the off voltage level, and the fourth NMOS transistor (NT4a) is turned off. Even so, the second node N2a is biased to the first voltage VDD through the sixth NMOS transistor NT6a. Accordingly, the second NMOS transistor NT2a maintains a turn-on state, and the second voltage VSS is continuously output to the output terminal OUTn.

一方、図9に図示されたように前記ダミーステージ(SRCn+1)は、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)のように、プルアップ部133a、プルダウン部133b、プルアップ駆動部133c’及びプダウン駆動部133dを含む。ここで、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)と同じ構造を有するが、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)には前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUTn+1)が連結される。従って、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号によって制御される。このとき、オン電圧レベルを有する前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号を所定時間のあいだ維持させるために、前記制御端子(CT)に直接的に連結されたトランジスタのサイズが変更される。   Meanwhile, as shown in FIG. 9, the dummy stage (SRCn + 1) has a pull-up unit 133a, a pull-down unit 133b, a pull-up driving unit 133c ′, and a pull-down driving unit, like the n-th driving stage (SRCn). 133d is included. Here, the dummy stage (SRCn + 1) has the same structure as the nth driving stage (SRCn), but the control terminal (CT) of the dummy stage (SRCn + 1) has an output terminal of the dummy stage (SRCn + 1). (OUTn + 1) are connected. Therefore, the dummy stage (SRCn + 1) is controlled by the output signal of the dummy stage (SRCn + 1). At this time, in order to maintain the output signal of the dummy stage (SRCn + 1) having the ON voltage level for a predetermined time, the size of the transistor directly connected to the control terminal (CT) is changed.

具体的に、前記ダミーステージ(SRCn+1)での第4トランジスタ(NT4a’)のサイズは、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)の第4NMOSトランジスタ(NT4a)のサイズより約10倍ぐらい小さい。従って、ダミーステージ(SRCn+1)のハイレベルの出力信号がダミーステージ(SRCn+1)の制御信号(CT)にフィードバックされた後、第4NMOSトランジスタ(NT4a’)がすぐにターンオフされないので、第7NMOSトランジスタ(NT7a)はすぐにターンオンされない。第4NMOSトランジスタ(NT4a’)は、所定期間のあいだ第2電圧(VSS)に維持される。よって、ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子は、所定の期間のあいだ高電圧レベルに維持される。   Specifically, the size of the fourth transistor (NT4a ') in the dummy stage (SRCn + 1) is about 10 times smaller than the size of the fourth NMOS transistor (NT4a) in the nth driving stage (SRCn). Therefore, after the high level output signal of the dummy stage (SRCn + 1) is fed back to the control signal (CT) of the dummy stage (SRCn + 1), the fourth NMOS transistor (NT4a ′) is not immediately turned off, and thus the seventh NMOS transistor (NT7a). ) Is not turned on immediately. The fourth NMOS transistor (NT4a ') is maintained at the second voltage (VSS) for a predetermined period. Therefore, the output terminal of the dummy stage (SRCn + 1) is maintained at a high voltage level for a predetermined period.

即ち、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)を通じてオン電圧レベルに上昇された前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号が提供されても、前記第4NMOSトランジスタ(NT4a’)がターンオンされるのに所定時間が所要されるため、前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)もすぐターンオフされない。従って、前記第4ノード(N4)は、前記第2電圧(VSS)を所定時間のあいだ、維持する。これによって、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、所定時間のうち、オン電圧レベルを維持することができる。   That is, even if the output signal of the dummy stage (SRCn + 1) raised to the ON voltage level is provided through the control terminal (CT) of the dummy stage (SRCn + 1), the fourth NMOS transistor (NT4a ′) is turned on. Therefore, the seventh NMOS transistor NT7a is not immediately turned off. Therefore, the fourth node (N4) maintains the second voltage (VSS) for a predetermined time. Accordingly, the dummy stage (SRCn + 1) can maintain the on-voltage level for a predetermined time.

所定時間が経った以後、前記第4NMOSトランジスタ(NT4a’)がターンオンされると、それに対応して前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)がターンオフされることによって、前記第4ノード(N4)は、前記第2電圧(VSS)から前記第1電圧(VDD)に上昇される。前記第4ノード(N4)の電位が第1電圧(VDD)に上昇されることによって、前記第2NMOSトランジスタ(NT2a)がターンオンされて前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT)には前記第2電圧(VSS)が出力される。   When the fourth NMOS transistor NT4a ′ is turned on after a predetermined time has elapsed, the seventh NMOS transistor NT7a is turned off in response to the fourth NMOS transistor NT4a ′. The voltage is raised from two voltages (VSS) to the first voltage (VDD). When the potential of the fourth node (N4) is raised to the first voltage (VDD), the second NMOS transistor (NT2a) is turned on, and the output terminal (OUT) of the dummy stage (SRCn + 1) is connected to the first terminal (OUT). Two voltages (VSS) are output.

このように、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)を前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT+1)に連結させることで、前記ダミーステージ(SRCn+1)が安定的に動作することができる。また、前記ゲート駆動回路は、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)に制御信号を提供するために外部から提供される別途の配線を必要としないので、追加しなくてもよい。   Thus, the dummy stage (SRCn + 1) can be stably operated by connecting the control terminal (CT) of the dummy stage (SRCn + 1) to the output terminal (OUT + 1) of the dummy stage (SRCn + 1). . In addition, the gate driving circuit does not need a separate wiring provided from the outside in order to provide a control signal to the control terminal (CT) of the dummy stage (SRCn + 1), and thus may not be added.

従って、前記追加配線(図示せず)が追加されることで、他の配線と前記追加配線との間に発生するキャパシタンスによって前記ゲート駆動回路に提供される各種信号が遅延される現状を防止することができる。   Accordingly, the addition of the additional wiring (not shown) prevents a situation in which various signals provided to the gate driving circuit are delayed due to the capacitance generated between the other wiring and the additional wiring. be able to.

図10は、本発明の第3実施例によるゲート駆動回路を示した図面であり、図11は、図10に図示されたゲート駆動回路の出力波形図である。ここで、iは前記nより小さい偶数である。   FIG. 10 is a diagram illustrating a gate driving circuit according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 11 is an output waveform diagram of the gate driving circuit illustrated in FIG. Here, i is an even number smaller than n.

図10を参照すると、本発明の第3実施例によるゲート駆動回路150は、一つのシフトレジスタ151で構成される。前記シフトレジスタ151は、複数の駆動ステージで構成された第1及び第2グループ(G1,G2)に区分される。また、前記シフトレジスタ151の周辺には、前記シフトレジスタ151に各種信号を供給するための配線部152が具備される。   Referring to FIG. 10, the gate driving circuit 150 according to the third embodiment of the present invention includes one shift register 151. The shift register 151 is divided into first and second groups (G1 and G2) including a plurality of driving stages. A wiring unit 152 for supplying various signals to the shift register 151 is provided around the shift register 151.

具体的に、前記配線部152は、開始信号配線(STL)、第1電圧配線(VDDL)、第1クロック配線(CKL1)、第2クロック配線(CKBL1)、第2電圧配線(VSSL)、第3クロック配線(CKL2)、第4クロック配線(CKBL2)を含む。   Specifically, the wiring unit 152 includes a start signal line (STL), a first voltage line (VDDL), a first clock line (CKL1), a second clock line (CKBL1), a second voltage line (VSSL), 3 clock lines (CKL2) and a fourth clock line (CKBL2) are included.

前記第1クロック配線(CKL1)は、前記第1グループの駆動ステージ(SRC1〜SRCi−1)のうち、奇数番目の駆動ステージ(SRC1,SRC3,...,SRCi−1)に第1クロック信号(CK)を提供し、前記第3クロック配線(CKL2)は、前記第2グループ(G2)の駆動ステージ(SRCi〜SRCn)のうち、奇数番目の駆動ステージ(SRCi+1)に前記第1クロック信号(CK)を提供する。一方、前記第2クロック配線(CKBL1)は前記第1グループ(G1)の駆動ステージ(SRC1〜SRCi−1)のうち、偶数番目の駆動ステージ(SRC2・・・)に前記第1クロック信号(CK)と反転された位相を有する第2クロック信号(CKB)を提供し、前記第4クロック配線(CKBL2)は、前記第2グループ(G2)の駆動ステージ(SRCi〜SRCn)のうち、偶数番目の駆動ステージ(SRCi〜SRCn)に前記第2クロック信号(CKB)を提供する。   The first clock line (CKL1) is configured to supply a first clock signal to odd-numbered drive stages (SRC1, SRC3,..., SRCi-1) among the drive stages (SRC1 to SRCi-1) of the first group. (CK) is provided, and the third clock line (CKL2) is connected to the first clock signal (SRCi + 1) among the driving stages (SRCi to SRCn) of the second group (G2). CK). Meanwhile, the second clock line (CKBL1) is connected to the first clock signal (CK1) in the even-numbered drive stages (SRC2...) Among the drive stages (SRC1 to SRCi-1) of the first group (G1). ) And a second clock signal (CKB) having an inverted phase, and the fourth clock line (CKBL2) is an even-numbered one of the driving stages (SRCi to SRCn) of the second group (G2). The second clock signal CKB is provided to driving stages SRCi to SRCn.

従って、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)の一部は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じてそれぞれ提供される前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)によって動作される。その他の一部は、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)を通じてそれぞれ提供される前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)によって動作される。これによって、一番目のゲートラインからn番目のゲートラインまで順次にオン電圧レベル区間を有して発生される前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)の遅延時間を最小化して各ステージからの出力信号が歪曲される現状を防止することができる。   Accordingly, some of the n driving stages (SRC1 to SRCn) are provided by the first and second clock signals (CK, CKB) provided through the first and second clock lines (CKL1, CKBL1), respectively. Be operated. The other part is operated by the first and second clock signals (CK, CKB) provided through the third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2), respectively. As a result, the delay time of the first and second clock signals (CK, CKB) generated with the ON voltage level section sequentially from the first gate line to the nth gate line is minimized, and each stage is set. It is possible to prevent the current output signal from being distorted.

一方、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)それぞれに連結されるように他の配線(VSSL、VDDL、STLなど)を横切らない。第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)の一端は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)の一端に結合されて前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)それぞれに連結される。   Meanwhile, the third and fourth clock wirings (CKL2, CKBL2) do not cross other wirings (VSSL, VDDL, STL, etc.) so as to be connected to the n driving stages (SRC1 to SRCn). One end of the third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2) is coupled to one end of the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) and connected to each of the n driving stages (SRC1 to SRCn). The

具体的に、前記第1クロック信号(CK)が入力される前記第3クロック配線(CKL2)の第1端と前記第1クロック信号(CK)が入力される前記第1クロック配線(CKL1)の第1端は近接した位置に配置される。また、前記第2クロック信号(CKB)が入力される前記第2クロック配線(CKBL1)の第1端と前記第2クロック信号(CKB)が入力される前記第4クロック配線(CKBL2)の第1端は、近接した位置に配置される。即ち、前記第1乃至第4クロック信号配線(CKL1,CKBL1,CKL2,CKBL2)の入力端子は、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)の一番目の駆動ステージ(SRC1)に隣接した位置に配置される。   Specifically, the first end of the third clock line (CKL2) to which the first clock signal (CK) is input and the first clock line (CKL1) to which the first clock signal (CK) is input. The first end is disposed at a close position. The first end of the second clock line (CKBL1) to which the second clock signal (CKB) is input and the first end of the fourth clock line (CKBL2) to which the second clock signal (CKB) is input. The ends are arranged at close positions. That is, the input terminals of the first to fourth clock signal lines (CKL1, CKBL1, CKL2, CKBL2) are positioned adjacent to the first driving stage (SRC1) of the n driving stages (SRC1 to SRCn). Be placed.

このとき、前記第1クロック配線(CKL1)の他の第2端は、前記第3クロック配線(CKL2)の他の第2端と結合され、結合される位置は、前記ダミーステージ(SRCn+1)に隣接した位置である。   At this time, the other second end of the first clock line (CKL1) is coupled to the other second end of the third clock line (CKL2), and the position to be coupled to the dummy stage (SRCn + 1). Adjacent position.

従って、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、前記シフトレジスタ151と直接的に連結されなく、他の配線とクロス(cross)される部分もない。これによって、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)を通じた前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)の移動速度は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じた前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)の移動速度より速い。
また、前記配線部152は、配線幅が狭いほど前記シフトレジスタ151と隣接して配置される。
Therefore, the third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2) are not directly connected to the shift register 151, and there is no portion that is crossed with other lines. Accordingly, the moving speed of the first and second clock signals (CK, CKB) through the third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2) is changed through the first and second clock lines (CKL1, CKBL1). The moving speed of the first and second clock signals (CK, CKB) is faster.
In addition, the wiring portion 152 is disposed adjacent to the shift register 151 as the wiring width is narrower.

具体的に、前記シフトレジスタ151に一番隣接した位置には、前記開始信号配線(STL)が配置され、その次に前記第1電圧配線(VDDL)が前記開始信号配線(STL)に隣接して配置される。前記第1電圧配線(VDDL)の外側には第2及び第1クロック配線(CK1,CKBL1)が順次位置する。前記第1クロック配線(CKL1)と連接して前記第2電圧配線(VSSL)が形成される。一方、前記第3クロック配線(CKL2)は前記第2電圧配線(VSSL)に隣接して配置され、その次に前記第4クロック配線(CKBL2)が前記第3クロック配線(CKL2)に隣接して配置される。   Specifically, the start signal line (STL) is disposed at a position closest to the shift register 151, and then the first voltage line (VDDL) is adjacent to the start signal line (STL). Arranged. Second and first clock lines CK1 and CKBL1 are sequentially positioned outside the first voltage line VDDL. The second voltage line (VSSL) is formed in connection with the first clock line (CKL1). Meanwhile, the third clock line (CKL2) is disposed adjacent to the second voltage line (VSSL), and then the fourth clock line (CKBL2) is adjacent to the third clock line (CKL2). Be placed.

前記配線部152がこのような順次に配置された各種の配線で構成されることで、前記液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。即ち、前記シフトレジスタ151と隣接すれば隣接するほど配線の間の総接触面積が大きくなって、接触キャパシタンスが大きくなる。そのため、接触キャパシタンスの影響を大きく与えられない配線であるほど前記シフトレジスタ151と隣接されて配置される。これによって、前記液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。   The wiring part 152 is composed of various wirings arranged in this order, so that the display characteristics of the liquid crystal display device can be improved. That is, the closer to the shift register 151, the larger the total contact area between the wirings, and the larger the contact capacitance. Therefore, the wiring that is not greatly affected by the contact capacitance is disposed adjacent to the shift register 151. Thereby, the display characteristics of the liquid crystal display device can be improved.

図11を参照すると、前記第1及び第2配線(CKL1,CKBL1)を通じて前記シフトレジスタ151の第1グループ(G1)に第1及び第2クロック信号(CK,CKB)が提供される。前記第1グループ(G1)の一番目の駆動ステージ(SRC1)に開始信号(ST)が提供されると、前記第1グループ(G1)の前記一番目の駆動ステージ(SRC1)では、前記開始信号(ST)の先端に応答して前記第1クロック信号(CK)のハイレベルの区間が第1出力信号(OUT1)に発生される。以後、二番目の駆動ステージ(SRC2)では、前記一番目の駆動ステージ(SRC1)の前記第1出力信号(OUT1)に応答して、前記第2クロック信号(CKB)のハイレベルの区間が第2出力信号(OUT2)に発生される。   Referring to FIG. 11, the first and second clock signals (CK, CKB) are provided to the first group (G1) of the shift register 151 through the first and second wirings (CKL1, CKBL1). When a start signal (ST) is provided to the first driving stage (SRC1) of the first group (G1), the first driving stage (SRC1) of the first group (G1) receives the start signal (STC1). In response to the leading end of (ST), a high level interval of the first clock signal (CK) is generated in the first output signal (OUT1). Thereafter, in the second driving stage (SRC2), in response to the first output signal (OUT1) of the first driving stage (SRC1), the high-level section of the second clock signal (CKB) is the first level. Two output signals (OUT2) are generated.

一方、前記第3及び第4クロック信号配線(CKL2,CKBL2)を通じて前記シフトレジスタ151の第2グループ(G2)に前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)が提供されると、前記第2グループ(G2)の一番目の駆動ステージである第i番目の駆動ステージ(SRCi)では、前記第1グループ(G1)の最後の駆動ステージである第i−1番目の駆動ステージ(SRCi−1)の第i−1番目の出力信号(OUTi−1)に応答して、前記第2クロック信号(CKB)のハイレベル区間が第i番目の出力信号(OUTi)に発生される。第i+1番目の駆動ステージ(SRCi+1)では、前記第i出力信号(OUTi)に応答して、前記第1クロック信号(CK)のハイレベル区間が第i+1出力信号(OUTi+1)に発生される。   Meanwhile, when the first and second clock signals (CK, CKB) are provided to the second group (G2) of the shift register 151 through the third and fourth clock signal lines (CKL2, CKBL2), the first and second clock signals are provided. In the i-th drive stage (SRCi) that is the first drive stage of the second group (G2), the i-1th drive stage (SRCi-1) that is the last drive stage of the first group (G1). ) In response to the (i-1) th output signal (OUTi-1), a high level interval of the second clock signal (CKB) is generated in the ith output signal (OUTi). In the (i + 1) th driving stage (SRCi + 1), in response to the i-th output signal (OUTi), a high level interval of the first clock signal (CK) is generated in the i + 1-th output signal (OUTi + 1).

このように、各ステージの出力端子(OUT)には、第1乃至第n出力信号(OUT1〜OUTn)が順次にハイレベル区間を有しながら発生される。
図12は、図10に図示された第3及び第4クロック配線の位置を具体的に示したゲート駆動回路の設計図であり、図13は、図1及び第3クロック配線の連結関係と第2及び第4クロック配線の連結関係を示した設計図である。
As described above, the first to nth output signals (OUT1 to OUTn) are sequentially generated at the output terminals (OUT) of the respective stages while having the high level section.
FIG. 12 is a design diagram of the gate driving circuit specifically showing the positions of the third and fourth clock lines shown in FIG. 10, and FIG. 13 shows the connection relationship between the first and third clock lines and the third clock line. FIG. 6 is a design diagram illustrating a connection relationship between second and fourth clock wirings.

図12を参照すると、シフトレジスタ151の外側には、開始信号配線(STL)、第1電圧配線(VDDL)、第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)、第2電圧配線(VSSL)、第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)が順次配置されている。各配線は、配線幅が狭いほど前記シフトレジスタ151と隣接して配置される。即ち、シフトレジスタから遠い方の配線幅をシフトレジスタに隣接した方の配線幅より少なくとも大きくか同じようにする。前記シフトレジスタ151と隣接するほど配線の間の総接触面積が多くなって、接触キャパシタンスが大きくなるので、キャパシタンスの影響を大きく与えられない配線であるほど前記シフトレジスタ151と隣接して配置される。   Referring to FIG. 12, on the outside of the shift register 151, a start signal line (STL), a first voltage line (VDDL), first and second clock lines (CKL1, CKBL1), a second voltage line (VSSL), Third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2) are sequentially arranged. Each wiring is arranged adjacent to the shift register 151 as the wiring width is narrower. That is, the wiring width far from the shift register is set to be at least larger than or equal to the wiring width adjacent to the shift register. The closer to the shift register 151, the larger the total contact area between the wirings and the larger the contact capacitance. Therefore, the wirings that are not greatly affected by the capacitance are arranged adjacent to the shift register 151. .

具体的に、前記シフトレジスタ151に一番隣接した位置には前記開始信号配線(STL)が配置され、その次に前記第1電圧配線(VDDL)が前記開始信号配線(STL)に隣接して配置される。前記第1電圧配線(VDDL)の外側には前記第2及び第1クロック配線(CKBL,CKBL1)が位置する。ここで、前記第2クロック配線(CKBL1)は、前記第1クロック配線(CKL1)よりシフトレジスタ151に近い側に配置される。前記第1クロック配線(CKL1)と隣接して前記第2電圧配線(VSSL)が形成される。このような構造は、配線と該当配線を各ステージ(SRC1〜SRCn+1)を連結する連結ラインとの間で発生する接触キャパシタンスによるディレイを減少させる。   Specifically, the start signal line (STL) is disposed at a position closest to the shift register 151, and then the first voltage line (VDDL) is adjacent to the start signal line (STL). Be placed. The second and first clock lines (CKBL, CKBL1) are located outside the first voltage line (VDDL). Here, the second clock line (CKBL1) is disposed closer to the shift register 151 than the first clock line (CKL1). The second voltage line (VSSL) is formed adjacent to the first clock line (CKL1). Such a structure reduces a delay due to contact capacitance generated between the wiring and the connection line connecting the corresponding wiring to each stage (SRC1 to SRCn + 1).

一方、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、前記シフトレジスタ151に連結されるようには他の配線を貫かない。前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)の一端は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)の一端に結合されて前記シフトレジスタ151に連結されるので、第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、第2電圧配線(VSSL)より前記シフトレジスタ151から遠い位置に配置される。言い換えると、前記第2電圧配線(VSSL)より外側に配置される。   On the other hand, the third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2) do not pass through other lines so as to be connected to the shift register 151. One end of the third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2) is coupled to one end of the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) and connected to the shift register 151. The four clock wirings (CKL2, CKBL2) are disposed at a position farther from the shift register 151 than the second voltage wiring (VSSL). In other words, it is arranged outside the second voltage wiring (VSSL).

図12に図示したように、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、TFT基板300のシールライン領域(SA)内に形成される。具体的に、TFT基板300は、ゲートライン(図示せず)、データライン(図示せず)及び画素(図示せず)が形成されている表示領域(DA)と前記表示領域(DA)の周辺に形成された周辺領域(PA)に区分される。   As shown in FIG. 12, the third and fourth clock lines (CKL 2 and CKBL 2) are formed in the seal line area (SA) of the TFT substrate 300. Specifically, the TFT substrate 300 includes a display area (DA) in which gate lines (not shown), data lines (not shown), and pixels (not shown) are formed, and the periphery of the display area (DA). Are divided into peripheral areas (PA).

また、前記周辺領域(PA)は、前記シフトレジスタ151及び各種配線が形成されたゲート駆動領域(GA)とTFT基板をカラーフィルター基板(図示せず)と結合させる結合部材−たとえばシーラント(sealant,図示せず)が形成された前記シールライン領域(SA)に区分される。前記ゲート駆動領域(GA)と前記シールライン領域(SA)は、部分的にオーバーラップされている。即ち、前記シールライン領域(SA)は、前記シールライン領域(SA)の中心を基準に、液晶が存在する第1領域と液晶が存在しない第2領域に区分される。ここで、前記ゲート駆動領域(GA)は、前記第1領域を含んでいる。   The peripheral area PA includes a gate driving area GA on which the shift register 151 and various wirings are formed, and a coupling member for connecting the TFT substrate to a color filter substrate (not shown), such as a sealant. (Not shown) is divided into the seal line area (SA) formed. The gate driving area (GA) and the seal line area (SA) are partially overlapped. That is, the seal line area (SA) is divided into a first area in which liquid crystal is present and a second area in which no liquid crystal is present, based on the center of the seal line area (SA). Here, the gate drive region (GA) includes the first region.

ここで、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)、第2電圧配線(VSSL)の一部は前記シールライン領域(SA)内に形成され、第2電圧配線(VSSL)の余りの一部、前記第1クロック配線(CKL1)、第2クロック配線(CKBL1)及び開始信号配線(STL)は前記ゲート駆動領域(GA)内に形成される。   Here, a part of the third and fourth clock wirings (CKL2, CKBL2) and the second voltage wiring (VSSL) are formed in the seal line region (SA), and the remainder of the second voltage wiring (VSSL). In part, the first clock line (CKL1), the second clock line (CKBL1), and the start signal line (STL) are formed in the gate driving region (GA).

前記第2電圧配線(VSSL)の一部、第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)、第1電圧配線(VDDL)及び開始信号配線(STL)は、連結ラインと接触される部分を有する。よって、第2電圧配線(VSSL)の一部、第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)、第1電圧配線(VDDL)及び開始信号配線(STL)が前記シールライン領域(SA)内に形成するようになると、前記TFT基板300とカラーフィルター基板を結合させるために高温で圧力を加える工程によって接触不良が発生される。   A part of the second voltage line (VSSL), the first and second clock lines (CKL1, CKBL1), the first voltage line (VDDL), and the start signal line (STL) have a portion in contact with the connection line. . Therefore, a part of the second voltage wiring (VSSL), the first and second clock wirings (CKL1, CKBL1), the first voltage wiring (VDDL), and the start signal wiring (STL) are in the seal line region (SA). When it is formed, a contact failure occurs due to a process of applying pressure at a high temperature to bond the TFT substrate 300 and the color filter substrate.

連結ラインと接触する部分を有している配線が前記ゲート駆動領域(GA)内に形成され、連結ラインと接触される部分を有しない配線が前記シールライン領域(SA)内に形成される。そのため、液晶表示装置の全体的なサイズが増加されることを防止することができる。具体的に、第2電圧配線(VSSL)の余りの一部、第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、連結ラインと結合される部分がないので、前記シールライン領域(SA)内に形成されてもよい。   A wiring having a portion in contact with the connection line is formed in the gate driving region (GA), and a wiring having no portion in contact with the connection line is formed in the seal line region (SA). Therefore, it is possible to prevent the overall size of the liquid crystal display device from being increased. Specifically, the remainder of the second voltage wiring (VSSL) and the third and fourth clock wirings (CKL2, CKBL2) do not have a portion to be coupled to the connection line, so that the seal line area (SA) May be formed.

従って、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)が周辺領域(PA)に追加に形成されることによって、液晶表示装置のサイズが増加される現象が発生しない。また、前記第3及び第4クロック配線(SKL2,CKBL2)は、液晶が存在しない前記シールライン領域(SA)内に形成されるため、第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)のキャパシタンスが存在しない。よって、第1及び第2クロック信号(CK,CKB)の遅延時間が前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)に比べて遥かに減少される。   Therefore, the third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2) are additionally formed in the peripheral area (PA), so that the phenomenon of increasing the size of the liquid crystal display device does not occur. In addition, since the third and fourth clock lines (SKL2, CKBL2) are formed in the seal line area (SA) where no liquid crystal exists, the capacitance of the third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2) is increased. not exist. Therefore, the delay time of the first and second clock signals (CK, CKB) is much reduced compared to the first and second clock lines (CKL1, CKBL1).

図13を参照すると、前記第1クロック信号配線(CKL1)の一端は、前記第3クロック配線(CKL2)の一端と結合され、前記第2クロック配線(CKBL1)の一端は前記第4クロック配線(CKBL2)の一端と結合される。従って、前記第3クロック配線(CKL2)は、前記シフトレジスタの各ステージに前記第1クロック信号(CK)を提供し、前記第4クロック配線(CKBL2)は、各ステージに前記第2クロック信号(CKB)を提供する。   Referring to FIG. 13, one end of the first clock signal line (CKL1) is coupled to one end of the third clock line (CKL2), and one end of the second clock line (CKBL1) is connected to the fourth clock line (CKL1). Is coupled to one end of CKBL2). Accordingly, the third clock wiring (CKL2) provides the first clock signal (CK) to each stage of the shift register, and the fourth clock wiring (CKBL2) provides the second clock signal (CKBL2) to each stage. CKB).

図12及び図13に図示されたように、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、前記シフトレジスタ151と直接的に連結連結されなくて、他の配線とクロス(cross)される部分もない。従って、前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)が第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)を通じて移動する速度は前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じて移動する速度より速い。   As shown in FIGS. 12 and 13, the third and fourth clock lines CKL2 and CKBL2 are not directly connected to the shift register 151, but are crossed with other lines. There is no part to be. Accordingly, the moving speed of the first and second clock signals (CK, CKB) through the third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2) is the moving speed of the first and second clock lines (CKL1, CKBL1). Faster.

従って、前記シフトレジスタ151の各ステージ(SRC1〜SRCn+1)の一部は第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じて提供される第1及び第2クロック信号(CK,CKB)によって動作され、余りの一部は前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)を通じて提供される前記第1及び第2信クロック信号(CK,CKB)によって動作される。   Accordingly, a part of each stage (SRC1 to SRCn + 1) of the shift register 151 is operated by the first and second clock signals (CK, CKB) provided through the first and second clock lines (CKL1, CKBL1). A part of the remainder is operated by the first and second clock signals (CK, CKB) provided through the third and fourth clock lines (CKL2, CKBL2).

これによって、一番目のゲートラインから最後のゲートラインまで順次にハイレベル区間を有して発生される前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)の遅延時間を最小化して前記シフトレジスタ151から出力される出力信号の遅延歪曲を除去することができる。   As a result, the shift register 151 is minimized by minimizing the delay time of the first and second clock signals (CK, CKB) generated with a high level section sequentially from the first gate line to the last gate line. The delay distortion of the output signal output from can be removed.

図14は、本発明の第4実施例による配線構造を示した図面であり、図15は、図14に図示された配線構造を具体的に示したレイアウト図面である。   FIG. 14 is a diagram showing a wiring structure according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a layout diagram specifically showing the wiring structure shown in FIG.

図14及び図15を参照すると、第2電圧配線(VSSL)とシフトレジスタ(図示せず)との間には前記第2電圧配線(VSSL)と各ステージを連結する第1電圧連結ライン(VSSLc)が配置される。前記第2電圧配線(VSSL)と前記シフトレジスタとの間には前記第2電圧配線(VSSL)と平行に第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)が配置される。   Referring to FIGS. 14 and 15, a first voltage connection line (VSSLc) connecting the second voltage line (VSSL) and each stage is provided between a second voltage line (VSSL) and a shift register (not shown). ) Is arranged. Between the second voltage line (VSSL) and the shift register, first and second clock lines (CKL1, CKBL1) are disposed in parallel with the second voltage line (VSSL).

前記第1電圧連結ライン(VSSLc)と第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)は、クロスされる。また、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)は、前記第1電圧連結ライン(VSSLc)とクロスされない領域では、第1幅(W1)を有し、前記第1電圧連結ライン(VSSLc)とクロスされた領域では前記第1幅(W1)より小さい第2幅(W2)を有する。   The first voltage connection line (VSSLc) and the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) are crossed. In addition, the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) have a first width (W1) in a region that does not cross the first voltage connection line (VSSLc), and the first voltage connection line (VSSLc). ) Has a second width (W2) smaller than the first width (W1).

具体的に、前記第1クロック配線(CKL1)には前記第2電圧連結ライン(VSSLc)とクロスされた領域に対応して一側壁から内側に凹んだ第1凹部(C1)が形成され、前記第2クロック配線(CKBL1)にも前記第1電圧連結ライン(VSSLc)とクロスされた領域に対応して一側壁から内側に凹んだ第2凹部(C2)が形成される。   Specifically, the first clock line (CKL1) has a first recess (C1) recessed inward from one side wall corresponding to a region crossing the second voltage connection line (VSSLc). A second recess (C2) is formed in the second clock line (CKBL1) corresponding to a region crossing the first voltage connection line (VSSLc).

前記第1クロック配線(CKL1)は、長さの方向に延長される第1及び第2側壁1401、1402を具備し、前記第2クロック配線(CKBL1)は長さの方向に延長される第3及び第4側壁1403、1404を具備する。前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)は、第2側壁1402と第3側壁1403が互いに向い合うように配置される。このとき、前記第1凹部(C1)は、第1側壁1401に形成され、前記第2凹部(C2)は第4側壁1404に形成される。   The first clock line (CKL1) includes first and second sidewalls 1401 and 1402 extending in a length direction, and the second clock line (CKBL1) extends in a length direction. And fourth side walls 1403 and 1404. The first and second clock lines (CKL1, CKBL1) are disposed such that the second sidewall 1402 and the third sidewall 1403 face each other. At this time, the first recess (C1) is formed in the first side wall 1401, and the second recess (C2) is formed in the fourth side wall 1404.

図14及び図15に図示されたように、前記第1クロック配線(CKL1)と前記シフトレジスタ151との間に第1クロック信号を各ステージに提供する第1クロック信号連結ライン(CKLc)が配置され、前記第2クロック配線(CKBL1)と前記シフトレジスタ151との間に第2クロック信号を各ステージに提供する第2クロック信号連結ライン(CKBLc)が配置される。第1クロック信号連結ライン(CKLc)は、前記第1クロック配線(CKL1)の第2側壁1402の近傍で前記第1クロック配線(CKL1)とコンタクトされ、前記第2クロック信号連結ライン(CKBLc)は、前記第2クロック配線(CKBL1)の第3側壁1403の近傍で前記第2クロック配線(CKBL1)とコンタクトされる。前記第1及び第2凹部(C1,C2)は、前記1及び第2クロック信号連結ライン(CKLc,CKBLc)のコンタクト部分とオーバーラップされない位置に形成されることが望ましい。   14 and 15, a first clock signal connection line (CKLc) for providing a first clock signal to each stage is disposed between the first clock line (CKL1) and the shift register 151. A second clock signal connection line (CKBLc) for providing a second clock signal to each stage is disposed between the second clock line (CKBL1) and the shift register 151. The first clock signal connection line (CKLc) is in contact with the first clock line (CKL1) in the vicinity of the second side wall 1402 of the first clock line (CKL1), and the second clock signal connection line (CKBLc) is The second clock line (CKBL1) is in contact with the second clock line (CKBL1) in the vicinity of the third side wall 1403. The first and second recesses (C1, C2) may be formed at positions that do not overlap the contact portions of the first and second clock signal connection lines (CKLc, CKBLc).

これによって、前記第1及び第2クロック配線(CK1,CKB1)と前記第1電圧連結ライン(VSSLc)と交差する区間で生成されるキャパシタンスを減少させることができる。従って、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じてシフトレジスタに印加される前記第1及び第2クロック信号(CK、CKB)の遅延時間を短縮できる。さらに、と前記第2電圧連結ライン(VSSLc)を通じて印加される第2電圧VSSの遅延時間を短縮することができる。   Accordingly, a capacitance generated in a section intersecting the first and second clock lines (CK1, CKB1) and the first voltage connection line (VSSLc) can be reduced. Accordingly, the delay time of the first and second clock signals (CK, CKB) applied to the shift register through the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) can be shortened. Further, the delay time of the second voltage VSS applied through the second voltage connection line (VSSLc) can be shortened.

前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)は、部分的に狭い幅(W2)で形成されているため、第1電圧連結ライン(VSSLc)と第1及び第2クロック配線(CK1,CKB1)とがオーバーラップする部分では、抵抗が発生する。しかし、信号の遅延は、抵抗成分よりキャパシタンス成分に更に大きい影響を与えられるため、究極には遅延時間を減少させることができる。   Since the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) are partially formed with a narrow width (W2), the first voltage connection line (VSSLc) and the first and second clock lines (CK1, CKB1) are formed. In the portion where) overlaps, resistance occurs. However, since the delay of the signal has a greater influence on the capacitance component than the resistance component, the delay time can ultimately be reduced.

以下、表1に提示された実験例及び比較例を通じてキャパシタンス成分及び抵抗成分によって変化されるRCディレイを提示する。実験例では、第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)の第1幅(W1)が70μmであり、第2幅(W2)が45μmである。また、比較例では、第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)は、全体的に均一に70μmを有する。

Figure 0004991775
Hereinafter, the RC delay that is changed by the capacitance component and the resistance component is presented through the experimental example and the comparative example presented in Table 1. In the experimental example, the first width (W1) of the first and second clock wirings (CKL1, CKBL1) is 70 μm, and the second width (W2) is 45 μm. In the comparative example, the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) have a uniform thickness of 70 μm as a whole.
Figure 0004991775

表1に提示されたように、比較例で前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)と前記第1電圧連結ライン(VSSLc)との間で発生される第1キャパシタンスは385pFであり、実験例で、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)と前記第1電圧連結ライン(VSSLc)との間で発生される第2キャパシタンスは344.5pFである。即ち、実験例での第2キャパシタンスが比較例の第1キャパシタンスより約10.5%減少される。   As shown in Table 1, the first capacitance generated between the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) and the first voltage connection line (VSSLc) in the comparative example is 385 pF. In the experimental example, the second capacitance generated between the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) and the first voltage connection line (VSSLc) is 344.5 pF. That is, the second capacitance in the experimental example is reduced by about 10.5% from the first capacitance in the comparative example.

一方、比較例で、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)での第1抵抗は457Ωであり、実験例で、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)の第2抵抗は489Ωであって、実験例での第2抵抗が第1抵抗より約7%増加される。しかし、実験例で第2抵抗が増加された割合より第2キャパシタンスが減少された割合が大きさのため究極にはRCディレイは減少される。   On the other hand, in the comparative example, the first resistance in the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) is 457Ω, and in the experimental example, the second resistance in the first and second clock lines (CKL1, CKBL1). Is 489Ω, and the second resistance in the experimental example is increased by about 7% from the first resistance. However, since the rate at which the second capacitance is reduced is larger than the rate at which the second resistance is increased in the experimental example, the RC delay is ultimately reduced.

図16は、本発明の第5実施例による配線構造を示した図面である。
図16を参照すると、第2電圧配線(VSSL)とシフトレジスタ(図示せず)との間には第2電圧配線(VSSL)と各ステージを連結する第1電圧連結ライン(VSSLc)が配置される。前記第2電圧配線(VSSL)と前記シフトレジスタとの間には前記第2電圧配線(VSSL)と並んで第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)が配置される。
FIG. 16 shows a wiring structure according to a fifth embodiment of the present invention.
Referring to FIG. 16, a first voltage connection line (VSSLc) for connecting the second voltage line (VSSL) and each stage is disposed between the second voltage line (VSSL) and a shift register (not shown). The Between the second voltage line (VSSL) and the shift register, first and second clock lines (CKL1, CKBL1) are arranged alongside the second voltage line (VSSL).

ここで、前記第1電圧連結ライン(VSSLc)は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)とクロスされる。また、前記第1電圧連結ライン(VSSLc)は、前記第1クロック配線(CKL1)とクロスされた領域に対応して一側壁から内側に凹んだ第3凹部(C3)を具備する。前記第2クロック配線(CKBL1)とクロスされた領域に対応して一側壁から内側に凹んだ第4凹部(C4)を具備する。従って、前記第2電圧連結ライン(VSSLc)は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)とクロスされない領域では第3幅(W3)を有し、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)とクロスされる領域では、前記3幅(W3)より小さい第4幅(W4)を有する。   Here, the first voltage connection line (VSSLc) is crossed with the first and second clock lines (CKL1, CKBL1). The first voltage connection line (VSSLc) includes a third recess (C3) that is recessed inward from one side wall corresponding to a region crossing the first clock line (CKL1). Corresponding to a region crossing the second clock wiring (CKBL1), there is a fourth recess (C4) recessed inward from one side wall. Accordingly, the second voltage connection line (VSSLc) has a third width (W3) in a region that does not cross the first and second clock lines (CKL1, CKBL1), and the first and second clock lines ( The region crossing CKL1 and CKBL1) has a fourth width (W4) smaller than the three widths (W3).

このように、前記第1電圧連結ライン(VSSLc)の幅が前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)とクロスされた領域で狭く形成されることで、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)と前記第1電圧連結ライン(VSSLc)との間で形成されるキャパシタンスを減少させることができる。従って、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じて印加される前記第1及び第2クロック信号の遅延時間と前記 第1電圧連結ライン(VSSLc)を通じて印加される第1電源電圧の遅延時間を減少させることができる。   As described above, the first voltage connection line (VSSLc) is formed to be narrow in a region crossing the first and second clock lines (CKL1, CKBL1), thereby the first and second clock lines. The capacitance formed between (CKL1, CKBL1) and the first voltage connection line (VSSLc) can be reduced. Accordingly, a delay time of the first and second clock signals applied through the first and second clock lines (CKL1, CKBL1) and a delay of the first power supply voltage applied through the first voltage connection line (VSSLc). Time can be reduced.

このようなゲート駆動回路で、ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子が最後の駆動ステージ(SRCn)の制御端子に連結されると同時に、ダミーステージ(SRCn+1)自体の制御端子に連結されることによって、前記ゲート駆動回路に提供される各種信号が遅延される現象を防止することができる。また、ダミーステージ(SRCn+1)から制御端子に連結されたトランジスタの構造が変更されることで、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号が正常に出力され、それによって前記液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。   In such a gate driving circuit, the output terminal of the dummy stage (SRCn + 1) is connected to the control terminal of the last driving stage (SRCn), and simultaneously connected to the control terminal of the dummy stage (SRCn + 1) itself, It is possible to prevent a phenomenon in which various signals provided to the gate driving circuit are delayed. Also, by changing the structure of the transistor connected to the control terminal from the dummy stage (SRCn + 1), the output signal of the dummy stage (SRCn + 1) is normally output, thereby improving the display characteristics of the liquid crystal display device. Can be made.

また、配線部は、第1及び第2クロック配線以外に、第1及び第2クロック(CK、CKB)がそれぞれ提供される第3及び第4クロック配線を追加に具備することで、一番目のゲートラインから最後のゲートラインまで順次にハイレベル区間を有して発生される第1及び第2クロックの遅延時間を最小化することができ、更に液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。   In addition to the first and second clock wirings, the wiring unit additionally includes third and fourth clock wirings to which the first and second clocks (CK and CKB) are provided, respectively. It is possible to minimize the delay time of the first and second clocks generated with the high level section sequentially from the gate line to the last gate line, and further improve the display characteristics of the liquid crystal display device. .

以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。   As described above, the embodiments of the present invention have been described in detail. However, the present invention is not limited to the embodiments, and as long as it has ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs, without departing from the spirit and spirit of the present invention, The present invention can be modified or changed.

100、300 TFT基板
110 TFT
120 画素電極
130 ゲート駆動回路
131、133、151 シフトレジスタ
132、152 配線部
140 データ駆動回路
150 ゲート駆動回路
200 液晶表示装置
1401 第1側壁
1402 第2側壁
1403 第3側壁
1404 第4側壁
100, 300 TFT substrate 110 TFT
120 pixel electrode 130 gate drive circuit 131, 133, 151 shift register 132, 152 wiring part 140 data drive circuit 150 gate drive circuit 200 liquid crystal display device 1401 first side wall 1402 second side wall 1403 third side wall 1404 fourth side wall

Claims (8)

多数のゲートラインが具備される液晶表示パネルの周辺領域に形成されるゲート駆動回路において、
複数の駆動ステージが従属的に連結されて各駆動ステージから出力された前記スイッチング素子を制御する駆動信号を出力端子を介して前記ゲートラインに順次提供するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタの周辺に形成され前記シフトレジスタに信号を供給するための 配線で構成された配線部と、を含み、
前記配線部は、
前記シフトレジスタの複数の駆動ステージに沿って一端から他端に向かって配置されて前記シフトレジスタの奇数番目駆動ステージと連結されており、前記奇数番目駆動ステージに第1クロック信号を提供する第1クロック配線と、
前記シフトレジスタの複数の駆動ステージに沿って一端から他端に向かって配置されて前記シフトレジスタの偶数番目駆動ステージと連結されており、前記偶数番目駆動ステージに前記第1クロック信号と位相が異なる第2クロック信号を提供する第2クロック配線と、
液晶が存在しないシールライン領域に形成されており、前記シフトレジスタの複数の駆動ステージに沿って一端から他端に向かって配置されて前記駆動ステージとは連結されておらず、その他端が前記第1クロック配線の他端と結合され前記奇数番目駆動ステージに前記第1クロック信号を提供する第3クロック配線と、
前記シールライン領域に形成されており、前記シフトレジスタの複数の駆動ステージに沿って一端から他端に向かって配置されて前記駆動ステージとは連結されておらず、その他端が前記第2クロック配線の他端と結合され前記偶数番目駆動ステージに前記第2クロック信号を提供する第4クロック配線と、を含み、
前記第1クロック配線の一端から前記第1クロック信号が入力され、かつ、前記第3クロック配線の一端から前記第1クロック信号が入力されることで、前記第1クロック配線に連結された前記奇数番目の駆動ステージの一部は前記第1クロック配線の一端から入力された前記第1クロック信号により駆動され、前記第1クロック配線に連結された前記奇数番目の駆動ステージの残りは、前記第3クロック配線の一端から入力され、前記第3クロック配線の他端と接続された前記第1クロック配線の他端から入力された前記第1クロック信号により駆動され、
前記第2クロック配線の一端から前記第2クロック信号が入力され、かつ、前記第4クロック配線の一端から前記第2クロック信号が入力されることで、前記第2クロック配線に連結された前記偶数番目の駆動ステージの一部は前記第2クロック配線の一端から入力された前記第2クロック信号により駆動され、前記第2クロック配線に連結された前記偶数番目の駆動ステージの残りは、前記第4クロック配線の一端から入力され、前記第4クロック配線の他端と接続された前記第2クロック配線の他端から入力された前記第2クロック信号により駆動されることを特徴とするゲート駆動回路。
In a gate driving circuit formed in a peripheral region of a liquid crystal display panel having a large number of gate lines,
A shift register that sequentially connects a plurality of driving stages to the gate line via an output terminal to control the switching element output from each driving stage, and a shift register;
A wiring portion formed around the shift register and configured by wiring for supplying a signal to the shift register,
The wiring part is
A first clock signal is disposed from one end to the other end along the plurality of drive stages of the shift register and is connected to the odd-numbered drive stage of the shift register, and provides a first clock signal to the odd-numbered drive stage. Clock wiring,
A plurality of drive stages of the shift register are arranged from one end to the other end and connected to the even-numbered drive stage of the shift register, and the even-numbered drive stage has a phase different from that of the first clock signal. A second clock wiring for providing a second clock signal;
It is formed in a seal line area where no liquid crystal exists, and is arranged from one end to the other end along a plurality of drive stages of the shift register and is not connected to the drive stage, and the other end is the first stage. A third clock line coupled to the other end of the one clock line for providing the first clock signal to the odd-numbered drive stage;
It is formed in the seal line region, is arranged from one end to the other end along a plurality of drive stages of the shift register, is not connected to the drive stage, and the other end is the second clock wiring A fourth clock line coupled to the other end of the first clock line and providing the second clock signal to the even-numbered drive stage;
The odd number connected to the first clock line by inputting the first clock signal from one end of the first clock line and inputting the first clock signal from one end of the third clock line. A part of the second driving stage is driven by the first clock signal input from one end of the first clock wiring, and the remainder of the odd numbered driving stage connected to the first clock wiring is the third clock stage. Driven by the first clock signal input from one end of the clock wiring and input from the other end of the first clock wiring connected to the other end of the third clock wiring;
The even number connected to the second clock line when the second clock signal is input from one end of the second clock line and the second clock signal is input from one end of the fourth clock line. A part of the second driving stage is driven by the second clock signal inputted from one end of the second clock wiring, and the remainder of the even-numbered driving stage connected to the second clock wiring is the fourth clock stage. A gate driving circuit, wherein the gate driving circuit is driven by the second clock signal inputted from one end of the clock wiring and inputted from the other end of the second clock wiring connected to the other end of the fourth clock wiring.
前記第2クロック配線が提供する第2クロック信号は、前記第1クロック配線が提供する第1クロック信号と位相が反対であることを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。   2. The gate driving circuit according to claim 1, wherein the second clock signal provided by the second clock wiring has a phase opposite to that of the first clock signal provided by the first clock wiring. 前記第1クロック配線は、前記シフトレジスタの最後の駆動ステージが配置される第2領域で前記第3クロック配線と結合されるように配置され、前記第2クロック配線は、前記第2領域で前記第4クロック配線と結合されるように配置されることを特徴とする請求項1記載のゲート駆動回路。   The first clock line is disposed to be coupled to the third clock line in a second region where the last driving stage of the shift register is disposed, and the second clock line is disposed in the second region. The gate driving circuit according to claim 1, wherein the gate driving circuit is arranged so as to be coupled to the fourth clock wiring. 前記配線部は、前記シフトレジスタの各駆動ステージに第1電源電圧を提供するための第1電源電圧配線、第2電源電圧を提供するための第2電源電圧配線及び一番目の駆動ステージに開始信号を提供するための開始信号配線を更に含むことを特徴とする請求項1記載のゲート駆動回路The wiring unit starts with a first power supply voltage line for providing a first power supply voltage to each drive stage of the shift register, a second power supply voltage line for providing a second power supply voltage, and a first drive stage. 2. The gate driving circuit according to claim 1, further comprising a start signal wiring for providing a signal. 前記開始信号配線、前記第1電源電圧配線、前記第2クロック配線、前記第1クロック配線、前記第2電源電圧配線、前記第3クロック配線、前記第4クロック配線の順序に前記シフトレジスタに近接するように配置されることを特徴とする請求項4記載のゲート駆動回路。   Proximity to the shift register in the order of the start signal wiring, the first power supply voltage wiring, the second clock wiring, the first clock wiring, the second power supply voltage wiring, the third clock wiring, and the fourth clock wiring The gate driving circuit according to claim 4, wherein the gate driving circuit is arranged as described above. 前記第2電源電圧配線と前記シフトレジスタとの間に配置され前記第2電源電圧配線と前記各駆動ステージを連結する電源電圧連結ラインを更に含み、
前記第1クロック配線は、前記電源電圧連結ラインとクロスしない第1領域で第1幅を有し、前記電源電圧連結ラインとクロスする第2領域で第2幅を有し、
前記第2クロック配線は、前記電源電圧連結ラインとクロスしない第3領域で第3幅を有し、前記電源電圧連結ラインとクロスする第4領域で第4幅を有し、前記第2幅は第1幅よりも小さく、前記第4幅は第3幅よりも小さいことを特徴とする請求項4記載のゲート駆動回路。
A power supply voltage connection line disposed between the second power supply voltage line and the shift register and connecting the second power supply voltage line and the driving stages;
The first clock wiring has a first width in a first region that does not cross the power supply voltage connection line, and a second width in a second region that crosses the power supply voltage connection line;
The second clock line has a third width in a third region that does not cross the power supply voltage connection line, a fourth width in a fourth region that crosses the power supply voltage connection line, and the second width is The gate drive circuit according to claim 4, wherein the gate width is smaller than the first width, and the fourth width is smaller than the third width.
前記第2電源電圧配線と前記シフトレジスタとの間に配置され前記第2電源電圧配線と前記各駆動ステージを連結する電源電圧連結ラインを更に含み、
前記電源電圧連結ラインは、第1クロック配線及び第2クロック配線とクロスしない第1領域で第1幅を有し、第1クロック配線及び第2クロック配線とクロスする第2領域で第2幅を有し、前記第2幅は第1幅よりも小さいことを特徴とする請求項4記載のゲート駆動回路。
A power supply voltage connection line disposed between the second power supply voltage line and the shift register and connecting the second power supply voltage line and the driving stages;
The power supply voltage connection line has a first width in a first region that does not cross the first clock wiring and the second clock wiring, and a second width in a second region that crosses the first clock wiring and the second clock wiring. 5. The gate driving circuit according to claim 4, wherein the second width is smaller than the first width.
前記シフトレジスタの複数の駆動ステージは、
前段駆動ステージの出力端子が、前記前段駆動ステージの次の次段駆動ステージの制御端子に連結されることで、互いに従属的に連結され、マトリクス形態で配列されたそれぞれの画素上に形成された前記スイッチング素子に連結された複数の駆動信号ラインに前記複数のスイッチング素子を駆動するための駆動信号を順次に前記各駆動ステージの出力端子を通じて出力し、
前記シフトレジスタは、
ダミー出力信号を出力するダミー出力端子及びダミー制御端子を有し、前記ダミー出力端子が前記複数の駆動ステージのうち、最終段の駆動ステージの制御端子に連結されて前記最終段の駆動ステージをオン/オフさせ、かつ、前記ダミー制御端子が前記ダミー出力端子に連結されて前記ダミー出力信号によってオン/オフされるダミーステージをさらに含み、
前記各駆動ステージそれぞれは、
前記スイッチング素子をオン可能なオン電圧レベルの駆動信号を前記出力端子に提供するプルアップ部と、
前記スイッチング素子をオフ可能なオフ電圧レベルの駆動信号を前記出力端子に提供するプルダウン部と、
前記オン電圧レベルの駆動信号によって駆動されて前記プルダウン部をターンオンさせるとともに前記プルアップ部をターンオフさせ、前記オン電圧レベルの駆動信号を第1所定時間のあいだ維持させるための駆動部と、を備え、
前記ダミーステージは、
前記スイッチング素子をオン可能なオン電圧レベルのダミー出力信号を前記ダミー出力端子に提供するダミープルアップ部と、
前記スイッチング素子をオフ可能なオフ電圧レベルのダミー出力信号を前記ダミー出力端子に提供するダミープルダウン部と、
前記オン電圧レベルのダミー出力信号によって駆動されて前記ダミープルダウン部をターンオンさせるとともに前記ダミープルアップ部をターンオフさせ、前記オン電圧レベルのダミー出力信号を第2所定時間のあいだ維持させるためのダミー駆動部と、を備え、
前記ダミーステージの前記ダミー駆動部は、前記ダミー制御端子に連結され、かつ前記オン電圧レベルのダミー出力信号を前記第2所定時間のあいだ維持させるための第1トランジスタを有し、
前記最終段の駆動ステージの前記駆動部は、前記ダミー出力端子からのダミー出力信号を受ける前記制御端子に連結され、かつ前記オン電圧レベルの駆動信号を第1所定時間のあいだ維持させるための第2トランジスタを有し、
前記第1トランジスタのサイズは、前記第2トランジスタのサイズより小さく形成されていることで、前記ダミーステージのオン電圧レベルのダミー出力信号が前記駆動ステージの駆動信号の最大電圧レベルと実質的に同じ大きさを有するように制御する、請求項1に記載のゲート駆動回路。
The plurality of drive stages of the shift register are:
The output terminal of the previous stage drive stage is connected to the control terminal of the next stage drive stage next to the previous stage drive stage, so that they are connected to each other and formed on the respective pixels arranged in a matrix form. A drive signal for driving the plurality of switching elements to a plurality of drive signal lines connected to the switching elements is sequentially output through the output terminals of the respective drive stages,
The shift register is
A dummy output terminal for outputting a dummy output signal and a dummy control terminal are provided, and the dummy output terminal is connected to the control terminal of the final drive stage among the plurality of drive stages to turn on the final drive stage. And further comprising a dummy stage that is connected to the dummy output terminal and is turned on / off by the dummy output signal.
Each of the drive stages is
A pull-up unit that provides a drive signal of an on-voltage level capable of turning on the switching element to the output terminal;
A pull-down unit that provides a drive signal of an off-voltage level capable of turning off the switching element to the output terminal;
A driving unit that is driven by the driving signal of the on-voltage level to turn on the pull-down unit and turn off the pull-up unit and maintain the driving signal of the on-voltage level for a first predetermined time. ,
The dummy stage is
A dummy pull-up unit for providing a dummy output terminal with a dummy output signal of an on-voltage level capable of turning on the switching element;
A dummy pull-down unit for providing a dummy output terminal with a dummy output signal of an off-voltage level capable of turning off the switching element;
Dummy driving driven by the on-voltage level dummy output signal to turn on the dummy pull-down unit and turn off the dummy pull-up unit to maintain the on-voltage level dummy output signal for a second predetermined time. And comprising
The dummy driving unit of the dummy stage includes a first transistor connected to the dummy control terminal and for maintaining the dummy output signal at the on-voltage level for the second predetermined time period.
The driving unit of the final driving stage is connected to the control terminal that receives a dummy output signal from the dummy output terminal, and maintains a driving signal at the on-voltage level for a first predetermined time. Has two transistors,
Since the size of the first transistor is smaller than the size of the second transistor, the dummy output signal of the on-voltage level of the dummy stage is substantially the same as the maximum voltage level of the driving signal of the driving stage. The gate drive circuit according to claim 1, wherein the gate drive circuit is controlled to have a size.
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