JP4991026B2 - The light-emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、紫外線又は可視光で効率よく励起され発光する蛍光体及びそれを用いた発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device using the phosphor efficiently excited emission in the ultraviolet or visible light and the same.

近年、半導体発光素子として種々の発光ダイオードやレーザーダイオードが開発されている。 Recently, various light-emitting diodes and laser diodes have been developed as a semiconductor light-emitting device. このような半導体発光素子は低電圧駆動、小型、軽量、薄型、長寿命で信頼性が高く低消費電力という長所を生かして、ディスプレイやバックライト、インジケーターなど種々の光源として電球や冷陰極管の一部を置き換えつつある。 Such a semiconductor light emitting device low driving voltage, small size, light weight, thin, taking advantage of the advantages of high power consumption reliable long life, displays and back light, bulb or a cold cathode tube as various light sources such as indicator It is being replaced by a part. 特に、紫外域から可視域の短波長側で効率よく発光可能な発光素子として窒化物半導体を用いたものが開発され、窒化物半導体(例えば、InGaN混晶)を活性(発光)層とした量子井戸構造で10カンデラ以上の青色、緑色LEDが製品化されつつある。 In particular, those using a nitride semiconductor on the short wavelength side of the visible range as efficiently capable of emitting light emitting device have been developed from the ultraviolet region, a nitride semiconductor (e.g., InGaN mixed crystal) was active (light emitting) layer quantum 10 candela or more blue in well structure, the green LED is being commercialized. さらに、このような窒化物半導体発光素子と蛍光体を組合せた種々の発光色のLEDが特開平9-153645号などに開示されているが、より広い分野において様々な発光波長が高輝度に求められている現在では、十分ではなく、更なる改良が求められている。 Moreover, such is the nitride semiconductor light emitting device and a phosphor different luminescent color of the LED in combination has been disclosed in such Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-153645, determined in a variety of emission wavelengths high brightness in a wider field currently it is not sufficient, and further improvement is demanded.

また、窒化物半導体発光素子と蛍光体を組合せた白色LEDについては特開平10-242513号などに開示されている。 Further, the white LED that combines a nitride semiconductor light emitting device and the phosphor are disclosed in such as JP-A-10-242513. これは、窒化物半導体発光素子からの青色発光と、その発光を吸収し黄色発光する蛍光体からの発光との混色により、白色に発光するLEDであり、蛍光体にはイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG系蛍光体)が用いられている。 This is because the blue light from the nitride semiconductor light emitting device, the mixture of the light emission from the phosphor which absorbs yellow light the light emission, and an LED that emits white light, yttrium aluminum garnet is the phosphor phosphor (YAG phosphor) has been used. このような白色LEDは、発光素子からの光の一部を透過させて利用するため、構造自体を簡略化できると共に出力向上を行いやすいという利点があるものの、上記白色LEDの場合は、発光素子の青色発光と蛍光体の黄色発光との2色の混色で白色発光させるため、演色性が十分でなく、改良が求められている。 Such white LED, for use by transmitting part of the light from the light emitting element, although there is an advantage that it is easy performs output increases with simplifying the structure itself, in the case of the white LED, the light emitting element for white light in two colors mixed in with the yellow light of the blue-emitting phosphor, color rendering properties is not sufficient and improvement is demanded. そのためには、発光素子からの紫外線又は可視光を吸収して青色系、緑色系、赤色系又は中間色を高効率に発光する蛍光体の開発が望まれており、これらの蛍光体を用いることで白色LEDの演色性を改善することができる。 To that end, blue absorbs ultraviolet or visible light from the light emitting element, green light, and development of a phosphor emitting is desired in high efficiency red or neutral, the use of these phosphors it is possible to improve the color rendering of the white LED.

また、Siなどのn型不純物、Znなどのp型不純物を活性層に含有させた不純物発光の発光素子は、発光スペクトルがブロードであるため、この発光素子と上記蛍光体とを組み合わせると、さらに演色性の高い発光装置とすることができる。 Further, n-type impurity, the light emitting element of impurity emission a p-type impurity is contained in the active layer, such as Zn, such as Si, since the emission spectrum is broad, the combination of a and the phosphor, the light-emitting device further it can have high color rendering light emitting device. しかしながら、このような発光装置は、スポット照明などに用いられる場合、大電流を瞬時に流して利用することがあり、不純物発光だけでなく通常観測されないバンド間発光も発生する。 However, such a light-emitting device, when used in such spot lighting, may be utilized by passing a large current instantaneously, also occur between normally not observed band emission well impurity emission. このようなバンド間発光は比較的短波長域にあり(例えば、GaNの場合紫外域にある)、蛍光体を封止する樹脂が劣化するため、発光装置は時間の経過とともに劣化するという問題があった。 Such interband emission is relatively short wavelength range (for example, in the case of GaN in the ultraviolet region), since the deterioration of the resin for sealing the phosphor, a problem that the light emitting device degrades with time is there were.

さらに、このような半導体発光素子と蛍光体を組合せたLED発光装置においては、蛍光体はLEDチップの近傍に設けられており、LEDチップの昇温や外部環境からの加熱など高温にさらされ、蛍光体の発光効率が低下し、発光装置の発光色が変化するという問題があった。 Moreover, the LED light-emitting device combining the semiconductor light emitting element and the phosphor, the phosphor is provided in the vicinity of the LED chip is exposed to a high temperature such as heating from the heating and the external environment of the LED chip, luminous efficiency of the phosphor is degraded, and the emission color of the light emitting device has a problem that change. 例えば、YAG系蛍光体を用いた白色LEDの場合、50℃以上の高温で動作させると、色調が青みがかった白色に変化してしまう。 For example, if a white LED using YAG phosphor, operating at a high temperature of at least 50 ° C., it varies the color tone is bluish white. このような温度による変色(色ずれ)を少なくするには、温度特性の優れた蛍光体が求められている。 Such reduced discoloration (color deviation) due to temperature, good phosphor temperature properties are required.

特開平9−153645号公報 JP-9-153645 discloses 特開平10−242513号公報 JP 10-242513 discloses

従って、本発明は、上述した問題を解決することを目的とし、紫外線又は可視光で効率よく励起され緑色系を発光する蛍光体及びそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention aims to solve the above problems, and an object thereof is to provide a phosphor and a light emitting device using the same to emit light efficiently excited by green light by ultraviolet or visible light. さらに、演色性、劣化、色ずれが改善されたLED発光装置を提供することを目的とする。 Furthermore, it is an object to provide color rendering properties, deterioration, the LED light-emitting device a color shift is improved.

本発明者等は上述した問題を解決するために鋭意検討した結果、一般式が(Lu 1−a−b (Al 1−c Ga 12 (但し、RはCeを必須とする少なくとも1種以上の希土類元素であり、MはSc、Y、La、Gdから選択される少なくとも1種の元素であり、0.0001≦a≦0.5、0≦b≦0.5、0.0001≦a+b<1、0≦c≦0.8である。)で表される蛍光体は波長域300〜550nmの紫外線又は可視光励起による発光強度が高く、この蛍光体を用いた発光ダイオードや高圧水銀ランプなどの発光装置は発光特性が優れていることを新たに見いだし本発明を完成させるに至った。 The present inventors have result of intensive studies to solve the above problems, the general formula (Lu 1-a-b R a M b) 3 (Al 1-c Ga c) 5 O 12 ( where, R represents represents at least one rare earth element essentially including ce, M is Sc, Y, La, at least one element selected from Gd, 0.0001 ≦ a ≦ 0.5,0 ≦ b ≦ 0.5,0.0001 a ≦ a + b <1,0 ≦ c ≦ 0.8.) phosphor represented by the high luminous intensity with ultraviolet or visible light excitation wavelength range 300~550Nm, the phosphor emitting devices such as light emitting diode or a high-pressure mercury lamp used was completed the newly discovered present invention that has excellent emission characteristics.

すなわち、本発明の発光装置は、半導体発光素子と、前記半導体発光素子の外周を覆うように設けられたコーティング部材と、前記コーティング部材に含有された蛍光体と、を有する発光装置であって、前記半導体発光素子の発光ピーク波長は480〜488nmの範囲にあって、前記蛍光体は、一般式が(Lu 0.985 Ce 0.015 Al 12 表され前記半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し波長変換して緑色系の蛍光を発光する緑色系発光蛍光体を有し、前記緑色系発光蛍光体は、真比重が5.4g/cm 以上であり、前記コーティング部材中において前記半導体発光素子表面側に多く分布していることを特徴とする。 That is, the light emitting device of the present invention is a light-emitting device including a semiconductor light emitting element, and a coating member provided so as to cover the outer periphery of the semiconductor light emitting element, and a phosphor contained in the coating member, the emission peak wavelength of the semiconductor light emitting element in a range of 480~488Nm, the phosphor has the general formula is from the semiconductor light emitting element is represented by (Lu 0.985 Ce 0.015) 3 Al 5 O 12 a green light-emitting phosphor that emits at least a portion absorbs the fluorescence of the green system by wavelength conversion of light, the green light-emitting phosphor is a true specific gravity of 5.4 g / cm 3 or more, the characterized in that in the coating member in which distributed more in the semiconductor light-emitting device surface. 本発明の蛍光体を用いることによって、発光特性や温度特性の優れた発光装置を得ることができる。 By using the phosphor of the present invention, it is possible to obtain an excellent light-emitting device of the light-emitting characteristics and temperature characteristics. さらに、本発明の蛍光体は、半導体発光素子と共に用いた場合、演色性、劣化、色ずれが改善されたLED発光装置を得ることができる。 Further, the phosphor of the present invention, when used together with the semiconductor light emitting element, color rendering properties can be obtained deteriorate, the LED light-emitting device in which the color shift is improved.
また、前記蛍光体は、一般式がM Si :Eu(但し、Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)で表され前記半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し波長変換して赤色系の蛍光を発光する赤色系発光蛍光体を有していてもよい。 The front Symbol phosphor general formula M 2 Si 5 N 8: Eu ( where, M is, Sr, is Ca, Ba, Mg, at least one selected from Zn.) The semiconductor is represented by it may have a red light emitting phosphor emitting fluorescence of red and wavelength conversion by absorbing at least a portion of the light from the light emitting element. 前記半導体発光素子は、484nmに発光ピーク波長がある青色系発光素子であることが好ましい。 The semiconductor light emitting element is preferably a blue light emitting element is light emission peak wavelength 484 nm.

本発明の蛍光体は、真比重が5.4g/cm 以上であることを特徴とする。 Phosphor of the present invention is characterized in that the true specific gravity of 5.4 g / cm 3 or more. より好ましくは、真比重は5.4〜8.0g/cm の範囲である。 More preferably, the true specific gravity in the range of 5.4~8.0g / cm 3. 例えば、本発明の蛍光体を図9のような砲弾型のLED発光装置に用いた場合、リードフレーム13のカップ内に蛍光体11とコーティング部材12の混合物を注入したとき、本発明の蛍光体はYAG蛍光体(真比重は約4.7g/cm )などに比べ真比重が大きいため、発光素子10上に蛍光体量が多く沈降し、蛍光体層が形成される結果、発光特性が向上する。 For example, if the phosphor of the present invention is used for bullet-shaped LED light emitting device as shown in FIG. 9, when injected a mixture of phosphor 11 and the coating member 12 in the cup of the lead frame 13, the phosphor of the present invention since true specific gravity compared with a YAG phosphor (true specific gravity of about 4.7 g / cm 3) is large, the phosphor amount is large settle on the light emitting element 10, the result of the phosphor layer is formed, the emission characteristics improves. このように、本発明の蛍光体を用いたLED発光装置は、発光素子表面側に蛍光体量の多い蛍光体層が形成されることを特徴とする。 Thus, LED light-emitting device using the phosphor of the present invention is characterized in that more phosphor layers of the phosphor amount is formed on the light emitting device surface.

また、 本発明の発光装置は、前記半導体発光素子は青色系発光素子であり、前記蛍光体は、一般式がM Si :Eu(但し、Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)で表され前記半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し波長変換して赤色系の蛍光を発光する赤色系発光蛍光体を有し、前記発光装置の発光色は、白色系である発光装置としてもよい The light emitting device of the present invention, the semiconductor light emitting element is a blue light emitting device, the phosphor is a general formula M 2 Si 5 N 8: Eu ( where, M is Sr, Ca, Ba, Mg has a red light emitting phosphor emitting at least one or more.) represented by absorbing fluorescence red with a wavelength converting at least a portion of the light from the semiconductor light emitting element selected from Zn, emission color of the light emitting device may be a white der Ru emitting device. また、 本発明の発光装置は、前記半導体発光素子は紫外発光素子であって、前記蛍光体は、一般式がM Si :Eu(但し、Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)で表され前記半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し波長変換して赤色系の蛍光を発光する赤色系発光蛍光体と、一般式がM (PO X:R(但し、Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)で表され前記半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し波長変換して青色系の蛍光を発光する青色系発光蛍光体と、を有し、前記発 The light emitting device of the present invention, the semiconductor light emitting device is an ultraviolet light-emitting device, the phosphor is a general formula M 2 Si 5 N 8: Eu ( where, M is Sr, Ca, Ba, Mg is at least one selected from Zn. the red light-emitting phosphor which emits fluorescence of red represented by wavelength conversion by absorbing at least a portion of the light from the semiconductor light emitting device), the general formula There M 5 (PO 4) 3 X : R ( where, M is, Sr, is Ca, Ba, Mg, at least one or more selected from Zn .X is at least selected F, Cl, Br, from I is one or more .R is, Eu, Mn, Eu and Mn, of either 1 or more.) represented by the blue light to wavelength conversion by absorbing at least a portion of the light from the semiconductor light emitting element a blue light-emitting phosphor which emits fluorescence, the onset 装置の発光色は、白色系である発光装置としてもよい The emission color of the device may be a white der Ru emitting device. 例えば、本発明の蛍光体を用いた白色LEDは、従来のYAG系蛍光体を用いた白色LEDに比べ、演色性が非常に優れており、色温度6000Kでの平均演色評価数Raは85以上と高く、好ましくは89以上である。 For example, white LED using the phosphor of the present invention, compared to the white LED using the conventional YAG-based phosphor, and color rendering is very good, the average color rendering index Ra is 85 or higher in the color temperature 6000K a high, preferably 89 or more. また、 本発明の発光装置は、前記半導体発光素子の発光ピーク波長は480〜488nmの範囲にあって、前記発光装置の発光色は青緑色系であることが好ましい The light emitting device of the present invention, the emission peak wavelength of the semiconductor light emitting element in the range of 480~488Nm, emission color of the light emitting device is preferably blue-green. この発光装置の発光色は、色度座標値のx値が0.140〜0.200の範囲であり、y値が0.330〜0.400の範囲がより好ましい。 Emission color of the light emitting device, x value of chromaticity coordinate value is in the range of .140-.200, y value is more preferably in the range of 0.330 to 0.400.


本発明の発光装置及び発光スクリーンは、上記蛍光体を用いた発光装置及び発光スクリーンであり、発光装置としては発光ダイオードや高圧水銀ランプなどの発光装置が好ましく、少なくとも発光層が窒化物半導体である発光素子と、該発光素子が発光する発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して蛍光を発する蛍光体とを有する発光装置であって、発光素子からの発光スペクトルが300nmから550nmの波長域にあると共に、蛍光体が上記一般式で表される本発明の蛍光体を含む発光装置がさらに好ましい。 Emitting device and a light-emitting screen of the present invention is a light emitting device and a luminescent screen with the phosphor, is as a light emitting device preferably light emitting devices such as light emitting diode or a high pressure mercury lamp, at least a light-emitting layer is a nitride semiconductor a light emitting element, a light-emitting device having a phosphor that emits the absorbed fluorescence by wavelength conversion of at least a portion of emission light emitting element emits light, the wavelength band emission spectrum from 300 nm 550 nm of from the light emitting element with some light-emitting device further preferably comprises a phosphor of the present invention the phosphor is represented by the above general formula. また、発光素子の発光波長域は300〜500nmがより好ましい。 Further, the light emitting wavelength range of the light emitting element 300~500nm is more preferable. このように本発明の蛍光体のみからなる蛍光体、又は本発明の蛍光体以外の蛍光体と本発明の蛍光体とを含む蛍光体を用いることによって、種々の発光色の発光装置を得ることができる。 Thus phosphor comprising only the phosphor of the present invention, or by using a phosphor and a phosphor of the phosphor and the present invention other than the phosphor of the present invention, to obtain various emission colors of the light emitting device can. また、前記蛍光体が上記一般式で表される本発明の蛍光体と赤色系発光蛍光体を含む発光装置が好ましく、特に発光色が白色系の発光装置が好ましい。 Further, the phosphor emitting device preferably including a phosphor and a red light-emitting phosphor of the present invention represented by the aforementioned general formula, in particular emission color white light emitting device is preferable. 例えば、本発明の蛍光体を用いた白色LEDは、従来のYAG系蛍光体を用いた白色LEDに比べ、演色性が非常に優れており、色温度6000Kでの平均演色評価数Raは85以上と高く、好ましくは89以上である。 For example, white LED using the phosphor of the present invention, compared to the white LED using the conventional YAG-based phosphor, and color rendering is very good, the average color rendering index Ra is 85 or higher in the color temperature 6000K a high, preferably 89 or more. また、前記発光素子の発光ピーク波長が480〜488nmの範囲にあって、発光色が青緑色系の発光装置が好ましい。 Furthermore, the emission peak wavelength of the light emitting element is in a range of 480~488Nm, emission color blue-green light emitting device is preferable. この発光装置の発光色は、色度座標値のx値が0.140〜0.200の範囲であり、y値が0.330〜0.400の範囲がより好ましい。 Emission color of the light emitting device, x value of chromaticity coordinate value is in the range of .140-.200, y value is more preferably in the range of 0.330 to 0.400.

また、本発明の蛍光体は、波長域300〜390nmの長波長紫外線により効率よく励起され発光するため、発光スクリーン、例えばコンクリートやガラス等に混入され装飾板などに好適に用いられる。 The phosphor of the present invention, in order to be efficiently excited emission by long wavelength ultraviolet light in the wavelength range 300~390Nm, luminescent screen, suitable for use in such a mixed decorative plate such as concrete or glass. この装飾板は、太陽光や通常の蛍光灯下でのディスプレイ効果とUVランプの出す長波長紫外線照射下でのディスプレイ効果により、装飾効果を発揮するものである。 The decorative plate by the display effect in the long wavelength ultraviolet irradiation under issuing of the display effect and UV lamp in sunlight or ordinary fluorescent lamp, is to exert a decorative effect.

本発明の蛍光体は300nm〜550nmの波長域の紫外線又は可視光により効率よく励起され発光することから、発光スクリーンや発光ダイオード、高圧水銀ランプ等の発光装置に有効に利用することができる。 Phosphor of the present invention since it is efficiently excited to emit light by ultraviolet or visible light in the wavelength range 300Nm~550nm, luminescent screen or a light emitting diode, can be effectively utilized in the light emitting device such as a high-pressure mercury lamp. さらに、本発明の蛍光体又は本発明の蛍光体を含む複数種の蛍光体を用いることにより、種々の発光色のLEDを作製することができ、白色LEDの場合は演色性を向上させることができる。 Furthermore, by using a plurality of kinds of phosphors including the phosphor of the phosphor or the invention of the present invention, it is possible to produce LED various emission colors in the case of white LED is possible to improve the color rendering properties it can. また、劣化、色ずれの少ないLED発光装置を得ることができる。 Further, it is possible to obtain degradation, a color shift less LED device.

(蛍光体) (Phosphor)
本発明の蛍光体は次のようにして得られる。 The phosphor of the present invention is obtained as follows. 蛍光体原料として、ルテチウム化合物、希土類元素Rの化合物、希土類元素Mの化合物、アルミニウム化合物及びガリウム化合物を用い、各化合物について一般式(Lu 1−a−b (Al 1−c Ga 12 (但し、RはCeを必須とする少なくとも1種以上の希土類元素であり、MはSc、Y、La、Gdから選択される少なくとも1種の元素であり、0.0001≦a≦0.5、0≦b≦0.5、0.0001≦a+b<1、0≦c≦0.8である。)の割合になるように秤取し、混合するか、又はこれら蛍光体原料にフラックスを加えて混合し、原料混合物を得る。 As phosphor materials, lutetium compounds, compounds of the rare earth element R, the compounds of the rare earth element M, an aluminum compound and a gallium compound, the general formula for each compound (Lu 1-a-b R a M b) 3 (Al 1- c Ga c) 5 O 12 (where, R is at least one more rare earth element essentially including Ce, M is at least one element selected Sc, Y, La, from Gd, 0. 0001 is ≦ a ≦ 0.5,0 ≦ b ≦ 0.5,0.0001 ≦ a + b <1,0 ≦ c ≦ 0.8.) were weighed to be a ratio of, or mixed, or adding a flux and mixed with these phosphor materials to obtain a raw material mixture. この原料混合物をルツボに充填後、還元性雰囲気中、1200〜1600℃で焼成し、冷却後、分散処理することにより、前記一般式で表される本発明の蛍光体を得る。 After filling the raw material mixture in a crucible, in a reducing atmosphere, and fired at 1200 to 1600 ° C., after cooling, by a dispersion treatment to obtain a phosphor of the present invention represented by the general formula.

蛍光体原料として、酸化物又は熱分解により酸化物となる炭酸塩、水酸化物等の化合物が好ましく用いられる。 As phosphor materials, carbonates become oxides by oxide or thermal decomposition, compounds such as hydroxides are preferably used. また、蛍光体原料として、蛍光体を構成する各金属元素を全部又は一部含む共沈物を用いることもできる。 Further, as the phosphor material, it is also possible to use a co-precipitate comprising the whole or a part of the respective metal elements constituting the phosphor. 例えば、これらの元素を含む水溶液にアルカリ、炭酸塩等の水溶液を加えると共沈物が得られるが、これを乾燥又は熱分解して用いることができる。 For example, alkaline aqueous solution containing these elements, but coprecipitate is obtained and adding an aqueous solution, such as carbonates, can be used which drying or by thermal decomposition. また、フラックスとしてはフッ化物、ホウ酸塩等が好ましく、蛍光体原料100重量部に対し0.01〜1.0重量部の範囲で添加する。 As the flux fluoride, borate or the like are preferred, with respect to the phosphor material 100 parts by weight added in the range of 0.01 to 1.0 parts by weight. 焼成雰囲気は、付活剤のセリウムが酸化されない還元性雰囲気が好ましい。 Firing atmosphere is a reducing atmosphere cerium activator is not oxidized is preferred. 水素濃度が3.0体積%以下の水素・窒素の混合ガス雰囲気がより好ましい。 A mixed gas atmosphere of hydrogen concentration of 3.0 vol% or less of the hydrogen-nitrogen is more preferred. 焼成温度は1200〜1600℃が好ましく、目的の中心粒径の蛍光体を得ることができる。 The firing temperature is preferably 1200 to 1600 ° C., can be obtained phosphor median particle size of interest. より好ましくは1300〜1500℃である。 More preferably 1300~1500 ℃.

本発明の蛍光体は、一般式が(Lu 1−a−b (Al 1−c Ga 12 (但し、RはCeを必須とする少なくとも1種以上の希土類元素であり、MはSc、Y、La、Gdから選択される少なくとも1種の元素であり、0.0001≦a≦0.5、0≦b≦0.5、0.0001≦a+b<1、0≦c≦0.8である。)で表される蛍光体である。 Phosphor of the present invention, the general formula (Lu 1-a-b R a M b) 3 (Al 1-c Ga c) 5 O 12 ( provided that at least one or more rare earth R is as essential to Ce an element, M is Sc, Y, La, at least one element selected from Gd, 0.0001 ≦ a ≦ 0.5,0 ≦ b ≦ 0.5,0.0001 ≦ a + b <1 a phosphor represented by a 0 ≦ c ≦ 0.8.). Rは付活剤であり、Ceを必須とする少なくとも1種以上の希土類元素であって、具体的には、Ce、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lrである。 R is an activator, and at least one more rare earth element essentially including Ce, specifically, Ce, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er , Tm, Yb, is Lr. RはCeのみでもよいが、CeとCe以外の希土類元素から選ばれる少なくとも1種以上の元素とを含んでいてもよい。 R may be only a Ce but may contain at least one element selected from rare earth elements other than Ce and Ce. Ce以外の希土類元素は、共付活剤として作用するためである。 Rare earth elements other than Ce is to act as a co-activator. ここで、Rには、CeがR全量に対し70mol%以上含有されていることが好ましい。 Here, the R, it is preferable that Ce is contained more than 70 mol% relative to R the total amount. a値(R量)は、0.0001≦a≦0.5が好ましく、0.0001未満では発光輝度が低下し、0.5を越えても濃度消光によって発光輝度が低下する。 a value (R value) is preferably 0.0001 ≦ a ≦ 0.5, is less than 0.0001 reduces the emission brightness, emission luminance is lowered by even concentration quenching beyond 0.5. より好ましくは、0.001≦a≦0.4、さらに好ましくは、0.005≦a≦0.2である。 More preferably, 0.001 ≦ a ≦ 0.4, more preferably 0.005 ≦ a ≦ 0.2. b値(M量)は、0≦b≦0.5が好ましく、より好ましくは0≦b≦0.4であり、さらに好ましくは0≦b≦0.3である。 b value (M quantity) is preferably 0 ≦ b ≦ 0.5, more preferably 0 ≦ b ≦ 0.4, more preferably from 0 ≦ b ≦ 0.3. 例えば、MがYの場合、b値が0.5を越えると長波長紫外線〜短波長可視光、特に360〜410nm励起による発光輝度が非常に低下してしまう。 For example, M is the case of Y, the b value exceeds 0.5 UVA-short-wavelength visible light, the light emission luminance due to particular 360~410nm excitation results in very reduced. c値(Ga量)は、0≦c≦0.8が好ましく、より好ましくは0≦c≦0.5であり、さらに好ましくは0≦c≦0.3である。 c value (Ga amount) is preferably from 0 ≦ c ≦ 0.8, more preferably 0 ≦ c ≦ 0.5, more preferably from 0 ≦ c ≦ 0.3. c値が0.8を越えると発光波長は短波長にシフトし、発光輝度が低下する。 The emission wavelength c value exceeds 0.8 is shifted to the short wavelength, emission luminance decreases.

本発明の蛍光体の中心粒径は1〜100μmの範囲が好ましく、より好ましくは5〜50μmの範囲であり、さらに好ましくは5〜15μmの範囲である。 Phosphor mean particle diameter of the present invention is preferably in the range of 1 to 100 [mu] m, more preferably in the range of 5 to 50 [mu] m, more preferably in the range of 5 to 15 [mu] m. 1μmより小さい蛍光体は、凝集体を形成しやすい傾向にある。 1μm smaller phosphor is formed prone to aggregate. これに対し、5〜50μmの粒径範囲の蛍光体は、光の吸収率及び変換効率が高く、発光層も形成しやすい。 In contrast, the phosphor of 5~50μm particle size range has a high absorption rate and conversion efficiency of light, the light emitting layer is also easily formed. このように、光学的に優れた特徴を有する粒径の大きな蛍光体を含有させることにより、発光装置の量産性も向上する。 Thus, by incorporating a large phosphor particle size having an optically excellent characteristics is also improved mass productivity of the light emitting device. ここで、中心粒径とは、体積基準粒度分布曲線において積算値が50%のときの粒径値であり、体積基準粒度分布曲線は、レーザ回折・散乱法により粒度分布を測定し得られるもので、具体的には、気温25℃、湿度70%の環境下において、濃度が0.05%であるヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液に各物質を分散させ、レーザ回折式粒度分布測定装置(SALD−2000A)により、粒径範囲0.03μm〜700μmで測定することにより得られる。 Here, the center particle size is a particle size value when the integrated value of 50% in the volume-based particle size distribution curve, volume-based particle size distribution curve is obtained by measuring the particle size distribution by a laser diffraction scattering method in, specifically, the temperature 25 ° C., in 70% under environmental humidity, concentration of dispersing the respective materials sodium hexametaphosphate aqueous solution is 0.05%, a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus (SALD-2000A) by obtained by measuring in a size range 0.03Myuemu~700myuemu. また、上記中心粒径値を有する蛍光体が頻度高く含有されていることが好ましく、頻度値は20%〜50%が好ましい。 Further, it is preferable that a phosphor having the central particle size value is contained high frequency, frequency value is preferably 20% to 50%. このように粒径のバラツキが小さい蛍光体を用いることにより、より色ムラが抑制され良好な色調を有する発光装置が得られる。 Thus, by using the small variation phosphor particle size, the light emitting device is obtained having a good color tone more color unevenness is suppressed.

図1に、実施例1、4及び8で得られる本発明の蛍光体と、比較例1のYAG蛍光体について、460nm青色光により励起した場合の発光スペクトルを示す。 1, the phosphor of the present invention obtained in Examples 1, 4 and 8, the YAG phosphor of Comparative Example 1, the emission spectrum when excited by 460nm blue light. 曲線A(実施例1)、B(実施例4)、C(実施例8)は、一般式がそれぞれ(Lu 0.99 Ce 0.01 Al 12 、(Lu 0.90 Ce 0.10 Al 12 、(Lu 0.99 Ce 0.01 (Al 0.5 Ga 0.512で表される本発明の蛍光体の発光スペクトルであり、曲線D(比較例1)は一般式が(Y 0.95 Ce 0.05 Al 12で表されるYAG蛍光体の発光スペクトルである。 Curve A (Example 1), B (Example 4), C (Example 8), the general formula, respectively (Lu 0.99 Ce 0.01) 3 Al 5 O 12, (Lu 0.90 Ce 0 .10) 3 Al 5 O 12, an emission spectrum of the phosphor of the present invention represented by (Lu 0.99 Ce 0.01) 3 ( Al 0.5 Ga 0.5) 5 O 12, curve D (Comparative example 1) is the emission spectrum of the YAG phosphor of the general formula expressed by (Y 0.95 Ce 0.05) 3 Al 5 O 12. この図から、曲線DのYAG蛍光体は発光ピーク波長が567nmの黄色発光であり、曲線A、B、Cの本発明の蛍光体は発光ピーク波長がそれぞれ530nm、536nm、507nmの緑色系発光であることがわかる。 From this figure, YAG phosphor curve D is a yellow light having an emission peak wavelength of 567 nm, curve A, B, the phosphor of the present invention the C is 530nm emission peak wavelengths of which are, 536 nm, a green light-emitting of 507nm there it can be seen. 本発明では、蛍光体の組成を(Lu 1−a−b Ce (Al 1−c Ga 12 (但し、MはSc、Y、La、Gdから選択される少なくとも1種の元素であり、0.0001≦a≦0.5、0≦b≦0.5、0.0001≦a+b<1、0≦c≦0.8である。)に調製することにより、発光ピーク波長が500〜560nmの範囲の緑色系(緑色〜黄がかった緑色)に発光する蛍光体を得ることができる。 At least in the present invention, the composition of the phosphor (Lu 1-a-b Ce a M b) 3 (Al 1-c Ga c) 5 O 12 ( where, M is selected Sc, Y, La, from Gd a one element, by preparing the that.) at 0.0001 ≦ a ≦ 0.5,0 ≦ b ≦ 0.5,0.0001 ≦ a + b <1,0 ≦ c ≦ 0.8, emission peak wavelength can be obtained a phosphor that emits green light in the range of 500 to 560 nm (green green to yellow-tinged). 例えば、実施例1の蛍光体において、MとしてY又はGdを添加し、M量を0≦b≦0.5の範囲で増加すると、発光ピーク波長は530nmから560nmまで長波長に移動し、全体の発光波長も長波長にシフトする。 For example, the phosphor of Example 1, addition of Y or Gd as M, when the M content increased in the range of 0 ≦ b ≦ 0.5, emission peak wavelength moves to the long wavelength from 530nm to 560 nm, the entire emission wavelength also shifts to the long wavelength. 逆に、実施例1の蛍光体において、Alの一部をGaで置換し、Ga量を0≦c≦0.8の範囲で増加すると、発光ピーク波長は530nmから500nmまで短波長に移動し、全体の発光波長も短波長にシフトする。 Conversely, in the phosphor of Example 1, by substituting a part of Al in Ga, if the Ga amount is increased in the range of 0 ≦ c ≦ 0.8, emission peak wavelength moves to a shorter wavelength from 530nm to 500nm , the emission wavelength of a whole, shifts to shorter wavelengths.

図2に、上記蛍光体について、各蛍光体の発光ピーク波長における励起スペクトルを示す。 2, for the phosphor shows the excitation spectrum at an emission peak wavelength of each fluorophore. この図から、曲線DのYAG蛍光体は励起ピーク波長が(342nmと462nm)であり、曲線A、B、Cの本発明の蛍光体は励起ピーク波長がそれぞれ(350nmと440nm)、(352nmと428nm)、(350nmと436nm)であって、紫外域の励起スペクトルは本発明の蛍光体はYAG蛍光体よりも長波長側にあり、逆に可視域の励起スペクトルは本発明の蛍光体はYAG蛍光体よりも短波長側にあることがわかる。 From this figure, YAG phosphor curve D is the excitation peak wavelength (342 nm and 462 nm), the curve A, B, the phosphor of the present invention the C is an excitation peak wavelengths, respectively (and 350 nm 440 nm), and (352 nm 428 nm), (a 350nm and 436 nm), the excitation spectrum of the ultraviolet region is in the phosphor longer wavelength side than the YAG phosphor of the present invention, the phosphor is YAG excitation spectrum in the visible region the invention conversely it can be seen that than phosphor in the short wavelength side. 本発明では、蛍光体の組成を(Lu 1−a−b Ce (Al 1−c Ga 12 (但し、MはSc、Y、La、Gdから選択される少なくとも1種の元素であり、0.0001≦a≦0.5、0≦b≦0.5、0.0001≦a+b<1、0≦c≦0.8である。)に調製することにより、励起ピーク波長が340〜360nmと420〜460nmの範囲にある蛍光体を得ることができる。 At least in the present invention, the composition of the phosphor (Lu 1-a-b Ce a M b) 3 (Al 1-c Ga c) 5 O 12 ( where, M is selected Sc, Y, La, from Gd a one element, by preparing the that.) at 0.0001 ≦ a ≦ 0.5,0 ≦ b ≦ 0.5,0.0001 ≦ a + b <1,0 ≦ c ≦ 0.8, excitation peak wavelength can be obtained a phosphor in a range of 340~360nm and 420~460Nm. 例えば、紫外域の励起スペクトルについては、実施例1の蛍光体において、MとしてY又はGdを添加し、M量を0≦b≦0.5の範囲で増加すると、励起ピーク波長は350nmから345nmまで短波長に移動し、全体の励起波長も短波長にシフトする。 For example, 345 nm for the excitation spectrum of the ultraviolet region, in the phosphor of Example 1, addition of Y or Gd as M, when the M content increased in the range of 0 ≦ b ≦ 0.5, the excitation peak wavelength from 350nm until moved to the short wavelength, it shifts the excitation wavelength of the whole in a short wavelength.

図2に示した蛍光体はいずれも蛍光ランプの主要励起源である254nm付近ではほとんど励起されず、蛍光ランプ用の蛍光体としては適していない。 Phosphor shown in FIG. 2 is hardly excited at 254nm around a major excitation source of both fluorescent lamps are not suitable as a phosphor for fluorescent lamps. しかしながら、高圧水銀ランプの主要励起源である365nm付近ではYAG蛍光体の発光効率が低いのに対し、本発明の蛍光体は発光効率が非常に高い。 However, the 365nm near a major excitation source of a high-pressure mercury lamp while a low emission efficiency of the YAG phosphor, the phosphor of the present invention is luminous efficiency is very high. 例えば、365nm励起による発光輝度(相対値)は、比較例1のYAG蛍光体の輝度を100%にすると、実施例1の蛍光体の輝度は449%と非常に高くなる。 For example, light emission luminance (relative value) by 365nm excitation, when the luminance of the YAG phosphor of Comparative Example 1 at 100%, the brightness of the phosphor of Example 1 becomes very high and 449%. また、本発明の蛍光体はYAG蛍光体に比べ360nm付近のブラックライトによる発光効率も高い。 The phosphor of the present invention the luminous efficiency is high due to black light near 360nm as compared to the YAG phosphor. 例えば、360nm励起による発光輝度(相対値)は、比較例1のYAG蛍光体の輝度を100%にすると、実施例1の蛍光体の輝度は446%と非常に高くなる。 For example, light emission luminance (relative value) by 360nm excitation, when the luminance of the YAG phosphor of Comparative Example 1 at 100%, the brightness of the phosphor of Example 1 becomes very high and 446%. このように本発明の蛍光体は波長域300〜390nmの長波長紫外線により効率よく励起され発光するため、発光スクリーンや高圧水銀ランプなどの発光装置に好適に用いることができる。 The phosphor as in the present invention for emitting light is efficiently excited by long wavelength ultraviolet light in the wavelength range 300~390Nm, it can be suitably used for a light-emitting device such as a luminescent screen and a high-pressure mercury lamp. また、この波長域の長波長紫外線を放射する発光ダイオードを組み合わせると、発光色が緑色系(緑色〜黄がかった緑色)のLEDが得られ、さらに他の発光色の蛍光体を加えると種々の発光色のLEDが得られる。 Also, the combination of light-emitting diodes emitting long wavelength ultraviolet light in this wavelength range, emission color obtained LED greenish (green to green yellow-tinged), various further adding another emission color phosphor LED emission colors can be obtained.

図3に、(Lu 0.95−b Ce 0.05 Al 12蛍光体において、Y量を0≦b≦0.95の範囲で変化させたときの365nm励起による相対輝度とb値(Y量)の関係を示す。 3, at (Lu 0.95-b Ce 0.05 Y b) 3 Al 5 O 12 phosphor, relative luminance by 365nm excitation when the Y content was varied in the range of 0 ≦ b ≦ 0.95 and it shows the relationship of b value (Y value). この図から、b値(Y量)が小さいほど発光輝度が高くなっていることがわかる。 From this figure, it can be seen that the light emission luminance higher b value (Y value) is small is high. また、b値は0≦b≦0.5が好ましく、より好ましくは0≦b≦0.4であり、さらに好ましくは0≦b≦0.3であることがわかる。 Further, b value is preferably 0 ≦ b ≦ 0.5, more preferably 0 ≦ b ≦ 0.4, it can be seen that even more preferably 0 ≦ b ≦ 0.3.

図4に、本発明の蛍光体と、比較としてYAG系蛍光体について、365nm紫外線により励起した場合の発光スペクトルを示す。 Figure 4 shows the phosphor of the present invention, the YAG-based phosphor as a comparison, an emission spectrum when excited by 365nm UV. 曲線Eは、一般式が(Lu 0.95 Ce 0.05 (Al 0.5 Ga 0.512で表される本発明の蛍光体の発光スペクトルであり、曲線Fは一般式が(Y 0.99 Ce 0.01 (Al 0.5 Ga 0.512で表されるYAG系蛍光体の発光スペクトルである。 Curve E is the emission spectrum of the phosphor of the present invention of the general formula expressed by (Lu 0.95 Ce 0.05) 3 ( Al 0.5 Ga 0.5) 5 O 12, the curve F is generally the emission spectrum of formula (Y 0.99 Ce 0.01) 3 ( Al 0.5 Ga 0.5) YAG -based phosphor represented by 5 O 12. この図から、YAG蛍光体のAlの一部をGaで置換した曲線Fの(Y 0.99 Ce 0.01 (Al 0.5 Ga 0.512蛍光体は、本発明の曲線Eの(Lu 0.95 Ce 0.05 (Al 0.5 Ga 0.512蛍光体と同様に緑色系に発光するものの、発光輝度は本発明の蛍光体に比べ非常に低いことがわかる。 From this figure, a part of Al of the YAG phosphor curve F was replaced with Ga (Y 0.99 Ce 0.01) 3 (Al 0.5 Ga 0.5) 5 O 12 phosphors present invention although the (Lu 0.95 Ce 0.05) of the curve E 3 (Al 0.5 Ga 0.5) 5 O 12 emits the phosphor and green light as well, the emission luminance than the phosphor of the present invention very low it can be seen. このようにYAG系蛍光体においても本発明の蛍光体と同様な発光色の蛍光体を得ることはできるが、本発明の蛍光体に比べ発光輝度が低くなる。 This can also be obtained phosphor similar emission color phosphor of the present invention in a YAG phosphor, the emission luminance is lower than the phosphor of the present invention. 特に、波長域が360〜410nmの範囲の長波長紫外線〜短波長可視光で励起したときにYAG系蛍光体との発光輝度の差が大きくなる。 In particular, the difference in emission luminance between the YAG fluorescent material is increased when the wavelength range excited by long wavelength ultraviolet light-short-wavelength visible light in the range of 360~410Nm.

また、図2から明らかなように、本発明の蛍光体は波長域390〜550nmの短波長可視光でも効率よく励起され発光するため、この波長域に発光する発光ダイオードと組み合わせることによって、発光ダイオードの可視光とこの可視光により励起され蛍光体が放射する発光が混合された種々の発光色のLEDが得られる。 Moreover, as is clear from FIG. 2, for the phosphor is also efficiently excited by short-wavelength visible light in the wavelength range 390~550nm emission of the present invention, by combining a light emitting diode that emits the wavelength region, the light emitting diode various emission color of the LED excited phosphor with visible light and the visible light is mixed luminescence radiation is obtained. 例えば、発光ピーク波長が400nmの窒化ガリウム系半導体からなる発光ダイオードと、本発明の実施例1の緑色系発光蛍光体と、(Mg,Ca,Sr,Ba) Si :Eu赤色系発光蛍光体を組み合わせると、発光色が白色のLEDが得られる。 For example, a light emitting diode peak emission wavelength is composed of a gallium nitride-based semiconductor of 400 nm, a green light-emitting phosphor of Example 1 of the present invention, (Mg, Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8: Eu red combining light emitting phosphor, the emission color is white LED can be obtained. このLEDは、従来の青色発光の発光ダイオードと黄色発光のYAG蛍光体を組み合わせた白色LEDに比べて、演色性が非常に優れている。 The LED, as compared to the white LED that combines YAG phosphor emitting diode and yellow light of a conventional blue-emitting color rendering property is extremely excellent.

図5に、本発明の蛍光体と、比較としてYAG系蛍光体について、室温(25℃)から300℃まで変化させたときの温度特性を示す。 5, the phosphor of the present invention, the YAG-based phosphor as a comparison, the temperature characteristics when changing to 300 ° C. from room temperature (25 ° C.). 横軸に温度(℃)を、縦軸に460nm励起による相対輝度(25℃での発光輝度を100%とする相対値)を示す。 The temperature (℃) on the horizontal axis shows relative luminance (relative value to 100% light emission luminance at 25 ° C.) by 460nm excitation on the vertical axis. 曲線Gは、一般式が(Lu 0.95 Ce 0.05 Al 12で表される本発明の蛍光体の温度特性であり、曲線Hは一般式が(Y 0.95 Ce 0.05 Al 12で表されるYAG蛍光体の温度特性である。 Curve G has the general formula is a temperature characteristics of the phosphor of the present invention represented by (Lu 0.95 Ce 0.05) 3 Al 5 O 12, the curve H is the general formula (Y 0.95 Ce 0 .05) is a temperature characteristic of the YAG phosphor represented by 3 Al 5 O 12. この図から、本発明の蛍光体はYAG蛍光体に比べて温度特性が非常に優れており、特に高温になるほどその差が大きいことがわかる。 From this figure, the phosphor of the present invention has a temperature characteristic is excellent as compared with the YAG phosphor, it is understood as that the difference is greater, especially at high temperatures. 発光ダイオードや高圧水銀ランプなどの発光装置では温度が変化しても発光特性への影響が少ないことが要求されるため、本発明の蛍光体はこれらの発光装置に好適に用いることができる。 Since it is required to significantly affect the emission properties are also temperature in the light emitting device such as a light emitting diode or a high-pressure mercury lamp is changed, the phosphor of the present invention can be suitably used for the light-emitting device.

図6に、(Lu 0.95−b Ce 0.05 Al 12蛍光体において、Y量を0≦b≦0.95の範囲で変化させたときの300℃での460nm励起による相対輝度とb値(Y量)の関係を示す。 6, in (Lu 0.95-b Ce 0.05 Y b) 3 Al 5 O 12 phosphor, 460 nm at 300 ° C. when the Y content was varied in the range of 0 ≦ b ≦ 0.95 exciting shows a relationship between the relative luminance and b value (Y value) by. この図から、b値(Y量)が小さいほど発光輝度が高くなっており、温度特性が優れていることがわかる。 From this figure, as the b value (Y value) is less emission brightness and becomes high, it can be seen that the temperature characteristic is excellent. また、b値は0≦b≦0.5が好ましく、より好ましくは0≦b≦0.4であり、さらに好ましくは0≦b≦0.3であることがわかる。 Further, b value is preferably 0 ≦ b ≦ 0.5, more preferably 0 ≦ b ≦ 0.4, it can be seen that even more preferably 0 ≦ b ≦ 0.3. また、a値、c値については、温度特性、発光特性の両面から0.0001≦a≦0.5、0≦c≦0.8の範囲が好ましい。 Further, a value, for c value, temperature characteristics, ranging both sides from 0.0001 ≦ a ≦ 0.5,0 ≦ c ≦ 0.8 for the light emitting characteristics are preferred.

このように、本発明の蛍光体は温度特性が良く、LED発光装置に用いたとき、LEDチップの昇温や外部環境からの加熱など高温にさらされても発光効率の低下が少ないため、温度による変色(色ずれ)を少なくすることができる。 Thus, the phosphor of the present invention has good temperature characteristics, when used in the LED device, the decrease in emission efficiency even when exposed to high temperature such as heating from the heating and the external environment of the LED chip is small, the temperature it is possible to reduce discoloration (color deviation) due.

次に、本発明の蛍光体について、日立蛍光分光光度計MPF−4を用いて分光反射率を測定し、分光反射率曲線を図7に示す。 Next, the phosphor of the present invention, the spectral reflectance was measured with a Hitachi fluorescence spectrophotometer MPF-4, it shows a spectral reflectance curve in FIG. 曲線I、J、K、Lは、一般式がそれぞれ(Lu 0.99 Ce 0.01 Al 12 、(Lu 0.95 Ce 0.05 Al 12 、(Lu 0.750.2 Ce 0.05 Al 12 、(Lu 0.99 Ce 0.01 (Al 0.8 Ga 0.212で表される本発明の蛍光体の分光反射率曲線である。 Curve I, J, K, L has the general formula, respectively (Lu 0.99 Ce 0.01) 3 Al 5 O 12, (Lu 0.95 Ce 0.05) 3 Al 5 O 12, (Lu 0. 75 Y 0.2 Ce 0.05) 3 Al 5 O 12, the phosphor of the present invention represented by (Lu 0.99 Ce 0.01) 3 ( Al 0.8 Ga 0.2) 5 O 12 a spectral reflectance curve. この図から、本発明の蛍光体において、紫外域の吸収はY量よりもGa量、Ce量の影響が大きいことがわかる。 From this figure, in the phosphor of the present invention, the absorption of ultraviolet region is seen that Ga content than Y amount, the influence of the Ce amount large. そして、本発明の蛍光体は分光反射率が下記の範囲にある。 Then, the phosphor of the present invention is the spectral reflectance in the range below.
320nmにおける分光反射率が30〜80% Spectral reflectance at 320nm is 30% to 80%
350nmにおける分光反射率が10〜50% Spectral reflectance at 350nm is 10% to 50%
380nmにおける分光反射率が50〜90% Spectral reflectance at 380nm is 50-90%
(但し、各波長における分光反射率は標準白色の硫酸バリウムの各波長における分光反射率の値を100%として測定される値) (However, the spectral reflectance at each wavelength is measured the value of the spectral reflectance in standard white of each wavelength barium sulfate as 100% value)

図8に、(Lu 0.95 Ce 0.05 (Al 1−c Ga 12蛍光体において、Ga量を変化させたときの350nmにおける反射率(%)とc値(Ga量)の関係を示す。 Figure 8, (Lu 0.95 Ce 0.05) 3 in (Al 1-c Ga c) 5 O 12 phosphor, reflectance at 350nm when changing the Ga amount (%) and c value (Ga It shows a relationship between the amount). この図から、反射率は0≦c≦0.8の範囲で低くなっており、この範囲において350nm紫外線の吸収が大きいことがわかる。 From this figure, the reflectance is lower in the range of 0 ≦ c ≦ 0.8, it can be seen that a large absorption of 350nm UV in this range. また、c値は0≦c≦0.5の範囲が好ましく、0≦c≦0.3の範囲がより好ましいことがわかる。 Further, c value is preferably in the range of 0 ≦ c ≦ 0.5, 0 range of ≦ c ≦ 0.3 and more preferably it is seen. なお、c値が0.8を越えると蛍光体の発光波長が短波長にシフトし、発光輝度が低下するため好ましくない。 The emission wavelength of the phosphor when the c value exceeds 0.8 is shifted to a short wavelength, it is not preferable since the light emission luminance is lowered. また、紫外域の吸収はCe量の増加とともに大きくなるが、a値(Ce量)が0.0001未満又は0.5より大きいと蛍光体の発光輝度が低下するため、0.0001≦a≦0.5の範囲が好ましい。 Further, since the absorption of ultraviolet region is increased with increasing Ce content, that a value (Ce amount) decreases the emission luminance of 0.0001 or less than 0.5 greater than the phosphor, 0.0001 ≦ a ≦ range of 0.5 is preferred. なお、b値(Y量)については発光輝度から0≦b≦0.5の範囲が好ましい。 Incidentally, b values ​​for (Y amount) in the range of 0 ≦ b ≦ 0.5 from the emission luminance is preferable.

このように、a値(Ce量)、b値(Y量)及びc値(Ga量)を特定の範囲に調整することで、発光輝度が高く、紫外域の吸収の大きい蛍光体を得ることができる。 Thus, a value (Ce amount), by adjusting the b value (Y value) and c values ​​(Ga amount) to a specific range, high emission luminance, obtaining large phosphor absorption ultraviolet range can. 従って、本発明の蛍光体をGaNのような紫外域にバンド間発光する発光素子と共に用いた場合、紫外線による樹脂の劣化が少ないLED発光装置を得ることができる。 Accordingly, when used with the light emitting element which emits between band phosphor ultraviolet such as GaN of the present invention, it is possible to obtain an LED light-emitting device is small deterioration of the resin due to ultraviolet rays.

(発光装置) (Light-emitting device)
本発明の発光装置はLEDや高圧水銀ランプなどの発光装置であるが、ここではLED発光装置について説明する。 The light emitting device of the present invention is a light emitting device such as an LED or a high pressure mercury lamp, it will be described here LED device. この発光装置は、本発明の蛍光体又は本発明の蛍光体を含む混合蛍光体と、300nmから550nmの波長域に発光する半導体発光素子を組み合わせてなる発光装置であって、半導体発光素子としてはZnSeやGaNなど種々の半導体が挙げられるが、窒化ガリウム系半導体が好ましく用いられる。 The light-emitting device, a phosphor or a light emitting device formed by combining a semiconductor light emitting element emitting phosphor and a phosphor mixture containing, from 300nm to 550nm wavelength region of the present invention of the present invention, as the semiconductor light emitting element It includes various semiconductors such as ZnSe or GaN, but the gallium nitride-based semiconductor is preferably used. 本発明のLED発光装置の一例として、図9に砲弾型の発光装置、図10に表面実装型の発光装置をそれぞれ示し、これらの図を用いて説明する。 As an example of a LED light-emitting device of the present invention, it shows a light-emitting device of the bullet type 9, the light emitting device of surface-mount 10, respectively, will be described with reference to these drawings.

(砲弾型の発光装置) (Bullet-type light-emitting device)
図9に示すように、この発光装置は、サファイア基板1の上部に積層された半導体層2と、該半導体層2に形成された正負の電極3から延びる導電性ワイヤ14で導電接続されたリードフレーム13と、該サファイア基板1と該半導体層2とから構成される発光素子10の外周を覆うようにリードフレーム13aのカップ内に設けられた蛍光体11とコーティング部材12と、該蛍光体11及び該リードフレーム13の外周面を覆うモールド部材15と、から構成されている。 As shown in FIG. 9, the light emitting device includes a semiconductor layer 2 laminated on top of the sapphire substrate 1, a conductive connection to a lead of a conductive wire 14 extending from the positive and negative electrode 3 formed on the semiconductor layer 2 a frame 13, a phosphor 11 and the coating member 12 provided on the sapphire substrate 1 and the cup of the lead frame 13a so as to cover the outer periphery of the formed light-emitting element 10 from the semiconductor layer 2 which, the phosphor 11 and a molding member 15 covering the outer peripheral surface of the lead frame 13, and a.

サファイア基板1上に半導体層2が形成され、該半導体層2の同一平面側に正負の電極3が形成されている。 The semiconductor layer 2 is formed on a sapphire substrate 1, the positive and negative electrode 3 on the same plane side of the semiconductor layer 2 is formed. 前記半導体層2には、発光層(図示しない)が設けられており、この発光層から出力される発光ピーク波長は、紫外から青色域の発光スペクトルを有する。 Wherein the semiconductor layer 2, the light emitting layer (not shown) is provided, the emission peak wavelength outputted from the light-emitting layer has an emission spectrum in the blue region from ultraviolet.

この発光素子10をダイボンダーにセットし、カップが設けられたリードフレーム13aにフェイスアップしてダイボンド(接着)する。 Set this light-emitting element 10 to the die bonder, and face-up on the lead frame 13a which cup is provided for die bonding (adhesion). ダイボンド後、リードフレーム13をワイヤーボンダーに移送し、発光素子の負電極3をカップの設けられたリードフレーム13aに金線でワイヤーボンドし、正電極3をもう一方のリードフレーム13bにワイヤーボンドする。 After die bonding, transfer the lead frame 13 in a wire bonder, the negative electrode 3 of the light emitting element is wire-bonded by gold wires to a lead frame 13a provided with the cup, for wire bonding the positive electrode 3 to the other lead frame 13b .

次に、モールド装置に移送し、モールド装置のディスペンサーでリードフレーム13のカップ内に蛍光体11及びコーティング部材12を注入する。 Then transferred to a molding apparatus, injecting the phosphor 11 and the coating member 12 in the cup of the lead frame 13 by a dispenser of the molding apparatus. 蛍光体11とコーティング部材12とは、あらかじめ所望の割合に均一に混合しておく。 The phosphor 11 and the coating member 12, previously uniformly mixed in advance the desired proportions.

蛍光体11注入後、あらかじめモールド部材15が注入されたモールド型枠の中にリードフレーム13を浸漬した後、型枠をはずして樹脂を硬化させ、図9に示すような砲弾型の発光装置とする。 After phosphor 11 injection was immersed lead frame 13 in advance molding member 15 is injected the mold frame, and remove the mold to cure the resin, and shell-type light-emitting device as shown in FIG. 9 to.

(表面実装型の発光装置) (Surface-mounted light-emitting device)
表面実装型の発光装置について、図10を用いて説明する。 The surface-mounted light-emitting device will be described with reference to FIG. 10. 発光素子として紫外から青色域に発光する窒化物半導体発光素子を用いることができるが、ここでは、紫外発光の発光素子101を例にとって説明する。 Although the ultraviolet as a light-emitting element may be a nitride semiconductor light emitting device that emits blue light region, here, the following description about the light emitting device 101 of the ultraviolet emission as an example. 発光素子101は、発光層として発光ピーク波長が約370nmのInGaN半導体を有する窒化物半導体発光素子を用いる。 The light emitting element 101, a nitride semiconductor light emitting device emission peak wavelength as the light emitting layer has an InGaN semiconductor approximately 370 nm. より具体的なLEDの素子構造としてサファイア基板上に、アンドープの窒化物半導体であるn型GaN層、Siドープのn型電極が形成されn型コンタクト層となるGaN層、アンドープの窒化物半導体であるn型GaN層、窒化物半導体であるn型AlGaN層、次に発光層を構成するInGaN層の単一量子井戸構造としてある。 On a sapphire substrate as a more specific LED element structure, n-type GaN layer is undoped nitride semiconductor, GaN layer n-type electrode is formed n-type contact layer of Si-doped, undoped nitride semiconductor are n-type GaN layer, n-type AlGaN layer which is a nitride semiconductor, then there as a single quantum well structure of InGaN layer constituting the light emitting layer. 発光層上にはMgがドープされたp型クラッド層としてAlGaN層、Mgがドープされたp型コンタクト層であるGaN層を順次積層させた構成としてある。 The on-emitting layer is a structure in which Mg-AlGaN layer, Mg are successively laminated a GaN layer is a p-type contact layer doped as p-type cladding layer doped. (なお、サファイア基板上には低温でGaN層を形成させバッファ層とさせてある。また、p型半導体は、成膜後400℃以上でアニールさせてある。)。 (Note that on the sapphire substrate are allowed to the buffer layer to form a GaN layer at low temperature. Further, p-type semiconductor is annealed at 400 ° C. or higher after the film formation.). エッチングによりサファイア基板上の窒化物半導体に同一面側で、pn各コンタクト層表面を露出させる。 In the same side the nitride semiconductor on the sapphire substrate by etching to expose the pn the contact layer surface. 露出されたn型コンタクト層の上にn電極を帯状に形成し、切除されずに残ったp型コンタクト層のほぼ全面に、金属薄膜から成る透光性p電極が形成され、さらに透光性p電極の上にはn電極と平行に台座電極がスパッタリング法を用いて形成されている。 The n electrode is formed in a band shape on the exposed n-type contact layer, over substantially the entire surface of the p-type contact layer that remains without being cut, translucent p electrode composed of a metal thin film is formed, further translucent parallel to the base electrode and the n electrode on the p-electrode is formed by sputtering.

次に、中央部に凹部を有し、且つ前記凹部の両側にコバール製のリード電極102が気密絶縁的に挿入固定されたベース部とからなるコバール製パッケージ105を用いる。 Then, having a recess in a central portion, and use of Kovar package 105 made of Kovar lead electrode 102 is composed of a base portion which is inserted and fixed hermetically insulated manner on both sides of the recess. 前記パッケージ105及びリード電極102の表面にはNi/Ag層が設けられている。 Ni / Ag layer is provided on the surface of the package 105 and the lead electrode 102. パッケージ105の凹部内に、Ag−Sn合金にて上述の発光素子101をダイボンドする。 In the recess of the package 105, it is die-bonded light emitting element 101 described above in Ag-Sn alloy. このように構成することにより、発光装置の構成部材を全て無機物とすることができ、発光素子101から放出される発光が紫外領域或いは可視光の短波長領域であったとしても飛躍的に信頼性の高い発光装置が得られる。 With this configuration, all the components of the light emitting device can be inorganic, dramatically reliability even emission was short wavelength region of the ultraviolet region or the visible light emitted from the light emitting element 101 high light-emitting device is obtained.

次に、ダイボンドされた発光素子101の各電極と、パッケージ凹部底面から露出された各リード電極102とをそれぞれAgワイヤ104にて電気的導通を取る。 Then, to electrically conductive and the electrodes of the light emitting element 101 is die-bonded, exposed and each lead electrode 102 at Ag wire 104 respectively from the package bottom surface of the recess. パッケージの凹部内の水分を十分に排除した後、中央部にガラス窓部107を有するコバール製リッド106にて封止しシーム溶接を行う。 After thoroughly eliminated package moisture in the recess of performing sealed seam welding at kovar lid 106 having a glass window portion 107 at the center portion. ガラス窓部には、あらかじめニトロセルロース90wt%とγ−アルミナ10wt%からなるスラリーに対して本発明の蛍光体又は本発明の蛍光体を含む混合蛍光体108を含有させ、リッド106の透光性窓部107の背面に塗布し、220℃にて30分間加熱硬化させることにより色変換部材を構成してある。 The glass window portion, is contained mixed phosphor 108 containing the phosphor of the phosphor of the invention or against slurry comprising pre nitrocellulose 90 wt% and γ- alumina 10 wt%, transparent lid 106 was applied to the back surface of the window portion 107, it is configured color conversion member by heat-curing for 30 minutes at 220 ° C.. このようにして、図10に示すような表面実装型の発光装置とすることができる。 In this way, it is possible to surface-mounted light-emitting device as shown in FIG. 10.

以下、本発明に係る発光装置の構成部材について詳述する。 It will be described in detail below components of the light-emitting device according to the present invention.
(蛍光体11、108) (Phosphor 11,108)
蛍光体11、108は、本発明の蛍光体が含まれている。 Phosphor 11,108 are included phosphor of the present invention. また、蛍光体11、108は、本発明の蛍光体と第2の蛍光体とを複数種組み合わせたものも使用することができる。 The phosphor 11,108 can also be used for the phosphor of the present invention and the second phosphor in combination of two or more. 第2の蛍光体としては、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、希土類酸硫化物蛍光体、硫化亜鉛蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体、窒化物蛍光体、オキシ窒化物蛍光体、Eu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくとも1種以上であることが好ましい。 The second phosphor, lanthanoid such as Eu, mainly alkaline-earth halogen apatite phosphor which is activated by transition metal elements such as Mn, alkaline earth metal borate halogen phosphor, an alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth silicate phosphors, rare earth oxysulfide phosphor, zinc sulfide phosphors, alkaline earth thiogallate phosphors, germanate salt phosphor mainly by lanthanoid elements such as Ce rare earth aluminate phosphors activated rare earth silicate phosphor, at least a nitride phosphor, oxynitride phosphor is selected from organic and organic complexes activated mainly with lanthanoid elements such as Eu that it is preferably 1 or more. 具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。 As a specific example, it is possible to use a phosphor, but are not limited thereto.

Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M (PO X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。 Eu like lanthanoid, by the mainly alkaline earth halogen apatite phosphors activated transition metal elements such as Mn, M 5 (PO 4) 3 X: R (M is, Sr, Ca, Ba , Mg, at least one element selected from Zn .X is, F, Cl, Br, .R at least one selected from I may, Eu, Mn, Eu and Mn, any one or more in it is.), and the like.

アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、M X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。 The alkaline earth metal borate halogen phosphor, M 2 B 5 O 9 X : R (M is at least one or more of Sr, Ca, Ba, Mg, selected from Zn .X is F, Cl , Br, at least one or more selected from I .R is, Eu, is Mn, Eu and Mn, any one or more.), and the like.

アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl :R、Sr Al 1425 :R、CaAl :R、BaMg Al 1627 :R、BaMg Al 1612 :R、BaMgAl 1017 :R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。 The alkaline earth metal aluminate phosphor, SrAl 2 O 4: R, Sr 4 Al 14 O 25: R, CaAl 2 O 4: R, BaMg 2 Al 16 O 27: R, BaMg 2 Al 16 O 12 : R, BaMgAl 10 O 17: R (. R is, Eu, Mn, is Eu and Mn, any one or more) and the like.

希土類酸硫化物蛍光体には、La S:Eu、Y S:Eu、Gd S:Euなどがある。 The rare earth oxysulfide phosphor, La 2 O 2 S: Eu , Y 2 O 2 S: Eu, Gd 2 O 2 S: Eu , and the like.

Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、Y Al 12 :Ce、(Y 0.8 Gd 0.2 Al 12 :Ce、Y (Al 0.8 Ga 0.212 :Ce、(Y,Gd) (Al,Ga) 12の組成式で表されるYAG系蛍光体などがある。 The rare earth aluminate phosphor which is mainly activated by a lanthanoid element such as Ce, Y 3 Al 5 O 12 : Ce, (Y 0.8 Gd 0.2) 3 Al 5 O 12: Ce, Y 3 (Al 0.8 Ga 0.2) 5 O 12: Ce, and the like (Y, Gd) 3 (Al , Ga) YAG -based phosphor represented by the composition formula of 5 O 12.

窒化物蛍光体には、M Si :Eu、MSi 10 :Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。 The nitride phosphor, M 2 Si 5 N 8: Eu, MSi 7 N 10: Eu (. M is the Sr, is Ca, Ba, Mg, at least one selected from Zn) and the like.

オキシ窒化物蛍光体には、MSi :Eu、M 1.8 Si 0.2 :Eu、M 0.9 Si 0.110 :Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。 The oxynitride phosphor, MSi 2 O 2 N 2: Eu, M 1.8 Si 5 O 0.2 N 8: Eu, M 0.9 Si 7 O 0.1 N 10: Eu (M is sr, it is Ca, Ba, Mg, at least one selected from Zn.) and the like.

その他の蛍光体には、ZnS:Eu、Zn GeO :Mn、MGa :Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。 Other phosphor, ZnS: Eu, Zn 2 GeO 4: Mn, MGa 2 S 4: Eu (M is Sr, Ca, Ba, Mg, at least one or more selected from Zn .X is F, Cl, Br, at least one selected from I.), and the like.

また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。 Further, a phosphor other than the phosphor may be a phosphor also be used with similar performance and effects. これらの第2の蛍光体として、発光素子10、101からの発光で励起され、青色、緑色、赤色に発光スペクトルを有する蛍光体を使用することができるほか、これらの中間色である青緑色、黄色、橙色などに発光スペクトルを有する蛍光体も使用することができる。 As second phosphor is excited by light emitted from the light emitting element 10, 101, blue, green, addition can be used a phosphor having an emission spectrum in the red, blue-green, yellow is these neutral , it can also be used a phosphor having an emission spectrum like orange. これらの第2の蛍光体を本発明の蛍光体と複数種組み合わせて使用することにより、種々の発光色を有する発光装置を製造することができる。 Second phosphor to by using a combination phosphor and a plurality of kinds of the present invention, it is possible to manufacture a light-emitting device having a different emission color.

図10の表面実装型の発光装置における蛍光体108の配置場所は発光素子101との位置関係において種々の場所に配置することができる。 Location of the phosphor 108 in the surface-mounted light-emitting device of FIG. 10 can be placed at various locations in the positional relationship between the light emitting element 101. 例えば、発光素子101を被覆するモールド材料中に、蛍光体108を含有させることができる。 For example, the mold material that covers the light emitting element 101 may contain a phosphor 108. また、発光素子101と蛍光体108とを、間隙をおいて配置しても良いし、発光素子101の上部に蛍光体108を、直接載置しても良い。 Further, a light emitting element 101 and the phosphor 108 may be arranged at a gap, a phosphor 108 on the upper portion of the light emitting element 101 may be placed directly.

(コーティング部材12、109) (Coating member 12,109)
蛍光体11、108は、有機材料である樹脂や無機材料であるガラスなど種々のコーティング部材(バインダー)を用いて、付着させることができる。 Phosphor 11,108, using various coating member such as glass is a resin or an inorganic material is an organic material (binder) can be attached. コーティング部材12、109は、蛍光体11、108を発光素子10、101や窓部107等に固着させるためのバインダーとしての役割を有することもある。 The coating member 12,109 may also have a role as a binder for fixing the phosphor 11,108 to the light emitting element 10, 101 and window 107, and the like. コーティング部材(バインダー)として有機物を使用する場合、具体的材料として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーンなどの耐候性に優れた透明樹脂が好適に用いられる。 When using an organic material as the coating member (binder), as a specific material, an epoxy resin, an acrylic resin, weather resistance excellent transparent resin such as silicone is preferably used. 特に、シリコーンを用いると、信頼性に優れ、且つ蛍光体11、108の分散性を向上させることができ好ましい。 In particular, the use of silicone, high reliability, and can improve the dispersibility of the phosphor 11,108 preferred.

また、コーティング部材(バインダー)12、109として、窓部107の熱膨張率と近似である無機物を使用すると、蛍光体108を良好に前記窓部107に密着させることができ好ましい。 Further, as the coating member (binder) 12,109, when using an inorganic material which is approximate to the thermal expansion coefficient of the window 107, can be brought into close contact with the phosphor 108 to better the window 107 preferably. 具体的方法として、沈降法やゾル−ゲル法、スプレー法等を用いることができる。 As a specific method, precipitation method or sol - gel method, or a spray method. 例えば、蛍光体11、108に、シラノール(Si(OEt) OH)、及びエタノールを混合してスラリーを形成し、該スラリーをノズルから吐出させた後、300℃にて3時間加熱してシラノールをSiO とし、蛍光体を所望の場所に固着させることができる。 For example, the phosphor 11,108, silanol (Si (OEt) 3 OH) , and ethanol mixture to form a slurry, after ejecting the slurry from the nozzle, and heated 3 hours at 300 ° C. silanol was a SiO 2, it is possible to fix the phosphor in a desired location.

また、無機物である結着剤をコーティング部材(バインダー)12、109として用いることもできる。 It is also possible to use a binder which is inorganic as the coating member (binder) 12,109. 結着剤とは、いわゆる低融点ガラスであり、微細な粒子であり、且つ紫外から可視領域の輻射線に対して吸収が少なく、コーティング部材(バインダー)12、109中にて極めて安定であることが好ましい。 It a binder, a so-called low melting point glass, a fine particle, and less absorption to radiation in the visible region from ultraviolet, is extremely stable in the coating member (binder) in 12,109 It is preferred.

また、粒径の大きな蛍光体をコーティング部材(バインダー)12、109に付着させる場合、融点が高くても粒子が超微粉体である結着剤、例えば、シリカ、アルミナ、あるいは沈殿法で得られる細かい粒度のアルカリ土類金属のピロリン酸塩、正リン酸塩などを使用することが好ましい。 Further, to obtain a large phosphor particle size if adhering to the coating member (binder) 12,109, binder be high melting point particles are ultrafine fine powder, such as silica, alumina, or by precipitation, fine granularity alkaline earth pyrophosphates metal to be, it is preferred to use like orthophosphate. これらの結着剤は、単独、若しくは互いに混合して用いることができる。 These binders may be used alone or together.

ここで、上記結着剤の塗布方法について述べる。 Here, we describe a method of applying the binder. 結着剤は、結着効果を十分に高めるため、ビヒクル中に湿式粉砕して、スラリー状にして、結着剤スラリーとして用いることが好ましい。 Binder, to increase the binding effect sufficiently, to wet grinding in a vehicle, in the slurry, it is preferable to use as a binder slurry. 前記ビヒクルとは、有機溶媒あるいは脱イオン水に少量の粘結剤を溶解して得られる高粘度溶液である。 And the vehicle is a high viscosity solution obtained by dissolving a small amount of binder in an organic solvent or deionized water. 例えば、有機溶媒である酢酸ブチルに対して粘結剤であるニトロセルロースを1wt%含有させることにより、有機系ビヒクルが得られる。 For example, nitrocellulose is a binder by containing 1 wt% with respect to butyl acetate as an organic solvent, an organic vehicle is obtained.

このようにして得られた結着剤スラリーに、蛍光体11、108を含有させて塗布液を作製する。 The binder slurry obtained in this way, to prepare a coating solution contain a phosphor 11,108. 塗布液中のスラリーの添加量は、塗布液中の蛍光体量に対してスラリー中の結着剤の総量が、1〜3wt%程度とすることができる。 The addition amount of the slurry in the coating solution, the total amount of the binder in the slurry of the phosphor amount in the coating liquid can be about 1 to 3 wt%. 光束維持率の低下を抑制するため、結着剤の添加量が少ない方が好ましい。 To suppress the decrease in luminous flux maintenance factor, it is preferable that a small amount of binder.

前記塗布液を前記窓部107の背面に塗布する。 Coating the coating liquid on the back of the window 107. その後、温風あるいは熱風を吹き込み乾燥させる。 Then it dried blowing warm air or hot air. 最後に400〜700℃の温度でベーキングを行い、前記ビヒクルを飛散させる。 Finally perform baking at a temperature of 400 to 700 ° C., to scatter the vehicle. これにより所望の場所に蛍光体層が結着剤にて付着される。 Thus, a phosphor layer is deposited at a binder to a desired location.

(発光素子10、101) (Light-emitting element 10, 101)
本発明において発光素子10、101は、蛍光体を効率よく励起可能な発光波長を発光できる発光層を有する半導体発光素子が好ましい。 Emitting element 10, 101 in the present invention, the semiconductor light emitting element preferably has a light-emitting layer capable of emitting light efficiently can excite emission wavelength of the phosphor. このような半導体発光素子の材料として、BN、SiC、ZnSeやGaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN、BAlGaN、BInAlGaNなど種々の半導体を挙げることができる。 As a material for such semiconductor light emitting device can include BN, SiC, ZnSe and GaN, InGaN, InAlGaN, AlGaN, BAlGaN, various semiconductors such as BInAlGaN. 同様に、これらの元素に不純物元素としてSiやZnなどを含有させ発光中心とすることもできる。 Similarly, it may be a luminescent center is contained Si or Zn as an impurity element to these elements. 蛍光体11、108を効率良く励起できる紫外領域から可視光の短波長を効率よく発光可能な発光層の材料として特に、窒化物半導体(例えば、AlやGaを含む窒化物半導体、InやGaを含む窒化物半導体としてIn Al Ga 1−X−Y N、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)がより好適に挙げられる。 In particular the short wavelength of visible light from the ultraviolet region that can efficiently excite the phosphor 11,108 as a material for efficiently capable of emitting light emitting layer, a nitride semiconductor (e.g., a nitride semiconductor containing Al and Ga, the In and Ga in X Al Y Ga 1-X -Y N, 0 ≦ X, 0 ≦ Y as a nitride semiconductor containing, X + Y ≦ 1) can be mentioned as more preferable.

また、半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やpn接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが好適に挙げられる。 As the structure of the semiconductor, MIS junction, homo structure with like PIN junction or pn junction, are preferably exemplified those hetero structure to heterostructure or double. 半導体層の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択することができる。 It can be variously selected emission wavelength by the material or its mixed crystal ratio of the semiconductor layer. また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることでより出力を向上させることもできる。 Further, the semiconductor active layer can be improved more output by a single quantum well structure or a multiple quantum well structure provided with thin layer (s) for quantum effect.

発光素子10、101に、窒化物半導体を使用した場合、半導体用基板にはサファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等の材料が好適に用いられる。 The light emitting element 10, 101, using the nitride semiconductor, the semiconductor substrate is sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, GaAs, materials such as GaN are preferably used. 結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイア基板を利用することが好ましい。 In order to form good mass productivity good nitride semiconductor crystallinity, it is preferable to use a sapphire substrate. このサファイア基板上にHVPE法やMOCVD法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。 Thereby forming a nitride semiconductor by using a HVPE method or MOCVD method to the sapphire substrate. サファイア基板上にGaN、AlN、GaAIN等の低温で成長させ非単結晶となるバッファ層を形成しその上にpn接合を有する窒化物半導体を形成させる。 GaN on the sapphire substrate, AlN, to form a nitride semiconductor having the buffer layer is formed to be grown non-single crystal at a low temperature such as GaAlN pn junction thereon.

窒化物半導体を使用したpn接合を有する紫外領域を効率よく発光可能な発光素子例として、バッファ層上に、サファイア基板のオリフラ面と略垂直にSiO をストライプ状に形成する。 As the light emitting element examples efficiency good emission permit ultraviolet region having a pn junction using the nitride semiconductor, on the buffer layer, forming a SiO 2 substantially perpendicular to the orientation flat plane of the sapphire substrate in stripes. ストライプ上にHVPE法を用いてGaNをELOG(Epitaxial Lateral Over Grows GaN)成長させる。 ELOG the GaN by using the HVPE method on the stripe (Epitaxial Lateral Over Grows GaN) is grown. 続いて、MOCVD法により、n型窒化ガリウムで形成した第1のコンタクト層、n型窒化アルミニウム・ガリウムで形成させた第1のクラッド層、窒化インジウム・アルミニウム・ガリウムの井戸層と窒化アルミニウム・ガリウムの障壁層を複数積層させた多重量子井戸構造とされる活性層、p型窒化アルミニウム・ガリウムで形成した第2のクラッド層、p型窒化ガリウムで形成した第2のコンタクト層を順に積層させたダブルへテロ構成などの構成が挙げられる。 Subsequently, by MOCVD, n-type first contact layer formed with GaN, n-type first clad layer was formed of aluminum gallium nitride, well layers of indium-aluminum-gallium nitride and aluminum gallium nitride active layer is a multiple quantum well structure in which barrier layers or a laminate of a plurality of layers of, by laminating second clad layer of p-type aluminum gallium nitride, a second contact layer of p-type gallium nitride in order configuration, such as terrorism configuration to double, and the like. 活性層をリッジストライプ形状としガイド層で挟むと共に共振器端面を設け本発明に利用可能な半導体レーザー素子とすることもできる。 Active layer may be a semiconductor laser device that can be used in the present invention provided a resonator end face with sandwiching the guide layer and a ridge stripe shape.

窒化物半導体は、不純物をドープしない状態でn型導電性を示す。 Nitride semiconductor shows n-type conductivity when not doped with impurities. 発光効率を向上させるなど所望のn型窒化物半導体を形成させる場合は、n型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Te、C等を適宜導入することが好ましい。 Case of forming a desired n-type nitride semiconductor such as improving luminous efficiency, Si as an n-type dopant, Ge, Se, Te, it is preferable to appropriately introduce C like. 一方、p型窒化物半導体を形成させる場合は、p型ドーパントであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープさせることが好ましい。 On the other hand, when forming a p-type nitride semiconductor, Zn which is a p-type dopant, Mg, Be, Ca, Sr, it is preferable to dope the Ba or the like. 窒化物半導体は、p型ドーパントをドープしただけではp型化しにくいためp型ドーパント導入後に、炉による加熱やプラズマ照射等により低抵抗化させることが好ましい。 Nitride semiconductor, after just the p-type hard for p-type dopant introduction doped with a p-type dopant, be low resistance is preferable by heating or plasma irradiation or the like by a furnace. サファイア基板をとらない場合は、第1のコンタクト層の表面までp型側からエンチングさせコンタクト層を露出させる。 If not take sapphire substrate, exposing the contact layer is Enchingu from p-type side to the surface of the first contact layer. 各コンタクト層上にそれぞれ電極形成後、半導体ウエハーからチップ状にカットさせることで窒化物半導体からなる発光素子を形成させることができる。 After each electrode formed on each contact layer, thereby forming the light-emitting element of a nitride semiconductor by causing cut into chips from the semiconductor wafer.

本発明の発光装置において、量産性よく形成させるためには、蛍光体11、108を発光素子10、101に固着する際に、樹脂を利用して形成することが好ましい。 In the light emitting device of the present invention, in order to form good mass productivity, when fixing the phosphor 11,108 to the light emitting element 10, 101 is preferably formed by using a resin.

ここで、本発明で用いられる半導体発光素子10、101は、不純物濃度10 17 〜10 20 /cm で形成されるn型コンタクト層のシート抵抗と、透光性p電極のシート抵抗とが、Rp≧Rnの関係となるように調節されていることが好ましい。 Here, the semiconductor light emitting element 10, 101 used in the present invention, the sheet resistance of the n-type contact layer formed of an impurity concentration 10 17 ~10 20 / cm 3, and the sheet resistance of the transparent p-electrode, it is preferably adjusted such that the relationship rp ≧ Rn. n型コンタクト層は、例えば膜厚3〜10μm、より好ましくは4〜6μmに形成されると好ましく、そのシート抵抗は10〜15Ω/□と見積もられることから、このときのRpは前記シート抵抗値以上のシート抵抗値を有するように薄膜に形成するとよい。 n-type contact layer, for example a thickness of 3 to 10 [mu] m, preferably when more preferably formed in 4 to 6 [mu] m, the sheet resistance from being estimated 10~15Ω / □, Rp in this case the sheet resistance value it may be formed into a thin film so as to have a higher sheet resistance value. また、透光性p電極は、膜厚が150μm以下の薄膜で形成されていてもよい。 Further, the light transmitting p electrode has a film thickness may be formed by the following film 150 [mu] m.

また、透光性p電極が、金および白金族元素の群から選択された1種と、少なくとも1種の他の元素とから成る多層膜または合金で形成される場合には、含有されている金または白金族元素の含有量により透光性p電極のシート抵抗の調整をすると安定性および再現性が向上される。 Further, the light transmitting p electrode is, when one and selected from the group of gold and platinum group elements, which is formed of a multilayer film or an alloy consisting of at least one other element is contained seat adjustment to the stability and reproducibility of the resistance of the light transmitting p electrode is improved by the content of gold or platinum group element. 金または金属元素は、本発明に使用する半導体発光素子の波長領域における吸収係数が高いので、透光性p電極に含まれる金又は白金族元素の量は少ないほど透過性がよくなる。 Gold or metal element, the absorption coefficient in the wavelength region of the semiconductor light emitting element used in the present invention is high, the amount of gold or platinum group element contained in the transparent p-electrode is higher permeability is improved little. 従来の半導体発光素子はシート抵抗の関係がRp≦Rnであったが、本発明ではRp≧Rnであるので、透光性p電極は従来のものと比較して薄膜に形成されることとなるが、このとき金または白金族元素の含有量を減らすことで薄膜化が容易に行える。 Conventional semiconductor light emitting devices, but the relationship of the sheet resistance was Rp ≦ Rn, since the present invention is Rp ≧ Rn, the light transmitting p electrode will be formed into a thin film as compared with the conventional but thinned easily by reducing the content of this time the gold or platinum group element.

上述のように、本発明で用いられる半導体発光素子10、101は、n型コンタクト層のシート抵抗RnΩ/□と、透光性p電極のシート抵抗RpΩ/□とが、Rp≧Rnの関係を成していることが好ましい。 As described above, the semiconductor light emitting element 10, 101 used in the present invention, the sheet resistance RnΩ / □ of the n-type contact layer, and the sheet resistance RpΩ / □ of transparent p-electrode, the relationship between Rp ≧ Rn it is preferable that the form. 半導体発光素子10、101として形成した後にRnを測定するのは難しく、RpとRnとの関係を知るのは実質上不可能であるが、発光時の光強度分布の状態からどのようなRpとRnとの関係になっているのかを知ることができる。 Is difficult to measure Rn after forming the semiconductor light-emitting element 10, 101, but to know the relationship between Rp and Rn is virtually impossible, and what Rp from the state of the light intensity distribution during emission it is possible to know what has become of the relationship between the Rn.

透光性p電極とn型コンタクト層とがRp≧Rnの関係であるとき、前記透光性p電極上に接して延長伝導部を有するp側台座電極を設けると、さらなる外部量子効率の向上を図ることができる。 When the transparent p-electrode and the n-type contact layer is the relationship Rp ≧ Rn, when providing the p-side seat electrode having an extended conduction portion in contact with on the translucent p electrode, further improvement in external quantum efficiency it can be achieved. 延長伝導部の形状及び方向に制限はなく、延長伝導部が衛線上である場合、光を遮る面積が減るので好ましいが、メッシュ状でもよい。 There is no limitation on the shape and direction of the extension conductive portion, when extended conduction portion is Mamoru line is preferable since the area of ​​blocking light is reduced, it may be a mesh-like. また形状は、直線状以外に、曲線状、格子状、枝状、鉤状でもよい。 The shape, in addition to straight, curved, lattice-like, branched, or a hook shape. このときp側台座電極の総面積に比例して遮光効果が増大するため、遮光効果が発光増強効果を上回らないように延長導電部の線幅及び長さを設計するのがよい。 At this time, since the light-shielding effect in proportion to the total area of ​​the p-side seat electrode is increased, it is preferable light-shielding effects to design the line width and length of the extension conductor portions so as not to exceed the emission enhancement effect.

発光素子10、101は、上述の紫外発光の発光素子と異なる青色系に発光する発光素子を使用することもできる。 Emitting element 10, 101 can also be used a light emitting element that emits different blue with the aforementioned ultraviolet light emission of the light emitting element. 青色系に発光する発光素子10、101は、III族窒化物系化合物発光素子であることが好ましい。 Emitting element 10, 101 that emits blue is preferably a Group III nitride compound light-emitting element. 発光素子10、101は、例えばサファイア基板1上にGaNバッファ層を介して、Siがアンドープのn型GaN層、Siがドープされたn型GaNからなるn型コンタクト層、アンドープGaN層、多重量子井戸構造の発光層(GaN障壁層/InGaN井戸層の量子井戸構造)、Mgがドープされたp型GaNからなるp型GaNからなるpクラッド層、Mgがドープされたp型GaNからなるp型コンタクト層が順次積層された積層構造を有し、以下のように電極が形成されている。 Emitting element 10, 101, for example via a GaN buffer layer on the sapphire substrate 1, n-type GaN layer of Si undoped, n-type contact layer Si is made of doped n-type GaN, an undoped GaN layer, a multiple quantum emitting layer well structure (quantum well structure of GaN barrier layer / InGaN well layer), p-cladding layer with Mg of p-type GaN made of p-type GaN doped, p-type Mg is doped p-type GaN has a laminated structure in which the contact layer are sequentially stacked, are electrodes formed as follows. 但し、この構成と異なる発光素子も使用できる。 However, this configuration is different from the light emitting element can be used.

pオーミック電極は、p型コンタクト層上のほぼ全面に形成され、そのpオーミック電極上の一部にpパッド電極が形成される。 p ohmic electrode is formed on the substantially entire surface of the p-type contact layer, p pad electrode is formed on a part of the p-ohmic electrode.
また、n電極は、エッチングによりp型コンタクト層からアンドープGaN層を除去してn型コンタクト層の一部を露出させ、その露出された部分に形成される。 Further, n electrodes, etching to remove the undoped GaN layer from the p-type contact layer to expose part of the n-type contact layer by, is formed on the exposed part.

なお、本実施の形態では、多重量子井戸構造の発光層を用いたが、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、InGaNを利用した単一量子井戸構造としても良いし、Si、ZnがドープされたGaNを利用しても良い。 In the present embodiment uses a light-emitting layer having a multiple quantum well structure, the present invention is not limited thereto, for example, may be used as the single quantum well structure using InGaN, Si , may be used GaN doped with Zn.
また、発光素子10、101の発光層は、Inの含有量を変化させることにより、420nmから490nmの範囲において主発光ピーク波長を変更することができる。 The light-emitting layer of the light-emitting element 10, 101, by changing the content of In, it is possible to change the main emission peak wavelength in the range of 490nm from 420 nm. また、発光ピーク波長は、上記範囲に限定されるものではなく、300〜550nmに発光ピーク波長を有しているものを使用することができる。 Furthermore, the emission peak wavelength is not limited to the above range, it is possible to use those having an emission peak wavelength in 300~550Nm.

(コーティング部材12、109) (Coating member 12,109)
コーティング部材12(光透光性材料)は、リードフレーム13のカップ内に設けられるものであり発光素子10の発光を変換する蛍光体11と混合して用いられる。 Coating member 12 (HikariToruhikari material) is used in admixture with phosphor 11 which converts the luminescence of those provided in the cup and the light emitting element 10 of the lead frame 13. コーティング部材12の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの温度特性、耐候性に優れた透明樹脂、シリカゾル、ガラス、無機バインダーなどが用いられる。 Specific material of the coating member 12, epoxy resin, urea resin, temperature characteristics, such as a silicone resin, weather resistance excellent transparent resin, silica sol, glass, an inorganic binder is used. また、蛍光体と共に拡散剤、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムなどを含有させても良い。 The diffusion agent with phosphor, barium titanate, titanium oxide, may be contained, such as aluminum oxide. また、光安定化剤や着色剤を含有させても良い。 It may also contain a light stabilizer and a coloring agent.

(リードフレーム13) (Lead frame 13)
リードフレーム13は、マウントリード13aとインナーリード13bとから構成される。 The lead frame 13 is composed of a mount lead 13a and the inner lead 13b.

マウントリード13aは、発光素子10を配置させるものである。 Mount lead 13a is intended to arrange the light emitting element 10. マウントリード13aの上部は、カップ形状になっており、カップ内に発光素子10をダイボンドし、該発光素子10の外周面を、カップ内を前記蛍光体11と前記コーティング部材12とで覆っている。 Top of the mount lead 13a is adapted to cup-shaped, the light emitting element 10 is die-bonded in the cup, the outer circumferential surface of the light emitting element 10, and covers the inside cup and the coating member 12 and the phosphor 11 . カップ内に発光素子10を複数配置しマウントリード13aを発光素子10の共通電極として利用することもできる。 Multiple arrangement with the mount lead 13a and the light emitting element 10 in the cup can be used as a common electrode of the light emitting element 10. この場合、十分な電気伝導性と導電性ワイヤ14との接続性が求められる。 In this case, the connection with the sufficient electric conductivity and the conductive wire 14 are required. 発光素子10とマウントリード13aのカップとのダイボンド(接着)は、熱硬化性樹脂などによって行うことができる。 Die bonding the cup of the light emitting element 10 and the mount lead 13a (adhesive) can be carried out by such a thermosetting resin. 熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂などが挙げられる。 The thermosetting resin, epoxy resins, acrylic resins, and imide resins. また、フェースダウン発光素子10などによりマウントリード13aとダイボンドすると共に電気的接続を行うには、Ag―エースと、カーボンペースト、金属バンプなどを用いることができる。 Further, To make electrical connection with die-bonded with the mount lead 13a and the like face-down light emitting element 10, can be used and Ag- Ace, carbon paste, and metal bumps. また、無機バインダーを用いることもできる。 It is also possible to use an inorganic binder.

インナーリード13bは、マウントリード13a上に配置された発光素子10の電極3から延びる導電性ワイヤ14との電気的接続を図るものである。 The inner lead 13b is to achieve electrical connection between the conductive wire 14 extending from the electrodes 3 of the light emitting element 10 disposed on the mount lead 13a. インナーリード13bは、マウントリード13aとの電気的接触によるショートを避けるため、マウントリード13aから離れた位置に配置することが好ましい。 The inner lead 13b is to avoid short circuit due to electrical contact with the mount lead 13a, it is preferable to arrange a position away from the mount lead 13a. マウントリード13a上に複数の発光素子10を設けた場合は、各導電性ワイヤ同士が接触しないように配置できる構成にする必要がある。 When a plurality of light emitting elements 10 on the mount lead 13a, it is necessary to configure the respective conductive wires to each other it can be arranged so as not to contact. インナーリード13bは、マウントリード13aと同様の材質を用いることが好ましく、鉄、銅、鉄入り銅、金、白金、銀などを用いることができる。 The inner lead 13b, it is preferable to use the same material as the mount lead 13a, it is possible to use iron, copper, iron-containing copper, gold, platinum, silver and the like.

(導電性ワイヤ) (Electrically conductive wire)
導電性ワイヤ14は、発光素子10の電極3とリードフレーム13とを電気的に接続するものである。 Electrically conductive wire 14 is electrically connected to the electrode 3 and the lead frame 13 of the light emitting element 10. 導電性ワイヤ14は、電極3とオーミック性、機械的接続性、電気導電性及び熱伝導性が良いものが好ましい。 Conductive wires 14, electrode 3 and the ohmic resistance, mechanical connectivity, what is good electrical conductivity and thermal conductivity are preferred. 導電性ワイヤ14の具体的材料としては、金、銅、白金、アルミニウムなどの金属及びそれらの合金などが好ましい。 Specific material of the conductive wires 14, gold, copper, platinum, metal and alloys thereof such as aluminum is preferred.

(モールド部材) (Mold member)
モールド部材15は、発光素子10、蛍光体11、コーティング部材12、リードフレーム13及び導電性ワイヤ14などを外部から保護するために設けられている。 Molding member 15, the light emitting element 10, the phosphor 11, the coating member 12 is provided in order to protect the lead frame 13 and the conductive wire 14 from the outside. モールド部材15は、外部からの保護目的の他に、視野角を広げたり、発光素子10からの指向性を緩和したり、発光を収束、拡散させたりする目的も併せ持っている。 Molding member 15, in addition to the protection object from the outside, or widen the viewing angle, or mitigate the directivity from the light emitting element 10, converging the light emission, but also combine purpose or diffuse. これらの目的を達成するためモールド部材は、所望の形状にすることができる。 Mold member to achieve these objectives can be formed into a desired shape. また、モールド部材15は、凸レンズ形状、凹レンズ形状の他、複数積層する構造であっても良い。 Further, the mold member 15, a convex lens shape, other concave shapes, may be a structure in which stacked. モールド部材15の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂、シリカゾル、ガラスなどの透光性、耐候性、温度特性に優れた材料を使用することができる。 Specific material of the mold member 15, it is possible to use epoxy resin, urea resin, silicone resin, silica sol, translucent, such as glass, weather resistance, a material excellent in temperature characteristic. モールド部材15には、拡散剤、着色剤、紫外線吸収剤や蛍光体を含有させることもできる。 The molding member 15, spreading agents, colorants, may contain an ultraviolet absorbent and a phosphor. 拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム等が好ましい。 The diffusing agent, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, etc. are preferable. コーティング部材12との材質の反発性を少なくするため、屈折率を考慮するため、同材質を用いることが好ましい。 To reduce the material of the resilience of the coating member 12, to account for the refractive index, it is preferable to use the same material.

以下、本発明に係る蛍光体、発光装置について実施例を挙げて説明するが、この実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the phosphor according to the present invention will be described by way of example a light-emitting device, but is not limited to this embodiment.

なお、温度特性は、25℃の発光輝度を100%とする相対輝度で示す。 The temperature characteristic is shown by the relative brightness to 100% the emission luminance of 25 ° C.. 粒径は、レーザ回折・散乱法により求めた中心粒径を示す。 Particle size indicates the mean particle diameter determined by a laser diffraction scattering method. また、蛍光体の相対輝度は、比較例1のYAG蛍光体の発光輝度を100%とする相対値である。 The relative brightness of the phosphor is a relative value to 100% the emission intensity of the YAG fluorescent material of Comparative Example 1.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は具体的実施例のみに限定されるものではないことは言うまでもない。 EXAMPLES The following explains Examples of the present invention, the present invention is naturally not limited only to the specific examples.

[実施例1] [Example 1]
<蛍光体> <Phosphor>
蛍光体原料として、 As a phosphor raw material,
・Lu ・・・・・・・・0.297mol 118.2g · Lu 2 O 3 ········ 0.297mol 118.2g
・CeO ・・・・・・・・0.006mol 1.03g · CeO 2 ········ 0.006mol 1.03g
・Al ・・・・・・・・0.5mol 50.95g · Al 2 O 3 ········ 0.5mol 50.95g
を混合し、さらにこれにフラックスとして、BaF を8.5g添加して十分に混合し、アルミナ坩堝に充填し、水素濃度が3体積%以下の水素・窒素の混合ガス雰囲気において、室温から1400℃まで300℃/hrで昇温し、1400℃で3時間焼成する。 As flux were mixed, further which, the BaF 2 was added 8.5g were thoroughly mixed, then filled in an alumina crucible, hydrogen concentration in the mixed gas atmosphere of 3% by volume or less of hydrogen-nitrogen, from room 1400 ° C. until the temperature was raised at 300 ° C. / hr, calcined for 3 hours at 1400 ° C.. 得られる焼成品を水中でボールミルし、水洗、分離、乾燥して、篩を通し、中心粒径が10μmの(Lu 0.99 Ce 0.01 Al 12蛍光体を得る。 Was ball resulting fired product in water, washed with water, separated, dried, passed through a sieve, the mean particle size to obtain a (Lu 0.99 Ce 0.01) 3 Al 5 O 12 phosphor of 10 [mu] m. 蛍光体の組成を表1に示す。 The composition of the phosphor is shown in Table 1. この蛍光体は、460nm可視光励起により、530nmに発光ピークを有し、発光色は緑色系(黄がかった緑色)で、色度座標値はx=0.350、y=0.582であり、相対輝度は120%である。 This phosphor by 460nm visible light excitation, has an emission peak at 530 nm, the emission color is greenish (green tinged yellow), chromaticity coordinate values ​​x = 0.350, a y = 0.582, the relative luminance is 120%. これらの測定結果を表2に示す。 These results are shown in Table 2. また、この蛍光体の真比重は約7.0であり、300℃での温度特性は77.2%である。 Further, the true specific gravity of the phosphor is about 7.0, the temperature characteristic at 300 ° C. is 77.2%.

次に、この蛍光体を用いてLED発光装置を作製する。 Next, to prepare a LED device using the phosphor.
<発光装置> <Light-emitting device>
励起光源として、460nmに発光ピークを有する窒化物半導体発光素子を使用する。 As an excitation light source, using a nitride semiconductor light emitting element having an emission peak at 460 nm. 図9を用いて本発明に係る発光装置を説明する。 The light emitting device according to the present invention will be described with reference to FIG.

図9のように、この発光装置は、サファイア基板1上にn型及びp型のGaN層の半導体層2が形成され、該n型及びp型の半導体層2に電極3が設けられ、該電極3は、導電性ワイヤ14によりリードフレーム13と導電接続されている。 As shown in FIG. 9, this light emitting device, the semiconductor layer 2 of n-type and p-type GaN layer is formed on a sapphire substrate 1, the electrode 3 is provided on the semiconductor layer 2 of the n-type and p-type, the electrode 3 is connected to the lead frame 13 and the conductive by the conductive wire 14. 発光素子10の上部は、蛍光体11及びコーティング部材12で覆われ、リードフレーム13、蛍光体11及びコーティング部材12等の外周をモールド部材15で覆っている。 The top of the light emitting element 10 is covered with a phosphor 11 and the coating member 12 covers the lead frame 13, the outer periphery of such a phosphor 11 and the coating member 12 in the molding member 15. 半導体層2は、サファイア基板1上にn GaN:Si、n−AlGaN:Si、n−GaN、GaInN QWs、p−GaN:Mg、p−AlGaN:Mg、p−GaN:Mgの順に積層されている。 The semiconductor layer 2, n + GaN on the sapphire substrate 1: Si, n-AlGaN: Si, n-GaN, GaInN QWs, p-GaN: Mg, p-AlGaN: Mg, p-GaN: are laminated in this order Mg ing. 該n GaN:Si層の一部はエッチングされてn型電極が形成されている。 The n + GaN: part of the Si layer is etched n-type electrode is formed. 該p−GaN:Mg層上には、p型電極が形成されている。 The p-GaN: On Mg layer, p-type electrode is formed. リードフレーム13は、鉄入り銅を用いる。 Lead frame 13, using the iron-containing copper. マウントリード13aの上部には、発光素子10を積載するためのカップが設けられており、該カップのほぼ中央部の底面に該発光素子10がダイボンドされている。 At the top of the mount lead 13a, and the cup is provided for stacking the light emitting element 10, the light emitting element 10 to the bottom surface of the substantially central portion of the cup is die-bonded. 導電性ワイヤ14には、金を用い、電極3と導電性ワイヤ14を導電接続するためのバンプ4には、Niメッキを施す。 The electrically conductive wire 14, using gold, the electrode 3 and the conductive wire 14 to the bump 4 for connecting conductive, subjected to Ni plating. 蛍光体11には、上記(Lu 0.99 Ce 0.01 Al 12蛍光体を用いる。 The phosphor 11, using the above-mentioned (Lu 0.99 Ce 0.01) 3 Al 5 O 12 phosphor. コーティング部材12には、エポキシ樹脂と拡散剤、チタン酸バリウム、酸化チタン及び前記蛍光体11を所定の割合で混合したものを用いる。 The coating member 12, epoxy resin and the diffusing agent, barium titanate, those titanium oxide and the phosphor 11 is mixed in a predetermined ratio is used. モールド部材15は、エポキシ樹脂を用いる。 Molding member 15, an epoxy resin. この砲弾型の実施例1の発光装置は、モールド部材15の半径2〜4mm、高さ約7〜10mmの上部が半球の円筒型である。 The bullet-shaped light emitting device of Example 1 of the radius 2~4mm mold member 15, the upper portion of the height of about 7~10mm a cylindrical hemisphere.

この発光装置に電流を流すと、ほぼ460nmに発光ピーク波長がある青色系発光素子10が発光する。 When a current flows to the light-emitting device, a blue light emitting element 10 there is a light emission peak wavelength substantially 460nm emits light. この青色光を励起源として、半導体層2を覆う蛍光体11が緑色系発光し、その結果、緑色系に発光するLED発光装置が得られる。 The blue light as an excitation source, phosphors 11 which covers the semiconductor layer 2 is green light emitting, as a result, LED light-emitting device that emits green light system is obtained. この発光装置は、表3に示すように、色度座標値はx=0.305、y=0.482、発光効率は45.1lm/Wである。 The light-emitting device, as shown in Table 3, the chromaticity coordinate values ​​x = 0.305, y = 0.482, luminous efficiency is 45.1lm / W.

[実施例2〜25] [Example 2 to 25]
表1に示した蛍光体組成の割合で酸化物原料を混合し、実施例1と同様にして蛍光体を作製する。 Table 1 at a ratio of phosphor composition mixed oxide materials shown in, in the same manner as in Example 1 to prepare a phosphor. また、得られる蛍光体を用いて実施例1と同様にしてLED発光装置を作製する。 Further, in the same manner as in Example 1 using the resulting phosphor to produce an LED device. これらの蛍光体及びLED発光装置の評価結果を表2、3に示す。 The evaluation results of these phosphors and the LED light emitting device shown in Tables 2 and 3.

[比較例1] [Comparative Example 1]
蛍光体原料として、 As a phosphor raw material,
・Y ・・・・・・・・0.285mol 64.35g · Y 2 O 3 ········ 0.285mol 64.35g
・CeO ・・・・・・・・0.03mol 5.16g · CeO 2 ········ 0.03mol 5.16g
・Al ・・・・・・・・0.5mol 50.95g · Al 2 O 3 ········ 0.5mol 50.95g
を混合し、さらにこれにフラックスとして、BaF を6.0g添加して十分に混合し、アルミナ坩堝に充填し、水素濃度が3体積%の水素・窒素の混合ガス雰囲気において、室温から1400℃まで300℃/hrで昇温し、1400℃で3時間焼成する。 Were mixed, as further flux thereto, a BaF 2 was added 6.0g were thoroughly mixed, then filled in an alumina crucible, hydrogen concentration in the mixed gas atmosphere of 3% by volume of hydrogen, nitrogen, 1400 ° C. from room temperature until the temperature was raised at 300 ° C. / hr, calcined for 3 hours at 1400 ° C.. 得られる焼成品を水中でボールミルし、水洗、分離、乾燥して、篩を通し、(Y 0.95 Ce 0.05 Al 12蛍光体を得る。 It was ball resulting fired product in water, washed with water, separated, dried, passed through a sieve to obtain a (Y 0.95 Ce 0.05) 3 Al 5 O 12 phosphor. この蛍光体は、460nm可視光励起により、567nmに発光ピークを有し、発光色は黄色系(緑がかった黄色)、色度座標値はx=0.447、y=0.535、相対輝度は100%であって、測定結果を表2に示す。 This phosphor by 460nm visible light excitation, has an emission peak at 567 nm, emission color yellow (greenish yellow), chromaticity coordinate values ​​x = 0.447, y = 0.535, the relative luminance is a 100% measurement results are shown in Table 2. また、この蛍光体の真比重は約4.7であり、300℃での温度特性は42.1%である。 Further, the true specific gravity of the phosphor is about 4.7, the temperature characteristic at 300 ° C. is 42.1%. さらに、この蛍光体を用いて実施例1と同様にしてLED発光装置を作製し、評価結果を表3に示す。 Further, to prepare a LED device in the same manner as in Example 1 by using this phosphor, and the evaluation results are shown in Table 3.

[比較例2] [Comparative Example 2]
表1に示した蛍光体組成の割合で酸化物原料を混合し、比較例1と同様にして(Y 0.79 Gd 0.20 Ce 0.01 Al 12蛍光体を作製する。 Table 1 at a ratio of phosphor composition mixed oxide materials shown in, in the same manner as in Comparative Example 1 (Y 0.79 Gd 0.20 Ce 0.01 ) 3 to produce a Al 5 O 12 phosphor. このYAG蛍光体は、460nm可視光励起により、570nmに発光ピークを有し、発光色は黄色系(緑がかった黄色)、色度座標値はx=0.456、y=0.527、相対輝度は85%であって、測定結果を表2に示す。 The YAG phosphor by 460nm visible light excitation, has an emission peak at 570 nm, emission color yellow (greenish yellow), chromaticity coordinate values ​​x = 0.456, y = 0.527, relative brightness is a 85%, measurement results are shown in Table 2. この蛍光体の300℃での温度特性は17.7%である。 Temperature characteristic at 300 ° C. This phosphor is 17.7%. また、実施例1で用いた発光ピーク波長が460nmの窒化ガリウム系半導体からなる発光素子と、このYAG蛍光体を組み合わせ、実施例1と同様にして、発光色が白色のLED(色温度6000K)を得る。 Further, a light emitting element emission peak wavelength is from 460nm gallium nitride semiconductor used in Example 1, combining the YAG phosphor, in the same manner as in Example 1, emission color white LED (color temperature 6000K) obtained. この発光装置は、表4に示すように、色度座標値はx=0.324、y=0.330、発光効率は27.1m/Wであり、平均演色評価数Ra=83.0である。 The light-emitting device, as shown in Table 4, the chromaticity coordinate values ​​x = 0.324, y = 0.330, luminous efficiency was 27.1m / W, the average color rendering index Ra = 83.0 is there.

[実施例26] [Example 26]
励起光源として、実施例1で用いた発光ピーク波長が460nmの窒化ガリウム系半導体からなる発光素子を使用し、この発光素子と、実施例1の(Lu 0.99 Ce 0.01 Al 12緑色系発光蛍光体と、発光ピーク波長が640nmの(Ca,Sr) Si :Eu赤色系発光蛍光体を組合せ、実施例1と同様にして、発光色が白色のLED(色温度6000K)を得る。 As an excitation light source, a light emitting device which emission peak wavelength is made of gallium nitride 460nm based semiconductor used in Example 1, and the light-emitting device of Example 1 (Lu 0.99 Ce 0.01) 3 Al 5 O 12 and green light-emitting phosphor having an emission peak wavelength of 640nm (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: combination of Eu red-emitting phosphor, in the same manner as in example 1, emission color white LED ( get a color temperature 6000K). この発光装置は、表4に示すように、色度座標値はx=0.323、y=0.332、発光効率は34.0lm/Wであり、平均演色評価数Ra=89.1である。 The light-emitting device, as shown in Table 4, the chromaticity coordinate values ​​x = 0.323, y = 0.332, luminous efficiency is 34.0lm / W, the average color rendering index Ra = 89.1 is there.

[実施例27] [Example 27]
励起光源として、実施例1で用いた発光ピーク波長が460nmの窒化ガリウム系半導体からなる発光素子を使用し、この発光素子と、本発明の実施例4の(Lu 0.90 Ce 0.10 Al 12緑色系発光蛍光体と、発光ピーク波長が640nmの(Mg,Ca,Sr) Si :Eu赤色系発光蛍光体を組合せ、実施例1と同様にして、発光色が白色のLED(色温度6000K)を得る。 As an excitation light source, a light emitting device which emission peak wavelength is made of gallium nitride 460nm based semiconductor used in Example 1, and the light-emitting device of Example 4 of the present invention (Lu 0.90 Ce 0.10) 3 Al 5 O 12 and the green light-emitting phosphor having an emission peak wavelength of 640nm (Mg, Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: combination of Eu red-emitting phosphor, in the same manner as in example 1, emission color There is obtained a white LED (color temperature 6000K). この発光装置は、表4に示すように、色度座標値はx=0.324、y=0.334、発光効率は34.7lm/Wであり、平均演色評価数Ra=90.2である。 The light-emitting device, as shown in Table 4, the chromaticity coordinate values ​​x = 0.324, y = 0.334, luminous efficiency is 34.7lm / W, the average color rendering index Ra = 90.2 is there.

[実施例28] [Example 28]
励起光源として、実施例1で用いた発光ピーク波長が460nmの窒化ガリウム系半導体からなる発光素子を使用し、この発光素子と、本発明の実施例8の(Lu 0.99 Ce 0.01 (Al 0.5 Ga 0.512緑色系発光蛍光体と、発光ピーク波長が640nmの(Ca,Sr) Si :Eu赤色系発光蛍光体を組合せ、実施例1と同様にして、発光色が白色のLED(色温度6000K)を得る。 As an excitation light source, a light emitting device which emission peak wavelength is made of gallium nitride 460nm based semiconductor used in Example 1, and the light-emitting device of Example 8 of the present invention (Lu 0.99 Ce 0.01) 3 and (Al 0.5 Ga 0.5) 5 O 12 green light-emitting phosphor having an emission peak wavelength of 640nm (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: combination of Eu red-emitting phosphor, example 1 in the same manner as the emission color is obtained a white LED (color temperature 6000K). この発光装置は、表4に示すように、色度座標値はx=0.325、y=0.326、発光効率は30.7lm/Wであり、平均演色評価数Ra=91.1である。 The light-emitting device, as shown in Table 4, the chromaticity coordinate values ​​x = 0.325, y = 0.326, luminous efficiency is 30.7lm / W, the average color rendering index Ra = 91.1 is there.

[実施例29] [Example 29]
励起光源として、下記の400nmに発光ピークを有する窒化物半導体発光素子を使用し、この発光素子と、本発明の実施例1の緑色系発光蛍光体と、発光ピーク波長が640nmの(Ca,Sr) Si :Eu赤色系発光蛍光体と、発光ピーク波長が453nmの(Sr,Ca,Ba) (PO Cl:Eu青色系発光蛍光体を組み合わせ、発光色が白色のLED(色温度6000K)を得る。 As an excitation light source, using the nitride semiconductor light emitting element having an emission peak in 400nm below, and the light emitting element, a green light-emitting phosphor of Example 1 of the present invention, the emission peak wavelength of 640 nm (Ca, Sr ) 2 Si 5 N 8: Eu red-emitting phosphor having an emission peak wavelength of 453nm (Sr, Ca, Ba) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu combining a blue light-emitting phosphor, the emission color is white obtaining a LED (color temperature 6000K). この発光装置は、表4に示すように、色度座標値はx=0.324、y=0.333、発光効率は33.1lm/Wであり、平均演色評価数Ra=90.2である。 The light-emitting device, as shown in Table 4, the chromaticity coordinate values ​​x = 0.324, y = 0.333, luminous efficiency is 33.1lm / W, the average color rendering index Ra = 90.2 is there.

次に、ここで用いた発光素子について、図11及び図12を用いて説明する。 Next, a light-emitting element used here is described with reference to FIGS.
(発光素子) (Light-emitting element)
サファイア(C面)よりなる基板201をMOVPEの反応容器内にセットし、水素を流しながら、基板201の温度を約1050℃まで上昇させ、基板201のクリーニングを行う。 Set the substrate 201 made of sapphire (C plane) in MOVPE reaction vessel, while flowing hydrogen, to increase the temperature of the substrate 201 to about 1050 ° C., for cleaning the substrate 201.

ここで、本実施例では、基板201に、サファイア基板を用いているが、基板201として窒化物半導体と異なる異種基板、AlN、AlGaN、GaN等の窒化物半導体基板を用いてもよい。 In the present embodiment, the substrate 201, although a sapphire substrate, a nitride semiconductor different from heterogeneous substrate as the substrate 201, AlN, AlGaN, may be a nitride semiconductor substrate such as GaN. 異種基板としては、例えば、C面、R面及びA面のいずれかを主面とするサファイア、スピネル(MgAl のような絶縁性基板、SiC(6H、4H、3Cを含む)、ZnS、ZnO、GaAs、Si及び窒化物半導体と格子整合する酸化物基板等、窒化物半導体を成長させることが可能であり、窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができる。好ましい異種基板としては、サファイア、スピネルが挙げられる。また、異種基板は、オフアングルしていてもよく、この場合、ステップ状にオフアングルしたものを用いると窒化ガリウムからなる下地層202の成長が結晶性よく成長するため好ましい。更に、異種基板を用いる場合には、異種基板上に素子構造形成前の下地層202となる窒化物半導体を成長させた後、異種基 As heterogeneous substrate include, for example, C plane, sapphire to either the major surface of the R-plane and A plane, insulating substrate such as spinel (MgAl 2 O 4, SiC ( 6H, 4H, and 3C), ZnS , ZnO, GaAs, Si and oxide substrate or the like to the nitride semiconductor and the lattice matching, it is possible to grow the nitride semiconductor, it is possible to use a substrate material different from the nitride semiconductor. preferred substrate different, sapphire, spinel and the like. in addition, the heterogeneous substrate, which may be off-angle, in this case, since the growth of the underlying layer 202 made of using the gallium nitride obtained by off-angle stepwise grow well crystalline preferred. further, in the case of using a different substrate after growing the nitride semiconductor as a base layer 202 of the front device structure formed on the hetero substrate, heterogeneous group を研磨などの方法により除去して、窒化物半導体の単体基板として素子構造を形成してもよく、また、素子構造形成後に、異種基板を除去する方法でも良い。GaN基板の他に、AlN等の窒化物半導体の基板を用いても良い。 Is removed by a method such as polishing, it may form a device structure as a single substrate of nitride semiconductor, also after the device structure formed, in addition to good .GaN substrate in a method of removing the foreign substrate, AlN, etc. nitride semiconductor substrate may be used.

(バッファ層) (Buffer layer)
続いて、基板201の温度を510℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとTMG(トリメチルガリウム)とを用い、基板201上にGaNよりなるバッファ層(図示しない)を約100オングストロームの膜厚で成長させる。 Then, lowering the temperature of the substrate 201 to 510 ° C., hydrogen in the carrier gas, using ammonia and TMG (trimethylgallium) as a source gas, a buffer layer of GaN on the substrate 201 (not shown) of approximately 100 Å It is grown to the thickness.

(下地層) (Underlying layer)
バッファ層成長後、TMGのみ止めて、基板201の温度を1050℃まで上昇させる。 After the buffer layer growth, it stopped only TMG to increase the temperature of the substrate 201 to 1050 ° C.. 1050℃になったら、同じく原料ガスにTMG、アンモニアガスを用い、アンドープGaN層を2μmの膜厚で成長させる。 When turned 1050 ° C., again TMG, ammonia gas used as a raw material gas to grow an undoped GaN layer with a thickness of 2 [mu] m.

(n型層) (N-type layer)
続いて1050℃で、同じく原料ガスにTMG、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用い、Siを4.5×10 18 /cm ドープしたGaNよりなるn型層203を、n型層としてn側電極211aを形成するn側コンタクト層として、厚さ3μmで成長させる。 Then at 1050 ° C., likewise TMG as the raw material gas, ammonia gas, a silane gas impurity gas, an Si a 4.5 × 10 18 / cm 3 n-type layer 203 made of doped GaN, n-side as an n-type layer as n-side contact layer for forming an electrode 211a, it is grown to a thickness 3 [mu] m.

(活性層) (Active layer)
SiドープGaNよりなる障壁層を50オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、TMG、TMI、アンモニアを用いアンドープIn 0.1 Ga 0.7 Nよりなる井戸層を50オングストロームの膜厚で成長させる。 A barrier layer made of Si-doped GaN is grown to a thickness of 50 Å, followed by a temperature of 800 ° C. and, TMG, TMI, a well layer made of undoped In 0.1 Ga 0.7 N with ammonia 50 Angstroms It is grown to the film thickness. そして障壁+井戸+障壁+井戸・・・+障壁の順で障壁層を4層、井戸を3層、交互に積層して、総膜厚350オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層204を成長させる。 The barrier + well + barrier + well. + Sequentially with the barrier layer 4 layers of the barrier, three layers wells, by alternately stacking, growing the active layer 204 made of multiple quantum well structure having a total thickness of 350 angstroms make.

(p側キャリア閉込め層) (P-side carrier confinement layer)
次に、TMG、TMA、アンモニア、Cp Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を用い、Mgを5×10 19 /cm ドープしたAl 0.3 Ga 0.7 Nよりなるp側キャリア閉込め層205を、膜厚100オングストロームで成長させる。 Then, TMG, TMA, ammonia, Cp 2 Mg (cyclopentadienyl magnesium) using, Mg and 5 × 10 19 / cm 3 doped with Al 0.3 Ga p-side carrier confinement layer made of 0.7 N 205, is grown to a thickness of 100 angstroms.

(第1p型層) (The 1p-type layer)
続いて、TMG、アンモニア、Cp Mgを用い、p型不純物をドープしたGaNよりなる第1p型層206を、膜厚0.1μmで成長させる。 Then, TMG, ammonia, using Cp 2 Mg, a second 1p type layer 206 made of GaN doped with p-type impurity is grown at a film thickness of 0.1 [mu] m.

(第2p型層) (The 2p-type layer)
第2p型層として、表面にp側電極210を形成するp側コンタクト層208を形成する。 As a 2p-type layer, a p-side contact layer 208 for forming the p-side electrode 210 to the surface. p側コンタクト層208は、電流拡散層207の上に、Mgを1×10 20 /cm ドープしたp型GaNを150オングストロームの膜厚で成長させる。 p-side contact layer 208, on top of the current diffusion layer 207, a 1 × 10 20 / cm 3 doped with p-type GaN with Mg is grown to the thickness of 150 angstroms. p側コンタクト層208は、p側電極210を形成する層であるので、1×10 17 /cm 以上の高キャリア濃度とすることが望ましい。 p-side contact layer 208, since the layer forming the p-side electrode 210, it is desirable to 1 × 10 17 / cm 3 or more high carrier concentration. 1×10 17 /cm よりも低いと電極と好ましいオーミックを得るのが難しくなる傾向にある。 In 1 × 10 17 / cm 3 low and tends to be difficult to obtain a preferable ohmic and electrode than. さらにコンタクト層の組成をGaNとすると、電極材料と好ましいオーミックが得られやすくなる。 Still a GaN composition of the contact layer, preferably an ohmic can be easily obtained with the electrode material.

以上の素子構造を形成する反応を終了した後、温度を室温まで下げ、さらに窒素雰囲気中、ウェハーを反応容器内において、700℃でアニーリングを行い、p型層をさらに低抵抗化する。 After completion of the reaction to form the above element structure, the temperature is lowered to room temperature, in a nitrogen atmosphere, in a wafer reactor, subjected to annealing at 700 ° C., to further reduce the resistance of the p-type layer. 素子構造を形成したウェハーを装置から取り出し、以下に説明する電極形成工程を実施する。 Removed wafer forming the device structure from the device, carrying out the electrode forming step described below.

アニーリング後、ウェハーを反応容器から取り出し、最上層のp側コンタクト層208の表面に所定のマスクを形成し、RIE(反応性イオンエッチング)装置でp側コンタクト層208側からエッチングを行い、n側コンタクト層の表面を露出させて、電極形成面を形成する。 After annealing, removed wafer from the reaction vessel to form a predetermined mask to the surface of the uppermost p-side contact layer 208, etching is performed from the p-side contact layer 208 side with RIE (reactive ion etching) apparatus, n-side exposing the surface of the contact layer, forming an electrode formation surface.

p側電極210として、Ni、Auを順に積層して、Ni/Auよりなるp側電極210を形成する。 As a p-side electrode 210 are laminated Ni, and Au in this order to form the p-side electrode 210 made of Ni / Au. また、このp側電極210は、第2p型層、p側コンタクト層208にオーミック接触させたオーミック電極となる。 Further, the p-side electrode 210 is a second 2p-type layer, an ohmic electrode is in ohmic contact with the p-side contact layer 208. このとき、形成された電極枝210aは、ストライプ状の発光部209の幅を約5μm、ストライプ状の電極枝210aの幅を約3μmとし、ストライプ状の発光部209と電極枝210aを交互に形成する。 At this time, the electrode branch 210a formed is about 5μm the width of the stripe-shaped light-emitting portion 209, the width of the stripe-shaped electrode branches 210a and about 3 [mu] m, forming a stripe-shaped light-emitting portion 209 and the electrode branches 210a alternately to. また、p側パット電極が形成される領域には、p側電極210を一部だけ形成し、p側パット電極の上にわたって形成して、電気的に導通させる。 In the region where p-side pad electrode is formed, to form only a part of the p-side electrode 210, and formed over the p-side pad electrode, thereby electrically connected. このとき、p側パット電極が形成される領域には、p側電極210を一部だけ形成し、p側パット電極210bを、p側コンタクト層208の表面上に形成して、一部をp側電極210の上にわたって形成して、電気的に導通させる。 At this time, in the region where the p-side pad electrode is formed, to form only a part of the p-side electrode 210, a p-side pad electrode 210 b, and formed on the surface of the p-side contact layer 208, a part p formed over the side electrode 210, it is electrically conductive. このとき、p側パット電極210bが設けられるp側コンタクト層208の表面は、p側電極210とp側コンタクト層208とはオーミック接触させずに、ショットキー障壁が両者の間に形成されて、p側パット電極210bの形成部からは、直接素子内部に電流が流れずに、電気的に接続された電極枝210aを通って、電流を素子内部に注入する構造となる。 At this time, the surface of the p-side contact layer 208 where the p-side pad electrode 210b is provided, without ohmic contact with the p-side electrode 210 and the p-side contact layer 208, a Schottky barrier is formed therebetween, from the formation of the p-side pad electrode 210 b, without current in the interior directly element flows through the electrically connected electrodes branches 210a, a structure for injecting a current element therein.

続いて、n型層203を露出させた露出面203aに、n側電極211aを形成する。 Subsequently, the exposed surface 203a to expose the n-type layer 203, an n-side electrode 211a. n側電極211aは、Ti、Alを積層して形成する。 n-side electrode 211a is formed by laminating Ti, the Al.

ここで、n側電極211aは、n型層203の露出面203aにオーミック接触させたオーミック電極となる。 Here, n-side electrode 211a becomes ohmic electrode is in ohmic contact with the exposed surface 203a of the n-type layer 203. オーミック用のp側電極210、n側電極211aを形成した後、熱処理でアニールして、各電極をオーミック接触させる。 After forming the p-side electrode 210, n-side electrode 211a for ohmic, annealed in the heat treatment, each electrode is in ohmic contact. この時得られるp側のオーミック電極は、活性層204の発光をほぼ透過しない不透光性膜となる。 Ohmic electrodes in this case the resulting p-side becomes optically opaque film not substantially transmitted through the emission of the active layer 204.

続いて、上記p側電極210、n側電極211aの一部、若しくは全部を除く表面全体に、すなわち、n型層203の露出面203a及び該露出面203aの側面などの素子表面全体に、SiO よりなる絶縁膜を形成する。 Subsequently, part of the p-side electrode 210, n-side electrode 211a, or the entire surface excluding the whole, i.e., the entire surface of the device, such as a side surface of the exposed surface 203a and the exposed surface 203a of the n-type layer 203, SiO to form a from 2 becomes an insulating film. 絶縁膜形成後、絶縁膜から露出したp側電極210、n側電極211aの表面に、それぞれボンディング用のパット電極を形成して、各オーミック用の電極に電気的に導通させる。 After the insulating film formed on the surface of the p-side electrode 210, n-side electrodes 211a exposed from the insulating film, forming a pad electrode for bonding respectively, is electrically connected to the electrodes for each ohmic. p側パット電極210b、n側パット電極211bは、各オーミック用の電極の上に、Ni、Ti、Auを積層してそれぞれ形成する。 p-side pad electrode 210 b, n-side pad electrode 211b is on the electrode for each ohmic, respectively formed by laminating Ni, Ti, and Au. 最後に、基板201を分割して、一辺の長さが300μmの発光素子を得る。 Finally, by dividing the substrate 201, the length of one side to obtain a light-emitting element of 300 [mu] m.

このようにして得られる400nmに発光ピークを有する窒化物半導体発光素子と、本発明の実施例1の(Lu 0.99 Ce 0.01 Al 12緑色系発光蛍光体と、(Ca,Sr) Si :Eu赤色系発光蛍光体と、(Sr,Ca,Ba) (PO Cl:Eu青色系発光蛍光体を組み合わせ、実施例1と同様にして、図9に示すような砲弾型の白色LED発光装置が得られる。 And the nitride semiconductor light emitting element having an emission peak in 400nm thus obtained, (Lu 0.99 Ce 0.01) of Example 1 of the present invention 3 and Al 5 O 12 green light-emitting phosphor, (Ca , Sr) 2 Si 5 N 8 : Eu red-emitting phosphor, (Sr, Ca, Ba) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu combining a blue light-emitting phosphor, in the same manner as in example 1, FIG. bullet-shaped white LED light emitting device as shown in 9 is obtained.

[実施例30] [Example 30]
実施例29で用いた発光ピーク波長が400nmの窒化ガリウム系半導体からなる発光素子と、本発明の実施例4の(Lu 0.90 Ce 0.10 Al 12緑色系発光蛍光体と、発光ピーク波長が640nmの(Mg,Ca,Sr) Si :Eu赤色系発光蛍光体と、発光ピーク波長が453nmの(Sr,Ca,Ba) (PO Cl:Eu青色系発光蛍光体を組み合わせ、実施例1と同様にして、発光色が白色のLED(色温度6000K)を得る。 A light emitting element emission peak wavelength of the gallium nitride-based semiconductor of 400nm used in Example 29, (Lu 0.90 Ce 0.10) Example 4 of the present invention and 3 Al 5 O 12 green light-emitting phosphor , emission peak wavelength of 640nm (Mg, Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: Eu red-emitting phosphor having an emission peak wavelength of 453nm (Sr, Ca, Ba) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu combining a blue light-emitting phosphor, in the same manner as in example 1, emission color get white LED (color temperature 6000K). この発光装置は、表4に示すように、色度座標値はx=0.325、y=0.330、発光効率は34.0lm/Wであり、平均演色評価数Ra=89.5である。 The light-emitting device, as shown in Table 4, the chromaticity coordinate values ​​x = 0.325, y = 0.330, luminous efficiency is 34.0lm / W, the average color rendering index Ra = 89.5 is there.

[実施例31] [Example 31]
実施例26で用いた発光ピーク波長が400nmの窒化ガリウム系半導体からなる発光素子と、本発明の実施例8の(Lu 0.99 Ce 0.01 (Al 0.5 Ga 0.512緑色系発光蛍光体と、発光ピーク波長が640nmの(Ca,Sr) Si :Eu赤色系発光蛍光体と、発光ピーク波長が453nmの(Sr,Ca,Ba) (PO Cl:Eu青色系発光蛍光体を組み合わせ、実施例1と同様にして、発光色が白色のLED(色温度6000K)を得る。 A light emitting element emission peak wavelength of the gallium nitride-based semiconductor of 400nm used in Example 26, Example 8 of the present invention (Lu 0.99 Ce 0.01) 3 ( Al 0.5 Ga 0.5) 5 and O 12 green light-emitting phosphor having an emission peak wavelength of 640nm (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: Eu red-emitting phosphor having an emission peak wavelength of 453nm (Sr, Ca, Ba) 5 ( PO 4) 3 Cl: Eu combining a blue light-emitting phosphor, in the same manner as in example 1, emission color get white LED (color temperature 6000K). この発光装置は、表4に示すように、色度座標値はx=0.326、y=0.327、発光効率は29.8lm/Wであり、平均演色評価数Ra=91.2である。 The light-emitting device, as shown in Table 4, the chromaticity coordinate values ​​x = 0.326, y = 0.327, luminous efficiency is 29.8lm / W, the average color rendering index Ra = 91.2 is there.

次に、図13に実施例1〜25及び比較例1で得られる蛍光体のCIE色度図を示す。 Next, a CIE chromaticity diagram of the phosphor obtained in Examples 1 to 25 and Comparative Example 1 in FIG. 13. 表2及びこの図から、本発明の蛍光体は、色度座標値のx値が0.250〜0.450の範囲にあり、且つy値が0.540〜0.600の範囲にある緑色系発光蛍光体であることがわかる。 Table 2 and in this figure, the phosphor of the present invention is in the range of x values ​​of chromaticity coordinates is 0.250 to 0.450, and green y value is in the range of 0.540 to 0.600 it can be seen that a system emitting phosphor. また、図14に実施例1〜25及び比較例1で得られるLEDのCIE色度図を、図15に実施例26〜31及び比較例2で得られる白色LEDのCIE色度図を示す。 Further, the CIE chromaticity diagram of an LED obtained in Examples 1 to 25 and Comparative Example 1 in FIG. 14 shows a CIE chromaticity diagram of a white LED obtained in Example 26-31 and Comparative Example 2 in Figure 15. 表4から、実施例26〜31の白色LEDは、従来の比較例2の白色LEDに比べて、演色性が非常に優れていることがわかる。 From Table 4, the white LED of Example 26-31 are compared to the white LED of the conventional Comparative Example 2, it can be seen that the color rendering is very good.

[実施例32] Example 32
図16に、実施例1で用いた発光ピーク波長が460nmの窒化ガリウム系半導体からなる発光素子を使用して作製したキャップタイプの発光装置を示す。 16 shows the light-emitting device of the cap type light-emitting peak wavelength is made using the light-emitting element comprising a gallium nitride 460nm based semiconductor used in Example 1. 図16には、図9の発光装置における部材と同一の部材には同一の符号を付してある。 16, the same members as in the light emitting device of FIG. 9 are designated by the same reference numerals. 図16に示すように、この発光装置は、図9の発光装置のモールド部材15の表面に、蛍光体(図示しない)を分散させた光透過性樹脂からなるキャップ16を被せることにより構成される。 As shown in FIG. 16, the light emitting device is constructed by covering the surface of the mold member 15 of the light emitting device of FIG. 9, a cap 16 made of transparent resin having dispersed phosphor (not shown) .

マウントリード13aの上部に、発光素子10を積載するためのカップが設けられており、該カップのほぼ中央部の底面に該発光素子10がダイボンドされている。 The top of the mount lead 13a, and the cup is provided for stacking the light emitting element 10, the light emitting element 10 to the bottom surface of the substantially central portion of the cup is die-bonded. 図9に示した実施例1の発光装置では、該カップの上部に発光素子10を覆うように、蛍光体11が設けられているが、このキャップタイプの発光装置では、特に設けなくてもよい。 In the light emitting device of Example 1 shown in FIG. 9, so as to cover the light emitting element 10 to the top of the cup, but the phosphor 11 is provided, the light-emitting device of this cap type may not be particularly provided . 該発光素子10の上部に蛍光体11を設けないことにより、発光素子10から発生する熱の影響を直接受けないからである。 By not providing the phosphor 11 at the top of the light emitting element 10, because not subjected directly the influence of heat generated from the light emitting element 10.

キャップ16は、蛍光体を光透過性樹脂に均一に分散させている。 Cap 16 is uniformly dispersed in the light transmitting resin and phosphor. この蛍光体を含有する光透過性樹脂を、発光装置のモールド部材15の形状に嵌合する形状に成形している。 A light transmitting resin containing the phosphor is formed in a shape that fits the shape of the mold member 15 of the light emitting device. または、所定の型枠内に蛍光体を含有する光透過性樹脂を入れた後、発光装置を該型枠内に押し込み、成型する製造方法も可能である。 Or, after putting the light transmitting resin containing a fluorescent material in a predetermined mold frame, push the light emitting device to mold the frame, the production method of molding are also possible. キャップ16の光透過性樹脂の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの温度特性、耐候性に優れた透明樹脂、シリカゾル、ガラス、無機バインダーなどが用いられる。 Specific material of the light transmitting resin of the cap 16, epoxy resin, urea resin, temperature characteristics, such as a silicone resin, weather resistance excellent transparent resin, silica sol, glass, an inorganic binder is used. 上記の他、メラミン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。 Besides the above, it is possible to use a melamine resin, a thermosetting resin such as phenol resin. また、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等の熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、セグメント化ポリウレタン等の熱可塑性ゴム等も使用することができる。 Further, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, thermoplastic resins such as polystyrene, styrene - can be used butadiene block copolymer, also a thermoplastic rubber such as segmented polyurethane. また、蛍光体と共に拡散剤、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムなどを含有させても良い。 The diffusion agent with phosphor, barium titanate, titanium oxide, may be contained, such as aluminum oxide. また、光安定化剤や着色剤を含有させても良い。 It may also contain a light stabilizer and a coloring agent. キャップ16に用いる蛍光体は、本発明の実施例8の(Lu 0.99 Ce 0.01 (Al 0.5 Ga 0.512緑色系発光蛍光体と、(Y,Gd) (Al,Ga) 12黄色系発光蛍光体を使用する。 Phosphor used in the cap 16, (Lu 0.99 Ce 0.01) Example 8 of the present invention and 3 (Al 0.5 Ga 0.5) 5 O 12 green light-emitting phosphor, (Y, Gd ) 3 (Al, Ga) 5 O 12 using a yellow light emitting phosphor. マウントリード13aのカップ内に用いる蛍光体11は、(Ca,Sr) Si :Eu赤色系発光蛍光体を使用する。 Phosphor used in the mount lead 13a cups 11, (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: Using the Eu red-emitting phosphor. しかしながら、キャップ16に蛍光体を用いるため、この蛍光体をキャップ16に含有させ、マウントリード13aのカップ内は、コーティング部材12のみでもよい。 However, since the use of fluorescent material in the cap 16, the phosphor is contained in the cap 16, the mount lead 13a cup may only coating member 12.

このように構成された発光装置は、発光素子10から放出される光の一部は、蛍光体11を励起し、赤色系に発光する。 Thus configured light emitting device, a part of light emitted from the light emitting element 10 excites the phosphor 11 emits reddish. また、発光素子10から放出される光の一部がキャップ16の蛍光体を励起し、緑色系、黄色系に発光する。 A part of the light emitted from the light emitting element 10 excites the phosphor of the cap 16, green light, emits yellow. これにより、結果として、キャップ16の表面からは、白色系の光が外部へ放出される。 Thus, as a result, from the surface of the cap 16, white light is emitted to the outside.

[実施例33] [Example 33]
実施例32において、発光素子として、実施例26で用いた発光ピーク波長が400nmの窒化ガリウム系半導体からなる発光素子を用い、キャップ16に、本発明の実施例8の(Lu 0.99 Ce 0.01 (Al 0.5 Ga 0.512緑色系発光蛍光体と、(Ca,Sr) Si :Eu赤色系発光蛍光体を使用し、マウントリード13aのカップ内に用いる蛍光体11として、(Sr,Ca,Ba) (PO Cl:Eu青色系発光蛍光体を使用する以外は、実施例32と同様にして白色系発光のキャップタイプ発光装置を作製する。 In Example 32, as a light emitting element, emission peak wavelength using the light-emitting element comprising a gallium nitride-based semiconductor of 400nm used in Example 26, the cap 16, (Lu 0.99 Ce 0 Example 8 of the present invention .01) 3 (Al 0.5 Ga 0.5 ) 5 and O 12 green light-emitting phosphor, (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: Eu is used red light emitting phosphor, the mount lead 13a cup as the phosphor 11 used within, (Sr, Ca, Ba) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu , except using a blue light-emitting phosphor, a white light-emitting of the cap type light-emitting device in the same manner as in example 32 the to produce.

[実施例34] Example 34
In含有量が異なる以外は実施例1と同様にして、484nmに発光ピーク波長がある青色系発光素子を作製する。 Except that the In content is different in the same manner as in Example 1, to prepare a blue-based light emitting device has peak emission wavelength in 484 nm. また、Lu量、Ce量が異なる以外は実施例1と同様にして、中心粒径が10μmの(Lu 0.985 Ce 0.015 Al 12緑色系発光蛍光体を作製する。 Moreover, Lu amount, except that the Ce amount is different in the same manner as in Example 1, the center particle size to produce a (Lu 0.985 Ce 0.015) 3 Al 5 O 12 green light-emitting phosphor of 10 [mu] m. 次に、図17に示すように、Cuフレーム301の上部に設けられたパッケージ302の凹部内に前記発光素子303をダイボンドし、該発光素子を覆うようにコーティング部材304を設け、表面実装型の発光装置を作製する。 Next, as shown in FIG. 17, die bonding the light emitting element 303 in the recess of the package 302 provided on the top of the Cu frame 301 is provided with a coating member 304 to cover the light emitting element, a surface-mount manufacturing a light emitting device. コーティング部材304には、前記蛍光体にエポキシ樹脂と拡散剤を所定の割合で混合したものを用いる。 The coating member 304, used after the diffusing agent and an epoxy resin in the phosphor were mixed at a predetermined ratio. この発光装置は、淡い青緑色に発光し、色度座標値はx=0.170、y=0.365、発光効率は20lm/Wである。 The light emitting device emits a light blue-green, the chromaticity coordinate values ​​x = 0.170, y = 0.365, luminous efficiency is 20 lm / W.

[実施例35] [Example 35]
実施例34と同様にして作製した青色系発光素子と(Lu 0.985 Ce 0.015 Al 12緑色系発光蛍光体を用いて、図18に示すようなキャップタイプの発光装置を作製する。 Using blue light emitting element and (Lu 0.985 Ce 0.015) 3 Al 5 O 12 green light-emitting phosphor was prepared in the same manner as in Example 34, a light-emitting device of the cap type as shown in FIG. 18 to produce. すなわち、Cuフレーム401の上部に設けられたパッケージ402の凹部内に前記発光素子403をダイボンドし、該発光素子を覆うようにコーティング部材404を設ける。 That is, die bonding of the light emitting element 403 in the recess of the package 402 provided on the top of the Cu frame 401 is provided with a coating member 404 to cover the light emitting element. コーティング部材404には、エポキシ樹脂と拡散剤を所定の割合で混合したものを用いる。 The coating member 404, use a mixture epoxy resin and diffusion agent in a predetermined ratio. キャップ405には、前記蛍光体に光透過性樹脂としてシリコーン樹脂を所定の割合で混合したものを用いる。 The cap 405, used after the silicone resin as a light transmitting resin are mixed at a predetermined ratio to said phosphor. この発光装置は、淡い青緑色に発光し、色度座標値はx=0.170、y=0.365である。 The light emitting device emits a light blue-green, the chromaticity coordinate values ​​x = 0.170, a y = 0.365.

以上説明したように、本発明の蛍光体は300nm〜550nmの波長域の紫外線又は可視光により効率よく励起され発光することから、発光スクリーンや発光ダイオード、高圧水銀ランプ等の発光装置に有効に利用することができる。 As described above, the phosphor of the present invention since it efficiently excited luminous by ultraviolet or visible light in the wavelength range 300Nm~550nm, luminescent screen or a light emitting diode, effectively a light emitting device such as a high-pressure mercury lamp available can do. さらに、本発明の蛍光体又は本発明の蛍光体を含む複数種の蛍光体を用いることにより、種々の発光色のLEDを作製することができ、白色LEDの場合は演色性を向上させることができる。 Furthermore, by using a plurality of kinds of phosphors including the phosphor of the phosphor or the invention of the present invention, it is possible to produce LED various emission colors in the case of white LED is possible to improve the color rendering properties it can. また、劣化、色ずれの少ないLED発光装置を得ることができる。 Further, it is possible to obtain degradation, a color shift less LED device.

本発明の蛍光体を460nm青色光で励起したときの発光スペクトルを示す図である。 The phosphor of the present invention is a diagram showing an emission spectrum when excited at 460nm blue light. 本発明の蛍光体の励起スペクトルを示す図である。 Is a diagram showing the excitation spectrum of the phosphor of the present invention. 本発明の蛍光体の相対輝度とb値(Y量)の関係を示す図である。 Is a diagram showing the relationship between phosphor relative brightness and b value of the present invention (Y amount). 本発明の蛍光体を365nm紫外線で励起したときの発光スペクトルを示す図である。 The phosphor of the present invention is a diagram showing an emission spectrum when excited with 365nm ultraviolet light. 本発明の蛍光体の温度特性を示す図である。 Is a diagram showing temperature characteristics of the phosphor of the present invention. 本発明の蛍光体の300℃での相対輝度とb値(Y量)の関係を示す図である。 It is a diagram showing the relationship between the relative luminance and b values ​​at 300 ° C. of the phosphor of the present invention (Y amount). 本発明の蛍光体の分光反射率曲線を示す図である。 It is a diagram showing a spectral reflectance curve of the phosphor of the present invention. 本発明の蛍光体の反射率とc値(Ga量)の関係を示す図である。 Is a diagram showing the relationship between reflectance and c value (Ga amount) of the phosphor of the present invention. 本発明に係る砲弾型の発光装置を示す図である。 It shows a bullet-shaped light emitting apparatus according to the present invention. (a)本発明に係る表面実装型の発光装置を示す平面図である。 (A) is a plan view showing the surface mount type light emitting device according to the present invention. (b)本発明に係る表面実装型の発光装置の断面図である。 (B) is a sectional view of a surface mount type light emitting device according to the present invention. 本発明に係る発光素子を示す平面図である。 It is a plan view showing a light emitting device according to the present invention. 本発明に係る発光素子のA−A'を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing the A-A 'of the light-emitting device according to the present invention. 実施例1〜25及び比較例1の蛍光体のCIE色度図である。 Is a CIE chromaticity diagram of the phosphor of Examples 1 to 25 and Comparative Example 1. 実施例1〜25及び比較例1のLEDのCIE色度図である。 It is a CIE chromaticity diagram of the LED of Example 1 to 25 and Comparative Example 1. 実施例26〜31及び比較例2の白色LEDのCIE色度図である。 It is a CIE chromaticity diagram of a white LED of Example 26-31 and Comparative Example 2. 本発明に係るキャップタイプの発光装置を示す図である。 It is a view showing a light emitting device of the cap type according to the present invention. 実施例34に係る表面実装型の発光装置を示す図である。 Is a view showing a light emitting device of the surface mount type according to Example 34. 実施例35に係るキャップタイプの発光装置を示す図である。 It is a view showing a light emitting device of the cap type according to Example 35.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板2 半導体層3 電極4 バンプ10 発光素子11 蛍光体12 コーティング部材13 リードフレーム13a マウントリード13b インナーリード14 導電性ワイヤ15 モールド部材16 キャップ101 発光素子102 リード電極103 絶縁封止材104 導電性ワイヤ105 パッケージ106 リッド107 窓部108 蛍光体109 コーティング部材201 基板202 下地層203 n型層203a 露出面204 活性層205 p側キャリア閉込め層206 第1p型層207 電流拡散層208 p側コンタクト層209 発光部210 p側電極210a 電極枝210b p側パット電極211a n側電極211b n側パット電極301 Cuフレーム302 パッケージ303 発光素子304 コーティング部材401 Cuフレーム 1 substrate 2 the semiconductor layer 3 electrode 4 bump 10 light-emitting element 11 phosphor 12 coated member 13 lead frame 13a mount lead 13b inner lead 14 conductive wire 15 mold member 16 cap 101 light emitting element 102 lead electrodes 103 insulation sealing member 104 conductive wire 105 package 106 lid 107 window 108 phosphor 109 coated member 201 substrate 202 underlying layer 203 n-type layer 203a exposed surface 204 active layer 205 p-side carrier confinement layer 206 first 1p-type layer 207 current spreading layer 208 p-side contact layer 209 light emitting section 210 p-side electrode 210a electrode branches 210 b p-side pad electrode 211a n-side electrode 211b n-side pad electrode 301 Cu frame 302 packages 303 emitting element 304 coated member 401 Cu frame 02 パッケージ403 発光素子404 コーティング部材405 キャップ 02 package 403 emitting element 404 coated member 405 cap

Claims (3)

  1. 半導体発光素子と、前記半導体発光素子の外周を覆うように設けられたコーティング部材と、前記コーティング部材に含有された蛍光体と、を有する発光装置であって、 A semiconductor light emitting element, and a coating member provided so as to cover the outer periphery of the semiconductor light emitting element, a light-emitting device having a phosphor contained in the coating member,
    前記半導体発光素子の発光ピーク波長は480〜488nmの範囲にあって、 Emission peak wavelength of the semiconductor light emitting element is in a range of 480~488Nm,
    前記蛍光体は、一般式が(Lu 0.985 Ce 0.015 Al 12 表され前記半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し波長変換して緑色系の蛍光を発光する緑色系発光蛍光体を有し、 The phosphor general formula (Lu 0.985 Ce 0.015) 3 Al 5 O 12 , represented by light-emitting fluorescent greenish absorbs wavelength converting at least a portion of the light from the semiconductor light emitting element It has a green light-emitting phosphors,
    前記緑色系発光蛍光体は、真比重が5.4g/cm 以上であり、前記コーティング部材中において前記半導体発光素子表面側に多く分布していることを特徴とする発光装置。 The green light emitting phosphor is a true specific gravity of 5.4 g / cm 3 or more, the light-emitting apparatus characterized by being distributed more in the semiconductor light-emitting device surface in the coating member in.
  2. 前記蛍光体は、一般式がM Si :Eu(但し、Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)で表され前記半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し波長変換して赤色系の蛍光を発光する赤色系発光蛍光体を有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 The phosphor general formula M 2 Si 5 N 8: Eu (. However, M is the Sr, Ca, Ba, Mg, at least one selected from Zn) from the represented the semiconductor light emitting device the light emitting device according to claim 1, characterized in that it comprises a red light emitting phosphor which absorbs at least a portion of the light wavelength converting emits fluorescence of red-based color.
  3. 前記半導体発光素子は、484nmに発光ピーク波長がある青色系発光素子であることを特徴とする請求項1 又は2に記載の発光装置。 The semiconductor light-emitting device according to claim 1 or 2, characterized in that a blue-based light emitting device has peak emission wavelength in 484 nm.
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