JP4983355B2 - 温度測定方法又は電子デバイスの温度測定装置 - Google Patents

温度測定方法又は電子デバイスの温度測定装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4983355B2
JP4983355B2 JP2007103071A JP2007103071A JP4983355B2 JP 4983355 B2 JP4983355 B2 JP 4983355B2 JP 2007103071 A JP2007103071 A JP 2007103071A JP 2007103071 A JP2007103071 A JP 2007103071A JP 4983355 B2 JP4983355 B2 JP 4983355B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
light
electronic device
sensitive material
timing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007103071A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008261665A (ja
Inventor
久喜 藤川
敏一 佐藤
正道 猪飼
和重 小島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2007103071A priority Critical patent/JP4983355B2/ja
Publication of JP2008261665A publication Critical patent/JP2008261665A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4983355B2 publication Critical patent/JP4983355B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Description

電子デバイスなどの被測定物質の表面温度を非接触で精度良くかつ高速に測定する方法、装置に関する。
従来より被測定対象の表面温度を非接触で測定する技術が提案されており、例えば下記特許文献1では、蛍光強度が温度依存性を備える無機蛍光体を感温材料として用い、この感温材料を被測定物質の表面に被覆形成し、照射する励起光に対する無機蛍光体の蛍光発光強度を測定し、温度を求めている。
また、特許文献2でも、被測定物質を蛍光体で被覆し、パルス光を照射し、照射後、蛍光強度を測定することを開示している。特許文献2では、さらに蛍光の減衰期の第1測定時刻、蛍光が存在(残存)している第2測定時刻に蛍光測定を実行し、第1測定時刻と第2測定時刻の蛍光強度の比率から表面温度を算出している。
特許文献3では、測定対象物に付着させる感温蛍光材料として、蛍光の発光効率の温度依存性が異なる2種類を混合する。この感温蛍光材料の付着された測定対象物に励起光源からの光を照射し、得られる蛍光像をCCDカメラで撮像する。そして、この撮像データから検出してその強度比から温度を算出する。特許文献3のように温度依存性の異なる2種類の蛍光材料を感温蛍光材料に採用することで、低温における2次元の温度分布をリアルタイムで画像化することを提案している。
特開2001−272277号公報 特開2000−283859号公報 特開2006−126014号公報
ディスプレイや半導体装置などの電子デバイスにおいては、電気信号によって高速駆動が行われており、その信頼性評価の一環として熱解析が必要とされる。しかし、上記特許文献1,2,3等に示されるような温度測定装置では、温度測定精度を向上させたり、2次元画像による温度分布の測定等の空間分解能の向上を目的としており、被測定対象の温度変化について、その時間分解能についての認識がなかった。
例えば、上記特許文献1では、被計測対象の表面温度を測定することしか記載がない。また、特許文献2では、パルス光の照射から10μsec経過した後に第1測定を実行し、パルス光照射から310μsec経過した後に第2測定を実行している。ところが、被計測対象を動作させるという認識も、被計測対象の動作タイミングとの相関関係を考慮することについての認識もない。
さらに、特許文献3では、カラーCCDカメラを用いて発光強度を測定するため、1スキャン数十msec以上の測定時間が必要であり、時間分解はできない。
一方、高速な温度計測として、レーザ励起によるラマン散乱や蛍光を用いる方法が知られている。しかし、これらレーザ励起によるラマン散乱などを用いる測定装置は、非常に大がかりである。
このように、従来、簡便な装置構成で、msec程度の時間分解能を有し、また、経時的な温度変化についても観察容易な温度計測手法(装置)は存在しない。よって、パルス信号などによって駆動される電子デバイスに対しては、パルス駆動中ならびに駆動後の熱の過渡応答を簡便かつ高速応答可能な手法で測定することができず、熱電対などの応答性の悪い手法で定常状態の温度を計測するにとどまっていた。
本発明は、非接触で高い時間分解能の温度測定を実行する手段を提供する。
本発明は、温度測定方法であり、被測定物体の表面を、発光特性が温度依存性を有する発光物質を含有する感温材料で被覆し、前記感温材料で被覆された前記被測定物体の動作タイミングに同期して、前記発光物質にパルス光を照射するためのタイミング制御を行い、前記被測定物体の動作タイミングから所定時間経過後にパルス光を照射し、前記被測定物体の動作タイミングに同期して、前記パルス光照射による前記発光物質の発光光を検知するためのタイミング制御を行い、前記パルス光照射によって前記感温材料から放出された光を受光し、受光光と、前記感温材料の発光特性の温度との関係に基づいて、前記被測定物体のパルス動作から所定タイミング経過時の前記被測定物体の表面温度を求める。
本発明の他の態様では、上記温度測定方法において、前記被測定物体は、電気的に駆動される電気デバイスであり、前記発光物質は蛍光物質を含み、該電気デバイスをパルス駆動し、該パルス駆動から所定時間が経過した後に、前記パルス光を照射し、前記電子デバイスのパルス駆動に同期して前記表面温度を計測するタイミングを制御し、前記電子デバイスのパルス駆動から所定時間経過後における前記電子デバイス温度を求める。
本発明の他の態様では、上記温度測定方法において、前記電子デバイスに対する所定周波数での駆動と、該駆動から一定時間後の前記感温材料へのパルス光の照射と、前記感温材料から放出された光の計測と、を繰り返し実行し、計測結果の平均値に基づいて発光スペクトルからピーク波長を求め、表面温度を求める。
本発明の他の態様では、電気信号により駆動可能な電子デバイスの表面に形成され、発光特性が温度依存性を有する発光物質を含有する感温材料層に対し、パルス光を照射して得られる発光光と、前記温度依存性とに基づいて、前記電子デバイスの表面温度を測定する装置であり、前記感温材料層で被覆した前記電子デバイスの表面に対してパルス光を照射する光源と、前記電子デバイスの電気的な駆動と同期させて、前記光源の発光タイミングの制御を実行し、前記電子デバイスの駆動タイミングから所定時間経過後に前記光源を発光させる光源制御部と、前記パルス光によって励起された感温材料層の発光光を検出する光検出部であって、前記電子デバイスの電気的な駆動と同期させて、光検出動作タイミングの制御を実行し、所定タイミングで光検出を行う光検出部と、を備え、前記電子デバイスの所定の駆動タイミングから所定時間経過後に、前記パルス光の照射に応じて前記感温材料層から得られた光と、前記発光物質の温度依存性とから前記電子デバイスの表面温度を算出する演算部と、を備える。
本発明の他の態様では、上記電子デバイスの温度測定装置において、前記光源制御部は、前記電子デバイスに印加される駆動パルス信号に同期した信号を一定期間遅延させる遅延回路を備え、該遅延回路によって遅延された前記駆動パルス信号に同期した信号に応じたタイミングで前記光源を発光させ、前記光検出部は、前記電子デバイスに印加される駆動パルス信号に同期した信号を一定期間遅延させる遅延回路を備え、該遅延回路によって遅延された前記駆動パルス信号に同期した信号に応じたタイミングで前記感温材料層から得た光の検出を実行する。
本発明の他の態様では、上記装置において、前記光源は、紫外発光ダイオードを備えるパルス励起光源であり、前記光検出部は、複数の波長域を検出するマルチチャンネル検出器を備える。
本発明の他の態様では、上記方法又は装置において、前記発光物質は、無機発光体又は有機発光体である。また、前記発光物質は、酸化物又は硫化物又は硫化酸化物に、希土類又は貴金属が添加された無機蛍光体、または、ルテニウムビピリジン錯体、アミノ基を有するアミノベンゼン誘導体、アミノナフタレン誘導体、アミノフタレイン誘導体のいずれかの有機蛍光体を採用することも可能である。
本発明は、感温材料に採用する発光物質として、その発光スペクトルのピーク波長やピーク強度等のいわゆる発光特性が、温度依存性を有する材料を用い、被測定物体の動作タイミングに基づいて、発光物質を含む感温材料を被覆した被測定物体へのパルス光照射タイミングを制御する。よって、被測定物体の動作タイミングから所定時間経過後の光の検知結果を得ることができる。このため、被測定物体の動作からその表面温度の過渡的な変化を測定することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態(以下、実施形態)について説明する。
図1は、本実施形態に係る温度計測装置の概略構成図を示している。この装置では、発光特性が温度依存性を有する発光物質を含有する感温材料層110が、被測定物体100の表面に形成されている。この被測定物体100に対し、光源制御部310によって発光タイミングが制御される光源312からパルス光が照射され、パルス光照射によって得られる発光を受光部332を介して光検出部330が検出する。演算部350は、受光結果とその発光物質の温度依存性とに基づいて、被測定物体の表面温度を求める。
制御部370は、被測定物体100の駆動タイミングに応じて、発光タイミングの制御及び光検出タイミングを制御するために、この被測定物体の駆動信号に同期した制御信号を光源制御部310、光検出部330に供給する。また演算部350に対してもこの制御信号を供給し、演算結果(温度測定結果)と被測定物体の動作タイミングとの対応付けをこの制御信号を利用して行っても良い。
被測定物体100は、本実施形態において、半導体装置や、ディスプレイなど、電気信号によって様々な動作をする電子デバイスであり、配線などにはパルス状の電気等がデバイス駆動部200から出力され、その電気信号に応じ、発光や光変調等を実行したり、導通して電流等を流したりする。このような電子デバイスは、その電気信号などに応じて配線や、ディスプレイの場合には画素部などにおいて、短時間で熱負荷がかかる。
したがって、この熱負荷による熱現象の解析にあたり、制御部370は、電子デバイスに対するパルス信号と同期した制御信号を光源制御部310に供給し、光源制御部310は、この制御信号を内蔵する遅延回路によって定まる時刻だけ遅延させて光源駆動用パルス信号を発生し、光源312に供給する。
光源制御部310の遅延回路は、被測定物体の駆動から、例えばμsec〜sec程度の範囲で最低限測定する必要のある少なくとも1回のタイミングで光源駆動用パルス信号が出力されるように、少なくとも1種類の遅延時間(μsec〜sec)が設定される。また、温度の経時変化を観察する用途に対応する場合には、被駆動物体の動作からμsec〜secの範囲で複数時間設定できることが望ましい。なお、この遅延時間は、光源駆動用パルス信号に対する光源312の応答速度及び感温材料層110の発光応答速度等を考慮して決定することができる。
光源312は、光検出部330での検出が可能な程度に感温材料層110を励起することのできる波長、エネルギのパルス光を射出する光源(パルス励起光源)を備え、例えば高速応答の可能な紫外発光ダイオードが採用できる。また、この光源312は、光源制御部310から光源駆動用パルス信号が供給されたタイミングで発光する。さらに、光源312からのパルス光を局部的に照射し、その部分における温度を測定する場合には、図1に示すように、集光系レンズ314を採用し、光源312からの光をこの集光系レンズ314で集光し、測定目的領域に選択的に照射する。
受光部332は、感温材料層110の励起光を受光できる位置に配置され、光ファイバーを通じて受光信号を光検出部330へ伝える。光検出部330は、上記電子デバイスのパルス信号に同期して制御部370から供給される制御信号を、内蔵する遅延回路によって所定時刻だけ遅延させたタイミングから受光信号の検出を実行する。この遅延時間は、電子デバイス100を駆動するパルス信号に同期した制御信号に対する上記光源駆動用パルス信号の遅延時間と同じに設定することで、パルス光の照射と同時に光検出を実行することができる。
なお、この光検出部330での光検出タイミングの制御信号に対する遅延時間についても、光源駆動用パルス信号に対する光源312の応答速度及び感温材料層110の発光応答速度を考慮することができる。
ここで、上記光源312の発光タイミングと光検出タイミングを精度良く同期させるためには、光源制御部310の遅延回路と、光検出部330の遅延回路とを共用することが好適である。
また、光検出部330において、常時、光検出処理を実行してもよく、その場合には、演算部350又はこの光検出部330において、電子デバイスへのパルス信号の印加タイミング又はパルス光の照射タイミングに基づいて、パルス光の照射タイミングからの検出信号を演算部350での演算対象にするように制御する(パルス光照射によって得られた光を正確に検出するためである)。
なお、光検出部330としては、マルチチャンネル検出器を採用することができ、これにより、感温材料層110の励起光の強度を複数の波長域について検出することができ、より正確にピーク強度を検出することができる。例えば、励起光として400nm以下の紫外線を発光させることのできる紫外LEDを上記光源312に採用し、CCDアレイ等を用いたマルチチャネル検出器を採用することで高速かつ正確なピーク波長又はピーク強度を測定することができる。
ここで、発光物質(例えば蛍光物質)の発光の減衰時間tdは、td<1msec、光源312として用いる紫外発光ダイオードの応答速度Vrは、Vr<1msecである。このように、感温材料として光の減衰時間が十分短く、かつ光源として応答速度が十分速いものを採用することで、msec単位の温度測定が可能となる。また、光源制御部310の発生する光源駆動用パルス信号の遅延時間Δtをμsec〜secの範囲で任意に設定することで、被測定物体100の駆動開始からmsec単位の熱の過渡現象を測定することが可能となる。ここで、遅延時間は、この光源制御部310に採用する遅延回路によって容易に設定することができる。このような構成の採用により、被測定物体の動作タイミングからmsec単位の温度の過渡現象を測定できる。
得られる蛍光の強度が弱い場合には、電子デバイスの駆動と同期している紫外発光ダイオードの駆動を電子デバイスの駆動と共に繰り返し実行し、光検出器による検出も対応して繰り返し実行し、各電子デバイス駆動時に得られた光検出信号を積算し、積算値から平均を演算して、精度の高い温度情報を得ることができる。
なお、予め以上のような温度測定方法により得られる光検出信号と表面温度との関係を求めて検量線を作成して格納しておくことが好適である。実測定時には、得られた光検出信号又はその積算・平均値から上記検量線データを参照して、表面温度を求めることができ、正確、迅速に測定結果を得ることができる。上述のように、本実施形態では、数msecの時間分解能で表面の温度変化を発光物質のピーク波長から算出することができる。なお、ピーク強度が温度依存性を有する発光材料を感温材料に用いる場合には、光の強度(ピーク強度)を測定し、予め求めたピーク強度と温度との検量線を用いて温度を算出する。
図2は、被測定物体100として採用される電子デバイスの具体的な構成例を示している。この例では、電子デバイスとして有機EL素子10を採用している。有機EL素子10は、ガラスなどの基板12の上に、第1電極14,第2電極16が形成され、この第1電極14と第2電極16の間に有機発光材料を含む有機層20が形成されている。図2の例では、基板12側の第1電極14に、透明金属酸化物であるITO(Indium tin Oxide)等を用いた透明電極層を採用し、第2電極16としては、Al、Ag、MgAg等の金属層を採用している。有機層20は、採用する発光材料等の特性に応じ、単層でも多層でも良く、例えば、陽極側(本実施形態では、第1電極14)から、正孔輸送層、発光層の2層構造を採用している。なお、本実施形態では第2電極16を陰極として用いており、上記金属層と有機層20との間には電子注入層としてLiF等からなる薄い層が設けられている(上記金属層と電子注入層を一体的に第2電極16と表現することも可能である)。
このようなEL素子は、有機層20に対し、陽極から正孔を、陰極から電子を注入し、有機層20中で正孔と電子が再結合し、その再結合エネルギにより有機発光材料が励起され、基底状態に戻る際に得られる光を表示や光源などに用いる。
図2の有機EL素子10では、基板12側の透明な第1電極14から基板12を介して外部に光が射出される。本実施形態に係る感温材料層110は、不透明な金属層からなる第2電極16を覆うように形成している。感温材料層110の形成された有機EL素子は、外来の水分や酸素による劣化を防止するために、封止部材30を基板12に接着することで、有機EL素子の形成領域をこの基板12と封止部30とによって外界から遮蔽している。有機EL素子の形成領域は、このような封止部材30によってその側方及び上方が取り囲まれ、封止空間32には、N2、Ar等の不活性気体(非酸化性気体)が封入されている。
封止部材30として透明なガラスを採用することで、本実施形態に係る感温材料層110の形成された有機EL素子に対し、このEL素子を駆動し、これと同期して所定タイミングで、素子封止状態で封止部材30側から、パルス光を照射し、かつ、感温材料層110の発光を検知することができる。
次に感温材料層110に採用する発光物質について説明する。
本実施形態において、発光物質に採用可能な物質としては、以下に示すような蛍光波長や蛍光強度の温度依存性の大きい無機物質や有機物質の蛍光物質が挙げられる。
無機材料の例としては、酸化物や硫化物又は硫化酸化物に希土類や貴金属が添加された蛍光体を用いることができ、一例として、
La22S:Eu、YVO4:Eu、(Zn、Cd)S:Ag、ZnS:Ag、Cu、Ga、Cl、ZnS:Ag、ZnS:Cu、Al、Y23S:Eu
などを用いることができる。
有機材料の例としては、重金属の錯体であるルテニウムビピリジン錯体(Ru(bpy)3)やアミノ基を有するアミノベンゼン誘導体、アミノナフタレン誘導体、アミノフタレイン誘導体などを用いることができる。
なお、感温材料層110の厚さについては、特に制限はないが、層として安定して存在するために必要な厚さがあり、十分な励起エネルギーを光源312からの光から得るのに十分な厚さとすれば良く、一例として100nm程度とすることができる。なお、図2に示す有機EL素子において、上部側の第2電極16を透明電極とし、封止部材30側からEL素子の光を外部に取り出す構成の場合、感温材料層110は、通常のEL素子発光時において、その発光光を透過可能な材料を用いる。また、EL素子の通常動作時(発光時)にこのEL発光光によって感温材料層110が発光しないよう、感温材料としては、EL素子からの光では励起せず、光源312からの光によって選択的に励起されて発光する材料を採用することが好適である。
以上本実施形態では、電子デバイス100の駆動をパルス信号で実行し、また光源312についてもパルス信号で駆動してパルス波を発生させている。このようにパルス駆動としているのは、測定タイミングを明確化し、測定の精度を向上させる上で望ましい。但し、連続波(アナログ波)による電子デバイスの駆動、光源からの光が連続波である場合でも、デバイス駆動開始タイミング、発光開始タイミングを正確に制御することで温度測定の精度を維持することができる。
[実施例1]
(電子デバイスの作製)
電子デバイスとして上述の図2に示すような有機EL素子を用い、その素子の温度計測を実施した。
ガラス基板12上にITO(インジュウム錫酸化物)の透明電極14を100nmの膜厚で形成しパターニング後、有機洗浄、純水洗浄、乾燥、UVオゾン処理を行った。その基板12を直ちに真空チャンバへ導入後、ArとO2のプラズマ処理を行った。
次に、真空蒸着(真空度7×10-5 Pa)により、下記式(1)
Figure 0004983355
に示されるトリフェニルアミンの4量体であるTPTEを60nm堆積して、正孔輸送層を形成した。
その後、発光層として、下記式(2)
Figure 0004983355
に示すAlq3を60nm形成した。さらにこの後、電子注入層としてLiF層を0.5nm、金属電極としてAlを100nm蒸着した。
このようにして有機EL素子を作製した後、Alの金属電極16上に蛍光ピークの温度依存性があることが知られている下記式(3)
Figure 0004983355
に示す白金ポルフィリン(Pt(OEP))を濃度消光しないようにAlq3をホストとして、5:95の割合で真空蒸着して感温材料層を100nm形成した。
このような素子部の形成された基板12を高純度の窒素ガスが循環しているグローブボックス内に搬送し、透明なガラスを封止部材30として用い、有機EL素子と感温材料層とを、紫外線硬化樹脂を用いて基板12上において封止した。
(電子デバイスの時間分解温度測定)
図1で示した光学式温度計測装置を用いて、電子デバイスとして上述の図2に例示する有機EL素子10の温度測定を実施した。作製した有機EL素子10の電極18(第1電極14及び第2電極16)に対し、30Hz、パルス幅0.5msec、電圧20Vのパルス信号を供給してパルス駆動した。このときの有機EL素子の平均輝度は、1600cd/m2であった。なお、この図1に例示するパルス波が定常レベルより高いパルス信号を、本実施例では、第1電極14とこれと有機層20を挟んで対向する第2電極16の陽極として機能する電極に印加し、他方の電極は一定電位に固定することで、有機層20に対し、上記パルス信号に応じた電流を流し、有機層20中に含まれる有機発光材料を発光させる。なお、有機層20を同様に発光させることができる他の方法としては、図1に示すパルス信号とは逆極性のパルス信号を陰極として機能する電極に印加しても良いし、陽極と陰極に対し、互いに逆極性で、かつ電圧の絶対値が上記20Vの半分のパルス信号をさせてもよい。
この有機EL素子10への駆動パルス信号の印加から、任意の遅れ時間経過後、紫外発光ダイオードを0.5msecの間パルス駆動し、感温材料層110から射出される蛍光のスペクトルをマルチチャンネル検出器330により検出した。
検出は、暗箱内で実施しており、発光ダイオードからの紫外パルス光の照射によって感温材料が励起されている時間領域のみの蛍光スペクトルが得られる。光検出器330の感度に応じて、このようなEL素子の駆動、パルス光照射、及び測定を繰り返し、温度演算が容易にできるノイズの少ない信号を得るようにした。
得られた蛍光スペクトルを図3に示す。なお、予め、恒温槽を用いて作成した蛍光ピーク波長と温度との関係を利用し、図4に示すような検量線を作成した。この検量線を用いて蛍光スペクトルのピーク波長から温度を算出した。
有機EL駆動から紫外の発光ダイオードの駆動時間との差である遅れ時間を変え、上記の測定を繰り返すことで、有機EL素子の温度の時間分解測定が可能になる。図5に、その結果を示す。
図5において、その横軸の0msecは、有機EL素子へのパルス信号印加タイミングを示し、有機EL素子の駆動開始直後に、表面温度が5〜6℃上昇していることがわかる。また、それから数十msecの間に、温度が急激に下がって、定常温度に近づいている。このように本実施例1では、簡単な装置で、数msecと非常に短い時間領域の温度測定を実際に行うことが可能であることが明らかになった。なお、図5において、黒塗り菱形(測定1)及び黒塗り四角(測定2)で示す特性線は、それぞれ有機EL素子を1回駆動し、駆動から同じタイミングで、複数回パルス光照射と光検出を実行して求めた温度変化を示しており、測定1及び測定2のいずれも温度変化はほぼ一致している。よって、この実施例1の測定方法には再現性があり、また測定を繰り返して各測定での平均値を求めることで、温度変化をより正確に求めることが可能となる。
(比較例1)
有機EL素子のガラス表面上に熱電対を貼り付け、温度測定を実施した。実施例1と同様の条件で有機EL素子を駆動をした。そのときの温度上昇として計測できた値は、トータルで1.2℃であり、図5に示す実施例1のようなパルス駆動時の瞬間的な温度上昇を把握することは、できなかった。
[実施例2]
(ディスプレイの配線上への感温材料の成膜)
ディスプレイの配線部分の温度上昇を測定するため、図6に示すようなディスプレイ配線を作成した。具体的には、ガラス基板42上に既にストライプ状に形成されているITO透明電極44をディスプレイ配線として用い、この透明電極44を覆って、上記化学式(3)に示したPt(OEP)と、化学式(2)に示したAlq3とが5:95になるように共蒸着し、100nmの厚さの感温材料層110を形成した。
さらに、上記のような有機材料を含む感温材料層110の劣化を防止するために、基板12を高純度の窒素ガスが循環しているグローブボックス内に搬送し、封止部材30として透明なガラスを用い、紫外線硬化樹脂を用いて、封止部材30をガラス基板12の感温材料層110の形成面に接着し、ディスプレイ配線と感温材料層110を封止した。
(ディスプレイの配線の時間分解温度測定)
次に、図1で示した光学式温度計測装置を用いて、ディスプレイの配線部分の温度測定を実施した。ディスプレイの配線を、0.2Hz、パルス幅0.5msec、電圧5Vでパルス印加し、そのときの温度上昇を測定した。実施例2では、紫外の発光ダイオード312からの励起光を集光系レンズ314で1mmφ程度に絞り、測定が必要な部分のみの感温材料層の蛍光が得られるようにした。この配線44へのパルス印加から、任意の遅れ時間後に、紫外の発光ダイオードを0.5msecの間パルス駆動させ、感温材料からの蛍光スペクトルをマルチチャンネル検出器を用いた光検出部330で検出した。測定は、暗箱内で実施し、発光ダイオードにより感温材料が励起されている時間領域のみの蛍光スペクトルが得られる。光検出器330の感度に応じて、この測定を繰り返し、温度演算が容易にできるノイズの少ない信号を得るようにした。
配線44へのパルス印加から紫外の発光ダイオードの駆動時間との差である遅れ時間を変えて、上記の測定を繰り返すことで、配線の温度の時間分解測定を実行する。図7に、その結果を示す。この結果から、パルス電圧印加中とその直後には、温度が10〜11℃上昇しており、それから数十msecの間に、温度が急激に下がって、定常温度に近づいていることが理解できる。つまり、本実施例の結果からも、本実施形態に係る温度測定装置を用いることで、簡単な装置構成により、数msecと非常に短い時間領域の温度測定が可能であることが明らかになった。また、そのような短時間の温度測定を電子デバイスの駆動時からタイミングを変えて経時的に実行することで、温度の時間分解測定が実行でき、温度変化を正確に把握することができる。
(比較例2)
ディスプレイの配線のガラス表面上に熱電対を貼り付け、温度測定を実施した。実施例2と同様に配線にパルス電圧を印加した。そのときの温度上昇は、2.8℃であり、実施例2のようなパルス駆動時における瞬間的な温度上昇を把握することは、できなかった。
[実施例3]
(ディスプレイの配線上への感温材料の成膜)
実施例3では、実施例2と同様なディスプレイの配線部分の温度上昇を測定するために、既にストライプ状に形成されているITO透明電極上に、実施例2とは異なる感温材料(発光材料)を用いて感温材料層112を形成した。この感温材料層112は、発光材料としてZnS:Agのナノ粒子を用い、この粒子を体積比で30%含むポリカーボネート樹脂を、200nmの厚さに、ディップコート法で形成した。ZnS:Ag蛍光体は、ポリカーボネートで覆われているため、大気中でも十分安定なため、実施例1、2に示すような封止は実施しなかった(図8)。
(ディスプレイの配線の時間分解温度測定)
次に、図8に示すディスプレイ配線の配線部分の温度を、図1で示した光学式温度計測装置を用いて測定した。ディスプレイの配線を、0.2Hz、パルス幅1msec、電圧8Vでパルス印加し、そのときの温度上昇を測定した。実施例3では、紫外の発光ダイオードからの励起光をレンズで0.5mmφ程度に絞り、測定が必要な部分のみの感温材料層の蛍光が得られるようにした。この配線へのパルス印加から、任意の遅れ時間後に、紫外の発光ダイオードを0.5msecの間パルス駆動させ、感温材料からの蛍光スペクトルをマルチチャンネル検出器により測定した。測定は、暗箱内で実施しており、発光ダイオードにより感温材料が励起されている時間領域のみの蛍光スペクトルが得られる。光検出器の感度に応じて、この測定を繰り返して温度演算が容易にできるノイズの少ない信号を得るようにした。また、あらかじめ測定しておいたZnS:Agのナノ粒子の蛍光ピーク波長と温度との関係から温度を算出した。
このように、配線のパルス印加から紫外の発光ダイオードの駆動時間との差である遅れ時間を変えて、上記の測定を繰り返すことで、配線の温度の時間分解測定が可能になる。図9に、その結果を示す。パルス電圧印加中(時間0)とその直後には、温度が15〜17℃上昇しており、それから数十msecの間に、温度が急激に下がって、定常温度に近づいている。
本実施例3の結果から明らかなように、感温材料として上述の実施例1,2のような有機発光材料に限らず、無機蛍光材料を用いた場合にも、1回当たり数msecと非常に短い時間内での温度測定が可能であることが明らかになった。よって、感温材料に限定されることなく本実施形態に係る温度測定装置により、時間分解の温度測定が可能であることがわかる。
(比較例3)
比較例3として、図8に示すディスプレイの配線44を形成したガラス表面上に熱電対を貼り付け、温度測定を実施した。実施例3と同様に配線にパルス電圧を印加し時の温度上昇は、4.3℃であった。実施例3のようなパルス駆動時のような瞬間的な温度上昇を把握することは、できなかった。
本発明の実施形態に係る温度測定装置の概略構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る感温材料層を備える被測定物体の構成例を示す図である。 本発明の実施形態において採用可能な感温材料の蛍光スペクトルを示す図である。 本発明の実施形態に係る検量線の一例を示す図である。 電子デバイスとして有機EL素子を採用しこれをパルス駆動したときの温度変化を示す図である。 実施例2に係るディスプレイ配線を示す概略図である。 実施例2に係るディスプレイ配線の温度測定結果を示す図である。 実施例3に係るディスプレイ配線を示す概略図である。 実施例3に係るディスプレイ配線の温度測定結果を示す図である。
符号の説明
10 有機EL素子、12 基板、14 第1電極、16 第2電極、18 電極、20 有機層、30 封止部材、32 封止空間、44 ディスプレイ配線、100 被測定物体(電子デバイス)、110,112 感温材料層、200 電子デバイスの駆動部、310 光源制御部、312 光源、314 集光系レンズ、330 光検出部、332 受光部、350 演算部、370 制御部。

Claims (7)

  1. 被測定物体の表面を、発光特性が温度依存性を有する発光物質を含有する感温材料で被覆し、
    前記感温材料で被覆された前記被測定物体の動作タイミングに同期して、前記発光物質にパルス光を照射するためのタイミング制御を行い、前記被測定物体の動作タイミングから所定時間経過後にパルス光を照射し、
    前記被測定物体の動作タイミングに同期して、前記パルス光照射による前記発光物質の発光光を検知するためのタイミング制御を行い、前記パルス光照射によって前記感温材料から放出された光を受光し、
    受光光と、前記感温材料の発光特性の温度との関係に基づいて、前記被測定物体のパルス動作から所定タイミング経過時の前記被測定物体の表面温度を求める温度測定方法において、
    前記被測定物体は、電気的に駆動される電気デバイスであり、
    前記発光物質は蛍光物質を含み、
    該電気デバイスをパルス駆動し、該パルス駆動から所定時間が経過した後に、前記パルス光を照射し、前記電子デバイスのパルス駆動に同期して前記表面温度を計測するタイミングを制御し、前記電子デバイスのパルス駆動から所定時間経過後における前記電子デバイス温度を計測することを特徴とする温度測定方法。
  2. 請求項に記載の温度測定方法において、
    前記電子デバイスに対する所定周波数での駆動と、該駆動から一定時間後の前記感温材料へのパルス光の照射と、前記感温材料から放出された光の計測と、を繰り返し実行し、
    計測結果の平均値に基づいて発光スペクトルからピーク波長を求め、表面温度を求めることを特徴とする温度測定方法。
  3. 電気信号により駆動可能な電子デバイスの表面に形成され、発光特性が温度依存性を有する発光物質を含有する感温材料層に対し、パルス光を照射して得られる発光光と、前記温度依存性とに基づいて、前記電子デバイスの表面温度を測定する装置であり、
    前記感温材料層で被覆した前記電子デバイスの表面に対してパルス光を照射する光源と、
    前記電子デバイスの電気的な駆動と同期させて、前記光源の発光タイミングの制御を実行し、前記電子デバイスの駆動タイミングから所定時間経過後に前記光源を発光させる光源制御部と、
    前記パルス光によって励起された感温材料層の発光光を検出する光検出部であって、前記電子デバイスの電気的な駆動と同期させて、光検出動作タイミングの制御を実行し、所定タイミングで光検出を行う光検出部と、を備え、
    前記電子デバイスの所定の駆動タイミングから所定時間経過後に、前記パルス光の照射に応じて前記感温材料層から得られた光と、前記発光物質の温度依存性とから前記電子デバイスの表面温度を算出する演算部と、
    を備える電子デバイスの温度測定装置。
  4. 請求項に記載の電子デバイスの温度測定装置において、
    前記光源制御部は、前記電子デバイスに印加される駆動パルス信号に同期した信号を一定期間遅延させる遅延回路を備え、該遅延回路によって遅延された前記駆動パルス信号に同期した信号に応じたタイミングで前記光源を発光させ、
    前記光検出部は、前記電子デバイスに印加される駆動パルス信号に同期した信号を一定期間遅延させる遅延回路を備え、該遅延回路によって遅延された前記駆動パルス信号に同期した信号に応じたタイミングで前記感温材料層から得た光の検出を実行することを特徴とする温度測定装置。
  5. 請求項又は請求項のいずれかに記載の電子デバイスの温度測定装置において、
    前記光源は、紫外発光ダイオードを備えるパルス励起光源であり、
    前記光検出部は、複数の波長域を検出するマルチチャンネル検出器を備えることを特徴とする温度測定装置。
  6. 請求項1〜請求項のいずれか一項に記載の温度測定方法又は電子デバイスの温度測定装置において、
    前記発光物質は、無機発光体又は有機発光体であることを特徴とする温度測定方法又は電子デバイスの温度測定装置。
  7. 請求項1〜請求項のいずれか一項に記載の方法又は装置において、
    前記発光物質は、
    酸化物又は硫化物又は硫化酸化物に、希土類又は貴金属が添加された無機蛍光体、
    または、ルテニウムビピリジン錯体、アミノ基を有するアミノベンゼン誘導体、アミノナフタレン誘導体、アミノフタレイン誘導体のいずれかの有機蛍光体であることを特徴とする温度測定方法又は電子デバイスの温度測定装置。
JP2007103071A 2007-04-10 2007-04-10 温度測定方法又は電子デバイスの温度測定装置 Expired - Fee Related JP4983355B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007103071A JP4983355B2 (ja) 2007-04-10 2007-04-10 温度測定方法又は電子デバイスの温度測定装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007103071A JP4983355B2 (ja) 2007-04-10 2007-04-10 温度測定方法又は電子デバイスの温度測定装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008261665A JP2008261665A (ja) 2008-10-30
JP4983355B2 true JP4983355B2 (ja) 2012-07-25

Family

ID=39984262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007103071A Expired - Fee Related JP4983355B2 (ja) 2007-04-10 2007-04-10 温度測定方法又は電子デバイスの温度測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4983355B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105890795B (zh) * 2016-04-09 2018-06-29 南昌航空大学 单光谱检测温度场的方法
CN116429286B (zh) * 2023-06-07 2023-09-01 西南交通大学 物体表面瞬态温度测量方法、装置、设备及可读存储介质

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04160330A (ja) * 1990-10-23 1992-06-03 Toshiba Corp 温度測定方法
JP3653879B2 (ja) * 1996-08-07 2005-06-02 ソニー株式会社 蛍光式温度計
JP2001272277A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Osaka Gas Co Ltd 物体の表面温度測定方法
JP4147057B2 (ja) * 2002-06-21 2008-09-10 エア・ウォーター株式会社 温度センサおよびそれを用いた温度測定装置
JP2006071424A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ナノ薄膜熱物性測定方法および測定装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008261665A (ja) 2008-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003279326A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される有機薄膜の膜厚測定法および測定装置
TWI641851B (zh) 用於在發光二極體結構中之內部量子效率之非接觸量測的方法及裝置
EP1678482B1 (en) Frequency domain luminescence instrumentation
JP4645540B2 (ja) 有機材料の評価装置及び評価方法
JP2006278035A (ja) 発光分布推定方法、発光分布推定装置、発光分布推定プログラム、記録媒体、表示素子、画像表示装置
WO2016164751A1 (en) Cathodoluminescence-activated nanoscale imaging
JP4983355B2 (ja) 温度測定方法又は電子デバイスの温度測定装置
US4164374A (en) Spectrophotometer utilizing a solid state source of radiant energy having a controllable frequency spectra characteristic
JP5732337B2 (ja) 燐光測定方法
CN112088298B (zh) 使用光致发光光谱的用于oled制造的计量
Hatanaka et al. Exploring the behavior of electron-hole pairs in working organic light emitting diodes
US11204321B2 (en) Humidity sensor
CN109949727B (zh) 用于显示面板的老化方法及老化装置
Chodavarapu et al. Multi-sensor system based on phase detection, an LED array, and luminophore-doped xerogels
WO2019002697A1 (en) METHOD AND DEVICE FOR ADAPTIVE MEASUREMENT OF ELECTROCHIMIOLUMINESCENCE
JP2006016660A (ja) 有機薄膜形成装置および方法
JP4092300B2 (ja) 有機材料の特性評価方法および特性評価装置
IT201800007263A1 (it) Sensore ottico a bassa potenza per applicazioni di consumo, industriali e automobilistiche
JP4384947B2 (ja) 伝導型判定方法および装置
JP2005077245A (ja) 有機電子素子形成用材料の組成選定方法
He et al. 27‐4: Distinguished Student Paper: Integrated Sensing Platform Based on Quantum Dot Light Emitting Diodes
Lacombe et al. Electroluminescence microspectroscopy of silicon nanocrystals obtained by Si+ ion implantation in SiO2
JP2005077246A (ja) 有機電子素子形成用材料の解析方法及びその解析装置
JP4381067B2 (ja) 有機電子素子形成用材料の選定方法
Marunchenko et al. Hidden photoexcitations probed by multi-pulse photoluminescence

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100325

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100401

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100325

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120117

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120308

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120327

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120409

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees