JP4981742B2 - 発光ダイオードパッケージ - Google Patents

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Description

本発明は、概して発光ダイオード(LED)パッケージに関し、特に放熱機能と集光機能又は光拡散機能とを有する支持体を具えるLEDパッケージに関するものである。
発光ダイオード(LED)の発光効率が益々改良されるにつれて、LEDは、一部の分野、例えば、迅速な応答に必要なスキャナーのランプ光源、液晶ディスプレイ(LCD)のバックライト光源又はフロントライト光源、並びに自動車の計器盤、交通信号灯及び通常の照明装置用の照明において、蛍光灯や白熱灯に取って代わってきた。従来のランプと比較して、LEDは、絶対的な利点、例えば、小容量、長期寿命、低駆動電圧/電流、非脆性、無水銀(無公害)及び優れた発光効率(省力化)を有する。
しかしながら、単一のLEDの光場は、実質的にわずかな角度で直線的に放射されるので、平坦な基板上に整然と配置された複数のLED光源における光場のパターンは、一般に様々な用途の要求を満たしていない。そのため、用途の要求に従って、一般には光路上に光学レンズを追加し、光線を集光又は拡散させなければならない。しかしながら、光学レンズは、反射、屈折及び吸収等の二次的な光学効果をもたらす場合があり、そのため、光の透過率を低減させる。また、光学レンズは、一般に基板上に密閉されており、そのため、光学レンズと基板との間に気体が残存し、延いては、操作時にLEDで発生する熱エネルギーを外部に逃がさない場合がある。
不十分な放熱効果では満足できないため、LEDの温度を効果的に低減することができず、更には、LEDランプの発光効率や耐用年数に影響を及ぼす。
従って、本発明は、極めて高い発熱電力での高い熱伝導率と電気絶縁性が達成されるように、整然と配列される複数のLED光源に適合した発光ダイオード(LED)パッケージに向けられている。また、LEDパッケージは、光学レンズを使用せずに集光機能又は光拡散機能を有することができ、それによって、LED光源の光学効率を向上させる。
本発明は、支持体、一対の第一導電性ワイヤ単位、第一LEDチップ及び制御回路モジュールを含む発光ダイオード(LED)パッケージを提供する。支持体は、搭載部と該搭載部の周囲に接続する環状枠とを有する。搭載部は、半球形状の上面と少なくとも一対の通し孔とを有する。一対の第一導電性ワイヤ単位は、それぞれ通し孔の内部に配置され、各導電性ワイヤ単位は、導電性ワイヤと該導電性ワイヤを封入する絶縁材とを有する。第一LEDチップは、支持体の上面に配置され、一対の導電性ワイヤと電気的に接続される。制御回路モジュールは、支持体の底部に配置され、LEDチップの操作を制御するために一対の導電性ワイヤと電気的に接続される。
本発明の一の実施態様においては、搭載部の上面が、上方に盛り上がるか又は下方にくぼんだ半球形状の面である。
本発明の一の実施態様においては、支持体の材料が、銅、アルミニウム、銅系合金又は銅系複合材料、アルミニウム系合金又はアルミニウム系複合材料、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムよりなる群から選択される一つである。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更に環状枠の内面に配置された反射膜を含む。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更に環状枠の外面に配置された複数の冷却フィンを含む。
本発明の一の実施態様においては、LEDチップが、ワイヤボンディング技術又はフリップチップボンディング技術によって一対の導電性ワイヤと電気的に接続されている。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更に第二LEDチップと一対の第二導電性ワイヤ単位とを含む。第二LEDチップは、支持体の上面に配置される。各第二導電性ワイヤ単位は、搭載部上に配置される電気絶縁層と該電気絶縁層上に配置される導電性ワイヤ層とを含む。導電性ワイヤ層とLEDチップ及び制御回路モジュールとは、電気的に接続されている。
本発明の一の実施態様においては、第二LEDチップが、ワイヤボンディング技術によって導電性ワイヤ層と電気的に接続されている。また、LEDパッケージは、第一LEDチップ及び第二LEDチップを封入するため、更に搭載部上に配置された成形材料を含む。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、第一LEDチップを封入するため、更に搭載部上に配置された成形材料を含む。
本発明は、更に支持体、一対の導電性ワイヤ単位、LEDチップ及び制御回路モジュールを含む発光ダイオード(LED)パッケージを提供する。支持体は、搭載部と該搭載部の周囲に接続した環状枠とを有する。搭載部は、半球形状の上面を有する。各導電性ワイヤ単位は、搭載部上に配置された電気絶縁層と該電気絶縁層上に配置された導電性ワイヤ層とを含む。LEDチップは、支持体の上面に配置され、導電性ワイヤ層と電気的に接続される。制御回路モジュールは、LEDチップの操作を制御するため、導電性ワイヤ層と電気的に接続される。
本発明の一の実施態様においては、搭載部の上面が、上方に盛り上がるか又は下方にくぼんだ半球形状の面である。
本発明の一の実施態様においては、支持体の材料が、銅、アルミニウム、銅系合金又は銅系複合材料、アルミニウム系合金又はアルミニウム系複合材料、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムよりなる群から選択される一つである。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更に環状枠の内面に配置された反射膜を含む。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更に環状枠の外面に配置された複数の冷却フィンを含む。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更に搭載部の底面及び環状枠の内面に配置されたヒートパイプを含む。
本発明の一の実施態様においては、LEDチップが、ワイヤボンディング技術によって、導電性ワイヤ層と電気的に接続されている。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更に、支持体上に配置された、LEDチップを封入するための成形材料を含む。
本発明のLEDパッケージは、熱伝導機能を有する支持体上にLEDチップを直接実装しており、従って、操作時にLEDチップで発生する熱エネルギーが支持体によって取り除かれ、それにより、放熱効率を向上させる。また、支持体の搭載部は、上方に盛り上がるか又は下方にくぼんだ半球形状の上面となるように設計されており、その結果、支持体は、放熱機能と光拡散機能又は集光機能とを有する。従って、LEDパッケージはまた、光学レンズを使用せずに光拡散機能又は集光機能を有することができる。
本発明の特徴や利点をより明確且つ理解できるようにするため、添付図面を参照しながら、下記に示す実施態様を詳細に説明する。
本発明の更なる理解をもたらすために添付図面を含み、そして本願明細書中に組み込まれ、本願明細書の一部を構成する。図面は、本発明の実施態様を説明しており、図面の簡単な説明と共に本発明の本質を説明する役目を果たす。
図1A及び1Bは、それぞれ本発明の第一の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図及び略上面図である。図2は、本発明の第二の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図3は、本発明の第三の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図4は、本発明の第四の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図5は、本発明の第五の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図6は、本発明の第六の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。
これから、本発明の実施態様について詳細に言及する。本発明の実施態様の例は、添付図面において説明される。可能である限り、図面及び説明において同一の参照番号を用い、同一の部材又は同様な部材を指す。
図1A及び1Bは、それぞれ本発明の第一の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図及び略上面図である。図1A及び1Bを合わせて参照すると、LEDパッケージ100aは、主として支持体110、複数対の導電性ワイヤ単位120、複数のLEDチップ130及び制御回路モジュール140を含む。この実施態様においては、説明用の例として、LEDパッケージ100aに配置された複数対の導電性ワイヤ単位120及び複数のLEDチップ130を採用する。しかしながら、使用者はまた、異なる用途要求によって、LEDパッケージ100a内に一対の導電性ワイヤ単位120と一つのLEDチップ130とを配置させることもできる。導電性ワイヤ単位120の対の数及びLEDチップ130の数は、本発明において制限されない。
支持体110は、搭載部112と該搭載部112の周囲に接続した環状枠114とを有する。また、搭載部112は、半球形状の上面112aと、複数対の通し孔Hとを有する。この実施態様においては、搭載部112の上面112aは、上方に盛り上がる半球形状の面であり、このようにして光拡散機能を有している。また、支持体110によって、操作時にLEDチップ130で発生する熱エネルギーを効果的に取り除かせるには、支持体110の材料を、銅、アルミニウム、銅系合金又は銅系複合材料、アルミニウム系合金又はアルミニウム系複合材料、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムよりなる群から選択することができる。
複数対の導電性ワイヤ単位120は、複数対の通し孔H中に配置され、各導電性ワイヤ単位120は、導電性ワイヤ122と該導電性ワイヤ122を覆う絶縁材124とを含む。LEDチップ130は、支持体110の上面112aに配置され、対応する導電性ワイヤ122と電気的に接続されている。この実施態様においては、LEDチップ130は、ワイヤボンディング技術を用いて、導電性ワイヤ122と電気的に接続される。しかしながら、LEDチップ130はまた、フリップチップボンディング技術又は他の方法によって、導電性ワイヤ122と電気的に接続されてもよく、本発明において制限されるものではない。制御回路モジュール140は、支持体110の底部100に配置され、複数対の導電性ワイヤ122と電気的に接続され、LEDチップ130の操作を制御する。
図1A及び1Bに示す通り、LEDパッケージ100aは、更に環状枠114の内面114aに配置された反射膜150を含む。反射膜150は、高い反射指数を有する金属で作製され得、支持体110の反射効率を向上させる。また、支持体110の放熱効率を向上させるには、LEDパッケージ100aは、更に環状枠114の外面114bに配置された複数の冷却フィン160を含んでもよく、放熱区域を増大させる。その上、LEDパッケージ100aは、更に支持体110上に配置された成形材料170を含むことができる。成形材料170は、LEDチップ130を封入し、LEDチップ130の損傷やLEDチップ130に入り込む湿気を防ぐ。
図2は、本発明の第二の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図2を参照すると、LEDパッケージ100bは、図1AのLEDパッケージ100aと実質的に同一であり、それらの間の差異は以下に記載されるとおりである。支持体110'における搭載部112'の上面112a'は、下方にくぼんだ半球形状の面であり、従って、集光機能を有している。その結果、使用者は、異なる要求に従って光拡散機能を有する支持体110又は集光機能を有する支持体110'を採用することができ、このことは、本発明において制限されるものではない。
図3は、本発明の第三の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図3を参照すると、LEDパッケージ100cは、図1AのLEDパッケージ100aと実質的に同一であり、それらの間の差異は以下に記載されるとおりである。LEDパッケージ100cの導電性ワイヤ単位120'は積層構造を有し、搭載部112上に配置された電気絶縁層122'と該電気絶縁層122'上に配置された導電性ワイヤ層124'とから構成されている。同様に、LEDチップ130は、支持体112の上面122aに配置され、導電性ワイヤ層124'と電気的に接続される。この実施態様においては、LEDチップ130が、ワイヤボンディング技術によって導電性ワイヤ層124'と電気的に接続されている。また、支持体110の放熱効率を向上させるには、LEDパッケージ100cは、更に、搭載部110の底面及び環状枠114の内面114aに配置されるヒートパイプ180含むことができる。
図4は、本発明の第四の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図4を参照すると、LEDパッケージ100dは図3のLEDパッケージ100cと実質的に同一であり、それらの間の差異は以下に記載されるとおりである。LEDパッケージ100dにおいて採用される搭載部112'の上面112a'は、下方にくぼんだ半球形状の面であり、従って、集光機能を有している。その結果、使用者は、要求に従って光拡散機能を有する支持体110又は集光機能を有する支持体110'を採用することができ、このことは、本発明において制限されるものではない。
図5は、本発明の第五の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図5を参照すると、使用者は、図1A及び3に示されるような二つの異なる導電性ワイヤ単位120及び120'を同時に採用してもよく、このようにして、LEDチップ130は、導電性ワイヤ単位120又は120'を通して制御回路モジュール140と電気的に接続されている。
図6は、本発明の第六の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図6を参照すると、LEDパッケージ100fは図5のLEDパッケージ100eと実質的に同一であり、それらの間の差異は以下に記載されるとおりである。LEDパッケージ100fで採用される搭載部112'の上面112a'は、下方にくぼんだ半球形状の面であり、従って、集光機能を有している。その結果、使用者は、要求に従って光拡散機能を有する支持体110又は集光機能を有する支持体110'を採用することができ、このことは、本発明において制限されるものではない。
上記したことを考慮すると、本発明のLEDパッケージは、熱伝導機能を有する支持体上にLEDチップを直接実装する。また、搭載部について上方に盛り上がるか又は下方にくぼんだ半球形状の上面を採用することで、支持体は、放熱機能と光拡散機能又は集光機能とを有する。そのようにして、LEDパッケージは、光学レンズを使用せずに光拡散機能又は集光機能を有することができる。更に、従来技術において、基板上に光学レンズを実装するので熱エネルギーを外部に放散することができないという問題を避けるため、操作時にLEDチップで発生する熱エネルギーを支持体の底部又は側部から直接排出することができる。
本発明の構造について、本発明の範囲又は精神から逸脱することなく種々の変更及び変化を行うことができることが、当業者に明らかとなる。上記のことを考慮すると、本発明が、特許請求の範囲及びその均等の範囲内であれば、この発明の変更及び変化に及ぶことが意図される。
本発明の第一の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。 本発明の第一の実施態様に従うLEDパッケージの略上面図である。 本発明の第二の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。 本発明の第三の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。 本発明の第四の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。 本発明の第五の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。 本発明の第六の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。
符号の説明
100 LEDパッケージ
110 支持体
112 搭載部
114 環状枠
120 導電性ワイヤ単位
122 導電性ワイヤ
124 絶縁材
130 LEDチップ
140 制御回路モジュール
150 反射膜
160 冷却フィン
170 成形材料
180 ヒートパイプ

Claims (16)

  1. 搭載部及び該搭載部の周囲に接続した環状枠を具える支持体であって、前記搭載部が上方に盛り上がる半球形状の上面と少なくとも一対の通し孔とを含む支持体と、
    それぞれが前記通し孔の内部に配置された複数対の第一導電性ワイヤ単位であって、各導電性ワイヤ単位が導電性ワイヤと該導電性ワイヤを封入する絶縁材とを含む複数対の第一導電性ワイヤ単位と、
    前記支持体の上面に配置され、各々が対応する前記第一導電性ワイヤ単位と電気的に接続された複数の第一LEDチップと、
    前記支持体の底部に配置され、前記導電性ワイヤと電気的に接続された、LEDチップの操作を制御するための制御回路モジュールと、
    を具える発光ダイオード(LED)パッケージ。
  2. 前記支持体の材料が、銅、アルミニウム、銅系合金又は銅系複合材料、アルミニウム系合金又はアルミニウム系複合材料、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムよりなる群から選択される請求項1に記載のLEDパッケージ。
  3. 更に、前記環状枠の内面に配置された反射膜を具える請求項1に記載のLEDパッケージ。
  4. 更に、前記環状枠の外面に配置された複数の冷却フィンを具える請求項1に記載のLEDパッケージ。
  5. 前記第一LEDチップが、ワイヤボンディング技術又はフリップチップボンディング技術によって導電性ワイヤと電気的に接続されている請求項1に記載のLEDパッケージ。
  6. 更に、前記支持体の上面に配置された複数の第二LEDチップと、
    複数対の第二導電性ワイヤ単位であって、それぞれが前記支持体上に配置された電気絶縁層と該電気絶縁層上に配置された導電性ワイヤ層とを含み、該導電性ワイヤ層がそれぞれ第二LEDチップ及び制御回路モジュールと電気的に接続されている複数対の第二導電性ワイヤ単位と、
    を具える請求項1に記載のLEDパッケージ。
  7. 前記第二LEDチップが、ワイヤボンディング技術によって導電性ワイヤ層と電気的に接続されている請求項に記載のLEDパッケージ。
  8. 更に、前記支持体上に配置された、第一LEDチップ及び第二LEDチップを封入するための成形材料を具える請求項に記載のLEDパッケージ。
  9. 更に、前記支持体上に配置された、第一LEDチップを封入するための成形材料を具える請求項1に記載のLEDパッケージ。
  10. 搭載部及び該搭載部の周囲に接続した環状枠を具える支持体であって、前記搭載部が上方に盛り上がる半球形状の上面を含む支持体と、
    複数対の導電性ワイヤ単位であって、それぞれが対応する前記支持体上に配置された電気絶縁層と該電気絶縁層上に配置された導電性ワイヤ層とを含む複数対の導電性ワイヤ単位と、
    前記支持体の上面に配置され、前記導電性ワイヤ層と電気的に接続された複数のLEDチップと、
    前記導電性ワイヤ層と電気的に接続された、LEDチップの操作を制御するための制御回路モジュールと、
    を具えるLEDパッケージ。
  11. 前記支持体の材料が、銅、アルミニウム、銅系合金又は銅系複合材料、アルミニウム系合金又はアルミニウム系複合材料、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムよりなる群から選択される請求項10に記載のLEDパッケージ。
  12. 更に、前記環状枠の内面に配置された反射膜を具える請求項10に記載のLEDパッケージ。
  13. 更に、前記環状枠の外面に配置された複数の冷却フィンを具える請求項10に記載のLEDパッケージ。
  14. 更に、前記支持体の底面及び前記環状枠の内面に配置されたヒートパイプを具える請求項10に記載のLEDパッケージ。
  15. 前記LEDチップが、ワイヤボンディング技術によって導電性ワイヤ層と電気的に接続されている請求項10に記載のLEDパッケージ。
  16. 更に、前記支持体上に配置された、LEDチップを封入するための成形材料を具える請求項10に記載のLEDパッケージ。
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5236070B2 (ja) * 2008-05-13 2013-07-17 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト Ledアレイ
US8058669B2 (en) * 2008-08-28 2011-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-emitting diode integration scheme
US20100067240A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 John Selverian Optical Cup For Lighting Module
DE102008057140A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JPWO2010140666A1 (ja) * 2009-06-04 2012-11-22 ミツミ電機株式会社 半導体基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
KR101081069B1 (ko) * 2009-12-21 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
JP2011199211A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Kowa Denki Sangyo Kk 照明装置
US8319247B2 (en) 2010-03-25 2012-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier for a light emitting device
US8486761B2 (en) * 2010-03-25 2013-07-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hybrid combination of substrate and carrier mounted light emitting devices
JP5496757B2 (ja) * 2010-04-16 2014-05-21 交和電気産業株式会社 照明装置
JP5627932B2 (ja) * 2010-06-05 2014-11-19 交和電気産業株式会社 集魚装置
JP5658496B2 (ja) * 2010-07-08 2015-01-28 交和電気産業株式会社 集魚装置
CN201758140U (zh) * 2010-07-16 2011-03-09 福建中科万邦光电股份有限公司 新型led光源模块封装结构
CN102339928A (zh) * 2010-07-29 2012-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
JP5271349B2 (ja) * 2010-12-28 2013-08-21 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および車両用前照灯
US8833975B2 (en) 2010-09-07 2014-09-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, illuminating device, vehicle headlamp, and method for producing light-emitting device
CN101975376B (zh) * 2010-10-08 2012-07-11 深圳市华星光电技术有限公司 背光模块的发光源散热构造
CN102130107B (zh) * 2010-12-13 2013-01-09 吉林大学 阶梯阵列式高压发光管及其制备方法
TWI517452B (zh) * 2011-03-02 2016-01-11 建準電機工業股份有限公司 發光晶體之多晶封裝結構
RU2013148615A (ru) * 2011-04-04 2015-05-10 Керамтек Гмбх Керамическая печатная плата с алюминиевым радиатором
US9937852B2 (en) 2012-01-13 2018-04-10 JST Performance, LLC Light fixture with curved frame
CN102543987A (zh) * 2012-02-07 2012-07-04 达亮电子(苏州)有限公司 固态发光组件
CN103899997A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 深圳市海洋王照明工程有限公司 顶灯
KR101353616B1 (ko) 2013-05-27 2014-01-23 주식회사 코리아썬엘이디 조명등용 히트파이프 cob 엘이디 모듈 및 이를 이용한 조명등
FR3019938B1 (fr) * 2014-04-09 2017-09-01 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes a diagramme d'emission ameliore
US9739441B2 (en) * 2015-03-02 2017-08-22 JST Performance, LLC Light fixture with curved frame
CN205938728U (zh) * 2015-10-02 2017-02-08 魏晓敏 Led模组及led发光设备
JP6915983B2 (ja) * 2015-12-25 2021-08-11 シチズン電子株式会社 発光装置および調色装置
US20190245127A1 (en) * 2016-09-23 2019-08-08 Shenzhen Keweitian Eco-Lighting Co.,Ltd. Sun-like spectrum led lamp bead structure
USD809168S1 (en) 2017-01-20 2018-01-30 Tractor Supply Company Light bar
US10259377B2 (en) 2017-01-20 2019-04-16 Tractor Supply Company Vehicle light bar with straight and curved frame portions
US10267478B2 (en) 2017-02-17 2019-04-23 Tractor Supply Company Light bar assembly including a wind shield
FR3063129B1 (fr) * 2017-02-17 2019-04-12 Valeo Vision Module lumineux a encombrement reduit
US10964675B1 (en) * 2019-09-20 2021-03-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN113503469A (zh) * 2021-07-14 2021-10-15 深圳市定千亿电子有限公司 一种新型led芯片封装技术光源

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3454123B2 (ja) * 1997-11-25 2003-10-06 松下電工株式会社 Led照明モジュール
JPH11266036A (ja) * 1998-03-17 1999-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 平面光源装置およびその製造方法
JP2000323754A (ja) * 1999-05-12 2000-11-24 Rohm Co Ltd チップ型発光素子
EP2241803B1 (en) * 2001-05-26 2018-11-07 GE Lighting Solutions, LLC High power LED-lamp for spot illumination
JP4493916B2 (ja) * 2003-01-08 2010-06-30 三菱電機株式会社 自動車用前照灯
JP2004265986A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Citizen Electronics Co Ltd 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法
JP2005005483A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Citizen Electronics Co Ltd 高輝度発光素子
WO2005067062A1 (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Nec Corporation 光入力付基板、光出力付基板、光入出力付基板及び光素子一体型半導体集積回路
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7683474B2 (en) * 2005-02-14 2010-03-23 Osram Sylvania Inc. LED assembly with LED position template and method of making an LED assembly using LED position template
KR100782798B1 (ko) * 2006-02-22 2007-12-05 삼성전기주식회사 기판 패키지 및 그 제조 방법

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