JP4978995B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶パネルおよびそれを用いた液晶表示装置に関し、特に液晶分子を、基板面に対して略垂直方向に配向させるモード（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ モード：以下、ＶＡモードと呼ぶ）で動作する液晶パネルに関し、ＶＡモードの液晶パネルにおいて、光照射により配向膜に配向処理を施した液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、パーソナルコンピュータをはじめとする様々な情報処理装置の表示装置や、テレビジョン等の表示装置として広く使われている。この液晶表示装置の中でＶＡモードの液晶パネルを用いたものが製品化されている。

ＶＡモードの液晶パネルは、負の誘電率異方性を有する液晶を用い、液晶パネルを構成する一対の基板間に、液晶を略垂直に配向するようにしたものである。

ＶＡモードの液晶パネルでは、液晶に電界を印加しない状態において、液晶分子は基板面に対して略垂直に配向するため、液晶層に入射した光は、液晶層内で偏光面をほとんど変化させることなく出射する。このような液晶層を挟んで、一対の偏光板をその透過軸を直交させて配置（クロスニコル）し液晶パネルを形成した場合に、非電界印加状態において、このＶＡモードの液晶パネルは偏光板の性能に従った黒色表示が可能である。

ＶＡモードの液晶表示装置については、例えば特許文献１に見られるように、性能向上のために研究・開発が進められている。

特開平０７−１９１３１３号

しかしながら、このＶＡモードの液晶表示パネルにおいては、斜め方向から見た場合に特定の色に着色するという所謂視野角が狭いという問題がある。この視野角が狭いという問題点を解決するために、特許文献１に記載あるように、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示装置やＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶表示装置が提唱されている。また、ＶＡモードの液晶表示パネルに限らず位相差板を用いて視野角を広げる試みは広く知られている。

しかしながら、いずれの方法も根本的な解決方法ではなく、特に位相差板を用いる方法は、高価な位相差板を用いるために製造原価が高くなってしまうといった問題を有している。

第１の基板と、第２の基板と、第１と第２の基板に挟まれた液晶層と、第１の基板上にマトリクス状に配置された画素部を有する液晶表示装置であって、第１の基板の液晶層側に第１の有機膜と、第２の基板の液晶層側に第２の有機膜とを形成し、第１の有機膜に光照射によって第１の遅相軸と、第２の有機膜に光照射によって第２の遅相軸とを交差するように形成し、液晶層に電界を印加した場合に液晶分子が倒れる方向と、第１の遅相軸または第２の遅相軸とを異ならせることで、ＶＡモードの液晶表示装置の視野角を拡大する。

本願発明によれば、ＶＡモードの液晶表示パネルにおいて、高価な位相差板を用いることなく、簡単な構造で広視野角の液晶表示装置を得ることが可能となる。

ＴＦＴおよび画素電極等を有する画素部がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタ等が形成されたカラーフィルタ基板とを重ねあわせ、両基板の間に液晶層を挟み、両基板の周囲をシール材等で取り囲み封止して液晶パネルを形成し、ＴＦＴ基板の液晶層側には有機膜で第１の配向膜を形成し、またカラーフィルタ基板の液晶層側にも有機膜で第２の配向膜を形成する。

ＴＦＴ基板には第１の方向と該第１の方向と交差する第２の方向とにジグザグに折れ曲がり延伸する第１の突起を形成し、カラーフィルタ基板にも第１の突起と同様に第１の方向と該第１の方向と交差する第２の方向とにジグザグに折れ曲がり延伸するた第２の突起とを形成する。

また、第１の配向膜には紫外線等の光照射によって、配向膜の分子の主鎖を揃えることにより第１の遅相軸を生じさせ、第２の配向膜にも光照射により第２の遅相軸を生じさせる。この第１の遅相軸と第２の遅相軸とは交差するように配置される。

液晶分子は電界が印加されない状態では垂直に配向するＶＡモードで使用され、液晶層に電界を印加した場合に液晶分子は、第１の突起および第２の突起の延伸方向と交差する方向に倒れる。この液晶分子の倒れる方向と、第１の遅相軸または第２の遅相軸とが異なるように形成する。

ＶＡモードで使用する液晶パネルにおいて、第１の遅相軸と第２の遅相軸とを交差するように配置することで、配向膜にＶＡモードの液晶表示装置の視野角を広げる位相差板の機能を持たせることができる。

図１は、本発明による液晶表示装置１００を示す平面図である。液晶表示装置１００は液晶パネル１と制御回路８０とで構成される。制御回路８０からは液晶パネル１の表示に必要な信号が供給される。制御回路８０はフレキシブル基板7０に搭載されており、配線7１、端子7５を介して信号が液晶パネル１に伝達される。

液晶パネル１の画素部８には画素電極１１が設けられている。なお、液晶パネル１は多数の画素部８をマトリクス状に備えているが、解り易くするため、図１では画素部８を１つだけ図示している。マトリクス状に配置された画素部８は表示領域９を形成し、各画素部８が画像の画素の役割をはたし、表示領域９に画像を表示する。

図１においては、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線（走査線とも呼ぶ）２１と、ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線（映像信号線とも呼ぶ）２２とが設けられており、ゲート信号線２１とドレイン信号線２２とで囲まれる領域に画素部８が形成されている。また、ゲート信号線２１と並列に共通信号線２５が設けられており、各画素部８の保持容量電極に印加される電圧を供給している。

画素部８にはスイッチング素子１０が設けられている。ゲート信号線２１からは制御信号が供給され、スイッチング素子１０のオン・オフが制御される。スイッチング素子１０がオン状態となることで、ドレイン信号線２２を介して伝送された映像信号が画素電極１１に供給される。

ゲート信号線２１とドレイン信号線２２とは駆動回路５に接続されており、駆動回路５から制御信号及び映像信号が出力する。

次に図２は、ＶＡモード液晶表示パネル１の基本的構成を示す概略展開図である。液晶パネル１は相互に対向する一対のガラス基板２、３と、その間に封入される液晶層４とより構成され、前記液晶パネル１の下方には矢印９５で示した方向に吸収軸を有する第１の偏光板９１が、また上方には矢印９６で示した方向に吸収軸を有する第２の偏光板９２が配設される。

ガラス基板２と、３にはそれぞれ画素電極１１と対向電極１５とが形成されている。液晶層４は、負の誘電率異方性を有する液晶であり、画素電極１１と対向電極１５との間に電界を印加しない非駆動状態において、下側基板近傍および、上側基板近傍の液晶分子は、各基板に対して略垂直に配向する。

非駆動状態の場合には、液晶分子は基板に略垂直に配向しており、第１の偏光板９１を透過して入射した光は、その偏光軸を変えずに進むので、透過軸が第１の偏光板９１に対して直交している第２の偏光板９２を透過せず、黒色表示が行える。

白色表示を行うために、電圧を画素電極１１と対向電極１５との間に印加した場合には、下側の配向膜９３により液晶分子は矢印９７の方向に傾き、上側の配向膜９４により液晶分子は矢印９８の方向に傾く。この時、液晶分子によって偏光軸が回転した光は、第２の偏光板９２を通過して、パネルの正面から観た場合には所望の白色表示が得られる。

本願発明では、図２の配向膜９３は位相差を有する屈折率楕円体で、その遅相軸は矢印９７と同方向としている。また、配向膜９４も位相差を有する屈折率楕円体で、その遅相軸９９は液晶分子が傾く方向９８に対して交差している。

次に配向膜９３と９４について図３を用いて説明する。紙面と同じ平面に図３に示すようにｘ軸方向とｙ軸方向を定め、紙面に垂直な方向をｚ軸方向とすると、配向膜９３は遅相軸がｘ方向を向いており、位相差はｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの関係を有している。

また、配向膜９４は遅相軸がｙ方向を向いており、位相差はｎｙ＞ｎｘ＝ｎｚの関係を有している。そのため、配向膜９３と配向膜９４とをその遅相軸がそれぞれ直交するように重ねると、配向膜９３と配向膜９４との位相差を合せた値は、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚの関係とすることができる。

配向膜の遅相軸９７、９９を偏光板９１、９２の透過軸方向９５、９６に対して４５度となるように配置すると、大きなＲｔｈ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）・２−ｎｚ）×ｄを得ることが可能である。

次に図４から図６を用いて位相差を有する配向膜について説明する。図４は配向膜の高分子が並んでいる状態を示している。例えば配向膜はポリイミドをスピンコートすることで形成される。このときポリイミド分子鎖１１０は図４に示すように、ランダムな方向を向いている。

図４に示すように、矢印１１１の方向に直線偏光した紫外線をポリイミドに照射すると、図５に示すように、配向膜の分子鎖は照射された紫外線の偏光方向にほぼ平行な分子鎖１１２は紫外線を多く吸収して切れて短くなる。

図６に示すように、紫外線照射と同時に、または照射後、ポリイミドを加熱すると切れて短くなった分子鎖は分解する。よって相対的に、紫外線の偏光方向と直交した方向の分子鎖１１３は、平行な方向の分子鎖よりも長くなる。

このような、紫外線の偏光方向に対して、吸収しやすい方向を有する分子鎖は、光学的な異方性を有しており、紫外線照射により例えば分子鎖に平行な方向に遅相軸を形成する。

そのため、液晶分子の配向方向を規制する目的で形成される配向膜に、紫外線を照射し、照射方向、強度を調整することで望みの位相差を生じさせることが可能である。

配向膜は液晶層を挟んで２層形成されるため、２層の間で異なる方向に遅相軸が発生するように紫外線を照射し、２層重ね合わせることで生じる位相差を利用することが可能である。

次に図７に画素部８の平面図を示す。また図７のＡ−Ａ線で示す断面図を図８に示す。図７に示すようにゲート信号線２１とドレイン信号線２２とが交差して形成され、ゲート信号線２１と並列に容量線２５が形成されている。ゲート信号線２１とドレイン信号線２２とで囲まれた領域に画素電極１１が形成されている。

画素電極１１と容量線２５とは重なっており保持容量を形成している。画素電極１１にはスルーホール４７が形成されており、保持容量電極１６と画素電極１１とは電気的に接続されている。

ゲート信号線２１とドレイン信号線２２の交差部近傍にスイッチング素子（以後、薄膜トランジスタ、ＴＦＴとも呼ぶ）１０が形成される。ＴＦＴ１０はゲート信号線２１を介して供給されるゲート信号によりオン状態となり、ドレイン信号線２２を介して供給される映像信号をドレイン電極３２、ソース電極３３、スルーホール４６を介して画素電極１１に書き込む。

次に、図８に図７のＡ−Ａ線で示す概略断面図を示す。液晶パネル１は、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とが対向して配置されている。ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間には、液晶組成物４が保持されている。なお、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との周辺部には、シール材（図示せず）が設けられており、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とシール材とは、狭い隙間を有する容器を形成しており、液晶組成物４はＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間に封止される。また、符号１４と符号１８は液晶分子の配向を制御する配向膜である。

図７では図が複雑になることを避けるために、液晶分子の配向方向を規制する突起１１４、１１５を省略したが、ＴＦＴ基板２の配向膜１４の下には突起１１４が設けられ、カラーフィルタ基板３の配向膜１８の下には突起１１５が設けられている。この突起１１４、１１５は図９に示すように折れ曲がった形状をしている。

図７で説明した画素部８の設けられるＴＦＴ基板２は、少なくとも一部が透明なガラス、樹脂等からなる。ＴＦＴ基板２上には前述したようにゲート信号線２１（図８では図示せず）が形成されており、ゲート信号線２１は、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）または、ジルコニウム（Zirconium）を主体とする層とアルミ（Ａｌ）を主体とする層の多層膜から形成される。また、上面からＴＦＴ基板側の下面に向けて線幅が広がるように側面が傾斜している。ゲート信号線２１の一部はゲート電極３１を形成する。図８ではそのゲート電極３１を図示している。

ゲート電極３１を覆うようにゲート絶縁膜３６が形成され、ゲート絶縁膜３６の上にアモルファスシリコン膜からなる半導体層３４が形成される。半導体層３４の上部には不純物が添加されてｎ＋層３５が形成される。ｎ＋層３５はオーミックコンタクト層であり、半導体層３４が電気的に良好に金属層と接続されるよう設けられている。半導体ｎ＋層３５の上には、ドレイン電極３２とソース電極３３とが離間して形成されている。なお、ドレインとソースの呼び方は電位によって変化するが、本明細書ではドレイン信号線２２と接続する方をドレインと呼ぶ。

ドレイン信号線２２、ドレイン電極３２、ソース電極３３は、モリブデン（Ｍｏ）とクロム（Ｃｒ）の合金や、モリブデン（Ｍｏ）又はタングステン（Ｗ）を主体とする２つの層で、アルミを主体とする層を挟んだ多層膜から形成されている。

ＴＦＴ３０の上には無機絶縁膜４３と有機絶縁膜４４が形成されている。この無機絶縁膜４３と有機絶縁膜４４にはスルーホール４６が形成されており、ソース電極３３と画素電極１１とが電気的に接続される。無機絶縁膜４３は窒化シリコン膜ＳｉＮや酸化シリコン膜ＳｉＯ２で形成することができ、有機絶縁膜４４は有機樹脂膜を用いることができる。有機絶縁膜４４の表面は比較的平坦に形成することが可能なものであるが、凹凸を形成すように加工することも可能である。

画素電極１１は透明導電膜で形成されており、透明導電膜は、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＴＺＯ(Indium Tin Zinc Oxide)、ＩＺＯ (Indium Zinc Oxide)、ＺｎＯ (Zinc Oxide)、ＳｎＯ（酸化スズ）、Ｉｎ2Ｏ3（酸化インジウム）等の透光性の導電層から構成されている。

なお、前述したクロムを主体とする層は、クロム単体でもクロムとモリブデン（Ｍｏ）等の合金でもよく、ジルコニウムを主体とする層は、ジルコニウム単体でもジルコニウムとモリブデン等の合金でもよく、タングステンを主体とする層は、タングステン単体でもタングステンとモリブデン等の合金でもよく、アルミを主体とする層は、アルミ単体でもアルミとネオジウム（Neodymium）等の合金でもよい。

容量線２５には、保持容量部１３が接続している。容量線２５には無機絶縁膜４３を挟んで対向して保持容量電極２６が設けられている。保持容量電極２６と画素電極１１とは、有機絶縁膜４４に設けられたスルーホール４７を介して接続される。なお、保持容量電極２６はドレイン信号線２２と同じ工程で、同じ材料にて形成することが可能である。

前述したように、画素電極１１の上には液晶分子の配向方向を規制する突起１１４が形成されている。同様にカラーフィルタ基板３側にも突起１１５が形成されている。

カラーフィルタ基板３はガラス、樹脂等からなる基板で、特定の波長の光を透過するカラーフィルタ１５０と各カラーフィルタ１５０を区画する遮光層であるブラックマスク１６２が形成されている。カラーフィルタ１５０とブラックマスク１６２の上にはオーバーコート膜１５８が形成されている。

オーバーコート膜１５８の上には対向電極１５が形成され、対向電極１５の上には前述した突起１１５が形成されており、対向電極１５と突起１１５の上を覆って配向膜１８が形成されている。

前述したように、この配向膜１４、１８には紫外線照射により位相差が生じている。このとき、配向膜１４と１８の分子鎖（主鎖）の伸びる方向が遅相軸となる。配向膜１４と配向膜１８とはそれぞれ遅相軸を有しているために、それぞれは屈折率楕円体であるが、配向膜１４と配向膜１８の遅相軸を直交するように重ねると２つの配向膜で、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚとすることができ、視野角を光学的に補償することが可能となる。

ただし、このときＶＡモードの液晶表示素子では、前述した配向方向を規制する突起１１４、１１５と配向膜１４、１８の遅相軸との関係について検討する必要が生じる。

次に図９を用いて突起１１４、１１５と液晶分子１１６の倒れる方向を説明する。図９に示すように突起１１４と突起１１５とはジグザグに折れ曲がっており、平面的に観て交互に形成されている。

突起１１４、１１５の上の液晶分子は垂直配向されているため、突起１１４、１１５の傾斜面に対して垂直な方向に配向される。このとき各基板の主面に対して傾斜面が傾きを有しているため、電界が印加されて無い状態でも突起１１４、１１５の液晶分子は基板に対して傾いて配向されることになる。

そのため、電界を印加した場合には、突起１１４、１１５の配向方向に液晶分子が倒れることとなる。図９では突起１１４、１１５の延伸方向に交差する方向となる。

前述したように、突起１１４はＴＦＴ基板２に設けられ、突起１１５はカラーフィルタ基板３に設けられ、平面的に観て交互に形成されているので、突起１１４と突起１１５によって液晶分子の倒れる方向は、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とで同じ方向となる。

ただし、図９に示したように、突起１１４、１１５はジグザグに折れ曲がっているので、液晶分子１１６ａと１１６ｂのように突起１１４と突起１１５の形成される方向によって液晶分子の倒れる方向は異なる。

図９では、突起１１４と突起１１５の折れ曲がる方向は２方向であり、その方向はゲート信号線２１やドレイン信号線２２と略４５°の角度で交差している。

前述したように、配向膜１４と配向膜１８の遅相軸は直交しており、対して液晶分子の倒れる方向は、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とで同じ方向であるため、一方の基板側で配向膜の遅相軸と液晶分子の倒れる方向をそろえたとしても他方の基板側では配向膜の遅相軸と液晶分子の倒れる方向がそろわずに交差してしまう。

一般に配向膜の遅相軸方向に配向膜分子の主鎖がそろっているので、遅相軸方向に液晶が配向する可能性があるため、配向膜の遅相軸と液晶分子の倒れる方向とを同方向としたいが、配向膜で視野角を光学的に補償するために、配向膜１４と配向膜１８の遅相軸を直交するように重ねる必要がある。そのため、どちらか一方の基板側で、配向膜の遅相軸と液晶分子の倒れる方向がそろわないこととなる。

図９に示すように突起１１４、１１５はジグザグに折れ曲がっているので、配向膜の遅相軸と液晶分子の倒れる方向がそろわない領域も、ＴＦＴ基板２側とカラーフィルタ基板３側で交互に形成されており、配向膜の遅相軸と液晶分子の倒れる方向がそろわないことによる問題点を相互に補償し合うことが可能である。

以上、本願発明によれば、ＶＡモードの液晶表示装置において、配向膜に視野角拡大の機能を持たせることが可能となる。そのため、高価な視野角拡大フィルムを積層貼り合わせて使用することが簡略化されて、薄膜化と低コスト化を図ることができる。

本発明の実施の形態である液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。 本発明の実施の形態である液晶表示装置の液晶パネルを示す概略展開図である。 本発明の実施の形態である液晶表示装置の配向膜を示す概略展開図である。 本発明の実施の形態である液晶表示装置の配向膜を示す概略図である。 本発明の実施の形態である液晶表示装置の配向膜を示す概略図である。 本発明の実施の形態である液晶表示装置の配向膜を示す概略図である。 本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部を示す概略平面図である。 本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部を示す概略断面図である。 本発明の実施の形態である液晶表示装置の突起を示す概略平面図である。

符号の説明

１…液晶パネル、２…ＴＦＴ基板、３…カラーフィルタ基板、４…液晶層、５…駆動回路、８…画素部、９…表示領域、１１…画素電極、１４…配向膜、１５…対向電極、１６…保持容量電極、１８…配向膜、２１…ゲート配線（走査信号線）、２２…映像信号線、２５…保持容量線、３１…ゲート電極、３２…ドレイン電極、３３…ソース電極、３４…半導体層、３５…ｎ＋層、３６…ゲート絶縁膜、４３…無機保護膜、４４…有機絶縁膜、４６…コンタクトホール、４７…コンタクトホール、１１０…分子鎖、１１１…矢印、１１２…分子鎖、１１３…分子鎖、１１４…突起、１１５…突起、１１６…液晶分子。

Claims (9)

1. 第１の基板と、第２の基板と、
   上記第１と第２の基板に挟まれた液晶層と、
   上記第１の基板上にマトリクス状に配置された画素部を有する液晶表示装置であって、
   上記第１の基板の液晶層に面して形成された第１の有機膜と、
   上記第２の基板の液晶層に面して形成された第２の有機膜とを有し、
   上記液晶層に面する第１の有機膜に光照射によって生じた第１の遅相軸と、上記液晶層に面する第２の有機膜に光照射によって生じた第２の遅相軸とが交差しており、
   上記液晶層に電界を印加した場合に液晶分子が倒れる方向と、第１の遅相軸または第2の遅相軸とが異なり、
   上記第１の遅相軸と第２の遅相軸は、光照射によって、上記第１の有機膜と第２の有機膜の主鎖が伸びる方向にそれぞれ形成されることを特徴とする液晶表示装置。
2. 上記液晶分子は上記第１の有機膜および第２の有機膜に対して垂直方向に配向することを特徴とする特許請求の範囲の請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 上記光照射は偏光された紫外線の照射であることを特徴とする特許請求の範囲の請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 第１の基板と、第２の基板と、
   上記第１と第２の基板に挟まれた液晶層と、
   上記第１の基板上にマトリクス状に配置された画素部を有する液晶表示装置であって、
   上記第１の基板の液晶層に面して形成された第１の有機膜と、
   上記第２の基板の液晶層に面して形成された第２の有機膜と、
   第１の基板に形成され第１の方向に延伸する第１の突起と、
   第２の基板に形成され第１の方向に延伸する第２の突起とを有し、
   上記液晶層に面する第１の有機膜に光照射によって生じた第１の遅相軸と、上記液晶層に面する第２の有機膜に光照射によって生じた第２の遅相軸とが交差しており、
   上記液晶層に電界を印加した場合に液晶分子は、上記第１の方向に交差する方向に倒れ、
   上記液晶分子の倒れる方向と、第１の遅相軸または第２の遅相軸とが異なり、
   上記第１の遅相軸と第２の遅相軸は、光照射によって、上記第１の有機膜と第２の有機膜の主鎖が伸びる方向にそれぞれ形成されることを特徴とする液晶表示装置。
5. 上記液晶分子は上記第１の有機膜および第２の有機膜に対して垂直方向に配向するＶＡモードであることを特徴とする特許請求の範囲の請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 上記光照射は偏光された紫外線の照射であることを特徴とする特許請求の範囲の請求項４に記載の液晶表示装置。
7. 第１の基板と、第２の基板と、
   上記第１と第２の基板に挟まれた液晶層と、
   上記第１の基板上にマトリクス状に配置された画素部を有する液晶表示装置であって、
   上記第１の基板の液晶層に面して形成された第１の有機膜と、
   上記第２の基板の液晶層に面して形成された第２の有機膜と、
   上記第１の基板に形成され第１の方向と該第１の方向と交差する第２の方向とに折れ曲がり延伸する第１の突起と、
   上記第２の基板に形成され第１の突起と同様に第１の方向と該第１の方向と交差する第２の方向とに折れ曲がり延伸する第２の突起とを有し、
   上記液晶層に面する第１の有機膜に光照射によって生じた第１の遅相軸と、上記液晶層に面する第２の有機膜に光照射によって生じた第２の遅相軸とが交差しており、
   上記液晶層に電界を印加した場合に液晶分子は、上記第１の突起および第２の突起の延伸方向と交差する方向に倒れ、
   上記液晶分子の倒れる方向および第１の遅相軸の方向がそろわない領域と、上記液晶分子の倒れる方向および第２の遅相軸の方向がそろわない領域は、交互に形成され、
   上記第１の遅相軸と第２の遅相軸は、光照射によって、上記第１の有機膜と第２の有機膜の主鎖が伸びる方向にそれぞれ形成されることを特徴とする液晶表示装置。
8. 上記液晶分子は上記第１の有機膜および第２の有機膜に対して垂直方向に配向するＶＡモードであることを特徴とする特許請求の範囲の請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 上記光照射は偏光された紫外線の照射であることを特徴とする特許請求の範囲の請求項７に記載の液晶表示装置。

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