JP4977473B2 - データラン・プログラミング - Google Patents
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Description
始めに図1Aを参照すると、フラッシュメモリはメモリセルアレイおよびコントローラを含む。図に示されている例では、2つの集積回路装置(チップ)11および13が、メモリセルのアレイ15と種々の論理回路17とを含む。論理回路17は、データ、コマンドおよび状態回路を通して別のチップ上のコントローラ19とインターフェイスし、またアドレス指定、データ転送および感知、および他のサポートをアレイ13に提供する。メモリアレイチップの数は、提供される記憶容量に依存して、1から多数とすることができる。メモリセルアレイは、単一のチップ上に配置されてもよく、或いは複数のチップ上の複数のメモリセルから成ってもよい。コントローラと、アレイの一部または全体とを単一の集積回路チップに代わりに結合させることもできるが、現在では経済的な選択肢ではない。
さらに他のメモリセル配置が図6に示されている。各プレーンが多数の消去ブロックを含んでいる。操作の並列性の程度を高めるために、別々のプレーン内の消去ブロックが論理的に連結されてメタブロックを形成する。このような1つのメタブロックが図6に示されている。各メタブロックは論理的にアドレス指定可能であり、メモリコントローラは、個々のメタブロックを形成する消去ブロックを割り当てて追跡する。ホストシステムは、データをセクタのストリームの形で供給する。このセクタのストリームは複数の論理ブロックに分割される。ここで、論理ブロックは、メモリアレイの1つのメタブロックに含まれるものと同数のデータセクタを含むデータの論理単位である。メモリコントローラは、各論理ブロックが格納されている記憶位置の記録を維持する。例えば、図6のこのような論理ブロック61は、コントローラによりメタブロックを構成するブロックの物理的ブロック番号(PBN)にマッピングされる論理ブロックアドレス(LBA)により特定される。メタブロックの全てのブロックは一緒に消去され、各ブロックからのページは一般に同時にプログラムされ、読み出される。
図9Aは、データをメモリアレイに格納するために使われる適応メタブロック98の例を示す。データは、データのセクタのストリーム99の形で受け取られる。セクタは、論理グループ91,92,93を含む論理グループに形成される。論理グループは、メモリアレイの1つの消去ブロックに格納されているデータの量に等しいデータの論理単位である。論理グループは、ホストから受け取られた論理的に連続する複数のセクタから形成される。各論理グループは、特定の論理アドレス範囲で形成される。このように、論理グループは、多数のセクタを含むことができるけれども一般的には適応メタブロックより小さいデータの中間論理単位である。
図12Aは、その後の更新がより効率的に実行されるように、プログラムされているデータを新しいデータで更新する操作を示す。しばしば、プログラムされている適応メタブロックより小さい新しいデータの一部が受け取られて、プログラムされているデータを更新するために使用される。図12Aは、2つの適応論理ブロック1220,1230の部分に対応する新しいデータ1210を示している。この新しいデータは、適応論理ブロック1220と適応論理ブロック1230との間の境界を覆って広がるアドレス範囲を有する。従って、適応論理ブロック1220および1230に対応する適応メタブロック1221,1231は更新を必要とする。
図15Aは、適応論理ブロック1520の論理グループ1510,1511および1512が適応メタブロック1540の消去ブロック1531,1532および1533にどのようにマッピングされるかを示す。適応論理ブロック1520の中の論理グループの数は適応メタブロック1540内の消去ブロックの数に等しいけれども、この例では個々の論理ブロックは個々の消去ブロックに直接マッピングされない。代わりに、各論理グループ1510〜1512の一部分が適応メタブロック1540の各消去ブロック1531〜1533に格納されるようにデータが格納される。
或る不揮発性メモリ構造は、データにランダムにアクセスすることを可能にする。これは、データが1ページの最小単位で書き込まれ、1消去ブロックの最小単位で消去されるフラッシュメモリとは対照的である。不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)の例は、磁気抵抗RAM(MRAM)、強誘電性RAM(FeRAM)、および位相変化メモリ(オボニックス・ユニファイド・メモリ (Ovonics Unified Memory) 或いはOUV)としても知られている)を含む。NVRAMは、フラッシュメモリも使用するメモリシステムの一部として使用されてもよい。NVRAMは、別個のチップ上に配置されてもよいし、或いはコントローラチップまたはフラッシュメモリチップに組み込まれてもよい。NVRAMは、フラッシュメモリカード或いは組み込み形フラッシュメモリシステムの一部であってもよい。NVRAMは揮発性RAMと同じアプリケーションの多くに使用され、NVRAMに格納されているデータは電源が失われても失われないという利点がある。例えば、メディア管理テーブルはNVRAMにおいて維持される。
メモリシステムにより受け取られるデータの中にデータ境界が存在する。データ境界(論理境界)の例は、データラン境界およびファイル境界を含む。通常、1つのホストファイルは1つ以上のデータランとして格納される。データランは、ファイル記憶のためにホストにより割り当てられる論理的に連続する複数のセクタのセットである。データランは、有効なデータを既に含んでいない論理アドレス空間の部分に割り当てられる。図22は2つのファイル、ファイルAおよびファイルBを示す。ファイルAはデータラン1、データラン3およびデータラン5を含む。ファイルBはデータラン2およびデータラン4を含む。
方式Aでは、データ境界位置に応答する構成でのデータ格納は、始めにこのようなデータを一時的位置に格納し、その後データをフラッシュメモリに格納すべくメタグループにマッピングすることによって、行われることになる。一時的位置は、アキュムレータRAMにより提供される。或いは、一時的位置は、フラッシュメモリアレイの一部により提供される。図27は、データ境界管理情報を用いてデータを構成するためのこれら2つの選択肢を示す。方式Aは、一時的アキュムレータRAMに格納されているデータを示し、これは、次に、データ境界管理でフラッシュメモリに格納される前にメタグループマッピングにさらされる。方式Bは、メタグループ再マッピングの前に中間メタグループマッピングでデータをフラッシュメモリに格納し、その後にデータ境界管理でフラッシュメモリに格納することを示している。
メタグループのタイプ(パーシャル、ショート、スタートまたはマルチファイル)
メタグループ中のデータランのスタートの論理アドレス
メタグループサイズ(メタグループ中の論理グループの個数)
メタブロックサイズ(メタブロック中の消去ブロックの個数)
メタグループ内の境界のオフセット
ページタグ
を含むことができる。
一実施形態では、ホストは、ホストデータをメモリアレイにより効率的に格納するために使用可能な付加的情報をメモリシステムに提供する。このような情報の一例は、送られるホストデータ内のデータ境界(論理境界)の位置である。通常、データ境界の位置は、ホストデータが受け取られるときにそれが効率的に格納され、始めに中間フォーマットで格納されなくてもよいように、境界を含むホストデータが送られる前に提供されるべきである。
ファイルは、ホストシステム内で作られたか、または外部情報源からホストシステムに受け取られたデータのセットであり、ホストシステム内で論理的セクタアドレスにマッピングされる。連続する論理的セクタアドレスのセットはデータランと称される。データランは、1つ以上のファイルまたは1つのファイルの複数の部分の格納のためにホストにより割り当てられた論理的に連続するセクタのセットと見なされてよく、データランは、論理アドレス空間の前に割り当てられた複数の部分の間に広がる。ホストは、いろいろなデータランへの書込み操作をインターリーブすることができる。通常、何時でも限られた数の開いたデータランが許容されるので、データランが必要に応じて開閉される。データランの中のセクタは、開いているバッファに、またはそのデータランと関連付けられている更新ブロックに、書き込まむことができる。データランからのデータを受け取って格納するには、データランと、データを格納するために使われる(バッファおよび更新メタブロックを含む)メモリ構造との管理が必要である。図44は、構造の幾つかと、これらに関して実行可能な操作とを示す。
Claims (11)
- 別々にプログラム可能なプレーンに配置された複数の個別に消去可能な消去ブロックを含むメモリアレイにデータを格納する方法であって、
適応メタブロックを形成するために前記アレイのいろいろなプレーンから1つの数の消去ブロックを選択するステップであって、前記適応メタブロック内の消去ブロックの数が可能な値の1つの範囲から選択され、前記適応メタブロックは、格納されるべきデータのサイズに対応するために、異なる数の消去ブロックに適応可能である選択可能な数の消去ブロックから形成されるステップと、
前記適応メタブロック内の消去ブロックを並列にプログラムするステップと、を含み、
前記適応メタブロック内にプログラムされるべきデータはデータのアドレス指定可能な単位を含み、1つの消去ブロックに格納されるデータのアドレス指定可能な単位の数に等しい数のデータのアドレス指定可能な単位から論理グループが個別に形成され、該論理グループが、前記適応メタブロック内の消去ブロックの各々が前記論理グループからのデータの少なくとも1つのアドレス指定可能な単位を含むように、前記論理グループで形成される適応論理ブロックが適応メタブロックにプログラムされる方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記可能な値の範囲は、1から、前記メモリアレイ内の別々にプログラム可能なプレーンの数までである方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記適応メタブロック内の消去ブロックを並列にプログラムするステップは、前記適応メタブロック内にない複数の消去ブロックをプログラムするステップと並列に行われる方法。 - 請求項3記載の方法において、
前記適応メタブロック内にない複数の消去ブロックは、他の適応メタブロック内にある方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記1つの数の消去ブロックを選択するステップは、1つの数のプレーンを選択するステップを含み、個々のプレーンは、前記プレーン内の使用可能な消去ブロックの数に応じて選択される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記適応メタブロック内にプログラムされるべき複数のアドレス指定可能なデータパケットに論理境界が含まれるか否かに応じて適応メタブロック内の消去ブロックの数が選択される方法。 - 請求項6記載の方法において、
論理境界の位置は、更新される論理アドレスの範囲により判定される方法。 - 請求項6記載の方法において、
論理境界の位置は、ホストにより明示される方法。 - 不揮発性メモリシステムであって、
別々にプログラム可能なプレーンに配置されたメモリセルの第1のアレイと、
複数の消去ブロックを有するプレーンであって、消去ブロックが個別に消去される前記アレイの最小単位であるプレーンと、を備え、
前記システムは、1つの数のプレーンを選択するように構成されているので、適応メタブロックを形成でき、前記適応メタブロックは、格納されるべきデータのサイズに対応するために、異なる数の消去ブロックに適応可能である選択可能な数の消去ブロックから形成され、
前記システムは、選択されたプレーン内の個々の消去ブロックを並列にプログラムするように構成され、
前記適応メタブロック内にプログラムされるべきデータはデータのアドレス指定可能な単位を含み、1つの消去ブロックに格納されるデータのアドレス指定可能な単位の数に等しい数のデータのアドレス指定可能な単位から論理グループが個別に形成され、該論理グループが、前記適応メタブロック内の消去ブロックの各々が前記論理グループからのデータの少なくとも1つのアドレス指定可能な単位を含むように、前記論理グループで形成される適応論理ブロックが適応メタブロックにプログラムされるシステム。 - 請求項9記載のシステムにおいて、
個々のプレーンは、そのプレーン内に残っている使用可能な消去ブロックの数に応じて選択されるシステム。 - 請求項9記載のシステムにおいて、
メモリセルの第2のアレイをさらに備え、
前記メモリセルの第1のアレイはフラッシュメモリ内にあり、前記メモリセルの第2のアレイは不揮発性ランダムアクセスメモリ内にあるシステム。
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