JP4967762B2 - Short detection circuit, short / open detection circuit, and detection methods thereof - Google Patents

Short detection circuit, short / open detection circuit, and detection methods thereof Download PDF

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この発明は、ショート検出回路及びショート/オープン検出回路並びにこれらの検出方法に関し、詳しくはLSI等の内部回路へ外部から電位を給電しているときに、その電位の給電源の電位が直接給電されている(上記内部回路と給電源とが短絡している)か否かの検出及び上記内部回路と給電源とのオープンの検出に有効なショート検出回路及びショート/オープン検出回路並びにこれらの検出方法に関する。   The present invention relates to a short detection circuit, a short / open detection circuit, and detection methods thereof. Specifically, when a potential is supplied from the outside to an internal circuit such as an LSI, the potential of the power supply is directly supplied. Detection circuit and short / open detection circuit effective for detecting whether or not the internal circuit and the power supply are short-circuited, and detecting the open circuit between the internal circuit and the power supply, and methods for detecting these About.

半導体集積回路において、そのインタフェースの高速化、高機能化等により、アナログ電位を必要とする用途が増加している。そのめ、その電位をLSI外部から印加する抵抗素子で印加するケースが多々存在する。
ボードにASSY(アッシー)する部品点数が増加することにより、その不良も増え、その検出方法が良品を作成するための課題となる。
従来のアッシー検査方法(以下、公知の方法という)は、アッシー単位(ボード基板)で電源供給可能なテスト用装置(治具)を作成し、直接被疑対象となる個所の電位を観測し、オープン/ショートの確認(ASSY不良)を行っていた。
2. Description of the Related Art In semiconductor integrated circuits, applications requiring an analog potential are increasing due to high speed and high functionality of the interface. Therefore, there are many cases where the potential is applied by a resistance element that is applied from outside the LSI.
As the number of parts to be assembled on the board increases, the number of defects also increases, and the detection method becomes a problem for creating a good product.
The conventional assembly inspection method (hereinafter referred to as a known method) creates a test device (jig) that can supply power in assy units (board substrate), directly observes the potential of the suspicious object and opens it. / Short check (assy defect) was performed.

特許文献1には、接触燃焼式ガスセンサの断線・短絡検査回路が開示されている。この検査回路は、直列接続された基準素子及び検知素子の断線・短絡を検出する回路である。この断線・短絡を検出するために、基準素子及び検知素子のそれぞれの両端電圧を対応する電圧検出手段で検出する。この2つの電圧検出手段の電圧のうちの大きい方の電圧と小さい方の電圧とを各別のオア回路から出力する。それぞれのオア回路から出力される電圧を、各別の比較回路で、対応する上限基準電圧及び下限基準電圧と比較して基準素子及び検知素子の断線・短絡を検出する構成を採用している。
特開平11−271256号公報
Patent Document 1 discloses a disconnection / short circuit inspection circuit of a catalytic combustion type gas sensor. This inspection circuit is a circuit that detects disconnection / short circuit of a reference element and a detection element connected in series. In order to detect this disconnection / short circuit, the voltages at both ends of the reference element and the detection element are detected by the corresponding voltage detection means. The larger voltage and the smaller voltage of the two voltage detection means are output from separate OR circuits. A configuration is adopted in which the voltage output from each OR circuit is compared with the corresponding upper limit reference voltage and lower limit reference voltage by a separate comparison circuit to detect disconnection / short circuit of the reference element and the detection element.
JP 11-271256 A

上述した公知の方法は、アッシー単位とは別途にテスト用装置を作成し、その装置を用いてアッシー検査をしなければならないから、個別のテスト用装置の作成、そして検査作業が不可欠である。
また、特許文献1は、基準素子及び検知素子の断線、短絡の検出ができるとはいうものの、その検出には、基準素子及び検知素子各別の両端電圧の検出出力を必要不可欠の構成要件とするものであり、その他の断線、短絡の検出へ発展させるのには、なお、改良の余地が残されている。
In the above-described known method, a test device must be prepared separately from the assembly unit, and the assembly inspection must be performed using the device. Therefore, the creation of the individual test device and the inspection work are indispensable.
Further, although Patent Document 1 can detect the disconnection and short circuit of the reference element and the detection element, the detection output of the voltage across the reference element and the detection element is indispensable for the detection. However, there is still room for improvement in order to develop the detection of other disconnections and short circuits.

この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、LSI等の内部回路へ外部から電位の給電において、その電位の給電源の電位が直接給電されている(上記内部回路と上記給電源とが短絡している)か否かの検出及び上記内部回路と上記給電源との開放(オープン)の検出を達成し得るショート検出回路及びショート/オープン検出回路並びにこれらの検出方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and in the electric potential supply from the outside to an internal circuit such as an LSI, the electric potential of the electric power supply is directly supplied (the internal circuit and the electric power supply) A short detection circuit and a short / open detection circuit capable of detecting whether or not the internal circuit and the power supply are open (open), and a detection method thereof. It is aimed.

上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、第1の電位源の電位と第2の電位源の電位との中間の所定電位を出力する電位出力回路の単一の電位出力に接続された給電ラインを介して該給電ラインと上記2つの電位源のいずれか一方との短絡を検出する回路に係り、上記電位出力の電位より予め設定される第1の値だけ高い第1の参照電位を出力する第1の参照電位源と、上記電位出力の電位と上記第1の参照電位源の上記第1の参照電位とを比較する第1の比較回路と、上記電位出力の電位より予め設定される第2の値だけ低い第2の参照電位を出力する第2の参照電位源と、上記電位出力の電位と上記第2の参照電位源の上記第2の参照電位とを比較する第2の比較回路と、上記第1の比較回路及び上記第2の比較回路の比較出力に基づいて上記短絡の有無を判定する判定回路とを備えることを特徴としている。   In order to solve the above-mentioned problem, the invention described in claim 1 provides a single potential output of a potential output circuit that outputs a predetermined potential intermediate between the potential of the first potential source and the potential of the second potential source. The present invention relates to a circuit that detects a short circuit between a power supply line and one of the two potential sources via a connected power supply line, and a first value that is higher than the potential of the potential output by a first value set in advance. From a first reference potential source that outputs a reference potential, a first comparison circuit that compares the potential of the potential output with the first reference potential of the first reference potential source, and a potential of the potential output A second reference potential source that outputs a second reference potential that is lower by a preset second value is compared with the potential of the potential output and the second reference potential of the second reference potential source. Comparison output of the second comparison circuit and the first comparison circuit and the second comparison circuit On the basis it is characterized by comprising a determination circuit for determining whether the short-circuit.

請求項2記載の発明は、請求項1記載のショート検査回路に係り、上記第1の値と上記第2の値は、上記電位出力の電位の精度、当該電位の範囲によって決定されることを特徴としている。   The invention according to claim 2 relates to the short inspection circuit according to claim 1, wherein the first value and the second value are determined by the accuracy of the potential of the potential output and the range of the potential. It is a feature.

請求項3記載の発明は、請求項1又は2記載のショート検査回路に係り、上記第1の値と上記第2の値とは同じ値であることを特徴としている。   A third aspect of the present invention relates to the short inspection circuit according to the first or second aspect, wherein the first value and the second value are the same value.

請求項4記載の発明は、請求項1、2又は3記載のショート検出回路に係り、 上記第1の電位は、外部電位源から給電される電位であり、上記第2の電位は大地電位であり、前記第1及び第2の参照電位源、第1及び第2の比較回路並びに判定回路は半導体集積回路に形成されることを特徴としている。   A fourth aspect of the invention relates to the short detection circuit according to the first, second, or third aspect, wherein the first potential is a potential supplied from an external potential source, and the second potential is a ground potential. In addition, the first and second reference potential sources, the first and second comparison circuits, and the determination circuit are formed in a semiconductor integrated circuit.

請求項5記載の発明は、第1の電位源の電位と第2の電位源の電位との中間の所定電位を出力する電位出力回路の単一の電位出力に接続された給電ラインを介して該給電ラインと上記2つの電位源のいずれか一方との短絡又は上記電位出力と上記給電ラインとの開放を検出する回路に係り、上記電位出力の電位より予め設定される第1の値だけ高い第1の参照電位を出力する第1の参照電位源と、 上記電位出力の電位と上記第1の参照電位源の上記第1の参照電位とを比較する第1の比較回路と、上記電位出力の電位より予め設定される第2の値だけ低い第2の参照電位を出力する第2の参照電位源と、上記電位出力の電位と上記第2の参照電位源の上記第2の参照電位とを比較する第2の比較回路と、上記給電ラインに接続され、上記電位出力と上記給電ラインとが開放したときの上記給電ラインの電位を、上記電位出力の電位から所定の値だけ異なる電位へ変更させる電位変更回路と、上記電位出力と上記給電ラインとの開放時の上記給電ラインの電位と上記電位出力の電位との間に予め設定される第3の参照電位を出力する第3の参照電位源と、上記開放時の上記給電ラインの電位と上記第3の参照電位源の上記第3の参照電位とを比較する第3の比較回路と、上記第1の比較回路、上記第2の比較回路及び上記第3の比較回路の比較出力に基づいて上記短絡の有無又は上記給電ラインの開放の有無を判定する判定回路とを備えることを特徴としている。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a power supply line connected to a single potential output of a potential output circuit that outputs a predetermined potential intermediate between the potential of the first potential source and the potential of the second potential source. The circuit detects a short circuit between the power supply line and one of the two potential sources or an open circuit between the potential output and the power supply line, and is higher than the potential of the potential output by a preset first value. A first reference potential source for outputting a first reference potential; a first comparison circuit for comparing the potential of the potential output with the first reference potential of the first reference potential source; and the potential output. A second reference potential source that outputs a second reference potential that is lower than the potential by a second value preset in advance, the potential of the potential output, and the second reference potential of the second reference potential source And a second comparison circuit for comparing the power supply line and the power supply line. A potential changing circuit for changing the potential of the power supply line when the output and the power supply line are opened to a potential different from the potential of the potential output by a predetermined value; and when the potential output and the power supply line are opened. A third reference potential source that outputs a third reference potential that is set in advance between the potential of the power supply line and the potential of the potential output; the potential of the power supply line at the time of opening; and the third reference The presence or absence of the short circuit based on the comparison output of the third comparison circuit for comparing the third reference potential of the potential source with the first comparison circuit, the second comparison circuit, and the third comparison circuit Or a determination circuit for determining whether the power supply line is open or not.

請求項6記載の発明は、請求項5記載のショート/オープン検出回路に係り、上記電位出力回路は、上記第1の電位源と上記第の電位源との間に直列接続された第1の抵抗素子と第2の抵抗素子とからなり、上記第1の抵抗素子と上記第2の抵抗素子との接続点を上記電位出力とし、上記電位変更回路は、第3の電位源と、第4の電位源と、上記第3の電位源と上記給電ラインとの間に接続された第3の抵抗素子と、上記第4の電位源と上記給電ラインとの間に接続された第4の抵抗素子とからなり、上記第3の抵抗素子及び上記第4の抵抗素子の抵抗値は、上記開放が生じたとき上記給電ラインの電位を上記電位出力の電位よりも所定の値だけ異なる電位へ変更させるのに必要な値だけ上記第1の抵抗素子及び上記第2の抵抗素子の抵抗値より大きく選定されることを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the short / open detection circuit according to the fifth aspect, wherein the potential output circuit is a first connected in series between the first potential source and the second potential source. And the second resistance element, the connection point between the first resistance element and the second resistance element is used as the potential output, and the potential changing circuit includes a third potential source , 4 potential source , a third resistance element connected between the third potential source and the feed line, and a fourth resistor connected between the fourth potential source and the feed line. The resistance values of the third resistance element and the fourth resistance element are different from each other by a predetermined value from the potential of the potential output when the open-circuit occurs. The resistance of the first resistance element and the second resistance element is a value necessary for changing the resistance. It is characterized by being selected greater.

請求項7記載の発明は、請求項6記載のショート/オープン検出回路に係り、上記異なる電位は、上記電位出力の電位から上記所定の値だけ高い電位であることを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, in the short / open detection circuit according to the sixth aspect, the different potential is a potential that is higher than the potential of the potential output by the predetermined value.

請求項8記載の発明は、請求項6記載のショート/オープン検出回路に係り、上記異なる電位は、上記電位出力の電位から上記所定の値だけ低い電位であることを特徴としている。   According to an eighth aspect of the present invention, in the short / open detection circuit according to the sixth aspect, the different potential is a potential lower than the potential of the potential output by the predetermined value.

請求項9記載の発明は、請求項5、6、7又は8記載のショート/オープン検査回路に係り、上記第1の値と上記第2の値は、上記電位出力の電位の精度、当該電位の範囲によって決定されることを特徴としている。   A ninth aspect of the present invention relates to the short / open inspection circuit according to the fifth, sixth, seventh, or eighth aspect, wherein the first value and the second value are the accuracy of the potential of the potential output, the potential. It is characterized by being determined by the range of.

請求項10記載の発明は、請求項5乃至9のいずれか一に記載のショート/オープン検査回路に係り、上記第1の値と上記第2の値とは同じ値であることを特徴としている。   A tenth aspect of the present invention relates to the short / open inspection circuit according to any one of the fifth to ninth aspects, wherein the first value and the second value are the same value. .

請求項11記載の発明は、請求項5乃至10のいずれか一に記載のショート/オープン検出回路に係り、上記第1の電位は、外部電位源から給電される電位であり、上記第2の電位は大地電位であり、前記第1及び第2の参照電位源、第1及び第2の比較回路並びに判定回路は半導体集積回路に形成されることを特徴としている。   An eleventh aspect of the present invention relates to the short / open detection circuit according to any one of the fifth to tenth aspects, wherein the first potential is a potential supplied from an external potential source, and the second potential is The potential is a ground potential, and the first and second reference potential sources, the first and second comparison circuits, and the determination circuit are formed in a semiconductor integrated circuit.

請求項12記載の発明は、第1の電位源の電位と第2の電位源の電位との中間の所定電位を出力する電位出力回路の電位出力に接続された給電ラインを介して該給電ラインと上記2つの電位源のいずれか一方との短絡を検出する方法に係り、上記電位出力の電位と前上記電位出力の電位より予め設定される第1の値だけ高い第1の参照電位とを比較し、上記電位出力の電位と上記電位出力の電位より予め設定される第2の値だけ低い第2の参照電位とを比較し、上記2つの比較の結果に基づいて上記短絡の有無を判定することを特徴としている。   According to a twelfth aspect of the present invention, the power supply line is connected via a power supply line connected to a potential output of a potential output circuit that outputs a predetermined potential intermediate between the potential of the first potential source and the potential of the second potential source. And a potential of the potential output and a first reference potential higher than a potential of the previous potential output by a first value set in advance. Compare the potential output potential with a second reference potential that is lower than the potential output potential by a preset second value, and determine the presence or absence of the short circuit based on the results of the two comparisons. It is characterized by doing.

請求項13記載の発明は、請求項12記載のショート検出方法に係り、上記第1の値と上記第2の値は、上記電位出力の電位の精度、当該電位の範囲によって決定されることを特徴としている。   The invention described in claim 13 relates to the short detection method according to claim 12, wherein the first value and the second value are determined by the accuracy of the potential of the potential output and the range of the potential. It is a feature.

請求項14記載の発明は、請求項12又は13記載のショート検出方法に係り、上記第1の値と上記第2の値とは同じ値であることを特徴とする。   According to a fourteenth aspect of the present invention, in the short detection method according to the twelfth or thirteenth aspect, the first value and the second value are the same value.

請求項15記載の発明は、請求項12、13又は14記載のショート検出方法に係り、上記第1の電位は、外部電位源から給電される電位であり、上記第2の電位は大地電位であることを特徴としている。   A fifteenth aspect of the present invention relates to the short detection method according to the twelfth, thirteenth or fourteenth aspect, wherein the first potential is a potential supplied from an external potential source, and the second potential is a ground potential. It is characterized by being.

請求項16記載の発明は、第1の電位と第2の電位との間の所定電位を出力する電位出力回路の電位出力に接続された給電ラインを介して該給電ラインと上記2つの電位源のいずれか一方との短絡又は上記電位出力と上記給電ラインとの開放を検出する方法に係り、上記電位出力の電位と上記電位出力の電位より予め設定される第1の値だけ高い第1の参照電位とを比較し、上記電位出力の電位と上記電位出力の電位より予め設定される第2の値だけ低い第2の参照電位とを比較し、上記電位出力と上記給電ラインとの開放時に上記電位出力の電位から所定の値だけ異なる電位へ変更される上記給電ラインの電位と上記電位出力の電位との間に予め設定される第3の参照電位と上記開放時の上記給電ラインの電位とを比較し、上記3つの比較の結果に基づいて上記短絡の有無又は上記開放の有無を判定することを特徴としている。   According to a sixteenth aspect of the present invention, the power supply line and the two potential sources are connected via a power supply line connected to a potential output of a potential output circuit that outputs a predetermined potential between the first potential and the second potential. A first circuit that is higher than the potential of the potential output and the potential of the potential output by a first value set in advance. A reference potential is compared, a potential of the potential output is compared with a second reference potential that is lower than a potential of the potential output by a second value set in advance, and when the potential output and the power supply line are opened A third reference potential that is preset between the potential of the power supply line that is changed from the potential of the potential output to a potential that differs by a predetermined value and the potential of the potential output, and the potential of the power supply line at the time of opening. And the above three comparisons Based on the results it is characterized by determining the presence or absence of the opening of the short circuit.

請求項17記載の発明は、請求項16記載のショート/オープン検出回路に係り、上記異なる電位は、上記第1の参照電位と上記給電ラインとの間に接続された第3の抵抗素子及び上記第2の参照電位と上記給電ラインとの間に接続された第4の抵抗素子の抵抗値が、上記異なる電位へ変更させるのに必要な値だけ、上記第1の電位と上記第2の電位との間に直列接続されて上記電位出力回路を構成する第1の抵抗素子及び第2の抵抗素子の抵抗値より大きく選定されて設定されることを特徴としている。   According to a seventeenth aspect of the present invention, there is provided the short / open detection circuit according to the sixteenth aspect, wherein the different potential is a third resistance element connected between the first reference potential and the power supply line, and the third resistance element. The first potential and the second potential are only the values necessary to change the resistance value of the fourth resistance element connected between the second reference potential and the power supply line to the different potential. The resistance value of the first resistance element and the second resistance element that are connected in series to constitute the potential output circuit is selected and set.

請求項18記載の発明は、請求項16又は17記載のショート/オープン検出方法に係り、上記異なる電位は、上記電位出力の電位より高い電位であることを特徴としている。   An eighteenth aspect of the invention relates to the short / open detection method of the sixteenth or seventeenth aspect, wherein the different potential is higher than the potential of the potential output.

請求項19記載の発明は、請求項16又は17記載のショート/オープン検出方法に係り、上記異なる電位は、上記電位出力の電位より低い電位であることを特徴としている。   According to a nineteenth aspect of the present invention, there is provided the short / open detection method according to the sixteenth or seventeenth aspect, wherein the different potential is lower than the potential of the potential output.

請求項20記載の発明は、請求項16、17、18又は19記載のショート/オープン検査方法に係り、上記第1の値と上記第2の値は、上記電位出力の電位の精度、当該電位の範囲によって決定されることを特徴としている。   A twentieth aspect of the present invention relates to the short / open inspection method according to the sixteenth, seventeenth, eighteenth or nineteenth aspect, wherein the first value and the second value are the accuracy of the potential of the potential output, the potential. It is characterized by being determined by the range of.

請求項21記載の発明は、請求項16乃至20のいずれか一に記載のショート/オープン検査方法に係り、上記第1の値と上記第2の値とは同じ値であることを特徴としている。   A twenty-first aspect of the invention relates to the short / open inspection method according to any one of the sixteenth to twentieth aspects, wherein the first value and the second value are the same value. .

請求項22記載の発明は、請求項16乃至21のいずれか一に記載のショート/オープン検出方法に係り、上記第1の電位は、外部電位源から給電される電位であり、上記第2の電位は大地電位であることを特徴としている。   A twenty-second aspect of the invention relates to the short / open detection method according to any one of the sixteenth to twenty-first aspects, wherein the first potential is a potential supplied from an external potential source. The potential is a ground potential.

この発明によれば、第1の電位源の電位と第2の電位源の電位との中間の所定電位を出力する電位出力回路の単一の電位出力の電位より予め設定される第1の値だけ高い第1の参照電位と上記電位出力の電位とを比較し、上記電位出力の電位より予め設定される第2の値だけ低い第2の参照電位と上記電位出力の電位とを比較することにより、上記給電ラインと上記2つの電位源のいずれか一方との短絡(ショート)を検出することができる。
また、上記2つの比較に加えて、前記電位出力と前記給電ラインとの開放時の前記給電ラインの電位と前記電位出力の電位との中間に予め設定される第3の参照電位と、前記開放時の前記給電ラインの電位との比較を考慮することにより、前記電位出力と前記給電ラインとの開放(オープン)を検出することができる。
上記両検出に、従来のような専用の装置の作成の必要性もないし、検出作業も必要で無くなる。
According to this invention, the first value preset from the potential of the single potential output of the potential output circuit that outputs a predetermined potential intermediate between the potential of the first potential source and the potential of the second potential source. The first reference potential that is higher than the potential output potential is compared, and the second reference potential that is lower than the potential output potential by a preset second value is compared with the potential output potential. Thus, it is possible to detect a short circuit between the power supply line and one of the two potential sources.
Further, in addition to the above two comparisons, a third reference potential set in advance between the potential of the power supply line and the potential of the potential output when the potential output and the power supply line are opened, and the open By considering the comparison with the potential of the power supply line at the time, it is possible to detect the opening of the potential output and the power supply line.
For both detections, there is no need to create a dedicated device as in the prior art, and no detection work is required.

この発明は、第1の電位源の電位と第2の電位源の電位との中間の所定電位を出力する電位出力回路の単一の電位出力の電位より予め設定される第1の値だけ高い第1の参照電位と上記電位出力の電位との比較と、上記電位出力の電位より予め設定される第2の値だけ低い第2の参照電位と上記電位出力の電位との比較とを利用して構成される。
また、これらの両比較に、前記電位出力と前記給電ラインとの開放時の前記給電ラインの電位と前記電位出力の電位との中間に予め設定される第3の参照電位と、前記開放時の前記給電ラインの電位との比較を組み込んで構成される。
The present invention is higher by a preset first value than the potential of a single potential output of a potential output circuit that outputs a predetermined potential intermediate between the potential of the first potential source and the potential of the second potential source. A comparison between the first reference potential and the potential output potential and a comparison between the second reference potential lower than the potential output potential by a preset second value and the potential output potential are used. Configured.
Further, in both of these comparisons, a third reference potential set in advance between the potential of the power supply line and the potential of the potential output when the potential output and the power supply line are opened, A comparison with the potential of the power supply line is incorporated.

図1は、この発明の実施例1であるショート検出回路の電気的構成を示す図、また、図2は、同ショート検出回路の真理値表である。
この実施例のショート検出回路10は、外部電源と大地電位との間に接続された分圧用抵抗素子の分圧出力が外部電源の電圧へ振れている(分圧出力と外部電源とが短絡している)か又は大地電位へ振れている(分圧出力と大地電位とが短絡している)かを検出し得る回路に係り、図1に示すように、第1の差動電位比較回路12と、第2の差動電位比較回路14と、判定回路16と、第1の参照電位源18と、第2の参照電位源20とからなり、これらの回路は、LSI22内に構成される。
第1の差動電位比較回路12及び第2の差動電位比較回路14の反転入力は、LSI22の外部接続端子22Pを介して外部電源24と大地電位26との間に直列に接続された抵抗素子28及び抵抗素子30との接続点32に接続されている。この接続点32が外部接続端子22Pを介してLSI22内の給電路34に接続されている。
FIG. 1 is a diagram showing an electrical configuration of a short detection circuit according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a truth table of the short detection circuit.
In the short detection circuit 10 of this embodiment, the divided output of the voltage dividing resistance element connected between the external power supply and the ground potential swings to the voltage of the external power supply (the divided output and the external power supply are short-circuited). 1, or a circuit that can detect whether the voltage swings to the ground potential (the divided voltage output and the ground potential are short-circuited). As shown in FIG. And a second differential potential comparison circuit 14, a determination circuit 16, a first reference potential source 18, and a second reference potential source 20, and these circuits are configured in the LSI 22.
The inverting inputs of the first differential potential comparison circuit 12 and the second differential potential comparison circuit 14 are resistors connected in series between the external power supply 24 and the ground potential 26 via the external connection terminal 22P of the LSI 22. The connection point 32 between the element 28 and the resistance element 30 is connected. This connection point 32 is connected to a power supply path 34 in the LSI 22 via an external connection terminal 22P.

第1の差動電位比較回路12の非反転入力には、第1の参照電位源18が接続され、第2の差動電位比較回路14の非反転入力には、第2の参照電位源20が接続される。第1の参照電位源18は、接続点32に現れる電位(VR1)よりαなる値だけ高い第1の参照電位(VR1+α)を出力し、第2の参照電位源20は、電位(VR1)よりβなる値だけ低い第2の参照電位(VR1−β)を出力する。
上述のα及びβの値は、上記接続点32からLSI内の回路へ供給される電位(VR1)の精度、該電位の範囲によって決定される。
判定回路16は、第1の差動電位比較回路12の比較結果Aと第2の差動電位比較回路14の比較結果Bとに基づいて接続点32の電位が正常な値にあるか(図2の判定正常)、外部電源24の電位となっているか(図2のVDDショート)、或るいは大地電位となっているか(図2のGNDショート)の判定を行う回路である。
The first reference potential source 18 is connected to the non-inverting input of the first differential potential comparison circuit 12, and the second reference potential source 20 is connected to the non-inverting input of the second differential potential comparison circuit 14. Is connected. The first reference potential source 18 outputs a first reference potential (VR1 + α) that is higher than the potential (VR1) appearing at the connection point 32 by a value α, and the second reference potential source 20 is more than the potential (VR1). A second reference potential (VR1-β) that is lower by a value of β is output.
The values of α and β described above are determined by the accuracy of the potential (VR1) supplied from the connection point 32 to the circuit in the LSI and the range of the potential.
Based on the comparison result A of the first differential potential comparison circuit 12 and the comparison result B of the second differential potential comparison circuit 14, the determination circuit 16 determines whether the potential at the connection point 32 is a normal value (see FIG. 2 is a circuit for determining whether the potential of the external power supply 24 is (VDD short-circuited in FIG. 2 ) or ground potential (GND short-circuited in FIG. 2 ).

次に、図1及び図2を参照して、この実施例の動作を説明する。
外部電源24の電位と大地電位とが抵抗素子28と抵抗素子30とによって分圧された電位VR1は、給電電位VRinとして、外部接続端子22Pを介してLSI22の内部回路へ給電路34を介して給電される。
この電位VR1が正常な電位範囲、すなわち、(VR1+α)未満で、かつ、(VR1−β)超える範囲にあるならば、第1の差動電位比較回路12の出力レベルは低レベルLとなる(図2のAがL)一方、第2の差動電位比較回路14の出力レベルは高レベルHとなり(図2のBがH)、これらの出力レベルを受け取る判定回路16は、電位VR1が正常である旨の判定を出力する(図2の判定が正常)。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIGS.
A potential VR1 obtained by dividing the potential of the external power supply 24 and the ground potential by the resistance element 28 and the resistance element 30 is supplied to the internal circuit of the LSI 22 via the power supply path 34 via the external connection terminal 22P as the power supply potential VRin. Power is supplied.
If this potential VR1 is in a normal potential range, that is, a range less than (VR1 + α) and a range exceeding (VR1−β), the output level of the first differential potential comparison circuit 12 becomes a low level L ( On the other hand, the output level of the second differential potential comparison circuit 14 becomes a high level H (B in FIG. 2 is H), and the determination circuit 16 that receives these output levels has a normal potential VR1. Is output (the determination in FIG. 2 is normal).

上記電位VR1が(VR1+α)を超えると、第1の差動電位比較回路12の出力レベルも、また、第2の差動電位比較回路14の出力レベルも高レベルHとなり(図2のA及びBがH)、これらの出力レベルを受け取る判定回路16は、VDDショート、すなわち、電源電圧がそのまま給電されている旨の判定を出力する(図2の判定がVDDショート)。
上記電位VR1が(VR1−β)未満になると、第1の差動電位比較回路12の出力レベルも、また、第2の差動電位比較回路14の出力レベルも低レベルLとなり(図2のA及びBがL)、これらの出力レベルを受け取る判定回路16は、GNDショート、すなわち、大地電位がそのまま給電されている旨の判定を出力する(図2の判定がGNDショート)。
When the potential VR1 exceeds (VR1 + α), the output level of the first differential potential comparison circuit 12 and the output level of the second differential potential comparison circuit 14 also become a high level H (see A and FIG. 2). When B is H), the determination circuit 16 that receives these output levels outputs a VDD short, that is, a determination that the power supply voltage is supplied as it is (the determination in FIG. 2 is VDD short).
When the potential VR1 becomes less than (VR1-β), the output level of the first differential potential comparison circuit 12 and the output level of the second differential potential comparison circuit 14 become low level L (FIG. 2). When A and B are L), the determination circuit 16 that receives these output levels outputs a GND short, that is, a determination that the ground potential is supplied as it is (the determination in FIG. 2 is a GND short).

このように、この実施例の構成によれば、LSI等内に、被給電部(LSIの内部回路)へ給電される給電電位のみと第1の参照電位及び第2の参照電位とを用いることにより、外部電源又は大地電位と上記給電路との短絡(ショート)の発生の有無を判定することができる。この判定に要する回路の構成要素の削減を達成することができる。
このショート検査回路はLSI等内に構成されているから、LSI等を構成するASSY(アッシー)の不良検出に、ASSY単位で電源供給可能なテスト用装置を作製し、直接被疑対象となる個所の電位を観測してショートの確認を行う必要がなくなり、その作業コストも必要でなくなる。
As described above, according to the configuration of this embodiment, only the power supply potential supplied to the power-supplied part (the internal circuit of the LSI), the first reference potential, and the second reference potential are used in the LSI or the like. Thus, it is possible to determine whether or not a short circuit between the external power source or the ground potential and the feeding path has occurred. Reduction of circuit components required for this determination can be achieved.
Since this short inspection circuit is configured in an LSI or the like, a test device capable of supplying power in ASSY units is prepared for detecting an ASSY defect that constitutes an LSI or the like. It is no longer necessary to check the potential by observing the potential, and the work cost is also unnecessary.

図3は、この発明の実施例2であるショート/オープン検査回路を示す図、また、図4は、同ショート/オープン検査回路の真理値表である。
この実施例の構成が、実施例1のそれと大きく異なる点は、外部電源又は大地電位と給電路とのショートに加えて、LSIへの給電電位出力部とLSIの外部接続端子(給電路)との開放(オープン)を判定し得るようにした点である。
すなわち、この実施例のショート/オープン検査回路10Aの特徴部分は、図3に示すように、実施例1の構成要素に加えて、抵抗素子44と、抵抗素子48と、第3の参照電位源50と、第3の参照電位源50を非反転入力に接続し、かつ、給電路34を反転入力に接続した第3の差動電位比較回路52とを設けて構成されている。抵抗素子44と抵抗素子48とは、外部電源42と大地電位46との間に直列接続され、その接続点54は、給電路34に接続されている。外部電源42の電位は、外部電源24の電位と同じであっても異なってもよい。
FIG. 3 is a diagram showing a short / open test circuit according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a truth table of the short / open test circuit.
The configuration of this embodiment differs greatly from that of the first embodiment in that, in addition to a short circuit between an external power source or a ground potential and a power supply path, a power supply potential output section to the LSI and an external connection terminal (power supply path) of the LSI. It is the point which can judge open | release of (open).
That is, the characteristic part of the short / open test circuit 10A of this embodiment is that, as shown in FIG. 3, in addition to the components of the first embodiment, a resistance element 44, a resistance element 48, and a third reference potential source. 50 and a third differential potential comparison circuit 52 in which the third reference potential source 50 is connected to the non-inverting input and the power supply path 34 is connected to the inverting input. The resistance element 44 and the resistance element 48 are connected in series between the external power supply 42 and the ground potential 46, and the connection point 54 is connected to the power supply path 34. The potential of the external power supply 42 may be the same as or different from the potential of the external power supply 24.

抵抗素子44及び抵抗素子48の抵抗値は、抵抗素子28及び抵抗素子30の抵抗値より非常に大きな値、例えば、抵抗素子28及び抵抗素子30の抵抗値の百倍乃至千倍の値(例えば、数百Ω)で、LSI22の内部回路への給電(印加)がないときには、接続点54の電位VR2がVDDとVR1(給電電位)との間の電位に為らしめる値に予め選ばれる。
このような選定を為した上記特徴部分の回路部が電位変更回路を構成する。
また、第3の参照電位源50の参照電位は、VR2とVR1との間の電位に予め設定する。
この構成以外のこの実施例の構成は、実施例1と同じであるので、同一の構成部分には同一の参照符号を付して、その逐一の説明は省略する。
The resistance values of the resistance element 44 and the resistance element 48 are much larger than the resistance values of the resistance element 28 and the resistance element 30, for example, a value of 100 to 1000 times the resistance value of the resistance element 28 and the resistance element 30 (for example, When there is no power supply (application) to the internal circuit of the LSI 22, the potential VR2 at the connection point 54 is selected in advance as a value that is changed to a potential between VDD and VR1 (power supply potential).
The circuit portion of the above-described characteristic portion that has been selected as described above constitutes a potential changing circuit.
Further, the reference potential of the third reference potential source 50 is set in advance to a potential between VR2 and VR1.
Since the configuration of this embodiment other than this configuration is the same as that of the first embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

次に、図3及び図4を参照して、この実施例の動作について説明する。
この実施例におけるVDDショート及びGNDショートの判定は、実施例1のそれとほぼ同じである。すなわち、その判定には、第1の差動電位比較回路12の比較結果A及び第2の差動電位比較回路14の比較結果Bに加えて、第3の差動電位比較回路52の比較結果Cを用いる。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIGS.
The determination of the VDD short and the GND short in this embodiment is almost the same as that of the first embodiment. That is, in the determination, in addition to the comparison result A of the first differential potential comparison circuit 12 and the comparison result B of the second differential potential comparison circuit 14, the comparison result of the third differential potential comparison circuit 52 is used. C is used.

したがって、この実施例の判定においても、実施例1と同様、接続点32及び接続点54の電位VR1、VR2が正常にあるときには、第1の差動電位比較回路12の比較結果Aは低レベルLとなる一方、第2の差動電位比較回路14の比較結果Bは高レベルHとなるし、また、電位VR1、VR2がVDDになるときには、第1の差動電位比較回路12の比較結果Aも、第2の差動電位比較回路14の比較結果Bも高レベルHとなるし、また、電位VR1、VR2が大地電位になるときには、第1の差動電位比較回路12の比較結果Aも、第2の差動電位比較回路14の比較結果Bも低レベルLとなるが、第3の差動電位比較回路52の比較結果Cは、電位VR1、VR2が正常のとき低レベルLに、VDDショートのとき高レベルHに、そしてGNDショートのとき低レベルLになる。   Therefore, also in the determination of this embodiment, as in the first embodiment, when the potentials VR1 and VR2 at the connection point 32 and the connection point 54 are normal, the comparison result A of the first differential potential comparison circuit 12 is low. On the other hand, the comparison result B of the second differential potential comparison circuit 14 is at a high level H, and when the potentials VR1 and VR2 are VDD, the comparison result of the first differential potential comparison circuit 12 is L. A and the comparison result B of the second differential potential comparison circuit 14 are also at a high level H, and when the potentials VR1 and VR2 are at ground potential, the comparison result A of the first differential potential comparison circuit 12 In addition, although the comparison result B of the second differential potential comparison circuit 14 is also at the low level L, the comparison result C of the third differential potential comparison circuit 52 is at the low level L when the potentials VR1 and VR2 are normal. When VDD is short-circuited, it goes high. When the GND is short-circuited, the low level is L.

そして、LSI22の内部回路への給電が停止した状態、すなわち、該外部接続端子がオープンになるときには、第1の差動電位比較回路12からの比較結果Aが低レベルLにあるが、第2の差動電位比較回路14からの比較結果Bも、また、第3の差動電位比較回路52からの比較結果Cも、共に、高レベルになるので、判定回路16Aは、上述のオープンが発生していることの判定を出力することが可能になる。   When the power supply to the internal circuit of the LSI 22 is stopped, that is, when the external connection terminal is opened, the comparison result A from the first differential potential comparison circuit 12 is at the low level L. Since both the comparison result B from the differential potential comparison circuit 14 and the comparison result C from the third differential potential comparison circuit 52 are at a high level, the determination circuit 16A generates the above-mentioned open. It is possible to output a determination of whether or not

このように、この実施例の構成によれば、上述の特徴部分から出力される比較結果を実施例1の構成の中に組み入れることにより、給電の正常性、VDDショート及び大地電位ショートのほかに、外部接続端子のオープンの発生の有無を検出することが可能になる。
また、実施例1と同様に、LSI等を構成するASSY(アッシー)の不良検出に、ASSY単位で電源供給可能なテスト用装置を作製し、直接被疑対象となる個所の電位を観測してショート/オープンの確認を行う必要がなくなり、その作業コストも必要でなくなる。
As described above, according to the configuration of this embodiment, the comparison result output from the above-described characteristic portion is incorporated into the configuration of Embodiment 1, so that in addition to the normality of power supply, VDD short-circuit, and ground potential short-circuit, Thus, it is possible to detect whether or not the external connection terminal is open.
Similarly to the first embodiment, a test apparatus capable of supplying power in ASSY units is manufactured for detecting an ASSY defect that constitutes an LSI or the like, and the potential of the location subject to suspicion is directly observed to make a short circuit. / No need to check for openness, and no work cost.

図5は、この発明の実施例3であるショート/オープン検査回路を示す図、また、図6は、同ショート/オープン検査回路の真理値表である。
この実施例の構成が、実施例2のそれと大きく異なる点は、LSIへの給電電位出力部とLSIの外部接続端子(給電路)とのオープン判定を行う電位変更回路の構成を変更するようにした点である。
すなわち、この実施例のショート/オープン検査回路10Bの特徴部分は、図5に示すように、実施例2の構成要素のうちの、抵抗素子44と、抵抗素子48と、第3の参照電位源50と、差動電位比較回路52に後述するような変更を加えて、抵抗素子44Bと、抵抗素子48Bと、第3の参照電位源50Bと、差動電位比較回路52Bとして構成される。また、この変更に伴って、実施例2の判定回路16Aは、接続点32と接続点54との電位VR1、VR2が正常のとき、電位VR1、VR2がVDDになるとき、電位VR1、VR2が大地電位になるとき、そして外部接続端子がオープンになるときに各差動電位比較回路12、14、52Bから出力される比較結果に応じて対応する判定を行い得るように変更される。
FIG. 5 is a diagram showing a short / open test circuit according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a truth table of the short / open test circuit.
The configuration of this embodiment differs greatly from that of the second embodiment in that the configuration of the potential changing circuit that performs open determination between the power supply potential output unit to the LSI and the external connection terminal (power supply path) of the LSI is changed. This is the point.
That is, as shown in FIG. 5, the characteristic part of the short / open test circuit 10B of this embodiment is that the resistance element 44, the resistance element 48, and the third reference potential source among the components of the second embodiment. 50, the differential potential comparison circuit 52 is modified as described later, and is configured as a resistance element 44B, a resistance element 48B, a third reference potential source 50B, and a differential potential comparison circuit 52B. As a result of this change, the determination circuit 16A according to the second embodiment causes the potentials VR1 and VR2 to be set when the potentials VR1 and VR2 between the connection point 32 and the connection point 54 are normal, and when the potentials VR1 and VR2 are VDD. When the ground potential is reached, and when the external connection terminal is opened, the differential potential comparison circuits 12, 14, and 52B are changed so that the corresponding determination can be performed.

抵抗素子44B及び抵抗素子48Bの抵抗値は、抵抗素子28及び抵抗素子30の抵抗値より非常に大きな値、例えば、抵抗素子28及び抵抗素子30の抵抗値の百倍乃至千倍の値(例えば、数百Ω)で、LSI22の内部回路への給電(印加)がないときには、接続点54の電位VR2が大地電位GNDとVR1(給電電位)との間の電位に為らしめる値に予め選ばれる。
このような選定を為した上記特徴部分の回路部が電位変更回路を構成する。
これに伴って、第3の参照電位源50Bの参照電位は、実施例2から変更後のVR2とVR1との間の電位に予め設定する。
この構成以外のこの実施例の構成は、実施例2と同じであるので、同一の構成部分には同一の参照符号を付して、その逐一の説明は省略する。
The resistance values of the resistance element 44B and the resistance element 48B are much larger than the resistance values of the resistance element 28 and the resistance element 30, for example, 100 to 1000 times the resistance values of the resistance element 28 and the resistance element 30 (for example, When there is no power supply (application) to the internal circuit of the LSI 22, the potential VR2 at the connection point 54 is selected in advance to a value that causes the potential between the ground potential GND and VR1 (power supply potential). .
The circuit portion of the above-described characteristic portion that has been selected as described above constitutes a potential changing circuit.
Accordingly, the reference potential of the third reference potential source 50B is set in advance to a potential between VR2 and VR1 after the change from the second embodiment.
Since the configuration of this embodiment other than this configuration is the same as that of the second embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

次に、図5及び図6を参照して、この実施例の動作について説明する。
この実施例におけるVDDショート及びGNDショートの判定における第1の差動電位比較回路12で得られる比較結果A及び第2の差動電位比較回路14で得られる比較結果Bは、実施例2のそれと同じである。この実施例でのVDDショート及びGNDショートの判定は、第1の差動電位比較回路12の比較結果A及び第2の差動電位比較回路14の比較結果Bに加えて、第3の差動電位比較回路52Bの比較結果Dを用いる(図6)。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIGS.
In this embodiment, the comparison result A obtained by the first differential potential comparison circuit 12 and the comparison result B obtained by the second differential potential comparison circuit 14 in the determination of the VDD short and the GND short are the same as those of the second embodiment. The same. In this embodiment, the determination of the VDD short and the GND short is made in addition to the comparison result A of the first differential potential comparison circuit 12 and the comparison result B of the second differential potential comparison circuit 14, and the third differential. The comparison result D of the potential comparison circuit 52B is used (FIG. 6).

したがって、この実施例の判定においても、実施例2と同様、接続点32及び接続点54の電位VR1、VR2が正常にあるときには、第1の差動電位比較回路12の比較結果Aは低レベルLとなる一方、第2の差動電位比較回路14の比較結果Bは高レベルHとなるし、また、電位VR1、VR2がVDDになるときには、第1の差動電位比較回路12の比較結果Aも、第2の差動電位比較回路14の比較結果Bも高レベルHとなるし、また、電位VR1、VR2が大地電位になるときには、第1の差動電位比較回路12の比較結果Aも、第2の差動電位比較回路14の比較結果Bも低レベルLとなるが、第3の差動電位比較回路52Bの比較結果Dは、電位VR1、VR2が正常のとき高レベルHに、VDDショートのとき高レベルHに、そしてGNDショートのとき低レベルLになる。   Therefore, also in the determination of this embodiment, as in the second embodiment, when the potentials VR1 and VR2 at the connection point 32 and the connection point 54 are normal, the comparison result A of the first differential potential comparison circuit 12 is low. On the other hand, the comparison result B of the second differential potential comparison circuit 14 is at a high level H, and when the potentials VR1 and VR2 are VDD, the comparison result of the first differential potential comparison circuit 12 is L. A and the comparison result B of the second differential potential comparison circuit 14 are also at a high level H, and when the potentials VR1 and VR2 are at ground potential, the comparison result A of the first differential potential comparison circuit 12 In addition, although the comparison result B of the second differential potential comparison circuit 14 is also at the low level L, the comparison result D of the third differential potential comparison circuit 52B is at the high level H when the potentials VR1 and VR2 are normal. High level when VDD is shorted And it becomes a low level L when the GND short.

そして、LSI22の内部回路への給電が停止した状態、すなわち、該外部接続端子がオープンになるときには、実施例2と同様に、第1の差動電位比較回路12からの比較結果Aが低レベルLにあり、第2の差動電位比較回路14からの比較結果Bは高レベルHにあるが、第3の差動電位比較回路52Bからの比較結果Dは、低レベルLになるので、判定回路16Bは、上述のオープンに発生していることの判定を出力することが可能になる。   When the power supply to the internal circuit of the LSI 22 is stopped, that is, when the external connection terminal is open, the comparison result A from the first differential potential comparison circuit 12 is at a low level as in the second embodiment. The comparison result B from the second differential potential comparison circuit 14 is at the high level H, but the comparison result D from the third differential potential comparison circuit 52B is at the low level L. The circuit 16B can output the determination of the occurrence of the above-mentioned open.

このように、この実施例の構成によれば、上述の特徴部分での比較態様の変更と判定回路での判定の変更とにより、給電の正常性、VDDショート及び大地電位ショートのほかに、外部接続端子のオープンの発生の有無を検出することが可能になる。
また、実施例2と同様に、LSI等を構成するASSY(アッシー)の不良検出に、ASSY単位で電源供給可能なテスト用装置を作製し、直接被疑対象となる個所の電位を観測してショート/オープンの確認を行う必要がなくなり、その作業コストも必要でなくなる。
As described above, according to the configuration of this embodiment, in addition to the normality of power supply, VDD short-circuit, and ground potential short-circuit due to the change of the comparison mode in the above-described characteristic portion and the change of the determination in the determination circuit, the external It is possible to detect whether or not the connection terminal is open.
Similarly to the second embodiment, a test apparatus capable of supplying power in ASSY units is manufactured for detecting an ASSY defect that constitutes an LSI or the like, and the potential of the part to be suspected is directly observed to make a short circuit. / No need to check for openness, and no work cost.

以上、この発明の実施例を、図面を参照して詳述してきたが、この発明の具体的な構成は、これらの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもそれらはこの発明に含まれる。
例えば、外部電源、大地電位をその他の電位源で構成してもよい。
また、上述のα及びβの値は、同一であってもよい。
Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings, the specific configuration of the present invention is not limited to these embodiments, and the design does not depart from the gist of the present invention. These changes are included in the present invention.
For example, the external power source and the ground potential may be constituted by other potential sources.
Further, the values of α and β described above may be the same.

ここに開示しているショート検出回路及びショート/オープン検出回路並びにこれらの検出方法は、被給電部が外部電源等から必要な電位の給電を受ける任意の回路構成の中でも利用し得る。   The short detection circuit, the short / open detection circuit, and the detection methods disclosed herein can be used in any circuit configuration in which the power-supplied portion receives power supply of a necessary potential from an external power source or the like.

この発明の実施例1であるショート検出回路の電気的構成を示す図である。It is a figure which shows the electrical constitution of the short detection circuit which is Example 1 of this invention. 同ショート検出回路の真理値表である。It is a truth table of the short detection circuit. この発明の実施例2であるショート/オープン検出回路の電気的構成を示す図である。It is a figure which shows the electrical constitution of the short / open detection circuit which is Example 2 of this invention. 同ショート/オープン検出回路の真理値表である。It is a truth table of the same short / open detection circuit. この発明の実施例3であるショート/オープン検出回路の電気的構成を示す図である。It is a figure which shows the electrical constitution of the short / open detection circuit which is Example 3 of this invention. 同ショート/オープン検出回路の真理値表である。It is a truth table of the same short / open detection circuit.

符号の説明Explanation of symbols

10 ショート検出回路
10A、10B ショート/オープン検出回路
12 第1の差動電位比較回路(第1の比較回路)
14 第2の差動電位比較回路(第2の比較回路)
16、16A、16B 判定回路
18 第1の参照電位源
20 第2の参照電位源
24 外部電源(第1の電位源)
26 大地電位(第2の電位源)
28 抵抗素子(電位出力回路の一部)
30 抵抗素子(電位出力回路の残部)
42 外部電源(電位変更回路の一部)
46 大地電位(電位変更回路の一部)
44、44B 抵抗素子(電位変更回路の一部)
48、48B 抵抗素子(電位変更回路の残部)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Short detection circuit 10A, 10B Short / open detection circuit 12 1st differential potential comparison circuit (1st comparison circuit)
14 Second differential potential comparison circuit (second comparison circuit)
16, 16A, 16B Determination circuit 18 First reference potential source 20 Second reference potential source 24 External power source (first potential source)
26 Ground potential (second potential source)
28 Resistive element (part of potential output circuit)
30 resistance element (the remainder of the potential output circuit)
42 External power supply (part of potential change circuit)
46 Ground potential (part of potential changing circuit)
44, 44B Resistance element (part of potential changing circuit)
48, 48B Resistive element (remainder of potential change circuit)

Claims (22)

第1の電位源の電位と第2の電位源の電位との中間の所定電位を出力する電位出力回路の単一の電位出力に接続された給電ラインを介して該給電ラインと前記2つの電位源のいずれか一方との短絡を検出する回路であって、
前記電位出力の電位より予め設定される第1の値だけ高い第1の参照電位を出力する第1の参照電位源と、
前記電位出力の電位と前記第1の参照電位源の前記第1の参照電位とを比較する第1の比較回路と、
前記電位出力の電位より予め設定される第2の値だけ低い第2の参照電位を出力する第2の参照電位源と、
前記電位出力の電位と前記第2の参照電位源の前記第2の参照電位とを比較する第2の比較回路と、
前記第1の比較回路及び前記第2の比較回路の比較出力に基づいて前記短絡の有無を判定する判定回路とを備えることを特徴とするショート検出回路。
The power supply line and the two potentials via a power supply line connected to a single potential output of a potential output circuit that outputs a predetermined potential intermediate between the potential of the first potential source and the potential of the second potential source. A circuit for detecting a short circuit with one of the sources,
A first reference potential source that outputs a first reference potential that is higher than a potential of the potential output by a preset first value;
A first comparison circuit for comparing the potential of the potential output with the first reference potential of the first reference potential source;
A second reference potential source that outputs a second reference potential that is lower than a potential of the potential output by a preset second value;
A second comparison circuit that compares the potential of the potential output with the second reference potential of the second reference potential source;
A short-circuit detection circuit comprising: a determination circuit that determines the presence or absence of the short circuit based on comparison outputs of the first comparison circuit and the second comparison circuit.
前記第1の値と前記第2の値は、前記電位出力の電位の精度、当該電位の範囲によって決定されることを特徴とする請求項1記載のショート検査回路。   2. The short inspection circuit according to claim 1, wherein the first value and the second value are determined by the accuracy of the potential of the potential output and the range of the potential. 前記第1の値と前記第2の値とは同じ値であることを特徴とする請求項1又は2記載のショート検査回路。   The short test circuit according to claim 1, wherein the first value and the second value are the same value. 前記第1の電位は、外部電位源から給電される電位であり、前記第2の電位は大地電位であり、前記第1及び第2の参照電位源、第1及び第2の比較回路並びに判定回路は半導体集積回路に形成されることを特徴とする請求項1、2又は3記載のショート検出回路。   The first potential is a potential supplied from an external potential source, the second potential is a ground potential, the first and second reference potential sources, the first and second comparison circuits, and the determination 4. The short detection circuit according to claim 1, wherein the circuit is formed in a semiconductor integrated circuit. 第1の電位源の電位と第2の電位源の電位との中間の所定電位を出力する電位出力回路の単一の電位出力に接続された給電ラインを介して該給電ラインと前記2つの電位源のいずれか一方との短絡又は前記電位出力と前記給電ラインとの開放を検出する回路であって、
前記電位出力の電位より予め設定される第1の値だけ高い第1の参照電位を出力する第1の参照電位源と、
前記電位出力の電位と前記第1の参照電位源の前記第1の参照電位とを比較する第1の比較回路と、
前記電位出力の電位より予め設定される第2の値だけ低い第2の参照電位を出力する第2の参照電位源と、
前記電位出力の電位と前記第2の参照電位源の前記第2の参照電位とを比較する第2の比較回路と、
前記給電ラインに接続され、前記電位出力と前記給電ラインとが開放したときの前記給電ラインの電位を、前記電位出力の電位から所定の値だけ異なる電位へ変更させる電位変更回路と、
前記電位出力と前記給電ラインとの開放時の前記給電ラインの電位と前記電位出力の電位との間に予め設定される第3の参照電位を出力する第3の参照電位源と、
前記開放時の前記給電ラインの電位と前記第3の参照電位源の前記第3の参照電位とを比較する第3の比較回路と、
前記第1の比較回路、前記第2の比較回路及び前記第3の比較回路の比較出力に基づいて前記短絡の有無又は前記給電ラインの開放の有無を判定する判定回路とを備えることを特徴とするショート/オープン検出回路。
The power supply line and the two potentials via a power supply line connected to a single potential output of a potential output circuit that outputs a predetermined potential intermediate between the potential of the first potential source and the potential of the second potential source. A circuit for detecting a short circuit with any one of the sources or opening of the potential output and the power supply line,
A first reference potential source that outputs a first reference potential that is higher than a potential of the potential output by a preset first value;
A first comparison circuit for comparing the potential of the potential output with the first reference potential of the first reference potential source;
A second reference potential source that outputs a second reference potential that is lower than a potential of the potential output by a preset second value;
A second comparison circuit that compares the potential of the potential output with the second reference potential of the second reference potential source;
A potential change circuit that is connected to the power supply line and changes the potential of the power supply line when the potential output and the power supply line are opened to a potential different from the potential of the potential output by a predetermined value;
A third reference potential source that outputs a third reference potential set in advance between the potential of the power supply line and the potential of the potential output when the potential output and the power supply line are opened;
A third comparison circuit for comparing the potential of the power supply line at the time of opening with the third reference potential of the third reference potential source;
And a determination circuit for determining whether or not the short circuit is present or whether or not the power supply line is open based on comparison outputs of the first comparison circuit, the second comparison circuit, and the third comparison circuit. Short / open detection circuit.
前記電位出力回路は、前記第1の電位源と前記第の電位源との間に直列接続された第1の抵抗素子と第2の抵抗素子とからなり、前記第1の抵抗素子と前記第2の抵抗素子との接続点を前記電位出力とし、
前記電位変更回路は、第3の電位源と、第4の電位源と、前記第3の電位源と前記給電ラインとの間に接続された第3の抵抗素子と、前記第4の電位源と前記給電ラインとの間に接続された第4の抵抗素子とからなり、前記第3の抵抗素子及び前記第4の抵抗素子の抵抗値は、前記開放が生じたとき前記給電ラインの電位を前記電位出力の電位よりも所定の値だけ異なる電位へ変更させるのに必要な値だけ前記第1の抵抗素子及び前記第2の抵抗素子の抵抗値より大きく選定されることを特徴とする請求項5記載のショート/オープン検出回路。
The potential output circuit includes a first resistance element and a second resistance element connected in series between the first potential source and the second potential source, and the first resistance element and the second resistance element The connection point with the second resistance element is the potential output,
The potential changing circuit includes a third potential source , a fourth potential source , a third resistance element connected between the third potential source and the power supply line, and the fourth potential source. And a fourth resistance element connected between the power supply line and the resistance values of the third resistance element and the fourth resistance element are the potentials of the power supply line when the opening occurs. The resistance value of the first resistance element and the second resistance element is selected to be larger than the resistance value of the first resistance element by a value necessary for changing to a potential different from the potential of the potential output by a predetermined value. 5. The short / open detection circuit according to 5.
前記異なる電位は、前記電位出力の電位から前記所定の値だけ高い電位であることを特徴とする請求項6記載のショート/オープン検出回路。   7. The short / open detection circuit according to claim 6, wherein the different potential is a potential that is higher than the potential of the potential output by the predetermined value. 前記異なる電位は、前記電位出力の電位から前記所定の値だけ低い電位であることを特徴とする請求項6記載のショート/オープン検出回路。   The short / open detection circuit according to claim 6, wherein the different potential is a potential lower than the potential of the potential output by the predetermined value. 前記第1の値と前記第2の値は、前記電位出力の電位の精度、当該電位の範囲によって決定されることを特徴とする請求項5、6、7又は8記載のショート/オープン検査回路。   9. The short / open test circuit according to claim 5, wherein the first value and the second value are determined by an accuracy of a potential of the potential output and a range of the potential. . 前記第1の値と前記第2の値とは同じ値であることを特徴とする請求項5乃至9のいずれか一に記載のショート/オープン検査回路。   10. The short / open inspection circuit according to claim 5, wherein the first value and the second value are the same value. 前記第1の電位は、外部電位源から給電される電位であり、前記第2の電位は大地電位であり、前記第1及び第2の参照電位源、第1及び第2の比較回路並びに判定回路は半導体集積回路に形成されることを特徴とする請求項5乃至10のいずれか一に記載のショート/オープン検出回路。   The first potential is a potential supplied from an external potential source, the second potential is a ground potential, the first and second reference potential sources, the first and second comparison circuits, and the determination 11. The short / open detection circuit according to claim 5, wherein the circuit is formed in a semiconductor integrated circuit. 第1の電位源の電位と第2の電位源の電位との中間の所定電位を出力する電位出力回路の電位出力に接続された給電ラインを介して該給電ラインと前記2つの電位源のいずれか一方との短絡を検出する方法であって、
前記電位出力の電位と前前記電位出力の電位より予め設定される第1の値だけ高い第1の参照電位とを比較し、
前記電位出力の電位と前記電位出力の電位より予め設定される第2の値だけ低い第2の参照電位とを比較し、
前記2つの比較の結果に基づいて前記短絡の有無を判定することを特徴とするショート検出方法。
Any one of the power supply line and the two potential sources via a power supply line connected to a potential output of a potential output circuit that outputs a predetermined potential intermediate between the potential of the first potential source and the potential of the second potential source. A method of detecting a short circuit with either one of
Comparing the potential of the potential output with a first reference potential that is higher than the potential of the previous potential output by a preset first value;
Comparing the potential of the potential output with a second reference potential that is lower than the potential of the potential output by a preset second value;
A short detection method, wherein the presence or absence of the short circuit is determined based on a result of the two comparisons.
前記第1の値と前記第2の値は、前記電位出力の電位の精度、当該電位の範囲によって決定されることを特徴とする請求項12記載のショート検出方法。   13. The short detection method according to claim 12, wherein the first value and the second value are determined by the accuracy of the potential of the potential output and the range of the potential. 前記第1の値と前記第2の値とは同じ値であることを特徴とする請求項12又は13記載のショート検出方法。   14. The short detection method according to claim 12, wherein the first value and the second value are the same value. 前記第1の電位は、外部電位源から給電される電位であり、前記第2の電位は大地電位であることを特徴とする請求項12、13又は14記載のショート検出方法。   15. The short detection method according to claim 12, 13, or 14, wherein the first potential is a potential supplied from an external potential source, and the second potential is a ground potential. 第1の電位と第2の電位との間の所定電位を出力する電位出力回路の電位出力に接続された給電ラインを介して該給電ラインと前記2つの電位源のいずれか一方との短絡又は前記電位出力と前記給電ラインとの開放を検出する方法であって、
前記電位出力の電位と前記電位出力の電位より予め設定される第1の値だけ高い第1の参照電位とを比較し、
前記電位出力の電位と前記電位出力の電位より予め設定される第2の値だけ低い第2の参照電位とを比較し、
前記電位出力と前記給電ラインとの開放時に前記電位出力の電位から所定の値だけ異なる電位へ変更される前記給電ラインの電位と前記電位出力の電位との間に予め設定される第3の参照電位と前記開放時の前記給電ラインの電位とを比較し、
前記3つの比較の結果に基づいて前記短絡の有無又は前記開放の有無を判定することを特徴とするショート/オープン検出方法。
A short circuit between the power supply line and one of the two potential sources via a power supply line connected to a potential output of a potential output circuit that outputs a predetermined potential between the first potential and the second potential; A method of detecting opening of the potential output and the power supply line,
Comparing the potential of the potential output with a first reference potential that is higher than the potential of the potential output by a preset first value;
Comparing the potential of the potential output with a second reference potential that is lower than the potential of the potential output by a preset second value;
A third reference preset between the potential of the power supply line and the potential of the potential output, which is changed to a potential different from the potential of the potential output by a predetermined value when the potential output and the power supply line are opened. Comparing the potential with the potential of the feeder line at the time of opening,
A short / open detection method, wherein the presence / absence of the short circuit or the presence / absence of the open circuit is determined based on the results of the three comparisons.
前記異なる電位は、前記第1の参照電位と前記給電ラインとの間に接続された第3の抵抗素子及び前記第2の参照電位と前記給電ラインとの間に接続された第4の抵抗素子の抵抗値が、前記異なる電位へ変更させるのに必要な値だけ、前記第1の電位と前記第2の電位との間に直列接続されて前記電位出力回路を構成する第1の抵抗素子及び第2の抵抗素子の抵抗値より大きく選定されて設定されることを特徴とする請求項16記載のショート/オープン検出回路。   The different potentials include a third resistance element connected between the first reference potential and the power supply line, and a fourth resistance element connected between the second reference potential and the power supply line. The first resistance element constituting the potential output circuit is connected in series between the first potential and the second potential by a value necessary to change the resistance value to the different potential. 17. The short / open detection circuit according to claim 16, wherein the short / open detection circuit is selected and set to be larger than a resistance value of the second resistance element. 前記異なる電位は、前記電位出力の電位より高い電位であることを特徴とする請求項16又は17記載のショート/オープン検出方法。   18. The short / open detection method according to claim 16, wherein the different potential is higher than the potential output potential. 前記異なる電位は、前記電位出力の電位より低い電位であることを特徴とする請求項16又は17記載のショート/オープン検出方法。   18. The short / open detection method according to claim 16, wherein the different potential is a potential lower than the potential output potential. 前記第1の値と前記第2の値は、前記電位出力の電位の精度、当該電位の範囲によって決定されることを特徴とする請求項16、17、18又は19記載のショート/オープン検査方法。   20. The short / open inspection method according to claim 16, 17, 18 or 19, wherein the first value and the second value are determined by an accuracy of a potential of the potential output and a range of the potential. . 前記第1の値と前記第2の値とは同じ値であることを特徴とする請求項16乃至20のいずれか一に記載のショート/オープン検査方法。   21. The short / open inspection method according to claim 16, wherein the first value and the second value are the same value. 前記第1の電位は、外部電位源から給電される電位であり、前記第2の電位は大地電位であることを特徴とする請求項16乃至21のいずれか一に記載のショート/オープン検出方法。   The short / open detection method according to any one of claims 16 to 21, wherein the first potential is a potential supplied from an external potential source, and the second potential is a ground potential. .
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