JP4957584B2 - Etching composition and etching method - Google Patents
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Description
本発明は銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液でエッチングするためのエッチング用組成物、並びにそれを用いた銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とのエッチング方法に関する。 The present invention relates to an etching composition for etching a metal film made of silver or a silver alloy and a transparent conductive film in a single solution, and a method for etching a metal film made of silver or a silver alloy and a transparent conductive film using the same. About.
さらに詳しくは、フラットパネルディスプレイやメモリ集積回路等に利用される薄膜トランジスタ等の製造工程において、基板上の銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とをエッチングする際に用いるエッチング用組成物、並びにそれを用いたエッチング方法に関する。 More specifically, in a manufacturing process of a thin film transistor used in a flat panel display, a memory integrated circuit, etc., an etching composition used when etching a metal film made of silver or a silver alloy on a substrate and a transparent conductive film, The present invention also relates to an etching method using the same.
近年、情報化技術の急速な進展に伴い、フラットパネルディスプレーやメモリ集積回路として用いられる電極配線材料にあっては、その加工の微細化精度に対する要求が益々向上している一方、高光反射率、低抵抗値を有する金属として、銀及び銀合金の使用が増大している。また、これら銀又は銀合金からなる金属膜を透明導電膜に積層して使用することが一般的になってきている。 In recent years, with the rapid development of information technology, electrode wiring materials used as flat panel displays and memory integrated circuits have been increasingly demanded for finer processing accuracy, while high light reflectance, As metals having a low resistance value, the use of silver and silver alloys is increasing. In addition, it is becoming common to use a metal film made of silver or a silver alloy by laminating it on a transparent conductive film.
これら銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とからなる電極配線を形成するためには、これらを所定のパターン形状に加工する必要がある。このパターン形成のための加工技術としては、化学薬品を用いたエッチングが知られている。従来は、例えば、透明導電膜のエッチングにはシュウ酸又は塩素を含有するエッチング液が使用され、銀又は銀合金からなる金属膜のエッチングにはリン酸、硝酸及び酢酸からなる混酸が使用される等、２液でのエッチングが一般的であった。しかしながら、この方法は、化学薬品が２種類必要であること、エッチング装置も２基必要であること等、経済的ではなかった。 In order to form an electrode wiring made of a metal film made of silver or a silver alloy and a transparent conductive film, it is necessary to process them into a predetermined pattern shape. As a processing technique for forming this pattern, etching using chemicals is known. Conventionally, for example, an etching solution containing oxalic acid or chlorine is used for etching a transparent conductive film, and a mixed acid consisting of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid is used for etching a metal film made of silver or a silver alloy. Etching with two liquids was common. However, this method is not economical because two types of chemicals are required and two etching apparatuses are required.
そこで、リン酸、硝酸及び酢酸からなる混酸１液で金属と透明導電膜を同時にエッチングする方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法は、主にアルミ金属のエッチングとＩＺＯ（酸化インジウム、亜鉛）とのエッチングを対象にしているが、リン酸、硝酸及び酢酸の混酸ではエッチング速度が遅く、３５〜４５℃に加温しなければ工業的に満足できる速度でエッチングすることができない。 Thus, a method has been proposed in which a metal and a transparent conductive film are simultaneously etched with a mixed acid solution composed of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid (see, for example, Patent Document 1). This method is mainly intended for the etching of aluminum metal and IZO (indium oxide, zinc), but the etching rate is slow in the mixed acid of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid. Otherwise, etching cannot be carried out at an industrially satisfactory rate.
一方、リン酸、硝酸及び酢酸からなる混酸にさらに蓚酸を添加して一液でＩＴＯ（酸化インジウム、スズ）と銀合金をエッチングする方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。しかしながら、この方法は、蓚酸の溶解度が低く、ＩＴＯのエッチング速度を十分に速くすることができないばかりでなく、蓚酸の結晶が析出することがある。また、リン酸、硝酸及び酢酸からなる混酸にさらに塩素を添加した場合はＩＴＯのエッチング速度は速くなるが、銀又は銀合金と塩素との反応物が難溶性であるため、銀又は銀合金のエッチング速度が遅くなるといった問題があった。 On the other hand, a method has been proposed in which oxalic acid is further added to a mixed acid composed of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid, and ITO (indium oxide, tin) and a silver alloy are etched with a single solution (see, for example, Patent Document 2). However, this method has a low solubility of oxalic acid, and not only cannot sufficiently increase the etching rate of ITO, but oxalic acid crystals may be precipitated. In addition, when chlorine is further added to a mixed acid composed of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid, the etching rate of ITO is increased, but the reaction product of silver or silver alloy and chlorine is hardly soluble. There was a problem that the etching rate was slow.
本発明は、上記の背景技術に鑑みてなされたものであり、その目的は、銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液でエッチングできるエッチング液、並びにそれを用いたエッチング方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the background art described above, and an object of the present invention is to provide an etching solution that can etch a metal film made of silver or a silver alloy and a transparent conductive film with a single solution, and an etching method using the same. Is to provide.
本発明者らは、銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とのエッチング方法について鋭意検討した結果、銅イオン、硝酸及びフッ素化合物を含むエッチング液が、エッチング用組成物として一液で、銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とをエッチングできるという新規な事実を見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of earnestly examining the etching method of the metal film made of silver or silver alloy and the transparent conductive film, the inventors of the present invention have an etching solution containing copper ions, nitric acid and a fluorine compound as a single composition as an etching composition. The inventors have found a novel fact that a metal film made of silver or a silver alloy and a transparent conductive film can be etched, and have completed the present invention.
すなわち、本発明は、以下に示すとおりのエッチング用組成物及びエッチング方法である。 That is, the present invention is an etching composition and an etching method as described below.
［１］銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液でエッチングするための組成物であって、銅イオン、硝酸、及びフッ素化合物を含有するエッチング用組成物。 [1] A composition for etching a metal film made of silver or a silver alloy and a transparent conductive film with a single solution, which contains copper ions, nitric acid, and a fluorine compound.
［２］フッ素化合物が、テトラフルオロケイ素、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロケイ酸塩、三フッ化ホウ素、フルオロホウ酸、フルオロホウ酸塩、フッ化リン、フッ化銀、フッ化水素酸、及びフッ化アンモニウムからなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物である上記［１］に記載のエッチング用組成物。 [2] The fluorine compound is tetrafluorosilicon, hexafluorosilicate, hexafluorosilicate, boron trifluoride, fluoroboric acid, fluoroborate, phosphorus fluoride, silver fluoride, hydrofluoric acid, and fluoride. The etching composition as described in [1] above, which is one or more compounds selected from the group consisting of ammonium.
［３］さらにリン酸を含む上記［１］又は［２］に記載のエッチング用組成物。 [3] The etching composition according to [1] or [2], further including phosphoric acid.
［４］銀合金が、銅、パラジウム、白金、ルテニウム及び金からなる群より選ばれる一種又は二種以上の金属と銀との合金である上記［１］乃至［３］のいずれかに記載のエッチング用組成物。 [4] The silver alloy according to any one of the above [1] to [3], wherein the silver alloy is an alloy of one or more metals selected from the group consisting of copper, palladium, platinum, ruthenium and gold and silver. Etching composition.
［５］透明導電膜が、ＩＴＯ（酸化インジウム、スズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム、亜鉛）、及びＺＡＯ（酸化アルミニウム、亜鉛）からなる群より選ばれる少なくとも一種からなる上記［１］乃至［４］のいずれかに記載のエッチング用組成物。 [5] The above [1] to [4], wherein the transparent conductive film is made of at least one selected from the group consisting of ITO (indium oxide, tin), IZO (indium oxide, zinc), and ZAO (aluminum oxide, zinc). The etching composition according to any one of the above.
［６］銅イオンの濃度が、１重量ｐｐｍ〜１０重量％の範囲である上記［１］乃至［５］のいずれかに記載のエッチング用組成物。 [6] The etching composition according to any one of [1] to [5], wherein the copper ion concentration is in the range of 1 ppm by weight to 10% by weight.
［７］硝酸の濃度が、１０重量ｐｐｍ〜４０重量％の範囲である上記［１］乃至［６］のいずれかに記載のエッチング用組成物。 [7] The etching composition according to any one of [1] to [6], wherein the concentration of nitric acid is in the range of 10 ppm to 40% by weight.
［８］フッ素化合物の濃度が、０．０１〜１０重量％の範囲である上記［１］乃至［７］のいずれかに記載のエッチング用組成物。 [8] The etching composition according to any one of [1] to [7], wherein the fluorine compound concentration is in the range of 0.01 to 10% by weight.
［９］リン酸の濃度が、１〜８０重量％の範囲である上記［３］乃至［８］のいずれかに記載のエッチング用組成物。 [9] The etching composition according to any one of [3] to [8], wherein the phosphoric acid concentration is in the range of 1 to 80% by weight.
［１０］上記［１］乃至［９］のいずれかに記載のエッチング用組成物を使用して銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜と一液でエッチングするエッチング方法。 [10] An etching method in which the etching composition according to any one of [1] to [9] is used to etch a metal film made of silver or a silver alloy and a transparent conductive film in a single solution.
本発明によれば、銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを、液を交換することなく一液でエッチングすることができ、しかも２０〜３５℃という低温で使用しても工業的に満足できる速度でエッチングすることができる。 According to the present invention, a metal film made of silver or a silver alloy and a transparent conductive film can be etched with one liquid without exchanging the liquid, and even if used at a low temperature of 20 to 35 ° C., it is industrial. Can be etched at a rate satisfying the above.
したがって、本発明は、フラットパネルディスプレーやメモリ集積回路を効率良く製造することを可能にし得るものであるため、工業的に極めて有用である。 Therefore, the present invention is extremely useful industrially because it can make it possible to efficiently manufacture flat panel displays and memory integrated circuits.
本発明のエッチング用組成物の必須成分は、銅イオン、硝酸、及びフッ素化合物である。 The essential components of the etching composition of the present invention are copper ions, nitric acid, and a fluorine compound.
本発明のエッチング用組成物に使用される銅イオンは、銀又は銀合金のエッチング速度を加速するとともに、エッチング用組成物の繰り返し使用においてもエッチング速度の安定化に寄与する。硝酸は、銀又は銀合金のエッチング速度を加速するとともに透明導電膜のエッチング速度を加速する。フッ素化合物は透明導電膜のエッチング速度を加速する。 The copper ion used in the etching composition of the present invention accelerates the etching rate of silver or a silver alloy, and contributes to stabilization of the etching rate even when the etching composition is repeatedly used. Nitric acid accelerates the etching rate of the transparent conductive film as well as the etching rate of silver or silver alloy. The fluorine compound accelerates the etching rate of the transparent conductive film.
本発明のエッチング用組成物において、銅イオンはエッチング用組成物中に溶解していれば特に支障なく使用することができるため、特に限定されない。例えば、エッチング用組成物に銅塩、錯体の形で添加しても良いし、銅金属を酸又は塩基で溶解して使用しても良い。銅塩としては、例えば、ギ酸銅、酢酸銅、クエン酸銅等の有機酸塩、硝酸銅、硫酸銅、塩化銅等の無機酸塩等があげられ、いずれも問題なく使用できる。 In the etching composition of the present invention, copper ions are not particularly limited because they can be used without any problem as long as they are dissolved in the etching composition. For example, it may be added to the etching composition in the form of a copper salt or a complex, or copper metal may be dissolved in an acid or base and used. Examples of the copper salt include organic acid salts such as copper formate, copper acetate and copper citrate, and inorganic acid salts such as copper nitrate, copper sulfate and copper chloride, and any of them can be used without any problem.
本発明のエッチング用組成物に使用される硝酸としては特に制限はなく、一般に工業的に流通している硝酸や硝酸塩を使用しても一向に差し支えない。 The nitric acid used in the etching composition of the present invention is not particularly limited, and nitric acid and nitrates that are generally distributed industrially may be used.
本発明のエッチング用組成物に使用されるフッ素化合物は、フッ化ケイ素、フッ化リン、フッ化銀、フッ化ホウ素、フッ化水素酸、及びフッ化アンモニウムからなる群より選ばれる一種又は二種以上のフッ化水素酸塩であることが好ましい。ここで、フラットパネルディスプレイ等の基材として使用されるガラスに対しては、ダメージが小さいフッ化ケイ素やフッ化ホウ素を使用するのが好ましい。フッ化ケイ素としては、例えば、テトラフルオロケイ素、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロケイ酸塩等が好ましく、フッ化ホウ素としては、例えば、三フッ化ホウ素、ＨＢＦ４，ＨＢＦ３（ＯＨ），ＨＢＦ２（ＯＨ）２，ＨＢＦ（ＯＨ）３等のフルオロホウ酸、フルオロホウ酸アンモニウム等のフルオロホウ酸塩等が好ましい。なお、本発明においては、フッ素化合物以外のハロゲンを加えると、銀、又は銀合金のエッチング速度が遅くなる場合があり、好ましくない。 The fluorine compound used in the etching composition of the present invention is one or two selected from the group consisting of silicon fluoride, phosphorus fluoride, silver fluoride, boron fluoride, hydrofluoric acid, and ammonium fluoride. The above hydrofluoric acid salt is preferable. Here, it is preferable to use silicon fluoride or boron fluoride with small damage to glass used as a base material for a flat panel display or the like. As the silicon fluoride, for example, tetrafluorosilicon, hexafluorosilicate, hexafluorosilicate and the like are preferable. As the boron fluoride, for example, boron trifluoride, HBF 4 , HBF 3 (OH), HBF 2 Fluoroborates such as (OH) 2 and HBF (OH) 3 and fluoroborates such as ammonium fluoroborate are preferred. In the present invention, it is not preferable to add a halogen other than a fluorine compound because the etching rate of silver or a silver alloy may be reduced.
本発明のエッチング用組成物には、さらにリン酸を添加することができる。リン酸は、エッチング速度を調整するとともに、エッチング残渣の減少、エッチング形状の制御に影響する。本発明のエッチング用組成物に使用されるリン酸としては特に制限はなく、一般に工業的に流通しているリン酸やリン酸塩を使用しても一向に差し支えない。 Further, phosphoric acid can be added to the etching composition of the present invention. Phosphoric acid adjusts the etching rate and affects the reduction of etching residues and the control of the etching shape. There is no restriction | limiting in particular as phosphoric acid used for the etching composition of this invention, Generally even if it uses the phosphoric acid and phosphate which are distribute | circulated industrially, it does not interfere.
本発明のエッチング用組成物中の銅イオンの濃度は、特に限定するものではないが、通常１重量ｐｐｍ〜１０重量％の範囲、好ましくは１０重量ｐｐｍ〜８重量％の範囲、更に好ましくは、０．０１重量％〜５重量％の範囲である。銅イオンの濃度を１重量ｐｐｍ以上とすることで、上記した銅イオンの効果、すなわちエッチング速度の加速及びエッチング液繰り返し使用時のエッチング速度の安定化効果が向上する。また銅イオンの濃度を１０重量％以下とすることで銅イオンがエッチング対象に残存する可能性が低くなり、特に電子デバイスの製造の際の悪影響が防止される。 The concentration of copper ions in the etching composition of the present invention is not particularly limited, but is usually in the range of 1 wt ppm to 10 wt%, preferably in the range of 10 wt ppm to 8 wt%, more preferably It is in the range of 0.01% to 5% by weight. By setting the concentration of copper ions to 1 ppm by weight or more, the effect of copper ions described above, that is, the acceleration rate of etching and the effect of stabilizing the etching rate during repeated use of the etching solution are improved. Further, by setting the copper ion concentration to 10% by weight or less, the possibility that copper ions remain in the etching target is reduced, and adverse effects particularly in the manufacture of electronic devices are prevented.
本発明のエッチング用組成物中の硝酸濃度は、特に限定するものではないが、通常１０重量ｐｐｍ〜４０重量％の範囲であり、０．０１〜３０重量％の範囲が好ましく、更に好ましくは０．０５〜１０重量％の範囲である。硝酸濃度を１０重量ｐｐｍ以上とすることで、エッチング速度が向上し、４０重量％以下とすることで、レジスト等他材へのダメージを軽減することができる。 Although the nitric acid concentration in the etching composition of the present invention is not particularly limited, it is usually in the range of 10 ppm to 40% by weight, preferably in the range of 0.01 to 30% by weight, more preferably 0. .05 to 10% by weight. When the nitric acid concentration is 10 ppm by weight or more, the etching rate is improved, and when it is 40% by weight or less, damage to other materials such as a resist can be reduced.
本発明のエッチング用組成物中のフッ素化合物濃度は、特に限定するものではないが、通常１０重量ｐｐｍ〜１０重量％の範囲であり、０．０１〜５重量％の範囲が特に好ましい。フッ素化合物濃度を１０重量ｐｐｍ以上とすることで、エッチング速度が向上し、５重量％以下とすることで、ガラス基板等他材へのダメージを軽減することができる。 Although the fluorine compound density | concentration in the composition for etching of this invention is not specifically limited, Usually, it is the range of 10 weight ppm-10 weight%, and the range of 0.01-5 weight% is especially preferable. When the fluorine compound concentration is 10 ppm by weight or more, the etching rate is improved, and when it is 5% by weight or less, damage to other materials such as a glass substrate can be reduced.
本発明のエッチング用組成物中のリン酸濃度は、特に限定するものではないが、通常１〜８０重量％の範囲が好ましい。リン酸濃度を１重量％以上とすることで、エッチング速度が向上し、８０重量％以下とすることで、エッチング液の粘度を低くして、エッチングムラを防止することができる。 The phosphoric acid concentration in the etching composition of the present invention is not particularly limited, but it is usually preferably in the range of 1 to 80% by weight. When the phosphoric acid concentration is 1% by weight or more, the etching rate is improved, and when the phosphoric acid concentration is 80% by weight or less, the viscosity of the etching solution can be lowered and etching unevenness can be prevented.
本発明のエッチング用組成物には、さらにカルボン酸、アンモニア、アミンを添加しても良い。これらの添加でエッチング速度をコントロールし、エッチング残渣を少なくすることができる。 Carboxylic acid, ammonia, and amine may be further added to the etching composition of the present invention. These additions can control the etching rate and reduce etching residues.
カルボン酸としては、特に限定するものではないが、あえて例示すると、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸等のモノカルボン酸類、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フタル酸、マレイン酸等の多価カルボン酸類、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、サリチル酸等のヒドロキシカルボン酸類、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸等のアミノ酸類等が好適なカルボン酸として挙げられる。 Although it does not specifically limit as carboxylic acid, For example, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, hexanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, monocarboxylic acids, such as benzoic acid, oxalic acid, succinic acid Polycarboxylic acids such as acid, glutaric acid, adipic acid, phthalic acid, maleic acid, hydroxycarboxylic acids such as citric acid, malic acid, tartaric acid, salicylic acid, glycine, alanine, aspartic acid, glutamic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, nitrilotri Examples of suitable carboxylic acids include amino acids such as acetic acid.
アミンとしては、特に限定するものではないが、あえて例示すると、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン等のアルキルアミン類、エチレンジアミン、ジエチリレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ピペラジン、Ｎ−アミノエチレルピペラジン等のエチレンアミン類、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類等が好適なアミンとして挙げられる。 Examples of amines include, but are not limited to, alkylamines such as methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine, diethylylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine. Suitable amines include ethyleneamines such as pentaethylenehexamine, piperazine, and N-aminoethyl piperazine, and alkanolamines such as monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine.
本発明のエッチング用組成物は、水で希釈して使用しても良いし、有機溶媒で希釈して使用しても良い。有機溶媒としては、特に限定されず、一般に流通しているものを使用することができる。 The etching composition of the present invention may be used after being diluted with water, or may be used after being diluted with an organic solvent. It does not specifically limit as an organic solvent, The thing currently distribute | circulating can be used.
本発明のエッチング用組成物は、銀又は銀合金からなる金属膜をエッチングすることができる。銀合金としては、銅、パラジウム、白金、ルテニウム、及び金からなる群より選ばれる一種又は二種以上の金属と銀との合金が挙げられる。また、透明導電膜のエッチングにおいても優れた性能を発揮する。透明導電膜としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム、スズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム、亜鉛）、ＺＡＯ（酸化アルミニウム、亜鉛）からなる透明導電膜が挙げられる。 The etching composition of the present invention can etch a metal film made of silver or a silver alloy. Examples of the silver alloy include an alloy of silver and one or more metals selected from the group consisting of copper, palladium, platinum, ruthenium, and gold. Moreover, the performance which was excellent also in the etching of a transparent conductive film is exhibited. As a transparent conductive film, the transparent conductive film which consists of ITO (indium oxide, tin), IZO (indium oxide, zinc), and ZAO (aluminum oxide, zinc) is mentioned, for example.
本発明のエッチング組成物は、上記した銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液でエッチングすることができる。例えば、銀（銀合金）からなる金属膜と透明導電膜が同時に露出している基板に対しても、銀（銀合金）からなる金属膜上に透明導電膜が積層されており、銀（銀合金）からなる金属膜が露出していない基板に対しても、本発明のエッチング組成物を使用すれば、銀（銀合金）からなる金属膜と透明導電膜との両方をエッチングすることができる。 The etching composition of the present invention can etch the metal film made of silver or a silver alloy and the transparent conductive film with one liquid. For example, a transparent conductive film is laminated on a metal film made of silver (silver alloy) even on a substrate on which a metal film made of silver (silver alloy) and a transparent conductive film are exposed at the same time. If the etching composition of the present invention is used for a substrate on which a metal film made of an alloy is not exposed, both the metal film made of silver (silver alloy) and the transparent conductive film can be etched. .
本発明のエッチング用組成物は、電子デバイス、特にフラットパネルディスプレイ（例えば、アクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等）やメモリ集積回路等に利用される薄膜トランジスタ等の製造工程において、基板表面に形成された銀又は銀合金薄膜をエッチングする際に優れた性能を発揮する。 The etching composition of the present invention is applied to the surface of a substrate in a manufacturing process of a thin film transistor used for an electronic device, particularly a flat panel display (for example, an active matrix liquid crystal display, an organic EL display, etc.) or a memory integrated circuit. Excellent performance when etching the formed silver or silver alloy thin film.
本発明のエッチング用組成物を使用する時の温度は、通常５０℃以下、好ましくは２０〜４０℃の範囲、さらに好ましくは２０〜３５℃の範囲である。５０℃以下とすることで、エッチング液の成分が揮発するのを抑制して、エッチング液の寿命が向上する。また、エネルギーコストも低くなる。２０℃以上とすることで、エッチング速度が向上し、工業的に満足できる速度でエッチングすることが可能となる。 The temperature when using the etching composition of the present invention is usually 50 ° C. or lower, preferably 20 to 40 ° C., more preferably 20 to 35 ° C. By setting the temperature to 50 ° C. or lower, the vaporization of the components of the etching solution is suppressed, and the life of the etching solution is improved. In addition, energy costs are reduced. By adjusting the temperature to 20 ° C. or higher, the etching rate is improved, and etching can be performed at a rate that is industrially satisfactory.
本発明のエッチング用組成物を使用し、銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とをエッチングする際には、エッチング対象をエッチング組成物に浸漬しても良いし、エッチング組成物をエッチング対象にスプレーしても良い。また、エッチングを促進し、残渣を除去するために、エッチング時に超音波等を使用しても良い。 When using the etching composition of the present invention and etching a metal film made of silver or a silver alloy and a transparent conductive film, the etching target may be immersed in the etching composition, or the etching composition is etched. The subject may be sprayed. Moreover, in order to accelerate etching and remove residues, ultrasonic waves or the like may be used during etching.
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定して解釈されるものではない。 The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention should not be construed as being limited thereto.
なお、表記を簡潔にするため、以下の略記号を使用する。 In order to simplify the notation, the following abbreviations are used.
ＡＰＣ：銀−パラジウム−銅合金
ＩＴＯ：酸化インジウム−スズ透明導電膜
ＢＦ：フルオロホウ酸（森田化学工業株式会社製）
ＳｉＦ：ヘキサフルオロケイ酸（森田化学工業株式会社製）
ＡＦ：フッ化アンモニウム（関東化学株式会社製）
ＡｇＦ：フッ化銀（関東化学株式会社製）
また、リン酸、硝酸はいずれも関東化学株式会社製のものを使用した。銅イオンは硝酸銅（関東化学株式会社製）として用いた。
APC: Silver-palladium-copper alloy ITO: Indium oxide-tin transparent conductive film BF: Fluoroboric acid (Morita Chemical Industries, Ltd.)
SiF: Hexafluorosilicic acid (Morita Chemical Industries, Ltd.)
AF: ammonium fluoride (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.)
AgF: Silver fluoride (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.)
Further, phosphoric acid and nitric acid were both manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd. Copper ions were used as copper nitrate (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.).
実施例１〜実施例８．
表１に記載のエッチング用組成物（エッチング液）を調製した（残部は水）。このエッチング液に、ＡＰＣ薄膜（膜厚０．１μｍ）上にＩＴＯ（膜厚０．０５μｍ）を成膜した基板を表１記載の温度で浸漬した。ＡＰＣ、ＩＴＯの両膜が完全にエッチングされ、消失した時間を測定した。結果を表１に示す。
Example 1 to Example 8.
The etching composition (etching solution) shown in Table 1 was prepared (the balance being water). In this etching solution, a substrate in which ITO (film thickness 0.05 μm) was formed on an APC thin film (film thickness 0.1 μm) was immersed at the temperature shown in Table 1. The time when both APC and ITO films were completely etched and disappeared was measured. The results are shown in Table 1.
比較例１〜比較例３．
表１に記載のエッチング用組成物（エッチング液）を調製した（残部は水）。実施例１〜５と同様に、このエッチング液に、ＡＰＣ薄膜（膜厚０．１μｍ）上にＩＴＯ（膜厚０．０５μｍ）を成膜した基板を表１記載の温度で浸漬した。ＡＰＣ、ＩＴＯの両膜が完全にエッチングされ、消失した時間を測定した。結果を表１にあわせて示す。
Comparative Examples 1 to 3
The etching composition (etching solution) shown in Table 1 was prepared (the balance being water). Similarly to Examples 1-5, the board | substrate which formed ITO (film thickness of 0.05 micrometer) on this APC thin film (film thickness of 0.1 micrometer) was immersed in this etching liquid at the temperature of Table 1. The time when both APC and ITO films were completely etched and disappeared was measured. The results are shown in Table 1.
表１から明らかなとおり、実施例のエッチング用組成物は、比較例のエッチング用組成物に比べ、エッチング時間を大幅に短縮することができる。 As is clear from Table 1, the etching compositions of the examples can significantly shorten the etching time compared to the etching compositions of the comparative examples.
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