JP2004156070A

JP2004156070A - Composition of etchant for multilayer film including transparent electroconductive film

Info

Publication number: JP2004156070A
Application number: JP2002320278A
Authority: JP
Inventors: Takao Yamaguchi; 隆雄山口; Kenji Oshiro; 研二大城
Original assignee: Kanto Chemical Co Inc
Current assignee: Kanto Chemical Co Inc
Priority date: 2002-11-01
Filing date: 2002-11-01
Publication date: 2004-06-03

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive etchant for collectively etching a multilayer film including a transparent electroconductive film and a metallic film by one operation with one liquid, without selectively etching each film, and for inhibiting side etching of each film. <P>SOLUTION: A composition of an etchant for simultaneously etching the multilayer film having two or more layers including the transparent conductive film and the metal film with one liquid, is a blended solution comprising phosphoric acid, nitric acid and acetic acid. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）製造工程に使用されるウエットエッチング液に関し、さらに詳しくは、ＬＣＤ（リキッドクリスタルディスプレイ）等に使用される、透明導電膜とＡｌ、Ａｌ合金膜、Ａｇ、Ａｇ合金膜とを含む積層膜のエッチング液組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＦＰＤ技術分野において、透明導電膜が、Ａｌ、Ａｌ合金膜、Ａｇ、Ａｇ合金膜との積層膜として、一般的に使用されている。その透明導電膜とＡｌ、Ａｌ合金膜、Ａｇ、Ａｇ合金膜とを含む積層膜のエッチング方法として、従来は、透明導電膜のエッチングに、シュウ酸系のエッチング液を、Ａｌ、Ａｌ合金膜、Ａｇ、Ａｇ合金膜のエッチングに、りん酸系のＡｌエッチング液の２液を用いて、選択的にエッチングが行われてきた。
【０００３】
しかし、前述の選択エッチングでは、エッチング工程が２段階となることから、２種類の薬品と約２倍の時間を要するほか、また、エッチング装置も２基必要となり、設備的にも経済的ではない。
【０００４】
また、透明導電膜とＡｌ、Ａｌ合金膜、Ａｇ、Ａｇ合金膜を含む積層膜のエッチングに従来のりん酸系のＡｌエッチング液を使用すると、透明導電膜よりＡｌ、Ａｌ合金膜、Ａｇ、Ａｇ合金膜のエッチング速度が速いため、Ａｌ、Ａｌ合金膜、Ａｇ、Ａｇ合金膜のサイドエッチングが増加してしまう問題がある。
また、特許文献１には、透明導電膜と半導体層を選択的にエッチングするステップにリン酸、酢酸、硝酸の混合物を使えることを開示し、該導電層が、酸化インジウム・スズ、酸化インジウム亜鉛、アルミニウム、モリブデン、クロム、タングステン、銅のうち少なくとも１つを含む層であることを開示しているが、導電膜は単層として記載しているのみであり、透明導電膜および金属膜との積層膜の一括エッチングについては何ら開示していない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−５０６３８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の課題は、透明導電膜および金属膜を含む積層膜に対して、各膜をそれぞれ選択エッチングすることなく、１液で一括エッチングすることが可能であり、かつ各膜のサイドエッチングを抑制することが可能な安価なエッチング液を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決すべく、鋭意、検討を重ねた結果、りん酸、硝酸、酢酸を含有するエッチング液組成物が、驚くべきことにかかる課題を解決できることを見出すことができた。
すなわち、本発明は、透明導電膜および金属膜を含む２層または３層以上の積層膜を１液で同時にエッチングするエッチング液組成物であって、りん酸、硝酸および酢酸を配合してなる、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、透明導電膜が、非晶質の膜である、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明は、透明導電膜が、ＩＺＯ膜および／またはＩＴＯ膜である、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、金属膜が、Ａｌ、Ａｌ合金、ＡｇまたはＡｇ合金を含有する膜である、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明は、Ａｌ合金が、Ａｌ−Ｎｄ、Ａｌ−Ｔｉであり、Ａｇ合金が、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｃｕ−Ａｕ、Ａｇ−Ｒｕ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｒｕ−Ａｕである、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、りん酸の濃度が５０．０〜６５．０重量％、硝酸の濃度が１．０〜３．０重量％、酢酸の濃度が５．０〜３５．０重量％である、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明は、界面活性剤を含む、前記エッチング液組成物に関する。
【０００８】
本発明のエッチング液組成物は、透明導電膜を含む積層膜を選択エッチングすることなく、１液で一括エッチングを可能とするものであり、エッチングに要する時間の短縮やエッチングに使用する設備の縮小化を図ることができる。さらに、積層膜に応じて組成比を最適化することで、サイドエッチングを抑制することができ、テーパー形状といった優れた形状パターンを形成することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について詳述する。
本発明のエッチング液組成物は、りん酸、硝酸、酢酸を含有してなり、透明導電膜はこのような液によってエッチングされるものであれば、いずれを用いてもよく、そのような透明導電膜の例として、非晶質膜が挙げられる。好適には、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）膜、非晶質ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜が挙げられる。特にＩＺＯ膜が、熱安定性に優れかつ均一な完全非晶質膜であり、ウエットエッチング工程での残渣低減や精度向上に効果的であるため、好ましい。本発明のエッチング液組成物の対象となる積層膜は、透明導電膜の他、金属または金属の合金膜を含む積層膜であるが、特にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金を含有する膜に用いるのが好適であり、アルミニウム合金としては、アルミニウム（Ａｌ）−ネオジム（Ｎｄ）、アルミニウム（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）が、銀合金としては、銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）−銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）−金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）−ルテニウム（Ｒｕ）−銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）−ルテニウム（Ｒｕ）−金（Ａｕ）合金が好ましい。
【００１０】
本発明のエッチング液組成物のりん酸、硝酸および酢酸の組成比は、りん酸の濃度が、好ましくは５０．０〜６５．０重量％、さらに好ましくは５４．０〜６０．０重量％、硝酸の濃度が、好ましくは１．０〜３．０重量％、さらに好ましくは２．０〜２．５重量％、酢酸の濃度が、好ましくは５．０〜３５．０重量％、さらに好ましくは１０．０〜３３．０重量％である。
りん酸、硝酸、酢酸の濃度が、上記範囲内であれば、Ａｌ、Ａｌ合金膜、Ａｇ、Ａｇ合金といった膜へのサイドエッチングが抑制され、かつエッチング残渣、エッチングむらが生ずることがなく、好ましい。上述のりん酸、硝酸、酢酸の組成は、積層膜に応じて適宜変更し、最適化を行うが、特に透明導電膜としてＩＺＯ膜を用いたとき、さらにはＡｌ、Ａｌ合金と積層させた際の膜を一括エッチングするには、上述の範囲が好ましい。
また、本発明のエッチング液組成物には、エッチングを行なう多層膜の各層表面に対するぬれ性を改善するため、さらに界面活性剤を含んでもよい。界面活性剤は、アニオン系またはノニオン系が好ましく、さらに好ましくはアニオン系界面活性剤である。
アニオン系界面活性剤としては、ふっ素系界面活性剤としてフタージェント１１０（株式会社ネオス）、ＥＦ−１０４（三菱マテリアル株式会社）、非ふっ素系界面活性剤としてパーソフトＳＦ−Ｔ（日本油脂株式会社）、等があげられる。
また、ノニオン系界面活性剤としては、ふっ素系界面活性剤としてＥＦ−１２２Ａ（三菱マテリアル株式会社）、非ふっ素系界面活性剤としてフタージェント２５０（株式会社ネオス）、等があげられる。
【００１１】
一方、積層膜のエッチング温度依存性について、調査した。
エッチング温度を変化させた時の、透明導電膜、Ａｌ、Ａｌ合金膜の各単膜を例として、エッチングレート依存性を図１に示す。（エッチング液は、りん酸：硝酸：酢酸＝約７３重量％：約３重量％：約７重量％を使用。）
【００１２】
図１より、温度の上昇と共に、各単膜（透明導電膜、Ａｌ、Ａｌ合金膜）のそれぞれのエッチングレートが上昇していることが分かる。また、温度が上昇するにつれて、透明導電膜とＡｌ、Ａｌ合金膜のエッチングレートの差が開いて行く傾向がある。従って、液温５０℃以上では、透明導電膜とＡｌ、Ａｌ合金膜とのエッチングレートの差が大きいため、この場合には、透明導電膜とＡｌ、Ａｌ合金膜を含む積層膜一括エッチング液の組成最適化は困難であることが分かった。一方、温度が低い、例えば３０℃の場合、一括エッチングとしては好ましいが、エッチングレートが遅くなり、スループットが悪くなる。従って、各単膜のエッチングレートの差が比較的開きすぎず、エッチングレートが比較的速い積層膜一括エッチング条件としての温度範囲は３５〜４５℃が好ましい。
【００１３】
また、本発明のエッチング液組成物に使用する薬品は、りん酸、硝酸、および酢酸であり、一般に半導体用薬品として広く用いられており、高純度な製品が安価で容易に入手できるものである。そのため、薬液中の不純物によるデバイスの汚染の心配もなく、なおかつ、低コストというメリットがある。
【００１４】
【実施例】
以下に、実施例と比較例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
［実施例１〜５］
（基板製作）
図２に示すように、ＩＺＯ膜とＡｌ−Ｔｉ合金膜を含む積層膜の一括エッチング後のサイドエッチング及び残渣を確認する為、絶縁性基板上１（ガラス）にＡｌ−Ｔｉ合金膜２をスッパタリング法にて１９００〜２０００Åの膜厚で成膜した。この上にスッパタリング法にてＩＺＯ膜３を２００〜５００Åの膜厚で成膜した。さらにこの上にポジ型フォトレジスト４を成膜し、パターニングを行い基板を製作した。
【００１５】
（エッチング評価）
次に、図２で示したＩＺＯ膜３とＡｌ−Ｔｉ合金膜２を含む積層膜を、表１の実施例１〜５の各組成からなる液温４０℃のエッチング液に浸漬した。浸漬条件は、無攪拌浸漬と攪拌浸漬で行い、ジャストエッチング時間×１．５倍でエッチングを行った。
その後、超純水で洗浄し、窒素ブローで乾燥後、ＩＺＯ膜３とＡｌ−Ｔｉ合金膜２を含む積層膜基板の表面及び断面形状を電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて確認した。
結果を表１に示す。
【００１６】
［比較例１〜７］
実施例１〜５で用いたガラス基板上に形成されたＩＺＯ膜とＡｌ−Ｔｉ合金膜とを含む積層膜を表１の比較例１〜７の各組成からなるエッチング液に浸漬し、実施例１〜５と同様にして処理を行った。結果を表１に示す。
【００１７】
表１に本発明のエッチング液組成物でのエッチング形状及び残渣を比較する為、エッチング組成とその結果を示す。
【表１】

【００１８】
表１から本発明のエッチング液組成物を用いてエッチング処理することにより、透明導電膜を含む積層膜を２液で選択エッチングすることなく、１液でサイドエッチングやエッチング残渣が無く一括エッチングできることが分かった。
【００１９】
【発明の効果】
本発明のエッチング液を使用することにより、透明導電膜および金属膜を含む積層膜を１液で一括エッチングすることが可能となるので、エッチングに要する時間の短縮やエッチングに使用する設備の縮小化等の経済的効果があり、本発明は大変有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】各単膜のエッチング温度依存性を示した図である。
【図２】ＩＺＯ膜とＡｌ−Ｔｉ合金膜を含む積層膜の一括エッチング前後を示した図である。
【符号の説明】
１ガラス基板
２Ａｌ−Ｔｉ合金
３ＩＺＯ膜
４ポジ型フォトレジスト[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a wet etching solution used in an FPD (flat panel display) manufacturing process, and more particularly to a transparent conductive film and an Al, Al alloy film, Ag, Ag used for an LCD (liquid crystal display) or the like. The present invention relates to an etchant composition for a laminated film including an alloy film.
[0002]
[Prior art]
In the FPD technical field, a transparent conductive film is generally used as a laminated film of Al, an Al alloy film, Ag, and an Ag alloy film. Conventionally, as an etching method of a laminated film including the transparent conductive film and the Al, Al alloy film, Ag, and Ag alloy film, an oxalic acid-based etchant is used for etching the transparent conductive film, using an Al, Al alloy film, Ag and Ag alloy films have been selectively etched using two phosphoric acid-based Al etchants for etching.
[0003]
However, in the above-described selective etching, since the etching process is performed in two stages, two types of chemicals and about twice the time are required, and two etching devices are required, which is not economical in terms of equipment. .
[0004]
When a conventional phosphoric acid-based Al etchant is used to etch a transparent conductive film and a laminated film including an Al, Al alloy film, Ag, and Ag alloy film, the transparent conductive film can be used to form an Al, Al alloy film, Ag, Ag. Since the etching rate of the alloy film is high, there is a problem that side etching of Al, Al alloy film, Ag, and Ag alloy film increases.
Patent Document 1 discloses that a mixture of phosphoric acid, acetic acid, and nitric acid can be used in a step of selectively etching a transparent conductive film and a semiconductor layer, and the conductive layer is formed of indium tin oxide, indium zinc oxide. Discloses a layer containing at least one of aluminum, molybdenum, chromium, tungsten, and copper. However, the conductive film is described only as a single layer, and a transparent conductive film and a metal film Nothing is disclosed about batch etching of the laminated film.
[0005]
[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-50638
[Problems to be solved by the invention]
Therefore, an object of the present invention is to perform batch etching with one solution on a laminated film including a transparent conductive film and a metal film without selectively etching each film, and perform side etching of each film. It is an object of the present invention to provide an inexpensive etching solution capable of suppressing the occurrence of the etching.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present invention has found that an etching solution composition containing phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid can surprisingly solve such problems.
That is, the present invention is an etchant composition for simultaneously etching a two-layer or three-layer or more stacked film including a transparent conductive film and a metal film with one liquid, comprising phosphoric acid, nitric acid and acetic acid. The present invention relates to the etching solution composition.
Furthermore, the present invention relates to the etching solution composition, wherein the transparent conductive film is an amorphous film.
Further, the present invention relates to the etching solution composition, wherein the transparent conductive film is an IZO film and / or an ITO film.
Furthermore, the present invention relates to the etching solution composition, wherein the metal film is a film containing Al, an Al alloy, Ag, or an Ag alloy.
Further, in the present invention, the Al alloy is Al-Nd, Al-Ti, and the Ag alloy is Ag-Pd-Cu, Ag-Pd, Ag-Cu-Au, Ag-Ru-Cu, Ag-Ru- The present invention relates to the etching solution composition, which is Au.
Further, in the present invention, the concentration of phosphoric acid is 50.0 to 65.0% by weight, the concentration of nitric acid is 1.0 to 3.0% by weight, and the concentration of acetic acid is 5.0 to 35.0% by weight. And the etching solution composition.
In addition, the present invention relates to the etching solution composition containing a surfactant.
[0008]
The etching solution composition of the present invention enables batch etching with one solution without selectively etching a laminated film including a transparent conductive film, thereby reducing the time required for etching and the equipment used for etching. Can be achieved. Furthermore, by optimizing the composition ratio according to the laminated film, side etching can be suppressed, and an excellent shape pattern such as a tapered shape can be formed.
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
The etching solution composition of the present invention contains phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, and any transparent conductive film may be used as long as it can be etched by such a solution. An example of the film is an amorphous film. Preferably, an IZO (indium zinc oxide) film and an amorphous ITO (indium tin oxide) film are used. In particular, an IZO film is preferable because it is a uniform amorphous film having excellent thermal stability and uniform, which is effective in reducing residues and improving accuracy in a wet etching step. The laminated film which is the target of the etchant composition of the present invention is a laminated film including a metal or a metal alloy film in addition to the transparent conductive film, and in particular, aluminum (Al), aluminum alloy, silver (Ag), silver It is preferable to use it for a film containing an alloy. Aluminum (Al) -neodymium (Nd) and aluminum (Al) -titanium (Ti) are used as an aluminum alloy, and silver (Ag) -palladium is used as a silver alloy. (Pd) -copper (Cu), silver (Ag) -palladium (Pd), silver (Ag) -copper (Cu) -gold (Au), silver (Ag) -ruthenium (Ru) -copper (Cu), silver (Ag) -ruthenium (Ru) -gold (Au) alloy is preferred.
[0010]
Regarding the composition ratio of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid in the etching solution composition of the present invention, the concentration of phosphoric acid is preferably 50.0 to 65.0% by weight, more preferably 54.0 to 60.0% by weight, The concentration of nitric acid is preferably 1.0 to 3.0% by weight, more preferably 2.0 to 2.5% by weight, and the concentration of acetic acid is preferably 5.0 to 35.0% by weight, more preferably. It is 10.0 to 33.0% by weight.
When the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid are within the above ranges, side etching to a film such as Al, an Al alloy film, Ag, or an Ag alloy is suppressed, and no etching residue or uneven etching occurs, which is preferable. . The composition of the above-mentioned phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid is appropriately changed and optimized according to the laminated film. Particularly, when an IZO film is used as a transparent conductive film, and further when Al and an Al alloy are laminated. In order to collectively etch the films of the above, the above range is preferable.
Further, the etching solution composition of the present invention may further contain a surfactant in order to improve the wettability of each layer surface of the multilayer film to be etched. The surfactant is preferably an anionic surfactant or a nonionic surfactant, and more preferably an anionic surfactant.
Examples of the anionic surfactants include Futagent 110 (Neos Corporation) and EF-104 (Mitsubishi Materials Corporation) as fluorosurfactants, and Persoft SF-T (Nippon Oil & Fats Co., Ltd.) as non-fluorinated surfactants. ), Etc.
Examples of the nonionic surfactant include EF-122A (Mitsubishi Materials Corporation) as a fluorine-based surfactant, and Phagent 250 (Neos Corporation) as a non-fluorine-based surfactant.
[0011]
On the other hand, the etching temperature dependence of the laminated film was investigated.
FIG. 1 shows the etching rate dependence of each single film of the transparent conductive film, the Al film, and the Al alloy film when the etching temperature is changed. (The etching solution uses phosphoric acid: nitric acid: acetic acid = about 73% by weight: about 3% by weight: about 7% by weight.)
[0012]
From FIG. 1, it can be seen that the etching rate of each single film (transparent conductive film, Al, Al alloy film) increases as the temperature increases. Further, as the temperature increases, the difference between the etching rates of the transparent conductive film and the Al or Al alloy film tends to increase. Therefore, at a liquid temperature of 50 ° C. or higher, the difference between the etching rates of the transparent conductive film and the Al and Al alloy films is large. Composition optimization has proven difficult. On the other hand, when the temperature is low, for example, 30 ° C., it is preferable for batch etching, but the etching rate becomes slow and the throughput becomes poor. Therefore, it is preferable that the difference between the etching rates of the single films is not too large and the temperature range as the condition for batch etching of the laminated film having a relatively high etching rate is 35 to 45 ° C.
[0013]
The chemicals used in the etching solution composition of the present invention are phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, which are widely used as semiconductor chemicals in general, and high-purity products are inexpensive and easily available. . Therefore, there is no risk of contamination of the device due to impurities in the chemical solution, and there is an advantage of low cost.
[0014]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
[Examples 1 to 5]
(Substrate fabrication)
As shown in FIG. 2, an Al—Ti alloy film 2 was sputtered on an insulating substrate 1 (glass) to confirm side etching and residues after batch etching of a laminated film including an IZO film and an Al—Ti alloy film. The film was formed in a thickness of 1900 to 2000 ° by a tarling method. An IZO film 3 was formed thereon with a thickness of 200 to 500 ° by sputtering. Further, a positive type photoresist 4 was formed thereon and patterned to produce a substrate.
[0015]
(Etching evaluation)
Next, the laminated film including the IZO film 3 and the Al—Ti alloy film 2 shown in FIG. 2 was immersed in an etching solution having a liquid temperature of 40 ° C. having each composition of Examples 1 to 5 of Table 1. The immersion conditions were non-stirring immersion and stirring immersion, and etching was performed for just etching time × 1.5 times.
Then, after washing with ultrapure water and drying by nitrogen blow, the surface and cross-sectional shape of the laminated film substrate including the IZO film 3 and the Al—Ti alloy film 2 were confirmed by an electron microscope (SEM).
Table 1 shows the results.
[0016]
[Comparative Examples 1 to 7]
The laminated film including the IZO film and the Al—Ti alloy film formed on the glass substrate used in Examples 1 to 5 was immersed in an etching solution having the composition of each of Comparative Examples 1 to 7 in Table 1. Processing was performed in the same manner as in Nos. 1 to 5. Table 1 shows the results.
[0017]
Table 1 shows an etching composition and a result thereof for comparing an etching shape and a residue with the etching solution composition of the present invention.
[Table 1]

[0018]
From Table 1, it can be seen that by performing the etching treatment using the etching solution composition of the present invention, the laminated film including the transparent conductive film can be collectively etched without side etching or etching residue with one solution without selective etching with two solutions. Do you get it.
[0019]
【The invention's effect】
By using the etching solution of the present invention, a laminated film including a transparent conductive film and a metal film can be collectively etched with one solution, so that the time required for etching and the equipment used for etching can be reduced. Thus, the present invention is very useful.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing the etching temperature dependence of each single film.
FIG. 2 is a diagram showing before and after batch etching of a stacked film including an IZO film and an Al—Ti alloy film.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Al-Ti alloy 3 IZO film 4 Positive photoresist

Claims

An etchant composition for simultaneously etching two or three or more laminated films including a transparent conductive film and a metal film with one solution, wherein the etchant composition comprises phosphoric acid, nitric acid and acetic acid.

The etchant composition according to claim 1, wherein the transparent conductive film is an amorphous film.

3. The etching solution composition according to claim 2, wherein the transparent conductive film is an IZO film and / or an ITO film.

The etching solution composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal film is a film containing Al, an Al alloy, Ag, or an Ag alloy.

The Al alloy is Al-Nd, Al-Ti, and the Ag alloy is Ag-Pd-Cu, Ag-Pd, Ag-Cu-Au, Ag-Ru-Cu, Ag-Ru-Au. An etching solution composition according to any one of claims 1 to 4.

The concentration of phosphoric acid is 50.0 to 65.0% by weight, the concentration of nitric acid is 1.0 to 3.0% by weight, and the concentration of acetic acid is 5.0 to 35.0% by weight. An etching solution composition according to any one of the above.