JP4953192B2 - 位置検出装置 - Google Patents

Description

本発明は位置検出装置に関し、特に詳しくは、磁気センサを有する位置検出装置に関する。

磁気エンコーダでは、通常、磁化パターンを形成したスケールと、スケールに対して移動可能に設けられた磁気センサを有している。この磁化パターンは、所定の着磁ピッチで形成されている。そして、スケールの磁化パターンによって生じる磁力線の強さ又は方向を検出して、位置検出を行なっている。磁気センサとしては、ＭＲ素子やホール素子を使用している。さらに、絶対位値検出を行なうため、着磁ピッチの異なる磁気目盛を並列に配設したアブソリュートエンコーダが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１０−１７０２１２号公報

しかしながら、スケールに所定の着磁ピッチで磁化パターンで形成すると、磁石の影響に受けて磁化区域を失ってしまう場合がある。また、磁化パターンは、磁気センサなどの大きさから、数ｍｍピッチとなる場合が多い。そのため、アブソリュートエンコーダを構成するための複数列の磁化パターンの磁化区域相互で干渉が起こって、読み取り精度が低下してしまう。このような干渉を防ぐためには、磁化区域のセパレーションを大きく取る必要がある。従って、従来のアブソリュートエンコーダでは、スケール幅が大きくなってしまうという問題がある。また、特許文献１では軸目盛りの脇にシールド部材を配置しているため、構成が複雑となってしまうという問題点がある。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、簡易な構成で精度の高い位置検出を行なうことができる位置検出装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様にかかる位置検出装置は、所定のピッチで形成された強磁性体パターン（例えば、本発明の実施の形態にかかるスケールバー１４）を有するスケール（例えば、本発明の実施の形態にかかるスケール１０）と、前記スケールが設けられている方向（例えば、本発明の実施の形態にかかるＸ方向）に対して相対移動可能に設けられた位置検出ヘッド（例えば、本発明の実施の形態にかかる位置検出ヘッド２０）とを有する位置検出装置であって、前記位置検出ヘッドが、同極が向かい合うように配置された一対の磁石（例えば、本発明の実施の形態にかかる磁石２１、２２）と、前記一対の磁石間に前記スケールが設けられた方向に沿って配列された複数のブリッジ型磁気センサ（例えば、本発明の実施の形態にかかる磁気センサ４１ａ、４１ｂ）を有し、前記複数のブリッジ型磁気センサのブリッジ回路が並列接続された第１の磁気センサ群であって、前記一対の磁石の一方側に配置された第１の磁気センサ群と、前記一対の磁石間において前記スケールの方向に沿って配列された複数のブリッジ型磁気センサ（例えば、本発明の実施の形態にかかる磁気センサ４３ａ、４３ｂ）を有し、前記複数のブリッジ型磁気センサのブリッジ回路が並列接続された第２の磁気センサ群であって、前記第１の磁気センサ群と対向するよう前記一対の磁石の他方側に配置された第２の磁気センサ群とを備え、前記第１の磁気センサ群と前記第２の磁気センサ群とが、前記スケールが設けられた方向において、前記強磁性体パターンのパターン周期に応じた距離ずれて配置され、前記第１の磁気センサ群に設けられている複数のブリッジ型磁気センサのピッチと、前記第２磁気センサ群に設けられている複数のブリッジ型磁気センサのピッチとが、前記強磁性体パターンのパターン周期に基づくピッチとなっているものである。これにより、簡易な構成で精度の高い位置検出を行なうことができる

本発明の第２の態様にかかる位置検出装置は、上記の位置検出装置において、前記第１の磁気センサ群及び第２の磁気センサ群とのずれ量が、前記スケールの強磁性体パターンのパターン周期の１／４であるものである。これにより、位置検出ヘッドを小型化することができる。

本発明の第３の態様にかかる位置検出装置は、上記の位置検出装置において、前記第１の磁気センサ群のブリッジ回路から出力される出力信号に基づく検出信号及び前記第２の磁気センサ群のブリッジ回路から出力される出力信号に基づく検出信号のうちの一方の検出信号をｓｉｎ波とし、他方の検出信号をｃｏｓ波として、前記スケールの強磁性体パターンに対する前記位置検出ヘッドの位相に基づいて前記スケールに対する前記位置検出ヘッドの位置を検出するものである。これにより、簡便に位置を検出することができる。

本発明の第４の態様にかかる位置検出装置は、上記の位置検出装置において、前記第１及び第２の磁気センサ群のそれぞれに２つのブリッジ型磁気センサが含まれ、前記２つのブリッジ型磁気センサのピッチが、前記スケールの強磁性体パターンのパターン周期の１／２であり、前記複数のブリッジ型磁気センサのブリッジ回路が逆方向に並列接続されているものである。これにより、位置検出ヘッドを小型化することができる。

本発明の第５の態様にかかる位置検出装置は、上記の位置検出装置において、前記スケールに異なるピッチで形成された２列の前記強磁性体パターンが設けられ、前記２列の強磁性体パターンに対応するよう、前記位置検出ヘッドに前記第１及び第２の磁気センサ群が２つ設けられ、前記２列の強磁性体パターンに対する第１及び第２の磁気センサ群の検出信号に基づいて前記位置検出ヘッドの前記スケールに対する絶対位置を検出するものである。これにより、簡便な構成で精度の高い絶対位置検出が可能となる。

本発明の第６の態様にかかる位置検出装置は、上記の位置検出装置において、前記２列の強磁性体パターンの一方の列において、前記一対の磁極のＮ極が向かい合い、前記２列の強磁性体パターンの他方の列において、前記一対の磁極のＳ極が向かい合い、前記２列の強磁性体パターンの一方の列に対応する第１の磁気センサ群と、前記２列の強磁性体パターンの他方の列に対応する第１の磁気センサ群が配置された磁石とが同一の磁石のＮ極側及びＳ極側にそれぞれ配置されているものである。これにより、小型化を図ることができる。
本発明の第７の態様にかかる位置検出装置は、上記の位置検出装置において、前記ブリッジ回路からの出力信号に基づく信号を送信する通信部をさらに備え、前記通信部が、ブリッジ型磁気センサのサンプリングの間に前記出力信号に基づく信号を送信するものである。これにより、正確に位置を検出することができる。
本発明の第８の態様にかかる位置検出装置は、上記の位置検出装置において、前記通信部から送信される信号が伝送される伝送線が前記スケールの上に設けられているものである。これにより、簡便に伝送線を配置することができる。

本発明によれば、簡易な構成で精度の高い位置検出を行なうことができる位置検出器を提供することができる。

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。尚、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略する。

本発明に位置検出装置の全体構成について図１を用いて説明する。図１は、位置検出装置の構成を示す側面図である。位置検出装置はスケール１０と、スケール１０の上に設けられた位置検出ヘッド２０とを備えている。スケール１０は、Ｘ方向に沿って設けられている。位置検出ヘッド２０は、Ｘ方向に移動可能に設けられている。例えば、位置検出ヘッド２０はＸ方向のガイドレールに沿って移動する移動体に取り付けられている。そして、位置検出ヘッド２０は、スケール１０に対するＸ方向の座標を検出する。これにより、移動体の移動距離、すなわち、Ｘ方向の位置を検出することができる。換言すると±Ｘ方向が位置検出ヘッド２０の移動方向となる。ここで、図１に示すように、鉛直方向をＺ方向とする。また、水平方向のうち、移動方向（Ｘ方向）と垂直な方向をＹ方向とする。なお、位置検出ヘッド２０は、スケール１０に対して相対移動可能であればよい。すなわち、スケール側を移動させるようにしてもよい。スケール１０と位置検出ヘッド２０とのＺ方向の間隔は、例えば、１ｍｍあるいは数ｍｍ程度とすることが可能である。

次に、スケール１０の構成について図２を用いて説明する。図２は、スケール１０の構成を示す上面図である。スケール１０は強磁性体によって形成されている。Ｘ方向に沿って設けられたスケール１０には、２列のパターンが形成されている。ここでは、この２列のパターンをそれぞれＡ列１１及びＢ列１２とする。Ａ列１１及びＢ列１２にはそれぞれ所定の間隔で角穴１３、角穴１５が設けられている。すなわち、スケール１０のＡ列１１には、貫通孔である角穴１３が１列に設けられている。また、スケール１０のＢ列１２には、貫通孔である角穴１５が１列に設けられている。−Ｘ側の端に設けられた角穴１３と角穴１５とは、−Ｘ側の端部が一致している。

Ａ列１１では、複数の角穴１３からなるパターンがＸ方向に沿って配列されている。隣接する角穴１３の間には、強磁性体からなるスケールバー１４が配置されている。スケールバー１４は所定の間隔で配列されている。ここで、角穴１３は１辺が３ｍｍの正方形である。また、Ａ列１１のパターンの周期は５ｍｍである。従って、Ａ列１１では、２ｍｍ幅のスケールバー１４が３ｍｍ間隔で配列されている。すなわち、Ａ列１１には、３ｍｍの角穴１３と強磁性体からなる２ｍｍのスケールバー１４が交互に設けられている。換言すると、Ａ列１１には３ｍｍの角穴１３の間に強磁性体からなる２ｍｍのスケールバー１４が配置される。このように、Ａ列１１では、角穴１３及びスケールバー１４がＸ方向に沿って１列に配列されている。また、Ａ列１１のパターン周期は５ｍｍであるため、Ａ列１１では位相にして３６０°が５ｍｍに対応する。従って、Ａ列１１では、パターン周期の１８０°に対応する距離は２．５ｍｍであり、パターン周期の９０°に対応する距離は１．２５ｍｍである。

Ｂ列１２は、Ａ列１１とパターン周期が異なる構成を有している。すなわち、Ｂ列１２にも複数の角穴１５からなるパターンがＸ方向に沿って配列されている。その複数の角穴１５の間には、強磁性体からなるスケールバー１６が配置されている。ここで、Ｂ列１２の角穴１５はＡ列１１の角穴１３と同じ１辺が３ｍｍの正方形である。しかしながら、Ｂ列１２のパターンの周期は、５．０１５ｍｍである。すなわち、Ｂ列１２には、３ｍｍの角穴１５と強磁性体からなる２．０１５ｍｍのスケールバー１６が交互に設けられている。換言すると、Ｂ列１２には３ｍｍの角穴１５の間に強磁性体からなる２．０１５ｍｍのスケールバー１６が配置される。このように、Ｂ列１２では、角穴１５及びスケールバー１６がＸ方向に沿って１列に配列されている。また、Ｂ列１２のパターン周期は５．０１５ｍｍであるため、Ｂ列１２では位相にして３６０°が５．０１５ｍｍに対応する。よって、Ｂ列１２では、パターン周期の１８０°に対応する距離は２．５０７５ｍｍであり、９０°に対応する距離は１．２５３７５ｍｍである。

ここで、スケール１０のＹ方向の幅は例えば、１０ｍｍとすることができる。具体的には、Ａ列１１とＢ列１２との間を２ｍｍとし、Ａ列１１の角穴１３からスケール１０の端までを１ｍｍとする。また、Ｂ列１２の角穴１５からスケール１０の端までを１ｍｍとする。これにより、スケール１０の幅が１０ｍｍとなる。このように、スケール１０を強磁性体で形成することにより、スケール１０の幅を小さくすることができる。もちろん、スケール１０のＸ方向の長さは、位置を検出する範囲に応じて決定する。スケール１０の厚さは、例えば、０．３ｍｍ〜１ｍｍ程度のものとすることができる。なお、上記のスケール１０の構成は、典型的な一例であり、スケール１０の形状は上記の構成に限られるものではない。例えば、スケール１０に設けられたパターン周期を、例えば、５〜１０ｍｍとすることもできる。また、スケール１０の幅を２．５〜５ｍｍ程度とすることができる。これにより、位置検出装置のさらなる小型化を図ることができる。

このように、スケール１０には、所定のピッチでスケールバー１４、１６が形成されている。すなわち、強磁性体パターンが所定のピッチで設けられている。そして、Ａ列１１とＢ列１２とで強磁性体のピッチが異なる。上記の構成のスケール１０は、例えば、強磁性体の板に角穴１３、角穴１５となる貫通孔を形成することによって、容易に製造することができる。スケール１０の材質としては、例えば、ＳＵＳ４３０や軟鉄、パーマロイ等を用いることができる。

位置検出ヘッド２０は、スケール１０のＡ列１１及びＢ列１２に沿って移動する。位置検出ヘッド２０は、スケール１０のパターンの変化によって、位置を検出する。具体的には、位置検出ヘッド２０には、磁石及び磁気センサが設けられている。ここで、磁石からによって生じる磁力線は、強磁性体が存在する所に集中する。よって、位置検出ヘッド２０の下に位置するスケール１０のパターンに応じて、磁石からの磁力線の向きが変化する。従って、位置検出ヘッド２０を移動させると、磁気センサの出力が変化する。すなわち、位置検出ヘッド２０がＸ方向に移動すると、磁場の方向及ぶ強さが変化する。位置検出ヘッド２０に設けられている磁気センサで磁場の方向を検出することによって、位置を検出することができる。

次に、位置検出ヘッド２０の構成について図３及び図４を用いて説明する。図３は、位置検出ヘッド２０の下面側の構成を示す平面図である。すなわち、図３では、スケール１０と対向する面の構成が示されている。図４は、位置検出ヘッドの構成を示す正面図である。すなわち、図４は位置検出ヘッド２０を進行方向側から見た図を示している。位置検出ヘッド２０には、磁気センサ４１ａ、磁気センサ４１ｂ、磁気センサ４３ａ、磁気センサ４３ｂが設けられている。この磁気センサ４１ａ、磁気センサ４１ｂ、磁気センサ４３ａ、磁気センサ４３ｂがスケール１０のＡ列上に配置される。さらに、位置検出ヘッド２０には、Ｂ列１２の上に配置される磁気センサ５１ａ、磁気センサ５１ｂ、磁気センサ５３ａ、磁気センサ５３ｂが設けられている。

ここで、位置検出ヘッド２０のＹ方向の中心には、磁石２１が設けられている。磁石２１は、＋Ｙ側がＳ極であり、−Ｙ側がＮ極である。すなわち、板状の磁石２１がＸ方向に沿って設けられ、＋Ｙ側がＳ極、−Ｙ側がＮ極になるよう配置されている。ここで、図３に示すように磁石２１のＳ極側の面をＳ極２１Ｎとし、Ｎ極側の面をＮ極２１Ｎとする。ここで、磁石２１のＳ極２１Ｎには、センサ保持基板３１が取り付けられている。センサ保持基板３１には、磁気センサ４１ａ及び磁気センサ４１ｂが取り付けられている。すなわち、センサ保持基板３１の＋Ｙ側の面には、磁気センサ４１ａ及び磁気センサ４１ｂが設けられ、−Ｙ側の面は磁石２１のＳ極２１Ｓと対向配置されている。

ここで、センサ保持基板３１及びセンサ保持基板３１に設けられた磁気センサ４１ａ及び磁気センサ４１ｂの構成について図５を用いて説明する。図５は、センサ保持基板３１及びセンサ保持基板３１に設けられた磁気センサ４１ａ及び磁気センサ４１ｂの構成を示す平面図である。図５に示すように、センサ保持基板３１には、磁気センサ４１ａ及び磁気センサ４１ｂが装着されている。磁気センサ４１ａ及び磁気センサ４１ｂは同じ構成を有している。磁気センサ４１ａと磁気センサ４１ｂとは、Ｘ方向に一定の距離を隔てて配置されている。ここで、１つのセンサ保持基板に設けられている２つの磁気センサを磁気センサ群４２と称する。すなわち、センサ保持基板３１には、磁気センサ４１ａ及び磁気センサ４１ｂから構成される磁気センサ群４２が設けられている。

センサ保持基板３１の端部には、端子４８が設けられている。端子４８は、磁気センサ４１ａ、４１ｂに電源電圧及び接地電圧を供給するための入力端子である。なお、センサ保持基板３１の裏面側には、磁気センサ４１ａ、４１ｂからの出力信号を取り出すための出力端子が同様に設けられている。すなわち、センサ保持基板３１の−Ｘ側の端部には表裏合わせて４つの端子４８が設けられている。そして、この端子４８に外部から配線を接続することによって、磁気センサ４１ａ、４１ｂが磁気を検出する。さらに、センサ保持基板３１には、端子４８から磁気センサ４１ａ、４１ｂまでの配線（図示せず）やスルーホール（図示せず）が設けられている。

センサ保持基板３１のＸ方向の大きさは、例えば、２０ｍｍ程度である。また、センサ保持基板３１のＺ方向の幅は約３ｍｍであり、厚さは約０．５ｍｍである。なお、上記の寸法は、センサ保持基板３１の一例であり、センサ保持基板３１は、上記の寸法に限られるものではない。また、センサ保持基板３１は、例えば、樹脂などの磁気に影響を与えない非磁性体の材料から形成される。例えば、センサ保持基板３１として、プリント配線基板を用いることができる。

磁気センサ４１ａ、４１ｂは、例えば、Ｘ方向に２ｍｍの長さを有している。また、磁気センサ４１ａ、４１ｂは、例えば、Ｚ方向に３ｍｍの幅を有している。磁気センサ４１ａ、４１ｂは、例えば、約１ｍｍの高さを有している。なお、上記の寸法は、磁気センサ４１ａ、４１ｂの一例であり、磁気センサ４１ａ、４１ｂは、上記の寸法に限られるものではない。

磁気センサ４１ａ、磁気センサ４１ｂの表面には、それぞれ４つのＭＲ素子６１が設けられている。この４つのＭＲ素子６１はブリッジ接続されている。すなわち、磁気センサ４１ａ、４１ｂはフルブリッジタイプのセンサである。それぞれのＭＲ素子６１は、それぞれ特定の方向の磁場強度に応じた出力信号を出力する。ＭＲ素子６１において電流が流れる方向と垂直な方向に磁界が与えられると、ＭＲ素子６１にホール電圧が生じる。このホール電圧に応じて、ＭＲ素子６１の電気抵抗が変化する。従って、ＭＲ素子６１からは、特定の方向の磁場強度に応じた出力信号が出力される。さらに、４つのＭＲ素子６１の方向を変えることによって、磁気センサ４１ａからは磁場の方向及び強さに応じた検出信号が出力される。このようにＭＲ素子６１は、磁力線が電流の方向に対して平行な方向か直交な方向かによって、抵抗値が変化する。すなわち、磁力線の方向とＭＲ素子６１の方向とに応じて出力が変化する。

具体的には、図５に示す４つのＭＲ素子のうち右下と左上に配置された２つのＭＲ素子６１ｂが検出する磁場の方向と、右上と左下に配置された２つのＭＲ素子６１ａが検出する磁場の方向を９０°変化させる。すなわち、２つのＭＲ素子６１ａの方向とＭＲ素子６１ｂの方向とを直交させる。さらに、対角に位置する２つのＭＲ素子６１ａの方向を一致させ、かつ対角に位置する２つのＭＲ素子６１ｂの方向を一致させる。従って、ブリッジ回路の隣接する辺には、検出方向が異なるＭＲ素子６１ａとＭＲ素子６１ｂとが配設される。そして、これらのＭＲ素子６１を負荷としてブリッジ接続する。ＭＲ素子６１は、ＸＺ平面上に配置される。そして、ＭＲ素子６１を横切る磁場の方向及び強度によって、出力が変化する。これにより、磁場の方向及び強度に応じてブリッジ回路からの検出信号が変化する。この接続及び磁気の検出については、後述する。

なお、本実施の形態において、ＭＲ素子６１ではなく、ホール素子などの他の磁気検出素子用いることが可能である。なお、磁気センサに設けられる磁気検出素子は、ブリッジ型であればよく、フルブリッジタイプやハーフブリッジタイプのものであってもよい。すなわち、検出方向が直交する２つの磁気検出素子をブリッジの隣接する辺に配設したハーフブリッジ型の磁気センサを用いてもよい。また、センサ保持基板３２、３３、３４についても同様の構成を有している。このように、センサ保持基板３１、３２、３３、３４には、それぞれ２つの磁気センサから構成される磁気センサ群が装着されている。よって位置検出ヘッド２０は４つの磁気センサ群を有している。

図３及び図４に示すように、センサ保持基板３１が磁石２１のＳ極側に設けられている。すなわち、センサ保持基板３１の磁気センサ４１ａ、４１ｂが実装された実装面と反対側の面が磁石２１のＳ極２１Ｓと対向するように配置される。従って、磁石２１は磁気センサ４１ａ、４１ｂのＭＲ素子に対してバイアス磁界を与える。また、磁気センサ４１ａ、４１ｂがＸ方向において、磁石２１の中央の近傍になるように設けられている。

そして、センサ保持基板３１と対向するようにセンサ保持基板３２が配置されている。センサ保持基板３２は、図５で示したセンサ保持基板３１と同様の構成を有している。従って、センサ保持基板３１に設けられた磁気センサ４１ａ、４１ｂとセンサ保持基板３２に設けられた磁気センサ４３ａ、４３ｂとが向き合うように配置されている。すなわち、センサ保持基板３１の磁気センサ４１ａ、４１ｂを実装した実装面と、センサ保持基板３２の磁気センサ４３ａ、４３ｂを実装した実装面とが対向するように設けられている。センサ保持基板３２の裏面側には、磁石２２が設けられている。磁石２２はＳ極２２Ｓがセンサ保持基板３２側になるように配置されている。従って、磁石２２は磁気センサ４３ａ、４３ｂのＭＲ素子に対してバイアス磁界を掛ける。

磁石２２のＳ極２２Ｓと磁石２１のＳ極２１Ｓとが対向するように配置される。すなわち、磁石２２のＳ極２２Ｓは磁石２１のＳ極２１Ｓに対して向き合うように配設されている。このように、磁石２１と磁石２２とはＳ極同士が向き合うように設けられている。そして、磁石２１と磁石２２との間にセンサ保持基板３１及びセンサ保持基板３２が設けられている。このセンサ保持基板３１に実装された磁気センサ４１ａ、４１ｂは、センサ保持基板３２に実装された磁気センサ４３ａ、４３ｂと向き合うように配設されている。従って、磁気センサ４１ａ、４１ｂと磁気センサ４３ａ、４３ｂとは、Ｙ方向において近接して配置されている。すなわち、Ｙ方向において磁気センサ４１ａ、４１ｂの表面と磁気センサ４３ａ、４３ｂの表面との位置が略一致するか、わずかな距離を隔てて配置されている。換言すると、Ｙ方向における磁石２１と磁石２２の略中間に、磁気センサ４１ａ、４１ｂの表面と磁気センサ４３ａ、４３ｂの表面が配置される。

また、磁石２１と磁石２２とは同じ形状の磁石であり、同じ保持力を有している。従って、磁石２１と磁石２２とは同様の磁界を発生させる。磁石２１と磁石２２は、Ｘ方向及びＺ方向において同じ位置に配置される。すなわち、Ｘ方向及びＺ方向において、磁石２１の端部と磁石２２の端部とが一致している。磁石２１と磁石２２は同極が向かい合うように配置されている。そのため、Ｙ方向において、磁石２１と磁石２２との中間では、磁場が打ち消される。すなわち、磁石２１によって生じるＹ方向の磁場と磁石２２によって生じるＹ方向の磁場が反対向きになり、磁石２１と磁石２２との間の空間では、図４の矢印で示される磁力線２５がＸＺ平面と略平行な方向になる。そして、磁力線２５は、例えば、±Ｚ方向に向かう

ここで、センサ保持基板３１とセンサ保持基板３２とは、Ｘ方向にずれて配置されている。すなわち、図３に示すように、Ｘ方向において、磁気センサ４１ａ、４１ｂが、磁気センサ４３ａ、４３ｂと異なる位置に配設されている。磁気センサ４１ａは磁気センサ４３ａよりも＋Ｘ側に配置され、磁気センサ４１ｂは磁気センサ４３ｂよりも＋Ｘ側に配置される。従って、Ｘ方向において、磁気センサ４１ｂは、磁気センサ４３ａと磁気センサ４３ｂの間に配置され、磁気センサ４３ａは、磁気センサ４１ａと磁気センサ４１ｂとの間に配置される、磁気センサ４１ａ、４１ｂ及び磁気センサ４３ａ、４３ｂは、スケール１０のＡ列１１の上に配置される。そして、磁石２１、２２によってＡ列１１上で生じる磁場を検出して、位置検出を行なう。

このように、位置検出ヘッド２０は、一対の磁石２１、２２と一対の磁石間に設けられた一対のセンサ保持基板３１、３２を有している。一対の磁石２１、２２はそれぞれのＳ極が対向配置されている。そして、一対のセンサ保持基板３１、３２には、それぞれ磁気センサ群が設けられている。磁気センサ群がそれぞれ設けられた一対のセンサ保持基板３１、３２を挟持する一対の磁石２１、２２は、一方の磁極が向かい合うように配置されている。センサ保持基板３１に設けられた２つの磁気センサ４１ａ、４１ｂとセンサ保持基板３２に設けられた２つの磁気センサ４３ａ、４３ｂはそれぞれ対向するように配置されている。さらに、センサ保持基板３１及びセンサ保持基板３２のそれぞれに設けられた磁気センサ群は、Ｘ方向にずれて配置されている。そして、一対のセンサ保持基板３１、３２に設けられた磁気センサ４１ａ、４１ｂ、４３ａ、４３ｂがスケール１０のＡ列１１上に配置される。

さらに、磁石２１のＮ極２１Ｎ側についても同様の構成を有している。すなわち、スケール１０のＢ列１２に対応して、一対のセンサ保持基板３３、３４及びそれらを挟持する磁石２１、２３が設けられている。具体的には、磁石２１のＮ極側には、センサ保持基板３３が設けられている。センサ保持基板３３の、磁石２１と反対側には、２つの磁気センサ５１ａ、５１ｂが設けられている。磁気センサ５１ａ、５１ｂは、Ｘ方向に一定の距離を隔てて配列されている。このように、位置検出ヘッド２０の中央に配置された磁石２１を挟むようにして、センサ保持基板３１とセンサ保持基板３３が配置されている。

さらに、センサ保持基板３４がセンサ保持基板３３と対向するように、配置されている。センサ保持基板３４のセンサ保持基板３３側には、磁気センサ５３ａ、５３ｂが実装さられている。従って、磁気センサ５１ａ、５１ｂと磁気センサ５３ａ、５３ｂとが対向するように配置される。すなわち、磁気センサ５３ａ、５３ｂは磁気センサ５１ａ、５１ｂと向き合うように設けられているまた、磁気センサ５１ａ、５１ｂと磁気センサ５３ａ、５３ｂとは、Ｘ方向にずれて配置されている。このように、センサ保持基板３３に設けられた磁気センサ５１ａ、５１ｂとセンサ保持基板３４に設けられた磁気センサ５３ａ、５３ｂとが向き合うように配置されている。すなわち、センサ保持基板３３の磁気センサ５１ａ、５１ｂを実装した実装面と、センサ保持基板３４の磁気センサ５３ａ、５３ｂを実装した面とが対向するように設けられている。

センサ保持基板３４の裏面側には、磁石２３が配設されている。すなわち、センサ保持基板３４の磁気センサ５３ａ、５３ｂを実装した実装面と反対側の面は、磁石２３と対向するように設けられている。さらに、磁石２３は、そのＮ極２３Ｎが磁石２１のＮ極２１Ｎと向かい合うように配置されている。すなわち、センサ保持基板３４の実装面と反対側の面と、磁石２３のＮ極２３Ｎが対向するように配置されている。従って、磁石２２のＳ極２２Ｓと磁石２１のＳ極２１Ｓとが対向するように配置される。

このように一対の磁石２１、２３の間に、複数の磁気センサを有する一対のセンサ保持基板３３、３４が配設されている。一方のセンサ保持基板３３に実装された磁気センサ５１ａ、５１ｂは、他方のセンサ保持基板３４に実装された磁気センサ５３ａ、５３ｂと向き合うように配設されている。従って、磁気センサ５１ａ、５１ｂと磁気センサ５３ａ、５３ｂとは、Ｙ方向において近接する位置に配置されている。すなわち、Ｙ方向において磁気センサ５１ａ、５１ｂの表面と磁気センサ５３ａ、５３ｂの表面との位置が略一致するか、わずかな距離を隔てて配置されている。換言すると、Ｙ方向における磁石２１と磁石２３の略中間に、磁気センサ５１ａ、５１ｂの表面と磁気センサ５３ａ、５３ｂの表面が配置される。

また、磁石２３は磁石２１及び磁石２２と同じ構成を有する磁石である。すなわち、磁石２３は磁石２１と同じ形状の磁石であり、同じ保持力を有している。従って、磁石２１と磁石２２とは同様の磁界を発生させる。磁石２１と磁石２３は、Ｘ方向及びＺ方向において同じ位置に配置される。すなわち、Ｘ方向及びＺ方向において、磁石２１の端部と磁石２３の端部とが一致している。従って、磁石２１、２２、２３は、Ｙ方向に並設されている。磁石２１と磁石２３は同極が向かい合うように配置されているため、Ｙ方向において、磁石２１と磁石２３との中間では、磁場が打ち消される。すなわち、磁石２１によって生じるＹ方向の磁場と磁石２３によって生じるＹ方向の磁場が反対向きになり、磁石２１と磁石２３との間の空間では、図４の矢印で示される磁力線２５がＸＺ平面と略平行な方向になる。磁石２１、２２、２３としては、例えば、フェライト系の磁石を用いることが好ましい。磁石２１、磁石２２及び磁石２３は等間隔でＹ方向に並設されている。

ここで、センサ保持基板３１とセンサ保持基板３３とは、Ｘ方向にずれて配置されている。すなわち、図３に示すように、Ｘ方向において、磁気センサ５１ａ、５１ｂが、磁気センサ５３ａ、５３ｂと異なる位置に配設されている。磁気センサ５１ａは磁気センサ５３ａよりも−Ｘ側に配置され、磁気センサ５１ｂは磁気センサ５３ｂよりも−Ｘ側に配置される。従って、Ｘ方向において、磁気センサ５１ａは、磁気センサ５３ａと磁気センサ５３ｂの間に配置され、磁気センサ５３ｂは、磁気センサ５１ａと磁気センサ５１ｂとの間に配置される、磁気センサ５１ａ、５１ｂ及び磁気センサ５３ａ、５３ｂは、スケール１０のＢ列１２の上に配置される。そして、磁石２１、２３によって生じるＢ列１２上での磁気を検出して、位置検出を行なう。

このように、位置検出ヘッド２０は、一対の磁石２１、２３と一対の磁石間に設けられた一対のセンサ保持基板３１、３３を有している。一対の磁石２１、２３はそれぞれのＮ極が対向配置されている。そして、一対のセンサ保持基板３１、３３には、それぞれ磁気センサ群が設けられている。すなわち、磁気センサ群がそれぞれ設けられた一対のセンサ保持基板３３、３４を挟持する一対の磁石２１、２３は、一方の磁極が向かい合うように配置されている。センサ保持基板３３に設けられた２つの磁気センサ５１ａ、５１ｂとセンサ保持基板３４に設けられた２つの磁気センサ５３ａ、５３ｂはそれぞれ対向するように配置されている。さらに、センサ保持基板３３及びセンサ保持基板３４のそれぞれに設けられた磁気センサ群は、Ｘ方向にずれて配置されている。そして、一対のセンサ保持基板３３、３４に設けられた磁気センサ５１ａ、５１ｂ、５３ａ、５３ｂがスケール１０のＢ列１２上に配置される。

−Ｘ側において、センサ保持基板が磁石からはみ出している箇所に図５で示した端子４８が配置される。そして、この端子４８にそれぞれ配線を接続する。これにより、電源電圧及びＧＮＤを供給することができる。さらに、出力信号を取り出すことができる。

ここで、図３に示すように磁気センサ群を構成する２つの磁気センサのピッチＣはスケール１０のスケールバー１４、１６に対応した距離となっている。具体的には、２つの磁気センサのピッチＣは、スケールバー１４、１６の周期の半分となっている。例えば、磁気センサ４１ａ及び磁気センサ４１ｂのピッチＣ、並びに磁気センサ４３ａ及び磁気センサ４３ｂのＸ方向のピッチＣは、スケールバー１４のピッチ５ｍｍの１／２となっている。換言すると、磁気センサ４１ａ及び磁気センサ４１ｂのピッチＣはＡ列１１上のスケールバー１４の１周期の１８０°に対応する距離となっている。従って、Ａ列１１上の２つの磁気センサ群に含まれる磁気センサのピッチｃはそれぞれ、５ｍｍ／２となる。具体的には、磁気センサ４１ａ及び磁気センサ４１ｂのピッチＣが２．５ｍｍとなり、磁気センサ４３ａ及び磁気センサ４３ｂのピッチＣも２．５ｍｍとなる。ここで、磁気センサのＸ方向の大きさが２ｍｍであるとすると、隣接する磁気センサ４１ａ、４１ｂの間の間隔は約０．５ｍｍとなる。

一方、スケール１０のＢ列１２上に配置される２つの磁気センサ群を構成する磁気センサのピッチＣは、Ｂ列１２の周期の１８０°に相当する。すなわち、磁気センサ５１ａ及び磁気センサ５１ｂのピッチＣ、並びに、磁気センサ５３ａ及び磁気センサ５３ｂのピッチＣも５．０１５／２ｍｍとなる。

さらに、各列の上に配置される２つの磁気センサ群のずれ量Ｄも、スケール１０のスケールバー１４、１６に対応した距離となっている。具体的には、２つの磁気センサ群のずれ量Ｄは、スケールバー１４、１６の周期の１／４となっている。例えば、磁気センサ４１ａ、４１ｂからなる磁気センサ群と、磁気センサ４３ａ、４３ｂからなる磁気センサ群のずれ量Ｄは、スケールバー１４のピッチ５ｍｍの１／４となっている。換言すると、磁気センサ４１ａ、４１ｂからなる磁気センサ群と磁気センサ４３ａ、４３ｂからなる磁気センサ群とのＸ方向のずれ量は、Ａ列１１のスケールバー１４の１周期の９０°に相当する距離となっている。従って、Ａ列１１上の２つの磁気センサ群のずれ量Ｄは１．２５ｍｍとなる。

また、Ｂ列１２上に配置される２つの磁気センサ群のずれ量Ｄは、Ｂ列１２の周期の９０°に相当する。すなわち、磁気センサ５１ａ、５１ｂから構成される磁気センサ群と、磁気センサ５３ａ、５３ｂから構成される磁気センサ群とのＸ方向のずれ量は、５．０１５ｍｍ／４となる。このようにＡ列１１の上には２つの磁気センサからなる磁気センサ群が２つ設けられている。また、Ｂ列１２の上にも２つの磁気センサからなる磁気センサ群が２つ設けられている。そして、それぞれの列上に配置される２つの磁気センサ群のずれ量Ｄと、それぞれの磁気センサ群に含まれる複数の磁気センサのピッチＣとは、スケール１０の列の周期に対応した距離となっている。すなわち、磁気センサ群のずれ量Ｄ及び磁気センサのピッチＣはスケール１０の強磁性体のピッチに対応した距離となっている。

位置検出ヘッド２０には、磁石２１、２２、２３が設けられているため、スケール１０の上には磁界が形成されている。この位置検出ヘッド２０によって生成される磁界に基づく磁力線は、スケール１０の強磁性体に集中する。すなわち、スケール１０のスケールバー１４、１６で磁力線が密になり、角穴１３、１５では磁力線が粗になる。従って、位置検出ヘッド２０をＸ方向に移動させると、磁石２１、２２、２３によって生じる磁界に変化が生じる。すなわち、スケール１０に対する位置検出ヘッド２０の位置に応じて、磁界が変化する。位置検出ヘッド２０に設けられている磁気センサで磁気の強さと方向を検出する。これによって、Ｘ方向の位置を検出することが可能となる。

この位置検出ヘッド２０による位置の検出について図６を用いて説明する。図６は、位置検出ヘッド２０のＡ列１１上の構成を模式的に示す図である。図６（ａ）は、磁気センサ４１ａ、４１ｂからなる磁気センサ群４２における側面断面図を示し、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す位置から位置検出ヘッド２０を位相にして９０°移動したときの側面断面図である。また、図６では紙面と垂直な方向にバイアス磁界が与えられている。

まず図６（ａ）について説明する。図６（ａ）に示すように、磁気センサ４１ａ、４１ｂにはそれぞれ４つのＭＲ素子６１が設けられている。また、磁気センサ４１ａに実装された４つのＭＲ素子６１はブリッジ接続されている。すなわち、検出方向が同じ２つのＭＲ素子６１ａが対角に配置されている。また、検出方向の同じ２つのＭＲ素子６１ｂが対角に配置されている。検出方向が直交するＭＲ素子６１ａとＭＲ素子６１ｂの間には、電源電圧端子、ＧＮＤ端子又は出力端子が設けられる。例えば、図６において、左上のＭＲ素子６１ａと右上のＭＲ素子６１ｂとの間が電源電圧端子となり、左下のＭＲ素子６１ｂと右下のＭＲ素子６１ａの間がＧＮＤ端子となる。また、左上のＭＲ素子６１ａと左下のＭＲ素子６１ｂの間が出力端子となり、右上のＭＲ素子６１ｂと右下のＭＲ素子６１ａの間が出力端子となる。すなわち、図６の配置では、ブリッジ回路に対して、上側から電源電圧が供給され、下側からＧＮＤが供給される。そして、左側及び右側から出力信号が取り出される。ここで、それぞれのブリッジ回路の右側の出力端子を出力端子６２ａとし、左側の出力端子を出力端子６２ｂとする。

ここで、図６（ａ）では、隣接するスケールバー１４の間に、磁気センサ群４２が配置されている。すなわち、隣接するスケールバー１４の中心と、磁気センサ４１ａと磁気センサ４１ｂの中心とが一致する位置関係となっている。従って、スケール１０の近傍では、磁石２１からの磁力線２５が強磁性体からなるスケールバー１４に集中する。紙面と垂直な方向であった磁力線２５はスケール１０と近づくにつれて、図６（ａ）に示すように磁性体に集中する。そして、磁力線２５は、スケールバー１４において再度紙面と垂直な方向になる。ここで、磁気センサ４１ａと磁気センサ４１ｂとはスケールバー１４のピッチの半分だけ離れているため、磁気センサ４１ａを通る磁力線２５と磁気センサ４１ｂを通る磁力線２５との方向が異なる。この場合、磁気センサ４１ａではＭＲ素子６１ｂにおいて電流が流れる方向と近い方向で、磁力線２５が磁気センサ４１ａの表面を横切る。従って、ＭＲ素子６１ａの抵抗が増加する。すなわち、磁気センサ４１ａにおいて、ＭＲ素子６１ａの抵抗値は、ＭＲ素子６１ｂの抵抗値よりも大きくなる。従って、図６（ａ）に示す配置では、磁気センサ４１ａの出力端子６２ａの電位は、磁気センサ４１ａの出力端子６２ｂの電位よりも高くなる。

一方、磁気センサ４１ｂでは、ＭＲ素子６１ａにおいて電流が流れる方向と近い方向で、磁力線２５が磁気センサ４１ｂの表面を横切る。従って、ＭＲ素子６１ｂの抵抗が増加する。すなわち、磁気センサ４１ａにおいて、ＭＲ素子６１ｂの抵抗値は、ＭＲ素子６１ａの抵抗値よりも大きくなる。このように、磁気センサ４１ａと磁気センサ４１ｂとで、磁力線が横切る方向が異なるため、出力電圧が変化する。従って、図６（ａ）に示す配置では、磁気センサ４１ｂの出力端子６２ｂの電位は、磁気センサ４１ｂの出力端子６２ａの電位よりも高くなる。

ここで、磁気センサ４１ａのブリッジ回路と磁気センサ４１ｂのブリッジ回路とを並列にクロス接続している。すなわち、磁気センサ４１ａのブリッジ回路と磁気センサ４１ｂのブリッジ回路とを逆向きに並列接続している。具体的には、磁気センサ４１ａのブリッジ回路の出力端子６２ａと磁気センサ４１ｂのブリッジ回路の出力端子６２ｂとを接続する。また、磁気センサ４１ｂのブリッジ回路の出力端子６２ａと磁気センサ４１ａのブリッジ回路の出力端子６２ｂとを接続する。

図６（ａ）の構成では磁気センサ４１ａの出力端子６２ａ及び磁気センサ４１ｂの出力端子６２ｂからの出力信号６３のレベルは、磁気センサ４１ｂの出力端子６２ａ及び磁気センサ４１ａの出力端子６２ｂからの出力信号６４のレベルよりも高くなっている。差動増幅器６５は、出力信号６３から出力信号６４を差分を取っている。すなわち、差動増幅器６５は出力信号６３から出力信号６４を引いた信号を検出信号６６として出力している。よって、図６（ａ）の構成において、差動増幅器６５により出力信号６３と出力信号６４の差分を取ると、差動増幅器６５からの検出信号６６は負となる。

次に図６（ｂ）の構成について説明する。図６（ｂ）では、位置検出ヘッド２０が図６（ａ）の構成から移動している。具体的には、図６（ａ）に示す位置関係から、位置検出ヘッド２０が、スケール１０の位相にして１８０°移動している。すなわち、図６（ａ）と図６（ｂ）では位置検出ヘッド２０が２．５ｍｍ移動している。ここではＭＲ素子６１を横切る磁力線２５が図６（ａ）の方向と略垂直になっている。従って、磁気センサ４１ａにおいて、ＭＲ素子６１ｂの抵抗値がＭＲ素子６１ａの抵抗値よりも高くなる。これにより、磁気センサ４１ａの出力端子６２ｂの電位は、磁気センサ４１ａの出力端子６２ａの電位よりも高くなる。また、磁気センサ４１ｂにおいて、ＭＲ素子６１ａの抵抗値がＭＲ素子６１ｂの抵抗値よりも高くなる。磁気センサ４１ｂの出力端子６２ａの電位は、磁気センサ４１ｂの出力端子６２ｂの電位よりも高くなる。従って、差動増幅器６５により出力信号６３と出力信号６４の差分を取ると、差動増幅器６５からの検出信号６６は正となる。

このように、スケールバー１４によって、磁場のバランスがくずれる。また、スケールバー１４と磁気センサ４１ａ、４１ｂの位置関係によって、磁場が変化する。従って、図６（ａ）に示す構成と、図６（ｂ）に示す構成とでは、磁場のバランスが逆方向にくずれ、検出信号のレベルが反対の符号となる。すなわち、図６（ａ）では、検出信号６６が負となり、図６（ｂ）では、検出信号６６が正となる。さらに、磁気センサ４１ａ、４１ｂの一方がスケールバー１４の中央に配置された場合、他方が角穴１３の中央に配置される。この場合、検出信号６６が０となる。従って、１周期分の距離を移動するとき、検出信号が０となる点が２箇所存在する。

ここで、位置検出ヘッド２０がスケールに沿って移動すると、検出信号６６はｓｉｎカーブを描いて変化する。すなわち、スケール１０のスケールバー１４と磁気センサ４１ａ、４１ｂとの位置がずれていくと、ＭＲ素子６１を横切る磁力線２５の方向が変化していく。ＭＲ素子６１を横切る磁力線の方向は、Ｘ方向における磁気センサにおけるＭＲ素子６１の素子形成面と、スケールバー１４との位置関係によって変化する。従って、位置検出ヘッドを移動させると、検出信号６６が周期的に変化する。この検出信号６６のｓｉｎカーブの周期は、スケール１０の周期と同じである。従って、検出信号６６は１周期が５ｍｍのｓｉｎカーブとなる。

ここで、磁気センサ群４２には２つの磁気センサ４ａ、４１ｂが設けられている。そして、２つの磁気センサ４１ａ、４１ｂのセンサブリッジは、並列接続されている。従って、磁力線の集中のしかたやＭＲ素子の非直線性に起因するｓｉｎカーブの２次高調波成分をキャンセルすることができる。この結果、きれいな正弦波を得ることができる。

さらに、図３及び図４で示したように、Ａ列１１上には、９０°ずれた２つの磁気センサ群が配列されている。従って、磁気センサ４３ａ、４３ｂを含む磁気センサ群からの検出信号は、上記の検出信号から９０°ずれたものとなる。従って、ｓｉｎカーブの検出信号とｃｏｓカーブの検出信号とを得ることができる。すなわち、Ａ列１２の上に配置された２つの磁気センサ群の一方からの検出信号がｓｉｎ波形となり、他方がｃｏｓ波形となる。２つの検出信号によって、スケール１０に対する位置検出ヘッドの位置を算出することができる。

具体的には、図７に示すように、磁気センサ４１ａ、４１ｂからなる磁気センサ群からの出力信号６３及び６４を差動増幅器６５に入力する。磁気センサ４１ａと磁気センサ４１ｂとはスケールバーの周期に対して位相として１８０°ずれているため、差動増幅器６５から出力される検出信号６６はｓｉｎ波形となる。一方、磁気センサ４３ａ、４３ｂからなる磁気センサ群についても同様に、ブリッジ回路が逆方向に並列接続されている。磁気センサ４３ａ、４３ｂからなる磁気センサ群からの出力信号６７、６８は差動増幅器６９に入力される。差動増幅器６９は同様に出力信号６７と出力信号６８との差分を取る。ここで、磁気センサ４３ａ、４３ｂからなる磁気センサ群は磁気センサ４１ａ、４１ｂからなる磁気センサ群に対して、スケールピッチの位相として９０°ずれている。従って、差動増幅器６９から出力される検出信号７０は、ｃｏｓ波形となる。検出信号６６及び検出信号７０は演算処理部７１に入力される。演算処理部７１は、ｓｉｎ波形である検出信号６６と、ｃｏｓ波形である検出信号７０とに基づいて、スケールに対する位置検出ヘッド２０の位相を検出する。これにより、スケール１０のＡ列１１に対する位置検出ヘッド２０の位相を算出することができる。なお、図７では、ＭＲ素子６１の負荷について省略して図示している。

ここで、Ａ列１１上の位相の算出方法について説明する。上記のように、検出信号６６はｓｉｎ波形となり、検出信号７０はｃｏｓ波形となる。位置検出ヘッド２０の移動中に、位置検出ヘッド２０とスケール１０との距離が変化した場合、ｓｉｎとｃｏｓの振幅が変化するが、その中心値は変化しない。位相をφとすると、検出信号６６及び検出信号７０はそれぞれ、Ｍｓｉｎφ、Ｍｃｏｓφで表すことができる。つまり、検出信号６６及び検出信号７０は、振幅がＭ倍された信号として出力される。ここで、Ｍがφによって変化してしまうことがある。

ｔａｎφ＝ｓｉｎφ／ｃｏｓφの原理があるため、
ｔａｎφ＝Ｍｓｉｎφ／Ｍｃｏｓφ＝（検出信号６６）／（検出信号７０）
となる。
演算処理部７１において、
φ＝ｔａｎ^−１（検出信号６６）／（検出信号７０）
という演算を行なうことによって位相を求めることが可能となる。これにより、振幅Ｍによらず、位相を正確に算出することができる。そして、スケール１０の強磁性体パターンの周期に対する位相に基づいて位置を検出する。

ｃｏｓφでの割り算を含めて、ｔａｎの逆変換は、±４５°の範囲で精度よく行なうことができる。しかしながらその範囲を超えると誤差が大きくなる。従って、±４５°の範囲でｔａｎの逆関数（ａｒｃｔａｎ）を採用することが好ましい。

具体的には、下記の４つに場合分けすることにより、φを精度よく算出することが可能となる。
（１）０±４５°の範囲：（ｃｏｓφ＞ｓｉｎφ、かつ、ｓｉｎφ＞−ｃｏｓφ）
φ＝ａｒｃｔａｎ（検出信号６６／検出信号７０）
（２）４５°〜１３５°の範囲：（ｓｉｎφ＞−ｃｏｓφ、かつ、ｓｉｎφ＞ｃｏｓφ）
φ＝９０°−ａｒｃｔａｎ（検出信号７０／検出信号６６）
（３）１３５°〜２２５°の範囲：（ｓｉｎφ＞ｃｏｓφ、かつ、−ｓｉｎφ＞ｃｏｓφ）φ＝１８０°＋ａｒｃｔａｎ（検出信号６６／検出信号７０）
（４）２２５°〜３１５°の範囲：（−ｓｉｎφ＞ｃｏｓφ、かつ、ｃｏｓφ＞ｓｉｎφ）φ＝２７０°−ａｒｃｔａｎ（検出信号７０／検出信号６６）

この場合、±４５の範囲だけａｒｃｔａｎのテーブル等を持つだけで、簡便に位相φを算出することができる。すなわち、演算処理部７１に±４５の範囲だけａｒｃｔａｎのテーブルを記憶させ、ａｒｃｔａｎのテーブルと検出信号に応じて位相φを計算する。例えば、デジタル信号に変換された検出信号６６及び検出信号７０の値によって、位相φを算出することができる。もちろん、アナログの検出信号６６、７０に基づいて位相φを算出してもよい。なお、演算処理部７１の機能として、振幅の検出と、その中心値を求めることによる自動振幅・オフセット調整機能を持たせてもよい。なお、ここでの振幅調整は、ｓｉｎとｃｏｓのバランスを取るだけである。

さらに、Ｂ列１２に対してもＡ列１１と同様に２つの磁気センサ群４２が設けられている。そして、２つの磁気センサ群はスケール１０のパターン周期に応じた距離だけずれて配置されるとともに、磁気センサ群に含まれる磁気センサがスケールのパターン周期に応じて配置されている。すなわち、Ｂ列に対しても、磁気センサがＢ列のパターン周期に応じた配置となっている。従って、Ｂ列１２についても、ｓｉｎ波形となる検出信号とｃｏｓ波形となる検出信号を得ることができる。これにより、上記と同様に、スケール１０のＢ列１２に対する位置検出ヘッド２０の位相を算出することができる。この場合、±４５の範囲だけａｒｃｔａｎのテーブルを共通して使用することによって、容易に位相を算出することができる。

さらに、Ａ列１１とＢ列１２では、スケール１０のピッチが異なっている。すなわち、スケール１０の強磁性体が異なる周期で配列されている。従って、Ａ列１１上での位相φａと、Ｂ列１２上での位相φｂとを求めることによって、位置検出ヘッド２０の位置を一義的に算出することができる。すなわち、Ａ列１１での位相φａとＢ列１２での位相φｂとから、スケール１０の端から通過したスケールバー１４の数を算出することができる。すなわち、Ａ列１１での位相φａとＢ列１２での位相φｂとに基づいて、スケール１０の端から何番目のスケールバー１４にいるかを求めることができる。

例えば、現在の位置をＮ周期目とすれば、Ａ列１１とＢ列１２でスケールバー１４のピッチが０．０１５ｍｍ違うことから、
Ｎ＝（φｂ−φａ）／（３６０×０．０１５／５）
となる。
従って、現在位置Ｐは
Ｐ＝Ｎ×５＋５×φａ／３６０
となる。このように、スケール１０に２列のパターンを設けることによって、絶対位置を検出することができる。これにより、簡易な構成で位置検出を精度よく行なうことができる。また、非着磁式のスケール１０を用いているため、スケール１０の幅を狭くすることができる。従って、装置の小型化を図ることができる。また、高調波成分を除去することができるため、精度の高い検出を行なうことができる。

なお、上記の説明では、絶対位置を検出するため、スケール１０に２列の強磁性体パターンを設けたが、相対位置の検出を行なう場合、スケール１０に形成する強磁性体パターンは１列であってもよい。これにより、さらにスケール１０の幅を狭くすることができるため、装置の小型化を図ることができる。なお。相対位置検出の場合は、＋Ｘ方向に１周期分移動したら、カウント数Ｎをインクリメントする。また、−Ｘ方向の１周期分移動したら、カウント数Ｎをデクリメントする。これにより、±Ｘ方向の移動で通過したスケールバー１４の数を求めることができる。従って、上記の式によって、相対的な現在位置Ｐを求めることができる。すなわち、スケール１０の任意の点から移動した距離を算出することができる。

このように、スケール１０に２列の強磁性体パターンを異なるピッチで形成して、上記の構成で各列の位相を検出する。これにより、検出精度の高いアブソリュート型リニアエンコーダを実現することができる。また、１列のみを設けた場合は、検出精度の高いインクリメント型リニアエンコーダを実現することができる。このように、上記の位置検出ヘッド２０はリニアエンコーダに好適である。

上記の構成の位置検出ヘッド２０の各構成部品は、例えば、接着材で固定されている。例えば、磁石にはセンサ保持基板が対向配置されている。そしてセンサ保持基板上には、磁気センサ群が実装されている。各構成部品を固定するため、磁気センサが実装されたセンサ保持基板を磁石上に配置する。そして、位置検出ヘッド２０の全体に対して、硬化性樹脂からなる接着材を塗布する。これにより、位置検出ヘッド２０が接着材で覆われる。このとき、センサ保持基板の間にも、接着材を塗布する。接着材が硬化する前、あるいは接着材の塗布前に、それぞれのセンサ保持基板の位置決めを行なう。位置決めされた状態で接着材を硬化することによって、ピッチＣ及びずれ量Ｄの位置精度を向上することができる。この位置検出ヘッド２０をリニアガイド等に取り付ける。これにより、位置検出ヘッド２０をスケール１０の上に移動可能に設けることができる。

具体的には、上記の位置検出ヘッドを形成するため、例えば、３つの磁石をそれぞれ同極が向かい合いように対向配置させ、固定する。そして、それぞれの磁石間に磁気センサが実装されたセンサ保持基板をスライド挿入する。そして、所定の位置になったら、接着材を位置検出ヘッドに塗布する。そして、接着材が硬化する前のセンサ保持基板の位置を微調整する。これにより、精度よく位置検出ヘッドを形成することができ、検出精度を向上させることができる。

また、センサ保持基板上のＭＲ素子６１は、半導体モノリシック構造の上に、フォトリソグラフィーで作成することも可能である。これにより、位置調整を容易に行うことができ、高精度の磁気センサを作成することができる。また、チップマウンタ等の電子部品の実装機を用いて、プリント配線基板上にＭＲ素子６１を実装してもよい。さらに、センサ保持基板を磁石としてもよい。すなわち、板状の磁石をセンサ保持基板として、その上から磁気センサを設ける。これにより、簡易な構成とすることができる。すなわち、同極が向かい合う一対の磁石条に磁気センサを実装すればよい。これにより、一対に磁石間に２つの磁気センサ群が対向配置される。

対向するよう設けられた２つの磁気センサ群は、表面がほぼ接するように配置することが好ましい。すなわち、２つの磁気センサ群の間の隙間を小さくするように配置する。これにより、それぞれに磁気センサ群に含まれる磁気センサの表面の位置が近接する。すなわち、磁気センサ４１ａ、４１ｂの表面と、磁気センサ４３ａ、４３ｂの表面とが、Ｙ方向において略同じ位置になる。ここで、磁気センサ４１ａ、４１ｂは、その表面、すなわちセンサ保持基板３１の反対側の面において、横切る磁力線の向きを検出する。また、磁気センサ４３ａ、４３ｂは、その表面、すなわち、センサ保持基板３２の反対側の面において、横切る磁力線の向きを検出する。従って、表面が接するように配置すると、検出面のＹ方向の位置が略一致する。従って、対向する磁気センサ群で同じ箇所の磁場あるいは、近接した箇所の磁場を検出することができる。よって、検出精度を高くすることができる。なお、磁気センサの表面には、ＭＲ素子６１を保護する保護膜を形成してもよい。

なお、位置検出ヘッド２０において、Ａ列１１とＢ列１２とで、磁石２１を共通して使用している。すなわち、磁気センサ４１ａ、４１ｂからなる磁気センサ群を磁石２１のＳ極２１Ｓ側に配置して、磁気センサ５１ａ、５１ｂからなる磁気センサ群を磁石２１のＮ極２１Ｎ側に配置している。換言すると、Ａ列１１のセンサ保持基板３１とＢ列のセンサ保持基板３３とで磁石２１を挟持している。従って、同一の磁石２１のＮ極側及びＳ極側に、Ａ列の磁気センサ群とＢ列の磁気センサ群が配置される。すなわち、磁気センサ４１ａ、４１ｂと磁気センサ５１ａ、５１ｂが同じ磁石の異なる磁極側にそれぞれ配置される。この場合、Ａ列１１に対応する２つの磁気センサ群が磁石のＳ極の間に配置され、Ｂ列に対応する２つの磁気センサ群が磁石のＮ極の間に配置される。これにより、位置検出ヘッド２０の幅を小さくすることができ、装置の小型化を図ることができる。

もちろん、Ａ列１１、Ｂ列１２において、対向する磁極は、Ｎ極側及びＳ極側でもよい。例えば、Ａ列側において、一対の磁石のＮ極が向かい合うよう配置され、Ｂ列側において一対の磁石２１、２３のＳ極側が向かい合うよう配置されていてもよい。さらに、Ａ列と、Ｂ列とで磁石を共通して使用しない場合、Ａ列において向かい合う磁極と、Ｂ列において向かい合う磁極とを同じ極性にすることができる。このように同極が向かい合うように配置された一対の磁石を設けることによって、一対の磁石のそれぞれの側に配置された磁気センサ群で磁界の変化を確実に検出することができる。従って、精度の高い測定を行うことができる。

なお、Ｘ方向において磁気センサ４１ａ〜５３ｂは、磁石２１〜２３の中央近傍に設けることが好ましい。これにより、磁力線の向きを、図４に示すようにＸＺ平面から平行な方向にすることができる。ここで、図３に示すように、磁石２１、２２、２３の側長方向（Ｘ方向）の長さをＬとする。磁石２１の長さＬを（Ｃ＋Ｄ）の寸法と比べて、十分長くとることが好ましい。これにより、磁石の両端で生じる磁力線の乱れを低減することができる。よって、位置検出ヘッド２０とスケール１０の距離が変化した場合でも、正確に位置を検出することができる。この理由について下記に説明する。

例えば、Ｘ方向における磁石２１の両端近傍では、磁力線が開いてしまう。これにより、位置検出ヘッド２０とスケール１０とのギャップによって、磁力線の方向に変化が生じてしまう。すなわち、Ｘ方向における磁石２１の両端近傍では、磁石２１の中央近傍で生じる磁場と異なる。従って、Ｘ方向における磁石の両端近傍に磁気センサ４１ａ、４１ｂが配置された場合、図４に示している磁石２１の中央近傍における磁力線の方向から、異なる方向となってしまう。磁石２１の長さＬが、磁気センサの配置されている長さ（Ｃ＋Ｄ）に比べて、小さい場合、スケール１０と、位置検出ヘッド２０とのギャップが変化すると、ｓｉｎの検出信号と、ｃｏｓの検出信号６６、７０の位相に変動が生じる。したがって、測定結果に誤差が生じてしまう。上記の理由から、Ｘ方向における磁石２１、２２、２３の長さＬをスケールピッチの４倍以上とすることが好ましい。これにより、スケール１０と位置検出ヘッド２０のギャップが変動した場合でも、正確に検出することができる。

上記の構成により、小型、ロープロファイルのアブソリュート型位置検出装置を提供することができる。従って、上記の位置検出装置は、例えば、マスク検査装置に好適である。例えば、マスクを移動させるマスクホルダーに位置検出ヘッドを取り付ける。これにより、マスクの位置を正確に検出することができる。具体的には、マスクを撮像するＣＣＤカメラを配置した状態で、マスクホルダーを水平方向に移動させる。これにより、マスクの１ラインの画像を撮像することができる。さらに、ＣＣＤカメラの高さを変更させる。これにより、マスク全面の検査を行うことができる。また、小型化を図ることができるため、省スペースで実装できる。さらに、対物レンズなどの光学部品と干渉することがない。加えて、アブソリュートエンコーダであることから、マスクを載せたまま電源をオフしても、電源投入時に原点復帰する必要が無い。従って、電源再投入後、即座に現在位置を読み取ることができる。磁気式であるため、汚れ等に強く、様々な環境で利用することができる。従って、本発明にかかる位置検出装置は、マスク検査装置の他、工作機械や、形状測定装置などに好適であり、様々なアプリケーションが期待される。

実施例
上記の位置検出装置の実施例について図８、及び図９を用いて説明する。図８は、位置検出装置の実施例を模式的に示す図である。図８は、位置検出装置の構成を模式的に示す上面図であり、図８（ｂ）は、位置検出装置の構成を模式的に示す側面図である。図９は、本実施例の位置検出装置における、サンプリングと通信のタイミングを示すタイミングチャートである。本実施例の位置検出装置の構成、及び方法については、上記のものと同様であるため、説明を省略する。

図８に示すようにスケール１０の上には、絶縁テープ８０が貼り付けられている。絶縁テープ８０は、スケール１０の略全体を覆うように設けられている。絶縁テープ８０には、目盛り８１が付されている。すなわち、目盛り８１が表面に印刷されている絶縁テープ８０をスケール１０に貼り付ける。目盛り８１は、Ｘ方向に沿って配置される。目盛り８１には、長さに応じた数字が付されている。絶縁テープ８０には、目盛り８１が所定のピッチで印刷されており、その位置の数字を読み取ることによって移動距離を確認することができる。この目盛り８１によって、目視で、位置検出ヘッド２０のおおよその位置を確認することができる。これにより、位置検出ヘッド２０が正常に動作しているか否かを簡便に確認することができる。なお、スケール１０は、幅約１０ｍｍの強磁性体を打ち抜くことにより、形成することができる。

絶縁テープ８０の上には、４本の電極テープ８３が貼り付けられている。４本の電極テープ８３のそれぞれは、Ｘ方向に沿って絶縁テープ８０に貼り付けられている。従って、４本の電極テープ８３はそれぞれＹ方向に所定の間隔で配置される。電極テープ８３は、スケール１０の長さ方向の略全体にわたって貼り付けられている。ここで、４本の電極テープ８３のうち、スケール１０の両端に配置された２本を電極テープ８３ａ、８３ｄとし、スケール１０の内側に配置された２本を電極テープ８３ｂ、８３ｃとする。すなわち、電極テープ８３ａ、８３ｄの間に、電極テープ８３ｂ、８３ｃが配置される。電極テープ８３は非磁性のステンレス等の金属で構成されている。従って、磁場に対する影響は無い。そして、電極テープ８３の上面側では、金属が露出している。この電極テープ８３は後述するように、電源電圧やＧＮＤ電圧を供給するための配線、及び検出信号を伝送するための伝送線となる。

位置検出ヘッド２０には、上記の磁石２１、２２、２３と、センサ保持基板３１〜３４と磁気センサ４１ａ〜５３ｂとが取り付けられているベース９０を備えている。すなわち、ベース９０の下面側には、磁石２１、２２、２３と、センサ保持基板３１、３２、３３、３４と磁気センサ４１ａ〜５３ｂとが図３で示す配置で設けられている。これにより、磁気センサ１ａ〜５３ｂとがスケール１０の近傍に配置される。ベース９０は、Ｘ方向に移動可能に設けられている。なお、図８（ａ）では、ベース９０の下面側に設けられている構成要素を点線で示している。さらに、ベース９０の下面側には、電極テープ８３と接触されるブラシ９５が設けられている。すなわち、ブラシ９５は、ベース９０から下方向（−Ｚ方向）に突出して設けられ、その先端が磁石２１〜２３やセンサ保持基板３１〜３４よりも下に位置する。これにより、ブラシ９５の先端が電極テープ８３の表面と接触する。従って、４つのブラシ９５ａ〜９５ｄが、４本の電極テープ８３ａ〜８３ｄとそれぞれ接続される。ブラシ９５は、例えば、金属などの導電性材料により形成される。電極テープ８３ａとブラシ９５ａとが導通し、電極テープ８３ｂとブラシ９５ｂとが導通し、電極テープ８３ｃとブラシ９５ｃとが導通し、電極テープ８３ｄとブラシ９５ｄとが導通する。また、ブラシ９５ａ〜９５ｄを、弾性体に取り付けてもよい。これにより、ブラシ９５ａ〜９５ｄがスケール１０に対して押圧される。従って、ブラシ９５ａ〜９５ｄと電極テープ８３とを確実に接続することができる。このように、電極テープ８３をスケール１０に対して取り付けることによって、配線の接続を容易に行うことができる。すなわち、位置検出ヘッド２０を移動しても、電源ラインや伝送線等の配線に干渉することがなくなる。よって、簡便に配線を接続することができる。また、ブラシ９５は、電源ラインや伝送線と接続するためのコネクタとなる。

電極テープ８３ａを介して、ブリッジ回路に電源電圧が供給され、電極テープ８３ｄを介して、ブリッジ回路にＧＮＤ電位が供給される。すなわち、電極テープ８３ａは、ブラシ９５ａを介して位置検出ヘッド２０に設けられているブリッジ回路の電源電圧端子と接続される。また、電極８３ｄは、ブラシ９５ｄを介して位置検出ヘッド２０に設けられているブリッジ回路のＧＮＤ端子と接続される。電極テープ８３ｂ及び電極テープ８３ｃには、ブリッジ回路からの検出信号６６、７０がそれぞれ伝送される。従って、電極テープ８３ｂ及び電極テープ８３ｃはシリアル通信回線を構成する。電極テープ８３ａ、８３ｄから供給された電源電圧、及びＧＮＤ電位は、ブラシ９５ａ、９５ｄを介してブリッジ回路に印加される。換言すると、ブラシ９５ａ、９５ｄは、ブリッジ回路の電源電圧端子、及びＧＮＤ端子にそれぞれ接続されている。

ベース９０の上面側には、Ａ／Ｄ変換器９１と、制御ＩＣ９２と、シリアル信号トランシーバ９３とが設けられている。従って、Ａ／Ｄ変換器９１と、制御ＩＣ９２と、シリアル信号トランシーバ９３は位置検出ヘッド２０の移動に応じて移動する。Ａ／Ｄ変換器９１の前段には、図７で示したように差動増幅器６５、６９が設けられている。従って、Ａ／Ｄ変換器９１は、上記の検出信号６６、７０をアナログ信号からデジタル信号に変換する。制御ＩＣ９２は、Ａ／Ｄ変換器９１と、シリアル信号トランシーバ９３の動作を制御する。例えば、制御ＩＣ９２は、４ｃｈタイプのＩＣであり、Ａ／Ｄ変換器９１からＡ列１１、及びＢ列１２に対応する検出信号６６、７０が入力される。そして、制御ＩＣ９２は、所定のタイミングでシリアル信号トランシーバ９３にデジタル変換された検出信号６６、７０を供給する。

シリアル信号トランシーバ９３は、デジタル信号に変換された検出信号６６、７０を送信する通信部として機能する。シリアル信号トランシーバ９３は、Ａ列１１、及びＢ列１２に対応する検出信号６６、６７をシリアルに送信する。従って、Ａ列１１のｓｉｎに対応する検出信号６６とｃｏｓに対応する検出信号７０と、Ｂ列１２のｓｉｎに対応する検出信号６６と、Ｂ列のｃｏｓに対応する検出信号７０とが、シリアル信号トランシーバ９３から送信される。シリアル信号トランシーバ９３はブラシ９５ｂ、９５ｃと接続されている。シリアル信号トランシーバ９３からブラシ９５ｂ、９５ｃを介して送信された検出信号６６、６７は、電極テープ８３ｂ、８３ｄを通って、シリアルＩ／Ｆ９７に入力される。換言すると、電極テープ８３ｂ、８３ｃが、シリアル信号トランシーバ９３から送信される検出信号６６、７０の伝送線となる。シリアルＩ／Ｆ９７はシリアル通信トランシーバ９３からの信号を受信するシリアル通信レシーバを有している。シリアルＩ／Ｆ９７は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）９８と接続された制御回路９６に設けられている。そして、ＰＣ９８が検出信号６６、７０に基づいて上記のａｒｃｔａｎの計算等が行なわれる。換言すると、位置検出ヘッド２０に設けられたＡ／Ｄ変換器９１と、位置検出ヘッド２０の外部に設けられたＰＣ９８とが、図７に示す演算処理部７１として機能する。このように、図７で示した演算処理部７１は物理的に一体でなくもよい。

制御ＩＣ９２は、ノイズを低減するため、図９に示すように、シリアル通信の間にサンプリング及びＡ／Ｄ変換を行なっている。すなわち、制御ＩＣ９２はシリアル信号トランシーバ及びＡ／Ｄ変換器を制御して、サンプリング及びＡ／Ｄ変換と、通信とを交互に行なう。従って、テープ電極８３中を流れる信号が伝送されている間は、サンプリングが行われない。これにより、テープ電極８３中を流れる信号（電流）によって、磁気が乱れても、正確に位置を検出することができる。すなわち、テープ電極８３中に信号が流れている間は、磁場が発生するため、磁気センサで検出される位置が変動してしまう。しかしながら、上記のように、サンプリングと通信とのタイミングをずらすことによって、正確に位置を検出することができる。このように、磁気センサ群４２のサンプリングのタイミングと異なるタイミングでシリアル信号トランシーバ９３が検出信号を伝送するため、正確に位置を検出することができる。本実施例では、磁気センサのサンプリング時には、通信を中断している。これにより、データ通信によって磁界にノイズが与えられるのを防ぐことができる。

本発明にかかる位置検出装置の全体構成を示す側面図である。 本発明にかかる位置検出装置のスケールの構成を示す上面図である。 本発明にかかる位置検出装置の位置検出ヘッドの構成を示す平面図である。 本発明にかかる位置検出装置の位置検出ヘッドの構成を示す正面図である。 本発明にかかる位置検出装置の位置検出ヘッドに設けられたセンサ保持基板及び磁気センサの構成を示す平面図である。 本発明にかかる位置検出ヘッドに設けられた１つの磁気センサ群の構成を模式的に示す図である。 本発明にかかる位置検出ヘッドに設けられた２つの磁気センサ群の構成を模式的に示す図である。 本発明の実施例にかかる位置検出装置の構成を模式的に示す図である。 本発明の実施例にかかるサンプリングと通信のタイミングを示すタイミングチャートである。

符号の説明

１０ スケール、１１ Ａ列、１２ Ｂ列、１３ 角穴、１４ スケールバー、
１５ 角穴、１６ スケールバー、２０ 位置検出ヘッド、２１ 磁石、２２ 磁石、
２３ 磁石、２５ 磁力線、３１ センサ保持基板、
３２ センサ保持基板、３３センサ保持基板、３４ センサ保持基板、
４１ａ 磁気センサ、４１ｂ 磁気センサ、
４２ 磁気センサ群、４３ａ 磁気センサ、４３ｂ 磁気センサ、４８ 端子
５１ａ 磁気センサ、５１ｂ 磁気センサ、５３ａ 磁気センサ、５３ｂ 磁気センサ、６１ ＭＲ素子、６２ａ 出力端子、６２ｂ 出力端子、６３ 出力信号、
６４ 出力信号、６５ 差動増幅器、６６ 検出信号（ｓｉｎ）、６７ 出力信号、
６８ 出力信号、６９ 差動増幅器、７０ 検出信号（ｃｏｓ）、７１ 演算処理部
８０ 絶縁テープ、８１ 目盛り、８３ 電極テープ、９１ ＡＤＣ、９２ 制御ＩＣ、
９３ シリアル信号トランシーバ、９５ ブラシ、９６ 制御回路、
９７ シリアルＩ／Ｆ、９８ ＰＣ

Claims (8)

1. 強磁性体に所定のピッチで貫通孔が設けられることにより強磁性体パターンが所定のピッチで形成されているスケールと、前記スケールと対向する場所に相対移動可能な状態で設けられた位置検出ヘッドとを有する位置検出装置であって、
   前記位置検出ヘッドが、
   同極が向かい合うように配置された一対の磁石と、
   前記一対の磁石間に前記スケールが設けられた方向に沿って配列された複数のブリッジ型磁気センサを有し、前記複数のブリッジ型磁気センサのブリッジ回路が並列接続された第１の磁気センサ群であって、前記一対の磁石の一方側に配置された第１の磁気センサ群と、
   前記一対の磁石間において前記スケールの方向に沿って配列された複数のブリッジ型磁気センサを有し、前記複数のブリッジ型磁気センサのブリッジ回路が並列接続された第２の磁気センサ群であって、前記第１の磁気センサ群と対向するよう前記一対の磁石の他方側に配置された第２の磁気センサ群とを備え、
   前記第１の磁気センサ群と前記第２の磁気センサ群とが、前記スケールが設けられた方向において、前記強磁性体パターンのパターン周期に応じた距離ずれて配置され、
   前記第１の磁気センサ群に設けられている複数のブリッジ型磁気センサのピッチと、前記第２磁気センサ群に設けられている複数のブリッジ型磁気センサのピッチとが、前記強磁性体パターンのパターン周期に基づくピッチとなっている位置検出装置。
2. 前記第１の磁気センサ群及び第２の磁気センサ群とのずれ量が、前記スケールの強磁性体パターンのパターン周期の１／４である請求項１に記載の位置検出装置。
3. 前記第１の磁気センサ群のブリッジ回路から出力される出力信号に基づく検出信号及び前記第２の磁気センサ群のブリッジ回路から出力される出力信号に基づく検出信号のうちの一方の検出信号をｓｉｎ波とし、他方の検出信号をｃｏｓ波として、前記スケールの強磁性体パターンに対する前記位置検出ヘッドの位相に基づいて前記スケールに対する前記位置検出ヘッドの位置を検出する請求項１又は２に記載の位置検出装置。
4. 前記第１及び第２の磁気センサ群のそれぞれに２つのブリッジ型磁気センサが含まれ、
   前記２つのブリッジ型磁気センサのピッチが、前記スケールの強磁性体パターンのパターン周期の１／２であり、前記複数のブリッジ型磁気センサのブリッジ回路が逆方向に並列接続されている請求項１、２又は３に記載の位置検出装置。
5. 前記スケールに異なるピッチで形成された２列の前記強磁性体パターンが設けられ、
   前記２列の強磁性体パターンに対応するよう、前記位置検出ヘッドに前記第１及び第２の磁気センサ群が２つ設けられ、
   前記２列の強磁性体パターンに対する第１及び第２の磁気センサ群の検出信号に基づいて前記位置検出ヘッドの前記スケールに対する絶対位置を検出する請求項１乃至４のいずれかに記載の位置検出装置。
6. 前記２列の強磁性体パターンの一方の列において、前記一対の磁極のＮ極が向かい合い、
   前記２列の強磁性体パターンの他方の列において、前記一対の磁極のＳ極が向かい合い、
   前記２列の強磁性体パターンの一方の列に対応する第１の磁気センサ群と、前記２列の強磁性体パターンの他方の列に対応する第１の磁気センサ群が配置された磁石とが同一の磁石のＮ極側及びＳ極側にそれぞれ配置されている請求項５に記載の位置検出装置。
7. 前記ブリッジ回路からの出力信号に基づく検出信号を送信する通信部をさらに備え、
   前記通信部が、ブリッジ型磁気センサのサンプリングと異なるタイミングで前記検出信号を送信する請求項１乃至６のいずれかに記載の位置検出装置。
8. 前記通信部から送信される信号が伝送される伝送線が前記スケールの上に設けられている請求項１乃至７のいずれかに記載の位置検出装置。

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