JP4948687B2 - 入力装置 - Google Patents

Description

本発明は、入力位置を検出可能な入力装置に係り、特に光を出射する部分と、受光する部分とが近接して設けられた入力装置に関する。

下記特許文献１には入力装置に設置された近接センサについて開示されている。近接センサは、外部物体の近接の有無を感知するものである。特許文献１では、近接センサによる検出結果に基づいて画面表示を切り替えることが記載されている。

特許文献２には赤外光センサが開示されているが、このような赤外光センサを特許文献１に示す近接センサに応用することが可能である。

しかしながら、透明層を有して形成された入力装置（タッチパネル）に近接センサを配置した場合、外部物体が近接していなくても、光源から照射された光が透明層内を透過して受光部に戻り誤検知を起こすことがあった。

また特許文献３及び特許文献４には、照度センサが設置された入力装置に関する発明が開示されており、照度に基づいてバックライトの輝度を制御することが記載されている。

しかしながら照度センサの近くに例えばモバイルライトが配置されており、液晶画面を見ながらモバイルライトを点灯させて人や風景等をカメラで写そうとしたとき、モバイルライトからの光が照度センサに漏れてしまうと、周りが明るいと照度センサが誤認して、液晶画面が暗くなるようにバックライト輝度を落としてしまう可能性があった。

国際公開ＷＯ２００７／０３２３５３号 特開２００８−２４１８０７号公報 特開２０１０−１６６２６０号公報 特開２００１−２２３７９２号公報

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、光を出射する部分と、受光する部分とが近接して設けられたときに光漏れによる誤検知を抑制することが可能な入力装置を提供することを目的としている。

本発明は、操作面の操作位置を検出可能であり、透明層を有してなる入力装置において、
前記入力装置の裏面と表面との間にて光を通すことが可能で互いに離れた位置にある第１領域及び第２領域と、
前記第１領域の前記裏面側から前記表面側に向けて光を出射したときに、前記光が、前記第１領域から前記透明層内を透過し、前記第２領域に入るのを抑制するための抑制部と、を有することを特徴とするものである。

本発明の入力装置の構成によれば、第１領域内を裏面側から表面側に向けて出射された光が透明層内を透過し、第２領域内に入ることを抑制することができる。よって、第１領域の裏面側に光出射部を配置し、第２領域の裏面側に受光部を配置したときに、光出射部から照射された光が、透明層内を透過して、受光部に入ってしまう不具合を抑制することができ、これにより、従来に比べて、誤検知を抑制することが可能になる。

本発明では、前記抑制部は、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する前記透明層に形成された間隙部である構成にできる。例えば、前記間隙部はスリット形状で形成されることが好適である。これにより、第１領域内を裏面側から表面側に向けて出射された光の一部が、第１領域と第２領域間の透明層内に侵入しても、前記光は間隙部の位置で乱反射等を起こして減衰する。これにより、第１領域から透明層を介して第２領域内に漏れる光の量を抑制できる。また簡単な構造で抑制部を形成することができる。前記スリットの平面形状は、凹凸を繰り返す形状であることが好ましい。

また本発明では、前記間隙部の前記第１領域側の第１側壁面、あるいは前記第２領域側の第２側壁面の少なくとも一方が、前記裏面側から前記表面側に向けて傾斜面で形成されていることが好ましい。またこのとき、前記第１側壁面、あるいは前記第２側壁面に粗面処理、プリズム、または遮光膜が施されていることが好ましい。これにより、光が第１領域側から間隙部へ入ったときに光を効果的に拡散させることができる。前記間隙部の開口部が加飾層及び透明の天板により塞がれていることが好ましい。

また本発明では、前記第１領域及び前記第２領域を、夫々、空間で形成された第１空間部及び第２空間部にて構成できる。

本発明では、前記第１空間部あるいは前記第２空間部の少なくとも一方であって、前記透明層を介して前記第１空間部と前記第２空間部とが対面する側壁面に前記抑制部としての遮光膜が形成される構成にできる。これにより、例えば遮光膜を第２空間部の側壁面に形成した場合、第１空間部内を裏面側から表面側に向けて出射された光の一部が、第１空間部と第２空間部間の透明層内に侵入しても、遮光膜により第２空間部内に漏れるのを抑制できる。あるいは、遮光膜を第１空間部の側壁面に形成した場合、第１空間部内を裏面側から表面側に向けて出射された光が、第１空間部と第２空間部間の透明層内に侵入すること自体を抑制することができる。遮光膜を第１空間部及び第２空間部の双方の側壁面に設けることも可能である。

または本発明では、前記第１空間部あるいは前記第２空間部の少なくとも一方であって、前記透明層を介して前記第１空間部と前記第２空間部とが対面する側壁面を粗して、あるいは前記側壁面にプリズムを施した前記抑制部が形成される構成にできる。これにより、第２空間部の側壁面の表面に粗し加工やプリズム加工を施した場合、第１空間部内を裏面側から表面側に向けて出射された光の一部が、第１空間部と第２空間部間の透明層内に侵入しても効果的に光を拡散（乱反射）できる。よって第２空間部内にて裏面方向に戻る光の量を抑制できる。あるいは、第１空間部内を裏面側から表面側に向けて出射された光の一部が拡散して、第１空間部と第２空間部間の透明層内に侵入するのを抑制でき、よって第２空間部内にて裏面方向に戻る光の量を抑制できる。粗し加工やプリズム加工を第１空間部及び第２空間部の双方の側壁面に形成することも可能である。

または本発明では、前記透明層を介して前記第１空間部と対面する前記第２空間部の側壁面に、前記裏面側から前記表面側にかけて徐々に前記第１空間部の方向に傾く前記抑制部としての傾斜面が形成されている構成にできる。これにより、第１空間部内を裏面側から表面側に向けて出射された光の一部が、第１空間部と第２空間部間の透明層内に透過しても前記傾斜面にて、第２空間部内の裏面方向に漏れる光の量を減らすことができる。

また本発明では、前記透明層として透明基材と透明電極とを有するセンサ基板が設けられ、前記センサ基板を貫通する前記第１空間部及び前記第２空間部が形成されていることが好ましい。

また本発明では、前記センサ基板が透明の天板に支持されており、前記第１空間部及び前記第２空間部の表面側の開口部が前記天板により塞がれていることが好ましい。第１空間部及び第２空間部の表面側の開口部が塞がっているので、塵や水分が第１空間部及び第２空間部に入ることを阻止できる。また第１空間部から天板を介しての光の出射効率や天板側から第２空間部内への受光効率も良好に保つことができる。
本発明では、前記センサ基板は、例えば、静電容量式の構造であり、このとき、例えば、前記透明基材は、下部透明基材と上部透明基材とを有し、前記下部透明基材及び前記上部透明基材の夫々に前記透明電極が形成されており、あるいは前記透明基材の両面に前記透明電極が形成され、または、前記透明基材の同じ面に全ての前記透明電極が形成される構成にできる。または、前記センサ基板は抵抗膜式の構造である。また、前記第１空間部及び前記第２空間部の平面形状は円であることが好ましい。

本発明では、表面が操作面で構成される入力領域と、前記入力領域の周囲に位置する非入力領域とが設けられ、前記入力領域では、厚み方向に光が透過し、前記非入力領域では厚み方向に光が透過しないように前記透明層以外に加飾層が設けられて非透光性で構成されており、前記第１領域、前記第２領域及び前記抑制部は、前記非入力領域に設けられており、前記加飾層には、前記第１領域及び前記第２領域と対向する位置に開口部が形成されていることが好ましい。
これにより、非入力領域に、適切に近接センサの設置が可能になる。

また本発明では、最も裏面側に位置する透明基材に少なくとも前記抑制部が設けられていることが効果的である。

また本発明の入力装置は、前記第１領域の裏面側に配置された光出射部と、前記第２領域の裏面側に配置された受光部と、を有する構成に適切に適用できる。

例えば、前記光出射部は、近接センサを構成する光源であり、前記受光部は、前記近接センサを構成する受光素子である。これにより光源から照射された光が、透明層内を透過して、受光素子に戻ってしまう不具合を抑制することができ、これにより、従来に比べて、近接センサの誤検知を抑制することが可能になる。

または、前記光出射部は、ライト部であり、前記受光部は、照度センサである構成に適用できる。ライト部は例えばカメラ撮影するときのモバイルライトであり、照度センサは、周囲の照度に基づいて例えば液晶ディスプレイのバックライト輝度を調整するためのものである。本発明の構成によれば、ライト部から照射された光が、透明層内を透過して、照度センサに漏れる不具合を抑制することができ、これにより、従来に比べて、照度センサの誤検知を抑制することが可能になる。

本発明の入力装置の構成によれば、第１領域内を裏面側から表面側に向けて出射された光が、第１領域から第２領域方向への透明層内を透過して、第２領域内に入るのを抑制することができる。よって、第１領域の裏面側に光出射部を配置し、第２領域の裏面側に受光部を配置したときに、光出射部から照射された光が、透明層内を透過して、受光部に入ってしまう不具合を抑制することができ、これにより、従来に比べて、受光部での誤検知を抑制することが可能になる。

本実施形態の静電容量式における入力装置の分解斜視図、 図１に示す入力装置を組み立てた状態とし、Ａ−Ａ線に沿って切断し矢印方向から見た部分拡大縦断面図、 図３（ａ）は、図１に示す入力装置を組み立てた状態とし、Ｂ−Ｂ線に沿って切断し矢印方向から見た部分拡大縦断面図（近接センサが設置された位置で部分拡大縦断面図）、図３（ｂ）は、第１空間部、第２空間部及びスリット部（抑制部）の平面図、図３（ｃ）は、近接センサによる外部物体の検出原理を説明するための説明図（図３（ａ）と同じ部分縦断面図）、 比較例における入力装置の部分縦断面図、 図５（ａ）（ｂ）は、第１空間部、第２空間部及び、図３（ｂ）と異なるスリット部（抑制部）の形状を示す平面図、 図６（ａ）〜図６（ｃ）は、抑制部としてスリット部以外の構造を示す別の実施形態における入力装置の部分縦断面図、 図６（ａ）に示す第１空間部及び第２空間部の平面図、 図１，図２とは異なるセンサ基板を備える入力装置の部分縦断面図、 図１，図２とは異なるセンサ基板を備える入力装置の部分縦断面図、 図９における入力装置のうち、近接センサが設置された位置での部分縦断面図、 図１１（ａ）は、図１、図２、図８〜図１０とは異なるセンサ基板の構造を有する入力装置の部分平面図（透明電極の部分平面図）、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示すｃ−ｃ線に沿って切断し矢印方向から見たときの部分縦断面図、 図１２（ａ）は、抵抗膜式の入力装置における近接センサが設置された位置での部分縦断面図、図１２（ｂ）は、抵抗膜式の入力装置における入力領域での部分縦断面図、 図１２とは構成が異なる、抵抗膜式の入力装置における近接センサが設置された位置での部分縦断面図、 図１４（ａ）は、抵抗膜式の入力装置であって、モバイルライトと照度センサが設置された位置での部分縦断面図、図１４（ｂ）は、スリット部の断面構造を拡大して示した部分拡大縦断面図、図１４（ｃ）は、第１領域、第２領域及びスリット部の平面図、 静電容量式の入力装置におけるモバイルライトと照度センサが設置された位置での部分縦断面図。

図１は本実施形態の静電容量式における入力装置の分解斜視図である。図２は、図１に示す入力装置を組み立てた状態とし、Ａ−Ａ線に沿って切断し矢印方向から見た部分拡大縦断面図である。図３（ａ）は、図１に示す入力装置を組み立てた状態とし、Ｂ−Ｂ線に沿って切断し矢印方向から見た部分拡大縦断面図である（近接センサが設置された位置で部分拡大縦断面図）。図３（ｂ）は、第１空間部、第２空間部及びスリット部（抑制部）の平面図である。図３（ｃ）は、近接センサによる外部物体の検出原理を説明するための説明図（図３（ａ）と同じ部分縦断面図）である。図４は、比較例における入力装置の部分縦断面図である。図５（ａ）（ｂ）は、第１空間部、第２空間部及び、図３（ｂ）と異なるスリット部（抑制部）の形状を示す平面図である。図６（ａ）〜図６（ｃ）は、抑制部としてスリット部以外の構造を示す別の実施形態における入力装置の部分縦断面図である。図７は図６（ａ）に示す第１空間部及び第２空間部の平面図である。図８、図９は、図１，図２とは異なるセンサ基板を備える入力装置の部分縦断面図である。図１０は、図９における入力装置のうち、近接センサが設置された位置での部分縦断面図である。図１１（ａ）は、図１、図２、図８〜図１０とは異なるセンサ基板の構造を有する入力装置の部分平面図（透明電極の部分平面図）、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示すｃ−ｃ線に沿って切断し矢印方向から見たときの部分縦断面図である。図１２（ａ）は、抵抗膜式の入力装置における近接センサが設置された位置での部分縦断面図、図１２（ｂ）は、抵抗膜式の入力装置における入力領域での部分縦断面図である。

図１に示すように入力装置１０は、天板２０、上部基板２１、下部基板２２、及びフレキシブルプリント基板２３等を有して構成される。

天板２０は、プレスチックやガラスで形成される。天板２０は例えばガラスで形成される。図１に示すように、透光性の入力領域１１と入力領域１１の周囲を囲む着色された非透光性の非入力領域１２とに区分けされている。非入力領域１２では、天板２０の下面２０ｂに、加飾層１８が設けられる。天板２０の表面は、入力装置１０の表面１０ａである。表面１０ａのうち、入力領域１１の位置が指等で操作可能な操作面Ｓである。また、非入力領域１２は例えば、額縁状で形成される。

図１，図２に示すように下部基板２２には、下部透明基材（透明基材）２４の表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電層からなる下部電極（透明電極）１４が形成されている。

図１に示すように、入力領域１１には、複数本の下部電極１４が所定のパターン形状にて形成される。図１では、各下部電極１４は、Ｘ−Ｙ平面の例えばＸ１−Ｘ２方向に沿って延出し、且つ複数の各下部電極１４がＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置される（図１では、下部電極１４の一部のみ図示した）。

図１に示すように、入力領域１１の周囲を取り囲む非入力領域１２には、入力領域１１に形成された各下部電極１４に電気的に接続される配線部１９が引き回されている。配線部１９は、非入力領域１２のＸ１側領域及びＸ２側領域から夫々、引き回され、各配線部１９の先端は非入力領域１２のＹ２側領域で接続部１７を構成している。配線部１９は、Ａｇ，Ｃｕ等を有する金属層で形成される。

下部透明基材２４は、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂やガラスの透明基材で構成される。下部透明基材２４は、樹脂基材の表裏面にポリエステル樹脂やエポキシ樹脂等の絶縁材料から成るコート層が形成された形態とすることが出来る。

図１，図２に示すように上部基板２１には、上部透明基材（透明基材）２５の表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電層からなる上部電極１３が形成されている。

図１に示すように、入力領域１１には、複数本の上部電極１３が所定のパターン形状にて形成される。図１では、各上部電極１３は、Ｘ−Ｙ平面の例えばＹ１−Ｙ２方向に沿って延出し、且つ複数の各上部電極１３がＸ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置される（図１では、上部電極１３の一部のみ図示した）。

このように入力領域１１に形成された各上部電極１３と各下部電極１４とは直交している。

本実施形態では、各上部電極１３と電気的に接続される配線部（図示しない）が非入力領域１２に引き回されている。上部基板２１に形成された各配線部の先端は、図１に示す接続部１５を構成している。

上部透明基材２５は、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂やガラスの透明基材で構成される。上部透明基材２５は、樹脂基材の表裏面にポリエステル樹脂やエポキシ樹脂等の絶縁材料から成るコート層が形成された形態とすることが出来る。

図２に示すように、下部基板２２と上部基板２１間が光学透明粘着層（ＯＣＡ）２６を介して接合されている。

そして、下部基板２２、光学透明粘着層２６及び上部基板２１の積層構造によりセンサ基板１６が構成される。

また図２に示すように、天板２０と上部基板２１の間は、光学透明粘着層（ＯＣＡ）２７を介して接合されている。

また図２に示すように、下部基板２２の下面側には光学透明粘着層（ＯＣＡ）２８を介してハードコートフィルム２９が接合されている。

そして入力装置１０の入力領域１１と対向する裏面側に、液晶ディスプレイ３０が配置されている。

図１，図２に示す入力装置１０では、操作面Ｓに指Ｆを接触させると、下部電極１４及び上部電極１３を備えた入力領域１１での静電容量が変化することで、指Ｆの接触位置を検出することが可能になっている。

なお本実施形態では、「透光性」や「透明」は可視光線透過率が８０％以上の状態を指す。更にヘイズ値が６以下であることが好適である。

図３（ａ）に示すように、本実施形態では、非入力領域１２に厚み方向（Ｚ）に向けて第１空間部（第１領域）３１と第２空間部（第２領域）３２とが形成されている。図１には、第１空間部３１及び第２空間部３２と対向する位置の加飾層１８に形成された開口部１８ａ，１８ｂが図示されている。

図３（ａ）に示すように、第１空間部３１は、加飾層１８、光学透明粘着層２７、センサ基板１６、光学透明粘着層２８及びハードコートフィルム２９を高さ方向（厚み方向）（Ｚ）に貫いて形成されている。この実施形態では、ハードコートフィルム２９の裏面が「入力装置１０の裏面１０ｂ」に相当する。また、天板２０の表面が「入力装置１０の表面１０ａ」に相当する。よって第１空間部３１は、入力装置１０の裏面１０ｂから表面１０ａの方向に向けて形成されるが、天板２０を貫通しておらず、第１空間部３１の表面側の開口部３１ａが天板２０により塞がれた状態になっている。

図３（ａ）に示す下部透明基材（透明基材）２４の表面にはＩＴＯ等の透明導電層３３が形成されている。この透明導電層３３は、下部電極１４と同じ層である。

また図３（ａ）に示す上部透明基材（透明基材）２５の表面にはＩＴＯ等の透明導電層３４が形成されている。この透明導電層３４は、上部電極１３と同じ層である。非入力領域１２における透明導電層３３，３４は、非入力領域１２における配線部の形成及び入力領域１１における各電極１３，１４の形成後に残されたものである。非入力領域１２に透明導電層３３，３４が残らないよう除去することも可能であるが、製造効率等の観点から、非入力領域１２に透明導電層３３，３４を残すほうが好ましい。

図３（ａ）に示すように、第１空間部３１から平面視にて離れた位置に第２空間部３２が形成される。よって、第１空間部３１と第２空間部３２は接触していない。

第２空間部３２は、加飾層１８、光学透明粘着層２７、センサ基板１６、光学透明粘着層２８及びハードコートフィルム２９を高さ方向（Ｚ）に貫いて形成されている。図３（ａ）に示すように、第２空間部３２は、入力装置１０の裏面１０ｂから表面１０ａの方向に向けて形成されるが、天板２０を貫通しておらず、第２空間部３２の表面側の開口部３２ａが天板２０により塞がれた状態になっている。

図３（ｂ）に示すように第１空間部３１及び第２空間部３２の平面形状は円形状であるが形状を限定するものではない。ただし円とすることが後述する近接センサにおける光の射出効率、受光効率を良好にでき好適である。

図３（ａ）に示すように、第１空間部３１と第２空間部３２の間には、スリット部３６が形成されている。スリット部３６は、光学透明粘着層２７、センサ基板１６、光学透明粘着層２８及びハードコートフィルム２９を高さ方向（Ｚ）に貫いて形成されている。図３（ａ）に示すように、スリット部３６は、入力装置１０の裏面１０ｂから表面１０ａの方向に向けて形成されるが、加飾層１８及び天板２０を貫通しておらず、スリット部３６の表面側の開口部３６ａが加飾層１８及び天板２０により塞がれた状態になっている。このようにスリット部３６は加飾層１８を貫いていないから、入力装置１０の表面１０ａ側からスリット部３６を見ることができない状態となっている。なお加飾層１８をも貫いてスリット部３６を形成することが可能であり、この場合、例えば、スリット部３６を一つの意匠として構成することができる。

ここで透明層とは、下部透明基材２４、透明導電層３３（下部電極１４）、上部透明基材２５、透明導電層３４（上部電極１３）、光学粘着層２６等の天板２０よりも内方（裏面側）に位置する透明材料で形成された層の少なくとも一つを指す。

本実施形態におけるスリット部３６は、第１空間部３１と第２空間部３２間にて、光を透過する全ての透明層に形成されることが好適である。

図３（ｂ）に示すように、スリット部３６の長さ寸法Ｌ１は、第１空間部３１及び第２空間部３２の最大開口幅（直径）Ｔ１，Ｔ２よりも大きいことが好ましい。

また本実施形態でのスリット形状は、幅寸法Ｔ３に比べて長さ寸法Ｌ１が十分に大きい形態のものを指す。アスペクト比（長さ寸法Ｌ１／幅寸法Ｔ３）としては、１０〜５００程度であることが好適である。

図３（ａ）に示すように、本実施形態では、入力装置１０の裏面１０ｂ側であって、第１空間部３１と対向する位置にＬＥＤ等の光源４１が設置され、第２空間部３２と対向する位置に受光素子４２が設置されている。このように、入力装置１０の裏面１０ｂ側には、光源４１と受光素子４２からなる近接センサ４３が配置されている。

今、図３（ｃ）に示すように、天板２０の表面１０ａに外部物体４０が近接したとする（図３（ｃ）では、外部物体４０が表面１０ａに接触している）。図３（ｃ）に示すように、光源４１から発せられた光（例えば、赤外線ＩＲ）は、第１空間部３１内を裏面１０ｂから表面１０ａの方向に移動し、透明基材の天板２０を透過して、表面１０ａの外側に出射される。このとき、光ＩＲは、表面１０ａに近接した外部物体４０にて反射し、再び、天板２０を透過して第２空間部３２内を裏面１０ｂ方向に戻ってくる。そして、第２空間部３２の裏面１０ｂに設置された受光素子４２が光ＩＲを受光し、外部物体４０が入力装置１０に近接していることを検出する。

一方、図３（ａ）に示すように、外部物体４０が近接していない状態では、光源４１から照射された光ＩＲは、第１空間部３１内を裏面１０ｂ側から表面１０ａの外側に抜けるため、光ＩＲは受光素子４２によって検出されない。よって外部物体４０が接近していないという検出結果が得られる。

上記の検出結果により、例えば、外部物体４０が接近している検出結果が得られれば、操作面Ｓでの操作を無効にする等、様々な制御を行うことができる。

ところが、第１空間部３１の側壁は、センサ基板１６を構成する下部透明基材２４や上部透明基材２５等の透明層の側壁で構成されるため、光ＩＲのうち一部の光ＩＲ１が、透明層内に侵入しやすい。なお、図３（ａ）では便宜的に光ＩＲ１が下部透明基材２４と上部透明基材２５内に入った様子を矢印で示したが、光ＩＲ１の侵入が、これらの透明層だけに限定されることを意味するものではない。

ここで図４に示す比較例のように、第１空間部３１と第２空間部３２の間にスリット部３６が形成されていない形態では、第１空間部３１内を裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向けて出射された光ＩＲのうち一部の光ＩＲ１が、下部透明基材２４や上部透明基材２５等の透明層内を平面方向に透過する。さらに透明層内を透過した光ＩＲ１のうち一部の光ＩＲ２が、第２空間部３２内を裏面１０ｂ側に向けて進み、受光素子４２に到達する。受光素子４２に入る光ＩＲ２の量が小さければ問題はないが、図４に示す比較例の構成では、第１空間部３１の裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向けて出射された光が第１空間部３１と第２空間部３２の間に位置する透明層内を透過するに際し、障害になるものがなく、更に、透明層内を透過した光が、第２空間部３２内にて裏面１０ｂの方向に戻りにくくする構造上の工夫は何らなされていない。

これに対して図３（ａ）に示す本実施形態では、第１空間部３１と第２空間部３２の間に位置するハードコートフィルム２９からセンサ基板１６にかけての透明層にスリット部３６を形成した。このため、第１空間部３１内を裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向けて出射された光ＩＲのうち一部の光ＩＲ１が、透明層内に侵入しても、スリット部３６の位置で減衰（拡散）するため、第１空間部３１と第２空間部３２間を透過する光の量を図４の比較例に比べて小さくすることができ、よって図４の比較例に比べて近接センサ４３の誤検知が生じにくい構造に出来る。

スリット部３６の平面形状は直線状に限らない。例えば、図５（ａ）に示すように、スリット部３６の平面形状を波状や鋸刃状等、小さい周期で凹凸を繰り返す形状とすれば、透明層内に侵入した光をスリット部３６の位置で乱反射させることができ、より好適である。

図５（ｂ）のように、第１空間部３１と第２空間部３２の間に複数のスリット部４５，４６が形成されていてもよい。このとき、図５（ａ）のように、光源４１からの光の出射側である第１空間部３１に近いスリット部４５を波形状等にして光を乱反射させ、第２空間部３２に近いスリット部４６を例えば円弧状にして、第２空間部３２への光の進入を更に減衰させる形態とすると、より好適である。

スリット部３６，４５，４６をレーザ加工で形成できる。なお図３（ｂ）に示すスリット部３６の幅寸法Ｔ３等をもっと広げてスリット形状以外の形状の間隙部（抑制部）を第１空間部３１と第２空間部３２の間に形成することもできる。ただし、幅寸法Ｔ３をあまり広げてしまうと、第１空間部３１と間隙部（抑制部）との間隔、及び第２空間部３２と間隙部（抑制部）との間隔が狭くなり、近接センサ４３を配置する位置での入力装置１０の機械強度が弱くなりやすい。またスリット形状であると例えばレーザにより図５に示すような波形状等に簡単に加工することができる。よって第１空間部３１と第２空間部３２間に形成する間隙部はスリット形状であることが好適である。

また、スリット部３６，４５，４６やスリット以外の形状で間隙部（抑制部）を形成した場合、その間隙部内を、別のセンサや素子を入れるための空間として利用したり、あるいは間隙部内の一部、あるいは全部を別の部材で埋めることも出来る。例えば、次に説明する遮光膜を前記間隙部内に形成することもできる。

図６（ａ）に示す別の実施形態では、第２空間部３２の側壁に遮光膜（抑制部）４７が形成されている。遮光膜４７は、第２空間部３２の高さ方向（Ｚ）の全域にわたって形成されている。図６（ａ）、図７に示すように、遮光膜４７は、少なくとも、第１空間部３１と第２空間部３２間の透明層を介して対面する側壁面３２ｂに形成されることが必要である。すなわち対面する側壁面３２ｂと反対側の側壁面３２ｃに遮光膜４７を形成することは必要でない。

図７に示すように、第１空間部３１の両端と第２空間部３２の両端とを夫々、直線Ｄ，Ｅで結び、直線Ｄから各空間部３１，３２の内側の側壁を通り直線Ｅに至る経路を考えたとき、前記内側の側壁が「対面領域」である。ただし、対面領域の全てに遮光膜４７を形成しなくてもよい。すなわち対面領域の全てに遮光膜４７を形成することが好ましいが、一部、形成されていなくても（特に両側部分）、受光素子４２に戻る光の量を比較例よりも小さくでき、近接センサの誤検知を防止できる。

図６（ａ）のように遮光膜４７を第２空間部３２の側壁面３２ｂに形成したことで、第１空間部３１内を裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向けて出射された光ＩＲのうち一部の光ＩＲ１が、第１空間部３１と第２空間部３２間の透明層内に侵入しても、遮光膜４７により第２空間部３２内に漏れ出るのを抑制できる。あるいは、遮光膜４７を第１空間部３１の側壁面３１ｂに形成することもできる。この場合、第１空間部３１内を裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向けて出射された光ＩＲが、第１空間部３１と第２空間部３２間の透明層内に侵入すること自体を抑制することができる。遮光膜４７を第１空間部３１及び第２空間部３２の双方の側壁面３１ｂ，３２ｂに設けることも可能である。また、上記したように遮光膜４７を、側壁の全周囲でなく、透明層を介して第１空間部３１と第２空間部３２とが対面する側壁面３１ｂ，３２ｂだけに形成すれば足りる。

天板２０を接合する前に、センサ基板１６、光学透明粘着層２８及びハードコートフィルム２９を有する入力装置に対して、厚み方向に貫通する第１空間部３１及び第２空間部３２をレーザ等で形成した後、第２空間部３２や第１空間部３１の側壁面３１ｂ，３２ｂに遮光膜４７を塗布し、続いて、光学透明粘着層２７を介して天板２０を接合する。

次に図６（ｂ）に示す実施形態では、第２空間部３２の側壁表面に粗し加工を施している。粗し加工部（抑制部）４８は、第２空間部３２の高さ方向（Ｚ）の全域にわたって形成されている。図６（ｂ）に示すように、粗し加工部４８は、少なくとも、第１空間部３１と第２空間部３２間の透明層を介して対面する側壁面３２ｂに形成されることが必要である。すなわち対面する側壁面３２ｂと反対側の側壁面３２ｃに粗し加工部４８を形成することは必要でない。

図６（ｂ）のように粗し加工部４８を第２空間部３２の側壁面３２ｂに形成したことで、第１空間部３１内を裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向けて出射された光ＩＲのうち一部の光ＩＲ１が、第１空間部３１と第２空間部３２間の透明層内に侵入しても、粗し加工部４８により光ＩＲ１を乱反射（拡散）できる。よって第２空間部３２内にて裏面１０ｂの方向に戻る光の量を比較例に比べて抑制できる。あるいは、第１空間部３１の側壁面３１ｂに粗し加工部４８を形成した場合、第１空間部３１内を裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向けて出射された光ＩＲは、粗し加工部４８（乱反射面）により、第１空間部３１と第２空間部３２間の透明層内に侵入する光の量を比較例に比べて抑制できる。粗し加工部４８を第１空間部３１及び第２空間部３２の双方の側壁面３１ｂ，３２ｂの表面に行うことも可能である。また、粗し加工部４８を、側壁の全周囲でなく、透明層を介して第１空間部３１と第２空間部３２とが対面する側壁面３１ｂ，３２ｂだけに形成すれば足りる。

天板２０を接合する前に、センサ基板１６、光学透明粘着層２８及びハードコートフィルム２９を有する入力装置に対して、厚み方向に貫通する第１空間部３１及び第２空間部３２を形成した後、第２空間部３２や第１空間部３１の側壁面３１ｂ，３２ｂをサンドペーパーや熱で溶かすなどの物理的処理、あるいは溶剤等を用いた化学的処理により表面粗し加工を施す。なお、表面粗し加工を第２空間部３２や第１空間部３１の側壁面３１ｂ，３２ｂだけに行うのが難しい場合には、第２空間部３２や第１空間部３１の側壁の全周囲に施してもよい。その後、光学透明粘着層２７を介して天板２０を接合する。

次に図６（ｃ）の構成では、第２空間部３２の透明層を介して第１空間部３１と対向する側壁面３２ｂに、裏面１０ｂ側から表面１０ａ側にかけて徐々に、第１空間部３１の方向に傾く傾斜面（抑制部）４９が形成されている。

図６（ｃ）に示す構成では、第２空間部３２における側壁面３２ｂと反対側の側壁面３２ｃも傾斜面４９と同じ方向に傾斜する傾斜面５０となっているが、側壁面３２ｃは垂直面であってもよい。ただし、第２空間部３２をレーザにより斜めに切っていくと図６（ｃ）のように、側壁面３２ｂのみならず反対側の側壁面３２ｃも互いに平行な傾斜面４９，５０として形成される。

これにより、第１空間部３１内を裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向けて出射された光ＩＲのうち一部の光ＩＲ１が、第１空間部３１と第２空間部３２間の透明層内に透過して第２空間部３２内に漏れ出たとき、傾斜面４９により拡散し、一部の光ＩＲ３が第２空間部３２内を裏面２９ｂとは逆方向（すなわち表面１０ａ方向）に屈折して漏れやすくなり、したがって、第２空間部３２内にて裏面２９ｂ方向に漏れる光の量を減らすことができる。

図２では、下部基板２２の下部電極１４及び上部基板２１の上部電極１３を全て表面１０ａ側に向けた状態で、下部基板２２と上部基板２１間が光学透明粘着層２６を介して接合されているが、図８のように、下部基板２２の下部電極１４を表面１０ａ側に向けて、上部基板２１の上部電極１３を、裏面１０ｂ側に向けた状態にして、下部基板２２と上部基板２１間が光学透明粘着層２６を介して接合されていてもよいし、あるいは、図９に示すように、一つの基材３８の上下面に下部電極１４及び上部電極１３が形成された形態としてもよい。

図９は、入力装置１０の入力領域１１における構造である。一方、図１０は、図９に示す入力装置の非入力領域１２であって、近接センサ４３が設置される部分での構造である。図１０では、代表的に、図３（ａ）に示すスリット部３６を第１空間部３１と第２空間部３２の間に形成したが、図６に示す「抑制部」を用いることも当然、可能である。図１０において、図３（ａ）と同じ層については図３（ａ）と同じ符号を付した。図１０の構成により、第１空間部３１と第２空間部３２間の透明層に透過する光を抑制でき、近接センサ４３の誤検知を抑制することが可能である。

図９では、一つの基材３８の両面に下部電極１４と上部電極１３を形成したが、図１１（ａ）（ｂ）に示すように基材３８の同じ面側に全ての電極を形成してもよい。図１１（ａ）は部分平面図であるが、図１１（ｂ）に示す絶縁層等を省略した。また図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向から見た部分縦断面図である。図１１（ａ）（ｂ）では、一つの基材３８の表面に複数の電極５１，５５を配列し、このうち電極５５をＸ方向に向けて接続するとともに、電極５５の連結部５２上を絶縁層５３で覆う。そして、絶縁層５３上に各電極５１を接続するための連結部５４を形成し、連結部５４を介して各電極５１をＹ方向に繋げている。図１１の構成では、同じ基材３８の同じ表面に、Ｘ方向に繋がる電極５５とＹ方向に繋がる電極５１とが形成されている。

なお静電容量式センサの構成は、図２、図８、図９、図１１以外の構成であってもよい。

図１ないし図１１に示すセンサ基板１６の構造は、静電容量式であったが、図１２に示すように抵抗膜式とすることもできる。

図１２（ａ）は、抵抗膜式の入力装置の非入力領域であって、近接センサ４３が設置される位置での部分縦断面図、図１２（ｂ）は、抵抗膜式の入力装置の入力領域での部分縦断面図である。

図１２（ａ）（ｂ）に示すように、下部透明基材６０及び下部透明基材６０の内面に形成された下部抵抗層（下部電極）６２からなる下部基板６５と、上部透明基材６１及び上部透明基材６１の内面に形成された上部抵抗層（上部電極）６３からなる上部基板６６とが形成されており、図１２（ｂ）に示すように、入力領域１１では、下部抵抗層６２と上部抵抗層６３との間が空気層６４となっている。図示していないが空気層６４には多数のドットスペーサが設けられている。そして入力領域１１の周囲に広がる加飾層１８を有する非入力領域１２では、下部基板６５と上部基板６６との間が光学透明粘着層６７により接合されている。

図１２（ａ）（ｂ）に示す天板６８は、可撓性の透明基材であり、天板６８と上部基板６６間は光学透明粘着層６９を介して接合されている。入力領域１１における天板６８の表面６８ａ（入力装置の表面）を押圧すると天板６８及び上部基板６６が撓み下部基板６５と接触する。そして抵抗層６２，６３の接触位置における分割抵抗に対応した電圧を得ることで、操作位置を検知することができる。

図１２（ａ）に示すように抵抗膜式の入力装置においても、第１空間部３１と第２空間部３２の間に例えば、図３（ａ）と同様のスリット部３６（抑制部）を設けることで、第１空間部３１と第２空間部３２の間の透明層内に光が透過するのを抑制でき、よって、近接センサ４３における誤検知を抑制することができる。ここで透明層とは、下部透明基材６０、透明な下部抵抗層６２、上部透明基材６１、透明な上部抵抗層６３、光学透明粘着層６７等の天板６８より内方（裏面側）に位置する透明材料で形成された層の少なくとも１つを指す。

図３（ａ）、図６（ａ）〜（ｃ）に挙げた各抑制部は、夫々組み合わせて用いることも出来る。例えば図３（ａ）に示すスリット部３６と図６（ａ）に示す遮光膜４７の双方を用いることができる。

また入力装置の構成層は、上記で挙げた構成以外であってもよい。例えば、図３（ａ）等に示すハードコートフィルム２９が無い構成であってもよい。また、センサ基板１６の構成は図８以降にも示したように種々、選択でき限定されるものではない。

またセンサ基板１６は透明の天板２０，６８に支持されており、センサ基板１６に貫通して形成された第１空間部３１及び第２空間部３２の一方の開口部３１ａ，３２ａが天板２０，６８により塞がれた状態となっている。本実施形態の構成では、近接センサ４３における第１空間部３１を通しての光の出射効率や第２空間部３２を通しての受光効率を良好に保つことができる。また、第１空間部３１及び第２空間部３２の開口部３１ａ，３２ａが塞がっているので、塵や水分が第１空間部３１及び第２空間部３２に入ることを阻止でき、近接センサ４３に悪影響を及ぼすことがない。

本実施形態における第１空間部３１、第２空間部３２及び抑制部は、加飾層１８を有して高さ方向（Ｚ）に光が透過しない非入力領域１２に形成される。また加飾層１８には第１空間部３１及び第２空間部３２と対向する位置に開口部１８ａ，１８ｂが形成されている（図３参照）。これにより、非入力領域１２にて近接センサ４３からの光の射出及び受光を適切に行うことが可能である。

本実施形態における入力装置には、図３（ａ）のように実際に近接センサ４３を設置した状態のもののみならず、近接センサ４３を設置する状態前のもの（近接センサ４３の設置が可能な入力装置）も含まれる。

更に、本実施形態における入力装置は、近接センサ４３の設置だけに限定されなくてもよい。すなわち、第１空間部３１の裏面側及び第２空間部３２の裏面側にどのような素子、センサ等を配置するかは任意に決定することが可能である。本実施形態の入力装置は、第１空間部３１と第２空間部３２間の透明層に光が透過するのを抑制し、あるいは透過しても第２空間部３２の裏面側に光が戻らないようにするための構成であり、このような本実施形態の特徴を利用して、第１空間部３１及び第２空間部３２をどのように使用するかは客先等で選定することが可能である。

上記の構成ではいずれも第１空間部３１と第２空間部３２とが設けられた構成であったが、図１３に示すように空間部が形成されていなくてもよい。

図１３は、図１２と同様に抵抗膜式の入力装置であり、裏面側に、光源４１と受光素子４２からなる近接センサ４３が配置されている。図１３に示すように、下部基板６５と上部基板６６とが非入力領域１２の位置で光学透明粘着層６７を介して接合されている。入力領域１１では、下部基板６５と上部基板６６との間に空気層６４が形成され、空気層６４には多数のドットスペーサ７０が設けられている。

図１３に示すように非入力領域１２では、透明な天板（パネル）６８の下面側に加飾層１８が設けられている。図１３に示すように、光源４１と高さ方向にて対向する加飾層１８には第１開口部１８ａが形成されており、受光素子４２と高さ方向にて対向する加飾層１８には第２開口部１８ｂが形成されている。

図１３に示す光源４１と第１開口部１８ａとの間が第１領域７１であり、受光素子４２と第２開口部１８ｂとの間が第２領域７２である。第１領域７１及び第２領域７２には図１２に示すような空間が設けられていない。図１３に示すように、第１領域７１と第２領域７２との間には、下部基板６５を構成する透明基材（プラスチック基材）７３にスリット部３６が形成されている。スリット部３６をアクリル樹脂等のプラスチック基材に射出成形等により形成することが可能である。図１３に示すスリット部３６は高さ方向にストレート形状であるが、後述するように、傾斜面とすることも射出成形により容易に形成できる。またスリット部３６の側壁に粗面処理やプリズムを施すことが可能である。あるいは図６（ａ）で示した遮光膜４７を施す構成とすることもできる。

図１３に示す光源４１から照射された光は第１領域７１を通って第１開口部１８ａから外方に出射される。このとき一部の光が透明なプラスチック基材７３を通って第２領域７２の方向へ伝播しても途中にスリット部３６があることで、ここで光は拡散し第２領域７２及び受光素子４２に光が届くのを抑制することが可能である。ここでは透明プラスチック基材７３が透明層に該当する。

またスリット部３６をプラスチック基材７３のみならず、プラスチック基材７３と加飾層１８との間に位置する透明基材や光学透明粘着層の領域にも形成することが可能である。この場合、透明基材及び光学透明粘着層も透明層に該当する。

図１３は抵抗膜式の入力装置として説明したが、静電容量式の入力装置にも同様に適用できる。

図１４（ａ）に示す他の入力装置では、図３ないし図１３に示した近接センサ４３に代えて、モバイルライト７５及び照度センサ７６が設置されている。図１４に示すように、モバイルライト７５と高さ方向にて対向する加飾層１８には第１開口部１８ａが形成されており、照度センサ７６と高さ方向にて対向する加飾層１８には第２開口部１８ｂが形成されている。

図１４（ａ）に示すモバイルライト７５と第１開口部１８ａとの間が第１領域７７であり、照度センサ７６と第２開口部１８ｂとの間が第２領域７８である。カメラ撮影の際にモバイルライト７５から撮影したい人物等に光を照射させる。このとき、入力領域１１では、撮影風景が液晶ディスプレイ３０より映し出されている。照度センサ７６は、外部の光を受光し、それに合わせて液晶ディスプレイ３０のバックライト輝度を調整する。例えば周りが明るければバックライト輝度を落として画面を暗くし、周りが暗ければバックライト輝度を上げて画面を明るくする。このとき、モバイルライト７５から照射された光の一部が透明なプラスチック基材７３を第２領域７８に向けて透過しても、その途中にスリット部８０があるため、光ＩＲ２は図１４（ａ）に示すように拡散して第２領域７８及び照度センサ７６にまで届くのを抑制することが可能である。このため、照度センサ７６の誤検知を抑制できる。ここでは透明プラスチック基材７３が透明層に相当する。以下、図１４（ｂ）、図１４（ｃ）についても同様である。

図１４（ａ）（ｂ）に示すように、スリット部８０の第１領域７７側の第１側壁面８０ａ及び第２領域７８側の第２側壁面８０ｂは、夫々、前記スリット部８０の第１側壁面８０ａと第２側壁面８０ｂ間の幅寸法が裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向けて徐々に小さくなるように傾斜している。このようにスリット部８０の側壁面を傾斜させることで効果的に光を拡散できる。特に第１側壁面８０ａと第２側壁面８０ｂとで傾斜角度を異ならせることで、スリット部８０内にて光を有効に拡散でき、第２領域７８及び照度センサ７６へ光が漏れ出るのを抑制することが可能である。図１４（ｂ）に示すように、第１側壁面８０ａ及び第２側壁面８０ｂにスリット部８０の長手方向に延びる横ラインプリズム８２が高さ方向に複数、形成されている。あるいは第１側壁面８０ａ及び第２側壁面８０ｂを梨地処理（粗面処理）することも可能である。これにより第１領域７７側からスリット部８０へ侵入する光を、あるいはスリット部８０から第２領域７８側へ侵入する光をより効果的に拡散でき、照度センサ７６に入る光の量を効果的に抑制することができる。スリット部８０の側面全域に図１４（ｂ）に示した横ラインプリズム８２や梨地処理を施すことができるし、あるいは、第１側壁面８０ａと第２側壁面８０ｂの一方にのみ施してもよい。またスリット部８０に図６（ａ）で示した遮光膜４７を施すこともできる。

図１４（ｃ）は、加飾部１８に形成された第１開口部１８ａと第２開口部１８ｂ及びスリット部８０の平面形状を示したものであるが、図１４（ｃ）では、第１開口部１８ａを略矩形状とした。ただし第２開口部１８ｂと同様に円形状にすることもできるし、各開口部１８ａ、８ｂを円形、矩形以外の形状とすることも可能である。

またスリット部８０の平面形状は図１４（ｃ）に示す一定幅からなる直線状のみならず、図５に示したような波状等にすることも可能である。

図１４は抵抗膜式の入力装置であったが図１５のように静電容量式の入力装置に図１４の構成を適用することも可能である。

図１５に示す静電容量式の入力装置は、ガラスやプラスチック等で形成された天板（パネル）２０の裏面の非入力領域１２に加飾層１８が形成され、加飾層１８には、モバイルライト７５と高さ方向で対向する位置に第１開口部１８ａが形成され、照度センサ７６と高さ方向で対向する位置に第２開口部１８ｂが形成されている。第１開口部１８ａとモバイルライト７５との間が第１領域９０であり、第２開口部１８ｂと照度センサ７６との間が第２領域９１である。図１５に示すように、静電容量式センサを構成する下部基板８５と上部基板８６とが光学透明粘着層８７を介して接合されており、静電容量式センサの構成としては例えば図２と同様であるが、これに限定されるものでない。ここでは下部基板８５が透明層に該当する。

図１５では、下部基板８５にスリット部８０を形成したが、図１５の点線で示すようにスリット部８０は上部基板８６にまで連続して形成されていてもよい。この場合、下部基板８５、上部基板８６、光学透明粘着層８７等、天板２０よりも内方（裏面側）に位置する透明材料で形成された層が透明層である。なお透明層は、前記に挙げた透明材料で形成された層の少なくとも一つを指すものであり、スリット部８０を形成するための層は図１５に記載したものに限定されない。

図１４及び図１５に示したモバイルライト７５と照度センサ７６とを組み合わせた入力装置において、第１領域及び第２領域の双方、あるいは一方を空間部とすることも可能である。空間部とした場合は、図６で説明した遮光膜４７等を空間部内に施すことも可能である。

１０ 入力装置
１０ａ 表面
１０ｂ 裏面
１１ 入力領域
１２ 非入力領域
１３ 上部電極
１４ 下部電極
１６ センサ基板
１８ 加飾層
２０、６８ 天板
２１、６６ 上部基板
２２、６５ 下部基板
２４、６０ 下部透明基材
２５、６１ 上部透明基材
２６、２７、２８、６７、６９ 光学透明粘着層
２９ ハードコートフィルム
３１ 第１空間部
３１ｂ、３２ｂ、８０ａ、８０ｂ 側壁面
３２ 第２空間部
３６、４５、４６、８０ スリット部
４０ 外部物体
４１ 光源
４２ 受光素子
４３ 近接センサ
４７ 遮光膜
４８ 粗し加工部
４９、５０ 傾斜面
７１、７７ 第１領域
７２、７８ 第２領域
７３ プラスチック基材
７５ モバイルライト
７６ 照度センサ
８２ 横ラインプリズム

Claims (24)

1. 操作面の操作位置を検出可能であり、透明層を有してなる入力装置において、
   前記入力装置の裏面と表面との間にて光を通すことが可能で互いに離れた位置にある第１領域及び第２領域と、
   前記第１領域の前記裏面側から前記表面側に向けて光を出射したときに、前記光が、前記第１領域から前記透明層内を透過し、前記第２領域内に入るのを抑制するための抑制部と、を有することを特徴とする入力装置。
2. 前記抑制部は、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する前記透明層に形成された間隙部である請求項１記載の入力装置。
3. 前記間隙部はスリット状で形成されている請求項２記載の入力装置。
4. 前記スリットの平面形状は、凹凸を繰り返す形状である請求項３記載の入力装置。
5. 前記間隙部の前記第１領域側の第１側壁面、あるいは前記第２領域側の第２側壁面の少なくとも一方が、前記裏面側から前記表面側に向けて傾斜面で形成されている請求項２ないし４のいずれか１項に記載の入力装置。
6. 前記第１側壁面、あるいは前記第２側壁面に粗面処理、プリズム、または遮光膜が施されている請求項５記載の入力装置。
7. 前記間隙部の開口部が加飾層及び透明の天板により塞がれている請求項２ないし６のいずれか１項に記載の入力装置。
8. 前記第１領域及び前記第２領域は、夫々、空間で形成された第１空間部及び第２空間部を構成する請求項１ないし７のいずれか１項に記載の入力装置。
9. 前記第１空間部あるいは前記第２空間部の少なくとも一方であって、前記透明層を介して前記第１空間部と前記第２空間部とが対面する側壁面に前記抑制部としての遮光膜が形成される請求項８記載の入力装置。
10. 前記第１空間部あるいは前記第２空間部の少なくとも一方であって、前記透明層を介して前記第１空間部と前記第２空間部とが対面する側壁面を粗して、あるいは前記側壁面にプリズムを施した前記抑制部が形成される請求項８又は９に記載の入力装置。
11. 前記透明層を介して前記第１空間部と対面する前記第２空間部の側壁面に、前記裏面側から前記表面側にかけて徐々に前記第１空間部の方向に傾く前記抑制部としての傾斜面が形成されている請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の入力装置。
12. 前記透明層として透明基材と透明電極とを有するセンサ基板が設けられ、前記センサ基板に貫通する前記第１空間部及び前記第２空間部が形成されている請求項８ないし１１のいずれか１項に記載の入力装置。
13. 前記センサ基板が透明の天板に支持されており、前記第１空間部及び前記第２空間部の表面側の開口部が前記天板により塞がれている請求項１２記載の入力装置。
14. 前記センサ基板は、静電容量式の構造である請求項１２又は１３に記載の入力装置。
15. 前記透明基材は、下部透明基材と上部透明基材とを有し、前記下部透明基材及び前記上部透明基材の夫々に前記透明電極が形成されている請求項１４記載の入力装置。
16. 前記透明基材の両面に前記透明電極が形成される請求項１４記載の入力装置。
17. 前記透明基材の同じ面に全ての前記透明電極が形成される請求項１４記載の入力装置。
18. 前記センサ基板は、抵抗膜式の構造である請求項１２又は１３に記載の入力装置。
19. 前記第１空間部及び前記第２空間部の平面形状は円である請求項８ないし１８のいずれか１項に記載の入力装置。
20. 表面が操作面で構成される入力領域と、前記入力領域の周囲に位置する非入力領域とが設けられ、前記入力領域では、厚み方向に光が透過し、前記非入力領域では厚み方向に光が透過しないように前記透明層以外に加飾層が設けられて非透光性で構成されており、前記第１領域、前記第２領域及び前記抑制部は、前記非入力領域に設けられており、前記加飾層には、前記第１領域及び前記第２領域と対向する位置に開口部が形成されている請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の入力装置。
21. 最も裏面側に位置する透明基材に少なくとも前記抑制部が設けられている請求項１ないし２０のいずれか１項に記載の入力装置。
22. 前記第１領域の裏面側に配置された光出射部と、前記第２領域の裏面側に配置された受光部と、を有する請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の入力装置。
23. 前記光出射部は、近接センサを構成する光源であり、前記受光部は、前記近接センサを構成する受光素子である請求項２２記載の入力装置。
24. 前記光出射部は、ライト部であり、前記受光部は、照度センサである請求項２２記載の入力装置。

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