JP4946476B2

JP4946476B2 - Organic EL device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP4946476B2
Application number: JP2007025145A
Authority: JP
Inventors: 周一武井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2007-02-05
Filing date: 2007-02-05
Publication date: 2012-06-06
Anticipated expiration: 2027-02-05
Also published as: JP2008192442A

Description

本発明は、有機ＥＬ装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to an organic EL device and a method for manufacturing the same.

近年、液晶装置に代表される電気光学装置の一種として、バックライト等を必要とせずに自発光する有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）素子を備えた有機ＥＬ装置が注目されている。有機ＥＬ素子は、対向する一対の電極間に有機機能膜、すなわち有機発光層等を備えて構成されたものであり、フルカラー表示を行う有機ＥＬ装置は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する発光波長帯域を有する有機ＥＬ素子（発光素子）を備えて構成されたものである。 2. Description of the Related Art In recent years, attention has been paid to an organic EL device including an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element that emits light without requiring a backlight or the like as a type of electro-optical device typified by a liquid crystal device. The organic EL element is configured to include an organic functional film, that is, an organic light emitting layer between a pair of opposed electrodes, and an organic EL device that performs full-color display includes red (R), green (G), An organic EL element (light emitting element) having an emission wavelength band corresponding to each color of blue (B) is provided.

このような有機ＥＬ装置を形成する有力な方法としてインクジェット法等の液滴吐出法を用いた手法がある。この手法は、基板上に形成された第１の電極上に隔壁を設けて、画素領域を区画化し、その画素領域ごとに有機機能膜形成用の液体材料を充填する方法であり、液体材料を乾燥させることで有機機能膜を形成する。
また、有機機能膜を形成した後に、第２の電極を、蒸着法等の気相法によって、隔壁上および有機機能膜上に一括して形成する。 As an effective method for forming such an organic EL device, there is a method using a droplet discharge method such as an inkjet method. This method is a method in which a partition is provided on a first electrode formed on a substrate to partition a pixel region, and a liquid material for forming an organic functional film is filled in each pixel region. An organic functional film is formed by drying.
Further, after the organic functional film is formed, the second electrode is collectively formed on the partition wall and the organic functional film by a vapor phase method such as a vapor deposition method.

液滴吐出法を用いた手法によれば、同一基板上に発光波長帯域が異なる複数の有機機能膜を、同時に形成できる利点がある。しかしながらこの手法では、液体材料が乾燥する際にその体積が大幅に減少するため、有機機能膜の膜厚に比べて大量の液体材料を画素領域に充填する必要があり、液体材料が隔壁を越えて隣の画素領域の液体材料と混ざり合うことによって、所望の発光層が得られないことがあった。 According to the method using the droplet discharge method, there is an advantage that a plurality of organic functional films having different emission wavelength bands can be simultaneously formed on the same substrate. However, in this method, when the liquid material is dried, its volume is greatly reduced. Therefore, it is necessary to fill the pixel area with a larger amount of liquid material than the thickness of the organic functional film. In some cases, a desired light emitting layer may not be obtained by mixing with the liquid material in the adjacent pixel region.

このような不都合を解決する方法として、特許文献１にはプラズマ処理によって隔壁の上面を撥液加工する方法が開示されており、また、特許文献２には親液性の無機材料からなる電極上に、特許文献１の方法で隔壁を形成する方法が開示されている。
特開２００２−３７２９２１号公報特開２００２−３３４７８２号公報 As a method for solving such inconvenience, Patent Document 1 discloses a method of performing liquid-repellent processing on the upper surface of the partition wall by plasma treatment, and Patent Document 2 discloses a method on an electrode made of a lyophilic inorganic material. The method of forming a partition by the method of patent document 1 is disclosed.
JP 2002-372921 A JP 2002-334882 A

先述のように、特許文献１や特許文献２の方法によれば、区画された画素領域から液体材料が溢れ出ることを防止できると期待される。しかしながら、例えば有機ＥＬ装置の耐久性（寿命）を向上させるために、有機機能膜を厚く形成しようとすると、有機機能膜上に形成された第２の電極が、隔壁上に形成された第２の電極（配線）から断線してしまうおそれがある。 As described above, according to the methods of Patent Document 1 and Patent Document 2, it is expected that the liquid material can be prevented from overflowing from the partitioned pixel region. However, for example, in order to improve the durability (lifetime) of the organic EL device, if the organic functional film is formed thick, the second electrode formed on the organic functional film is formed on the partition wall. There is a risk of disconnection from the electrode (wiring).

すなわち、有機機能膜を厚くしようとすると、さらに大量の液体材料を画素領域に充填する必要があり、液体材料が画素領域から溢れ出てしまう。これを防止するために、隔壁を高くすると、隔壁上と有機機能膜上との間に大きな段差ができてしまう。このような大きな段差がある状態で、蒸着法等の一般的な気相法で第２の電極を形成すると、カバレッジ性が悪くなることにより、形成された第２の電極は、隔壁上と有機機能膜上との間で、不連続なものとなってしまうおそれがある。このような断線によって、電力が供給されない有機機能膜があると、色むらや色落ちが生じてしまう。 In other words, when the organic functional film is to be thickened, it is necessary to fill the pixel region with a larger amount of liquid material, and the liquid material overflows from the pixel region. In order to prevent this, when the partition is made high, a large step is formed between the partition and the organic functional film. When the second electrode is formed by a general vapor phase method such as a vapor deposition method in a state where there is such a large step, the coverage is deteriorated, so that the formed second electrode is formed on the partition wall and the organic layer. There is a risk of discontinuity with the functional film. If there is an organic functional film to which power is not supplied due to such disconnection, uneven color and discoloration will occur.

また、画素領域を囲む隔壁面をテーパ面とすることによって、画素領域の容積を大きくし、また、カバレッジ性を改善する方法も考えられるが、そのためには、隔壁側面を緩やかなテーパ面（傾斜面）とする必要があり、そのため液体材料が流れ出しやすくなってしまい、液体材料が画素領域から溢れ出てしまうことを十分に防止することができなくなってしまう。 In addition, a method of increasing the volume of the pixel region and improving the coverage by making the partition surface surrounding the pixel region a tapered surface is also conceivable. For this purpose, the side surface of the partition wall is gently tapered (inclined). Therefore, the liquid material easily flows out, and the liquid material cannot sufficiently be prevented from overflowing from the pixel region.

本発明は、上記のような現状を鑑みてなされたもので、隔壁を高くした場合でも、有機機能膜上の第２電極の断線に起因する不都合を防止し、第２の電極を正常に機能させることができるようにした有機ＥＬ装置とその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described situation, and even when the partition walls are raised, inconvenience due to disconnection of the second electrode on the organic functional film is prevented, and the second electrode functions normally. An object of the present invention is to provide an organic EL device and a method for manufacturing the same.

本発明の有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成され、前記第１の電極を画素領域ごとに区画する開口部を有した隔壁と、前記開口部内に形成された有機機能膜と、前記有機機能膜上に形成された第２の電極とを有し、
前記隔壁には、前記開口部を囲む周上の少なくとも一部に、前記開口部に通じる溝状の切欠部が設けられ、
前記第２の電極は、前記隔壁上と、前記切欠部内と、前記有機機能膜上との全面を覆って形成され、かつ、少なくとも前記切欠部内と前記有機機能膜上との間に連続して設けられていることを特徴とする。 The organic EL device of the present invention has a substrate, a first electrode formed on the substrate, and an opening formed on the first electrode and partitioning the first electrode for each pixel region. A partition wall, an organic functional film formed in the opening, and a second electrode formed on the organic functional film,
The partition wall is provided with a groove-shaped notch that communicates with the opening at least at a part of the circumference surrounding the opening.
The second electrode is formed so as to cover the entire surface of the partition, in the notch, and on the organic functional film, and at least continuously between the notch and the organic functional film. It is provided.

このような有機ＥＬ装置にあっては、前記隔壁を高くした場合でも、前記有機機能膜上と前記切欠部内との段差を小さくできる。したがって、前記有機機能膜上と前記切欠部内との間に連続して第２の電極を形成する方法として、蒸着法等の、一般的な気相法を用いることができ、生産効率を著しく高めることができる。
また、前記隔壁を高くすることができるため、例えば液滴吐出法等を用いた手法によって前記有機機能膜を形成する場合に、前記画素領域に前記有機機能膜の材料をより大量に充填することができ、前記有機機能膜を厚くできる。よって、前記有機機能膜の耐久性（寿命）を向上させることができ、この有機機能膜を備えた有機ＥＬ装置は長寿命となる。 In such an organic EL device, even when the partition is made high, the step between the organic functional film and the notch can be reduced. Therefore, a general vapor phase method such as a vapor deposition method can be used as a method of continuously forming the second electrode between the organic functional film and the inside of the notch, and the production efficiency is remarkably increased. be able to.
Further, since the partition wall can be made high, for example, when the organic functional film is formed by a method using a droplet discharge method or the like, a larger amount of the organic functional film material is filled in the pixel region. And the organic functional film can be thickened. Therefore, the durability (life) of the organic functional film can be improved, and the organic EL device provided with the organic functional film has a long life.

また、前記隔壁の切欠部は、複数の開口部から延びたものが連通されていることが好ましく、特に配列された前記画素領域を、行または列ごとに連通して設置されていることがより好ましい。
このような構成とすれば、前記切欠部に形成された第２の電極と画素の駆動回路との間の配線を簡略化することができる。
また、例えば前記隔壁を高くすることによって、前記隔壁上と前記有機機能膜上との間で第２の電極が不連続となるような構成とすれば、前記有機機能膜への電力供給は、前記切欠部内の第２の電極（引き込み配線）を介してのみ行われるようになる。したがって、配列された前記画素領域の行や列ごとに、独立した配線となり、画素を行や列ごとに独立して駆動することができる。よって、発光むら等を画素の駆動制御によって調整し改善することが可能となる。 In addition, it is preferable that the notches of the partition walls communicate with each other extending from a plurality of openings, and it is more preferable that the arranged pixel regions are arranged in communication for each row or column. preferable.
With such a configuration, the wiring between the second electrode formed in the notch and the pixel driving circuit can be simplified.
Further, for example, if the second electrode is discontinuous between the partition wall and the organic functional film by increasing the partition wall, the power supply to the organic functional film is as follows: This is done only via the second electrode (lead-in wiring) in the notch. Therefore, independent wiring is provided for each row or column of the arranged pixel region, and the pixels can be driven independently for each row or column. Accordingly, it is possible to adjust and improve unevenness of light emission and the like by pixel drive control.

また、前記隔壁の切欠部は、その内面が撥液性を有することが好ましい。
このような構成とすれば、例えば液滴吐出法を用いた手法によって有機機能膜を形成する場合に、前記有機機能膜の液体材料が、前記画素領域から前記切欠部内に流れ出し、前記切欠部に濡れ広がることを防止できる。したがって、前記開口部内に前記有機機能膜の液体材料を所定量配することができ、これにより有機機能膜を所定の厚さにすることができる。 Moreover, it is preferable that the inner surface of the notch of the partition wall has liquid repellency.
With such a configuration, for example, when the organic functional film is formed by a technique using a droplet discharge method, the liquid material of the organic functional film flows out from the pixel region into the cutout portion, and enters the cutout portion. We can prevent wetting and spreading. Therefore, a predetermined amount of the liquid material of the organic functional film can be arranged in the opening, and thereby the organic functional film can be made to have a predetermined thickness.

また、前記隔壁の開口部を囲む側面は、少なくともその一部が、前記第１の電極側から前記第２の電極側に向かってその開口径を縮小するような傾斜面となっている構成とすることもできる。
このような構成とすれば、例えば気相法によって、前記隔壁上と前記有機機能膜上とに第２の電極を一括して形成した際に、前記傾斜面（逆テーパ面）によって、前記第２の電極のカバレッジ性が損なわれる。したがって、形成された第２の電極は、前記隔壁上と前記有機機能膜上との間で不連続となり、先述のように画素を行や列ごとに独立して駆動させる場合に、行や列ごとの配線をより確実に独立させることができる。 Further, the side surface surrounding the opening of the partition wall has a configuration in which at least a part thereof is an inclined surface that reduces the opening diameter from the first electrode side toward the second electrode side. You can also
With such a configuration, when the second electrodes are collectively formed on the partition wall and the organic functional film by, for example, a vapor phase method, the inclined surface (reverse tapered surface) causes the first electrode to be formed. The coverage of the second electrode is impaired. Therefore, the formed second electrode is discontinuous between the partition and the organic functional film, and when the pixels are driven independently for each row or column as described above, the row or column Each wiring can be more reliably made independent.

本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、
基板上に第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に、前記第１の電極を画素領域ごとに区画する開口部を有し、前記開口部を囲む周上の少なくとも一部において前記開口部と通じる溝状の切欠部を有する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁の開口部内に液相法で有機機能膜を形成する工程と、
前記隔壁上と、前記切欠部内と、前記有機機能膜上との全面を覆って第２の電極を気相法で形成する工程と、を有することを特徴とする。 The manufacturing method of the organic EL device of the present invention is as follows:
Forming a first electrode on a substrate;
On the first electrode, there is an opening that divides the first electrode for each pixel region, and at least a part of the circumference surrounding the opening has a groove-shaped notch that communicates with the opening. Forming a partition;
Forming an organic functional film in the opening of the partition wall by a liquid phase method;
And a step of forming a second electrode by a vapor phase method so as to cover the entire surface of the partition, the inside of the notch, and the organic functional film.

このような方法によれば、前記隔壁を高くした場合でも、前記有機機能膜上と前記切欠部内との段差が小さい有機ＥＬ装置を製造できる。したがって、前記有機機能膜上と前記切欠部内との間に連続して第２の電極を形成する方法として、蒸着法等の、一般的な方法を用いることができ、生産効率を著しく高めることができる。
また、前記隔壁を高くすることができるため、例えば液滴吐出法等の液相法によって前記有機機能膜を形成する場合に、前記画素領域に前記有機機能膜の材料をより大量に充填することができ、前記有機機能膜を厚くできる。よって、前記有機機能膜の耐久性（寿命）を向上させることができ、この有機機能膜を備えた長寿命の有機ＥＬ装置を製造することができる。 According to such a method, an organic EL device having a small step between the organic functional film and the cutout can be manufactured even when the partition wall is made high. Therefore, a general method such as a vapor deposition method can be used as a method for continuously forming the second electrode between the organic functional film and the inside of the notch, which can significantly increase the production efficiency. it can.
Further, since the partition walls can be made high, for example, when the organic functional film is formed by a liquid phase method such as a droplet discharge method, the pixel region is filled with a larger amount of the material of the organic functional film. And the organic functional film can be thickened. Therefore, durability (life) of the organic functional film can be improved, and a long-life organic EL device including the organic functional film can be manufactured.

前記隔壁を形成する工程は、
前記第１の電極上に、前記画素領域において第１の電極を露出させた状態で、第１の隔壁を形成する工程と、
前記第１の隔壁上に、前記切欠部を有した状態で、第２の隔壁を形成する工程と、を有することが好ましい。
このような方法によれば、前記切欠部が形成された前記隔壁を、簡便に製造することができる。 The step of forming the partition includes
Forming a first partition on the first electrode in a state where the first electrode is exposed in the pixel region;
Preferably, the method includes a step of forming a second partition on the first partition in a state where the notch is provided.
According to such a method, the said partition in which the said notch part was formed can be manufactured simply.

また、前記隔壁を形成する工程と、前記有機機能膜を形成する工程との間に、前記隔壁に撥液性を付与する工程を有することが好ましい。
このような方法によれば、前記隔壁の内部と上面と、前記切欠部内に撥液性を確実に付与することができる。したがって、例えば液滴吐出法を用いた手法によって前記有機機能膜を形成する場合に、前記有機機能膜の液体材料が、前記画素領域から前記切欠部に流れ出し、前記切欠部に濡れ広がることが防止される。したがって、前記開口部内に前記有機機能膜の液体材料を所定量配することができ、これにより所定の厚さの有機機能膜を備えた有機ＥＬ装置を製造することができる。 Moreover, it is preferable to have the process of providing liquid repellency to the said partition between the process of forming the said partition, and the process of forming the said organic functional film.
According to such a method, liquid repellency can be reliably imparted to the inside and upper surface of the partition and the notch. Therefore, for example, when the organic functional film is formed by a technique using a droplet discharge method, the liquid material of the organic functional film is prevented from flowing out from the pixel region to the notch and spreading into the notch. Is done. Therefore, a predetermined amount of the liquid material of the organic functional film can be disposed in the opening, and thus an organic EL device including an organic functional film having a predetermined thickness can be manufactured.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the technical scope of the present invention is not limited to the following embodiments. In the drawings used for the following description, the scale of each member is appropriately changed in order to make each member a recognizable size.

図１は、本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態の配線構造を示す説明図である。図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａを形成したものである。 FIG. 1 is an explanatory view showing a wiring structure of an embodiment of the organic EL device of the present invention. As shown in FIG. 1, the organic EL device 1 of the present embodiment includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction intersecting the scanning lines 101, and a plurality extending in parallel with the signal lines 102. The power source line 103 is wired, and the pixel region A is formed in the vicinity of each intersection of the scanning line 101 and the signal line 102.

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。また、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１１３と、この駆動用薄膜トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む第１の電極（画素電極）１１１と、この画素電極１１１と第２の電極（対向電極）１２との間に挟み込まれた有機機能膜１１０とが設けられている。
なお、第１の電極（画素電極）１１１および第２の電極（対向電極）１２と、有機機能膜１１０とを備えてなることにより、有機ＥＬ素子が構成されており、本実施形態では、第１の電極（画素電極）１１１は陽極として、第２の電極（対向電極）１２は陰極として、それぞれ機能するようになっている。 Connected to the signal line 102 is a data side driving circuit 104 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch. A scanning side driving circuit 105 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101. In each of the pixel regions A, a switching thin film transistor 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101 and a pixel signal supplied from the signal line 102 via the switching thin film transistor 112 are provided. Is electrically connected to the power supply line 103 via the driving thin film transistor 113, the driving thin film transistor 113 to which the pixel signal held by the holding capacity cap is supplied to the gate electrode, and the driving thin film transistor 113. Are provided with a first electrode (pixel electrode) 111 into which a driving current flows from the power supply line 103 and an organic functional film 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the second electrode (counter electrode) 12. ing.
Note that an organic EL element is configured by including the first electrode (pixel electrode) 111, the second electrode (counter electrode) 12, and the organic functional film 110. One electrode (pixel electrode) 111 functions as an anode, and the second electrode (counter electrode) 12 functions as a cathode.

このような構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに有機機能膜１１０を介して対向電極１２に電流が流れる。すると、有機機能膜１１０はこれを流れる電流量に応じて発光する。 According to such a configuration, when the scanning line 101 is driven and the switching thin film transistor 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor cap, and according to the state of the holding capacitor cap. The on / off state of the driving thin film transistor 113 is determined. Then, a current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 111 through the channel of the driving thin film transistor 113, and further a current flows to the counter electrode 12 through the organic functional film 110. Then, the organic functional film 110 emits light according to the amount of current flowing through it.

図２は、図１に示した有機ＥＬ装置の平面模式図である。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、基板２と、画素領域Ａが配列された表示領域Ｐと、フレキシブル基板５と、駆動ＩＣ６（駆動回路）とを備えている。前記対向電極１２は、その一端が基板２上に形成された陰極用配線（図示略）に接続されており、図２に示すように、この配線の一端部１２ａがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。なお、この配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。 FIG. 2 is a schematic plan view of the organic EL device shown in FIG. The organic EL device 1 of the present embodiment includes a substrate 2, a display region P in which pixel regions A are arranged, a flexible substrate 5, and a drive IC 6 (drive circuit). One end of the counter electrode 12 is connected to a cathode wiring (not shown) formed on the substrate 2, and one end 12 a of the wiring is connected to a wiring 5 a on the flexible substrate 5 as shown in FIG. 2. It is connected to the. The wiring 5 a is connected to a driving IC 6 (driving circuit) provided on the flexible substrate 5.

図３は、表示領域Ｐの要部を基板２の上面側から平面視した模式図である。詳しくは後述するが、基板２上には回路素子部（図示せず）が形成されており、その回路素子部上に前記画素電極１１１が設けられている。この画素電極１１１上を区画して隔壁４が形成されており、前記隔壁４の開口部４ａ内が画素領域Ａとなっている。前記隔壁４には、前記開口部４ａに通じる溝状の切欠部４２が設けられている。切欠部４２は、開口部４ａから延びる支線部４２１と、画素領域配列において、例えば走査線に対応する行ごとに前記支線部４２１を束ねる幹線部４２２と、から構成されている。開口部４ａ内の画素電極１１１上には、有機機能膜（図示せず）が形成されており、その有機機能膜上と、隔壁４上と、切欠部４２内とには、対向電極（図示せず）が形成されている。 FIG. 3 is a schematic view of the main part of the display area P as viewed from the upper surface side of the substrate 2. As will be described in detail later, a circuit element portion (not shown) is formed on the substrate 2, and the pixel electrode 111 is provided on the circuit element portion. A partition wall 4 is formed by partitioning the pixel electrode 111, and the opening 4 a of the partition wall 4 is a pixel region A. The partition wall 4 is provided with a groove-shaped notch 42 that communicates with the opening 4a. The cutout portion 42 includes a branch line portion 421 extending from the opening 4a and a main line portion 422 that bundles the branch line portions 421 for each row corresponding to a scanning line in the pixel region array. An organic functional film (not shown) is formed on the pixel electrode 111 in the opening 4a. A counter electrode (shown in the figure) is formed on the organic functional film, on the partition wall 4, and in the notch 42. (Not shown) is formed.

図４は、図３のＸ−Ｘ断面図である。本実施形態では、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１を例に説明を行う。ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１においては、基板２および回路素子部１４は透明な材料からなっており、有機機能膜１１０から基板２側に発した光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の外側（観測者側）に出射されるとともに、有機機能膜１１０から基板２と反対の側に発した光も、対向電極１２に反射されて回路素子部１４及び基板２を透過し、基板２の外側（観測者側）に出射される。 4 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. In the present embodiment, the bottom emission type organic EL device 1 will be described as an example. In the bottom emission type organic EL device 1, the substrate 2 and the circuit element unit 14 are made of a transparent material, and light emitted from the organic functional film 110 toward the substrate 2 passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2. The light emitted from the organic functional film 110 to the side opposite to the substrate 2 is also reflected by the counter electrode 12 and transmitted through the circuit element unit 14 and the substrate 2. Then, the light is emitted to the outside (observer side) of the substrate 2.

図４に示すように、基板２上に形成される有機ＥＬ素子３は、画素電極１１１と、正孔注入層６０および発光層７０からなる有機機能膜１１０と、対向電極１２とによって構成されている。また、基板２の厚さ方向において、前記有機ＥＬ素子３を含むＥＬ素子部１０と基板２との間には、回路素子部１４が形成されている。この回路素子部１４には、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が形成されている。 As shown in FIG. 4, the organic EL element 3 formed on the substrate 2 includes a pixel electrode 111, an organic functional film 110 including a hole injection layer 60 and a light emitting layer 70, and a counter electrode 12. Yes. In the thickness direction of the substrate 2, a circuit element portion 14 is formed between the EL element portion 10 including the organic EL element 3 and the substrate 2. In the circuit element portion 14, the above-described scanning line, signal line, storage capacitor, switching thin film transistor, driving thin film transistor 123, and the like are formed.

回路素子部１４には、基板２上にＳｉＯ_２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ_２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域が、チャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ_２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。 In the circuit element portion 14, a base protective layer 281 mainly composed of SiO ₂ is formed on the substrate 2 as a base, and a silicon layer 241 is formed thereon. A gate insulating layer 282 mainly composed of SiO ₂ and / or SiN is formed on the surface of the silicon layer 241.
In the silicon layer 241, a region overlapping with the gate electrode 242 with the gate insulating layer 282 interposed therebetween is a channel region 241a. The gate electrode 242 is a part of a scanning line (not shown). On the other hand, a first interlayer insulating layer 283 mainly composed of SiO ₂ is formed on the surface of the gate insulating layer 282 that covers the silicon layer 241 and on which the gate electrode 242 is formed.

また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。 Further, in the silicon layer 241, a low concentration source region 241b and a high concentration source region 241S are provided on the source side of the channel region 241a, while a low concentration drain region 241c and a high concentration drain are provided on the drain side of the channel region 241a. The region 241D is provided to form a so-called LDD (Light Doped Drain) structure. Among these, the high-concentration source region 241S is connected to the source electrode 243 through a contact hole 243a that opens over the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283. The source electrode 243 is configured as a part of a power supply line (not shown). On the other hand, the high-concentration drain region 241D is connected to the drain electrode 244 made of the same layer as the source electrode 243 through a contact hole 244a that opens through the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283.

ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、駆動用ＴＦＴ１２３やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。 A planarization film 284 is formed on the first interlayer insulating layer 283 where the source electrode 243 and the drain electrode 244 are formed. The planarizing film 284 is formed of a heat-resistant insulating resin such as acrylic or polyimide, and is formed to eliminate surface irregularities due to the driving TFT 123, the source electrode 243, the drain electrode 244, and the like. Are known.

そして、この平坦化膜２８４の表面上には画素電極１１１が形成されており、この画素電極１１１は、前記平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。なお、画素電極１１１は、ボトムエミッション型である本実施形態では、透明導電材料によって形成され、具体的にはＩＴＯが好適に用いられている。 A pixel electrode 111 is formed on the surface of the planarization film 284, and the pixel electrode 111 is connected to the drain electrode 244 through a contact hole 111a provided in the planarization film 284. . That is, the pixel electrode 111 is connected to the high concentration drain region 241D of the silicon layer 241 through the drain electrode 244. In this embodiment, which is a bottom emission type, the pixel electrode 111 is formed of a transparent conductive material, and specifically, ITO is suitably used.

画素電極１１１が形成された平坦化膜２８４の表面上には、画素電極１１１と、これの周縁部を覆う無機隔壁４０とが形成されており、さらにこの無機隔壁４０上には、有機隔壁４１が形成されている。また、画素電極１１１上には、無機隔壁４０に形成された開口部４０ａと、有機隔壁４１に形成された開口部４ａとの内部、すなわち画素領域Ａに、前記した正孔注入層６０と発光層７０とが、画素電極１１１側からこの順で積層され、これによって有機機能膜１１０が形成されている。 On the surface of the planarization film 284 on which the pixel electrode 111 is formed, the pixel electrode 111 and an inorganic partition wall 40 that covers the peripheral edge of the pixel electrode 111 are formed. Further, an organic partition wall 41 is formed on the inorganic partition wall 40. Is formed. In addition, on the pixel electrode 111, the hole injection layer 60 and the light emission are emitted inside the opening 40 a formed in the inorganic partition wall 40 and the opening 4 a formed in the organic partition wall 41, that is, in the pixel region A. The layer 70 is laminated in this order from the pixel electrode 111 side, whereby the organic functional film 110 is formed.

なお、前記有機機能膜１１０において正孔注入層６０は、正孔を発光層７０に注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入層６０内部において輸送する機能をも有している。このような正孔注入層６０を画素電極１１１と発光層７０の間に設けることにより、発光層７０の発光効率、寿命等の素子特性を向上させることができる。発光層７０では、正孔注入層６０から注入された正孔と、対向電極１２から注入される電子とが再結合し、発光をなすようになっている。 In the organic functional film 110, the hole injection layer 60 has a function of injecting holes into the light emitting layer 70 and also has a function of transporting holes inside the hole injection layer 60. By providing such a hole injection layer 60 between the pixel electrode 111 and the light emitting layer 70, element characteristics such as light emission efficiency and lifetime of the light emitting layer 70 can be improved. In the light emitting layer 70, the holes injected from the hole injection layer 60 and the electrons injected from the counter electrode 12 are recombined to emit light.

正孔注入層６０は、その形成材料として、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を含有する液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させあるいは溶解させた液が好適に用いられている。 The hole injection layer 60 is a liquid containing 3,4-polyethylenedioxythiophene-polystyrene sulfonic acid (PEDOT-PSS) as a forming material, that is, 3,4-polyethylene in polystyrene sulfonic acid as a dispersion medium. A liquid in which dioxythiophene is dispersed and further dispersed or dissolved in water is preferably used.

また、発光層７０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。発光層７０の形成材料として具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、このような発光層７０を形成する材料としては、特にフルカラー表示をなす場合、赤色、緑色、青色の各波長域に対応する光を発光する材料が用いられ、それぞれが予め設定された状態に形成配置される。 As a material for forming the light emitting layer 70, a known light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence is used. Specific examples of the material for forming the light emitting layer 70 include (poly) fluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), and polyvinylcarbazole (PVK). ), Polythiophene derivatives, and polysilanes such as polymethylphenylsilane (PMPS) are preferably used. In addition, these polymer materials include polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, and quinacridone. It can also be used by doping a low molecular weight material such as.
In addition, as a material for forming such a light emitting layer 70, in particular, in the case of full color display, a material that emits light corresponding to each of the red, green, and blue wavelength ranges is used, and each of the materials is set in advance. Is formed and arranged.

対向電極１２は、前記発光層７０を覆って形成されたもので、例えばＣａが厚さ５ｎｍ程度に形成され、その上にＡｌが厚さ３００ｎｍ程度に形成されて構成されたものである。このような積層構造の電極とされたことにより、特にＡｌは反射層としても機能するものとなっている。なお、対向電極１２についても透明な材料を用いれば、発光した光を対向電極１２側からも出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いることができる。膜厚としては、透明性を確保するうえで、７５ｎｍ程度とするのが好ましく、さらにこの膜厚より薄くするのがより好ましい。
また、この対向電極１２上には、接着層５１を介して封止基板（図示せず）が貼着されている。 The counter electrode 12 is formed so as to cover the light emitting layer 70. For example, Ca is formed to a thickness of about 5 nm, and Al is formed thereon to a thickness of about 300 nm. Since the electrode has such a laminated structure, particularly Al functions as a reflective layer. If a transparent material is used for the counter electrode 12 as well, the emitted light can be emitted from the counter electrode 12 side. As the transparent material, ITO, Pt, Ir, Ni, or Pd can be used. The film thickness is preferably about 75 nm in order to ensure transparency, and more preferably thinner than this film thickness.
Further, a sealing substrate (not shown) is stuck on the counter electrode 12 via an adhesive layer 51.

図５は、図３のＹ−Ｙ′線矢視断面の模式図であり、これを用いて隔壁４の構造を説明する。本実施形態の隔壁４は、回路素子部１４上および画素電極１１１上に形成された無機隔壁４０と、この無機隔壁４０上に形成された第１の有機隔壁４１１（第１の隔壁）と、前記第１の有機隔壁４１１上に形成された第２の有機隔壁４１２（第２の隔壁）と、から構成されている。無機隔壁４０と第１の有機隔壁４１１は、画素電極１１１の周縁上を覆い、かつその中央部を露出させる開口部を有して形成されており、また、第２の有機隔壁４１２は、前記第１の有機隔壁４１１上において、前記切欠部４２（図３参照）に対応する線状部を除いて形成されている。したがって、この線状部は、隔壁４の上面側から観察すると、第１の有機隔壁４１１の上面を底面とし、第２の有機隔壁４１２を側面とする溝状の切欠部４２を形成している。切欠部４２は、開口部から延びる支線部４２１と、他の画素領域と連通する幹線部４２２とから構成されている。 FIG. 5 is a schematic diagram of a cross section taken along line YY ′ of FIG. 3, and the structure of the partition 4 will be described using this. The partition wall 4 of this embodiment includes an inorganic partition wall 40 formed on the circuit element unit 14 and the pixel electrode 111, a first organic partition wall 411 (first partition wall) formed on the inorganic partition wall 40, The second organic partition 412 (second partition) is formed on the first organic partition 411. The inorganic partition 40 and the first organic partition 411 are formed to have an opening that covers the periphery of the pixel electrode 111 and exposes the center thereof, and the second organic partition 412 On the 1st organic partition 411, it forms except the linear part corresponding to the said notch part 42 (refer FIG. 3). Accordingly, when the linear portion is observed from the upper surface side of the partition wall 4, a groove-shaped notch 42 having the upper surface of the first organic partition wall 411 as the bottom surface and the second organic partition wall 412 as the side surface is formed. . The cutout portion 42 includes a branch line portion 421 extending from the opening portion and a main line portion 422 communicating with other pixel regions.

本実施形態では、無機隔壁４０はＳｉＯ_２からなっており、有機機能膜１１０形成用の液体材料に対して親液性を有している。また、有機隔壁４１はアクリル系やポリイミド系等の耐熱性絶縁性樹脂からなっており、前記液体材料に対して撥液性を有している。 In the present embodiment, the inorganic partition 40 is made of SiO ₂ and has lyophilicity with respect to the liquid material for forming the organic functional film 110. The organic partition 41 is made of a heat-resistant insulating resin such as acrylic or polyimide, and has liquid repellency with respect to the liquid material.

前記開口部には、正孔注入層６０と発光層７０等からなる有機機能膜１１０が形成されている。また、有機機能膜１１０上と隔壁４上とには、蒸着法などの気相法によって、対向電極１２が一括して形成されており、画素電極１１１と、対向電極１２と、これらに挟まれた有機機能膜１１０とによって有機ＥＬ素子３が構成されている。
なお、対向電極１２は、有機機能膜１１０に電力を供給する経路（通電経路）として、第２の有機隔壁４１２上から直接隔壁４の開口部４ａ内を下降することで有機機能膜１１０に通じる第１経路と、隔壁４に形成された前記切欠部４２内を通って開口部４ａ内に至り、有機機能膜１１０に通じる第２経路とを有している。 An organic functional film 110 including a hole injection layer 60 and a light emitting layer 70 is formed in the opening. Further, the counter electrode 12 is collectively formed on the organic functional film 110 and the partition wall 4 by a vapor phase method such as vapor deposition, and is sandwiched between the pixel electrode 111 and the counter electrode 12. The organic functional film 110 constitutes the organic EL element 3.
The counter electrode 12 communicates with the organic functional film 110 by descending directly in the opening 4a of the partition wall 4 from the second organic partition wall 412 as a path for supplying power to the organic functional film 110 (energization path). It has a first path and a second path that passes through the notch 42 formed in the partition wall 4 and reaches the opening 4 a and communicates with the organic functional film 110.

（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に図６〜図９を用いて、有機ＥＬ装置１の製造方法を説明する。図６〜図９はそれぞれ、製造過程において、図３のＹ−Ｙ′位置に対応した有機ＥＬ装置１の矢視断面図である。 (Method for manufacturing organic EL device)
Next, a method for manufacturing the organic EL device 1 will be described with reference to FIGS. 6 to 9 are cross-sectional views of the organic EL device 1 corresponding to the YY ′ position in FIG. 3 in the manufacturing process.

本発明の有機ＥＬ装置１を製造するには、まず、公知の技術によって、基板２上に回路素子部１４を形成する。そして、基板２の全面を覆うように画素電極１１１となる透明導電膜を、ＩＴＯによって形成する。次いで、この導電膜をパターニングすることにより、図６（ａ）に示すように、所定の画素形成位置に画素電極１１１を形成する。 In order to manufacture the organic EL device 1 of the present invention, first, the circuit element portion 14 is formed on the substrate 2 by a known technique. And the transparent conductive film used as the pixel electrode 111 is formed with ITO so that the whole surface of the board | substrate 2 may be covered. Next, by patterning this conductive film, as shown in FIG. 6A, a pixel electrode 111 is formed at a predetermined pixel formation position.

次いで、画素電極１１１上および回路素子部１４上に、ＳｉＯ_２等の無機絶縁材料をＣＶＤ法等で成膜して隔壁層（図示せず）を形成し、続いて、公知のホトリソグラフィー技術、エッチング技術を用いて隔壁層をパターニングする。これにより、図６（ｂ）に示すように、形成する各有機ＥＬ素子３の画素領域毎に開口部４０ａを形成すると同時に、無機隔壁４０を形成する。無機隔壁４０は、例えば、0.1μｍ〜0.5μｍ程度の厚さに形成する。 Next, an inorganic insulating material such as SiO ₂ is formed on the pixel electrode 111 and the circuit element portion 14 by a CVD method or the like to form a partition layer (not shown). Subsequently, a known photolithography technique, The partition layer is patterned using an etching technique. Thereby, as shown in FIG. 6B, the opening 40a is formed for each pixel region of each organic EL element 3 to be formed, and at the same time, the inorganic partition 40 is formed. The inorganic partition 40 is formed to have a thickness of about 0.1 μm to 0.5 μm, for example.

次いで、図６（ｃ）に示すように、無機隔壁４０の所定位置、詳しくは画素領域を囲む位置に、先述の無機隔壁４０と同様の手法により、樹脂によって第１の有機隔壁４１１を、例えば0.5μｍ〜2.0μｍ程度の厚さに形成する。 Next, as shown in FIG. 6C, the first organic partition 411 is made of resin at a predetermined position of the inorganic partition 40, specifically, a position surrounding the pixel region, using a resin in the same manner as the inorganic partition 40 described above. It is formed to a thickness of about 0.5 μm to 2.0 μm.

次いで、図６（ｄ）に示すように、第１の有機隔壁４１１上に第２の有機隔壁４１２を形成する。形成に際しては、切欠部４２に相当する部分にレジストマスクを設けないことにより、前記の第２の有機隔壁４１２を形成すると同時に、切欠部４１の支線部４２１および幹線部４２２を形成する。第２の有機隔壁４１２を、第１の有機隔壁４１１と同じ材料で形成する場合には、エッチングの時間制御を行うことで、また、第２の有機隔壁４１２を、第１の有機隔壁４１１と異なる材料で形成する場合には、エッチングレートの違いを利用することで、切欠部４２を所望の深さにすることができる。第２の有機隔壁４１２は、例えば２μｍ〜１０μｍ程度に形成する。 Next, as shown in FIG. 6D, the second organic partition 412 is formed on the first organic partition 411. At the time of formation, the resist mask is not provided in a portion corresponding to the notch portion 42, thereby forming the second organic partition wall 412 and simultaneously forming the branch line portion 421 and the trunk line portion 422 of the notch portion 41. When the second organic partition wall 412 is formed of the same material as the first organic partition wall 411, the second organic partition wall 412 is connected to the first organic partition wall 411 by controlling the etching time. When forming with a different material, the notch part 42 can be made into the desired depth using the difference in an etching rate. The second organic partition 412 is formed to have a thickness of about 2 μm to 10 μm, for example.

次いで、図７（e）に示すように、画素電極１１１と無機隔壁４０と第１の有機隔壁４１１、および第２の有機隔壁４１２を形成した側の面をプラズマPzによる表面処理を行い、その表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させ、後述する液体材料に対して親液性を付与する。具体的には、基板２を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ_２プラズマ処理）を行う。次いで、撥液化処理を行うことにより、第１の有機隔壁４１１の開口部内面、第２の有機隔壁４１２の上面および開口部内面、隔壁４の切欠部４２の内面、の濡れ性を低下させる。具体的には、大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ_４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基板２を室温まで冷却することで、前記の各面を撥液化し、その濡れ性を低下させる。
なお、このＣＦ_４プラズマ処理においては、画素電極１１１の露出面および無機隔壁４０についても多少の影響を受けるが、画素電極１１１の材料であるＩＴＯおよび無機隔壁４０の構成材料であるＳｉＯ_２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、酸素プラズマ処理で濡れ性が向上した面は濡れ性がそのままに保持される。 Next, as shown in FIG. 7 (e), the surface on which the pixel electrode 111, the inorganic partition 40, the first organic partition 411, and the second organic partition 412 are formed is subjected to surface treatment with plasma Pz. Contaminants such as organic substances adhering to the surface are removed to improve wettability, and lyophilicity is imparted to the liquid material described later. Specifically, the substrate 2 is heated to a predetermined temperature, for example, about 70 to 80 ° C., and then plasma processing (O ₂ plasma processing) using oxygen as a reaction gas under atmospheric pressure is performed. Next, the wettability of the inner surface of the opening of the first organic partition wall 411, the upper surface and inner surface of the opening of the second organic partition wall 412 and the inner surface of the notch portion 42 of the partition wall 4 is lowered by performing a liquid repellent treatment. Specifically, plasma treatment (CF ₄ plasma treatment) using tetrafluoromethane as a reaction gas under atmospheric pressure is performed, and then the substrate 2 heated for the plasma treatment is cooled to room temperature. Each surface is made liquid repellent and its wettability is lowered.
In this CF ₄ plasma treatment, the exposed surface of the pixel electrode 111 and the inorganic partition wall 40 are also somewhat affected. However, ITO that is a material of the pixel electrode 111 and SiO ₂ that is a constituent material of the inorganic partition wall 40 are Since the affinity for fluorine is poor, the wettability of the surface improved by oxygen plasma treatment is maintained.

次いで、前記隔壁４の開口部４ａの内側に正孔注入層６０を形成する。この正孔注入層６０の形成工程では、特に液滴吐出法が好適とされ、本実施形態では、図７（ｆ）に示すように、液滴吐出法であるインクジェット法を用いた例を示す。液滴吐出ノズル９０から、正孔注入層６０の形成材料であるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの分散液（液体材料）の液滴９１ａを前記画素電極１１１の露出面上に配し、その後、配された液体材料９１を熱処理によって乾燥させることにより、図８（ｇ）に示すように、正孔注入層６０を形成する。 Next, a hole injection layer 60 is formed inside the opening 4 a of the partition wall 4. In the step of forming the hole injection layer 60, a droplet discharge method is particularly suitable. In this embodiment, as shown in FIG. 7 (f), an example using an inkjet method which is a droplet discharge method is shown. . A droplet 91a of a dispersion (liquid material) of PEDOT-PSS, which is a material for forming the hole injection layer 60, is disposed on the exposed surface of the pixel electrode 111 from the droplet discharge nozzle 90, and then the disposed liquid. By drying the material 91 by heat treatment, the hole injection layer 60 is formed as shown in FIG.

次いで、図８（ｈ）に示すように、インクジェット法を用いて前記正孔注入層６０上に発光層７０を形成する。液滴吐出ノズル９０から、発光層７０の形成材料の液滴９２ａを前記正孔注入層６０上に吐出し、その後、配された発光層７０の液体材料９２を窒素雰囲気中にて１００℃で１時間程度の熱処理を行うことによって乾燥させ、図９（ｉ）に示すように、隔壁４に形成された開口部４ａ内、すなわち画素領域Ａに発光層７０を形成する。発光層７０の形成材料中に用いる溶媒としては、例えばキシレンが用いられる。 Next, as shown in FIG. 8H, a light emitting layer 70 is formed on the hole injection layer 60 using an inkjet method. From the droplet discharge nozzle 90, the droplet 92a of the material for forming the light emitting layer 70 is discharged onto the hole injection layer 60, and then the liquid material 92 of the light emitting layer 70 disposed at 100 ° C. in a nitrogen atmosphere. Drying is performed by performing a heat treatment for about one hour, and a light emitting layer 70 is formed in the opening 4a formed in the partition wall 4, that is, in the pixel region A, as shown in FIG. As a solvent used in the material for forming the light emitting layer 70, for example, xylene is used.

ここで、このように正孔注入層６０と発光層７０とからなる有機機能膜１１０を形成するに際し、隔壁４に形成された開口部４ａ内に正孔注入層６０や発光層７０の液体材料を充填した際、前記切欠部４２は撥液性を有しているため、前記開口部４ａから前記液体材料が流れ出ることが防止されている。したがって、前記切欠部４２内には、正孔注入層６０や発光層７０が形成されること無く、たとえ形成されても、その厚さは極めて薄いものとなる。 Here, when the organic functional film 110 composed of the hole injection layer 60 and the light emitting layer 70 is formed in this way, the liquid material of the hole injection layer 60 and the light emitting layer 70 is formed in the opening 4 a formed in the partition wall 4. Since the cutout portion 42 has liquid repellency when the liquid material is filled, the liquid material is prevented from flowing out from the opening 4a. Therefore, the hole injection layer 60 and the light emitting layer 70 are not formed in the cutout portion 42, and even if formed, the thickness is extremely thin.

次いで、図９（ｊ）に示すように、前記有機機能膜１１０及び有機隔壁２２１を覆って例えばカルシウムを厚さ５ｎｍ程度、アルミニウムを厚さ３００ｎｍ程度に積層し、対向電極１２を形成する。この対向電極１２の形成に際しては、有機ＥＬ素子３を効率よく発光させるため、例えば電子注入層としてフッ化リチウムを発光層７０側に形成してもよい。また、この対向電極１２の形成では、前記正孔注入層６０や発光層７０の形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うことにより、画素領域にのみ選択的に形成するのでなく、基板２のほぼ全面に対向電極１２を形成する。その後、前記対向電極１２上に接着層（図示せず）を形成し、さらにこの接着層によって封止基板（図示せず）を接着し、封止を行う。これにより、本実施形態の有機ＥＬ装置１を得る。 Next, as shown in FIG. 9J, the counter electrode 12 is formed by covering the organic functional film 110 and the organic partition 221 and laminating, for example, calcium with a thickness of about 5 nm and aluminum with a thickness of about 300 nm. In forming the counter electrode 12, for example, lithium fluoride may be formed on the light emitting layer 70 side as an electron injection layer in order to cause the organic EL element 3 to emit light efficiently. Further, in the formation of the counter electrode 12, unlike the formation of the hole injection layer 60 and the light emitting layer 70, by performing the deposition method, the sputtering method, or the like, the substrate is not selectively formed only in the pixel region, but the substrate 2, the counter electrode 12 is formed on almost the entire surface. Thereafter, an adhesive layer (not shown) is formed on the counter electrode 12, and a sealing substrate (not shown) is further adhered by this adhesive layer to perform sealing. Thereby, the organic EL device 1 of the present embodiment is obtained.

以上のような製造方法によって得られた有機ＥＬ装置１は、有機機能膜１１０へ電力を供給する通電経路が２経路備わっている。そのうち本発明に係る切欠部４２を経由する前記第２経路は、第１の有機隔壁４１１が低く形成されているので、有機機能膜１１０の上面と前記切欠部４２の底面との段差が小さくなっている。したがって、蒸着法やスパッタ法等の気相法を用いて隔壁４上と有機機能膜１１０上とに一括して対向電極１２を形成した場合でも、前記段差部は良好なカバレッジ性を有するため、前記段差部で前記第２の経路が不連続となり、断線を生じることが防止される。 The organic EL device 1 obtained by the manufacturing method as described above has two energization paths for supplying power to the organic functional film 110. Among them, the second path passing through the notch portion 42 according to the present invention has a low first organic partition wall 411, so that the level difference between the upper surface of the organic functional film 110 and the bottom surface of the notch portion 42 is reduced. ing. Therefore, even when the counter electrode 12 is formed collectively on the partition wall 4 and the organic functional film 110 using a vapor phase method such as an evaporation method or a sputtering method, the stepped portion has a good coverage, The second path is discontinuous at the stepped portion, and disconnection is prevented.

また、このように第２の経路の断線が防止されているため、たとえ前記第１の経路に断線が生じた場合でも、有機機能膜１１０には前記第２の経路を経由して電力が供給されるため、有機ＥＬ素子３が確実に機能するようになる。したがって、隔壁４上と有機機能膜１１０上とに一括して対向電極１２を形成する方法として、蒸着法等の気相法を良好に用いることができる。 In addition, since the disconnection of the second path is prevented in this way, even if a disconnection occurs in the first path, power is supplied to the organic functional film 110 via the second path. Therefore, the organic EL element 3 functions reliably. Therefore, a vapor phase method such as a vapor deposition method can be favorably used as a method for forming the counter electrode 12 on the partition 4 and the organic functional film 110 at once.

また、前記第１の経路に断線が生じても、有機ＥＬ素子３を確実に機能させることできる構成にしているので、対向電極１２を形成する際に、第２の有機隔壁４１２上と有機機能膜１１０上との間の段差が大きくなってもよい。したがって、第２の有機隔壁４１２を高く形成する構成が可能となっている。
このようにすれば、インクジェット法等の液滴吐出法を用いた手法によって有機機能膜１１０を形成する場合に、前記有機機能膜１１０形成用の液体材料が、第２の有機隔壁４１２を越えて近隣の画素領域Ａへ溢れ出ることが防止される。 In addition, since the organic EL element 3 can be surely functioned even if the first path is disconnected, the organic function and the second organic partition wall 412 are formed when the counter electrode 12 is formed. The step between the film 110 and the film 110 may be increased. Therefore, the structure which forms the 2nd organic partition 412 high is possible.
In this case, when the organic functional film 110 is formed by a method using a droplet discharge method such as an ink jet method, the liquid material for forming the organic functional film 110 exceeds the second organic partition wall 412. Overflow to the neighboring pixel area A is prevented.

したがって、前記隔壁４の開口部４ａ内に前記液体材料をより多く充填することができ、前記発光膜７０等を厚くすることができる。一般に、有機材料からなる機能膜は、通電させると劣化を生じるため、膜厚が薄いと短寿命となるが、本発明に係る発光層７０等は十分に厚く形成されているため、長寿命のものとなる。したがって、前記発光層７０等
を備えた有機ＥＬ素子３も長寿命となる。 Therefore, the liquid material can be filled more in the opening 4a of the partition wall 4, and the light emitting film 70 and the like can be thickened. In general, a functional film made of an organic material deteriorates when energized. Therefore, if the film thickness is thin, the functional film has a short life. However, the light emitting layer 70 according to the present invention is formed to be sufficiently thick, and thus has a long life. It will be a thing. Therefore, the organic EL element 3 including the light emitting layer 70 and the like also has a long life.

また、前記有機機能膜１１０の液体材料が前記画素領域Ａから前記切欠部４２内に流れ出し、前記切欠部４２に濡れ広がることを防止されているので、前記開口部４ａ内に前記液体材料を所定量配することができ、これにより有機機能膜１１０を所定の厚さに形成することができる。 Further, since the liquid material of the organic functional film 110 is prevented from flowing out from the pixel region A into the notch 42 and spreading into the notch 42, the liquid material is placed in the opening 4a. The organic functional film 110 can be formed in a predetermined thickness.

また、前記隔壁４を形成する工程は、画素電極１１１を露出させた状態で、第１の有機隔壁４１１（第１の隔壁）を形成する工程と、この第１の有機隔壁４１１上に、前記切欠部４２を有した状態で、第２の有機隔壁４１２（第２の隔壁）を形成する工程とを有しているので、前記切欠部４２が形成された前記隔壁４を、簡便に形成することができる。 Further, the step of forming the partition 4 includes the step of forming the first organic partition 411 (first partition) with the pixel electrode 111 exposed, and the step of forming the partition on the first organic partition 411. A step of forming the second organic partition 412 (second partition) in a state having the notch 42, so that the partition 4 having the notch 42 is easily formed. be able to.

また、前記隔壁４を形成する工程と、前記有機機能膜１１０を形成する工程との間に、前記隔壁４に撥液性を付与する工程を有しているので、前記隔壁４の内面と上面および、切欠部４２内面とに、確実に撥液性を付与することができる。したがって、液滴吐出法を用いた手法によって前記有機機能膜１１０を形成する場合に、前記有機機能膜１１０の液体材料が、画素領域Ａから前記切欠部４２に流れ出し、前記切欠部４２に濡れ広がることが防止される。したがって、前記開口部４ａ内に前記有機機能膜１１０の液体材料を所定量配することができ、これにより所定の厚さの有機機能膜１１０を形成できる。 In addition, since there is a step of imparting liquid repellency to the partition 4 between the step of forming the partition 4 and the step of forming the organic functional film 110, the inner surface and the upper surface of the partition 4 are provided. And liquid repellency can be reliably provided to the notch part 42 inner surface. Accordingly, when the organic functional film 110 is formed by a method using a droplet discharge method, the liquid material of the organic functional film 110 flows out from the pixel region A to the cutout portion 42 and spreads in the cutout portion 42. It is prevented. Therefore, a predetermined amount of the liquid material of the organic functional film 110 can be arranged in the opening 4a, and thereby the organic functional film 110 having a predetermined thickness can be formed.

以上のように、本発明の有機ＥＬ装置１は、確実に機能し、しかも、長寿命の有機ＥＬ素子を備えているので、信頼性が高く、長寿命の装置となっている。
また、本発明の製造方法によれば、切欠部４２を備えた隔壁４を容易に形成でき、対向電極１２を一括して形成でき、同一基板上に発光波長帯域が異なる複数の有機機能膜１１０を同時に形成できるので、前記有機ＥＬ装置１の生産性を著しく高めることができる。 As described above, the organic EL device 1 of the present invention functions reliably and has a long-life organic EL element, so that the device is highly reliable and has a long life.
In addition, according to the manufacturing method of the present invention, the partition walls 4 having the notches 42 can be easily formed, the counter electrodes 12 can be collectively formed, and a plurality of organic functional films 110 having different emission wavelength bands on the same substrate. Therefore, the productivity of the organic EL device 1 can be significantly increased.

（有機ＥＬ装置の他の構成例）
前記実施形態では、有機機能膜１１０へ電力を供給する通電経路として、隔壁４上から開口部４ａを降下し、前記有機機能膜１１０上へ至る前記第１の経路を備えた例を示したが、前記第１の経路を断線させた構成とすることもできる。具体的には、第２の有機隔壁４１２を高く形成することや、前記隔壁４の開口部４ａを囲む側面を、少なくともその一部が、画素電極１１１側から対向電極１２側に向かってその開口径を縮小するような傾斜面（逆テーパ面）に形成することによって、気相法によって対向電極１２を形成する際に、前記隔壁４の開口部４ａを囲む側面においてカバレッジ性を損なわせることができる。
このような構成において、有機ＥＬ素子３への電力供給は、前記第２の経路によってのみなされるため、本実施形態のように、配列された有機ＥＬ素子３の行（走査線）や列ごとに連通した切欠部４１を有した構成とすれば、行（走査線）や列ごとに独立した配線とすることができる。したがって、画素を行や列ごとに独立して駆動することができ、発光むら等を画素の駆動制御によって調整し改善することが可能となる。 (Other structural examples of organic EL devices)
In the embodiment, the example in which the first path that descends the opening 4a from the partition 4 and reaches the organic functional film 110 as the energization path for supplying power to the organic functional film 110 is shown. The first path may be disconnected. Specifically, the second organic partition wall 412 is formed higher, or at least a part of the side surface surrounding the opening 4a of the partition wall 4 is opened from the pixel electrode 111 side toward the counter electrode 12 side. By forming on the inclined surface (reverse taper surface) that reduces the diameter, the coverage property may be impaired on the side surface surrounding the opening 4a of the partition wall 4 when the counter electrode 12 is formed by the vapor phase method. it can.
In such a configuration, since power is supplied to the organic EL elements 3 only through the second path, the rows (scanning lines) and columns of the arranged organic EL elements 3 as in the present embodiment. If the configuration has the notch portion 41 communicating with each other, the wiring can be made independent for each row (scanning line) or each column. Therefore, the pixels can be driven independently for each row or column, and unevenness of light emission can be adjusted and improved by driving control of the pixels.

なお、本実施形態では、ボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置１を例としたが、対向電極１２側から光を取り出すトップエミッション構造としてもよい。また、隔壁４の構造としては、無機隔壁４０と有機隔壁４１の積層体でなくてもよいし、有機隔壁４１は単層でも３層以上でも良い。また、複数層からなる有機壁４１とする場合、各層の材料を変化させてもよい。 In the present embodiment, the organic EL device 1 having a bottom emission structure is taken as an example, but a top emission structure in which light is extracted from the counter electrode 12 side may be used. Further, the structure of the partition 4 may not be a laminate of the inorganic partition 40 and the organic partition 41, and the organic partition 41 may be a single layer or three or more layers. Moreover, when it is set as the organic wall 41 which consists of multiple layers, you may change the material of each layer.

（電子機器）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記有機ＥＬ装置１からなる表示部を示している。
図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は前記有機ＥＬ装置１からなる表示部を示している。
図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は前記有機ＥＬ装置１からなる表示部を示している。
図１０（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図１０（ｄ）において、薄型大画面テレビ１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、前記有機ＥＬ装置１からなる表示部１３０６を備える。 (Electronics)
Next, a specific example of an electronic apparatus provided with the organic EL device 1 of the present embodiment will be described.
FIG. 10A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 10A, reference numeral 1000 indicates a mobile phone body, and reference numeral 1001 indicates a display unit including the organic EL device 1.
FIG. 10B is a perspective view illustrating an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 10B, reference numeral 1100 indicates a watch body, and reference numeral 1101 indicates a display unit including the organic EL device 1.
FIG. 10C is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. 10C, reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, reference numeral 1202 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 1204 denotes an information processing apparatus body, and reference numeral 1206 denotes a display unit including the organic EL device 1.
FIG. 10D is a perspective view showing an example of a thin large-screen television. In FIG. 10D, the thin large-screen television 1300 includes a thin large-screen television main body (housing) 1302, an audio output unit 1304 such as a speaker, and a display unit 1306 including the organic EL device 1.

図１０（ａ）〜（ｄ）に示す電子機器１０００，１１００，１２００，１３００は、前記有機ＥＬ装置１を備えているので、この有機ＥＬ装置１からなる表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６の色むらが防止され、長寿命化していることにより、これら電子機器１０００，１１００，１２００，１３００は、良好な表示特性を有し、しかも長寿命化したものとなる。 Since the electronic devices 1000, 1100, 1200, and 1300 shown in FIGS. 10A to 10D include the organic EL device 1, the display units 1001, 1101, 1206, and 1306 of the organic EL device 1 are included. By preventing color unevenness and extending the life, these electronic devices 1000, 1100, 1200, and 1300 have good display characteristics and longer life.

本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態の配線構造を示す説明図Explanatory drawing which shows the wiring structure of one Embodiment of the organic electroluminescent apparatus of this invention 有機ＥＬ装置の平面模式図Plane schematic diagram of organic EL device 表示領域の要部を平面視した模式図Schematic view of the main part of the display area in plan view 図３のＸ−Ｘ断面図XX sectional view of FIG. 図３のＹ−Ｙ′矢視断面図YY 'arrow sectional view of FIG. 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図The figure explaining the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図The figure explaining the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図The figure explaining the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図The figure explaining the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus 本発明の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の具体例Specific examples of electronic devices provided with the organic EL device of the present invention

Explanation of symbols

１…有機ＥＬ装置、２…基板、４…隔壁、４１１…第１の有機隔壁（第１の隔壁）、４１２…第２の有機隔壁（第２の隔壁）、４２…切欠部、４２１…支線部、４２２…幹線部１２…対向電極（第２の電極）、６０…正孔注入層、７０…発光層、１１０…有機機能膜、１１１…画素電極（第１の電極） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL apparatus, 2 ... Board | substrate, 4 ... Partition, 411 ... 1st organic partition (1st partition), 412 ... 2nd organic partition (2nd partition), 42 ... Notch part, 421 ... Branch line , 422 ... trunk part 12 ... counter electrode (second electrode), 60 ... hole injection layer, 70 ... light emitting layer, 110 ... organic functional film, 111 ... pixel electrode (first electrode)

Claims

A substrate, a first electrode formed on the substrate, a partition wall formed on the first electrode and having an opening for partitioning the first electrode for each pixel region; and in the opening An organic functional film formed, and a second electrode formed on the organic functional film,
The partition wall is provided with a groove-shaped notch that communicates with the opening at least at a part of the circumference surrounding the opening.
Notch of said partition wall, which extends from the plurality of openings corresponding to the array is the pixel regions are in communication with each row or column,
The second electrode is formed so as to cover the entire surface of the partition, in the notch, and on the organic functional film, and at least continuously between the notch and the organic functional film. An organic EL device, wherein the organic EL device is provided so as to be driven independently for each row or column .

The organic EL device according to claim 1, wherein an inner surface of the notch of the partition wall has liquid repellency.

At least a part of the side surface surrounding the opening of the partition wall is an inclined surface that reduces the diameter of the opening from the first electrode side toward the second electrode side. The organic EL device according to claim 1 or 2 .

Forming a first electrode on a substrate;
On the first electrode, there is an opening that divides the first electrode for each pixel region, and at least a part of the circumference surrounding the opening has a groove-shaped notch that communicates with the opening. Forming a partition;
Forming an organic functional film in the opening of the partition wall by a liquid phase method;
Possess as on the partition wall, and the cut portion, and forming a second electrode by a vapor phase process over the entire surface of the organic functional film, and
Notch of said partition wall, which extends from the plurality of openings corresponding to the array is the pixel regions are in communication with each row or column,
The second electrode is formed so as to cover the entire surface of the partition, in the notch, and on the organic functional film, and at least continuously between the notch and the organic functional film. A method of manufacturing an organic EL device, wherein the organic EL device is provided so as to be driven independently for each row or column .

The step of forming the partition includes
Forming a first partition on the first electrode in a state where the first electrode is exposed in the pixel region;
The method of manufacturing an organic EL device according to claim 4 , further comprising: forming a second partition wall in a state where the notch is provided on the first partition wall.

A step of forming the partition wall, between the step of forming the organic functional layer, the organic EL according to claim 4 or claim 5, further comprising a step of imparting liquid repellency to the partition wall Device manufacturing method.